Пленочные структуры оксидов переходных металлов: технология, контроль, оборудование тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Шаповалов, Виктор Иванович

• Шаповалов, Виктор Иванович
• доктор технических наук
• 2008

Оглавление диссертации доктор технических наук Шаповалов, Виктор Иванович

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ОСАЖДЕНИЯ И КОНТРОЛЯ

ПЛЕНОЧНЫХ ОКСИДНЫХ СТРУКТУР (обзор литературы).

1.1. Области применения.

1.2. Особенности технологии осаждения оксидных пленок методом реактивного распыления.

1.3. Модели процесса реактивного распыления.

1.3.1. Частные изотермические модели.

1.3.2. Общая изотермическая модель.

1.4. Оптические методы контроля оксидных пленок.

1.4.1. Спектры отражения и пропускания оксидных пленок.

1.4.2. Аналитическое описание спектров.

1.5. Электрические методы контроля оксидных пленок.

Выводы и постановка задач диссертационного исследования.

ГЛАВА 2. ОСАЖДЕНИЕ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ

РЕАКТИВНОГО РАСПЫЛЕНИЯ.

2.1. Изменение состава поверхностного слоя оксида при распылении.

2.2. Анализ изотермической модели.

2.3. Неизотермическая модель, основанная на хемосорбции.

2.4. Неизотермическая модель, основанная на поверхностной химической реакции.

2.4.1. Основные допущения модели.

2.4.2. Кинетика формирования слоя соединения М„,Х„ за счет поверхностной химической реакции.

2.4.3. Уравнение стационарного состояния поверхности мишени.

2.4.4. Уравнения стационарного состояния поверхности подложки и стенки камеры.

2.4.5. Газовые потоки при реактивном распылении.

2.4.6. Система уравнений.

2.4.7. Анализ режимов работы мишени.

2.5. Технология осаждения пленки соединения.

2.5.1. Параметры процесса.

2.5.2. Устойчивость процесса осаждения.

2.5.3. Диагностика плазмы разряда в реактивной газовой среде.

Выводы.

ГЛАВА 3. ОПТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР.

3.1. Оптические спектры пропускания и отражения в видимом диапазоне.

3.1.1. Матричный метод вычисления коэффициентов пропускания и отражения.

3.1.2. Пропускание и отражение для трехслойной и четырехслойной структуры.

3.1.3. Физическая форма выражений для спектров пропускания и отражения.

3.1.4. Приборный эффект.

3.1.5. Анализ спектров отражения и пропускания.

3.2. Спектры пропускания и отражения слабо поглощающих пленок.

3.2.1. Сильно поглощающая подложка.

3.2.2. Прозрачная подложка.

3.3. Метод определения оптических констант и толщины слабо поглощающей пленки на прозрачной подложке по экспериментальному спектру пропускания.

3.3.1. Система уравнений.

3.3.2. Начальное приближение.

3.3.3. Итерационная процедура.

3.4. Особенности определения оптических констант и толщины слабо поглощающей пленки на прозрачной подложке по экспериментальным спектрам пропускания и отражения.

3.5. Особенности определения оптических констант и толщины слабо поглощающей пленки на сильно поглощающей подложке по экспериментальному спектру отражения

Выводы.

ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР.

4.1 Поверхностный потенциал диэлектрической пленки с зарядом.

4.1.1. Потенциалы на границах пленки.

4.1.2. Потенциалы на электродах.

4.1.3. Заряды, индуцированные на электродах.

4.1.4. Динамический режим.

4.1.5. Измерение заряда в пленке методом динамического конденсатора с компенсацией.

4.2. Изотермическая релаксация инжектированного заряда.

4.2.1. Постановка задачи и исходные уравнения.

4.2.2. Аналитическое решение нестационарной граничной задачи.

4.2.3. Анализ поведения инжектированного заряда во времени.

4.2.4. Частные случаи анализа.

4.2.5. Поверхностный потенциал пленки.

4.3. Метод определения параметров диэлектрической пленки.

4.3.1. Основные уравнения и порядок расчета.

4.3.2. Численные расчеты и анализ экспериментальных данных.

4.4. Метод оперативного определения подвижности электронов.

Выводы.

ГЛАВА 5. ОБОРУДОВАНИЕ, ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ МЕТОДОВ

ОСАЖДЕНИЯ И КОНТРОЛЯ ПЛЕНОЧНЫХ ОКСИДНЫХ СТРУКТУР И РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ИХ ПРАКТИЧЕСКОМУ ПРИМЕНЕНИЮ.

5.1. Научно-исследовательская лаборатория.

5.1.1. Установки осаждения ПОС методом реактивного магнетронного распыления.

5.1.2. Установка измерения спектров отражения и пропускания.

5.1.3. Установка измерения поверхностного потенциала пленки.

5.1.4. Ионный источник с осцилляцией электронов.

5.2. Пленка оксида титана в составе ПОС.

5.2.1. Технология осаждения пленки.

5.2.2. Внутренний фотоэффект в пленке оксида титана.

5.3. Пленка оксида тантала в составе ПОС.

5.3.1. Технология осаждения пленки.

5.3.2. Управление кристаллизацией аморфных пленок оксида тантала путем термического отжига.

5.3.3. Влияние металла подложки на электретные свойства пленочной структуры.

5.4. Рекомендации по разработке ультрафиолетовых фотоприемников на основе ПОС для УФ дозиметров.

5.4.1. Ультрафиолетовое излучение.

5.4.2. Фотоприемники УФ диапазона.

5.4.3. Дифференциальный фотоприемник на основе ПОС

5.5. Рекомендации по разработке ПОС для репарации поврежденных тканей.

5.6. Требования к технологическому комплексу для промышленного производства ПОС.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Пленочные структуры оксидов переходных металлов: технология, контроль, оборудование»

Основы науки о диэлектрических материалах, содержащих оксиды металлов, в 20-х годах прошлого столетия в нашей стране были заложены академиком А.Ф. Иоффе и его учениками (А.П. Александровым, Б.М. Вулом, И.В. Курчатовым, П.П. Кобеко и др.). Позже в 40-х годах возникли научные школы, которые занимались исследованием и разработками новых диэлектрических, в частности, керамических материалов. В Москве такую школу представляли Г.И. Сканави, Б.М. Тареев, позже А.Н. Губкин и др. В Ленинграде и, в частности, в ЛЭТИ возникла научная школа профессора Н.П. Богородицкого. К 60-м годам была не только глубоко изучена природа диэлектрических явлений в объемных оксидных материалах, но и освоено промышленное производство большой номенклатуры изоляционных материалов различного назначения, в том числе для электронной промышленности.

В 60-х годах объектами исследований и разработок стали диэлектрики в виде пленок толщиной до 1 мкм. При этом большое внимание было уделено их изолирующим свойствам в связи с использованием в дискретных планарных транзисторах и в элементах интегральной электроники. Именно в это время появился интерес к пленкам оксидов переходных металлов, которые демонстрировали рекордную для оксидов диэлектрическую проницаемость. В 70-х годах анодные пленки оксида тантала были использованы для производства конденсаторов в НПО «Позитрон». В связи с этим возник более глубокий интерес к электрофизическим свойствам и других оксидов переходных металлов (ниобия, титана и др.) [1,2].

К началу 90-х годов пленки оксидов переходных металлов составили отдельный класс материалов со свойствами (изолирующими, ферромагнитными, сегнето-электрическими, фотохромными и др.), благодаря которым они нашли широкое применение в электронике, оптике и других областях.

В 90-х годах начинается разработка пленочных изоляторов для замены оксида кремния в процессорах и динамической памяти. Так, повышение диэлектрической проницаемости и электрической прочности вместе со снижением тока утечки и плотности дефектов достигается в пленках бинарных твердых растворов Та205 -ТЮ2 [3], Та205 - А1203 [4], ТЮ2 - А1203 [5] и др. В гетероструктуре НЮ2 - Та205 с несколькими десятками пар слоев толщиной 5-20 нм удалось получить плавное изменение диэлектрической проницаемостью от 16 до 25 [6]. Кроме этого возникают новые области применения, в которых используют полупроводниковые свойства пленок оксидов переходных металлов, управление которыми достигается за счет создания кристаллической фазы в аморфной матрице пленки, легирования атомами металлов или создания слоистых структур [7-9].

Все эти работы формируют новое научное направление: пленочные структуры оксидов переходных металлов. Многообразие свойств этих оксидов создает широкие возможности для синтеза новых пленочных материалов с новыми электрическими, магнитными и оптическими характеристиками. Такие материалы могут быть созданы в виде многослойных покрытий, состоящих из нескольких слоев оксидов, последовательно осажденных на подложку. Каждый слой может представлять собой либо монооксид, либо трехкомпонентную систему, например, оксинит-рид, оксикарбид или твердый раствор двух оксидов. Подобное многослойное покрытие вместе с подложкой, на которой оно сформировано, в дальнейшем будем называть пленочной оксидной структурой (ПОС). Одиночная монооксидная однофазная (либо многофазная) или многокомпонентная пленка на подложке представляет собой частный случай ПОС.

Целью диссертационной работы является разработка комплекса научно-обоснованных методов осаждения ПОС и контроля их физических свойств, которые определяют возможность изготовления ПОС для приборов электронной техники, а также создают основу для выработки требований к технологическому оборудованию для промышленного производства ПОС.

Для достижения указанной цели необходимо было решить ряд задач:

1) разработать модель технологического процесса, избранного для изготовления ПОС, и получить ее аналитическое описание;

2) на основе модели разработать методы выбора и контроля режима осаждения пленок оксидов;

3) разработать физически корректные модели и аналитическое описание процессов, лежащих в основе контроля физических свойств ПОС

4) разработать методы контроля физических свойств ПОС;

5) провести экспериментальное исследование технологии ПОС на основе оксидов тантала и титана, изучить их физические свойства и показать возможность применения в качестве материалов и приборов электронной техники, а также для других приложений.

6) выработать требования к составу и техническим характеристикам технологического комплекса для промышленного производства ПОС.

Разнообразие возможных применений оксидных пленок стимулировало разработку и исследование множество методов их осаждения, которые можно разделить на три группы: химические, испарение и распыление.

Среди химических методов синтеза пленок оксидов наиболее популярен золь-гель метод [10, 11]. Кроме этого эффективно применяют разновидности газофазных методов такие, как химическое газофазное осаждение (СУБ) [12-15], химическое газофазное осаждение, активированное плазмой (РЕСУБ) [16], химическое газофазное осаждение, активированное ионным пучком (ШСУТ)) [17], химическое газофазное осаждение из металлоорганического соединения (МОСУБ) [18].

Следует отметить, что, несмотря на относительную простоту технической реализации, химические методы обладают рядом недостатков, которые ограничивают их применение. С их помощью, во-первых, трудно получить беспримесные одиночные пленки стехиометрического состава, поскольку для химических систем характерны конкурирующие реакции. Определение области стехиометричности пленки при управлении температурой и концентрациями исходных реагентов является сложной термодинамической задачей. Во-вторых, задача резко усложняется при создании многослойных ПОС, когда формирование каждого последующего слоя при повышенной температуре приводит к изменениям в предыдущих слоях.

Этих недостатков в значительной мере лишены методы осаждения пленок оксидов, в которых применяют физические методы формирования рабочего потока частиц металла или оксида при низком давлении. Процесс проводят либо в инертной газовой среде, содержащей только Аг, либо в смеси газов Аг + В частности, поток исходного вещества может быть получен путем испарения электронным пучком [19-21]. Однако осаждеиие испарением равномерных слоев на подложках большой площади представляет собой очень сложную техническую задачу.

Индустриальная технология, применяемая для осаждения пленок любого состава на большие площади, основана на методах распыления. Распыление металлических мишеней в плазме инертного газа (обычно аргона) - известная и эффективная методика осаждения пленок металлов. Добавление в среду Аг реактивного газа (02, N2, В2Н6 и т.д.) позволяет осаждать пленки оксидов, нитридов, боридов, карбидов и т.д. [22, 23]. Реактивное распыление может быть выполнено при низкой температуре на фактически любой материал и может давать пленки, которые имеют ограничение по толщине только в связи с внутренним напряжением в пленке, что значительно влияет на механическую устойчивость пленочной структуры.

Этот технологический метод обладает высокой гибкостью в управлении процессом осаждения одиночных слоев. Потенциально он дает возможность осаждать композиционно градиентные пленки и формировать неравновесные составы [24]. Управление осуществляется регулированием нескольких независимых переменных (расходы аргона и кислорода, электрическая мощность на мишени, температура подложки, потенциал смещения на подложке и др.). Кроме этого реактивное распыление позволяет в едином вакуумном цикле получать разные по составу слои с помощью нескольких мишеней [25] и (или) реактивных газов (например, кислород и азот) [26].

Для эффективной реализации всех возможностей реактивного распыления, как многофакторного процесса необходимо, в первую очередь, установить его общие закономерности, связать технологические режимы со свойствами пленок. Понятно, что пленка оксида формируется на подложке за счет химической реакции. Но ее механизм не вполне очевиден. Одни авторы считают, что реакция протекает на поверхности подложки, другие допускают распыление оксида с окисленной поверхности мишени. Реакции в газовой фазе маловероятны из-за низких сечений взаимодействия в высоком вакууме.

Огромный пласт исследований процесса реактивного распыления содержит работы, которые сосредоточены главным образом на изучении свойств конкретных пленок, осажденных с помощью какой-либо разновидности метода. Известны работы, цитируемые в главе 1, в которых сделаны попытки создать физическую модель процесса реактивного распыления. Однако до сих пор подобные попытки не привели к созданию общей теории этого процесса. При таком положении дел установление закономерностей управляемого синтеза слоев ПОС остается задачей, которую обычно решают методом «проб и ошибок», используя интуицию и технологический опыт. Разработке обобщенной физической модели процесса реактивного распыления, получению ее аналитического описания и разработке метода выбора режима осаждения пленки соединения посвящена глава 2.

После изготовления пленочной структуры возникает не менее важная задача контроля ее физических свойств. Следует уточнить, что в диссертационной работе термин «контроль физических свойств ПОС» означает только первую часть контрольно-измерительной операции - измерение значения физической величины (параметра), отражающей определенное свойство оксидной пленки или ПОС в целом (электрическое, оптическое и др.). Остановимся только на определении таких физических параметров, которые определяют электропроводность и поляризуемость оксидных пленок. Для характеризации электропроводности используют темновую и спектральную проводимость на постоянном токе, подвижность носителей заряда, концентрацию глубоких и мелких ловушек. Поляризуемость пленки определяют относительной диэлектрической проницаемостью, тангенсом угла потерь и их дисперсией. В оптическом диапазоне эти свойства описывают показателями преломления и поглощения. Для оперативного контроля выделенных свойств ПОС обычно применяют оптические и электрические измерения (более подробно эти вопросы освещены в главе 1).

Так в оптическом диапазоне параметры слабо поглощающих пленок, осажденных на прозрачную подложку, вычисляют по экспериментальным спектрам пропускания [27] и (или) отражения [28]. Решение этих задач обычно проводят численно по методикам, которые построены на аналитическом описании физических процессов, протекающих в пленочной структуре при воздействии на нее электромагнитной волны.

При анализе методики обработки спектра пропускания пленок оксидов, применяемой многими экспериментаторами [29], автором диссертационной работы были обнаружены неточности, в выборе физической модели, которая связывает экспериментально измеренные спектры с геометрическими и оптическими параметрами исследуемой структуры. Детальный анализ других публикаций, в которых более последовательно рассмотрены процессы отражения, поглощения и пропускания света для различных сред, также показал наличие ряда ошибок и взаимных противоречий [30, 31]. Поэтому для получения надежных расчетных соотношений в применении к обработке результатов измерений возникла задача разработки физически корректной модели, пригодной для электродинамического анализа пленочных структур с учетом явлений интерференции и оптического поглощения в материале пленки и подложки. Решению этой задачи, а также разработке соответствующих расчетных методов посвящена глава 3.

Проводимость пленки, подвижность электронов и концентрацию глубоких ловушек определяют по временной зависимости изотермической релаксации неравновесного заряда, инжектированного в пленочную структуру [32]. Академический интерес к этим процессам, связанный с изучением электретного состояния диэлектрических пленок, отмечен значительным числом публикаций в 70-х - 80-х годах прошлого столетия. Было установлено, что изотермическая релаксация электретного состояния диэлектрической пленки, осажденной на металл, в отсутствие, остаточной поляризации происходит вследствие дрейфа инжектированного в материал неравновесного заряда в собственном поле [33]. При изучении электретных свойств диэлектрических материалов авторы применяли физические модели разной степени сложности. В самом простом случае пленку диэлектрика рассматривали как идеальный изолятор [34-36], в которой после инжекции носителей заряда возникает дрейфовый ток. Вкладом диффузионного компонента тока обычно пренебрегали. Другие авторы включали в рассмотрение проводимость диэлектрика [37, 38] или исследовали случай только с захватом неравновесных носителей ловушками [28, 39-41]. Причем в большинстве случаев в модели учитывали моноэнергетические ловушки. Для этих простых моделей описание процесса изотермической релаксации было получено в аналитической форме. В наиболее сложном случае, когда пленка имеет проводимость и центры захвата, задачу решали численными методами [42-44].

В последнее время интерес к электретным свойствам диэлектриков переместился в сферу практического применения (электретные преобразователи, газовые фильтры, релейные переключатели и др.). Однако аналитическое решение задачи релаксации неравновесного реального заряда в диэлектрической пленке для наиболее общего случая, когда диэлектрик обладает проводимостью и ловушками, до сих пор не получено. Численное решение задачи не позволяют детально изучать влияние параметров материала на релаксацию заряда в нем. Исследованию задачи релаксации неравновесного заряда, инжектированного в пленочную структуру, разработке метода измерения потенциала свободной поверхности пленки и метода вычисления ее физических параметров по результатам таких измерений посвящена глава 4.

В главе 5 описаны оригинальные компоненты научно-исследовательской лаборатории, сформированной в процессе диссертационных исследований, в которой получены авторские экспериментальные результаты по формированию пленочных структур на основе оксидов тантала и титана методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. При осаждении пленок использован метод, разработанный в главе 2. Для контроля ПОС применены оптические и электрические измерения, в частности, с использованием методов, изложенных в главах 3 и 4. Показано возможное применение ПОС на основе пленок оксидов тантала и титана в электронике и для изменения физических свойств поверхности объемных материалов. Кроме этого в данной главе изложены требования к составу технологического комплекса для промышленного производства ПОС,.

Все результаты диссертации как в постановке задач, так и в исследовании моделей осаждения пленок и их контроля получены лично автором. Создание научно-исследовательской лаборатории, проведение в ней экспериментальных исследований и анализ результатов выполнены коллективов аспирантов, инженеров и студентов дипломного курса под руководством автора.

В ходе диссертационного исследования получены новые научные результаты, на основе которых сформулированы научные положения, выносимые на защиту:

1. Модель реактивного распыления металлов, основанная на поверхностной химической реакции, протекающей в неизотермических условиях, адекватно отражает экспериментально наблюдаемые эффекты и служит методической базой для разработки технологии пленочных оксидных структур.

2. Аналитическое представление оптических спектров четырехслойной структуры в форме, которая в области прозрачности пленки устраняет вклад интерференции в толстой подложке, нерегистрируемый спектрофотометром, составляет основу методов контроля пленочных оксидных структур.

3. Аналитическое решение задачи релаксации заряда, инжектированного в диэлектрическую пленку, с учетом проводимости диэлектрика и глубоких ловушек с быстрой зарядкой выявляет однозонный и двухзонный режимы релаксации, что служит основой методов контроля пленочных оксидных структур.

4. Совокупность разработанных методов осаждения и контроля пленочных структур определяют требования к составу и техническим характеристикам технологического комплекса для промышленного производства ПОС, основными элементами которого являются: многопозиционная автоматизированная установка изготовления ПОС методом реактивного магнетронного распыления, оснащенная спектрофотометрической системой диагностики плазмы, и установка измерения спектров пропускания и отражения в УФ и видимом диапазонах.

Совокупность научных результатов диссертационной работы представляет собой решение крупной проблемы научного обоснования технологии пленочных оксидных структур, методов контроля га физических свойств и разработки требований к составу и техническим характеристикам технологического комплекса для промыитенного производства ПОС, имеющей важное значение для производства материалов и приборов электронной техники.

Основные положения и результаты диссертационной работы представлены на Международных, Всесоюзных и Всероссийских конференциях, а также на научно-технических семинарах. В том числе на: Республиканской конференции «Физическая электроника» (г. Каунас 1985 г.), Международной конференции по электронно-лучевым технологиям (НРБ. г. Варна 1985 г.), Всесоюзной конференции «Ион-но-лучевая модификация материалов (пос. Черноголовка 1987), Всесоюзной конференции «Интегральная электроника СВЧ» (г. Красноярск 1988), VI Всесоюзном симпозиуме по РЭМ и аналитическим методам исследования твердого тела (г. Звенигород 1989 г.), VI Intern. School on Vacuum, Electron and Ion Technologies VETT'89 (Varna 1989 г.), Всесоюзной конференции «Ионно-лучевая модификация материалов (г. Каунас 1989 г.), IX Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом» (г. Москва 1989 г.), VI, VII и IX международных конференциях «Современные технологии обучения» (г. Санкт-Петербург 2000 г., 2001 г. и 2003 г. ), Международной конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (г. Москва 2003 г), X международной конференции «Физика диэлектриков «Диэлектрики - 2004»» (г. Санкт-Петербург 2004 г.), Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Москва 2004 г.), Международной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры» (г. Москва 2004 г.), 7-й и 8-й международных конференциях «Пленки и покрытия» (г. Санкт-Петербург 2005 г. и 2007 г.), Научно-технических семинарах «Вакуумная техника и технология» (г. Санкт-Петербург 2005-2007 гг.), XI Международной конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XVII Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Москва 2005 г.), III Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах «ФАГРАН-2006»» (г. Воронеж 2006 г.), XII Международной конференции «Высокие технологии в промышленности России» (г. Москва 2006 г.), XIII Международной конференции «Высокие технологии в промышленности России» и XX Международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Москва 2007 г.), XX Всероссийском совещании по температурноустойчивым функциональным покрытиям (г. Санкт-Петербург 2007 г.), ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ (1985-2008 гг.).

Автор искренне благодарен всем своим коллегам и научным сотрудникам, постоянное деловое общение с которыми в течение многих лет определило тематику научной работы автора и способствовало ее завершению в виде диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук.

Автор особенно признателен профессору A.A. Барыбину, активное участие которого в работе коллектива лаборатории привнесло в нее высокий дух научного творчества, обогатило исследования многими теоретическими идеями и разработками. Во многом, благодаря настойчивости и убеждению профессора A.A. Барыби-на автор завершил цикл многолетних исследований в форме докторской диссертации.

Выражаю также благодарность члену корреспонденту РАН В.А Жабреву, профессорам О.Г. Вендику, Б.А. Калиникосу, к.х.н. Л.П. Ефименко, инженерам A.A. Коломийцеву, А.Е. Комлеву, аспирантам A.B. Завьялову, В.В. Пинаеву, А.К. Чернаковой, механикам В.К. Ликандрову, В.А. Туманову и многим коллегам по кафедре физической электроники и технологии, а также студентам, каждый из которых на определенном этапе оказал большую помощь автору в организации и проведении исследований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Шаповалов, Виктор Иванович

Основные результаты, полученные в главе 5, состоят в следующем:

1. Создана научно-исследовательская лаборатория, содержащая технологическое и контрольно-измерительное оборудование, теоретическую основу для проектирования и изготовления установок которой составили модели и методы, разработанные в главах 2-4.

2. Разработаны и исследованы технологические процессы изготовления ПОС на основе пленок оксидов титана и тантала:

• для осаждения пленок использован метод реактивного магнетронного распыления;

• при выборе режимов осаждения применена неизотермическая модель реактивного распыления, разработанная в главе 2;

• контроль процессов осаждения проводился с помощью оптической эмиссионной спектроскопии;

• для контроля ПОС использованы методы оптических и электрических измерений, разработанные в главах 3 и 4;

• изменение кристаллической структуры оксидных пленок при осаждении достигается за счет изменения расстояния от подложки до мишени и потенциала смещения на подложке;

• эффективное управление кристаллической фазой оксидных пленок достигается дополнительным термическим отжигом после осаждения.

3. Изучен внутренний фотоэффект в ПОС на основе пленок ТЮ2 и Та205:

• для контроля ПОС использованы методы оптических и электрических измерений;

• установлено, что управление длинноволновым краем фоточувствительности ПОС может быть достигнуто за счет выбора режимов осаждения пленок или дополнительного термического отжига;

• разработаны рекомендации по изготовлению дифференциального фотоприемника на основе ПОС для УФ дозиметра.

4. Проведено комплексное исследование электретных свойств ПОС на основе пленок Та205:

• для контроля пленок использованы методы электрических измерений;

• установлено влияние свойств подложки на электретные свойства пленок;

• разработаны рекомендации по изготовлению электретной ПОС для репарации поврежденных тканей.

5. Выполненные теоретические и экспериментальные исследования позволили разработать требования к составу и техническим характеристикам технологического комплекса для промышленного производства ПОС, основными элементами которого служат: а) многопозиционная автоматизированная установка изготовления ПОС методом реактивного магнетронного распыления, оснащенная спектрофотометрической системой диагностики плазмы; б) установка измерения спектров пропускания и отражения ПОС в УФ и видимом диапазонах.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Шаповалов, Виктор Иванович, 2008 год

1. Брыксин, В.В. Прыжковый перенос в некристаллическом окисле тантала / В.В. Брыксин, М.Н. Дьяконов, С.Д. Ханин // ФТТ. - 1980. - Т. 22, вып. 5. С. 1403-1410.

2. Дьяконов, М.Н. Современные представления о механизме электропроводности оксидного диэлектрика конденсаторов / М.Н. Дьяконов, В.М.Муждаба, С.Д. Ханин // Обзоры по электронной технике Сер. 5. М.: ЦНИИ Электроника, — 1982. - вып. 3. 40 с.

3. Structural and electrical properties of crystalline (l-x)Ta205-xTi02 thin films fabricated by metalorganic decomposition / K.M.A. Salam, H. Konshi, M. Mizuno et. al. // Appl. Sur. Sci. -2002. — V. 190.-P. 88-95.

4. Tailoring the dielectric properties of Hf02-Ta205 nanolaminates / M.D. Ulrich, R.S. Johnson, J.G. Hong et. al. // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 68, N. 24. - P. 3737-3739.

5. Kuo, D.H. Characterization and properties of rf-sputtered thin films of the alumina-titania system / D.H. Kuo, K.H. Tzeng // Thin Solid Films 2004. - V. 460. - P. 327-334.

6. Tailoring the dielectric properties of Hf02-Ta205 nanolaminates / K. Kukli, J. Ihanus, M. Rítala et. al. // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 68, N. 24. - P. 3737-3739.

7. Photocatalytic Activity and Photo-Induced Wettability Conversion of Ti02 Thin Film Prepared by Sol-Gel Process on a Soda-Lime Glass/ T. Watanabe, S. Fukayama, M. Miyauchi et. al. //J. Sol-Gel Sci. Technol. 2000. - V. 19. - P. 71-76.

8. Hattori, A. High Photocatalytic Activity of F-Doped Ti02 Film on Glass / A. Hattori, H. Tada // J. Sol-Gel Sci. Technol. 2001. - V. 22. - P. 47-52.

9. Li, X. Photocatalytic selective epoxidation of styrene by molecular oxygen over highly dispersed titanium dioxide species on silica / X. Li, C. Kutal // J. Mater. Sci. Lett. 2002. - V. 21. -P.1525-1527.

10. Negishi, N. The surface struture of titanium dioxide thin film photocatalyst / N. Negi-shi, K. Takeuchi, T.Ibusuki // Appl. Sur. Sci. 1997. - V. 121/122. - P. 417-420.

11. Yu, J. Effect of film thickness on the grain size and photocatalytic activity of the solgel derived nanometer ТЮ2 thin films / J. Yu, X. Zhao, Q. Zhao // J.mater. sci. lett. 2000. - V. 19.-P. 1015-1017.

12. Atmospheric pressure chemical vapour deposition of titanium dioxide coatings on glass / S. A. 0"Neill, I. P. Parkin, R. J. H. Clark et. al. // J. Mater. Chem. 2002. - V. 13, N. 1. - P. 56-60.

13. Spectral and photocatalytic characteristics of Ti02 CVD films on quartz / A.Mills, S.K. Lee, A. Lepre et. al. // Photochem. Photobiolog. Sci. 2002. - V. 1, N. 11. - P. 865-868.

14. Novel Ti02 CVD films for semiconductor photocatalysis / A. Mills, N. Elliott, I.P. Parkin et. al. //J. Photochem. Photobiolog. A: Chem. 2002. - V. 151,N. 1-3. - P.171-179.

15. Self-doped titanium oxide thin films for efficient visible light photocatalysis: An example: Nonylphenol photodegradation / I. Justicia, G. Garcia, L. Vazquez et. al. // Sensors Ac-tuat. B: Chem. 2005. - V. 109. - P. 52-56.

16. Masahiko M., Teruyoshi W. // Thin Solid Films 2005. V. 489. P.320-324.

17. Structural, optical and photoelectrochemical properties of Mn+-Ti02 model thin film / F. Gracia, J. P. Holgado, A. Caballero et. al. // J. Phys. Chem. В 2004. - V. 108, N. 45. - P. 17466-17476.

18. Photocatalysis in the visible range of sub-stoichiometric anatase films prepared by MOCVD / I. Justicia, G. Garcia, G.A. Battison et. al. // Electrochimica Acta 2005. - V. 50. -P.4605-4608.

19. Van de Krol, R. Structure and properties of anatase Ti02 thin films made by reactive electron beam evaporation / R. Van de Krol, A. Goossens // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. - V. 21.-P. 76-83.

20. Effect of Pt loading on the photocatalytic reactivity of titanium oxide thin films prepared by ion engineering techniques / M. Takeuchil, K. Tsujimaru, K. Sakamoto et. al. // Res. Chem. Intermed. 2003. - V. 29, N. 6. - P. 619-629.

21. Yang, T.S. Structure and hydrophilicity of titanium oxide films prepared by electron beam evaporation / T.S. Yang, C.B. Shiu, M.S. Wong // Surf. Sci. 2004. - V. 548. - P. 75-82.

22. Discrete b-Ta205 crystallite formation in reactively sputtered amorphous thin films / P. J. Beckage, D. B. Knorr, X. M. Wu et. al. // J. Mater. Sci. (full set) 1998. - V. 33. - P. 43754379.

23. Chen, S.-F. Effects of deposition temperature on the conduction mechanisms and reliability of radio frequency sputtered Ti02 thin films / S.-F. Chen, C.-W. Wang // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. - V. 20. - P. 263-270.

24. Influence of the porosity of RF sputtered Ta2Os thin films on their optical properties for electrochromic applications / C. Corbella, M. Vives, A. Pinyol et. al. // Solid State Ionics -2003.-V. 165.-P. 15-22.

25. Modeling of multicomponent reactive sputtering/ M. Moradi, C. Nender, S. Berg et. al. // J.Vac. Sci. Technol. A 1991. - V. 9. - P. 619-624.

26. Hysteresis effects in the sputtering process using two reactive gases / H. Barankova, S. Berg, C. Nender, et. al. // Thin Solid Films 1995. V. 260. P. 181-186.

27. Manifacier, J.C. A simple method for determination of the optical constants n, к and the thickness of a weakly absorbing thin film / J.C. Manifacier, J. Gasiot, J.P.J. Fillard // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1976. - V. 9. - P. 1002-1004.

28. Swanepoel, R. Determining refractive index and thickness of thin films from wavelength measurements only / R. Swanepoel//J. Opt. Soc. Am. A 1985.-V. 2.-P. 1339-1343.

29. Глудкин, О.П. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства ИС / О. П. Глудкин, А. Е. Густов М.: Радио и связь, 1981. - 112 с.

30. Абелес Ф. Оптические свойства металлических пленок: Пер. с англ. / Ф. Абелес // Физика тонких пленок. Т. 6. - М.: Мир, 1973. - С. 171 - 227.

31. Chudleigh, P. W. Charge transport through a polymer foil / P.W. Chudleigh // Appl. Phys. Lett. 1977. - V. 48. -P. 4591-4596.

32. Many, A. Theory of transient space-charge-limited currents in solids in the presence of trapping / A. Many, G. Rakavy // Phys. Rev. 1962. - V. 126. - P. 1980-1988.

33. Charge-carrier dynamics following pulsed photoinjection /1. P. Batra, K.K. Kanazawa, В. H. Schechtman et. al. // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42. - P. 1124-1130.

34. Batra, I. P. Discharge characteristics of photoconducting insulators / I.P. Batra, K.K. Kanazawa, H. Seki //J. Appl. Phys. 1970. -V. 41. -P. 3416-3422.

35. Wintle, H.J. Decay of static electrification by conduction processes in polyethylene / H.J. Wintle // J. Appl. Phys. 1970. - V. 41. - P. 4004^1007.

36. Wintle, H.J. Space charge limited currents in graded films / H.J. Wintle // Thin Solid Films 1974. - V. 21. - P. 83-90.

37. Kanazawa, K.K. Decay of surface potential in insulators / K.K. Kanazawa, I. P. Batra,

38. H.J. Wintle // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43. - P. 719-720.

39. Seki, H. Photocurrents due to pulse illumination in the presence of trapping / H. Seki,

40. P. Batra // J. Appl. Phys. 1971. - V.42, N. 6. - P.2407-2420.

41. Wintle, H.J. Surface -charge decay in insulators with nonconstant mobility and with deep trapping / H.J. Wintle // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43. - P. 2927-2930.

42. Wintle, H.J. Decay of excess in dielectrics having shorted electrodes / H.J. Wintle // J. Appl. Phys. 1971. -V. 42. - P. 4724-4730.

43. Руденко, А. И. Нестационарные токи, ограниченные пространственным зарядом, в твердых телах в присутствии ловушек / А.И. Руденко // ФТП 1971. - Т. 5. - С. 23832386.

44. Брыксин, В.В. Эволюция фотоиндуцированного заряда при произвольном поглощении света с учетом захвата на ловушки / В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, Ю.И. Кузьмин // ФТТ 1986. - Т. 28. 2728-2736.

45. Брыксин, В.В. Роль инжекционных токов в эволюции фотоиндуцированного заряда в фоторефрактивных кристаллах / В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, Ю.И. Кузьмин // ФТТ 1987. Т. 29. С. 1323-1330.

46. Seki, Н. Field-depent photoinjection efficiency of carriers in amorphous Se films / H. Seki Phys. Rev. 1970. - V. 2. - 4877^1882.

47. Si-Ti02 interface evolution at prolonged annealing in low vacuum or N20 ambient / V.G. Erkov, S.F. Devyatova, E.L. Molodstova et. al. // Appl. Sur. Sci. 2000. - V. 166. - P. 51-56.

48. Chang, P.H. Structures of tantalum pentoxide thin film formed by reactive sputtering of Та metal / P.H. Chang, H.Y. Liu // Thin Solid Films. 1995. - V. 258. - P. 56-63.

49. Optical properties of amorphous and polycrystalline tantalum oxide thin films measured by spectroscopic ellipsometry from 0.03 to 8.5 eV / E. Franke, M. Schubert, C.L. Trimble et. al. // Thin Solid Films. 2001. - V. 388. - P. 283-289.

50. Almquist, C.B. The photo-oxidation of cyclohexane on titanium dioxide: an investigation of competitive adsorption and its effects on product formation and electivity / C.B. Almquist, P. Biswas // Appl. Catal. A: General. 2001. - V. 214. - P. 259-271.

51. Electronic and optical characterisation of Ti02 films deposited from ceramic targets / Poelman H., Poelman D., Depla D. et. al. // Sur. Sci. 2001. - Vol. 482, Pt. 2. - P. 940-945.

52. Okimura, K. Characteristics of rutile ТЮ2 films prepared by r.f. magnetron sputtering at a low temperature / K. Okimura, N. Maeda, A. Shibata // Thin Solid Films. 1996. - V. 281. -P. 427-430.

53. Optical properties pf reactively sputtered Ta205 films / F. Rubio, J. Albella M., J. Denis et. al. // J. Vac. Sci. Technol. 1982. - V. 21. - P. 28-34.

54. Wiggins, M.D. Phase development in sputter deposited titanium dioxide / M.D. Wiggins, M.C. Nelson, C.R. Aita//J. Vac. Sci. Techn. A. 1996. - Vol. 14, N 3. - P. 772-776.

55. Wei, D.T. Ion beam interference coating for ultralow optical loss / D.T. Wei // Appl. Opt.- 1989.-V. 28.-P. 2813-2816.

56. Suhail, M.H. dc reactive magnetron sputtering of titanium-structural and optical characterization of Ti02 films / M.H. Suhail, R.G. Mohan, S. Mohan // J. Appl. Phys. 1992. - V. 71.-P. 1421-1427.

57. Equipment, materials and processes: a review of high rate sputtering technology for glass coating / S.J. Nadel, P. Greene, J. Rietzel et. al. // Thin Solid Films. 2003. - V. 442. - P. 11-14.

58. Choi, G.M. The Role of Metal Ion Dopants in Quantum-Sized Ti02: Correlation between Photoreactivity and Charge Carrier Recombination Dynamics / G.M. Choi, H.L. Tuller, J.S. Haggerty // J. Electrochem. Soc. 1989. - V. 136. - P. 835-840.

59. Traversa, E. Efficient top-emitting organic light-emitting diodes with a V2O5 modified silver anode / E. Traversa, M.L. Di Vona, S. Licoccia // J. Sol-Gel Sci. Technolog. 2001. - V. 22.-P. 167-179.

60. Нага, H. Dynamic response of a Ta205-gate pH-sensitive field-effect transistor / H. Нага, T. Ohta // Sensors and Actuators B. 1996. - V. 32. - P. 115-119.

61. Mattsson, M.S. Isothermal transient ionic current as a characterization technique for ion transportinTa205 / M.S. Mattsson, G.A. Niklasson // J. Appl. Phys. 1999. - V. 85. - P. 8199-8204.

62. Granqvist, C.G. Handbook of Inorganic Electrochromic Materials / C.G. Granqvist // -Amsterdam: Elsevier, 1995. P. 408.

63. Thick titanium dioxide films for semiconductor photocatalysis / A. Mills, G.Hill, S.Bhopal et. al. // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 2003. - V. 160. - P. 185-194.

64. Temperture dependence of the electrical resistivity of reactively sputtered TiN films / W. Tsai, M. Delfino, J. A. Fair et. al. // J. Appl. Phys. 1993. -V 73, N. 9. - P. 4462^1468.

65. The role of mass transfer in solution photocatalysis at a supported titanium dioxide surface / S. Ahmed, C.E. Jones, T.J. Kemp et. al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 1999. - V. 1. - P. 5229-5233.

66. The formation of nano-sized selenium-titanium dioxide composite semiconductors by photocatalysis / T. T. Y.Tan, M. Zaw, D. Beydoun et. al. // J. Nanoparticle Research. 2002. -V. 4.-P. 541-552.

67. Titanium dioxide photocatalysis of adamantine / L. Cermenati, D. Dondi, M. Fagnoni et. al. // Tetraheadron. 2003. - V. 59. - P. 6409-6414.

68. Li, F.B. Photocatalystic properties of gold/gold ion-modified titanium dioxide for wastewater treatment / F.B. Li, X.Z. Li // Appl. Catalysis A. 2002. - V.228. - P. 15-27.

69. Bactericidal mode of titanium dioxide photocatalysis / Z. Huang, P.C. Maness, D. M. Blake et. al. // J. Photochem. Photobiol. 2000. - V. 130. - P. 163-170.

70. Yang, P. Titanium dioxide nanoparticles co-doped with Fe3+ and Eu3+ ions for photocatalysis / P. Yang et al. // Mater. Lett. 2002. - V. 57. - P. 794-801.

71. Fe-doped photocatalytic Ti02 film prepared by pulsed dc reactive magnetron sputtering / W. Zhang, Li Y., S. Zhu, F. Wang et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. - V. 21, N. 21. - P. 1877-1882.

72. Zeman, P. Self-cleaning and antifogging effects of Ti02 films prepared by radio frequency magnetron sputtering / P. Zeman, S. Takabayashi // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. - V. 20.-P. 388-393.

73. Structure and size distribution of Ti02 nanoparticle deposited on stainless steel mesh / W. Li, S. I. Shah, M. Sung et. al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. - V. 20. - P. 2303-2308.

74. Atomic force microscopy observation of Ti02 films deposited by dc reactive sputtering / T. Takahashi, H. Nakabayashi, T. Terasawa et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. - V. 20. -P. 1205-1209.

75. Behavior of bromide in the photoelectrocatalytic process and bromine generation using nanoporous titanium dioxide thin-film electrodes / H. Selcuk, J. J. Sene, M. V. B. Zanoni et. al. // Chemosphere. 2004. - V. 54. - P. 969-974.

76. Xingwang, Z. Preparation of anatase Ti02 supported on alumina by different metal organic chemical vapor deposition methods / Z. Xingwang, Z. Minghua, L. Lecheng // Appl. Cata-lys. A: General. 2005. - V. 282. - P. 285-293.

77. Microstructure and photoelectrochemical characterization of the Ti02-Sn02 system / K. Zakrzewska, M. Radecka, J. Przewoznik et. al. // Thin Solid Films. 2005. - V. 490. - P. 101-107.

78. Wong, M.S. Reactively sputtering N-doped titanium oxide films as visiblelight photo-catalysy / M.S. Wong, C. H. Pang, T.S. Yang // Thin Solid Films. 2006. - V. 494. - P. 244249.

79. Non thermal preparation of photoactive titanium (IV) oxide thin layers / P. Kluson, H. Luskova, T. Cajthaml et. al. // Thin Solid Films. 2006. - V. 495. - P. 18-23.

80. An electrochemical strategy to incorporate nitrogen in nanostructured Ti02 thin films: modification of bandgap and photoelectrochemical properties / S. Karthik, C. Kong, K. M. Gopal et. al. // J. Phys.: D Appl. Phys. 2006. - V. 39. - P. 2361-2366.

81. Properties of titanium oxide biomaterials synthesized by titanium plasma immersion ion implantation and reactive ion oxidation / Y.X. Leng, J. Y. Chen, Z. M. Zeng et. al. // Thin Solid Films. 2000. - V. 377-378. - P. 573-577.

82. Electrochemical behavior of titanium-based materials are there relations to biocom-patibility / D. Scharnweber, R. Beutner, S. Robler et. al. // J. Mater. Sci.: Mater, in Medicine.2002.-V. 13.-P. 1215-1220.

83. Characterization of surface oxide films on titanium and bioactivity / Feng B., Chen J.Y., Qi S.K. et. al. // J. Mater. Sci.: Mater. Med. 2002. - V. 3. - P. 457^64.

84. Influence of oxygen pressure on the properties and boicompability of titanium oxide fabricated by metal plasma ion implantation and deposition / Y.X. Leng, N. Huang, P. Yang et. al. // Thin Solid Films. 2002. - V. 420-421. - P. 408-413.

85. Characterization of surface oxide films on titanium and adhesion of osteoblast / B. Feng, J. Weng, B.C. Yang et. al. // Biomaterials. 2003. - V. 24. - P. 4663^670.

86. Hemocompatibility of titanium oxide films / N. Huang, P. Yang, Y.X. Leng et. al. // Biomaterials. 2003. - V. 24. - P. 2177-2187.

87. Hiromoto, S. Composition of surface oxide film of titanium with culturing murine fibroblasts L929 / S. Hiromoto, T. Hanawa, K. Asam // Biomaterials. 2004. - V. 25. - P. 979986.

88. Electrochemical and microstructural studies of tantalum and its oxide films for biomedical applications in endovascular surgery / R.A. Silva, M. Walls, B. Rondot et. al. // J. Mater. Sci.: Mater. Med. 2002. - V. 13. - P. 495-500.

89. Kwok, C.-K. The transition from a-Zr to a-Zr02 growth in sputter-deposited films as a function of gas 02 content, rare-gas type, and cathode voltage / C.-K. Kwok, C.R. Aita // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. - V. 7. - P. 1235-1239.

90. Lemperiere, G. Influence of the nitrogen partial pressure on the properties of dc-sputtered titanium and tantalum nitride films / G. Lemperiere, J.M. Poitevin // Thin Solid Films. 1984. -V. 111.-P. 339-349.

91. The effect of O2 on reactively sputtered zinc oxide / C.R. Aita, A. J. Purdes, R. J. Lad et. al. // J. Appl. Phys. 1980. - V. 51. - P. 5533-5536.

92. The formation and control of direct current magnetron discharges for the high-rate reactive processing of thin films / R.P. Howson, A. G. Spencer, K. Oka et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989.-V. 7. - P.1230-1234.

93. Preparation and characterization of tantalum oxide films produced by reactive DC magnetron sputtering / J.M. Ngaruiya, S. Venkataraj, R. Drese et. al. // Phys. Stat. Sol. 2003. -V. 198.-P. 99-110.

94. TiN films prepared by unbalanced planar magnetron spattering under control of photoemission of Ti / K. Tominaga, S. Inoue, R. P. Howson et. al. // Thin Solid Films. 1996. - V. 281-282.-P. 182-185.

95. Effects of nitrogen pressure and ion flux on the properties of direct current reactive magnetron sputtered Zr-N films / S. Inoue, K. Tominaga, R. P. Howson et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. -V. 13. - P. 2808-2813.

96. Mechanism of reactive sputtering of Indium III: A general phenomenological model for reactive sputtering / H. Eltoukhy, B. R. Natarajan, J. E. Green e et. al. // Thin Solid Films. -1980.-V. 69.-P. 229-235.

97. Kusano, E. An approach to estimate gettering effect in Ti-02 reactive sputtering process / E. Kusano, S. Baba, A. Kinbara// J.Vac.Sci.Technol. A. 1992. - V. 12. - P. 1696-1700.

98. Model relating process variables to film electrical properties for reactively sputtered tantalum oxide thin films / P. Jain et, V. Bhagwat, E. J. Rymaszewski et. al. // J. Appl. Phys.2003. V. 93. - P. 3596-3604.

99. Characterization of pulsed dc magnetron sputtering plasmas / A. Belkind., A. Freilich, J. Lopez et. al. // New J. Phys. 2005. - V. - 7. - P. 90-106.

100. High-rate deposition of Si02 by modulated DC reactiv spattering in the transition mode without a feedback system / H. Ohsaki, Y. Tachibana, J. Shimizu et. al. // Thin Solid Films. -1996. V. 281-282. - P. 213-217.

101. Reith, T.M. The reactive sputtering of tantalum oxide: Compositional uniformity, phases, and transport mechanisms / T.M. Reith, P.J. Ficalora // J.Vac.Sci.Technol. 1983. - V. l.-P. 1362-1369.

102. Electrical characteristics of thin TaaOs films deposited by reactive pulsed direct-current magnetron sputtering / J.Y. Kim, M. C. Nielsen, E. J. Rymaszewski et. al. // J. Appl. Phys. 2000. - V. 87. - P. 1448-1452.

103. Characterization of niobium oxide films prepared by reactive dc magnetron sputtering / S. Venkataraj, R. Drese, O. Kappertz et. al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2001. - V. 188. - P. 10471058.

104. Reactive d.c. sputtering with the magnetron-plasmatron for tantalum pentoxide and titanium dioxide films / S. Schiller, U. Heisig, K. Steinfelder et. al. Thin Solid Films 1979. -63.-P. 369-375.

105. Joes, F. High-rate reactive sputter deposition of aluminum oxide / F. Joes, J. Logan // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. - V. 7. - P. 1240-1247.

106. Heller, J. Reactive sputtering of metalls in oxidising atmospheres / J. Heller // Thin Solid Films. 1973. - V. 17. - P. 163-176.

107. Goranchev, B. D.C. Cathode sputtering: Influence of the oxigen content in the gas flow on the discharge current / B. Goranchev, V. Orlinov, V. Popova // Thin Solid Films. 1976. -V. 33.-P. 173-183.

108. Maniv, S. Surface oxidation kinetics of sputtering targets / S. Maniv, W.D. Westwood //Surf. Sci.- 1980.-V. 100.-P. 108-118.

109. Simulation and dielectric characterization of reactive dc magnetron cosputtered (Ta205)l-x(Ti0) thin films / J. Westlinder, Y. Zhang, F. Engelmark et. al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. - V.20, N. 3. - P. 855-861.

110. Hohnke, D K. Reactive sputter deposition: a quantitative analysis / D.K. Hohnke, D.J. Schmatz, M.D. Huriey// Thin Solid Films. 1984. -V. 118. - P. 301-310.

111. Aluminium atom density and temperature in a dc magnetron discharge determined by means of blue diode laser absorption spectroscopy / M.Wolter, H. T. Do, H. Steffen et. al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. - V. 38. - P. 2390-2395.

112. McMahon, R. Voltage controlled, reactiv planar magnetron sputtering of A1N thin films / R. McMahon, J. Affinito, R.P. Parsons // J. Vac. Sci. Technol. 1982. - V. 20. - P. 376378.

113. Kusano, E. An investigation of hysteresis effects as a function of pumping speed, sputtering current, and 02/Ar ratio, in Ti-02 reactive sputtering processes / E. Kusano // J. Appl. Phys. 1991. - V. 70. - P. 7089-7096.

114. Schiller, S. Reactive high rate d.c. sputtering: deposition rate, stoichiometry and features of tiox and tinx films with respect to the target mode / S. Schiller, G. Beister, W. Seiber // Thin Solid Films. 1984.-V. 111.-P. 259-268.

115. Steenbeck, K. The problem of reactive sputtering and cosputtering of elemental targets / K. Steenbeck, E. Steinbeiss, K.-D. Ufert // Thin Solid Films. 1982. - V. 92. - P. 371380.

116. Maniv, S. High rate deposition of transparent conducting films by modified reactive planar magnetron sputtering of CdaSn alloy / S. Maniv, C. J. Miner, W. D. Westwood // J. Vac. Sci. Technol.-1981.-V. 18.-P. 195-198.

117. Maniv, S. Discharge characteristics for magnetron sputtering of Al in Ar and Ar/02 mixtures / S. Maniv, W.D. Westwood // J. Vac. Sci. Technol. 1979. - V. 17. - P. 743-751.

118. Maniv, S. Pressure and angle of incidence effects in planar magnetron sputtered ZnO layers / S. Maniv, W.D. Westwood, E. Colombini // J. Vac. Sci. Technol. 1982. - V. 20. - P. 162-170.

119. Kusano, E. Time-dependent 02 mas balance change and target surface oxidation during mode transition in Ti-02 reactive sputtering / E. Kusano, A. Kinbara // J. Appl. Phys. 2000. -V. 87.-P. 2015-2019.

120. Kusano, E. Time-dependent simulation modelling of reactive sputtering / E. Kusano, D.M. Goulart // Thin Solid Films. 1990. -V. 193-194-P. 84-91.

121. Kusano, E. Investigation of the effect of pumping speed and Ar/02 ratio on the transient time mode transition in Ti-02 reactive sputtering / E. Kusano, A. Kinbara // Thin Solid Films. 1996. - V. 281-282. - P. 423^26.

122. Affinito, J. Mechanisms of voltage controlled, reactive, planar magnetron sputtering of A1 in Ar/N2 and Ar/02 atmospheres / J. Affinito, C. Nender // J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. -V. 2.-P. 1275-1284.

123. Process modeling of reactive sputtering / S. Berg, H.0. Blom, M. Moradi et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. - V. 7. - P. 1225-1229.

124. Hmiel, A.F. Partial pressure control of reactivly sputtered titanium nitride / A.F. Hmiel // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. - V. 3. - P. 592-595.

125. Effect of pressure in reactive ion beam sputter deposition of zirconium oxides / M. Yoshitake, K. Takiguchi, Y. Suzuki et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. - V. 6. - P. 23262332.

126. Avaritsiotis, J. N. A reactive sputtering process model for symmetrical planar diode systems / J.N. Avaritsiotis, C.D. Tsiogas // Thin Solid Films. 1992. - V. 209. - P. 17-25.

127. Shinoki, F. Mechanism of rf reactive sputtering / F. Shinoki, A. Itoh // J. Appl. Phys. — 1975. V. 6.-P. 3381-3384.

128. Zhu, S. Simulations of reactive sputtering with constant voltage power supply / S. Zhu, F. Wang, W. Wu // J. Appl. Phys. 1998. - V. 84. - P. 6399-6408.

129. Zhu, S. Abnormal steady states in reactive sputtering / S. Zhu, F. Wang, W. Wu // J. Vac. Sci. Technol. 1999. - V. 7. - P. 70-76.

130. Modeling of reactive sputtering of compound materials / S. Berg, H.O. Blom, T. Lars-son et. al. // J. Vac. Sci. Technol. 1987. - V. 5. - P. 202-207.

131. Predicting thin- film stoichiometry in reactive sputtering / / S. Berg, T. Larsson, C. Nender et. al. // J. Appl. Phys. 1988. - V. 63. - P. 887-891.

132. A physical model for eliminating instabilities in reactive sputtering / T. Larsson, H.O. Blom, C. Nender et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. -V. 6. - P. 1832-1836.

133. Frequency response in pulsed DC reactive sputtering processes / L.B. Jonsson, T. Ny-berg, I. Katardjiev et. al. // Thin Solid Films. 2000. - V. 365. - P. 43^8.

134. Berg, S. The use of nitrogen flow as a deposition rate control in reactive sputtering / S. Berg, T. Larsson, H.O. Blom // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. - V. 4. - P. 594-597.

135. Reactive sputtering using two reactive gases / P. Carlsson, C. Nender, H. Barankova et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. - V. 11. - P. 1534-1539.

136. Computational modeling of reactive gas modulation in radio frequency reactive sputtering / H.T. Sekiguchi, H. Murakami, A. Kanzawa et. al. // Vac. Sci.Technol. A. 1996. - V. 14.-P. 2231-2234.

137. Thornton J. A. Substrate heating in cylindrical magnetron sputtering sources // Thin solid films. 1978. - V. 54. - P. 23-31.

138. Effects of substrate temperature on properties of pulsed dc reactively sputtered tantalum oxide films / P. Jain, J.S. Juneja, V. Bhagwat et. al. // J.Vac.Sci.Technol. A. 2005. - V. 23.-P. 512-519.

139. Cheng, H.E. The effect of substrate temperature on the physical properties of tantalum oxide thin films grown by reactive radio-frequency sputtering. / H.E. Cheng, C.T. Mao // Mater. Research Bulletin.-2003.-V. 38.-P. 1841-1849

140. Борн, M. Основы оптики: Пер. с англ. / М. Борн, Э. Вольф. М.: Наука, 1973.

141. Tolansky, S. Muliple-Beam Interferometry of Surfaces and Films. / S.Tolansky. -London: Oxford Univ., 1948. 280 p.

142. Mayer, H. Physik Dunne Schichten / H. Mayer. Stuttgart: Wissenschaftliche Verlagsgesellschaft, 1950.-340 p.

143. Метфессель, С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение: Пер. с нем. / С. Метфессель. М.- JI.: Госэнергоиздат, 1963. - 272 с

144. Heavens, О. S. Optical Properties of Thin Solid Films / O.S. Heavens. — London: Butterworths, 1955. 320 p.

145. Vasicek, A. Optics of Thin Films / A.Vasicek. Amsterdam: North Holland, 1960.350 p.

146. Clarke, D. Polarized Light and Optical Measurements / D. Clarke, J. F. Grainger. -Oxford: Pergamon, 1971.-320 p.

147. Abeles, F. Recherches sur la propagation des ondes electromagnetiques sinusoidales dans les material milieux stratifies: Application aux couches minces / F. Abeles // Annales de Physique. 1950. - T. 5, Pt. 1. - P. 596-640; Pt. 2. - P. 706-782.

148. Бернинг, П.Х. Теория и методы расчета оптических свойст тонких пленок / П.Х. Бернинг// Физика тонких пленок: Пер. с англ. Т. 1. -М.: Мир, 1967. С. 91 - 151.

149. Хевенс, О.С. Измерение оптических констант тонких пленок / О.С. Хевенс // Физика тонких пленок: Пер. с англ. — Т. 2. М.: Мир, 1967. - С. 136 - 185.

150. Беннет, Х.Е. Прецизионные измерения в оптике тонких пленок / Х.Е. Беннет, Д.М. Беннет// Физика тонких пленок: Пер. с англ. Т. 4. - М.: Мир, 1970. - С. 91 - 151.

151. Selective growth of Ti02 thin film on Si (100) surface by combination of metaloganic chemical vapor deposition and microcontact printing methods / B.C. Kang, J.H. Lee, H.Y Chae. et. al. // Thin Solid Films. 2003. - V. 21. - P. 1773-1776.

152. Ghodsi, F.E. Optical properties of Ta205 thin film deposited using the spin coating process / F.E. Ghodsi, F.Z.Tepehan, G.G. Tepehan // Thin Solid Films. 1997. - V. 295. - P. 11-15.

153. Porqueras, I. Optical and electrical characterization of Ta2Os thin film for ionic conduction applications / I. Porqueras, J. Marti, E. Bertran // Thin Solid Films. 1999. - V. 343344. p. 449-452.

154. Zhang, J.-Y. Ultrathin high-quality tantalum pentoxide film grown by photoinduced chemical vapor deposition / J.-Y. Zhang, I.W. Boyd // Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 77. - P. 3574-3576.

155. Demiryont, H. Effect of content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering / H. Demiryont, J.R. Sites, K. Geib // Appl. Opt. 1985. - V. 24. - P. 490-495.

156. Khawaja, E.E. The optical properties of thin films of tantalum pentoxide and zirconium dioxide / E.E. Khawaja, S.G. Tomlin // Thin Solid Films. 1975. - V. 30. - P. 361-369.

157. Zhang, J.-Y. Structural and electrical properties of tantalum oxide films grown by photo-assisted pulsed laser deposition / J.-Y. Zhang, I.W. Boyd // Appl. Sur. Sci. 2002. - V. 186.-P. 40-44.

158. Yu, J.J. UV annealing of ultrathin tantalum oxide films / J.J. Yu, J.-Y. Zhang, I.W. Boyd//Appl. Sur. Sci.-2002.-V. 86.-P. 57-63.

159. Ultraviolet annealing of tantalum oxide films grown by photo-induced chemical vapour deposition / J.-Y. Zhang, W. Boyd I., V. Dusastre et. al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999. -V. 19.-P. L91-L95.

160. Swanepoel, R. Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon / R. Swanepoel // J. Phys. E: Sci Instrum. 1983. - V. 16. - P. 1214-1222.

161. Swanepoel, R. Determination of surface roughness and optical constants of inhomo-geneous amorphous silicon films / R. Swanepoel // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1984. - V. 17. - P. 896-903.

162. Ayadi, К. A new approach to the determination of optical constants and thickness of thin dielectric transparent films / K. Ayadi, N. Haddaoui // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. -2000.-V. 11.-P. 163-167.

163. Ляшенко, С.П. Простой метод определения толщины и оптических постоянных полупроводниковых и диэлектрических слоев / С.П. Ляшенко, В.К. Милославский // Опт. и спектр.-1964.-Т. 16.-С. 151-153.

164. Hall, J.F. Optical properties of cadmium sulfide and zinc sulfide from 0,6 micron to 14 microns / J.F. Hall, W.F.C. Ferguson // J. Opt. Soc. Am. 1955. - V. 45. - P. 714-718.

165. Ion beam assisted deposited tantalum oxide coatings on aluminum / P.M. Natishan, E. McCafferty, P.R. Puckett et. al. // Corrosion Sci. 1996. -V. 38. - P. 1043-1049.

166. Lee, К. H. The kinetics of the oxide charge trapping and breakdown in ultrathin silicon dioxide / K.H. Lee, S.A. Campbell // J. Appl. Phys. 1993. - V. 73. - P. 4434-4438.

167. Ting, C.-C. Structural evolution and optical properties of Ti02 thun films prepared by thermal oxidation of sputtered Ti films / C.-C. Ting, S.-Y. Chen, D.-M. Liu // J. Appl. Phys. -2000.-V. 88.-P. 4628-4634.

168. Influence of argon flow rate on Ti02 photocatalyst film deposited by dc reactive magnetron sputtering / W. Zhang, Y. Li, S. Zhu et. al. // Sur. Coatings Technol. 2004. - V. - 182. -P. 192-198.

169. Copper doping in titanium oxide catalyst film prepared by dc reactive magnetron sputtering / W. Zhang, Y. Li, S. Zhu et. al. // Catalysis Today. 2004. - V. 93-95. - P. 589594.

170. Influences of oxide material on high density plasma production using capacitively coupled discharge / Y. Ohtsu, T. Shimazoe, T. Misawa et. al. // Thin Solid Films. 2006. - V. 506-507.-P. 545-549.

171. Formation and characterization of Ti-Si-N-0 barrier films / Y.C. Ее, Z. Chen, S.B. Law et. al. // Thin Solid Films. 2006. - V. 504. - P. 218-222.

172. Miyata, T. Preparation of anatase Ti02 thin films by vacuum arc plasma evaporation / T. Miyata, S. Tsukada, T. Minami // Thin Solid Films. 2006. - V. 496. - P. 136-140.

173. Kasuga, T. Formation of titanium oxide nanotubes using chemical treatments and their characteristic properties / T. Kasuga // Thin Solid Films. 2006. - V. 496. - P. 141-145.

174. Мотт, H. Переходы металл-изолятор: Пер. с англ. / Под ред. С. В. Вонсовского. / Н. Мотт М.: Наука, 1979. - 342 с.

175. Электронные процессы в некристаллических веществах: Пер. с англ. Под ред. Б. Т. Коломийца. В 2 ч. 4.1 / Н. Мотт, Э. Дэвис М.: Наука, 1982. - 368 с.

176. Дьяконов, М. Н. Современные представления о механизме электропроводности оксидного диэлектрика конденсаторов / М.Н. Дьяконов, В.М. Муждаба, С.Д. Ханин // Обзоры по электронной технике. Сер. 5. 1982. - Вып. 3. - 40 с.

177. Ханин, С.Д. Проблемы электрофизики металлооксидных конденсаторных диэлектриков / С.Д. Ханин // Обзоры по электронной технике. Сер. 5. 1990. - Вып. 1.-58 с.

178. Чопра, К.Л. Электрические явления в тонких пленках / К.Л. Чопра; под ред. проф. Т. Д. Шермергора. М.: Мир, 1972. - 436 с.

179. Губский, А. Л. Моделирование энергетического спектра электронов в аморфном оксиде тантала как системы с флуктуациями ближнего порядка / А.Л. Губский, С.Д. Ханин // ФТТ. 1990. - Т. 32. ваып. 8. - С. 2278-2281.

180. Губский, A. JI. Влияние ближнего порядка на энергетический спектр электронов в оксиде тантала/ А.Л. Губский, С.Д. Ханин // ФТТ. 1989. - Т. 31, вып. 3. - С. 165-169.

181. Исследование электронных состояний окислов тантала и ниобия методом электронной спектроскопии / М.Н. Дьяконов, Ю.П. Костиков, Д.В.Костров и др. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1980. - Т. 16, вып. 5. - С. 881-883.

182. Губский, А. Л. Кластерное моделирование электронной структуры аморфного оксида тантала/ А.Л. Губский, А.П. Ковтун, С.Д. Ханин // ФТТ. 1987. - Т. 29, вып. 4. - С. 1067-1075.

183. Шкловский, Б. И. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред / Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос // УФН. 1975. - Том 117, вып. 3. - С. 401-433.

184. Шкловский, Б. И. Неомическая прыжковая проводимость / Б.И. Шкловский // ФТП. 1976. -Т. 10, вып. 8. - С.1440-1448.

185. Брыксин, В. В. Прыжковый перенос в некристаллическом окисле тантала / В.В. Брыксин, М.Н. Дьяконов, С.Д. Ханин // ФТТ. 1980. -Т. 22, вып. 5. - С. 1403-1410.

186. Анализ характера прыжковой проводимости по частотной зависимости тангенса потерь / В.В. Брыксин, М.Н. Дьяконов, В.М. Муждаба и др. // ФТТ. 1981. - Т. 23, вып. 5.-С. 1516-1518.

187. Брыксин, В. В. Частотная зависимость прыжковой проводимости в рамках метода эффективной среды для трехмерных систем / В.В. Брыксин // ФТТ. 1980. -Т. 22, вып. 8.-С. 2441-2449.

188. Брыксин, В. В. Частотная зависимость перескоковой проводимости двумерных неупорядоченных систем / В.В. Брыксин, П. Кляйнерт // ФТТ. 1995. - Т. 37, вып. 6. - С. 1637-1642.

189. Брыксин, В. В. Критическое поведение решетки сопротивлений и конденсаторов и кластерный подход к проблеме частотной зависимости проводимости в неупорядо-ченньтс системах / В.В. Брыксин // ФТТ. 1983. - Т. 25, вып. 6. - С. 1780-1788.

190. Левин, Е. И. Поперечная прыжковая проводимость аморфных пленок в сильных электрических полях / Е.И. Левин, И.М. Рузин, Б.И. Шкловский // ФТП. 1988. - Т. 22, вып. 4. - С. 642-653.

191. Gregg, В.A. Bilayer molecular solar cells on spin-coated ТЮ2 substrates / B.A. Gregg // Chem. Phys. Lett. 1996. - V. 58. - P. 376-380.

192. Tracey, S.M. Sol-Gel derived Ti02/Lead phthalocyanine photovoltaic cells / S.M. Tracey, S.N.B. Hodgson, A.K. Ray//J. Sol-Gel Sci. Technol. 1998. - V.13. - P. 219-222.

193. Photoelectrochemical studies of dye-sensitized polycrystalline titanium oxide thin films prepared by sputtering / M. Gomez, J. Rodriguez, S.E. Lindquist et. al. // Thin Solid Films. 1999. - V. 342. - P. 148-152.

194. Vogel, R. Quantum-Sized PbS, CdS, Ag2S, Sb2S3, and Bi2S3 participles as sensitizers for various nanoporous wide-bandgap semiconductors / R. Vogel, P. Iloyer, H. Weller // J. Phys Chem. 1994. - V. 98. - P. 3183-3188

195. Zanonil, M.V.B. Photoelectrocatalytic degradation of Remazol Brilliant Orange 3R on titanium dioxide thin-film electrodes / M.V.B. Zanonil, J.J. Sene, M.A. Anderson // J. Photo-chem. Photobiol. A: Chem. 2003. - V. 157.- P. 55-63.

196. Nelson, J. Photoconductivity and charge trapping in porous nanocrystalline titanium dioxide / J. Nelson, A.M. Eppler, I.M. Ballard // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 2002. - V. 148.-P. 25-31.

197. Photoelectrochemical characterization of nanocrystalline Ti02 films on titanium substrates / F.Y. Oliva et al. // J. Photochem. Photobiol. A: Chem. 2002. - V. 146. - P. 175-188.

198. Coalescence inhibition in nanosized titania films and related effects on chemoresistive properties towards ethanol / M. Ferroni, V. Guidi, G. Martinelli et. al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. - V. 20. - P. 523-530.

199. Linsebigler, A. L. Photocatalysis on TiOn Surfaces: Principles, Mechanisms, and Selected Results / A.L. Linsebigler, G. Lu, J.T. Yates // Chem. Rev. 1995. - V. 95. - P. 69-96.

200. Environmental Applications of Semiconductor Photocatalysis / M.R. Hoffmann, S.T. Martin, W.Y. Choi et. al. // Chem. Rev. 1995, - V. 95. - P. 735-758.

201. Adams, E.P. On electrets / E.P. Adams // J. Franklin Institute. 1927. - Vol. 204. - P. 469-486.

202. Gross, B. Experiments on electrets / B. Gross // Phys. Rev. 1944. - Vol. 66, N 1-2. - P. 26-28.

203. Swann, W.F.G. Electrets / W.F.G. Swann // Phys. Rev. 1950. - Vol. 78, N 6. - P. 811-820.

204. Губкин, A. H. Новые электреты из неорганических диэлектриков / А. Н. Губкин, Г. И. Сканави // ЖЭТФ. -1957. Т. 32. - С. 140.

205. Губкин, А.Н. К вопросу о феноменологической теории электретов / А.Н. Губкин // ЖТФ. — 1957. Т. 27.-С 1954-1468.

206. Адирович, Э.И. Распределение гетерозаряда и поля в фотоэлектретах / Э.И. Адирович// ДАН СССР.-1961.-Т. 137.-С. 1335-1338.

207. Адирович, Э.И. Законы электронной поляризации и деполяризации кристаллов / Э.И. Адирович // ФТТ. 1961. - Т. 3. С. -2048-2050.

208. Богородицкий, Н.П., Таирова Д. А., Сорокин В. С. Роль свободных носителей зарядов в образовании электретного состояния в поликристаллических диэлектриках / Н.П. Богородицкий, Д.А. Таирова, B.C. Сорокин // ФТТ. 1964. - Т. 6. - С. 2301-2306.

209. Архипов, В.И., Руденко А. И. Релаксация электретного состояния вещества / В.И. Архипов, А.И. Руденко // ФТП. 1976. - Т. 10. - С. 729-734.

210. Лобушкин, В.Н. Внешнее электрическое поле анодных оксидных пленок / В.Н. Лобушкин, В.Н. Таиров // Электрохимия 1976. Т. 12. С. 779-780.

211. Фридкин, В.М. Фотоэлектреты и электрофотографический процесс / В.М. Фрид-кин, И.С. Желудев. М.: Изд-во АН СССР, 1960. - 280 с.

212. Мяздриков, О. А. Электреты. / О.А.Мяздриков, В.Е. Манойлов М.-Л.: Энергия, 1962. 340 с.

213. Губкин, А.Н. Электреты / А.Н. Губкин. М.: Наука, 1978. 230 с.

214. Электреты: Под ред. Г. Сесслера. М.: Мир, 1983. 486 с.

215. К теории электретного эффекта / Ю.А. Гороховатский, А.Н. Губкин, В.К. Малиновский и др. // ФТТ. 1982. - Т. 8. - С. 2483-2485.

216. Архипов, В.И. О влиянии объемного заряда на дисперсионный транспорт / В.И. Архипов, А.И. Руденко // ФТП. 1982. - Т. 16. - С. 1798-1802.

217. Брыксин, В.В. Осцилляции фототока и нелинейные волны электрического поля в фоторефрактивных кристаллах/ В.В. Брыксин, Л.И. Коровин // ФТТ. 1984. - Т. 26. - С. 2456-2460.

218. Брыксин, В.В. Роль нелинейных процессов в формировании приповерхностного фотоиндуцированного заряда в диэлектриках / В.В. Брыксин, Л.И. Коровин // ФТТ. 1984. -Т. 26.-С. 3415-3422.

219. Брыксин, В.В. Роль поглощения света в динамике формирования фотоиндуци-рованных зарядов / В.В. Брыксин, Л.И. Коровин // ФТТ. 1984. -Т. 26. - С. 3651-3659.

220. Брыксин, В.В. Точное решение задачи о динамике формирования фотоиндуци-рованных зарядов в фоторефрактивных кристаллах / В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, Ю.И. Кузьмин // ФТТ. 1986. - Т. 28. - С. 148-155.

221. Петров, М.П. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации / М.П. Петров, С.И. Степанов, A.B. Хоменко Л.: Наука, 1983. 390 с.

222. Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк М.: Мир, 1973.-416 с.

223. Распыление тердых тел ионной бомбардировкой. Вып. 2. Распыление сплавов и соединений: пер с англ./ Под ред. Р. Бериша М.: Мир, 1986. - 484 с.

224. Shimizu, R. Preferential sputtering / R. Shimizu // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1986. - Vol. 18, N 1-6. - P. 486-495.

225. Kelly, R. The sputtering of oxides. Part I: A Survey of the experimental results / R. Kelly, N.Q. Lam // Radiation Effects. 1973. - V. 19. - P. 39-47

226. Chuang, T.J. An X-ray photoelectron spectroscopy study of the chemical changes in oxide and hydroxide surfaces induced by Ar+ ion bombardment / T.J. Chuang, C.R. Brundle, K. Wandelt // Thin Solid Films. 1978. - Vol. 53, N 1. - P. 19-27.

227. Murti, D.K. Structural and compositional changes in ion-bombarded Ta2Os / D.K. Murti, R. Kelly, Z.L. Liau// Sur. Sci. 1979. - Vol. 81, N 2. - P. 571-588.

228. Кучинский, B.B. Изменение состава приповерхностного слоя двухкомпонентно-го сплава при распылении ионами низких энергий / В.В. Кучинский // Поверхность. — 1982.-№4.-С. 93-97.

229. Павлов, П.В. К вопросу о тепловом пике / П.В. Павлов, Ю.В. Семин, Д.И. Те-тельбаум: Ионно-лучевая модификация материалов / Материалы Всес. конф. г. Черноголовка, 23-25.06.1987.-С. 11.

230. Барыбин, А. А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы / А.А. Барыбин. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. - 424 с.

231. Zisman, W.A. A new method of measuring contact potential differences in metals / W.A. Zisman // Rev. Sci. Instr. 1932. - Vol. 3, N 7. - P. 367-370.

232. Seo, D. Observation of the transition of operating regions in a low-pressure inductively coupled oxygen plasma by Langmuir probe measurement and optical emission spectroscopy / D. Seo, T. Chung // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. - V. 34. - P. 2854-2861.

233. Lounsbury, J.B. Effects of Added 02 upon Argon Emission from an rf Discharge / J.B. Lounsbury // J. Vac. Sci. Technol. 1969. - V. 6. - P. 836-842.

234. Giacomo, A.D. Optical emission spectroscopy and modeling of plasma produced by laser ablation of titanium oxides / A.D. Giacomo, V.A. Shakhatov, O.D. Pascale // Spectroch. Acta Part B: Atomic Spectrosc. 2001. - V. 56. - P. 753-776.

235. Optical emission spectroscopy on pulsed-DC plasmas used for TiN depositions / K.S. Mogensen, S.S. Eskildsen, C. Mathiasen et. al. /Surf. Coat. Technol. 1998. - V. 102. - P. 4149.

236. Optical diagnostics of d.c. and r.f. argon agnetron discharges / M.F. Dony, A. Ricard, J.P. Dauchot et. al. // Surf. Coat. Technol. 1995. - V. 74-75. - P. 479-484.

237. Investigation on optical emission spectra during ECR plasma enhanced magnetron sputtering carbon nitride film deposition/ J. Xu, T. Ma, J. Zhang et. al. // Intern. J. Modern Phys. В 2002. - V. 16. - P. 1120-1126.

238. Oxygen active species in an Ar-02 magnetron discharge for titanium oxide deposition / V. Vancoppenolle, P.Y. Jouan, A. Ricard et. al. // Appl. Sur. Sci. 2002. - V. 205. - P. 249255.

239. Deposition of TiOx thin film using the grid-assisting magnetron sputtering / M.J. Jung, Y.M. Kim, Y.M. Chung et. al. // Thin Solid Films 2004. - V. 447-448. - P. 430-435.

240. Герцберг, Г. Спектры и строение двухатомных молекул / Г. Герцберг М.: Изд. иностр. литер., 1949.-403 с.

241. Ельяшевич, М.А. Атомная и молекулярная спектроскопия. / М.А. Ельяшевич -М.: Изд. физ.-мат. литер., 1962. 892 с.

242. Aita, C.R. Argon-oxygen interactionin rf sputtering glow discharges ./ C.R. Aita, M.E. Marhic // J. Appl. Phys. 1981. - V. 52. - P. 6584-6587.

243. Time-resolved optical emission spectroscopy of pulsed DC magnetron sputtering plasmas / J. Lopez, W. Zhu, A. Freilich et. al. //J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. - V. 38. - P. 1769- 1780.

244. Hopwood, J. Mechanisms for highly ionized magnetron sputtering / J. Hopwood, F. Qian // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78. - P. 758-765.

245. Burgiel, J.C. Refractive indexes of ZnO, ZnS and several thin-film insulators / J.C. Burgiel, Y.S. Chen, F. Yratny // J. Electrochem. Soc. 1968. - V. 115. - P. 729-732.

246. Колешко, B.M. Контроль в технологии микроэлектроники / В.М. Колешко, П.П. Гойденко, Л.Д. Буйко // Мн.: Наука, 1979. 312 С.

247. Брыксин, В.В. Прыжковый перенос в некристаллическом окисле тантала / В.В. Брыксин, М.Н. Дьяконов, С.Д. Ханин // ФТТ. 1980. - Т. 22, вып. 5. - С. 1403-1410.

248. Архипов, В.И. Теория аномального поведения характеристик переноса заряда в аморфных материалах / В.И. Архипов, А.И. Руденко // Письма в ЖЭТФ. 1978. - Т. 27, вып. 6.-С. 339-341.

249. Anta, J. A. Charge transport model for disordered materials: Application to sensitized Ti02 / J.A. Anta, J. Nelson, N. Quirke // Phys. Rev. B. 2002. - V.65. - P. 125324-1-10.

250. Шкловский, Б. И. Неомическая прыжковая проводимость / Б.И. Шкловский // ФТП. 1976. - Т. 10, вып. 8. - С. 1440-1448.

251. Бонч-Бруевич, В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников М.: Наука, 1977. - 640 с.

252. Кузьмин, Ю.И. Нелинейная динамика пространственного заряда в фоторефрак-тивном кристалле при импульсной фотоинжекции / Ю.И. Кузьмин // ЖТФ 1999. - Т. 69, вып. 6.-С. 71-79.

253. Горский, В.Г. Планирование промышленных экспериментов/ В.Г. Горский, Ю.П. Адлер М.: Металлургия, 1974. - 264 с.

254. Photoelectrochemical properties of TiOx layers prepared by DC pulsed unbalanced reactive magnetron sputtering / M. Mikula, M. Ceppan, J. Kindernay et. al. // Czechosl. J. Phys. -1999.-V. 49.-P. 393-403.

255. Influence of annealing temperature on the properties of titanium oxide thin film / Y.Q. Hou, D.M. Zhuang, G. Zhang et. al. //Appl. Sur. Sci. -2003. -V. 218. P. 98-106.

256. Low-temperature formation of photocatalytic Pt-anatase film by magnetron sputtering / J. Sheng, L. Shivalingappa, J. Karasawa et. al. // J. Mater. Sci. (full set). 1999. - V. 34. - P. 6201-6206.

257. Wang, Z. Optical properties of anatase ТЮ2 thin films prepared by aqueous sol-gel process at low temperature / Z. Wang, U. Helmersson, P.-O. Kali // Thin Solid Films. 2002. -V. 405.-P. 50-54.

258. Fu, Z.-W. Influence of atomic layer deposition parameters on the phase content of Ta205 films / Z.-W. Fu, L.-Y. Chen, Q.-Z. Qin // Thin Solid Films. 1999. - V. 340. - P. 164168.

259. Ozer, N. Structural and optical properties of sol-gel deposited proton conducting Ta205 films / N. Ozer // J. Sol-Gel Sci. Technol. 1997. - V. 8. - P. 703-709.

260. Chandra, S.D. Enhanced dielectric properties of modified ТагСЬ thin films / S.D. Chandra, C.J. Pooran, B.D. Seshu // Mat. Res. Innovat. 1999. - V. 2. - P. 299-302.

261. Ninomiya, T. Comparison of Ta205 thin films deposited by "off-axis" and "on-axis" pulsed laser deposition technique / T. Ninomiya, N. Inoue, S. Kashiwabara // Jap. J. Appl. Phys. 2000. - V. 39. - P. 2756-2760.

262. Four, S. Characterization of plasma deposited Ta205 films using grazing incidence x-ray scattering / S. Four, R.A.B. Devine, M. Brunei // J. Vac. Sci. Technol. A. 2000. - V. 18, N. 2.-P. 554-556.

263. Gan, J.-Y. Dielectric property of (TiCh)* (Ta205)i, thin films / J.-Y Gan, Y.C. Chang, T.B. Wu // Appl. Phys. Lett. - 1998. - V. 72. - P. 332-334.

264. Пшеницын, В.И. Эллипсометрия в физико-химических ис-следованиях / В.И. Пшеницын, М.И. Абаев, Н.Ю. Лызлов JL: Химия, 1986. - 152 с.

265. Бланк, Т. В. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра. Обзор / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг // ФТП. 2003. - Т 37, вып. 9.-С. 1025-1055.

266. Фото приемники ультрафиолетового излучения на основе структур металл-широкозонный полупроводник / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, Е.В. Калинина и др. // ФТП. 2003. - Т. 37, вып. 8. - С. 968-973.

267. Селективные и широкополосные ультрафиолетовые сенсоры / В.Н. Комащенко, К.В. Колежук, Е.Ф. Венгер и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28, вып. 19. - С. 32-36.

268. Лисаченко, А.Л. Точечные дефекты структуры как центры сенсибилизации ТЮ2 к видимой области спектра / А.Л. Лисаченко, Р.В. Михайлов // Письма в ЖТФ. 2005. - Т. 31, вып. 1.-С. 42-49.

269. Фазовые переходы в тонких пленках оксида титана под действием излучения эк-симерного лазера / П. Митрев, Дж. Бенвенути, П. Хофман и др. // Письма в ЖТФ. -2005. — Т. 31, вып. 21. — С. 17-23.

270. Электретное и электретоподобное состояние биологических объектов / Е.Т. Ку-лин // Электретный эффект и электрическая релаксация. М.: Изд-во МИЭМ, 1979. — С. 176-192.

271. Ефашкин, Г. В. Применение электретов в связи с проблемой создания искусственного сердца / Г.В. Ефашкин, А.К. Чепуров // Электретный эффект и электрическая релаксация. М.: Изд-во МИЭМ, 1979. - С. 226 - 237.

272. Лущейкин, Г. А. Полимерные электреты / Г.А. Лущейкин М.: Химия, 1984.184 с.

273. Ткаченко, С. С. Электростимуляция остеореперации / С.С.Ткаченко, В.В. Руц-кий-Л.: Медицина, 1989.-208 с.

274. Study on effects of electret on pulmonary vascular permeability in scalded rats / Z. Wang, J. Wang, Z. Xia, et. al. // Proc. 9th International Symposium on Electrets IEEE Report (ISE 9): Shanghai, 25-30 September, 1996. 1996. - P. 784-787.

275. Stady on healing effects of PTFE electrets on pig wound / Z. Jiang, L.Wang, M. Hao et. al. // Proc. 9th International Symposium on Electrets IEEE Report (ISE 9), Shanghai: 25-30 September 1996. 1996 - P. 788-792.

276. Shi, X. Single polar compound bio-electret fnd its influence to the cell growth / X. Shi, B. Deng, C. Sun // Proc. 9th International Symposium on Electrets IEEE Report (ISE 9): Shanghai, 25-30 September, 1996. 1996. -P. 753-759.

277. A study of effect of PTFE electret on fibroplast cell cycle with flow cytometry (FCM) / J. Jiang, L. Cui, C. Song et. al. // Proc. 10th International Symposium on Electrets IEEE Report (ISE 10):): Delphi, 22-24 September, 1999. 1999. - P. 171 - 173.

278. Dielectric properties of bone and its main mineral component / M. Fois, A. Lamure, J. Fauran et. al. //Proc. 10th International Symposium on Electrets IEEE Report (ISE 10): Delphi, 22-24 September, 1999. 1999. - P. 218 - 220.

279. Capelletti, R. TSDC as a tool to monitor the electret state induced by water in bio-molekules / R. Capelletti, M.G. Bridelli // Proc. 10th International Symposium on Electrets IEEE Report (ISE 10): Delphi, 22-24 September, 1999. 1999. - P. 159 - 166,.

280. Kaufman, H.R. Fundamentals of Ion Sourcce Operation / H.R. Kaufman // Alexandria: Commonwealth ScientificVA, 1984. - 262 p.

281. СПИСОК РАБОТ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

282. Al. Шаповалов, В.И. Модели реактивного распыления при синтезе тонких пленок соединений / В.И. Шаповалов // Нано- и микросистемная техника. 2007. - № 4. - С. 1427.

283. А2. Шаповалов, В.И. Пленки оксида титана в задачах экологии: технология, состав, структура, свойства / В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. 2007. - Т. 17, № 3. - С. 233-256.

284. A4. Шаповалов, В.И. Наноматериалы на основе пленок оксидов переходных металлов / В.И. Шаповалов // Пленки и покрытия //Труды 8-ой международной конференции, г. С.-Пб., 22-25 мая 2007, СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2007. - С. 243246.

285. А8. Тюлиев, Г.А. Изменение рентгеновских фотоэлектронных спектров пленок же-лезо-иттриевого граната под действием ионной бомбардировки / Г.А. Тюлиев, А.К. Чер-накова, В.И. Шаповалов // ФТТ. 1989. - Т. 31, Вып. 8. - С. 117-121.

286. А9. Chernakova, A. Investigation of chemical changes in ittrium iron garnet films induced by Ar+ ion bombadment / A. Chernakova, K. Kostov, V. Shapovalov // Nucher Instruments and Methods in Physics Research. 1991. - B62. - P. 228-233.

287. A10. Вебер, X. Исследование пленок железо-иттриевого граната методом Оже-спектроскопии с использованием шарового шлифа / X. Вебер, В. Новик, В.И. Шаповалов // Письма в ЖТФ. 1991. - Т. 17, Вып. 10. - С. 62-64.

288. All. Громова, Ю.В. Моделирование взаимодействия ускоренных ионов с пленками ферритгранатов / Ю.В. Громова, В.И. Шаповалов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. - №1. - С. 113-118.

289. А12. Барыбин, A.A. Модель реактивного магнетронного распыления при осаждении соединений металлов / A.A. Барыбин, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. -2005.-Т. 15, №2.-С. 179-184.

290. А13. Barybin A. A., Shapovalov V. I. Nonisothermal chemical model of reactive sputtering//^ Appl. Phys. 2007. - V. 101. -P.054905-1-10.

291. Al8. Пинаев, В.В. Оптическая эмиссионная спектроскопия плазмы при реактивном магнетронном распылении / В.В. Пинаев, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. 2006. - Т. 16, №2.-С. 143-151.

292. А22. Барыбин, A.A. Определение дисперсии показателей преломления и поглощения диэлектрических пленок по оптическому спектру пропускания / A.A. Барыбин, A.B. Мезенов, В. И. Шаповалов // Перспективные материалы. 2005. - № 2. - С. 83-88.

293. А23. Барыбин, A.A. Определение оптических констант тонких пленок оксидов / A.A. Барыбин, A.B. Мезенов, В.И. Шаповалов // Оптический журнал. 2006. - Т. 73, № 8. - С. 66-73.

294. А24. Barybin, A. A. Determining the optical constants of thin oxide films / A.A. Barybin, A.V. Mezenov, V.l. Shapovalov // J. Opt.Technol. 2006, - V. 73, N. 8. - P. 548-554.

295. A25. Барыбин, A.A. О компенсационном методе измерения заряда электрета. / А.А.Барыбин, В.И. Шаповалов // Полиматериалы: Материалы Междунар. конф. «Межфазная релаксация в полиматериалах», г. Москва, 25-29 нояб., 2003 г. М., -2003.-Ч. 2. -С. 202-205.

296. А26. Завьялов, A.B. Метод определения подвижности электронов в диэлектрической пленки / A.B. Завьялов, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. 2007. - Т. 17, №3,-С. 199-202.

297. А27. Барыбин, A.A. Релаксация заряда в проводящих диэлектрических пленках с мелкими и глубокими ловушками / A.A. Барыбин, В.И. Шаповалов // ФТТ. 2008. - Т. 50, № 5. - С. 781-793 (принята к публикации).

298. А28. Барыбин, A.A. Релаксация гомозаряда в диэлектрической пленке / A.A. Барыбин, A.B. Завьялов, В.И. Шаповалов // Изв. СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2008. Вып. 3 (принята к публикации).

299. А29. Чернакова, А.К. Особенности ионого травления железо-иттриевого граната / А.К. Чернакова, В.И. Шаповалов // Депонированная рукопись в ВИНИТИ. Реф. опубликован в Библ.указ. -1987,- №8. Б/о 1003.

300. АЗО. Чернакова, А.К. Угловая и энергетическая зависимости коэффициента распыления пленок железо-иттриевого граната / А.К. Чернакова, В.И. Шаповалов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. - № 9. - С. 152-153.

301. А31. Колодин, П.А. О взаимодействии ионов гелия в области средних энергий с пленками железо-иттриевого граната / П.А. Колодин, М.С. Хамитжанова, В.И. Шаповалов // Письма в ЖТФ. 1989. - Т. 15, Вып. 23. - С. 22-27.

302. А32. Kolodin, P.A. The interaction of medium-energy helium ions with yttrium-iron garnet films / P.A. Kolodin, M.S. Khamitzhanova, V.I.Shapovalov // Sov. Techn. Phys. Lett. -1989. V. 15.-P. 922-923.

303. A33. Спиров, Ц.И. Оптимизация геометрии ионного источника с осцилляцией электронов / Ц.И. Спиров, В.И. Шаповалов // ПТЭ. 1993. - Т. 36, № 5. - С. 134-137.

304. А34. Spirov, С. Optimum geometry of a broad-beam ion source / С. Spirov, V. Shapovalov // Plenum Publishing Corporation. 1994. - C. 747-749.

305. A35. Василенко, О.Д. Моделирование напряженного состояния тонкопленочных структур в зоне контакта / О.Д. Василенко, В.И. Шаповалов, Ю.А. Шукейло // Известия ТЭТУ. 1994. - Вып. 474. - С. 70-72.

306. А40. Барыбин, A.A. Частотная дисперсия пленок оксида тантала / A.A. Барыбин, Ю.А. Быстров, А.Е. Комлев и др. // Письма в ЖТФ. 2006 - Т. 32, вып. 2. - С. 61-66.

307. А41. Barybin A.A., Bystrov Yu.A., Komlev A.E., Mezenov A.V., Shapovalov V.l. Frequency dispersion of tantalum oxide films И Technical Phys. Lett. — V. 32. 2006. No 1, - P. 79-81.

308. A42. A. E. Комлев, И. M. Соколова, В. И. Шаповалов Релаксация электретного состояния в аморфной пленке оксида тантала, осажденной на титан // Изв. ЛЭТИ, Сер. Физика TT и электроника, вып. 2, — 2005. С. 52- 59.

309. А43. Жабрев, В.А. Влияние термообработки на структуру пленок оксида тантала, выращенных на титане / В.А. Жабрев, Ю.А. Быстров, Л.П. Ефименко и др. // Письма в ЖТФ. 2004. -Т. 30, Вып. 1. - С. 1-5.

310. А44. V. A. Zhabrev, Yu.A.Bystrov, L.P.Efimenko, A.E.Komlev, V.G.Baryshnikov,

311. A.A.Kolomitsev, V.I.Shapovalov The effect of thermal treatment on the structure of tantalum oxide films grown on titanium II Technical Phys. Lett. V. 30. - 2004. No 5, - P. 396-398.

312. А47. Завьялов A.B., Шаповалов В. И. Влияние подложки на релаксацию заряда в оксидной пленке // В сб. «Пленки и покрытия» // Труды 8-ой международной конференции, 22-25 мая 2007, СПб. СПб., Изд-во Политехнического университета, 2007, - С. 243-246.

313. А48. Пинаев, В.В. Влияние площади поверхности вакуумной камеры на переходные процессы при реактивном магнетронном распылении титановой мишени /В.В. Пинаев,

314. B.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. 2008. - Т. 18, № 1. - С. 9-12.