Технология осаждения пленок оксида вольфрама методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Морозова, Александра Александровна

• Морозова, Александра Александровна
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Морозова, Александра Александровна

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ТЕХНОЛОГИЯ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК ОКСИДА ВОЛЬФРАМА

1.1 Технология осаждения пленок

1.1.1 Химический синтез

1.1.2 Термическое испарение

1.1.3 Физическое распыление

1.2 Химический состав

1.3 Кристаллическая структура

1.4 Дополнительная термообработка

1.5 Твердые растворы и гетероструктуры

1.6 Хромогенные свойства

1.6.1 Электрохромизм

1.6.2 Другие хромогенные свойства

1.7. Области применения

Выводы по главе 1

ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ

2.1 Технологическое оборудование

2.2 Основные особенности распыления металлической мишени

в реактивной газовой среде

2.3 Распыления вольфрамовой мишени в разных газовых средах

2.3.1. Аргон

2.3.2. Кислород

2.3.3. Смесь аргона и кислорода

2.3.4. ВАХ магнетрона

2.4 Устойчивость стационарного состояния вольфрамовой мишени

Выводы но главе 2

ГЛАВА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПЛЕНОК

3.1. Методы исследования

3.2 Влияние технологических параметров па свойства пленок

3.2.1. Состав среды

3.2.2. Плотность тока разряда

3.2.3. Расстояние мишень-подложка

3.2.4. Скорость роста

3.2.5. Дисперсия оптических констант

3.3 Химический состав и кристаллическая структура

3.4 Дополнительная термообработка в воздушной среде

3.5 Рекомендации по разработке технологии осаждения пленок

Выводы по главе 3

ГЛАВА 4 ИССЛЕДОВАНИЕ ХРОМОГЕННЫХ СВОЙСТВ

4.1 Электрохромизм

4.1.1 Экспериментальный стенд

4.1.2 Пленка на прозрачной подложке

4.1.3 Пленка на непрозрачной подложке

4.2 Термохромизм

4.2.1 Изотермический отжиг при 500 °С и 700 °С

4.2.2 Последовательный изотермический отжиг от 500 °С до 750 °С

4.2.3 Последовательный отжиг в разных средах

Выводы по главе 4

ГЛАВА 5 РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ОБОРУДОВАНИЮ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОГО КОМПЛЕКСА ОКСИДНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

5.1 Устройства оксидной электроники

5.1.1 Электрохромные устройства

5.1.2 Газовые сенсоры

5.1.3 Солнечные элементы

5.2 Основной элемент комплекса для изготовления пленочных структур

5.3 Научно-производственный комплекс

5.3.1 Состав научно-производственного комплекса

5.3.2 Базовые концепции типовых участков

5.3.3 Требования к технологической среде научно-производственного комплекса

Выводы по главе 5

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ПРИЛОЖЕНИЕ

П.1 Определение оптических констант пленок по спектральному

коэффициенту пропускания

П.1.1 Основные теоретические положения

П. 1.2 Методика определения дисперсии оптических констант

и толщины пленки по экспериментальному спектру пропускания

П.2 Определение ширины энергетической щели пленок

П.2.1 Собственное поглощение при прямых переходах

П.2.2 Собственное поглощение при непрямых переходах

П.2.3 Вычисление ширины щели

ЛИТЕРАТУРА

СПИСОК РАБОТ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Технология осаждения пленок оксида вольфрама методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы. В мире ведутся обширные исследования и разработки перспективных производственных технологий для создания компонентов солнечной и водородной энергетики, новых поколений элементов электронной компонентной базы, энергосберегающих покрытий и многое другое. Для этих целей применяют пленки простых оксидов металлов (ЕпО, 1п20з, АЬОз, БпОг, \;УОз, ТЮ2, М0О3, УОг, ТагОз и др.). Растущий интерес к этим пленкам иллюстрирует диаграмма на рис. 1 [1].

15000

10000

5000

0

Рис. I. Количество публикаций, посвященных пленкам простых оксидов

Наибольшее внимание в них уделено оксиду цинка (рис. 2) и, хотя пленки оксида вольфрама в этих публикациях занимают далеко не первые позиции, по многообразию своих хромогенных (электро-, фото-, термо- и газохромизм) и полупроводниковых свойств они очень перспективны в различных приложениях.

Традиционное применение пленок \\Юз, развитое в последней четверти прошлого столетия, основано на электрохромном (ЕХ) эффекте в видимом диапазоне длин волн. Впервые результаты исследований ЕХ свойств пленок были опубликованы в работах [2], [3]. Работам по этой теме посвящен ряд обзоров [4], [5]. Выявленная возможность управлять оптической плотностью пленок \\Юз путем инжек-ции или экстракции ионов малого размера (Н+, 1л+, К+ [7]) привела к созданию: "умных" энергетически эффективных стекол, изменяющих прозрачность принудительно под воздействием электрического поля [ 10]—[ 13] или автономно при воздей-

-1-1--—I---1-1-1-1-I-■-1-г

2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014

ствии солнечного освещения [14]; неэмиссионных индикаторных устройств [15]; зеркал с управляемым коэффициентом отражения [16]-[18], в частности, антибликовых автомобильных зеркал заднего вида [19]. Изучается применение пленок \УСЬ в технике резисшвной энергонезависимой памяти с произвольным доступом [20], в устройствах оптической регистрации и хранения (УФ фотохромная память) [21], в качестве оптических модуляторов [22].

В настоящее время к этому материалу возник новый интерес в связи с перспективами, которые далеки от областей "традиционного" применения. К ним относится, в первую очередь, глобальная энергетическая проблема В частности, пленки \УОз могут быть использованы для производства водорода, поскольку на их фотовозбужденной поверхности наблюдают расщепление воды [23], [24], [26], что создает одну из возможностей аккумулирования солнечной энергии и храпения ее в химической форме. Кроме этого изучается применение пленок \\Юз для изготовления солнечных батарей [28], [29] и водородных топливных элементов [31], [32]

Новый интерес к пленкам \¥Оз, кроме всего прочего, обусловлен и электро-хромизмом, который обнаружен в более широком, чем видимый, диапазоне длин волн (от УФ до длинноволнового ИК диапазона) [12], [33]—[34]. Край фундаментального поглощения пленок лежит ниже 400 нм. Это позволяет создавать датчики УФ излучения (фотодетекторы) [39].

В ближнем (3-5 нм) и длинноволновом (8-12 нм) ИК диапазонах на основе пленок \\Юз могут быть созданы ИК зеркала [19], ИК коммутаторы [40], [42], которые, в частности, позволяют регулировать тепловое излучение космических аппа-

Рис 2 Публикации по видам оксидов за 2005-2014 гг

ратов (устройство с модуляцией эмиссии) и военных объектов (ИК камуфляж) [33], [34], [43].

Обладая фотокаталитическими свойствами, пленки \\Юз могут быть использованы и для решения глобальной экологической проблемы. Во многих публикациях показана высокая эффективность их применения в качестве полупроводниковых фотокатализаторов для разложения органических веществ на простые неорганические компоненты [44]—[46], [48].

Большой интерес у специалистов вызывает высокая чувствительность пленок \УОз к воздействию различных газов с весьма малой концентрацией (от десятков ррЬ). С результатами исследований на эту тему можно ознакомиться в нескольких обзорах [49]-[51]. Авторы многих публикаций отмечают, что на основе пленок \\Юз могут быть изготовлены сенсоры для контроля загрязнения окружающей среды [52], состава выхлопных газов автомобиля [53], водородного показателя жидкой среды [11], для медицинской диагностики [54] и др. В газовых сенсорах тонкая или толстая пленка \УОз выполняет функцию активного слоя, физические свойства которого зависят от концентрации газа во внешней среде. Чаще всего измеряют электрическое сопротивление пленки (резистивные сенсоры) [55], [56]. Разрабатываются датчики, работающие и на других физических принципах. Так, например, при воздействии водородосодержащего газа могут изменяться оптические свойства пленки в видимом диапазоне длин волн [57]—[59]. В других случаях информацию о виде и концентрации газа получают из вольт-фарадпых характеристик структуры, включающей пленку [60], ее импеданса [52] или емкости на высокой частоте [61]. Разрабатывают датчики и на поверхностных акустических волнах, в которых измеряют изменение частоты волны в акустическом волноводе под воздействием активного слоя \УОз, лежащего на его поверхности [62].

Газовая чувствительность зависит от многих свойств пленок. Отмечается существенное влияние химического состава и концентрации кислородных вакансий [54], пористости [50], которая увеличивает удельную площадь поверхности и является одним из ключевых вопросов для эффективного применения датчиков газа [56]. Эти свойства в конечном итоге определяется технологией формирования газочувствительного слоя.

Для постановки задач диссертационного исследования в первой главе были изучены публикации за 2000-2014 годы. Выделены методы осаждения пленок, результаты исследования их кристаллической структуры и химического состава. Выполнен анализ влияния на свойства пленок дополнительной термообработки и легирования элементами Периодической таблицы. Уделено внимание хромогенным свойствам пленок и их применению в газовых сенсорах, источниках электроэнергии и каталитических устройствах.

Глава 2 посвящена исследованию особенностей распыления вольфрамовой мишени в кислородосодержащей среде. Изучено влияние основных технологических факторов на спектры испускания и вольт-амперные характеристики газового разряда.

В главу 3 включены результаты изучения химического состава, кристаллической структуры и оптических свойств пленок, осажденных при оксидном режиме работы мишени. Кроме этого выполнены исследования посттермической обработки образцов в воздушной среде. Результаты исследований, выполненные во 2 иЗ главах, позволили сформулировать рекомендации по разработке технологии осаждения пленок оксида вольфрама.

В главе 4 изложены результаты исследования электро- и термохромиых свойств пленок, которые лежат в основе принципа действия ряда устройств оксидной электроники (оптические модуляторы, неэмиссионные индикаторы и др.).

В главе 5 содержатся предложения по составу научно-производственного комплекса для изготовления устройств оксидной электроники.

В Приложении приведены методики определения оптических констант по спектральному коэффициенту пропускания и ширины энергетической щели пленок.

Научная новизна

Существенно новые научные результаты диссертации состоят в следующем:

1. Установлено, что при изменении расхода кислорода режим работы вольфрамовой мишени переходит из металлического в оксидный через ряд промежуточных стационарных состояний.

2. Показано, что устойчивость промежуточных стационарных состояний обусловлена низкой скоростью реакции окисления, которая снижает чувствительность системы распыления к флуктуациям.

3. При оксидном режиме работы мишени химический состав пленок, осажденных в широком диапазоне основных технологических параметров, близок к стехиометрическому \¥Оз и в них отсутствуют кристаллические фазы.

4. Изотермический отжиг в воздушной среде при температурах 500 °С и выше приводит к формированию в аморфной матрице пленок только тетрагональной кристаллической фазы стехиометрического оксида \УОз.

5. Полоса поглощения пленок при возникновении электрохромного состояния в результате двойной инжекции носителей заряда (протонов и электронов) адекватно описывается распределением Лоренца.

6. Оптические константы пленок в окрашенном состоянии зависят от плотности инжектированного заряда.

7. В пленках, отожженных в вакууме, возникает окрашивание. В зависимости от предыстории пленок и технологии отжига в них возникают кристаллические фазы водородо-вольфрамовой бронзы Нд^Оз-* или субоксида Х^Оз-* кубической или гексагональной сингонии, соответственно.

Практическая ценность

Практическую ценность представляют:

1. Методика исследования газового разряда магнетронного источника с помощью оптической эмиссионной спектроскопии.

2. Основные положения по разработке технологии осаждения пленок оксида вольфрама, основанные на результатах исследования ВАХ разряда и влияния расхода кислорода и плотности тока разряда на режимы работы мишени.

3. Метод оценки химического состава и кристаллической структуры пленок с помощью оптических измерений.

4. Метод оценки ширины энергетической щели пленок по спектрам пропускания в области фундаментального поглощения.

5. Рекомендации по выбору условий осаждения структурно совершенных пленок 'М'Оз-.х. Эти условия должны обеспечивать наименьшую скорость осаждения

пленки при длительной стабильной работе магнетронного источника, мишень которого находится в оксидном режиме.

6. Метод вычисления дисперсии оптических констант пленок по спектрам пропускания в полосе прозрачности.

7. Результаты компьютерного моделирования спектров пропускания пленок в электрохромном состоянии.

8. Методики исследования термохромных свойств пленок.

9. Структурная схема основного элемента научно-производственного комплекса- высоковакуумная многопозиционная магнетронная установка.

10. Состав научно-производственного комплекса для изготовления устройств оксидной электроники, содержащий технологическое и контрольно-аналитическое оборудование.

11. Базовые концепции типовых участков: вакуумного и фотолитографии.

12. Критерии оптимальной технологической среды научно-производственного комплекса.

Достоверность и обоснованность научных положений и выводов

Достоверность результатов диссертационной работы подтверждается:

1. Проведением комплексных исследований пленок на большом количестве образцов с использованием разработанных автором методов.

2. Применением для экспериментальных исследований пленок методов оптической эмиссионной спектроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния, рентгенофазового анализа и атомно-силовой микроскопии.

3. Применением для оптических измерений в УФ и видимом диапазонах специализированных стендов, оснащенных высокоточными спектрометрами, управляемыми персональными компьютерами.

4. Использованием персональных компьютеров для обработки экспериментальных результатов с помощью специализированных программ.

5. Апробацией основных научных результатов на научных, научно-технических конференциях, симпозиумах и семинарах различного уровня в течение 3 лет.

6. Опубликованием 7 статей в отечественных журналах и изданиях, рекомендованных ВАК Минобрнауки России.

Реализация в науке и технике

1. Значительная часть теоретических и экспериментальных исследований диссертационной работы выполнена в рамках следующих проектов: «Синтез новых композиционных материалов на основе многослойных наноструктур ТагСЬ/ТЮг и исследование их физико-химических свойств» (грант РФФИ №10-03-00845-а); «Фотоиндуцированные процессы, оптические и электрические свойства оксидных пленочных гетероструктур, содержащих тонкие пленки оксида титана» (Федеральная целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг., в рамках реализации мероприятия № 1.2.1 Проведение научных исследований научными группами под руководством докторов наук); «Синтез и исследование новых газочувствительных, фото- и электрохромных нанокомпозиционных материалов на основе пленок \¥Оз (грант РФФИ №12-03-00731-а). Результаты диссертационной работы использованы при подготовке заявки на грант РНФ 15-19-00076 «Разработка научных основ высокомощных систем вакуумно-плазменного реактивного распыления металлических мишеней для синтеза многофункциональных покрытий».

2. Результаты диссертационной работы использованы в проектах АО «ЭлТех СПб» и в исследовательской работе и производстве изделий НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

3. Физические представления, теоретические результаты и практические методы, полученные в диссертации, использованы в курсах лекций и лабораторных практикумах дисциплин «Технология материалов и элементов электронной техники», «Технология перспективных материалов электроники» и «Основы вакуумной и плазменной технологии» для студентов СПбГЭТУ «ЛЭТИ» им. В.И.Ульянова (Ленина).

Научные положения, выносимые на защиту

1. При увеличении расхода кислорода режим работы вольфрамовой мишени переходит из металлического в оксидный через ряд промежуточных стационарных состояний, при которых равенство между скоростями поверхностной плазмо-химической реакции и распыления при постоянной плотности тока поддерживается увеличением напряжения .между мишенью и анодом.

2. В области плотности тока и расхода кислорода, обеспечивающих стабильный оксидный режим работы мишени, уменьшение скорости роста пленок приводит к уменьшению концентрации кислородных вакансий.

3. Двойная инжекция носителей заряда (протонов и электрона) увеличивает показатель поглощения и уменьшает показатель преломления пленки оксида вольфрама пропорционально плотности заряда. Ширина спектральной линии показателя поглощения с увеличением плотности инжектированного заряда возрастает нелинейно вплоть до насыщения.

4. Отжиг в вакууме приводит к окрашиванию пленок оксида вольфрама и в зависимости от предыстории и технологии отжига инициирует формирование в них кристаллической фазы водородо-вольфрамовой бронзы НхУЮз-* или субоксида WO3-* с кубической или гексагональной сингонией, соответственно.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы представлены на Международных и Всероссийских конференциях, а также форумах и выставках среди которых: Московский международный форум и выставка инновационного развития «Открытые инновации» (с 2011 по 2014 гг., Москва); Международная выставка технологий, оборудования и материалов для производства изделий электронной и электротехнической промышленности Элек-тронТехЭкспо (с 2011 по 2014 гг., Москва); Форум и выставка индустрии микроэлектроники и полупроводников Semicon Russia (с 2011 по 2014 гг., Москва); XVIII Международная научно-техническая конференция "Высокие технологии в промышленности России (Материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)" и XXV Международный симпозиум "Тонкие пленки в электронике" (2012 г., Москва); Межрегиональный молодежный образовательный форум Инерка (2013 г., Саранск); XIX Международная научно-техническая конференция "Высокие технологии в промышленности России (Материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)" и XXVI Международный симпозиум "Тонкие пленки в электронике" (2014 г., Москва), 21-ая Всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Вакуумная техника и технологии-2014» (2014 г., Санкт-Петербург); XXII Всероссийское совещание по неорганическим и органосиликатным покрытиям (2014 г., Санкт-Петербург), 17-ая научная молодежная школа с международным участием «Материалы и технологии

гибкой электроники в рамках II Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Гибкая электроника» (2014 г., Санкт-Петербург); Международная конференция «Сегодня и завтра индустрии химических источников тока» (Тольятти, 2013 г.), Baltic ALD (2014 г., Хельсинки); Междисциплинарный научный форум Moscow Science Week (Педеля науки в Москве) (2014 г., Москва), Ежегодная национальная выставка Вузпромэкспо (2014 г., Москва).

Публикации. Автор имеет 12 научных публикаций по теме диссертационной работы, включая 7 статей, опубликованных в рецензируемых журналах и изданиях, рекомендованных ВАК Минобрнауки России, 5 работ - в материалах международных и всероссийских научно-технических конференций и симпозиумов.

Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, пяти глав, заключения, приложения и списка литературы, включающего 213 наименований. Диссертации содержит 126 страниц машинописного текста, в том числе 80 рисунков и 25 таблиц.

Автор выражает благодарность к.т.н. А. Е. Комлеву и студентам СПбГЭТУ «ЛЭТИ», коллегам из Института химии силикатов им. И. В. Гребенщикова РАН -д.х.н. А. Е. Лапшину, к.х.н. Арсентьеву М. Ю., научному сотруднику Пугачеву К. Э. соотечественникам из Центра полупроводниковых компонентов университета Кампинас (Бразилия) - к.ф.-м.н. С. А. Мошкалеву и к.ф.-м.н. В. А. Ермакову, каждый из которых оказал большую помощь автору в проведении исследований.

Глава 1

ТЕХНОЛОГИЯ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОК ОКСИДА ВОЛЬФРАМА

1.1 Технология осаждения пленок

Хорошо известные методы осаждения пленок, развитые главным образом в электронике, по основному принципу с некоторой степенью условности можно разделить на несколько групп:

• спекание порошка оксида вольфрама;

• химический синтез;

• термическое испарение;

• физическое распыление.

Методами спекания получают покрытия толщиной до 30-50 мкм. При этом используют порошки \\Юз с размером частиц от 30-50 нм до 150-200 [64]—[66]. Исходная композиция, из которой при температуре 500-600 °С формируют покрытие, может состоять из суспензии порошок+легкоплавкое стекло+органический биндер [67], порошок+органический растворитель [68], или эмульсии поро-шок+ацетон+целлулоидный клей [69]. Достаточно часто покрытие получают методом трафаретной печати из пасты, содержащей порошок \\Юз [26], [29], [70],[71].

Другие методы пленочной технологии, обладая высокой гибкостью, обеспечивают широкие возможности для осаждения пленок толщиной до 1 мкм.

1.1.1 Химический синтез

В табл. 1.1 указаны методы синтеза, используемые различными авторами. Наибольшее развитие получил метод синтеза пленок \¥Оз, основанный на золь-гель технологии.

Таблица 1.1 Методы химического синтеза

Метод Англоязычный термин Аббревиатура Источник

Химическое газофазное осаждение Chemical vapor deposition CVD [72], [73]

Химическое газофазное осаждение из металло-органического осаждения Organometallic chemical vapor deposition MOCVD [74]

Золь-гель технология Sol-gel method SG [47], [79], [80], [81]

Окончание табл. 1.1

Химическое жидкофаз-ное осаждение Chemical deposition of liquid CLD [24], [82], [83], [841

Анодное окисление пленки IV Anodic oxidation film W AO [25], [48], [85]-[87]

Термическое окисление пленки \У Thermal oxidation of metallic tungsten layer TO [88]

Пиролиз аэрозоля Spray pyrolysis SP [90|

Электроосаждение Electrodeposition ED [921

Осаждение с помощью распыления ультразвуком Ultrasonic spray deposition USD [72]

Лазерный пиролиз Laser pyrolysis LP [93]

По сведениям из отдельных работ по синтезу пленок золь-гель методом при разных температурах, известно, что в некоторых случаях применяется дополнительная термообработка для улучшения свойств пленок [44], [94], [95].

Следует отметить, что, несмотря на простоту технической реализации, химическими методами трудно получить беспримесные пленки стехиометрического состава. Наличие в начальных продуктах реакции или в растворителях углерода приводит к его появлению в пленке. Кроме этого, существенным недостатком этих методов является низкая адгезия пленок.

1.1.2 Термическое испарение

Этих недостатков в значительной мере лишены методы осаждения пленок \\гОз, в которых применяют физические методы формирования потока частиц XV или \\Ю.Г при низких давлениях. Процесс проводят либо в инертной газовой среде, содержащей только Аг, либо в смеси газов Аг + Ог.

Таблица 1.2 Методы термического испарения

Метод Англоязычный термин Аббревиатура Источник

Реактивное испарение Reactive evaporation RE [100],[101]

Резистивное испарение Thermal evaporation ТЕ [19], [28], [31], [62], [102]—[104], [105]

Испарение электронным пучком Electron beam evaporation ЕВЕ [14], [22], [58]

Импульсное лазерное осаждение Pulsed laser deposition PLD [53], [57]

Реактивное импульсное лазерное осаждение Reactive pulsed laser deposition RPLD [116H118]

В табл. 1.2 приведены методы осаждения пленок путем испарения вольфрамовой спирали или мишени в среде, содержащей кислород (ЯЕ, ЯРЬБ), или мишени из оксида вольфрама (ТЕ, ЕВЕ, Р1ЛЗ). Спирали нагревают до высокого давления насыщенных паров за счет пропускания тока (резистивный нагрев). Более высокую плотность пара получают с помощью локального расплавления мишени сфокусированным электронным пучком или мощными лазерными импульсами.

По сравнению с химическими методами, испарение даст беспримесные пленки. Однако осаждение испарением равномерных слоев \¥Оз на подложках большой площади представляет собой очень сложную техническую задачу. Если эти слои предназначены для оптически прозрачных изделий, то задачу синтеза предпочтительно решать с помощью методов распыления.

1.1.3. Физическое распыление

Многие экспериментаторы применяют методы, основанные на эффекте физического распыления оксидной \¥Оз или металлической мишени в газовой срсде Аг + Ог (табл. 1.3). В первом случае процесс проводят методами ВЧ распыления, во втором — распылительные системы работают на постоянном токе.

Эти методы привлекают внимание главным образом из-за многофакторности, которая дает возможность управлять физико-химическими свойствами осаждаемых пленок в широких пределах. Основными параметрами процесса осаждения являются суммарное давление в вакуумной камере, объемный расход кислорода, плотность тока разряда, температура подложки, расстояние от мишени до подложки, потенциал подложки, которые могут изменяться в широких пределах.

Таблица 1.3 Методы физического распыления

Метод Англоязычный термин Аббревиатура Источник

ВЧ распыление Radio frequency sputtering Srf Г761Л781ЛП91

Реактивное ВЧ распыление Reactive radio frequency sputtering RSrf ППЛЗЗШ41

Магнетронное ВЧ распыление Magnetron radio frequency sputtering MSrf [54], [77], [121]

Реактивное магнетронное ВЧ распыление Reactive magnetron radio frequency sputtering RMSrf [12], [41], [130]

Реактивное магнетронное распыление на постоянном токе Reactive magnetron direct current sputtering RMSdc [17], [32], [132], [136], [139], [140]

Импульсное реактивное магнетронное распыление Pulsed reactive magnetron sputtering PRMS [136],[142]

Импульсное реактивное магнетронное распыление двумя магнетронами Pulsed reactive dual magnetron sputtering PRDMS [143]

В табл. 1.4 приведены данные о некоторых характеристиках различных методов распыления. Процесс обычно проводят при суммарном давлении от единиц до десятков миллиторр при соотношении Ог/Аг = 0.2-1.0. В некоторых работах в качестве этого соотношения принимают отношение парциальных давлений, в других - отношение объемных расходов, что, исходя из физико-химических особенностей процесса реактивного распыления, вовсе не одно и то же. Более детально этот вопрос обсуждается во многих публикациях (см., например, работу [144], [145] и ссылки в них).

Скорость осаждения при распылении и/, от которой во многом зависят свойства пленок, может изменяться в широких пределах (от единиц до десятков нанометров в минуту). Величина V/, как следует из табл. 1.4, зависит от многих факторов.

Таблица 1.4 Осаждение пленок методом распыления

Метод Газовая среда Мишень Отношение Ог/Аг р, мТорр Ш, Вт V/, нм/мин Источник

М5гГ Аг \У03 - 20-80 - 50 Г541

Аг+Ог \У 0.2 45 250 4.4 1331

Аг+Ог \У 0.2 45 250 4.4 Г341

1Ш5гГ Аг+Ог 0.015 30 150 3.10-3.24 П291

1Ш5гГ Аг \У03 0.25 60 400 2.8 [1271

Аг+Ог \У0, 0Л 1-0.43 10 140 5.0 [1281

КМБ^ Аг+Ог XV 0.3-0.5 10 50-300 2.6-8.8 П 221

Аг+Ог 1.0 3 300 3.0 [123]

1Ш5с1с Аг+Ог V/ 0.8 - 50 4.0 [Ю1

1Ш5с1с Аг+Ог 0.36 40 275 30 [371

ЯМБск Аг+Ог \У 0.5-1.5 6 100 8.2-11.0 Г63]

¡ШБс1с Аг+Ог V/ 0.27 67 200 48.0 [138]

Увеличение парциального давления кислорода в камере (при прочих равных условиях) обычно приводит к уменьшению скорости роста пленки

Следует отметить, что особенность распыления металлической мишени в среде Аг+Ог состоит в том, что при изменении расхода кислорода или тока разряда можно получить два режима работы мишени: «металлический» и «оксидный» [131]. Это было установлено более тридцати лет назад [146] и подтверждено многочисленными экспериментами для пленок оксидов разных металлов как в старых работах [147], так и в более поздних публикациях [148]. Откуда следует, что при крайне низком парциальном давлении кислорода, как это сделано в работе [129], мишень магнетронного распылительного источника должна работать очень не-

устойчиво. Высока вероятность самопроизвольного перехода оксидного режима в металлический.

1.2. Химический состав

В объемных материалах химическая система W—О образует несколько форм оксидов, устойчивых в определенных температурных диапазонах. Состав этих оксидов изменяется от диоксида WO2 до триоксида WO3.

Пленки, полученные в системе W—О, могут иметь в составе атомы W в нескольких валентных состояниях. Поэтому в очень многие авторы проводят анализ химического состава пленок, используя для этого рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию (РФЭС).

Для определения валентного состояния атомов вольфрама в пленке РФЭС энергетические спектры фотоэлектронов измеряют в диапазоне 25^45 эВ, что соответствует энергиям связи для состояний 4f. В спектрах могут наблюдаться линии спин-дублетов подуровней Aisn и Aim. Причем энергия связи этих электронов зависит от валентного состояния атома W.

В табл. 1.5 приведены типичные составы пленок оксида вольфрама, осажденные разными методами. Откуда следует, что химические методы, что было отмечено в подразделе 1.1.1, позволяют синтезировать пленки, содержащие твердые растворы стехиометрического оксида и субоксида вольфрама. Более качественные пленки изготавливают методами испарения и распыления.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Морозова, Александра Александровна, 2015 год

Литература

1. URL: http://web.ebscohost.com/ehost/search/ (дата обращения: 01.09.2014).

2. Deb, S. К. A Novel Electrophotographic System / S. К. Deb // Appl. Opt. - 1969. - V. 8.-P. 192-195.

3. Deb, S. K. Optical and photoelectric properties and colour centres in thin films of tungsten oxide / S. K. Deb // Philosoph. Mag.- 1973. -V. 27. - P. 801-822.

4. Perspectives on application of flexible elcctrochromic panels in housing and communal services facilities and vehicles / A. L. Gusev, T. N. Kondyrina, V. V. Kursheva [et al.] // Int. Sci. J. Altern. Energ. Ecolog.-2009.- № 10 (78).-P. 122-137.

5. Progress in chromogenics: New results for electrochromic and thermochromic materials and devices / C. G. Granqvist, P. C. Lansaker, N. R. Mlyuka [et al.] // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2009.- V. 93. - P. 2032-2039.

6. Влияние золота на свойства сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок W03 / О. В. Анисимов, В. И. Гаман, Н. К. Максимова [и др.] // ФТП 2010. - Т. 44, Вып. 3-С. 383-389.

7. Liao, С.-С. Lithium-driven electrochromic properties of electrodeposited nickel hydroxide electrodes / C.-C. Liao//Sol. Ener. Mater. Sol. Cells. - 2012,- V. 99. - P. 26-30.

8. Electrochromic coatings for smart windows / H. N. Cui, M. F. Costa, V. Teixeira [et al.] // Sur. Sci. - 2003. - V. 532-535. - P. 1127-1131.

9. Karuppasamy, A. Electron beam induced coloration and luminescence in layered structure of WO3 thin films grown by pulsed dc magnetron sputtering. / A. Karuppasamy, A. Subrahmanyam//J. Appl. Phys. 2007. V. 101. P. 113522 (5pages).

10. Subrahmanyam, A. A note on fast protonic solid state electrochromic device: Ni-0j/Ta20s/W03-д- / A. Subrahmanyam, C. S. Kumar, К. M. Karuppasamy // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2007. - V. 91. - P. 62-66.

11. Study on the temperature effect, hysteresis and drift of PH-ISFET devices based on amorphous tungsten oxide / J.-L. Chiang, S.-S. Jan, J.-C. Chou [et al.] // Sens. Actuat. B. -2011.-Vol. 76.- P. 624-628.

12. Ma, R.-H. BIPV-Powered Smart Windows Utilizing Photovoltaic and Electrochromic Devices / R.-H. Ma, Y.-C. Chen // Sensors. - 2012. - V. 12. - P. 359-372.

13. Modeling of optical and energy performance of tungsten-oxide-based electrochromic windows including their intermediate states / S. Lim, J. Isidorsson, L. Sun [et al.] // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2013. - V. 108.-P. 129-135.

14. Alamri, S. N. The temperature behavior of smart windows under direct solar radiation / S. N. Alamri//Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2009. - V. 93.-P. 1657-1662.

15. Flexible WO3 based elcctrochromic displays using proton conducting solid electrolytes / M. Vasilopoulou, A. Botsialas, P. M. Argitis [et al.] // Phys. Stat. Sol. C. - 2008. - V. 5. - P. 3868-3871.

16. Electrochemical evaluation of TaiOi thin film for all-solid-state switchable mirror glass / K. Tajima, Y. Yamada, S. Bao [et al.] // Solid State Ionics. - 2009. - V. 180. - P. 654-658.

17. Electrochromic switchable mirror glass fabricated using adhesive electrolyte layer / K. Tajima, H. Hotta, Y. Yamada [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2012. - V. 101. - P. 251907 (3 pages).

18. Solid electrolyte of tantalum oxide thin film deposited by reactive DC and RF magnetron sputtering for all-solid-state switchable mirror glass / K. Tajima, Y. Yamada, S. Bao [et al.] // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2008. - V. 92. - P. 120-125.

19. Energy-saving transparent heat mirrors based on tungsten oxide-gold WO3/AU/WO3 multilayer structures / M. Al-Kuhaili, A. Al-Aswad, S. Durrani [et al.] // Solar Ener. - 2012. -V. 86.-P. 3183-3189.

20. Visualization of the conductive channel in a planar resistance switching d evice based on electrochromic materials / D. S. Shang, L. Shi, J.-R. Sun [et al.] // J. Appl. Phys. - 2012. - V. 111.-P. 053504 (7 pages).

21. An UV photochromic memory effect in proton-based WO3 electrochromic devices / Y. Zhang, S.-H. Lee, A. Mascarenhas [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2008. - V. 93. - P.203508 (2 pages).

22. Joraid, A. A. Comparison of electrochromic amorphous and crystalline electron beam deposited WO3 thin films / A. A. Joraid // Appl. Phys. - 2009. - V. 9. - P. 73-79.

23. Shaban, Y. A. Photoresponse of Visible Light Active CM-n-TiCh, HM-n-TiC>2, CM-n-FeaCb, and CM-p-WCb towardsWater Splitting Reaction / Y. A. Shaban, S. U. M. Khan // Intern. J. Photoener. - 2012. - V. 2012. - Article ID 749135 (20 pages).

24. Biswas, S. A facile one-step synthesis of single crystalline hierarchical WO3 with enhanced activity for photoelectrochemical solar water oxidation / S. Biswas, J. Baeg // Int. J. Hydr. Ener. - 2013. - V. 38. - P. 317-318.

25. Lai, C. Fabrication of WO3 nanostructures by anodization method for visible-light driven water splitting and photodegradation of methyl orange / C. Lai, S. Sreekantan // Mater. Sci. Semicon. Proc. -2013. - V. 16.-P. 303-310.

26. Shinde, P. S. Multilayered large-area WO3 films on sheet and mesh-type stainless steel substrates for photoelectrochemical hydrogen generation / P. S. Shinde, G. G. Go, W. J. Lee // Intern. J. Ener. Res.-2013.-V. 37.-P. 323-330.

27. Size effects of WO3 nanocrystals for photooxidation of water in particulate suspension and photoelectrochemical film systems / S. J. Hong, H. Jun, P. H. Borse [et al.] // Intern. J. Hydr. Ener. - 2009. - V. 34. - P. 3234-3242.

28. Tungsten oxide as a buffer layer inserted at the SnCh/p-a-SiC interface of pin-type amorphous silicon based solar cells / L. Fang, S. J. Baik, K. S. Lim [et al.] // Appl. Phys. Lett. -2010.-V. 96.-P. 193501 (3 pages).

29. Surface-oxidized tungsten for energy-storable dye-sensitized solar cells / Y. Saito, S. Uchida, T. Kubo [et al.] // Thin Solid Films. - 2010. - V. 518. - P. 3033-3036.

30. Pt-WO* electrode structure for thin-film fuel cells / K.-W. Park, K.-S. Ahn, J.-H. Choi [et al.] //Appl. Phys. Lett. - 2002. - V. 81.-P. 907-909.

31. Tungsten oxide in polymer electrolyte fuel cell electrodes—A thin-film model electrode study / B. Wickman, M. Wesselmark, C. Lagergren [et al.] // Electrochim. Acta. — 2011. — V. 56.-P. 9496-9503.

32. Effect of support materials on platinum lattice strain and its oxygen reduction activity/ S. Suzuki, T. Onodera, J. Kawaji [et al.] // Appl. Catal. A: General. - 2012. - V. 427-428. - P. 92-97.

33. Sauvet, K. Electrochromic properties of WO3 as a single layer and in a full device: From the visible to the infrared / K. Sauvet, L. Sauques, A. Rougier // J. Phys. Chem. Solid. -2010,-V. 71.-P. 696-699.

34. Sauvet, K. IR electrochromic WO3 thin films: from optimization to devices / K. Sauvet, L. Sauques, A. Rougier // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2009. - V. 93. - P. 2045-2049.

35. Sauvet, K. Electrochromic WO3 thin films active in the IR region / K. Sauvet, A. Rougier, L. Sauques // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2008. - V. 92. - P. 209-215.

36. Krishna, K. H. Activated Reactive Evaporated Nano Crystalline WO3 Thin Films for Electrochromic Windows / K. H. Krishna, O. M. Hussain // AIP Conf. Proceed. - 2008. - V. 1004.-P. 141-145.

37. Berggren, L. Polaron absorption in amorphous tungsten oxide films / L. Berggren, A. Azens, G. A. Niklasson // J. Appl. Phys. - 2001. - V.90, N. 4. - P. 1860-1863.

38. Comparison of electrochromic amorphous and crystalline tungsten oxide films / E. Ozkan, S.-H. Lee, C. E. Tracy [et al.] // Solar Energy Mater. Solar Cells. - 2003. - Vol. 79. - P. 439-448.

39. Ultraviolet Photoconductance of a Single Hexagonal WO3 Nanowire / K. Huang, Q. F. Zhang, F. Yang [et al.] // Nano Res. - 2010. - V. 3. - P. 281-287.

40. Infrared switching electrochromic devices based on tungsten oxide / E. B. Franke, C. L. Trimble, J. S. Hale [et al.] // J. Appl. Phys. - 2000. - Vol. 88. - P. 5777-5784.

41. Punitha, K. Pulsing frequency induced change in optical constants and dispersion energy parameters of W03 films grown by pulsed direct current magnetron sputtering/ K. Punitha, ,R. Sivakumar, C. Sanjeeviraja// J. Appl. Phys. -2014. - V.l 15,№11. - P. 113512-1-113512-11.

42. Microstructure and infrared reflectance modulation properties in DC-sputtered tungsten oxide films / J. Zhang, X.-L. Wang, Y. Lu [et al.] // J. Solid State Electrochem. - 2011. - V. 15. -P. 2213-2219.

43. Improved electrochromic performance of ordered macroporous tungsten oxide films for IR electrochromic device / L. Yang, D. Ge, J. Zhao [et al.] // Sol. Ener. Mater. Sol. Cells. -2012. - V. 100.-P. 251-257.

44. Amano, F. Photoelectrochemical Property of Tungsten Oxide Films of Vertically Aligned Flakes for Visible-Light-Induced Water Oxidation / F. Amano, D. Li, B. Ohtani // J. Electrochem. Soc. -2011. - V. 158.-P. K42-K46.

45. Amorphous copper tungsten oxide with tunable band gaps / L. Chen, S. Shet, H. Tang [et al.] // J. Appl. Phys. - 2010. - V. 108. - P. 043502 (5 pages).

46. Bi, D. Synergism between Fei03 and WO3 particles: Photocatalytic activity enhancement and reaction mechanism / D. Bi, Y. Xu // J. Molec. Cat. A: Chem. - 2013. - V. 367. - P. 103-107.

47. Mashtalir, O. Photocatalytic WO3 and Ti02 Films on Brass / O. Mashtalir // Int. J. Appl. Ceram. Technol. -2013. - V. 10. - P. 26-32.

48. Anodic formation of a thick three-dimensional nanoporous WO3 film and its photocatalytic property / J. Z. Ou, R. A. Rani, S. Balendhran [et al.] // Electrochem. Comm. - 2013. - V. 27.-P. 128-132.

49. Semiconducting Metal Oxide Based Sensors for Selective Gas Pollutant Detection / S. M. Kanan, O. M. El-Kadri, I. A. Abu-Yousef [et al.] // Sensors. - 2009. - V. 9. - P. 8158-8196.

50. Basu, S. NanocrystallineMetal Oxides for Methane Sensors: Role of Noble Metals / S. Basu, P. K. Basu HI. Sensors. V. - 2009.-Article ID 861968 (20 pages).

51. Obvintseva, L. A. Metal Oxide Semiconductor Sensors for Determination of Reactive Gas Impurities in Air / L. A. Obvintseva // Russ. J. Gener. Chem. - 2008. - V. 78. - P. 25452555.

52. Core and grain boundary sensitivity of tungsten-oxide sensor devices by molecular beam assisted particle deposition / T. P. Huelser, A. Lorke, P. Ifeacho [et al.] // J. Appl. Phys. -2007. - V. 102. - P. 124305 (7 pages).

53. Bandgap renormalization in titania modified nanostructured tungsten oxide thin films prepared by pulsed laser deposition technique for solar cell applications / K. J. Lethy, D. Becna, V. P. Mahadevan Pillai [et al.] // J. Appl. Phys. - 2008. - V. 104. - P. 033515 (12 pages).

54. Effects of working pressure on physical properties of tungsten-oxide thin films sputtered from oxide target / I. Riecha, M. Acosta, J.L. Pena [et al.] // J. Vac. Sci. Technol. A. -2010.-V. 28.-P. 329-333.

55. Cho, Y. H. Highly selective and sensitive detection of trimethylamine using WO3 hollow spheres prepared by ultrasonic spray pyrolysis / Y. H. Cho, Y. C. Kang, J.-H. Lee // Sens. Actuat. B: Chem.-2013. - V. 176.-P. 971-977.

56. Hoa, N. D. Crystalline mesoporous tungsten oxide nanoplate monoliths synthesized by directed soft template method for highly sensitive NO2 gas sensor applications / N. D. Hoa, N. V. Duy, N. V. Hieu // Mater. Res. Bull. - 2013. - V. 48. - P. 440-448.

57. Pulsed laser deposition of (W03)i-*(Nb205).i thin films: Characterization and gaso-chromic studies / C.-H. Hsu, C.-C. Chang, K.-W. Yeh [et al.] // Thin Solid Films. - 2011. - V. 520.-P. 1470-1474.

58. A fiber-optic hydrogen gas sensor with low propagation loss / T. Watanabe, S. Oka-zaki, H. Nakagawa [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. -2010.-V. 145. - P. 781-787.

59. Electroless plating of palladium on WO3 films for gasochromic applications / M. Ranjbar, N. T. Garavand, S. M. Mahdavi [et al.] // Sol. Ener. Mater. Sol. Cells. - 2010. - V. 94. -P. 201-206.

60. NO2 gas sensing characteristics of Pt-W03-Si3N4-Si02-Si-Al capacitor / C. K. Kim, J. H. Lee, W. P. Kang [et al.] // Sens. Actuat. B. - 2001. - V. 77. - P. 67-71.

61. MIS gas sensors based on porous silicon with Pd and WCb/Pd electrodes / V. S. Solntsev, T. I. Gorbanyuk, V. G. Litovchenko [et al.] // Thin Solid Films. - 2009. - V. 517. - P. 6202-6205.

62. Hejczyk, T. \VO3-Pd Structure in SAW Sensor for Hydrogen Detection / T. Hejczyk, M. Urbanczyk // Acta Phys. Polon. A. - 2011. - V. 120. - P. 616 - 620.

63. Ho, J.-J. Improvement of electrochromic coloration efficiency by oxygen deficiency in sputtering a-WO* films / J.-J. Ho, C. Y. Chen, W. J. Lee // Electron. Lett. - 2004. - V. 40. - P. 510-511.

64. Morphological differences affecting the dielectric response of M0O3-WO3 and WO3 thick films / C. Malagu, M. C. Carotta, A. Cervi [et al.] // J. Appl. Phys. - 2007. - V. 101. - P. 104310 (3 pages).

65. Selectivity towards H2 gas by flame-made Pt-loaded WO3 sensing films / T. Samerjai, N. Tamaekong, C. Liewhiran [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. - 2011. - V. 157. - P. 290-297.

66. Tunable Morphology and Ethanol-Sensing Performance by Sintering Temperature of WC>3-Based Ceramics / Y. Zhang, W. Zhang, Y. Gao [et al.] // Synth. Reactiv. Inorg., Metal-Organ. Nano-Metal Chem. -2011. - V. 41. - P. 639-643.

67. Semiconducting metal oxide sensor array for the selective detection of combustion gases / A. A. Tomchenko, G. P.Harmer, B. T. Marquis [et al.] // Sensors and Actuators. - 2003. V. 93.-P. 126-134.

68. Detection of liquid petroleum gas using mixed nanosized tungsten oxide-based thick-film semiconductor sensor / G. N. Chaudhari, A. M. Bende, A. B. Bodade [et al.] // Talanta. 2006.-V. 69.-P. 187-191.

69. Faia, P. M. Establishing and interpreting an electrical circuit representing a Ti02-W03 series of humidity thick film sensors / P. M. Faia, A. J. Fcrreira, C. S. Furtado // Sens. Actuat. B: Chem.-2009.-V. 140.-P. 128-133.

70. Shoemaker, E. L. CO2 sensing mechanisms of an electrocatalytic sensor based on a tungsten-stabilized bismuth oxide solid electrolyte and cyclic voltammetry measurement techniques / E. L. Shoemaker, C.-U. Kim, M. C. Vogt // Sens. Actuat. B: Chem. - 2005. - V. 110.-P.89-100.

71. Sensitive and rapid hydrogen sensors based on Pd-W03 thick films with different morphologies / A. Boudibaa, C. Zhang, P. Umek [et al.] // Int. J. Hydrog. Energ. - 2013. - V. 38. -P. 2565-2577.

72. Low-temperature ozone exposure technique to modulate the stoichiometry of WO* na-norods and optimize the electrochromic performance / F. Lin, C.-P.Li, G. Chen [et al.] // Nano-technology. - 2012. - V. 23. - P. 255601 (8 pages).

73. Optical characterization of WO3 -VO* thin films for application in electrochromic devices - "smart windows" / G. Bodurov, T. Ivanova, M. Aleksandrova [et al.] // J. Phys.:Confer. Series. - 2012. - V. 356. - P. 012016 (4 pages).

74. Su, P.-G. Fabrication of a room-temperature NO2 gas sensor based on WO3 films and WO3/MWCNT nanocomposite films by combining polyol process with metal organic decomposition method / P.-G. Su, T.-T. Pan // Mater. Chem. Phys. - 2011. - V. 125. - P. 351-357.

75. Structural and electrochemical properties of opaque sol-gel deposited WO3 layers / G. Leftheriotis, S. Papaefthimiou, P. Yianoulis [et al.] // Appl. Sur. Sci. - 2003. - V. 218. - P. 275280.

76. Structures and optical properties of tungsten oxide thin films deposited by magnetron sputtering of W03 bulk: Effects of annealing temperatures / F. Zhang, II. Wang, S. Wang [et al.] // Chinese Physics B. -2014. - V.23. № 9. - P. 098105.

77. Structural, optical, and surface properties of W03 thin films for solar cells / H. Simchi, B. McCandless, T. Meng [et al.] // Journal Of Alloys & Compounds. -2014. - V.617. -P. 609615.

78. Characterization of electrochromic tungsten oxide film from electrochemical anodized RF-sputtered tungsten films/ C. Wang, C. Lin, C. Wu [et al.] // Ceramics International . — 2013. — V. 39. №.4. - P.4293-4298.

79. Hydrogen incorporation in gasochromic coloration of sol-gel WO3 thin films / C.-C. Chan, W.-C. Hsu, C.-C. Chang [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. - 2011. - V. 157. - P. 504-509.

80. Djaoued, Y. Electrochromic Devices Based on Porous Tungsten Oxide Thin Films / Y. Djaoued, S. Balaji, R. Brüning//J. Nanomater.-2012. - V. 2012. - Article ID 674168 (9 pages).

81. Jeng, J. The influence of annealing atmosphere on the formation and characteristics of microvoid W03-Sb films / J. Jeng //J. Alloys Comp. - 2013. -V. 548. - P. 27-32.

82. Pt/W03 thin films prepared by photochemical metal-organic deposition (PMOD) and its evaluation as carbon monoxide sensor / G. E. Buono-Core, A. H. Klahn, G. Cabello [et al.] // Polyhedron. - 2012. - V. 41.-P. 134-139.

83. Tuning of crystal phase structure in hydrated WO3 nanoparticles under wet chemical conditions and studies on their photochromic properties / S. Songara, V. Gupta, M. K. Patra [et al.] //J. Phys. Chem. Solid. - 2012. - V. 73.-P. 851-857.

84. Ghasempour, F. Synthesis of potassium tungsten oxide nano/microvvires by heat treatment of tungsten foils / F. Ghasempour, R. Azimirad, M. Rashidzadeh // Thin Solid Films. -2013.-V. 529. - P. 475^478.

85. N02-sensing properties of porous W03 gas sensor based on anodized sputtered tungsten thin film / J. Zeng, M. Hu, W. Wang [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. - 2012. - V. 161. - P. 447-452.

86. Gasochromic tungsten oxide films with PdCh solution as an aqueous Hydrogen catalyst / A. Hemati, B M.Allaf, M. Ranjbar [et al.] // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2013. - V. 108.-P. 105-112.

87. Characterization of electrochromic tungsten oxide film from electrochemical anodized RF-sputtered tungsten films / C. Wang, C. Lin, C. Wu [et al.] // Ceram. Int. - 2013. - V. 39. - P. 4293-4298.

88. Improved H2S and CI2 Sensing Characteristics of Pure and Au Incorporated WO3 Thin Films / N. S. Ramgir, S. K.Ganapathi, M. Kaur [et al.] //AIP Conf. Proc. - 2011. - V. 1349. - P. 679-680.

89. Bathe, S. R. Titanium doping effects in electrochromic pulsed spray pyrolysed WO3 thin films / S. R. Bathe, P. S. Patil // Solid State Ionics. - 2008. - V. 179. - P. 314-323.

90. Bertus, L. M. Influence of spray pyrolysis deposition parameters on the optoelectronic properties of WO3 thin films / L. M. Bertus, A. Enesca, A. Duta // Thin Solid Films. -2012. - V. 520. - P. 4282-4290.

91. Improving electrochromic behavior of spray pyrolised WO3 thin solid films by Mo doping / J. M. O-Rueda de León, D. R. Acosta, U. Pal [et al.] // Electrochim. Acta. - 2011. - V. 56.-P. 2599-2605.

92. How to combine electrochromic and electrocatalytic applications with the low degradation rate of electrodeposited tungsten oxides / V. K. Laurinavichute, S. Yu. Vassiliev, A. A. Khokhlov [et al.]// Electrochim. Acta. - 2013. - V.99. - P. 102-107.

93. Formation of tungsten oxide nanostructures by laser pyrolysis: stars, fibres and spheres / M. Govender, L. Shikwambana, B. W. Mwakikunga [et al.] // Nanoscale Res. Lett. - 2011. - V. 6.-P. 166-172.

94. Electrochromic performance of hybrid tungsten oxide films with multiwalled-CNT additions / C.-K. Lin, S.-C. Tseng, C.-H. Cheng [et al.] // Thin Solid Films. - 2011. - V. 520. - P. 1375-1378.

95. Kim, D. H. Effects of phase and morphology on the electrochromic performance of tungsten oxide nano-urchins / D. H. Kim // Sol. Ener. Mater. Sol. Cells. - 2012. - V. 107. - P. 81-86.

96. Zhao, M. Preparation and structure dependence of H2 sensing properties of palladium-coated tungsten oxide films / M. Zhao, J. Huang, C. Ong // Sensors & Actuators B: Chemical. -2013-V. 177.-P. 1062-1070.

97. Hao, J. Transient photoconductivity properties of tungsten oxide thin films prepared by spray pyrolysis / J. Hao, S. A. Studenikin, M. Cocivera // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. P. 5064 (6pages).

98. Influence of pH on structure and photochromic behavior of nanocrystalline WO3 films / N. Xu, M. Sun, Y. W. Cao [et al.] // Appl. Sur. Sci. - 2000. - V. 157. - P. 81-84.

99. Strong photoluminescence of nanostructured crystalline tungsten oxide thin films / M. Feng, A. L. Pan, H. R. Zhang [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2005. - V. 86. - P. 141901 (3 pages).

100. Ultrasensitive and highly selective gas sensors using three-dimensional tungsten oxide nanowire networks / A. Ponzoni, E. Comini, G. Sberveglieri [et al.] // Appl. Phys. Lett. -2006. -V. 88.-P. 203101 (3 pages).

101. Relationship between particle size and photochromic characteristics of tungsten oxide films prepared by electric current heating method using tungsten wire / T. Hagizawa, T. Honma, Y. Kuroki [et al.] // Ceram. Int. - 2013. - V. 39. - P. 2851-2855.

102. Porous hot-wire deposited WO3 films with high optical transmission / G. Papadimi-tropoulos, N. Vourdas, K. Giannakopoulos [et al.] // J. Appl. Phys. - 2011. - V. 109. - P. 103527 (7 pages).

103. Gogova, D. Comparative study of gasochromic and electrochromic effect in thermally evaporated tungsten oxide thin films / D. Gogova, L.-K. Thomas, B. Camin // Thin Solid Films.

- 2009. - V. 517. - P. 3326-3331.

104. Low temperature CO sensitive nanostructured WO3 thin films doped with Fe / M. Ah-san, T. Tesfamichael, M. Ionescu [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. - 2012. - V. 162. - P. 14-21.

105. Low temperature response of nanostructured tungsten oxide thin films toward hydrogen and ethanol / M. Ahsan, M. Z. Ahmad, T. Tesfamichael [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. -2012. - V. 173.-P. 789-796.

106. Gas sensing characteristics of WO3 vacuum deposited thin films / G. Xie, J. Yu, X. Chen [et al.]// Sens. Actuat. B. - 2007.- V. 123.- P. 909-914.

107. The role of water in gasochromic WO3 films / A. Georg, W. Graf, R. Neumann [et al.] //Thin Solid Films.-2001.-V. 384.-P. 269-275.

108. Effect of the tungsten oxidation states in the thermal coloration and bleaching of amorphous WO3 films / G. Leftheriotis, S. Papaefthimiou, P. Yianoulisa [et al.] // Thin Solid Films. - 2001. - V. 384. - P. 298-306.

109. Romanyuk, A. Evidence of different oxygen states during thermal coloration of tungsten oxide / A. Romanyuk, P. Oelhafen // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 2006. - V. 90.-P. 1945-1950.

110. Effect of the tungsten and molybdenum oxidation states on the thermal coloration of amorphous WO3 and M0O3 films / A. Siokou, G. Leftheriotis, S. Papaefthimiou [et al.] // Sur. Sci. - 2001. - V. 482-485. - P. 294-299.

111. Thin film deposition and characterization of pure and iron-doped electron-beam evaporated tungsten oxide for gas sensors / T. Tesfamichael, M. Arita, T. Bostrom [et al,] // Thin Solid Films. - 2010. - V.518. - P. 4791-4797.

112. Structural evolution and chemical bonds in electrochromic WO3 films during electrochemical cycles / C.-K. Wang, D. R. Sahu, S.-C. Wang [et al.] // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2012.

- V. 45.-P. 225303 (7 pages).

113. Zhao, Y. Pulsed laser deposition of WCb-base film for NO2 gas sensor application / Y. Zhao, Z.-C. Feng, Y. Liang // Sens. Actuat. - 2000. - V. 66. - P. 171-173.

114. Gyorgy, E. Tunable optical and nano-scale electrical properties of WO3 and Ag-WCb nanocomposite thin films / E. Gyorgy, A. Perez del Pino // J. Mater. Sci. - 2011. - V. 46. - P. 3560-3567.

115. Ranjbar, M. Pulsed laser deposition of W-V-0 composite films: Preparation, characterization and gasochromic studies / M.Ranjbar, S. M.Mahdavi, A. Iraji zad // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2008. - V. 92. - P. 878-883.

116. Properties of tungsten oxide thin films formed by ion-plasma and laser deposition methods for MOSiC-based hydrogen sensors / V. Fominski, S. Grigoriev, R. Romanov [et al.] // Semiconductors. - 2012. - V. 46. - P. 401-409.

117. Функциональные микро- и наноструктурированные слои на основе оксида вольфрама «для высокотемпературных детекторов водорода на платформе «Pt-оксид ме-талла-SiC» / В. Ю. Фоминский, Р. И. Романов, В. В. Зуев [и др.] // Российские нанотехно-логии. -2012.-Т. 7, №5-6. -С. 32-37.

118. Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC /

B. Ю. Фоминский, С. Н. Григорьев, Р. И. Романов [и др.] // ФТП. - 2012. - Т. 46, Вып. 3. -

C. 416^124.

119. Н2 sensing performance of optical fiber coated with nano-platelet WO3 film / J. Z. Ou, M. H. Yaacob, J. L. Campbell [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. -2012. - V. 166-167. - P. 1-6.

120. Study of selectivity of NO2 sensors composed of WO3 and MnCh thin films grown by radio frequency sputtering / C. Zhang, A.Boudiba, C. Navio [et al.] // Sens. Actuat. B: Chcm. -2012.-V. 161.-P. 914-922.

121. Effect of the thickness of reactively sputtered W03 submicron thin films used for NO2 detection / A. Hemberg, S. Konstantinidis, P. Viville [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. - 2012. V. 171-172. - P. 18-24.

122. Huang, C.-C. Optical properties of tungsten and titanium oxide thin films prepared by plasma sputter deposition / C.-C. Huang, J.-C. Tang, W.-H. Tao // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2004.-V. 83.-P. 15-28.

123. Comini, E. Ti-W-0 sputtered thin film as n-typc or p-type gas sensors / E. Comini, G. Sberveglieri, V. Guidi // Sens. Actuat. - 2000. - V. 70. - P. 108-114.

124. Gullapalli, S. K. Structural transformation induced changes in the optical properties of nanocrystallinc tungsten oxide thin films / S. K. Gullapalli, R. S. Vemuri, С. V. Ramana // Appl. Phys. Lett.-2010.-V. 96,- P. 171903 (3 pages).

125. Effects of composition and structure on gasochromic coloration of tungsten oxide films investigated with XRD and RBS / S. Yamamoto, K. Takano, A. [Inouye ct al.] // Nucl. In-str. Meth. Phys. Res. Section B: Beam Interact. Mater. Atoms. - 2007. - V. 262. - P. 29-32.

126. Hydrogen behavior in gasochromic tungsten oxide films investigated by elastic recoil detection analysis / A. I. Nouye, S. Yamamoto, S. Nagata [et al.] // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. Section B: Beam Interact. Mater. Atoms. - 2008. - V. 266. - P. 301-307.

127. Magnetron sputtered tungsten oxide films activated by dip-coated platinum for ppm-level hydrogen detection / C. Zhang, A. Boudiba, M.-G. Olivier [et al.] // Thin Solid Films. -2012. - V. 520. - P. 3679-3683.

128. Effects of oxygen stoichiometry on electrochromic properties in amorphous tungsten oxide films / A. I. Inamdar, Y. S. Kim, B. U. Jang [et al.] // Thin Solid Films. - 2012. - V. 520. -P. 5367-5371.

129. Madhavi, V. Influence of substrate bias voltage on structural and optical properties of RF reactive magnetron sputtered WO3 thin films / V. Madhavi, P. Kondaiah, S. Uthanna // J. Phys.: Conference Series. - 2012. - V. 390. - P. 012059 (5 pages).

130. Effect of silver incorporation in phase formation and band gap tuning of tungsten oxide thin films / R. J. Bose, R. V. Kumar, S. K. Sudheer [et al.] // J. Appl. Phys. - 2012. - V. 112. - P. 114311 (9 pages).

131. Кристаллизация и термохромизм в пленках оксида вольфрама, отожженных в вакууме / В. И. Шаповалов, А. Е. Лапшин, А. Е. Комлев [и др.] // ПЖТФ. - 2012. - Т. 38, Вып. 12.-С. 8-16.

132. Кристаллизация и термохромизм в отожженных гетероструктурах, содержащих пленки оксидов титана и вольфрама / В. И. Шаповалов, А. Е. Лапшин, А. Е. Комлев [и др.] // ЖТФ. 2013. - Т. 83, Вып. 9. - С. 73-83.

133. X-Ray Analysis of Multi-Films for Electrochromic Device Application / H.-N. Cuil, S. Jia, L.-J. Meng [et al.] // Microchim. Acta. - 2004. - V. 145. - P. 19-23.

134. An all-solid-state electrochromic device based on NiO/WCb complementary structure and solid hybrid polyelectrolyte / J. Zhang, J. P. Tu, X. H. Xia [et al.] // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. - 2009. - V. 93. - P. 1840-1845.

135. Influence of effective surface area on gas sensing properties of WO3 sputtered thin films / Y. Shen, T. Yamazaki, Z. Liu [et al.] // Thin Solid Films. - 2009. - V. 517. - P. 20692072.

136. Deniz, D. Nanostructured tungsten and tungsten trioxide films prepared by glancing angle deposition / D. Deniz, D. J. Frankel, R. J. Lad // Thin Solid Films. - 2010. - V. 518. - P. 4095-4099.

137. Optical properties of film of mixed Ni-W oxide made by reactive DC magnetron sputtering / I. Valyukh, S. V. Green, C. G. Granqvit [et al.] // Thin Solid Films. - 2011. - V. 519. -P.2914-2918.

138. Salinga, C. Gasochromic switching of tungsten oxide films: a correlation between film properties and coloration kinetics / C. Salinga, H. Weis, M. Wuttig // Thin Solid Films. -2002.-V. 414.-P. 275-282.

139. Zhao, M. Preparation and structure dependence of H2 sensing properties of palladium-coated tungsten oxide films / M. Zhao, J. Huang, C.-W. Ong // Sens. Actuat. В Chem. — 2013. — V. 177.-P. 1062-1070.

140. N02-sensing properties of WO3 nanorods prepared by glancing angle DC magnetron sputtering / M. Horprathum, K. Limwichean, A. Wisitsoraat [et al.] // Sens. Actuat. B: Chem. -2013.-V. 176.- P. 685-691.

141. Nature of substoichiometry in reactively DC-sputtered tungsten oxide thin films and its effect on the maximum obtainable colouration by gases / M. Stolze, B.Camin, F. Galbert [et al.] //Thin Solid Films. - 2002.- V. 409. - P. 254-264.

142. Sun, X. Electrochromic properties of N-doped tungsten oxide thin films prepared by reactive DC-pulsed sputtering / X. Sun, Z. Liu, H. Cao // Thin Solid Films. - 2011. - V. 519. -P. 3032-3036.

143. Mohamed, S. H. Physical properties of erbium implanted tungsten oxide films deposited by reactive dual magnetron sputtering / S. H. Mohamed, A. Anders // Thin Solid Films. -2007.- V. 515.-P. 5264-5269.

144. Barybin A. A., Shapovalov V. I. Nonisothermal chemical model of reactive sputtering // J. Appl. Phys. - 2007. - V. 101. - P.054905-1-10.

145. Shapovalov, V. I. Nanopowders and Films of Titanium Oxide for Photocatalysis: A Review / V. I. Shapovalov // Glass Phys.Chem. - 2010. - Vol. 36, № 2. - P. 121-157.

146. Steenbeck, K. The problem of reactive sputtering and cosputtering of elemental targets / K. Steenbeck, E. Steinbeiss, K.-D. Ufert // Thin Solid Films. - 1982. - V. 92. - P. 371 — 380.

147. Reactive d.c. sputtering with the magnetron-plasmatron for tantalum pentoxide and titanium dioxide films / S. Schiller, U. Heisig, K. Steinfelder [et al.] // Thin Solid Films. - 1979. -V. 63.-P. 369-375.

148. The influence of rf power and oxigen flow rate during deposition on the optical transmittance of copper oxide thin films prepared by reactive magnetron sputtering / A. A. Og-wu, E. Bounquerel, O. Ademosu [et al.] // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2005. - V. 38. - P. 266-271.

149. The structure and composition of oxidized and reduced tungsten oxide thin films / S. 307. Azimirad, R. The effect of heat treatment on physical properties of nanograined (W03)i-.v -(Ре20з)* thin films / R. Azimirad, O. Akhavan, A. Z. Moshfegh // Vacuum. - 2011. - V. 85. - P. 810-819.

150. Tungsten tryoxide (WO3) sputtered thin films for a NO* gas sensor / M. Penza, M. A. Tagliente, L. Mirenghi [et al.] // Sens. Actuat. - 1998. - V. 50. - P. 9-18.

151. Троицкая, И. Б. Нанопластинки /7-WO3: синтез, микроморфология, характериза-ция / И. Б. Троицкая, Т. А. Гаврилова // Письма о материалах. - 2011. - Т. 1. - С. 65-69.

152. Microstructure and enhanced H2S sensing properties of Pt-loaded W03 thin films/ Y. Shen, B. Zhang, Y. Jin [et al.] // Sensors & Actuators B: Chemical. - 2014. - V.193. - P.273-279.

153. Spectroscopic ellipsometry determination of the optical constants of titanium-doped W03 films made by co-sputter deposition / M. Vargas, E. Rubio, A. Gutierrez [et al.] // Journal Of Applied Physics. - 2014. -V. 115.№ 13. - P. 133511 -1 -13351 1 -6.

154. Selective Detection ofNHb over NO in Combustion Exhausts by using Au and M0O3 Doubly Promoted WO3 Element / C. N. Xu, N. Miura, Y. Ishida [et al.] // Sens. Actuat. B. -2000.-V.65.-P. 163-165.

155. Ag-Loaded WO3 Ceramic Nanomatcrials: Characterization and Moisture Sensing Studies /N. K. Pandey, K.Tiwari, A. Roy [et al.] // Int. J. Appl. Ceram. Technol. - 2012. - V. 10. -P. 150-159.

156. Structural and electronic studies of supported Pt and Au epitaxial clusters on tungsten oxide surface / K. Masek, P. Blumentrit, J. Beran [et al.] // Vacuum. - 2012. - V. 86. - P. 586589.

157. Vacuum deposited WO3 thin films based sub-ppm H2S sensor / N. Datta, N. Ramgir, M. Kaur [et al.] // Mater. Chcm. Phys. -2012. - V. 134. - P. 851-857.

158. Macroporous WO3 Thin Films Active in NH3 Sensing: Role of the Hosted Cr Isolated Centers / M. DArienzo, L. Armelao, С. M. Mari [et al.] // J. Amer. Chem. Soc. - 2011. - V. 133. - P. 5296-5304.

159. Sensitivity Improvements of Hf^W^Or sensing membranes for pH Sensors Based on Electrolyte-Insulator-Semiconductor Structure / W.-Y. Chung, C.-M. Yang, T.-F. Lu [et al.J // IEEE Sensors. - 2009. - P. 1124-1127.

160. Nikfarjam, A. Fabrication of Pd Doped WO3 Nanofiber as Hydrogen Sensor / A. Nik-farjam, S. Fardindoost, A. Iraji zad // Polymers 2013. - V. 5. - P. 45-55.

161. Density functional theory study of the interaction of H2 with pure and Ti-doped WO3 (002) surfaces / M. IIu, W.-D. Wang, P. Zeng [et al.] // Chin. Phys. B. - 2012. - V. 21. P. 023101 (7 pages).

162. Quantum chemical modeling of electrochromism of tungsten oxide films / E. Broclawik, A.Gora, P. Liguzinski [et al.] // J. Chem. Phys. - 2006. - V. 124. -P. 054709 (11 pages).

163. Porqueras, I. Efficiency of Li doping on electrochromic W03 thin films / I. Porqueras, E. Bertran // Thin Solid Films. -2000. -V. 377-378. - P. 129-133.

164. Electrochromic films with a stacked structure of WO3 nanosheets / K. Wang, P. Zeng, J. Zhai [et al.] // Electrochem. Comm. -2013. -V. 26. - P. 5-9.

165. Yan, L. T. Changes in the structural and electrical properties of vacuum post-annealed ungsten- and titanium-doped indium oxide films deposited by radio frequency magnetron sputtering / L. T. Yan, R. E. I. Schropp // Thin Solid Films. - 2012. -V. 520. - P. 2096-2101.

166. Simple sol-gel process and one-step annealing of vanadium dioxide thin films: Synthesis and thermochromic properties / N. Wang, S.Magdassi, D. Mandler [et al.] // Thin Solid Films. -2013,- V. 534.-P. 594-598.

167. Microstructures and thermochromic properties of tungsten doped vanadium oxide film prepared by using VCV-W-VO* sandwich structure / Z. Luo, Z. Wu, X. Xu [et al.] // Mater. Sci. Eng. B. - 2011. - V.176. - P. 762-766.

168. Mechanism of the gasochromic coloration of porous WO3 films / A. Georg, W. Graf, R. Neumann [et al.] // Solid State Ionics. - 2000. - V. 127. - P. 319-328.

169. Study of self-heating phenomenon and its resultant effect on ultrafast gasochromic coloration of Pt-W03 nanowire films / S. Chen, J.Luo, H. Tan [et al.] // Sens. Actuat.B: Chem. -2012.-V. 173.-P. 824-832.

170. Characterization of ozone sensors based on WO3 reactively sputtered films: influence of O2 concentration in the sputtering gas, and working temperature / M. Bendahan, R. Boulmani, J. L. Seguin [et al.] // Sensors and Actuators B. - 2004. - Vol. 100. - P. 320-324.

171. Karuppasamy K.M., Subrahmanyam A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. - V. 42. - P. 095301 (6 pages).

172. Комлев, A. E. Комплекс требований к оборудованию для осаждения плёнок оксидов методом реактивного магнетронного распыления/ А. Е. Комлев, А. А. Ухов, А.А Комлев // Вакуумная техника и технология. - 2012. -Т. 22, № 4. -С. 245-248.

173. URL: http://www.nist.gov/pml/data/handbook/index.cfm

174. URL: http://physics.nist.gov/PhysReroata/Handbook/Tables/argontabIe2.htm (дата обращения: 15.10.2014).

175. URL:http://physics.nist.gov/PhysRciData/Handbook/Tables/oxygentable2.htm (дата обращения: 15.10.2014).

176. URL: http://physics.nist.gov/PhysRefData/Handbook/Tables/tungstentable2.htm (дата обращения: 15.10.2014).

177. Hopwood, J. Mechanisms for highly ionized magnetron sputtering / J. Hopwood, F. Qian // J. Appl. Phys. - 1995. - Vol. 78. - P. 758-765.

178. Герцберг, Г. Спектры и строение двухатомных молекул / Г. Герцберг. - М.: Изд-во иностр. лит. - 1949. - 403 с.

179. Ельяшевич, М. А. Атомная и молекулярная спектроскопия / М. А. Ельяшевич. -М.: Изд-во физ.-мат. лит. - 1962. - 892 с.

180. Time-resolved optical emission spectroscopy of pulsed DC magnetron sputtering plasmas / J. Lopez, W. Zhu, A. Freilich [et al.] // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2005. - V. 38. -P. 1769-1780.

181. Optical emission spectroscopy, thermodynamical and thermal disequilibrium aspects in an inductively coupled plasma torch. Experimental applications to N2-O2 mixtures / P. Andre,

J. Ondet, G. Bouchard [et al.] //J. Phys. D: Appl. Phys. -1999. -V. 32. -P. 920-929

182. Observation of the transition of operating regions in a low-pressure inductively coupled oxygen plasma by Langmuir probe measurement and optical emission spectroscopy. / D. Seo, T. Chung // J. Phys. D: Appl. Phys.— 2001.— Vol. 34 — P. 2854-2861.

183. Characterization of argon plasma by use of optical emission spectroscopy and Langmuir probe measurements / A. Qayyum, M. Ikram, M. Zakaullah et al. // International Journal of Modern Physics В.— 2003,— Vol. 17, № 1p. 2749-2759.

184. ElectrosWtic probe diagnostics of a planar-type radio-frequency inductively coupled oxygen plasma / D. Seo, T. Chung, H. Yoon et al. // J. Appl. Phys.— 2001,— Vol. 89.— P. 4218-4223.

185. Determination of temperature in an arc discharge plasma by using a double probe. / A. Pulzara, L. Garcia, A. Devia // PLASMA PHYSICS: IX Latin American Workshop. AIP Conference Proceedings.—2001,—Vol. 563.—P. 17-22.

186. Mechanism of rf reactive sputtering. / F. Shinoki, A. Itoh // J. Appl. Phys.— 1975.— Vol. 46, № 8.—P. 3381-3384/

187. Oxygen active species in an Ar-02 magnetron discharge for tiWnium oxide deposition / V. Vancoppenolle, P.-Y. Jouan, A. Ricard [et al] // Appl. Sur. Sci.— 2002,— Vol. 205,— P.249-255.

188. OES monitoring of sequential deposition of C/W layers by PECVD/magnetron sputtering techniques / T. Acsente, E. IoniW, C. SWncu [et al] // Sur. Coat. Technol. — 2011.— Vol.205.—P. S402-S406.

189. Glow discharge optical emission spectroscopy for accurate and well resolved analysis of coatings and thin films / M. Wilke, G. Teichert, R. Gemma [et al] // Thin Solid Films. -2011. -V. 520.№5.-P. 1660-1667.

190. Surface density of growth defects in different PVD hard coatings prepared by sputtering / P. Panjan, M. Cekada, M. Panjan et al. // Vacuum.— 2012. -V.86. №6. - P. 794-798.

191. Lounsbury, J.B. Effects of Added 02 upon Argon Emission from an rf Discharge / J.B. Lounsbury // J. Vac. Sci. Technol. - 1969. - V. 6. - P. 836-842.

191a. Лазерная и электронно-лучевая обработка материалов: Справочник /Рыкалин Н. И., Углов А. А., Зуев И. В., Кокора А. И. М.: Машиностроение. - 1985. - 496 с.

1916. Кофстад П. Высокотемпературное окисление металлов. М.: Мир. - 1969. - 392

с.

192. Giacomo, A.D. Optical emission spectroscopy and modeling of plasma produced by laser ablation of titanium oxides / A.D. Giacomo, V.A. Shakhatov, O.D. Pascale // Spectroch. Acta Part B: Atomic Spectrosc. - 2001. - V. 56. - P. 753-776.

193. Шаповалов В.И. Пленки оксида вольфрама: технология, свойства, применение. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - 2014. - 134 с.

194. Логачева В.А., Лукин А.Н., Ховив A.M. Синтез и свойства пленок W03 , полученных термооксидированием вольфрама, осажденного магнетронным способом // ЖПХ. -2007. -Т. 52. № 8. -С. 1284—1288.

195. Santos Е.В., Silva J. M.S., Sigoli F.A., Mazali I.O. Size-controllable synthesis of functional heterostructured Ti02-W03 core-shell nanoparticles // J Nanopart Res. -2011. - V. 13.-P.5909-5917.

196. Ramana C.V., Utsunomiya S., Ewing R.C., Julien C.M., Becker U. Structural Stability and Phase Transitions in W03 Thin Films // J. Phys. Chem. B. -2006. -V.l 10. - P. 1043010435.

197. Oxide Materials for Development of Integrated Gas Sensors—A Comprehensive Review / G. Eranna, В. C. Joshi, D. P. Runthala [et al.] // Critical Rev. Solid State Mater. Sci. -2004.-V. 29.-P. 111-188.

198. Трошин, С.В. Проблемы и состояние промышленной и экологической безопасности в высокотехнологичном производстве электроники в России/ С.В.Трошин// Технологии в электронной промышленности. -2013. -Вып.2. -С. 88-95.

199. ГОСТ Р 51109-97. Промышленная чистота. Термины и определения. М.: ИПК Издательство стандартов. 1998.

200. Реконструкция и техническое перевооружение производственной базы предприятия для обеспечения серийного выпуска микроэлектромеханических преобразователей (МЭМП) Открытого акционерного общества «Азовский оптико-механический завод»: Проектная документация ЗАО «ЭлТех СПб». - 2013. — С. 81.

201. Разработка проекта научно-технологического центра коллективного пользования «Микроэлектроника»: Предпроектная документация ЗАО «ЭлТех СПб». - 2014 - С. 45.

202. Предпроектные решения и технологические планировки для создания комплекса производственных мощностей с чистыми помещениями и оборудованием для производства перспективной продукции в корпусе «А» ОАО «ЦНИИ Электрон»: Предпроектная документация ЗАО «ЭлТех СПб». — 2011. - С. 69.

203. Борн, М. Основы оптики: Пер. с англ. / М. Борн, Э. Вольф // М.: Наука. - 1973. -719 с. (М. Born and Е. Wolf, Principles of Optics, Pergamon, Oxford, UK, 4th edition, 1968.).

204. Метфессель С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение: Пер. с нем. / С. Метфессель // М,- JL: Госэнергоиздат. - 1963. - 272 с.

205. Heavens О. S. Optical properties of thin solid films / O. S. Heavens// London: Butterworths.- 1955.- 320 p.

206. Tan, Т. T. Y. The formation of nano-sized selenium-titanium dioxide composite semiconductors by photocatalysis/ Т. T. Y. Tan, M. Zaw, D. Beydoun [et al.] // J. Nanoparticle Research. - 2002. - V. 4. -P. 541-552.

207. Swanepoel, R. Determining refractive index and thickness of thin films from wavelength measurements only / R. Swanepoel //J. Opt. Soc. Am. A. -1985. -V. 2. -P. 1339-1343.

208. Ayadi, K.A new approach to the determination of optical constants and thickness of thin dielectric transparent films/ K. Ayadi, N. Haddaoui // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. — 2000.-V. 11.-P. 163-167.

209. Influence of annealing tempera-ture on the properties of titanium oxide thin film/ Y.-Q. Hou, D.-M. Zhuang, G. Zhang [et al.]//Appl. Sur. Sci. - 2003. - V. 218.-P. 98-106.

210. Laurikaitis, M. Deposition of zirconium oxynitride films by reactive cathodic arc evaporation and investigation of physical properties/ M. Laurikaitis, J. Dudonis, D. Milcius // Thin Solid Films.-2008.-V. 516.-P. 1549-1552.

211. Barybin, A. A.Substrate effect on the optical reflectance and transmittance of thin-film structures/ A. A. Barybin, V. I. Shapovalov // Inter. J. Opt. - 2010. - V. 2010. Article ID 137572, 18 pages, doi: 10.1155/2010/137572.

СПИСОК РАБОТ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

А1. Лапшин, А.Е. Фазовый состав пленок гетероструктур Ti02/W03/Si02 и W03/Ti02/Si02 / А.Е. Лапшин, В.И. Шаповалов, А.Е. Комлев, М.Ю. Арсентьев. А. А. Комлев, А.А. Морозова // Физика и химия стекла-2012. - Т. 38, № 6. - С. 869-871.

А2. Шаповалов, В.И. Метод определения ширины энергетической щели пленок оксидов/ В. И. Шаповалов, А.Е. Комлев, А.А. Комлев, А.А. Морозова, А. Е. Лапшин // Физика и химия стекла - 2013 - Т. 39, № 5 - С. 77-81 (Shapovalov, V. I. Method of Détermination of the Energy Band Gap of Oxide Films/ V. I. Shapovalov, A. E. Komlev, A. A. Komlev, A. A. Morozova, A. E. Lapshin // Glass Phys. Chem. - 2013. - V. 39. No. 6. - P. 664-666. DOI 10.1134/S1087659613060096).

A3. Шаповалов, В.И. Определение оптических констант тонких диэлектрических пленок по спектральному коэффициенту пропускания / В.И. Шаповалов, А.А. Морозова, А.Е. Лапшин// Физика и химия стекла. - 2014. - Т. 40, № 3.- С. 447-453. (Shapovalov, V.I. Détermination of Optical Constants of Thin Dielectric Films Using the Spectral Transmission Coefficient / V.l. Shapovalov, A.A. Morozova, A.E. Lapshin // Glass Phys. Chem. - 2014. - V. 40, N. 3.-P. 341-345.)

A4. Шаповалов, В.И. Аппроксимация показателя поглощения пленки при хромоген-ном эффекте/ В.И. Шаповалов, А. Е. Комлев, А. А. Комлев, А. А. Морозова // ПЖТФ,-2014. - Т. 40, Вып. 11. - С. 23-29.(Shapovalov, V.l. Approximation of the absorption coefficient of a film under chromogenic effect / Shapovalov V.I., Komlev A.E., Komlev A.A., Morozova A.A.// Techn. Phys. Lett. - 2014. - V. 40, No. 6- P. 482-484 (DOI) 10.1134/S106378501406012Ï ).

A5. Комлев, А.Е. Кристаллические фазы в пленках оксида вольфрама при последовательном отжиге в воздухе и вакууме / А.Е. Комлев, М.Ю. Арсентьев, А.А. Морозова, А.Е. Лапшин, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. - 2014. - Т. 23, № 1 .-С.154-155.

А6. Комлев, А.Е. Изменение оптических констант пленки оксида при электрохром-ном эффекте/ А.Е. Комлев, А.А. Морозова, В.И. Шаповалов // Материалы XIX Международной научно-технической конференции "Высокие технологии в промышленности России (Материалы и устройства функциональной электроники и микроэлектроники)" и XXVI Международного симпозиума "Тонкие пленки в электронике", г. Москва, 11-13 сентября 2014 г. -М.: Изд-во ЦНИИ "Техномаш". - 2014,- С. 281-284.

А7. Пугачев, К.Э. Влияние термообработки на морфологию поверхности пленок оксида вольфрама, осажденных на кремний/ К.Э. Пугачев, Л.П. Ефименко, А.А. Морозова, А.Е. Комлев, В.И. Шаповалов // Тезисы докладов XXII Всероссийского совещания по неорганическим и органосиликатным покрытиям. 17-19 ноября 2014 года Санкт-Петербург. - СПб., Изд. «ЛЕМА». - С. 148-149.

А8. Морозова, А.А. Влияние термообработки в вакууме на химический состав пленок оксида вольфрама/ А.А. Морозова, С.А. Мошкалев, А.Е. Лапшин, В.А. Ермаков, А.Е. Комлев, В.И. Шаповалов // Тезисы докладов XXII Всероссийского совещания по неорганическим и органосиликатным покрытиям. 17-19 ноября 2014 года Санкт-Петербург. -СПб., Изд. «ЛЕМА». - С. 34-35.

А9. Арсентьев, М.Ю. Формирование нанокристаллических фаз в гетероструктурах пленок оксидов при последовательном отжиге в воздухе и вакууме/ М.Ю. Арсентьев, А.Е. Лапшин, А.Е. Комлев, А.А. Морозова, В.И. Шаповалов // Тезисы докладов XXII Всероссийского совещания по неорганическим и органосиликатным покрытиям. 17-19 ноября 2014 года Санкт-Петербург. - СПб., Изд. «ЛЕМА». - С. 28-29.

А10. Банков, П.Б. Изменение спектрального коэффициента пропускания пленки оксида вольфрама при инжекции заряда/ П.Б. Байков, В.В. Карзин, А.А. Комлев. А.Е. Комлев, А.А. Морозова, В.И. Шаповалов // Вакуумная техника и технология. - 2014. - Т. 24, № 1.-С. 15-19.

All. Морозова, A.A. Оптимальная технологическая среда в научно-технологическом комплексе оксидной электроники / A.A. Морозова // Вакуумная техника и технология. 2014.-Т. 23, № 1.-е. 156-157.

А12. Морозова, A.A. Исследование изменений в пленке оксида вольфрама, инициированных отжигом в вакууме / A.A. Морозова //Тезисы докладов 17-ой научной молодежной школы с международным участием «Материалы и технологии гибкой электроники. 13-14 ноября 2014 года Санкт-Петербург. - СПб, Изд. СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - С.81.