Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Овчаров, Владимир Викторович

• Овчаров, Владимир Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Овчаров, Владимир Викторович

ВВЕДЕНИЕ.

1. МЕТОДЫ РЕШЕНИЯ УРАВНЕНИЯТЕРМОДИФФУЗИИ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОТЫ ПЕРЕНОСА (обзор).

1.1. Определение теплоты переноса по скорости движения атомов в области пика концентрации.

1.2. Решение уравнения термодиффузии в приближении поля внешних сил и определение теплоты переноса по скорости движения пика концентрации.

1.3. Скорости движения пика и центра масс профиля и определение теплоты переноса.

1.4. Решение уравнения термодиффузии с учетом температурной зависимости коэффициента диффузии.

Выводы.

2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ТЕРМОДИФФУЗИИ ДЛЯ ДВУХКОМПОНЕНТНОЙ СИСТЕМЫ ПРИ ПОСТОЯННОМ ГРАДИЕНТЕ ТЕМПЕРАТУРЫ.

2.1. Решение уравнения термодиффузии для постоянного источника и бесконечно тонкого слоя.

2.1.1. Диффузия из постоянного источника.

2.1.2. Диффузия из бесконечно тонкого слоя.

2.1.3. Переход к безразмерным переменным и приведение решений к виду, удобному для анализа.

2.1.4. Точные решения уравнения термодиффузии.

2.2. Эволюция гауссового концентрационного профиля в температурном поле.

2.2.1. Решение уравнения термодиффузии для гауссова источника в случае E = Q*.

2.2.2. Решение уравнения термодиффузии для гауссова источника в случае Е = 2Q*.

2.3. Особенности поведения концентрационных профилей в 56 температурном поле с постоянным градиентом температуры.

Выводы.

3. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕШЕНИЙ УРАВНЕНИЯ

ТЕРМОДИФФУЗИИ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕПЛОТЫ 74 ПЕРЕНОСА.

3.1. Решения, учитывающие в нулевом приближении температурную зависимость термодиффузионных 76 коэффициентов.

3.1.1. Учет температурной зависимости коэффициента диффузии.

3.1.2. Учет температурной зависимости термодиффузионного фактора.

3.1.3. Совместный учет температурной зависимости коэффициента диффузии и термодиффузионного 80 фактора.

3.2. Влияние замены переменных х на вид решения, полученного в нулевом приближении.

3.3. Влияние подстановки U = C(x,t)exp[- и замены переменных £ -» х на вид концентрационного профиля в переменных £ -» х на вид концентрационного профиля в линейном приближении.

3.4. Анализ решения, полученного в линейном приближении, и его аппроксимация для малых значений параметра Д.

3.5. Способы определения теплоты переноса, учитывающие температурную зависимость коэффициента диффузии и термодиффузионного фактора.

3.5.1. Способы определения Q* в нулевом приближении разложения функции 1/Т(х) в ряд Маклорена.

3.5.2. Способы определения Q* в линейном приближении разложения функции 1/Т(х) в ряд Маклорена.

3.6. Теплота переноса как величина, влияющая на координатную зависимость энергетических характеристик процесса 94 термодиффузии.

Выводы.

4. ДИФФУЗИЯ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ ПРИ

БЫСТРОМ НЕИЗОТЕРМИЧЕСКОМ ОТЖИГЕ.

4.1. Установка термоградиентной обработки пластин.

4.2. Баланс тепла в облучаемой пластине.

4.3. Диффузия бора, фосфора и мышьяка в кремнии при

4.3.1. Методика проведения эксперимента.

4.3.2. Диффузия бора при БТО в секундном диапазоне.

4.3.3. Диффузия фосфора при отжиге в секундном диапазоне.

4.3.4. Диффузия фосфора и мышьяка при неизотермическом 117 отжиге в минутном диапазоне.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках»

Актуальность темы. Характерным примером процесса переноса, в котором учитывается взаимное влияние двух потоков, диффундирующего вещества и тепла, служит неизотермическая диффузия (или термодиффузия). Движущими силами термодиффузии являются градиенты химического потенциала (концентрации) и температуры. Наличие градиента температуры позволяет получить новую, по сравнению с обычной изотермической диффузией, информацию об особенностях диффузионного процесса и его параметрах. Одним из таких параметров является теплота переноса, которая характеризует способность атома переносить тепло в процессе диффузии. При неизотермических условиях теплота переноса оказывает существенное влияние на вид концентрационных профилей, характеризующих пространственное распределение диффундирующих атомов. Это влияние зависит как от свойств самих диффундирующих атомов, так и от свойств среды, в которой происходит диффузия. Исследование связей теплоты переноса с характеристиками термодиффузионного процесса позволяет объяснить особенности неизотермических концентрационных профилей и предложить новые методы управления распределением примеси с помощью градиента температуры.

Влияние градиента температуры необходимо учитывать и в диффузионных процессах полупроводниковой технологии. В последнее время, в связи с тенденцией уменьшения глубины залегания р-п перехода, широкое распространение получили технологии с применением «ударных» температурных методов воздействия на кристалл с использованием лазеров и мощных источников некогерентного излучения. При этом в приповерхностной области облучаемого образца в течение сравнительно небольшого промежутка времени поглощается значительное количество энергии. Подобные воздействия могут приводить как к появлению очень высоких значений градиента температуры, достигающих значений 106 - 108 К/м, так и аномально высоких эффективных коэффициентов диффузии, связанных с высокой концентрацией неравновесных дефектов. При таких условиях уже нельзя пренебрегать температурной составляющей диффузионного потока вещества. Кроме того, при решении диффузионных задач в этом случае необходимо учитывать сильную температурную зависимость коэффициента диффузии.

Таким образом, исследование особенностей концентрационных профилей в неоднородных температурных полях актуально в научном и практическом плане в связи с тем, что:

- не разработана математическая модель диффузии в сильных температурных полях, которая могла бы служить основой для описания распределения легирующей примеси при лазерной диффузии и лазерном отжиге; не исследовано влияние градиента температуры на расплывание концентрационного профиля ионноимплантированных примесей в неравновесных условиях, характеризующихся высокой концентрацией точечных дефектов при быстрых термических процессах;

- существует необходимость создания новых методов управления распределением примеси, в качестве которого может выступать метод управления формой концентрационного профиля диффундирующих атомов с помощью градиента температуры.

Целью настоящей работы является теоретическое и экспериментальное исследование влияния градиента температуры на эволюцию концентрационных профилей при диффузии легирующих примесей в полупроводниках.

Для достижения этих целей были поставлены следующие задачи: 1. Решить уравнение термодиффузии для бесконечно тонкого слоя, постоянного и гауссова источников с учетом температурной зависимости коэффициента диффузии.

2. Выявить основные факторы, влияющие на вид центрального и хвостового участков концентрационных профилей при диффузии в температурном поле.

3. Установить связь теплоты переноса с параметрами процесса термодиффузии и предложить методы ее определения.

4. Исследовать влияние градиента температуры на концентрационные профили бора, фосфора и мышьяка при быстром постимплантационном отжиге кремниевых пластин.

Научная новизна. Впервые получены аналитические решения уравнения термодиффузии для диффузии из бесконечно тонкого слоя, постоянного и гауссова источника с учетом температурной зависимости коэффициента диффузии.

Впервые показано, что при больших градиентах температуры вид центральной части концентрационного профиля определяется величиной и знаком произведений градиента температуры, соответственно на теплоту переноса и на приведенную энергию активации, а хвостовой части -градиентом температуры.

Получены экспериментальные профили распределения бора, фосфора и мышьяка в кремнии при быстром неизотермическом отжиге и впервые дана теоретическая интерпретация их особенностей.

Практическая значимость. Полученные результаты могут быть использованы как для корректировки традиционных изотермических технологий, так и для создания новых методов управления распределением примеси с помощью градиента температуры.

Найденные в работе зависимости между характеристиками неизотермических концентрационных профилей и теплотой переноса позволили предложить новые экспериментальные методики определения теплоты переноса.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 141 страницу машинописного текста, включая 22 рисунка и списка литературы из 73 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Овчаров, Владимир Викторович

Выводы

Обобщая экспериментальные данные и результаты феноменологического описания процесса быстрого неизотермического отжига можно сделать следующие выводы.

Наблюдаемая в эксперименте стимулированная диффузия бора, фосфора и мышьяка при быстром неизотермическом отжиге по сравнению с традиционным БТО характеризуется как увеличением коэффициента диффузии, так и времени, в течение которого она наблюдается. Поскольку механизм стимулированной диффузии при БТО связывается с повышенной концентрацией собственных неравновесных дефектов в области диффузии, то можно предположить, что наличие градиента температуры создает условия, при которых скорость рекомбинации вакансий и собственных междоузельных атомов кремния уменьшается. Косвенным подтверждением этого положения является аномально большая скорость распыления ионами кислорода поверхности отожженных в неизотермических условиях образцов при снятии концентрационных профилей методом ВИМС по сравнению с аналогичными образцами, отожженными в «изотермических» условиях. Объяснить это явление можно разными знаками теплот переноса вакансий и собственных междоузельных атомов, что в температурном поле приводит к появлению сил, препятствующих их рекомбинации.

Быстрый неизотермический отжиг происходит в условиях совместного влияния на процесс диффузии примеси как градиента температуры, так и фотонного эффекта [45, 45, 58, 59]. Некоторые результаты отжига можно объяснить с помощью фотонного эффекта. Однако объяснение всей совокупности экспериментальных данных с этих позиций наталкивается на серьезные трудности. Так, например, невозможно с помощью фотонного эффекта, который может оказывать влияние только на величину коэффициента диффузии примеси, объяснить отрицательное значение ухода хвоста неизотермического десятисекундного профиля для VT > 0 при быстром неизотермическом отжиге бора (см. рис. 4.4). Не объясняется с этих позиций сохранение расстояния между хвостами неизотермических профилей, соответствующих разным знакам градиента температуры при 10 и 60 секундном отжиге бора (см. рис.4.4 - 4.5). Также не объясняется и сильный уход хвостов, соответствующих неизотермическим условиям отжига на необлучаемой стороне пластины по сравнению с «изотермическими» для фосфора (рис. 4.6) и мышьяка (рис. 4.8). С другой стороны, при феноменологическом описании процесса стимулированной диффузии с помощью введения коэффициента массопереноса собственных неравновесных дефектов (вакансий или междоузельных атомов) K(t) различие между этими эффектами не имеет принципиального значения. И тот и другой, в конечном итоге, влияют на концентрацию собственных неравновесных дефектов и учитываются коэффициентом K(t). Один влияет на скорости образования и распада комплексов примесных атомов с неравновесными дефектами, второй -на скорость их рекомбинации. Тогда линейная связь между потоками примеси

Jk и собственных неравновесных дефектов Jd принимает вид K(t)Jk + Jd = 0, а измеряемая теплота переноса и эффективный коэффициент диффузии mhd-hk+Q*k определяются

Deff(x,t) = D выражениями Л

QmM = + {Ck/Cd)K(t) и

1 + т-1

1 + Q/Q

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Получены точные аналитические решения уравнения термодиффузии в температурном поле с постоянным градиентом температуры для диффузии из бесконечно тонкого слоя и постоянного источника в случае, когда энергия активации равна удвоенной теплоте переноса. На их основе для этих же источников диффузии примеси в первом порядке теории возмущений построены приближенные решения для произвольного соотношения между величиной энергии активации и теплоты переноса.

2. Получены аналитические решения уравнения термодиффузии для диффузии из гауссова источника в двух важных частных случаях. Первый случай, когда энергия активации равна теплоте переноса, - соответствует диффузии примеси в слабых температурных полях, для которых температурная зависимость коэффициента диффузии несущественна. Второй случай, когда энергия активации равна удвоенной теплоте переноса, - моделирует диффузию примеси в сильных температурных полях, в которых температурная зависимость коэффициента диффузии оказывает существенное влияние на вид концентрационного профиля.

3. Показано, что особенности неизотермических концентрационных профилей связаны с величиной и знаком градиента концентрации примеси в приповерхностной области, а также с взаимным расположением неизотермических кривых, соответствующих разным знакам градиента температуры, в приповерхностной области и на хвостах концентрационных профилей.

4. В приповерхностной области градиент концентрации примеси для диффузии из бесконечно тонкого слоя и гауссова источника определяется знаком произведения теплоты переноса на градиент температуры. Для постоянного источника это произведение оказывает влияние на градиент концентрации примеси в приповерхностной области, но не является определяющим вследствие бесконечно большого начального градиента концентрации.

5. Установлено, что температурная зависимость коэффициента диффузии оказывает влияние на вид неизотермических профилей при значениях безразмерного градиента температуры G > 0,005. Взаимное расположение неизотермических концентрационных кривых определяется значениями произведений градиента температуры, соответственно на теплоту переноса и на приведенную энергию активации на всех участках концентрационных профилей в слабых температурных полях (G < 0,005), и в приповерхностной области - в сильных температурных полях (G > 0,005). При больших градиентах температуры (G > 0,005) его влияние становится подавляющим на хвостах неизотермических концентрационных профилей и определяет их взаимное расположение для всех рассмотренных в работе источников диффузии примеси.

6. Исследован процесс построения решения уравнения термодиффузии для случая диффузии из бесконечно тонкого слоя. Отмечено, что он может быть разбит на три независимых этапа, по мере прохождения которых, точность решения повышается. На первом этапе осуществляется переход от обычной концентрации С к приведенной U, который позволяет учесть сдвиг концентрационного профиля в неоднородном температурном поле. На втором этапе происходит переход от обычной координаты л: к приведенной £ который позволяет учесть асимметрию концентрационного профиля, вызванную температурной зависимостью коэффициента диффузии. Третий этап связан с используемым для решении уравнения термодиффузии приближением при разложении функции обратной температуры в ряд Маклорена и определяет структуру конечного решения.

7. Получены выражения для определения теплоты переноса в сильных и слабых температурных полях. В сильных полях - по разности поверхностных концентраций; в слабых - по градиенту поверхностной концентрации и расстоянию между хвостами неизотермических профилей. Также получено выражение для потока диффундирующего вещества, позволяющего трактовать теплоту переноса как величину, уменьшающую основные энергетические параметры процесса диффузии: химический потенциал и энергию активации.

8. Экспериментально исследовано влияние градиента температуры на концентрационные профили при быстром неизотермическом отжиге кремниевых пластин, имплантированных ионами бора, фосфора и мышьяка.

Установлено что наличие градиента температуры приводит к относительному сдвигу неизотермических концентрационных профилей, соответствующих разным знакам градиента температуры. Величина этого сдвига увеличивается с увеличением градиента температуры и проявляет нелинейную зависимость от времени: при отжиге в секундном диапазоне она практически неизменна и начинает возрастать при отжиге в минутном диапазоне. Установлено также, что коэффициент диффузии примеси возрастает с увеличением градиента температуры независимо от его направления в пластине.

9. Сделана оценка параметров термодиффузионного процесса. Для объяснения аномально высоких значений теплоты переноса в феноменологические уравнения неравновесной термодинамики, описывающие отжиг ионнолегированных пластин кремния, введен коэффициента массопереноса собственных неравновесных дефектов. Этот коэффициент позволяет учесть влияние процессов генерации-рекомбинации собственных неравновесных дефектов на диффузию легирующих примесей. Полученные с его помощью выражения для эффективного коэффициента диффузии и измеряемой теплоты переноса позволяют объяснить наблюдаемые в эксперименте высокие значения этих величин.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Овчаров, Владимир Викторович, 2006 год

1. 1.A.Rauf, R.F.Egerton, and M.Sayer. Texture generation by postdeposition annealing in a temperature gradient// J. Appl. Phys., 1998, 84(4), pp. 2272 -2277.

2. G.K.Celler. Silicon-on-isolator films by oxygen implantation and lamp annealing// Solid State TechnoL, 1987, 30(3), pp.93-98.

3. R.A.Oriani. Thermomigration in solid metals// J. Phys. Chem. Solids, 1969, 30, p. 339-351.

4. R.E.Fryxel and E.A.Aitken, J. Nucl. High temperature studies of urania in a thermal gradientII J. Nucl. Mater., 1969, 30, p. 50-56.

5. В.И.Фистуль, А.М.Павлов. Лазерная имплантация примесей в кремний// ФТП, 1983, т. 17(5), с. 854-858.

6. Ф.Ф.Комаров, А.П.Новиков, В.С.Соловьев, С.Ю.Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии/ Минск, «Университетское», 1990, 320 с.

7. J.M.Hode and J.P.Joly. Thermal modeling of CW laser-crystallization of SOI// Journal de Physique, 1983,44(10), p. C5-343 C5-350.

8. P.Baeri, S.U.Campisano, G.Foti, and E.Rimini// Appl. Phys. Lett., 1978, 32, p. 137.

9. Я.Таруи. Основы технологии сверхбольших интегральных схем/ Москва, «Радио и связь», 1985,480 с.

10. В.И.Рудаков, Ю.И.Денисенко, Б.В.Мочалов. Экспериментальное исследование термодиффузии фосфора и мышьяка в кремнии //Материалы X Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике» ИМ РАН 99, ч.2, с. 417 421.

11. J.L.Hoit and J.F.Gibbons, Rapid thermal processing// Materials Research Society Symposia Proceedings, edited by T.O.Sedgwick, T.E.Seidel, and

12. B.Y.Tsaur (Material Research Society, Pittsburg, PA), 1986, 52, p. 15.

13. А.Р.Челядинский, Ф.Ф.Комаров. Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии. УФН, 2003,173(8), с.813-846.

14. И.Дьярматти. Неравновесия термодинамика/ Москва, Мир, 1974, 304 с.

15. M.Gerl. Contribution a l'etude theorique et experimentale de la termodiffusion de defauts ponctuels dans les metaux/ Premiere Thesis, Orsay, France, 1968.

16. W.Mock.Thermomigration of Au195 and Sb195 in gold//Phys. Rev.,1969, 179, p.663-676.

17. J.L. Crolet and D.Lasarus. A critical study of the thin layer method in thermomigration: application to gold// Solid State Comm., 1971, 9, p.347-351.

18. M.J.Buda. Okreslanie parametrow dla poszczegolnych jednoczesnie dzialajacych mechanizmow dyfuzji w cialach stalych// Biul. WAT J.Dabrowskiego, 1974,23(6), s. 57 65.

19. M.J.Buda. Zagadnienie termodyfuzji w cialach stalych// Biul. WAT J.Dabrowskiego, 1977, 26(6), s. 49 59.

20. M.J.Buda. Okreslanie masy zrodla stalego oraz parametrow termodyfuzji// Biul. WAT J.Dabrowskiego, 1977, 26(7), s. 95 104.

21. M.J.Buda. О zastosowanie termodyfuzji do oczyszczania cial w stanie stalym//Biul. WAT J.Dabrowskiego, 1978, 27(5), s. 101 110.

22. M.J.Buda. Termodyfuzja ze zrodla zmiennego// Biul. WAT J.Dabrowskiego, 1978, 27(5), s. 111-124.

23. M.J.Buda. Badania porownawcze efektow dyfuzji i termodyfuzji// Biul. WAT J.Dabrowskiego, 1979, 28(1), s. 33 45.

24. В.С.Аракелян. Термодиффузия при стационарном градиенте температуры//ФММ, 1981, 52(1), с. 154- 163.

25. Г.В.Майрановский, В.И.Фистуль, М.В.Фистуль. Концентрационныепрофили при неизотермической диффузии в твердых телах.// ФТП, 1985, т. 19, в.11, с.2082-2085.

26. Г.Карслоу, Д.Егер. Теплопроводность твердых тел/ Москва, «Наука», 1964,488 с.

27. Д.А.Франк-Каменецкий. Диффузия и теплопередача в химической кинетике/Москва, «Наука», 1987,491 с.

28. Камке Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям/Москва, «Наука», 1976, 576 с.

29. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1 / Под ред. С. Зи, Москва, «Мир», 1986,404 с.

30. Н.Г.Бэйтмен, А.Эрдейи. Таблицы интегральных преобразований. Т.1/ Москва, «Наука», 1969, 344 с.

31. V.I.Rudakov, V.V.Ovcharov. Analitical solution of the diffusion equation for an extended source of infinite extent at constant temperature gradient// Int. Comm. Heat and Mass Transfer, 1997, 24(3), p.391-399.

32. V.I.Rudakov, V.V.Ovcharov. Analitical solution of the diffusion equation for an extended source of infinite extent at constant temperature gradient// Int. Journal Heat and Mass Transfer, 1997, 40(9), p.2231-2234.

33. V.I.Rudakov, V.V.Ovcharov. Analitical solution of the diffusion equation for an instantaneous plane source at constant temperature gradient// Int. Comm. Heat and Mass Transfer, 1997, 24(4), p.579-585.

34. V.I.Rudakov, V.V.Ovcharov, A.V.Bashmakov, Modeling diffusion of ion implanted impurity in silicon under a temperature gradient, Proceedings of SPIE (Micro- and Nanoelectronics 2003), v.5401, p.662-668.

35. V.I.Rudakov and V.V.Ovcharov. Mathematical description of the diffusionin a temperature field and measuring the heat of transport// Int. J. Heat Mass Transfer, 2002, 45, p.743-753.

36. Б.И.Болтакс. Диффузия в полупроводниках/ Москва, ГИФМЛ, 1961, 464 с.

37. В.И.Рудаков. Теплота переноса в чистых кристаллах// ФТТ, 1992, т.34, №12, с. 3671-3676.

38. В.И.Рудаков, В.В.Овчаров. Эволюция гауссова концентрационного профиля в температурном поле// Микроэлектроника, 2002,Т.31, № 2, с. 115-120.

39. В.И.Рудаков, А.В.Башмаков, В.В.Овчаров. Моделирование процесса удаления примесей из полупроводниковых пластин в неоднородном температурном поле// Письма в ЖТФ, 2004, Т.ЗО, в.5, с.54-59.

40. Ф. Олвер. Асимптотика и специальные функции/ Под ред. А.П.Прудникова, Москва, «Наука», 1980, 528 с.

41. Дж. П. Старк. Диффузия в твердых телах/ Москва, «Энергия», 1980, 240 с.

42. A. Cerero. Lecture Notes: Diffusion.http://www.materials.ox.ac.uk/teaching /diffusion/.

43. R.Singh. Rapid isothermal processing// J. Appl. Phys., 1988, 63(8), p.R(59-110).

44. В.Ю.Киреев, А.С.Цимбалов. Быстрые термические процессы новый этап в развитии микроэлектронной технологии// Микроэлектроника, 2001,30(4), с.266-278.

45. R.B.Fair, J.J.Wortman and J.Liu. Modeling rapid thermal diffusion of arsenic and boron in silicon//! Electrochem. Soc., 1984, 131(10),p. 2387-2394.

46. R.B.Fair, S.Li. Photonic effects in the deactivation of ion implanted arsenic //J. Appl. Phys.,1998,83(8), p. 4081-4090.

47. С.Т.Шишияну, Т.С.Шишияну, С.К.Райлян. Мелкие р-п переходы в Si, изготовленные методом импульсного фотонного отжига//ФТП, 2002, 36(5), с. 611-617.

48. H.U.Jager, T.Feudel, and S.Ulbricht. Modeling of defect-phosphorus pairdiffusion in phosphorus-implanted silicon//Phys. Stat. Sol., 1989,116, p. 571- 581.

49. H.U.Jager. Point defect-based modeling of diffusion and electrical activation of ion implanted boron in crystalline silicon//.!. Appl. Phys., 1995, 78(1), p. 176- 186.

50. Ad.Agarwal, D.H.Eagleasham, H.J.Gassmann, L.Pelaz, S.B.Herner, D.C.Jacobson, T.E.Haynes. Lecture Tu-1430, Modeling enhanced diffusion of implanted dopants, http://www.ihp-microelectronics.com/ chipps/Djpg/ Agarwal.html.

51. O.W.Holland. New mechanism for diffusion of ion-implanted boron in Si at high concentration//Appl. Phys. Lett., 1989, 54(9), p.798-800.

52. L.Manu, A.G.R.Evans. Phosphorus diffusion in silicon during rapid thermal annealing// Semicond. Sci. Technol., 1989, 4, p.711-714.

53. V.I. Rudakov, V.V. Ovcharov. Influence of thermodiffiision parameters onthe concentration profiles// Proceedings of SPIE Micro- and Nanoelectronics 2005, v.6260, p.217-226.

54. В.И.Рудаков. Неизотермические процессы в системах на основекремния/ Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, Ярославль, 1998, 308 с.

55. Н.И.Боргардт, Б.Пликат, М.Зайбт, В.Шретер. Влияние трансляционной симметрии кристаллического кремния на структуру аморфного германия в приграничной области// Кристаллография, 2004, 49(2),с. 277-285.

56. N.I.Borgardt, B.Plikat, W.Shroter, and M.Seibt. Atomic structure of the interface between silicon (111) and amorphous germanium// Phys. Rev. B, 2004, 70, p. 195307(12).

57. Б.В.Мочалов, В.И.Рудаков. Установка для термоградиентной обработки полупроводниковых пластин//ПТО, 1996, №2, с.155-157.

58. Y.Ishikava, K.Yamauchi, and I.Nakamichi. The enhanced of lowconcentration phosphorus, arsenic and boron in silicon during IR-heating// Japanese J. Appl. Phys., 1989, 28(8), p. Ц1319-1321).

59. В.А.Кравченко, В.в.Старков, Н.В.Абросимов, В.Н.Абросимова. Диффузионное легирование кремния бором и фосфором в условиях быстрого термического отжигаУ/ Электронная техника. Сер. Материалы, 1989,4(241), с.20-23.

60. Ю.А.Капустин, Б.М.Колокольников, А.А.Свешников. Легирование кремния золотом при импульсном фотонном отжиге// Электронная техника. Сер. Материалы, 1989, 4(241), с.24-27.

61. Y.M.Kim, G.Q.Lo, and D.L.Kwong. Anomalous transient diffusion of boron implanted into preamorphized Si during rapid thermal annealing// Appl. Phys. Lett., 1989, 55(22), pp. 2316-2318.

62. Y.M.Kim, G.Q.Lo, H.Kinoshita, D.L.Kwong, H.H.Tseng, R.Hance. Roles of extended defect evolution on the anomalous diffusion of boron in Si during rapid thermal annealing// J. Electrochem. Soc., 1991, 138(4), pp. 1122 — 1130.

63. Michel A.E. Appl. Phys. Lett. 1987, v.50, p. 416-418.

64. В.И.Кольдяев, И.Г.Неизвестный, А.Ю.Новиков. Кинетика релаксации коэффициента переходной диффузии бора при отжиге дефектов ионной имплантации//Микроэлектроника, 1995,24(2), с.95-101.

65. J.C.C.Tsai, D.G.Schimmel, R.B.Fair, W.Maszara. Point defect generation during phosphorus diffusion in silicon. I. Concentration above solid solubility// J. Electrochem. Soc., 1987,134(6), p. 1508-1518.

66. J.C.C.Tsai, D.G.Schimmel, R.E.Ahrens, R.B.Fair. Point defect generation during phosphorus diffusion in silicon. II. Concentration below solid solubility, ion-implanted phosphorus// J. Electrochem. Soc., 1987, 134(9), p.2348-2356.

67. H.E.Cline, T.R.Antony// J. Appl. Phys., 1978,49(4), p. 2412.

68. В.М.Колешко, А.А.Ковалевский. Поликристаллические пленки полупроводников в микроэлектронике/ Минск, «Наука и техника», 1978,343 с.

69. D.H. Lowndes, R.F.Wood, and J.Narayan. Pulsed-laser melting of amorphous silicon: time resolved measurements and model calculations// Phys. Rev. Lett., 1984, 52(7), p. 561 -564.

70. R.F.Wood, G.E.Gilles. Macroscopic theory of pulsed-laser annealing. I. Thermal transport and melting// Phys. Rev. B, 1981, 23(6), p. 2923 2942.

71. В.А.Шкловский. Тепловая неустойчивость фронта фазового превращения при распаде «замороженных» метастабильных состояний//ЖЭТФ, 1982, 82(2), с. 536 547.

72. С. Де Гроот. Термодинамика необратимых процессов/ Москва, ИЛ, 1956, 280 с.

73. И.Пригожин, Д.Кандепуди. Современная термодинамика/ Москва, «Мир», 2002,461 с.

74. Дж. Маннинг. Кинетика диффузии атомов в кристалле/ Москва, «Мир», 1971,277 с.