Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Мануковский, Эдуард Юрьевич

• Мануковский, Эдуард Юрьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Мануковский, Эдуард Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Состав, структура и физические свойства пористого кремния (ПК).

1.1. Основные свойства ПК.

1.2. Методы получение ПК.

1.3. Теоретические модели фотолюминесценции ПК.

1.4. Теоретические основы метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии (УРС).

1.5. Выводы.

ГЛАВА 2. Методика получения и исследования электронноэнергетических спектров и "фазового^ состава и ПК.

2.1. Некоторые вопросы технологии получения образцов ПК.

2.2. Получение спектров фотолюминесценции (ФЛ) ПК при различных способах возбуждения.

2.3. Получение рентгеновских эмиссионных спектров

РЭС) и спектров квантового выхода (КВ) ПК.

2.4. Проведение низкотемпературных и высокотемпературных отжигов ПК.

2.5. Математическое моделирование и анализ РЭС спектров.

ГЛАВА 3. Энергетические спектры валентных электронов, состав и ФЛ ПК.

3.1. Влияние ориентации подложки на электронное строение поверхностных слоев ПК.

3.2. "Фазовый" состав ПК на начальных стадиях его получения электрохимическим способом.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния»

Актуальность работы: В последние годы серьезное и пристальное внимание уделяется перспективному материалу - пористому кремнию (ПК). И это не случайно. Свойства монокристаллического кремния достаточно хорошо изучены. Благодаря удачному сочетанию свойств у него есть множество несомненных преимуществ перед другими полупроводниковыми материалами, хорошо отработана технология получения полупроводниковых приборов на его основе. Но у монокристаллического кремния есть ограничения в его применении. Как известно, монокристаллический кремний является непрямозонным полупроводником, с низкой эффективностью квантового выхода люминесценции, и поэтому не может быть использован для создания оптоэлектронных приборов. Для этих целей приходится применять прямозонные полупроводники: ОаАБ, 1пР и другие, которые плохо совместимы с кремниевой технологией.

Недавно было установлено, что пористый кремний, который получается электрохимическим травлением обычного монокристаллического кремния, при возбуждении его УФ излучением интенсивно люминесцирует в видимом диапазоне. Это, в перспективе, дает возможность создания на его основе светоизлучающих устройств, работающих в видимой области спектра, перехода на полностью кремниевую технологию при создании различных оптоэлектронных устройств и схем, а также возможность создания полностью кремниевого оптоэлектронного компьютера, который может стать новым поколением вычислительной техники. Дальнейшие исследования этого материала показали, что ПК можно использовать в качестве газового сенсора на пары воды, аммиак и, возможно, другие соединения.

Однако, этот перспективный материал является весьма сложным объектом для исследований. Его свойства и структура сильно зависят от технологии и режимов получения, поэтому представляет большой интерес определение зависимости свойств этого материала от его структуры и фазового состава. Кроме того, поскольку обнаружено, что свойства пористого кремния как нестабильной системы изменяются со временем, представляет интерес исследование электронного строения ПК, подвергнутого отжигам, поскольку известно, что отжиги ускоряют процесс стабилизации его свойств. Принимая во внимание, что состав и структура пористого слоя могут быть неоднородны по глубине, представляют интерес неразрушающие методы, позволяющее проводить послойные исследования материалов.

Цель работы: Изучение взаимосвязи состава, электорнного строения и фотолюминесценции пористого кремния.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной цели являются:

1. Разработка технологии получения ПК с высокой интенсивностью фотолюминесценции методом электрохимического травления на подложках различных кристаллографических ориентаций. (для кремния п-типа)

2. Разработка методики анализа "фазового" состава поверхностных слоев ПК по рентгеновским эмиссионным спектрам (РЭС).

3. Изучение электронного строения и "фазового" состава г'-ьерхностных слоев пористого кремния в зависимости от условий травления.

4. Исследование влияния окисления ПК на его электронное строение и фотолюминесценцию.

Объекты и методы исследования. Использовались подложки монокристаллического кремния <100> и <111> с удельным сопротивлением 0.35 Ом*см. ПК получался методом электрохимического травления при постоянной плотности тока в растворах на основе № и изопропилового спирта.

Для исследований использовались методы: ультрамягкая рентгеновская спектроскопия (эмиссионная и спектров квантового выхода фотоэффекта), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС). Также были изучены спектры фотолюминесценции и тунельные электронные изображения пористого кремния.

Научная новизна работы определяется тем, что.

1) Установлено наличие нескольких "фаз" в поверхностных слоях ПК, соотношение которых зависит от условий получения ПК, выдержки на воздухе и отжига в кислороде

2) Впервые в поверхностных слоях ПК обнаружена фаза разупорядоченного кремния, который окисляется при выдержке на воздухе.

3) Обнаружено наличие на поверхности ПК промежуточного оксида БЮ, не возникающего при окислении монокристаллического кремния. Содержание этого оксида с ростом температуры отжига в кислороде уменьшается и одновременно уменьшается интенсивность фотолюминесценции.

Практическое значение результатов работы определяется следующим.

Разработанная лабораторная технология позволяет получать образцы ПК, проявляющие высокую интенсивность фотолюминесценции в видимой области спектра при комнатной температуре на более технологичной подложке п-типа, что всегда представлялось затруднительным.

По разработанному математическому алгоритму была создана компьютерная программа расчета, позволяющая рассчитывать "фазовый" состав, материалов, содержащих различные кристаллические и аморфные фазы на основе заданных РЭС эталонов.

На защиту выносятся следующие положения:

1. При электрохимическом травлении в поверхностных слоях ПК образуется значительное количество атомов кремния в разупорядоченном состоянии. При выдержке на воздухе ПК эти атомы в значительной степени переходят в оксид. При этом кроме обычного формируется промежуточный оксид БЮ, не наблюдаемый при окислении монокристалла.

2. При низкотемпературном отжиге ПК в потоке кислорода с ростом температуры отжига происходит окисление поверхностных слоев с увеличением доли стехиометрического оксида и уменьшением промежуточного оксида.

3. Интенсивность ФЛ ПК возрастает при выдержке на воздухе, а также при 100 °С отжиге в кислороде, параллельно с ростом содержания промежуточного оксида. Ее пик находится в области 640700 нм. и не меняет своего положения, а с дальнейшим ростом температуры отжига интенсивность ФЛ резко падает.

Личный вклад автора. Постановка задач, определение направлений исследований выполнены д.ф.-м.н., профессором Тереховым В.А., д.ф.-м.н., профессором Домашевской Э.П. и к.ф.-м.н., доцентом Кашкаровым В.М. Лабораторная технология получения ПК на подложках п-типа, проявляющего интенсивную ФЛ, была разработана лично автором, а также разработан алгоритм, написана компьютерная программа для математического анализа "фазового" состава экспериментальных спектров. Объекты исследования и результаты работы получены лично автором и доцентом Кашкаровым В.М. Автором произведены расчеты всех экспериментальных РЭС спектров, а обсуждение их проведено совместно с д.ф.-м. н., профессором Тереховым и доцентом Кашкаровым В.М. Основные результаты и выводы получены лично автором.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Первом Российско-Германском семинаре по Рентгеновской и Электронной Спектроскопии (Воронеж, Май-июнь 1996), XVI-междунар. школы-семинаре «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» Воронеж май-июнь 1996г, ECASIA - European Conference on Surface and Interface Analysis (Швеция, Осень-1996), Всероссийская Научная Студенческая Конференция (Екатеринбург, Февраль-1997), ICES - International Conference on Electron Spectroscopy (Япония, Сентябрь-1997), Школа-семинар по рентгеновской и электронной спектроскопии (Екатеринбург, 1998), XYI Научная Школа-семинар «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь», (Ижевск, 1998), IVC-14 (Birmingham, GB, И 998), E-MRS 1999, Spring meeting; (June, 1999, Strasbourg, France), I Всерос. конф. "Химия поверхности и нанотехнология" Санкт-Петербург-Хилово (сент,- окт. 1999 г.), 3rd Russian-German seminar on electron and X-ray spectroscopy. (Екатеринбург, осень 1999.)

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 14 печатных работах, цитируемых по ходу изложения диссертации.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, изложенных на 125 страницах машинописного текста, включая 49 рисунков и список литературы на 95 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Мануковский, Эдуард Юрьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

Впервые разработана воспроизводимая лабораторная технология получения пористого кремния на подложках п-типа, проявляющего высокоинтенсивную фотолюминесценцию в видимой области спектра.

Для анализа "фазового" состава поверхностных слоев пористого кремния по рентгеновским эмиссионным спектрам разработан алгоритм расчета компонентного состава сложных многофазных систем, включая и аморфные материалы. На его основе создана специальная компьютерная программа. Использование этой программы показало высокую воспроизводимость результатов и позволило установить состав ПК в зависимости от условий его формирования и последующих обработок. Результаты этих исследований позволили сформулировать следующие выводы.

1) Фазовый состав пористого кремния зависит от ориентации подложки исходного кристаллического кремния. Установлено, что ПК, полученный на подложке с ориентацией поверхности <100>, имеет большую степень разупорядоченности структурной сетки.

2) В ПК непосредственно после получения значительное количество атомов кремния содержится в разупорядоченной фазе на поверхности пор. При выдержке на воздухе происходит окисление в первую очередь именно этого нарушенного слоя.

3) В поверхностных слоях ПК впервые обнаружен оксид 8ЮХ с малой степенью окисления, который не наблюдается на поверхности монокристаллического кремния при его взаимодействии с различными окислителями, а также при термических отжигах в кислородсодержащих средах. Образование этого оксида можно интерпретировать как возникновение дефектного слоя 81-810, либо 81

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Мануковский, Эдуард Юрьевич, 2000 год

1. Бреслер М.С., Яссиевич И.Н. / Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния // Физика и техника полупроводников 1993, т.27, вып.5 / с. 871-883.

2. Canham L.T. / Silicon quantum wire array fabrication by electrochemicaland chemical dissolution of wafers// Appl. Phyp. Lett., 3 September 1990, v.57, N.10, p.1046-1048.

3. Cullis A.G., Canham L.T. // Nature, 1991, v.353, p.355.

4. Андриянов A.B., Ковалев Д.И., Шуман В.Б. и др. / Время-разрешеннаяфотолюминесценция пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 1993, т.27, вып.1 / с. 136-140.

5. Roy A., Chainani A., Sarma D.D. et al. // Appl. Phys. Lett., 1992, v.61,1. N.14, p.1655-1657.

6. K.M. Yung, S. Shin, and D.L. Kwong, // J. Electrochem. Soc. , 1993,

7. V.140, № 10, p. 3046-3064.

8. Kalkhoran N.M., Namavar F., Maruska H.P. // Preprint, Spire Corporation,1. Bedford, 1991.

9. George C. John and Vijai A.Singh // Physical Review B. 1994. V. 50, N8.1. P. 5329-5334

10. Gardelis S., Rimmer J.S., Dawson P. et al. // Appl. Phys. Lett., 1991, v.59,p.2118.

11. Xie J.H., Wilson W.L., Ross T.M. et al.// Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, p.640.

12. Андрианов A.B., Ковалев Д.И., Шуман В.Б. и др. // Письма в ЖЭТФ, 1992, т.56, с. 242.

13. Аверкиев Н.С., Аснин В.М., Марков И.И., и др. // Письма в ЖЭТФ, 1992, т.55, с. 631.

14. Suemune I., Noguchi N., Jamanishi M. // Japan. J. Appl. Phys., 1992, v.31, L494.

15. Koshida N., Koyana H., // Preprint. Tokyo University of Agriculture and Technology, Tokyo, 1991.

16. Abstract of the 1991 Fall Meeting of the Material Research Society. / Reports AA 3.4, AA 4.8. Boston, 1991.

17. Sanders G.D., Chang J.C., // Phys. Rev. В., 1992, v. 45, p.9202.

18. Brandt M.S., Fuchs H.D., Stutzmann M. et. all // Sol. St. Commun., 1992, v.81, p.307.

19. Koshuda N., Koyama H. // Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, p.2514.

20. Namavar F., Maruska H.P., Kalkhoran N.M. // Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, p.347.

21. Chen Z., Bosman G., Ochoa R. // Appl. Phys. Lett., 1992, v.62, p.708.

22. Беляков JI.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. и др. / Эффективная электролюминесценция пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 1993, т.27, вып. 11-12.

23. Писков Ю.В. / Фотоэлектрохимия полупроводников, М., 1983, 132 с.

24. Морозов Г.К., Жерздев А.В. / К вопросу о механизме формирования пористого кремния // Российская академия наук, 1994, т.28, N.6.

25. Zhou W., Shen Н., Harvey J.F. et al. // Appl. Phys. Lett., 1992, v.61, N.12, p.1435-1437.

26. Naylor D.L., Lee S.B., Pincenti J.C. et al.// Preprint, University of Hilinois, Chicago, 1991.

27. Mochizuki J., Mizuta M., Ochai J. et al. // Phys. Rev. В., 1992, v.46, N.19, p.12353-12357.

28. Hummel R.E., Chang S., // Appl. Phys. Lett., 1992, v.61, N.16, p. 19651967.

29. Ретина И.И., Гук Е.Г. // Физика и техника полупроводников, 1993, т.27, N.5, с. 728-735.

30. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. / Полупроводниковая оптоэлектроника, 1976, М., Мир, 431 с.

31. Grivickas V., Kolenda J., Bernussi A. et al. // Braz. J. Phys., 1994, v.24, N.l, p.349-358.

32. П.К.Кашкаров, В.Ю.Тимошенко // Люминесценция пористого кремния. Природа,1995, N12., с. 12-20.

33. Бонч-Бруевич Б.Л., Звягин И.П., Кайнер Р. и др. / Электронная теория неупорядоченных полупроводников, М., Мир, 1981, 384 с.

34. Лифшиц И.М., Гредескул С.А., Пастур A.A. / Введение в теорию неупорядоченных систем, М., Наука, 1982, 358 с.

35. Немошкаленко В.А., Алешин В.Г. / Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии, Киев, Наукова думка, 1974,376 с.

36. Спектрограф-монохроматор рентгеновский РСМ-500. / Техническое описание и инструкция по эксплуатации.

37. Зимкина Т.М., Фомичев В.А. / Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия, Л., 1971, Изд-во ЛГУ, 132 с.

38. Шулаков A.C., Степанов А.П. / Глубина генерации ультрамягкого рентгеновского излучения в SiC>2 и поверхность // Физ. Хим. Тех., 1988, N.10, с 146-148.

39. В.П. Бондаренко, В.Е. Борисенко, Л.Н. Глиненко, В.А. Райко / Новые области применения пористого кремния в полупроводниковой оптоэлектронике. // Зарубежная электронная техника. 1989, том 340, № 9, стр. 55-84.

40. Shueh-Lin Yau, Mark Arendt, and Allen J. Bard / Study of the structure and chemical nature of porous Si and siloxene by STM, AFM, XPS, and LIMA // J. Electrochem. So.c., Vol 141, № 2, 1994, p. 402-409.

41. E.P. Domashevskaya, V.M. Kashkarov, E.Yu. Manukovskii, A.V. Schukarev, V.A. Terekhov / XPS, USXS and PLS investigations ofporous silicon // J. Electr. Spectr. and Rel. Phen., Vol. 88-91, (1998), p. 969-972.

42. Melissa M. Riger and Paul A. Kohl / Mechanism of (111) silicon etching in HF-acetonitrile // J. Electrochem. Soc., Vol. 142, №. 5, 1995, p. 14901495.

43. A.H. Образцов, В.Ю. Тимошенко, X. Окушиу, X. / Ватанабе Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и Si02 // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3, с. 322-326.

44. J.A.Taylor, G.M.Lancaster, J.W.Rabalais // J.Electr.Spectrosc., 13, N6, (1978), p.435-444.

45. Beyer W., Wagner H. / The role of hydrogen in a-Si:H- results of evolution and annealing studies // J.Non-Cryst.Sol., 1983, v.59-60 p.161-168.

46. В.А.Терехов, А.Ф.Хохлов, Н.С.Ковалева, В.М.Кашкаров и др., // Физ.Тверд.Тела. т.39. N 243-245 (1997).

47. R.C.Gray, J.C.Carver, D.M.Hercules // J.Electr.Spectrosc., 8, N5, (1976), p.343-358.

48. V.M. Kashkarov, E.Yu. Manukovskii / XVI Международная школа-семинар Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь, Тез. докл., ВГУ, Воронеж, 1996, с. 59.

49. Виноградов А.С., Филатова Е.О., Зимкина Т.М. / Спектр отражения кремния вблизи Ь2>з порога ионизации. S13N4 // Письма в ЖЭТФ. -1989,- т.15. - B.I.- с. 84-86.

50. R.M'ghaieth, Н. Maaref, I. Mihalcescu, J.С. Vial / Porous silicon: photoluminescence decay in nanosecond range // Microelectronics Journal, v.30, 1999, p.695-698.

51. Tight-binding descriptions of disordered nanostructures: an application to porous silicon / // Applied Surface Science, v. 142, 1999, p.564-568.

52. J. Taguena-Martinez, Yury G. Rubo, M. Cruz, MR. Beltrân, C. Wang, B. Gelloz, A. Bsiesy / Carrier transport mechanisms in porous silicon in contact with a liquid phase: a diffusion process // Applied Surface Science, v. 135, 1998, p. 15-22.

53. Naokatsu Yamamoto, Hiroshi Takai / Inverse-percolation model for investigating a mechanism of formation and photoluminescence of porous silicon // Journal of Luminescence, v. 82, 1999, p. 85-90.

54. C.M.A. Ashruf, P.J. French, P.M.M.C. Bressers, J.J. Kelley / Galvanic porous silicon formation without external contact // Sensors and actuators, v. 74, 1999, p. 118-122.

55. A. Zeitschel, A. Friedberger, W. Welser, G. Muller / Breaking the isotropy of porous silicon formation by means of current focusing // Sensors and actuators, v. 74, p. 113-117.

56. HF solutions / S. Zangooie, R. Janson, H. Arwin / Microstructural control of porous silicon by electrochemical etching in mixed HC1 // Applied Surface Science, v. 136, 1998, 123-130.

57. S.N. Kuznetsov, V.B. Pikulev, A.N. Skorokhodov, Yu.E. Gardin, V.A. Gurtov / Observation of adsorbtion-induced luminescence in porous silicon // Applied Surface Science, v. 140, i999, p. 239-242.

58. B. Gelloz, A. Bsiesy, R. Herino / Light-induced porous silicon photoluminescence quenching // Journal of Luminescence, v. 82, 1999, p. 205-211.

59. Th. Bischoff, G. Muller, W. Welser, F. Koch / Frontside micromachining using porous-silicon sacrificial-layer technologies // Sensors and actuators A, v. 60, 1997, p. 228-234.

60. I. Coulthard, T.K. Sham / Luminescence from porous silicon: an optical X-ray absorbtion fine structures study at the Si L^-edge// Solid State Communications, v. 110, 1999, p. 203-208.

61. V.A. Terekhov / X-ray spectroscopy as the method of investigation of the electron structure in disordered semiconductors // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, v. 96, 1998, p. 19-22.

62. Ruchuan Liu, Biefang Yang, Zhengping Fu, Pingsheng He, Yaozhong Ruan / Stable blue-green and ultraviolet photoluminescence from silicon carbide on porous silicon // Solid State Communications, v. 106, 1998, N.4, p. 211-214.

63. V.A. Makara, O.V. Vakulenko, O.I. Dacenko et. All. / Effect of boron doping of silicon on the micromechanical and luminescent properties of porous layers // Thin Solid Films, v. 312,1998, p. 202-206.

64. Raminder G. Mathur, Vivechana, R.M. Mehra, P.C. Mathur, V.K. Jain / Electron transport in porous silicon // Thin Solid Films, v. 312, p. 254258.

65. Jl.A. Балагуров / Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения. // Материаловедение, 1998, N 1-3.

66. Ying Kang and Jacob Jorné / Photoelectrochemical dissolution of N-type silicon // Electrónica Acta, v. 43, 1998, p. 2389-2398.

67. J. Salonen, V.-P. Lehto, E. Laine / The room temperature oxidation of porous silicon.// Applied Surface Science, v. 120, 1997, p. 191-198.

68. E.A. Шелонин, M.B. Найденкова, A.M. Хорт и др. / Влияние термических отжигов и химических воздействий на фотолюминесценцию пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, N 4, с. 494-496.

69. Г.В. Гадияк, J. Stathis / Физическая модель и результаты численного моделирования деградации SÍ/SÍO2- структуры при отжиге в вакууме // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, N 9, с.

70. Н.Е. Корсунская, Т.В. Торчинская, Б.Р. Джумаев, Л.Ю. Хоменкова, Б.М. Булах / Два источника возбуждения фотолюминесценциипористого кремния // Физика и техника полупроводников, 1997, т. 31, N8, с. 908-911.

71. Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, Л.В. Беляков / Механизм электролюминесценции пористого кремния в электролитах // Физика и техника полупроводников, 1997, т. 31, N 7, с. 844-847.

72. В.В. Филиппов, В.П. Бондаренко, П.П. Першукевич / Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению // Физика и техника полупроводников, 1997, т. 31, N 9, с. 1135-1141.

73. Г А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев и др. / Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в 8102, имплантированном ионами 81 // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, N 11, с. 1371-1377.

74. А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова / Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита НС1:НБ:С2Н50Н // Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, вып. 2, с. 198-204.

75. А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко, X. Окуши, X. Ватанабе / Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов 810 и 810г // Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, вып. 3, с. 322-326.

76. Е.В. Астрова, Б.В. Воронков, А.Д. Ременюк и др. V Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результатеокисления. Элипсометрические исследования // Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, вып. 10, с. 1264-1270.

77. С.П. Зимин / Классификация электрических свойств пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 2000, т. 34, вып. 3, с. 359-363.

78. Д.Н. Горячев, Г. Полисский, О.М. Сресели / Механизм переноса и инжекции носителей в пористый кремний при его электролюминесценции в электролитах // Физика и техника полупроводников, 2000, т. 34, вып. 2, с. 227-233.

79. P. Lagarde, М. Pompa, R. Delaunay, A.M. Flank / Resonance effects in the non-radiative de-exitation of silicon in porous silicon // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, v. 94, 1998, p. 229-235.

80. Michael T. Kelly, Andrew B. Bocarsly / Mechanisms of photoluminescent quenching of oxidezed porous silicon. Applications to chemical sensing // Coordination Chemistry Reviews, v. 171, 1998, p 252-259.

81. Д.Н. Горячев, Г. Полисский, О.М. Сресели / Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, N 8, с. 1016-1018.

82. C.J. Powell, A. Jablonski, I.S. Tilinin, S. Tanuma, D. R. Penn / Surface sensitivity of Auger-electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy // Electron Spectroscopy and Related Phenomena, v. 98-99, 1999, p. 1-15.

83. V. Lysenko, V. Gliba, V. Strikha at. Al. / Nanoscale nature and low thermal conductivity of porous silicon layaers // Applied Surface Science, v. 123/124, 1998, p. 458-461.

84. D. Bimberg / Quantum dots: paradigm changes in semiconductor physics // Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, вып. 9, с. 10441048.

85. A.A. Baski, S.С. Erwin, L.J. Whitman / The structure of silicon surfaces from (001) to (111) // Surface science, v. 392, 1997, p. 69-85.

86. Debajyoti Das / Quantum confinement effects in nano-silicon thin films // Solid State Communications, v. 108,1998, N 12, p. 983-987.

87. Oxygen-related surface states and their role in photoluminescence from porous Si / Xi-Мао Bao, Xiang He, Ting Gao, Feng Yan, Hui-Lan Chen // Solid State Communications, v. 109,1999, p. 169-172.

88. J. Von Behren, T. Van Buuren, M. Zacharias at. Al. / Quantum confinement in nanoscale silicon: the correlation of the size with bandgap and luminescence // Solid State Communication, v. 105, 1998, N 5, p. 317-322.

89. K.H. Hong, K.W. Tse and P.Y. Foo / Density-of-states in a rough quantum wire // Solid State Communication, v. 105, 1998, N 6, p. 363365.

90. П.К. Кашкаров, E.A. Константинова, С. А. Петрова, В.Ю. Тимошенко, А.Э. Юнович / К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 1997, т. 31, N 6, с. 745-748.

91. С.П. Зимин, А.Н. Брагин / Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки // Физика и техника полупроводников, 1999, т. 33, вып. 4, с. 476-480.

92. Г.А. Качурин, J1. Реболле, В. Скорупа и др. / Коротковолновая фотолюминесценция слоев Si02, имплантированных большими дозами ионов Si, Ge и Ar // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, N4, с. 439-444.

93. JI.B. Беляков, T.JI. Макарова, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, О.М. Сресели / Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система // Физика и техника полупроводников, 1998, т. 32, N 9, с. 1122-1124.129

94. E.A. Petrova, K.N. Bogoslovskaya, L.A. Balagurov, G.I. Kochoradze / Room temperature oxidation of porous silicon in air // Material Science&Engineering B, 2000, 69-70 (0), p. 152-156.

95. B.M. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, С.Ю. Турищев, В.А. Терехов / Рентгеноспектральные исследования фазового состава пористого кремния, окисленного при высокой температуре. // Конденсированные среды и межфазные границы, т.2, н.2, 2000 г., с. 37-44.