Особенности электронно-энергетического строения материалов с нанокристаллами кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Панков, Константин Николаевич

• Панков, Константин Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Панков, Константин Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Обзор литературы.

1.1 Проблемы и перспективы использования кремния в электронных приборах.

1.2 Закономерности формирования и электронно-энергетическое строение нанокластеров и нанокристаллов кремния.

1.3 Теоретические основы методов исследования электронной структуры твёрдых тел с помощью рентгеновского излучения.

1.3.1 Метод ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии.

1.3.2 Спектроскопия ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения.

1.3.3 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия.

1.4 Выводы и формулирование задач исследований.

ГЛАВА 2. Методика исследования образцов.

2.1 Методика получения нанопорошков кремния.

2.2 Получение плёнок Si02, содержащих нанокристаллы кремния.

2.3 Методы исследования образцов.

ГЛАВА 3. Фазовый состав и оптические свойства нанопорошков кремния, полученных распылением мощным электронным пучком.

ГЛАВА 4. Исследование электронно-энергетического строения нанокластеров Si в Si02, полученных термическим отжигом субоксида кремния.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности электронно-энергетического строения материалов с нанокристаллами кремния»

Актуальность темы

Актуальность работы обусловлена необходимостью модификации свойств кремния как базового материала для современной микро- и наноэлектронной технологии. Создание на его основе структур, содержащих в объёме или на поверхности наноразмерные слои, кластеры или нанокристалльт, позволяет придать кремнию новые уникальные физические свойста, не присущие ему в обычном, объёмно-кристаллическом состоянии. Сюда можно отнести фотолюминесценцию с высоким квантовым выходом в видимом и ближнем ИК диапазоне для непрямозонного полупроводника, суперпарамагнетизм, чрезвычайно высокое значение сечения фотопоглощения и т.д. Процессы взаимодействия наноразмерных структур с подложкой или с окружающей матрицей могут и должны приводить к формированию тонких переходных областей, которые существенно влияют на реальные свойства наноструктур. В перспективе интеграция электронных и оптических функций в рамках кремниевой технологии позволила бы осуществить качественный и заметный количественный скачок в развитии современной электронной техники. Кроме того, поскольку по своим электронным свойствам нанокристаллы приближаются к отдельным атомам, использование устройств на их основе перспективно и в классической электронике. Для процессов переключения или запоминания информации в таких приборах требуется минимальное количество заряда, что повышает быстродействие таких схем, их экономичность и соответственно понижает рассеиваемую мощность, большие значения которой у существующих приборов требуют применения специального охлаждения.

В настоящее время существует достаточно много способов наноструктурирования кремния. Рассматриваемые в работе — распыление массивного слитка электронным пучком и отжиг пересыщенного кремнием субоксида SiOx представляют собой довольно дешёвые и высокопроизводительные способы его получения, но сильно зависят от многих технологических параметров, зачастую трудно учитываемых. Поэтому вопрос о контроле вариаций локальной атомной и электронной структуры, возникающей при создании таких структур, чрезвычайно важен. При этом существенно то, что эти изменения происходят в основном по глубине изучаемых структур. Именно поэтому неразрушающий метод USXES, дающий информацию об локальной электронной плотности прилегающих атомов и использующий для возбуждения эмиссии электроны с определённой характерной длиной пробега в веществе, оказывается очень удобным для исследования таких структур. Метод XANES при регистрации квантового выхода рентгеновского фотоэффекта ввиду своей специфики позволяющий анализировать тонкий приповерхностный слой (<5 нм), даёт ценную информацию о локальной электронной атомной структуре тонких слоев.

Цель и основные задачи работы

Цель работы - изучение влияния метода получения и технологических параметров на электронно-энергетическое строение и фазово-компонентный состав структур, содержащих нанокристаллический кремний. Основными задачами исследования является:

1. Получение данных об особенностях электронно-энергетического строения валентной зоны кремниевых наноматериалов методом USXES и анализ их фазового состава.

2. Изучение электронно-энергетического, строения зоны проводимости методом XANES и характеризация локального окружения атомов кремния на поверхности наноматериалов.

3. Установление структурных особенностей кристаллических фаз, входящих в состав наноматериалов методом XRD.

4. Исследование особенностей электронно-энергетического спектра поверхностных слоев наноразмерных структур по угловой зависимости спектров квантового выхода рентгеновского фотоэффекта.

5. Анализ особенностей поведения XANES материалов с нанокристаллами кремния в ультрамягкой рентгеновской области.

Научная новизна работы

1. Впервые установлено, что нанопорошок, полученный распылением кремния мощным электронным пучком, представляет собой многофазные частицы, состоящие в основном из- нанокристаллического кремния, покрытого достаточно толстым оксидным слоем (>5 нм).

2. Показано, от условий формирования нанопорошка зависит толщина и состав покрывающего оксидного слоя.

3. Установлено влияние температурного режима получения и обработки плёнок SiOx/Si на концентрацию и размеры наночастиц кремния в матрице Si02.

4. Впервые обнаружен необычный рентгенооптический эффект в области L2j3 края поглощения кремния в системе SiCVSiC^inc-Si/Si.

Практическая ценность работы

1. Установлена зависимость между режимами формирования наноструктур и содержанием аморфной и кристалличекой фаз, размером нанокристаллов и оптическими свойствами структуры.

2. Подтверждена эффективность методов USXES и XANES для контроля фазового состава поверхностных слоёв наноструктур в диапазоне от 5 до 100 нм.

3. Показана возможность проявления необычных рентгенооптических свойств при взаимодействии ультрамягкого рентгеновского излучения (1-4-12 нм) со структурами, содержащими наноразмерные неоднородности.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Наночастицы порошка, полученного распылением мощным электронным пучком, представляют собой кристаллическое ядро со средним размером ~40 нм, окружённых тонкой переходной аморфной областью (a-Si) и оболочкой Si02, толщина которой значительно превосходит толщину естественного оксида.

2. При высокотемпературных отжигах плёнок SiOx/Si образуются нанокристаллы, средний размер которых определяется температурой отжига. Нанокристаллы преимущественно ориентированны параллельно подложке (111).

3. Отжиг плёнок SiOx приводит к формированию в ней слоистой структуры с верхним слоем чистого оксида и находящимся под ним слоем оксида, содержащего нанокристаллы элементарного кремния.

4. Эффект аномального поведения квантового выхода рентгеновского фотоэффекта в структурах SiCVSiCbinc-Si/Si в области края поглощения элементарного кремния.

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (С. - Петербург, 2006, 2008), VI международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2006), International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure (Бразилия, Парана, 2006), XIX Всероссийская научная школа-семинар «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Ижевск, 2007 ), десятая научная молодежная школа по твердотельной электронике «Физика и технология микро- и наносистем» (С. - Петербург, 2007), Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, 2007, 2009), VIII Российская конференция по физике полупроводников <<ПОЛУПРОВОД1ШКИ-2007>> (Екатеринбург, 2007), The European Materials Research Society 2007 spring meeting (E-MRS 2007 Spring Meeting), (Страсбург, Франция, 2007), V Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2008» (Черноголовка, 2008), 2008 Synchrotron Radiation Center Users Meeting ( Столтон, США, 2008), 21st International Conference on X-ray and Inner-Shell Processes (X-08) (Париж, Франция, 2008), VIII Всероссийская конференция «Физикохимия Ультрадисперсных (нано-) систем», (Белгород, 2008), Химия поверхности и нанотехнология : 4-я Всерос. конф. (с междунар. участием), (С. - Петербург, 2009), 13th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (Анталия, Турция, 2009), 6-я Междунар. конф. и 5-я шк. молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Новосибирск, 2009), 7th International Conference on Electronic Spectroscopy & Structure (Hapa, Япония, 2009).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 2 статьи в реферируемых журналах и 23 тезиса докладов.

Объём и структура диссертации

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка использованной литературы, изложенных на 111 страницах машинописного текста, включая 36 рисунков, 6 таблиц и список литературы из 87 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Панков, Константин Николаевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Впервые методами USXES и XANES с привлечением данных просвечивающей электронной микроскопии, ИК-спектроскопии и исследований фотолюминесценции, получены данные об особенностях электронно-энергетического строения, составе и морфологии двух типов наносистем на основе кремния - нанопорошков, полученных распылением мощным электронным пучком и систем Si02:nc-Si, полученных распадом плёнок субоксида SiO. Результаты исследований приводят к следующим выводам:

1. Формируемые распылением мощным электронным пучком нанопорошки кремния представляют собой двух-трёхфазные образования, внутри которых находится нанокристаллическое ядро с размерами —40 нм уменьшенными параметрами решётки, а снаружи толстый слой (>5 нм) оксида. Между ними возможно формирование промежуточного слоя разупорядоченного кремния.

2. Образующийся толстый оксид на поверхности нанопорошка частично переходит в кристаллическую высокотемпературную фазу а-тридимита, что свидетельствует о достаточно высокой энергии разлетающихся частиц.

3. Методами USXES и XRD установлено, что как в неотожженных, так и в отожженных пленках присутствует элементарный кремний в виде нанокристаллов. При отжиге с ростом температуры происходит увеличение их размеров от -20 до -60 нм. При этом кристаллы ориентированы параллельно плоскости подложки.

4. Установлено, что формирование нанокристаллов кремния в глубине плёночной матрицы в Si02 может привести к резкому снижению фото- и Оже - эмиссии электронов из поверхностных слоёв в области Ь21з-края поглощения элементарного кремния.

5. Отжиг в атмосфере азота вызывает окисление приповерхностного слоя пленок SiOx за счет остаточной атмосферы кислорода и частичное доокисление более глубоких слоев за счет растворенного кислорода, что установлено методами XPS и USXES.

6. Установлено расслоение плёнки SiOx при отжиге на тонкий поверхностный слолй чистого диоксида (-60 нм) и более толстый (-280 нм) граничащий с подложкой слой диоксида, содержащий нанокристаллы кремния.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Панков, Константин Николаевич, 2010 год

1. Pavesi, L. Routes toward silicon-based lasers / Lorenzo Pavesi // Materials Today. 2005. - January. - P. 18-25.

2. Efficient silicon light-emitting diodes / M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal // Nature. 2001. - Vol.412. - P.805-808.

3. Zhao, J. High-efficiency optical emission, detection, and coupling using silicon diodes / J. Zhao, M. A. Green, A. Wang // J. Appl. Phys. 2002. - Vol.92, №6. -P.2977-2979.

4. Trupke, T. Optical gain in materials with indirect transitions / T. Trupke, M.A. Green, P. Wurfel // J. Appl. Phys. 2003. - Vol.93, №11.- P.9058-9061.

5. Грехов, И.В. Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока / И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин, М.И. Векслер // ФТП. 1998. -Т.32, №6 - С.743-747.

6. Volatile and nonvolatile memories in silicon with nano-crystal storage / S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, H. Hanafi, C. Wei, D. Buchanan // IEEE Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig. 1995. - P.521-524.

7. Silicon nanocrystal memory devices obtained by ultra-low energy ion-beam synthesis / P. Dimitrakis et al. // Solid-State Electronics. 2004. - Vol.48. -P.1511-1517.

8. Glazman, L.I. Single electron tunneling / L.I. Glazman // J. Low Temp. Phys. -2000. Vol. 118, №5/6. - P.247-269.

9. Boeringer, D.W. Avalanche amplification of multiple resonant tunneling through parallel silicon microcrystallites / D.W. Boeringer, R. Tsu // Phys. Rev. В.- 1995.-Vol.51, №19. -P.13337- 13343.

10. A. Uhlir, // Bell Syst. Tech. J. 1956. - Vol.35. - P.333.

11. R.T Collins, P.M Fauchet, M.A Tischler / Porous silicon: From luminescence to LEDs //Phys. Today. 1997. - Vol. 50. - P. 24-31.

12. Canham, L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L.T. Canham // Appl. Phys. Lett. 1990. -Vol.57, №10. - P.1046-1048.

13. Cullis, A.G. The structural and luminescence properties of porous silicon / A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott // J. Appl. Phys. 1997. - Vol.82, №3. -P.909-965.

14. Kanemitsu, Y. Resonantly excited photoluminescence from porous silicon: Effects of surface oxidation on resonant luminescence spectra / Y. Kanemitsu, S. Okamoto // Phys. Rev. B. 1997. - Vol.56, №4. - P.R1696-R1699.

15. Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: The role of oxygen / M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue // Phys. Rev. Lett. 1999. - Vol.82, №1. - P. 197-200.

16. Two-peak photoluminescence and light-emitting mechanism of porous silicon / S.L. Zhang, F.M. Huang, K.S. Ho, L. Jia, C.L. Yang, J.J. Li, T. Zhu, Y. Chen, S.M. Cai, A. Fujishima, Z.F. Liu // Phys. Rev. B. 1995. - Vol.51, №16. -P.11194-11197.

17. Исследование электронной структуры аморфного кремния и силицина методом рентгеновской спектроскопии / А.И.Машин, А.Ф.Хохлов, Э.П.Домашевская, В.А.Терехов, Н.И.Машин // ФТП. 2001,Т.35,в.8. - С.995-1000.

18. Influence of light intensity on the photoluminescence of silicon nanostructures / D. Amans, O. Guillois, G. Ledoux, D. Porterat, C. Reynaud // J. Appl. Phys. -2002. Vol.91, №8. - P.5334-5340.

19. Visible photoluminescence from oxidized Si nanometer-sized spheres: Exciton confinement on a spherical shell / Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda // Phys. Rev. B. 1993. - Vol.48, №7. p.4883-4886.

20. High-Yield Plasma Synthesis of Luminescent Silicon Nanocrystals / L. Mangolini, E. Thimsen, and U. Kortshagen //NANO LETTERS. 2005. - Vol. 5, No.4. - P.655-659.

21. Kanemitsu, Y. Luminescence properties of nanometer-sized Si crystallites: Core and surface states / Yoshihiko. Kanemitsu // Phys. Rev. B. 1994. - Vol.49, №23.-P. 16845-16848.

22. Kanemitsu, Y. Photoluminescence spectrum and dynamics in oxidized silicon nanocrystals: A nanoscopic disorder system / Yoshihiko Kanemitsu // Phys. Rev. B. 1996. - Vol.53, №20. -P.13515-13520.

23. Photoluminescence mechanism in surface-oxidized silicon nanocrystals / Y. Kanemitsu, S. Okamoto, M. Otobe, S. Oda // Phys. Rev. B. 1997. - Vol.55, №12. - P.R7375-R7378.

24. Kamenev, B.V. Self-trapped excitons in silicon nanocrystals with sizes below 1.5 nm in Si/Si02 multilayers / B.V. Kamenev, A.G. Nassiopoulou // J. Appl. Phys. 2001. - Vol.90, №11.- P.5735-5740.

25. Size, shape, and composition of luminescent species in oxidized Si nanocrystals and H-passivated porous Si/Si. Schuppler et al. // Phys. Rev. B. 1995. - Vol.52, №7.-P.4910-4925.

26. Quantum confinement effect in self-assembled, nanometer silicon dots / S.A. Ding, M. Ikeda, M. Fukuda, S. Miyazaki, M. Hirose // Appl. Phys. Lett. 1998. -Vol.73, №26. — P.3881-3883.

27. Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud // Appl. Phys. Lett. 2002. -Vol.80, №25. - P.4834-4836.

28. Delerue, C. Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon / C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo // Phys. Rev. B. 1993. - Vol.48, №15. - P. 1102411036.

29. Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: The role of oxygen / M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue // Phys. Rev. Lett. 1999. - Vol.82, №1. - P. 197-200.

30. Changes in the Electronic Properties of Si Nanocrystals as a Function of Particle Size / T. van Buuren, L. N. Dinh, L. L. Chase, W. J. Siekhaus and L. J. Terminello // Phys. Rev. Lett. 1998. - Vol.80, №17. - P.3803-3806.

31. Photoluminescence of silicon nanoclusters with reduced size dispersion produced by laser ablation / L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio // J. Appl. Phys. 2000. - Vol.87, №8. - P.3829-3837.

32. Кинетика экситонной фотолюминесценции в низкоразмерных структурах кремния / А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников // ФТП. 2001. - Т.35, №12. - С.1445-1451.

33. Rinnert, Н. Evidence of light-emitting amorphous silicon clusters confined in a silicon oxide matrix / H. Rinnert, M. Vergnat, A. Burneau // J. Appl. Phys. — 2001. -Vol.89, №1. — P.237-243.

34. Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiOx films / T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa // J. Appl. Phys. 1998. - Vol.83, №4. - P.2228-2234.

35. Nucleation and growth of nanocrystalline silicon studied by ТЕМ, XPS and ESR / K. Sato, T. Izumi, M. Iwase, Y. Show, H. Morisaki, T. Yaguchi, T. Kamino //Appl. Surf. Sci.-2003.-Vol.216.-P.376-381.

36. Zhang, Q. Blue photoluminescence and local structure of Si nanostructures embedded in Si02 matrices / Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt // Appl. Phys. Lett. -1995.-Vol.66, №15.-P.1977- 1979.

37. Kim K. Visible light emissions and single-electron tunneling from silicon quantum dots embedded in Si-rich Si02 deposited in plasma phase / Keunjoo Kim //Phys. Rev. B. 1998. - Vol.57, №20. -P.13072-13076.

38. Nature of visible luminescence and its excitation in Si-SiOx systems / L. Khomenkova, N. Korsunska, V. Yukhimchuk, B. Jumayev, T. Torchynska, A.V. Hernandez, A. Many, Y. Goldstein, E. Savir, J. Jedrzejewsld // J. Lum. 2003. -Vol. 102-103. — P.705-711.

39. Optical gain in Si/Si02 lattice: Experimental evidence with nanosecond pulses / L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen // Appl. Phys. Lett. -2001. Vol.79, №9. - P. 1249-1251.

40. Raman scattering and photoluminescence from Si nanoparticles in annealed SiOx thin films / D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister // J. Appl. Phys. 2002. - Vol.92, №8. - P.4678-4683.

41. Si rings, Si clusters, and Si nanocrystals different states of ultrathin SiOx layers / L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias // Appl. Phys. Lett. - 2002. - Vol.81, №22. - P.661-663.

42. Takeoka, S. Size-dependent photoluminescence from surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime / S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi // Phys. Rev. B. 2000. - Vol.62, №24. - P. 16820-16825.

43. Зимкина T.M. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия / T.M. Зимкина, В.А. Фомичев. Л.:Изд-во ЛГУ, 1971. - 132 с.

44. Немошкаленко В.А., Алешин В.Г. / Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Киев.:Наукова думка, 1974. - 376 с.

45. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Под ред. И. Хамака-вы, пер. с англ. А. Н. Морозова и др, под ред. С. С. Горелика. М. Металлургия, 1986. - 375 с.

46. К вопросу о применении вторичноэлектронных умножителей для изучения мягких рентгеновских спектров / М.А. Румш, А.И. Лукирский, В.И. Щемелев // Известия АН СССР, сер. физическая-1961.-T.XXV,№8.-C. 10601065.

47. Close Similarity between Photoelectric Yield and photoabsorbtion Spectra in the Soft-X-Ray Range / W. Gudat, C. Kunz // Phys. Rev. Lett. 1972. - Vol.29, №3 - P. 169-172.

48. Синхротронные исследования электронного строения нанокристаллов кремния в матрице Si02 / В.А. Терехов, С.Ю. Турищев, В.М. Кашкаров, Э.П. Домашевская, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум // Поверхность. 2007. - №1. — С.61-65.

49. М. Kasrai, W.N. Lennard, R.W. Brunner, G.M. Bancroft, J.A. Bardwell, K.H. Tan / Sampling depth of total electron and fluorescence measurements in Si L- and K-edge absorption spectroscopy//Appl. Surf. Science 1996. - Vol. 99 -P.303-312.

50. Физика рентгеновских лучей / M.A. Блохин. — М.:Гос. изд-во техн.-теор. лит-ры, 1957 518с.:ил., табл. - 1.76.

51. Нефёдов В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Справочник. / В.И. Нефёдов. М.: Химия, 1984. - 256 с.

52. Klasson М., Berndtsson A., Hedman J., Nilsson R., Nyholm R., Nordling C. // J. Electr. Spectr. and Rel. Phen 1974. - Vol. 3, №3 - P.427-434.

53. Спектрограф-монохроматор рентгеновский PCM-500. / Техническое описание и инструкция по эксплуатации. — JI:. НПО «Буревестник», 1970.

54. Шулаков А.С. Глубина генерации ультрамягкого рентгеновского излучения в Si02 и поверхность / А.С. Шулаков, А.П. Степанов // Физ. Хим. Тех-19 8 8 .-№. 10-С. 146-148.

55. Тростянский С.Н. Электронное строение ионно-имплантированного и гидрированного кремния: дисс. : к-та физ.-мат. наук. / Тростянский С.Н. -Воронеж. 1990.

56. Lattice contraction in nanosized silicon particles produced by laser pyrolysis of silane / H. Hofmeister, F.Huisken, and B. Kohn // Eur. Phys. J. D. 1999. - Vol. 9. -P.137-140.

57. High-Yield Plasma Synthesis of Luminescent Silicon Nanocrystals / L. Mangolini, E. Thimsen, and U. Kortshagen // Nano Letters. 2005. - Vol.5, №4. -P.655-659.

58. Leodux G., Guillois O., Porterat D., Reynaud C., Huisken F., Kohn В., Paillard V. // Phys. Rev. B, 2000. V. 62. N. 23. P. 15942.

59. Optical and Luminescence properties of Si Nanocrystals Ensembles in Silicon Dioxide Studied in the Extendet Spectral Range / I.A. Kamenskikh, D.N. Krasikov, O.A. Shalygina, et. al. // HASYLAB at DESY Annual report. 2007. -P.721.

60. Optical and electron paramagnetic resonance study of light-emitting Si+ ion implanted silicon dioxide layers / M.Ya. Valakh, V.A. Yukhimchuk, V.Ya. Bratus', A.A. Konchits, P.L.F. Hemment, T. Komoda // J. Appl. Phys. 1999. -Vol.85, №1.-P.168-173.

61. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Si / Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, М.-О. Ruault // ФТП. 2002. - Т.36, №6. - С.685-689.

62. Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiOx films / T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aolci, Y. Kurata, S. Hasegawa // J. Appl. Phys. 1998. - Vol.83, №4. - P.2228-2234.

63. О interstitial generation and diffusion in high temperature annealed Si/Si02/Si structures / R.A.B. Devine, D. Mathiot, W.L. Warren, B. Aspar // J. Appl. Phys. -1996. Vol.79, №5. - P.20302-2308.

64. Lange, P. Evidence of disorder-induced vibrational mode coupling in thin amorphous Si02 films / P. Lange // J. Appl. Phys. 1989. - Vol.66, №1. - P.201-204.

65. Infrared studies of transition layers at Si02/Si interface / H. Ono, T. Ikarashi, K. Ando, T. Kitano // J. Appl. Phys. 1998. - Vol.84, №11.- P.6064-6069.

66. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Si / Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, В.А. Володин,

67. В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, М.-О. Ruault // ФТП. 2002. - Т.36, №6. - С.685-689.

68. Boyd, I. W. A study of thin silicon dioxide films using infrared absorption techniques / I. W. Boyd, J. I. B. Wilson // J. Appl. Phys. 1982. - Vol.53, №1. -P.4466-4172.

69. O.M. Канунникова / Исследование строения тонких силикатных плёнок методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и атомной силовой микроскопии // Перспективные материалы 2006, №6 - С.88-92.

70. М. Watanabe, Т. Ejima, N. Miyata, Т. Imazono, М. Yanagihara / Studies of multilayer structure in depth direction by soft X-ray spectroscopy // Nuclear Science and Techniques. 2006. - Vol.17, No.5. - P. 257 -267.

71. Виноградов A.B. Зеркальная рентгеновская оптика / Виноградов А.В., Брытов И.А., Грудский А.Я. и др. — JL: Машиностроение. Ленингр. отд-ние, 1989.-463 с.

72. F.C. Brown, О.Р. Rustgi / Extreme ultraviolet transmission of Crystalline and Amorphous Silicon // Phys. Rev. Lett. 1972. - Vol. 28,№8 - P. 497-500.

73. D.H. Tomboulian, D.E. Bedo / Absorbtion and Emission Spectra of Silicon and Germanium in the Soft X-Ray Region // Phys. Rev. 1956. - Vol.104, №3. - P. 590-597.

74. Optical and Luminescence properties of Si Nanocrystals Ensembles in Silicon Dioxide Studied in the Extendet Spectral Range / I.A. Kamenskikh, D.N. Krasikov, O.A. Shalygina, et. al. // HASYLAB at DESY Annual report. 2007 -P.721.