Основные закономерности формирования локализованных резонансов Фано в спектрах поглощения кристаллов активированного сапфира тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат технических наук Дикова, Евгения Евгеньевна

• Дикова, Евгения Евгеньевна
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Дикова, Евгения Евгеньевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СПЕКТРЫ ПРИМЕСНЫХ ИОНОВ МЕТАЛЛОВ ПЕРЕХОДНОЙ ГРУППЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ.

1.1. Электронные состояния ионов переходных металлов.

1.1.1. Теория кристаллического поля.

1.1.2. Метод молекулярных орбиталей (теория поля лигандов).

1.1.3. Метод молекулярных орбиталей Хюккеля (МОХ).

1.1.4. Расширенный метод Хюккеля.

1.2. Основные положения теории электронных спектров отражения примесных кристаллов.

1.2.1. Теория отражения электромагнитных волн для изотропных сред

1.2.2. Оптические свойства анизотропных кристаллов.

1.3. Поглощение света в кристаллах.

1.3.1. Поглощающие изотропные кристаллы.

1.3.2. Поглощающие анизотропные кристаллы.

1.3.3. Особенности оптических спектров кристаллов корунда.

1.4. Примесные экситоны и дефектная структура в виде магнитных поляронов.

1.4.1. Примесные экситоны и их влияние на оптические свойства кристаллов.

1.4.2. Примесные экситонные спектры в кристаллах корунда.

1.4.3. Дефектная структура в виде магнитных поляронов.

1.5. Основные положения теории резонансов Фано для полупроводниковых кристаллов. Формы контура Фано.

1.6. Постановка задач исследования.

ГЛАВА 2. МАТЕРИАЛЫ, ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Критерии выбора исследуемого материала.

2.2. Выращивание кристаллов легированного корунда методом Вернейля

2.3. Регистрация поляризованных спектров поглощения.

2.4. Регистрация спектров отражения кристаллов легированного корунда

2.5. Обработка экспериментальных данных.

2.6. Воздействие различных видов излучений на кристаллы Al203:Ti4+,Ti3+,Fe3+.

2.7. Регистрация спектров поглощения при различных температурах.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИМЕСНЫХ ЭКСИТОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ СПЕКТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ И ОТРАЖЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ АКТИВИРОВАННОГО САПФИРА.

3.1. Спектры поглощения кристаллов активированного сапфира с ионно-ковалентными примесными комплексами в видимой и УФ областях.

3.1.1. Неполяризованные спектры поглощения.

3.1.2. Поляризованные спектры поглощения кристаллов активированного сапфира в видимой области.

3.2. Сильные симметричные и асимметричные резонансы Фано в спектрах поглощения и отражения.

Двойной асимметричный резонанс.

3.2.1. Резонансы Фано в спектрах поглощения кристаллов активированного сапфира.

3.2.2. Резонансы Фано в спектрах отражения кристалла Al203:Ti4+,Ti3+,Fe3+.

3.3. Фотоиндуцированные резонансы Фано в спектрах поглощения. Условия зарядового преобразования.

3.3.1. Воздействие излучением He-Ne лазера.

3.3.2. Воздействие маломощным излучением с различными длинами волн.

3.4. Температурные зависимости коэффициента поглощения.

Выводы по главе 3.

ГЛАВА 4. УСТАНОВЛЕНИЕ СТРУКТУРЫ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ ПРИМЕСНЫХ КЛАСТЕРОВ НА ОСНОВЕ АНАЛИЗА

СПЕКТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КОРУНДОВ.

4.1. Моделирование структуры примесных комплексов в кристаллах А120з:Т14+,Ре3+ методом молекулярной динамики.

4.1.1. Квантово-химические расчеты структуры, уровней энергии и электронной плотности ТЮ2.

4.1.2. Квантово-химические расчеты структуры ионно-ковалентных комплексов 4РегОз-ТЮ2 и значения уровней энергии МО.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Основные закономерности формирования локализованных резонансов Фано в спектрах поглощения кристаллов активированного сапфира»

В настоящее время актуальной проблемой является поиск материалов для сверхплотной реверсивной оптической записи информации. Для этой цели наибольшее распространение получили материалы, в которых запись информации под действием пучка света происходит за счет фазового превращения "кристаллическая фаза - аморфное состояние" (термопластичные материалы), в результате изменения состояния центров окраски (фотохромные материалы) или изменения показателя преломления света (фоторефрактив-ные материалы). Однако каждая из этих групп материалов не свободна от ряда существенных недостатков. Так, в термопластичных материалах получает развитие термическая усталость, сопровождающаяся частичной полимеризацией пленки и ухудшением соотношения "сигнал-шум" при воспроизведении. Для фотохромных материалов характерно постоянное стирание информации как под действием считывающего луча, так и при тепловом воздействии. Фоторефрактивный эффект, используемый для голографической записи информации, является недостаточно сильным, а также весьма чувствительным к нагреванию.

Представляет интерес рассмотрение перспективных материалов для оптической записи информации, в которых также получает развитие фоторефрактивный эффект, однако масштабы его развития значительно усилены за счет действия дополнительного явления - резонансов Фано. К числу таких материалов, в частности, относятся системы, получаемые на основе легированного корунда.

Среди наиболее известных разновидностей легированного корунда можно выделить рубин и сапфир. Примесные добавки в кристаллах рубина и сапфира в виде Сг20з, Ре20з, Т^Оз и ТЮ2 обладают более выраженной кова-лентностыо связей, чем А120з, поскольку в отличие от корунда эти соединения в чистом виде являются полупроводниками с п- или р-проводимостью. Поэтому при достаточно высоких концентрациях примесных добавок в кристаллах корунда, который относится к широкозонным диэлектрикам, следует ожидать проявление перколяционного эффекта, то есть возникновения контактов между отдельными элементами примесной ультрамикрополосчатости и образования локальной структуры примесных зон в запрещенной зоне кристалла, что является одним из условий для возникновения резонансов Фано.

В высоколегированных кристаллах сапфира со специфическим видом примесных дефектов в виде молекулярных кластерных образований титанового феррита (такие объекты получили в научной литературе наименование "активированный сапфир") возникают локальные примесные зоны внутри зоны запрещенных состояний кристаллической матрицы вследствие зарядового преобразования 'П4+-»'П3+, а также косвенного сверхобменного взаимодействия ионов Ре3+.Т13+. Последний тип взаимодействия проявляется в виде ступеньки или провала в спектре поглощения в УФ и видимой областях. Примесные уровни ионов в этих локальных зонах обуславливают сильные резонансы Фано в спектрах поглощения в виде ступенек в УФ и видимой областях спектра. Обнаруженные явления не находят объяснения в широко применяемой теории кристаллического поля. Вероятнее всего, данные особенности обусловлены экситонной природой спектров поглощения с участием резонансов Фано и междузонными переходами в примесных кластерах. Однако это утверждение требует дополнительного исследования.

Цель работы заключалась в получении новых данных об электронном состоянии примесных комплексов на основе анализа спектров поглощения и отражения кристаллов активированного сапфира, создании физической модели примесных молекулярных кластеров титанового феррита и установлении закономерностей формирования резонансов Фано.

Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи исследования.

1. Вырастить монокристаллы А120з:Т1,Ре методом Вернейля в окислительной атмосфере печи и подготовить монокристаллические образцы с заданной кристаллографической ориентацией.

2. Разработать и создать приставки, совмещенные со спектрофотометром СФ-46, для получения спектров отражения и спектров поглощения при повышенных температурах (30.200 °С).

3. Установить закономерности формирования спектров поглощения и отражения кристаллов активированного сапфира.

4. Разработать методику расчета коэффициента поглощения света с учетом присутствия резонансов Фано в спектрах отражения. Определить условия формирования резонансов Фано и рассчитать параметры, характеризующие эти резонансы.

5. На основе квантово-химических расчетов методом молекулярных орбиталей установить структуру и энергетический спектр примесных кластеров в кристаллах активированного сапфира

6. Разработать физическую модель примесных кластеров в кристаллах активированного сапфира и установить возможности использования эффектов, получающих развитие в примесных кластерах при фотовоздействии, для реверсивной оптической записи информации.

Научная новизна работы

- В кристаллах активированного сапфира с симметричными резонан-сами Фано обнаружены примесные экситонные состояния с главным квантовым числом п = 1. С использованием разработанной методики расчета определены длины волн перехода на затравочные уровни резонансов Фано;

- Впервые установлено, что экситонные состояния магнитных поля-ронов в кристаллах активированного сапфира уверено регистрируются методами спектроскопии. Экспериментально показано, что примесные добавки в кристаллах А120з:Т14+,Т13+,Ре3+ образуют антиферромагнитные - ферромагнитные поляроны (АФМ-ФМ-поляроны). На основе анализа спектров поглощения и отражения в кристаллах разработана методика и проведена оценка соотношения АФМ-ФМ-поляронов в активированном сапфире. Установлены закономерности влияния внешнего излучения на концентрацию АФМ-ФМ-поляронов.

- В спектрах поглощения и отражения активированного сапфира выявлены новые эффекты, обусловленные межзонными переходами между подзонами различных типов для анионной и катионной подрешеток;

- С использованием квантово-химических расчетов установлена устойчивая структура ионно-ковалентных комплексов оксидов алюминия и металлов переходной группы в виде тригональных бипирамид с различными значениями эффективных зарядов ионов металлов и лигандов. Рассчитаны значения энергии молекулярных орбиталей всех комплексов. С применением теории молекулярных орбиталей дана интерпретация спектров поглощения активированного сапфира.

Практическая значимость работы

- Разработаны и изготовлены экспериментальные установки, совмещенные со спектрофотометром СФ-46, для регистрации спектров отражения и поглощения оптических кристаллов при повышенных температурах (30.200°С).

- Разработаны методики расчета длин волн перехода на затравочные уровни резонансов Фано и значений относительной концентрации антиферромагнитных и ферромагнитных поляронов, основанные на использовании характеристик спектров поглощения или отражения кристаллов активированного сапфира.

- На основании полученных данных выявлены достоинства и недостатки кристаллов А120з:Т14+'Т13+,Ре3+ для использования в качестве материала для реверсивной сверхплотной оптической записи информации.

Основные положения, выносимые автором на защиту

1. При определенных условиях выращивания комплексообразование в кристаллах активированного сапфира проходит с образованием кластеров в виде антиферромагнитных - ферромагнитных поляронов. Примесные проводящие структуры (АФМ-ФМ-поляроны) возникают в результате зарядовых преобразований Т14+-»ГП3+ в поле внутренних механических напряжений, обусловленных поворотом комплексов РегОз по отношению к направлению поворотной оси симметрии 3-го порядка, и косвенных обменных взаимодействий гП3+.Ре3+.

2. При концентрации примесных добавок БегОз и ТЮг более 0,6 мае. % соответственно в области примесной микрополосчатости кристаллов магнитные поляроны с ферро- и антиферромагнитным взаимодействием образуют единую зону примесных состояний.

3. На спектрах поглощения и отражения выявлен ряд эффектов, обусловленных электронными переходами в ионно-ковалентных комплексах кристаллов активированного сапфира:

- широкая ступенька в области 200.300 нм характеризует переходы из валентной подзоны примесных состояний анионной подрешетки;

- широкая полоса в области 560 нм связана с примесным межзонным переходом, причем уровни 560 нм Тл3"1" и Ре3+ являются затравочными для формирования зоны;

- резонанс в области 480 нм является двойным асимметричным резонансом, в формировании которого принимают участие ионы Т13+ и Ре3+ с магнитным взаимодействием примесных уровней молекулярных орбиталей комплекса;

- изменение симметричного резонанса Фано в области 620 нм обусловлено экситонным характером перехода с главным квантовым числом п = 1.

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертационной работы были доложены и обсуждены на следующих конференциях: X Международная конференция «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах» (Тула,

2001); Всероссийская научно-техническая конференция «Информационные технологии и модели в научных исследованиях, автоматизированном проектировании и производстве» (Тула, 2002); Первая международная электронная научно-техническая конференция «Технологическая системотехника» (Тула,

2002); Международная конференция «Физика электронных материалов» (Калуга, 2002); X Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2002»

Москва, 2002); V международная конференция «Рост монокристаллов и теп-ломассоперенос» (Обнинск, ГНЦ РФ ФЭИ, 2003); Вторая Международная конференция по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века» (Москва, МИСиС, 2003); научно-практическая конференция молодых ученых и специалистов центра России (Тула, 2003); VI Международная конференция «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, ВНИИСИМС, 2003); Первая Всероссийская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Идеи молодых - новой России» (Тула, 2004); 11 Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2004» (Москва, 2004).

Результаты работы экспонировались на следующих выставках: IV-VIII региональные молодежные научные и инженерные выставки "Шаг в будущее - Центр России" (Липецк, 2002 - 2005 гг); Международная выставка «Опти-ка-2005» (Москва, 2005).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 22 научные работы.

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и выводов по работе. Содержание работы изложено на 160 страницах машинописного текста, включающего 9 таблиц, 59 рисунков и библиографический список из 93 наименований

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Дикова, Евгения Евгеньевна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

В работе проведено исследование молекулярных кластеров титанового феррита методами оптической спектроскопии и установление основных закономерностей формирования резонансов Фано. Достижение основной цели работы потребовало решения комплекса задач. В их числе - создание установок для получения спектров отражения и высокотемпературных спектров поглощения, разработка методики для проведения расчета длин волн перехода на затравочные уровни резонансов Фано, разработка методики для оценки соотношения АФМ-ФМ-поляронов в кристаллах активированного сапфира, проведение квантово-химических расчетов примесных комплексов в равновесном состоянии. Получены новые данные об условиях формирования фо-тоиндуцированных резонансов Фано. Создана физическая модель примесно-молекулярных комплексов в кристаллах активированного сапфира.

По работе сделаны следующие выводы:

1. В спектрах поглощения кристаллов АЬОз:Т14+,Т13+,Ре3+ обнаружены широкие интенсивные полосы поглощения в видимой и УФ-областях. Широкая ступенька в области 200.300 нм характеризует переходы из валентной подзоны примесных состояний анионной подрешетки. Широкая полоса в области 560 нм связана с примесным межзонным переходом, причем уровни 560 нм ТЧ и Ре являются затравочными для формирования зоны.

2. В спектрах поглощения и отражения кристаллов активированного сапфира обнаружены сильные симметричные и асимметричные резонансы Фано. Резонанс в области 480 нм является двойным асимметричным резонансом, в формировании которого принимают участие ионы Т13+ и Ре3+ с магнитным взаимодействием примесных уровней молекулярных орбиталей комплекса. Изменение симметричного резонанса Фано в области 620 нм обусловлено экситонным характером перехода с главным квантовым числом 71=1.

3. В спектрах поглощения кристаллов А120з: Ti4+,Ti3+,Fe3+ обнаружено существенное изменение вида резонанса Фано с течением времени выдержки. Максимумы резонанса Фано переходят в минимумы и наоборот, что свидетельствует об изменениях электронного состояния примесных комплексов вследствие структурной перестройки дефектов. Причиной сильного резонанса является определенная структура дефектов в кристалле, связанная с наличием примесно - молекулярных комплексов.

4. В спектрах поглощения отожженных кристаллов активированного сапфира в области между резонансами Фано обнаружена периодическая структура, характерная для резонансов Брейта-Вигнера. Это указывает на возникновение проводящей примесной фазы РегОз-ТЮг с ферромагнитным взаимодействием ионов Fe3+ и Ti3+, разделенных атомами лигандов. Ферромагнитное состояние примесной фазы в данном случае возникает не за счет обычного физического механизма ферромагнитного взаимодействия, а с помощью электронов, которые могут перемещаться от узла к узлу в соответствии с моделью двойного электронного обмена.

5. Установлено, что вид сильных резонансов Фано существенно зависит от характера магнитных взаимодействий ионов Fe3+ и Ti3+. Обнаружено преобразование асимметричного антирезонанса у 480 нм при ферромагнитном взаимодействии в асимметричный резонанс, соответствующий антиферромагнитному взаимодействию ионов, причем примесные комплексы образуют ферро- и антиферромагнитные поляроны.

6. Показана возможность управления фазовыми преобразованиями маломощными световыми потоками в видимой и УФ части спектра. Установлено, что даже при использовании источника малой мощности происходит существенное изменение коэффициента поглощения.

7. Проведены квантово-химичеекие расчеты примесных комплексов в кристаллах легированного корунда в свободном состоянии. Показана неприменимость теории кристаллического поля для интерпретации спектроскопических и других результатов по кристаллам активированного сапфира.

8. Установлена устойчивая структура ионно-ковалентных комплексов оксидов алюминия и металлов переходной группы в виде тригональных би-пирамид с различными значениями эффективных зарядов ионов металлов и лигандов, существенно отличающихся от целых значений +3е (Ме) и -2е (О).

9. Обнаружено внутрикомплексное перераспределение электронной плотности в Ре20з-ТЮ2 и образование комплексов с переносом заряда. Рассчитаны значения энергии МО всех комплексов. Установлено, что наиболее интенсивные полосы в спектрах поглощения обусловлены переходами между связывающими и несвязывающими МО комплексов с сильным переносом заряда лиганд (О) -» металл (Ре, "Л и др.). Показано, что ионы титана в комплексах легко изменяют свое зарядовое состояние в зависимости от окружения без изменения валентного состояния, что обусловлено переходами.

10. Получены зависимости коэффициента поглощения кристаллов активированного сапфира от температуры. Установлено, что коэффициент поглощения практически не меняется в интервале температур 20.180°С, что указывает на преимущества активированного сапфира при возможном использовании в качестве материала для реверсивной сверхплотной оптической записи информации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Дикова, Евгения Евгеньевна, 2006 год

1. Платонов А.Н., Таран М.Н., Балицкий B.C. Природа окраски самоцветов.- М.: Недра, 1984.- 196 с.

2. Марфунин A.C. Введение в физику минералов.- М.: Недра, 1974.324 с.

3. Вонсовский C.B., Грум-Гржимайло C.B., Черепанов В.И. Теория кристаллического поля и оптические спектры примесных ионов с незаполненной d-оболочкой //М., «Наука», 1969. 183 с.

4. Свиридов Д.Т., Свиридова Р.К., Смирнов Ю.Ф. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. М., Наука, 1976.

5. Степанов Н. Ф. Квантовая механика и квантовая химия.- М.: Мир, 2001.-519 с.

6. Balehausen C.J., Yray H.B. Molecular Orbital Theory // New York, Benjamin, 1964. 265 p.

7. Бальхаузен К. Введение в теорию поля лигандов // М., «Мир», 1964. 320 с.

8. Берсукер И.Б. Расчеты электронного строения и спектров комплексов переходных металлов и примесных центров в кристаллах /Спектроскопия кристаллов. JL: Наука, 1973. - С. 15-30.

9. Левин Д.М., Герасимов В.П., Гусейнов Ф.Х. Особенности спектров поглощения ионов титана и железа в кристаллах Al203:Ti,Fe // Журн. прикл. спектроскоп. 2001. - Т. 68, №3. - С. 371 - 379.

10. Калитеевский Н.И. Волновая оптика. М.: Высшая школа, 1995.464 с.

11. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. 789 с.

12. Константинова А.Ф., Гречушников Б.В., Бокуть Б.В., Валяшко Е.Г. Оптические свойства кристаллов. Минск: Наука и техника, 1995. - 143 с.

13. Михнов С.А., Усков В.А. Абсорбционно-люминисцентные спектры лейкосапфира, облученного нейтронами // Журн. прикл. спектроскоп. 1985. -Т. 42, №6.-С. 940-944.

14. Данчевская М.Н., Ивакин Ю.Д., Овчинникова О.Г. Особенности физико-химических свойств корунда, легированного хромом в суперкритических условиях // Вестник Моск. Ун-та. Сер. 2. Химия. 2003. - Т. 44, № 5. - С. 287-294.

15. Костин H.H., Ходовой В.А., Хромов В.В. Выжигание провала в спектре поглощения молекулярного рубидия гигантским импульсом излучения рубинового лазера // Известия Академии Наук СССР. Серия физическая.- 1973. Т. 37, № 10. - С. 2089 - 2092.

16. Добровинская Е.Р., Литвинов J1.A, Пищик В.В. Связь структурного совершенства с механизмами роста монокристаллов корунда, выращенных различными методами // Известия Академии Наук СССР. Серия физическая.- 1983. Т. 47, № 2. - С. 322 - 323.

17. Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Пищик В.В., Цайгер A.M. О различном характере релаксации напряжений в монокристаллах корунда // Кристаллография. 1977. - Т. 22, Вып. 4. - С. 879 - 890.

18. Кулагин H.A., Зайцева Ю.В., Бессонова Т.С., Подус Л.П. Об электронном состоянии ионов хрома в рубине // Кристаллография. 1984. - Т. 29. -С. 749-752.

19. Квятковский С.Ф., Коневский B.C., Кривоносое Е.В., Литвинов Л.А. Термостимулированная люминисценция и поглощение а-А120з:Т1 // Журн. прикл. спектроскоп. 1989. - Т. 51, № 1. - С. 90-94.

20. Коневский B.C., Кривоносое Е.В., Литвинов Л.А., Шахнович М.И. Оптическое поглощение тикора // Журн. прикл. спектроскоп. 1989. - Т. 50, №4.-С. 651 -654.

21. Арутюнян В.В., Бабаян А.К., Вельский А.Н., Геворкян В.А., Махов

22. B.Н., Мартиросян У.М. Люминесценция центров окраски в монокристаллах а-А1203 // Журн. прикл. спектроскоп. 1995. - Т. 62, № 3. - С. 218-221.

23. Токарев А.Г., Мартынович Е.Ф. Зилов С.А. Перестраиваемое лазерное излучение, нелинейное поглощение и «Антистоксова» люминесценция центров окраски в а-АЬОз // Известия ВУЗов. Физика. 1987. - Т. 30, № 10.1. C. 41-46.

24. Багдасаров Х.С. Гречушников Б.Н., Качалов О.В., Маркабаев А.К., Федоров Е.А. Оптические свойства синтетического лейкосапфира // Кристаллография. 1985. - Т. 30, Вып. 3. - С. 605 - 607.

25. Данилейко Ю.К., Минаев Ю.П., Сидорин A.B. Сегрегация ваканси-онно-примесных дефектов в сапфире // Кристаллография. 1985. - Т. 30, Вып. 5.-С. 950-953.

26. Багдасаров Х.С., Карягин В.Ф., Кеворков A.M., Свиридов Д.Т., Ую-кин Е.М. Исследование состояний валентности ионов титана в кристаллах корунда // Кристаллография. 1994. - Т. 39, № 4. - С. 656 - 658.

27. Несмелов Ю.Е., Соловаров Н.К. Спектры поглощения рубина при формировании фотоиндуцированной электрической доменной структуры // Неорганические материалы. 1997. - Т. 33, № 1. - С. 49 - 51.

28. Бессонова Т.С., Станиславский М.П., Хаимов-Мальков В.Я. Влияние термических обработок и облучения на спектры поглощения Ti- и Si-корунда // Оптика и спектр. 1976. - Т. 41, № 1. - С. 152- 154.

29. Горбань И.С., Кондратенко П.А., Андышула H.A. Термолюминесценция кристаллов корунда // Украинский физический журнал. 1971. - Т. 16, № 12.-С. 2043 -2047.

30. Каплянский A.A., Кулинкин А.Б., Куценко А.Б., Феофилов С.П., За-харченя Р.И., Василевская Т.Н. Оптические спектры трехзарядных редкоземельных ионов в поликристаллическом корунде // ФТТ. 1998. - Т. 42, № 8. -С.1442 - 1449.

31. Кулинкин А.Б., Феофилов С.П., Захарченя Р.И. Люминесценция примесных 3d- и 4/- ионов в различных кристаллических формах А120з // ФТТ. 2000. - Т. 42, Вып. 5. - С. 835 - 838.

32. Вайнштейн И.А., Кортов B.C. Температурное поведение полосы 6.05 eV в спектрах оптического поглощения кислород-дефицитного корунда // ФТТ. 2000. - Т. 42, № 7. с. 1223 -1229.

33. Соболев В.В., Смирнов C.B., Соболев В.Вал. Вероятность оптических переходов в кристаллах А120з в области 9-30 eV // ФТТ. 2001. - Т. 43, №11.-С. 1980- 1983.

34. Намозов Б.Р., Мюрк В.В., Захарченя Р.И., Коробков М.П. Электронные возбуждения примеси Sc3+ в кристаллах а-А1203 // ФТТ. 1998. - Т. 40, №2.-С. 337-339.

35. Абрамов В.Н., Карин М.Г., Кузнецов А.И., Сидорин К.К. Электронная энергетическая структура и оптические свойства А120з // ФТТ. 1979. -Т. 21, № 1.-С. 80-83.

36. Арутюнян В.В., Бабаян А.К., Геворкян В.А. Исследование природы образования центров окраски в корунде по спектрам отражения и применением синхротронного излучения // ФТТ. 1995. - Т.37, № 2. - С. 443 - 447.

37. Tomiki Т., Ganaba Y., Shficenbaru T. et al. Anisotropic Optical Spectra of а-АЬОз Single Crystals in the Vacuum Ultraviolet Region. I. Spectra of Absorption Tail and Reflectivity // J. Phys. Soc. Japan. 1993. - V. 62. - P. 573.

38. French R.H., Jones D.J., Loughin S.J. Interband Electronic Structure of a-Alumina up to 2167 К// J. Amer. Ceramic Soc. 1994. - V. 77. - P. 412 - 423.

39. Вильке K.T. Выращивание кристаллов / Под ред. Т.Г. Петрова и 10.0. Лунина.- Л.: Недра, 1977. 334 с.

40. Лысаков B.C. Об экситонах в кристаллическом кварце // Вестник ОГУ. -2003. № 1.-С. 37-40.

41. Гросс Е.Ф. Спектры возбуждения экситонов в кристаллической решетке // УФН. 1957. - Т. 63, № 3. - С. 575 - 581.

42. Гросс Е.Ф. Экситон и его движение в кристаллической решетке // УФН. 1962. - Т. 76, № 3. - С. 433 - 466.

43. Намозов Б.Р., Мюрк В.В., Захарченя Р.И., Коробков М.П. Элекл Iтронные возбуждения примеси Sc в кристаллах а-А1203//ФТТ. 1998. - Т. 40,№2.-С.337-339.

44. Фейнман Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике. Т. 8(1).- М.: Мир, 1966.-361 с.

45. Александров Е.Б. Оптические проявления интерференции невырожденных атомных состояний // УФН. 1972. - Т. 107. - С. 595.

46. Александров Е.Б., Калитиевский Н.И., Чайка М.П. Спектроскопия сверхвысокого разрешения на основе интерференционных состояний // УФН. 1979.-Т. 129, № 1.-С. 155 - 165.

47. Fano U. Effects of Configuration Interaction and Phase Shifts // Physical Review. 1961. - V. 124, № 6. - P. 1866 - 1878.

48. Перлин Е.Ю. Тройной оптический резонанс в кристаллах // Оптика и спектр. 1976. - Т. 41, № 2. - С. 263 - 270.

49. Рассеяние света в твердых телах / Под редакцией М. Кардоны. М.: Мир, 1979. - 392 с.

50. Fang Т.К. and Chang T.N. Determination of profile parameters of resonance without an ultrahigh-energy resolution // Physical Review. 1998. - V. 57, №4. .p. 4407-4412.

51. Domke М., Schulz К., Remmers G., Kaindl G., and Wintgen D. Highresolution study of 'P° double-excitation states in helium // Phys. Rev. 1996. - V. A 53.-P. 1424- 1430.

52. Schulz K., Kaindl G., Domke M., Bozek J. D., Heimann P. A., Schlachter A. S., Rost J. M. Observation of New Rydberg Series and Resonances in Doubly Excited Helium at Ultrahigh Resolution // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. -P. 3086 - 3090.

53. Косевич A.M., Тутов A.B. Квазилокализованные поверхностные волны у плоского дефекта // ФНТ. 1993. - Т. 19, № 11. - С. 1273 - 1276.

54. Косевич A.M., Мацокин Д.В., Савотченко С.Е. Поверхностные и квазиповерхностные фононы и волны трансформации в гексагональных кристаллах // ФНТ. 1998. - Т. 24, № 10. - С. 992 - 1002.

55. Ким Ч.С., Сатанин A.M. Дискретные уровни в континууме и тунне-лирование // Теоретическая и математическая физика. 1999. - Т. 120, № 1. -С. 116-129.

56. Ким Ч.С., Сатанин A.M., Штенберг В.Б. Резонансное туннелирова-ние и нелинейный ток в гетеробарьерах со сложным законом дисперсии носителей // Физика и техника полупроводников. 2002. - Т. 36, Вып. 5. - С. 569 -575.

57. Kim C.S., Satanin A.M. Collapse of resonance in quasi-on-dimensional quantum channels // Journal of exsperimental and theoretical physics. 1999. - V. 89, № l.-P. 144- 145.

58. Валиев К.А., Кокин A.A. Квантовые компьютеры: надежды и реальность. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. - 352 с.

59. Носов Н.Р. Оптоэлектроника. М.: Советское радио, 1977. - 232 с.

60. Блистанов A.A. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики.- Учебное пособие для вузов.- М.: МИСИС, 2000. 432 с.

61. Педько Б.Б., Лебедев Э.В., Кислова И.Л., Волк Т.Р. Новые эффекты долговременной информации в кристаллах 1л№>Оз // ФТТ. 1998. -Т. 40, Вып. 2. - С. 337 - 339.

62. Мясников Э.Н., Толстоусов C.B., Фроленков K.IO. Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках Bao.ssSro.isTiOs на кремниевой основе // ФТТ.2004. Т. 46, Вып. 12. - С. 2193 - 2199.

63. Герасимов В.П., Дикова Е.Е., Левин Д.М., Шамаев A.M. Исследование фазовых преобразований в гетерофазных кристаллах // Известия Тульского государственного университета. Серия Физика. Вып. 5. Тула: ТулГУ,2005.-С. 65-70.

64. Лодиз Р. Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974 - 540 с.

65. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация М.: Издательство технико-теоретической литературы, 1953.-411 с.

66. Попов Г.М., Шафрановский И.И. Кристаллография. Учебник для студентов геологических специальностей высших учебных заведений М.: Высшая школа, 1972. - 352 с.

67. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1984.375 с.

68. Левин Д.М., Герасимов В.П., Гусейнов Ф.Х. Изучение степени совершенства кристаллов a-Al203:Ti, Fe, полученных методом Вернейля // Известия Тульского гос. университета. Серия Физика. Вып. 2. Тула: ТулГУ, 1999. - С. 197-204.

69. Спектрфотометр СФ-46. Описание прибора. СПб, изд. ЛОМО, 1993.-35 с.

70. Смирнова Г.Ф. Зонная структура твердых растворов GaP-InAs // Физика и техника полупроводников. 1977. - Т. 11. - С. 1550 - 1554.

71. Батарунас И.В., Дагис Р.С. Теоретическое исследование электронной структуры примесных ионов переходных и редкоземельных элементов / Спектроскопия кристаллов / Под ред. Каминского А.А., Моргенштерна 3.JL, Свиридова Д.Л. М.: Наука, 1975. - С. 7 - 12.

72. Birman J.L. Some Selection Rules for Band-Band Transitions in Wurtz-ite Structure // Physical Review. 1959. - V. 114. - P. 1491.

73. Birman J.L. Method for Zincblende, Wurtzite, and Mixed Crystal Structures // Physical Review. 1960. - V. 115. - P. 1493.

74. Hopfield J.J. and Thomas D.G. Exiton Spectrum of Cadmium Sulfide // Physical Review. 1959. - V. 116. -P. 573 - 582.

75. Меркулов И.А. Немагнитный (антиферромагнитный) полярон // ФТТ. 2000. - Т. 42, Вып. 1. - С. 126 - 132.

76. Герасимов В.П., Дикова Е.Е., Левин Д.М. Особенности резонансов Фано в спектрах поглощения кристаллов Al203:Ti4+,Fe3+ с примесно-молекулярными комплексами // Известия ТулГУ. Серия Физика. Вып. 4. -Тула: ТулГУ, 2004. С. 39 - 44.

77. Днепровский B.C., Жуков Е.А., Маркова Н.Ю, Муляров Е.А., Чер-ноуцан К.А., Шалыгина О.А. Оптические свойства экситонов в квантовых нитях // ФТТ. 2000. - Т. 6, N 8. - С. 88 - 92.

78. Днепровский B.C., Экситоны перестают быть квазичастицами // Со-росовский образовательный журнал. 2000. - Т. 6, N 8. - С. 88 - 92.

79. Солин Н.И., Машкауцан В.В., Королев А.В., Ложкарева Н.Н., Пин-сард Л. Магнитные поляроны, кластеры и их влияние на электрические свойства слаболегированных манганитов лантана // Письма в ЖЭТФ. 2003. - Т. 77, вып. 5.-С. 275-280.

80. Завт Г.С., Кристфель Н.Н. Об особенностях формы оптических полос для переходов с локальных уровней зону // Спектроскопия кристаллов. Сб. научн. трудов. Л.: Наука, 1973. - С. 135 - 138.

81. Бессонова T.C., Станиславский М.П. Центры окраски в легированных кристаллах корунда. ФТИ АН УССР. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. Вып. 1, Харьков, 1974, С. 74-80.

82. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. JL, «Химия», 1991.-432 с.

83. Изюмов Ю.А., Скрябин Ю.Н. Модель двойного обмена и уникальные свойства манганитов // УФН. 2001. - Т. 171, № 2. - С. 121 - 148.

84. Каган М.Ю., Кугель К.И. Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах//УФН. -2001. Т. 171, № 6. - С. 577 - 596.

85. Куркин Н.Н., Несмелое Ю.И., Соловаров Н.К. Спектральная зависимость создания и стирания электрической структуры в рубине при нелазерном облучении. Проводимость доменов рубина // ФТТ. 1997. Т. 39, № 2. -С. 295 - 301.

86. Ortega J., Rheinboldt W. Iterative solution of nonlinear equation in several variables. New York, Academic Press, 1970. - 572 p.

87. McCalla W. Fundamentals of computer-aided circuit simulatioin. Berlin, Kluwrer Academic Publisher, 1988. - 175 p.

88. Domke M., Remmers G., and Kaindl G. Observation of the (2p,nd)1P° double-excitation Rydberg series of helium // Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 69. - P. 1171.