Фото- и магнитоиндуцированные эффекты в полумагнитных полупроводниках и квантоворазмерных структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Кусраев, Юрий Георгиевич

• Кусраев, Юрий Георгиевич
• доктор физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Кусраев, Юрий Георгиевич

Введение.

I. Спиновые взаимодействия и магнитооптические явления в полумагнитных полупроводниках и квантовых ямах (обзор литературы).

1.1. Параметры кристаллической и зонной структуры Cdi.xMnxTe.

1.2. Структура уровней марганца в кристаллах А11!^.

1.3. Гигантское спиновое расщепление в ПМП.

1.4. Переход парамагнетик - спиновое стекло.

1.5. Магнитополяронный эффект в ПМП.

1.6. Спиновые эффекты в полумагнитных наноструктурах.

1.7. Явления переноса в ПМП.

1.8. Другие полумагнитные системы.

1.9. Практические применения полумагнитных полупроводников.

П. Методика эксперимента.

11.1. Объект исследования.

11.2. Экспериментальная установка для магнитооптическх исследований.

Ш. Магнитоиндуцированная поляризация люминесценции Cdj хМпхТе.

III. 1. Преимущества метода поляризованной люминесценции.

111.2. Поляризация ФЛ в геометрии Фарадея. Концентрационная зависимость.

111.3. Температурная зависимость поляризации. Оптическая регистрация фазового перехода парамагнетик - спиновое стекло.

111.4. Линейная поляризация ФЛ в геометрии Фойгта.

III. 5. Теоретический анализ моделей.

III.6. Эффекты кубической анизотропии в твердых растворах CdMnTe.

111.6.1. Обсуждение результатов.

111.6.2. Модель сильной анизотропии.

IV. Оптические проявления спиновых свойств CdMnTe.

IV. 1. Люминесценция CdMnTe при селективном фотовозбуждении.

Энергия магнитного полярона и порог подвижности экситонов.

IV.2. Оптическая регистрация замороженного поля в спиновых стеклах CdMnTe.Ill

IV. 3. Влияние немагнитного потенциала локализации на энергию полярона.

IV.4. Оптически индуцированная поляризация люминесценции.

Спектры возбуждения поляризованной ФЛ.

IV. 5. Скрытая магнитная анизотропия. Правила отбора.

IV.6. Особенности спиновой релаксации локализованных экситонов в условиях гигантского спинового расщепления.

IV.7. Спектры излучения полумагнитных полупроводников при релаксации экситона на флуктуациях локальной намагниченности.

V. Оптическая ориентация экситонов в квантовых ямах CdTe/CdMnTe.

V.l. Экситонная люминесценция двойных квантовых ям CdTe/CdMnTe.

V.2. Оптическая ориентация экситонов. Условия наблюдения.

V.3. Эффект Ханле.

V.4. Оптическая ориентация экситонов в условиях комбинационного рассеяния.

V.5. Аномальный эффект Ханле в полумагнитных квантовых ямах.

VI. Анизотропия спиновой структуры валентной зоны в квантовых ямах (001)-CdTe/CdMnTe.

VI. 1. Введение.

У1.2. Анизотропия магнитоиндуцированной линейной поляризации в квантовых ямах.

У1.2.1. Поляризация люминесценции в отсутствие маагнитного поля.

У1.2.2. Поляризация излучения из барьеров.

VI. 3. Симметрийный анализ результатов и сравнение с экспериментом.

У1.4. Квантовомеханический расчет степени линейной поляризации.

Латеральная анизотропия ^-фактора тяжелой дырки в квантовой яме.

У1.4.1. Расчет линейной поляризации в отсутствие магнитного поля.

VI. 5. Анизотропный магнитный полярон в квантовой яме.

VI. 6. Обсуждение результатов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фото- и магнитоиндуцированные эффекты в полумагнитных полупроводниках и квантоворазмерных структурах»

Актуальность темы. К полумагнитным полупроводникам относят такие полупроводниковые соединения, в которых часть катионных позиций в кристаллической решетке занята магнитными ионами, т. е. ионами, обладающими собственным магнитным моментом. Распространены и другие наименования рассматриваемого класса полупроводниковых материалов - магнитосмешанные полупроводники или, в буквальном переводе с английского, разбавленные магнитные полупроводники (diluted magnetic semiconductors). Последнее название представляется нам наиболее удачным, однако в настоящей работе мы будем пользоваться укоренившимся в русскоязычной литературе термином полумагнитные полупроводники (ПМП). Типичными представителями этого класса материалов являются твердые растворы типа Ani.xMexBVI, где A=Zn, Cd, Mg, .; B=S, Se, Те; Me=Mn, Fe, Co, Cr и т.п. Внутри этой группы ПМП сильно различаются по ширине запрещенной зоны - от бесщелевых полупроводников в системе Hgi.xMnxTe до широкозонных материалов типа Zri!xMnxSe. Синтез таких соединений стал возможным благодаря хорошей растворимости атомов переходных металлов в полупроводниковой матрице AnBVI.

Специфичность ПМП в ряду полупроводниковых твердых растворов заключается в разнообразии происходящих в них спиновых взаимодействий, причем последние имеют ярко выраженные макроскопические проявления. Весь этот комплекс спиновых взаимодействий обязан наличию в кристаллической решетке ионов переходных металлов, обладающих собственным магнитным моментом. Взаимодействие таких "встроенных" в решетку локализованных спиновых моментов (JICM) между собой, с зонными носителями заряда и экситонами порождает многообразие явлений, в частности гигантские спиновое расщепление зонных состояний и фарадеевское вращение плоскости поляризации света, гигантское отрицательное магнитосопротивление (в узкозонных и бесщелевых ПМП) и индуцируемый магнитным полем переход металл - изолятор, образование магнитных кластеров и различные формы спинового упорядочения, магнитополяронный эффект [42, 52].

Ионы марганца и некоторых других переходных металлов, внедренные в матрицу А^^ даже в значительном количестве, не оказывают заметного влияния на качество кристаллической решетки; кроме того, они электрически нейтральны и не образуют ни акцепторных, ни донорных уровней. Особая привлекательность этих материалов заключается в возможности варьировать в широких пределах магнитные свойства. В зависимости от концентрации магнитной компоненты ПМП могут проявлять свойства, обусловленные изолированными магнитными ионами, изолированными магнитными кластерами, фазой спинового стекла и антиферромагнитной фазой. В некоторых случаях все эти фазы могут быть реализованы в одной системе (как например в CdixMnxTe).

Во всех этих явлениях важную роль играет непременный атрибут ПМП - структурный беспорядок. Хаотическое распределение магнитных ионов по катионной подрешетке ПМП при относительно большом среднем расстоянии между ними исключает высокосимметричные формы спинового упорядочения, характерные для собственно магнитных полупроводников - предшественников ПМП, но порождает другие формы упорядочения, а также обусловливает иное, чем в магнитных полупроводниках [243], протекание многих явлений. С беспорядком в расположении магнитных ионов связан переход в фазу спинового стекла. По сравнению с классическими спиновыми стеклами -металлами [127] в ПМП реализуются иные механизмы спиновых взаимодействий. Физическая картина фазового перехода в ПМП, а также влияние размерности на фазовый переход до конца не выяснены. Эти проблемы представляют большой научный интерес и требуют разработки новых методов исследования.

В плане изучения электронных свойств и практических применений ПМП обладают определенными достоинствами по сравнению с магнитными полупроводниками. Зонная структура большинства ПМП относительно проста и надежно установлена. Кроме того, высокая подвижность электронов (особенно в узкозонных кристаллах), на много порядков превышающая подвижности в традиционных магнитных полупроводниках, высокий квантовый выход люминесценции, относительно высокое структурное совершенство позволяют применять к ним современные методы исследования твердых тел.

Благодаря возможности управления шириной запрещенной зоны и параметрами решетки соединения Ani.xMexBVI являются хорошими исходными материалами для создания на их основе низкоразмерных структур с квантовыми ямами, сверхрешеток, а также различных оптоэлектронных устройств. Достигнутые в последние годы успехи

А Птч VI молекулярно-лучевои эпитаксии полупроводников А В позволили получить качественные гетеропереходы и структуры пониженной размерности с полумагнитными слоями. В самое последнее время методами самоорганизации были получены полумагнитные квантовые точки [173]. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии позволил также получить ПМП на основе соединений АШВУ с марганцем [123]. Поэтому актуальной проблемой является исследование свойств подобных структур и лежащих в Pix основе спиновых взаимодействий средствами оптической спектроскопии. Важно отметить, что ПМП выращиваются на основе традиционных полупроводников - это позволяет легко интегрировать эти материалы в современную оптоэлектронику.

Таким образом, можно констатировать, что в результате исследований ПМП сформировалось новое направление физики твердого тела, находящееся на стыке физики полупроводников, магнетизма и физики неупорядоченных систем.

Целью настоящей работы является всестороннее исследование фото- и магнитоиндуцированных явлений в ПМП и квантоворазмерных структурах, изучение взаимосвязи их магнитных и оптических свойств. Это исследование включает изучение: (а) возможностей управления намагниченностью кристалла с помощью света и магнитного поля; (б) оптических проявлений магнитных свойств, в том числе спин-стекольных свойств ПМП, оптической ориентации спинов носителей в ПМП и квантовых ямах на основе ПМП; (в) механизмов, ответственных за появление в магнитном поле линейной и циркулярной поляризации излучения в объемных кристаллах и в квантовых ямах; (г) эффектов магнитооптической анизотропии. Особый интерес представляет вопрос о влиянии фазового перехода парамагнетик - спиновое стекло на свойства магнитного полярона.

В качестве модельных объектов для исследований были выбраны твердые растворы СсЦ.хМпхТе с хорошо изученной кристаллической и зонной структурой и квантово-размерные структуры типа СёТе/Сё1хМпхТе.

В настоящей работе мы использовали метод поляризованной люминесценции и, в частности, метод оптической ориентации электронных спинов [247]. Соответствующие эксперименты основаны на известной связи между ориентацией электронных спинов и поляризацией испускаемых и поглощаемых квантов света. Высокочувствительный метод поляризованной люминесценции успешно решает проблему, связанную с малым количеством вещества в наноструктурах. Также были применены метод селективного возбуждения локализованных состояний и комбинационное рассеяние света. При анализе экспериментальных результатов использованы теория симметрии и метод эффективного спина с анизотропным ¿--фактором.

Научная новизна работы определяется перечисленными ниже новыми результатами.

Впервые исследованы магнитоиндуцированная циркулярная и линейная поляризация люминесценции твердых растворов в широком диапазоне концентраций марганца (х=0 -0.5). Установлены механизмы, лимитирующие (гигантскую) величину степени поляризации рекомбинационного излучения.

Обнаружена сильная кубическая анизотропия в кристаллах СсЬ-хМпхТе, указывающая на существование анизотропных спиновых корреляций в системе магнитных ионов.

Впервые предложен метод регистрации фазового перехода парамагнетик - спиновое стекло по поляризации люминесценции локализованных экситонов. Осуществлена оптическая регистрация локальных внутренних полей в спиновых стеклах.

Обнаружена оптическая ориентация экситонов в квантовых ямах с полумагнитными слоями и исследована деполяризация носителей во внешнем магнитном поле.

Обнаружена инверсия знака эффекта Ханле в полумагнитных квантовых ямах.

Обнаружена и исследована латеральная анизотропия магнитоиндуцированной линейной поляризации излучения в квантовых ямах.

Продемонстрированы возможности спектроскопии поляризованной люминесценции для изучения новых явлений в ПМП и низкоразмерных структурах. Показано, что магнитоиндуцированная линейная поляризация обладает исключительно высокой чувствительностью к искажениям симметрии квантовых ям.

Научная и практическая значимость работы состоит в получении новой информации о полумагнитных полупроводниках и квантоворазмерных структурах, о связи их магнитооптических свойств с различными аспектами присущего этим системам структурного и магнитного беспорядка. Полученные результаты отражают общие закономерности, присущие полумагнитным полупроводникам и квантово-размерным структурам на их основе. Некоторые результаты и выводы не ограничиваются полумагнитными системами и могут быть также использованы при исследовании немагнитных систем. Это, в частности, относится к результатам по анизотропии магнитоиндуцированной линейной поляризации излучения.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. В условиях селективного оптического возбуждения экситонов имеется некоторая пороговая энергия локализации, ниже которой прекращается миграция экситонов. Эта энергия соответствует порогу подвижности экситонов и регистрируется экспериментально по зависимостям поляризации излучения и спектрального сдвига линии люминесценции от энергии возбуждающих квантов.

2. Поляризация экситонной люминесценции твердых растворов Сс11.хМпхТе в магнитном поле определяется угловым распределением магнитных моментов поляронов: в зависимости от концентрации марганца это распределение задается либо конкуренцией между ориентирующим действием магнитного поля и тепловым беспорядком (малые концентрации), либо пространственными флуктуациями намагниченности (большие концентрации).

3. Благодаря локальной анизотропии магнитной восприимчивости (локальное понижение симметрии), вызванной анизотропными спиновыми корреляциями в системе магнитных ионов, в полумагнитных полупроводниках наблюдаются эффекты кубической анизотропии.

4. Поглощение поляризованного света в спиновых стеклах Сс11.хМпхТе из-за наличия флуктуаций намагниченности даже в отсутствие магнитного поля приводит к анизотропному угловому распределению магнитных моментов поляронов. В результате люминесценция оказывается линейно или циркулярно поляризованной - в зависимости от поляризации возбуждающего света. Спиновое стекло с хаотически направленными флуктуациями намагниченности представляет случай среды со скрытой анизотропией. Эта модель адекватно описывает круг явлений оптически индуцированной поляризации люминесценции, возникающих при селективном возбуждении локализованных экситонов в спиновых стеклах С<11.хМпхТе.

5. Температурные зависимости поляризации люминесценции, индуцируемой слабым магнитным полем, дают возможность оптически регистрировать фазовый переход парамагнетик - спиновое стекло в твердых растворах СбьхМпхТе.

6. Механизм спиновой релаксации локализованных экситонов в кристаллах СсЬ-хМпхТе зависит от величины магнитного поля: в сильном поле доминирует туннелирование (пространственный перенос) экситона с переворотом спина, в слабом поле преобладает переворот спина без изменения пространственной локализации экситона.

7. В квантовых ямах Сс1Те/Сс11хМпхТе в стационарных условиях наблюдается оптическая ориентация экситонов. Деполяризация экситонного излучения в поперечном магнитном поле (эффект Ханле) происходит в два этапа. В слабых полях деполяризуется спин электрона, в более сильном поле смешивание состояний дырочных подзон приводит к деполяризации спина дырки.

8. В полумагнитных квантовых ямах магнитная деполяризация излучения оптически ориентированных локализованных экситонов определяется сложной спиновой динамикой, связанной с прецессией локальной намагниченности в обменном поле локализованной дырки. Этот процесс приводит к инверсии знака эффекта Ханле - росту поляризации в поперечном магнитном поле (аномальный эффект Ханле).

9. Степень магнитоиндуцированной линейной поляризации люминесценции в квантовых ямах С(1Те/С(11.хМпхТе сильно зависит от направления магнитного поля в плоскости квантовой ямы. Эта анизотропия является следствием более низкой (чем номинальная) симметрии реальных квантовых ям и обусловлена слабыми искажениями, вносимыми во время роста гетероструктуры. Магнитоиндуцированная линейная поляризация обладает исключительно высокой чувствительностью к искажениям симметрии квантовых ям.

10. Модель эффективного спина размерно-квантованной дырки с анизотропным ^-фактором адекватно описывает основные закономерности поведения магнитоиндуцированной линейной поляризации, ^-фактор тяжелой дырки, индуцированный низкосимметричным (C2v) возмущением, оказывается предельно анизотропным: gxx=-gyy.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений (Ташкент, 1991), на I, II и IV Российских конференциях по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993, Зелено горек, 1996, и Новосибирск, 1999), на XX, XXII и XXIII Международных конференциях по физике полупроводников (Салоники, 1990, Ванкувер, 1994 и Берлин, 1996), на Международном симпозиуме "Гетероструктуры в науке и технике" (Вюрцбург, Германия, 1995), на 15-й Генеральной конференции Отделения конденсированных сред Европейского физического общества (Бавено-Стреза, Италия, 1996), на XXIII Международном симпозиуме по составным полупроводникам (Санкт-Петербург, 1996), на международных конференциях "Экситоны в конденсированных средах" (Санкт-Петербург, 1997) и "Физика на рубеже XX века" (Санкт-Петербург, 1998), на Международном совещании "Оптические свойства полупроводниковых наноструктур" (Яшовец, Польша, 1999), а также на семинарах лабораторий ФТИ им.Иоффе, Института физики Польской Академии Наук и Технического Университета г. Тампере.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 29 печатных работах [А1-А29], перечень которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка работ автора из 29 наименований и списка цитированной литературы из 261 наименования. Объем диссертации - 255 страниц, включая 78 рисунков и 1 таблицу.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кусраев, Юрий Георгиевич

Заключение

В настоящей работе проведен цикл исследований магнитооптических явлений в полумагнитных полупроводниках и квантовых ямах С<1Те/С(1МпТе. Примененный метод поляризованной люминесценции позволил установить связь между магнитными свойствами ПМП и оптическими характеристиками материала. Большую роль при этом сыграли локальность и спектральная селективность оптического метода. Под локальностью здесь имеется в виду не только и не столько возможность острой фокусировки лазерного пучка, сколько тот факт, что экспериментально изучается рекомбинация локализовнного экситона с боровским радиусом ~30 А или менее. Для исследования спиновых стекол с локальным замораживанием как раз актуально иметь такой локальный зонд.

Основная часть результатов исследований опубликована в работах [А1-А29]. Основные результаты проведенных теоретических и экспериментальных исследований сводятся к следующему:

1. Установлено, что поляризация экситонной фотолюминесценции кристаллов (Сё,Мп)Те с большим содержанием марганца (более 15%) во внешнем магнитном поле определяется не гигантским спиновым расщеплением экситонного состояния, а сравнительно слабым взаимодействием экситонного магнитного полярона с полем и флуктуациями намагниченности. Измерены магнитополевые, композиционные и температурные зависимости поляризации ФЛ; оптически зарегистрирован фазовый переход парамагнетик -спиновое стекло. Получены выражения для степени поляризации ФЛ в двух моделях: для равновесного поляронного ансамбля (в парамагнетике) и в среде с хаотически ориентированными локальными полями магнитных флуктуаций.

2. Обнаружена сильная кубическая анизотропия линейной поляризации ФЛ в (Сс1,Мп)Те в геометрии Фойгта. Резкая зависимость анизотропии от температуры и содержания марганца говорит о том, что причиной эффекта являются анизотропные спиновые корреляции в системе магнитных ионов, обусловленные взаимодействиями типа диполь-дипольного или Дзялошинского-Мориа.

3. Измерены зависимости энергии экситонного магнитного полярона от внешнего магнитного поля и энергии квантов возбуждающего света в спиновых стеклах (Сс1,Мп)Те. Установлено, что энергия полярона не зависит от энергии предварительной локализации экситона в широком диапазоне энергий вблизи порога подвижности экситонов. Предложена феноменологическая модель флуктуационного потенциала, формирующего спектр дырок вблизи порога подвижности.

4. Выяснено, что характерная температура подавления эффекта оптически индуцированной поляризации люминесценции (ОИПЛ) близка к температуре перехода спиновое стекло -парамагнетик. В условиях ОИПЛ обнаружен спектральный сдвиг между линиями поляризованной фотолюминесценции. Расчет спектров ФЛ, проведенный для модельной среды со скрытой магнитной анизотропией, позволил объяснить характерную спектральную зависимость эффекта ОИПЛ и установить причину его отсутствия при возбуждении линейно поляризованным светом.

5. Выявлено два канала спиновой релаксации локализованных экситонов, резонансно возбужденных на неосновных подуровнях зеемановского мультиплета в СёМпТе в продольном магнитном поле. Сравнительная эффективность этих каналов зависит от величины поля: в слабых полях доминирует неупругая релаксация без переноса экситона, а в сильных преобладает туннелирование с переворотом спина.

6. Проанализированы спектры излучения структур с квантовыми ямами Сс1Те/Сс1МпТе. В частности, показана существенная роль динамики локализации носителей в формировании дублетного экситонного спектра, наблюдавшегося и ранее, другими авторами. Предложен тест на природу локализованного экситонного состояния, ответственного за длинноволновую компоненту дублета.

7. Впервые зарегистрирована оптическая ориентация экситонов в квантовых ямах с полумагнитными барьерами. Исследованы спектры поляризации ФЛ, спектры возбуждения оптической ориентации и кривые деполяризации люминесценции в поперечном магнитном поле - кривые Ханле. Разделены электронный и дырочный вклады в поляризацию экситонной люминесценции. Показано, что эффект Ханле на дырках происходит вследствие смешивания состояний дырочных подзон в магнитном поле. В геометрии Фойгта зарегистрировано появление линейной поляризации люминесценции при неполяризованном возбуждении, что также является результатом смешивания подзон.

8. В полумагнитных квантовых ямах обнаружена инверсия знака эффекта Ханле- рост поляризации люминесценции в поперечном магнитном поле. Выяснено, что это явление возникает вследствие прецессии локальной намагниченности в обменном поле оптически ориентированных локализованных дырок.

9. Обнаружена и исследована латеральная анизотропия магнитоиндуцированной линейной поляризации излучения в квантовых ямах Сс1Те/Сс11-хМпхТе. Эта анизотропия является следствием более низкой (чем номинальная) симметрии реальных квантовых ям и обусловлена слабыми искажениями, вносимыми во время роста гетероструктуры. Магнитоиндуцированная линейная поляризация обладает исключительно высокой чувствительностью к искажениям симметрии квантовых ям.

10. Модель эффективного спина размерно-квантованной дырки с анизотропным ^-фактором адекватно описывает основные закономерности поведения магнитоиндуцированной линейной поляризации, ¿--фактор тяжелой дырки, индуцированный низкосимметричным (C2v) возмущением, оказывается предельно анизотропным: gxx=-gyy■

Работа выполнена в лаборатории оптики полупроводников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе и соответствует тематике исследований, проводимых в лаборатории. Я искренне признателен заведующему лабораторией академику Б.П. Захарчене за активную поддержку работы и за интересные обсуждения.

Особую признательность я хотел бы выразить Р.И. Джиоеву и В.Г. Флейшеру, под руководством которых начиналась моя научная деятельность в ФТИ им. А.Ф. Иоффе.

Сердечно благодарю A.B. Кудинова за плодотворное сотрудничество, за многочисленные обсуждения, в результате которых приходило понимание затронутых в диссертации вопросов. Искренне признателен И.Г. Аксянову за сотрудничество и всестороннюю помощь.

Мне хотелось бы персонально поблагодарить за плодотворные обсуждения сотрудников лаборатории оптики полупроводников, К.В. Кавокина, В.К. Калевича, М.Е. Компана, B.JI. Коренева, И.А. Меркулова, В.Ф. Сапегу и М.Н. Ткачука.

Я приношу глубокую благодарность соавторам работ, составивших содержание диссертации, коллективу лаборатории и моим коллегам по ФТИ, чье дружеское внимание и поддержка способствовали выполнению работы.

Я благодарен Российскому фонду фундаметальных исследований, Международному научному фонду и фонду «Физика твердотельных наноструктур» за поддержку проведенных исследований.

Публикации по теме диссертации

AI. Б.П.Захарченя, Ю.Г.Кусраев. Оптическое проявление спин-стекольных свойств полумагнитных полупроводников. Письма в ЖЭТФ 50, N4, 199-201, 1989. А2. Yu.G.Kusrayev, and B.P.Zakharchenya. Optical Registration of Internal Fields in Spin-glass Fase of CdMnTe Proc. 20th Int. Conf. Phys. Semicond., Thessaloniki, Greece, 1990. World Scientific, Singapore, v.3, p.738-741, 1990.

A3. К.В.Кавокин, Ю.Г.Кусраев. Формирование магнитного полярона, связанного на акцепторе в CdMnTe при резонансном возбуждении. XIX Всесоюзная конференция по физике магнитных явлений, тезисы докладов, часть 2, с. 142, Ташкент, 1991. A4. Ю.Г.Кусраев, Г.К.Аверкиева. Исследование фотолюминесценции твердых растворов полумагнитных полупроводников CdMgMnTe. ФТТ 35, N10, с.2671-2676 (1993). А5. А.В.Кудинов, Ю.Г.Кусраев. Влияние магнитного поля на люминесценцию магнитных поляронов в спиновых стеклах CdMnTe. I Российская конференция по физике полупроводников, тезисы докладов, т.2, с.201, Нижний Новгород, 1993.

А6. Ю.Г.Кусраев, А.В.Кудинов. Оптические исследования локализованных магнитных поляронов в спиновых стеклах CdMnTe. ФТТ 36, N7, с.2088-2098 (1994).

А7. Yu.G.Kusrayev, A.V.Koudinov and B.P.Zakharchenya. Optical Orientation of Excitons in CdTe/CdMnTe Quantum Wells. Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, Canada, 1994. World Scientific, Singapore, v.3, p.2501-2504, 1995.

A8. Yu.G.Kusrayev, A.V.Koudinov. Magnetic Field Induced Polarization of Photoluminescence in Paramagnetic and Spin Glass Phases of CdjJ^inxTe. International Conference on Magnetism 1994, Warsaw, Poland. Abstracts, p.481.

А9. AV.Koudinov, Yu.G.Kusrayev. The study of optical inducedphotoluminescence polarization in spin-glass phase of CdMnTe. International Workshop on Semimagnetic Semiconductors, Linz, Ausria, 1994. Abstacts, p. 161.

A10. A.B. Кудинов, Ю.Г. Кусраев, B.H. Якимович. Поляризованная люминесценция CdMnTe во внешнем магнитном поле. ФТТ 37, N3, с.660-666 (1995).

All. A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev. Polarized luminescence of excitons in quantum wells CdTe/CdMnTe. Proc. Int. Symp. "Heterostructures in Science and Technology", Wurzburg, Germany, 1995, p.66-67.

12]. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov. Magnetic field induced polarization of luminescence in paramagnetic and spin glass phases of CdMnTe. Phys, Stat. Solidi (b) 190, p.315-320 (1995).

13]. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov, B.P. Zakharchenya, W.E. Hagston, D.E. Ashenford, B. Lunn. Optical orientation of excitons in quantum wells with semimagnetic barriers. Solid State Commun. 95, N 3, p. 149-151 (1995).

A14. Б.П. Захарченя, A.B. Кудинов, Ю.Г. Кусраев. Эффект Хате в асимметричной двойной квантовой яме CdTe/CdMnTe, Письма в ЖЭТФ 63, N4, 241-245, 1996.

А15. Б.П. Захарченя, А.В. Кудинов, Ю.Г. Кусраев. Скрытая магнитная анизотропия в спиновых стеклах CdMnTe, ЖЭТФ 110, 177-193 (1996).

А16. А.В. Кудинов, Ю.Г. Кусраев. Спектры излучения при релаксации экситона на флуктуации локальной намагниченности в полумагнитных полупроводниках. ФТТ 40, N12, с.2156-2160 (1998).

А17. В.Ф. Агекян, Б.П. Захарченя, А.В. Кудинов, Ю.Г. Кусраев. Локализация экситонов и носителей в квантовых ямах CdTe/CdMnTe. II Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, т.2, с. 140. Зеленогорск, 1996.

А18. Б.П. Захарченя, А.В. Кудинов, Ю.Г. Кусраев, Б. Ланн, Д.Е. Ашенфорд. Поляризованное излучение и аномальный эффект Ханле в структурах с квантовыми ямами CdTe/CdMnTe. II Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов, т.2, с. 141. Зеленогорск, 1996.

А19. A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, В.Р. Zakharchenya. Polarized Raman scattering and Hanle effect in CdTe/CdMnTe quantum wells. 15th Gen. Conf. Cond. Mat. Division, Baveno-Stresa, Italy, 1996. Abstracts, p.269.

A20. V.F. Aguekian, D.E. Ashenford, B. Lunn, A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, B.P. Zakharchenya. Photoluminescence spectra of quantum well structures CdTe/CdMnTe in external magnetic field. Phys. Stat. Solidi (b) 195, 647-652 (1996).

A21. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov, K.V. Kavokin, B.P. Zakharchenya, D.E. Ashenford, B. Lunn, Polarized Raman scattering and Hanle effect in CdTe/CdMnTe quantum wells. Proc. 23 rd Int. Conf. Phys. Semicond., Berlin, Germany, 1996, p.2459-2462.

A22. A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, B.P. Zakharchenya. Optical orientation of excitons in quantum wells with semimagnetic barriers. In "IofFe Institute Prize Winners 95" St Petersburg, 1996, 42-46 (1996).

A23. A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, K.V. Kavokin, I.A. Merkulov, B.P. Zakharchenya. Magnetic anisotropy in CdiyMnxTe alloys revealed by polarized luminescence. Proc. 23rd Int. Symp.

Compound Semicond., St.-Petersburg, 1996. Inst. Phys. Conf. Ser. № 155, Ch.10, p.747-750 (1997).

A24. A.B. Кудинов, Ю.Г. Кусраев, Б.П. Захарченя, В.Н. Якимович. Анизотропия кубических полумагнитных твердых растворов CdjyMnxTe и энергия экситонного магнитного полярона из спектров поляризованной люминесценции. ФТТ 39, №5, 894-896 (1998).

А25. И.Г. Аксянов, А.В. Кудинов, Ю.Г. Кусраев, Б.П. Захарченя, Т. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut. Орторомбическая симметрия состояний валентной зоны в квантовых ямах CdTe/CdMnTe. ФТТ 41, № 5, 149-152 (1999).

А26. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov, I.G. Aksyanov, B.P. Zakharchenya, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut. Extreme in-plane anisotropy of the heavy-hole g-factor in (001)-CdTe/CdMnTe quantum wells. Phys. Rev. Lett. 82, 3176-3179 (1999).

A27. Yu.G. Kusrayev, B.P. Zakharchenya, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, Fine structure of exciton levels in CdTe/CdMgTe quantum wells. Solid State Commun. 104, N 8, p. 465-468 (1997).

A28. A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, I.G. Aksyanov, B.P. Zakharchenya, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut. The new opportunity of probing lateral distortions in quantum wells. NATO Advanced Research Workshop "Optical Properties of Semiconductor Nanostructures", Ustron-Jaszowiec, Poland, June 12-16, Abstracts, P10, 1999.

A29. Ю.Г. Кусраев, A.B. Кудинов, И.Г. Аксянов, Б.П. Захарченя, Т. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut. Анизотропия спиновой структуры валентной зоны в квантовых ямах (001)-CdTe/CdMnTe. IV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, тезисы докладов, с. 122, 1999.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Кусраев, Юрий Георгиевич, 2000 год

1. N. N. Ablyazov, A. G. Areshkin, V. G. Melekhin, L. G. Suslina, D. L. Fedorov, Fluctuation-induced broadening of exciton reflection spectra in AuBn solid solutions. Phys. Stat. Sol. (b) 135, p. 217-225 (1986).

2. R. L. Aggarwal, S. N. Jasper son, P. Becla, R. R. Galazka. Optical determination of the antiferromagnetic exchange constant between nearest-neighbor Mn^ ions in Cd0. 9sMn0. osTe. Phys. Rev. В 32, 5132-5137 (1985).

3. R. Akimoto, K. Ando, F. Sasaki, S. Kobayashi, T. Tani, Ultrafast spin dynamics in diluted magnetic semiconductor quantum wells. J. Crystal Growth 184/185, 931-935 (1998).

4. K. Ando, T. Hayashi, M. Tanaka, A. Twardowski, Magneto-optic effect of the ferromagnetic diluted magnetic semiconductor Gai.xMnxAs, J. Appl. Phys. 83, 6548-6550 (1998).

5. D. D. Awschalom, J. Warnock, S. von Molnar, Low-temperature magnetic spectroscopy of a dilute magnetic semiconductor. Phys. Rev. Lett. 58, 812-815 (1987).

6. D. D. Awshalom, J. M. Halbout, S. Von Molnar, T. Siegrist, T. Holtzberg, Dynamic spin organization in diluted magnetic systems, Phys. Rev. Lett. 55, 1128-1131 (1985).

7. A. Balzarotti, M. Czyzyk, A. Kisiel, N. Motta, M. Podgorny, M. Zimnal-Starnawska, Local structure of ternary semiconducting random solid solutions: Extended X-ray-absorption fine structure of Cd},xMnxTe. Phys. Rev. B 30, 2295-2298 (1984).

8. S. Bar-Ad, I. Bar-Josef, Exciton spin dynamics in GaAs heterostructures. Phys. Rev. Lett. 68, 349-352 (1992).

9. D. U. Bartholomew, J. K. Furdyna, A. K. Ramdas, Interband Faraday rotation in diluted magnetic semiconductors: Znj.xMnxTe and Cdj.xMnxTe. Phys. Rev. B 34, 6943-6950 (1986).

10. G. Bastard, C. Lewiner, Indirect exchange interactions in zero-gap semiconductors. . Phys. Rev. B 20, 4256-4267 (1979).

11. G. Bastard, L. L. Chang. Spin-flip relaxation time of conduction electrons in CdTe/CduMnxTe quantum wells. Phys. Rev. B 41, 7899-7902 (1990).

12. J. J. Baumberg, S. A. Crooker, D. D. Awschalom, N. Samarth, H. Luo, J. K. Furdyna, Ultrafast Faraday spectroscopy in magnetic semiconductor quantum structures. Phys. Rev. B 50, 76897700 (1994).

13. C. Benoit a la Guillaume, 3D versus 2D localized magnetic polarons. Mater. Sci. Forum 182184, 549-552 (1995).

14. C. Benoit a la Guillaume, Free magnetic polar on in three, quasi-two, and quasi-one dimentions. Phys. Stat. Sol. (b) 175, 369-380 (1993).

15. K. Bhattacharjee, C. Benoit a la Guillaume, Exciton magnetic polaron in semimagnetic semiconductor nanocrystal. Phys. Rev. B 55, 10613-10620 (1997).

16. K. Bhattacharjee, G. Fishman, B. Coqblin, Virtual bound state model for the exchange interactuion in semimagnetic semiconductors. Physica B&C, 117-118, 449-451 (1983).

17. K. Bhattacharjee, Interaction between band electrons and transition metal ions in diluted magnetic semiconductor. Phys. Rev. B 46, 5266-5273 (1992).

18. K. Bhattacharjee, Nanocrystals of diluted magnetuic semiconductors: Model for magnetic polaron. Phys. Rev. B 51, 9912-9916 (1995).

19. V. Bindilatti, E. Ter Haar, N. F. Oliveira, Jr. , Y. Shapira, M. T. Liu, Distant-neighbor exchange constant in Mn-based dilute magnetic semiconductors. J. Appl. Phys. 85, 5950-5952 (1999).

20. J. Blinowski, P. Kacman, Kinetic exchange in diluted magnetic semiconductors. Phys. Rev. B 46, 12298-12304 (1992).

21. N. Bloembergen, T. J. Rowland, Nuclear spin exchange in solids: Tl203 and Tl205 magnetic resonance in Tl and TIO. Phys. Rev. 97, 1679 (1955).

22. A. Bruno, J.P. Lascaray, Neighborhood notion in the magnetic-properties study of magnetuc materials with a dominant superexchange interaction. Phys. Rev. B 38, 9168-9171 (1988).

23. M. Bugajski, P. Becla, P. A. Wolff, D. Heiman, L. R. Ram-Mohan, Acceptor-bound magnetic polarons in Cd.xMnxTe. Phys. Rev. B 38, 10512-10516 (1988).

24. M. A. Buttler, S. J. Martin, R. J. Baughman, Frequency-dependent Faraday rotation in CdMnTe. Appl. Phys. Lett. 49, 1053-1055 (1986).

25. R. B. Bylsma, W. M. Becker, J. Kossut, U. Debska, D. Yoder-Short, Dependence of energy gap on x and Tin Zni.xMnxSe: The role of exchange interaction. Phys. Rev. B33, 8207-8215 (1986).

26. R. B. Bylsma, W. M. Becker, T. C. Bonsett, L. A. Kolodziejski, R. L. Gunshor, M. Yamanishi, S. Datta, Stimulated emission and laser oscillations in ZnSe-Zn7xMnxSe multiple quantum wells at ~453 nm. Appl. Phys. Lett. 47, 1039-1041 (1985).

27. H. H. Chou, H. Y. Fan, Effect of antiferromagnetic transition on the optical-absorption edge in MnO, a-MnSand CoO. Phys. Rev. B 10, 901-910 (1974)

28. L. Chudnovskiy, B. Rosenow, R. Oppermann, D. R. Yakovlev, U. Zehnder, W. Ossau, Interaction of exiton magnetic polaron with spin-glass phase in CdMnTe. Proc. 22-th Int. Conf.

29. Phys. Semicond., Berlin, Germany, 1996, ed. By Scheffer and R. Zimmermann (World Scientific Singapore, 1996), p. 425-428.

30. L. Chudnovskiy, R. Oppermann, B. Rosenow, D. R. Yakovlev, U. Zehnder, W. Ossau, Effect of spin glass order on exiton magnetic polarons in semimagnetic semiconductors, Phys. Rev. В 55, 10519-10527 (1997).

31. M. Z. Cieplak, Exciton ground state in CdMnTe in a magnetic field. Phys. Stat. Solidi (b) 97, 617-629 (1980).

32. H. Clemens, H. Krenn, P. C. Weilguni, U. Stromberger, G. Bauer, H. Pascher, Growth and characterization of dilute magnetic PbTe/Pbi.xMnxTe. Surf. Sci. 228, 236-239 (1990).

33. R. W. Cochrane, M. Plischke, J. O. Strom-Olsen, Magnetization studies of (GeTe)i.x(MnTe)x pseudobinary alloys. Phys. Rev. В 9, 3013-3021 (1974).

34. S. A. Crooker, J. J. Baumberg, F. Flack, N. Samarth, D. D. Awschalom, Terahertz spin precession and coherent transfer of angular momenta in magnetic quantum wells. Phys. Rev. Lett. 77, 2814 (1996).

35. N. Dai, H. Luo, F. C. Zhang, N. Samarth, M. Dobrowolska, J. K. Furdyna, Spin superlattice formation in ZnSe/Zn,xMnxSe multilayers. Phys. Rev. Lett. 67, 3824-3827 (1991).

36. Т. C. Damen, L. Vina, G. E. Cunningham, J. Shah, L. J. Sham, Subpicosecondspin relaxation dynamics of excitons andfree carriers in GaAs quantum wells. Phys. Rev. Lett. 67, 3432-3435 (1991).

37. P. G. de Gennes, Effects of double exchange in magnetic crystals. Phys. Rev. 118, 141-154 (1960).

38. L. D. DeLoach, R. H. Page, G. D. Wilke, S. A. Payne, W. F. Krupke, Transition metal-doped zinc chalcogenides: spectroscopy and laser demonstration of a new class of gain media. IEEE J. Quantum Electron. 32, 885-895 (1996).

39. Т. Dietl, Diluted (magnetic) semiconductors. Handbook on semiconductors, edited by T. S. Moss, volume 3, edited by S. Mahajan, chapter 17, 1251-1342 (1994).

40. T. Dietl, P. Peyla, W. Grieshaber, Y. Merle d'Aubigne, Dynamics of spin organization in diluted magnetic semiconductor, Phys. Rev. Lett. 74, 474-477 (1995).

41. J. Diouri, J. P. Lascaray, M. El Amrani, Effect of the magnetic order on the optical absorption edge in Cd,.MnxTe. Phys. Rev. B31, 7995-7999 (1985).

42. G. Dolling, Т. M. Holden, V. F. Sears, J. Furdyna, W. Giriat, Neutron diffraction studies of diluted magnetic semiconductors. J. Appl. Phys. 53, 7644-7648 (1982).

43. J. Domagala, J. Bak-Misiuk, J. Adamczewska, Z. R. Zytkiewicz, E. Dynowska, J. Trela, D. Dobosz, E. Janik, M. Leszczynski, Anisotropic misfit strain relaxation in thin epitaxial layers, Phys. Status Solidi (a), 171, 289-294 (1999).

44. T. Donofrio, G. Lamarche, J. C. Woolly, Temperature effects on the optical energy gap values of CdxZnyMnzTe alloys. J. Appl. Phys. 57, 1932-1936 (1985)

45. S. F. Edwards, P. W. Anderson, Theory of spin glasses, J. Phys. F 5, 965-974 (1975)

46. M. Escorne, A. Mauger, Spin-glass versus antiferromagnetic clustering in Cdj.JMnxTe. Phys. Rev. В 25, 4674-4678 (1982).

47. R. Fereira, G. Bastard, "Spin"-flip scattering of holes in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. В 43, 9687-9691 (1991).

48. A. Filoramo, R. Fereira, Ph. Roussignol, R. Planel, V. Thierry-Mieg, Inhibition of exciton spin relaxation by longitudinal-opticalphonon emission. Phys. Rev. В 58, 4617-4623 (1998)

49. M. R. Freeman, D. D. Awschalom, J. M. Hong, L. L. Chang, Femtosecond spin-polarized spectroscopy in iluted-magnetic-semiconductor quantum wells. Phys. Rev. Lett. 64, 2430-2433 (1990).

50. J. K. Furdyna, Diluted Magnetic Semiconductors. J. Appl. Phys. 64, R29-R64 (1988).

51. J. K. Furdyna, W. Giriat, D. F. Mitchell, and G. Sproule, The dependence of the lattice parameter and density of Zni.xMnxTe on composition. J. Solid State Chem. 46, 349-352 (1983).

52. J. Furdyna, Diluted magnetic semiconductors: An interface of semiconductor physics and magnetism. J. Appl. Phys. 53, 7637-7643 (1982).

53. J. A. Gaj, A. Golnik, Influence of magnetic fluctuations on energy gap in CdMnTe. Acta Physica Polonica A71, 197-203 (1987).

54. J. A. Gaj, J. Ginter, R. R. Galazka. Exchange interaction of manganese 3d5 states with band electrons in Cd!№nxTe. Phys. Stat. Solidi (b) 89, 655-662 (1978).

55. J. A. Gaj, Magnetooptical properties of large-gap diluted magnetic semiconductors. Ref. 42., p. 275-309.

56. J. A. Gaj, R. Planel, G. Fishman. Relation of magneto-optical properties of free excitons to spin alignment ofMn2+ ions in Cd^MnJe. Solid State Commun. 29, 435-438 (1979).

57. T. M. Giebultowicz, T. M. Holden, Newtron scattering studies of the magnetic structure and dynamics of diluted magnetic semiconductors. Ref. 42., p. 125-181.

58. W. Giriat, J. K. Furdyna, Crystal structure, composition, and materials preparation of diluted magnetic semiconductors. Ref. 42., p. 1-34.

59. M. Godlewski, B. Koziarska, A. Suchocki, G. Karchewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, Exciton dynamics in CdTe/CdMnTe multiquantum well structures grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrate, Acta Phys. Polon. 88, 985-989 (1995).

60. O. Goede, W. Heimbrodt, Optical properties of (Zn, Mn) and (Cd, Mn) chalcogenide mixed crystals and super lattices. Phys. Stat. Sol. (b) 146, 11-62 (1988).

61. A. Golnik, J. Ginter, J. A. Gaj, Magnetic polarons in exciton luminescence of Cd.xMnxTe. J. Phys. C 16, 6073-6084 (1983).

62. C. E. T. Goncalves da Silva, Heavy and light hole subbands exchange induced mixing in CdTe/CdMnTe, Solid State Commun., 58, 247-249 (1986).

63. C. Gourdon, P. Lavallard, Fine structure of heavy excitons in GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B 46, 4644-4650 (1992).

64. W. Grieshaber, A. Haury, G. Cibert,Y. Merle d'Aubigne, A. Wasiela, J. A. Gaj, Magnetooptic study of the interface in semimagnetic semiconductor heterostructures: Intrinsic effect and interface profile in CdTe/CdMnTe, Phys. Rev. B 53, 4891-4904 (1996).

65. S. I. Gubarev, V. D. Kulakovskii, M. G. Tyazhlov, D. R. Yakovlev, A. Waag, G. Landwehr, Radiative recombination of free and bound excitons in CdTe/CdMnTe quantum wells. Annales de Physique 20, Colloque C2, 135-142 (1995).

66. F. D. M Haldane, P. W. Anderson, Simple model of multiple charge states of transition-metal impurities in semiconductors. Phys. Rev. B 13, 2553-2559 (1976).

67. H. Hanamura, Rapid radiative decay and enhanced nonlinearity of excitons in a quantum well. Phys. Rev. B 38, 1228-1238 (1988).

68. J. H. Harris, A. V. Nurmikko, Formation of the bound magnetic polaron in (Cd,Mn)Se, Phys. Rev. Lett. 51, 1472-1475 (1983).

69. D. Heiman, E. D. Isaacs, P. Becla, and S. Foner. High-field magnetization of CdMnTe. Phys. Rev. B 35, 3307-3310 (1987).

70. D. Heiman, P. A. Wolf, J. Warnock, Spin-flip Raman scattering, bound magnetic polaron, and fluctuations in CdMnSe. Phys. Rev. B27, 4848-4860 (1983).

71. D. Heiman, P. Becla, R. N. Kershaw, D. Ridgely, K. Dwight, A. Wold, R. R. Galazka. Field-induced exchange effects in (Cd,Mn)Te and (Cd,Mn)Se from photoluminescence measurements. Phys. Rev. B 34, 3961-3969 (1986).

72. W. Heimbrodt, O. Goede, Th. Kopp, K. Hieke, H. -E. Gumlich, Th. Pier, B. Lunn, T. Gregory, Magneto-optical study of asymmetric CdTe/(Cd,Mn)Te double-quantum-well nanostructures. J. Cryst. Growth 117, 859-861 (1992).

73. H. Heinke, A. Waag, M. O. Moller, M. M. Regnet and G. Landwehr, Unusual strain in homoepitaxial CdTe(OOl) layers grown by molecular beam epitaxy. J. Crystal Growth, 135, 5360 (1994).

74. J. Heremans, D. L. Partin, Magnetic properties of EuTe-PbTe superlattices. Phys. Rev. B 37, 6311-6314 (1988).

75. P. Hiesinger, S. Suga, F. Willmann, W. Dreybrodt. Excitation spectra of exciton luminescence in CdTe. Phys. Stat. Sol. (b) 67, 641-652 (1975).

76. U. Hommerich, X. Wu, V. R. Davis, S. B. Trivedi, K. Grasza, R. J. Chen, S. Kutcher, Demonstration of room-temperature laser action at 2. 5 pm from C^iCdo. 8sMn0. isTe, Optics Letters, 22, 1180-1182 (1997).

77. J. J. Hopfield, In M. Mezard, G. Parisi, M. A. Virasoro. Spin glass theory and beyond (World Scientific, Singapore) 1987.

78. E. D. Isaacs, D. Heiman, M. J. Graf, B. B. Goldberg, R. Kershaw, R. Ridgley, K. Dwight, A. Wold, J. Furdyna, J. S. Brooks, Bound magnetic polaron below T=1 K. Phys. Rev. B 37, 71087111 (1988).

79. T. Itoh, E. Komatsu, Magnetic polaron formation of localized excitons in semimagnetic semiconductor alloys ofCd0. sMno. 2Te. J. Lumin. 38, 266-268 (1987).

80. E. L. Ivchenko, G. E. Pikus, Superlattices and other heterostructures. Symmetry and optical phenomena, Springer-Verlag, 1995.

81. P. Janiszewski, Acceptor-bound magnetic polaron in CdMnTe. Proc. 20-th Int. Conf. Phys. Semicond. , Thessaloniki, 1990, p. 771-774.

82. S. N. Jasperson, S. E. Schnatterly, An improved method for high reflectivity ellipsometry based on a new polarization modulation technique. Rev. Sci. Instr. 40, 761 (1969).

83. T. Z. Kachlishvili, On some magnetic field induced effects in 2D CdTe/CdMnTe, Solid State Commun. , 80, 283-287 (1991).

84. T. Kasuya, A. Yanase, Anomalous transport phenomena in Eu-chalcogenide alloys. Rev. Mod. Phys. 40, 684-696 (1968).

85. K. Kheng, R. T. Cox, Y. Merle cTAubigne, F. Bassani, K. Saminadayar, and S. Tatarenko. Observation of negatively charged excitons X~ in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. Lett. 71, 1752-1755 (1993).

86. E. Kierzek-Pecold, W. Szhymanska, R.R. Galazka. Dynamical behavior of spin-glass Cdi xMnxTe from low field Faraday rotation measurements. Solid State Commun. 50, 685-687 (1984).

87. J. M. Kikkawa, J. J. Baumberg, D. D. Awschalom, D. Leonard, P. M. Petroff, Optical study of locally implanted magnetic ions in GaAs. Phys. Rev. B 50, 2003-2006 (1994)

88. W. Kinzel, Physics of neural networks. Europhys. News 21, 108-110 (1990).

89. V. P. Kochereshko, I. A. Merkulov, G. R. Pozina, I. N. Uraltsev, D. R. Yakovlev, W. Ossau, A. Waag, and G. Landwehr. Light induced inversion of magnetic hysteresis in CdTe/(Cd,Mn)Te super lattices. Solid State Electronics 37, 1081-1085 (1994).

90. M. Kohl, M. R. Freeman, D. D. Awschalom, J. M. Hong, Femtosecond spectroscopy of carrier-spin relaxation in GaAs/AlxGai.xAs quantum wells. Phys. Rev. B 44, 5923-5926 (1991).

91. A. V. Komarov, S. M. Ryabchenko, O. V. Terletskij, Giant spin splitting of exciton states in ZnSe with Mn andFe impurities. Phys. Stat. Sol. (b) 102, 603-609 (1980).

92. J. Kossut, W. Dobrowolski, Z. Wilamowski, T. Dietl, K. Swiatek, Correlation of donor electrons in diluted magnetic semiconductors with iron, Semicond. Sci. Technol. 5, S260-S265 (1990).

93. T. Koyanagi, K. Yamano, T. Sota, K. Nakamura, K. Matsubara, Electric field effects on Faraday rotation of CdixMnxTe films prepared by ionized cluster beams. Jpn. J. Appl. Phys. 28, L669-L671 (1989).

94. H. Krenn, W. Zawadzki, G. Bauer, Optically induced magnetization in a dilute magnetic semiconductor: Hg1.xMnxTe. Phys. Rev. Lett. 55, 1510-1513 (1985).

95. B. Kuhn-Heinrich, W. Ossau, E. Bangert, A. Waag, G. Landwehr, Zeeman pattern of semimagnetic CdMnTe/CdMgTe quantum wells in inplane magnetic fields. Solid State Commun. 91, 413-418 (1994).

96. S. Kuroda, Y. Terai, K. Takita, T. Okuno, Y. Masumoto, Self-organized quantum dots of zinc-blende MnTe grown by molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth 184/185, 274-278 (1998).

97. M. Kutrowski, K. Kopalko, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J. Kossut, Luminescence study of CdTe/Cdi.xMnxTe quantum wells grown byMBE. Thin Solid Films, 267, 64-68 (1995).

98. M. Kutrowski, T. Wojtowicz, G. Karczewski, K. Kopalko, A. K. Zakrzewski, E. Janik, K. Grasza, E. Lusakowska, J. Kossut, Temperature study of photoluminescence from deep CdTe/CduMnxTe quantum wells. Acta Physica Polonica A87, 500-504 (1995).

99. E. Larson, H. Ehrenreich, Exchange in II-VI-based magnetic semiconductors. J. Appl. Phys. 67, 5084-5089 (1990).

100. E. Larson, K. C. Haas, R. L. Aggarwal, Effects of internal exchange fields on magnetization steps in diluted magnetic semiconductor. Phys. Rev. B 33, 1789-1796 (1986).

101. E. Larson, K. C. Hass, H. Ehrenreich, A. E. Carlsson, Exchange mechanisms in diluted magnetic semiconductors. Solid State Commun. 56,347-350 (1985)

102. E. Larson, K. C. Hass, H. Ehrenreich, A. E. Carlsson, Theory of exchange interactions and chemical trends in diluted magnetic semiconductors. Phys. Rev. B 37, 4137-4158 (1988).

103. J. P. Lascaray, A. Kavokin, Yu. Rubo, A. Ribayrol, N. Paganotto, D. Coquillat, J. Cibert, Temperature and magnetic field dependence of the free and bound exciton luminescence in CdTe/CdMnTe quantum well. Mater. Sci. Forum 182-184, 643-646 (1994).

104. Y. R. Lee, A. K. Ramdas, A piezomodulation study of the absorption edge and Mn+ + internal transition in CdjxMnxTe, a prototype of diluted magneetic semiconductors. Solid

105. State Commun. 51, 861-863 (1984)

106. A. Lewicki, J. Spalek, J. K. Furdyna, R. R. Galazka, Superexchange in diluted magnetic (semimagnetic) semiconductors. J. Magn. Magn. Mater. 54-57, 1221-1222 (1986).

107. L. Liu, Exchange polarization effects in insulators and semiconductors. Phys. Rev. B 26, 975983 (1982).

108. X. Liu, A. Petrou, J. Warnock, B. T. Joncker, G. A. Prinz, J. J. Krete. Spin-dependent type I, type II behavior in a quantum well system. Phys. Rev. Lett. 63, 2280-2283 (1989).

109. W. Mac, A. Twardowski, M. Demianiuk, s,p-d exchange interaction in Cr-based diluted magnetic semiconductors. Phys. Rev. B 54, 5528-5535 (1996).

110. W. Mac, Nguyen The Khoi, A. Twardowski, J. A. Gaj, M. Demianiuk, Ferromagnetic p-d exchange in Zni^Cr.Se diluted magnetic semiconductor. Phys. Rev. Lett. 71, 2327-2330 (1993).

111. R. Mach, G. O. Miiller, Physical concepts of high-field thin-film electroluminescence devices. Phys. Stat. Solidi (a) 69, 11-66 (1982).

112. G. Mackh, M. Hilpert, D. R. Yakovlev, W. Ossau, H. Heinke, T. Litz, F. Fischer, A. Waag, G. Landwehr, R. Hellmann, E. O. Gobel. Exciton magnetic polarons in the semimagnetic alloys (Cdj.jMnJAg)Te. Phys. Rev. B 50, 14069-14076 (1994).

113. G. Mackh, W. Ossau, D. R. Yakovlev, A. Waag, G. Landwehr, R. Hellmann, E. O. Gobel, Localized exciton magnetic polarons in Cdj-xMnxTe. Phys. Rev. B 49, 10248-10258 (1994).

114. I. A. Merkulov, G. P. Pozina, D. Coquillat, N. Paganotto, J. Siviniant, J. P. Lascaray, J. Cibert, Parameters of the magnetic polaron state in diluted magnetic semiconductors CdMnTe with low manganese concentrations. Phys. Rev. B 54, 5727-5731 (1996).

115. I. A. Merkulov, K. V. Kavokin, Two-dimentional magnetic polarons: Anisotropic spin structure of the ground state and magneto-optical properties. Phys. Rev. B 52, 1751-1758 (1995).

116. R. C. Miller, D. A. Kleinman, Excitons in GaAs quantum wells. J. Lumin. 30, 520-540 (1985).

117. H. Munekata, H. Ohno, S. Von Molnar, Alex Harwit, Armin Segmuller, L. L. Chang, Epitaxy of III-V diluted magnetic semiconductor materials. J. Vac. Sci. Technol. B 8, 176-180 (1990).

118. A. Myciellski, P. Dzwonkowski, B. Kowalski, B. A. Orlowski, M. Dobrowolska, M. Arciszewska, W. Dobrowolski, J. M. Baranowski, Location of the P*e2+(3d6) donor in the band structure of mixed crystals Hgj.vCdvSe, J. Phys. C 19, 3605-3613 (1986).

119. J. Myciellski, Formation of a superlattice of ionized resonant donors or acceptors in semiconductors. Solid State Commun. 60, 165-168 (1986).

120. J. Myciellski, Shallow acceptors in DMS: splitting, boil-off giant negative magnetoresistance. In 42., p. 311-344.

121. A. Mydosh. Spin glasses recent experiments and systems. J. Magn. Magn. Mater. 7, 237248 (1978).

122. M. Nawrocki, R. Planel, G. Fishman, R. Galazka, Exchange-induced spin-flip Raman scattering in semimagnetic semiconductor. Phys. Rev. Lett. 46, 735-738 (1981).

123. A. Novak, O. G. Symko, D. J. Zheng, S. Oseroff, Spin freezing below the nearest-neighbor percolation concentration in (CdMn)Te and (CdMn)Se. Phys. Rev. B 33, 6391-6394 (1986).

124. M. O'Neill, M. Oestreich, W. W. Riihle, D. E. Ashenford, Exciton radiative decay and homogeneous broadening in CdTe/CdQ. SsMn0. ¡sTe. Phys. Rev. B 48, 8980-8985 (1993).

125. M. Oestreich, A. P. Heberle W. W. Riihle, R. Notzel, K. Ploog, Extreme anisotropy of the g-factor in quantum wires. Europhys. Lett. 31 (7), 339-404 (1995).

126. Eunsoon Oh, D. U. Bartholomew, A. K. Ramdas, J. K. Furdyna, U. Debska, Voigt effect in diluted magnetic semiconductors: Cdl.xMnxTe and CdixMnxSe. Phys. Rev. B 44, 10551-10558 (1991).

127. H. Ohno, H. Munekata, S. Von Molnar, L. L. Chang, New III-V diluted magnetic semiconductors. J. Appl. Phys. 69, 6103-6108 (1991).

128. Y. Oka, K. Nakamura, I. Souma, M. Kido and H. Fujisaki, Picosecond dynamics of magnetic polarons in Cd,.xMnxTe. J. Lumin. 38, 263-265 (1987).

129. S. B. Oseroff, Magnetic susceptibility andEPR measurements in concentrated spin-glasses: Cdj.xMnxTe andCduMnxSe. Phys. Rev. B 25, 6584-6594 (1982).

130. S. B. Oseroff, R. Calvo, W. Giriat, Z. Fisk, Magnetic properties of CdMnTe. Solid State Commun. 35, 539-542 (1980).

131. S. B. Oseroff, P. H. Keesom, Magnetic Properties: Macroscopic Studies. Ref. 42., p. 73123.

132. S. B. Oseroff and F. Gandra. Time, temperature, and field dependence of the remanent magnetization in CduMnxTe. J. Appl. Phys. 57, 3421-3423 (1985).

133. W. Ossau, B. Kuhn-Heinrich, Dimensional dependence of antiferromagnetism in diluted magnetic semiconductor heterostructures. PhysicaB 184, 422-431 (1993).

134. W. Ossau, U. Zehnder, B. Kuhn-Heinrich, A. Waag, Th. Litz, G. Landwehr, R. Hellmann, E. O. Gobel, Cd.xMgxTe: A new promising barrier material to CdTe based heterostructures, Superlattices and Microstructures 16, 5-10 (1994).

135. T. M. Pekarek, B. C. Crooker, I. Miotkowski, A. K. Ramdas, Magnetic measurements on the III-VI diluted magnetic semiconductor Gai.xMnxSe. J. Appl. Phys. 83, 6557-66559 (1998).

136. S. Permogorov, A. Reznitski, Effect of disorder on the optical spectra of wide-gap II-VI semiconductor solid solutions. J. Lumin. 52, 201-223 (1992).

137. D.L. Peterson, D.U. Bartolomew, U. Debska, A.K. Ramdas, S. Rodriguez, Spin-flip Raman scatterung in n-type diluted magnetic semiconductors. Phys. Rev. B 32, 323-340 (1985).

138. P. Peyla, A. Wasiela, Y. Merle d'Aubigne, D. E. Ashenford, B. Lunn, Anisotropy of the Zeeman effect in CdTe/CdMnTe multiple quantum wells, Phys. Rev. B 47, 3783-3789 (1993).

139. Th. Pier, B. Henninger, S. Abdallah, H. -E. Gumlich, K. Hieke, W. Heimbrodt, J. E. Nicholls, B. Lunn, Temperature dependence of recombination times in CdTe/CdMnTe asymmetric double quantum wells. Mater. Sci. Forum 182-184, 759-762 (1995).

140. G. E. Pikus, F. G. Pikus, The mechanism of heavy and light hole mixing in GaAs/AlAs superlattices. Solid State Commun. 89, 319-322 (1994).

141. Tran Hong Nhung, R. Planel, C. Benoit a la Guillaume, A. K. Bhattacharjee, Acceptor-bound magnetic polaron in Cd!xMnxTe semimagnetic semiconductors. Phys. Rev. B 31, 2388-2395 (1985).

142. A. Pohlmann, R. Hellmann, E. O. Gobel, D. R. Yakovlev, W. Ossau, A. Waag, R. N. Bicknell-Tassius, G. Landwehr, Exciton lifetimes in CdTe/CdMnTe single quantum wells, Appl. Phys. Lett. 61, 2929-2931 (1992).

143. F. Pool, J. Kossut, U. Debska, R. Reinfenberger, Reduction of charge center scattering rate in Hgj.xFexSe Phys. Rev. B 35, 3900-3909 (1987).

144. A. K. Ramdas, S. Rodriguez, Raman scattering in diluted magnetic semiconductors. In 42., p. 345-411.

145. L. R. Ram-Mohan, P. A. Wolff, Energetics of acceptor-bound magnetic polarons in diluted magnetic semiconductors. Phys. Rev. B 38, 1330-1339 (1988).

146. A. Rogalski, HgixMnxTe as a new infrared detector material Infrared Phys. 31, 117-166 (1991).

147. M. Rowe, R. M. Nicklow, D. L. Price, K. Zanio, Lattice dynamics of cadmium telluride. Phys. Rev. B 10, 671-675 (1974).

148. N. Samarth, J. K. Furdyna, Diluted Magnetic Semiconductors. Proc. of IEEE, 78, 9901003 (1990).

149. V.F. Sapega, M. Kardona, K. Ploog, E. L. Ivchenko, D. N. Mirlin, Spin-flip Raman scattering in GaAs/AlxGa1XAs multple quantum wells. Phys. Rev. B 45, 4320-4326 (1992).

150. V.F. Sapega, T. Ruf, E. L. Ivchenko, M. Kardona, D. N. Mirlin, K. Ploog, Resonant Raman scattering due to bound-carrier spin-flip in GaAs/AlxGai.xAs quantum wells. Phys. Rev. B 50, 2510-2519(1994).

151. M. Sawicki, M. A. Brummel, P. A. J. de Groot, G. J. Tomka, D. E. Ashenford, B. Lunn, Magnetic properties of Cd}.J\4nxTe grown by molecular beam epitaxy. J. Crystal Growth 138, 900-904 (1994).

152. D. Scalbert, J. Chernogora, C. Benoit a la Guillaume, Spin-lattice relaxation in paramagnetic CdMnTe. Solid State Commun. 66, 571-574 (1988).

153. R. Schriffer, P. A. Wolff, Relation between the Anderson and Kondo hamiltonians. Phys. Rev. 149, 491-492 (1966).

154. D. Sell, H. C. Casey, Jr. Optical absorption and photoluminescence studies of thin GaAs layers in GaAs AlxGaixAs double heterostructures. J. Appl. Phys. 45, 800-807 (1974).

155. R. J. Seymour, R. R. Alfano, Time resolved measurement of the electron-spin relaxation kinetics in GaAs. Appl. Phys. Lett. 37, 231-233 (1980).

156. Y. Shapira, S. Foner, D. H. Ridgley, K. Dwight, A. Wold, Technical saturation and magnetization steps in diluted magnetic semiconductors: Predictions and observations. Phys. Rev. B 30, 4021-4029 (1984).

157. Qun Shen, H. Luo, J. Furdyna, Spatial dependence of exchange interaction in Heisenberg antiferromagnet Zn^JMnJe. Phys. Rev. Lett. 75, 2590-2593 (1995). .

158. S. Shigetomi, T. Ikari, H. Nakashima, Impurity levels in layer semiconductor p-GaSe doped withMn. J. Appl. Phys. 76, 310-314 (1994).

159. J. Spalek, A. Lewicki, Z. Tarnawski, J. K. Furdyna, R. R. Galazka, and Z. Obuszko. Magnetic susceptibility of semimagnetic sel4miconductors: The high-temperature regime and the role of superexchange. Phys. Rev. B 33, 3407-3418 (1986).

160. T. Stirner , W. E. Hagston, M. O'Neill, P. Harrison, Exciton dynamics in multiquantum well CdTe-CdUxMnxTe systems. J. Vac. Sci. Technol. B 12 (2), 1150-1155 (1994).

161. J. Stuhler, G. Schaack, M. Dahl, A. Waag, G. Landwehr, K. Kavokin, I. A. Merkulov, Multiple Mn2+-spin-flip Raman scattering at high fields via magnetic polaron states in semimagnetic quantum wells. Phys. Rev. Lett. 74, 2567-2570 (1995).

162. J. Szczytko, W. Mac, A. Stachow, A. Twardowski, P, Becla, J. Tworzydlo, The s,p-d exchange interaction in GaAs heavily doped withMn. Solid State Commun. 99, 927-932 (1996).

163. A. Takeuchi, S. Muto, T. Inata, T. Fujii, Direct observation of picosecond spin relaxation of excitons in GaAs/AlGaAs quantum wells using spin-dependent optical nonlinearity. Appl. Phys. Lett. 56, 2213-2215 (1980).

164. Y. Terai, S. Kuroda, K. Takita, Self-assambled Cdj.xMnxTe quantum dots grown by atomic layer epitaxy, The 4th symposium on the physics and application of spin-related phenomena in semiconductors, Sendai, Japan, 1998, p. 8-11.

165. H. Terasawa, T. Kawabara, K. I. Gondaira, T. Teranishi, K. Sato, The blue shift of the optical absorption edge in a-MnS. J. Phys. C 13, 5615 (1980)

166. E. Turner, R. L. Gunshor, S. Datta, New class of materials for optical isolators, Appl. Optics 22,3152-3154 (1983).

167. A. Twardowski, C. Hermann, Variational calculation of polarization of quantum well photoluminescence. Phys. Rev. B 35, 8144-8153 (1987).

168. A. Twardowski, H. J. M. Swagten, W. J. M. de Jonge, Magnetic behavior of the diluted magnetic semiconductor ZnUyMnxSe. Phys. Rev. B 36, 7013-7023 (1987).

169. A. Twardowski, M. Nawrocki, J. Ginter, Excitonic magnetoabsorption in Cdi^MnfTe mixed crystals. Phys. Stat. Solidi (b) 96, 497-506 (1979).

170. T. Uenoyama, L. J. Sham, Carrier relaxation and luminescence polarization in quantum wells. Phys. Rev. B 42, 7114-7123 (1990).

171. H. W. van Kesteren, E. C. Cosman, W. A. J. A. van der Poel, C. T. Foxon, Fine structure of excitons in n-type GaAs/AlAs quantum wells. Phys. Rev. B 41, 5283-5292 (1990).

172. J. A. Van Vechten, J. C. Philips, Net set of tetrahedral covalent radii. Phys. Rev. B 2, 21602167 (1970).

173. S. Venugopalan, A. Petrou, R. R. Galazka, A. K. Ramdas, S. Rodriguez, Raman scattering byphonons andmagnons in semimagnetic semiconductors: Cdj.xMnxTe. Phys. Rev. B 25, 26812696 (1982)

174. L. Vervoort, R. Ferreira, and P. Voisin. Effects of interface asymmetry on hole subband degeneracies and spin-relaxation rates in quantum wells, Phys. Rev. B 56, R12744-R12747 (1997).

175. A. Vinattieri, J. Shah, T. C. Damen, D. S. Kim, L. N. Pfeiffer, Z. Maialle, L. J. Sham, Exciton dynamics in GaAs quantum wells under resonant excitation. Phys. Rev. B 50, 10868-10879 (1994).

176. M. von Ortenberg, Spin superlattice with tunable minigap. Phys. Rev. Lett. 49, 1041-1043 (1982).

177. Xiaomei Wang, M. Dahl, D. Heiman, P. A. Wolff, P. Becla, Spin-lattice relaxation of spin pairs in CdSe:Mn by the Dzyaloshinski-Moria exchange interaction. Phys. Rev. B 46, 11216-11219(1992).

178. Y. Wang, N. Herron, K. Moller, T. Bein, Three-dimentionally confined diluted magnetic semiconductor clusters: Znj-xMnxS. Solid State Commun. 77, 33-38 (1991).

179. J. Warnock, R. N. Kershaw, D. Ridgely, K. Dwight, A. Wold, R. R. Galazka, Localized excitons and magnetic polaron formation in (Cd,Mn)Se and (Cd,Mn)Te. J. Lumin. 34, 25-35 (1985).

180. C. Webb, M. Kaminska, M. Lichtensteiger, M. Lagowski, Valence band states of semi-magnetic semiconductors: Cdi-MnxTe. Solid State Commun., 40, 609-611 (1981)

181. P. Wolff, Theory of bound magnetic polarons in semimagnetic semiconductors. In 42., p. 413-454.

182. W. A. Wooster, Tensors and Group Theory for the Physical Properties of Crystals (Clarendon Press, Oxford, 1973).

183. D. R. Yakovlev, K. V. Kavokin, Exciton magnetic polar ons in semimagnetic quantum wells and superlattices. Comments on Condenced Matter Physics 18, 51-81 (1996).

184. D. R. Yakovlev, K. V. Kavokin, I. A. Merkulov, G. Mackh, W. Ossau, R. Hellmann, E. O. Gob el, A. Waag, G. Landwehr, Picosecond dynamics of magnetic polar ons governed by energy transfer to the Zeeman reservoir. Phys. Rev. B 56, 9782-9788 (1997).

185. D. R. Yakovlev, U. Zehnder, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut, Optical study of glass-like transition in epilayers and quantum well structures containing Cd}.xMnxTe. J. Magn. Magn. Mater. 191, 25-37 (1999).

186. D. R. Yakovlev, W. Ossau, G. Landwehr, R. N. Bicknell-Tassius, A. Waag, S. Schmeusser, I. N. Uraltsev. Two-dimensional exciton magnetic polaron in CdTe/Cdj.xMnxTe quantum well structures. Solid State Commun. 82, 29-32 (1992).

187. K. Yanata, K. Suzuki, Y. Oka, Magneto-optical properties of Cd.xMnxSe microcrystallites in SiO2 glass prepared by rf sputtering. J. Appl. Phys. 73, 4595-4598 (1993).

188. R. Yoder-Short, U. Debska, and J. K. Furdyna, Lattice parameters of Zni.xMnxSe and tetrahedral bond lengths in Aui.xMexBVJ alloys. J. Appl. Phys. 58, 4056-4060 (1985).

189. W. Y. Yu, A. Twardowski, L. P. Fu, A. Petrou, В. T. Jonker, Magnetoanisotropy in ZnMnSe strained epilayers. Phys. Rev. В 51, 9722-9727 (1995).

190. J. J. Zayhowski, C. Jagannath, R. N. Kershaw, D. Ridgley, K. Dwight, A. Wold, Picosecond time-resolved photoluminescence studies of exciton-magnetic polar on complexes in ftCd,Mn)Te, Solid State Commun. 55, 941-945 (1985).

191. J. J. Zayhowski, R. N. Kershaw, D. Ridgley, K. Dwight, A. Wold, R. R. Galazka, W. Giriat, Dynamics of magnetic polaron formation in (Cd,Mn)Se and (Cd,Mn)Te, Phys. Rev. В 35, 69506955 (1987).

192. A. Zunger, Electronic structure of 3d transition-atom impurities in semiconductors, in: Solid State Physics, Eds H. Ehrenreich and D. Turnbull (Academic Press, New York) 1986, Vol. 39, p. 275-464.

193. Н. Н. Аблязов, А. Л. Эфрос, Рассеяние электронов на упорядочивающейся системе зарядов, ЖЭТФ, 95, 1450-1458 (1989).

194. А. Абрагам, Ядерный магнетизм. ИИЛ, Москва, 1963, 522с.

195. А. А. Абрикосов, К теории примесного ферромагнетизма полупроводников. ЖЭТФ 65, 814-822 (1973).

196. В. Ф. Агекян, А. Ю. Серов. Магнитный поляронный эффект в Cdi.xMnxTe. ФТТ 32, 3373-3378 (1990).

197. И. JL Алейнер, Е. JI. Ивченко, Природа анизотропного обменного расщепления в сверхрешетках типа II. Письма в ЖЭТФ 55, 662-664 (1992) English transi. JETP Letters, 55, 692 (1992).

198. Д. Г. Алов, С. И. Губарев, В. Б. Тимофеев, Б. Н. Шепель, Комбинационное рассеяние света с переворотом спина электрона в магнитосмешанном полупроводнике CdS:Mn. Письма в ЖЭТФ 94,76-80 (1981).

199. Д. Г. Андрианов, H. М. Павлов, А. С. Савельев, В. И. Фистуль, Г. П. Цискаришвили, Далънодействующая обменная связь между ионами Мп2+ в PbixMnrTe. ФТП 14,1202-1212 (1980).

200. Д. Г. Андрианов, С. А. Белоконь, В. М. Лакеенков, О. В. Пелевин, А. С. Савельев, В. И. Фистуль, Г. П. Цискаришвили, Состояние и поведение железа в монокристаллах РЪТе. ФТП 14,175-177 (1980).

201. Е. С. Артемова, И. А. Меркулов, Особенности поперечной релаксации ядерного спина в условиях антипепесечения спиновых уровней. ФТТ 24, 433-438 (1982).

202. Ю. Ф. Берковская, Б. Л. Гельмонт, Е. И. Цидильковский, Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной. ФТП 22, 855 (1988).

203. Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус, Влияние магнитного поля и деформации на оптическую ориентацию экситонов в кристаллах вюрцита, Письма в ЖЭТФ 15, 730-733 (1972).

204. Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус, Оптическая ориентация экситонов в полупроводниках, Материалы IV Зимней школы по физике полупроводников, Ленинград, 1972, с. 74-96.

205. А. С. Боровик-Романов, Антиферромагнетизм. В сб. : «Итоги науки», том 4, Антиферромагнетизм и ферриты, под ред. Я. Г. Дорфмана. Изд-во АН СССР, М. 1962.

206. В. Я. Братусь, И. М. Зарицкий, А. А. Кончиц, Г. С. Пекарь, Б. Д. Шанина, Спин-решеточная релаксация Сс1$:Мп^. ФТТ 18, 2311-2318 (1976)

207. А. В. Бродовой, Г. В. Лашкарев, М. В. Радченко, Е. И. Слынько, К. Д. Товстюк, Влияние примеси Мп на магнитные и электрические свойства узкощелевых полупроводников РЪБпМпТе. ФТП 18, 1547-1551 (1984).

208. И. П. Варшни, Собственная излучателъная рекомбинация в полупроводниках. В сб. Излучательная рекомбинация в полупроводниках, под ред. Я. Е. Покровского, М. , Наука, 1972.

209. В. В. Вивчарюк, Ю. В. Гудыма, В. В. Ницович, Электронно-дырочное обменное взаимодействие в магнитосмешанных кристаллах, Укр. физ. журн. 31, 1092-1094 (1986).

210. А. В. Германенко, Л. П. Зверев, В. В. Кружаев, Г. М. Миньков, О. Э. Рут, Н. П. Гавалешко, В. М. Фрасуняк, Энергия акцепторного уровня в полупроводниковом р-Щ}. хМпхТе в магнитном поле. ФТТ 26, 1754-1757 (1984).

211. Ю. П. Гнатенко, Ю. И. Жирко, П. А. Скубенко, Люминесценция кристаллов Сайг, легированных и интеркалированных марганцем. ФТТ 30, 2673-2678 (1988).

212. М. Гольдман. Спиновая температура и ЯМР в твердых телах. М. , Мир, 1972.

213. Е. Ф. Гросс, А. И. Екимов, Б. С. Разбирин, В. И. Сафаров, Оптическая ориентация свободных и связанных экситонов в гексагональных кристаллах. Письма в ЖЭТФ, 14, 108-112(1971).

214. М. Ф. Дейген, В. Я. Зевин, В. М. Маевский, И. В. Потыкевич, Б. Д. Шанина, Исследование концентрационной зависимости ЭПР Мп++ в монокристаллах Сс1Те. ФТТ 9, 983-996 (1967).

215. Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, В. Г. Флейшер, Исследование парамагнетизма полупроводников по поляризации люминесценции в слабом магнитном поле. Письма в ЖЭТФ 17, 244-247 (1973).

216. М. И. Дьяконов, В. И. Перель, О циркулярной поляризации рекомбинационного излучения полупроводников в слабом магнитном поле. ФТТ 14, 1452-1459 (1972).

217. М. И. Дьяконов, В. И. Перель, Теория оптической ориентации спинов электронов и ядер в полупроводниках. В 247., с. 17-61].

218. В. С. Запасский, Г. Г. Козлов, В. А. Малышев, Экспериментальный метод оценки степени магнитной анизотропии примесных центров в стеклах. ФТТ 27, 2742-2744 (1985).

219. Е. Л. Ивченко, А. Ю. Каминский, И. Л. Алейнер, Обменное расщепление экситонных уровней в сверхрешетках типа I и II. ЖЭТФ, 104, 3401-3415 (1993).

220. К. В. Кавокин. Частное сообщение.

221. В. К. Калевич, В. Л. Коренев, Анизотропия электронного фактора в асимметричной квантовой яме СаАх/АЮаАя. Письма в ЖЭТФ, 57, 557-560 (1993).

222. Кинцель, Спиновые стекла как модельные системы для нейронных сетей. УФН 152, 123-131 (1987).

223. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. М., Наука, 1978, 792 с.

224. Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел. М., Наука, 1967, 492 с.

225. А. В. Комаров, С. М. Рябченко, О. В. Терлецкий, И. И. Жеру, Р. Д. Иванчук. Магнитооптические исследования и двойной оптико-магнитный резонанс экситонной полосы в СйТе: Мп2+. ЖЭТФ 73, 608-618 (1977).

226. М. А. Кривоглаз, А. А. Трущенко. Флуктуоны в полупроводниках, ФТТ 11, 3119-3131 (1969).

227. М. А. Кривоглаз, Флуктуонные состояния электронов. УФН 111, 617-654 (1973).

228. В. Д. Кульков, В. К. Калевич, Высокочувствительный анализатор циркулярной поляризации света. ПТЭ, в. 5, 196-198 (1980).

229. JI. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц, Электродинамика сплошных сред, Москва, «Наука», 1992, с. 219, 661с.

230. Т. Л. Линник, Ю. Г. Рубо, В. И. Шека, Анизотропия дырочного магнитного полярона в полумагнитных полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 63, 209-213 (1996).243 . 3. Мейтфессель, Д. Маттис. Магнитные полупроводники. М., Мир, 1972, 408 с.

231. И. А. Меркулов, Д. Р. Яковлев, К. В. Кавокин, G. Mackh, W. Ossau, А. Waag, G. Landwehr, Иерархия релаксационных времен при формировании экситонного магнитного полярона в (CdMn)Te. Письма в ЖЭТФ, 62, 313-317 (1995).

232. Э. Л. Нагаев, Магнитные полупроводники. М., Наука, 1979, с. 1-431.

233. Оптическая ориентация. Под ред. Б. П. Захарчени и Ф. Майера. Л., Наука, 1989, 408с.

234. Э. А. Пашицкий, С. М. Рябченко, Магнитное упорядочение в полупроводниках с магнитными примесями, ФТТ 21, 545-547 (1979).

235. С. И. Пекар. Автолокализация электрона в диэлектрической инерционно поляризующейся среде. ЖЭТФ 16, 335-348 (1946).

236. С. А. Пермогоров, Лазерное сужение экситонной люминесценции в полупроводниках. Изв. АН СССР, сер. физ. 46, 388-392 (1982).

237. Р. Планель, К. Бенуа а Ля Гийом, Оптическая ориентация экситонов. В 247., с. 285305.

238. Л. Полинг, Природа химической связи. Москва, 1947.

239. С. М. Рябченко, Ю. Г. Семенов, Локализованные состояния электрона, определяемые спиновыми корреляциями в парамагнитном полупроводнике. ФТТ 26, 3347-3354 (1984)

240. С. М. Рябченко, Ю. Г. Семенов, О. В. Терлецкий, Влияние обменного рассеяния на энергии зонных состояний магнитосмешанных полупроводников. Известия АН СССР, Сер. физ. 52, 511-514 (1988).

241. С. М. Рябченко, Ю. Г. Семенов, О. В. Терлецкий, Спиновая поляризация локализованных магнитных моментов в Сс/МпТе при обменном рассеянии фотовозбужденных носителей. ЖЭТФ 82, 951-958 (1982).

242. С. М. Рябченко, Ю. Г. Семёнов, О. В. Терлецкий. Уширение экситонных линий в магнитосмешанном полупроводнике Сйи^пхТе флуктуациями состава. ФТТ 27, 29012908 (1985).

243. С. М. Рябченко, Ю. Г. Семенов, Проявление носитель-примесных обменных взаимодействий в магнитолегированных полупроводниках. В кн. Спектроскопия кристаллов, Л, Наука, 1983, с. 206.

244. С. М. Рябченко, Ю. Г. Семенов, Эффекты спиновой корреляции для электронного центра большого радиуса в магнитосмешанных полупроводниках. ЖЭТФ 84, 1419-1431 (1983).

245. Ю. Г. Семенов, Влияние гигантского спинового расщепления зон на оптическую поляризацию и релаксацию локализованных моментов в полупроводниках. ЖЭТФ 81, 1498-1507 (1981).

246. Р. Уайт, Квантовая теория магнетизма, «Мир» 1985, 304 с.

247. Д. Р. Яковлев, Экситонные магнитные поляроны в полупроводниковых квантово-размерных гетероструктурах. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, Санкт-Петербург, 1998.