Нелинейность совместного воздействия оксидов свинца, сурьмы и висмута на процесс термического окисления арсенида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.01, кандидат химических наук Кострюков, Виктор Федорович

• Кострюков, Виктор Федорович
• кандидат химических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат химических наук Кострюков, Виктор Федорович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

ОБЗОР СОСТОЯНИЯ ПРОБЛЕМЫ) 1.1 Термическое окисление СаАв в чистых условиях

1.2. Воздействие дополнительных компонентов на кинетику и механизм процессов окисления арсенида галлия

1.3. Процессы хемостимулированного окисления арсенида галлия 24 1.4 Совместное воздействие соединений-активаторов с позиции химического сопряжения

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ОКСИДНЫХ СЛОЕВ НА ваАв ПРИ ОДНОВРЕМЕННОМ 33 ПРИСУТСТВИИ РЬО, 8Ь203 И В12Оэ

2.1. Характеристика материалов

2.2. Методика термооксидирования СаАв

2.3 Методика обработки результатов

2.3.1 Формально-кинетическая обработка результатов

2.3.2 Относительные парциальные и интегральные толщины

2.4 Эталонное окисление

2.5 Инструментальные методы исследования

ГЛАВА 3. ТЕРМИЧЕСКОЕ ОКИСЛЕНИЕ СаАв ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ БИНАРНЫХ СМЕСЕЙ ОКСИДОВ СВИНЦА, 57 СУРЬМЫ И ВИСМУТА

ГЛАВА 4. СОВМЕСТНОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ ТРЕХ ОКСИДОВ

АКТИВАТОРОВ НА ПРОЦЕСС ТЕРМООКСИДИРО

ВАНИЯ ваАв (системы 8Ь2Оэ - (В1203)о,8(РЬО)о,2; В12Оэ -(8Ь2Оз)о,2(РЬО)о,8)

ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ СОВМЕСТНОГО АКТИВИРУЮЩЕГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ОКСИДОВ СВИНЦА, СУРЬМЫ И ВИСМУТА НА ПРОЦЕСС ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ваАв

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Нелинейность совместного воздействия оксидов свинца, сурьмы и висмута на процесс термического окисления арсенида галлия»

Современные достижения физикохимии и техники полупроводников связаны, прежде всего, с двумя семействами полупроводников А1У и АП1ВУ. В настоящее время лидирующие позиции занимает дешёвый и технологичный кремний. Однако стремление к повышению быстродействия приборов, решение других задач полупроводниковой техники, стимулирует поиск и освоение иных материалов. Наибольший интерес проявляется к арсениду галлия, имеющему подвижность электронов в 4-5 раз выше, чем у кремния, и большую ширину запрещённой зоны, что может обеспечить повышенную радиационную устойчивость полупроводниковых устройств при одновременном повышении их быстродействия. При производстве планарных и МОП-приборов на основе ар-сенида галлия одной из наиболее важных заедач является создание на поверхности полупроводника высококачественных диэлектрических плёнок.

Чистое" термическое окисление арсенида галлия в сухом и влажном кислороде не решает основной задачи, поскольку скоростие роста диэлектрических плёнок малы, а их высокая пористость и неоднородность, а также низкая диэлектрическая прочность оксидных слоев делают их мало пригодными для использования в качестве пассивирующих и изолирующих покрытий.

Одним из методов увеличения скорости роста оксидных слоёв и улучшения их свойств является химическое стимулирование термического окисления арсенида галлия. Оно заключается во введении в окислительную атмосферу определенных, специальным образом подобранных соединений-активаторов, которые, радикально меняя кинетику и механизм процесса, приводят не только к ускорению процесса роста пленки, но и к улучшению диэлектрических свойств получаемых слоев. Для этой цели применяют различные соединения. Взаимодействия, имеющие место при этом, представляют собой многостадийные последовательно-параллельные процессы, протекающие в открытых гетерогенных системах, находящихся в сильно неравновесном состоянии, осложненные явлениями массопереноса через слой растущего оксидного покрытия и весьма сложные при их кинетическом описании. В связи с этим полупроводниковые соединения АШВУ и среди них, в первую очередь, ОаАв, представляют исключительный интерес не только как перспективные материалы для различных отраслей современной техники, но и как важный класс объектов химии полупроводников, на примере которых возможно развитие представлений химии твердого тела, термодинамики и кинетики сложных гетерогенных процессов. Эти процессы достаточно подробно изучены для термооксидирования ОаАэ в присутствии одного соединения-активатора. Установлено, что введение подобных соединений ускоряет формирование диэлектрических пленок на поверхности ваАв, и выявлена основная причина такого влияния - способность к окислительно-восстановительному "транзитному" взаимодействию с компонентами подложки.

Для дальнейшего развития представлений о кинетике и механизме подобных гетерогенных взаимодействий типа "твердое - газ" и "твердое - твердое" целесообразно исследовать особенности совместного воздействия нескольких соединений-активаторов на процесс термического окисления поверхности полупроводника. Это позволит, не только более гибко управлять составом и свойствами образующихся тонких многокомпонентных диэлектрических слоев, но и по-новому взглянуть на проблему взаимного влияния нескольких процессов, протекающих в единой системе одновременно.

В классической химической кинетике можно четко определить связь между стадиями в реакционной схеме по последовательному, параллельному (некоторые схемы параллельных реакций) и последовательно-параллельному типу. В ряде систем изучено и описано сопряжение стадий. Однако в системах нового типа, начиная с поверхностно-многослойных структур с сильным матричным влиянием поверхности на все процессы, протекающие в системе, общими моментами являются многоканальность и энергетическая взаимосвязь стадий. Кинетическая схема механизма таких процессов состоит из стадий, не являющихся элементарными. Их характер определяется различными активными центрами, однако все они находятся на одной поверхности. Несмотря на то, что на развитых стадиях формирования таких структур процессы протекают и в самих пленках, в общем случае реакционным пространством служит граница раздела, которая может трактоваться как "двумерная фаза".

В процессах хемостимулированного окисления полупроводников совместное воздействие нескольких активаторов в смесях переменного состава может явиться удобной моделью для изучения нелинейных эффектов взаимовлияния компонентов. На этой основе в дальнейшем возможно рассмотрение с общих позиций взаимного влияния двух элементов-активаторов в составе одного со-единения-хемостимулятора, воздействия сложных композиций стимуляторов на кинетику и механизм различных процессов с целью формирования новых материалов. Это тем более важно, что исследуемые объекты могут рассматриваться как переходные между макрохимическими и наноразмерными.

Цель работы.

Установление особенностей совместного действия нескольких оксидов-активаторов на процесс термического окисления арсенида галлия

Задачи исследования.

1. Изучение кинетики роста оксидных слоев на ваАз в зависимости от состава смеси оксидов-активаторов в сравнении с беспримесным окислением и процессами под воздействием индивидуальных оксидов.

2. Количественное описание нелинейности совместного активирующего воздействия оксидов на макрокинетическом уровне.

3. Исследование композиций активаторов и состава оксидных слоев на ваАБ инструментальными методами для выяснения возможного механизма взаимовлияния оксидов-активаторов.

Научная новизна.

Впервые изучено воздействие нескольких соединений-активаторов на процесс термического окисления ваАБ (трех бинарных смесей 8Ь2Оз+В12Оз, 8Ь2Оз+РЬО и В1203+РЬ0, а также трехкомпонентных смесей 8Ь20з - (В12Оз)о,8(РЬО)о,2 и В120з - (8Ь2Оз)о,2(РЬО)о,8)- Обнаружен эффект взаимного влияния активаторов как для бинарных, так и для тройных систем, заключающийся в отклонении реально наблюдаемой толщины результирующего слоя от аддитивной. С целью количественного описания обнаруженного эффекта введены представления об относительных парциальных и интегральных толщинах, позволяющие выявить вклад данного активатора в общий процесс. Для интерпретации обнаруженных нелинейных эффектов привлечены представления о диаграммах "состав - свойство", в которых состав (смеси активаторов) и свойство (толщина результирующего слоя на поверхности ОаАв) пространственно разделены.

Практическая значимость.

С прикладной точки зрения для оптимизации процессов создания новых неорганических материалов, обладающих комплексом заданных свойств необходима их тонкая регулировка, и решение этой задачи возможно с применением сложных активаторов или их композиций. Это позволит более гибко управлять составом и свойствами образующихся тонких многокомпонентных диэлектрических слоев.

Положения, выносимые на защиту

1. Нелинейные эффекты в процессах хемостимулированного окисления ваАэ при одновременном воздействии нескольких оксидов-активаторов.

2. Распространение формализма относительных парциальных и интегральных величин на кинетические характеристики (толщина оксидного слоя) в процессах хемостимулированного окисления полупроводников под воздействием композиций активаторов.

3. Диаграммы "состав - свойство" с пространственным разделением состава (композиции активаторов) и свойств (толщина результирующего слоя) для интерпретации нелинейных эффектов при хемостимулированном окислении полупроводников.

4. Химическое взаимодействие между соединениями-активаторами как новый фактор возникновения дополнительных каналов связи между синхронно протекающими процессами.

Публикации и апробация работы.

По материалам работы опубликовано 7 статей и тезисов докладов научных конференций. Результаты работы были доложены на VII Региональной научной конференции "Проблемы химии и химической технологии", г. Тамбов 1999 г. и The VII International Conference of Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF-VII) Ivano-Frankivsk 1999 r.

Структура и объем диссртации.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов, списка литературы (79 наименований) и приложения, изложена на 114 страницах, содержит 54 рисунка и 10 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Неорганическая химия», Кострюков, Виктор Федорович

ВЫВОДЫ

1. Обнаружены нелинейные эффекты взаимного влияния нескольких оксидов-активаторов в процессах хемостимулированного окисления арсенида галлия, заключающиеся в отклонении реальной толщины растущего на поверхности слоя от ожидаемой в предположении их независимого и параллельного воздействия.

2. Показана целесообразность использования кинетических диаграмм "состав композиций активаторов - толщина оксидного слоя" для выявления нелинейных эффектов совместного воздействия активаторов и закономерностей развития этих эффектов в зависимости от температуры и времени процесса.

3. Для количественной интерпретации нелинейных эффектов введены представления об относительных интегральных и парциальных толщинах, позволяющих, соответственно, определить степень отклонения достигаемой толщины от аддитивности и индивидуальный вклад активаторов в общий процесс хемостимулированного окисления ваАБ.

4. Установлено, что наименее эффективный активатор - В120з — тормозит ускоряющее действие как РЬО, так и 8Ь203. Оксид свинца, промежуточный по хемостимулирующему действию, тормозит ускоряющее действие 8Ь203, но увеличивает эффективность действия В1203. Наиболее сильный активатор -8Ь203 усиливает действие РЬО, однако заметно не влияет на В1203. Это приводит к различным по характеру знакопеременным нелинейным эффектам в композициях активаторов с участием РЬО (системы РЬО - В1203 и РЬО -8Ь203).

5. Для трехкомпонентной композиции активаторов в системе В1203 -(8Ь2Оз)о,2(РЬО)о,8 обнаружены только положительные отклонения толщины результирующего слоя от аддитивности при низких температурах и малых временах процесса.

105

6. На основании изучения состава образующихся оксидных слоев на GaAs, изменений в композициях активаторов в сочетании с известными данными по диаграммам состояния бинарных оксидных систем установлена корреляция между характером взаимодействия оксидов и типом наблюдаемого нелинейного эффекта. Взаимное усиление и торможение активирующего действия оксидов имеет химическую природу и обеспечивает дополнительные каналы связи между одновременно протекающими в системе процессами, которые, таким образом, являются кинетически сопряженными.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Кострюков, Виктор Федорович, 2000 год

1. Des pistes pour jeus d'electrons et de protons: les materias semi-conducteurs // Rev. Polytech. 1989. №. 12. S. 1550- 1552.

2. Gallium arsenide is still the material of the future is getting closer // Inf. Technol. Intell. 1989. 5, №.4. 5. 04. 02/1 5. 04. 02/3.

3. Surface EXAFS investigation of oxygen chemisorption of GaAs (110) / R. S. Bauer, J. C. Monemamin, L. J. Jonasson et all. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V. 16, №5. P. 1195-1199.

4. Oxygen adsorption on the GaAs (110) surface / C. Y. Su, J. Lindau, P. R. Skeath et all // J. Vac. Sci. Technol. 1980. V. 17, № 5. P. 936 941.

5. Chemisorption of oxygen and aluminium on the GaAs (110) surface from ab initio theory /Barton J. J., Coenraad A., Goddurd W. A. et all // J. Vac. Sci. Technol. 1980. V. 17, № 1. P. 164 168.

6. Lucovsky G. A chemical bonding model for the native oxides of the III V compound semiconductors // J. Vac. Sci. Technol. 1981. V. 19, № 3. P. 456 -462.

7. Ludeke R. The oxidation of the GaAs (110) surface // Solid State Commun. 1977. V. 21. P. 815-820.

8. Исследование методом фотоэлектронной спектроскопии адсорбции кислорода на поверхности арсенида галлия в кислородной плазме / Май-зель А., Фламм Д., Вебер Е. и др. // Поверхность: Физ., хим., мех. 1987. № 10. С. 27-36.

9. Seebauer Е. С. Oxidation and annealing of GaAs <100> studied by photoreflectance // J. Appl. Phys. 1989. V. 66, № 10. P. 4963 4972.

10. Wilsmen C. W., Ku R. W., Gub К. M. Initial oxidation and oxide/semiconductor interface formation on GaAs // J. Vac. Sci. Technol. 1979 V. 16, №5. P. 1366- 1371.

11. An XPS analysis of the oxide films on GaAs / Y. Mizokawa, H. Imasaki, R. Nishitani et all. // Proc. 7-th Inter. Vac. Sci., Techol and Appl. Vienna. 177. P. 631 -634.

12. Cape J. A., Tennant W. E., Hale L. G. Raman scattering studies of the GaAs native oxide interface // J. Vac. Sci. Technol. 1977. V. 14, № 4. P. 921 923.

13. GaAs oxidation and Ga As - О equilibrium phase diagram / C. D. Thurmond, G. P. Schwartz, G. W. Kammlott et all // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 14, №4. P. 921 -923.

14. Wilsmen G.W. Oxide layers on III V compound semiconductors // Thin Solid Films. 1976. V. 30, № 1 - 2 - 3. P. 105 - 117.

15. Галицин Ю. Г., Петренко И. П., Свиташева С. Н. Исследование кинетики образования и состава оксида на сколотой поверхности GaAs <110> // Поверхность: Физ., хим., мех. 1987. №11. С. 51 58.

16. Butcher D. N., Sealy В. J. Electrical properties of thermal oxide on GaAs // Electron Lett. 1977. V. 14, № 19. P.558 559.

17. Navratil K., Ohlidal J., Lukes F. The physical structure of the interface between single-crystal GaAs and its oxide films // Thin Solid Films. 1979. V. 56, №1,2. P. 163-171.

18. Koshiga F., Sugano T. Thermal oxidation of GaAs // Jap. J. Appl. Phys. 1977. V. 6,№ 16 1. P.465 -469.

19. Wilsmen C. W., Ku R.W., Gub К. M. Initial oxidation and oxide/semiconductor interface formation on GaAs // J. Vac. Sci. Technol. -1979.-V. 16,№5.-P. 1366- 1371.

20. Effects of water vapor and excitation on oxidation of GaAs, GaP and InSb surface studied by X-ray photoemission spectroscopy / H. Iwasaki, R. Nishitani et all // Jap. J. Appl. Phys. 1979. V. 18, № 8, P. 1525 1529.

21. Изменение элементного состава при термическом отжиге GaAs с пассивирующими покрытиями / JI. В. Гуоба, С. Г. Жигенис, Г. А. Зубаускас и др. // Поверхность: Физ., хим., мех. 1987. № 5. С137 140.

22. Takagi Н., Капо G., Teramoto J. A new technique for growth of thermal oxide films on GaAs // Surf. Sci. 1979. V. 86. P. 264 271.

23. Миттова И. Я., Пономарёва Н. И. Термическое окисление арсенида галлия в кислороде // Физико-химия гетеоргенных систем. Воронеж: Изд-во ВГУ. 1984. С. 26-32.

24. Миттова И. Я. Примесное термооксидирование кремния и арсенида галлия. Дис. . докт. хим. Наук. Москва. ИОНХ им. Н.С. Курнакова. 1988. 455с.

25. Wilmsen С. N., Kee R. W. The improvement on grown oxides for the surface properties of III V compounds // Thin Solid Films. 1978. V51, № 3. P. 93 -98.

26. Butcher P. N., Sealy B. J. The effects of ion implantation of the thermal oxidation of GaAs // Radiat Eff. 1980. V. 48, № 1 4. P. 203 - 206.

27. Термическое окисление GaAs, имплатированного ионами Sb, P и В / И. Я. Миттова, Г. В. Борзакова, Н. М. Медведев и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1989. Т. 25, № 6. С. 912 916.

28. Об особенностях межфазных взаимодействий на границе Pt GaAs / Б. А. Нестеренко, В. В. Миленин, А. А. Наумовец и др. // Укр. физ. ж. 1989. Т. 34, №6. С. 899-903.

29. Structure and chemical bonding at the interfaces GaAs/Si and GaAs/Ge / V. Huong Phan, A. Leycuras // Thin Solid Films. 1990. V. 184. P. 423 428.

30. Formation of the Ga/GaAs <110> Interface /D. Mao, K. Young, K. Stiles // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1989. V. 7, №3, Pt 1 P. 744 748.

31. Takagi H., Kano G., Teramoto J. Thermal oxidation of GaAs in arsenic trioxide vapor // J. Electrochem. Soc. 1978. V. 125, №4. P. 579 581.

32. Takagi H., Капо G., Teramoto J. Selective thermal oxidation of As-containing compound semiconductor regions // Пат. 4194927 США Matsushita Electric Industrial Co, Ltd; Заявл. 11. 07. 78. Опубл. 25. 03. 80 USA. 148/1. 5, H01L 7/36.

33. Takagi H., Kano G., Teramoto J. Thermal oxide gate MOSFET s // IEEE Trans. Electron. Devices. 1978. V. 25, № 5. P. 551 552.

34. Кожитов JI. В., Овчинников В. В. Окисление арсенида галлия в реакторе пониженного давления // Тез. докл. Всес. конф. "Взаимодействия атомных частиц с твердым телом" Минск, 1982. Ч. 3. С. 149-151.

35. Nature and crowth of anodic and thermal oxides on GaAs and AlxGai.xAs / P. Schumuki, R. J. Hussey, G. I. Sproule et all. // Corrosion Science. 1999. V. 41. P. 1467-1474.

36. Initial growth of Ga203(Gd203) on GaAs: Key to the attainment of a low interfacial density of states / M. Hong, Z. H. Lu, J. Kwo et all. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76, № 3. P. 312 314.

37. Sputter deposition of gallium nitride films using a GaAs target / N. Elkashef, R. S. Srinivasa, S. Major et all. // Thin Solid Films 333 1998. P. 9 12.

38. Growth and characterization of hypothetical zinc-blende ZnO films on GaAs <001> substrates with ZnS buffer layers / А. В. M. Almanum Ashrafi, Akio Ueta, A. Avramescu et all. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76, № 5. P. 550 552.

39. У. T. Oh, T. W. Kang, T. W. Kim Surface State Behavior and Neutralization of Impurities in Sulfur-Treated, Hydrogenated, and Annefled GaAs //

40. Structural studies of sulfur-passivated GaAs <100> surfaces with LEED and AFM / Y. Ke, S. Malino, X. W. Wang et all. // Surf. Sci. 415 1998. P. 29 36.

41. Growth of GaS on GaAs <100>-(4x2) with the single-sourse precursor (lBu)GaS.4 / A. B. Hopcus, S. I. Yi, С. -H. Chung et all. // Surf. Sci. 446 2000. P. 55-62.

42. M.-G. Kang, H.-H. Park Effect of GaAs surface treatments using HC1 or (NH4)2Sx solutions on the interfacial bonding states induced by deposition of Au // Thin Solid Films 332 1998. P. 437 443.

43. A study on the structural distribtion of Se-passivated GaAs surface / J.-W. Kim, S.-H. Sa, M.-G. Kang // Thin Solid Films 332 1998. P. 305 311.

44. Metal-sulfur-based air-stable passivation of GaAs with very low surface-state densities / С. I. H. Ashby, K. R. Zavadil, A. G. Baca et all. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76, № 3. P. 327 329.

45. Surface and bulk passivation of GaAs solar cell on Si substrate by H2+PH3 plasma / G. Wang, T. Ogawa, M. Unemo et all. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76, №6. P. 730-732.

46. E. W. Berg, S. W. Pang Cl2 plasma passivation of etch induced damage in GaAs and InGaAs with an inductively coupled plasma sourse // J. Vac. Sci. Technol. 1999. В 17(6). P. 2747 2749.

47. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р. Химия процессов целенаправленного создания функциональных диэлектрических слоев на полупроводниках при их примесном термооксидировании // Успехи химии 1991. Т. 60, Вып. 9. С. 1898- 1919.

48. Миттова И. Я., Пухова В. В. Термическое окисление структур GaAs/In2S3 // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1986. Т. 22, № 6. С. 885 888.

49. Термическое окисление структур GaAs/GeS2 в кислороде / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, В. А. Терехов и др. //Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1988. Т. 24, № 10. С. 1592 1594.

50. Окисление GaAs со слоем PbS на его поверхности / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, В. Н. Семёнов, и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1987. Т. 23, №5. С. 717-720.

51. Миттова И. Я., Пухова В. В., Нониашвили JL Э. Формирование диэлектрических слоёв на GaAs в процессе термооксидирования структур

52. ОаАБ/БЬгЗз // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1987. Вып. 2 (233). С. 60-63.

53. Получение термическим окислением структур ОаАз/В^з и свойства диэлектрических плёнок на ваАв / И. Я. Миттова, В. В. Пухова, И. Ф. Клементьева и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1988. Т. 24 , № 9. С. 1431 -1434.

54. Миттова И. Я., Свиридова В. В., Колюкаева И. А. Рост диэлектрических слоев при термическом отжиге структур ОаАз/РЬО в аргоне и кислороде // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1989. Т. 25 , № 12. С. 1954 1958.

55. Миттова И. Я., Борзакова Г. В., Свиридова В. В. Термическое окисление структур 0аАз/8Ь204 в кислороде // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1989. Т. 25 , № 8. С. 1244 1248.

56. Миттова И. Я., Свиридова В. В., Семенов В. Н. И др. Термооксидирование структур ОаАз/В12Оз в кислороде // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1990. Т. 26 , № 10. С. 2013 2016.

57. Миттова И. Я., Пономарёва Н. И., Кузнецова М. Н. Кинетика формирования оксидных слоев на ваАБ в кислороде в присутствии ОаС1з // Журн. физ. химии. 1985. Т. 59 № з. с. 758 759.

58. Миттова И. Я., Пономарёва Н. И. Физико-химические особенности термического окисления ОаАБ в кислороде в присутствии хлорида индия // Журн. физ.-химии., 1985, № 6.

59. Миттова И. Я., Чавкина В. И., Семенов В. Н. Особенности роста термических оксидных пленок на ваАв в присутствии РЬС12 // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1987. Т. 23, № 7. С. 1212 1215.

60. Миттова И. Я., Малыхина Т. С., Пономарёва Н. И. Термическое окисление ОаАв в присутствии 8ЬС1з и ВЮз // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1986. Т. 22. № 6. С. 893 896.

61. Оксидные диэлектрические слои на ваАБ, выращенные в присутствии ЕН20з / И. Я. Миттова, В. В. Васильева, В. А. Терехов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1988. Т. 24, № 12. С. 1941 1944.

62. Термооксидирование ОаАэ в кислороде в присутствиии ве02 в газовой фазе / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, В. Н. Семёнов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1990. Т. 26, № 1. С. 14 17.

63. Закономерности формирофания оксидных слоёв термооксидированием ОаАв при введении 8пО вгазовую фазу / И. Я. Миттова, И. Я. Свиридова, С. В. Фетисова и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1991. Т. 27, №4. С. 675-679.

64. Получение диэлектрических плёнок на ОаАэ в присутствии 8Ь203 в газовой фазе / И. Я. Миттова, В. В. Васильева, В. Н. Семёнов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1988. Т. 24, № 4. С. 539 541.

65. Термическое окисление ОаАв при введении РЬО в газовую фазу / И. Я. Миттова, В. В. Свиридова, В. Н. Семёнов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер. 1989. Т. 25, № 6. С. 908 -911.

66. Нагиев Т. М. Химическое сопряжение М.: Высшая школа. 1989. 251с.

67. Киперман С. Л. Основы химической кинетики в гетерогенном катализе. М.: Химия. 1979. 346 с.

68. Торопов Н. А., Борзаковский В. П. Диаграммы состояния силикатных систем. Вып 5. Л.: Наука. 1969. 823 с.

69. Диаграммы состояния систем тугоплавких оксидов. Справочник. Вып. 5, ч. 2. Под ред. Ф.Я. Галахова. Л.: Наука. 1986. 353 с.

70. Казенас Е. К., Чижиков Д. М. Давление и состав пара над окислами химических элементов. М.: Наука, 1976. 342с.

71. Куликов И. С. Термодинамика оксидов. Справочник. М.:Металлургия, 1986. 341с.

72. Кольцов С.И., Громов В.К., Рачковский P.P. Эллипсометрический метод исследования поверхности твердых веществ. Л.: Наука. 1983. - 248 с.

73. Герасимов Я.И., Гейдерих В.А. Термодинамика растворов. М.: Изд. МГУ. 1980.-184 с.

74. Вагнер К. Термодинамика сплавов. М.: Металлургия. 1957. - 180 с.

75. Глазов В. М., Павлова Л. М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия. М.: Металлургия. 1988. - 558 с. »

76. Домашевская Э.П. Природа межатомного взаимодействия и закономерности строения энергетического спектра валентных электронов в полупроводниковых материалах. Дис. докт. физ.-мат. наук. Воронеж. -1978.-297 с.

77. Майзель А., Леонхард Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь / Пер. с нем. Е. А. Журановского. Киев: Наукова думка. 1981. -420 с.

78. Миттова И. Я., Гадебская Т. А. О температурной и временной зависимости энергии активации процесса термического окисления кремния // В кн.: Физико-химия полупроводникового материаловедения. Воронеж: Изд-во ВГУ. 1979. - С. 20-26.78. Картотека ASTM.

79. Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Сошников В. В. Эффект кинетического сопряжения при хемостимулированном окислении фосфида индия под воздействием оксида свинца // Доклады РАН. 1997. Т. 354. № 3. С.343 -345.d, нмО