Неравновесные процессы при формировании диэлектрических слоев и влияние объемного заряда на характеристики МДП структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Авдеев, Николай Алексеевич

• Авдеев, Николай Алексеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Авдеев, Николай Алексеевич

Введение.

Глава 1. Окислы на поверхности полупроводников и металлов.

1.1. Физико-химические механизмы образования окислов.

1.2. Структура и энергетический спектр окислов Si, Та, InAs.

1.2.1. Строение двуокиси кремния.

1.2.2. Структура и дефекты в пятиокиси тантала.

1.2.3. Состав и структура анодного окисла InAs.

1.3. Полевые модели ионного переноса.

1.4. Неравновесные явления в электрохимической кинетике.

1.5. Поверхностные явления в работе фотоприемных устройств.

1.5.1. Основные положения физики поверхности полупроводников.

1.5.2. Применение МОП структур в фотоприемных устройствах.

1.5.3. Феноменологическое описание процессов накопления заряда в окисном слое.

1.6. Выводы по главе 1 и постановка задачи исследований.

Глава 2. Методики приготовления и исследования МОП структур.

2.1. Предварительная химическая обработка.

2.2. Магнетронное напыление металлических пленок.

2.3. Методика анодного окисления.

2.4. Метод вольтфарадных и вольтсименсных характеристик.

2.5. Метод фотопроводимости.

2.6. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия.

2.7. Инфракрасная спектроскопия.

2.8. Выводы по главе 2.

Глава 3. Формирование и свойства анодных окислов на полупроводниковых подложках

3.1. Окисление тантала на кремнии.

3.2. Исследование фольтфарадных и вольтсимеисных характеристик структур Si-Ta205-Au

3.3. Спектры инфракрасного поглощения структур Si-Ta205.

3.4. Рефлектометрические исследования окисных пленок.

3.5. Формирование анодных окислов на арсениде индия.

3.6. Выводы по главе 3.

Глава 4. Процессы ионного переноса при анодном окислении.

4.1. Ионный перенос в условиях образования новой фазы.

4.2. Гальваностатический режим окисления.

4.3.Вольтстатический режим окисления.

4.4. Выводы по главе 4.

Глава 5. Исследование фотоэлектрических свойств МДП структур.

5.1. Фотозаряжение структур Si - Та205 - Аи

5.2. Зонная структура анодного окисла арсенида индия.

5.3. Нестационарная фотопроводимость и ее связь с накоплением заряда.,.

5.4. Численное моделирование кинетики переходных токов.

5.5. Выводы по главе 5.

Глава 6. Расчет распределения заряда в окисле.

6.1. Облучение образцов.

6.2. Метод расчета распределения заряда.

6.3. Результаты и их обсуждение.

6.4. Выводы по главе 6.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Неравновесные процессы при формировании диэлектрических слоев и влияние объемного заряда на характеристики МДП структур»

Актуальность работы определяется необходимостью создания прочных и однородных диэлектрических слоев на поверхности полупроводников. С практической точки зрения основная задача заключается в определении условий получения окислов, обладающих высококачественными диэлектрическими свойствами, т.к. главной областью применения в микроэлектронике таких диэлектриков как Ta205, Nb205, SiC^ является производство оксидно-полупроводниковых и оксидно-электролитических конденсаторов.

В этом смысле технология анодного окисления позволяет с высокой точностью формировать толщину диэлектрического слоя, управлять электрофизическими свойствами объема и границы окисел-полупроводник. Отличительная особенность неравновесных процессов в таких системах связана с протеканием электрического тока, вызванного подключением внешнего источника. Перенос ионов приводит к образованию новой фазы вещества со значительными отклонениями от равновесного состояния. Неравновесное состояние является результатом появления подвижных примесных и собственных дефектов внедренных в междоузлия и встроенных в узлы структуры. Энергия связи подвижных дефектов ниже энергии атомов образующих остов структуры окисла, что на фоне разупорядоченности приводит к появлению квазинепрерывного спектра энергетических уровней внутри запрещенной зоны окисла. Такое состояние может существовать длительное время и проявляться в возникновении фаз с отклонением от стехиометрии, наличии высокой концентрации ловушечных уровней и появлении электретных свойств. Соответственно в некристаллических анодных окислах при термообработках, облучении и полевых воздействиях, а иногда и спонтанно могут происходить структурные изменения, что оказывает значительное влияние на стабильность и долговечность работы, создаваемых на основе таких диэлектриков, электронных приборов и схем. В этом контексте актуальной задачей представляется исследование процесса анодного окисления с точки зрения модели диффузионно-дрейфового переноса ионов, происходящего в условиях образования новой фазы. Изучение кинетических параметров процесса анодного окисления позволяет целенаправленно совершенствовать технологию формирования анодных пленок, регулировать зарядовое состояние в объеме и на границе окисла с полупроводниковой подложкой.

Несмотря на длительное применение структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в микроэлектронике, продолжается исследование этих систем и поиск путей улучшения их параметров [1]. В настоящее время, основные усилия направлены на использование материалов с лучшими характеристиками [2], совершенствование методов нанесения диэлектрических пленок, получение высококачественной границы полупроводник-диэлектрик. В этих направлениях интенсивно ведутся работы по созданию фотоприемных устройств в виде матриц с высокой плотностью чувствительных элементов. Основой для создания многоэлементных фотоприемников в интервале длин волн ^=2.5-3.05 мкм являются структуры металл-диэлектрик-полупроводник на основе арсениде индия. Все технологические процессы на InAs необходимо производить при температуре менее 250°С, так как при более высоких температурных воздействиях нарушается стехиометрия поверхности полупроводника. Использование низкотемпературной технологии анодного окисления, позволяет получать структуры InAs собственным окислом в качестве диэлектрика, удовлетворяющие рабочим характеристикам фотоприемных устройств. В качестве перспективного материала для создания диэлектрического слоя МДП структур рассматриваются окислы с высокой диэлектрической проницаемостью. Такой диэлектрик должен соответствовать некоторым требованиям: быть химически стабильным в контакте с кремнием, иметь низкую концентрацию дефектов и высокий инжекционный барьер на границе окисел полупроводник. Окислы тантала обладают большими значениями диэлектрической проницаемости (е =27), высокой химической и термической стойкостью, используются в качестве просветляющего покрытия в оптике. Структуры Si-Ta205 применяются для создания элементов памяти больших интегральных схем (БИС), в работе которых главную роль играют процессы накопления, хранения и удаления заряда в диэлектрике [3].

Исследование фотоэлектрических характеристик анодных окислов Таг05 и собственного анодного окисла (САО) на поверхности InAs позволяет определить концентрацию и спектр энергетических состояний, измерить величину потенциальных барьеров на межфазных границах, изучить закономерности накопления и распределения заряда в диэлектрике [4], что позволяет прогнозировать стабильность работы, создаваемых фотоматриц и элементов памяти БИС. С этой же точки зрения представляется актуальным вопрос о модификации методик применяемых в исследованиях, что позволяет получить больше информации и увеличить точность определения параметров переноса и распределения заряда в окислах.

Изучение этих вопросов представляет не только самостоятельный научный интерес, но имеет большое значение для совершенствования технологии выращивания диэлектрических слоев и улучшения их оптоэлектронных характеристик.

Цель работы состоит в исследовании неравновесных процессов при формировании анодных оксидных слоев сложного состава на полупроводниках и накоплении объемного заряда как в процессе формирования анодных окислов, так и при внешних воздействиях на сформированные МДП структуры.

Основные задачи исследования: ♦ Разработка методик формирования структур Si-Ta205, InAs-CAO с анодным окислом на поверхности полупроводников и исследование влияния параметров окисления на характеристики создаваемых МДП структур.

Развитие диффузионно- дрейфовой модели с подвижной границей для описания процесса анодного окисления и определение кинетических параметров реакции образования анодного окисла.

Исследование процесса накопления заряда в МДП структурах Si-Ta205-Ме, InAs-CAO-Me при ультрафиолетовом фотовозбуждении.

Разработка методики определения характеристик неравновесных носителей (подвижность, квантовый выход) на основе измерений переходных фототоков в МДП структурах.

Анализ методов и выбор оптимального способа решения интегрального уравнения применительно к расчету распределения радиационно-индуцированного заряда в диэлектрических слоях МДП структур.

Научная новизна и состоит в том, что впервые:

Проводится исследование влияния режимов окисления на электрофизические характеристики создаваемых МДП структур Si-Ta205 и показано, что в окисле Та205 после завершения процесса анодного окисления находится значительный отрицательный заряд Nox>1013cm "2.

Реакция анодного окисления рассмотрена с позиций диффузионно-дрейфовой модели с подвижной границей. Рассчитаны кинетические параметры реакции образования окисла: коэффициент диффузии D= МО"16 м2/с, подвижность р. = 4.2-10"15м2/В-с, скорость химической реакции % = 2.8-Ю"10м/с.

Определены пороги фотоинжекции в структурах Si-Ta205 (hv ~ 2.5 эВ) и собственной фотопроводимости окисла Ta205 (hv ~ 4.0 эВ). Для структур InAs-CAO-Me порог собственной фотопроводимости равен hv ~ 3.5 эВ, определено значение подвижности неравновесных дырок цр = 8-10"10 см2/В-с и квантового выхода Y(E) =8-10" . На основе решения интегральных уравнений с применением методов регуляризации получен вид распределения радиационно-индуцированного заряда в окислах МДП структур.

Практическая ценность работы:

Разработанная методика формирования анодного окисла на поверхности полупроводников, позволяет получать структуры Si-Ta205 и InAs-CAO пригодные для изготовления электронных устройств.

Расчет кинетических параметров реакции образования анодного окисла, согласно принятой модели диффузионно-дрейфового переноса, предоставляет возможность определить оптимальные режимы окисления поверхности полупроводников, что позволяет снизить плотность поверхностных состояний на границе окисел-полупроводник, величину встроенного в окисном слое заряда.

Исследование закономерностей накопления заряда в структурах Si-Ta205- Me, InAs-CAO-Me при ультрафиолетовом облучении и распределения радиационно-индуцированного заряда в окисле МДП структур позволяет прогнозировать стабильность работы приборов на их основе.

Основные положения, выносимые на защиту:

Методика формирования анодных окислов на поверхности полупроводников в структурах Si-Ta205 и InAs-CAO.

Применение диффузионно-дрейфовой модели с подвижной границей для описания процесса анодного окисления и определение влияния технологических параметров образования окисла на его свойства.

Закономерности накопления заряда и его распределение в окисле при облучении структур.

Методика расчета подвижности и квантового выхода неравновесных носителей заряда на основе измерений переходных фототоков в МДП структурах.

Способ расчета распределения заряда на основе решения интегральных уравнений при послойном стравливании диэлектрика.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Авдеев, Николай Алексеевич

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Применена диффузионно-дрейфовая модель процесса анодного окисления с учетом перемещения фазовой границы. Определены кинетические параметры ионного переноса: подвижность р. = 4.2-10* 15м2/В-с, коэффициент диффузии D = 1.08-10'16 м2/с, скорость химической реакции j=2.8-10"10m/c. Показано, что в гальваностатическом режиме у границ окисла наблюдается значительный градиент концентрации подвижных частиц. В вольтстатическом режиме формирования окисла наблюдается смещение пика концентрации подвижных дефектов к границе окисел полупроводник.

2. Исследовано влияние режимов окисления на электрофизические характеристики создаваемых МДП структур и показано, что в окисле Ta2Os после завершения процесса анодного окисления находится значительный отрицательный заряд Nox >1013см"2. Установлено, что уменьшение плотности тока формирования окисла до 2 шА/см снижает

II 2 плотность ПС до 10 см*, шероховатость межфазной границы окисел полупроводник до 20±2 А, скорость химической реакции до 4-10"10 м/с.

3. Методом фотопроводимости определена ширина запрещенной зоны в анодном окисле InAs (4.9 эВ) и анодном окисле Та205 (4.6 эВ). Показан объемный характер фотопроводимости в САО на InAs и слое Та205. Методом фотозаряжения определена пороговая энергия {hv =2.5 эВ) накопления заряда, возникающего за счет появления инжекционных токов в структуре Si-Ta205-Au. Независимость спектральной характеристики от толщины, разная полярность токов фотозаряжения и тока деполяризации окисла InAs указывают на локализацию заряда у границы окисла с полупроводником.

4. На основе разработанной методики анализа переходных фототоков

10 9 определены подвижность дырок = МО" см/В-с и величина

-л квантового выхода Y(E) =8-10" в анодном окисле InAs.

5. Разработана методика для расчета распределения плотности заряда по толщине окисла с помощью решения интегральных уравнений с применением методов регуляризации. Распределение радиационно-индуцированного заряда в диэлектрическом слое МНОП структур характеризуется его локализацией у межфазных границ окисла.

116

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Авдеев, Николай Алексеевич, 2007 год

1. Sah С. -Т. Fudamentals of solid-state electronics // С. -Т. Sah. Word Scientific, 1991.-1011 p.

2. Тутов E.A. Альтернативные оксиды для кремниевых МОП структур / Е.А. Тутов, С. В. Рябцев, Е.Е. Тутов, Ф.А. Тума, Е.Н. Бормонтов // Кибернетика и высокие технологии XXI века: VII международная научно техн. конф.-Воронеж, 2006. - Т.1.- с.258-262.

3. Валиев К. А. / Проблемы создания высоконадежных многоуровневых соединений СБИС / К.А. Валиев, А.А. Орликовский, А.Г. Васильев, В.Ф. Лукачев // Микроэлектроника 1990. - т. 19 - вып. 2. - С.25 -28.

4. Сазонов С. Г. Роль компонента Bv в формировании электронной структуры соединения A"1 Bv и оксидов на их основе/С. Г. Сазонов // Новые материалы электронной техники: сб. ст.- Новосибирск, Наука, 1990. с. 49 - 61.

5. Смирнов В. И. Физико-химические основы технологии электронных средств / В. И. Смирнов Ульяновск:Ул.ГТУ, 2005. -112с.

6. Park Н. Defect Based Two-Dimensional Model of the Evolution of Dislocation Loops in Silicon during Oxidation / H. Park, K. S. Jones, M. E. Law A Point, JES, 1994. - vol.141.-N3/-p. 759.

7. Chao C. Y. A point defect model for Anodic Passiv Films / C. Y. Chao, L. F. Lin, and D. D. Macdonald // J. Electrochem. Soc. Electrochemical Science and Tecnology, 1981. Vol. 128,No.6,p. 1187.

8. Гуревич А. Г. Физика твердого тела / А. Г. Гуревич. Санкт - Петербург: изд-во Невский Диалект, -2004. -320 с.

9. Зенин Г.С. Физическая химия: часть 4. Электрохимия: текст лекций / Зенин Г.С., В. Е. Коган, Н. В. Пенкина.- Спб.: СЗТУ, -2004.- 107с.

10. Оше Е. К. Разрушительное окисление циркония: причины, способы защиты и провоцирование / Е. К. Оше, Т. Ю. Зимина, И. М. Крашенинникова, Р. Н. Оранская // Коррозия: материалы, защита. 2006. - №4. - С. 10-14.

11. Davis J. A. The migration of metal and oxygen during anodic oxide films formation / J. A. Davis, B. Domey, J,P.S. Pringl, and F. Brown, // J. Electrochem. Soc. 1965. - V. 112. - No. 7. - p.675-680.

12. Евдокимов С. В. Особенности кинетики электрохимических процессов в условиях медленной химической реакции в объеме раствора / С. В. Евдокимов // Электрохимия. -2001. том 17. - № 6. - С. 675-678.

13. Кофстад П. Отклонения от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад.-М: издательство Мир. 1975. - 388 с.

14. Jorgensen P.J. Effect of electric field on silicon oxidation / P.J. Jorgensen //J. Chem.Phys. 1962. - vol. 37. - № 8. -p 52-53.

15. Doremus R. H. Oxidation of silicon by water and diffusion in fused silica / R. H. Doremus // J. Phys. Chem. 1976. - Vol. 80. - p. 16 - 20.

16. Col 1 ins F. C. Transport processes in the thermal growth of metal and semiconductor oxide films / F. C. Col 1 ins, T. Nakayama // J. Electrochem. Soc. -1967. Vol. 114. - № 2. - p. 935 - 941.

17. Rosencher E. Study of the thermal oxidation of silicon in oxygen / E. Rosencher, A. Straboni, S. Rigo, G. A Amsel. //Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 34, № 4. p. 87 92.

18. Bell T, Hetherlington G, Jack К. H., Water in Witrous Silica. Part 2. Some Aspects of Hydrogen Water -Silica Equlibria / T. Bell, G. Hetherlington, К. H. Jack//Phys. Chem. Glasses. - 1962. - v.5, p. 35 -43.

19. Fratila-Apachitei, L.E. Influence of substrate microstructure on the growth of anodic oxide layers / L.E. Fratila-Apachitei et.al. // Electrochimica Acta. 2004.-Vol. 49. - Issue 7. p. 1127- 1132.

20. Бугер Р. Основы технологии кремниевых интегральных схем / Р. Бугер и Р. Донован. М.: Москва: - 1969,- С.451.

21. Дамаскин Б.Б. Электрохимия / Б.Б. Дамаскин, О.А. Петрий, Г.А. Цырлина Москва: - Химия: - 2001. - с.305

22. Nomura J. Formation of Silicon Oxide by the Low-Temperature Process and Its Application to Electron Devices/ J. Nomura et. al. // Electr. & Commun. in Japan, Part 2: Electronics, 1990 -Vol. 73. -Issue 7.- p.97-105.

23. Коноров П.П. Физика поверхности полупроводниковых электродов / П.П. Коноров, A.M. Яфясов. СПб.: Издательство С.-Петербургского университета, - 2003. - 532 с.

24. Юнг Л. Анодные оксидные пленки / Л. Юнг // Л.: Энергия: 1967. - 232 с.

25. Davis J. A. The migration of metal and oxygen during anodic oxide films formation / J. A. Davis, B. Domey, J,P.S. Pringl, and F. Brown, // J. Electrochem. Soc. -1965. -V. 112.- No. 7. -p.675-680.

26. Дмитриев С. Г. Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний окисел / С. Г. Дмитриев, Ю. В. Маркин // Физика и техника полупроводников. -1998. - том 32. - № 12. - с. 1439-1434.

27. Vermilyea D.A. Anodic oxide films // Advances in electrochemistry. Vol. 3. N.X.: Wiley Intersci., 1964. P. 211- 271.

28. Goruk W.S. Ionic and electronic currents at high fields in anodic oxide films / W.S. Goruk, L.Young, Zobel F.G.R. // Modern aspects electrochemistry. N.Y.: Plenum Press: 1966. - Vol. 4. - P. 176-250.

29. Кашкаров П.К. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах / П.К. Кашкаров // Соровский образовательный журнал, 1999, №1, с. 105-112.

30. Одынец Л. Л. Анодные окисные пленки / Л. Л. Одынец, В.М. Орлов Л. Наука, 1990. - 200 с.

31. Шишаков Н.А. Строение и механизм образования окисных пленок на металлах / Н.А. Шишаков, В.В.Андреева, Н.К. Андрющенко М.: Изд-во АН СССР,- 1959.-195 с.

32. Fehlner F.D. Low temperature oxidation / F.D. Fehlner, N.F. Mott // Oxidation of metals. 1970. - Vol. 2, - №1. - P. 59-99.

33. Fromhold A.T. Theory of metal oxidation / A.T Fromhold. Fundamentals. Amsterdam: N.-Holland Publ. Сотр., -Vol. 1.-1976. - p. 548.

34. Кубашевский О.Д, Гопкинс Б. Окисление металлов и сплавов / О.Д Кубашевский, Б. М. Гопкинс. М.: Металлургия, - 1965. - 428 с.

35. Одынец JI.JI. Физика окисных пленок: учебное пособие Ч. I. / JI.JI. Одынец. Петрозаводск: Изд-во ПГУ, 1979.- 80 с.

36. Одынец JI.JI. Ионный перенос в аморфных пленках окислов переходных металлов / JI.JI. Одынец // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. - № 12.-С. 128-132.

37. Одынец JI.JI. Процессы переноса при анодном окислении тантала и ниобия/JI.JI. Одынец//Электрохимия. 1984. - Т. 20.- вып. 4. - С. 463-469.

38. Dignam M.J. Mechanism of ionic transport through oxide films / M. J. Dignam Oxide and oxide films. Vol. 1, N.Y.: Marsel Dekker Inc., - 1972. P. 80-286.

39. Салем P. Теория двойного слоя /Р. Салем.-М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003.-104 с.

40. Дель'Ока С. Анодные оксидные пленки / С. Дж. Дель'Ока, Д. Л. Пулфри, Л Янг // Физика тонких пленок. Т. 6. М.: Мир, 1973. - С. 7-96.

41. Байрачный Б.И. Электрохимия вентильных металлов / Б.И. Байрачный, Ф.К. Андрющенко.- Харьков: Выша школа, 1985. 144 с.

42. Окисление металлов: Теоретические основы Т.1 / Под ред., И.С. Бернара. М.: Металлургия, 1968.- 499 с.

43. Утамурадова Ш. Б. / Трансформация энергетического спектра дефектов в Si(La) при термических обработках / Ш. Б. Утамурадова и др. // V Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» Санкт-Петербург, 2006. - с. 360-361.

44. Мюллер Р.Л. Химия твердого тела и стеклообразное состояние / Р.Л. Мюллер //Химия твердого тела Л.: Изд-во ЛГУ, 1965. - С. 9-63.

45. Мюллер P.JI. Химические особенности полимерных стеклообразующих веществ и природа стеклообразования / P.J1. Мюллер // Стеклообразное состояние. M.;J1.: Изд-во АН СССР, 1960, - С. 61-71.

46. Perriere J. Mechanism de transport ionique durant la croissance anodique de films d'oxyse sur des metaux et semiconducteurs / J. Perriere, J Siejka // J. Micros. Spec trosc. Electron. 1980. - Vol. 5.- N 4. P. 463-474.

47. Sugano T. Physical and chemical properties of Si Si02 transition region / T. Sugano // Surf. Sci. 1980. - Vol. 98. - N. 1 - p.3-9.

48. Sugano T. Morphology of Si Si02 interface / T. Sugano, J. Chen, T. Hamano //Surf. Sci. - 1980.-Vol. 98,-NI - p. 13-18.

49. Grunthaner F. Local atomic and electronic structure of oxide-GaAs and Si02-Si interfacer using high resolution XPS / F. Grunthaner, P. Grunthaner, R. Vasquer e.a. //J. Vacuum Sci. Technol. -1979. Vol. 16. -№5.-p. 39 -46.

50. Grunthaner F. High resolution X-ray photoelectron spectroscopy as a probe of local atomic structure: Application to amorphous Si02 and Si Si02 iterfase / F. Grunthaner, P. Grunthaner, R. Vasquer//Phus. Rev. Lett.- 1979.- Vol. 43.- p. 4-9.

51. Aspnes D. Thee ten J. Optical properties of the interface between Si and its thermally grown oxide / D. Aspnes //Phys. Rev. Lett. -1979. -Vol. 43.- p. 14-21.

52. Derrun J. Si02 ultrathin films growith kinetics investigated by surface techniques / J. Derrun, I. Commandre //Surf. Sci. -1982.- Vol. 118. № 1. -p. 2 - 7.

53. Jackman T. (100) and (110) interface studies by MeV ion backscattering / T. Jackman, J. MacDonald, L. Feldman e.a//Surf. Sci.-1980.-Vol. 100.-№ 1.- p.8-14.

54. Johannessen J. Auger analysis of the Si02 Si interface / J. Johannessen, W. Spicer, J. Strausser//J. Appl. Phys.-1976. -Vol. 47.- № 7.- p. 38 -43.

55. Силинь A.P. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02/A.P. Силинь, А.Н. Трухин.-Рига, -1985.- с. 156.

56. Lucovsky G. Spectroscopic evidence for valence-alternation pair defect states in vitreous Si02 /G. Lucovsky//Phil. Mag. B. -1979. -Vol. 39. N 6.- p. 12-19.

57. Greaves G. Intrinsic and modified defect states in silica / G. Greaves //J. Non-Cryst. Sol. 1979. - Vol. 32, - № 1. - p. 23 -27.

58. O'Reilly E. Theory of defects in vitreous silicon dioxide / E. O'Reilly, J. Robertson // Phys. rev. В.- 1983. -Vol. 27.- № 6. p. 54 -61.

59. Silin A.R. High temperature intrinsic defects in fused silica / A.R. Silin, P.J. Bray //J. Non-Cryst. Solids. -1984. -Vol. 64. № 1. - p. 72 - 79.

60. Robertson J. Intrinsic defects and hydroxid groups in a-Si02 / J. Robertson //J. Phys. C: Solid State Phys. -1984. Vol.17. - № 7. p. 37 -43.

61. Edwards A. Theory of the peroxide-radical defect in a-Si02 / A. Edwards, W. Fowler //Phys. Rev. B. -1982, -Vol. 26. № 2. p.

62. I.enahan P. Paramagnetic trivalent silicon centers in gamma irradiated metal -oxide silicon structures/I.enahan P., Dressendorfer P./Appl. Phys. Lett. 1984.-Vol. 44.- № 1.- pi 123-1131.

63. Mott N. Mechanisms for the oxidation of silicon and the formation of charged defects // Proc. Roy. Soc. Ac., 1981, Vol. 376, N 1765.

64. Deal В. E. Current understanding of charges in the thermally oxidized silicon structure//J. Electrochem. Soc. 1974. Vol. 121, И 6.

65. Revesz A. G. The defect structure of vitreous Si02 films on silicon. / A. G. Revesz //Phys. Stat. Sol. (a). 1980. Vol. 57, № 2.

66. Silin A.R. High temperature intrinsic defects in fused silica / A.R. Silin, P. J. Bray //J. Non-Cryst. Solids. 1984. - Vol. 64. - № 12. - p. 112-120.

67. Griscom D. Fundamental defect centers in glass: Si hyperfine structure of the nonbridging oxygen hole center and peroxy radical in a-Si02 / D. Griscom, E. Friebele //Phys. Rev. B. 1981. - Vol. 24. - №8.- p. 72- 79.

68. Robertson J. Defect mechanisms in a-Si02 / J. Robertson //Phyl. Mag. B. -1985,- Vol. 52. .-№3. p. 71-78.

69. Friebele E. Fundamental defect centers in glass: the peroxy radical in irradiated, high-purity, fused silica / E. Friebele, D. Griscom, M. Shapelbrock e. a. //Phys. Rev. Lett. -1979. -Vol. 42.- № 2 p. 10 - 17.

70. Johnson N. Optical spectroscopy of the trivalent silicon defect at the Si Si02 interface/N. Johnson, W. Jackson, M. Moyer//Phys. Rev B.-1985.-Vol. 31. № 2.

71. Saglam M. Influences of thermal annealing, the electrolyte pH, and current density on the interface state density distribution of anodic MOS structures / M. Saglam et. al. // Applied Physics A. 1997.- Vol. 65.- Issue 1. - p.33

72. Антонова И. В. Стабилизация заряда на границе со скрытым диэлектриком структур кремний на изоляторе / И. В. Антонова // Физика и техника полупроводников 2005. -том. 39. - вып. 10,- с. 1195-1199.

73. Гриценко В. А. Численное моделирование собственных дефектов в Si02 и Si3N4 / В. А. Гриценко, Ю.Н. Новиков, А. В. Шапошников, Ю. Н. Мороков // Физика и техника полупроводников.- 2001.- т.35.- вып. 9.- с. 1041-1049.

74. Revesz A. G. The role of hydrogen in Si02 films on silicon / A. G. Revesz // J.EIectrochem. Soc. 1979. -Vol. 126.- № l.-p. 43-51.

75. Borisenko V. E. RBS Study of Transient and Anodic Oxidation of Tantalum films/V. E.Borisenko, V.P. Parkhutik//Physica State Solid (a) 1980.-V.93. -p. 123.

76. Методы анализа поверхности: под.ред. А. Зандерны. -Изд-во Мир.- 571 с.

77. Smyth D. М. Shirn G. A., Tripp Т. В. //Journal Electrochemical Society -1964.- V.lll,c. 1331 1338.

78. Комлев A. E. Влияние переходного слоя на электретные свойства тонкой пленки оксида тантала, синтезированной на металле / А. Е. Комлев, М. Ф. Панов, В. И. Шаповалов // Материалы III всероссийской конференции.- 2006.- Воронеж: Научная книга, с. 746-359.

79. Алешина JI. А. Ближний порядок в аморфных окисных пленках тантала и ниобия / Л. А. Алешина, В. П. Малиненко, Н. М. Фирова, А. Д. Фофанов // Петрозаводск: 1977. -33с. Деп. В ВИНИТИ 6.04.77 №1577.

80. Васько А. Т. Электрохимия тугоплавких металлов / А. Т. Васько, С.К Ковач., К.: Техника, 1983 160 с.

81. Губский A. JI. О возможностях исследования электронного строения и химической связи в аморфных оксидах кластерными методами / АЛ.

82. Губский, А. П. Ковтун, С. Д. Ханин // Тезисы докладов 2-й Всесоюзной конференции Петрозаводск: ПТУ, 1987,- с.56.

83. L.A. Aleshina. The short-range order of anodic amorphous oxide films of Та and Nb / L.A. Aleshina, V.P.Malinenko, A.D. Phouphanov, N.M. Jakovleva // J. Non-Cryst. Solids. 1986. - V. 87. - P. 350 -360.

84. Зудов А.И. Электретный эффект и электрическая релаксация в твердых телах / А.И. Зудов, С.И. Наймушина. М.; изд. МИЭМ, 1988. - С.92-98.

85. Thomas Т.Н. UV-stimulated Photocurrent Spectroscopy trapping kinetics of 2.1 ev trap in anodic Ta205 / Т.Н. Thomas // J Applay Physics 1974. - v.45. - №2. p. 34-39.

86. Аржеухова H. Б. Фотопроводимость конденсаторных структур на основе анодных окислов тантала и ниобия / Н. Б. Аржеухова и др // Анодные окисные пленки. Петрозаводск, 1978 - с.80-89.

87. Войцеховский В. Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников / Войцеховский В., Давыдов В. Томск: Радио: 1990, 327 с.

88. Курышев Г.Л. Электронные свойства структур металл диэлектрик полупроводник на основе InAs /Г.Л. Курышев А. П., Ковчавцев, Н. А. Валишева //Физика и техника полупроводников.-2001,-т.35, -в.9- 1111-1119 с.

89. Дроздов В. И. Влияние состава переходного слоя на свойства границы раздела InSb-Si02 / В. И. Дроздов и др. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. - №7. - с.92-96.

90. Гуртов В. А. Кинетические закономерности анодного окисления арсенида индия / Гуртов В. А. и др.//Электрохимия.- 1985.-т.21.-вып.5, с.613-617.

91. Гюнтершульце А. Электролитические конденсаторы / А. Гюнтершульце, Г. Бетц М.: Оборонгиз, -1938. -200 с.

92. Cabrera N., Mott N.F. Theory of oxidation of metals / Cabrera N., Mott N.F. Rep. Progr. Phys. -1948. -Vol. 12. P. 163-184.

93. Красников Г. Я. Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев. М.: Микрон-принт, 1999,- 482 с

94. Doremus R. H. Oxidation of silicon by water and diffusion in fused silica /R. H. Doremus //J. Phys. Chem. -1976. -Vol. 80, p. 16.

95. Schwartz G. S, An anodic process for forming planar interconnection metallization for multilevel LSI / R. H. Schwartz, V. Platter// J. Electrochem. Soc. 1975. v. 122.-№11.-p. 1508-1516/

96. Агеев E. П. Неравновесная термодинамика в вопросах и ответах / Е. П. Агеев изд. 2е, испр. и доп. - М.: МЦНМО.- 2005. - 160 с.

97. Байрамов В. М. Основы электрохимии / В. М. Байрамов. М.: Издательский центр «Академия», 2005. - 327 с.

98. Денисов Е. Т. Химическая кинетика / Е. Т. Денисов, О. М. Саркисов, Г. И. Лихтенштейн.- М.: Химия, 2000. 255 с.

99. Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках / И.П. Звягин М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1984. - 192 с.

100. Stefanovich G. В. Anodic oxidation of vanadium and properties of vanadium oxide films / G В Stefanovich // J.Phys. Condens. Matter.- 2004,-16,-p. 4013-4024.

101. Пригожин И. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур / И. Пригожин, Д. М. Кондепуди: Мир, 2002. -217 с.

102. Ньюмен Дж. Электрохимические системы // Москва, Мир, 1977, с. 463.

103. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учеб. пособие / В.А. Гуртов 2-е издание, Москва: Техносфера, 2005.- 408 с.

104. Барабан А.П. Электроника слоев Si02 на кремнии / Барабан А.П. Булавинов В. В., Коноров П. П.- Л: Издательство ЛГУ, 1988. 304 с.

105. Дмитриев Е. Разработка элементной базы фотоприемных устройств отображения видеоинформации / Е. Дмитриев // Электроника: наука, технология, бизнес. 2005.- №2.- с. 74 - 79.

106. Ковтонюк Н.Ф. Чувствительность структур диэлектрик полупроводник к нестационарным световым потокам / Н.Ф. Ковтонюк и др. // Физика и техника полупроводников. - 2005. -т. 39,- в. 1.- с. 1336-1339.

107. Войцеховский А. В. Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников / А. В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. Томск: Радио и связь, 1990.-327 с.

108. Гуртов В. А. Оптоэлектроника и волоконная оптика / В. А. Гуртов Петрозаводск: Изд-во, Петр. ГУ, 2007.- 243 с.

109. Wetzig Klaus, Metal Based Thin Films / Klaus Wetzig, 2003.- 378 p.

110. Быстров Ю.А. Особенности переноса распыленных атомов при нанесении распыленных пленок Та205 на подложки сложной пространственной конфигурации / Ю. А. Быстров и др. // Письма в ЖТФ. -2002. том 28. - вып. 5.-С. 5-11.

111. Зи С. Физика полупроводниковых приборов/ Пер. с англ. В.А. Нернеля и В.В.Ракитина; под ред. Р.А.Суриса М.: Мир. - 1973. - 655 с.

112. Рожков В.А. Методики измерения фотоэлектрических характеристик и параметров МДП структур и элементов интегральных схем / В. А. Рожков и др.// Труды IX Межд. научн.-техн. конференции.- Ульяновск, 2004. с.85-89.

113. Кирьяшкина З.И. Фотопроводящие пленки (типа CdS) // 3. И Кирьяшкина и др. Изд-во Сарат. Ун-та, 1979. - 192 с.

114. Роуз А. Основы теории фотопроводимости/А. Роуз. М: Мир, 1966 -186 с.

115. Кашкаров П. К. Электронные процессы на поверхности полупроводников / П.К. Кашкаров и др. Новосибирск: Наука, 1974.- 191 с.

116. Петраков А.П. Рентгеновские методы дифракции, рефлектометрии и фазового контраста в исследовании приповерхностных слоев./ А.П. Петраков дисс. на соискание уч. ст. доктора, физ.-мат. наук. Сыктывкар, 2005. - 317с.

117. В. А. Скрышевский Инфракрасная спектроскопия полупроводниковых структур /В. А. Скрышевский, В. П. Толстой. Киев: Изд. Лыбидь, 1991.-205 с. 118 Фридман А. Уравнения с частными производными параболического типа / А. Фридман. М.: Мир, 1968. -334.

118. Сысун В. И. Математическое моделирование объектов физической электроники: учебное пособие / В. И. Сысун Петрозаводск: Издательство ПетрГУ, 1999.- 112 с.