Мониторинг плазмохимических процессов формирования микро- и наноструктур методами зондовой диагностики тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Мяконьких, Андрей Валерьевич

• Мяконьких, Андрей Валерьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Мяконьких, Андрей Валерьевич

Список аббревиатур.

Введение.

Глава 1. Плазмохимические технологии микроструктурирования и их диагностика.

Плазменные источники для микроэлектронной технологии.

Методы диагностики плазмохимических процессов микроструктурирования.

Электрические зондовые методы и теория зондовых измерений

Применение зондового метода в химически активных газах.

Методы детектирования момента окончания травления многослойных структур.

Выводы.

Глава 2. Исследование возможностей зонда Ленгмюра для диагностики плазмы в условиях осаждения полимерных пленок.

Идея метода динамических зондовых измерений.

Условия зондовых измерений в камере плазмохимического ректора.

Время установления стационарного зондового слоя.

Скорость осаждения непроводящих пленок на зонд.

Метод динамического ленгмюровского зонда.

Явление паразитной термоэлектронной эмиссии.

Выводы.

Глава 3. Мониторинг процессов плазмохимического травления методом зонда Ленгмюра.

Контроль стабильности условий в камере в ходе травления.

Методика детектирования момента окончания травления.

Детектирование момента окончания травления в окислительной плазме.

Детектирование момента окончания травления в полимерообразующей плазме.

Мониторинг состояния камеры реактора в ходе серий процессов травления.

Выводы.:.

Глава 4. ФРЭЭ в плазме технологических газовых смесей и пути минимизации нескомпенсированной зарядки структур при травлении.

Эффекты нескомпенсированной зарядки структур при плазменном травлении.

Методы определения ФРЭЭ из зондовых В АХ in situ.

Исследование ФРЭЭ при травлении микроструктур.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Мониторинг плазмохимических процессов формирования микро- и наноструктур методами зондовой диагностики»

Актуальность темы

Современные тенденции КМОП-технологии УБИС [1] — уменьшение проектных норм наноэлектроники в область суб-100 нм, вариация толщины функциональных слоев в диапазоне 2 нм 1 мкм, колоссальное расширение спектра применяемых материалов, рост числа технологических операций при изготовлении ИС, — резко увеличивают требования к точности плазменных технологий формирования микро- и наноструктур [2]. Сложность, многоканальный характер физико-химических явлений в системе низкотемпературная химически активная плазма — поверхность не позволяют в настоящее время создать всеобъемлющие теоретические модели плазменных реакторов и плазмохимических технологических процессов. Поэтому особую роль приобретают экспериментальные методы диагностики и мониторинга плазменных микроэлектронных технологий. Они широко используются при разработке плазмохимического оборудования, технологических процессов (process design), а также для невозмущающего контроля процессов in situ, в частности, детектирования момента окончания плазмохимического травления слоев, контроля стабильности технологий и др.

Информация о формировании микроструктур in situ может быть получена как диагностикой плазмы, находящейся в контакте с этими микроструктурами, так и прямой диагностикой поверхности пластины. Развитие последней группы методов осложняется нанометровыми размерами структур современных УБИС и невозможностью применения анализа поверхности электронными и ионными пучками в ионизированной среде технологической камеры.

Поэтому большое семейство современных методов диагностики технологических процессов [3] построено на спектральной диагностике плазмы in situ, в частности, на ее оптической эмиссионной спектроскопии (ОЭС), позволяющей анализировать поведение незаряженных частиц (активных радикалов) в ходе процесса. При этом оптическая эмиссия ионной компоненты плазмы, как правило, обладает значительно меньшей интенсивностью из-за более высоких пороговых энергий возбуждения ионов и сравнительно небольшой электронной температуры применяемой плазмы.

В то же время, известный метод диагностики заряженных частиц плазмы - метод электростатических зондов Ленгмюра [4] применяется, в основном, для характеризации новых типов разрабатываемых реакторов, и практически не используется для мониторинга плазменных микротехнологий. Хотя определяемые Ленгмюровским зондом параметры (концентрация электронов пе, положительных ионов электронная температура Те, потенциал плазмы Vp, плавающий потенциал Vj) потенциально чувствительны к физико-химическим процессам, протекающим на поверхности обрабатываемых микроструктур. Плазма и ограничивающие ее поверхности (стенки реактора, пластина с формируемыми структурами) представляют собой самосогласованную систему.

Известны [5] попытки зондового мониторинга плазмохимического травления (ПХТ) в диодном реакторе. Однако в емкостных диодных реакторах (1995 г.), при давлении -500 мТорр, метод не удовлетворял требованиям невозмущаю щей диагностики. Кроме того, его применение сильно осложнялось специфическими пленкообразующими свойствами технологической плазмы.

Современные реакторы плотной плазмы низкого давления, с удаленной зоной плазмообразования во многом снимают эти ограничения и открывают перспективы для различных аспектов применения зонда Ленгмюра в диагностике плазменных технологий.

Цель диссертационной работы

Поэтому исследования, проведенные в настоящей работе, были сфокусированы на развитие методов зондовых измерений в пленкообразующей плазме технологических реакторов микроэлектроники, исследование свойств такой плазмы в условиях плазмохимического травления микроэлектронных структур, и разработке методов зондового мониторинга in situ процессов ПХТ.

Для этого необходимо было решить следующие задачи: Разработать зондовый метод исследования пленкообразующей химически активной плазмы низкого давления для электроотрицательных газов. ° Исследовать изменения параметров плазмы в ходе анизотропного травления многослойных микроэлектронных структур и на этой основе обосновать методы определения момента окончания травления. ° На основе зондовой диагностики плазмы разработать методы контролирования состояния камеры для предотвращения дрейфа параметров процессов ПХТ при последовательной обработке пластин.

Научная новизна и достоверность диссертационной работы

Научная новизна работы состоит в следующих результатах, которые были получены впервые: Предложен и обоснован метод зондовых измерений в пленкообразующей плазме (метод динамического ленгмюровского зонда), применимый в условиях технологических реакторов микроэлектроники. Впервые проведены всесторонние зондовые измерения параметров плазмы низкого давления в ряде пленкообразующих газов (CHF3, CF4, C4F8, C3F8, SF6/02). Анализ ФРЭЭ показал необходимость проведения характеризации реакторов микроэлектроники в плазме, непосредственно использующейся в технологическом процессе. ° Впервые исследованы изменения параметров плазмы при анизотропном травлении слоистых структур и предложены методы определения момента окончания травления на основе зондовой диагностики in situ. Зондовая диагностика момента окончания травления экспериментально подтверждена на структурах вида poly-Si/SiCVSi, SiCVSi и Si3N4/Si02/Si. ° Исследовано влияние потока продуктов реакций ПХТ со стенок реактора на параметры плазмы контрольного инертного газа. Показано, что этот эффект может использоваться для мониторинга состояния камеры между последовательными процессами ПХТ.

Достоверность результатов диссертационной работы обеспечивается применением фундаментальных физических теорий, использованием современных методов исследования, верификацией экспериментальных результатов независимыми методиками.

Положения, выносимые на защиту Метод динамического ленгмюровского зонда (ДЛЗ) для измерения параметров плазмы полимерообразующих газов в технологических реакторах микроэлектроники. Для интерпретации ВАХ можно использовать известный аппарат существующих зондовых теорий, так как измерение тока на зонд производится после установления квазистационарного слоя объемного заряда. Зондовый метод мониторинга параметров плазмы в ходе ПХТ микроэлектронных структур может быть использован для точного определения момента окончания травления функционального слоя. Это продемонстрировано для границ poIy-Si/Si02, Si3N4/Si02, Si02/Si. Зондовой диагностикой in situ в плазме смеси SF^CVAr установлено, что продукты реакций при травлении кремнийсодержащих структур вызывают изменения в электронной и ионной плотности и ФРЭЭ плазмы. Значения Те и вид ФРЭЭ для плазмы рабочей смеси газов в присутствии обрабатываемой пластины значительно отличаются от плазмы Аг, полученной в тех же условиях разряда, что обусловливает необходимость проведения диагностики технологических реакторов в рабочих газовых смесях.

Практическая значимость работы

Разработанные зондовые методы могут быть применены для сертификации плазмохимических реакторов низкого давления, применяемых в микроэлектронике.

В ходе работы над диссертацией автором был разработан измерительный комплекс и программное обеспечение, реализующие возможности метода зондовых измерений методом ДЛЗ. Создан исследовательский вариант автоматизированного объединенного комплекса зондовой и спектральной диагностики плазменных технологий микроэлектроники.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на научных конференциях МФТИ (всероссийские) 2005, 2006, 2007, на международных конференциях «International Conference on Micro- and Nanoelecronics», Zvenigorod, Russia, 2005, 2007, 2009, на международном симпозиуме «Plasma Etch and Strip Microelectronics», Leuven, Belgium, 2007, на заседании Школы молодых ученых «Нанофизика и наноэлектроника - 2008», Н. Новгород, 2008.

Публикации

Содержание диссертации опубликовано в 10 работах, в отечественных и зарубежных научных журналах, трудах и тезисах международных конференций, в том числе 2 статьи в журналах из перечня журналов и изданий, утвержденного Высшей аттестационной комиссией Министерства образования и науки Российской Федерации. Список публикаций автора приведен в конце диссертации.

Личный вклад автора

Постановка задач исследования осуществлялась научным руководителем работы К.В. Руденко. Все эксперименты, представленные в диссертационной работе, обработка и интерпретация результатов были выполнены лично автором. Непосредственное участие коллег автора диссертации в проведенных исследованиях отражено в виде их соавторства в опубликованных работах. Результаты, выносимые на защиту и составляющие научную новизну работы, получены автором лично.

Структура работы

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и 3 приложений. Каждая из глав завершается разделом «Выводы», в котором кратко излагаются полученные в ней результаты. Общие выводы по работе приведены в Заключении.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Мяконьких, Андрей Валерьевич

Выводы

Зондовой диагностикой плазмы SF6/02/Ar in situ установлено, что гетерогенные химические реакции травления кремнийсодержащих структур приводят к значительным изменениям фундаментальных параметров заряженных компонентов плазмы в ходе процесса, сказываясь как на электронной и ионной плотности, так и ФРЭЭ плазмы. Значения Те и вид ФРЭЭ для плазмы рабочей смеси газов в присутствии обрабатываемой пластины значительно отличаются от плазмы Аг, полученной в тех же условиях разряда. Показано, что эти величины могут варьироваться в пределах диапазона рабочих параметров процесса. По видимому, для технологических процессов травления, чувствительных к эффектам зарядки поверхности микро- и наноструктур, должна проводиться не только оптимизация реактора по минимуму Те на плазме Аг, но и оптимизация ФРЭЭ на предмет минимизации «горячих хвостов» распределения в реальной технологической плазме. При этом различие химии плазмы в различных технологиях травления потребует проведения исследований в каждом конкретном случае.

Заключение

В диссертации развиты методы зондовой диагностики применимые в условиях ПХТ в технологических реакторах микроэлектроники, исследованы свойства плазмы ряда технологических плазмообразующих газов, реализованы методы зондового мониторинга процессов ПХТ in situ.

Предложен и обоснован метод динамического ленгмюровского зонда, позволяющий проводить корректные исследования плазмы полимерообразующих газов в плазменных технологических реакторах микроэлектроники низкого давления. Поддержание поверхности зонда в рабочем состоянии происходит в динамическом режиме посредством ионной бомбардировки. Для интерпретации ВАХ можно использовать классический аппарат известных зондовых теорий, так как измерение тока на зонд производится в момент установления квазистационарного слоя Чайльда-Ленгмюра. Представлены результаты исследований плазмы газов

SF6/02, CHF3, C4F8, C3F8, CF4.

В экспериментах по травлению затворных МОП-структур исследованы изменения, которые претерпевают параметры плазмы при достижении интерфейсов слоев различного состава. Обоснован зондовый метод мониторинга процессов плазмохимического травления микроэлектронных структур в ICP-реакторе, который может быть использован для точного определения момента окончания травления слоев. Это экспериментально подтверждено для границ poly-Si/Si02, Si3N4/Si02, Si02/Si.

При детектировании момента окончания травления зондовый метод может служить самостоятельным источником сигнала, а также использоваться совместно с другими методиками. То, что зондовый метод и оптическая спектроскопия чувствительны к разным физическим аспектам состояния плазмы, должно приводить к повышению чувствительности методов, основанных на обработке разнородных сигналов.

Исследовано влияние потока продуктов реакций ПХТ со стенок реактора на параметры плазмы контрольного инертного газа. Показано, что этот эффект может использоваться для мониторинга состояния камеры между последовательными процессами ПХТ.

Зондовой диагностикой плазмы SF6/02/Ar in situ установлено, что гетерогенные химические реакции травления кремнийсодержащих структур приводят к значительным изменениям фундаментальных параметров заряженных компонентов плазмы в ходе процесса, сказываясь как на электронной и ионной плотности, так и ФРЭЭ плазмы. Значения Тс и вид ФРЭЭ для плазмы рабочей смеси газов в присутствии обрабатываемой пластины значительно отличаются от плазмы Аг, полученной в тех же условиях разряда. Показано, что эти величины изменяются в пределах диапазона рабочих параметров процесса травления. Установлено, что эти величины могут варьироваться в пределах диапазона рабочих параметров процесса. Показаны пути оптимизации процессов ПХТ для минимизации эффектов зарядки микроструктур с использованием зондового метода исследования плазмы.

Предложены зондовые методы контроля стабильности процессов травления и состояния камеры для предотвращения дрейфа параметров процессов ПХТ при последовательной обработке партии пластин.

Автор считает своим приятным долгом поблагодарить научного руководителя работы д.ф. -M.H., в.н. с. Константина Васильевича Руденко за научное руководство, полезные советы и ценные замечания, директора ФТИАН академика Александра Александровича Орликовского за большое внимание к работе, с.н.с. Сергея Николаевича Аверкина, за помощь, оказанную при выполнении экспериментов, а также всех сотрудников лаборатории МССП ФТИАН за плодотворные дискуссии и обсуждения результатов работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Мяконьких, Андрей Валерьевич, 2009 год

1. International Technology Roadmap for Semiconductors. 2008 Edition.

2. Орликовский А.А., Руденко К.В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I. // Микроэлектроника, т.30, № 2, с.85-105 (2001).

3. Каган Ю.М., Перель В.И. Зондовые методы исследования плазмы. // УФН, t.LXXXI, вып.З, с.409-452 (1962).

4. Ершов А.П., Калинин А.В., Суханов Я.Н., Руденко К.В. Применение зонда Ленгмюра для определения момента окончания процесса травления Si02 на кремнии. //Вестн. Моск. Ун-та. Сер.З Физика, Астрономия. Т.36, №6, с.18-22. (1995).

5. Орликовский А.А. Кремниевая и транзисторная наноэлектроника. //Изв. ВУЗов. Электроника, 2006, №5, с.35-44.

6. Орликовский А.А. // Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Т. 4/ Под ред. Фортова В.Е. М.: Наука, 2000. С. 370.

7. Орликовский А.А. . Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть I. Реактивное ионное травление. // Микроэлектроника, 1999, т. 28, №5, с. 344-362.

8. Handbook of Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition. // Ed. by A. Anders. N.-Y., John Wiley & Sons, 2000, 736 pp.

9. Layady N. Colonell J. Lee J. An introduction to plasma etching for VLSI circuit technology // Bell labs Technical Journal, July-September 1999

10. Lieberman M.A., Lichtenberg A.J. Principles of Plasma Discharges and Materials Processing. 2-nd Edition. //N.-Y.: John Willey & Sons Inc., 805 pp (2005).

11. HopwoodJ. ; Mantei T. D. Application-driven development of plasma source technology //Journal of vacuum science and technology. A. Vacuum, surfaces, and films, 2003, vol. 21, no5, pp. S139-S144

12. Шибков B.M., Двинин C.A., Ершов А.П., Шибкова JI.В. Механизмы распространения поверхностного сверхвысокочастотного разряда // Журнал технической физики. 2005. Т. 75. с. 74.

13. Орликовский А. А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть II. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники.// Микроэлектроника, 1999, т. 28, №6, с. 415-426.

14. Bogart К.Н.А., Klemens F.P. et. al. Mask charging and profile evolution during chlorine plasma etching of silicon // Journal of vacuum science and technology. A. Vacuum, surfaces, and films, Vol. 18, p. 197206 (2000).

15. Giapis K.P. and Hwang G.S. Pattern-Dependent Charging and Role of Tunneling. // Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 37, p. 2281-2290(1998).

16. Chen F.F., Boswell R.W. Helicons-the past decade. // IEEE Trans. Plasma Sci., 1997, v.25, no.6, p. 1245-1257.

17. Frantz U. Basics of plasma spectroscopy// Plasma Sources Sci.Technol. v. 15 (2006) S137-S147

18. Tachibana К., Kamisugi H. Vacuum-ultraviolet laser absorption spectroscopy for absolute measurement of fluorine atom density in fluorocarbon plasmas. // Applied Physics Lett., 1999, v.74, no. 16, p. 2390-2392.

19. Пикалов B.B., Мельникова T.C. Томография плазмы. Новосибирск, Изд. «Наука», 1995, 221 с.

20. Фадеев А.В., Руденко К.В., Лукичев В.Ф., Орликовский А.А. Эмиссионная томография плазмы в технологических реакторах микроэлектроники. // Микроэлектроника. -2009. -Т.38. No.2. -С. 107121

21. Coburn J.W., Chen М. Optical emission spectroscopy of reactive plasmas: A method for correlating emission intensities to reactive particle density. //J.Appl.Phys., v.51, no.6, p.3134-3136 (1980).

22. Пупышев А.А., Суриков В.Т. Масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой. Образование ионов. //. Екатеринбург: УРО РАН, 2006. 276 с.

23. Day А.Р., Field D.,Klemperer D.F., Song.Y.P. Reexamine Mass Spectrometry for Endpoint Detection. // Semicond. International, 1989, v.12, no.l 1, p.l 10-113.

24. А. А. Орликовский, Руденко K.B., Суханов Я. Н. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II. // Микроэлектроника, т.ЗО, № 3, с. 163-182 (2001).

25. SmartProbe. Automated Langmuir probe plasma diagnostic http://www.scisys.com/hdocs/downloads/SmartProbeBrochure.pdf

26. Hiden ESPION series electrostatic plasma probes. Advanced Langmuir probes for plasma diagnostics// http://www.hidenanalytical.com/index.php/en/downloads/docdownload/ 163-espion-series-advanced-langmuir-probes-for-plasma-diagnostics-311k

27. Moth-Smith H.M., Langmuir I. The theory of collectors in gaseous discharges //Physical Rewiew, 1926, v. 26, pp 727-763.

28. Чен Ф. Электрические зонды. // В кн.: Диагностика плазмы. / Под ред. Р.Хаддлстоуна, С.М. Леонарда. М.; Мир, 1967.

29. Демидов В.И., Колоколов Н.Б., Кудрявцев А.А. Зондовые методы исследования низкотемпературной плазмы. // М.: Энергоатомиздат, 1996.

30. Лебедев Ю.А. Введение в зондовую диагностику плазмы пониженного давления. // М.: МИФИ, 2003, 56 с.

31. Мальков М.А., Девятов A.M., Кузовников А.А., Ершов А.П. Зондовая диагностика плазмы газоразрядных источников света. // Саранск, Изд-во Мордовского ун-та, 1991, 96 с.

32. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. 2-е изд., М., Наука-Физматлит, 1992, 537 pp.

33. Fernsler R. F. Modeling Langmuir probes in multi-component plasmas 2009 Plasma Sources Sci. Technol. 18 014012 (12pp)

34. Amemiya H., Annaratone B.M., Allen J.E. The collection of positive ions by spherical and cylindrical probes in an electronegative plasma. // Plasma Sources Sci. Technol., v.8, p. 179-190 (1999).

35. Palop J.I.F. Ballestros J. Hernandez M.A. Crespo R.M. Sheath structure in electronegative plasmas // Plasma sources science & technology 16 (2007) S76-S86

36. А. П. Ершов, В. Ф. Лукичев, К. В. Руденко, Я. Н. Суханов. Влияние электрического поля в плазме на электронную ветвь ВАХ

37. Ленгмюровского зонда: моделирование методом Монте-Карло. Труды Всероссийской конф. «Микро- и нано- электроника 2001», Звенигород, 2001, т. 2, с РЗ-27.

38. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich В.М. Measurements of electron energy distribution in low-pressure RF discharges. // Plasma Sources Sci. Technol., 1992 1, p.36-58.

39. Chen F.F., Sudit I.D. RF-compensated probes for high density discharges. Plasma Sources Sci. Technol., v. 3, p. 162-168 (1994).

40. Laframboise J G 1966 Theory of spherical and cylindrical Langmuir probes in a collisionless, Maxwellian plasma at rest Report No 100 University of Toronto Institute for Aerospace Studies (UTIAS)

41. Bernstein I.B., Rabinowitz I.N. Theory of Electrostatic probes in low-density plasma. // Phys.Fluids. Vol.2. №2. P. 112-121. 1959

42. Allen J.E., Boyd R.L.F., Reynolds P. The Collection of Positive Ions by a Probe Immersed in a Plasma. // Proc. Phys. Soc. B, 1957, v.70, issue 3, p. 297-304.

43. Taccogna F. Longo S. Capitelli M. Ion orbits in a cylindrical Langmuir probe// Physics of Plasmas, 13, 043501, 2006

44. Pilling L.S. Carnegie D.A. Validating experimentsl and theoretical Langmuir probe analyses // PSST 16 (2007) 570-580

45. Bryant P.M. Theory of cylindrical Langmuir probes in weakly ionized, non-thermal, stationary and moderately collisional plasmas// Plasma sources science & technology 2009, vol. 18, no 1

46. Curley G.A. Marie D. Booth J.P. Corr C.S. Chabet P. Guillon J. Negative ions in single and dual frequency capacitevely coupled fluorocarbon plasmas// Plasma sources science & technology 16 (2007) S87-S93

47. Tuszewski M. White R.R. Equilibrium properties of Ar/SF6 inductive plasma discharges // Plasma sources science & technology 11 (2002) 338-350

48. Boruah D. Pal A.R. Bailung H. Chutia J. Investigation of sheath properties in Ar/SF6 dc discharge plasma// J. Phys. D: Appl. Phys. 36 (2003) 645-652

49. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich B.M. Probe diagnostics of non-Maxwellian plasmas. // J. Appl. Phys., 1993, v.73, p. 3657-3663.

50. Горбунов H.A. Копытов A.H. Латышев Ф.Е. Нахождение энергетического распределения электронов в плазме по измерениям первой и второй производных зондового тока // Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 8

51. Chen F.F. Evans J.D. Arnush D. A floating potential method for measuring ion density// Physics of Plasmas, v.9, n. 4, 2002

52. Lee D. Ting Y.-T. Oksuz L. Hershkovitz N. Measurement за plasma potential fluctuations by emissive probes in CF4 radio-frequency plasma// Plasma sources science & technology 15 (2006) 873-878

53. Booth J.P. Braithwaite N.St J. Goodyear A. Barroy P Measurements of characteristic transients of planar electrostatic probes in cold plasmas// Rew. of Sci. Instr. V.71, N. 7. 2000, p2722

54. Booth J.-P., Etch process control with a deposition-tolerant planar electrostatic probe// Book of Abstracts, PESM-2009.

55. Tai-Ran Hsu. MEMS and Microsystems: Design and Manufacture. // N-Y.: McGraw-Hill, 436 pp. (2002).

56. Kim J.S., Rao M., Cappelli M.A. et al. Mass spectrometric and Langmuir probe measurements in inductively coupled plasmas in Ar, CHF3/Ar and CHF3/Ar/02 mixtures. // Plasma Src. Sci. Technol., v. 10, pp. 191-210,(2001).

57. Deguchi M., Itatani R. A novel and convenient method for monitoring processing plasma: The insulated pulse probe method. JpnJ.Appl.Phys. v.37, part. 1, по.ЗА, p. 970-980 (1998).

58. Иванов Ю.А., Лебедев Ю.А., Полак Л.С. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии.// М.: «Наука», (1991).

59. Stamate Е. Ohe К. Influence of surface condition in Langmuir probe measurements // J.Vac. Sci. Technol. A 20(3), 2002

60. Chen F.F. Langmuir probe analysis for high density plasmas. // Ed. by University of California, Los Angeles, LTP-006, 34 pp. (2000).

61. Маишев Ю.П., Фареник В.И., Шевченко А.В., Будянский A.M., Дудин С.В., Зыков А.В. Специфика диагностики параметров плазмы электрическими зондами в процессах ионно-лучевого и плазмохимического травления.// Труды ФТИАН т. 15, с.86-116. (1999).

62. Goodyear A. Endpoint Detection for Plasma Etching. // Materials of Workshop on Silicon dry processing for Nanoelectronics and Micromechanics. Aahen, (Germany), 13-14 Sept. 2006.

63. Орликовский A.A., Руденко К.В. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современноесостояние и ближайшие перспективы. Часть III. // Микроэлектроника, т.ЗО, № 5, с.323-344 (2001).

64. Zaidel' A.N., Prokof ev V.K., Raiskii S.M., Slavnyi V.A., Shreider E.A. Tables of Spectral Lines. // IFI/Plenum, N.-Y. London, 782 pp. (1970).

65. Pearse R.W.B., Gaydon A.G. The Identification of Molecular Spectra. //N.-Y., John Wiley & Sons, 4-th edition, 407 pp. (1976).

66. Hebner G.A., Abraham I.C. Surface dependent electron and negative ion density in SF^argon gas mixtures // J. Appl. Phys., V. 91, No. 12, p. 9539-9546 (2002).

67. Орликовский А. А., К. В. Руденко, Я. H. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV. Микроэлектроника, т.ЗО, № 6 (2001).

68. Allen R.L., Moore R., Whelan M. Application of neural networks to plasma etch end point detection. // J.Vac.Sci.Technol. B, 1996, v.14, no.l, pp. 498-503.

69. Rietman E.A., Lee J. T.-C. Dynamic images of plasma processes: Use of Fourier blobs for endpoint detection during plasma etching of patterned wafers. J.Vac.Sci.Technol. A, v.16, no.3, pp. 1449-1453 (1998).

70. Rietman E.A., Layadi N., Downey S.W. Use of ortogonal polynomial functions for endpoint detection during plasma etching of patterned wafers. J.Vac.Sci.Technol. B, v. 18, no.5, pp. 2500-2504 (2000).

71. Орликовский А.А., РуденкоК.В., Аверкин С.Н. Прецизионные плазмо-химичеекие процессы микроэлектроники на базе серии пилотных установок с масштабируемым ICP-источником плазмы. // ХВЭ, т. 40, № 3, с. 220-232 (2006).

72. Физические величины: справочник. / Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. // М.; Энергоатомиздат, 1232 с, (1991).

73. Рабинович В. А., Хавин 3. Я. Краткий химический справочник. // Л., 1978, 376 с.

74. Liberman М.А. Model of plasma immersion ion implantation.// J.Appl.Phys., v.66, p.2926-2929. (1989).

75. Зенгуил Э. Физика поверхности. // M., Мир, 536 с. (1990).

76. Okino F., Touhara Н. Graphite and Fullerene Intercalation Compounds// Comprehensive Supramolecular Chemistry / Ed. By J.L. Atwood et al. // Oxford: Pergamon Press, Vol. 7. p. 25-76. (1996).

77. Ершов А.П., Довженко В.А., Кузовников A.A., Оке С.Н. Об обработке вольтамперных характеристик зонда Ленгмюра в немаксвелловской плазме // Физика плазмы, т.7, № 3, с. 609. (1981).

78. Granier A., Chereau D., Henda К., Safari R., Leprince P. Validity of actinometry to monitor oxygen atom concentration in microwave discharges created by surface wave in O2-N mixtures. // J.Appl.Phys., v. 75, no.l, p.104-114 (1994).

79. JenqJ.S., Ding J., Taylor J.W., Hershkowitz N. Absolute fluorine atom concentrations in RIE and ECR CF4 plasmas measured by actinometry. // Plasma Sources Sci.Technol.,v. 3, p.154 (1994).

80. Kawai Y., Sasaki K., Kadota K. Comparison of Fluorine Atom Density Measured by Actinometry and Vacuum Ultraviolet Absorption Spectroscopy. // Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, v.36, no. 9A/B, p. L1261-L1264 (1997).

81. Walkup R.E., Saenger K.L., Selwyn G.S. Studies of atomic oxygen in O2+CF4 rf discharges by two-photon laser-induced fluorescence and optical emission spectroscopy. // J. Chem. Phys., 1986, v. 84, p. 2668 -2674.

82. Руденко K.B. Диагностика плазменных процессов в микро- и наноэлектронике // Химия высоких энергий том 43, № 3, Май-Июнь 2009, С. 235-241

83. Cunge G., Pelissier В., Joubert О., Ramos R. and Maurice С. New chamber walls conditioning and cleaning strategies to improve the stability of plasma processes //Plasma Sources Sci. Technol. 14 (2005) 599-609

84. Fonash S. J. Plasma processing damage in etching and deposition. // IBM Journal of Research and Development. 1999, v.43, no 1/2, p. 103127.

85. Gyeong S.H. and Giapis K.P., Pattern-Dependent Charging in Plasmas: Electron Temperature Effects. // Phys. Rev. Lett. 1997 Vol. 79, P. 845-848.

86. Bogart K.H.A., Klemens F.P. et. al., Mask charging and profile evolution during chlorine plasma etching of silicon // J. Vac. Sci. Technol. 2000 Vol. A 18, P. 197-206.

87. Hirose M. Electron tunneling through ultrathin Si02 // Mater. Sci. Eng. 1996. Vol. B41,P. 35.

88. Shin H.C., C. Hu. Thin gate oxide damage due to plasma processing. //Semicond.Sci.Technol., 1996, v. 11, p.463-473.

89. Rangelov I.W. Critical tasks in high aspect ratio silicon dry etching for MEMS. // Materials of Workshop on Silicon dry processing for Nanoelectronics and Micromechanics. Aahen, (Germany), 13-14 Sept. 2006.

90. En W., Cheung N.W. Modelling of charging effects in plasma immersion ion implantation// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 96 (1995) 435-439

91. Meige, A. Boswell, R. W. Electron energy distribution functions in low-pressure inductively coupled bounded plasmas // Physics of Plasmas. 2006. Vol. 13. p. 092104

92. Christophorou L.G., Olthoff J.K. Electron interactions with plasma processing gases: Present status and future needs// Applied Surface Science. Volume 192, 2002, Pages 309-326

93. Sakai Y. Database in low temperature plasma modeling // Applied Surface Science Volume 192, 2002, Pages 327-338

94. Christophorou L. G., Olthoff J. K. Electron Interactions with SF6. // J. Phys. Chem. Ref. Data, 2000, v. 29, iss. 3, pp. 267-330.

95. Тихонов A. H. О решении некорректно поставленных задач и методе регуляризации Доклады АН СССР. 1963. - Т. 151, № 3. - С. 501-504.

96. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. М., Наука, 1986, 287 с.

97. Park В.-К., Kim D.-G., Kim G.-H. Analysis of Langmuir Probe Data Using Wavelet Transform.// IEEE Trans, of Plasma Science, v. 32, no. 2, p. 355-361 (2004).

98. Savitzky A. and Golay M.J.E. Smoothing and Differentiation of Dataiby Simplified Least Squares Procedures. // Analyt. Chem., v. 36, no. 8, p. 1627-1639 (1964).

99. Ершов А.П., Кузовников А.А. Энергетическое распределение электронов в плазме ВЧ-разряда низкого давления в ксеноне. // Физика плазмы, т. 11, вып.5, с. 618 621. (1985).

100. Kimura Т., Ohe К. Probe measurements and global model of inductively coupled Ar/CF4 discharges // Plasma sources science & technology 8 (1999) 553-560

101. Sukhanov Ya.N., Ershov A.P., Rudenko K.V., Orlikovsky A.A. Comparative study of inductively coupled and microwave BF3 plasmas for microelectronic technology applications. Proc. of SPIE, v. 5401, p. 5563 (2004).

102. Список публикаций автора по теме диссертации (в хронологическом порядке)

103. А2. A. Miakonkikh, К. Rudenko. Measurement of polymerizing fluorocarbon plasma parameters: Dynamic Langmuir probe technique application, // ICMNE-2005, Book of Abstracts, 2005, p. Pl-41.

104. A3. A. Miakonkikh, K. Rudenko. Measurement of polymerizing fluorocarbon plasma parameters: Dynamic Langmuir probe technique application, // Proceedings of SPIE, 2006, v. 6260, p. 6260-0A.

105. A4. K.B. Руденко, A.B. Мяконьких, A.A. Орликовский, A.H. Пустовит. Зондовые измерения параметров плазмы в технологических HDP-реакторах микроэлектроники в условиях осаждения диэлектрических пленок. //Микроэлектроника, 2007, т. 36, №1, с. 17-30.

106. А5. К.В. Руденко, А.В. Мяконьких, А.А. Орликовский. Мониторинг плазмохимического травления структур poly-Si/Si02/Si: зонд Ленгмюра и оптическая эмиссионная спектроскопия. // Микроэлектроника, 2007, т. 36, №3, с. 206-221.

107. А6. К. V. Rudenko, А. V. Miakonkikh, V. F. Lukichev and А. А. Orlikovsky. In situ Langmuir probe diagnostics of poly-Si/Si02 etching: plasma parameters and end-point detection// Book of Abstracts, PESM-2007.

108. A7. A.V. Miakonkikh, K.Y. Rudenko and A.A. Orlikovsky. Langmuir-Probe applications in monitoring of plasma etching. // ICMNE-2007, Book of Abstracts, 2007, p. 03-24.

109. А6. А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, А. А. Орликовский. Возможности мониторинга плазмохимического травления методом зонда Ленгмюра. // Труды ФТИАН «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника», 2008, т. 19, с. 87-110.

110. А9. A.V. Miakonkikh, K.V. Rudenko and А.А. Orlikovsky. Langmuir-Probe applications in monitoring of plasma etching. // Proceedings of SPIE, 2008, v. 7025, p. 7025-OF.

111. A10. A. Miakonkikh, K. Rudenko. Application of Langmuir probe technique in depositing plasmas for monitoring of etch process robustness and for end-point detection, // ICMNE-2009, Book of Abstracts, 2009, p. 02-06.