Экспериментальное исследование параметров низкотемпературной плазмы в плазмохимических реакторах для микро- и наноэлектроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.08, кандидат физико-математических наук Суханов, Яков Николаевич

• Суханов, Яков Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Суханов, Яков Николаевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I ИСТОЧНИКИ ПЛАЗМЫ В МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ

И МЕТОДЫ ИХ ДИАГНОСТИКИ.

§1.1 Введение.

§1.2 Источники плазмы в микроэлектронике.

1.2.1 Источники плазмы с совмещенными зонами.

1.2.2. Источники плазмы с разделенными зонами.

1.2.2.1. Источники плазмы без магнитного поля.

1.2.2.2 Источники плазмы с магнитным полем.

§1.3. Методы диагностики плазмы в микроэлектронике.

1.3.1 Метод электрических зондов, его применение для оптимизации технологического плазменного оборудования.

ГЛАВА II ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ РЕАКТОР ДИОДНОГО ТИПА НА

БАЗЕ НЧ РАЗРЯДА.

§2.1. Экспериментальная установка.

2.1.2. Схема зондовых измерений.

§2.2. Особенности зондовой диагностики плазмы электроотрицательных молекулярных газов при средних давлениях.

2.2.1. Учёт влияния стока электронов на зонд.

2.2.2. Диагностика по ионной ветви зондовой характеристики.

§2.3. Экспериментальные результаты.

2.3.1. Режим горения разряда.

2.3.2. ФРЭЭ и её моменты.

2.3.3. Определение концентрации положительных ионов.

2.3.4. Потенциал плазмы.

§2.4. Зондовые методы диагностики процессов плазмохимического травления.

ГЛАВА III ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ РЕАКТОР НА ОСНОВЕ

ИСТОЧНИКА ИНДУКТИВНО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМЫ.

§3.1. Технологическая установка.

3.1.1. ВЧ источник с индуктивным возбуждением плазмы.

3.1.2. Измерительный комплекс.

§3.2. Особенности зондовой диагностики индуктивно связанной плазмы электроотрицательных молекулярных газов в плазмохимических установках.

3.2.1. Электромагнитные поля в зоне измерений.

3.2.2. Конечное значение сопротивлений элементов зондовой цепи.

3.2.3. Колебания потенциала плазмы.

§3.3. Методика обработки зондовых измерений.

§3.4. Экспериментальные результаты и их обсуждение. fr 3.4.1. Зависимости параметров плазмы от вкладываемой в разряд мощности.

3.4.2. Влияние магнитной системы защиты стенок на радиальную однородность параметров плазмы.

ГЛАВА IV ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ РЕАКТОР НА ОСНОВЕ СВЧ

ИСТОЧНИКА.

§4.1. Технологическая установка.

§4.2. Ионная ветвь ВАХ одиночного электрического зонда Ленгмюра в плазме электроотрицательных газов, влияние отрицательных ионов на образование слоя пространственного заряда.

§4.3. Экспериментальные результаты и их обсуждение.

4.3.1. Зависимости параметров плазмы от вкладываемой в разряд мощности.

§4.4. Радиальная однородность параметров плазмы. Сравнение ICP и 103 СВЧ источников с точки зрения их применимости в технологии.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Экспериментальное исследование параметров низкотемпературной плазмы в плазмохимических реакторах для микро- и наноэлектроники»

Актуальность проблемы

В настоящее время основным процессом при переносе рисунка литографической маски является обработка структур интегральных схем в плазменных реакторах: плазмохимические процессы в производстве интегральных схем следуют за каждым литографическим процессом. Это высокоанизотропное травление, низкотемпературное нанесение диэлектриков, снятие резиста, стабилизация резиста, очистка поверхности пластин от органических повреждений и атомов тяжёлых металлов, частичная планаризация и другие процессы. Поэтому одной из задач плазменной технологии является разработка и создание источников однородной плазмы с низкой электронной температурой (для снижения эффекта зарядки обрабатываемой поверхности) и высокой концентрацией ионов и радикалов. Задачи прецизионной плазменной обработки структур интегральных схем с глубоко субмикронными и наноразмерными топологическими нормами привели к широкому внедрению нового поколения плазменных реакторов с источниками плотной плазмы, заменившими собой НЧ- и ВЧ- источники с емкостным типом разряда. Принципиальной особенностью современных реакторов с источниками плотной плазмы является выведение пластины с обрабатываемыми микроструктурами из зоны генерации плазмы. Это позволило, с одной стороны, снизить дефектность субмикронных структур из-за повреждения сильными электромагнитными полями, а с другой - дало возможность независимо регулировать концентрацию, потоки и энергию ионов на пластину путем подачи независимого от разряда потенциала смещения.

Однако широкий спектр технологических применений не может быть реализован в «универсальном» плазмохимическом реакторе: в каждом конкретном случае необходимо проведение оптимизации оборудования в соответствии с требованиями данного технологического процесса. Диагностика плазмы играет важную роль в процессе разработки и оптимизации плазменного технологического оборудования. Наиболее подходящим методом диагностики плазмы реакторов является метод электрических зондов. Его несомненными преимуществами являются: большое число одновременно измеряемых параметров (температура и концентрация электронов, концентрации положительных и отрицательных ионов, функция распределения электронов по энергиям, потенциал плазмы); локальность измеряемых характеристик, благодаря чему возможно измерение пространственного распределения параметров плазмы в реакторе; возможность проведения автоматизированных измерений при относительно низкой стоимости аппаратуры. Анализ фундаментальных параметров плазмы, полученных в технологических условиях, позволяет оптимизировать источники плазмы на конкретные технологические применения.

Однако для технологических установок характерна совокупность проблем, которые осложняют корректное проведение зондовых измерений и их интерпретацию: наличие магнитного поля, ВЧ и СВЧ полей высокого уровня мощности, применение не модельного, а технологического газа, как правило, электроотрицательного, наряду с травящими обладающего пленкообразующими свойствами и т.д. Поэтому для корректного применения зондовой диагностики необходим анализ каждого конкретного случая.

Цель и основные задачи работы:

Исследование и сравнительный анализ параметров низкотемпературной плазмы в источниках, построенных на различных типах электрических разрядов, в различных технологических газах.

Диагностика плазмы в плазмохимических реакторах, проведение работ по модернизации широкоалертурных источников плотной плазмы для разрабатываемых во ФТИАН плазмоиммерсионных ионных имплантеров и пилотных плазмохимических установок, предназначенных для субмикронных технологических процессов производства интегральных схем с проектными нормами 0.13-0.5 микрон.

Научная новизна диссертационной работы состоит в следующих основных положениях, которые выносятся на защиту:

1. Зондовым методом впервые измерены параметры плазмы BF3 (функция распределения электронов по энергиям, эффективная температура электронов, электронная и ионная концентрации) в установке плазменно-иммерсионного имплантера с источниками плазмы двух типов: СВЧ источником (2.45 ГГц) и индуктивно-связанным ВЧ источником (13.56 МГц). Измерения проведены в условиях, максимально приближенных к технологическим - для давлений рабочего газа BF3 в диапазоне р ~ 0.5-20 мТор и вкладываемых мощностей W ~ 400-1500 Вт, в зоне вблизи пластины.

2. Проведён сравнительный анализ параметров плазмы в зоне обработки (в реакторе, предназначенном для обработки 150- миллиметровых пластин) для источников, построенных на различных типах электрических разрядов, с точки зрения современных требований к реакторам для технологии микро- и наноэлектроники: высокой концентрации ионов, низкой электронной температуры и высокой пространственной однородности этих параметров. Сравнение проведено для технологического газа BF3, активно применяемого в процессах плазмоиммерсионной ионной имплантации.

3. Проведены измерения с фазовым разрешением параметров плазмы кислорода в НЧ (10-100 кГц) плазмохимическом реакторе диодного типа.

4. Показана принципиальная возможность использования электрических зондов для исследования эволюции параметров плазмы в процессе травления и определения момента окончания процесса на примере травления слоя SiCh на Si в плазме C2F6.

Практическая ценность работы.

Полученные результаты относятся к промышленно значимым, они были использованы для разработки и оптимизации широкоапертурных источников плотной плазмы в разработанных во ФТИАН плазмоиммерсионном ионном имплантере и автоматизированной установке для плазмостимулированного осаждения диэлектриков. Две такие установки поставлены в Институт неорганической химии и Институт физики полупроводников СО РАН и в настоящее время успешно используются для осаждения тонких диэлектрических плёнок.

Апробация работы: Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Всероссийской конференции «Микро- и наноэлектроника 2001» (Звенигород, 2001г.), III Международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохимии (Плес, 2002г.), XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС (Звенигород 2003г.), Международной конференции «Микро- и наноэлектроника 2003» (Звенигород 2003г.), 16th International Vacuum Congress (Venice, Italy, 2004), на семинарах ФТИАН и физического факультета МГУ.

Публикации: Основное содержание диссертации опубликовано в 15 работах, список которых приводится в конце реферата.

Объем и структура работы. Основное содержание диссертации изложено на 114 страницах машинописного текста. Работа состоит из Введения, 4 глав и заключения, в котором сформулированы основные выводы.

Заключение диссертации по теме «Физика плазмы», Суханов, Яков Николаевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В плазмохимическом реакторе диодного типа с помощью зондового метода с временным разрешением проведены измерения параметров плазмы (функция распределения электронов по энергиям, эффективная температура электронов в центре разряда, плазменный потенциал в катодной фазе разряда, электронная и ионная концентрации) НЧ (10-100 кГц) разряда в кислороде. Показано, что в рабочем диапазоне давлений и вкладываемых мощностей исследованный разряд (в терминологии стационарного) горит в аномальном режиме и плазма соответствует плазме отрицательного свечения. Измеренная ФРЭЭ имеет характерный вид с группами медленных и вторичных электронов. Степень электроотрицательности плазмы падает с увеличением давления и уменьшением вкладываемой мощности. В плазмохимическом НЧ реакторе диодного типа с помощью зондового метода исследована эволюция параметров плазмы C2F6 в процессе травления слоя SiC>2 на кремнии. Показана принципиальная возможность использования электрических зондов для исследования эволюции параметров плазмы в процессе травления и определения момента окончания травления. Для контроля процесса травления предложено использовать регистрацию изменения зондового тока при фиксированном потенциале смещения.

Впервые проведено исследование параметров плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного имплантера с СВЧ источником плазмы (2.45 ГГц) и ВЧ источником (13.56 МГц). Методом электрических зондов в плазме BF3 определены концентрация и температура электронов, концентрация положительных ионов, степень электроотрицательности плазмы. Измерено пространственное распределение вышеперечисленных параметров в широком диапазоне давлений и вкладываемых мощностей.

В условиях, максимально приближенных к технологическим (рабочий газ BF3, диапазон давлений 0.5 - 20 мТор), проведено сравнение индуктивно-связанного источника плазмы с СВЧ источником в одном и том же реакторе, предназначенном для обработки 150- миллиметровых пластин. Установлено, что источники принципиально отличаются видом функции распределения электронов по энергиям - в индуктивно-связанной плазме функция распределения максвелловская, в СВЧ -бимаксвелловская, с температурой быстрых электронов приблизительно в три раза превышающей температуру медленных. Проанализирована применимость индуктивно-связанного и СВЧ источников для процессов микроэлектроники.

5. Исследована радиальная однородность параметров плазмы вблизи подложки в широком диапазоне внешних параметров разряда. Проанализировано влияние магнитной системы защиты стенок камеры на латеральную однородность параметров плазмы, на абсолютные значения электронной температуры и концентрации заряженных частиц.

В заключение хочу выразить искреннюю признательность своим научным руководителям Александру Александровичу Орликовскому и Алексею Петровичу Ершову за предложенную интересную тему диссертационной работы и постоянную помощь и руководство, Константину Васильевичу Руденко за помощь в организации и проведении экспериментов, Сергею Николаевичу Аверкину за предоставленную возможность выполнения экспериментальных исследований на плазмохимическом оборудовании, разрабатываемом под его руководством.

Считаю своим долгом также поблагодарить сотрудников лаборатории микроструктурирования и субмикронных приборов ФТИАН и кафедры физической электроники физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова за плодотворные дискуссии и проявленный интерес к работе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Суханов, Яков Николаевич, 2005 год

1. А.А. Орликовский, К.В. Руденко. «Диагностика in situ плазменных технологическихпроцессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I.» Микроэлектроника, 30(2), 163-182, 2001.

2. Ю.П. Райзер, Физика газового разряда, Москва, Наука, 1987.

3. Ю.П. Райзер, М.Н. Шнейдер, Н.А. Яценко, Высокочастотный емкостной разряд,

4. Москва.: Издательство МФТИ, 320 е., 1995.

5. Н. Conrads, М. Schmidt "Plasma generation and plasma sources", Plasma Sources Sci.1. Technol. 9,441-454,2000.

6. B.A. Довженко, А.П. Ершов, А.А. Кузовников «О правильном учете кулоновскихстолкновений при расчете коэффициентов переноса» ЖТФ, 50(7), с. 1532, 1980.

7. В.А. Годяк «Статистический нагрев электронов на осциллирующей границе плазмы»,

8. ЖТФ, XLI(7), 1364-1368, 1971.

9. Д.И. Словецкий «Плазмохимическая полимеризация фторуглеродов», Химия плазмы,16,156-211, 1990.

10. A.M. Pointu "A model of radio frequency planar discharges", J. Appl. Phys., 60(12), 41134118,1986.

11. Ю.П. Барышев, К.Ш. Исаев, А.А. Орликовский «Исследование состава плазмы НЧразряда в СБзВг методами масс-спектрометрии и эмиссионной спектроскопии» Труды ФТИАН, 6, 42-48,1993.

12. А.В. Калинин «Параметры неравновесной плазмы низкочастотных и импульсно-периодических разрядов в электроотрицательных газах», Дисс. на соискание учёной степени к.ф.-м.н., Москва, 1998.

13. М.А. Lieberman, A.J. Lichtenberg Principles of plasma discharges and materials processing, John Wiley & Sons Inc., 1994.

14. J. Hopwood, T.D. Mantei "Application-driven development of plasma source technology", J. Vac. Sci. Technol. A 21(5), S139-S144,2003.

15. M.M. Turner "Collisionless electron heating in an inductively coupled discharge", Phys. Rev. Lett., 71(12), 1844-1847, 1993.

16. V.A. Godyak, R.B. Piejak, V.M. Alexandrovich, "Electron energy distribution function measurements and plasma parameters in inductively coupled argon plasma", Plasma sources Sci. Technol., 11, 525-543,2002.

17. V. M. Shibkov, V.A. Chernikov, S.A. Dvinin, A.P. Ershov, A.A. Karachev, L.V. Shibkova, O.S. Surkont, A.V. Voskanyan "Microwave discharge on external surface of quartz plate", Proc. of SPIE, 5401,47-55, 2004.

18. А.А. Орликовский «Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 2. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники», Микроэлектроника, 28, №6,415-426,1999.

19. К.В. Вавилин, А.А. Рухадзе, М.Х. Ри, В.Ю. Плаксин «Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. I. Источники плазмы в отсутствие магнитного поля.» ЖТФ, 74(5), 44-49, 2004.

20. К.В. Вавилин, В.Ю. Плаксин, М.Х. Ри, А.А. Рухадзе «Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. II. Источники плазмы в условиях аномального скин-эффекта.» ЖТФ, 74(6), 25-28,2004.

21. К.В. Вавилин, А.А. Рухадзе, М.Х. Ри, В.Ю. Плаксин «Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. III. Геликонные источники плазмы» ЖТФ, 74(5), 44-49,2004.

22. Loewenhardt P., Zawalski W., Ye Y., Zhao A., Webb T.R., Tajima D., Ma D.X. "Plasma Diagnostics: Use and Justification in an Industrial Environment." Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38(7B), 4362-4366,1999.

23. Olthoff J.K., Greenberg K.E. "The Gaseous Electronics Conference RF Reference Cell An Introduction." J. Res. Nat. Inst. Standards & Technol., 100(4), 327-339, 1995.

24. Brake M.L., Pender J., Fournier J. "The Gaseous Electronic Conference (GEC) reference cell as a benchmark for understanding microelectronics processing plasmas." Physics of Plasmas, 6(5), 2307-2313, 1999.

25. Arita K., Etoh M., Asano T. "Visualization of plasma uniformity in dry etching using imaging plate." J.Vac.Sci.Technol. B, 16(2), 519-522,1998.

26. Энциклопедия низкотемпературной плазмы, под редакцией В.Е. Фортова, Вводный том II, Раздел V, Москва «Наука», МАИК «Наука/Интерпериодика», 2000.

27. K.V. Rudenko, A.V. Fadeev, А.А. Orlikovsky, and К.А. Valiev, "Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma sources under strong restriction on the points of view", Proc. of SPIE 5401, 79-85, Bellingham, 2004.

28. Coburn J.W., Chen M. "Optical emission spectroscopy of reactive plasmas: A method for correlating emission intensities to reactive particle density" J.Appl.Phys., 51(6), 3134-3136, 1980.

29. V.M. Donnelly "Plasma electron temperatures and electron energy distributions measured by trace rare gases optical emission spectroscopy", J. Phys. D: Appl. Phys. 37, R217-R236, 2004.

30. V.M. Donnelly, M.V. Malyshev, M. Schabel, A. Kornblit, W. Tai, I.P. Herman and N.C.M. Fuller "Optical plasma emission spectroscopy of etching plasmas used in Si-based semiconductor processing", Plasma Sources Sci. Technol. 11, A26-A30, 2002.

31. Sung K.T., Juan W.H., Pang S.W. "Dependence of etch characteristics on charge particles as measured by Langmuir probe in multipolar electron cyclotron resonance source." J. Vac. Sci. Technol. A, 12(1), 69-74, 1994.

32. Аверкин C.H., Валиев К.А., Кошкин B.B., Орликовский А.А., Руденко К.В., Суханов Я.Н. «Микроволновый широкоапертурный источник плотной плазмы.» Микроэлектроника, 28(6), 427-433, 1999.

33. Ning F.-T., Ни Y., Lin T.-L. "An open cavity electron cyclotron resonance plasma/ion source." Jpn. J. Appl. Phys. 38(12A), 6902-6907, 1999.

34. Sheridan Т.Е., Goree J. "Langmuir-probe characteristics in the presence of drifting electrons." Physical Review E, 50(4), 2991-2996,1994.

35. Lagarde Т., Arnal Y., Lacoste A., Pelletier J. "Determination of the EEDF by Langmuir probe diagnostics in a plasma excited at ECR above a multipolar magnetic field." Plasma Sources Sci. Technol. 10,181-190, 2001.

36. Samukawa S., Donnelly V.M., Malyshev M.V. "Effects of discharge frequency in plasma etching and ultrahigh-frequency plasma source for high-performance etching for ultralarge-scale integrated circuits." Jpn. J. Appl. Phys. 39(4A), 1583-1596,2000.

37. Schwabedissen A., Benck E.C., Roberts J.K. "Langmuir probe measurements in an inductively coupled plasma source." Physical Review E, 55(3), 3450-3459, 1997.

38. Каган Ю.М., Перель В.И. «Зондовые методы исследования плазмы» УФЫ, 81(3), 409452,1963.

39. Okada К., Komatsu S., Matsumoto S. "Langmuir probe measurements in a low pressure inductively coupled plasma used for diamond deposition." J. Vac. Sci. Technol. A. 17(3), 721-725,1999.

40. Miller P.A., Hebner G.A., Greenberg K.E., Pochan P.D., Aragon B.P. "An inductively coupled plasma source for the Gaseous Electronics Conference RF Reference Cell." J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol., 100(4), 427-439,1995.

41. Schneider T.P., Dostalik W.W., Springfield A.D., Kraft R. "Langmuir probe studies of a helicon plasma system." Plasma Sources Sci. Technol., 8, 397-403,1999.

42. Chabert P., Sheridan Т.Е., Boswell R.W., Perrin J. "Electrostatic probe measurements of the negative ion fraction in an SF6 helicon discharge." Plasma Sources Sci. Technol. 8, 561-566, 1999.

43. Collinson W.Z., Ni T.Q., Barnes M.S. "Studies of the low-pressure inductively-coupled plasma etching for a larger area wafer using plasma modeling and Langmuir probe." J. Vac. Sci. Technol. A 16(1), 100-107,1998.

44. A.A. Орликовский, K.B. Руденко, Я.Н. Суханов. «Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть И.», Микроэлектроника, 30(3), 163-182,2001.

45. А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Я.Н. Суханов. «Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV», Микроэлектроника, 30(6), 403-433,2001.

46. М.К. Абачев, СЛ. Антонов, Ю.П. Барышев и др. «Исследование анизотропного травления монокристаллического кремния в низкотемпературной плазме СВгРз», Труды ИОФАН, 14,100-110,1988.

47. А.Р. Ershov, A.V. Kalinin, А.А. Orlikovsky, K.V. Rudenko, Ya.N. Sukhanov "Time-Resolved O2 Plasma Parameters of Low Frequency Discharge in Diode Type Plasma Reactor", Proc. of FTIAN, 16,25-31,2000.

48. Ю.Б. Голубовский, B.M. Захарова, B.H. Пасункин, Л.Д. Цендин «Зондовые измерения функции распределения электронов по энергии в диффузионном режиме» Физика плазмы, 7(3). 620-628, 1981.

49. I.D. Swift "Effects of finite probe size in the determination of electron energy distribution function", Proc. Phys. Soc., 79,697-705,1962.

50. M.A. Мальков «Сток электронов на зонд в режиме столкновительного призондового слоя пространственного заряда», Известия вузов. Физика, 7, 74-80, 1990.

51. Мальков М.А., Девятое A.M., Кузовников А.А., Ершов А.П. Зондовая диагностика плазмы газоразрядных источников света, Саранск, Мордов.ун-т., С.96,1991.

52. А.П. Ершов, К.Ш. Исаев, А.В. Калинин, А.Б. Соколов, А.А. Орликовский «Особенности применения метода зондов для диагностики низкочастотного разряда в смеси СРзВг/Ar в диодном плазмохимическом реакторе», Труды ФТИАН, 6, 17-33, 1993.

53. Т. Kopiczynski "Characteristics of negatively biased cylindrical probe at medium pressure", Proc. XIIIICPIG, 99-100, Berlin, 1977.

54. M. Sicha, Sun Zu Cham, J. Glosik, M. Ticky „The application of Langmuir probes to the measurements in flowing afterglow plasma", Contrib. Plasma Phys., 30(2), 185-192, 1990.

55. B.JI. Грановский Электрический ток в газе. Установившийся ток, Москва «Наука», 1971.

56. Hopkins М.В., Anderson С.А. and Graham W.G. "Time-Resolved Electron Energy Distribution Function Measurements in a Low Frequency RF Discharge", Europhys. Lett., 8(2), 141-145,1989.

57. S. Kakuta, T. Makabe, F. Tochikubo "Frequency dependence on the structure of radio frequency glow discharges in Ar.", J. Appl. Phys., 74(8), 4907-4914,1993.

58. А.П. Ершов, B.A. Довженко, Г.С. Солнцев «Об обработке вольтамперных характеристик зонда Ленгмюра в немаксвелловской плазме», Физика плазмы, 7(3), 609617,1981.

59. В.И. Демидов, Н.Б. Колоколов, А.А. Кудрявцев Зондовые методы исследования низкотемпературной плазмы, Москва, Энергоатомиздат, 1996.

60. Ершов А.П., Калинин А.В., Суханов Я.Н., Руденко К.В. «Применение зонда Ленгмюра для определения момента окончания процесса травления БЮг на кремнии.» Вестн. Моск. Ун-та. Сер.З Физика, Астрономия. 36(6), 18-22,1995.

61. Ю.П. Маишев, В.И. Фареник, А.В. Шевченко, A.M. Будянский, С.В. Дудин, А.В. Зыков «Специфика диагностики параметров плазмы электрическими зондами в процессах ионно-лучевого и плазмохимического травления.» Труды ФТИАН, 15, 86116,1999.

62. Deguchi М., Itatani R. "A novel and convenient method for monitoring processing plasma: The insulated pulse probe method." Jpn. J. Appl. Phys. p.l 37(3A), 970-980,1998.

63. M.M. Turner "Collisionless electron heating in an inductively coupled discharge", Phys. Rev. Lett. 71(12), 1844-1847, 1993.

64. G.G. Lister, Y.-M. Li, V.A. Godyak "Electrical conductivity in high-frequency plasmas", J. Appl. Phys, 79(12), 8993-8997,1996.

65. Valery Godyak "Plasma phenomena in inductive discharges", Plasma Phys. Control. Fusion, 45, A399-A424,2003.

66. Handbook of plasma immersion ion implantation // Ed by A. Andersen N.-Y., J.Willey&Sons 2000 r.

67. Приборно-модульные универсальные автоматизированные измерительные системы. , под ред. В.А. Кузнецова., Москва, «Радио и связь», с. 303,1993.

68. А.П. Ершов, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Я.Н. Суханов «Параметры плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного нмплантера», Третий международный симпозиум по теоретической и прикладной плазмохимии. Плёс, Сб. материалов 2, 426428,2002.

69. Michael A. Lieberman, Valery A. Godyak "From Fermi acceleration to collisionless discharge heating", IEEE Transactions on Plasma Science, 26(3), 955-986,1998.

70. B.A. Годяк, C.H. Оке «О корректности измерений ФРЭЭ в ВЧ плазме», ЖТФ, 49(7), 1408-1411, 1979.

71. В.А. Довженко, А.П. Ершов, Г.С. Солнцев «К вопросу об определении функции распределения электронов по энергиям методом второй производной», Вестник МГУ, сер. физика, астрономия, 18(6), 25-31,1977.

72. В.А. Годяк, О.А. Попов, ЖТФ, 1977, 47, с.766

73. J. Hopwood, C.R. Guarnieri, S.J. Whitehair, J.J. Cuomo "Langmuir probe measurements of a radio frequency induction plasma", J. Vac. Sci. Technol. A., 11, 152-156,1993.

74. B.B. Никольский Теория электромагнитного поля, М. Высшая школа, 1964.

75. V.A. Godyak, R.B. Piejak, В.М. Alexandrovich "Measurements of electron energy distribution in low-pressure RF discharges", Plasma Sources Sci. Technol. 1, 36-58,1992.

76. Иванов Ю.А., Лебедев Ю.А., Полак Л.С. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии, с. 143. Москва, Наука, 1981.

77. Н. Amemiya, В.М. Annaratone, J.E. Allen "The collection of positive ions by spherical and cylindrical probes in an electronegative plasma" Plasma sources Sci. Technol. 8, 179-190, 1999.

78. А.П. Ершов, А.А. Кузовников, Б.Н. Крашенинников «Определение концентрации заряженных частиц по ионному току на цилиндрический зонд в слабоионизованной плазме низкого давления», Вестн. Моск. Ун-та. Сер.З Физика, Астрономия 25(1), 2326,1984.

79. Т Kimura and К. Ohe "Probe measurements and global model of inductively coupled Ar/CF4 discharges", Plasma Sources Sci. Technol. 8, 553-560, 1999.

80. Ю.А. Лебедев «СВЧ плазма и её применение», Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2,400 401,2002.

81. А.Н. Аверкин, А.А. Орликовский, К.В. Руденко «Плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора для создания ультрамелких р+-п переходов в кремнии», Труды 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2, 360 362, 2002.

82. Hiroshi Amemiya "Plasmas with negative ions probe measurements and charge equilibrium", J. Phys. D: Appl. Phys. 23,999-1014,1990.

83. Hiroshi Amemiya "Probe diagnostics in negative ion containing plasmas", J. Phys. Soc. of Japan, 57(3), 887-902, 1988.

84. D Bohm The characteristics of electrical discharges in magnetic fields, под редакцией A. Guthrie и R.K. Wakering, New York: McGraw-Hill ch 3,13-27,1949

85. R.N. Franklin The plasma-sheath boundary region, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, R309-R320, 2003.

86. N.St.J. Braithwaite, J.E. Allen "Boundaries and probes in electronegative plasmas", J. Phys. D, 21(12), 1733-1738,1988.

87. Akihiro Kono, "Negative ions in processing plasmas and their effect on the plasma structure", Applied Surface Science, 192,115-134,2002.

88. Paul Bryant, Anthony Dyson and John E Allen "Langmuir probe measurements of weakly collisional electronegative RF discharge plasmas" J. Phys. D: 34, 95-104, 2001.

89. Ю.А. Лебедев Введение в зондовую диагностику плазмы пониженного давления, Москва, МИФИ, 2003.

90. Н. Sugai, I. Ghanashev, М. Hosokava, К. Mizuno, К. Nakamura, Н. Toyoda, К. Yamauchi "Electron energy distribution functions and the influence on fluorocarbon plasma chemistry", Plasma Sources Sci. Technol. 10, 378-385,2001.

91. А.П. Ершов, Г.С. Солнцев Взаимодействие электромагнитных волн с плазмой и СВЧ разряды. Издательство МГУ 1990.

92. Bon-Woong Коо, Noah Hershkowitz, Moshe Sarfary "Langmuir probe in low temperature, magnetized plasmas: Theory and experimental verification", Journal of Appl. Phys. 86(3), 1213-1220, 1999.

93. Ivan P Ganachev and Hideo Sugai "Production and control of planar microwave plasmas for materials processing", Plasma Sources Sci. Technol., 11, A178-A190, 2002.

94. E.V. Karoulina and Yu.A. Lebedev "Computer simulation of microwave and DC plasmas: comparative characterization of plasmas", J. Phys. D: Appl. Phys. 25,401-412,1992.

95. M. Shindo, S. Hiejima, Y. Ueda, S. Kawakami, N. Ishii, Y. Kawai "Parameters measurement of ECR C4F8/Ar plasma", Thin Solid Films, 345,130-133,1999.

96. C.H. Аверкин, А.П. Ершов, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Я.Н. Суханов '«Сравнительные характеристики плотной плазмы ВЧ и СВЧ разряда в установке плазменно-иммерсионной ионной имплантации», Микроэлектроника, 32(5), 363-373, 2003.

97. S. Averkin, A. Orlikovsky, К. Rudenko, Ya. Sukhanov, К. Valiev. Microwave Wide Aperture Plasma Source for 300-mm Wafer Processing. Proc. of FTIAN, 16,3-7,2000.

98. Ya.N. Sukhanov, A.P. Ershov, K.V. Rudenko, A.A. Orlikovsky "Comparative study of inductively coupled and microwave BF3 plasmas for microelectronic technology applications", Proc. of SPIE, 5401, 55-63,2004.