Моделирование низкотемпературной газоразрядной плазмы ксенона и криптона при средних давлениях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат физико-математических наук Зверева, Галина Николаевна

• Зверева, Галина Николаевна
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Зверева, Галина Николаевна

Введение

Глава 1. Расчет барьерного разряда в ксеноне.

1.1 Введение.Ю

1.2 Обзор литературы.

1.3 Расчетная модель плазмы БР.

1.4 Зависимость концентраций компонент плазмы от времени.

1.5 Основные каналы заселения и разрушения компонент плазмы и их зависимость от времени.

1.6 Параметры определяющие кпд выхода ВУФ излучения эксимеров.

1.7 Выводы.

Глава 2. Расчет барьерного разряда в смеси криптона и ксенона.

2.1 Введение.

2.2 Расчетная модель плазмы БР в смеси Кг-Хе.

2.3 Результаты расчета концентраций компонент плазмы, особенности образования гомо- и гетеро-ядерных . эксимеров в разряде.

2.4 КПД выхода ВУФ излучения , концентрации эксимеров в смеси Кг-Хе.

2.5 Особенности передачи возбуждения в смеси. . . .83 2 . б Выводы.

Глава 3.Расчет параметров положительного столба в ксеноне

3.1 Введение.

3.2 Расчетная модель плазмы.

3.3 Результаты расчетов и их обсуждение.

3.4 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование низкотемпературной газоразрядной плазмы ксенона и криптона при средних давлениях»

Диссертация посвящена расчетам характеристик плазмы газовых разрядов околоатмосферного ( несколько сотен торр) давления в инертных газах (Хе) и их смесях (Кг-Хе). В работе рассчитывались такие параметры как: концентрации компонент плазмы, газовая и электронная температура, исследовались механизмы заселения и разрушения компонент.

В диссертации ставились задачи интересные не только в научном , но и в прикладном плане . С прикладной точки зрения плазма инертных газов средних давлений интересна как эффективный источник излучения в области вакуумного ультрафиолета (ВУФ). Поэтому большое внимание уделялось расчетам и исследованиям параметров , являющихся основными для источника света: значению кпд выхода излучения и его интенсивности.

Источником ВУФ излучения в газовых разрядах средних давлений являются двухатомные молекулы инертных газов -эксимеры . То, что длины волн переходов эксимеров находятся в ВУФ области , делает экспериментальные исследования технически сложными и дорогостоящими. Расчеты же позволяют получить информацию избежав сложностей и дополнить экспериментальные данные.

Для достижения указанных целей проводился расчет параметров разрядов двух типов: барьерного и тлеющего. При определении концентраций компонент плазмы решалась система кинетических уравнений баланса частиц, скорости процессов и температура электронов Те расчитывались с помощью уравнения Больцмана для ФРЭЭ, температура газа Тд вычислялась с помощью уравнения теплопроводности.

Расчеты барьерных разрядов (БР) актуальны в связи с интенсивным развитием в настоящее время ВУФ источников света на их основе [1,2]. В качестве других, наиболее распространенных газоразрядных источников некогерентного ВУФ излучения на основе низкотемпературной плазмы, можно упомянуть еще 2 типа разрядов:

- разряд с полым катодом [3]

- разряд в сверхзвуковой струе [4].

Каждый из указанных разрядов обладает своими преимуществами, так в барьерном разряде достигаются максимальные эффективности ВУФ излучения -2 0%-60% [5] , разряд в струе имеет диаметр в доли мм и используется как точечные источник для обработки материалов в полупроводниковой промышленности [6].

Тлеющий разряд интересен тем , что он является источником непрерывного возбуждения ВУФ излучения, а также с точки зрения возможности получения непрерывной генерации в ВУФ диапазоне [7-9] . Расчеты положительного столба тлеющего разряда интересны также для сравнения и большего понимания физики барьерного разряда .

Источники ВУФ излучения находят широкое применение промышленности: в микроэлектронике для литографии высокого разрешения, для изменения свойств и рельефа поверхностей , при обработке полупроводниковых материалов [б], в технологиях распыления материалов используется фотоосаждение , в экологии для разложения загрязняющих веществ. Одно из сравнительно новых направлений конструирование плазменных дисплейных панелей в которых флуоресценция экрана возбуждается ВУФ излучением , а не электронным пучком как в обычных электронно-лучевых ^трубках.

Некогерентные источники БУФ(УФ) излучения имеют свои преимущества по-сравнению с лазерными. Известно, что взаимодействие некогерентного ВУФ излучения барьерного разряда с веществом имеет фоохимическую природу (приводит к разрыву химических связей, ионизации и т.д.) , в то время как лазерное ВУФ излучение ведет к фототермическим процессам на поверхности [10]. Некогерентность светового излучения позволяет избежать интерференционных и тепловых эффектов и достигать лучших результатов : более гладких поверхностей [11], осаждению более тонких пленок [1], по-сравнению с лазерными источниками .

Останавливаясь на более конкретном приложении барьерных разрядов на основе инертных газов и их смесей с галогенидами следует отметить их исследования и внедрение для:

1)обработки поверхностей полимеров ( полиэтилена, полистирена, полиметилмакрилата, полиамида и др. [12]) , в [13] сравнивалась возможность обработки полиамидной поверхности обычным барьерным разрядои на воздухе и УФ облучением BP KrCl* 222 нм, были получены удовлетворительные результаты , указывалось на необходимость повышения кпд БР .

2)напыления тонких металлических пленок путем ВУФ разложения органических составляющих металлорганических слоев [1], в [14] сравнивалось металлизация поверхности палладием с помощью когерентного (KrF* лазер , А,=24 8 нм) и некогерентного (Хе2* БР , Х—112 нм) излучения, указывалось на преимущества нетермического воздействия БР на подложку и более равномерного нанесения металла по сравнению с лазерным напылением, отмечалась необходимость повышения интенсивности ВУФ излучения БР.

3) разложение загрязняющих веществ в газе и воде , в [15] исследовалась возможность разложения тетрахлорэтилена, 1,2-дихлорэтана , СС14 , СН3С1 прямым УФ(ВУФ) фотолизом или комбинированным ( УФ(ВУФ) облучение в присутствии 03/Н202) [15] .

Видно, что перечисленные возможности конкретного применения указывают на актуальность исследования процессов в БР и оптимизацию их параметров.

Диссертация состоит из 3 глав . В первой и второй главах рассматривается барьерный разряд на основе чистого ксенона и смеси Kr-Хе, в третьей- положительный столб в капиллярном тлеющем разряде в ксеноне.

В первой главе рассчитывались параметры BP в Хе при средних давлениях, были получены временные зависимости компонент плазмы, определены основные кинетические процессы, рассчитаны ВУФ интенсивности и ВУФ-кпд , проанализированы основные каналы потерь энергии , определяющий кпд излучения.

Во второй главе проводился расчет БР в смеси инертных газов. На примере смеси Kr-Хе были проанализированы основные кинетические процессы при разных процентных содержаниях Хе, определены временные зависимости концентраций компонент плазмы и зависимости кпд выхода от параметров разряда и содержания Хе.

В третьей главе рассчитывались характеристики положительного столба тлеющего разряда в Хе. Были получены радиальные зависимости температуры газа, концентраций компонент плазмы, интенсивностей и ВУФ-кпд в условиях криогенного охлаждения и без него.

По теме диссертации опубликовано 7 статей, сделано б докладов на международных и российских конференциях:

1) Галактионов И.И., Зверева Г.Н. "Исследование неравновесного заселения колебательных уровней молекулы С2"// Оптика и спектр.,т.73,вып.1, стр.111,1992, [16].

2) Г.Н.Герасимов, Б.Е.Крылов, Г.Н.Зверева, Р.Халлин, А.Арнесен, Ф.Хайкеншольд "ВУФ спектр эксимеров Кг , возбуждаемых в охлаждаемом разряде постоянного тока"// Оптика и спектр., т.81, N6, с.935-943, (1996),[7].

3) Г.Н.Герасимов, Г.Н.Зверева "Численное моделирование процессов в плазме разряда в Кг"// Оптич. журнал, t.64,N 1, с.20-24, 1997, [17].

4) G.Gerasimov, B.Krylov, A.Loginov, G.Zvereva, R.Hallin, A.Arnesen, F.Heijkenskjold "The vacuum ultraviolet spectrum of Kr and Xe excimers excited in a cooled dc discharge" // Appl. Phys. B, v.66, p.81-90,

1998), [8].

5) Г.Н.Герасимов, Г.А.Волкова, Р.Халлин, Г.Н.Зверева,

Ф.Хайкеншельд "ВУФ спектр барьерного разряда в смеси Кг и Хе"// Оптика и спектроскопия, т.88, N6, с.8 97902,2000, [18].

6) Г.Н.Зверева, А.В.Логинов "Теоретичкское исследование ВУФ спектров смеси криптон-ксенон в условиях барьерного разряда"// Оптика и спектр. ,в публикации 2001г. [19] .

7) Зверева Г.Н., Герасимов Г.Н."Численное моделирование барьерного разряда в ксеноне"//Оптика и спектр. , т.90, N3, с.376-383, 2001 г, [20].

8) Gerasimov G.N, Zwereva G.N "Characteristics of cryogenic Kr plasma as a vacuum ultraviolet source"// Abstracts of 28-EGAS Conference, Graz, Austria, pp.494-495,1996 , [21] .

9) Gerasimov G. ,Zvereva G., Krylov B. "Experimental estimate of Xe dimers cross-section from weakly bound ground states by electron impact"// "XX ICPEAC

Scientific program and abstracts of contributed papers" ed. by F.Aumayr, G.Betz, H.P.Winter, Vienna, 1997, Р.М0125 , [22].

10) G.N Gerasimov, G.A.Volkova, G.N.Zvereva "VUV spectrum of barrier discharge in Xe-Kr mixture'V/Proceedings of LS-8 Conference, Greifswald, 1998, p.248-249, [23] .

11) G. Gerasimov, G. Zvereva "Investigations of kinetic processes in rare gases barrier discharge"// Proceedings of the 1999 Conference on Dissociative recombination, Stockholm , Sweden, 1999, p.275 ,

24].

12) G.Zvereva, G.Gerasimov "Calculations of Xe barrier discharge parameters"// HAKONE VII Contributed Papers, Greifswald, Germany, v.l, p.134-138, 2000 ,

25] .

13) G.N.Zvereva, G.N.Gerasimov "Calculations of Kr-Xe mixture barrier discharge parameters"// Тезисы конференции по физике электрон-атомных столкновений, Москва, Клязьма, с.46-47, 2001 г, [26].

Заключение диссертации по теме «Оптика», Зверева, Галина Николаевна

3.4 Выводы.

В данной главе был произведен расчет концентраций компонент плазмы и газовой температуры в контрагированном шнуре тлеющего разряда в ксеноне. Вычисления проводились для давлений Р=100-400 торр, токов 1=6-15 мА.

На основании проделанных расчетов можно сделать следующие выводы:

1) газовая температура в канале тлеющего разряда ксенона при давлениях в несколько сотен торр и токах около десяти милиампер составляет величину 1000-2000°К. Основным каналом превращения электрической энергии в тепловую являются упругие электрон-атомные столкновения.

2) концентрация эксимеров ксенона при рассматриваемых условиях достигает макимума на границе шнура и составляет величину порядка 1010-101:L см-3. Основным каналом образования эксимеров является столкновительная ассоциация Хе+ +2Хе= Хе2+

Хе, основным каналом разрушения- радиационный распад. Повышение концентрации эксимеров при криогенном охлаждении можно связать с увеличением концентрации нормальных атомов и соответствующим ростом потока образования эксимеров при столкновительной ассоциации.

3) Эффективность выхода ВУФ излучения ц при рассматриваемых условиях составляет величину порядка 0.10.5% , что на 2 порядке ниже чем в барьерном разряде. Повышение ВУФ-кпд возможно путем увеличения эффективности образования эксимеров и уменьшения упругих потерь при е-а столкновениях.

4.Заключение.

В заключении подведем итог проведенной работе и перечислим ее основные результаты.

В диссертации производился расчет характеристик плазмы средних давлений (100-4 00 торр) в ксеноне и смеси криптон-ксенон . Исследовались барьерный и контрагированный тлеющий разряды.

В диссертации было проделано следующее:

1)выбрана кинетическая схема процессов адекватно описывающая данные типы разрядов в ксеноне и смеси Kr-Хе. .

2)решено уравнение Вольцмана для указанных условий и найдены : скорости реакций k± (E/N), температура электронов Те (E/N) и др. кинетические параметры.

3)решена система нестационарных кинетических уравнений, в результате которой найдены: концентрации компонент плазмы в зависимости от времени Ni(t), потоки заселения компонент плазмы Fi(t), кпд ВУФ излучения r|(E/N) .

4) для случая контрагированного положительного столба решено уравнение теплопроводности совместно с системой стационарных кинетических уравнений. Получены радиальные зависимости температуры газа Tg(r), концентраций Ni(r), кпд-Л (г) .

В качестве основных результатов можно перечислить:

-для барьерного разряда в чистом ксеноне:

1)найдены расчетные зависимости концентраций эксимеров Nex (E/N, Ne, t) и кпд выхода ВУФ излучения t|(E/N,Ne) в широком диапазоне значений E/N и концентраций электронов Ne. Показано, что концентрация эксимеров Хе2* растет с увеличением параметра E/N сначала медленно, затем резко.

Кпд ВУФ излучения, напротив, сначала медленно, затем резко падает с ростом E/N.

2) Объяснено поведение Nex (E/N, Ne, t) и T|(E/N,Ne) в зависимости от E/N и Ne . Резкие изломы на кривых объяснены наступлением ступенчато-ионизационной неустойчивости. Падение r|(E/N,Ne) с ростом E/N и Ne объяснено увеличением потерь энергии в реакциях с участием молекулярного иона Хе2+ а также при упругих электрон-атомных столкновениях.

3)найдены максимальные расчетные значения концентрации эксимеров Nex (E/N,Ne, t) в барьерном разряде в чистом ксеноне, достигаемые до начала ступенчато-ионизационной неустойчивости величин, составляющих 1014-1015см~3.

-для барьерного разряда в смеси криптон-ксенон:

4) Найдены основные кинетические реакции в зависимости от концентрации Хе - 5. При относительной концентрации Хе 5^10% преобладает прямое возбуждение и ионизация Кг , при

8^10% - прямое возбуждение и ионизация Хе. При этом гомоядерные эксимеры Хе*2 в смеси образуются : при 8^10% в реакции замещения КгХе* +Хе= Хе*2 +Кг, при 8^10% прямым путем в столкновительной ассоциации : Кг+ Хе* +Хе= Хе*2 +Кг;

5)Вычислены максимальные концентрации эксимеров для КгХе* и Хе*2 , составившие величины ~1014см"3 ;

6) поведение ВУФ кпд r|(E/N,8) в смеси Кг-Хе аналогично чистому Хе: имеется плато за которым следует срыв . Найден подъем плато при 8»4 0% , что объясняется большей эффективностью возбуждения Хе при данном 8.

-для положительного столба тлеющего разряда в ксеноне:

ЮНайдена газовая температура на оси тлеющего разряда ксенона при давлениях в несколько сотен торр и токах в десятки милиампер, составившая величину 1000-2000°К. Определено, что основным каналом превращения электрической энергии в тепловую являются упругие электрон-атомные столкновения.

8)Вычислены зависимости концентрация эксимеров ксенона от радиуса Nex (г) . Показано, что Nex(r) достигает максимума на границе шнура и составляет величину порядка 1010-101:lcm"3 .

9) Найдены кпд выхода ВУФ излучения г|(г), который также достигает максимума на границе шнура и имеет величину 20-30%, среднее же значение Г| для всего разряда составляет 0.01-0.5% , что на 2 порядка ниже чем в барьерном разряде.

Полученные результаты могут представлять интерес при изучении физических процессов в барьерных и тлеющих разрядах в инертных газах , а также при разработке источников ВУФ излучения на их основе. к "к "к

В заключении автор хочет принести свою большую благодарность руководителю Г.Н.Герасимову за постоянный интерес к работе и полезные обсуждения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Зверева, Галина Николаевна, 2001 год

1. H.Esrom, U.Kogelschatz// Thin Solid Films, v.218, p.231,1992.

2. U.Kogelschatz, H.Esrom, J.-Y. Zhang, I.W.Boyd// Proceedings of E-MRS-IUMRS-ICEM-2000, Strasbourg, France, 2000.

3. A.E.-Habachi,K.H.Schoenbach // Appl. Phys. Lett. v.73, N7, 1998.

4. Г.Н.Герасимов, Б.Е.Крылов, А,В,Логинов, С.А.Щукин// Опт. и спектр., т.59, в.4, с.775, 1985.

5. Vollkommer F., Hitzschke L.//Proceedings of LS-8 Conference. Greifswald. 1998.p.51

6. W.Sasaki,S.Kubodera,J.Kawanaka // Proc.SPIE , v.3092, p.378-381, 1997.

7. Г.Н.Герасимов, Б.Е.Крылов, Г.Н.Зверева, Р.Халлин,

8. A.Арнесен, Ф.Хайкеншольд // Оптика и спектр., т.81, N6, с.935-943, (1996).

9. G.Gerasimov, B.Krylov, A.Loginov, G.Zvereva, R.Hallin, A.Arnesen, F.Heijkenskjold // Appl. Phys.1. B, v.66, p.81-90, (1998).

10. A.Morozov,В.Krylov, G.Gerasimov, R.Hallin, A.Arnesen//Eur. Phys. J. D., v.11, p.379-385, (2000).

11. Salamero Y.//J. Chem.Phys., v. 74, N1, p.288, 1981.

12. A.Yokotani, N.Takezoe, K.Kurosawa, W.Sasaki,

13. T.Igarashi,H.Matsuno, K.Yoshida, W.Sasaki// Proc. SPIE,v.3092,p.394-397,1997.

14. A.C.Fozza, J.E.Klemberg-Sapieha,M.R.Wertheimer// Plasmas and Polymers, v.4, N2/3, p.183,1999.

15. R.Seebock, H. Esrom// Proceeding of HAKONE VI, Cork, Ireland, p.270,1998.

16. H.Esrom, U.Kogelschatz// Appl. Surface Science, v.46,p.158, 1990.

17. U.Kogelschatz// NATO ASI Series, v. G34, partB,p.339, 1993.

18. Галактионов И.И., Зверева Г.Н. // Оптика и спектр., т.73,вып.1, стр.111,1992

19. Г.Н.Герасимов, Г.Н.Зверева// Оптич. журнал, t.64,N 1, с.20-24, 1997.

20. Г.Н.Герасимов, Г.А.Волкова, Р.Халлин, Г.Н.Зверева, Ф.Хайкеншельд // Оптика и спектроскопия, т.88, N6, с.897-902, 2000.

21. Г.Н.Зверева, А.В.Логинов // Оптика и спектр. , в публикации.

22. Зверева Г.Н., Герасимов Г.Н.//Оптика и спектр. , т. 90, N3, с.376-383, 2001 г.

23. Gerasimov G.N, Zwereva G.N // Abstracts of 28-EGAS Conference, Graz, Austria, pp.494-495,1996.

24. Gerasimov G. ,Zvereva G., Krylov В.// "XX ICPEAC Scientific program and abstracts of contributed papers" ed. by F.Aumayr, G.Betz, H.P.Winter, Vienna, 1997, p.M0125.

25. G.N Gerasimov, G.A.Volkova, G.N.Zvereva//Proceedings of LS-8 Conference. Greifswald. 1998. p.248-249.

26. G. Gerasimov, G. Zvereva // Proceedings of the 1999 Conference on Dissociative recombination, Stockholm , Sweden, 1999,p.275. 34] Kogelschatz U.//Proceedings of XXIII ICPIG. 1997,Toulouse. France.

27. G.Zvereva, G.Gerasimov // HAKONE VII Contributed Papers, Greifswald, Germany, v.l, p.134-138, 2000.

28. Г.А.Волкова// Оптический журнал, т.64, N7, с.31-33, 1997.

29. Г.Н.Зверева, Г.Н.Герасимов// Тезисы конференции по физике электрон-атомных столкновений, Москва,1. Клязьма, 2001 г.

30. U. Kogelschatz// HAKONE VII Contributed Papers, v.l, p.1-7, 2000

31. В.П. Белошеев// Журн. прикл. мех. и техн. физики, N2, с.43-48, 1981.

32. S.Okazaki et al.// J. Phys. D: Appl. Phys. , v.21, p.838-840, 1988

33. F. Massines et al.// J. Appl. Phys., v.83, p.2950-2957, 1998.

34. F. Massines et al.// HAKONE VII Contributed Papers, v.l, p.88-91, 2000.

35. V.A. Schweigert, U. Kortshagen// HAKONE VII Contributed Papers, Greifswald, Germany, v.l, p.154-158, 2000.

36. Самойлович В.Г., Гибалов В.И., Козлов К.В.// Физическая химия барьерного разряда. Изд-вол МГУ". 1989.

37. Волкова Г.А., Кириллова Н.Н. , Павловская Е.Н., Яковлева А.В. //ЖПС. 1984. T.XLI. вып.4

38. Г.А Волкова, Н.Н. Кириллова, Е.Н. Павловская, И.В. Подмошенский , А.В. Яковлева// Бюлл. изобр., N41, с. 179, 1982.

39. U.Kogelschatz // Pure&Appl. Chem., v.62, N9, pp.16671674, 1990.

40. B.Gellert, U.Kogelschats// Appl. Phys. B, v.52, pp. 14-22, 1991.

41. U. Kogelschatz// Appl. Surface Sciencs, v. 54, pp. 410-423, 1992.

42. H. Esrom, U. Kogelschatz // Thin Solid Films, v. 218, pp.231-246, 1992.

43. У.Когелыпатц , Б. Элиассон, Г. Эсром // Обзор АББ , т. 3, с.21-28, 1991.

44. H.Muller// Dissertation, Karlsruhe, 1991, Modellierungvon Excimer-Gasentladungen zur Erzeugung spectral selektiver Strahlung.

45. Eliasson В.,Kogelschatz U.//Appl. Phys., 1988, v.B46, p.299

46. J. Kawanaka, S.Kubodera , W.Sasaki, K.Kurosawa, K.Mitsuhashi, T.Igarashi//IEEE J.Select. Topics in Quant. El.,v.l,N3,p.852,1995.

47. Y. Takenaka, M. Kuzumoto, K. Yasui, S.Yagi, M. Tagashira// IEEE J.Quantum Electron, v.27, pp.24822487, 1991.

48. Герасимов Г.H.,Волкова Г.А.//Кв. электроника. 1997. т.24. N3 . с.219

49. A.M. Boichenko, V.S. Skakun, E.A. Sosnin, V.F. Tarasenko, S.I Yakovlenko// Laser Physics, v.10, N2, p.540-552, 2000.

50. Xu X., Li Y., Xu Y.//Proceedings of Gas Discharge-97 Conference,Greifswald, 1997, v. 1, p. 184.

51. Adler F., Muller S. // Proceedings of LS-8 Conference. Greifswald. 1998.p.376

52. A.Oda, Y. Sakai, H. Akashi, H. Sugawara// J.Phys. D: Appl. Phys. , v.32, pp.2726-2736, 1999.

53. D.С.Lorents// Physica ,82C , p.19-26, 1976.

54. C.W.Werner, E.V.George, P.W. Hoff, C.K. Rhodes // IEEE J. of Quant. El., v. QE-13, N9, p.769-783, 1977.

55. Eckstrom D.J., Nakano H.H., Lorents D.C., Rothem Т., Betts J.A., Lainhart M.E., Dakin D.A., Maenchen J.E. // J.Appl.Phys.1988.v.64.N4, p.1679-1690.

56. Bretagne J. and oth.//Beitr. Plasmaphys, 1982, V.23.N3

57. R.S. Mulliken// J.Chem. Phys., v.52, p. 5170, 1970.

58. Смит К.,Томсон P.//Численное моделирование газовых лазеров,M,1981.

59. Vitols А.Р.,Н.J.Oskam// Phys. Rev.A.1973.v.8A.p.1860

60. J.J Shiu, A.Biondi// Phys. Rev., v. A16, N5, 1977.

61. Герцберг Г.//Спектры и строение двухатомных молекул. М. 1949

62. Bonifield T.D and oth.//J.Chem.Phys.1980.v.72.N5

63. Колоколов Н.Б., Благоев А.Б.//УФН, t.163,N 3, стр.55,1993.

64. Lawton S.// J. Appl.Phys.1979.V.50.N6

65. D.Smith,P.R.Cromey// J.Phys.Bl,p.638,1968

66. C.B.Kretschmer,H.L.Pedersen// J.Appl. Phys., v.34, p.3209 , 1963.

67. D.Smith and oth.// J.Phys. , v.B5, p.2134, 1972.

68. T.Bonifield and oth.//Chem. Phys. Lett., v.69, p.290, 1980.

69. C.Tracy, H.Oskam//J. Chem. Phys., v.65, p.1666, 1976.

70. E.Ellis, N.D. Twiddy// J. Phys. B, v.2, p.1366, 1969.

71. J.W. Keto and oth.// Phys. Rev. Lett., v.33, p. 1375, 1974.

72. P.R. Tipson and J.M.Anderson// Can. J. Phys., v.48, p. 1817, 1970.

73. C.Tracy, H.Oskam// J. Chem. Phys, v. 72, p. 2914, 1980.

74. Теоретическая и прикладная плазмохимия. Под ред. JI.C. Полака, М, 1975.

75. ShiuY.J.,Biondi M.A.,Sipler D.P. // Phys.Rev.A. 1976, v.15A, N2

76. C.J.Chen// J.Chem.Phys.,v.50,p.1560,1969.

77. P.M.Becker,F.W.Lampe//J.Chem.Phys., v.42, p.3857, 1965.

78. C.Zener// Proc. R. Soc. of London, v.CXL, p.660, 1933.

79. Y.Salamero, A.Birot, H.Brunet, J.Galy, P.Millet// J.Chem. Phys., v.80, p.4774,1984.

80. W.Wieme, M. Vanmarcke// Phys. Lett. A, v.72, p. 215,1979.

81. Y. Salamero et al.// J.Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., v.21, p.2015, 1988

82. J.W.Keto et al. // Chem. Phys. Let., v.42, p.125, 1976.

83. Певгов И.Г.//Диссертация на соискание уч. ст. к. ф.-м. н. 1977

84. Справочник констант элементарных процессов с участием атомов, ионов,электронов, фотонов.Под ред.

85. А.Г.Жиглинского// СПб ГУ, 1994.

86. L.Vriens ,Case Studies in Atomic Collision Physics I, ed. by E.W. McDaniel, Amsterdam,1969, chap.6.

87. S.T.Chen,D.Leep,A.Gallagher//Phys.Rev.A,13,947,1976.

88. D.Leep,A.Gallagher//Phys. Rev. A, 10, 1082,1976.

89. S.T.Chen,A.Gallagher//Phys.Rev A, 14,593, 1974.

90. E.A.Enmark,A.Gallagher//Phys.Rev. A, 6, 192, 1972.

91. P.G.Burke,J.W.Cooper,S.Ormonde// Phys. Rev., v.183, p.245, 1969

92. M.R.Flannery,K.J.McCann // Phys. Rev. A,v.12, p.846, 1975.

93. M.V.Bobetic, J.A.Barker // J.Chem. Phys., v.64, p.2367, 1976.

94. Г.Н.Герасимов, Б.Е. Крылов// Оптич. журнал, N6, с. 27, 32, 1995.

95. В.А.Иванов// УФН, т. 162, N1,с.35-70, 1992.

96. Е.В.Ступоченко, С.А.Лосев, А.И.Осипов//Релаксационные процессы в ударных волнах, М, 1965, 484 с.

97. А.В.Елецкий// Химия плазмы, Под ред. Б.М.Смирнова,М, вып.9, 1982,с.151.

98. Моделирование и методы расчета физико-химических процессов в низкотемпературной плазме . Под ред. JI.C. Полака, М, 1974.

99. В.А.Иванов, А.С.Приходько// ЖЭТФ, т.100, с.825, 1991.

100. A.Fateev , K.Wiesemann // HAKONE VII Contributed Papers, Greifswald, Germany, v.l, p.209-213, 2000.

101. Войтик М.Г., Молчанов А.Г., Попов Ю.М.//Кв. электроника. 1977.т.4.N8.с.1722

102. С.А.Голубев, А.С.Ковалев, В.Д.Письменный, А.Т. Рахимов, Т.В. Рахимова // ДАН СССР, т.22.8, с.77, 1976

103. J.D.Daugherty, J.A.Mangano, J.H.Jacob //Appl. Phys . Lett., v.28, p.581, 1976.

104. Волкова Г.А., Герасимов Г.Н.//Оптич. журнал. 1998.т.65.N4

105. Яковленко С.И. и др.//Труды ФИАН , т.90,стр.61, 1976г.

106. A.Gedanken, J.Jortner, В. Raz, A. Szoke// J. Chem. Phys., v.57, N8 , p.3456, 1972.

107. Эксимерные лазеры. Под ред. Ч.Роудза, М. 1981

108. S.Pfau, R.Winkler//Beitr. aus der Plasmaph., v.18, p.131, 1978.

109. Y.Murakami, H.Murakami, H.Matuzaki, K.Tacibana// Proceedings- of LS-8, Greifswald, Germany, 1998, pp.264-265.

110. C.Cismari, J.L.Shohet// J. Appl. Phys., v.88, N4, p.1742, 2000.

111. O.Cheshnovsky, B. Raz, J. Jortner // J. Chem. Phys., v.59, N6, p.3301, 1973.

112. J.Cook, P.K. Leichner // Phys. Rev. A, v.31, N1, p.90,1985.

113. Cook J.D.//Phys.Rev. A, v.43, N3, 1991.

114. Ю.И.Бычков, В.Ф.Лосев, В.Ф.Тарасенко, Е.Н. Тельминов//Письма в ЖТФ, т.8, вып. 14, с.837-840, 1982.

115. Н.Г.Басов, В.А. Данилычев, А.Ю. Дудин и др.// Кв.эл., т.11, N9, с.1722, 1984.

116. В.И.Держиев, А.Г.Жидков, О.В. Середа, С.И. Яковленко// Кратк. сообщ. по физ., N4, с.34-36, 1989.

117. Devdariani A.Z et al.// Ann. Phys. Er., v.14, N5, pp.467-604, 1989.

118. Devdariani A.Z. et al.// Ann. Phys. Er., v.17, pp.365-470, 1992.

119. B.Krylov, G.Gerasimov, A.Morozov, A.Arnesen, R. Hallin, F.Heij kenskj old// The Eur. Phys. J. D, v.8, p.227-239,2000

120. C.Tracy, H.Oskam// J. Chem. Phys, v. 65, p. 3387, 1976.

121. T.Bonifield and oth.// J. Chem. Phys. Let.,v.69, p.290, 1980.

122. Keberle P.and oth.//J. Chem. Phys.,v.47,p.1684,1967

123. P.Laporte, P. Gurtler, E. Morikawa, R. Reininger, V. Saile// Europhys. Lett., v.9, p.533, 1989.

124. A.L.Zagrebin, S.I.Tserkovnyi// Chem. Phys. Lett., v. 239, p. 136, 1995.

125. J.E.Velazco, J.H.Kolts, D.W.Setser // J. Chem. Phys., v. 69, p. 4357, 1970.

126. D.K.Bohme and oth.//J.Chem. Phys. , v.52 , N10, p.5094,1970.

127. А.М.Бойченко и др.// Труды ИОФАН, т.21, стр.44, 1989.

128. G.Gioumosis , D.P.Stevenson// J. Chem. Phys., v.29, p.294, 1958.

129. A.JI. Загребин, H.A Павловская// Оптю и спектр., т. 69, с.320, 1990.

130. Н.А. Крюков, М.А. Чаплыгин// Оптика и спектр., т.82. N4, с.552-557.

131. Тарасенко В.Ф., Яковленко С.И. // Кв. электроника. 1997. т.24.N12

132. T.Efthimiopoulos , D.Zouridis , A.Ulrich 11 J.Phys.D: Appl.Phys. , v.30 (12), p.1746 , 1997.

133. W.R.S. Garton// Spectroscopy in the Vacuum Ultraviolet, (1966), p.176.

134. А.Н.Зайдель, E.Я.Шрейдер// Вакуумная спектроскопия и ее применение,М, (1976), 431 с.

135. Ю.Б.Голубовский, Ю.М.Каган, Р.И.Лягущенко// Оптика и спектр., т.XX, вып.4, с.5616 1966.

136. Ю.М.Каган, Р.И.Лягущенко// ЖТФ, т.XXXIV, вып.10, с.1871, 1964.

137. Г.Н. Герасимов//. Оптика испектр., т.43, с.362, 1977.

138. К.Н. Ульянов// ЖТФ, t.XLIII, ВЫП. 3, с.570, 1973.

139. В.Ю. Баранов, К.Н. Ульянов// ЖТФ, т.XXXIX, в.2, с.249, 1969.

140. Ю.Г. Козлов// Оптика и спектр., t.XXVIII, вып. 4, с.654, 1970.

141. С. Kenty // The Phys. Rev., v/126, N4, p.1235, 1962.

142. В.Ю. Баранов, К.Н. Ульянов// ЖТФ, т.XXXIX, в.2, с.259, 1969.

143. Е.П.Велихов, А.С.Ковалев, А.Т.Рахимов// Физические явления в газоразрядной плазме, М, 1987, 160 с.

144. И.Мак-Даниель// Процессы столкновений в ионизованных газах,М, 1967, 832 с.

145. Елецкий А.В., Рахимов А.Т.// Химия плазмы, в.4 , 1977, 222 с.

146. Б.М. Смирнов// Физика слабоионизованного газа в задачах с решениями, 1985, 423 с.

147. М.Н.Малешин // Диссертация на соиск. уч. степ. к. ф.-м.н., С-Пб, 1992.14 6. Физические величины', Справочник под ред.

148. И.С.Григорьева , Е.З.Мейлихова, М. , 1991 г., с.1232.

149. Ю.П.Райзер // Физика газового разряда, М, 1987.

150. А.Энгель// Ионизованные газы, М, 1959.

151. Ю.Б.Голубовский, А.К.Зинченко, Ю.М.Каган// ЖТФ, т.47, с.1478, 1977.

152. Yu.B.Golubovskii, V.A.Maiorov, J.Behnke, J.F.Behnke// HAKONE VII Contributed Papers, Greifswald, Germany, v.l, p.149-153, 2000.

153. А.В.Елецкий, Л.А.Палкина, Б.М.Смирнов// Явления переноса в слабоионизованной плазме, М, 1975, 333 с.

154. Rockwood S.D.//Phys.Rev.А.1973.v.8.N5

155. М. Hoyashi// J. Phys. D: Appl. Phys., v. 16, p.591, 1983.

156. J.Dutton// J.Phys. Chem. Ref. Data, v.4, N3, p.577, 1975.

157. Энциклопедия низкотемпературной плазмы, под. ред. В.Е.Фортова, т.1, 586с., М, 2000г.

158. К.Stockwald// Dissertation, Karlsruhe, 1991, Neuartige Xenon-und Xenon/Quecksilber-Lampen im VUV/UV-Spectralbereich.

159. Г.А.Волкова, частное сообщение.

160. Eckstrom D.J., Nakano H.H., Lorents D.C., Rothem Т., Betts J.A., Lainhart M.E., Triebes K.J., Dakin D.A., // J.Appl.Phys.,v.64, N4, p.1691-1695, 1988.

161. E.T.Verkhovtseva, E.A.Bondarenko, Yu.S. Doronin// Chem.Phys. Lett., v.140, N2, p.181, 1987.