Моделирование диэлектрических свойств наноструктурированных сегнетоэлектрических композитов в СВЧ диапазоне тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат физико-математических наук Медведева, Наталья Юрьевна

• Медведева, Наталья Юрьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Медведева, Наталья Юрьевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1.

МОДЕЛЬНОЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1. Предпосылки использования объёмных, тонкоплёночных сегнетоэлектриков и наноструктурированных композитов на их основе в СВЧ технике и электронике.

1.2. Феноменологическое описание диэлектрического отклика сегнетоэлектрика.

1.3. Фактор коммутационного качества, тангенс угла диэлектрических потерь и управляемость.

1.4. Расчёт ёмкости слоистого планарного конденсатора, содержащего тонкий сегнетоэлектрический слой.

1.5. Размерный эффект в сегнетоэлектрических плёнках. «Мёртвый слой» и его диэлектрические свойства.

1.6. Моделирование диэлектрических свойств композитных материалов.

Постановка задач диссертационного исследования.

ГЛАВА 2.

РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ В НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНКАХ.

2.1. Модель корреляции сегнетоэлектрической поляризации, граничные условия и формирование «мёртвого слоя».

2.2. Эффективная диэлектрическая проницаемость наноструктурированной пленки с сегнетоэлектрическими гранулами сферической формы.

2.3. Эффективная диэлектрическая проницаемость наноструктурированной пленки с сегнетоэлектрическими гранулами эллипсоидальной формы.

2.4. Влияние формы и размеров гранул и толщины «мёртвого слоя» на диэлектрические свойства сегнетоэлектрической наноструктурированной плёнки.

2.5. Определение зависимости между формой и размерами гранул и параметрами технологического процесса.

Выводы.

ГЛАВА 3.

НЕЛИНЕЙНЫЕ СВОЙСТВА СРЕДЫ С ЭЛЛИПСОИДАЛЬНЫМИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ НАНОВКЛЮЧЕНИЯМИ.

3.1. Моделирование и расчет диэлектрических свойств нанокомпозита с эллипсоидальными сегнетоэлектрическими включениями при учёте влияния «мёртвого слоя».

3.2. Расчет управляемости, тангенса угла диэлектрических потерь и фактора коммутационного качества нанокомпозита с эллипсоидальными сегнетоэлектрическими включениями.

Выводы.

ГЛАВА 4.

УЧЁТ НЕЛИНЕЙНОСТИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ КОМПОЗИТОВ.

4.1. Учет нелинейности сегнетоэлектрического материала в модели нанокомпозита со сферическими сегнетоэлектрическими включениями.

4.2. Моделирование нелинейных свойств нанокомпозита с сегнетоэлектрическими включениями в форме диска.

4.3. Планарный конденсатор на основе нанокомпозита с дисковыми сегнетоэлектрическими включениями.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование диэлектрических свойств наноструктурированных сегнетоэлектрических композитов в СВЧ диапазоне»

Нарастающая тенденция к миниатюризации СВЧ устройств ставит задачу повышения качества существующих материалов и получения новых материалов на их основе с новыми свойствами.

Например, одним из путей повышения плотности записи информации в матрице сегнетоэлектрической памяти (РеЯАМ) является уменьшение толщины сегнетоэлектрической плёнки до наноразмерного масштаба. При этом изменяются свойства самой сегнетоэлектрической пленки.

В настоящее время большой интерес вызывают исследования физических свойств систем пониженной размерности: тонких пленок, нитей, малых частиц. К таким системам относятся и матрицы с включениями нанометрово-го диапазона. Физические характеристики таких материалов определяются размерами включений, их геометрией и степенью заполнения матрицы.

Большой интерес к исследованию свойств сложных композитных соединений в последнее время связан не только с тем, что такие структуры имеют аномальные свойства по сравнению с «обычными», однородными по составу веществами. Другой причиной является то, что подобные соединения могут оказаться значительно более дешевыми, чем однородные структуры, при условии, что композит по ряду физических показателей и в диапазоне заданных параметров (температуры, частоты приложенного поля и т.д.) идентичен однородным веществам. В последние годы в ведущих лабораториях мира интенсивно проводятся исследования физических свойств небольших частиц металлов и полупроводников, введенных в нанопустоты или нанока-налы пористых диэлектрических матриц: цеолитов, опалов, асбестов и пористых стекол. Целью таких исследований является изучение фундаментальных свойств микро- и наночастиц для возможного использования их в современной технике и наноэлектронике. Создание композитных материалов или метаматериалов на основе сегнетоэлектриков, представляющих из себя матрицу с включениями различной формы, также является одним из приоритетных направлений научных исследований последнего десятилетия.

Нелинейные свойства сегнетоэлектрических материалов, а также их эксплуатационно-стоимостные параметры, давно обеспечили им свою нишу при производстве управляющих СВЧ устройств. Так СВЧ устройства на основе сегнетоэлектриков могут быть использованы в широком диапазоне значений уровня мощности, могут обеспечить высокое быстродействие при малом энергопотреблении в цепях управления. Сегнетоэлектрики обладают большей, чем полупроводники, электрической и радиационной стойкостью, и значительно более экономичны по энергопотреблению, чем ферриты. Немаловажными факторами также являются относительно невысокая стоимость производства и простота технологии изготовления сегнетоэлектрических компонентов СВЧ устройств.

Однако применение сегнетоэлектрических компонентов ограничено рядом известных факторов, таких как диэлектрические потери на сверхвысоких частотах, трудности согласования среды с большой диэлектрической проницаемостью (которой является сегнетоэлектрик) с СВЧ цепями, отсутствие отлаженного технологического процесса получения тонких сегнетоэлектрических плёнок.

Проблема создания материалов с малой диэлектрической проницаемостью при приемлемых значениях управляемости и диэлектрических потерь может быть успешно решена путём использования наноструктурированных сегнетоэлектрических композитов. Особенное место занимают диэлектрик— сегнетоэлектрические структуры. Наиболее часто в литературе встречается описание сегнетоэлектрических сред с диэлектрическими включениями различной формы. Свойства диэлектрических матриц с сегнетоэлектрическими включениями исследованы сравнительно мало. Считается, что такие структуры будут обладать слабовыраженными нелинейными свойствами. Однако ни в одной из существующих моделей свойств сегнетоэлектрических композитов так и не была учтена нелинейность материала сегнетоэлектрических включений.

Простейшим вариантом диэлектрик-сегнетоэлектрического композита является наногранулированная сегнетоэлектрическая плёнка. Наногранули-рованная плёнка представляет собой совокупность гранул сегнетоэлектриче-ского материала, имеющих размеры порядка десятков нанометров. Однако необычные электрические свойства гранулированных (нанокристаллических) плёнок обусловлены не только малыми размерами гранул, но и наличием на поверхности каждой гранулы тонкого «мёртвого слоя», в котором отсутствует сегнетоэлектрическая поляризация. Толщина «мёртвого слоя» составляет приблизительно 2 нм, а диэлектрическая проницаемость около 40.

Когда размеры гранул становятся меньше некоторой критической величины, свойства материала существенно изменяются (размерный эффект). В связи с этим большой интерес представляет определение зависимости диэлектрической проницаемости плёнки сегнетоэлектрика от размера гранулы и толщины «мёртвого слоя».

Таким образом, применение наноструктурированных сегнетоэлектрических композитов в различных СВЧ-устройствах требует разработки их моделей, которые могут быть использованы как в качестве основы для САПР СВЧ-устройств на основе сегнетоэлектрика, так и при обработке результатов эксперимента с целью исследования свойств рассматриваемых образцов и анализа различных технологических способов получения тонких пленок сег-нетоэлектриков.

Целью работы является:

• изучение и моделирование диэлектрических свойств сегнетоэлектрических наногранулированных плёнок и наноструктурированных композитов с включениями сферической/эллипсоидальной/ дисковой формы, применяемых в СВЧ диапазоне

• исследование влияния формы и размера сегнетоэлектрических гранул на диэлектрические свойства наноструктурированных композитов (размерный эффект) при учете эффекта «замораживания» динамической поляризации на границе раздела между сегнетоэлектри-ческими гранулами

• исследование нелинейных свойств рассматриваемых композитов по сравнению с объёмными сегнетоэлектрическими материалами.

Научная новизна

• На основе модели «мёртвого слоя» установлена связь толщины и диэлектрической проницаемости этого слоя с параметрами корреляционной модели.

• Определена зависимость эффективной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической наногранулированной плёнки, содержащей гранулы сферической или эллипсоидальной формы, от размеров гранул и толщины «мёртвого слоя».

• Определена зависимость эффективной диэлектрической проницаемости наноструктурированного композита с эллипсоидальными сегнетоэлектрическими включениями от размеров включений, толщины «мёртвого слоя» и обратного фактора заполнения.

• Рассчитаны эффективная диэлектрическая проницаемость, управляемость, тангенс угла диэлектрических потерь и фактор коммутационного качества наноструктурированных композитов с эллипсоидальными, сферическими и дисковыми включениями.

• Предложен вариант применения нанокомпозита с дисковыми включениями в составе сегнетоэлектрического планарного конденсатора, показывающий перспективность использования наноструктурированных композитов при разработке СВЧ устройств со сниженными диэлектрическими потерями.

Научная и практическая ценность

Разработаны оригинальные модели, описывающие диэлектрические свойства наноструктурированных сегнетоэлектрических композитов и плёнок, которые применимы при разработке и конструировании приборов, обладающих нелинейными свойствами.

Полученные зависимости эффективной диэлектрической проницаемости наногранулированной плёнки/нанокомпозита от размера гранулы полезны при анализе различных способов получения тонких плёнок/композитов, для оценки и оптимизации параметров технологических процессов с целью получения материалов с заданными характеристиками.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 4 глав с выводами, заключения. Она изложена на 123 страницах машинописного текста, включает 64 рисунка, 1 таблицу и список литературы из 73 наименований.

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Медведева, Наталья Юрьевна

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 4

Оценены нелинейные свойства нанокомпозита с дисковыми или сферическими включениями. Показано, что рассматриваемые нанокомпозиты обладают нелинейными свойствами, однако они могут эффективно управляться только при высоких значениях напряженности приложенного внешнего электрического поля от 40 кУ/сш, которые вполне приемлемы для тонкоплёночных структур. Управляемость композита будет тем больше, чем больше проницаемость его диэлектрической матрицы, так как в этом случае большая часть приложенного внешнего электрического поля будет проникать во включения. При высоких управляющих электрических полях фактор коммутационного качества композита сопоставим с фактором коммутационного качества объёмного сегнетоэлектрического материала и даже может превышать его в случае, когда диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриче-ской гранулы становится меньше, чем диэлектрическая проницаемость матрицы.

Высказана гипотеза о природе диэлектрических потерь для композитов с сегнетоэлектрическими нановключениями.

Предложен вариант применения нанокомпозита с дисковыми включениями в составе сегнетоэлектрического планарного конденсатора.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации разработаны оригинальные модели, описывающие диэлектрические свойства наноструктурированных сегнетоэлектрических композитов и плёнок, которые применимы при разработке и конструировании приборов, обладающих нелинейными свойствами.

Были рассмотрены наногранулированные плёнки, содержащие гранулы сферической или эллипсоидальной формы, и композиты с сегнетоэлектриче-скими включениями сферической/эллипсоидальной/дисковой формы. Замена реальных гранул сложной формы (многогранников, столбцов) гранулой эллипсоидальной или сферической формы была обусловлена удобством расчёта таких структур.

Для учёта размерного эффекта в наноструктурированных сегнетоэлектрических плёнках и композитах на границе раздела сегнетоэлектрических гранул был введён тонкий несегнетоэлектрический слой («мёртвый слой»). Модель «мёртвого слоя» была рассмотрена с точки зрения корреляции сегне-тоэлектрической поляризации. Возникновение «мёртвого слоя» связывается с «замораживанием» (блокировкой) динамической поляризации на границе раздела сегнетоэлектрик-электрод или на границе раздела сегнетоэлектрических гранул. Также в работе была определена связь между основными характеристиками «мёртвого слоя» (толщиной и диэлектрической проницаемостью) и корреляционным параметром, а затем проведена оценка экспериментальных данных по определению диэлектрической проницаемости и толщины «мёртвого слоя».

Для определения распределения электрического поля в рассматриваемых плёнках и композитах, решалось уравнение Лапласа в сферических и эллипсоидальных координатах для одиночной гранулы, расположенной в однородной диэлектрической среде и окружённой тонким «мёртвым слоем».

Далее в случае сегнетоэлектрической наногранулированной плёнки на основании теории эффективной среды была произведена замена однородной диэлектрической среды, в которой расположена гранула, на некоторую эффективную однородную среду, представляющую собой всю совокупность окружающих данную гранулу плотно упакованных гранул. В итоге было получено интегральное уравнение для определения эффективной диэлектрической проницаемости наногранулированной плёнки. Данное уравнение является общим для определения эффективной проницаемости гранулированной среды вне зависимости от формы гранулы.

При определении эффективной диэлектрической проницаемости нано-структурированных композитов окружающая гранулы диэлектрическая среда принималась в расчёт.

Определена зависимость эффективной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической наногранулированной плёнки, содержащей гранулы сферической или эллипсоидальной формы, и наноструктурированного композита, представляющего собой диэлектрическую матрицу с эллипсоидальными сегнетоэлектрическими включениями, от размеров гранул и толщины «мёртвого слоя». Найдено, что диэлектрическая проницаемость наноструктуриро-ванных плёнки уменьшается и при уменьшении размера малой полуоси эллипсоида (гранулы) эффективная диэлектрическая проницаемость нанострук-турированных плёнки и композита, содержащих сегнетоэлектрические гранулы эллипсоидальной формы, падает с уменьшением отношения длин большой и малой полуосей эллипсоида и при увеличении толщины «мёртвого слоя». Была проведена оценка влияния «мёртвого слоя» на диэлектрические свойства нанокомпозита, в результате которой сделан вывод, что в модели «мёртвым слоем» можно пренебречь, когда проницаемость диэлектрической матрицы по своему значению близка к проницаемости «мёртвого слоя». Было найдено также, что чем меньше обратный фактор заполнения, тем больше эффективная диэлектрическая проницаемость рассматриваемого нанокомпозита.

В работе была определена зависимость диэлектрической проницаемости наноструктурированной плёнки от температуры при разных размерах сегнето-электрических гранул. Для сильно вытянутых вдоль вертикальной оси гранул эта зависимость близка к температурной зависимости объёмного сегнетоэлек-трика. Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от температуры задавалась при помощи известной феноменологической модели.

Полученные зависимости эффективной диэлектрической проницаемости наногранулированной плёнки/нанокомпозита от размера гранулы полезны при анализе различных способов получения тонких плёнок/композитов, для оценки и оптимизации параметров технологических процессов с целью получения материалов с заданными характеристиками.

Для иллюстрации вышесказанного, полученная модель зависимости диэлектрической проницаемости наноструктурированной плёнки от размеров гранул в совокупности с экспериментальными данными, была использована для определения зависимости между формой и размерами гранул и температурой роста плёнки. Было показано, что чем выше температура роста плёнки, тем больше вытянута гранула вдоль своей вертикальной оси.

В диссертации были оценены нелинейные свойства наноструктуриро-ванных композитов с сферическими/эллипсоидальными/дисковыми сегнето-электрическими включениями, а именно рассчитаны эффективная диэлектрическая проницаемость, управляемость, тангенс угла диэлектрических потерь и фактор коммутационного качества наноструктурированных композитов как функции от напряжённости внешнего электрического поля.

Было показано, что чем меньше малая полуось эллипсоида, тем выше управляемость рассматриваемой диэлектрической среды с эллипсоидальными нановключениями и меньше тангенс угла диэлектрических потерь. Фактор коммутационного качества композита с сегнетоэлектрическими эллипсоидальными включениями при а«Ь по своему значению не уступает коммутационному параметру качества объёмного сегнетоэлектрика.

Оказалось, что наноструктурированные композиты с дисковыми или сферическими сегиетоэлектрическими (типа перовскита) включениями обладают нелинейными свойствами, но только при значениях напряженности внешнего электрического поля более 40 В/мкм, когда диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика становится равной или меньше проницаемости матрицы.

В диссертационной работе высказана гипотеза о природе диэлектрических потерь для композитов с сегиетоэлектрическими нановключениями. Если сегнетоэлектрические включения имеют наноразмеры, то их собственная частота акустических колебаний будет много выше, чем рабочие частоты СВЧ диапазона; следовательно, при расчёте можно исключить механизм потерь, связанных с электрострикционным преобразованием колебаний СВЧ поля в акустические колебания в присутствии постоянного поля заряженных дефектов.

Предложен вариант применения нанокомпозита с дисковыми включениями в составе сегнетоэлектрического планарного конденсатора, показывающий перспективность использования наноструктурированных композитов при разработке СВЧ устройств со сниженными диэлектрическими потерями. Для такого планарного конденсатора были найдены зависимости ёмкости, эффективной диэлектрической проницаемости, управляемости, тангенса угла диэлектрических потерь и фактора коммутационного качества от напряжённости внешнего электрического поля по сравнению с этими же характеристиками для обычного планарного конденсатора, содержащего тонкий сегнетоэлектри-ческий слой. Для описанного случая снижения диэлектрических потерь также был произведён расчёт характеристик планарного конденсатора на основе нанокомпозита. Фактор коммутационного качества предложенного конденсатора в этом случае будет значительно превышать фактор коммутационного качества обычного планарного конденсатора.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Медведева, Наталья Юрьевна, 2009 год

1. Bethe К. Über das mikrowellenverhalten nichlinearer dielektrika текст] / К. Bethe// Philips Research Reports Supplement. 1970. - No 2. - P. 1-145.

2. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ текст] / под ред. О.Г. Вендика. — М.: Сов. Радио. 1979. - 272 с.

3. Tagantsev A.K. Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications текст] / A.K. Tagantsev, V.O. Sherman, and et al. // Journal of Electroceramics. -2003.-Vol. 11.-P. 5-66.

4. Вендик О.Г. Феноменологическое описание зависимости диэлектрической проницаемости титаната стронция от приложенного электрического поля и температуры текст] / О.Г. Вендик, С.П. Зубко // Журнал Технической Физики. 1997. - Т. 67. - № 3. - С. 29-33.

5. Быков П.И. Размерные эффекты в сегнетоэлектрических наноконусах текст] / П.И. Быков, G. Suchaneck // Физика Твердого Тела. 2008. - Т. 50, вып. 7. - С. 1295-1299.

6. Барышников C.B. Диэлектрические и ЯМР-исследования нанопористых матриц, заполненных нитритом натрия текст] / C.B. Барышников, Е.В. Стукова и др. // Физика Твердого Тела. 2006. - Т. 48, вып. 3. - С. 551-557.

7. Афанасьев В.П. Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir текст] / В.П. Афанасьев, П.В. Афанасьев и др. // Физика Твердого Тела. 2006. - Т. 48, вып. 6. - С. 1130-1134.

8. Гольцман Б.М. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти текст] / Б.М. Гольцман, В.К. Ярмаркин // Журнал Технической Физики. 1999. - Т. 69, вып. 5. - С. 89~92.

9. Белотицкий В.И. Генерация второй оптической гармоники в нанопроволоках сегнетоэлектрических материалов текст] / В.И. Белотицкий,

10. Ю.А. Кумзеров, A.B. Фокин // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". 2008. - Т. 87, вып. 8. - С. 465- 469.

11. Сычёв Ф.Ю. Сегнетоэлектрические фотонные кристаллы на основе наноструктурированного цирконата-титаната свинца текст] / Ф.Ю. Сычёв, Т.В. Мурзина и др // Физика Твердого Тела. 2005. - Т. 47, вып. 1. - С. 144-146.

12. Vendik O.G. Microwave Tunable Components and Subsystems Based on Ferroelectrics: Physics and Principles of Design текст] / O.G. Vendik // Integrated Ferroelectrics. 2002. - Vol. 49. - P. 181-190.

13. Vendik O.G. Ferroelectric phase transition and maximum dielectric permittivity of displacement type ferroelectrics (BaxSrixTi03) текст] / O.G. Vendik, S.P. Zubko // Journal of Applied Physics. 2000. - Vol. 88. - No. 9. -P. 5343-5350.

14. Vendik O.G. Modeling the dielectric response of incipient ferroelectrics текст] / O.G. Vendik, S.P. Zubko // Journal of Applied Physics. 1997. - Vol. 82.-No. 9.-P. 4475-4483.

15. Vendik O.G. Microwave losses in incipient ferroelectrics as a function of the temperature and the biasing field текст] / O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan, S.P. Zubko // Journal of Applied Physics. 1998. - Vol. 84. - No. 29. - P. 993998.

16. Vendik O.G. Influence of charged defects on the dielectric response of incipient ferroelectrics текст] / O.G. Vendik, L.T.Ter-Martirosyan // Journal of Applied Physics. 2000. - Vol. 87. - No. 3. - P. 1435-1439.

17. Vendik O.G. Properties of Tunable Filters with Ferroelectric Capacitors текст] / O.G. Vendik, I.B. Vendik, V.V. Pleskachev, M.A. Nikol'ski, and M.L Khazov // Integrated Ferroelectrics. 2002. - Vol. 43. - P. 91-99.

18. Vendik O.G. Modeling Microwave Dielectric Characteristics of Thin Ferroelectric Films for Tunable Planar Structures текст] / O.G. Vendik, S.P. Zubko // Integrated Ferroelecrics. 2001. - Vol. 34. - Pt. 5. - P. 215-226.

19. Балагуров Б.Я. текст] / Б.Я. Балагуров, В.Г. Вакс, Б.И. Шкловский // Физика Твердого Тела. 1970. - Т. 12. - С. 89.

20. Вендик О.Г. Затухание сегнетоэлектрической моды в кристалле типа SrTiOs текст] / О.Г. Вендик // Физика Твердого Тела. — 1975. — Т. 17. -С. 1683-1690.

21. Вендик О.Г. Учёт нелинейности сегнетоэлектрического слоя в модели планарного конденсатора текст] / О.Г. Вендик, М.А. Никольский // Письма в Журнал Технической Физики. 2003. - Т. 29, вып. 5 - С. 20-29.

22. Вакс В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков текст] / В.Г. Вакс // М. : Наука. 1973. - С. 328.

23. Вендик О.Г. Затухание сегнетоэлектрической моды в кристалле типа SrTi03 текст] / О.Г. Вендик // Физика Твердого Тела. 1975. — Т. 17. -С. 1683-1690.

24. Tagantsev А.К. DC-electric-field-induced microwave loss in ferroelectrics and intrinsic limitation for the quality factor of a tunable component текст] / А.К. Tagantsev // Applied Physics Letters. 2000. - Vol. 76. - No. 9. - P. 1182-1184.

25. Таганцев А.К. О диэлектрических потерях в сегнетоэлектриках типа смещения текст] / А.К. Таганцев // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1984. - Т. 86. - С. 2215-2228.

26. Гуревич B.JI. текст] / B.JI. Гуревич, А.К. Таганцев // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 1986. - Т. 91. - С. 245.

27. Вендик О.Г. Влияние заряженных дефектов на диэлектрические свойства материалов текст] / О.Г. Вендик, JT.M. Платонова // Физика Твердого Тела. 1971. - Т. 13. - С. 1617-1625.

28. Вендик О.Г. Электрострикционный механизм сверхвысокочастотных потерь в пленке сегнетоэлектрика и его экспериментальное подтверждениетекст. / О.Г. Вендик, А.Н. Рогачёв // Письма в "Журнал технической физики". 1999. - Т. 25, вып. 17. - С. 62-68.

29. Вендик О.Г. Электрострикционный механизм СВЧ потерь в планарном конденсаторе на основе пленки титаната стронция текст] / О.Г. Вендик, JI.T. Тер-Мартиросян // Журнал Технической Физики. 1999. - Т. 69, вып. 8. - С. 93-99.

30. Вендик О.Г. Центральный пик в спектре флуктуаций и диэлектрические потери в SrTi03 при 4,2 К текст] / О.Г. Вендик, А .Я. Зайончковский, В.В. Коноваленко, А.С. Рубан, Т.Б. Самойлова, Д.Д. Шапанский // Физика Твердого Тела. 1977. - Т. 19. - С. 1442-1444.

31. Vendik I.B. Commutation Quality Factor of Two-State Switchable Devices текст] / I.B. Vendik, O.G. Vendik, and E.L. Kollberg // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2000. - Vol. 48. - No. 5. - P. 802-808.

32. Вендик О.Г. Сегнетоэлектрики находят свою «нишу» среди управляющих устройств СВЧ текст] / О.Г. Вендик // Физика Твердого Тела, 2009, Т. 51, вып. 7, С. 1141-1445.

33. Вендик О.Г. Моделирование и расчет емкости планарного конденсатора, содержащего тонкий слой сегнетоэлектрика текст] / О.Г. Вендик, С.П. Зубко и М.А. Никольский // Журнал Технической Физики, 1999, Т. 69, вып. 4. С. 1-7.

34. Лаврик В.И. Справочник по конформным отображениям текст] / В.И. Лаврик, В.Н. Савельев //. Киев: "Наукова Думка». 1970. - С. 252.

35. Vendik O.G. Expérimental evidence of the size effect in thin ferroelectric films текст] / O.G. Vendik, S.P. Zubko, and L.T. Ter-Martirosyan // Applied Physics Letters. 1998. - Vol. 73. - No. 1. - P. 37-39.

36. Вендик О.Г. Размерный эффект в слоистых структурах: сегнетоэлектрик-нормальный металл и сегнетоэлектрик-ВТСП текст] / Вендик О.Г., Тер-Мартиросян Л.Т. // Физика твердого тела. 1994. -Т. 36, вып. 11.-С. 3343-3351.

37. Вендик О.Г. Размерные эффекты динамической поляризации в тонких слоях сегнетоэлектриков типа смещения текст] / Вендик О.Г., И.Г. Мироненко, Тер-Мартиросян JI.T. // Физика твердого тела. — 1984. Т. 26, вып. 10.-С. 3094-3100

38. Смоленский Г.А. Физика сегнетоэлектрических явлений текст] / Г.А. Смоленский. // Л.: Наука. 1985. - С. 396.

39. Вендик О.Г. Континуальная модель сегнетоэлектрической моды текст] / О.Г. Вендик, И.Г. Мироненко // Физика Твердого Тела. 1974. - Т. 16, вып. 1.-С. 3445-3451.

40. Вендик О.Г. Размерный эффект в сегнетоэлектриках типа смещения текст] / О.Г. Вендик, С.П. Зубко // Кристаллография. 2004. - Т. 49, вып. 5. - С. 1-7.

41. Вендик О.Г. Граничное условие для динамической поляризации в сегнетоэлектрике текст] / О.Г. Вендик, JI.T. Тер-Мартиросян // Физика твердого тела. 1985. - Т. 27, вып. 9. - С. 2769-2771.

42. Вендик О.Г. Тер-Мартиросян JI.T. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектрическом тонкопленочном конденсаторе текст] / О.Г. Вендик, С.П. Зубко, JI.T. Тер-Мартиросян // Физика твердого тела. 1996. Т. 38. -№ 12.-С. 3654-3664.

43. Зубко С.П. Влияние размерного эффекта на диэлектрическую проницаемость танталата калия, входящего в состав тонкопленочного конденсатора текст] / С.П. Зубко // Письма в Журнал Технической Физики. -1998. Т. 24. - № 21. - С. 23-29.

44. Desu S.B. Suppression of Size Effects in FerroElectric Films текст] / S.B. Desu, O.G. Vendik // Integrated Ferroelectrics. 2000. - Vol. 28. - P. 175-192.

45. Фридкин В.M. Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах текст] / В.М. Фридкин // Успехи физических наук. — 2006. -Т. 176,-№2.-С. 203-212.

46. Geneste G. Finite-size effects in ВаТЮЗ nanowires текст] / G. Geneste, E. Bousquet, and et al // Applied Physics Letters. 2006. - Vol. 88. - P. 11290611129063.

47. Morrison F.D. Ferroelectric nanotubes текст] / F.D. Morrison, Y. Luo, and et al // Reviews on Advanced Materials Science. 2003. - Vol. 4. -P. 114-122.

48. Kittel Charls. Introduction to Solid State Physics текст] / Charls Kittel // John Wiley & Sons, Inc. Fourth Edition. New York, London. - 1971. - P. 482

49. Finstrom N.H. Properties of dielectric dead layers for SrTi03 thin films on Pt electrodes текст] / N.H. Finstrom, J. Cagnon, and S. Stemmer // Journal of Applied Physics. 2007. - Vol. 101. - P. 0341091-0341096.

50. Drougard M. E. and Landauer R. Journal of Applied Physics. 1959. - V. 30.-P. 1663.

51. Chen B. Thickness and dielectric constant of dead layer in Pt/(Bao.7Sro.3)Ti03/YBa2Cu307.x capacitor текст] / В. Chen, H. Yang, and et.al. //Applied Physics Letters. 2004. - Vol.84. - № 4. - P. 583-585.

52. Zhou C. Intrinsic dead layer effect and the performance of ferroelectric thin film capacitors текст] / С. Zhou and D.M. Newns // Journal of Applied Physics. -1997. Vol. 82. - № 6. - P. 3081-3088.

53. Gerra G. Ionic Polarizability of Conductive Metal Oxides and Critical Thickness for Ferroelectricity in ВаТЮЗ текст] / G.Gerra, A.K.Tagantsev, and et al // Physical Review Letters. 2006. - Vol. 96. - P. 1076031-1076034.

54. Сушко М.Я. Метод компактных групп в теории диэлектрической проницаемости гетерогенных систем текст] / М.Я. Сушко, С.К. Криськив // Журнал технической физики. 2009. - Т. 79, вып. 3. - С. 97-101.

55. Виноградов А.П. Электродинамика композитных материалов текст] / А.П. Виноградов // изд. УРСС. Москва. - 2001. - С. 11-85.

56. Koledintseva M.Y. A Maxwell garnett model for dielectric mixtures containing conducting particles at optical frequencies текст] / M.Y. Koledintseva, R.E. Dubroff, and R.W. Schwartz // Progress In Electromagnetics Research. -2006. Vol. 63. -P. 223-242.

57. Sherman V.O. Ferroelectric-dielectric tunable composites текст] / V.O. Sherman, A.K. Tagantsev, and et al // Journal of Applied Physics. 2006. — Vol. 99.-P. 0741041-07410410.

58. Sherman V.O. Model of a low-permittivity and high-tunablity ferroelectric based composite текст] / V.O. Sherman, A.K. Tagantsev, and N. Setter // Applied Physics Letters. 2007. - V. 90. - P. 1629011-16290113.

59. Petzelt J. Effective Dielectric Function in High-Permittivity Ceramics and Films текст] / J. Petzelt, I.Rychetsky // Ferroelectrics. 2005. - Vol. 316. - P. 89-95.

60. Rychetsky I. Dielectric Spectra of Grainy High-Permittivity Materials текст] / I.Rychetsky, J. Petzelt // Ferroelectrics. 2004. - Vol. 303. - P. 137-140.

61. Petzelt J. Effective Dielectric Function in High-Permittivity Ceramics and Films текст] / J. Petzelt, I.Rychetsky // Ferroelectrics. 2005. - Vol. 316. - P. 89-95.

62. Petzelt J. Dielectric, infrared, and Raman response of undoped SrTi03 ceramics: Evidence of polar grain boundaries текст] / J. Petzelt, T. Ostapchuk, and et al. // Physical Review B. 2001. - Vol. 64. -P. 1841111-18411110.

63. Ostapchuk T. Origin of soft-mode stiffening and reduced dielectric response in SrTi03 thin films текст] / Т. Ostapchuk, J. Petzelt and et al // Physical Review B. 2002. - Vol. 66. -P. 2354061-23540612.

64. Rychetsky I. Grain-boundary and crack effects on the dielectric response of high-permittivity films and ceramics текст] /1. Rychetsky, J. Petzelt, T.Ostapchuk // Apply Physics Letters. 2002. - Vol. 81. - № 22. -P. 4224-4226.

65. Anliker M. Study of fine powders ferroelectrics II: Barium titanate ВаТЮЗ текст] / M. Anliker, H.R. Brugger and W. Kanzig // Helvetica Physics Acta. -1954.-Vol. 27.-P. 99-124.

66. Brok A.Ya., Fritzbegr W.Ya., Takere Z.A. et al. Proceedings of the Latvian University. Riga. 1974. - Vol. 189. - P. 5-46.

67. Корн Г. Справочник по математике для работников и инженеров текст] / Г.Корн , Т.Корн // М.: Наука. 1984. - С. 173.

68. Berge J. The effect of growth temperature on the nanostructure and dielectric response of ВаТЮЗ ferroelectric films текст] / J. Berge, A. Vorobiev, S. Gevorgian // Thin Solid Films. 2007. - Vol. 515. - P. 6302-6308.

69. Маделунг Э. Математический аппарат физики текст] / Э.Маделунг // М.: Физатгиз. 1961. - С. 276-278.

70. Ohring М. Materials science of thin films, Deposition and Structure текст] / Milton Ohring // Academic Press. 2nd ed. - San Diego, London. - 2002.

71. Ландау Л.Д. Электродинамика сплошных сред текст] / Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц // М.: Государственное издательство технико-теоретической литературы. — 1957. С. 532.

72. Прудан A.M. Индуцированные состояния сегнетоэлектрика с одинаковой диэлектрической проницаемостью текст] / A.M. Прудан, А.Б. Козырев, А.В. Земцов // Журнал Технической Физики. 2004. — Т. 74, вып. 3. - С. 87-90.

73. СПИСОК РАБОТ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

74. В изданиях, рекомендованных ВАК России:

75. Вендик О.Г., Медведева Н.Ю., Зубко С.П. Размерный эффект в наноструктурированных сегнетоэлектричеких пленках текст] / О.Г. Вендик, Н.Ю. Медведева, С.П. Зубко // Письма в Журнал Технической Физики.2007. Т. 33, вып. 6. - С. 8 - 14.

76. Вендик О.Г., Медведева Н.Ю., Зубко С.П. Размерный эффект в наногранулированных сегнетоэлектричеких пленках текст] / О.Г. Вендик, Н.Ю. Медведева, С.П. Зубко // Известия Высших Учебных Заведений, Радиоэлектроника. 2007. - № 6. - С. 61 - 64.

77. Вендик О.Г., Медведева Н.Ю., Зубко С.П. Нелинейные свойства среды с эллипсоидальными сегнетоэлектрическими нановключениями текст] / О.Г. Вендик, Н.Ю. Медведева, С.П. Зубко // Физика твёрдого тела. -2009. Т. 51, вып. 10.-С. 1405-1406.

78. Другие статьи и материалы конференций: