Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, доктор физико-математических наук Денисов, Борис Николаевич

• Денисов, Борис Николаевич
• доктор физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Денисов, Борис Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Оптические способы повышения скорости обработки информации.

1.2. Функциональная оптоэлектроника. Возможные пути повышения скорости обработки информации в рамках функциональной оптоэлектроники.

1.3. Функциональные возможности фоторезисторных структур и их использование в оптоэлектронике.

1.4. Методы исследования параметров кинетики рекомбинации носителей заряда в фоторезисторных структурах.

1.5. Современные механизмы поляризационной электролюминесценции и оптической памяти.

1.6. Термоактивационные и емкостные методы исследования центров захвата в широкозонных полупроводниках.

ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ СИММЕТРИЧНЫХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР

2.1. Установки для исследований оптических и электрических свойств фоточувствительных структур.

2.2. Методы изготовления планарных щелевых структур:.

2.3. Особенноститехнологий изготовления фоточувствительных структур и структур с оптической памятью.

2.4. Метод термостимулированной емкости для исследований щелевых планарных структур на основе порошковых люминофоров.

2.5. Методика исследования спектрального состава фототока фоторезисторной структуры с помощью переменного напряжения.

2.6. Метод разделения сложных спектров.

2.7. Методика определение кинетических параметров полупроводников по измерению среднего значения фототока.

ГЛАВА 3. ПОЛУПРОВОДНИК ПРИ ПЕРИОДИЧЕСКОМ ОПТИЧЕСКОМ ВОЗБУЖДЕНИИ

3.1. Математические модели поведения среднего значения фототока при различных видах периодического возбуждения.

Метод определения закона рекомбинации.

3.2. Экспериментальные исследования зависимости среднего значения фототока от частоты модуляции светового потока.

3.3. Чувствительность фоторезисторной структуры при периодическом возбуждении.

ГЛАВА 4. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ ФОТОРЕЗИСТОРА ПРИ НЕСТАЦИОНАРНОМ ОПТИЧЕСКОМ ВОЗБУЖДЕНИИ И ПИТАНИИ

Введение.

4.1. Аналоговый перемножитель (смеситель) оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора.

4.2. Амплитудный и балансный модулятор (смеситель) сигналов на основе фоторезистора.

4.3. Анализатор спектра модулированных по интенсивности оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора питаемого переменным напряжением.

4.4. Синхронный.детектор модулированных сигналов на основе фоторезистора питаемого переменным напряжением.

4.5. Гетеродинный прием и детектирование оптических сигналов модулированных по оптической частоте фоторезистором с переменным смещением.

ГЛАВЫ 5. ВЛИЯНИЕ КИНЕТИКИ И ИНЖЕКЦИОННЫХ

ЯВЛЕНИЙ НА КОЭФФИЦИЕНТ НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ

5.1. Влияние кинетики межзонной рекомбинации на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора.

5.2. Влияние инжекционных явлений на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора.

5.3. Расчет влияния схемы измерения на коэффициент нелинейных искажений.

5.4. Влияние уровней в запрещенной зоне на коэффициент нелинейных искажений фоторезистора.

ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ПЛАНАРНЫЕ

ЩЕЛЕВЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОРОШКОВЫХ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ и их

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА

6.1. Выбор технологии процесса изготовления порошковых электролюминесцентных структур.

6.2. Исследование процессов скорости генерации свободных носителей электрическим полем. Математическая модель скорости генерации.

6.3. Исследование и моделирование кинетики свечения электролюминесцентного конденсатора при возбуждении униполярными прямоугольными импульсами напряжения.

6.4. О причинах различия энергии вспышек свечения при включении и выключении импульсов напряжения.

6.5. Математическая модель емкостных свойств планарных электролюминесцентных конденсаторов. Метод термостимулированной емкости.

6.6. Исследование центров захвата порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости.

6.7. Оптическая память на основе планарных щелевых структур.

ГЛАВА 7. МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ СИММЕТРИЧНЫХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР

7.1. Амплитудные модуляторы на основе фоторезисторных структур.

Передатчик с амплитудной модуляцией.

7.2. Анализаторы спектра электрических сигналов и модулированных по интенсивности оптических сигналов на основе фоторезисторного оптрона.

7.3. Фазовые модуляторы электрических сигналов на основе резисторного оптрона.

7.4. Аналоговый перемножитель оптических сигналов на основе фоторезистора и фотодиода. Синхронный детектор модулированных по интенсивности оптических сигналов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Многофункциональные элементы оптоэлектроники на основе симметричных фоторезисторных структур»

Устройства фотоники и оптоэлектроники характеризуются широкими функциональными свойствами и применяются во всех звеньях систем обработки информации. Одна из основных задач, решаемая оптоэлектроникой и фотоникой, связана с передачей информации с использованием фотонов [1, 2]. Повышение скорости передачи информации в системах связи и быстродействия вычислительных систем являются актуальной задачей. В настоящее время развиваются два направления решения этой задачи. Первое связано с интеграцией электронных и оптических систем на одной кремневой подложке. При этом необходимо изготовить на основе кремния светодиоды, световоды, модуляторы и приёмники излучения. О решении этих задач и изготовлении опытных образцов в 2008 г. сообщила компания Intel [5]. Второе направление связано с интеграцией не только числа элементов, но и числа функций, выполняемых микроэлектронным прибором [3, 4, 6]. Идея использования физических принципов интеграции нескольких функций в одном приборе возникла в конце 70-х г. Пионерские работы в этой области принадлежат Гуляеву Ю.В, Стафееву В.И., Пустовойту В.И., Носову Ю.Р. и другим отечественным ученым. Это направление в оптоэлектронике получило название функциональная оптоэлектроника [6]. Мы полагаем, что дальнейшее увеличение быстродействия оптоэлектронных систем может быть получено за счет совмещения (интеграции) функций приёма оптических сигналов и их обработки в фотоприемнике с помощью электрических сигналов, а также совмещение функций приёма оптических сигналов и управление электрическими сигналами с помощью оптических сигналов. Это позволит реализовать возможность создания подлинно функциональных оптоэлектронных приборов и вынести практически полностью электронику на периферию, обеспечивая с помощью неё только процессы усиления и фильтрации сигналов [4]. Для совмещения функций приёма и обработки оптических сигналов фотоприемник должен выполнять операцию прямого аналогового перемножения оптических сигналов на электрические сигналы. Операция умножения является основной для обработки сигналов в системах передачи и приема информации по оптическим и электронным каналам связи и осуществляется опосредованно, путем возведения в квадрат суммы двух сигналов [1, 28, 38]. Создание фотонного аналога транзистора, который реализует прямое аналоговое перемножение электрических сигналов на оптические сигналы, обеспечит физические принципы интеграции оптики и электроники.

Для решения задач приема и хранения оптической информации необходимо также устройство, которое обеспечивает совмещение нескольких функций в одном приборе, что позволит сократить время обработки оптического сигнала.

В связи с этим в работе выделены два направления в исследованиях. Первое направление связано с исследованием функциональных свойств фоточувствительных структур, обеспечивающих управление электрическими сигналами с помощью оптических сигналов, а также совмещение операций приема и обработки оптических сигналов. Это направление включает исследование неравновесных фотоэлектрических процессов в полупроводниках при нестационарном питании, операции перемножения оптических и электрических сигналов фоторезистивными структурами, изучение влияния кинетики на нелинейные искажения при регистрации фоторезистором модулированных оптических сигналов. Объём исследований и знаний о таких процессах пока очень мал или отсутствует. Второе направление связано с исследованием физических процессов в фоторезистивных структурах, которые выполняют функции источника излучения, а также приёма и хранения информации в виде оптического сигнала. К таким структурам относятся пленочные и электролюминесцентные конденсаторы (ЭЛК). Такие ЭЛК представляют собой симметричные структуры металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл (МДПДМ). Эти устройства обладают эффектом оптической памяти. В настоящее время отсутствие качественной технологии изготовления порошковых ЭЛК не позволяет совершенствовать эти устройства. Отсутствуют дублирующие методы определения параметров зонной схемы порошковых полупроводниковых материалов, на основе которых изготавливаются данные устройства.

Объектом исследования в первом направлении нами выбраны фоторезисторные симметричные структуры типа п+ -п-п+. Объектом исследования, во втором случае, являлись электролюминесцентные конденсаторы на основе порошковых люминофоров.

Предметом исследования являлись оптические методы передачи и обработки информации, фотоэлектрические явления, люминесценция.

Особенностью данной работы является сочетания физических методов решения поставленных задач, математического моделирования, технических и технологических решений, обеспечивающих реализацию физических идей.

Цель работы: Исследование неравновесных фотоэлектрических процессов в полупроводниках, функциональных свойств симметричных фоторезисторных структур для создания на их основе многофункциональных элементов для оптоэлектроники.

Для достижения поставленной цели требовалось решить следующие задачи:

-разработать новые экспериментально-аналитические методы исследования параметров кинетики фотопроводимости; исследовать особенности прохождения тока через фоторезисторные структуры при нестационарном освещении и питании;

-исследовать функциональные свойства фоторезисторных структур при нестационарном возбуждении и питании;

-исследовать влияние кинетики фотопроводимости и инжекционных явлений на нелинейные искажения, вносимые фоторезистором в регистрируемый оптический сигнал;

-разработать новую конструкцию и технологию изготовления ЭЛК, обеспечивающего высокую точность и повторяемость результатов и обладающих эффектом памяти;

-разработать новые методы контроля глубины залегания примесных уровней, определяющих эффективность процессов электролюминесценции и оптической памяти;

-изучить физические механизмы процессов электролюминесценции и оптической памяти в щелевых планарных структурах.

Научная новизна полученных результатов и выводов

Научная новизна работы состоит в том, что впервые:

1. Предложены, разработаны и практически реализованы новые, нестандартные способы измерения параметров кинетики фотопроводимости, зонной структуры широкозонных полупроводников, методик расчета и методы исследования в области люминесценции:

- метод определения кинетических параметров фотопроводимости по зависимости среднего значения фототока от частоты модуляции возбуждающего излучения,

-способ Фурье анализа кинетики фотопроводимости с помощью переменного напряжения, приложенного к фоторезистору,

-экспериментальный способ разделения сложных спектров фотолюминесценции, электролюминесценции, фотопроводимости на элементарные полосы,

-метод нахождения среднего значения от решения дифференциального уравнения первого порядка с правой периодической частью,

- экспериментальная методика определения глубины центров захвата порошковых полупроводниковых материалов с рекомбинационным типом свечения методом термостимулированной ёмкости,

- предложен экспериментальный способ Фурье-анализа модулированных по интенсивности оптических сигналов с помощью фоторезистора.

2. Установлено, что среднее значение концентрации свободных носителей при периодическом освещении полупроводника, зависит от частоты модуляции возбуждающего излучения. Показано, что это возможно в случае различных скоростей процессов нарастания и затухания фотопроводимости.

3. Получена математическая модель многофункционального устройства на основе фоторезистора, обеспечивающего операцию прямого аналогового перемножения электрических и оптических сигналов (смесителя). Созданы математические модели управления электрическими сигналами с помощью оптических сигналов и новые устройства на основе фоторезистора для спектрального анализа модулированных по интенсивности оптических сигналов. Разработаны устройства амплитудной, фазовой модуляции электрических сигналов с низкими коэффициентами нелинейных искажений, синхронных детекторов модулированных оптических сигналов.

4. Предложен способ совмещения гетеродинного приёма и детектирования оптических сигналов, модулированных по оптической частоте или фазе с помощью фоторезистора.

5. Проведен анализ влияния кинетики фотопроводимости, инжекционных свойств контактов на нелинейные искажения, вносимые фоторезистором в регистрируемый оптический сигнал.

6. Создана новая конструкция и технология изготовления планарных порошковых ЭЛК, совместимая с современными технологиями полупроводниковой электроники. Установлена теоретически и экспериментально проверена математическая модель скорости ионизации полем центров свечения в ЭЛК.

7. Экспериментально обнаружено методом термостимулированной ёмкости (ТСЕ) явление переселения носителей заряда в люминофоре ZnS-In через примесные уровни без выхода их в зону проводимости.

8. Обнаружено в разработанных электролюминесцентных конденсаторах явление оптической памяти. Предложено новое многофункциональное оптоэлектронное устройство, обеспечивающее совмещений функций излучения, приема оптических сигналов и их запоминания.

Практическая ценность результатов Результаты теоретического анализа и проведенных экспериментальных исследований фотоэлектрических явлений в полупроводнике при динамическом возбуждении расширяют существующие представления о* физических процессах поглощения света в полупроводнике и функциональных свойствах фоторезистивных структур. В процессе работы получены следующие практические результаты:

1. Разработаны новые методики для исследования кинетики фотопроводимости; разделения сложных спектров фотолюминесценции, электролюминесценции, фотопроводимости на элементарные полосы. Получен новый способ*Фурье-анализа кинетики фотопроводимости.

2. Предложен фотонный аналог транзистора на основе фоторезистора, обеспечивающий прямое аналоговое перемножение оптических и электрических сигналов. Разработаны и защищены патентами новые конструкции передатчиков, модуляторов, анализаторов спектра электрических сигналов, обеспечивающие значительное упрощение конструкции и имеющие более низкий коэффициент нелинейных искажений по сравнению с аналогами.

3. Предложен новый способ гетеродинного приема оптических сигналов модулированных по оптической частоте с помощью фоторезистора, обеспечивающий совмещение гетеродинного приема с синхронным детектированием оптических сигналов.

4. Предложена новая конструкция и технология изготовления электролюминесцентного источника света и оптической памяти.

5. Создана новая экспериментальная методика определения глубины центров захвата в люминофорах с рекомбинационным типом свечения. Определена зонная схема люминофора ZnS-In.

Практические результаты работы составили основу одного авторского свидетельства на изобретение, 5 патентов на изобретения и полезные модели.

Основные положения и результаты, выносимые автором на защиту:

1. Экспериментальный метод определения параметров кинетики фотопроводимости по измерению среднего значения фототока.

2. Экспериментальные исследования и математические модели функциональных свойств фоторезистора, обеспечивающего совмещение функций приёма и обработки оптических сигналов. Аналоговый прямой перемножитель оптических и электрических сигналов на основе фоторезистора. Математические модели и экспериментальные исследования устройств, выполненных на основе фоторезистора: синхронного детектора и анализатор спектра гармоник оптических сигналов модулированных по интенсивности, гетеродинного приёмника и детектора оптических сигналов модулированных по оптической несущей.

3. Фотонный аналог транзистора на базе резисторного- оптрона. Математические модели и экспериментальные исследования амплитудных, балансных и фазовых модуляторов электрических сигналов, синхронных детекторов амплитудно, частотно и фазомодулированных электрических сигналов, анализатора спектра электрических сигналов, выполненных на основе фоторезистора. Математические модели и экспериментальные исследования нелинейных искажений, вносимых фоторезистором в регистрируемый сигнал.

4. Конструкция и технология изготовления щелевых планарных электролюминесцентных конденсаторов на основе порошковых люминофоров. Экспериментальные исследования и математические модели кинетики скорости генерации носителей и кинетики процессов свечения электролюминесценции.

5. Математическую модель и ёмкостной метод определения глубины центров захвата в порошковых люминофорах с рекомбинационным типом свечения.

6. Экспериментальные исследования и математические модели эффекта оптической памяти в щелевых планарных МДПДМ структурах на основе широкозонных полупроводников.

Апробация. Основные результаты диссертации доложены и обсуждены на 8-ой Всесоюзной конференции по микроэлектронике (Москва, 1978); на 2-м Всесоюзном совещании по широкозонным полупроводникам (Ленинград, 1978); на Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ужгород, 1979); на 2-м Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980); на V Всесоюзном совещании «Физика и техника применения полупроводников л /

А В » (Вильнюс, 1983); на IX Всесоюзной конференции по светотехнике (Рига, 1987); на VI Всесоюзном совещании «Физика, химия и технология люминофоров» (Ставрополь, 1989); на II Всесоюзном совещании «Материалы для источников света и светотехнических изделий» (Саранск, 1990); на VII Всесоюзном I Международном совещании «Физика, химия и технология люминофоров» (Ставрополь, 1992); на Международной конференции «Осветление -96» (Варна, Болгария,-1996); на Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». (Кисловодск, 1996г.); на Международной научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики» (Саранск, 1997); на III Всерос. науч.-технич. конф. Светоизлучающие системы. Эффективность и применение. (Саранск,

2001г.); на V международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2003г.); на 3-ой межрегион, науч. шк. для студ. и аспирантов «Материалы нано- микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение» (Саранск, октябрь, 2004 г.); на научной сессии, посвященной дню радио (Российское научно-техническое общество радиотехники, электроники и связи им. А.С. Попова, (Москва, 17-19 мая, 2005 г); на 7-ой Всерос. молодеж. науч. шк., «Материалы нано- микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (Саранск, октябрь 2008г.)

Публикации. Материалы диссертации отражены в 46 работах. Из них 11 работ опубликованы в рецензируемых журналах, рекомендованных ВАК, отражены в 1 авторском свидетельстве, 5 патентах на изобретения и 29 работ были опубликованы в тезисах Международных, Всесоюзных и Всероссийских конференциях.

Личный вклад автора. Автору принадлежит выбор основных направлений исследований по теме работы, создание экспериментальных установок и методик исследования. Проведение экспериментальных исследований, обработка и анализ экспериментальных результатов, разработка математических моделей, выполнены либо лично автором, либо при его непосредственном участии. В совместных публикациях соискателю принадлежит ведущая роль в постановке задач, объяснении и обосновании с физической точки зрения рассматриваемых процессов и явлений.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы 283 стр., включая 137 рис. и 16 таблиц. Список литературы состоит из 164 наименований.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Денисов, Борис Николаевич

Вывод.

Проведенные исследования показывают, что с помощью предложенной схемы можно реализовать операцию аналогово перемножения модулированных по интенсивности оптических сигналов и преобразования результата в электрический сигнал.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Диссертация посвящена исследованию неравновесных процессов в фоточувствительных полупроводниковых структурах при нестационарном освещении и питании, выявлению особенностей распределения носителей между зонами при периодическом освещении, изучению функциональных свойств фоторезисторных структур при периодическом питании. Развиваемое научное направление связано с решением проблемы интеграцией оптики и электроники. Наиболее важными представляются следующие результаты и выводы.

1. Получены теоретические и экспериментальные доказательства зависимости среднего значение концентрации свободных носителей и эффективности фоторезистора от частоты модуляции возбуждающего излучения при неизменной средней мощности излучения.

2. Установлено, что различие скорости рекомбинации при наличии и отсутствии освещения, определяет характер зависимости (рост, спад) среднего значения концентрации сводных носителей заряда в полупроводнике при увеличении частоты следования фотоимпульсов.

3. Разработаны экспериментальный метод и математическая модель определения параметров кинетики фотопроводимости по измерению среднего значения фототока. Предложен метод нахождения среднего от решения дифференциального уравнения первого порядка с периодической правой частью

4. Предложен метод Фурье анализа кинетики фотопроводимости с помощью переменного напряжения приложенного к фоторезистору.

5. Установлено, что фоторезисторные структуры являются, прямыми перемножителями оптических и электрических сигналов, и могут совмещать функции приема модулированных по интенсивности оптических сигналов и извлечения из них информации. Показана возможность совмещения гетеродинного приема и синхронного детектирования фоторезистором оптических сигналов модулированных по оптической частоте и фазе.

6. Установлено, что оптические сигналы могут управлять электрическими сигналами с помощью фоторезистора. Предложены устройства на основе фоторезистора для амплитудной, фазовой модуляции, электрических сигналов, синхронного детектирования и спектрального анализа электрических сигналов и их математические модели. Определены зависимости коэффициента нелинейных искажений разработанных устройств от вида кинетики фотопроводимости, инжекционных явлений.

7. Разработана новая технология изготовления планарных щелевых электролюминесцентных конденсаторов. Обнаружено явление оптической памяти в планарных щелевых электролюминесцентных конденсаторах.

8. Доказано, что скорость генерации свободных носителей электрическим полем пропорциональна произведению напряжения приложенного к структуре на скорость изменения напряжения. Разработаны физические и математические модели процессов скорости генерации полем свободных носителей, оптической памяти в электролюминесцентных структурах типа МДПДМ.

9. Созданы математическая модель и экспериментальная методика определения глубины центров захвата порошковых полупроводниковых материалов с рекомбинационным типом свечения методом термостимулированной емкости. Определена зонная структура люминофора ZnS-In. Показана возможность переселения свободных носителей через примесные уровни.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Денисов, Борис Николаевич, 2009 год

1. Ларькин А.И., Юу Ф.У.С. Когерентная фотоника. М.:БИНОМ Лаборатория знаний , 2007.-319 с.

2. Розеншер Б. Винер. Оптоэлектроника М.:Техносфера, 2006.-592 с.

3. Никитин В., Семенов Э., Ломанов А., Гусаров А. Смартлинки- умные соединения. //Фотоника, 2009.-№1.-С.31-39.

4. Щука А.А. Электроника четвертого поколения функциональная электроника? //Инженерная микроэлектроника.- 1998. -№4.-С.30-36

5. Бараш Л. Кремниевая фотоника, как альтернатива медным внутренним соединениям. // Компьютерное обозрение. №33(552)

6. Щука А.А. Функциональная электроника М.: Из-во МИРЭЛ, 1998.-286с.

7. Багинский A.M., Бабченко И.А., Горбань А.Н. и др. Электролюминесцентная матрица «щелевого» типа.// Вопросы физики электролюминесценции. /Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-С. 195-198.

8. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках.//ФТП, 1976.-Т.10-№2.- С.209-233.

9. Денисов Б.Н., Горюнов В.А., Королев А.П., Бибанина Е.М. Электролюминесцентный источник света. Патент 2175468, Россия, МПК-7 Н05 ВЗЗ/26, F21K2/08. Опубл. 27.10.2001, бюл. №30.

10. Ламперт М., Марк С. Инжекционные токи, в твердых телах. М.: Мир, 1973-416с.

11. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963 -496 с.

12. Марпл С.И. Цифровой спектральный анализ и его приложения. М.: Мир, 1990-365 С.

13. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М: Иностр. лит., 1962 420 С.

14. Денисов Б.Н., Никишин Е.В., Королев А.П., К расчету переходных процессов при импульсном возбуждении, описываемых дифференциальным уравнением первого порядка //Мат. моделирование, 1995 Т.7. - №5 - С.51.

15. Денисов Б.Н., Королев А.П. Расчет установившегося процесса в линейных системах при периодическом возбуждении //Мат. моделирование, 1995 Т.7.- №5 - С.50.

16. Магнус К. Колебания. М.: Мир, 1983, С. 214-215.

17. Шалимова Н.В. Физика полупроводников. М: Энергия, 1977. 312С.

18. Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. М.: «Выс. школа», 2000г. -с. 420.

19. Денисов Б.Н., Беглов В.И. // Труды Российского научно- технического общества радиотехники, электроники и связи им. А.С. Попова. Серия: науч. сессия посвященная дню радио. Вып. LX-2, Москва 17-19 мая. — 2005 г.-С. 6-8.

20. Денисов Б.Н., Беглов В.И., Нищев К.Н., Турышев В.Н. Передатчик с амплитудной модуляцией. Патент 39240, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Опубл. 20.07.2004г, бюл. №20.

21. Радиопередающие устройства. Под ред. В:В. Шахгильдяна. М.: Радио и связь. 1996. - 560 С.

22. Трансформаторные измерительные мосты./Под ред. К.Б. Карандеева. М.: Энергоиздат, 1970.-250С

23. Гальярди P.M., Карп Ш. Оптическая связь М.: Связь, 1978. -424 с.

24. Шахмаев М.М. Однополосная угловая модуляция в радиосвязи. Изд-во: Казанский университет, 1991. С. 134.

25. Кобяков И.В., Падо B.C. Исследование электрических и упругих свойств гексагонального сульфида цинка в интервале температур 1,5-5-300К//ФТТ.- 1967.-Т.9, вып.8.- С. 2173-2179.

26. Нефедов В.И. Основы радиотехники и связи М.: Высш. шк. 2002.-420 с.

27. Денисов Б.Н. Фоторезистор как многофункциональный элемент оптоэлектроники. Радиотехника и электроника, 2007,т.52, №4, с.509-512

28. Берченко Н.Н., Кребс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Справочные таблицы. М.:Воениздат, 1982.-208с.

29. Шевцов Э.А., Белкин М.Е. Фотоприемные устройства волоконно-оптических систем передач М.: Радио и связь, 1992.—224 с.

30. Carballes J.C., Varon J., Ceva Т. Capacitives methods of determination of the energy distribution of electron traps in semiconductors.// Solid- State Electron, 1971. Vol.9. №19. P. 1627-1631

31. КалинчукВ.В. Модуляторы малых сигналов. М.: Энергия, 1978.-96 С.

32. Свечников С.В. Элементы оптоэлектроники. М.:Сов.радио,1971.-144С.

33. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника. 2-е изд., перераб. и доп.-М.: Радио и связь, 1980.-360 С.

34. Денисов Б.Н., Орлов Б.М., Лосев В.В, Погорелова Н.Н. Исследование фоточувсвительных монокристаллов CdS при переменном смещении. 8 Всесоюзная конференция по микроэлектронике М., 1978,с.57-58

35. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М: Мир, 1980.-208 С.

36. Шереметьев А.Г., Толпарев Р.Г. Лазерная связь. М.: «Связь», 1974 -384С.

37. Денисов Б.Н., Беглов В.И Бибанина Е.М. Фазовый модулятор Патент 36069, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Опубл. 20.02.2004г, бюл. №5.

38. Прудников А.П., Брычков О.А., Маричев О.И. Справочник по высшей математике.-М.; Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1981-800 С.

39. Степанов Б.И. Введение в современную оптику. Минск: Наука и техника, 1991.-480С.

40. Лашкарёв В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотополупроводниках. Киев.: Наук. Думка, 1981-264С.

41. Воловичев И. Н., Гуревич Ю. Г., Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках.//Физика и техника полупроводников.-2001- Т. 35, вып. З.-С.321-329.

42. Смит Р. Полупроводники. М: Мир, 1982-560С.

43. Ламперт М. Марк П. Инжекционные токи в твёрдых телах. М.: Мир 1973,416 с.

44. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Адирович Э.И. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978.-320с.

45. Малышев В.А., Сапелкин С.В., Червяков Г.Г., Юхимец Е.А. Нелинейные преобразование сигнала модуляции света при квадратичной рекомбинации в фотоприёмнике. //Физика и техника полупроводников.-1993- Т. 27, вып. 1- С.179-182.

46. Денисов Б.Н., Колдаев И.М. Исследование динамических свойств фоточувствительных полупроводниковых структур на основе CdS. Сб. материалов конференции молодых специалистов по проблемам микроэлектроники. М., 1980, с. 17

47. Астайкин А.И., Смирнов М.К. Основы оптоэлектроники. Саров: РФЯЦ-ВНИИЭФ, 2001.-260 с.

48. Быстров Ю.А. Оптоэлектронные устройства. М.: ИП Радио-Софт, 2001.-256 с.

49. Шевцов Э.А., Белкин М.Е. Фотоприемные устройства волоконно-оптических систем передачи. М.: Радио и связь, 1992.-224 с.

50. Техника оптической связи. Фотоприемники. Под ред. Нельсона Д., Уиттинхема М., Джорджа Т. -М.: мир, 1988.-526 с.

51. Козанне А., Флере Ж., Руссо М. Оптика и связь. М.: Мир, 1984.-504 с.

52. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1971. 370С

53. Вопросы физики электролюминесценции. //Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-274С

54. Singh S. Thermally stimulated current curves in ZnS: Cu:Co photoconductor. // Indian J. Pure and Appl.Phys., 1974. Vol. 12,№3 -P. 185187.

55. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Дахновец B.T. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации в электролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91-95.

56. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Зависимость энергии излучения поляризационной электролюминесценции от поля.// ФТП-1968.- Т.2.- вып. 12.-С. 1752-1757.

57. Электролюминесценция твердых тел. Труды III совещания по электролюминесценции. Киев.: Наукова Думка, 1971.-320С.

58. Думаревский Ю.Д., Ковтонюк Н.Ф., Савин А.И. Преобразование изображений в структурах полупроводник-диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176С.

59. Самохвалов М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением. //Письма в ЖТФ.-1997.-Т.23.-Ы6.-С.1-4.

60. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик. М.: Энергия, 1976.-184С

61. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336С.

62. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. -176С.

63. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. М.: Сов. Радио, 1976.-142 с.71 .Акустические кристаллы. Справочник. / Под ред. М.П. Шаскольской М.: Наука, 1982.- 632С.

64. Кобяков И.В., Падо B.C. Исследование электрических и упругих свойств гексагонального сульфида цинка в интервале температур 1,5-ь300К//ФТТ.- 1967.-Т.9, вып.8.-С2173-2179

65. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергоиздат, 1982. -320С.

66. Бибанина Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-М.:2000.-9С. Деп. в ВИНИТИ, от 28.02.2000, №523-В00.

67. Бибанина Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н., Никишин Е.В. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-Письма в ЖТФ.- 2000.- т.26.- вып. 11. С.47-51.

68. Ковтонюк Н.Ф., Морозов В.А., Абрамов А.А. и др. Фотоваракторный эффект структур металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик-металл. //Радиотехника и электроника, 1973.-Т.18.- №5.-С.1019-1023.

69. Самохвалов М.К. Исследование свойств цинк- сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах.// ЖПС.-1995.-Т.62, вып.З.-С.182.

70. Самохвалов М.К. Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением.// Письма в ЖТФ.-1994:-Т.20,вып.6.-С.67.

71. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: высшая школа, 1971 .-336С.

72. Горюнов В:А., Левшин В. Л. Исследование перераспределения1 электронов по уровням захвата в возбужденных монокристаллах ZnS под действием инфракрасных лучей.//ЖПС, 1966.-Т.4,вып.З.-С.256-260.

73. Денисов Б.Н., Бибанина Е.М., Беглов В.И. Устройство оптической памяти на основе планарных щелевых структур. //Письма ЖТФ.-2006.Т.32.-Вып.4-С.70-75

74. Денисов Б.Н. Исследование функциональных свойств фоторезистора, питаемого переменным напряжением.//Письма в ЖТФ.-2008.-Т.34-Вып 2-С. 1-6

75. Денисов Б.Н., Беглов В.И., Нищев К.Н., Турышев В.Н. Передатчик с амплитудной модуляцией. Патент на полезную модель № 39240, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02. Опубл. 20.07.2004г, бюл. 20.

76. Бараш JI. Оптические сети: основные компоненты. Компьютерное обозрение. №28 (547), 2006 г

77. Бараш JI. Кремниевая фотоника как альтернатива медным соединениям. Компьютерное обозрение. №28 (547), 2006 г

78. Серегин C.JL, Полян Р.А. Гибкий электролюминесцентный источник света.//Патент 20006878 Россия, МКИ Н 05В 3/26/,№4931861/25.

79. Полян Р.А., Серегин C.JL, Кокин С.М. Гибкие источники света -электролюминесцентные излучатели нового типа//Электронная промышленность, 1993.-№11-12.-С.66-68.

80. Электролюминесцентные источники света./Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. -168С.

81. Прикладная электролюминесценция./Под ред. М.В. Фока. М.: Советское радио, 1974.-416С.

82. Хениш Г. Электролюминесценция. М.: Мир, 1964.- 456С.

83. Корсунский В.М. Электролюминесцентные' устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304С.

84. Щука А.А. Электроника/ Под ред. Проф А.С. Сигова.-СПб.: БВХ-Питербург, 2006.-800 с.

85. Денисов Б.Н., Гришаев В .Я, Корочков Ю.А., Применение фоторезисторов с питанием переменным напряжением длягармонического анализа оптических сигналов.//Учебный эксперимент в высшей школе. 1998, № 5.-С.60-62.

86. Зуев В.А., Попов В.Г. Фотоэлектрические МДП приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.

87. Yairi М. В., Coldren С, W., Miller D. А. В., Harris J. S. (Jr).High-speed, optically controlled surface-normal optical switch based on diffusive conduction / / Appl. Phys. Lett.- 1999.- Vol.75, № 5.-C. 597-599.

88. Khanifar A., Green R. J. Photoparametric amplifiers for subscarriermultiplexed communication systems. // 1EE Proc. Optoelectron.-1999 Vol.146, № 5- C. 223-225.

89. Муравский B.C., Рубцов Г.П., Григорьян JI.P., Куликов O.H. Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе. //Журнал Радиоэлектроники.-2000,-С.1-16.

90. Каража'нов С.Ж. Свойства точно компенсированных полупроводников.// ФТП.-2000.-Т.34,вып.8.-С.909-916.

91. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. //Труды Седьмой международной научно-технической конференции, Таганрог, 2000.- 200 С.

92. Прикладная электролюминесценция. /Под ред. М.В. Фока. М.: Советское радио, 1974.-416С.

93. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции.ЕЧистые кристаллы.//ФТП. 1968.-Т.2. B.3.-C300.

94. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. О-временах установления поляризации в полупроводниках.//ФТП.- 1969.- Т-.З, вып.1.-С58-62.

95. ЮЗ.Гохфельд Ю.И., Fypo Г.М., Дахновец В.Т. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации* вэлектролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91-95.

96. Ковтонкж Н.Ф., Сальников Е.Н. Фоточувствительные МДП- приборы для преобразования изображения М.: Советское радио, 1990.-160 С.

97. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции.ГЧистые кристаллы.//ФТП. 1968.-Т.2. В.З.-СЗОО.

98. Юб.Берман JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. JL: Наука, 1972. -104С.

99. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336С.

100. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. -176С.

101. Антонов-Романовский В.В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.1.//Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963.-С.207-213.

102. Антонов -Романовский В.В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.П. //Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963.-С.213-223.

103. Ш.Гольдман А.Г., Жолкевич Г. А. Стимулированные токи и электролюминесценция. Киев: Наукова Думка, 1972.-200С.

104. Берсенев Б.В., Васюков А.Е., Жолкевич Г.А. Термостимулированная проводимость, люминесценция и емкость пленок ZnS:Cu,Cl с памятью проводимости. В кн.: Эффекты памяти и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках. Киев, 1974. -С. 14-15.

105. Сальман Е.Г. , Вертопрахов В.Н. Термостимулированные методы* исследования фотопроводящих материалов. Деп. ВИНИТИ №349771,1971.- 27 С.

106. Гольдман А.Г., Королько Б.Н., Степанченко Э.С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS -порошковполупроводников при 77°К.// Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№5. -С.1019-1021.

107. Гольдман А.Г., Королько Б.Н., Степанченко Э.С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS-порошков полупроводников при 77°К.// Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№5. -С.1019-1021.

108. Нб.Гольдман А.Г., Королько Б.Н., Степанченко Э.С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS -порошков полупроводников при 77°К.//Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№5. -С.1019-1021.

109. Берман JI.C., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.- 176С.

110. Yau L.D., Chan W.W., Sah С.Т. Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at cobait centers in silikon.// Phys. Stat. Sol.(a). 1972. Vol.14. №2. P.655-662.

111. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир,1977.-562С

112. Carballes J.C., Lebailly J. Trapping analysis in gallium arsenide.// Solid-State Communs, 1968. Vol.6.№3.P. 167-171.

113. Buehler M.G. Impurity centers in p-n-junctions determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance response with heating rate.// Solid-State Electron, 1972. Vol. 15. №1. P.69-79.

114. Carballes J.C., Varon J., Ceva T. Capacitives methods of determination of the energy distribution of electron traps in semiconductors.// Solid- State Electron, 1971. Vol.9. №19. P. 1627-1631

115. Sah, C.T., Chan W.W., Fu H.S. e.a. Thermally stimulated- capacitance (TSCAP) in p-n-junctions.// Appl.Phys.Lett., 1972. Vol.20. №5. P.193- 195.

116. Sakai K., Ikoma T. Deep levels in gallium arsenide by capacitance methods.// Appl.Phys, 1974. Vol.5. №2. P.165-171.

117. Sah C.T., Walker J.W. Thermally stimulated capacitance for shallow majority-carrier traps in the edge region of semiconductors junctions.// Appl.Phys.Lett, 1973. Vol.22. №8. P.384-385.

118. Sah C.T., Wang C.T. Experiments on the origin of processinduced recombination centers in silicon.//J. Appl.Phys., 1975. Vol.46. №4. P. 17671776.

119. Зуев B.A, Попов В.Г. Фотоэлектрические МДП -приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.

120. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник./ Под ред. А.В. Ржанова. М.: Наука, 1976. -280С

121. Вуль А .Я, Дидейкин А.Т., Козырев С.В. Фотоприемники на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник.//Фотоприемники и фотопреобразователи./ Сборник науч. трудов, 1986.-С. 105-130.

122. Фок М.В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева. //Люминесценция и нелинейная оптика./Труды ФИАН им. П.Н. Лебедева АН СССР. М.: Наука, 1972.-Т.59.- С.3-24.

123. Горюнов В.А, Гришаев В.Я, Денисов Б.Н. Методика разделения спектров свечения люминофоров.//Светотехника, 1992.-№3.-C.3-4.

124. Бибанина Е.М, Гришаев В.Я, Денисов Б.Н. Исследование электро- и фотолюминесценции при импульсном УФ возбуждении. // Всероссийская науч.-тех. конф. «Перспективные материалы и технологии для средств отобр. информации». /Тез.докл. Кисловодск, 1996.-С85.

125. Фок М.В. Влияние частоты возбуждающего напряжения на спектры электролюминесценции кристаллов ZnS-Cu.// ЖПС,1988.-Т.48.-№6.-С-1014-1016.

126. Деркач В.П, Корсунский В.М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304С.

127. Веревкин Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. JL: Наука, 1983. -С. 122.

128. Марковский Л.Я., Пекерман Ф.М., Петошина Л.Н. Люминофоры. М,-Л.: Химия, 1966.-232С.

129. Электролюминесцентные источники света./Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. -168С.

130. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966.- 324С.

131. Антонов-Романовский В.В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.1.//Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963.-С.207-213.

132. Думаревский Ю.Д., Ковтонюк Н.Ф., Савин А.И. Преобразование изображений в структурах полупроводник-диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176С

133. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.- 176С. ■

134. Трансформаторные измерительные мосты./Под ред. К.Б. Карандеева М., 1970.-250С.

135. Багинский A.M., Бабченко И. А., Горбань А.Н. и др. Электролюминесцентная матрица «щелевого» типа.// Вопросы физики электролюминесценции. /Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-С. 195-198.

136. Беглов В.И., Денисов Б.Н., Никишин Е.В. Зависимость коэффициента нелинейных искажений фоторезистора от кинетики фотопроводимости.

137. Материалы нано- микро- и оптоэлектроники: физические свойства и применение: сб. тр. 3-ой межрегион, науч. шк. для студ. и аспирантов,. -г. Саранск, 2004. С. 118.

138. Сурис Р.А., Фукс Б.И. Импеданс образца из компенсированного материала при возбуждении волны пространственной перезарядки. // ФТП, 1975 юТ.9, вып.9.-С.1717 - 1728.

139. Каражанов С.Ж. Свойства точно компенсированных полупроводников.//ФТП.-2000. Т.34,вып.8. - С.909-916.

140. Холоднов В.А., Дугова А.А. О подавлении эффекта насыщения усиления в пороговых собственных фоторезисторах.// Письма в ЖТФ,1997-Т.23.-№2-С.80-87.

141. Степанов Б.И., Грибковский В.И. Введение в теорию люминесценции.// Издательство Академии наук БССР, Минск, 1963, 444 с.

142. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964 г-284 с.

143. Денисов Б.Н., Гришаев В. Я., Никишин Е. В. Авт. свидетельство № 1723676, 1992. Способ питания безэлектродного источника света

144. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции. II. Кристаллы с примесями // ФТП. 1969. -Т.З, вып.5. - С.636-642.

145. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф Деркач В.П., Корсунский В.М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304с.

146. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Зависимость энергии излучения поляризационной электролюминесценции от поля // ФТП -1968.- Т.2. вып. 12.- С.1752-1757.

147. Воловичев, И. Н., Гуревич Ю. Г. Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках.//Физика и техника полупроводников.-2001- Т. 35, вып. 3.-С.321-329.

148. Neamen D.A. Semiconductor Physics Devices Basic Principles. Boston. 1992 y., 560 p.

149. Глинчук К.Д., Родионов B.E. Инерционность Si (Zn) фотосопротивлений.// Полупроводниковая техника и микроэлектроника-1972-вып. 7.-С.27-30

150. Гаспарян Ф.В., Адамян З.Н., Арутюнян В.М. Кремнивые фотоприемники. Ереван. Издательство Ереванского университета, 1989 г.-289 С.

151. Каражанов С.Ж. Свойства точно компенсированных полупроводников.// Физика и техника полупроводников.- 2000- Т. 34, вып. 8.- С. 909-916.

152. Глинчук К. Д., Родионов В.Е. Инерционность Si (^п)-фотосопротивлений.// Полупроводниковая техника и микроэлектроника.-1972, вып. 7. С.27-30

153. Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев А.А. и др. Теория диэлектриков. M.-JL: Энергия, 1965.-344С.

154. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергоиздат, 1982. -320С.

155. Денисов Б.Н., Беглов В.И., Бибанина Е.М., Горюнов В.А. МДПДМ структура на основе порошковых люминофоров. // Учебный эксперимент в высшей школе. 2002, №1. С.16 -18.