Функциональные оптические и электрические свойства фоторезисторных структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат физико-математических наук Беглов, Владимир Иванович

• Беглов, Владимир Иванович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Беглов, Владимир Иванович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Функциональные возможности фоторезисторных структур и их использование в оптоэлектронике.

1.2. Особенности прохождения переменного тока в фоторези-сторных структурах.

1.3. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в фоторезисторных структурах.

1.4. Электрические свойства электролюминесцентного конденсатора. Оптическая память в МДПДМ структурах.

1.5. Методы исследования параметров кинетики рекомбинации носителей заряда в фоторезисторных структурах.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Установка для исследования оптических и электри-wj ческих свойств фоторезисторных структур.

Особенности изготовления электролюминесцентных структур.

2.3. Методика исследования порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости.

2.4 Технология изготовления устройств оптической памяти.

Методики исследований явлений оптической памяти.

2.5 Описание устройств на основе функциональных свойств резисторных оптопар и методика их исследования.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ, ОПТИЧЕСКИХ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР

3.1. Функциональные возможности идеального фоторезистора питаемого переменным напряжением.

3.2. Влияние кинетики межзонной рекомбинации на нелинейные искажения, вносимые фоторезистивной структурой, в регистрируемый нестационарный оптический сигнал.

Фурье - анализ оптических сигналов модулированных по интенсивности фоторезистивной структурой, питаемой переменным напряжением.

3.4. Определение параметров кинетики фоторезистора при нестационарном оптическом возбуждении.

ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНЫХ ИСКАЖЕНИЙ, ВНОСИМЫХ ФОТОРЕЗИСТОРОМ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ, В РЕГИСТРИРУЕМЫЙ НЕСТАЦИОНАРНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ СИГНАЛ

4.1 Исследование фоторезистивных структур с глубокими уровнями при нестационарном освещении.

4.2 Исследование явления оптической памяти.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Функциональные оптические и электрические свойства фоторезисторных структур»

Фоторезисторные структуры - один из основных элементов оптоэлектроники, находят широкое применение в современных системах обработки оптической информации. В таких системах полупроводниковый фотоприемник в основном выполняет функции, связанные с преобразованием оптического сигнала в электрический, обеспечивая идеальную гальваническую развязку [1]. Дальнейшие операции, связанные с обработкой сигнала, выполняет электроника. В конце семидесятых годов возникла идея использовать динамические неоднородности, в частности неравновесные фотовозбужденные носители заряда, в процессах обработки и хранения информации, а также физические принципы интеграции не только числа элементов, но и числа функций, выполняемых микроэлектронным прибором [2, И]. Пионерские работы в этой области принадлежат Гуляеву Ю.В., Валиеву К.А., Стафееву В.И., Федотову Я.А., Сретенскому В.Н., Пустовойту В.И., Носову Ю.Р. и другим отечественным ученым и их школам. Изучение свойств и характеристик динамических неоднородностей как носителей информационного сигнала, основных физических процессов и принципов I* обработки и хранения информационных массивов с помощью динамических неоднородностей, разработка приборов и устройств являются основополагающими в процессе формирования нового направления в микроэлектронике - функциональной электроники [11]. Совмещение в фоторезисторных структурах функций регистрации, обработки и хранения оптической информации приведет к резкому упрощению конструкции и расширению функциональных возможностей оптоэлектронных систем.

Основные операции, которые совершают с электрическим сигналом электронные устройства, связаны с процессом умножения (различные виды модуляции, детектирование и др.). Эти операцию может выполнять фоторезистор, перемножая оптический сигнал, преобразованный в изменение проводимости, и электрический сигнал в виде напряжения [67]. Поэтому изучение возможных функций фоторезистора, связанных с операциями умножения, позволит расширить функциональные возможности оптоэлектронных систем. Качество обработки информации различными системами определяет коэффициент нелинейных искажений. Нелинейные искажения, вносимые фоторезистором в преобразованный оптический сигнал, в основном обусловлены нелинейной кинетикой. Несмотря на большое количество работ, посвященных фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках, этот важный вопрос остается не изученным [2-4]. Конкретные механизмы генерационно-рекомбинационных процессов ** разнообразны и сложны. К сожалению, в работах, посвященных этим вопросам, имеют место некорректности, а зачастую прямые ошибки, связанные с тем, что сама рекомбинация зачастую описывается некорректными выражениями [7].

Исследования кинетики неравновесных процессов в полупроводниковой плазме при оптическом возбуждении широко используется для определения параметров кинетики. Внешние поля влияют не только на коллективные эффекты в этих средах, но могут изменять характер взаимодействия частиц [8], что при нестационарном напряжении и освещении значительно расширяет Ь возможности определения параметров кинетики фотопроводимости.

Дополнительные возможности оптической обработки сигналов появляются при использовании фотоприемников с зарядовой связью в режиме временной задержки и накопления [12]. Поэтому изучение явления оптической памяти, которые можно реализовать на планарных фоточувствительных МДПДМ структурах на основе мелкодисперсных люминофоров А2В6 представляет интерес как в научном так и в практическом плане.

Из вышеизложенного вытекает актуальность темы, связанной с щ. изучением функциональных оптических и электрических свойств фоторезисторных структур. Исследования влияния нелинейных искажений обусловленных кинетикой рекомбинации неравновесных носителей на ц- качество обработки оптической информации такими структурами. Создание и исследование элементов оптической памяти на основе фоточувствительных порошковых МДПДМ структур.

Цель работы. Расширение функциональных возможностей фоторезисторных структур, связанных с совмещением приема и обработки оптической информации в фотоприемном устройстве. Исследование влияния кинетики межзонной, примесной рекомбинации на коэффициент нелинейных искажений регистрируемого сигнала. Исследование эффектов памяти фоточувствительных МДПДМ структур. Разработка устройств, которые реализуют перечисленные функциональные свойства.

В первой главе проведен анализ литературных данных по функциональным свойствам фоторезисторных структур. Рассмотрены различные виды кинетических процессов, протекающих в полупроводниках под действием оптического возбуждения, методы определения параметров кинетики. Дан краткий обзор основных работ, в которых описаны процессы прохождения переменного тока через полупроводник. Приведены теоретические описания и экспериментальные данные процессов рекомбинации К, в полупроводниках при нестационарном возбуждении.

Во второй главе даны описание и блок схема экспериментальной установки, методы изготовления образцов для исследований, методики измерения кинетических параметров процессов рекомбинации. Представлены конструкции, которые реализуют ряд функциональных свойств фоторезисторов, связанных с операцией умножения (амплитудный модулятор, анализатор спектра), проведен анализ их достоинств и недостатков. Рассмотрены методы определения коэффициента нелинейных искажений.

Третья глава посвящена теоретическим и экспериментальным + исследованиям функциональных свойств фоторезистора, связанных с операцией умножения в случае межзонной рекомбинации. Рассмотрена задача определения вида кинетики по исследованию среднего значения фототока в ц случае динамического освещения фоторезистора. Модель квадратичной рекомбинации проверялась на фоторезисторах на основе кремния марки БНЛ-1 с графитовыми контактами. Для случая линейной аппроксимации кинетики нарастания и затухания фотопроводимости с различной скоростью рекомбинации - на основе CdS легированного бором путем ионной бомбардировки (Е=100кэВ).

В четвертой главе предлагаются математические модели, позволяющие рассчитать коэффициент нелинейных искажений, фазу и переменную составляющую фотопроводимости при нестационаром возбуждении фоторезистора с глубокими примесными центрами. Учтена перезарядка донорных и акцепторных центров и рекомбинация на них. За основу анализа влияния рекомбинационных каналов на нелинейные искажения в фоторезистивных структурах выбрано численное моделирование. Исследован фоторезисторный эффект ряда электролюминофоров. Обнаружено явление оптической памяти, которая реализуется в щелевых планарных структурах на основе широкозонных люминофоров ZnS. Показано, что создание оптической ячейки памяти возможно на основе порошковых люминофоров люминесценция которых сопровождается изменением проводимости. Г

В заключении по результатам исследований сформулированы краткие выводы по результатам исследований, проделанных в работе. В конце диссертации приведен список цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Беглов, Владимир Иванович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные исследования функциональных оптических и электрических свойств фоторезисторных структур позволяют сделать следующие выводы:

1. Показано, что фоторезистор является многофункциональным устройством, совмещающим в себе функции приема и обработки оптического сигнала связанной с операцией умножения.

2. Предложены конструкции радиоэлектронных устройств на основе резисторных оптопар, выполняющих функции транзисторной электроники (передатчик с AM модуляцией, фазовый модулятор).

3. Впервые исследовано влияние вида кинетики на коэффициент нелинейных искажений, вносимых фоторезистором. Получены соотношения для расчета коэффициента нелинейных искажений, вносимых фоторезистором в случае квадратичной рекомбинации. Предложены методы расчета коэффициента нелинейных искажений в случае примесной фотопроводимости.

4. Разработаны новые методы исследования кинетики фотопроводимости, основанные на измерениях среднего значения фототока при различных видах нестационарного освещения. Получены аналитические соотношения, позволяющие определять кинетические параметры по измерениям среднего значения фототока при различных видах модуляции светового потока (гармоническая модуляция, модуляция типа «пила» и меандра).

5. Разработан метод анализа спектрального состава фототока на выходе фоторезистора.

6. Обнаружено явление оптической памяти, которая реализуется в щелевых планарных структурах на основе широкозонных люминофоров ZnS.

7. Показано, что создание оптической ячейки памяти возможно на основе порошковых люминофоров, люминесценция которых сопровождается изменением проводимости.

В заключении считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность за предложенную тему, постоянное внимание и помощь в работе над диссертацией моим научным руководителям: кандидату физико-математических наук, доценту Денисову Борису Николаевичу и доктору физико-математических наук, профессору Горюнову Владимиру Александровичу.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Беглов, Владимир Иванович, 2004 год

1. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника, М: Радио и связьД979. -366С.

2. Щука А.А. Процессоры и ЗУ в функциональной электронике. //Обзоры по электронной технике. М.: ЦНИИ "Электроника", 1991.-сер.9 вып. 1(1620) 40 С.

3. Гусев О.Б., Кулаков С.В., Разживин Б.П., Тигин Д.В. Оптическая обработка сигналов в реальном времени. М.: Радио и связь, 1989,-136С.

4. Мартынов В.Н., Кольцов Г.И. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мисис, 1999,- 400 С.

5. Беглов В.И., Бибанина Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н. Метод разделения сложных спектров электролюминесценции. // Полупроводниковые и газоразрядные приборы.- №1.-2003. С. 68 -72.В.И.

6. Зуев В.А., Попов В.Г. Фотоэлектрические МДП -приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.

7. Воловичев И. Н., Гуревич Ю. Г. , Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках.//Физика и техника полупроводников.-2001- Т. 35, вып. З.-С.321-329.

8. Амиров Р.Х., Гусятников В.Н. Динамическое влияние постоянного электрического поля на кинетику фотонов, взаимодействующих с электронами полупроводника.//Физика и техника полупроводников.-2001- Т. 35, вып. 5.- С.528-532.

9. Саченко А.В., Снитко О.В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наукова думка, 1984, -232С.

10. Войцеховский А.В., Давыдов В.Н. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. Томск: Радио и связь, 1990, -327С

11. Щука А.А. Функциональная электроника. М: МИРЭ, 1998.-235С.

12. Федотов Я. А., Щука А. А. Альтернативы развития микроэлектроники.// Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. М.: Радио и связь, 1989, - вып. 10. С.22-41.

13. Зуев В.А., Попов В.Г. Фотоэлектрические МДП -приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.

14. Yairi М. В., Coldren С, W., Miller D. А. В., Harris J. S. (Jr).High-speed, optically controlled surface-normal optical switch based on diffusive conduction / / Appl. Phys. Lett.- 1999.- Vol.75, № 5.-C. 597-599.

15. Khanifar A., Green R. J. Photoparametric amplifiers for subscarriermultiplexed communication systems. // IEE Proc. Optoelectron.- 1999 Vol.146, № 5- C. 223-225.

16. Муравский B.C., Рубцов Г.П., Григорьян JI.P., Куликов O.H. Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе. //Журнал Радиоэлектроники.-2000,-С.1-16.

17. Каражанов С. Ж. Свойства точно компенсированных полупроводников.//ФТП.-2000.-Т.34,вып.8.-С.909-916.

18. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники .//Труды Седьмой международной научно-технической конференции, Таганрог, 2000.- 200 С.

19. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф.О временах установления поляризации в полупроводниках.//ФТП.- 1969.- Т.З, вып. 1.-С58-62.

20. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Дахновец В.Т. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации в электролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91-95.

21. Зюганов А.Н., Свечников Е.В. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. Киев: Наукова Думка, 1981-256С.

22. Губанов А. И. Теория выпрямляющего действия полупроводниковМ:Гостехиздат, 1950.-304С.

23. Lampert М. A., Simplifild theory of spase-charge-limeited currentsin an insulator whith traps. //Phys. Rev.,-1956, 103, №6, P. 1648-1656.

24. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник.-Киев: Наукова Думка, 1974-264С.

25. Shockley W.,Prim R.C. Space-charge limited currents in solids. //Phys. Rev., 1953, 90, №5, p.753-758.

26. Беглов В.И., Бибанина E.M., Денисов Б.Н., Горюнов В.А. МДПДМ структура на основе порошковых люминофоров. // Учебный эксперимент в высшей школе. 2002, №1. С. 16 -18.

27. Бланк Г.В., Гольберг Ю.А. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра //ФТП,2003 ,Т.37.-вып.9.-С 1025-1053.

28. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотополупроводниках.Киев: Наукова Думка, 1981-264С.

29. Сурис Р.А., Фукс Б.И. Особенности высокочастотного импенданса компенсированных полупроводников.// ФТП, 1978-Т.9, вып.2.-С.399-402.

30. Сурис Р.А., Фукс Б.И. Импенданс образца из компенсированного материала при возбуждении волны пространственной перезарядки. // ФТП, 1975-Т.9, вып.9.-С.1717-1728.

31. Галкин Г.Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения.// Труды ФИАН, 1981-Т.128.-С.З-64.

32. Касанмалы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Наведенный фотоплеохроизм в полупроводниках. //ФТП, 1999-Т.ЗЗ,вып.5.-С513-536.

33. Куликов В.В. Ток проводимости в структурах металл-диэлектрик металл.//ЖТФ,2004,-Т.74, вып. 10.-С. 122-127.

34. Бондаренко О.С., Лысак Т.М.,Трофимов В.А.Оптическая бистабильность и неустойчивость в полупроводнике при температурной зависимости времени релаксации свободных носителей заряда и их равновесной концентрации.// ФТП, 2000-Т.34,вып.9.-С. 1073-1085.

35. Негуляев Н.Н., Зайцев С.Н., Грачев Е.А. Влияние термоэлектретного эффекта на разрядку облученного электронным пучком диэлектрика. // Вестник МГУ, серия 3. Физика и Астрономия , 2004, №2-С.45-53.

36. Нолле Э.Л. Экситоны в полупроводниковых кристаллах при больших уровнях возбуждения.// Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева /Рекомбинационные процессы при высоких уровнях возбуждения.М: 1981,-Т.128-С.65-102.

37. Нолле Э.Л. Задержка люминесценции и определение безизлучательных времен релаксации.// Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева.М:1973,-Т.68-С.232-238.

38. Беглов В.И., Бибанина Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н.,Никишин Е.В. Фоторезистор как многофункциональный элемент оптоэлектроники. .//Учебный эксперимент в высшей школе.2004, № 2.-С.29 -36.

39. Лепнев Л.С., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности их заполнения.// Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева /Люминесценция кристаллов. М.:С

40. Проблемы современной физики./под ред. Бонч-Бруевича. М: Иностр. лит.,1957.-С.5-73.

41. Излучательная рекомбинация в полупроводниках./.Под. ред. Покровского Я.Е. М: Наука, 1972, С. 124.

42. Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. Новосибирск: Наука, 1967, 137С.

43. Самохвалов М.К. Вольт- яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур.//ЖТФ. -1996.-Т.66, вып. 10.-С. 139.

44. Самохвалов М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением. //Письма в )KTO.-1997.-T.23.-N6.-C.l-4.

45. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик. М.: Энергия, 1976.- 184С.

46. Ковтонюк Н.Ф., Морозов В.А., Абрамов А.А. и др. Фотоваракторный эффект структур металл -диэлектрик -полупроводник -диэлектрик -металл. //Радиотехника и электроника, 1973.-Т. 18.- №5.-С. 1019-1023.

47. Бибанина Е.Н. Емкостные и электролюминисцентные свойствапланарных структур на основе порошковых люминофоров. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико математических наук. Саранск, 2000, 18С.

48. Бибанина Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-М.:2000.-9С. Деп. в ВИНИТИ, от 28.02.2000, №523-В00.

49. Вавилов B.C., Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Экранирование порогового поля в кристаллах ZnS при освещении.//ФТП.- 1970. -Т.4, вып.6.- С.1176-1177.

50. Думаревский Ю.Д., Ковтонюк Н.Ф., Савин А.И. Преобразование изображений в структурах полупроводник-диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176С.

51. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Дахновец В.Т. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации в электролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91

52. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Зависимость энергии излучения поляризационной электролюминесценции от поля.// ФТП-1968.- Т.2.- вып. 12.-С. 1752-1757.

53. Сальман Е.Г. , Вертопрахов В.Н. Термостимулированные методы исследования фотопроводящих материалов.-Деп. ВИНИТИ №349771,1971.- 27 С.

54. Антонов-Романовский В.В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.1.//Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963 .-С.207-223.

55. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. -176С.

56. Sakai К., Ikoma Т. Deep levels in gallium arsenide by capacitance methods.// Appl.Phys, 1974. Vol.5. №2. P.165-171.

57. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.- 176С.

58. Быстров Ю.А. Оптоэлектронные приборы и устройства. М: Радиософт, 2001-236С.

59. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника, М: Радио и связь,1989. -366С.

60. Итоги науки и техники./Электроника,М: Радио и связь, 1989.-366С.

61. Быстров Ю.А. Оптоэлектронные приборы и устройства. М: Радиософт, 2001-236С.

62. Беглов В.И., Денисов Б.Н., Бибанина Е.М. Фазовый модулятор. // Патент 36069, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02, 2004г.

63. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М: Иностр. Лит.Д962-420С.

64. Денисов Б.Н., Гришаев В.Я, Корочков. Ю.А., Применение фоторезисторов с питанием переменным напряжением для гармонического анализа оптических сигналов.//Учебный эксперимент в высшей школе. 1998, № 5.-С.60-62.

65. Беглов В.И., Денисов Б.Н., Нищев К.Н., Турышев В.Н. Передатчик с амплитудной модуляцией. // Патент 39240, Россия, МПК-7 Н 03 С 5/02, 2004г.

66. Баскаков С.И. Радиотехнические цепи и сигналы. М: Высшая школа,2000-462С.

67. Шахгильдян В.В. и др. Радиопередающие устройства. М: Радио и связь, 1996

68. Астайкин А.И., Смирнов М.К. Основы оптоэлектроники. Саров,2001-239С.

69. Смирнов В.И. Курс Высшей математики, Т.2,М: Физ.мат.,1958-628С.

70. Шалимова Н.В. Физика полупроводников. М: Энергия, 1977-312С.76.0решкин Физика полупроводников и диэлектриков. М: Высшаяшкола, 1997-448С.

71. Горбачев В.В., Синицина Л.Г. Физика полупроводников и металлов. М: Металлургия, 1976-368С.

72. Смит Р. Полупроводники. М: Мир, 1982-560С.

73. Денисов Б.Н., Никишин Е.В. Расчет установившегося процесса в линейных системах при периодическом возбуждении.// Математическое моделирование, 1995- Т.7-С.51.

74. Щука А.А. Электроника четвертого поколения функциональная электроника - Инженерная микроэлектроника. -1999.-вып.4.-С.1-5.

75. Свечников С.В. Элеиенты оптоэлектроники. М: Сов.радио,1971.-144С.

76. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М: Мир, 1980.-С.208С.

77. Downey P.M., Martin R.J. //Appl. Phys. Lett., 1985, Vol.46.-№4.-P.396-398.

78. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов./ Под. Ред. Р. Дж. Киса, М: Радио и связь, 1985-326С.

79. Rogalski A. Infrared photon detectors. Bellingheim, Washington. USA: SPIE Optical Engineering Press, 1995-644P.

80. Холоднов B.A., Дугова A.A. О подавлении эффекта насыщения усиления в пороговых собственных фоторезисторах.// Письма в ЖТФ,1997-Т.23.-№2-С.80-87.

81. Денисов Б.Н., Королев А.П. Расчет установившегося процесса в линейных системах.//Мат. Моделирование, 1995.-Т.7, .-№5-С.70.

82. Багочюнайте Р.,Скучас Ю., Снечкус В., Шимулите Е.// Литовский физический сборник, 1969.-Т.9-№6-С.1103-1105.

83. Банис Т.Я. Исследования постоянной электродвижущей силы, возникающей в полупроводнике в сильном переменном электрическом поле.// Литовский физический сборник, 1996.-Т.6-№3-С.415-425.

84. Родерик Э.Х. Контакты металл- полупроводник. М:Радио и связь, 1982-208С.

85. Денисов Б.Н., Никишин Е.В., Королев А.П., К расчету переходных процессов при импульсном возбуждении, описываемых дифференциальным уравнением целого порядка. //Мат. моделирование, 1995-Т.7.-№5-С.51

86. Денисов Б.Н., Королев А.П. Расчет установившегося процесса в линейных системах при периодическом возбуждении //Мат. моделирование, 1995-Т.7.-№5-С.50

87. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.М:1. ИИЛД 973-416С.

88. Беглов В.И., Денисов Б.Н., Бибанина Е.М. Планарная щелевая

89. МДПДМ структура на основе порошковых люминофоров как элемент оптической памяти. // Материалы нано- микро- и оптоэлектроники:физические свойства и применение: сб. тр. 3-ой межрегион, науч. шк. для студ. и аспирантов,. г. Саранск, 2004. - С.117.

90. Ковтонюк Н.Ф., Сальников Е.Н. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразователей изображений. М.:Радио и связь, 1990.-160С.

91. Харкевич А. А. Основы радиотехники. М: Связьиздат,1963-382С.