Емкостные и электролюминесцентные свойства планарных структур на основе порошковых люминофоров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат физико-математических наук Бибанина, Елена Михайловна

• Бибанина, Елена Михайловна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Бибанина, Елена Михайловна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Современные механизмы поляризационной электролюминесценции. Явление самоэкранирования.

1.2. Математические модели кинетики свечения электролюминесцентных конденсаторов при возбуждении прямоугольными импульсами напряжения.

1.3. Емкостные свойства электролюминесцентного конденсатора с изолированными от поля электродами.

1.4. Виды электролюминесцентных излучательных структур.

1.5. Электрические свойства электролюминесцентного конденсатора. Механизмы выпрямления.

1.6. Термоактивационные методы исследования центров захвата в широкозонных полупроводниках.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Установка для исследования оптических и электрических свойств структур на основе порошковых люминофоров.

2.2. Особенности изготовления электролюминесцентных структур.

2.3. Методика исследования порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ СВЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ УНИПОЛЯРНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ НАПРЯЖЕНИЯ.

3.1 .Исследование процессов скорости генерации свободных носителей полем при возбуждении электролюминесцентного конденсатора униполярными импульсами напряжения.

3.2.Исследование кинетики свечения электролюминесцентного конденсатора при возбуждении униполярными прямоугольными импульсами напряжения.

3.3. О причинах различия энергии вспышек свечения при включении и выключении импульсов напряжения.

3.4.Эффект выпрямления тока электролюминесцентным конденсатором с поляризационным механизмом свечения.

3.5.Метод разделения сложных спектров.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Емкостные и электролюминесцентные свойства планарных структур на основе порошковых люминофоров»

Порошковые люминофоры и электролюминесцентные структуры, на основе которых они изготавливаются, находят широкое применение для создания современных систем отображения и обработки информации (матричные экраны, кинескопы, запоминающие системы и т.д.) [1-5].

Характеристики устройств отображения информации на основе электролюминесцентных структур не уступают, а в ряде случаев превосходят (размер, контраст) приборы других типов. Разнообразие форм, форматов, высокая равномерность изображения, большой угол наблюдения обеспечивают высокую конкурентность даже тонкопленочным излучателям.

Качество и эффективность этих устройств определяется люминофорами, которые преобразуют различные виды энергии в видимое излучение. Свойства люминофоров в основном зависят от примесей, которые вводят специально для изменения спектра излучения. В процессе изготовления кристаллофосфоров образуются центры захвата, значительно снижающие квантовый выход излучения и быстродействие устройств. Большинство электролюминесцентных излучателей для систем отображения создаются на основе структур с изолированными электродами типа металл -диэлектрик-полупроводник- диэлектрик- металл (МДПДМ). Впервые теоретическое рассмотрение поляризационной люминесценции (эффекта Дестрио) на таких структурах было проведено в 70-х годах в работах Г.М. Гуро и Н.Ф. Ковтонюка [6], которые позволили проводить количественные расчеты и делать оценки эффективности и квантового выхода свечения. МДПДМ

-2 с структуры на основе высокоомных кристаллов кремния, соединений А В , А2В6 нашли широкое применение для создания систем оптоэлектроники (фотоваракторы, устройств оптической памяти, преобразователи и усилители изображения, систем обработки оптической информации). Физические принципы создания этих устройств основаны на переходных электронных процессах в высокоомных полупроводниках [2,7,8]. При приложении к структуре напряжения равновесные носители зарядов отводятся полем из объема полупроводника, что приводит к возникновению переходного процесса, позволяющего, например, проводить обработку информации в реальном режиме времени. С переходными процессами связано резкое изменение емкости, общего сопротивления структуры, приводящей к высокой чувствительности к свету [2,6].

МДПДМ структуры на основе порошковых люминофоров, к которым относится электролюминесцентный конденсатор, работающий на эффекте Дестрио, имеет особенности возникновения переходных электронных процессов. Они обусловлены, во-первых, тем, что в качестве полупроводника выступает порошок люминофора, во-вторых, с большими полями, приводящими к ионизации центров свечения и образованию свободных носителей.

Согласно современным представлениям механизм электролюминесценции в таких системах связан с поляризационными явлениями, обусловленными смещением свободных носителей к границам полупроводник-диэлектрик под действием поля и эффектами самоэкранирования, приводящих к установлению квазистационарного режима полевой генерации [8]. Физические механизмы, приводящие к возникновению такого режима, а также связь скорости генерации со скоростью изменения напряжения, определяющих эффективность электролюминесценции, остаются в настоящее время не выясненными. Одной из причин, которая не дает возможность качественно и тем более количественно проводить исследования поляризационной электролюминесценции, являются устаревшие технологии изготовления порошковых электролюминесцентных структур типа МДПДМ. Они не позволяют получать идентичные структуры, что резко снижает повторяемость экспериментальных результатов исследования. Кроме того, наличие связующего в слое люминофора затрудняет исследование электрических свойств и кинетики процессов поляризации, связанной со свободными носителями.

Из этого вытекает актуальность темы по созданию новых структур на основе порошковых люминофоров, исследованию их емкостных и электролюминесцентных свойств для изучения механизмов ПЭЛ и разработке на их основе дополнительных методов контроля за качеством люминофоров.

Целью работы являлось исследование механизмов поляризационной люминесценции, процессов полевой ионизации центров свечения, разработка новых методик исследования центров локализаций свободных носителей в порошковых люминофорах, а также создание новых конструкций ЭЛК на основе порошковых люминофоров, обеспечивающих повышение точности измерений.

Первая глава является обзорной и посвящена рассмотрению теории поляризационной люминесценции. В ней дан краткий анализ современных механизмов электролюминесценции, связанной с поляризационными явлениями и эффектами самоэкранирования, приводящих к установлению квазистационарного режима полевой генерации. Проведен анализ работ и описаны основные математические модели, посвященных кинетики поляризационной электролюминесценции. Рассмотрены виды электролюминесцентных излучателей, а также электрические и емкостные свойства электро люминесцентных конденсаторов. Описаны основные механизмы выпрямления, возникающие при прохождении тока через ЭЛК. Дан краткий обзор термоактивационных методов исследования, применяемых при исследовании центров захвата порошковых люминофоров.

Во второй главе представлено описание и блок схема установки, на базе которой проводились исследования оптических, электрических, емкостных свойств структур, спектров излучения и кинетических процессов свечения. Впервые изложены особенности изготовления планарных электролюминесцентных конденсаторов. Описана методика исследования порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости.

Третья глава посвящена исследованию кинетики процессов свечения при возбуждении электролюминесцентного конденсатора прямоугольными однополярными импульсами напряжения. На основе проведенных исследований показано, что скорость генерации свободных носителей пропорциональна скорости изменения внешнего напряжения при любом законе изменения напряжения. В результате анализа гармоник в модулированном свечении ЭЛК предложен механизм выпрямления тока. На основе исследования частотной зависимости переменной составляющей свечения ЭЛК предложен способ разделения сложных спектров на элементарные полосы.

В четвертой главе получена математическая модель и способ определения глубины центров захвата в порошковых люминофорах методом термостимулированной емкости. С помощью предложенной методики проведено исследование центров захвата различных люминофоров и обнаружены уровни локализации, не определяемые методами термовысвечивания. Впервые с помощью емкостного метода изучены явления перераспределения зарядов по уровням локализации и на основе этих измерений построена зонная схема исследованных люминофоров. Получено выражение, позволяющее рассчитывать коэффициенты перекрытия емкости МДПДМ структур на основе порошковых люминофоров.

В заключении сформулированы краткие выводы по результатам исследований, проделанных в работе. В конце диссертации приведен список цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Бибанина, Елена Михайловна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные исследования порошковых люминофоров на базе планарной структуры электролюминесцентного конденсатора позволяют сделать следующие выводы:

1. Предложен планарный ЭЛК без связующего на основе порошковых люминофоров, позволяющий повысить точность, повторяемость экспериментальных результатов исследования ЭЛ и применять емкостные методы исследования для определения параметров порошковых люминофоров.

2. На основе экспериментальных исследований кинетики свечения электролюминофоров при возбуждении униполярными импульсами напряжения показано, что скорость генерации свободных носителей в ЭЛК с поляризационным механизмом свечения пропорциональна скорости изменения напряжения на структуре при любом законе изменения напряжения. Обнаруженная закономерность позволяет строить математические модели ЭЛ и исследовать эффективность в зависимости от закона изменения подаваемого напряжения, определять соотношение между скоростью генерации и скоростью выноса носителей полем из объема кристалла. В рамках предложенной модели скорости генерации получено выражение, описывающее кинетику свечения ЭЛК при возбуждении однополярными прямоугольными импульсами напряжения.

3. Проведен анализ состава гармоник волн яркости ЭЛК. На основе полученных результатов предложена математическая модель явления выпрямления тока, возникающего в ЭЛК с поляризационным механизмом люминесценции.

4. Проведено исследование зависимости спектральной плотности излучения ЭЖ от частоты приложенного напряжения. Предложена новая методика разделения сложных спектров ЭЛ на элементарные полосы.

5. Разработан емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров. Получена математическая модель емкостных свойств порошкового планарного ЭЛК без связующего.

6. Впервые параллельно методами ТВ и ТСЕ исследованы ряд электро- , фото- и котодолюминофоров. Определены энергетические глубины залегания центров захвата. В люминофорах ЭЛ-515, ЭЛ-525 и КО-5ЭО обнаружены глубокие центры захвата (более 0,78эВ), которые из-за температурного тушения не проявляются при термовысвечивании.

7. Впервые методом ТСЕ на порошковых люминофорах проведено исследование явления переселения носителей зарядов с одних мест локализаций на другие. Обнаружено, что в люминофоре 2п8-1п переселение носителей между центрами локализаций осуществляется без перехода в зону проводимости.

8. Проведен анализ зонной схемы люминофоров по измерениям ТВ, ТСЕ и явления перезарядки примесных центров. По результатам исследований уточнена зонная схема люминофора 2п8-1п.

120

В заключении считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность за предложенную тему, постоянное внимание и помощь в работе над диссертацией моим научным руководителям: кандидату физико-математических наук, доценту Денисову Борису Николаевичу и доктору физико-математических наук, профессору Горюнову Владимиру Александровичу.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Бибанина, Елена Михайловна, 2000 год

1. Электролюминесцентные источники света./Под ред. И.К. Верещагина. М.:Энергоатомиздат, 1990. -168С.

2. Ковтонюк Н.Ф., Сальников E.H. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразователей изображений. М.:Радио и связь, 1990.-160С.

3. Кустов В.Л. Плоские информационные экраны. Полимерные электролюминесцентные дисплеи сделали заявку на успех в XXI в.// Электронная промышленность, 1997.-№2.-С.31-43.

4. Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. Многоцветный источник света на основе сульфида цинка.//ЖТФ, 1997.-Т.67.-№1 O.C.I 32-133.Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1971.-370С.

5. Зуев В.А., Попов В.Г. Фотоэлектрические МДП -приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.

6. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции.I.Чистые кристаллы.//ФТП. 1968.Т.2. В.З.СЗОО.

7. Думаревский Ю.Д., Ковтонюк Н.Ф., Савин А.И. Преобразование изображений в структурах полупроводник-диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176С.

8. Самохвалов М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением. //Письма в ЖТФ.- 1997.-Т.23.-N6.-С.1-4.

9. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1971. 370С.

10. Фок М.В. Свойства электролюминесценции как проявление отклонения системы от термодинамического равновесия.// Труды

11. ФИАН» им. П.Н. Лебедева/Люминесценция кристаллов. М.:Наука,1983. -T.138.-C.3-25.

12. Прикладная электролюминесценция./Под ред. М.В. Фока. М.: Советское радио, 1974.-416С.

13. Хениш Г. Электролюминесценция. М.: Мир, 1964.- 456С.

14. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции. И. Кристаллы с примесями.//ФТП.-1969.-Т.З, вып.5.-С636-642.

15. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф.О временах установления поляризации в полупроводниках.//ФТП.- 1969.- Т.З, вып.1.-С58-62.

16. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Дахновец В.Т. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации в электролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91 -95.

17. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Зависимость яркости поляризационной электролюминесценции от напряжения в монокристаллах ZnS.// ФТП.-1969.-Т.З, вып.10.- С.1569-1570.

18. Самохвалов М.К. Исследование свойств цинк- сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах.// ЖПС.-1995.-Т.62, вып.З.-С.182.

19. Самохвалов М.К. Вольт- яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур.//ЖТФ. -1996.-Т.66, вып. 10.-С. 139.

20. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: высшая школа, 1971.-336С.

21. Антонов -Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966.- 324С.

22. Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. М.-Л.: Гостехиздат, 1951. -350С.

23. Фок M.B. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. -284С.

24. Степанов Б.И., Грибковский В.П. Введение в теорию люминесценции. Минск: Изв. АН СССР, 1963.-444С.

25. Степанов Б.И. Введение в современную оптику: Поглощение и испускание света квантовыми системами. Минск, 1991.- 479С.

26. Верещагин И.К. Кинетика электролюминесценции ZnSV/ЖПС, 1998.-Т.65.-№1.-С. 140-142.

27. Львова Е.Ю. Кинетика эффекта Дестрио. //Электролюминесценция/ Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева. М.:Наука,1970.-Т.50.-С.З-26.

28. Электролюминесценция твердых тел. Труды III совещания по электролюминесценции. Киев.: Наукова Думка, 1971.-320С.

29. Деркач В.П., Корсунский В.М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304С.

30. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Зависимость энергии излучения поляризационной электролюминесценции от поля.// ФТП-1968.- Т.2.- вып. 12.-С. 1752-1757.

31. Турин Н.Г., Сабитов О.Ю., Бригаднов И.Ю. Пленочные электролюминесцентные излучатели на шероховатых подложках./ЛТисьма в ЖТФ, 1997.-Т.23.-№15.-С.7-12.

32. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик. М.: Энергия, 1976.-184С.

33. Вавилов B.C., Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Экранирование порогового поля в кристаллах ZnS при освещении.//ФТП.- 1970. -Т.4, вып.6.- С.1176-1177.

34. Ковтонюк Н.Ф., Морозов В.А., Абрамов A.A. и др. Фотоваракторный эффект структур металл -диэлектрик -полупроводник -диэлектрик -металл. //Радиотехника и электроника, 1973.-Т.18.- №5.-С.1019-1023.

35. Берман JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. JL: Наука, 1972. -104С.

36. Серегин C.JI., Полян P.A. Гибкий электролюминесцентный источник света.//Патент 20006878 Россия, МКИ Н 05В 3/26/,№4931861/25.

37. Полян P.A., Серегин C.JL, Кокин С.М. Гибкие источники света -электролюминесцентные излучатели нового типа//Электронная промышленность, 1993.-№11-12.-С.66-68.

38. Веревкин Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. JL: Наука, 1983. -С. 122.

39. Чукова Ю.П. Электрические и оптические свойства электролюминесцентных конденсаторов на основе ZnS-Cu.//Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева, 1966.- С. 149.

40. Фок М.В. Теория электролюминесцентных преобразователей изображения. М.: Советское радио, 1961.-52С.

41. Рябинов Е.Б., Самохвалов М.К. Выход электролюминесценции в различных условиях возбуждения тонкопленочных конденсаторов.// ЖПС,1992.-Т.56.-№5-6.-С.851-853.

42. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336С.

43. Марковский Л.Я., Пекерман Ф.М., Петошина Л.Н. Люминофоры. М.-Л.: Химия, 1966.-232С.

44. Жолкевич Г.А., Дудник В.П. Термолюминесцентный анализ ИК -электролюминесценции сублимированных пленок сернистого цинка. //Электролюминесценция твердых тел/Труды III совещания по электролюминесценции (Тарту, 1969г.), 1971.-С. 190-193.

45. Лепнев Л.С., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности их заполнения.// Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева /Люминесценция кристаллов. М.:Наука,1983. -Т.138.-С.135-156.

46. Антонов -Романовский B.B. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.1.//Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция,-1963 .-С.207-213.

47. Антонов -Романовский В.В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.П. //Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963 .-С.213-223.

48. Сальман Е.Г. , Вертопрахов В.Н. Термостимулированные методы исследования фотопроводящих материалов.-Деп. ВИНИТИ №349771,1971.- 27 С.

49. Гольдман А.Г., Жолкевич Г.А. Стимулированные токи и электролюминесценция. Киев: Наукова Думка, 1972.-200С.

50. Берсенев Б.В., Васюков А.Е., Жолкевич Г.А. Термостимулированная проводимость, люминесценция и емкость пленок ZnS:Cu,Cl с памятью проводимости. В кн.:Эффекты памяти и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках. Киев,1974. -С.14-15.

51. Берсенев Б.В., Васюков А.Е., Жолкевич Г.А. О тунельном механизме проводимости в электролюминесцентных пленках ZnS:Cu,Cl. В кн.: Вопросы физики электролюминесценции. Киев, 1975.-С. 132- 141.

52. Берман Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.- 176С.

53. Yau L.D., Chan W.W., Sah С.Т. Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at cobait centers in silikon.// Phys. Stat. Sol.(a). 1972. Vol.14. №2. P.655-662.

54. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир,1977.-562С.

55. Carballes J.C., Lebailly J. Trapping analysis in gallium arsenide.// SolidState Communs, 1968. Vol.6.№3.P. 167-171.

56. Buehler M.G. Impurity centers in p-n-junctions determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance response with heating rate.// Solid-State Electron, 1972. Vol. 15. №1. P.69-79.

57. Carballes J.C., Varon J., Ceva T. Capacitives methods of determination of the energy distribution of electron traps in semiconductors.// Solid- State Electron, 1971. Vol.9. №19. P.1627-1631.

58. Sah C.T., Chan W.W., Fu H.S. e.a. Thermally stimulated capacitance (TSCAP) in p-n-junctions.// Appl.Phys.Lett., 1972. Vol.20. №5. P. 193195.

59. Sakai K., Ikoma T. Deep levels in gallium arsenide by capacitance methods.//Appl.Phys, 1974. Vol.5. №2. P.165-171.

60. Sah C.T., Walker J.W. Thermally stimulated capacitance for shallow majority-carrier traps in the edge region of semiconductors junctions.// Appl.Phys.Lett., 1973. Vol.22. №8. P.384-385.

61. Sah C.T., Wang C.T. Experiments on the origin of processinduced recombination centers in silicon.//J. Appl.Phys., 1975. Vol.46. №4. P. 1767-1776.

62. Sakai K., Adachi I., Ikoma T. Thermally stimulated capacitance and thermally stimulated current in p-n- junction centers.// Japan J. Appl. Phys., 1973. Vol.12. №11. P.1816-1817.

63. Yau L.D., Sah C.T. Measurement of trapped-minoriti-carrier thermal emission rates from Au, Ag and Co traps in silikon.// Appl.Phys.Lett., 1972. Vol.21. №4. P.157-158.

64. Yau L.D., Smiley C.F., Sah C.T. Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at silver centers in silikon.// Phys. Stat. Sol.(a). 1972. Vol.13. №2. P.457-464.

65. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник./ Под ред. А.В. Ржанова. М.:Наука,1976. -280С.

66. Вуль А .Я., Дидейкин А.Т., Козырев C.B. Фотоприемники на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник.//Фотоприемники и фотопреобразователи./Сборник науч.трудов, 1986.-С.105-130.

67. Бибанина Е.М., Захряпин A.B., Иванов О.Ю. Устройство для демонстрации электролюминесценции. //Учебный эксперимент в высшей школе.- 1998.-№1.-С.22.

68. Бибанина Е.М. Применение метода термостимулированной емкости для исследования центров захвата в порошковых люминофорах.// Сборник научных трудов ученых МГУ им. Н.П. Огарева. Саранск, 1999.-С22.

69. Бибанина Е.М. Планарный электролюминесцентный конденсатор и его свойства.//Тез.док. молодых ученых МГУ им. Н.П. Огарева.- г. Саранск, 1999.-С.232-233.

70. Багинский A.M., Бабченко И.А., Горбань А.Н. и др. Электролюминесцентная матрица «щелевого» типа.// Вопросы физики электролюминесценции. /Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-С. 195-198.

71. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках.//ФТП, 1976.-Т.10-№2.- С.209-233.

72. Каталог./ Люминесцентные материалы и химические вещества. Черкассы: НИИТЭХИМ, 1983.

73. Информационный бюллетень №1-85. Действующая нормативно-техническая документация на люминофоры и особо чистые вещества. Ставрополь: ВНИИ люминофоров, 1985.

74. Трансформаторные измерительные мосты./Под ред. К.Б. Карандеева М, 1970.-250С.

75. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.-560С.76.3еегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, -1977.-616С.

76. Физика и химия соединений А2В6. /Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. -624С.

77. Фок М.В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева. //Люминесценция и нелинейная оптика./Труды ФИАН им. П.Н. Лебедева АН СССР. М.: Наука, 1972.-Т.59.- С.3-24.

78. Горюнов В.А., Гришаев В.Я., Денисов Б.Н. Методика разделения спектров свечения люминофоров.//Светотехника, 1992.-№3.-С.3-4.81 .Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. -176С.

79. Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев A.A. и др. Теория диэлектриков. М.-Л.: Энергия, 1965.-344С.

80. Акустические кристаллы. Справочник. / Под ред. М.П. Шаскольской М.: Наука, 1982.- 632С.

81. Кобяков И.В., Падо B.C. Исследование электрических и упругих свойств гексагонального сульфида цинка в интервале температур 1,5-ь300К//ФТТ.- 1967.-Т.9, вып.8.-С2173-2179.

82. Самохвалов М.К. Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением.// Письма в ЖТФ.-1994.-Т.20,вып.6.-С.67.

83. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергоиздат, 1982. -320С.

84. Горюнов В.А., Денисов Б.Н., Королев А.П., Никишин Е.В. Энергетический выход фотолюминесценции системы частиц с тремя уровнями энергии при периодическом импульсном возбуждении.// ЖПС, 1997.-Т.64.-№2.-С.269-272.

85. Вопросы физики электролюминесценции. //Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-274С.

86. Красников Н.И., Свечников C.B. Кинетика электролюминесценции сублиматфосфора ZnS-Mn при импульсном возбуждении.//ЖПС-1969. -Т. 10, вып.З.- С490-493.

87. Singh S. Thermally stimulated current curves in ZnS: Cu:Co photoconductor. // Indian J. Pure and Appl.Phys., 1974. Vol.l2,№3 -P.185-187.

88. Гольдман А.Г., Королько Б.Н., Степанченко Э.С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS -порошков полупроводников при 77°К.//Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№5. -С.1019-1021.

89. Патент 2075105 Россия, МКИ5 G 02F2/02. Преобразователь спектра оптического излучения./ Лавренко Л.М., Горюнов В.А., Денисов

90. Б.Н., Никишин Е.В., Гришаев В.Я.(Россия). Опубл. 10.03.97. Бюл.№7.-2С.

91. Верещагин И.К. Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции 2п8-Си.// Изв. Вузов. Физика, 1998.-Т.41.-№2,- С.89-92.

92. Фок М.В. Влияние частоты возбуждающего напряжения на спектры электролюминесценции кристаллов 2п8-Си.// ЖПС,1988.-Т.48.-№6.-С.1014-1016.

93. Бибанина Е.М. Эффект выпрямления тока в электролюминесцентном конденсаторе с поляризационным механизмом свечения.// Актуальные вопросы естественных и технических наук: Межвузовский сборник научных трудов Саранск, 2ООО.-СВМО-С.9.

94. Бибанина Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-М.:2000,-9С. Деп. в ВИНИТИ, от 28.02.2000, №523-В00.

95. Горюнов В.А., Левшин В.Л. Исследование перераспределения электронов по уровням захвата в возбужденных монокристаллах под действием инфракрасных лучей.//ЖПС, 1966.-Т.4,вып.З.-С.256-260.

96. Кокин С.М. Влияние характера распределения заряженной примеси в барьерных областях электролюминофоров на яркость их электролюминесценции.//Неорганические материалы, 1997.-Т.ЗЗ.-№2.-С. 169-171.

97. Верещагин И.К. Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции Ъо$>-Си.Н Изв. вузов. Физ.,1998.-Т.41.-№2.-С.89-92.