Микроскопика поверхности проводящих кристаллов в сильном электрическом поле тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, доктор физико-математических наук Голубев, Олег Лазаревич

• Голубев, Олег Лазаревич
• доктор физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Голубев, Олег Лазаревич

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ, МЕТОДИКА И ТЕХНИКА

ПОЛЕВОЙ ЭМИССИОННОЙ МИКРОСКОПИИ

§1. Полевые эмиссионные методы изучения поверхности

§2. Полевая эмиссионная микроскопия

2.1. Общий принцип действия полевых эмиссионных микроскопов

2.2. Автоэлектронная эмиссия и полевая электронная микроскопия

2.3. Полевая ионизация и полевая ионная микроскопия

2.4. Полевая десорбционная микроскопия

2.5. Полевое испарение и полевая испарительная микроскопия

§3. Приборы и техника эксперимента

3.1. Установка комбинированного полевого эмиссионного микроскопа

3.2. Полевой электронный микроскоп отпаянного типа

3.3. Технология изготовления острий

3.4. Технология изготовления источников адсорбата

3.5. Измерение температуры

3.5.1. Оптическая пирометрия

3.5.2. Измерение температуры по изменению сопротивления

3.5.3. Учет нагревающего действия источника адсорбата

3.6. Техника электрических измерений

3.7. Техника регистрации изображений

3.8. Усиление яркости изображений

§4. Методы экспериментального определения некоторых

физических величин

4.1. Определение работы выхода

4.2. Определение напряженности электрического поля

4.3. Определение радиуса кривизны острия

4.4. Индексация полевых эмиссионных изображений

4.5. Математическая обработка результатов

ГЛАВА II. ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОПОЛЕВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА

НЕОДНОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ

§1. Введение

§2. Обзор литературы

2.1. Взаимодействие атомов кремния с некоторыми переходными металлами

2.2. Адсорбция и конденсация никеля на вольфраме

2.3. Адсорбция и конденсация бериллия на вольфраме

2.4. Взаимодействие атомов углерода с вольфрамом

2.5. Выводы и постановка задачи

§3. Конденсация и кристаллический рост слоев кремния

на вольфраме и воздействие на них сильных

электрических полей и высоких температур

3.1. Введение

3.2. Монослойные покрытия кремния на вольфраме

и их роль в формировании структур конденсата

3.3. Термополевое воздействие на моноатомные слои кремния на вольфраме. Явление полевой реконструкции поверхности

3.4. Термополевое воздействие на «толстые» слои

кремния на вольфраме

3.5. Воздействие отбираемого эмиссионного тока на

слои кремния на вольфраме

§4. Взаимодействие атомов кремния с иридием при

термополевом воздействии

§5. Влияние атомов кремния на теромоплевые

формоизменения рения

§6. Влияние бериллия на термополевые

формоизменения вольфрама

§7. Термополевые формоизменения слоев никеля

на вольфраме

§8. Изучение полевого испарения карбидов вольфрама

8.1. Введение

8.2. Карбид, ориентированный гранью {0001}

8.3. Карбид, ориентированный гранью {1120}

8.4. Структура «ребристого кристалла»

8.5. Попытки получения упорядоченного полевого

ионного изображения поверхности карбида

8.6. Определение испаряющих полей для карбидов

8.7. О характере процесса полевого испарения карбидов и механизм испарения примесных атомов

с большими потенциалами ионизации

§9. Изучение процесса полевого испарения некоторых

материалов ВТСП

9.1. Введение

9.2. Определение работы выхода монокристаллов ВТСП

9.3. Оценка энергий связи в решетке ВТСП-монокристалла, механизм полевого испарения подобных соединений

§10. Выводы

ГЛАВА III ИЗУЧЕНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО

ПОЛЕВОГО ИСПАРЕНИЯ МЕТАЛЛОВ

§1. Введение

§2. Обзор литературы

2.1. Изучение полевого испарения металлов при высоких температурах

2.2. Выводы и постановка задачи

§3. Полевое испарение иридия и платины при высоких

температурах

3.1. Введение

3.2. Визуализация формоизменения острий в процессе термополевого воздействия, эффект схлопывания

колец

3.3. Величины испаряющих полей при различных температурах острия

3.4. Определение кинетических параметров высокотемпературного полевого испарения.

Общий характер явления

§4. Выводы

ГЛАВА IV. ИЗУЧЕНИЕ ФОРМОИЗМЕНЕНИЙ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ, ВЫЗВАННЫХ КОНДЕНСАЦИЕЙ

СОБСТВЕННОГО МАТЕРИАЛА

§1. Введение

§2. Обзор литературы

2.1. Изучение процессов конденсации с помощью полевых эмиссионных методов

2.2. Изучение процессов зародышеобразования

2.3. Изучение эпитаксиального роста

2.4. Изучение элементарного акта конденсации

2.5. Выводы и постановка задачи

§3. Формы роста некоторых тугоплавких металлов при

вакуумной конденсации собственного материала

3.1. Введение

3.2. Автоэпитаксиальный рост тантала

3.3. Механизмы перемещений атомов, приводящие

к различным стадиям формоизменения острий

3.4. Автоэпитаксиальный рост рения

3.5. Автоэпитаксиальный рост вольфрама и молибдена

§4. Новые методы определения энергии межатомного

взаимодействия на поверхности

4.1. Метод оценки энергий латерального взаимодействия

адсорбированных атомов

4.2. Метод оценки энергий перемещения атомов

на поверхности

§5. Конденсационные формоизменения острий,

подвергнутых термополевому воздействию

§6. О сходстве и различии конденсационных и

термополевых видов формоизменения острий

§7. Эмиссионные свойства эмиттеров, полученных

конденсацией собственного материала острия

§8. Выводы

ГЛАВА V. ИЗУЧЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ И СВОЙСТВ ТЕРМОПОЛЕВЫХ МИКРОВЫСТУПОВ НА ТАНТАЛЕ,

РЕНИЕ,ИРИДИЕ И ПЛАТИНЕ

§1. Введение

§2. Обзор литературы

2.1. Перестройка острий в электрическом поле

2.2. Влияние электрического поля на поверхностную самодиффузию и формоизменения острий

2.3. Определение величин коэффициента поверхностного натяжения

2.4. Термополевые микровыступы

2.5. Термополевые макронаросты

2.6. Общий характер формоизменения острий при термополевом воздействии

2.7. Модель формоизменения острий при конкуренции электростатических и лапласовых сил

2.8. Выводы и постановка задачи

§3. Экспериментальная проверка модели равновесия

электростатических и лапласовых сил

§4. Экспериментальное получение равновесных

микровыступов

§5. Определение коэффициента поверхностного натяжения

перестроенного острия

§6. Заострение, затупление микровыступов, управление

количеством микровыступов на поверхности

§7. Новый экспериментальный метод определения испаряющих полей. Величины испаряющих полей

для микровыступов

§8. Микровыступы как центры зарождения макронаростов. .371 §9. Микровыступы как точечные источники электронов

и ионов

§10. Термополевые формоизменения иридия, платины, тантала и рения в широком интервале изменения электрических полей и температур

10.1. Введение

10.2. Термополевые формоизменения иридия

10.3. Термополевые формоизменения платины

10.4. Термополевые формоизменения тантала

10.5. Термополевые формоизменения рения

§11. Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микроскопика поверхности проводящих кристаллов в сильном электрическом поле»

Введение

Современный этап развития физики характеризуется бурным прогрессом в области физики поверхности. Это связано в основном с двумя обстоятельствами. Во-первых, подобный процесс развития определяется потребностями таких современных областей науки и техники как нанотехнология, . рост кристаллов, физическая электроника, гетерогенный катализ. Во-вторых, в настоящее время в распоряжении исследователей имеется мощный арсенал разнообразных и эффективных методов изучения явлений на поверхности твердого тела. Среди них особый интерес представляют методики изучения поверхности в атомном масштабе, позволяющие визуализировать элементарные процессы на поверхности. Такие методики, как правило, связаны с применением весьма сильных электрических полей напряженностью от нескольких долей до нескольких единиц вольт на ангстрем, к данным методикам относятся полевая эмиссионная микроскопия и сканирующая туннельная микроскопия. В связи с развитием этих методик, а также необходимостью решения многих практически важных задач, связанных в основном с нанотехнологией и техникой точечных источников электронов и ионов высокой яркости особую актуальность приобретает изучение одновременного воздействия сильных электрических полей и температур на поверхности проводящих кристаллов. Помимо практического аспекта физический интерес к данной проблеме несомненен, поскольку воздействие электрических полей, сравнимых с внутриатомными полями в кристаллической решетке и при температурах, обеспечивающих заметную подвижность

атомов на поверхности, может дать новую информацию о состоянии поверхности кристалла. Весьма эффективной для такого рода исследований может быть полевая эмиссионная микроскопия, которая визуализирует поверхность с пространственным разрешением от 2-3 до десятков ангстрем, имеет дело как правило с идеальными монокристаллами при весьма чистых вакуумных условиях и может наблюдать состояние поверхности при любых темепературах от криогенных до температур плавления.

С помощью полевых эмиссионных методов было выполнено значительное количество работ, посвященных изучению т. наз. термополевого воздействия, т.е. одновременного воздействия сильных электрических полей и температур на кристаллические обьекты-эмиттеры. Однако в этой области оставался ряд важных нессследованных разделов-белых пятен. Во-первых, термополевое воздействие было изучено лишь для некоторых чистых металлов, практически полностью отсутствовали работы по изучению подобного воздействия на неоднокомпонентные объекты, такие как химические соединения, сплавы, слои постороннего адсорбата на поверхности, неизвестен до конца был и механизм полевого испарения подобных обьектов. Во-вторых, термополевое воздействие связано, как правило, с явлением высокотемпературного полевого испарения. Явление это, лежащее в промежуточной области между классическим полевым испарением при криогенных температурах и поверхностной ионизацией в сильном электрическом поле, было совершенно не исследовано к началу данной работы. Формоизменения острийных монокристаллов могут происходить не только при термополевом , но и при конденсационном воздействии, т.е. за счет конденсации

собственного материала на поверхность эмиттера в отсутствии внешнего электрического поля. Изучение подобных формоизменений и их связь с термополевыми формоизменениями также являлось одной из основных задач работы. Наконец, не было проведено детального изучения условий образования и эмиссионных свойств термополевых микровыступов на металлах, особенно интересных для целей нанотехнологии - Р1:, 1г, Яе и Та. Именно термополевые микровыступы, объекты предельно малой кривизны, могут стать основой для создания точечных источников электронов и ионов в первую очередь для нанотехнологии. Для изучения подобных микровыступов необходимо было создать некоторые новые методы их исследования

Таким образом, работа посвящена изучению четырех основных проблем, связанных с поверхностью кристалла: термополевого воздействия на неоднокомпонентные объекты, высокотемпературного полевого испарения, конденсационного воздействия на поверхность кристалла и условий образования и свойств термополевых микровыступов на Р1:, 1г, Ые и Та. В соответствии с этим и построена диссертация. Она состоит из введения, пяти глав и заключения.

Во введении излагаются общие цели и задачи работы, структура и краткое содержание диссертации.

Первая глава - методическая и посвящена общим принципам полевой эмиссионной микроскопии, вопросам эмиссии электронов и ионов в сильных электрических полях, процессу формирования изображения, разрешающей способности приборов, а также и описанию конкретных установок и приборов, использованных в экспериментах, технологии приготовления образцов. Обсуждены также методы измерения температуры, количества конденсата, а также

методы определения ряда физических величин, таких как работа выхода, напряженность электрического поля, радиус кривизны острия-эмиттера.

Диссертация не содержит одного общего обзора литературы, в каждой из четырех глав II - V, посвященных одной из поставленных задач, имеется собственный обзор литературы, в котором рассматриваются работы, относящиеся к теме данной главы.

Глава II посвящена изучению термополевого воздействия на неоднокомпонентные эмиттеры. В качнстве таковых изучены эмиттеры, полученные конденсацией адсорбата на чужеродную подложку, а также и объемно неоднокомпонентные материалы. В качестве основного адсорбата использовался 81, а в качестве подложек использовались 1г, Яе, кроме того были изучены системы и

Прежде чем изучать термополевое воздействие, предварительно были на атомном и близком к нему уровне изучены закономерности начальных стадий конденсации и кристаллического роста для этих систем.

В качестве неоднокомпонентных объемных соединений изучены карбиды и монокристаллы ВТСП типа МеВа2Сиз07.х ( Ме: У, Ей, ТЬ, Бу ). В этом случае основное внимание было уделено изучению полевого испарения подобных систем, установлению механизма испарения, непонятного к началу выполнения данной работы. В главе подробно описаны закономерности формирования адсорбированных слоев на поверхности, термополевое формоизменение в таких системах, детально рассматривается обнаруженное явление полевой реконструкции поверхности кристалла. Описаны эмиссионные свойства таких эмиттеров.

Подробно описаны эксперименты по полевому испарению карбидов и материалов ВТСП.

В главе III описываются результаты экспериментов по высокотемпературному полевому испарению, т.е. испарению собственных ионов эмиттера при температурах Т ~ 1000 К и полях напряженностью Б ~ 1 В/А. Эксперименты проведены на двух модельных металлах - 1г и Р1:. Подробно описано новое явление -эффект схлопывания колец, заключающийся в динамическом росте и испарении больших кристаллических наростов на плотноупакованных и даже относительно рыхлых гранях монокристалла-эмиттера. Изложены соображения, позволяющие объяснить разницу в величинах измеренных и теоретически расчитанных ионных токов примерно на 20 порядков, чего ранее сделано не было. Приведены многочисленные данные о величинах испаряющих полей при различных температурах эмиттера, рассмотрена общая характеристика процесса испарения.

Глава IV посвящена изучению формоизменений металлического острийного эмиттера в случае конденсации собственного материала при различных Т подложки без внешнего электрического поля. Описаны процессы автоэпитаксиального роста полевых эмиттеров из Та, Яе, Мо и обнаружены новые, ранее неизвестные формы роста и показано, что конденсационное воздействие приводит за некоторым исключением к тем же формам , что и термополевое воздействие при отсутствии конденсации материала извне. Проанализированы механизмы перемещения атомов на поверхности, приводящие к определенным формам роста и установлены причины сходства и различия термополевых и конденсационных формоизменений кристалла.

Глава V описывает главным образом результаты экспериментов по изучению условий образования и эмиссионных свойств термополевых микровыступов. Это - объекты весьма малого радиуса кривизны 10 - 100 ангстрем, обладающие вследствие своих малых размеров рядом весьма интересных свойств и являющиеся основой для создания эффективных точечных источников электронов и ионов. Подробно описаны эксперименты по образования микровыступов и других термополевых форм на 1г, Р1:, Ые и Та - наиболее интересных материалах для нанотехнологии. Описан новый экспериментальный метод определения величин испаряющих полей, универсальный по своей сути, но особенно эффективный для микровыступов. Проведена экспериментальная проверка модели, рассматриваю щей состояние эмиттера в условиях равновесия пондеромоторных и лапласовых сил. На основании данной модели разработаны методы заострения, затупления микровыступов, управления их числом на поверхности.

В заключении приведены основные результаты работы, при этом каждая из экспериментальных глав II - V, содержащая оригинальный метериал, имеет параграф, в котором изложены основные выводы, касающиеся материала данной главы.

Список цитированной литературы содержит 447 наименований. Построен он по следующему принципу. Всего в диссертации упомянуты 104 публикации автора, они идут вначале списка под порядковыми номерами 1-104, при этом непосредственно в материале диссертации использованы первые 98 работ данного списка. Затем в алфавитном порядке следуют работы, опубликованные на русском

языке А-1, Б-1, В-1 и.т.д., после которых следуют работы иностранных авторов также в алфавитном порядке а-1, Ь-1, с-1 и.т.д.

Апробация работы. Основные результаты исследований, вошедших в диссертацию были доложены и обсуждены на 25 отечественных и 16 международных конференциях, симпозиумах и школах: на 15й- 22й Всесоюзных конференциях по эмиссионной электронике ( Киев, 1973, 1987; Махачкала, 1976; Ленинград, 1979, 1990; Москва, 1981, 1993; Ташкент, 1984 ), на 5й - 7й Всесоюзных конференциях по росту кристаллов ( Тбилиси, 1977, Ереван, 1985, Москва, 1988), на Всесоюзных симпозиумах по физике поверхности ( Киев, 1978, 1983, Ташкент, 1983, Черноголовка, 1989 ), на Всесоюзных симпозиумах по ненакаливаемым катодам ( Томск, 1977,

1985 ), на Всесоюзных совещаниях по автоионной и полевой эмиссионной микроскопии (Звенигород, 1978, Свердловск, 1982, Валдай, 1986, Харьков, 1989 ), на Всесоюзных симпозиумах по сильноточной электронике ( Свердловск, 1980, Екатеринбург, 1992 ), на Всесоюзном семинаре «Нанотехнология и квантовые интегральные схемы», Москва, 1989, на Всероссийской конференции «Микроэлектроника - 94» ( Звенигород, 1994 ), а также на 6й Международной конференции по росту кристаллов ( Москва, 1980 ), на Международном семинаре по физике поверхности ( Вроцлав, ПНР,

1986 ), на Международном симпозиуме по разрядам и электрической изоляции в вакууме ( Москва, 1994 ), на Международной школе по физике и химии поверхности твердого тела ( Благовещенск, 1991 ),

на Международном симпозиуме «Наноструктуры, физика и технология» ( С. Петербург, 1994 ), на Международной конференции

«Эмиссионная электроника, новые методы и технологии» (Ташкент, Узбекистан, 1997 ), на 8м Межнациональном совещении «Радиационная физика твердого тела» ( Севастополь, Украина, 1998 ), на 7м и 8м Международных конгрессах по вакуумной микроэлектронике ( Портланд, США, 1995; С. Петербург, 1996 ), на 35м и 38м - 43м Международных симпозиумах по полевой эмиссии ( Окридж, США, 1988; Вена, Австрия, 1991; Галифакс, Канада, 1992, Нагоя, Япония, 1993; Руан, Франция, 1994; Мадисон, США, 1995; Москва, Россия, 1996).

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Голубев, Олег Лазаревич

§11. Выводы.

1. Экспериментально доказана адекватность модели формоизменения кристаллов-острий, основанной на рассмотрении конкуренции пондеромоторных и лапласовых сил. Показано наличие равновесных и стационарных форм, на основе применения модели разработаны методы заострения, затупления микровыступов, управления их количеством на поверхности.

2. Создан новый экспериментальный метод определения величин испаряющих полей, пригодный для острий любого радиуса кривизны из любого проводящего материала. Определены величины испаряющих полей для микровыступов W, Та, 1г, Р1 и силицида

3. Реализован, новый экспериментальный метод определения коэффициента поверхностного натяжения в твердой фазе для перестроенных форм острий.

4. Изучены термополевые формоизменения 1г, Р1;, Та и Яе в широком интервале изменения Т и Б, определены Т-Б области существования различных форм, минимальные значения Б, вызывающие появление микровыступов при различных Т острия, а также эмиссионные параметры таких микровыступов. Определены режимы Т-Б обработки, дающие точечные эмиттеры с оптимальными эмиссионными свойствами.

5. Проанализированы возможности использования микровыступов в качестве точечных источников электронов и ионов, определены величины электронных и ионных токов как для отдельных микровыступов так и для эмиттеров с большим числом мировыступов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Итак, работа была нацелена не решение следующих основных задач: изучение термополевого воздействия на неоднокомпонентные объекты, изучение высокотемпературного полевого испарения металлов, изучение конденсационного формоизменения монокристаллов-эмиттеров и изучение условий формирования и свойств теромполевых мирковыступов на ряде металлов. Какие же основные выводы можно сделать на основании проведенных исследований? •

Изучение неоднокомпонентных объектов дало следующие основные результаты:

1. На поверхности W атомы 81 могут образовывать монослойные покрытия двух типов - низкотемпературный монослой, не вызывающий реконструкцию поверхности и высокотемпературный монослой, такую реконструкцию вызывающий. Оба типа монослоев обладают различным ориентирующим действием при наращивании новых слоев 81, в случае низкотемпературного монослоя реализуется механизм роста Странского-Крастанова, в случае же высокотемпературного монослоя реализуется механизм послойного роста Франка-Ван дер Мерве с образованием большого количества псевдоморфных слоев со структурой

2. Показано, что термополевое воздействие на «толстые» покрытия на (до 1000 монослоев) приводит к тем же видам формоизменений, что и для острий из чистых металлов, т.е. к перестройке в поле и росту микровыступов и макронаростов.

-4063. Обнаружено явление полевой реконструкции поверхности кристалла, заключающееся в том, что исходно плоская поверхность грани под воздействием инициирующего адсорбата, электрического поля и температуры становится не только ступенчатой, но и макроскопически бугристой, на такой поверхности вырастают о выступы высотой 150-200 А. Показана общность этого явления для систем адсорбат-адсорбент: Si-W, Si-Ir, Si-Re, Be-W, различия состоят лишь в условиях, при которых полевая реконструкция наблюдается и кристаллографических областях на поверхности, где она реализуется. Для системы Ni-W явление полевой реконструкции не наблюдается вследствие чисто металлического характера взаимодействия.

4. Изучены эмиссионные свойства «рыхлых» покрытий Si на W, полученных конденсацией при комнатной Т подложки, такие покрытия хорошо моделируют эмиттеры планарных матричных катодов. Показано, что воздействие отбираемых эмиссионных токов л о плотностью j < 10 А/см не вызывает изменение состояния поверхности, при больших j джоулев нагрев вызывает локальную поверхностную диффузию атомов Si и изменение эмиссионных свойств эмиттера.

5. Изучение полевого испарения карбидов W различной ориентации и состава показало невозможность получения высокоупорядоченных полевых ионных изображений поверхности, характерных для чистых металлов вследствие нерегулярности процесса испарения.

6. Обнаружено явление инверсии эмиссионной способности ряда плотноупакованных граней карбида W, возникающее в процессе полевого испарения. Инверсия заключается в понижении величины работы выхода этих граней и превращения их из практически неэмиттирующих в сильноэмиттирующие после полевого испарения поверхности. Объясняется инверсия разрыхлением поверхности граней вследствие нерегулярности процеса испарения.

7. Определены величины испаряющих полей для различных кристаллографических областей карбида расчитаны энергии связи атомов ¥иСв решетке карбида. На основании полученных данных предложен новый механизм, объясняющий полевое испарение элементов с большими потенциалами ионизации, таких как углерод, кислород, азот из матрицы сложной по составу системы. Заключается этом механизм в том, что в процессе предпочтительного полевого испарения элементов с малыми потенциалами ионизации происходит понижение энергии связи атомов трудноионизуемых элементов с большими потенциалами иннизации. Это приводит к соответствующему снижению величин испаряющих полей для этих атомов, что делает процесс испарения стехиометрическим или близким к таковому.

8. Проведено исследование монокристаллов ВТСП-соединений типа МеВа2Сиз07.х (Ме: У, ТЬ, Ей, Бу). Определены величины работ выхода для атомарно-чистых поверхностей данных соединений. Изучение полевого испарения таких объектов показало, что предпочтительное полевое испарение легкоионизуемых атомов В а и редкой земли может привести к понижению энергии связи трудноионизуемого кислорода даже до отрицательной величины, а реального испаряющего поля -даже до нуля и процесс испарения носит стехиометрический характер несмотря на столь большую разницу в величинах потенциалов ионизации.

Изучение высокотемпературного полевого испарения привело к следующим основным результатам:

1. Подробно изучены зависимости величин испаряющихъ полей от температуры эмиттера. Показано, что зависимость РИСП(Т) носят сложный и неоднозначный характер. При повышении приложенного напряжения величина Рисп может повышаться, понижаться и практически не меняться в зависимости от Т.

2. Обнаружен новый эффект - эффект схлопывания колец на полевом испарительном изображении поверхности. Этот эффект объясняется периодическим ростом и испарением больших макронаростов через растущие по их контуру микровыступы при нарушении динамического равновесия между диффузионным притоком атомов и их испарением. Учитывая, что размер макронаростов соизмерим с размерами острия-эмиттера, эффект схлопывания колец демонстрирует новую динамическую стадию термополевого формоизменения эмитера.

3. При высокотемпературном полевом испарении наблюдаются, по крайней мере для тугоплавких металлов две стационарно существующие формы острия - форма полностью перестроенного острия и форма с растущими и испаряющимися макронаростами, где наблюдается эффект схлопывания колец. Существует также нестабильная форма, где наблюдается кажущееся движение микровыступов вдоль ребер перестроенного острия.

4. Впервые определена энергия активации высокотемпературного полевого испарения, что позволило объяснить наблюдаемую разницу в расчитанных и экспериментально измеряемых величинах ионных токов ~ на 20 порядков и создать полную картину процесса испарения. Увеличение ионного тока происходит вследствие снижения энергии активации процеса испарения, что в свою очередь можно объяснить уменьшением теплоты испарения атомов под действием внешнего электрического поля.

На основании исследования влияния конденсации собственного материала на формоизменения монокристаллических острийных эмиттеров можно сделать следующие основные выводы:

1. Изучение конденсации собственного материала на эмиттеры из Та, Мо, Яе и ЧУ при широкой вариации Т подложки и количества монослоев конденсата п показало, что для всех металов при плавном повышении Т подложки наблюдаются одни и те же стадии изменения формы эмиттера: неупорядоченный, рыхлый конденсат - при низких Т, репликация, т.е. воспроизведение исходной структуры поверхности -при более высоких Т, обособленные кристаллические наросты на плотноупакованных гранях - при дальнейшем росте Т и при наиболее высоких Тип- конденсационная перестройка острия, заключающаяся в превращении исходной сглаженной формы отжига в ребристый многогранник. Стадии репликации и конденсационной перестройки обнаружены впервые.

2. Установлены температурные и концентрационные интервалы существования каждой стадии формоизменения, зависимости этих интервалов от вида материала и структуры определенной грани, выявлены механизмы перемещений адатомов, приводящие к данным формоизменениям.

3. Установлена характерная общность типов формоизменений острий при термополевом воздействии при отсутствии конденсации атомов извне и при конденсации атомов извне при отсутствии внешнего электрического поля, объяснены причины подобной общности форм.

-4104. Разработаны методы оценки величин энергий латерального взаимодействия адатомов на поверхности и энергий перехода адатомов через края моноатомных ступеней на поверхности кристалла, оценены подобные энергии для атомов Яе, Мо и Та. 5. Изучены эмиссионные свойства эмиттеров, полученных конденсацией Мо и Яе на собственную подложку, также хорошо моделирующих эмиттеры планарных матричных катодов. Показано, что подобные эмиттеры позволяют отбирать эмиссионные токи с ] до г л

Юэ А/см с хорошей стабильностью. Наилучшей стабильностью обладают эмиттеры, выращенные в режиме репликации.

Изучение условий образования и свойств микровыступов привело к следующим основным результатам:

1. Экспериментально доказана адекватность модели формоизменения кристаплов-острий, основанной на рассмотрении конкуренции пондеромоторных сил электрического поля и сил поверхностного натяжения. Показано на опыте существование стационарных и равновесных форм как для перестроенных форм острий, так и для микровыступов. На основании применения модели разработаны методы заострения, затупления эмиттеров, управления количеством эмиттирующих центров на поверхности острия.

2. Создан новый экспериментальный метод определения величин испаряющих полей Рисп , пригодный для острий любого радиуса кривизны из любого проводящего материала. Впервые определены величины Рисп для микровыступов некоторых металлов и силицида

3. Реализован новый экспериментальный метод определения величин коэффициента поверхностного натяжения в твердой фазе для перестроенных форм острий.

-4114. Изучены термополевые формоизменения 1г, Р1, Та и 11е в широком интервале изменения Т и Б, определены Т-Б области существования различных форм, минимальные значения Б, приводящие к образованию микровыступов при различных Т острия, а также кристаллографическая локализация и эмиссионные параметры таких микровыступов. Определены режимы термополевой обработки, дающие точечные эмиттеры заряженных частиц с оптимальными свойствами.

5. Проанализированы возможности использования микровыступов в качестве точечных источников заряженных частиц, определены величины электронных токов и ионных токов собственного материала эмиттера как для отдельных микровыступов, так и для эмиттеров с большим числом микровыступов, которые обеспечивают длительное стационарное функционирование эмиттера. Разработан точечный источник элетронов и ионов, содержащий единственный микровыступ с одним или несколькими атомами на вершине, находящийся на геометрической оси острия, при использовании термополевой обработки обычной ориентации, покрытого монослоем атомов 81.

В заключении хочу выразить мою глубокую благодарность Владимиру Николаевичу Шреднику, заведующему лабораторией, где выполнялась данная работа, моему научному руководителю еще на кандидатской диссертации, соавтору большинства моих работ, с кем меня связывают долгие годы совместной работы. Его полезные советы и большая помощь сыграли важную роль в выполнении данной работы.

Выражаю особую признательность всем соавторам моих работ и конечно прежде всего старшему научному сотруднику Павлову В.Г., научному сотруднику Власову Ю.А., младшему научному сотруднику Конторович E.JI., аспирантам Шайхину Б.М. и Бутенко В.Г., а также дипломанту Акимову CA. Большую помощь в подготовке и проведении экспериментов оказали инженеры Спасская Г.В. и Судакова Т.И., которых я сердечно благодарю.

Я искренне благодарен также заведующим лабораторий Мамырину Б.А. и Агееву В.Н., ведущему научному сотруднику Тонтегоде А.Я., старшим научным сотрудникам Лаврентьеву Г.Я. и Рутькову Е.В., научным сотрудникам Галлю Н.Р и Блашенкову Н.М. за полезные научные дискусии при обсуждении ряда вопросов.

С чувством глубокой признательности вспоминаю основателя лаборатории физической элетроники ФТИ профессора Николая Ильича Ионова и многолетнюю руководительницу научного семинара лаборатории ведущего научного сотрудника Элеонору Яковлевну Зандберг, сыгравших важную роль в моей научной судьбе.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Голубев, Олег Лазаревич, 1999 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Голубев О.Л., Шредник В.Н., Шайхин Б.М. Об изображаемости карбидов вольфрама в ионном проекторе. // Письма в ЖТФ. 1975. Т. 1.В. 15. С. 714-718.

2. Голубев О.Л., Шайхин Б.М., Шредник В.Н. Автоионная микроскопия карбида вольфрама и твердого раствора углерода в вольфраме. // Тез. докл. 1 Всес. совещ. по автоионной микроскопии. Харьков.

1975. С. 22-23.

3. Голубев О.Л., Гурин В.Н., Корсукова М.М. Автоэлектронное исследование монокристаллов тройного соединения в системе Мо-А1-В. // Тез. докл. XVI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Махачкала.

1976. Т. 3. С. 63.

4. Голубев О.Л., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Поверхностная диффузия Вена¥в сильном электрическом поле. // Тез. докл. XVIIIВсес. конф. по эмиссионной электронике. Москва. 1981. С. 52-53.

5. Голубев О.Л., Ермолаева Г.В., Павлов В.Г. и др. Поверхностная диффузия, кристаллический рост и испарение Ве на в сильном электрическом поле. // Тез. докл. III Всес. совещ. по полевой ионной микроскопии. Свердловск. 1982. С. 17.

6. Голубев О.Л., Спасская Г.В., Павлов В.Г. и др. Исследование природы поверхности автокатода из гексаборида лантана. // Тез. докл. XIX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ташкент. 1984. Т. 3. С. 15.

7. Голубев О.Л., Павлов В.Г., Спасская Г.В. и др. Влияние различной обработки поверхности острийного автокатода из гексаборида

лантана на его эмиссионные свойства. // Тез. докл. V Всес. симп. по ненакаливаемым катодам. Томск. 1985. С. 68-70.

8. Голубев О.Л., Шредник В.Н. Изучение адсорбции кремния на вольфраме с помощью полевой эмиссионной микроскопии. // Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Киев. 1987. Т. 1.С. 213.

9. Голубев О.Л., Шредник В.Н. Изучение границы раздела системы Si-W методами полевой эмиссионной микроскопии. // Тез. докл. конф. «Поверхность-89». Черноголовка. 1989. С. 162.

10. Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Шредник В.Н. Исследование термополевых формоизменений слоев кремния на вольфраме. // Тез. докл. XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ленинград. 1991. Т. 1.С. 297.

11. Бутенко В .Г., Голубев О.Л., Шредник В.Н. Изучение закономерностей роста слоев кремния на вольфраме при широкой вариации количества конденсата и температуры подложки. // Тез. докл. XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ленинград. 1991.

Т. 1.С. 298.

12. Butenko V.G., Golubev O.L., Shrednik V.N. The silicon layers on the

tungsten: the condensation, crystal growth and form changing under the

th

action of the high electric fields. //38 Int. Field. Emiss. Symp. Vienna. Austria. 1991. Program and Abstracts P. 1-36.

13. Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Шредник В.Н. и др. Кристаллический рост слоев кремнния на вольфраме: поверхностные структуры и механизмы роста. // 8 Всес. конф. по росту кристаллов. Харьков. 1992. Расширенные тез. Т. 1. С. 12-13.

-41514. Chubun N.N., Djubua B.Ch., Golubev O.L. at al. Field emission study

xL

of the carbon deposits on W and Ir-tips. // 39 Int. Field Emiss. Symp. Halifax. Canada. 1992. Program and Abstracts. P. 90.

15. Djubua B.Ch., Chubun N.N., Golubev O.L. at al. The action of thermo-field treatment on emission properties of LaB6 field emitters. // 39th Int. Field Emiss. Symp. Halifax. 1992. Program and Abstracts. P. 116.

16. Golubev O.L., Chubun N.N., Djubua B.Ch. at al. The influence of low temperature thermo-field treatment on thick Si layers on W. // 40th Int. Field Emiss. Symp. Nagoya. 1993. Program and Abstracts. P. 132.

17. Голубев О.JI., Дюбуа Б.Ч., Чубун Н.Н. и др. Низкотемпературная термополевая обработка слоев кремния на вольфраме. // Тез. докл. XXII конф. по эмиссионной электронике. Москва. 1992. Т. 2. С. 12.

18. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. Heating in high electric

th •

field of Ni-layers condensed on W. // 41 Int. Field Emiss. Symp. Ruen. France. 1994. Program and Abstracts. P. 3-6.

19. Голубев O.JI. Одновременнрое воздействие электрического поля и температуры на слои кремния на вольфраме. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 22. С. 16-20.

20. Голубев O.JL, Конторович E.JL, Шредник В.Н. Влияние электрического поля на реконструкцию поверхности. // ЖТФ. 1996. Т. 66.

В. 3. С. 88-96.

21. Голубев O.JL, Конторович Е.Л., Шредник В.Н. Взаимодействие атомов кремния с поверхностью иридия под воздействием сильного электрического поля и нагрева. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 9. С. 51-57.

-41622. Golubev O.L. Point sources of electrons and ions based on adsorbed layers of silicon on the surfaces of transition metals. // Int. Vac. Electron Sources Conf. Eindhoven. Holland. 1996. Proceeding. P. G-26.

23. Chubun N.N., Golubev O.L., Djubua B.Ch. at al. Field emission properties of Si-layers on W-tip. // 9th Int. Vac. Microelectron. Conf. St. Petersburg. 1996. Technical Digest. P. 129-132.

24. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник B.H. и др. Определение работы выхода монокристаллов ЕиВа2Сиз07_х, TbBa2Cu307_x и DyBa2Cu307_x. // Письма в ЖТФ. 1989. Т.15. В.24. С. 59-64.

25. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Сюткин Н.Н. и др. Полевая десорбция с поверхности сверхпроводящих перовскитов. // ЖТФ. 1990. Т. 60. В. 10. С. 159-163.

26. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. и др. Оценка энергий связи некоторых атомов в решетке ВТСП-монокристаллов. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 22. С. 11-14.

27. Vlasov Yu.A., Golubev O.L., Shrednik V.N. Estimation of the binding energy for some lattice atoms in HTSC single crystal. // 40th Int. Field Emiss. Symp. Nogoya. Japan. 1993. Program and Abstracts. P. 96.

28. Golubev O.L. Field evaporation of the HTSC surface atoms and estimation of binding energy taking into account field penetration. //41th Int. Field Emiss. Symp. Ruen. France. 1994. Program and Abstracts. P. 13.

29. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник B.H. и др. Неравновесный характер разрушения элементарной ячейки ВТСП-кристалла. // ЖТФ. 1995. Т. 65. В. 1. С. 70-80.

30. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Сюткин Н.Н. и др. Исследование атомной структуры и состава монокристаллов YBa2Cu307.x с помощью

широкоугольного атомного зонда. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 16. С. 62-67.

31. Власов Ю.А., Голубев O.JL, Сюткин Н.Н. и др. Автоэлектронная работа выхода материалов ВТСП. // Тез. докл. XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ленинград. 1991. Т. 1. С. 272.

32. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. Изучение ВТСП-моно-кристаллов с помощью полевых эмиссионных методов. // Тез. докл. III Межд. симп. по физике и химии твердого тела. Благовещенск. 1991. С. 143.

33. Vlasov Yu.A., Golubev O.L., Shrednik V.N. Field emission and wide-angle atom probe study of HTSC single crystal. // 38th Int. Field Emiss. Symp. Vienna. Austria. Program and Abstracts. P. 3-23.

34. Блашенков H.M., Власов Ю.А., Голубев О.Л. и др. Исследование поверхности материалов ВТСП в атомном масштабе. // Тез. докл. Межд. конф. по ВТСП-монокристаллам. Харьков. 1991. С. 47.

35. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. и др. Взаимодействие остаточных газов с атомарно-чистой поверхностью монокристалла ЕиВа2Сиз07-х. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 22. С. 1-5.

36. Golubev O.L. About the mechanism of field evaporation of the dissolved atoms with large potentials of ionisation. // 45 Int. Field Emiss. Symp. Irbid. Jordan. Program and Abstracts. P. 101.

37. Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. Влияние кремния на термополевые формоизменения рения. // Письма в ЖТФ. 1996.

Т. 22. В. 18. С. 72-77.

38. Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Шредник В.Н. и др. Кристаллический рост и испарение 1г в сильном электрическом поле. // Тез. докл.

8 Всес. конф. по росту кристаллов. Харьков. 1992. Т. 1. С. 14-15.

-4188 Всес. конф. по росту кристаллов. Харьков. 1992. Т. 1. С. 14-15.

39. Golubev O.L., Shrednik V.N. Dynamic processes on a surface of the iridium field emitters produced by action of high temperature and electric field. // Int. Symp. on Dicharges and Electrical Insulation in Vacuum. Moscow-St. Petersburg. 1992. Proceeding. P. 473-476.

40. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. Point sources of Pt and Ir. //Int. Vac. Microelectron. Conf. Portland. USA. 1995. Technical Digest. P. 447-449.

41. Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Шредник B.H. и др. Ионные источники нового типа на основе горячего полевого испарения. // Тез. докл. IX Симп. по сильноточной электронике. Екатеринбург. 1992.

С. 20-21.

42. Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Шредник В.Н. и др. Эффект схлопы-вания колец при горячем полевом испарении иридия. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 8. С. 86-91.

43. Butenko V.G., Golubev O.L., Shrednik V.N. at al. New kind of collap-

th

sing rings observable at high temperature field evaporation. // 40 Int. Pield. Emiss. Symp. Nagoya. Japan. 1993. Program and Abstracts. P. 96.

44. Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник B.H. Термополевые формоизменения и высокотемпературное полевое испарение платины // ЖТФ. 1996. Т. 66. В. 3. С. 97-106.

45. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. at al. A ball-pen in na-nometric scale. // Int. Symp. «Nanostructures: physics and technology». St. Petersburg. 1994. Absrtacts. P. 233-234.

46. Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник B.H. и др. Ионные источники на основе высокотемпературного полевого испарения как

пишущее средство в нанометровом масштабе. // Тез. докл. конф. «Микроэлектроника - 94». Звенигород. 1994. С. 447-448.

47. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. Iridium and platinum writer in nanometric scale. // Int. Symp. «Nanostructures: physics and technology». St. Petersdburg. 1994. Abstracts. P. 382-383.

48. Golubev O.L. On the mechanism of the high temperature field evaporation. // 42th Int. Field Emiss. Symp. Madison. USA. 1995. Program and Abstracts. P. 14.

49. Golubev O.L. High temperature field evaporation and its correlation with surface ionization. // 43th Int. Field Emiss. Symp. Moscow. 1996. Program and Abstracts. P. 77.

50. Голубев O.JI. Энергетические параметры и механизм высокотемпературного полевого испарения платины. // Материалы Всеросс. симп. по эмиссионной электронике. Рязань. 1996. С. 76-77.

51. Бутенко В.Г., Голубев О .Л., Шредник В.Н. и др. Новый вид схло-пывания колец при высокотемпературном полевом испарении иридия. // Тез. докл. XXII Конф. по эмиссионной электронике. Москва. 1994. Т. 2. С. 3-4.

52. Golubev O.L. High temperature field evaporation and its correlation with surface ionization. // Journ. De Phys. IV. Coll. C6 suppl. Journ. De Phys. HI. 1996. V. 6. P. C5-159 - C5-164.

53. Голубев О.Л. Процесс высокотемпературного полевого испарения металлов как поверхностная ионизация в сильном электрическом поле. // Тез. докл. Межд. конф. «Эмиссионная электроника: новые методы и технологии». Ташкент. 1997. С. 60.

54. Golubev O.L. Temperature dependences of the evaporation fields at

high temperature field evaporation. // 45th Int. Field Emiss. Symp. Irbid. Jordan. 1998. Program and Abstracts. P. 102.

55. Голубев О.JI., Одишария Г.А., Павлов В.Г. и др. Двумерная кристаллизация и начальные стадии роста кристаллов, исследуемые с помощью электронного и ионного проекторов. // Тез. докл. 15 Всес. конф. по микроэлектронике. Львов. 1975. С. 58-59.

56. Голубев О.Л., Шайхин Б.М., Шредник В.Н. Кристаллические наросты на остриях-обьектах электронного и ионного проекторов. // Материалы IV Всес. совещ. по росту кристаллов. Ереван. 1972. Т. 1. С. 34-35.

57. Голубев О.Л., Павлов В.Г., Панова С.Н. и др. Двумерные и трехмерные образования, возникающие на начальных стадиях конденсации и структура из изменения. // Тез. докл. XV Всес. конф. по эмисионной электорнике. Киев. 1973. Т. 1. С. 11-12.

58. Голубев О.Л., Шайхин Б.М., Шредник В.Н. Исследование автоэпи-таксиальных наростов W и Re в ионном проекторе. // Тез. докл. IBcec. совещ. по автоионной микроскопии. Харьков. 1975. С. 18.

59. Голубев О.Л., Шайхин Б.М., Шредник В.Н. Кристаллические наросты на остриях-обьектах электронного и ионного проекторов. // Рост кристаллов. 1975. Т. 11. С. 103-110.

60. Голубев О.Л., Шайхин Б.М., Шредник В.Н. О конденсационной перестройке металлических острий. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1976. Т. 40. N. 8. С. 1599-1604.

61. Голубев О.Л., Ермолаева Г.В., Павлов В.Г. и др. Процессы конденсации и самодиффузии как формообразующие факторы при изготовлении ненакаливаемых катодов. // Тез. докл. Всес. симп.

-421 -

по ненакаливаемым катодам. Томск. 1977. С. 5-6.

62. Голубев О.Л., Шайхин Б.М., Шредник В.Н. О конденсационной перестройке металлических острий. // Тез. докл. XVI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Махачкала. 1976. Т. 3. С. 69-70.

63. Голубев О.Л., Павлов В .Г., Шредник В.Н. О конденсационных формах роста кристаллов-острий. // Тез. докл. V Всес. совещ. по росту кристаллов. //Тбилиси. 1977. Т. 1. С. 132-133.

64. Голубев О.Л., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Вакуумная конденсация W на W и Mo на Mo, изучаемая методами автоэмиссионной микроскопии. // Тез. докл. XVII Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ленинград. 1978. С. 448-449.

65. Голубев О.Л., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Исследование роста плотноупакованных и ступенчатых граней методами полевой эмиссионной микроскопии. // Тез. докл. VI Межд. конф. по росту кристаллов. Москва. 1980. Т. 1. С. 6-7.

66. Голубев О.Л., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Изучение комбинированных конденсационных и термополевых кристаллических форм методами полевой эмисионной микроскопии. // Тез. докл. XVIII Всес. конф. по эмиссионной электронике. Москва. 1981. С. 70-72.

67. Голубев О.Л., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Полевая эмиссионная микроскопия кристаллических острий при комбинации конденсационных и термополевых формоизменений. // Тез. докл. III Всес. совещ. по полевой ионной микроскопии. Свердловск. 1982. С. 17.

68. Golubev O.L., Pavlov V.G., Shrednik V.N. Field emission study of the close-packed and stepped surfaces of a tungsten single crystal. // Journ. Cryst. Growth. 1981. V. 52. P. 48-52.

-42269. Голубев O.J1., Шредник B.H. Репликация при конденсации молибдена в вакууме. // Поверхность. 1982. N. 1, С. 124-130.

70. Голубев О.Л., Шредник В.Н. Влияние неравновесной концентрации поверхностных атомов на кинетику роста атомных слоев. // Тез. докл. Всес. школы по физике поверхности. Ташкент. 1983. С. 69..

71. Голубев О.Л., Шредник В.Н. Формоизменения рениевых острий при автоэпитаксиальном росте. // Тез. докл. XIX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ташкент. 1984. Т. 3. С. 15.

72. Голубев О.Л. Определение энергии латерального взаимодействия поверхностных атомов с помощью полевой электронной (автоэлектронной) микроскопии. // Тез. докл. XIX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ташкент. 1984. Т. 3. С. 38.

73. Голубев О.Л., Шредник В.Н. Формы роста рениевых монокристаллов при автоэпитаксии. // Тез. докл. VI Всес. конф. по росту кристаллов. Ереван. 1985. Т. 3. С. 64.

74. Голубев О.Л., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Конденсационные формоизменения металлических острий, подвергнутых термополевой обработке. // Поверхность. 1985. N. 2. С. 50-57.

75. Голубев О.Л. Метод оценки энргии латерального взаимодействия атомов на поверхности кристалла. // ФТТ. 1985. Т. 27. N. 10.

С. 3127-3129.

76. Голубев О.Л., Шайхин Б.М., Шредник В.Н. Особенности конденсации рения на собственном кристалле при различных температурах. // Поверхность. 1987. N. 4. С. 48-55.

77. Голубев О.Л. Исследование конденсации тантала на собственном кристалле в широком интервале изменения температуры подложки

и количества конденсата. // Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Киев. 1987. Т. 1. С. 211.

78. Голубев O.JI. Рост неравновесных сингулярных граней монокристалла тантала при автоэпитаксии. // Тез. докл. VII Всес. конф. по росту кристаллов. Москва. 1988. Т. 4. С. 79.

79. Golubev. O.L., Shrednik V.N. Field emission study of the condensation of metals in vacuum. // Acta Univ. Wratislaviensis. 1988. N. 1025.

P. 315-321.

80. Golubev O.L. Field emission microscopy study of vacuum condensation of metals. // 35th Int. Field Emiss. Symp. Oak Ridge. USA. 1988. Abstracts. P. 47.

81. Golubev O.L. Vacuum metal condensation studied by field emission microscopy. // Journ. De Phys. Coll. C6. au n. 11 suppl. 1988. T. 49. P. C6-145 - C6-149.

82. Chubun N.N., Golubev O.L., Djubua B.Ch. at al. Stability of field electron emission of W, Mo and Re vacuum deposits depending on substrate

th

temperature. // 9 Int. Vac. Microelecrton. Conf. St. Petersburg. 1996. Technical Digest. P. 129-132.

83. Бутенко В.Г., Голубев O.JI., Шредник B.H. и др. Термополевые микровыступы из Ir, Pt, Та, W и Si на W как источники стационарного автоэмиссионного тока высокой плотности. // Тез. докл. IX Симп. по сильноточной электронике. Екатеринбург. 1992. С. 52-52.

84. Бутенко В.Г., Голубев O.JI., Шредник В.Н. Определение коэффициента поверхностного натяжения вольфрама, перестроенного в электрическом поле. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 19. С. 80-85.

85. Власов Ю.А., Голубев O.JI., Шредник В.Н. Равновесные и стацио-

нарные формы нагретых металлических монокристаллов в сильном электрическом поле. // 7 Всес. конф. по росту кристаллов. Москва. 1988. Т. 4. С. 76-77.

86. Голубев O.JL, Шредник В.Н. Изучение поверхности с применинием различных видов ионизации в сильном электрическом поле. // Тез. докл. Всес. конф. «Поверхность-89». Черноголовка. 1989. С. 160.

87. Бутенко В .Г., Голубев O.JL, Шредник В.Н. и др. Развитие изучения термополевых явлений . // Тез. докл. XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Лениград. 1990. Т. 1. С. 234.

88. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. Процессы роста и затупления термополевых микровыступов и их связь с эмиссионными свойствами автокатодов. // Тез. докл. V Всес. совещ. по ненакали-ваемым катодам. Томск. 1985. С. 63-64.

89. Butenko V.G., Golubev O.L., Shrednik V.N. at al. Point- sources of electrons and ions using microprotrusion on the top of a tip. // Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 165-169.

90. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. Равновесные и стационарные формы нагретых металлических кристаллов в сильном электрическом поле. // Рост кристаллов. 1991. Т. 19. С. 5-21.

91. Butenko V.G., Golubev O.L., Shrednik V.N. at al. Point sources of

• th

electrons and ions using microprotrusion on the top of a tip. //38 Int. Field Emiss. Symp. Vienna. Austria. 1991. Program and Abstracts. P.3-23.

92. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. Точечный источник электронов высокой яркости. // Тез. докл. VIII Всес. симп. по сильноточной электронике. Свердловск. 1990. Т. 1. С. 98-99.

-42593. Golubev O.L. Experimental method of the estimation of the evaporating fields for the microprotrusions. // Int. Vac. Microelectron. Conf. St. Petersburg. 1996. Technical Digest. P. 129-132.

94. Golubev O.L. The new experimental method of the estimation of the

xL

evaporating fields for the microprotrusions. // 43 Int. Field Emiss. Symp. Moskow. 1996. Program and Abstracts. P. 68.

95. Golubev O.L. Field evaporation of very sharp microprotrusions with single atom on the top. // Fourth Nordic Conf. on Surf. Sci. Alesund. Norway. 1997. Book ofExtended Abstracts. P. 184-185.

96. Golubev O.L. A new experimental method of the determination of the evaporating fields. // Journ. De Phys. IV. Coll. C5 suppl. Journ. De Phys. III. 1996. T. 6. P. C5-153 - C5-158.

97. Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Конторович Е.Л. и др. Выращивание единственного микровыступа на вершине острия. // Тез. докл.

8 Всес. конф. по росту кристаллов. Харьков. 1992. Т. 1. С. 10-11.

98. Голубев О.Л. Радиационные и термополевые методы получения микровыступов на поверхности металлов. // Труды VIII Межнац. совещ. «Радиационная физики твердого тела». Севастополь. 1998. С. 649-652.

99. Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. Термополевые формы монокристалла вольфрама, ориентированного по оси <111>. // Тез. докл. Межотрасл. совещ. по полевой эмиссионной микроскопии. Харьков. 1989. С. 32.

ЮО.Голубев О.Л., Шредник В.Н. Особенности низкотемпературной подвижности атомов Zr при их конденсации на W, Та и Re. // ЖТФ. 1976. Т. 64. В. 4. С. 791-800.

-426101. Власов Ю.А., Голубев О. Л., Шредник В.Н. Способ получения микрокристаллов с микровыступом из металлов с о.ц.к. решеткой. // Патент N. 1776099. Б.И. 1996. N. 9. С.147.

102. Власов Ю.А., Голубев O.JL, Шредник В.Н. Изменений формы металлических острий при конкуренции электростатических и «капиллярных» сил. // Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Киев. 1987. Т. 1. С. 182.

103. Vlasov Yu.A., Golubev O.L., Shrednik V.N. Progress in the study of thermo-field phenomena. // Journ. De Phys. Coll. C6. N. 11 suppl. 1988. T. 49. P. C145 - C150.

104. Власов Ю.А., Голубев O.JI., Шредник В.Н. Изменение формы металлического острия при конкуренции электростатических и «капиллярных» сил. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1988. Т. 52. N. 8. С. 1538- 1543.

А-1. Автоионная микроскопия. Под ред. Дж. Рена и С. Ранганатана. М. Мир. 1971.270 с.

А-2. Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Галль Н.Р. и др. Совместная

адсорбция углерода и кремния на вольфраме. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 9. С. 565-570.

А-3. Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Галль Н.Р. и др. Взаимодействие атомов кремния с поверхностью вольфрама: адсорбция, десорбция, растворение, образование силицидов. // Поверхность. 1987. N. 6. С. 7-13.

А-4. Агеев В.Н., Потехина Н.Д., Соловьев С.М. Начальные стадии образования пленок кремния на поверхности иридия. // Поверхность. 1988. N. 2. С. 47-54.

Б-1. Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхности. // В кн. Элементарные процессы роста кристаллов. М. Изд. ин. лит. 1959. С. 11-109.

Б-2. Березняк П.А., Михайловский И.М. Влияние резонансной перезарядки на резрешение и контраст автоионного изображения. // -ЖЭТФ. 1973. Т. 65. N. 2(8). С. 475-482.

Б-3. Борзяк П.Г., Дадыкин A.A. Термополевая перестройка граней у вершины кремниевых острий. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1982. Т. 46. N. 7. С. 1288-1291.

Б-4. Борзяк П.Г., Дадыкин A.A. К вопросу о механизме автофотоэлектронной эмиссии из кремния. // ДАН СССР. 1982. Т. 263. N. 5. С. 76-80.

Б-5. Блашенков Н.М., Лаврентьев Г .Я. Полевое испарение углеродного острия. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 7. С. 1-3.

Б-6. Бокий Г.В. Кристаллохимия. М. Наука. 1971. 400 с.

Б-7. Блашенков Н.М., Лаврентьев Г.Я., Шредник В.Н. Уменьшение теплоты десорбции кислорода в монокристалле SmBa2Cu307.x в области Тс. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. В. 22. С. 30-35.

В-1. Власов Ю.А., Павлов В.Г., Шредник В.Н. Высокотемпературное полевое испарение термополевых микровыступов. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 9. С. 548-552.

В-2. Вентова И.Д., Фурсей Г.Н. Особенности процесса поверхностной самодиффузии в условиях критической перестройки. // ЖТФ. 1973. T.41.N. И. С. 2432-2440.

В-3. Вентова И.Д., Фурсей Г.Н. Перестройка вершины острийных

кристаллов в многогранник. // ЖТФ. 1977. Т. 47. N. 4. С. 844-848.

В-4. Вентова И.Д., Фурсей Г.Н., Полежаев С.А. Образование микровыступов на вершине металлических острий в сильном электрическом поле. «Критическая перестройка». // ЖТФ. 1977. Т. 47. N. 4. С. 857-859.

В-5. Вентова И.Д., Фурсей Г.Н., Южок А.И. Способ формирования эмиттирующей поверхности. // A.C. N 429479. Б.И. 1974. N. 19. С. 162.

В-6. Взаимодействие углерода с металлами. Под.ред. Самсонова Г.В. М. Металлургия. 1974. 288 с.

В-7. Волькенштейн В.В. Физико-химическая поверхность полупроводников. 1973. М. Наука. 413 с.

В-8. Векилов Ю.Х., Вернер В.Д., Егорова Т.У. Теоретические модели контакта металл-полупроводник.//Поверхность. 1984. N. 12. С. 12-25.

В-9. Ведула Ю.С., Месяц В.Г., Поплавский В.В. и др. Определение работы выхода соединений ВТСП. // Тез. докл. I Всес. совещ. по высокотемпературной сверхпроводимости. Харьков. 1988. С. 147.

Г-1. Горбатый H.A., Пулатова С.А., Решетникова JI.B. Конечная форма регулярной термополевой перестройки острийных монокристаллов W, Мо и Та. // Поверхность. 1986. N. 12. С. 39-43.

Г-2. Гаврилюк В.М., Медведев В.К. Десорбционный ионный литиевый проектор. //ЖТФ. 1966. Т. 36. В. 9. С. 172101723.

Г-3. Галль Н.Р., Михайлов С.Н., Рутьков Е.В. и др. Характер адсорбционной связи между монослоем графита и поверхностью рения. // ФТТ. 1985. Т. 27. N. 8. С. 2351-2356.

Г-4. Гарбер Р.И., Дранова Ж.И., Михайловский И.М. Способ изготовления игольчатых автоэлектронных эмиттеров. // A.C. N/ 171929. Б.И. 1965. N/12. С. 116.

Г-5. Галль Н.Р. Взаимодействие кремния с поверхностями вольфрама, рения и иридия. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. Ленинград. ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР. 1990. 211 с.

Г-6. Гарифуллин Н.М., Зубенко Ю.В. Эмиссионные свойства слоев кремния на вольфраме. // Тез. докл. XVI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Махачкала. 1976. Т. 3. С. 66.

Г-7. Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде АЛ. Взаимодействие кремния с поверхностью иридия: адсорбция, десорбция, образование силицида. // Поверхность. 1989. N. 10. С. 47-53.

Г-8. Гольдшмидт Х.Дж. Сплавы внедрения. М. Мир. 1981. Т. 2. 463 с.

Г-9. Габович М.Д. Жидкометаллические эмиттеры ионов. // УФН. 1983. Т. 140. N. 1.С. 137-151.

Д-1. Дранова Ж.И., Дьяченко A.M., Михайловский И.М. Температурная зависимость свободной поверхностной энергии вольфрама. // ФММ. 1971. Т. 31. N. 5. С. 1108-1111.

Д-2. Дранова Ж.И., Михайловский И.М. Низкотемпературная поверхностная миграция вольфрама, активированная ионной бомбардировкой. // ФТТ. 1970. Т. 12. N. 1. С. 132-137.

Д-3. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М. Наука. 1966. 564 с.

Д-4. Дадыкин A.A. Фотополеавя электронная эмиссия из кремния с атомарно чистой поверхностью. // Поверхность. 1982. Т. 1. N. 5. С. 76-80.

Д-6. Джалилов С.Т. Исследование взаимодействия кислорода с тугоплавкими металлами (W,Ta, Nb, Ir) методом электронностимули-рованной десорбции. // Дисс. канд.физ.-мат. наук. Ленинград. ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР. 1977. 150с. Д-7. Дергунова Л.И. и др. Взаимодействие углерода с тугоплавкими

металлами. М. Металлургия. 1974. 285. Е-1. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. М. Гос-

техиздат. 1958. 253 с. Ж-1 Жуков В.М., Полежаев С.А. Эволюция поверхности монокристалла на вершине острийного эмиттера при термополевом воздействии.//ЖТФ. 1987. Т. 57. N. 7. С. 1133-1136. 3-1. Зандберг ЭЛ., Ионов Н.И. Поверхностная ионизация. М. Наука.

1969. 430 с.

3-2. Зубенко Ю.В., Маринова Ц.С. Влияние электрического поля на адсорбированные атомы кремния. // Вестник ЛГУ, сер. физ. и хим.

1970. Т. 41. N. 16. С. 68-73.

3-3. Зубенко Ю.В., Сокольская И.Л. Автоэлектронная эмиссия карби-дизированного и торированного вольфрама. // Р. И Э. 1960. Т. 5. N. 8. С. 1327-1338. 3-4. Зубенко Ю.В., Сокольская И.Л. О работе выхода карбида вольфрама. // ЖТФ. 1962. Т. 32. В. 3. С. 378-380. И-1. Иванов В.Г. Автоэлектронная эмиссия германия. Дисс. канд. физ.-

мат. наук. Ленинград. ЛГУ. 1968. 131 с. И-2. Ивченко В.А., Сюткин H.H. Атомная структура CuAu в полевом ионном микроскопе. ФТТ. 1983. Т. 25. N. 10. С. 3049-3054.

К-1. Комяк Н.И., Павлов В .Г., Рабинович A.A. и др. Способ изготовления игольчатых холодных эмиттеров. // A.C. N. 239515. Б.И. 1975. N.31. С. 184-185. К-2. Комяк Н.И., Павлов В.Г., Рабинович A.A. и др. Способ изготовления игольчатых холодных катодов. // A.C. N. 286793. Б.И. 1975. N. 31: С. 185.

К-3. Комяк Н.И., Павлов В.Г., Рабинович A.A. и др. Воздействие электрического поля и нагрева на острийные эмиттеры. // Аппаратура и методы рентгеновского анализа Ленинрад. 1971. В. 8. С. 61-66. К-4. Комар А.П., Савченко В.П., Шредник В.Н. Адсорбция, миграция и испарение бериллия , напыленного на монокристалл вольфрама. // Р. И Э. 1960. Т. 5. N. 8. С. 1211-1217. К-5. Комар А.П., Таланин Ю.Н. Опыты с электронным и ионным проектором.//Изв. АН СССР, сер. физ. 1956. Т 20. N. 10. С. 1211-1217. К-6. Комар А.П., Таланин Ю.Н. Картины автоэлектронной эмиссии карбидов W и Mo. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1958. Т. 22. N. 5. С. 580-593.

К-7. Комар А.П., Савченко В.П. Влияние примесей и дислокаций на автоэлектронную эмиссию металлических кристаллов. // ФТТ. 1962. Т. 4. В. 5. С. 1346-1351. Л-1 Логинов М.В., Шредник В.Н. Структура и состав термополевых микровыступов из силицида вольфрама. //ЖТФ. 1997. Т. 67. N. 9. С. 102-109.

М-1. Мюллер Э., Цонь Т. Автоионная микроскопия. М. Металлургия. 1972. 360 с.

М-2. Мюллер Э.В. Автоионизация и автоионная микроскопия. // УФН. 1962. Т. 77. С. 481-523.

М-3. Мюллер Э.В., Цонг Т.Т. Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение. М. Наука. 1980. 217 с.

М-4. Миллер М. Смит Г. Зондовый анализ в автоионной микроскопии. М. Мир. 1993.301 с.

М-5. Мордюк B.C., Иванов Ю.С., Мальцев А.Н. Высокотемпературная автоионная микроскопия. // ФММ. 1988. Т. 66. В. 3. С. 546-550.

М-6 Мюллер Э.В. Автоионная микроскопия. // УФН. 1967. Т. 92. N. 2. С. 293-320.

М-7. Милешкина Н.В., Сокольская И.Л., Кис. Л.Б. Изучение эмиссионных свойств германия на разных гранях монокристалла вольфрама. // ФТТ. Т. 8. N. 5. С. 1390-1398.

М-8. Медведев В.К., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Структура и электронно-адсорбционные свойства пленки натрия на грани (011) вольфрама. // ФТТ. 1970. Т. 12. N. 2. С. 375-385.

М-9. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М. Мир. 1986. 176 с.

М-10. Митцев М.А., Байков Ю.М., Дунаева Т.Ю. и др. Влияние содержания кислорода в керамике YBa2Cu307.x на кинетику его термического выделения. // ФТТ. 1993. Т. 35. N. 6. С. 1457-1466.

Н-1. Нойманн X., Клозе Э., Сокольская И.Л. Исследование процессов диффузии рения с помощью автоэлектронного микроскопа. // ФТТ. 1964. Т. 6. N. 6. С. 1744-1749.

Н-2. Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Исследование структуры и работы выхода платины, на вольфраме и адсорбции на них цезия. // ФТТ. 1968. Т. 10. В. З.С. 801-808.

Н-3. Немченок Р.Л., Тумарева Т.А. Изучение поведения окиси бария на вольфраме в электронном проекторе. // Р. И Э. 1968. N. 2. С. 321-32

Н-4. Нойманн X. Поверхностная миграция кремния на вольфраме. // ФТТ. 1965. Т. 7. В. 7. С. 2013-2020.

0-1. Одишария Г. А. Исследование поверхностной само диффузии ниобия в сильном электрическорм поле с помощью автоэлектронного проектора. // ФТТ. 1968. Т. 10. N. 5. С. 1425-1432.

П-1. Паутов Д.М., Сокольская И.Л. Изучение поверхностной самодиффузии тантала методом автоэлектронной микроскопии. // ФТТ. 1968. Т. 10. N. 8. С. 2473-2479.

П-2. Павлов В.Г., Рабинович A.A. Шредник В.Н. Температурная зависимость минимальной напряженности электрического поля, необходимой для образования микровыступов. // ЖТФ. 1977. Т. 47. N. 2. С. 405-409.

П-3. Павлов В.Г., Рабинович A.A., Шредник В.Н. Высокие локальные плотности тока автоэлектронной эмиссии в стационарном режиме. // ЖТФ. 1975. Т. 45. N. 10. С.2126-2134.

П-4. Павлов В.Г., Рабинович A.A., Шредник В.Н. Обнаружение вытягивания острий электрическим полем. // Письма в ЖЭТФ. 1973. Т. 17. N. 5. С. 247-250.

П-5. Павлов В.Г., Рабинович A.A., Шредник В.Н. Полевая эрозия Мо, Та, Nb, Ir, Re. // ФТТ. 1975. T. 17. N. 7. С. 2045-2048.

П-6. Птицын Э.В., Фурсей Г.Н. Формоизменения вершины острийного микрокристалла в условиях протекания тока автоэлектронной эмиссии. //Изв. АН СССР, сер. физ. 1988. Т. 52. N.8. С. 1513-1517.

П-7. Павлов В.Г. Формоизменения металлических острий при нагревании в электрическом поле. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. Инст. Физики АН УССР. 1975. 147 с. П-8. Павлов В.Г., Рабинович A.A., Савченко В.П. и др. Способ затупления острийных катодов. //A.C. N. 439384. Б.И. 1975. N. 44. С. 130. П-9. Паунов М., Михайлов Е., Георгиев Г. Исследование конденсации вольфрама на вольфрамовую подложку в электронном проекторе. // Тез. докл. XIV Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ташкент. 1970. Т. 1.С. 39. Р-1. Рабинович A.A., Шредник В.Н., Павлов В.Г. и др. Новый способ обработки автокатодов. // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1974. N. 13. С. 256-258. Р-2. Рутьков Е.В. Двумерная пленка графита на поверхности переходных металлов. // Дисс. док. физ.-мат. наук. С.Петербург. 1995. 488 с.

С-1. Сокольская И.Л. Поверхностная миграция атомов вольфрама в

электрическом поле. // ЖТФ. 1956. Т. 26. N. 6. С. 1177-1184. С-2. Сокольская И.Л., Нойманн X., Клозе Э. Изучение поверхностной миграции молибдена методами автоэлектронной эмиссии. // ФТТ. 1964. Т. 6. N. 5. С. 1439-1448. С-3. Сокольская И.Л. Применение автоэмиссионного микроскопа для изучения поверхностной диффузии и самодиффузии. // В кн. Поверхностная диффузия и растекание. М. Наука. 1969. С. 108-148

С-4. Сокольская И.Л., Шакирова С.А. Изучение начальных стадий роста пленок SiO на W. // Р.и Э. 1972. N. 3. С. 592-598.

С-5. Сокольская И.Л., Шакирова С.А. Зародышеобразование и эпитак-сиальный рост моноокиси кремния на монокристаллах вольфрама. // ФТТ. 1971. Т. 13. N. 1. С. 319-321.

С-б. Сюткин H.H., Вяткин H.H., Ивченко В.А. Микрокристаллиты титана на вольфраме. // ФММ. 1970. Т. 30. В. 3. С. 582-586.

С-7. Свойства элементов. // Справочник под. ред. Самсонова Г.В. М. Металлургия. 1976. Т. 1. 599 с.

С-8. Самсонов Г.В., Виницкий И.М. Тугоплавкие карбиды. М. Металлургия. 1976. 558 с.

Т-1. Тегарт В. Электролитическое и химическое полирование металлов. М. И.Л. 1957. 184 с.

Т-2. Таланин Ю.Н. Образование карбидов на монокристаллических вольфраме и молибдене по наблюдениям в электронном и ионном проекторе. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР. Ленинград. 1958. 138 с.

Ф-1. Фурсей Г.Н. Карцев Г.А. Стабильность автоэлектронной эмиссии и миграционные процессы, подготавливающие развитие вакуумной дуги. //ЖТФ. 1970. Т. 40. N. 2. С. 310-319.

Ф-2. Фурсей Г.Н., Птицын В.Э., Кротевич Д.Н., Шваркунов В.А.

Формоизменение поверхности вершины острийного монокристалла в условиях протекания тока автоэлектронной эмиссии. // Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Киев. 1987. Т. 1.С. 202.

Ф-3. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства метериалов. // Справочник. Киев. Наукова Думка. 1981. 338 с.

Ф-4. Фурсей Г.Н., Шакирова С.А. Локализация автоэлектронной

эмиссии в малых телесных углах. // Труды конф. по электронной технике. Электроннолучевые и фотоэлектрические приборы. 1969. N. 1.С. 99-102.

Ф-5. Фурсей Г.Н., Шакирова С.А. К вопросу о возможности локализации эмиссии в малых телесных углах. // ЖТФ. 1966. Т. 36. В. 6. С. 1125-1131.

Ф-6. Френкель Я.И. Теория явлений адсорбции и конденсации. //

ЖРФХО, часть физ. 1924. Т. 56. С. 148-162. Ф-7. Фром Е., Гепхард Е. Газы и углерод в металлах. М. Металлургия. 1980.711 с..

Ф-8. Федоров В.Б., Ширшов М.Х., Хакимов Д.К. Углерод и его взаимодействие с металлами. М. Металлургия. 1978. 53 с. Х-1. Хирс Д., Паунд. Г. Испарение и конденсация. М. Металлургия. 1966.220 с.

Х-2. Харди С. Исследование образования зародышей ртути на вольфраме с помощью электронного проектора-микроскопа. // В кн. Проблемы роста кристаллов. М. Мир. 1968. С. 323-333. Х-3. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М. Гос. Изд.

по черной и цветной металлургии. 1962. Т. 2. 1486 с. 4-1. Чернов A.A. Процессы кристаллизации. // В кн. Современная

кристаллография. М. Наука. 1980. С. 7-232. ТТТ-1. Шредник В.Н., Одишария Г.А. Исследование двумерных фазовых равновесий методами автоэлектронной микроскопии. // ФТТ. 1969. Т. 11. В. 7. С. 1844-1853.

Ш-2. Шредник В.Н. Диффузия и рост кристаллов на металлической поверхности, изучаемые в атомном масштабе. // Дисс. док. физ.-мат. наук. ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР. Ленинград. 1985. 495с.

Ш-3. Шредник В.Н., Павлов В.Г., Рабинович A.A., Шайхин Б.М.

Воздействие сильного электрического поля и нагрева на металлические острия. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1974. Т. 38. N. 2. С. 296-301.

Ш-4. Шайхин Б.М. Применение ионного проектора к изучению кристаллических наростов тугоплавких металлов. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР. Ленинград. 1975. 146с.

ТТТ-5. Шредник В.Н. Рост кристаллов и автоэмиссионная микроскопия. // В кн. Проблемы современной кристаллографии. М. Наука. 1975. С. 150-171.

Ш-6. Шредник В.Н. Термополевые и конденсационные формы роста кристаллов-острий, изучаемые методами автоэмиссионной микроскопии. // В кн. Рост кристаллов. М. Наука. 1980. Т. 13. С. 68-79

LLI-7. Шредник В.Н., Павлов В.Г., Рабинович A.A. Способ изготовления автоэмиссионных острийных катодов. // A.C. N. 464238. Б.И. 1975. N.35. С. 179.

III-8. Шредник В.Н. Высоковольтные ненакаливаемые катоды (мощные и маломощные). // В кн. Ненакаливаемые катоды. М. Сов. Радио. 1974. С. 165-321.

Ш-9. Шредник В.Н. Исследование атомных слоев циркония на гранях кристалла вольфрама при помощи электронного и ионного проекторов. // ФТТ. 1961. Т. 3. В. 6. С. 1750-1761.

Ш-10. Шредник В.Н., Одишария Г.А. Анизотропия теплот миграции и энергий связи (адсорбат-адсорбат) в металлопленочных системах Zr-W, Hf-W, Hf-Mo, Zr-Nb и Zr-Ta. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1969. Т. 33. N, 3. С. 536-543.

Ш-11. Шредник В.Н. Электронный проектор. // Природа. 1968. N. 9. С. 10-19.

Ш-12. Шредник В.Н. К вопросу об усреднении автоэмиссионной работы выхода. // Р. И Э. 1963. Т. 8. N. 11. С. 1933-1944.

Ш-13. Шредник В.Н. Автоэмиссионная микроскопия металлопленочных покрытий. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. ФТИ им. А.Ф.Иоффе. Ленинград. 1965. 214 с.

Э-1. Энергии разрыва химических связей, потенциалы ионизации и сродство к электрону. Справочник. М. Наука. 1974. 351 с.

Э-2. Эспе В. Технология электровакуумных материалов. М. Госэнер-гоиздат. 1962. Т. 1. 632 с.

Э-3. Эллиот Р.П. Структура двойных сплавов. М. Металлургия. 1970. Т. 2. 472 с.

а-1. Ashworth F. Field emission microscopy. // Adv. in Electronics. 1951. V. 3. P. 1-42.

a-2. Ashihara K., Nakane H., Adachi H. Experimental configuration of the Fowler-Nordheim plot at several micrometer emitter to anode distance. // Surf. Sci. 1995. V. 330. N. 3. P. 326-331.

a-3. Atlan D., Gordet G., Vu Thien Binh at al. 3D calculation at atomic scale of the electrostatic potential and field created by a teton tip. // Ultramicroscopiy. 1992. V. 42-44. P. 154-162.

a-4. Arthur J.R. Photosensitive field emission from p-type germanium. //

Journ. Appl. Phys. 1965. V. 36. N. 10. P. 3221-3227. a-5. Arthur J.R., Wagner R.S. Field emission from silicon arrays. // Bull.

Amer. Soc. 1968. V. 13. N. 7. P. 946-949. b-1. Benjamen M., Jenkins R.O. The distribution of autoelectronic emission from single crystal metal points. 1. Tungsten, molybdenum, nickel in clean state. // Proc. Roy. Soc. Lnd. A. 1940. V. 176. P. 262-279. b-2. Boling J.P., Dolan W.W. Blunting of tungsten needls by surface diffusion. // Journ. Appl. Phys. 1958. V. 29. P. 556-559. b-3. Barbour J.P., Charbonnier F.M., Dolan W.W. at al. Determination of the surface tension and surface migration constants for tungsten. // Phys. Rev. 1960. V. 117.N.6.P. 1452-1459. b-4. Bettler P.C., Sharbonnier F.M. Activation energy for the surface migration of tungsten in the presence of a high electric field. // Phys. Rev. 1960. V. 119. N. l.P. 85-93. b-5. Bettler P.C., Barnes G. Field emission studies of surface migration for tungsten, rhenium, iridium and rhodium. // Surf. Sci. 1968. V. 10. N. 2. P. 165-176.

b-6. Bardon J., Drechsler M. Etude des parameters de e'autodiffusion de surface dons une direction donnee en emission de champ (tungstene). // Rev. Phys. Appl. (Paris). 1974. V. 9. P. 989-991. b-7. Basset D.W. Surface atom displacement processes. // Surf. Sci. 1975. V. 53. P. 74-86.

b-8. Binh Vu Thien. Nanotips application: Field emission from atom sources. // Int. Vac. Electron Sources Conf. Eindhoven. Holland. 1996. Abstracts. P. Rl.

b-9. Besoke K., Wagner H. Adsorbtion of tungsten on the stepped planes tungsten surfaces studied by means of work function measuring. // Surf. Sci. 1975. V. 53. P. 351-358. b-10. Barofsky D.E., Muller E.W. Mass-spectrometric analysis of low temperature field evaporation. Surf. Sci. 1968. V. 10. P. 177-196. b-11. Binh Vu Thien, Garcia N. On the electron and metallic ion emission from nanotips fabricated by field-surface-melting technique: experiments with W and Au tips. // Ultramicroscopy. 1992. V. 42. P. 80-90. b-12. Binh Vu Thien, Garcia N. Atomic metallic ion emission, field surface melting and scanning tunneling microscopy tips. // Journ. Phys. I. 1991. V. l. P. 605-612. b-13. Binh Vu Thien, Purcell S.T.,Garcia N. at al. Field emission spectroscopy of single atom tops. // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 69. P. 2527-2530.

b-14. Barker F.S., Osborn A.R., Williams S. Field emitter from carbon wire.

// Journ. Phys. D. Appl. Phys. 1974. V. 7. N. 15. P. 2105-2115. b-15. Bernatskii D.P., Pavlov V.G. Field desorption of Na, Cs and Ba from Ir and W. // 43th Int. Field Emiss. Symp. Moscow. 1996. Program and Abstracts. P. P-54.

b-16. Brandon D.G. The structture of field-evaporated surfaces. // Surf. Sci.

1964. V.3.N. l.P. 1-18. b-17. Bardon J., Audiffren M. The polarizability of iridium neutral atoms and their Van der Waals interaction with tungsten surface measured by FIM. // Journ. De Phys. Coll. C9 suppl. n. 12. 1984. T. 45. P. C9-245 - C9-249.

c-1. Charbonnier F.M., Bennette C.J., Swanson L.W. Electrical breakdown between metal electrodes in vacuum. // Journ. Appl. Phys. 1967. V. 38. N. 2. P. 627-633.

c-2. Castilho C.M.C., Kingham D.G. Calculation of field ionization in the

field ion microscope. // Surf. Sci. 1986. V. 173. N. 1. P. 75-96. c-3. Cavaille J., Drechsler M. Surface selfdiffusion by ion impact. // Surf.

Sci. 1978. V. 75. N. 2. P. 432-354. c-4. Cavaille J., Drechsler M. Ion impact on field emitter crystals. // Rev.

Phus. Appl. 1977. V. 12. P. 1631-1639. c-5. Cutler P.H., Jun He, Miskowsky N.M. Theory of electron emission in high fields from atomically sharp emitters: Validity of Fowler-Nord-heim equation. // Journ. Vac. Sci. Tech. B. 1993. V. 11. N. 2. P. 387-391.

c-6. Cabrera N. Collision of single atom with atomic chain. // Disc. Farad.

Soc. 1959. V. 28. P. 16-31. c-7. Collins R.A., Blott B.H. The adsorption and nucleaton of zirconium on

tungsten field emitters. // Surf. Sci. 1968. V. 10. P. 349-368. c-8. Collins R.A., Blott B.H. Multilayer adsorption of uranium on tungsten.

// Surf. Sci. 1969. V. 13. P. 401-413. c-9. Collins R.A., Blott B.H. Adsorption of zirconium on tungsten single

crystal planes. // Journ. Phys. D. 1971. V. 4. N. 1. P. 114-117. c-10. Chang K., Iwatta T. Build up procwssws of field emission tip with silicon adsorption. //7th Int. Vac. Conf. solid state. Vienna. 1977. Proceeding. P. 28-32. c-11. Chang K., Iwatta T. Build up structure of tungsten field emission tip with Si adsorption (by FIM and FEM). 27th Int. Field Emiss. Symp.

-442-

Tokyo. 1980. Program and Abstracts. P. 87. c-12. Collins R.A. Silicon adsorption on tungsten field emitters. // Surf. Sei.

1971. V. 26. N. 2. P. 624-636. c-13. Casanova R., Tsong T.T. Direct observation of atomic processes: silicon atoms on tungsten surface. // Thin Sol. Films. 1982. V. 93. N. 1-2. P. 41-46.

c-14. Chrzanowsky E., Bauer E. The adsorption of beryllium on the tungsten (211) surface. // Surf. Sei. 1986. V. 173. N. 1. P. 106-127. c-15. Chongling Chen., Tsong T.T. Displacement distribution and atomic jump direction in diffusion of Ir atoms on the Ir (001) surfaces. // Phys. Rev. Lett. 1990. V. 64. N. 26. P. 3147-3150. c-16. Cereso A., Grovenor C.R.M., Hoyle R.M. at al. Atom probe analysis of a ceramic oxide superconductor. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N. 12. P. 1020-1022. d-1. Dyke W.P., Barbour J.P. Pulsed T-F emission electron projection

microscopy. // Journ. Appl. Phys. 1956. V. 27. N. 4. P. 365-360. d-2. Dyke W.P., Charbonnier F.M., Strayer R.W. at al. Electrical stability and life of the heated field emission cathode. // Journ. Appl. Phys. 1960. V. 31. N. 5. P. 790-805. d-3. Dyke W.P., Dolan W.W. Field Emission. Adv. in Electrons and Electron Physics. 1956. V. 8. P. 89-185.

e

d-4. Drechsler M. Kristallstufen von 1 bis 1000 A (Herstellung der Stuffen in feldemissionmikroskope durch elektrische Felder Messung der Stuffenhohen. Eine Feldbindungsenergie. Theorie der Entstehung der Stuffenform und Versetzungen. // Zs. Elektrochemie. 1957. Bd. 61. S. 48-55.

d-5. Drechsler M., Vanselov R. Untersuchung der Temper und Wachstung-formen einige Metallkristalle mit dem Feldelektronenmikroskop. // Zs. Krist. 1956. Bd. 107. S. 161-181. d-6. Drechsler M., Ramdani S. In situ scanning electron microscopy of the morphological evolution of metal tips. // Journ. De Phys. 1986. Coll. C6, suppl. 11. T. 47. P. C7-171 - C7-175. d-7. Drechsler M., Henkel E. Feldemission-Stromdichten und Oberflachen-feldstarken bei Feldemissionmikroskopie sowie Methoden zur Bestimmung des Spitzenradius, der Spitzenform, der Verflosserung und Auflösungsvermögens. //Zs. Angew. Phys. 1954. Bd. 6. S. 341-346. d-8. Drechsler M. Berichtung von Adsorptionsenergien und Platzwechselnenergie auf Einkristallflachen von Metallen. // Zs. Elektrochemie. 1954. Bd. 58. S. 327-334. d-9. Drechsler M. Vorzugerichtungen der Oberflachendiffusion auf Einkristallenflachen. //Zs. Elektrochemie. 1954. Bd. 58. S. 334-339. d-10. Decker U., Mollenstedt G., Wurster E. Erhöhung der Feldelectronen-Emission von Wolframspitzen durch Aufdampfen von Beryllium. // Zs. Physik. 1969. Bd. 229. S. 316-320. e-1. Ehrlich G. Direct observation of the surface diffusion. // Scan. Micros.

1990. V. 4. N. 4. P. 829-842. e-2. Ehrlich G. Direct observations of the surface diffusion of atoms and

clusters. // Surf. Sei. 1991. V. 246. P. 1-12. e-3. Ernst N., Jentsch Th. Post field ionizaton of single charged rhodium: An experimental and theoretical study. // Phys. Rev. B. 1981. V. 24. N. 11. P. 6234-6241.

e-4. Ernst. N., Ehrlich G. Field Ion Microscopy. 11 In: Topic in Current Physics. V. 10. Microscopic Methods in Metals. Ed. Gosner U. Berlin-Heidelberg. 1986. P. 75-114. e-5. Ehrlich G., Hudda F. Low-temperature chemisorption. III. Studies in the field emission microscope. // Journ. Chem. Phys. 1961. V. 35. N. 4. P. 1421-1439.

e-6. Ernst N., Bozdech G., Melmed A.J. Combined field ion and electron emission microscopy and energy-resolved atom probe spectroscopy of YBaCuO. // Journ. De Phys. 1988. Coll C6, suppl. n. 11. C6-453 - C6-458.

f-1. Forbes R.G. The electron energy distribution from very sharp field emitters. // 9th Int. Vac. Microelectron. Conf. St. Petersburg. 1996. Technical Digest. P. 58-61. f-2. Forbes R.G., Ljepojevich N.N. Liquid-metal ion source theory: electro-hydrodynamics and emitter shapes. // Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 170-175.

f-3. Fowler R.H., Nordheim L. Electron emission in intense electric field. //

Proc.Roy. Soc. 1928. V. 119. N. A781. P. 173-181. f-4. Forbes R.D. Application of thermodynamic cycles to ion potentials and

field evaporation. // Journ. Phys. D. 1982. V. 15. P. 1301-1322. f-5. Forbes R.D. The formula for evaporation field included repulsive interaction of ion with surface. // Journ. Phys. D. 1982. V. 15. P. L75-L77. f-6. Forbes R.D. The new formula for activation energy of field evaporation for the mechanism of charge exchange. // Surf. Sci. 1982. V. 116. P. L195-L201.

f-7. Forbes R.D. The new formula for the calculation of evaporation field at low temperature. // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40. N. 3. P. 277-279. f-8. Forbes R.D. Two mechanism of field desorption: jump of charge and

loss of charge. // Surf. Sci. 1981. V. 102. P. 255-263. f-9. Forbes R.D. Appearance energies of tungsten ions field evaporated from ion attractive conditions. // Journ. Phys. D. 1980. V. 13. N. 7. P. 1357-1363.

f-10. Forbes R.D. About the criterion of a priori predication of field evaporation mechanism. // Journ. Phys. D. 1982. V. 15. P. L99-L104. f-11. Flaim T.A., Ownby P.D. Adsorbate-induced work function changes. //

Surf. Sci. 1972. V. 32. N. 3. P. 519-526. f-12. Feibelman P.J. Diffusion path for an A1 adatom on A1 (001). // Phys.

Rev. Lett. 1990. V.65. N. 6. P. 729-732. f-13. French R.D., Richman M.N. Carburizing tungsten in field ion microscope. // Phil. Mag. 1968. V. 18. N. 153. P. 471-481. f-14. Futamoto M., Yuito L, Kawaba U. at al. Study of titanum carbide by field ion microscopy, field electron emission microscopy, Auger electron spectroscopy and atom-probe field ion microscopy. // Surf. Sci. 1982. V. 120. N. 1. P. 90-102. g-1. Gomer R. Field emission and field ionization. // Harvard Univ. Press. 1961. 385 p.

g-2. Good R.H., Muller E.W. Field emission. In. Handbuch der Physik.

(Ed. By S. Flugge). Springer-Verlag. Berlin. 1956. Bd. 21. P. 176-231. g-3. Guth E., Mullin C.J. Electron emission of metals in electric fields. // Phys. Rev. 1962. V. 61. N. 5-6. P. 339-348.

g-4. Gomer R., Hulm I. Adsorption and diffusion of oxygen on tungsten. 11

Journ. Chem. Phys. 1957. V. 27. N. 6. P. 1363-1376. g-5. Gomer R., Wortman R., Landy R. Mobility and adsorption of hydrogen

on tungsten. // Journ. Ghem. Phys. 1957. V. 27. N. 5. P. 1147-1164. g-6. Gomer R., Swanson L.W. Field desorption of carbon monoxide from

tungsten. //Journ. Chem. Phys. 1963. V. 39. N. 11. P. 2813-2836. g-7. Gretz R.D., Pound C.M. Condensation and evaporation of solids. //

Gordon and Beach. N.Y. 1964. 575 p. g-8. Graham W.R., Hutchinson F. at al. Epytaxial deposition of platinum on iridium at low temperature. // Journ. Appl.Phys. 1969. V. 40. N. 10. P. 3931-3936.

g-9. Gretz R.D. Nucleation of zink in multilayer adsorption. // Phys. Stat.

Sol. 1967. V. 23. P. 453-460. g-10. Gomer R. Possible mechanism of atom transfer in scanning tunneling

microscopy. // IBM Journ. Res. Dev. 1986. V. 30. N. 4. P. 428-430. h-1. Herring C. Effect of charge of scale on sintering phenomena. // Journ.

Appl. Phys. 1950. V. 21. P. 301-303. h-2. Herring C. Some theories on the free energies of crystal surface. //

Phys. Rev. 1951. V. 82. N. 1. P. 87-93. h-3. Herring C. The use of classical macroscopic concepts in surface-energy problems. // In: Structure and Properties of Solid Surfaces. Ed. by Gomer R. and Smith C.S. Chicago. Univ. Press. 1953. P. 5-72. h-4. Haydock R. Kingham D.R. Post-ionization of field evaporated ions. //

Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. N. 23. P. 1520-1523. h-5. Hill R.I. The adsorption of water on tungsten. // Vacuum. 1960. V. 2. P. 1520-1523.

h-6. Heinrich H., Essig M., Geiger J. Field emitter from carbon wires. //

Journ. Phys. D. 1977. V. 12. N. 2. P. 197-202. i-1. Ingram M.G., Gomer R. Massspektrometrische Untersuchungen der Feldemission positiver Ionen. // Zs. Naturf. 1955. V. 10a. P. 863-872. i-2. Iwasaki H., Nakamura S. Generation of ion current in field ion microscope. 1. Dynamic Approximation. // Surf. Sci. 1975. V. 52. N. 3. P. 588-596.

i-3. Iwasaki H., Nakamura S. Generation of ion current in field ion microscope. 2. Quasi-static Approximation. // Surf. Sci. 1975. V. 52. N. 3. P. 597-614.

i-4. Ivchenko V.A. Field ion microscopy of phase transformation in a

Cu2Au (Pt, Pd, Au) alloy. // Surf. Sci. 1992. V. 276. P. 273-280. i-5. Ishikawa V., Takahashi M., Yoshimura T. An atom probe study of molybdenum-carbon reaction. // Journ. De Phys. Coll. C2, suppl. n. 3. 1986. T. 47. P. C2-365 - C2-370. i-6. Ishimoto K., Park H.M., Dayama M. at al. Field ion microscopy of W

and Pt-Ti at about 1000° C.// Surf. Sci. 1974. V. 41. P. 102-112. j-1. Jenkins R.O. Field emission of electrons. // Rep. on Progr. in Physics.

1943. V. 9. P. 177-197. j-2. Jannes A.P., Jones J.P. The sharping of field emitters by ion sputtering.

//Journ. Phys. D. 1971. V. 4. P. 118-123. j-3. Jones. J.P. Arrangement of atoms in the first monolayer of nickel on

tungsten. //Nature. 1966. V. 211. P. 479-481. j-4. Jannsen A.P., Jones J.P. A study of the growth of germanium and silicon on tungsten by field emission and field ion microscopy. // Surf. Sci. 1974. V.41.P. 257-276.

j-5. Jones J.P., Martin A.D. High field microscopy of nickel on tungsten. //

Surf. Sci. 1974. V. 41. N. 2. P. 559-580. j-6. Jun He, Cutler P.H., Miskowsky N.N. Generation of Fowler-Nordheim field emission theory for nonplanar metal emitters. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. N. 12. P. 1-4. k-1. Kellog G.L. Determing the field emitter temperature during laser irradiation in the laser atom probe. // Journ. Appl. Phys. 1981. V. 52. P. 5320-5329.

k-2. Kellog G.L. Mesuarement of the charge distribution of field evaporated ions: evidence of post-ionization. // Surf. Sci. 1982. V. 120. P. 319-333. k-3. Kingham D.R., Swanson L.W. Theoretical investigation of liquid metal ion sources: field and temperature dependence of ion emission. // Journ. Appl. Phys. 1986. V. A41.N. 2. P. 157-169. k-4. Kingham D.R. The post-ionization of field evaporated ions: A theoretical explanation of multi-charged states. // Surf. Sci. 1982. V. 116. P. 273-301.

k-5. Kinham D.R. A new view on field evaporation. // Vacuum. 1982.

V. 32. N. 8. P. 471-476. k-6. Kellog G.L. The experimental investigation of multiple post-ionization

of field evaporated ions. // Phys. Rev. B. V. 24. N. 4. P. 1848-1851. k-7. Klein R. Adsorption, diffusion and evaporation of carbon monoxide on

tungsten. // Journ. Chem. Phys. 1959. V. 31. N. 5. P. 1306-1313. k-8. Knudesn M. Die Vordichtung von Metalldampfen an abgekuhlten Korper. //Ann. Phys. 1916. Bd. 50. S. 472-488.

k-9. Kellog G.R., Tsong T.T., Kowan P. Direct observation of surface diffusion and atomic interaction on metal surfaces. // Surf. Sci. 1978. V. 70. P. 485-519.

k-10. Krishnaswamy S.V., Messier R., Tsong T.T. at al. Field ion microscopy study of atomic interaction. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 35. P. 870-872.

k-11. Kiwanga C.A., Collins R.A. Silicon adsorption on single-crystal force

of tungsten. // Phys. Stat. Sol. (a). 1974. V. 23. N. 1. P. 209-217. k-12. Kellog G.L., Feibelman P.J. Surface self-diffusion on Pt (011) by atomic exchange mechanism. // Phys. Rev. Lett. 1990. V. 64. N. 26. P. 3143-3146.

k-13. Kellog G.L. Surface diffusion of Pt adatoms on Ni surfaces. // Surf.

Sci. 1992. V. 266. P. 18-23. k-14. Klein R. Surface migration of carbon on tungsten. // Journ. Chem.

Phys. 1954. V. 22. N. 8. P. 1406-1413. k-15. Kellog G.L., Brenner S.S. Field ion microscopy and imaging atom probe mass spectroscopy of superconducting YBaCuO. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N. 2. P. 1851-1853. k-16. Kellog G.L.,Brenner S.S. Investigation of superconducting and non-superconducting YBaCuO by field ion microscopy, atom probe mass spectroscopy and field electron emission. // Journ De Phys. Coll. C6, suppl. nil. 1988. T. 49. P. C6-465 - C6-470. 1-1. Liu J., Wu Chung-wu, Tsong T.T. Measurement of the atomic site spesific binding energy of surface atoms of metals and alloys. // Surf. Sci. 1991. V. 246. P. 157-162.

-4501-2. Liu J., Wu Chun-wu, Tsong T.T. Measurement of the atomic site specific binding energy of surface atoms of metals and alloys. // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. N. 14. P. 11595-11604. 1-3. Liu H.M., Tsong T.T., Lion Y. Direct observation of atomic structure and reconstruction of silicon surfaces: A field-ion-microscopy study. // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 58. P. 1535-1537. 1-4. Liu H.M., Tsong T.T. Atomic structures of several silicon surfaces: A direct field ion microscope observation. // Journ Appl. Phys. 1987. V. 62. P. 1532-1534. 1-5. Liu H.M., Liu H.F., Tsong T.T. Initial stage of iridium-semiconductor compound formation and the atomic structures: a field ion microscope study. // Surf. Sei. 1986. V. 171. N. 3. P. 501-514. m-1. Muller E.W. Weitere Beobachtung mit dem Feldelectronenmikroskop.

//Zs. Phys. 1938. Bd. 108. S. 668-680. m-2. Muller E.W. Oberflachenwanderung von Wolfram auf dem einigen

Kristallgitter. // Zs. Phys. 1949. Bd. 126. S. 642-665. m-3. Melmed A.J. Surface self-diffusion of nickel and platinum. // Journ.

Appl. Phys. 1967. V. 38. N. 4. P. 1885-1892. m-4. Martin E.E., Trolan J.K., Dyke W.P. Stable high density cold cathode.

// Journ. Appl. Phys. 1960. V. 31. N. 5. P. 782-789. m-5. Muller E.W., Young R.D. Determination of field strength for field evaporation and ionization in the field ion microscope. // Journ. Appl. Phys. 1961. V. 32. P. 2425-2428. m-6. Mundshau M., Navselov R. Auger analysis of Pt field emitters. // Surf. Sei. 1985. V. 155. P. 121-131.

m-7. Miskowsky N.N., Juh He, Cutler P.H. at al. Energy exchange processes in field emission from atomically sharp metal emitters. // Journ. Vac. Sei. Techn. B. 1993. V. 11. N. 2. P. 366-370. m-8. Muller E.W. Versuche zur Theorie der Electronenemission unter der Einwirkung hoher Feldstarken. // Zs. Phys. 1936. Bd. 37. S. 838-842. m-9. Muller E.W. Das Feldionenmikroskop. // Zs. Phys. 1951. Bd. 131. S. 136-142.

m-10. Muller E.W. Feldemission. // Ergebn. Exakt. Naturwiss. 1953. V. 27. P. 290-360.

m-11. Murphy E.L., Good R.H. Thermoionic emission, field emission in

the transition region. // Phys. Rev. 1956. V. 102. N. 6. P. 1464-1473. m-12. Medvedev V.K., Suchorski Yu.A., Voss C. at al. Field and alcali-assisted morphological changes of rhodium field emitter surfaces. // 43th Int. Field Emiss. Symp. Moskow. 1996. Program and Abstract. P. 33.

m-13. Muller E.W., Krishnaswamy S.W. Multi-charged ions at field evaporation of 5-d transitional metals. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37. N. 15. P. 1011-1014. m-14. Marien J. Field emission study of peculiarity of the polar planes (0001) and (0001) zink oxide. // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. V. 38. N. 2. P. 513-522.

m-15. Mc Cord M.A., Pease R.F. Scanning tunneling microscope as a mic-

rometrical tool. // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. N. 10. P. 569-570. m-16. Mc Cord M.A., Pease R.F. High resolution low-voltage probes from a field emission source close to targed plane. // Journ. Vac. Sci. Techn. 1985. V. 3. N. l.P. 198-201.

m-17. Mc Cord M.A., Pease R.F. A scanning tunneling microscope for surface modification. // Journ. De Phys. Coll. C2, suppl. 1986. T. 47. P. C2-487 - C2-491. m-18. Mair G.L. Energy deficit measurements with a liquid gallium ion

source. // Journ. Phys. D. 1987. V. 20. N. 12. P. 1657-1660. m-19. Muller E.W. Oberflachenwanderung von Wolfram auf dem einigen

Kristalgitter. // Zs. Phys. 1949. Bd. 126. S. 642-665. m-20. Moazed K.L., Pound G.M. Field emissiom microscopy of metal crystal nucleation. // Trans. Met. Soc. AIME. 1964. V. 230. N. 1. P. 234-239.

m-21. Melmed A.J. Adsorption and surface diffusion of copper on tungsten.

// Journ. Chem. Phys. 1965. V. 43. N. 9. P. 3057-3062. m-22. Melmed A.J. Epitaxial growth of Cu on W field emitters. // Journ.

Chem. Phys. 1963. V. 38. N. 6. P. 1444-1445. m-23. Melmed A.J. Epitaxial growth of Pb on W field emitters. // Journ.

Chem. Phys. 1965. V. 43. N. 9. P. 3332-3333. m-24. Melmed A.J., Mc Carthy R.F. Field emission microscopy of silver nucleation and epitaxial growth on tungsten. // Journ. Chem. Phys. 1965. V. 42. N. 1. P. 1466-1468. m-25. Mc Carrol B., Ehrlich G. Trapping and energy transfer in atomic collisions with a crystal surface. // Journ. Chem. Phys. 1963. V. 38 N. 2. P. 523-532.

m-26. Montagy-Pollock H.M., Rhodin T.N., Souton M.I. Some properties of thin metal films observed by field ion and field emission microscopy. // Surf. Sci. 1968. V. 12. P. 1-18.

m-27. Miller M.K., Kenik E.A., Zagula TA. Ordering in Ni4Mo: APFIM / TEM / HVEM study. // Journ. De Phys. Coll. C6 suppl. nil. 1987. T. 12. P. C6-385 - C6-390. m-28. Melmed A.J., Shull R.D., Chiang C.K.at al. Possible evidence for

superconducting layers in single crystal YBaCuO by field ion microscopy. // Science. 1988. V. 239. P. 176-178. m-29. Miller M.K., Melmed A.J., More K.L. An APFIM / FEM investigation of planar defects in high temperature superconductors. // Journ. De Phys. Coll. C6, suppl. nil. 1988. T. 49. P. C6-459 - C6 464. m-30. Melmed A. J., Shull R.D., Chiang C.K. Progress in field ion microscopy imaging of high-Tc superconducting oxides. // Journ. De Phys. Coll. C6, suppl. nil. 1988. T. 49. P. C6-459 - C6-464. m-31. Mesyats G.A., Syutkin N.N., Ivchenko V.A. at al. Atomic structure of superconductor YBaCuO in field ion microscope. // Journ. De Phys. Coll. C6, suppl. nil. 1988. T. 49. P. C6-477 - C6-481. n-1. Nicols F.A., Mallins W.W. Morphological changes of a surface of revolution due to capillarity-induced surface diffusion. // Journ Appl. Phys. 1965. V. 36. N. 6. P. 1826-1835. n-2. Nordheim L. Die Theorie der Electronenemission der Metall. // Phys.

Zs. 1929. Bd. 30. N. 7. S. 117-196. n-3. Nishikawa O., Utsumi T. Field ion microscopy study of the interaction of gallium with metals. 1. Pseudomorphic structure and superstructures on tungsten. // Journ. Appl. Phys. 1973. V. 44. N. 3. P. 945-955. n-4. Nishikawa O., Utsumi T. Field ion microscopy study of the interaction of gallium with metals. 2. Alloy formation and anisotropic binding forces in Mo3Ga. // Journ Appl. Phys. 1973. V. 44. N. 3. P. 955-960.

n-5. Nishikawa O., Tsunashima Y., Nomura E. at al. Atom probe study of the early statge of silicide formation. 1. W-Si system. // Journ. Vac. Sci. Tech. 1983. V.B1.P. 6-10. n-6. Nishikawa O., Tomori M., Iwawaki F. High resolution tunneling mic-

roscopics: from FEM to STS. // Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 204-213. n-7. Neumann H. Zur Oberflachenselbstdiffusion des Silizium. // Phys. Stat.

Sol. 1966. V. 14. P. K63-K64. n-8. Nakamura S., Kuroda T. Field emission from n-type GaP crystals. //

Surf. Sci. 1978. V. 70. P. 687-694. n-9. Nakamura S., Kuroda T. On field evaporation end form of a bcc metal surface observed by field ion microscope. // Surf. Sci. 1969. V. 17. P. 346-358.

n-10. Nagai M., Tomomori M., Nishikawa O. Sharpening processes of scanning tunneling microscopy / scanning tunneling spectroscopy tips by thermal field treatment. // Jap. Journ. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 3844-3849.

o-l. Ohno Y., Nakamura S., Kuroda T. Field ion microscopy of GaAs and

GaP. // Surf, Sci. 1977. V. 69. P. 521-532. o-2. Odhomori I., Kuan T.S., Tu K.M. Microstructure and Shottky barrier height of iridium silisides formed on silicon. // Journ. Appl. Phys. 1979. V. 50. N. 11. P. 7020-7029. p-1. Pichaud M., Drechsler M. A field emission measurement of the influence of adsorption on surface self-diffusion. // Surf. Sci. 1972. V. 32. P. 341-348.

p-2. Piquet A., Roux H., Binh Vu Thien at al. Une determination du coefficient d'auto-diffusion de surface avec des points emission de shamp. // Surf. Sci. 1972. V. 44. P. 575-584. p-3. Polizotti R., Ehrlich G. Work function of ideal planes {110} W: Study by Fowler-Nordheim characteristics. // Surf. Sci. 1980. V. 1. P. 24-36. p-4. Polansky J., Sidorski Z., Suber S. Adsorption of beryllium on tungsten: measurements on single-crystal planes. // Acta Phys. Polon. 1976. V. A49. P. 299-305. p-5. Pichaud M., drechsler M. A field emission measurement of the influence of adsorption on surface self-diffusion. // Surf. Sci. 1972. V. 32. P. 341-348.

p-6. Polanschutz W., Krautz E. Feldionenmikroskope bei hoheren temperatures // Zs. fur Metallkunde. 1974. Bd. 65. H. 10. S. 623-626. p-7. Pounov M. Feldelektronenmikroskopische Untersuchung der Quecksilberkeimbildung. //Phys Stat. Sol. 1967. V. 22. P. 103-112. r-1. Richter L., Gomer R. Influence of the metallic adsorbates on surface resonances of the planes (001) of W and Mo. // Surf. Sci. 1979. V. 83. P. 93-116.

r-2. Rayane D., Milinon P., Tribollet B at al. Binding energy and electronic properties in antimony clusters: comparison with bismuth clusters. // Journ. Chem. Phys. 1989. V. 91. P. 3100-3110/ r-3. Russel A.M. Electron trajectories in a field emission microscope. //

Journ Appl. Phys. 1962. V. 33. N. 3. P. 970-975. r-4. Ruboff G. W. Microscopic porperties and behavior of silicides interfaces. // Surf. Sci. 1983. V. 132. P. 268-314.

r-5. Ruox H., Piquet A., Uzan R. at al. Une determination du coefficient d'autodiffusion de surface en presence d'une couche d'adsorption a d'laide de pointes a emission de champ (nickel sur tungstene). // Surf. Sei. 1976. V. 59. P. 97-114. r-6. Rawlings K.J., Foulians S.D. Hopkins B.J. The diffusion of carbon to

and from W (110). // Surf. Sei. V. 109. N. 3. P. 513-521. r-7. Rabinovich A.A. Estimation of the field emission current density drawn

from ultra sharp field emittres. // Surf. Sei. 1978. V. 70. P. 181-185. s-1. Shrdenik V.N., Pavlov V.G., Rabinovich A.A. at al. Growth of tips in the direction normal to close-packed faces by heating in the presence of an electric field. // Phys. Stat. Sol. (a). 1974. V. 23. P. 373-381. s-2. Sakurai T, Muller E.W. Field calibration using the energy distribution of a free-space ionization. // Journ. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 2618-2625.

s-3. Schwoebel P.R. In situ morphological control of STM-probes by helium cathode bombardment. Surf. Sei. 1987. V. 181. P. 154-156. s-4. Schwoebel P.R., Hanson G.R. Summary abstracts: Physical aspects of gaseous field ion beam current stability. // Journ. Vac. Sei. Techn. B. 1987. V. 5. N. 1. P. 195-196. s-5. Schwoebel P.R. The epitaxial growth of microprotrusions on field emitters tips. // Journ. Appl. Phys. 1988. V. 5. N. 1. P. 2359-2364. s-6. Schwoebel P.R. Hanson G.R. Cathode bombardment stimulated microstructure growth-average ion energy. // Journ. De Phys. 1986. Coll. C6 suppl. n 3. T. 49. P. C2-59 - C3-64.

s-7. Schwoebel P.R., Hanson G.R. Beam current stability from localized emission sites in a field ion source. // Journ. Vac. Sci. Techn. 1985. V.3.N. l.P. 214-219. s-8. Schwoebel P., Hanson G. Localized field ion emission using adsorbed hydrogen films on <110> oriented tungsten field emitters. // Journ. Appl. Phys. 1984. V. 56. N. 7. P. 2101-2106. s-9. Swanson L.W., Crouser L.C. Angular confiment of field electron and ion emission. // Journ. Appl. Phys. 1969. V. 40. N. 12. P. 4741-4749. s-10. Spindt C.A. Microfabricated field-emission and field-ionization sources. // Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 145-154. s-11. Suchorski Yu., Medvedev V.K., Block J.H. Appearance energy spectroscopy of Li ions desorbed from W (111) plane. // 41th Int. Field Emiss. Symp. Rouen. France. 1994. Program and Abstracts. P. IA-4. s-12. Schmidt W.A., Ernst N. On the binding strength of surface metal

atoms in a high electric field-face-specific appearance energy measurements of a field evaporated rhodium ions. // Vacuum. 1994. V. 45. N. 2/3. P. 225-228. s-13. Scanning Tunneling Microscopy. General Principles and Applications to Clean and Adsorbate-Covered Surfaces, Ed. Gunterot F. 1992. Springer-Verlag. Berlin-Heidelberg. 230 p. s-14. Swanson L.W., Kingham D.R. On the mechanism of liquid metal ion

sources. Journ. Appl. Phys. 1986. V. A41. N. 3. P. 223-232. s-15. Sears G.W., Khan J.W. Interaction of condensable gases with cold

surface. // Journ. Chem. Phys. 1960. V. 33. N. 2. P. 494-496. s-16. Schmidt W.A., Naschitzki M. Field electron and ion imaging of silicon surfaces. // Surf. Sci. 1988. V. 206. P. 244-258.

s-17. Smith G.D.W., Anderson J.S. Field emission and field ion microscope studies of the epitaxial growth of nickel on tungsten. // Surf. Sci. 1971. V. 24. P. 459-483.

s-18. Smith G.D.W. Pseudomorphism in ultra-thin metal films. // Surf. Sci.

1973. V. 35. P. 304-318. s-19. Sinha M., Swenson O.F., Venkatachalam G. The anomalous Fowler-Nordheim plots of a tungsten field emitter covered with silicon. // Surf. Sci. 1972. V. 33. N. 2. P. 414-418. s-20. Sinha M.K., Swenson O.F. Diffusion of silicon into tungsten in field emission microscope. // Appl. Phys. Lett. 1971. V. 19. N. 11. P. 493-494.

s-21. Sidorski R., Suber S., Polansky J. Adsorption beryllium on <211> oriented tungsten single crystal: work function changes and energy losses of scattering electrons. // Surf. Sci. 1979. V. 80. P. 626-636. s-22. Schlenk W., Bauer E. Beryllium films on the tungsten {110} surface.

// Surf. Sci. 1980. V. 94. N. 2/3. P. 528-546. s-23. Sousa Prize J., Ali P., Growder B. at al. Measurements of the rectifying barrier heights of the various iridium silicides with n-Si. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 35(2). P. 202-204. s-24. Shelton H., Chu A.J. Evaporate lifetimes of copper, chromium, nickel, beryllium, iron and titanum on tungsten. // Journ. Appl. Phys. 1966. V. 37. P. 3544-3548. s-25. Sinitsyn N.I., Gulyaev Yu.V., Torgashev L.A. at al. Thin films consisting of carbon nanotubes as a new material for emission electronics. // Appl. Surf. Sci. 1997. V. 111. P. 145-150.

s-26. Smith D.A. Enchanced field evaporation by gas impact and field ion microscopy of silicon carbide and lanthanum hexaboride. // Journ. Sci. Inst. (J. Phys. E). 1969. S. 2. N. 2. P. 106-107. s-27. Smith D.A., Ralph B., Williams W.S. The study of tungsten carbide by

field ion microscope.//Phil. Mag. 1967. V. 16. N. 140. P. 415-419. s-28. Sha W., Chang L., Smith G.D.W. at al. Some aspects of atom-probe analysis ofFe-C andFe-N systems. // Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 416-423.

s-29. Shkuratov S.I. High temperature superconductors in strong electric

fields. // Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 88-99. t-1. Prolan J.K., Barbour J.B., Martin E.E. at al. Electron emission from lattice step on clean tungsten. // Phys. Rev. 1955. V. 100. N. 6. P. 1646-1649.

t-2. Tsong T.T., Muller E.W. Effect of static-field penetration on the capacity of a capatitor field evaporation and field ionization processes. // Phys. Rev. 1969. V. 181. N. 2. P. 530-534. t-3. Tsong T.T. Pulsed-laser-stimulated field ion emission from metal and semiconductor surfaces: A time-of flite of the formation of atomic, molecular and cluster ions. //Phys. Rev. B. 1984. V. 30. N. 9. p. 4946-4961.

t-4. Tsong T.T. Studies of solid surfaces of atomic resolution. Atom probe

and field ion microscopy. // Surf. Sci. Rep. 1988. N. 8. P. 127-209. t-5. Tsong T.T., Wang S.C., Liu H.F. at al. Early studies of silicide formation on W, Ni and Pt surfaces an atom-probe and field ion microscope study. // Journ. Vac. Sci. Techn. 1983. V. Bl. P. 915-922.

t-6. Tsong T.T. Studies of solid surfaces in atomic resolution. I I Surf. Sci.

Rep. 1988. V. 8. N. 3/4. P. 127-209. t-7. Tsong T.T., Casanova R. Correlation between adatom-adatom pair

interaction and adlayer superstructure formation: Si on W. // Phys. Rev. Lett. 1981. V. 41. P. 113-116. t-8. Tromp R.M., Hammur R.J., Demut J. Si (001) dimer structure observed

with STM. // Phys. Rev. Lett. 1985. V. 55. P. 1303-1306. t-9. Tsong T.T., Liu H.M., Feng D.L. at al. Atomic reconstruction of the

silicon (230) surface. // Phys. Rev. 1987. B. 36. P. 4446-4448. t-10. Tsong T.T. Analitical techniques for thin films. // Treatise on Material

Science and Technology. 1988. V. 27. P. 449-478. t-11. Tsong T.T., Liu J. Kinetic energy and mass analysis of covalent group N clusters ions in pulsed laser stimulated field evaporation. // Journ. De Phys. Coll. C6 suppl. nil. 1988. T. 49. P. C6-75 - C6-80. u-1. Unger J. Vlasov Yu.A., Ernst N. Probe hole field electron / field ion microscopy and energy spectroscopy of ultrasharp <111> oriented tungsten tips. // Appl. Surf. Sci. 1995. V. 87/88. P. 45-52. v-1. Vanselov R., Schmidt W.A. Feldferdampfimg von Platin bei hohen Temperaturen im ultrahoch Vacuum und in Gegenwart von Sauerstoff. // Zs. furNaturfor. 1966. Bd. 21a. S. 1690-1696. v-2. Volmer M, Esterman I. Uber den Mechanismus der Molekulabschei-

dung an Kristallen. // Zs. fur Phys. 1921. Bd. 7. S. 13-17. w-1. Walko R., Muller E.W. Self-imaging of a surface by field desorption. //

Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V. 9. N. l. P. K9-K11. w-3. Wada M. On the thermally activation field evaporation of surface atoms. // Surf. Sci. 1984. V. 145. P. 451-460.

w-4. Wagner A., Hall T.M. Liquid gold ion source. // Journ. Vac. Sci. Tech.

1979. V. 16. N. 6. P. 1871-1874. w-5. Walton D. Nucleation of vapor deposits. // Journ. Chem. Phys. 1962.

V. 37. N. 10. P. 2182-2188. w-6. Wilson R., McKee W. Vacuum thermoionic work function and thermal stability of TaB2, ZrC, Mo2C, MoSi2, TaSi2 and WSi2. // Journ. Appl. Phys. 1967. V. 38. N. 4. P. 1716-1718. w-7. Wrigley J.D., Ehrlich G. Surface diffusion by atomic exchange mechanism. //Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. N. 10. P. 661-663. y-1. Young R.D., Gurney T., Hutchinson F. Condensation of tungsten on tungsten in atomic detail: Observation with field ion microscope. // Journ. Chem. Phys. 1965. V. 42. P. 3939-3943. y-2. Young R.D., Schubert D. Condensation of tungsten on tungsten in

atomic detail: Monte-Carlo and statistical calculations vs experimental. // Journ. Chem. Phys. 1965. V. 42. P. 3943-3950. z-1. Zwanzig R.W. Collision of gas atom with a cold surface. // Journ.

Chem. Phys. 1960. V. 32. N. 4. P. 1173-1177.' z-2. Zacharchuk G., Alvensleben L., Dehring M. at al. Atom probe field ion microscopy of high-temperature superconducting materials. // Journ. De Phys. Coll. C6 suppl. nil. 1988. T. 49. P. C6-471 - C6-476.