Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Зарубина, Оксана Николаевна

• Зарубина, Оксана Николаевна
• кандидат химических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат химических наук Зарубина, Оксана Николаевна

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Формирование и исследование межфазных границ (поверхности) полупроводников АШВУ (литературный обзор)

1.1 Формирование необходимого состава поверхности на многокомпонентных полупроводниках жидкостным травлением

1.2 Методы и результаты исследования поверхности полупроводников

1.2.1 Основные физические методы

1.2.2 Вольтамперометрические методы анализа фазового состава поверхности полупроводников

1.3 Диаграммы Пурбе, как метод описания основных межфазных превращений и оценки возможного состава поверхности элементарных веществ и их соединений

1.4 Влияние растворенного кислорода на фазовый состав поверхности

1.4.1 Способы удаления растворенного кислорода из водных растворов

Глава 2. Выявление основных потенциалопределяющих реакций для систем АшВу-Н20(рН) представление их в виде диаграмм Пурбе. Возможный состав и строение поверхности исследуемых полупроводников

2.1 Диаграммы кажущийся равновесный электродный потенциал - рН и продукты межфазных превращений

2.1.1 Арсенид индия и арсенид галлия

2.1.2 Нитрид галлия

2.2 Протяженность приповерхностной области полупроводников А1ПВУ

Глава 3. Аппаратура и методика эксперимента

3.1 Аппаратура и электроды

3.2 Реактивы и материалы

3.3 Объекты исследования

Глава 4. Формирование межфазных границ (поверхности) полупроводников типа АШВУ. Подбор условий равномерного и селективного травления и выявление факторов, влияющих на результат обработки

4.1 Межфазные превращения на поверхности арсенида индия

4.2 Межфазные превращения на поверхности арсенида галлия

4.3 Межфазные превращения на поверхности антимонида индия

4.4 Влияние растворенного в промывной жидкости кислорода на фазовый состав поверхности арсенидов индия и галлия

2

4.4.1 Выбор условий дезактивации кислорода в воде с добавками муравьиной кислоты и ее использования для отмывки пластин полупроводников после травления

4.4.2 Исследование возможности применения раствора муравьиной кислоты после УФ облучения в качестве фонового электролита для вольтамперометрического исследования фазового состава поверхности ОаАэ и ЬгАэ

4.5 Экспериментальное доказательство существования теоретически предсказываемого приповерхностного кристаллического слоя с нарушенной структурой

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ВЫВОДЫ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Межфазные превращения в системах AIIIBV-H2O и формирование поверхности полупроводниковых соединений в жидких средах»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования

Полупроводники типа АШВУ нашли широкое применение в электронике благодаря более высокой по сравнению с кремнием подвижности носителей заряда. Арсенид и нитрид галлия используются для создания светодиодов и СВЧ устройств, а арсенид и антимонид индия - ИК фотоприемников. Одна из основных операций в технологии полупроводниковых устройств -обработка поверхности материалов в газовой или жидкой среде. Однако этот процесс для бинарных полупроводников по сравнению с элементными полупроводниками значительно сложнее, в том числе из-за неравномерного растворения/окисления их компонентов. При этом полного понимания путей (механизма) формирования состава и строения межфазных границ (поверхности) еще нет.

Согласно представлениям Гиббса, граница раздела фаз является поверхностью разрыва (переходным слоем с определенной протяженностью), в которой возникает градиент свойств и состава, определяемый внешними условиями. Исходя из этого, поверхность веществ следует рассматривать как сложную структуру. Согласно современным представлениям, она состоит из поверхностного фазового и приповерхностного кристаллического слоя с нарушенной стехиометрией, лежащего между поверхностным фазовым слоем или раствором и объемом кристалла. Возможность существования приповерхностного слоя обоснована теоретически, однако экспериментальные доказательства его существования и оценки его толщины отсутствуют. Это затрудняет прогнозирование и целенаправленное формирование состава и строения поверхности.

Особенно это важно в связи с тем, что в последние годы появилось

новое направление по созданию наноразмерных поверхностных структур и

твердых полупроводниковых растворов путем управляемого роста или

селективного удаления и внедрения в кристаллическую решетку одного из

компонентов соединения или гетероатомов, в том числе обработкой в

' 5

жидких средах. Решение этой задачи сдерживается трудностями исследования размера, состава и структуры межфазных границ (поверхности). В связи с этим возникает необходимость развития известных подходов к описанию межфазных явлений с термодинамических и кинетических позиций, а также экспериментального обоснования и проверки получаемых теоретических результатов.

Цель работы

На основе общих представлений о возможных межфазных превращениях в системах нитрид галлия-НгО (рН), арсенид (антимонид) галлия (индия)-Н20 (рН) выявить соответствующий им состав поверхностного фазового слоя, наличие и толщину приповерхностного нарушенного кристаллического слоя, лежащего между поверхностным фазовым слоем (или при отсутствии такового - раствором) и объемом кристалла.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи.

1. Выявить основные потенциалопределяющие реакции, ответственные за межфазные превращения и образование соответствующего им поверхностного фазового слоя на многокомпонентных кристаллических материалах типа АШВУ в связи с величиной электрического потенциала и рН среды; представить их в виде диаграмм потенциал - рН.

2. Теоретически оценить максимально возможную толщину приповерхностного кристаллического слоя с нарушенным стехиометри-ческим составом, лежащего между поверхностным фазовым слоем (или раствором) и объемом кристалла. Экспериментально подтвердить наличие такого слоя.

3. На примере ГпАб, 1п8Ь и ОаАэ доказать соответствие (или несоответствие) и возможность практического использования полученных теоретических выводов о составе и строении межфазных границ,

представляемых в виде поверхностного фазового слоя и приповерхностного нарушенного кристаллического слоя:

а) с использованием диаграмм потенциал - рН выбрать условия для целенаправленного формирования межфазных границ (поверхности) исследуемых соединений в связи с возможным механизмом растворения (окисления) соединений в водных средах;

б) с привлечением различных методов экспериментально исследовать состав и строение сформированных межфазных границ (поверхности) и сопоставить полученные результаты с теоретическими данными.

4. Найти подход для предотвращения изменения состава сформированного фазового слоя на поверхности полупроводников в процессе отмывки образцов водой после травления, обычно возникающего из-за протекания процесса коррозии с участием растворенного в промывной жидкости кислорода и не учитывающегося при расчете и построении диаграмм Пурбе. Рассмотреть возможность дополнительного применения полученных результатов при вольтамперометрическом исследовании фазового состава сформированного поверхностного слоя.

Связь темы с планом основных научных работ

Выполнение работы проводилось в соответствии с планом проблемной научно-исследовательской лаборатории химии РЗЭ темплана ТГУ на 20092011 г. (номер госрегистрации НИР 01200903823). Работа выполнялась при поддержке гранта РФФИ на 2010-2012 г. (№ 10-08-00575_а), госконтракта № 8169р/12641 по программе У.М.Н.И.К.

Научная новизна

Впервые экспериментально подтверждено наличие теоретически

предсказываемого приповерхностного кристаллического слоя с нарушенным

стехиометрическим составом, образующегося между поверхностным

фазовым слоем и объемом кристалла в условиях селективной

(псевдоселективной) обработки поверхности соединений. Впервые, исходя из

данных об области гомогенности соединений типа АШВУ в качестве

7

граничных условий, на основе диффузионных представлений произведена оценка его возможной максимальной толщины.

На примере систем арсенид галлия и индия, антимонид индия-НгО (рН) экспериментально подтверждено соответствие расчетных данных о возможных здесь межфазных превращениях и соответствующих им составов поверхностного фазового слоя. На этой основе предложена методика для целенаправленного формирования последнего в связи с внешними условиями обработки (травления) материалов в жидкой среде.

Впервые выявлены основные возможные потенциалопределяющие реакции, протекающие в системе 0аМ-Н?0 (рН). Результаты представлены в виде диаграммы потенциал - рН.

Предложен фотохимический метод подготовки водной среды, использующейся для промывки пластин полупроводников после травления, а также для вольтамперометрического исследования состава поверхностного фазового слоя. Такой подход позволил избежать изменения состава поверхности материала за счет протекания коррозии с кислородной деполяризацией.

Практическая значимость

Общие теоретические представления и разработанная методика целенаправленного формирования межфазных границ (поверхности) могут быть использованы для подготовки поверхности полупроводников к последующему проведению различных технологических операций, включая получение поверхности лишенной поверхностного фазового слоя, защиты/пассивирования поверхности слоем мышьяка (сурьмы) или собственными оксидами.

Метод удаления растворенного кислорода фоторазложением

муравьиной кислоты можно использовать для подготовки промывных

жидкостей с дезактивированным кислородом и также в качестве фонового

электролита при проведении фазового вольтамперометрического анализа

поверхности полупроводников. При этом не происходит переформирования

8

фаз на поверхности в процессе промывки, также нет необходимости использования продувки инертными газами.

Теоретические представления и данные по формированию приповерхностного кристаллического слоя с изменяемым стехиометрическим соотношением компонентов полупроводника могут послужить предпосылками для последующей разработки процесса формирования низкоразмерных поверхностных структур (гетероструктур) в условиях естественной среды.

Положения, выносимые на защиту

1. Основные потенциалопределяющие реакции, ответственные за межфазные превращения и образование соответствующего им состава поверхностного фазового слоя в системах полупроводник типа А111ВУ-Н20 (рН) на примере арсенидов галлия и индия, нитрида галлия, представляемые в виде диаграмм потенциал - рН.

2. Результаты экспериментальных исследований состава поверхностных фазовых слоев, сформированных на арсениде галлия и индия, антимониде индия в соответствии с условиями обработки, выбранными на основе теоретических данных о межфазных превращениях на границе с Н20 (рН), и методика их целенаправленного формирования в водной среде.

3. Результаты экспериментальной проверки наличия теоретически предсказываемой приповерхностной области полупроводникового кристалла с нарушенной кристаллической решеткой, образующейся в условиях селективного (псевдоселективного) разрушения соединений и теоретической оценки максимально возможной толщины такой области.

4. Фотохимический способ подготовки водной среды, использующейся для отмывки пластин полупроводников после травления, а также для приготовлении электролита при проведении вольтамперометрического исследования состава поверхностного фазового слоя, позволяющий избежать изменения состава поверхности материала (окисления растворенным в воде молекулярным кислородом).

Апробация работы

Результаты работы представлялись на Международных конференциях: Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии (Ставрополь, 2008), Полифункциональные материалы, и нанотехнологии (Томск, 2008), Нанотехнологии-2010 (Таганрог, 2010), 10th Conference of the Asian Crystallographic Association (Busan, 2010), на Taiwan-Siberian Innovation Forum (Taipei, 2011); а также на Всероссийских конференциях: Методы исследования состава и структуры функциональных материалов (Новосибирск, 2009), Физика и химия высокоэнергетических систем (Томск, 2010); Полифункциональные химические материалы и технологии (Томск, 2012); Химия и химическая технология: достижения и перспективы (Кемерово, 2012).

Работа выполнялась при поддержке гранта РФФИ на 2010-2012 г. (№ 10-08-00575_а), госконтракта № 8169р/12641 по программе У.М.Н.И.К., темплана ТТУ на 2009-2011 г. (номер гос. регистрации НИР 01200903823).

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций

Достоверность результатов настоящей работы обусловлена использованием серийного оборудования, проведением многочисленных экспериментов, сопоставлением результатов данной работы с результатами, полученными независимых методов. Анализ экспериментальных зависимостей проведен на основе классических теоретических положений и полученные результаты не противоречат имеющимся в литературе данным.

Публикации

По материалам работы опубликовано 18 работ, из них 4 статьи в источниках согласно списку ВАК.

Объем и структура работы

Диссертационная работа изложена на 128 страницах печатного текста, включает 42 рисунка, 12 таблиц; состоит из введения, 4 глав, заключения, выводов, списка литературы, включающего 123 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Зарубина, Оксана Николаевна

выводы

1. Выявлены основные потенциалопределяющие реакции, ответственные за межфазные превращения и образование соответствующего им состава поверхностного фазового слоя на многокомпонентных кристаллических материалах типа АШВУ в связи с величиной электрического потенциала и рН среды; результаты представлены в виде диаграмм потенциал - рН.

2. На основе предположения о возможности использования в качестве граничных условий обычно наблюдаемых величин отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединений и диффузионных представлений проведена оценка максимально возможной толщины приповерхностного нарушенного кристаллического слоя материалов АШВУ в условиях их (псевдо)селективного разрушения. Найдено, что величина приповерхностного нарушенного кристаллического слоя может находиться в диапазоне от 5 до 500 нм.

3. На основе построенных диаграмм Е - рН проведен подбор условий для целенаправленного формирования необходимого фазового состава поверхности арсенида (антимонида) галлия (индия). Проведенный фазовый анализ поверхности соединений показал, что в отсутствии растворенного кислорода фазовый состав и строение межфазной границы после проведения травления соответствует ожидаемому (расчетному).

4. Методом рентгеноструктурного анализа (в двух вариантах методик и оборудования) подтверждено наличие на межфазной границе кристаллического слоя с нарушенной структурой. Установлено, что в результате (псевдо)селективного травления на межфазной границе происходит формирование кристаллитов полупроводника с нановклю-чениями элемента пятой группы. По уширению полос в спектрах рентгеновской дифракции оценен размер области когерентного рассеяния таких кристаллитов. На межфазной границе антимонида индия формируются кристаллиты 1п8Ь со средним размером 100 нм, и включения элементной

сурьмы со средним размером 20 нм; на межфазной границе арсенида индия средний размер кристаллитов 1пА8 20 нм.

5." Показано, что водный раствор муравьиной кислоты с дезактивированным кислородом путем УФ облучения в течение 15-20 минут можно использовать в качестве промывных вод после химического травления арсенидов индия и галлия, а также для вольтамперометрического исследования состава поверхностного фазового слоя на полупроводниках.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Зарубина, Оксана Николаевна, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. PaikS-J., Kim J., ParkS., Kim S., Koo C., Lee S-K, Cho D. A novel

micromachining technique to fabricate released GaAs microstructures with a rectangular cross section // Jpn. J. Appl. Phys. - 2003. - Vol.42, Pt. 1. - No.l. - P.326-332.

2. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов: справочник /

Ю.П. Пшеничнов. - М.: Металлургия, 1974. - 71 с.

3. Köhler М. Etching in microsystem technology / M. Köhler. - Germany.: Wiley-

vch., 1999.-368 p.

4. Zhuang D., Edgar J.H. Wet etching of GaN, A1N, and SiC: a review // Materials

Science and Engineering R. - 2005- Vol. 48 - P. 1-46.

5. Немошкаленко B.B., Алешин В.Г., Гассанов Л.Г., Семашко Е.М., Сенкевич

А.И., Прокопенко В.М., Варченко H.H. Влияние физико-химических воздействий на поверхность арсенида галлия // Поверхность. - 1983. - № 2.-С. 88-94.

6. Physics and chemistry of III—V compound semiconductor interfaces/Ed.:

Wilmsen Carl W. New-York, London: Plhenum Press, 1985. -465 p.

7. MorotaH., Adachi S. Properties of GaP (001) surfaces treated in aqueous HF

solutions //J. of Appl. Phys. -2007-Vol. 101. - P. 113518-1-113518-6.

8. Lie F.L., Rachmady W., Muscat A.J. A comparison of liquid and gas phase

surface preparation of III-V compound semiconductors for atomic layer deposition // Microelectronic Engineering. - 2009. - № 86. - P. 122-127.

9. Lie F.L., W. Rachmady, A.J. Muscat InO.53GaO.47As (100) native oxide

removal by liquid and gas phase HF/H20 chemistries // Microelectronic Engineering. - 2010. - № 87. - P. 1656-1660.

10. Lin J.C. , P.W. Fry, R.A. Hogg, M. Hopkinson, I.M. Ross, A.G. Cullis, R.S.

Kolodka, A.I. Tartakovskii, M.S. Skolnick The control of size and areal

density of InAs self-assembled quantum dots in selective area molecular beam epitaxy on GaAs (0 0 1) surface // Microelectronics Journal. - 2006. - № 37. -P. 1505-1510.

11. Adachi S., Kikuchi D. Chemical etching, characteristics of GaAs(100) surfaces

in aqueous HF solutions // Journal of The Electrochemical Society. - 2000. -Vol. 147, № 12. - P. 4618^624.

12. Rei Vila M., El Beghdadi J., Debontridder F., Artzi R., Naaman R., Ferraria A.M., Botelho do Rego A. M. Characterization of wet-etched GaAs (100) surfaces // Surf. Interface Anal. - 2005- Vol. 37 - P. 673-682.

13. Losurdo M.,Giangregorio M.M., Lisco F., Capezzuto P., Bruno G., Wolter S.

D., Angelo M., Brown A. InAs(100) Surfaces Cleaning by an As-Free Low-Temperature 100°C Treatment // J. Electrochem. Soc. - 2009. - Vol. 156., Issue 4.-P. H263-H267.

14. Li Y.G., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Zheng J.C. Ion-induced nitridation of GaAs

(100) surface //Appl. Surf. Sci. - 2001. - Vol. 174. - P.275-282.

15. Бекезина Т.П., Мокроусов Г.М. Формирование поверхности заданного состава у арсенида галлия // Неорганические материалы. - 2000. - Т. 36, №9.-С. 1029-1036.

16. Вгусе С., Berk D. Kinetics of GaAs Dissolution in H2O2-NH4OH-H2O Solutions // Ind. Eng. Chem. Res. - 1996. - Vol. 3. - P. 4464^470.

17. Negrila C.C., Logofatu C., Ghita R.V., Cotirlan C., Ungureanu F.,Manea A.S.,

Lazarescu M.F. Angle-resolved XPS structural investigation of GaAs surfaces // Journal of Crystal Growth. - 2008 - Vol. 310. - P. 1576-1582.

18. Song J.S., Choi Y.C., Seo S.H., Oh D.S., Cho M.W., Yao Т., Oh M.H. Wet

chemical cleaning process oh GaAs substrate for ready-to-use // J. of Crystal Growth. - 2004. - Vol. 264. - P. 98-103.

19. Tomashik Z. F., Danilenko S. G., Tomashik V. N., Kusyak N. V. Interaction of

InAs and InSb with aqueous solutions of nitric acid // Inorganic Materials. -2000.-№36.-P. 153-156.

20. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R. New and unified model for Schottky barrier and III-V- insulator interface states formation // J. Vac. Sci. Technol. -1979. - Vol. 16, № 5. -P. 1422-1433

21. Price J., Barnett J., Raghavan S., Keswani M., Govingarajan R. A study of the interaction of gallium arsenide with wet chemical formulations using thermodynamic calculations and spectroscopic ellipsometry // Microelectron. Eng. -2010. - Vol.87, No.9. - P.1661-1664.

22. Tereshchenko O.E., Placidi E., Paget D.,Chiaradia P., Balzarotti A. Well-ordered (100) InAs surfaces using wet chemical treatments // Surface Science. - 2004. - Vol. 570. - P. 237-244.

23. Paget D., Tereshchenko O.E., Gordeeva A.B., Berkovits V.L., Onida G. Origin

of the broadening of surface optical transitions of As-rich and Ga-rich GaAs(0 0 1) // Surface Science. - 2003. - Vol. 529. - P. 204-214.

24. Tereshchenko O.E. Structure and composition of chemically prepared and vacuum annealed InSb (0 01) surfaces //Applied Surface Science. - 2006. -Vol. 252. - P. 7684-7690.

25. Tereshchenko O.E., Paget D., Rowe A.C.H., Berkovits V.L., Chiaradia P., Doyle B.P., Nannarone S. Clean reconstructed InAs (111) A and В surfaces using chemical treatments and annealing // Surface Science. - 2009. - № 603. -P. 518-522.

26. Kesler V.G., Seleznev V.A., Kovchavtsev A.P., Guzev A.A. Composition, morphology and surface recombination rate of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed InAs(l 1 1)A surfaces //Applied Surface Science. - 2010. -Vol. 256. - P. 4626-4632.

27. Валишева H.A., Левцова T.A., Путято M.A., Семягин Б.Р., Селезнев В.А.,

Преображенский В.В. Методы получения структурно-совершенной поверхности арсенида галлия // Вестник НГУ. Серия: Физика. - 2008. -Т.З, вып. 4. - С. 3-8.

28. Lebedev M.V., Ensling D., Hunger R., Mayer Т., Jaegermann W. Synchrotron

photoemission spectroscopy study of ammonium hydroxide etching to prepare well-ordered GaAs (100) surfaces // Applied Surface Science. - 2004. - № 229.-P. 226-232.

29. Lebedev M. V. Mankel E., Mayer Т., Jaegermann W. Wet etching of GaAs(100)

in acidic and basic solutions: a synchrotron photoemission spectroscopy study

//

J. Phys. Chem. - 2008. - № 112.-P. 18510-18515.

30. Huang Y., Luo J., Ivey D.G. Comparative study of GaAs corrosion in H2S04

and NH3-H2O solutions by electrochemical methods and surface analysis // Materials Chemistry and Physics. - 2005. - Vol. 93. - P. 429^142.

31. Steer C.A., Weng G.S., Luo J.L., Ivey D.G. Formation of As2 03 during anodic

dissolution of GaAs // Electrochemistry Communications. - 2000. - Vol. 24 -P. 754-761.

32. Freias R.S., Neves B.R.A., Sampaio J.F., Rodrigues 1 W.N., Andrade M.S., Moreira M.V.B., de Oliveira A.G. Influence of doping concentration on the etching rate of GaAs studied by atomic force microscopy // Atomic Force Microscopy/Scanning Tunneling Microscopy. - 1999 - № 9. - P. 169-173.

33. Пентин Ю.А., Вилков JI.B. Физические методы исследование в химии. -

М.: Мир, ООО «ИздательствоАСТ», 2003. - 683 с.

34. N.L. Dmitruk), S.V. Mamykin, O.V. Rengevych. Formation, geometric and

electronic properties of microrelief Au-GaAs interfaces// Appl.Surf. Sci. -2000. - Vol. 166. - P. 97-102.

35. Kidalov V.V. Photoluminescence and Raman spectroscopy of porous p-type

GaAs // Складшсистеми i процеси. - 2007. - № 1. - С. 38-41.

36. Gayou Y.L., Salazar-Hernandez В., Constantino M.E., Rosendo Andres E., Diaz Т., Delgado Macuil R., Rojas Lopez M. Structural studies of ZnS thin films grown on GaAs by RF magnetron sputtering // Vacuum. - 2010. - Vol. 84, № 10.-P. 1191-1194.

37. Sun W.-C., Chu c.-H., Chang H.-C., Wu B.-K., Chen Y.-R., Cheng C.-W., Chiu

M.-S., Shen Y.-C., Wu H.-H., Hung Y.-S., Chang S.-L., Hong M.-H., Tang M.-T:, Stetsko Yu. P. // Thin Solid Films. - 2007. - Vol. 515 - P. 5716-5723.

38. Шилов С. В., Котов JI. Н., Петраков А. П., Асадуллии Ф. Ф. Рентгеновские

исследования термической и лазерной диффузии бора в кремнии // Вестник Челябинского университета, Физика. - 2008. - Т. 126, № 25. -Вып. 3. - С.78-82

39. Singh L.S.S. , Tiwary К.Р. , Purohit R.K. ECR plasma etching of GaAs in

CC12F2/Ar/02 discharge and IR studies of the etched surface //Current Appl. Phys.-2005.-Vol. 5. -P.351-355.

40. Friedrich M., Himcinschi C., Salvan G., Anghel M., Paraian A., Wagner Th.,

Kampen T.U., Zahn D.R.T. VASE and IR spectroscopy: excellent tools to study biaxial organic molecular thin films: DiMe-PTCDI on S-passivated GaAs(100) // Thin Solid Films. - 2004. - Vol. 455-^156. - P.586-590.

41. Chazalviel J.-N., Belaidi A., Safi ML, Maroun F., Erne B.H. ,Ozanam F. In situ

semiconductor surface characterisation: a comparative infrared study of Si, Ge and GaAs // ElectrochimicaActa. - 2000. - Vol. 45. - P. 3205-3211.

42. Herms M., Irmer G., Goerigk G., Bedel E., Claverie A. Precipitation in low

temperature grown GaAs // J. Materials Sci. and Engineering. - 2002. - Vol. B91-92.-P. 466^169.

43. Campos C.E.M., Pizani P.S. Morphological studies of annealed GaAs and GaSb surfaces by micro-Raman spectroscopy and EDX microanalysis// Appl.

Surface Sci. - 2002. - Vol. 200. - P. 111-116.

44. Gilliam S.J., Merrow C.N., Kirkby S.J., Jensen J.O., Zeroka D., Banerjee A.

Raman spectroscopy of arsenolite: crystalline cubic As406 //Journal of Solid State Chemistry. - 2003. - № 173. - P. 54-58.

45. Mavi H.S. Shukla, A.K., Chauhan B. S., Islam S.S. Surface morphology and

formation of GaAs nanocrystals by laser-induced etching: SEM, PL and Raman studies // Materials Science & Engineering B/ - 2004. - Vol. 107. -P. 148-154.

46. Hashimoto A., Furuhata T., Kitano T., Nguyen A.K., Masuda A., Yamamoto A.

RF-MBE growth and Raman scattering characterization of lattice-matched GalnNAs on GaAs(0 0 1) substrates// J. of Crystall Growth. - 2001. - Vol. 227-228. - P. 532-535.

47. Machac P., Machovic V. Raman spectroscopy of Ge/Pd/GaAs contacts Nanostructuring-induced modification of optical properties of p-GaAs (100) // Microelectronic Engineering. - 2004. - Vol. 71. - P. 177-181.

48. Udayashankar N.K., Bhat H. L. Influence of growth parameters on the surface

morphology and crystallinity of InSb epilayers grown by liquid phase epitaxy //"Bull. Mater. Science. - 2003. - Jte 26.'- P. 685-692.

49. Quagliano L.G. Detection of As203 arsenic oxide on GaAs surface by Raman

scattering //Appl. Surface Sci. - 2000. - Vol. 153. - P. 240-244.

50. Dmitruk N., Kutovyi S., Dmitruk I., Simkiene I., Sabataityte J., Berezovska N.

Morphology, Raman scattering and photoluminescence of porous GaAs layers // Sensors and Actuators. - 2007. - Vol. B126. - P. 294-300.

51. Ben Khalifa S., Gruzza B., Robert-Goumet C. et al. Morphology and optical

properties of p-type porous GaAs(l 0 0) layers made by electrochemical etching // Journal of Luminescence. - 2008. -Vol. 128 - P. 1611-1616.

52. Lockwood D. J. Raman Spectroscopy of Oxides of GaAs Formed in Solution //

Journal of Solution Chemistry. - 2000.-Vol. 29, №. 10. - P.1039-1046.

53. Ali N. K., Hashim M. R., Abdul Aziz A., Abu Hassan H. Correlation of Raman

and photoluminescence spectra of electrochemically prepared n-type porous GaAs // Semicond. Sei. Technol. - 2008. - Vol. 23. doi:10.1088/0268-1242/23/5/055016.

54. Слепушкин B.B., Рублинецкая Ю.В. Локальный электрохимический анализ. - М.: ФИЗМАТЛИГ, 2010.-321 с.

55. Захарчук Н.Ф., Валишева H.A., ЛелькинК.П., Смирнова Т.П., Юделевич И.Г., Белый В.П., Зенковец Г.А. Фазовый анализ окисных слоев антимонида индия методом, вольтамперометрии на угольно-патовом электроде // Изв. СО АН СССР, Сер.хим. наук. - 1980. - № 4, вып. 2. - С. 39^45.

56. Смирнова Т.П., Шпурик В.Н., Белый В.И., Захарчук Н.Ф. Исследование химического состава поверхности антимонида индия // Изв. СО АН СССР, Сер.хим. наук. - 1982. - № 7, вып. 3. - С. 93-97.

57. Захарчук Н.Ф., Валишева H.A., Лелькин К.П., Смирнова Т.П., Юделевич И.Г., Белый В.И., Зенковец Г.А. Фазовый анализ окисных слоев антимонида индия методом вольтамперометрии на угольно-патовом электроде // Изв. СО АН СССР, Сер. хим. наук. - 1980. - № 4, вып. 2.-С. 45-53.

58. Захарчук Н.Ф., Смирнова Т.П., Белый В.И., Юделевич И.Г. Вольтамперометрия твердых фаз в исследовании состава поверхности полупроводников // Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. -1984.-Ч. 2.-С. 143-151.

59. Смирнова Т.П., Захарчук Н.Ф., Белый В.И. Фазовый состав и структура пленок собственного оксида на GaAs // Неорган. Материалы. - 1990. - Т. 26, № 3. - С. 492-499.

60. Смирнова Т.П., Белый В.И., Захарчук Н.Ф. О состояниях элемента V группы на поверхности AniBv // Поверхность. Физика, химия, механика. -1984. - № 2. - С. 94—99.

61. Князева Е.П., Волкова В.Н., Алифанова И.А. Новые возможности ртутного электрода в фазовом анализе поверхности твердых тел (арсенида галлия) // Ж. аналит. химии. - 1994. - № 9. - С. 1013-1016.

62. Мокроусов Г.М., Князева Е.П., Волкова В.Н., Алифанова И.А. Возможности ртутного электрода в фазовом анализе поверхности твердых тел (арсенида галлия) // Ж. аналит. химии. - 1994. - № 9. -С.1013-1016.

63. Латимер В.М. Окислительные состояния элементов и их потенциалы в

водных растворах: Пер. с англ. М.: Иностр. лит-ра. 1954. - 400с.

64. Pourbaix M. Atlas of electrochemical equilibria in aqueous solution. N.Y.: Pergamon Press. 1966. - 644p.

65. Батенков В.А., Катаев Г.А. Диаграмма равновесия электродный потенциал

арсенида галлия - pH раствора. Арсенид галлия. Томск: Изд-во Том. унта в 2 т. - 1969. - Т. 2. - С.220-224.

66. Schwartz В. GaAs surface chemistry - a review. CRC Crit. Revs.Solid State

Sei. - 1975. - Vol.5, No.4. - P.609-624.

67. Металловедение: Химия и физика металлов и сплавов: Пер. с нем. - М.-Л.: ОНТИ, 1935.-439 с.

68. Маршаков И.К. Электрохимическое поведение и характер разрушения твердых растворов и интерметаллических соединений // Коррозия и защита от коррозии: Итоги науки и техники. М.: ВИНИТИ. - 1971. - Т. 1. - С.138-155.

69. Мокроусов Г.М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз. Томск:

Изд-во Томск, ун-та. 1990. - 230с.

70. Мокроусов Г.М. Границы раздела фаз, новые материалы и методики аналитического контроля // Химики ТГУ на пороге третьего тысячелетия. Томск: Изд-во Том. ун-та. - 1998. - С. 73-86.

71. Hitota Y. Effects of dissolved oxygen in a de-ionized water treatment on GaAs

surface // J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 75, № 3. - P. 1798-1803.

72. McGrath W.D., Norrish G.W. Studies of the Reactions of Excited Oxygen Atoms and Molecules Produced in the Flash Photolysis of Ozone // Proc. R. Soc. London A, Mathematical and Physical Sciences. - 1960. - Vol. 254, No. 1278.-P.317-326.

73. Allongue P., Blonkowski S. Corrosion of III-V compounds; a comparative study of GaAs and InP // J. Electroanal. Chem. - 1991. - Vol. 317. - P. 77-99.

74. Massies J., Contour J.P. Substrate chemical etching prior to molecular-beam

epitaxy: An x-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs {001} surfaces etched by the H2SO4-H2O2-H2O solution // J. Appl. Phys. - 1985. - Vol. 58, № 2.-P. 806-810.

75. Pat. 7264655, Gas/liquid separation in water injection into hydrocarbon reservoir/ 25.12.1990. Joynson, et al. - publ. 04.09.2007

76. Pat. 4979370 United States. Process for manufacturing clear and pattern ice

products / Hotaling, E.William. - publ. 25.12.1990.

77. Pat. 7344649 United States. Catalytic removal of dissolved oxygen from organic liquids / Redlingshofer, • Hubert, Dorflein, Andreas, Weckbecker, Christoph. - publ. 18.03.2008.

78. Pat. 5612522 United States. Adsorption and ion exchange zeolite gel media to

improve the quality and carbonation of water / Levy, Ehud. - publ. 18.03.1997.

79. Pat. 6241893 United States. Water filtration media, apparatus and processes /

Levy, Ehud. - publ. 05.06.2001.

80. Pat. 7344649 United States. Catalytic removal of dissolved oxygen from organic liquids / Redlingshofer, Hubert, Dorflein, Andreas, Weckbecker, Christoph. - publ. 18.03.2008.

81. Pat. 6417318 United States. Process for the removal of dissolved oxygen from

phenol / Heydenreich, Frieder, Wagner, Rudolf, Bodiger, Michael. - publ. 09.07.2002.

82. Pat. 4540494 United States. Method for the removal of oxygen dissolved in

water/ Fuchs, Wilfried, Richter, Horst, Kaufmann, Vendelin, Renker, Wolfgang , Kober, Roland. - publ. 10.09.1985.

83. Pat. 3983048 United States. Composition for accelerating oxygen removal comprised of a mixture of aqueous hydrazine and an aryl amine compound / Schiessl, W.Henry, Kaufman, D. John, Csejka, A.David. - publ. 28.09.1976.

84. Pat. 4348289 United States. Water treatment method to .remove dissolved oxygen therefrom / Jr.Snavely,' S.Earl, Jr. Caldwell, L. Paul. - publ. 07.09.1982.

85. Короткова Е.И. Влияние антиоксидантов на процесс электровосстановления кислорода / Материалы симпозиума : теория электроаналитической химии и метод инверсионной вольтамперометрии. - Томск, 28 сент. - 1 окт. 2000 г. - Томск, 2000. - 332 с.

86. Волкова В.Н. и др. Выбор условий и оценка метрологических характеристик определения тяжелых металлов в природных и сточных водах методом инверсионной вольтамперометрии с УФ- облучением // ЖАХ. - 1987. - т. ХШ, № 2 - С. 246 - 251.

87. Электрохимические методы анализа : учебно - методическое пособие для

студентов специальности «Охрана окружающей среды и рациональное использование природных ресурсов» и специализации «Экспертная химия» / Баталова В.Н ; Том. гос. ун-т. - Томск, 2008. - 41 с.

88. Захарова Э.А. Применение фотохимических реакций в вольтамперометрическом анализе / Материалы симпозиума : теория электроаналитической химии и метод инверсионной вольтамперометрии.

- Томск, 28 сент. - 1 окт. 2000 г. - Томск, 2000. - С. 332 с.

89. Мокроусов Г.М., Зарубина О.Н. Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа АШВУ // Известия Томского политехнического университета. - 2008. - Т. 313, № 3. - С. 25 -30.

90. Зарубина О.Н., Мокроусов Г.М. Межфазные превращения в системе Н20

(рН) - арсенид галлия (индия). Формирование поверхностного фазового слоя на полупроводнике // Бутлеровские сообщения. - 2009. - Т. 17, № 6.

- С. 33^0.

91. Sokolov V.N., Kim К. W. Terahertz generation in submicron GaN diodes within the limited space-charge accumulation regime // J. Appl. Phys. - 2005. --Vol. 98, №. 6. - P. 064507-064507-7.

92. Акчурин P.X., Мармалюк А.А. Нитрид галлия - перспективный материал

электронной техники. Часть III. Технологические приемы улучшения структурных и электрофизических характеристик эпитаксиальных слоев // Материаловедение. - 2001. - №. 10. - С. 21-29.

93. Macpherson R.F., Dunn G.M. The use of doping spikes in GaN Gunn diodes //

Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 93? № 6. - P.062103-062103-2.

94. Sevik C., Bulutay C. Efficiency and harmonic enhancement trends in GaN-based Gunn diodes: Ensemble Monte Carlo analysis // Appl. Phys. Lett. -2004. - Vol. 85, № 17. - P.3908-3910.

95. Kohler M. Etching in microsystem technology / Transl. by Wiegand A.New

York; Chichester; Brisbane; Singapore; Toronto: Wiley-VCH, 1999. - 368 p.

96. Nowak G., Xia X.H., Kelly J.J., Weyher J.L., Porowsky S. Electrochemical

etching of highly conductive GaN single crystals // J. Crystal Growth. - 2001. - Vol. 222. - P.735-740.

97. Сидоров В.Г., Дрижук А.Г., Шагалов М.Д.,Сидоров Д.В., Усиков А.С. Повышение эффективности i-n-GaN-светодиодов с помощью электрохимического травления // Письма в ЖТФ. - 1999.-Т. 25, № 2. - С. 55-60.

98. Macht L., Kelly J.J., Weyher J.L., Grzegorczyk A., - Larsen P.K. An electrochemical study of photoetching of heteroepitaxialGaN: kinetics and morphology // J. Crystal Growth. - 2005. - Vol. 273. - P.347-356.

99. Мокроусов Г. M., Зарубина О. Н., Бекезина Т. П. Межфазные превращения в системе GaN-НгО (рН) // Бутлеровские сообщения. -2011.-Т. 24, № 2. - С.58-62.

100 Pearton S.J., Chen J.J., Lim W.T., Ren F., Norton D.P. Wet chemical etching of wide bandgap semiconductors-GaN, ZnO and SiC // ECS Transactions. -2007.-Vol. 6, №2.-P. 501-512.

101. Фёдоров П.И. Химия галлия, индия и таллия. - Новосибирск: Наука, 1977.-222 с.

102. Zhuang D., Edgar J.H. Wet etching of GaN, A1N, and SiC: a review // Materials Science and Engineering R. - 2005. - Vol. 48. - P.l-46.

103. Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. - М.: металлургия, 1978. - 248 с.

104. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. - М.: Металлургия, 1984. - 256 с.

105. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. - Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1972. - 384 с.

106. ОрмонтБ.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию: Учебное пособие. 2-е изд. М.: Высш. Школа, 1973. - 600 с.

107. Князева Е.В. Вольтамперометрический метод исследования и анализа

поверхности твердых тел на содержание микроколичеств металлов и их соединений с использованием ртутного (амальгамного) электрода в качестве пробоотбирающего и индикаторного. Дисс....канд. хим. наук. -Томск, 1995.- 122 с.

108. Белогорохов А.И., Гаврилов С.А., Тихомиров А.А. Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs // Физика и техника полупроводников. -

2005. - Т. 39, вып. 2. - С. 258-263.

109. Naddaf М., Saloum S. Nanostructuring-induced modification of optical properties of p -GaAs (100) // Physica. - 2009. - № 41. - P. 1784-1788.

110. Li S.Q., Liang Y.X., Guo T.L., Lin Z.X., Wang Т.Н. // Materials Letters. -

2006. - № 60. - P. 1492- 1495.

111. Slavin W.J., Jarori U., Zemlyanov D., Ivanisevic A. /Characterization of amino acid adlayers on InAs surfaces using X - ray photoelectron spectroscopy / Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. -2009.-№ 172.-P. 47-53.

112. Zhou X.L., Wei Q.M., Wang L.M., Sun K. Optical characteristics of highly ordered gallium oxidenano - islands on GaAs // Applied Physics. - 2009. -№ 96. -P. 61-65.

113. Dong H., Yang H., Yang W., Yin W., Chen D. Diameter-controlled growth of 1пгОз nanowires on the surfaces of indium grains // Materials Chemistry and Physics. - 2008. - № Ю7. - P. 122-126.

114. Campomanes R.R., Silva J.H., Vilcarromero J., Cardoso L.P. Crystallization of amorphous GaAs films prepared on to different substrates // Journal of Non- Crystalline Solids. - 2002. - № 299-302. - P. 788-792.

115. Лидин P.А. Молочко B.A., Андреева JI.JI. Химические свойства неорганических веществ; под ред. Р.А. Лидина / 3-е изд. - М.: Химия, 2000.-480 с.

116. Смирнова Т.Н., Белый В.И., Голубенко А.Н., Захарчук Н.Ф., Вицина Н.Р. Химический состав окисных слоев на арсениде индия // Изв. Сиб. отдел, акад. наук СССР. Сер. хим. наук. -1983.- Вып. 6. - С. 90- 98.

117. Milojevic М., Hinkle L.C., Vogel Е. М., R. М. Wallace Interfacial chemistry of oxides on III-V compound semiconductors // Journal of Structural Chemistry. -2008. - № 6. - P. 131-172.

118. Hollinger G., Skheyta-Kabbani R., Gendry M. Oxides on GaAs and InAs surfaces: An X-ray-photoelectron-spectroscopy study of reference compounds and thin oxide layers // Physical Review. -1994. -№ 16-P. 11159-11167.

119. Veiko V.P., Kieu Q.K., Nikonorov N.V. Laser modification of glass-ceramics structure and properties: a new view to traditional material // Proceedings of SPIE - 2004. - Vol. 5662. - P. 119-128.

120. Реми Г. Курс неорганической химии. - М.: Мир, 1972. - 824 с.

121. J. van de Ven, J. L. Weyher. Kinetics and morphology of GaAs etching in aqueous СгОЗ-HF solutions // J. Electrochem. Soc. - 1986. - Vol. 133, № 4 -P. 799-806.

122. Короткова Е.И. Закономерности процесса электровосстановления кислорода, осложненного адсорбцией поверхностно-активных веществ, и их использованиев аналитической практике. Дис. ...канд. хим. наук. -Томск, 1995-234 с.

123. Tsai W., Chu С.Н., Weng S.-C., Zeng Y.-Z., Chen H.-Y., Yan Y.-H., Zarubina O.N., Mokrousov G.M., Chang S.-L. Mapping the Strain Field of Chemically Treated Surface of Semiconductor Crystals Using X-Ray Bragg-Surface Diffraction // 10th Conference of the Asian Crystallographic Association. -Busan, 2010