Методическое, алгоритмическое и программное обеспечение контроля технического состояния электромеханических и электронных силовых устройств с общей сетью питания тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.13, кандидат технических наук Зобенко, Андрей Александрович

• Зобенко, Андрей Александрович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Зобенко, Андрей Александрович

Название раздела Стр.

Ф Введение

1 Электронные силовые и электромеханические устройства и методическое обеспечение контроля их параметров

1.1 Электронные силовые и электромеханические устройства автономных и стационарных объектов

1.2 Методическое обеспечение контроля технического состояния ЭМУ

1.3 Методическое обеспечение контроля технического состояния ЭСУ

2 Методическое обеспечение контроля технического состояния 32 ф ЭМУ по форме пульсирующего напряжения генератора

2.1 Анализ связи режимов функционирования ЭМУ со спектральным 32 составом напряжения в сети питания ^ 2.2 Анализ спектра напряжения генератора авиационного ДВС на наличие основных характеристических гармоник

2.3 Анализ спектрального состава напряжения генератора автомо- 42 бильного ДВС при возникновении разнородных дефектов

2.4 Определение минимальной частоты дискретизации и объема вы- 47 борки сигнала генератора

2.5 Изменения спектров вибрации двигателя и напряжения генератора при возникновении различных неисправностей ф 2.6 Анализ изменений спектра пульсирующего напряжения генератора при постепенном перегреве ДВС

2.7 Методическое обеспечение контроля качества функционирования 56 ДВС на основе анализа спектра напряжения генератора Выводы к разделу

3 Контроль технического состояния ЭМУ по пульсирующей состав- 65 ляющей напряжения датчиков

3.1 Вибрационные характеристики газотурбинных двигателей

3.2 Гармонический состав напряжения электромеханического датчика

3.3 Анализ возможностей расширения частотной полосы пропускания 76 электромеханических датчиков

3.4 Алгоритмы работы устройств контроля технического состояния 80 ГТД по спектрам сигнала электромеханических датчиков

3.5 Алгоритм работы устройства контроля ГТД

3.6 Определение ресурсов, необходимых для реализации алгоритмов 85 Выводы к разделу

4 Методическое обеспечение контроля технического состояния ЭСУ

4.1 Анализ и обоснование выбора контролируемых параметров клю- 97 чевых элементов ЭСУ

4.2 Методическое и алгоритмическое обеспечение контроля парамет- 106 ров силовых транзисторных ключей на основе нейронных сетей

4.3 Прогнозирование степени деградации транзистора с оценкой его 126 остаточного ресурса

4.4 Техническая реализация методики контроля параметров транзи- 130 сторов ЭСУ по изменению формы коммутируемого тока

Выводы к разделу

5 Организация экспериментальных исследований и практическая 139 реализация контроля и диагностики ЭМЭСУ

5.1 Устройство для испытаний транзисторных ключей

5.2 Программное обеспечение для реализации контроля параметров 141 ЭСУ с применением нейронных сетей

5.3 Организация экспериментов для получения информации о состоя- 146 нии ЭМУ по спектру напряжения

5.4 Макеты отладочных устройств контроля параметров ЭМЭСУ и ал- 151 горитмы их работы

Выводы к разделу

Основные результаты работы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методическое, алгоритмическое и программное обеспечение контроля технического состояния электромеханических и электронных силовых устройств с общей сетью питания»

Работоспособность радиоэлектронного и электротехнического оборудования различных объектов в значительной мере определяется техническим состоянием электромеханических и электронных силовых устройств (ЭМЭСУ), предназначенных для получения электрической энергии, обладающей требуемыми показателями качества, и имеющих общую сеть питания. К электромеханическим (ЭМУ) относятся устройства для производства электрической энергии, состоящие из двигателя (внутреннего сгорания, газотурбинного или турбовинтового и т.п.) и приводимого им во вращение генератора постоянного или переменного тока, являющегося источником электрической энергии. Электронные силовые устройствз(ЭСУ) - это преобразователи, регуляторы, стабилизаторы напряжения и тока, представляющие собой импульсные усилительно-преобразовательные устройства (ИУПУ). Они обеспечивают требуемые для конкретного потребителя (нагрузки) показатели качества электрической энергии в сети нагрузки.

Техническое состояние ЭМЭСУ автономных и стационарных объектов в значительной мере определяет работоспособность потребителей и существенно влияет на срок их службы, надежность, массу, габариты, стоимость. Возникновение дефектов или отказов в ЭМЭСУ приводит к ухудшению эксплутацион-ных параметров потребителя или к частичной (полной) потере работоспособности. Таким образом, имеет место важная проблема - повышение качества функционирования электромеханических и электронных силовых устройств за счет контроля их технического состояния, своевременного выявления дефектов и прогноза отказов.

На этапах производства и испытаний контроль параметров ЭМЭСУ проводится с помощью специально разработанных систем контроля, содержащих необходимое для этого оборудование. В то же время, в процессе эксплуатации реализация контроля усложняется из-за необходимости применения дополнительного оборудования на ЭМЭСУ. Для этого на объектах контроля традиционно устанавливаются различные датчики с измерительными преобразователями, зачастую не обладающие достаточным уровнем метрологических характеристик, а также средства сбора и обработки информации, снимаемой с объекта контроля. При отсутствии контроля технического состояния ЭМЭСУ появление дефектов и отказов может стать причиной возникновения аварийных ситуаций.

В настоящее время на автономных и стационарных объектах все шире применяются микроконтроллеры, управляющие устройствами генерирования и преобразования электроэнергии. Микроконтроллеры содержат микропроцессор, накопители информации (память) и элементы для реализации алгоритмов управления - эталоны напряжения, элементы сравнения, периферийные устройства. Следовательно, на них дополнительно можно возложить большинство функций, необходимых для осуществления контроля без дополнительных аппаратных средств при условии использования имеющихся датчиков либо при отказе от таковых в случае выявления других источников информации о состоянии объекта контроля. В частности, это могут быть параметры, определяющие качество электрической энергии, или информативные сигналы из общей для ЭМУ и ЭСУ сети питания. Отсюда вытекает необходимость разработки новых методик контроля технического состояния ЭМЭСУ и их реализации с применением штатного оборудования без дополнительных аппаратных средств.

Алгоритмы контроля следует строить с использованием информации, имеющейся в контролируемом объекте и получаемой без введения дополнительных измерительных датчиков. Для ее обработки необходимо соответствующее математическое и программное обеспечение микроконтроллеров, выполняющих не только основные функции управления ЭСУ, но и дополнительно возлагаемые на них функции контроля.

Такой подход требует изучения подобных объектов контроля, исследования свойств с последующим выявлением сигналов, отражающих их техническое состояние и создающих необходимые и достаточные условия для разработки методического обеспечения и реализации контроля параметров ЭМЭСУ с выявлением и оценкой развития дефектов и прогнозированием возможных отказов. Получаемая при этом информация о результатах контроля может использоваться в процессе эксплуатации, при обслуживании, испытаниях и диагностике ЭМЭСУ.

Цель работы - разработать методическое, алгоритмическое и программное обеспечение электрического контроля технического состояния электромеханических и электронных силовых устройств, направленного на повышение качества их функционирования за счет своевременного выявления возникающих дефектов и возможных отказов путем измерения и анализа сигналов, получаемых с использованием штатного оборудования объекта контроля из общей сети питания.

Для достижения указанной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Провести анализ и выявить сигналы в общей сети питания, содержащие информацию о техническом состоянии ЭМЭСУ и подлежащие контролю.

2. Разработать методики контроля технического состояния ЭМЭСУ на основе анализа информативных сигналов сети питания и штатных технических средств объекта контроля.

3. Разработать алгоритмы и программное обеспечение микропроцессоров управления ЭСУ для реализации контроля технического состояния ЭМЭСУ.

4. Провести апробацию методического, алгоритмического и программного обеспечения контроля и диагностики ЭМЭСУ различного назначения.

В первом разделе рассматриваются современные методы контроля технического состояния ЭМЭСУ. На основе анализа патентного фонда и литературы по методам и средствам контроля и диагностики ЭМУ и ЭСУ отмечается необходимость разработки новых методов и методик контроля параметров, выбора информативных контрольных точек. Приведена обобщенная схема ЭМЭСУ.

Во втором разделе предлагается методика контроля технического состояния ЭМУ, которая базируется на выявлении изменений спектрального состава напряжения на выходе штатного генератора, кинематически связанного с двигателем - источником энергии. На основе этих изменений выявляются с оценкой изменений дефекты контролируемого объекта. Разработан алгоритм методики контроля с учетом особенностей обработки информативных сигналов.

В третьем разделе рассматривается применение предложенной методики для контроля технического состояния газотурбинного двигателя. Для этого предложено использовать имеющиеся штатные датчики скорости вращения турбины, представляющие собой генерирующие устройства. За счет анализа спектра вырабатываемого ими напряжения выявляются дефекты в ГТД и, что очень важно, в контурах высокого и низкого давления, где размещение пъезо-датчиков из-за высокой температуры и повышенного давления недопустимо.

Четвертый раздел посвящен разработке методики контроля технического состояния ЭСУ. Выявлены потенциально ненадежные элементы ИУПУ - транзисторные ключи. На основе предварительных экспериментов доказано, что в процессе деградации МОБРЕТ-транзисторов происходят изменения кривой коммутируемого этим элементом тока. Выявление этих изменений и, как следствие, степени старения ключа, осуществляется с помощью нейронных сетей. Построена экстраполированная зависимость, позволяющая выявлять время предполагаемого отказа транзисторов с учетом коррекции, определяемой режимом работы. Разработано математическое и программное обеспечение предложенного метода.

Особенности проведения экспериментальных исследований изложены в пятом разделе. Там же приводится описание макетов испытательного оборудования, Излагаются принципы построения и программирования нейронных сетей. Дается информация о макете отладочного устройства контроля на базе микроконтроллера управления преобразователя напряжения, применяемого для решения дополнительной задачи контроля.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», Зобенко, Андрей Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ В диссертационной работе достигнута поставленная цель, решены сформулированные задачи и получены следующие основные результаты. 1. Выявлены параметры, являющиеся предпочтительными для контроля технического состояния ЭМЭСУ в процессе эксплуатации, а именно:

- паразитная пульсирующая составляющая напряжения на выходе генератора или генерирующего датчика, относящихся к штатным техническим средствам, кинематически связанным с объектом контроля - ЭМУ;

- форма кривой коммутируемого тока, отражающая состояние транзисторного ключа как потенциально ненадежного элемента ЭСУ.

2. Разработано методическое обеспечение контроля технического состояния ЭМУ с выявлением дефектов, обусловливающих характер вибрационных колебаний объекта и проявляющихся в изменении гармонического состава пульсирующей составляющей напряжения генератора (датчика).

3. Разработано методическое обеспечение контроля технического состояния ЭСУ, основанное на выявлении и численной оценке с помощью нейронной сети изменений формы кривой коммутируемого транзисторным ключом тока, связанных с деградацией этого элемента.

4. Разработаны алгоритмы контроля с математическим и программным обеспечением микроконтроллера управления ЭСУ, давшие возможность:

- рационального обучения нейронной сети для определения функции принадлежности, численно отражающей изменение формы кривой коммутируемого тока и степень старения транзисторных ключей ЭСУ;

- использовать быстрое преобразование Фурье паразитной составляющей напряжения генератора с последующим выявлением наиболее информативной части амплитудного спектра, характерной для конкретного дефекта ЭМУ или размещенных на нем агрегатов.

5. На основании статистического анализа результатов ускоренного старения транзисторов выявлена устойчивая корреляционная связь между изменениями формы кривой коммутируемого тока транзисторного ключа и его остаточным ресурсом и построена аппроксимированная зависимость для прогноза отказов этого элемента с учетом условий эксплуатации ЭСУ.

6. Для селективного выделения дефектов ЭМУ по результатам анализа пульсирующей составляющей напряжения генератора или генерирующего датчика предложены:

- спектральные модели сравниваемых вибрационных колебаний, соответствующих работе объекта контроля без дефектов и при наличии дефекта;

- оценки коэффициента корреляции, доказывающие удовлетворительную близость спектров пульсирующей составляющей напряжения и сигнала пье-зодатчика вибраций;

- результаты, подтверждающие изменения спектра паразитной составляющей напряжения с ростом температуры объекта контроля.

7. Обоснован выбор типов микроконтроллеров и микропроцессоров для реализации предложенных методик контроля ЭМЭСУ, содержащих различное количество устройств постоянной и оперативной памяти, АЦП с заданной производительностью, достаточной для расчета спектров или параметров нейронных сетей. Определены необходимые ресурсы - объем памяти, скорость вычисления, а также разработаны алгоритмы, позволяющие сократить требуемое число вычислительных операций с сохранением функций управления ЭСУ.

8. Проведена апробация предложенного методического, алгоритмического и программного обеспечения контроля технического состояния ЭМЭСУ с использованием разработанного отладочного устройства и имеющегося штатного оборудования, которая подтвердила следующие возможности:

- выявления и оценки развития дефектов авиационных двигателей Valter Minor М332, используемых на легкомоторных самолетах типа «Дельфин», а также дефектов двигателя автомобиля BA3-21083 по спектру паразитной составляющей напряжения генераторов бортового питания;

- обнаружения дефектов газотурбинного двигателя по результатам спектрального анализа паразитной составляющей напряжения штатных генерирующих датчиков скорости вращения турбины, расположенных в контурах высокого и низкого давления, работающих при температуре до 800°С и повышенных перегрузках и давлении;

- применения аппарата нейронных сетей для определения остаточного ресурса транзисторных ключей по изменениям формы кривой коммутируемого тока и момента времени возможного отказа этих элементов, используемых в преобразователях напряжения ЭМЭСУ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Зобенко, Андрей Александрович, 2005 год

1. Диагностика авиационных деталей/ Лозовский В.Н., Бондал Г.В., Как-сис А.О., Колтунов А.Е. М.: Машиностроение, 1988. - 280 с.

2. Диагностирование и прогнозирование технического состояния авиационного оборудования/ Под. ред. И.М. Сиднева М.: Транспорт, 1984. - 192 с.

3. Надежность и долговечность авиационных газотурбинных двигателей. Выпуск 4. Часть 2/ Л.П.Лозинский, (отв. редактор), А.Я. Алябьев , A.A. Иваненко, В.Я. Шпиль Киевский Институт гражданской авиации. Киев, 1973. -82 с.

4. Надежность и долговечность авиационных газотурбинных двигателей. Выпуск АЛ Л.П. Лозинский, (отв. редактор), З.С. Палей, П.К. Казаджан, В.В. Шашкин/ Межвуз. сб. науч. трудов. Киев, 1975. 124 с.

5. Диагностика авиационных деталей/ В.Н. Лозовский, Г.В. Бондал, А.О. Как-сис, А.Е. Колтунов М.: Машиностроение, 1988. - 280 с.

6. Летчику о турбовинтовом самолете// A.A. Гуля, Д.С. Михайлов, Ю.К. Сомов, С.А. Нержавин, В.В. Филиппов/ Под общей ред. Филиппова В.В. — Ордена Трудового Красного Знамени Военное издательство министерства обороны СССР. М.: Воениздат, 1971. 328с.

7. Влияние расположения вибропреобразователей на информативность их сигналов// А.Т. Алтухов, B.C. Окороков, Ф.П. Тарский, Е.В. Чемохуд/ Надежность и долговечность авиационных газотурбинных двигателей. 1975, №2. С. 47 50.

8. Некоторые вопросы виброакустической диагностики ГТД// А.Т. Алтухов, B.C. Окороков, Г.М. Пахомкина, Ф.П. Тарский/ Надежность и долговечность авиационных газотурбинных двигателей. 1975, №2. С. 42 46.

9. Акустические характеристики двухконтруных ТРД// В.Г. Егенков,

10. A.Л. Клячкин, А.Л. Мельников, Б.Н. Могилевский, Г.Д. Аскаментов,

11. B.П. Лабендик/ Надежность и долговечность авиационных газотурбинных двигателей. 1973, №4. С. 3 30.

12. Авиационный двигатель М332. Описание и руководство по обслуживанию и уходу за двигателем. Прага. «Завод Яна Швермы». 1974. 115с.

13. Явленский А.К. Исследование вибраций шарикоподшипниковых узлов и электрических машин малой мощности. Дис. канд. технич. наук 01. 02. 06. Л.: ЛИАП, 1972г.-182 с.

14. Авиационный двухконтурный турбореактивный двигатель Д-30КУ. Техническое описание. М.: Машиностроение, 1975. - 192 с.

15. Литвинов Ю.А., Боровик В.О. Характеристики и эксплуатационные свойства авиационных турбореактивных двигателей. М.: Машиностроение, 1979.-288 с.

16. Технический контроль в машиностроении: Справочник проектировщика/ Под общ. ред. В.Н. Чупырина, А.Д. Никифорова. М.: Машиностроение, 1987.-512 с.

17. ГОСТ 16504 81. Испытания и контроль качества продукции. Основные термины и определения. М.: Издательство стандартов, 1981. - 28 с.

18. ГОСТ 15467 79 (СТ СЭВ 3519-81). Управление качеством продукции. Основные понятия, термины и определения. М.: Издательство стандартов, 1981.28 с.

19. ГОСТ 20911-89 Техническая диагностика. Термины и определения. М.: Издательство стандартов, 1991. 15 с.

20. ГОСТ 18353 79 . Контроль неразрушающий. Классификация видов и методов. М.: Издательство стандартов, 1980. - 20 с.

21. Патент 1519350 Би, МПК6 вОШ 15/00. Способ диагностики и прогнозирования технического состояния машин/ В.Н. Костюков (СССР) № 4300795/29// Бюллетень изобретений, 1989, №40, С. 254.

22. Патент 1753816 811, МПК6 вОШ 15/00. Способ диагностирования технического состояния ротора машины/ Д.Я. Носырев, М.В. Анахова (СССР) № 4620152/06 // Бюллетень изобретений, 1992, №26, С. 228.

23. Патент 2027981 РФ, МПК6 вОШ 15/00. Способ измерения силы тяги авиационного двигателя в составе самолета и устройство для его осуществления/ О.Н. Антонов В.В. Питько (РФ) №4911993/06 // Бюллетень изобретений, 1995, №3, С. 203.

24. Патент 2028499 РФ, МПК6 С01М 15/00. Способ диагностирования поршневого двигателя внутреннего сгорания/ В.Д. Карминский, Ю.С. Иванько (РФ) №4953904/06//Бюллетень изобретений, 1995, №4, С. 172.

25. Патент 2029274 РФ, МПК6 вОШ 15/00. Способ настройки на резонансную частоту колебания испытываемых лопаток рабочего колеса/ А.Е. Божко, В.И. Белых, А.И.Федоров, В.И. Ляшенко (РФ) №4900078/06// Бюллетень изобретений, 1995, №5, С. 175.

26. Патент 2030725 РФ, МПК6 вОШ 15/00. Способ диагностирования воздушно-газового тракта двигателей внутреннего сгорания с наддувом/ Л.И. Ковальчук (РФ) №4905332/06// Бюллетень изобретений, 1995,№7,С. 201.

27. Патент 2075741 РФ, МПК6 вОШ 15/00. Способ диагностики и регулирования двигателей внутреннего сгорания и устройство для его осуществления/ В.А. Вол, В.И. Алешин (РФ) №93013965/06// Бюллетень изобретений, 1997, №8, С. 242.

28. Патент 2078323 РФ, МПК6 вОШ 15/00. Способ выявления детонации в двигателе внутреннего сгорания с искровым зажиганием/ А.К. Гирявец, В.В. Муравлев(РФ) №94030792/06//Бюллетень изобретений, 1997,№ 12, С.151.

29. Патент 2082139 РФ, МПК6 вОШ 15/00. Способ диагностики поршневого двигателя внутреннего сгорания и устройство для его осуществления/ Ханс-М.К.В. Кунцфельд (РФ) №4894028/06// Бюллетень изобретений, 1997, №17, 171-172 с.

30. Патент 2103668 РФ, МПК6 вОШ 15/00. Способ диагностики и прогнозирования технического состояния машин по вибрации корпуса/

31. В.Н. Костюков, С.Н. Бойченко, A.B. Костюков (РФ) №95121808/03// Бюллетень изобретений, 1998, №3, 327 - 328 с.

32. Патент 2111469 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ диагностики колебаний рабочего колеса турбомашины/ A.A. Хориков (РФ) №97105999/06// Бюллетень изобретений, 1998, №14, С. 374.

33. Патент 2113700 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ диагностирования причин нарушений функционирования двигателей внутреннего сгорания/ E.H. Андрусенко(РФ) №5014375/28//Бюллетень изобретений, 1998,№7, С.320.

34. Патент 2118807 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ диагностики компрессора газотурбинного двигателя/ C.B. Черенков, В.М. Сушенцов, К.В. Власов, Г.В. Березин, A.B. Халутин, О.В. Бармин (РФ) №95102498/06// Бюллетень изобретений, 1998, №25, С. 315.

35. Патент 2118808 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ диагностики компрессора газотурбинного двигателя/ C.B. Черенков, В.М. Сушенцов, К.В. Власов, Г.В. Березин, A.B. Халутин, О.В. Бармин (РФ) №95102499/06// Бюллетень изобретений, 1998, №25, с. 315.

36. Патент 2118809 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ диагностики компрессора газотурбинного двигателя/ C.B. Черенков, В.М. Сушенцов, К.В. Власов, Г.В. Березин, A.B. Халутин, О.В. Бармин (РФ) №95102560/06// Бюллетень изобретений, 1998, №25, С. 315.

37. Патент 2118810 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ диагностики технического состояния авиационных ГТД/ Ю.В. Виноградов, В.Ю. Виноградов (РФ) №96109661/06// Бюллетень изобретений, 1998, №25, 315 - 316 с.

38. Патент 2133458 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ измерения проводимости искрового промежутка/ A.B. Малышев (РФ) №97115329/06// Бюллетень изобретений, 1999, №20, С. 450.

39. Патент 2133951 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ выявления повреждений рабочих лопаток турбомашины/ Ю.П. Тихомиров, A.JT. Астахов, В.Е. Суслов (РФ) №97118779/06// Бюллетень изобретений, 1999, №21, С.246.

40. Патент 2165604 РФ, МПК6 G01М 15/00 Диагностический контроллер/ В.Н. Зарицкий, Б.А. Костюков, E.H. Голенков (РФ) №99115804/06// Бюллетень изобретений, 2001, №11, С. 362.

41. Патент 2170915 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ определения фазы рабочего цикла ДВС/ Ю.В. Миронов, Ю.М. Федоренко, A.B. Малышев (РФ) №99123791/06// Бюллетень изобретений, 2001, №20, С. 336.

42. Патент 2172940 РФ, МПК6 G01M 15/00 Диагностический контроллер/ В.Н. Костюков, А.Е. Стряпонов, И.В. Челпанов (РФ) №99115718/06// Бюллетень изобретений, 2001, №24, С. 380.

43. Патент 2178158 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ диагностики двигателя внутреннего сгорания/ B.C. Малышев, А.Ю. Корегин (РФ) №2000103332/06// Бюллетень изобретений, 2002, №1, С. 383.

44. Патент 2184360 РФ, МПК6 G01M 15/00 Способ диагностирования цилин-дро-поршневой группы двигателя внутреннего сгорания/ В.А. Чечет, Н.Т.Иванов, Ю.В. Чечет (РФ) №2001081272/06// Бюллетень изобретений, 2002, №18, С. 298.

45. Патент 2214586 РФ, МПК7 G01M 15/00. Способ диагностирования ци-линдро-поршневой группы двигателя внутреннего сгорания и устройство для его осуществления/ М.П. Язынин (РФ) № 2002115078/06// Бюллетень изобретений, 2004, №11, С. 128.

46. Патент 2187711 РФ, МПК7 G01M 15/00. Способ диагностики компрессора газотурбинного двигателя/ А.А.Иноземцев, Ю.С.Савенков, А.Н.Саженков, Ю.А.Трубников (РФ) № 2000129301/06// Бюллетень изобретений, 2002, №22, С. 234.

47. Патент 2171395 РФ, МПК6 G01M 15/00 Система зажигания для ДВС/ А.В.Малышев, А.В. Лисовский (РФ) №99111517/06// Бюллетень изобретений, 2001, №21, С. 310.

48. Патент 2096562 РФ, МПК6 G0IM 15/00 Способ измерения внешнего шума, излучаемого дорожно-строительными и землеройными машинами, и устройство для его осуществления/ M.JI. Рахманов, А.Г. Савельев (РФ) №4894028/06// Бюллетень изобретений, 1997, №32, С. 294.

49. Nedeljkovic S. Parameter extraction and device physics projection on lateral low power MOSFET Configurations. Submit of the requirements for the degree of Master of Science. University of Cincinatti. 2001. -249 p.

50. B.B Гребнев. Микроконтроллеры семейства AVR фирмы Atmel.-M.: ИП Радиософт, 2002. 176 с.

51. B.B Гребнев. Микросхемы энергонезависимой памяти фирмы Atmel. СПб. «ЭФО» 1997.-64 с.

52. Солонина А.И., Улахович Д.А., Яковлев JT.A. Алгоритмы и процессы цифровой обработки сигналов. СПб.: БХВ-Петербург, 2001. - 464 с.

53. Солонина А.И., Улахович Д.А., Яковлев JT.A. Цифровые процессоры обработки сигналов фирмы Motorola.- СПб.: БХВ-Петербург, 2000. 512 с.

54. ГОСТ 24461 80 (СТ. СЭВ 1656 - 79). Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний. М.: Издательство стандартов, 1981. -56 с.

55. Физические основы надежности: Конспект лекций / В.А. Четвергов, С.М. Овчаренко. Омский гос. ун-т путей сообщения. Омск, 2002. 37 с.

56. Бачурин В.В. и др. Мощные МДП транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах. /В.В. Бачурин, А.К. Бельков, А.И. Пыхтунова М. ЦНИИ «Электроника», 1980.

57. Мощные полевые транзисторы и их применение в преобразовательной технике/ А.К. Шидловский, Ю.В. Драбович, И.А. Криштафович и др. Киев: ИЭД, 1987.-53 с.

58. Георгиу. В.Г., Галамага В.И. Практическая электроника. Кишинев: Гл. ред. Молд. Сов. Энцикл., 1989. - 254 с.

59. Силовые JGBT модули: Материалы по применению: Сб. ст. /Siemens -M.: Додека, 1997.- 157 с.

60. Гуртов В.А. Полевые транзисторы со структурой металл диэлектрик -полупроводник. Учеб. пособие. - Петрозаводск: ПГУ, 1984. - 89 с.

61. Гуртов В.А. Основы физики структур металл диэлектрик - полупроводник: Учеб. пособие. - Петрозаводск: ПГУ, 1983. - 92 с.

62. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур/ Батавин В.В., Концевой 10.А., Федорович Ю.В. М.: Радио и связь, 1985.-264 с.

63. Сыноров В.Ф., Чистов Ю.С. Физика МДП-структур: Учеб. пособие. Воронеж: Издательство Воронежского университета, 1989. 223 с.

64. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М. Советское радио, 1976. - 102 с.

65. Рембеза С.И. Методы измерения основных параметров полупроводников: Учеб. пособие для вузов по спец. «Физика и технология материалов и компонентов электронной техники». Воронеж: Изд-во Воронежского университета, 1989.-221 с.

66. Люминисцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов/ Пека Г.П., Коваленко В.Ф., Куценко В.Н.; Под ред. Г.П. Пека. Киев: Техшка, 1986.- 151 с.

67. Пашаев А.М.Д.О., Кулиев А.А.М.О. Электронные методы измерения параметров полупроводников/ АН Азербайджана, Институт физики. Баку: Элм, 1991.-30 с.

68. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы». 2-е издание, переработ, и доп. - М.: «Высшая Школа», 1978. -238 с.

69. Сертификация и стандартизация в производстве полупроводниковых материалов и приборов: Учеб. пособие. / Ильин В.А., Лучинин В.В.; Гос. ком. РФ по высш. образованию, С-Петерб. гос. электротехн. ун-т им. В. И. Ульянова (Ленина). С-Пб.: ТЭТУ, 1995. - 63 с.

70. Гуляев В.А. и др. Организация живучих вычислительных структур. Киев. Наукова думка, 1982. 138 с.

71. OV Input Mini Family C-DC Converter Module. Vicor Corporation. P/N 22642 Rev 6 7/01/10M. 2001.-9 p.

72. Design Guide. DC-DC Converters. 48V input familie. Vicor Corporation. P/N 23002 Rev 2.3 7/02/10M. 2002. 36 p.

73. Design Guide. DC-DC Converters. 300V input familie. Vicor Corporation. P/N 22966 Rev 2.3 7/02/10M. 2002. 36 p.

74. Зобенко A.A. Метод диагностирования импульсного усилительного преобразовательного устройства по оценке его КПД// XXXII Неделя науки СПбГПУ/ Материалы межвузовской научно-технической конференции/ СПб., 2004, 4.VI. С.36-38

75. Грехов И.В., Шулекин А.Ф., Векслер М.И. Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока. Физико-технический институт им.

76. A.Ф. Иоффе Российской академии наук. Санкт-Петербург, 1997. 5 с.

77. Семеновых В.И. Программная и аппаратная реализация устройства управления систем контроля мощных транзисторов: Автореф. дис. . канд. техн. наук: 05.13.05. ЛИТМО. Л., 1988. - 19 с.

78. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. Кишинев: Штиинца, 1978. - 230 с.

79. Пак Т.Х. Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник: Автореф. дис.канд. техн. наук: 01.04.10. Ташкентский государственный университет им.

80. B. И. Ленина. Ташкент, 1991. 19 с.

81. Горбатюк A.B., Панайотти И.Е. Нестационарный джоулев разогрев кремниевых диодов и динисторов в режимах коммутации сверхмощных электрических импульсов.-Л.: ФТИ, 1987,- 14 с.

82. Андриевский В.В. Исследование физических процессов в кремниевых МДП-структурах, стимулированных ионно-имплантационными и термическими воздействиями; Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Ужгород, гос. университет - Ужгород, 1991. - 16 с.

83. Журавлев В.М. и др. Машинная оценка стойкости электронных приборов / В.М. Журавлев, В.В. Григорьев, С.И. Манжикова; АН республики Кыргызстан; Институт Автоматики Бишкек: Илиши 1991. - 280 с.

84. Пархомов А.Г. Вариации интенсивности низкочастотных флуктуаций в полупроводниках // Атлас временных вариаций природных, антропогенных и социальных процессов. Том 2. М.: Научный мир, 1998. С. 310-312.

85. Пархомов А.Г. Экспериментальные исследования инфра-низко-частототных флуктуаций в полупроводниках. Закономерности. Космические ритмы. М.: МНТЦ ВЕНТ, 1991. - 24 с.

86. Основные физические аспекты деградации полупроводниковых приборных структур. Вопросы электроники. Межвуз. сб. / Болтакс Б.И., Соколов В.И. Кишинев Штиинца, 1984. - 139 с.

87. Чайковский В.М. Измерители параметров МДП структур на несинусоидальном сигнале: Автореф. дис. канд. техн. наук: 05. 27. 01.- Белоруск. гос. Унив. информатики и радиоэлектроники. Минск 1994. - 18 с.

88. Ястребов А.С. Электрические поля и процессы пробоя в диэлектриках, полупроводниках и структурах на их основе. С-Пб.:Политехника, 1997.-111с.

89. Методы и средства диагностики полупроводниковых приборов по особенностям вольт-амперной характеристики/ Р.В. Конакова, А.Н. Рошопорт, Е.А. Соловьев и др.; АН УССР; Институт полупроводников Препринт. -Киев: 1991.-34 с.

90. Гуртов В.А. Неравновесные процессы в структурах металл диэлектрик -полупроводник/ Петрозаводский гос. университет им. О.В. Куусинена. -Петрозаводск: ПГУ, 1986. - 102 с.

91. Галамага В.Н., Георгиу В.Г., Луня И.Г. Установка для контроля качества полупроводниковых структур вольт-фарадным методом. В. кн. : Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов. Ч.П. Кишинев: изд. КПИ, 1982.-С. 175.

92. Релаксационные процессы в диэлектриках: Межвуз. сб. науч. тр. / Воронеж. политехи, ин-т; Редкол.: Балашов Ю.С. (науч. ред.) и др.. Воронеж. ВПИ, 1990.- 159 с.

93. Ершова НЛО. Исследование электрической прочности тонких диэлектрических слоев: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Петрозавод. гос. ун-т. -Петрозаводск, 1995.- 18 с.

94. Шишияну Ф.С. Надежность и диагностика полупроводниковых приборов// Вопр. электрон, межвуз. сб./ Кишин. политехи, ин-т им. С. Лазо; Редкол.: Ф.С. Шишияну (отв. ред.) и др..- Кишинев: Штиинца, 1984 139 с.

95. Шишияну Ф.С. Полупроводниковые структуры, радиоэлектронные устройства и системы контроля: Вопр. электрон.; Межвуз. сб. Кишинев, 1989.

96. Горлов М., Адамян А., Ануфриев Л., Емельянов В., Строгонов А. Тренировка изделий электронной техники и электронных блоков. Инженерная микроэлектроника, www.chipnews.ua.

97. Автоматическая система экспресс-анализа облучаемых образцов/ И.К. Взоров, A.B. Калмыков, С.А. Корнеев и др. Дубна: ОИЯИ, 1999.-20 с.

98. Кеныо Г.В. Прогнозування та контроль параметр1в i характеристик при-лад1в на ocnoßi структур кремшй на ¡золяторк Автореф. дис.канд. техн. наук: 05.27.01. -Держ. унив. JlbßiB. Пол1тхшка - Льв1в 1995.- 16 с.

99. Ходжаев Т.А. Влияние радиации на электрофизические свойства и механизм дефектообразования полупроводниковых структур и приборов: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. Таджикский гос. университет. -Душанбе, 1995.-22 с.

100. Варданян P.P. Исследование и разработка методов и устройств контроля параметров полупроводниковых структур и приборов: Автореф. дис. д-ра техн. наук. Гос. инж. университет Армении - Ереван 1993.-31 с.

101. Гурбанов A.A. Деградация свойств диодных структур с барьером Шотт-ки на основе кремния: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. -Азерб. гос. университет им. С.М. Кирова Баку, 1988. - 20 с.

102. Левандовский В.Г. Влияние возбуждения электронной подсистемы на дефектообразование в приконтактных областях полупроводников: Автореф. дис. канд. техн. наук: 01.04.02. Киев. 1985. - 20 с.

103. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве / Под ред. Лабунова В.А. Минск: Навука i тэхшка, 1992. -246 с.

104. Сопряков В.И. Емкостная и туннельная спектроскопия дефектов в кремнии и арсениде галлия: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. -Минск. 1983.- 14 с.

105. Георгиу В.Г. Исследование примесных неоднородностей эпитаксиаль-ных структур арсенида галлия. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Кишинев, 1977. - 16 с.

106. Литвиненко С.А., Митрофанов В.В., Соколов В.И. Внутренние напряжения в системе кремний окисел и их влияние на образование пор в окисле. -ЖТФ, 1981, №51, вып. 4. С. 828 - 83 0.

107. Соколов В.И., Федорович H.A. Релаксация механических напряжений в окисных пленках на кремнии. ФТТ, 1982. 24, вып. 5. С. 1440 - 1441.

108. ИЗ. Александров O.B., Волоцкая JT.IO., Караченцева Э.В. и др. Электрическая активность дислокации полос скольжения в кремниевых диодных и транзисторных структурах. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1980, вып. 7 (142), с. 94 - 97.

109. Пархомов А.Г. Вариации частоты вызовов для ремонта ЭВМ . // Атлас временных вариаций природных, антропогенных и социальных процессов. Том 2. М.: Научный мир, 1998. С. 312-315.

110. Климов Б.И., Августинов В.А., Еремеева Г.А., Медников К.А. Вольт-емкостной метод контроля тонких слоев в Si Электронная техника. Сер. Управление качеством и стандартизация. 1975. вып. 6 (36), с. 78 - 81.

111. Литовский М.А. Переходные процессы в полупроводниковых диодах: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10-Л. 1980. 18 с.

112. Георгиу В.Г. Вольт-Фарадные измерения параметров полупроводников. / Под ред. д. ф.-м. н. Ф.С. Шишияну; Министерство высш. и ср. спец. образования МССР, Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо. Кишинев: Штиинца 1987. - 65 с.

113. Наливаев В.Г. Контроль параметров диэлектрических материалов и изделий, основанный на экстремуме частичной межэлектродной емкости: Автореф. дис.канд. техн. наук: 05.11.13. АН БССР: Ин-т прикладной физики. -Минск, 1989. - 17с.

114. Зиннурова Э.З. Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеристик поликремниевого МДП-транзистора: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. РАН, Физ-технолог. инстит. М. 1992. - 15 с.

115. Атамуратов А.Э. Исследование процессов накопления и растекания зарядов в приборах типа МДП: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. -Ташк. гос. университет. Ташкент. 1993. 20 с.

116. Георгиу В.Г., Лунгу В.К., Шишияну Ф.С. К вопросу об измерении параметров глубоких примесных состояний полупроводников вольт-фараднымметодом. В кн. : Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура. -Кишинев: Штиинца, 1978. - С. 12-15.

117. Георгиу В.Г., Томилин В.И., Экспресс-метод исследования энергетического спектра поверхностных состояний в МДП-структурах. В кн. Физика диэлектриков и новые области их применения. Караганда: Изд. КПИ, 1978. С. 104- 105.

118. Георгиу В.Г. Лунгу В.К., Шишияну Ф.С. Барьер автоматический универсальный измеритель концентрационных профилей полупроводников. -Электронная промышленность, 1978. N 2, с. 69 - 71.

119. Брук Ю.М., Устименко Б.Ю. Определение энергии импульсного сигнала неизвестной формы при наличии шума. -Харьков:ИРЭ АН УССР, 1978 37 с.

120. Дьяконова Н.В. Низкочастотный шум типа I/f в полупроводниках: Авто-реф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. АН СССР, Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе. Л., 1989. - 16 с.

121. Федотов А.Б. Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердой границы раздела: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10.-Горький, 1984.- 17 с.

122. Острова С.О. Метод и приборы электрофлуктуационного неразрушаю-щего контроля качества и надежности электронных элементов: Автореф. дис.д-ра техн. наук: 01.04.10. Казанский гос. техн. университет им. А.Н. Туполева. - Казань, 1994. - 34 с.

123. Привезенцев А.П. Сложная динамика интенсивного электронного потока в диоде: Автореф. дис.д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10. Том. политехи, университет. - Томск, 1994. - 26 с.

124. Бараев Ю.В., Токарев В.Ф., Юдин С.П. Установка для измерения профилей концентрации подвижности носителей тока в полупроводниковых эпи-таксиальных структурах. Электронная техника, 1984. сер. 6, вып. I (186), с.64 - 68.

125. Зобенко A.A. Система диагностирования авиационного поршневого двигателя при помощи анализа спектра напряжения генератора// Седьмая научная сессия аспирантов ГУАП: Сб. докл./ СПбГУАП. СПб., 2004, 4.1 С. 8183.

126. Зобенко А.А., Худяков В.Ф. Контроль состояния силовой установки легкого самолета по форме спектра напряжения бортовой сети// Проблемы электроэнергетики/ Межвуз. науч. сборник. Саратов, 2005. С. 70 76.

127. Г. Корн, Т. Корн Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1984. - 831 с.

128. Зобенко А.А. Контроль параметров газотурбинных двигателей при помощи анализа сигналов электромеханических датчиков// Восьмая научная сессия аспирантов ГУАП: Сб. докл./ СПбГУАП. СПб., 2005, Ч. 1.- С. 192-195.

129. Системы автоматизированного проектирования фирмы Altera Maxplus II и Quartus II. Краткое описание и самоучитель/ Д.А. Комолов, Р.А. Мяльк,

130. A.А Зобенко и др. М.: ИП Радиософт, 2002. - 352 с.

131. Elbornsson J, Gustafsson F, Eklund J.-E. Blind Equalization of Time Errors in a Time Interleaved ADC System. IEEE TRANSACTIONS ON SIGNAL PROCESSING, J. ELBORNSSON et al. Linkoping University. 2003. 12 p.

132. Gimaldi D., Michaeli L., Michalko P.: „Identification of ADC Error Model by Testing of the Chosen Code Bins", Proceedings of 12th IMEKO TC4 International Symposium, Zagreb, Croatia. September 25-27, 2002. Part.l, pp. 132-137.

133. Arpaia P., Daponte P., Michaeli L., "The Influence of the Architecture on ADC Error Modelling", 4th "IMEKO International Workshop on ADC Modelling and Testing", Bordeaux (F), 9-10 Settembre 1999. Pp. 132-141.

134. Математическое моделирование сигнала пьезоэлектрического элемента для селекции механических воздействий// Т.А. Долгова, А.А Зобенко.,

135. B.А. Хабузов, В.Ф. Худяков/ Компоненты и технологии. 2004. № 9. С. 94- 96.

136. Салама, Х.С.А. Параметрическая идентификация схем замещения транзисторов при контроле процесса их производства: Автореф. дис. канд. техн. наук: 01.04.10. Харьков, политехнический институт. - Харьков. 1994. - 12 с.

137. Кортышов A.B. Метод определения распределенного сопротивления базы биполярных транзисторов при помощи измерения шума стробируемым интегратором. Дубна: ОИЯИ, 1989. - 7 с.

138. Женвяк О.Г. Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в n-канале кремниевого субмикронного МОП-полевого транзистора; Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Белорусский гос. университет. Минск, 1996. - 18 с.

139. Аскеров Ш.Т., Кадышов Г.Г. Двухдиодная модель диодов Шоттки. Баку: Научно-производственное объединение космических исследований. 1986. -24 с.

140. А. С. N 1259399 (СССР) Устройство для защиты от перегрузок выходного силового транзистора импульсного усилителя. (СЛ. Исупов, В.А. Прянишников, В.И. Семеновых, В.М. Чапайкин Опубл. в Б. И. N 35, 1986).

141. А. С. N 1273823 (СССР) Устройство для измерения среднего значения тока. (СЛ. Исупов, В.А. Прянишников, Е.А. Петров, В.И. Семеновых, В.М. Шалин, В.М. Чапайкин Опубл. в Б. И. N 44, 1986,).

142. Брылевский В.И. Переходные процессы в быстродействующих ключевых приборах и методы повышения мощности, коммутируемой этими приборами. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10/ АН СССР, Физ.-техн. институт им. А.Ф. Иоффе. JI., 1987. - 18 с.

143. Чен А Л. Исследование ключевых режимов мощных МДП-транзисторов и разработка на их основе высокоэффективных усилителей мощности AM колебаний: Автореф. дис. канд. техн. наук: 05.12.17. М., 1984. - 19 с.

144. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Численное моделирование математических одноэлектронных транзисторов/ Абрамов И.И., Новик Е.Г.; Белорусский гос. универ. информатики и радиоэлектроники Минск: Бестпринт, 2000. - 163 с.

145. Усов B.C. и др. Базовые элементы и устройства установок физического эксперимента (транзисторные усилители, ключи, импульсные устройства):

146. Учебное пособие / B.C. Усов, Б.А. Мартынов, Ю.Н. Новиков, Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. школы. С-Пб. ГТУ. С-Пб. 1991. - 75 с.

147. Антюшин В.Ф. и др. МДП структуры с зарядовой связью по обогащенному слою/ В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин, Д.А. Власов, Министерство общ. и проф. образования РФ. Воронежская гос. технолог, акад. Воронеж : ВГТА, 1998.-57 с.

148. Люмаров П.П. Разработка электрических интерполяционных моделей МОП-транзисторов повышенной точности: Автореф. дис. канд. техн. наук: 05.27.01. Новосиб. гос. техн. университет. Новосибирск, 1993. - 16 с.

149. Кротков Д.Ю. Метод приближенной факторизации и его применение к анализу полупроводниковых структур. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. ВЦ Рос. акад. наук. М. 1992. - 9 с.

150. Еремченко Д.В. Теория механизмов устойчивости рельефа полевых эмиттеров: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Гос. НИИ физ. пробл. им. Ф.В. Лукина. - М. 1994. - 47 с.

151. Кузичев Д.В. Исследование кремниевых р-п переходов методом наведенного тока: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. С-Пб гос. техн. университет. - С-Пб, 1993. - 18 с.

152. Балтянский С.Ш. Методы и средства измерения распределенных параметров комплексной проводимости МДП-структур. Автореф. дис. канд. техн наук. Пензенский политехи, университет. - Пенза, 1993. - 17 с.

153. Белянина Е.К., Федорова Е.В. Методы и аппаратура для измерения параметров полупроводниковых приборов// Учеб. пособие/ Моск. институт, радиотехники, электроники и автоматики. М.: МИРЭА, 1986. - 94 с.

154. Базарова С.Ж. Динамическая нелинейность тока полупроводников р-типа в переменном электрическом поле: Автореф. дне. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. АН Респ. Узбекистан, Отдел теплофизики. - Ташкент, 1993. -14 с.

155. Заенцев И.В. Нейронные сети: основные модели. Учебное пособие к курсу "Нейронные сети" для студентов 5 курса магистратуры к. электроники физического факультета Воронежского Государственного университета. Воронеж. ВГУ. 1999.-76 с.

156. Круглов В.В., Борисов В.В. Искусственные нейронные сети. Теория и практика. 2-е издание. М. «Горячая линия Телеком». 2002. - 384 с.

157. Зобенко A.A. Разработка устройств диагностики импульсных усилительно-преобразовательных устройств// Тезисы докладов десятой международной НТК студентов и аспирантов/ Том 1. М.:Изд-во МЭИ, 2004.С.212-213

158. Зобенко A.A. Применение нейронных сетей в задачах контроля параметров импульсных вторичных источников электроэнергии// Восьмая научная сессия аспирантов ГУАП: Сб. докл./СПбГУАП. СПб., 2005, 4.1.-С. 188-192.

159. Функциональное моделирование в MATLAB активного корректора коэффициента мощности// А.О. Васильев, A.A. Зобенко, В.А. Хабузов, В.Ф. Худяков/ Exponenta Pro. Математика в приложениях. 2003. №2. С.67-70.

160. Васильев А.О., Зобенко A.A. Моделирование активного корректора коэффициента мощности для импульсных устройств// Шестая научная сессия аспирантов ГУАП: Сб. докл./ СПбГУАП. СПб., 2003, Ч. 1.- С. 88-90.