Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Ахкубеков, Александр Эдуардович

• Ахкубеков, Александр Эдуардович
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ахкубеков, Александр Эдуардович

Введение

Глава 1. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках (обзор литературы)

§1.1. Метод DLTS: теория, область применения, достоинства и недостатки метода

§ 1.2. Способы повышения разрешающей способности метода DLTS

§ 1.3. Методы регуляризации решений некорректных задач

Глава 2. Проблема выбора параметра регуляризации: влияние на разрешающую способность и достоверность метода Laplace-DLTS.

§ 2.1. Примеры снижения разрешающей способности и достоверности метода при некорректном выборе параметра регуляризации

§ 2.2. Исследование А-центра в кремнии методом Laplace-DLTS

Глава 3. Метод LL-DLTS: Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой

§3.1. Метод LL-DLTS: используемые алгоритмы и реализация

§ 3.2.Исследование разрешающей способности и достоверности метода LL-DLTS на примере модельного релаксационного сигнала

Глава 4. Исследование глубоких уровней с близкими значениями коэффициентов эмиссии в полупроводниках методом LL-DLTS

§4.1. Ньезоспектроскопическая теория

§ 4.2. Моделирование дефектного комплекса кислород-вакансия в кремнии (А-центр)

§ 4.3. Устройство одноосевого сжатия для определения симметрии дефектов полупроводниковых кристаллов

§ 4.4. Исследование глубоких центров с близкими значениями коэффициентов эмиссии в монокристаллах GaAs

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой»

Важнейшей задачей, которую приходится решать разработчикам и производителям полупроводниковых приборов, является определение концентрации и параметров глубоких уровней (ГУ) в полупроводниках. Наличие глубоких центров — некоторых примесей, радиационных дефектов, дефектов термообработки — придаёт полупроводникам как полезные, так и нежелательные свойства. Поэтому исследование свойств ГУ является одним из основных и актуальных направлений современной физики полупроводников, что стимулирует, в свою очередь, развитие методов определения параметров ГУ в полупроводниках.

В настоящее время для определения параметров ГУ широко используется метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ или DLTS — Deep Level Transient Spectroscopy). Достоинствами метода являются: высокая чувствительность по концентрации глубоких уровней, возможность независимого определения энергии активации и сечения захвата носителей, возможность определения параметров ловушек для основных и неосновных носителей тока. Основной проблемой стандартного метода DLTS является недостаточная разрешающая способность, делающая практически невозможным разделение сигналов от нескольких близко расположенных глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводниковой структуры.

В этой связи тема работы, направленная на изучение способов повышения разрешающей способности, а также достоверности и надежности метода DLTS, является актуальной как с научной, так и с практической точек зрения.

Основная цель работы заключалась в разработке методов повышения разрешающей способности, достоверности и надежности метода Laplace-DLTS.

Для выполнения поставленной цели решались следующие основные задачи:

1. Анализ разрешающей способности и достоверности методов обработки релаксационного сигнала (классический ПЬТ8, Ьар1асе-ОЬТ8).

2. Применение подхода Ь-кривой для выбора параметра регуляризации в методе Ьар1асе-ОЬТ8 как способ повышения достоверности информации о параметрах глубоких уровней.

3. Повышение разрешающей способности метода Ьар1асе-ОЬТ8.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней:

1. Впервые использован подход Ь-кривой при выборе параметра регуляризации в методе Ьар1асе-ОЬТ8, позволивший повысить разрешающую способность и достоверность метода.

2. Впервые показано, что неопределенность при выборе параметра регуляризации в методе Ьар1асе-Ш,Т8 приводит к возникновению дополнительных пиков в спектре, количество которых не соответствует количеству экспоненциальных составляющих в исходном сигнале, что приводит к ошибкам при определении количества глубоких уровней исследуемого полупроводника и их параметров.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Выбор параметра регуляризации по Ь-кривой при обращении преобразования Лапласа в методе Ьар1асе-БЬТ8 позволяет избежать неконтролируемых ошибок, повысить разрешающую способность и достоверность метода при автоматизированной обработке релаксационных кривых в экспериментах по исследованию параметров глубоких уровней в полупроводниках.

2. Использование метода Ьар1асе-ПЬТ8 с выбором параметра регуляризации по Ь-кривой при обработке релаксационных кривых обеспечивают прецизионное определение параметров дефектов и типа их симметрии по расщеплению сигнала ОЬТ8 при нагрузках на кристалл много меньших его предельной прочности, что принципиально упрощает практическую реализацию метода. 3. Предложенный подход может применяться не только для обработки сигналов Ш/ге, но и в других задачах, требующих анализа экспоненциальных релаксационных сигналов (фотоиндуцированная епектроекония, фотолюминесценция).

Совокупность представленных в диссертации экспериментальных и теоретических данных позволяет сформулировать следующие основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Неопределенность при выборе параметра регуляризации в методе Ьар1асе-ОЬТ8 приводит к появлению артефактов в виде несоответствия количества определяемых глубоких уровней в спектре сигнала исходным данным.

2. Разработанные подход с выбором параметра регуляризации по Ь-кривой снимает ограничения метода Ьар1асе-БЬТ8 и повышает достоверность получаемых результатов.

3. Подход ЬЬ-БЬТБ позволяет повысить разрешающую способность стандартного метода за счет нахождения оптимального решения из спектра регуляризованных решений.

4. Использование метода ЬЬ-ОЬТБ при обработке релаксационных сигналов позволяет не менее чем на порядок по сравнению с предельной прочностью кристалла снизить величину давления на образец в экспериментах по определению типа симметрии дефекта.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на XII Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2006), Ш Всероссийской конференции

Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Фагран-2006» (Воронеж, 2006), V Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения (Мегшайс-2006)» (Москва, 2006), IX Международной, научно-технической конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века» (Воронеж, 2008), а также на научных семинарах кафедры ядерной физики ВГУ.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 14 научных работ, список которых приведён в заключение диссертации.

Структура и объём диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ахкубеков, Александр Эдуардович

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Выявлены ограничения существующего метода обработки релаксационного сигнала, которые приводят к появлению артефактов в виде несоответствия количества выделяемых глубоких уровней в спектре Ьар1асе-Е)ЦГ8 исходным данным, что ведет к снижению достоверности метода и появлению неконтролируемых ошибок при определении параметров глубоких уровней.

2. Разработан метод обработки релаксационного сигнала и получения спектров Лар1асе-ОЬТ8 с выбором параметра регуляризации по Ь-кривой, который позволяет избежать неконтролируемых выбросов и повысить достоверность получаемых результатов.

3. Обнаружено, что подход 1Х-ОЬТ8 позволяет повысить разрешающую способность метода Ьар1асе-ОЬТ$ за счет нахождения оптимально регуляризованного решения из всего спектра решений.

4. На нримере радиационного точечного дефекта кислород-вакансия (А~ центр) в кристалле Сг^ показана возможность значительного снижения механического давления, необходимого для расщепления энергетического уровня при определении симметрии дефекта, за счет повышения разрешающей способности Ьар1асе-ОЬТ8 с выбором параметра регуляризации по Ь-кривой.

5. На примере монокристалла ОаАя показано, что метод ГХ-ОЬТБ дает возможность независимого определения параметров глубоких центров с близкими значениями коэффициентов эмиссии, неразрешимых классическим методом БЪТ8.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Каданцев, А.Э. Ахкубеков, «Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках с использованием интегрального преобразования Ланласа», Полупроводниковые гетероетруктуры: сб. науч. тр., Воронеж, 2005, стр.96-108.

2. М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, А.Э. Ахкубеков, «Повышение разрешающей способности нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках», Радиолокация, навигация, связь: материалы XII Международн. науч.-техн. конф., Воронеж, 2006, т.2, стр.1415-1422.

3. М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, А.Э. Ахкубеков, A.B. Каданцев, «Определение типа симметрии точечных дефектов в полупроводниках методом Laplace-DLTS», Конденсированные среды и межфазные границы, 2006, Т.8, №2, стр.149-153.

4. A.B. Татаринцев, А.Э. Ахкубеков, A.B. Каданцев, М.Н. Левин, «Автогенераторный метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней с преобразованием Лапласа», Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах, Фагран-2006: материалы Ш Всерос. конф., Воронеж, 2006, т.П, стр. 623-626.

5. А.Э. Ахкубеков, АЛЗ.Бормонтов, A.B. Татаринцев, М.Н. Левин, «Определение типа симметрии точечных дефектов в полупроводниках методом Laplace-DLTS», Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения (Intermatic-2006): материалы V международной науч.-техн. Конф., Москва, 2006, 4.3, С167-169. г

6. Levin M.N, Tatarinzev A.V., Akhkubekov A.E. «Determination of radiation defect symmetry by high resolution Laplace-DLTS», LVII International Conference on Nuclear Physics, Voronezh, 2007, p.336

7. M.H. Левин, A.B. Татаринцев, А.Э. Ахкубеков, «Нестационарная спектроскопия глубоких с выбором параметра регуляризации по L-кривой», Вестник Воронежского Государственного Университета, Серия физика, математика, 2008, №.1, етр.48-51.

8. М.Н. Левин, А.Э. Ахкубеков, A.B. Татаринцев, А.Е. Бормонтов, «Определение симметрии радиационных дефектов высокоразрешающим методом Laplace-DLTS», Кибернетика и высокие технологии XXI века: материалы XI Международн. науч.-техн. конф., Воронеж, 2008, т.2, стр.941-950.

9. М.Н. Левин, А.Э. Ахкубеков, A.B. Татаринцев, «Определение симметрии радиационных дефектов высокоразрешающим методом Laplace-DLTS», Известия РАН, Серия физическая, 2008, т.72, №¡11, стр.1671 -1676.

10.М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, А.Э. Ахкубеков, «Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой», ФТЛ, 2009, т.43, вып.5, стр.613 - 616.

11.М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Каданцев, А.Э. Ахкубеков, А.Ю. Василенко, «Устройство одноосевого сжатия для определения симметрии дефектов полупроводниковых кристаллов», ПТЭ, 2008, №4, стр. 1-2.

12.М.Н. Левин, А.Е. Бормонтов, А.Э. Ахкубеков, ЕА. Татохин «Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом Laplace-DLTS. Кинетика ионизации метастабильных цнтров», Конденсированные среды и межфазные границы, 2010, т.43, вып.2, с.613-616.

13.М.Н. Левин, А.Е. Бормонтов, А.Э. Ахкубеков, Е.А. Татохин «Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом

Ьар1асе-Е>1,Т8», Кибернетика и высокие технологии 21 века: Труды XI междунар. науч.-техн. конф., т.1, Воронеж, 2010, с.313-324.

14.М.Н. Левин, А.Е. Бормонтов, А.Э. Ахкубеков, Е.А. Татохин «Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом ЬАРЬАСЕ-Е)ЬТ8», ПЖТФ, 2010, т.36, вып.21, стр.61 — 69.

В заключение автор хотел бы выразить глубокую благодарность научному руководителю М.Н.Левину за огромную помощь в решении поставленных научных задач; А.В.Татаринцеву, Е. Н.Бормонтову за всестороннюю помощь, обсуждение результатов работы; Ю.И.Иванкову за полезные консультации при проведении теоретических расчетов; а также всем сотрудникам кафедры «Ядерной физики» Воронежского государственного университета за всестороннюю ноддержку.

Заключение.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ахкубеков, Александр Эдуардович, 2010 год

1. Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors // Journal of Applied Physics. — 1974. — Vol. 45. — No. 7.-P. 3023 -3032.

2. Берман Л. С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л. С. Берман, А. А. Лебедев. Л.: Наука, 1981.-1761. G.

3. Lang D. V. Space charge spectroscopy in semiconductors. Thermally simulated relaxation processes in solids / P. Braunlich Ed. N.Y.: Springer, 1979,-P. 93 — 133.

4. Borsuk J. A., Swanson R. M. Current transient spectroscopy: A high-sensitivity DLTS system // IEEE Transactions on Electron Devices. — 1980. -Vol. ED - 27. - No. 12. -P. 2217 - 2225.

5. Miller G. L., Lang D. V., Kimerling L. C. Capacitance transient spectroscopy // Annual Review of Material Science. 1977. — Vol. 7. - P. 377-448.

6. Goto G., Yanagisawa S., Wada O., Takahashi H. An Improved Method of Determining Deep Impurity Levels and Profiles in Semiconductors // 4 Japanese Journal of Applied Physics.-1974.-Vol. 13.-P. 1127-1133.

7. Istratov A. A., Vyvenko O. F. Exponential analysis in physical phenomena // Review of Scientific Instruments. 1999. - Vol. 70. - P. 1233 - 1257.

8. Miller G. L., Ramirez J. V. and Robinson D. A. H. A correlation method for semiconductor transient signal measurements // Journal of Applied Physics. 1975. - Vol. 46. - No. 6. - P. 2638 - 2645.

9. Crowell C. R., AlipanaBi S. Transient distortion and nThorder filtering in deep level transient spectroscopy (DLTS) // Solid-State

10. Electronics. -1981. Vol. 24. - P. 25 - 36.

11. Gordeev D. M., Shmagin V. B. // Sov.Phys.-Semicond. 1992. - Vol. 26. -P. 538.13J Dmowski K., Pioro Z. Theoretical signal-to-noise ratio for correlators with linear averaging H Review of Scientific Instruments. — 1987. — Vol. 58. — P. 75 — 78.

12. Thurzo I., Pogany D., Gmucova K. A novel algorithm for high order filtering in DLTS // Solid-State Electronics. 1992. - Vol. 35. - P. 1737 -1743.

13. Hodgart M. S. High-resolution analysis of exponentially decaying transients for physics d.l.f.s. experiments // Electronics Letters. —1979. -Vol. 15.-P. 724-725.

14. Dmowski K, A multicomponent correlation method with binomial weigthing coefficients for deep level measurements in metaloxide semiconductor devices // Journal of Applied Physics. 1992. - Vol. 71. — No. 5.-P. 2259-2270.

15. Atanasov R. D. Spectrum analyzer for exponentially decaying signals // Review of Scientific Instruments. 1983. - Vol. 54. - P. 1362 - 1364.

16. Hodgart M. S. Optimum correlation method for measurement of noisy transients in solid-state physics experiments // Electronics Letters. 1978. -Vol. 14. -P. 388 -390;

17. Istratov A. A. New correlation procedure for the improvement of resolution of deep level transient spectroscopy of semiconductors // Journal of Applied Physics. 1997. - Vol. 82. - No. 6. - P. 2965 - 2969.

18. Istratov A. A. The resolution limit of traditional correlation functions for deep level transient spectroscopy // Review of Scientific Instruments, 1997. -Vol.68.-P.3861- 3866.

19. Берман Л. С. Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент // Физика и техника полупроводников. — 1998. — Т. 32.6.-С. 688-689.

20. Быковский Ю.А., Колосов К.В., Зуев В.В., Кирюхин А.Д., Расмагин С.И. Определение рекомбинационных параметров полупроводникового материала с помощью метода Прони // Журнал технической физики. Т. 69. - № 4. — С. 54 — 59.

21. Ikossi-Anastasiou К., Roenker К.Р. Refinements in the method of moments for analysis of multiexponential capacitance transients in deep-level transient spectroscopy // Journal of Applied Physics. — 1987. — Vol. 61. — No. 1. — P. 182-190.

22. Nolte D.D., Haller E.E. Optimization of the energy resolution of deep level transient spectroscopy // Journal of Applied Physics. — 1987. — Vol. 62. — No. 3. — P. 900-906.

23. Thurzo L, Pogany D., Gmucova K. A novel algorithm for higher order filtering in DLTS // Solid-State Electronics. 1992. - Vol. 35. - P. 1737 -1743.

24. Eiche C., Maier D., Schneider M., Sinerius D., Weese J., Benz K. W., Honerkamp J. Analysis of photoinduced current transient spectroscopy (P1CTS) data by a regularization method // Journal of Physics: Condensed Matter. 1992. - Vol. 4. - P. 6131.

25. Borsuck A., Swanson R. M., Current transient spectroscopy: A high-sensitivity DLTS system // IEEE Transaction on Electron Devices. 1980. -Vol. 27.-P. 2217-2225.

26. Stehfest H. Algorithm 368: Numerical inversion of Laplace transform // Communications of ACM. 1970. - Vol. 13. - P. 47 - 49.

27. Gaver D.P. Observing Stochastic Processes, and Approximate Transform Inversion // Operation Research. — 1966. Vol. 3. — P. 444 - 459.

28. Dobaczewski L., Kaczor P., Hawkins I.D., Peaker A.R. Laplace transform deep-level transient spectroscopic studies of defects in semiconductors // Journal of Applied Physics. -1994. Vol. 76. - No. 1. - P. 194 - 198.

29. Bonde Nielsen, Dobaczewski L., Gocinski K., Bendesen R., Andersen O., Beeh Nielsen B. Deep levels of vacancy-hydrogen centers in silicon studied by Laplace DLTS // Physica B. -1999. Vol. 167. - P. 273 - 274.

30. Andersen O., Peaker A. R., Dobaczewski L., Bonde Nielsen K., Hourahine B., Jones R., Briddon P. R., and Oberg S. Electrical activity of carbon-hydrogen centers in Si // Physical Review B. 2002. — Vol. 66. - No. 235205.

31. Dobaczewski L., Peaker A.R, Bonde Nielsen K. Laplace-transform deep-level spectroscopy: The technique and its applications to the study of point defects in semiconductors // Journal of Applied Physics. 2004. — Vol. 96. — No. 9.-P. 4689 - 4729.

32. Dobaczewski L., Gocinski K., Zykiewicz 2. R., Bonde Nielsen K., Rubaldo L., Andersen O., Peaker A. R. Piezoscopic deep-level transient spectroscopy studies of the silicon divacancy // Physical Review B. — 2002. Vol. 65. ~ No. 2113203.

33. Mooney P. M. Deep donor levels {DX centers) in III-V semiconductors // Journal of Applied Physics. 1990. - Vol. 67. - No. 3. - R. 1.

34. Dobaczewski L., Kaczor P., Missous M., Peaker A. R., Zytkiewicz Z. R. Evidence for substitutional-interstitial defect motion leading to DX behavior by donors in AlxGal-xAs // Physical Review Letters. -1992. Vol. 68. - P. 2508-2511.

35. Тихонов А. П. Методы решения некорректных задач / А. П. Тихонов, В. Я. Арсенин. М.: Наука, 1979.-285 с.

36. Provencher S.W. A constrained regularization method for inverting data represented by linear algebraic or integral equations // Computer Physics Communications. -1982. Vol. 27. - P. 213 - 227.

37. Морозов В.А. Регулярные методы решения некорректно поставленныхзадач / М.: Наука, 1987. 240 с.

38. Lawson С. L., Hanson R. J. Solving Least Squares Problems / Prentice-Hall, Englewood Cliffs, 1974. 340 p.

39. Hansen P.C. Analysis of discrete ill-posed problems by means of the L-curve // SIAM Review. 1992. - Vol. 34. - P. 561 - 580.

40. Hansen P.C. Perturbation bounds for discrete Tikhonov regularization // Inverse Problems. 1989. - Vol. 5. - P. 41 - 44.

41. Hansen P.C. Regularization, GSVD and truncated GSVD // BIT. 1989. Vol. 29.-P. 491-501.

42. Hansen P.C. The discrete Picard condition for discrete ill-posed problems // BIT. 1990. - Vol. 30. - P. 658 - 672.

43. Hansen P.C. Computation of the singular value expansion // Computing. -1988. Vol. 40. - P. 185 ~ 199.

44. Miller K. Least squares methods for ill-posed problems with a prescribed bound // SIAM Journal of Mathematical Analysis. 1970. - Vol. 1. - P. 52 -74.

45. Hansen P.C. Analysis of discrete ill-posed problems by means of the- L-curve// SIAM Review. 1992. - Vol. 34. - P. 561 - 580.

46. Hansen P.C., O'Leaiy D.P. The use of the L-curve in the regularization of discrete ill-posed problems II SIAM Journal of Scientific Computing. 1993. -Vol. 14.— P. 1487-1503.

47. Glatter O. A new method for the evaluation of small-angle scattering data // Journal of Applied Ciystallography. 1977. - Vol. 10. - P. 415 - 421.

48. Shizuma K. Iterative unfolding method for positron annihilation radiation spectra measured with Ge(Li) detectors // Nuclear Instruments and Methods. -1980. Vol. 173. -P. 395 -402.

49. Johnson M.L., Romero J. L., Subramanian T. S., Brady F. P. Thick target corrections for charged particle spectra // Nuclear Instruments and Methods.- 1980. Vol. 169. - P. 179 - 184.

50. Provencher S.W., Govi D.V. Direct analysis of continuous relaxation spectra // Journal of Biochemical and Biophysical Methods. 1979. — Vol. 1.1. P. 313 — 318.

51. Provencher S.W., Hendrix J., De Maeyer L., Paulussen N. Direct determination of molecular weight distributions of polystyrene in cyclohexane with photon correlation spectroscopy // Journal of Chemistry Physics. 1978. - Vol. 69. - P. 4273 - 4277.

52. Provencher S.W., Gloeckner J. Estimation of globular protein secondary structure from circular dichroism // Biochemistry. — 1981. Vol. 20. — P. 33 -37.

53. Phillips D. L. A technique for- the numerical solution of certain integral equations of the first kind // Journal of ACM. 1962. - Vol. 9. - P. 84 - 97.

54. Merz P.H. Determination of adsorption energy distribution by regularization and a characterization of certain adsorption isotherms // Journal of Computational Physics. -1980. Vol. 38. - P. 64 - 85.

55. Groetsch C.W. The theory of Tikhono regularization for Fredholm equation of the first kind / Boston.: Pitman, 1984. 104 p.

56. Nye J.F. Physical properties of crystals : Their Representation By Tensors And Matrices / Oxford, 1957. 333 p.

57. Kaplyanskii A. A. // Optics and Spectroscopy. -1964. Vol. 16. - P. 329.

58. Kaplyanskii A. A. // Optics and Spectroscopy. 1961. - Vol. 10. - P. 83.

59. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии / М.:Мир, 1984.-475 с.

60. Вавилов B.C. Дефекты в кремнии и на его поверхности / В. С. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. — М: Наука, 1990. — 216 с.

61. Watkins G. D., Corbett J. W. Defects in irradiated silicon. I. Elecrton Spin Resonance of Si-A Center // Physical Review. 1961. - Vol. 121.- No. 4. -P. 1001-1014.

62. Watkins G. D., Corbett J. W., Chrenko R. M., McDonald R. S. Defects in irradiated silicon. 11. Ifrared Absorbtion of Si-A Center // Physical Review. — 1961.-Vol. 121.- No. 4.-P. 1015-1022.

63. Meese J. M., Farmer J. W., Lamp C. D. Defect Symmetry from Stress Transient Spectroscopy // Physical Review Letters. 1983. — Vol. 51. — P. 1286-1289.

64. Samara G. A., Barnes С. E. Pressure dependence of impurity levels in semiconductors: The deep gold acceptor level and shallow donor and acceptor levels in silicon // Physical Review B. 1987. - Vol. 35. — P. 7575 -7584.

65. Samara G. A. Pressure dependence of deep electronic levels in semiconductors: The oxygen-vacancy pair (or A center) in silicon // Physical Review B. 1987. - Vol. 36. - P. 4841 - 4848.

66. Samara G. A., Barnes С. E. Lattice Relaxation Accompanying Carrier Capture and Emission by Deep Electronic Levels in Semiconductors // Physical Review Letters. 1986. - Vol. 57. - P. 2069 - 2072.

67. Антонов П.И., Косилов A.T., Василенко А.Ю. // Известия АН СССР. Серия физическая. 1980. - Т. 44. - №. 2. ~ С.404

68. Каданцев А.Й., Котов Р.И., Левин М.Н. Автоматизированная установка для емкостной спектроскопии полупроводников // Приборы и Техника Эксперимента. ~ 2004. № 6. - С. 138 - 139.

69. Sakamoto H., Shimidzu K. Effects of the Sense of Stress on Martensitic Transformations in Monocrystalline Cu-Al-Ni Shape Memory Alloys // Transactions JIM. 1984. - Vol. 25. -No. 12. - P. 845 - 854.