Магнитополяризационная спектроскопия флуктуационных электронных состояний тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Вербин, Сергей Юрьевич

• Вербин, Сергей Юрьевич
• доктор физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Вербин, Сергей Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ.

Положения, выносимые на защиту.

Глава 1. ФЛУКТУАЦИОННЫЕ ЭКСИТОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В ОБЪЕМНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ II-VI ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

§ 1.1 Проявление локализации экситонов флуктуационными состояниями в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции твердых растворов полупроводников с анионным замещением

1.1.1 ТР Сс131-ь3еь.

1.1.2 ТР ЯпБ^ьБеь.

1.1.3 ТР гпБе^-ьТеь.

§ 1.2 Роль флуктуационных экситонов в переносе электронного возбуждения в твердых растворах полупроводников.

§ 1.3 Квантовый выход фотолюминесценции твердых растворов полупроводников.

§ 1.4 Туннельная релаксация флуктуационных экситонов и форма полосы низкотемпературной фотолюминесценции в твердых растворах

1.4.1 Общие соображения

1.4.2 Экспериментальные результаты.

1.4.3 Теоретический расчет: оценки.

1.4.4 Уточненный теоретический расчет.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Магнитополяризационная спектроскопия флуктуационных электронных состояний»

Влияние такой характеристики полупроводников, как неупорядоченность, на их свойства привлекает к себе внимание исследователей уже в течение длительного времени. Непрекращающийся интерес к этому направлению физики полупроводников обусловлен разнообразием и сложностью теоретических и экспериментальных проблем в данной области, а также перспективами, которые открываются в случае решения этих проблем, как в фундаментальных исследованиях полупроводников, так и в их применении в прикладных целях.

Вызванные неупорядоченностью эффекты часто удобно анализировать как результат флуктуаций различных параметров полупроводника относительно величин этих параметров, характерных для идеально упорядоченной структуры. Во многих полупроводниковых системах - твердых растворах (ТР), гетероструктурах с пониженной размерностью и др. их неупорядоченность приводит к флуктуациям электронного потенциала.

Основой для написания данной диссертации стали опубликованные в [Д1-Д30] результаты спектроскопических исследований свойств электронных состояний, энергия которых определяется таким флуктуирующим потенциалом, а также влияния этих состояний*' на процессы переноса электронного возбуждения в полупроводниковых системах.

Ниже будет показано, что возникновение флуктуационных состояний является свойством, характерным для неупорядоченных полупроводниковых систем. Поэтому, с одной стороны, влияние таких состояний на оптические и транспортные свойства в определенных условиях часто оказывается доминирующим, с другой - несмотря на разнообразие физической природы флуктуаций, вызывающих появление флуктуационных состояний в различных полупроводниковых системах, эти состояния обладают рядом общих свойств.

Вследствие увеличения в последние годы интереса к спинтронике - применению в прикладных целях эффектов, определяемых спиновыми свойствами электронных состояний в полупроводниковых структурах, исследование спиновой структуры флуктуационных электронных состояний и роли

Локализованные в таких состояниях экситоны в работе Агекяна и др. [1] были названы флуктуационными (ФЭ). Этот термин, представляющийся весьма удачным, будет для краткости применяться ниже и к самим электронным состояниям, локализованным в результате флуктуаций потенциала в неупорядоченных полупроводниковых системах. процессов релаксации электронного возбуждения в неупорядоченных полупроводниковых системах с участием таких состояний, являющееся целью данной диссертации, оказывается весьма актуальным.

Для решения этой задачи наиболее удачными представляются методы магнито-поляризационной спектроскопии, т.е. исследование зависимости влияния внешнего магнитного поля на поляризацию оптических спектров, поскольку с одной стороны эта поляризация зависит от спиновых свойств электронных состояний и процессов их релаксации, а с другой - на них можно повлиять, прикладывая внешнее магнитное поле.

Ниже предельно кратко изложены необходимые общие сведения о возникновении флуктуационных состояний в неупорядоченных полупроводниковых системах и магнито-поляризационных методах их исследования.

Актуальность изучения свойств ТР обусловлена широким применением их в полупроводниковой технике, в том числе при создании полупроводниковых структур, что, в свою очередь, определяется их важнейшим свойством - изменением ширины запрещенной зоны Ед и постоянной кристаллической решетки ар при варьировании состава ТР.

Из всего многообразия полупроводниковых ТР будут рассмотрены только изоэлектронные, т.е. такие, в которых атомы, замещающие друг друга в узлах кристаллической решетки, имеют одинаковое строение внешних электронных оболочек. В результате такого замещения кристаллическая решетка хотя и искажается, но ее существенной перестройки не происходит.

Свойства изоэлектронных ТР могут быть в первом приближении достаточно хорошо описаны в модели т.н. идеального «виртуального кристалла» (ВК) - твердого тела с идеальной решеткой, в псевдоузлах которой расположены псевдоатомы, одинаковые для эквивалентных узлов и изоэлектронные с атомами, образующими реальный ТР. Параметры решетки и псевдоатомов ВК получают интерполяцией параметров решетки и атомов соединений, образующих ТР. Таким образом, химический состав ВК постоянен по объему и определяется соотношением долей этих соединений в реальном ТР. Модель ВК позволяет в некотором приближении описать зависимости Ед и ар от состава ТР.

Другое общее свойство ТР - их неупорядоченность проявляется в локальных пространственных флуктуациях химического состава реальных ТР и расположения узлов решетки в них относительно положения узлов решетки в ВК. Первую разновидность таких флуктуаций называют композиционным, а вторую - позиционным беспорядком. Из общих соображений, очевидно, что такое деление носит весьма схематический характер, и в неупорядоченность реальных ТР вносят вклад оба типа беспорядка, хотя один из них при этом может доминировать. В тех случаях, когда варьирование состава ТР приводит также и к изменениям симметрии его кристаллической решетки, неупорядоченность ТР может проявляться в появлении дефектов упаковки, влияние которых на оптические спектры ТР подробно исследовано в работах Федорова, Новикова и др. (см., например, [2; 3]).

К моменту начала исследований, обсуждаемых в диссертации, уже было известно, что приближение ВК оказывается недостаточным для описания свойств объемного полупроводникового ТР с изоэлектронным замещением Сс^-ьЭеь, поскольку существенное влияние на эти свойства оказывает неупорядоченность ТР, а именно пространственные флуктуации его состава [4-7]. Вследствие зависимости энергетического положения электронных зон ТР от его состава такие флуктуации приводят к ряду явлений, характерных именно для ТР: возникновению в нем хаотического потенциального рельефа, размытию краев зон проводимости и валентной и, как следствие, к образованию в запрещенной зоне «хвостов» плотности состояний. Чем больше величина флуктуации, тем меньше вероятность ее возникновения, поэтому плотность состояний будет спадать вглубь запрещенной зоны. При этом состояния с достаточно малой плотностью окажутся локализованными.

Хорошо известно, что процессы переноса энергии в полупроводниках осуществляются преимущественно с участием экситонов (см., например, монографию [8]). При локализации в таких состояниях хотя бы одного из образующих экситон носителей происходит и локализация экситона, что при определенных условиях может привести к изменению характера переноса энергии в ТР. Этим эффектом было объяснено обнаруженное в низкотемпературных спектрах фотолюминесценции (ФЛ) Сс^х-ьЭеь преобладание интенсивной неоднородно уширенной полосы излучения ФЭ [8, доп. к гл.9; 9]. Дальнейшие исследования низкотемпературных спектров ТР 11-У1 полупроводников показали, что изменение характера переноса энергии в ТР в результате возникновения ФЭ является достаточно общим свойством ТР, в которых замещение происходит в анионной подрешетке [Д7; Д8 ] .

Достигнутые в последнее время успехи в технологии эпитаксиального роста привели к созданию широко применяемых в прикладных целях разнообразных полупроводниковых гетероструктур с пониженной размерностью, в том числе структур с квантовыми ямами

КЯ) , на исследовании которых сосредоточены сейчас основные усилия в современной физике полупроводников. Вследствие квантового ограничения движения носителей в таких структурах роль экситонных эффектов в них оказывается даже еще большей, чем в объемных полупроводниках. Довольно часто характер переноса энергии в полупроводниковых гетероструктурах также существеннейшим образом определяется локализацией во флуктуационных состояниях. К возникновению таких состояний в гетероструктурах приводят как присущие только им флуктуации размеров КЯ, так и флуктуации состава ТР, почти всегда применяемых при выращивании гетероструктур для получения нужных значений Ед и ар. В результате понижения размерности в квантово-ограниченных структурах влияние флуктуационных состояний на процессы переноса в них может весьма усиливаться по сравнению с объемными ТР полупроводников [Д23].

Наибольшее внимание к настоящему времени сосредоточено на исследованиях структур на базе 111-У полупроводников в силу более развитой технологии их создания. Однако по-прежнему актуальной задачей остается совершенствование технологии выращивания более широкозонных полупроводников и структур на их основе для изготовления оптоэлектронных приборов, работающих в более коротковолновой части оптического диапазона. Достижение этой цели связывается с развитием исследований структур на базе широкозонных II-VI полупроводников и, в самое последнее время, также и нитридов металлов III группы. Усилия, сосредоточенные на создании структур на базе нитридов, все еще наталкиваются на ряд проблем, решению которых может способствовать их анализ методами, разработанными при исследовании структур на базе II-VI полупроводников, таких как халькогениды кадмия и цинка.

Магнито-поляризационные методы исследования успешно применяются в физике твердого тела достаточно давно (см., например, обзор [10]). Эти методы широко используются и при изучении II-VI полупроводников и систем на их основе, однако до недавнего времени основное внимание уделялось исследованию так называемых полумагнитных полупроводников. Их катионная подрешетка содержит ионы переходных металлов (чаще всего Мп2+) с некомпенсированными спинами, поэтому в результате обменного взаимодействия носителей с такими ионами магнитооптические эффекты в этих полупроводниках усиливаются на порядки по сравнению с наблюдаемыми для обычных полупроводников (см., например, [11]).

Кроме того, при исследовании неупорядоченных полупроводниковых систем, важнейшей особенностью которых является неоднородное уширение их спектров, неприменимы магнитооптические методы в их традиционном виде, связанные с точным измерением сдвигов и расщеплений достаточно узких спектральных линий. Тем не менее, как будет показано, методы магнито-поляризационной спектроскопии могут быть с успехом применены и в случае немагнитных полупроводниковых неупорядоченных систем, даже когда неоднородное уширение спектров существенно превышает расщепление спиновых подуровней.

В настоящей диссертации приведены результаты исследования свойств флуктуационных электронных состояний, прежде всего экситонных, в таких системах на базе немагнитных широкозонных II-VI полупроводников халькогенидов кадмия и цинка, как объемные ТР, гетероструктуры и приповерхностный слой полупроводника, обработанного электролитом. В низкотемпературных спектрах ФЛ всех этих систем преобладает интенсивная неоднородно уширенная полоса рекомбинации флуктуационных электронных состояний.

После обзора в главе 1 общих свойств ФЭ, проявляющихся в спектрах низкотемпературной ФЛ объемных ТР II-VI полупроводников, в следующих главах будут изложены результаты более детального анализа свойств флуктуационных электронных состояний методами магнитополяризационной спектроскопии, когда данные о спиновой структуре и процессах релаксации таких состояний, включая динамику переходов между их спиновыми подуровнями, удавалось получить даже в условиях превышающего расщепление спиновых подуровней неоднородного уширения спектров. В главе 2 рассмотрены результаты исследования структуры спектров поглощения и магнитного кругового дихроизма, в главах 3 и 4 - влияния внешнего магнитного поля на поляризацию ФЛ в ТР и вторичного излучения гетероструктур, соответственно. Глава 5 посвящена спектроскопическим исследованиям с временным разрешением, глава 6 - исследованию приповерхностных флуктуационных состояний в системе полупроводник-электролит.

Результаты, полученные при систематическом исследовании с применением различных магнито-поляризационных экспериментальных методик, позволили не только проанализировать энергетическую структуру и спиновые свойства флуктуационных электронных состояний и процессы релаксации в них, но и сделать выводы о границах возможностей таких методик, а также о степени применимости при таком анализе существующих теоретических моделей.

Большинство экспериментальных результатов, обсуждаемых в диссертации, были получены при гелиевых температурах (Т = 1.6 - 5 К). В тех случаях, когда использовались более высокие температуры, это будет специально отмечаться в тексте. Существенные особенности проведенных экспериментов, а также имевшиеся данные о структуре экситонных зон и правилах отбора для экситонных переходов в 11-У1 полупроводниках [8; 12] будут приведены в соответствующих параграфах. Здесь же отметим только, что все исследованные бинарные полупроводники, ТР и полупроводниковые структуры были прямозонными. В Приложение вынесено обсуждение наиболее важных деталей спектральных измерений, которые могут представить интерес при исследовании поляризационных характеристик излучения любых объектов.

ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ.

I. Модуляция полевой зависимости циркулярной поляризации люминесценции флуктуационных экситонов в продольном магнитном поле является результатом их теплового перераспределения между оптически активными и неактивными спиновыми подуровнями, испытывающими антипересечение в магнитном поле.

II. Линейная поляризация люминесценции, обнаруженная при резонансном возбуждении линейно поляризованным светом (оптическое выстраивание) полупроводниковых твердых растворов и гетероструктур в изотропной геометрии, отражает скрытую анизотропию системы флуктуационных экситонов.

III. В системе флуктуационных экситонов существуют состояния с различной степенью анизотропии, что приводит к нелоренцевой зависимости степени оптического выстраивания флуктуационных экситонов от величины продольного магнитного поля.

IV. Характер переноса электронного возбуждения в двумерных полупроводниковых структурах при низких температурах определяется локализацией экситонов во флуктуационных состояниях даже в том случае, когда в объемных TP полупроводников аналогичного состава влияния таких состояний на процессы переноса не наблюдается и при самых низких температурах.

V. Величина обменного взаимодействия для флуктуационных экситонов увеличивается с ростом энергии локализации таких состояний.

VI. Процессы, происходящие с одновременным переворотом разнонаправленных спинов электрона и дырки, дают преимущественный вклад в релаксацию возбуждения между спиновыми подуровнями флуктуационных экситонов по сравнению с остальными процессами, в частности, происходящими только с переворотом спина дырки.

VII. Флуктуации потенциала в приповерхностном слое обработанных электролитом полупроводников вызваны беспорядочным распределением противоположно заряженных примесей на поверхности полупроводника, что определяет крупномасштабный характер флуктуаций.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Вербин, Сергей Юрьевич

4. Результаты исследования как поляризации излучения, так и формы полосы низкотемпературной ФЛ гетероструктур с КЯ из ТР 11-У1 полупроводников с замещением в катионной подрешетке, а также из ТР Ш-У полупроводников, свидетельствуют о существенном возрастании эффекта локализации экситонов во флуктуационных состояниях в низкоразмерных гетероструктурах по сравнению с объемными ТР аналогичного состава.

5. Величина обменного взаимодействия для флуктуационных экситонов оказалась непрерывно зависящей от энергии локализации таких состояний, что указывает на случайный характер распределения атомов Сс1 в плоскости КЯ исследованной структуры.

6. Обнаружено, что преимущественный вклад в релаксацию возбуждения между спиновыми подуровнями флуктуационных экситонов вносят процессы, происходящие с одновременным переворотом разнонаправленных спинов электрона и дырки по сравнению с остальными процессами, в частности, происходящими только с переворотом спина дырки.

7. Сравнение экспериментальных результатов исследования спектров ЪЭ-полосы ФЛ системы полупроводник Сс^е-электролит с полученными в двух теоретических моделях позволяет утверждать, что флуктуации потенциала вызваны беспорядочным распределением противоположно заряженных примесей на поверхности полупроводника, что определяет крупномасштабный характер флуктуаций. *

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность профессорам Борису Владимировичу Новикову, Сергею Александровичу Пермогорову и Александру Наумовичу Резницкому, в сотрудничестве с которыми была выполнена большая часть работ, вошедших в диссертацию, и чье постоянное благожелательное внимание помогало мне на протяжении всей научной деятельности.

Мне приятно поблагодарить профессоров

С.Д.Барановского, Е.Л.Ивченко и А.А.Клочихина за многочисленные полезные обсуждения экспериментальных результатов, всех своих соавторов, принимавших участие в проведении данной работы на разных ее этапах, а также сотрудников кафедры и отдела физики твердого тела СПбГУ и лаборатории оптики твердого тела ФТИ РАН, чья помощь и поддержка способствовали выполнению этой работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации изложены результаты исследования поляризационными методами флуктуационных электронных состояний в неупорядоченных полупроводниковых системах разного типа (твердые растворы (ТР), гетероструктуры с квантовыми ямами (КЯ), обработанная электролитом поверхность полупроводника) на базе немагнитных широкозонных 11-У1 полупроводников - халькогенидов кадмия и цинка. Полученные, в т.ч. в условиях приложения внешнего магнитного поля В, результаты демонстрируют, что поляризационная спектроскопия позволяет получить многообразную информацию как о структуре и энергетическом спектре, так и о временах релаксации флуктуационных состояний.

В начале диссертации излагаются результаты исследований, показавшие, что эффективность локализации во флуктуационных экситонных (ФЭ) состояниях в ТР разного типа различна и что теоретические модели, в которых плотность флуктуационных состояний в ТР рассчитывалась, исходя из предположения о подчинении флуктуаций состава в ТР гауссовой статистике, не могут полностью охарактеризовать реальную ситуацию. Измерение «хвоста» поглощения, формируемого флуктуационными состояниями, показало, что он описывается экспоненциальным законом Урбаха, который также не может быть объяснен в таких моделях. Эти результаты стимулировали разработку новой, близкой к модели изоэлектронных ловушек, модели возникновения флуктуационных состояний в ТР на кластерах из небольшого числа изоэлектронных замещающих атомов.

При сравнении результатов расчетов энергетического распределения и формы полосы фотолюминесценции (ФЛ) ФЭ в модели туннельной релаксации ФЭ с экспериментальными не удалось добиться их полного согласия, что стимулировало разработку новой модели процессов релаксации ФЭ в ТР на базе классической теории протекания по перекрывающимся сферам.

Основное внимание в работе было уделено изучению свойств ФЭ методами поляризационной спектроскопии во внешнем магнитном поле.

При исследовании пропускания циркулярно поляризованного света ТР Сс^х-ьБеь на длинноволновом краю поглощения ФЭ в продольном магнитном поле был обнаружен эффект магнитного кругового дихроизма, возникающий в результате зеемановского сдвига между спиновыми подуровнями ФЭ. Измерение величины и знака этого эффекта позволило определить д-факторы ФЭ и дырки.

При исследовании ФЛ ФЭ во внешнем магнитном поле в конфигурации Фарадея обнаружена циркулярная поляризация ФЛ (МЦПЛ), возникающая вследствие тепловой ориентации угловых моментов экситонов, которая происходит в результате их спиновой релаксации на нижний из излучательных спиновых подуровней, расщепленных продольным магнитным полем. В такой модели удалось объяснить обнаруженные спектральную и полевую зависимости МЦПЛ.

При резонансном возбуждении линейно поляризованным светом в изотропной геометрии обнаружена линейная поляризация р1 люминесценции ФЭ, которая отражает скрытую анизотропию в макроскопически изотропной системе флуктуационных экситонов. Обнаружена зависимость степени этой поляризации р1(Ъуех) от длины волны возбуждающего света и показано, что она отражает как зависимость степени анизотропии флуктуационных состояний от глубины их локализации, так и усиление процесса туннельной релаксации из локализованных состояний при уменьшении глубины их локализации. Последний эффект использован для определения положения порога подвижности в системе флуктуационных экситонов.

Исследованы полевые зависимости степеней оптической ориентации рор(:"ог'(В) , р1{В) и р1' (В) ФЛ ФЭ в конфигурации

Фарадея при резонансном возбуждении как ТР, так и гетероструктур с КЯ, что, в частности, позволило разделить вклады в ФЛ, которые дает излучение как ФЭ, так и экситонов, связанных на точечных нейтральных центрах.

При исследовании поляризационными методами во внешнем магнитном поле полевых и угловых зависимостей спектров резонансного комбинационного рассеяния света с переворотом спина (РКРС) определены параметры состояний ФЭ, их зависимость от энергии локализации и оценен вклад различных процессов релаксации спинов носителей.

Процессы релаксации ФЭ изучены также с использованием спектроскопии с временным разрешением. При исследовании кинетики затухания ФЛ ФЭ в объемных ТР при межзонном возбуждении обнаружено, что время затухания ФЛ ФЭ растет при увеличении энергии локализации, и что в модели ФЛ ТР кроме рекомбинации ФЭ должна учитываться также рекомбинация локализованных флуктуациями дырок с электронами, локализованными на мелких донорных состояниях.

Для структур с КЯ Сс^пБе/гпЗе исследованы кинетика магнито-циркулярно поляризованной ФЛ во внешнем продольном магнитном поле в конфигурации Фарадея и кинетика затухания ФЛ в линейно поляризованном свете. Анализ полученных экспериментальных данных позволил определить времена как спиновой, так энергетической релаксации ФЭ.

Анализ кривых затухания просветления, полученных методом «ритр&ргоЬе», позволил определить времена релаксации ФЭ т и объяснить противоположные зависимости т от энергии импульса накачки Е1тр/ обнаруженные для разных энергий локализации ФЭ.

Исследование спектров, кинетики и поляризации ЪЭ-полосы, наблюдаемой в спектре ФЛ системы полупроводник Сс13е-электролит, в т.ч. в магнитном поле в конфигурации Фарадея, полностью подтвердило интерпретацию этой полосы как результата излучательной рекомбинации носителей, локализованных в ямах флуктуирующего приповерхностного потенциала в системе полупроводник-электролит, и позволило определить масштаб флуктуаций.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Вербин, Сергей Юрьевич, 2006 год

1. Fedorov D.L. Spectroscopy of II-VI semiconductor solid solutions with structural phase transitions // J. Luminescence. 1992. Vol. 52, N 1-4. P. 233-242.

2. Permogorov S., Reznitskii A., Travnikov V., Verbin S., Muller G.O., Floegel P., Nikiforova M. Emission of localized excitons in mixed CdSixSex solid solutions // phys. stat. sol. (b). 1981. Vol. 106, N 1. P. K57-K60.

3. Permogorov S., Reznitsky A., Travnikov V., Verbin S., Muller G.O., Nikiforova M. Resonant secondary emission of localized excitons in CdSixSex solid solutions // J. Lumin. 1981. Vol. 24/25, pt. 1. P. 409-412.

4. Permogorov S., Reznitsky A., Verbin S., Muller G.O.,

5. Floegel P., Nikiforova M. Localized excitons in CdSi xSex solid solutions // phys. stat. sol. (b) . 1982. Vol. 113, N 2. P. 589-600.

6. Cohen E., Sturge M.D. Fluorescence line narrowing, localized exciton states, and spectral diffusion in the mixed semiconductor CdSxSeix 11 Phys. Rev. B. 1982. Vol. 25, N 6. P. 3828-3840.

7. Экситоны. Под ред. Э.И.Рашбы и М.Д.Стерджа. // Изд. «Наука». М. 1985. 616 с.

8. Вербин С.Ю. Люминесценция экситонов, локализованных флуктуациями состава, в твердом растворе CdS!xSex // Дисс. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук. Ленинград. 1986. 216 с.

9. Запасский B.C., Феофилов П. П. Развитие поляризационной магнитооптики парамагнитных кристаллов // Успехи физ. наук. 1975. Т. 116, № 1. С. 41-78.

10. Кусраев Ю.Г. Фото- и магнитоиндуцированные эффекты в полумагнитных полупроводниках и квантоворазмерных структурах // Дисс. на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. С-Петербург. 2000. 255 с.

11. Физика и химия соединений Ai:cBVI (сборник обзорных статей под ред. М.Авен) // Изд. «Мир», М., 1970. 624 с.

12. Huang S.-M., Satoh S., Mochizuki К., Igaki К. Growthof zinc sulfo-selenide single crystals and their near band-edge photoluminescence // Jap. J. Appl. Phys. 1983. Vol. 22, N 4. P. 674-676.

13. Mochizuki K. , Suzuki K. Effect of stoichiometry control on the photoelectrical properties of ZnSixSex //phys. stat. sol.(a). 1984. Vol. 85, N 1. P. 249-256.

14. Суслина JI.Г., Федоров Д-Л. , Конников С.Г., Коджеспиров Ф.Ф., Андреев А.А., Шарлай Е.Г. Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSeix // Физика и техн. полупр. 1977. Т. 11, № 10. С. 1934-1937.

15. Brafman О., Chang I.F., Lengyel G., Mitra S.S., Carnall E. Optical phonons in ZnSixSex mixed crystals // Phys. Rev. Lett. 1967. Vol. 19, N 19. P. 1120-1122.

16. Недеогло Д. Д., Симашкевич В. В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка // Изд. Штиинца. Кишинев. 1984. 152 с.

17. Goede О., Heimbrodt W. , Miller R. CdSixTex as persistence-type semiconductor mixed crystals // phys. stat. sol. (b) . 1981. Vol. 105, N 2. P. 543-550.

18. Hoshina TKawai H. Luminescence Excitation spectra and their exciton structures of ZnS phosphoros. II. A1 and Те doped phosphoros // Jap. J. Appl. Phys. 1980.1. Vol. 19, N 2. P. 279-287.

19. Goede 0. , Heimbrodt N. Isoelectronic impurity Те in CdSixSex mixed crystals // phys. stat. sol. (b) . 1982. Vol. 110, N 2. P. 175-178.

20. Aven M. , Garwacki W. Mechanism of charge transport and light emission in ZnSexTeix p-n junctions // J. Appl. Phys. 1967. Vol. 38, N 5. P. 2302-2312.

21. Иванова Г.H., Недеогло Д.Д. , Новиков Б.В., Талалаев В. Г. Люминесценция связанных экситонных комплексов в монокристаллах ZnSe // Физика тв. тела. 1981. Т. 23, № 9. С. 2693-2699.

22. Larach SShrader R.E., Stocher S.F. Anomalous variation of band gap with composition in zinc sulfo-and seleno-tellurides // Phys. Rev. 1957. Vol. 108, N 3. P. 587-589.

23. Резницкий А. К. Электронные состояния, локализованные флуктуациями состава, в твердых растворах полупроводников // Дисс. на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. Санкт-Петербург. 1992. 299 с.

24. Наумов А.Ю. Локализованные экситоны в полупроводниковых твердых растворах ZnSeixTex // Дисс. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук. Ленинград. 1987. 144 с.

25. Mariette Я., Marfaing Y., Camassel J. Evidence for disorder-enhanced-polariton structure versus localized excitons in II-VI alloy semiconductors // Proc. 18 Int. Conf. on Phys. Semicond. (Stockholm, 1986). Vol. 2. P.1405-1408.

26. Бродин M.C., Витриховский Н.И., Гоер Д.Б. Структура экситонных спектров, спонтанное и стимулированное излучение монокристаллов ZnSe и ZnxCdixSe // УФЖ. 1970. Т.15, № 4. С.587-593.

27. Бродин М.С., Гоер Д.Б., Мацко М.Г. Спонтанная люминесценция кристаллов ZnxCdixTe // УФЖ. 1972. Т. 17, № 8. С.1264-1270.

28. Бродин М. С. , Тищенко В. П., Шевель С. Г. Низкотемпературная люминесценция смешанных монокристаллов ZnxCdixS // Физика и техн. полупр. 1975. Т.9, № 4. С. 774-777.

29. Суслина Л.Г., Плюкин А.Г., Федоров Д.Л. Люминесценция смешанных кристаллов ZnxCdixS в условиях резонансного возбуждения // Изв. АН СССР. 1976. Т.40, № 9. С. 19941997 .

30. Suslina L.G.f Plyukhin A.G., Goede ОHennig D. Compositional fluctuation-induced broadening of bound-exciton lines in II-VI semiconductor mixed crystals //phys. stat. sol. (b). 1979. Vol. 94, N 2. P. K185-K189.

31. Пермогоров С. А., Наумов А.Ю. , Тенишев JI.H., Резницкий А.Н. , Федоров Д.Л. Люминесценция свободных экситонов в неупорядоченных твердых растворах ZnCdSe. // Физика тв. тела. 1995. Т. 37, № 8. С. 2466-2475.

32. Lai S., Klein M.V. Evidence for exciton localization by alloy fluctuations in indirect-gap GaAsixPx // Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 44, N 16. P. 1087-1090.

33. Lai S.T., Klein M.V. Photoluminescence study of excitons localized in indirect-gap Evidence for exciton localization by alloy fluctuations in indirect-gap GaAsixPx // Phys. Rev. B. 1984. Vol. 29, N 6. P. 32173224.

34. Permogorov S., Reznitskii A. Alloy-trapped excitons and energy transfer in II-VI semiconductor solid solutions // Proc. Intern. Conf. «Excitons-84». Gustrow, GDR. 1984. Pt. II. P. 194-211.

35. Permogorov S., Reznitsky A. Effect of disorder on the optical spectra of wide-gap II-VI semiconductor solid solutions // J. Lumin. 1992. Vol. 52. P. 201-223.

36. Reznitsky A., Klochikhin A. r Permogorov S. Percolation and localization in disordered solid solutions // in «Spectroscopy of systems with spatiallyconfined structures», ed. by B.Di Bartolo. 2003. NATO Science series II. Vol. 90. P. 419-464.

37. Juhl A., Bimberg D. Calorimetric absorption and transmission spectroscopy for determination of quantum efficiencies and characterization of ultrathin layers and nonradiative centers // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 64, N 1. P. 303-309.

38. Насибов А.С., Суслина JI.Г. , Федоров Д.Л., Коростелин Ю.В., Шапкин П.В. , Марков Л.С. Экситонные механизмы в излучательных процессах идеальных твердых растворов полупроводников (система ZnxCdixSe 0<х<1) // Физика тв. тела. 1989. Т. 31, № 10. С. 70-78.

39. Ruber D.L., Ching W.Y. Generalized models for spectral transfer in disordered systems // Phys. Rev. B. 1978. Vol. 18, N 10. P. 5320-5325.

40. Shevel S., Fisher R. , Goebel E.O., Noll G., Thomas P. , Klingshirn C. Picosecond luminescence of excitons localized by disorder in CdSxSei-x // J. Lumin. 1987. Vol. 37, N 1. P. 45-50.

41. Gourdon C.r Lavallard P. Exciton transfer between localized states in CdSixSex alloys // phys. stat. sol. (b). 1989. Vol. 158, N 2. P. 641-652.

42. Абдукадыров А. ГБарановский С. Д., Ивченко Е.Л.

43. Reznitsky А., Baranovsky S.D., Tsekoun А., Klingshirn С. Recombination of alloy-traped excitons in ternary solid solutions with common cation components // Phys. Stat. Sol. (b). 1994. Vol.184, N 1. P. 159-170.

44. Клочихин А. А., Пермогоров С. А., Резницкий A. H. Люминесценция экситонов из флуктуационных хвостов плотности состояний в неупорядоченных твердых растворах // Физика тв. тела. 1997. Т. 39, № 7. С. 1170-1182.

45. Klochikhin A., Reznitsky A., Permogorov S.f Breitkopf Т., Gruen М. ,, Hetterich М., Klingshirn СLyssenko V., Langbein W., Hvam J.M. Luminescence spectra and kinetics of disordered solid solutions // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59, N 20. P. 12947-12972.

46. Halperin B.I., Lax M. Impurity band tails in the high density limit. I. Minimum counting methods // Phys. Rev. A. 1966. Vol. 148, N 2. P. 722-740.

47. Halperin B.I., Lax M. Impurity band tails in the highdensity limit. II. Higher order corrections // Phys. Rev. A. 1967. Vol. 153, N 3. P. 802-814.

48. Лифшиц И.М. 0 структуре энергетического спектра и квантовых состояниях неупорядоченных конденсированных систем // Успехи физич. наук. 1964. Т. 83, № 4. С. 617663.

49. Лифшиц И.М. Теория флуктуационных уровней в неупорядоченных системах // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1967. Т. 53, №2(8). С. 743-758.

50. Алферов Ж.И., Портной Е.Л., Рогачев A.A. О ширине края поглощения полупроводниковых твердых растворов // Физ. и техн. полупроводников. 1968. Т. 2, № 8. С. 11941197 .

51. Барановский С.Д., Эфрос А.Л. Размытие краев зон в твердых растворах // Физ. и техн. полупроводников. 1978. Т. 12, № 11. С. 2233-2237.

52. Аблязов H.H., Райх М.Э., Эфрос А. Л. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах // Физика твердого тела. 1983. Т. 25, № 2. С. 353-358.

53. Ипатова И.П., Маслов A.D., Субашиев A.B. Об уширении линии экситонного поглощения в твердых растворах полупроводников // Физика тв. тела. 1983. Т. 25, № 7. С. 2057-2065.

54. Кусмарцев Ф.В. Сужение края экситонного поглощения в твердых растворах полупроводников // Физ. и техн. полупроводников. 1985. Т. 19, № 8. С. 1473-1478.

55. Эфрос А.Л. Плотность состояний и междузонное поглощение света в сильнолегированных полупроводниках // Успехи физич. наук. 1973. Т. 111, № 3. С. 451-482.

56. Иванов М.А., Погорелов Ю.Г. Электронные состояния в кристалле с примесными уровнями вблизи края зоны // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1977. Т. 72, № 6. С. 21982209.

57. Иванов М.А., Погорелов Ю.Г. Электронный спектр кристалла при наличии примесных состояний большого радиуса // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1979. Т. 76, № 3. С. 1010-1022.

58. Суслина Л. Г., Илюхин А. Г., Федоров Д.Л. , Арешкин А. Г. Уширение экситонных состояний в твердых растворах полупроводников // Физ. и техн. полупроводников. 1978. Т. 12, № 11. С. 2238-2243.

59. Суслина Л.Г. Влияние неупорядоченности на оптические свойства твердых растворов А2Вб // в сб. «Проблемы физики неупорядоченных систем. Оптические явления в полупроводниках» (Материалы X Зимней школы ФТИ по физике полупроводников). J1. 1982. С. 33-66.

60. Max PСуслина Л.Г., Арешкин А.Г. Влияние неупорядоченности твердого раствора на экситонные состояния кристаллов ZnSxSeix // Физ. и техн. полупроводников. 1982. Т. 16, № 4. С. 649-652.

61. Mach R. , Floegel РSuslina L.G., Areshkin A.G., Maege J. , Voigt G. The influence of compositional disorder on electrical and optical properties of ZnSxSeix single crystals // phys. stat. sol. (b). 1982. Vol. 109, N 2. P. 607-615.

62. Суслина JI. Г., Федоров Д.Л. , Арешкин А. Г., Мелехин В. Г. Спектроскопическое проявление миграции возбуждений локализованных экситонов в твердых растворах полупроводников ZnxCdixSe // Физика тв. тела. 1983. Т. 25, № 11. С. 3215-3224.

63. Suslina L.G., Fedorov D.L., Areshkin A.G. , Melekhin V.G. Localized excitons and energy transfer in ZnxCdixS solid solutions // Solid State Commun. 1985. Vol. 55, N 4. P. 345-349.

64. Ablyazov N.N., Areshkin A.G. , Melekhin V.G., Suslina L.G. , Fedorov D.L. Fluctuation-induced broadening of exciton reflection spectra in AnBVI solid solution // phys. stat. sol. (b). 1986. Vol. 135, N 1. P. 217-225.

65. Клочихин A.A., Оглоблин С.Г. Правило Урбаха исингулярность Лифшица в спектрах электронных состояний неупорядоченных сред // Журн. Эксп. и Теор. Физики. 1991. Т. 100, № 6(12). С. 2026-2037.

66. Гнатенко Ю.П., Курик М.В. Экситон-фононное взаимодействие в кристаллах CdS и CdS-CdSe // Опт. и спектр. 1970. Т. 29, № 2. С. 339-341.

67. Kurik M.V. Urbach rule // phys. stat. sol. (a). 1971. Vol. 8, N 1. P. 9-45.

68. Sumi H. r Sumi A. The Urbach-Martienssen rule revisited // J. Phys. Soc. Japan. 1987. Vol. 56, N 6. P. 2211-2220.

69. Певцов А.Б., Пермогоров C.A., Селькин А.В., Сырбу H.H., Уманец А.Г. Свободные экситоны в кристаллах ZnP2 черной модификации // Физ. и техн. полупроводников. 1982. Т. 16, № 8. С. 1399-1405.

70. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников // Изд. Наука. М. 1977. 154 с

71. Заболотная Т.Г., Страшникова М.И. Особенности спектров отражения смешанных кристаллов CdSi-xSex в области их экситонного поглощения // УФЖ. 1973. Т. 18, № 3. С. 389-393.

72. Goede О., John L. , Hennig D. Compositional disorder-induced broadening for free excitons in CdSixSex mixedcrystals 11 phys. stat. sol. (b) . 1978. Vol. 89, N 2. P. K183-K186.

73. Киселев В.A., Новиков Б.В., Утнасунов С. С., Чередниченко А.Е. Приповерхностная флуктуация в твердых растворах Cd(Se, S) с малым содержанием серы и аномальные спектры экситонного отражения // Физика тв. тела. 1986. Т. 28, № 10. С. 2946-2949.

74. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Справочные таблицы // «Воениздат», М., 1982. 208 с.

75. Hill R. , Richardson D. The variation of energy gap with composition in ZnS-Te alloys // J.Phys.C. 1973. Vol. 6, N 5. P. L115-L119.

76. Van Vechten J.A., Bergstresser Т.К. Electronic structure of semiconductor alloys // Phys. Rev. B. 1970. Vol. 1, N 8. P. 3351-3358.

77. Ridley B.K. Quantum processes in semiconductors. 2nd edition. Clarendon, Oxford. 1982. 354 p.

78. Goede 0., Hennig D., John L. Disorder effects on free excitons in CdSixSex mixed crystals // phys. stat. sol. (b) . 1979. Vol. 96, N 2. P. 671-681.

79. Пермогоров С.A. , Морозенко Я.В., Казеннов Б.А. Оптическая ориентация горячих экситонов в кристаллах

80. А2В6 // Физика ТВ. тела. 1975. Т. 17, № 10. С. 29702977 .

81. Thomas D.G., Hopfield J.J. Optical properties of bound exciton complexes in cadmium sulfide // Phys. Rev. 1962. Vol. 128, N 5. P. 2135-2148.

82. Thomas D.G., Hopfield J.J. Spin-flip Raman scattering in cadmium sulfide // Phys. Rev. 1968. Vol. 175, N 3. P. 1021-1032.

83. Ивченко E.JI., Каминский А.Ю. Оптически детектируемое антипересечение уровней локализованных экситонов в полупроводниках // Физика тв. тела. 1995. Т. 37, № 5.1. C. 1418-1428.

84. Сох R.T., Davies J.J. Electron-hole exchange interaction for donor-acceptor pairs in CdS determined as a function of separation distance by optically detected magnetic resonance // Phys. Rev. B. 1986. Vol. 34, N 12. P. 8591-8610.

85. Efros Al. L., Rosen M. , Kuno M. , Nirmal M. , Norris

86. D.J., Bawendi M. Band-edge exciton in quantum dots of semiconductors with a degenerate valence band: Dark and bright exciton states // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54, N 7. P. 4843-4856.

87. Chen W.M. , Godlewski M. , Monemar В., Bergman J. P.

88. Steady-state level-anticrossing spectra for bound-exciton triplets associated with complex defects in semiconductors 11 Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41, N 9. P. 5746-5755.

89. Baranov P.G., Mashkov I.V., Romanov N.G., Lavallard P., Planel R. Optically detected magnetic resonance of excitons and carriers in pseudodirect GaAs/AlAs superlattices 11 Solid State Commun. 1993. Vol. 87, N 7. P. 649-654.

90. Ivchenko E.L., Kochereshko V.P., Naumov A.Yu., Uraltsev I.N., Lavallard P. Magnetic-field-effects on photoluminescence polarization in type II GaAs/AlAs superlattices // Superlatt.&Microstr. 1991. Vol. 10, N 4. P. 497-501.

91. Феофилов П. П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов // «Физматгиз». М. 1959. 288 с.

92. Феофилов П.П., Каплянский А.А. Скрытая оптическая анизотропия кубических кристаллов, содержащих локальные центры и методы ее исследования // Успехи физ. наук. 1962. Т. 76, № 2. С. 201-238.

93. Lampel G. Nuclear dynamic polarization by optical electronic saturation and optical pumping in semiconductors 11 Phys. Rev. Lett. 1968. Vol. 20, N 10.1. P. 491-493.

94. Дьяконов М.И. , Закарченя Б.П., Перель В.И., Сафаров

95. B.И., Флейшер В. Г. Ориентация электронных спинов в полупроводниках // Успехи физ. наук. 1971. Т. 105, № 4.1. C. 772-774.

96. Zakharchenya В. P. Hot electron luminescence 11 J. Lumin. 1981. Vol. 24/25, pt. 2. P. 669-674.

97. Savatinova I., Nikiforova M. Raman study of phonon processes in CdSxSeix mixed crystals // Spectr. Lett. 1974. Vol. 7, N. 12. P. 597-605.

98. Бир Г.Л. , Пикус Г.Е. Оптическая ориентация экситонов в одноосных кристаллах // Журн. экспер. и теор. физики. 1973. Т. 64, № 6. С. 2210-22.

99. Ивченко E.JI. , Копьев П.С., Кочерешко В.П., Уральцев И.Н. , Яковлев Д. Р. Оптическая ориентация электронов и дырок в полупроводниковых сверхрешетках // Письма в Журн. экспер. и теор. физики. 1988. Т. 47, № 8. С. 407409.

100. Шифф JI. Квантовая механика. Ин. Лит., Москва. 1959.473 с.

101. Hegarty J., Goldner L. , Sturge M. D. Localized and delocalized two-dimensional excitons in GaAs-AlGaAs multiple-quantum-well structures // Phys. Rev. B. 1984. Vol. 30, N 12. P. 7346-7348.

102. Kyutt R.N., Toropov A.A. Sorokin S.V., Shubina Т.Ч., Ivanov S.V., Karlsteen M. , Willander M. Broadening of submonolayer CdSe sheets in CdSe/ZnSe superlattices studied by x-ray diffraction // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75, N 3. P. 373-375.

103. Permogorov S., Reznitsky A., Tenishev L., Kornievsky A., Ivanov S. , Sorokin S., Maximov M. , Krestnikov I., von der Osten W., Stolz H. , Juette M. , Vogelsang H. Selective excitation of localized excitons in

104. ZnCdSe/ZnSe MQW structures // Proc. 23rd Intern. Conf. on Phys. Semicond. Berlin, 1996. Vol.3. P. 2015-2018.

105. Thomas D.G., Hopfield J.J. Exciton spectrum of cadmium sulphide // Phys. Rev. 1959. Vol. 116, N 3. P. 573-582.

106. Sapega V.F.f Cardona M. , Ploog K. , Ivchenko E.L., Mirlin D.N. Spin-flip Raman scattering in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45, N 8. P. 4320-4326.

107. Sapega V.F., Ruf T. , Ivchenko E.L., Cardona M., Mirlin D.N., Ploog K. Resonant Raman scattering due to bound-carrier spin-flip in GaAs/AlxGaixAs quantum wells // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50, N 4. P. 2510-2519.

108. Wolverson D. r Boyce P.J., Townsley C.M., Schlichtherle B., Davies J.J. Spin-flip Raman scattering studies of doped epitaxial zinc selenide // J. Cryst. Growth. 1996. Vol. 159. P. 229-237.

109. Sirenko A.A., Ruf T. , Cardona M. , Yakovlev D.R., Ossau W. , Waag A. , Landwehr G. Electron and hole g factors measured by spin-flip Raman scattering in CdTe/CdixMgxTe single quantum wells // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 56, N 4. P2114-2119.

110. Sirenko A.A., Ruf T. , Ledentsov N.N., Egorov A.Yu., Kop'ev P.S., Ustinov V.M., Zhukov A.E. Resonant spinflip Raman scattering and localized exciton luminescence in submonolayer InAs-GaAs structures // Sol. St. Comm. 1996. Vol. 97, N 3. P. 169-174.

111. Sirenko A.A., Ruf T., Kurtenbach A., Eberl K. Spinflip Raman scattering in InP/InGaP quantum dots // Proc. 23rd Intern. Conf. Phys. Semicond. Berlin, 1996. Vol.2. P. 1385-1388.

112. Sirenko A.A., Belitsky V.l., Ruf T., Cardona M. , Ekimov A.I., Trallero-Giner C. Spin-flip and acoustic-phonon Raman scattering in CdS nanocrystals // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58, N 4. P. 2077-2087.

113. Willatzen M., Cardona M. , Christensen N.E. Spinorbit coupling parameters and electron g factor of II-VI zinc-blende materials // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 51, N 24. P. 17992-17994.

114. Chen Y. , Gil B., Lefebvre P., Mathieu H. Exchangeeffects on excitons in quantum wells // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37, N 11. P. 6429-6432.

115. Fu H., Wang L.-W., Zunger A. Excitonic exchange splitting in bulk semiconductors 11 Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59, N 8. P. 5568-5574 и ссылки в этой статье.

116. Orange С., Heimbrodt W. , Wolverson D. , Davies J.J. Spin-flip Raman spectroscopy of nitrogen acceptors in ZnSe layers with different biaxial strains // J. Cryst. Growth. 1998. Vol. 184/185. P. 510-514.

117. Madelung О., Schulz M. Intrinsic Properties of Group IV Elements and III-V, II-VI, and I-VII Compounds. Landolt-Boernstein (Eds.). New Series, Group III, Vol. 22a. Springer-Verlag, Berlin et al., 1987. 452 p.

118. Puls J., Henneberger F. Electron-hole exchange interaction of excitons in quantum wells // phys. stat. sol. (a). 1997. Vol. 164, N 1. P. 499-504.

119. Nirmal M. , Norris D.J., Kuno M., Bawendi M.G., Efros Al.L, Rosen M. Observation of "Dark Excitons" in CdSe Quantum Dots // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75, N 20. P. 3728-3731.

120. Zhu Z., Yoshihara H. , Takebayashi K. , Takafumi Y.1.terfacial alloy formation in ZnSe/CdSe quantum-well heterostructures characterized by photoluminescence spectroscopy // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 63, N 12. P. 1678-1680.

121. Бонч-Бруевич В.А., Игнатьев И.В., Овсянкин В.В. Спектр и симметрия колебаний, формирующих вибронное крыло люминесценции кристаллов MeF2-P32+. II. SrF2-Sm2+. // Оптика и спектр. 1978. Т. 44, № 4. С. 734-738.

122. Henry С.Н., Nassau К. Lifetimes of bound excitons in CdS // Phys. Rev. B. 1970. Vol. 1, N 4. P. 1628-1634.

123. Тимофеев В.Б., Яловец Т.Н. Аномальная интенсивность экситонно-примесного поглощения в кристаллах CdS // Физика тв. тела. 1972. Т. 14, № 2. С. 481-486.

124. Рашба Э.И. Гигантские силы осцилляторов, связанные с экситонными комплексами // Физика и техн. полупр. 1974. Т. 8, № 7. С. 1241-1256.

125. Kash J. A., Ron A., Cohen E. Subnanosecond spectroscopy of disorder-localized excitons in CdSo.53Seo.47 // Phys. Rev. B. 1983. Vol. 28, N 10. P. 6147-6150.

126. Аавиксоо Я., Липпмаа ЯПермогоров С., Резницкий А., Лаваллар Ф., Гурдон К. Кинетика образования локализованных экситонов в твердом растворе CdSixSex // Письма в Журн. экспер. и теор. физики. 1987. Т. 45, № 8. С. 391-393

127. Fukushima Т., Shionoya S.E. Two types of luminescence transitions in CdS involving Те isoelectronic traps // Jap. J. Appl. Phys. 1976. Vol. 15, N 5. P. 813-819.

128. Stolz H. Time-Resolved Light Scattering from Excitons. Springer Tracts in Modern Physics. V. 130. Springer-Verlag. Berlin. 1994. 212 p.

129. Gourdon C., Lavallard PPermogorov S. , Reznitsky A. , Aaviksoo Y. , Lippmaa Y. Picosecond time-resolved luminescence of localized excitons in CdSixSex // J. Lumin. 1987. V.39. P. 111-116.

130. Ахекян A.M., Козловский В.И., Коростелин Ю.В. Насыщение катодолюминесценции, связанной с изоэлектронной примесью Те в CdSi-xTex и ZnSixTex (х^О.ОБ) при высоких уровнях возбуждения // Физика тв. тела. 1986. Т. 28, № 11. С. 3313-3318.

131. Бабенцов В.H., Кролевец H.H., Сальков Е.А., Хвостов

132. B.А. Нетипичная «краевая» полоса фотолюминесценции CdS // Укр. физ. журнал. 1982. Т. 27, № 11. С. 1724-1725.

133. Tenne R., Nabutovsky В.M., Lifshitz Е., Frankis A. F. Unusual photoluminescence of porous CdS (CdSe) crystals // Solid State Commun. 1992. V. 82, № 9. P. 651-654.

134. Travnikov V. V. Surface radiative recombination in CdS crystals // J. Cryst. Growth. 1990. Vol. 101. P. 579-583.

135. Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. // Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. § 4.11 и ссылки в нем. Изд-во СПбГУ. СПб. 2003. 244 с.

136. Григорьев С.Р., Новиков Б.В. Спектрально-временные исследования поверхностной флуктуационной люминесценции в кристаллах CdS // Физика тв. тела. 1992. Т. 34, № 3.1. C. 433-439.

137. Шкловский Б.И. , Барановский С.Д. Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неоднородных полупроводниках // Физика и техн. полупр. 1989. Т. 23, № 1. С. 146-151.

138. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. II Электронные свойства легированных полупроводников. М. «Наука». 1979. 416 с.

139. Jasperson S.N., Schnatterly S.E. An improved method for high reflectivity ellipsometry based on a new polarization modulation technique // Rev. Sci. Instr. 1969. Vol. 40, N 6. P. 761-767