Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Сапега, Виктор Федорович

• Сапега, Виктор Федорович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Сапега, Виктор Федорович

Оглавление

Введение

1 Фотолюминесценция горячих электронов в структурах с квантовыми ямами

1.1 Введение: Фотолюминесценция горячих электронов в объемных полупроводниках А3В5

1.1.1 Спектры горячей фотолюминесценции в объемных полупроводниках А3В5

1.1.2 Поляризационные характеристики спектров горячей фотолюминесценции объемных полупроводников А3В5

1.1.3 Поляризационные характеристики ГФЛ объемных полупроводников в магнитном поле

1.2 Спектроскопия горячих электронов в СКЯ СаАя/АЬАз

1.2.1 Электронный и колебательные спектры СКЯ

1.2.2 Поляризация ГФЛ в СКЯ

1.2.3 Исследование 2В-квази-ЗВ перехода методами поляризованной ГФЛ

1.3 Электрон-фононное взаимодействие в СКЯ и СР

1.3.1 Электрон-фононное взаимодействие в СКЯ

1.3.2 Электрон-фононное взаимодействие в СР

2 Обусловленное нарушением закона сохранения импульса резонансное рассеяние света на акустических фононах в структурах с квантовыми ямами СаАз/ЛЬА^

2.1 Введение: Раманновское рассеяние света на акустических фононах в СКЯ

2.2 Резонансное рассеяние света на акустических фононах в сильном магнитном поле в СКЯ СаАз/АЬ^я

2.3 Изучение электронной структуры СКЯ методом резонансного рассеяния света на акустических фононах в магнитном поле

2.4 Изучение локализации Ванье-Штарка в СР методом резонансного рассеяния света на акустических фононах

3 Рассеяние света с переворотом спина в структурах с квантовыми ямами СаАв/ЛЬА-Б

3.1 Рассеяние света с переворотом спина экситона, локализованного на нейтральном акцепторе

3.2 Рассеяние света с переворотом спина экситона, локализованного на несовершенствах интерфейсов СКЯ

Заключение

Прилжения:

А Техника эксперимента: Экспериментальная установка.

Оптическая и электронная схемы эксперимента

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотолюминесценция горячих электронов и комбинационное рассеяние света в структурах с квантовыми ямами CaAs/AlAs»

Введение

Последние четверть века физика низкоразмерных полупроводниковых структур является наиболее бурно развивающейся областью физики твердого тела. Это развитие было обусловлено как потребностью микроэлектроники в миниатюризации и повышении быстродействия электронных приборов так и уникальными возможностями новой технологии - молекулярно-пучковой эпитаксии, позволяющей выращивать полупроводниковые наноструктуры с заранее заданными свойствами. Особенно интерес к низкоразмерным структурам возрос после того, как Есаки 1 и Цу в 1970 году предложили использовать искуственно созданные периодические полупроводниковые структуры с квантовыми ямами для создания новых приборов на основе блоховских осцилляций, а новая технология позволила реализовать эту идею.

Дальнейшие успехи физики низкоразмерных структур связаны с открытием К. фон Клитцингом 2 в 1980 г. квантового эффекта Холла, позволившего создать эталон холловского сопротивления с абсолютной точностью ~ Ю-7.

Последние почти десять лет развитие физики наноструктур шло по пути создания систем с размерностью меньше, чем 2Б, а именно Ш (квантовые проволоки) и затем ОБ (квантовые точки). Необходимость исследования систем с пониженной размерностью обусловлена как практическим так и теоретическим интересом. С практической точки зрения изучение таких систем позволяет уменьшить размеры, повысить степень интеграции и увеличить быстродействие полупроводниковых элементов микроэлектроники. Понижение размерности полупроводниковых структур позволило создать лазерные системы с пониженным порогом инжек-ционных токов и возможностью изменения длины волны генерации за счет эффектов размерного квантования носителей тока. С точки зрения фундаментальной науки, изучение низкоразмерных структур позволяет

1Нобелевская премия по физике 1973 г.

2Нобелевская премия по физике 1985 г.

понять основные закономерности взаимодействия квазичастиц в условиях, когда их спектр существенно модифицируется эффектами размерного квантования. Эффекты размерного квантования приводят как к изменению энергии, симметрии и перенормировке фундаментальных характеристик квазичастиц (масса, ^-фактора) так и к изменению динамики носителей тока как в отсутствие внешних полей так и во внешних электрических и магнитных полях. Многие из этих явлений можно успешно изучать оптическими методами. В частности, свойства горячих носителей, которые создаются в приборах с помощью сильных электрических полей и инжекции, могут изучаться при их генерации с помощью оптического возбуждения. Большие возможности для изучения кинетики горячих носителей открываются при использовании метода поляризованной магнитооптической спектроскопии горячей фотолюминесценции (ГФЛ) в низкоразмерных системах. С другой стороны, применение методов ра-мановской спектроскопии для исследования низкоразмерных структур, находящихся под воздействием внешних полей (магнитных, электрических) , позволяет измерить их фундаментальные характеристики (масса, ^-фактора), а также исследовать те процессы, котрые не наблюдаются при использовании других методов. Все вышесказанное определяет актуальность выбраной для исследования темы.

Данная диссертационная работа посвящена всестороннему исследованию низкоразмерных полупроводниковых структур (структур с квантовыми ямами и сверхрешеток) на основе СаАз/А^Са^Ав методами поляризованной горячей фотолюминесценции и рамановского рассеяния света. В задачу работы входило изучение динамики горячих фотовозбужденных электронов а также их поведение во внешних электрических и магнитных полях в структурах с квантовыми ямами и сверхрешетках. Кроме того цель данной работы состояла в изучении влияния размерного квантования на фундаментальные характеристики (масса и р-фактора) носителей тока в квантовых ямах и их зависимость от ширин квантовых ям. Результаты этих исследований изложены в трех главах.

В первой главе изложены результаты исследования поляризационных характеристик фотолюминесценции горячих электронов в структурах с квантовыми ямами и сверхрешетках. Показано что уменьшение размерности полупроводника существенно изменяет поляризацию горячей фотолюминесценции квантовых ям по сравнению с поляризацией в объемных полупроводниках. Используя возможности современной технологии по созданию структур с заданными параметрами изучен эффект формирования квазитрехмерного объекта (сверхрешетки) из структуры с квантовыми ямами. Показано, что формирование минизоны в сверхрешетке сказывается на поляризации горячей фотолюминесценци и ее зависимости от магнитного поля. Эти исследования позволили определить рамки применимости приближения сильной связи для описания сверхрешеток и предложили новый оптический метод определения ширин минизон. Дальнейшее увеличение ширин минизон приводит к созданию "анизотропного" полупроводника, основные характеристики которого также изучены методом поляризованной горячей фотолюминесценции.

В этой же главе обсуждаются результаты исследования электрон-фононного взаимодействия в СКЯ и СР. Существенное изменение спектра носителей заряда и фононов в СКЯ модифицирует это взаимодействие, кроме того, в спектре фононов возникают новые моды (интерфейсные фо-ноны), которые, как однозначно показали наши исследования, становятся доминирующими в электрон-фононном взаимодействии в узких КЯ. С другой стороны эти же исследования показали, что в СР роль интерфейсных фононов в рассеянии электронов ослабевает. В основу этих исследований положен метод магнитной деполяризации ГФЛ и анализа ее энергетического спектра.

Во введении к первой главе приводится обзор результатов по исследованию горячей фотолюмиесценции в объемных Ш-У полупроводниках. Этот обзор базируется на результатах, как вошедших в кандидатскую диссертацию диссертанта, так и тех, которые были получены позже. Цель данного обзора состояла в том, чтобы продемонстрировать широкие воз-

можности метода горячей фотолюминесценции развитого при исследовании объемных полупроводников и обосновать его применимость к исследованию двумерных и квази-трехмерных объектов.

Во второй главе приводятся результаты исследования рамановских спектров акустических фононов в СКЯ. Несмотря на то, что спектр акустических фононов в СКЯ изучен хорошо (как это показано во введении ко второй главе), некоторые детали его долгое время оставались непонятными. В данной работе впервые объяснена природа непрерывного ра-мановского спектра в области частот акустических фононов. Показано, что этот спектр обусловлен нарушением закона сохранения сверхрешеточного квазиимпульса в реальных СКЯ. Причиной нарушения закона сохранения квазиимпульса являются флуктуации ширин квантовых ям и барьеров, неизбежно возникающие в процессе роста СКЯ. Обсуждаемые в этой главе результаты свидетельствуют об однозначном соответствии между непрерывным рамановским спектром и видом волновой функции электронов/дырок, выступающих в качестве промежуточного состояния в процессе рассеяния света. Здесь же приводятся результаты исследования особенностей рамановского спектра в области запрещенных щелей продольных и поперечных акустических фононов и впервые дано их правильное теоретическое объяснение.

Тот факт, что непрерывный рамановский спектр рассеянного на акустических фононах света имеет ярко выраженный резонансный характер, был использован для исследования структуры электронных состояний квантовых ям в квантующих магнитных полях. Это позволило определить ряд важных параметров (массы и параметры непараболичности) зоны проводимости.

Эта же методика была использована для изучения локализации Ванье-Штарка носителей тока в СР в электрических полях. Показано, что данная методика позволяет детектировать как уже хорошо изученные другими методами эффекты локализации, так и те которые ранее экспериментально не изучались. В частности, установлено, что эффекты резонансной

делокализации экситонов приводят к уменьшению интенсивности рама-новского спектра. Особенности (минимумы рамановской интенсивности), в области сильных электрических полей совпали с ранее обнаруженными особенностями в спектрах фототока. Однако в области малых полей, предложенная нами методика оказалась заметно чувствительней и позволила исследовать ранее не изученный (но предсказанный теоретически) эффект резонансной делокализации экситонов при их взаимодействии с расщепившимся на штарковскую лестницу экситонным континуумом.

В третей главе приводятся результаты исследования рамановского рассеяния света с переворотом спина. Это первое наблюдение рассеяния света с переворотом спина в КЯ позволило измерить такие фундаментальные характеристики носителей тока как их ^-фактора. Во введении к этой главе обсуждаются другие методы определения ^-факторов в КЯ такие как оптическая ориентация, поляризованная фотолюминесценция, спектроскопия квантовых биений и оптическое детектирование магнитных резонансов. Однако только последние два метода позволяют прямо измерять д-фактора. Метод оптического детектирования магнитных резонансов дает достоверные результаты в СКЯ типа-П, где времена жизни экситонов достаточные, чтобы их заметно перезаселить радиочастотным полем, однако, для СКЯ типа-1 эта методика оказалась непригодной. Изученное в данной работе рамановское рассяние света с переворотом спина позволило исследовать зависимость ^-фактора электронов и дырок от ширин КЯ в области ранее недоступной для прямых измерений. Исследование рассеяния света с переворотом спина в КЯ позволило выявить новые механизмы обменного взаимодействия в КЯ, которые обусловлены такими специфическими особенностями КЯ как локализация на флуктуациях интерфейса, а потому ранее не наблюдались в объемных полупроводниках.

Результаты, представленные в данной работе опубликованы в 46 статьях и представлены в 24 докладах на 8 отечественных и 16 (из них 6 приглашенных докадов) международных конференциях.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Сапега, Виктор Федорович

Основные результаты выполненых исследований обсуждались в конце соответствующих разделов, однако, представляется полезным сформулировать их здесь еще раз в концентрированном виде.

А Исследованы спектры фотолюминесценции горячих электронов как в объемных полупроводниках СаАэ так и в структурах с квантовыми ямами СаАв/АЮаАз. Это позволило проследить изменение основных характеристик ГФЛ при переходе от объемного (ЗБ) случая к двумерному, а затем через квазитрехмерный к "анизотропному" случаю. Показано, что переход между системами с разной размерностью сопровождается как изменениями в распределении фотовозбужденных носителей заряда по квазиимпульсам, так и в изменение их поведения во внешнем магнитном поле. От размерности системы так же существенно зависит и электрон-фононное взаимодействие. В частности показано:

1. Линейная поляризация ГФЛ в структурах с квантовыми ямами так же как и в объемном случае, обусловленна оптическим выстраиванием электронов по импульсу при возбуждении линейно поляризованным светом, в то время как, циркулярная поляризация ГФЛ, обусловленна оптической ориентацией спинов электронов циркулярно поляризованным светом. Вместе с тем обнаружена существенная разница в зависимости линейной и циркулярной поляризации от кинетической энергии электронов:

1.1. В квантовой яме в отличие от объемного случая линейная поляризация стремится к нулю, а циркулярная к своему максимальному значению, когда кинетическая энергия электронов также стремится к нулю. Эта зависимость хорошо описывается в рамках теоретической модели, развитой Меркуловым, Перелем и Портным [68]. Исследована анизотропия степени линейной поляризации, связанная с гофрировкой валентной зоны. В КЯ изучена угловая зависимость рг(ф) в двумерном случае: она оказывается гораздо более выраженной по сравнению с объемными кристаллами арсенида галлия;

1.2. В сверхрешетке с узкой электронной и стремящейся к нулю дырочной минизонами поведение линейной и циркулярной поляризаций схоже с их поведением в квантовой яме. Однако, линейная поляризация в этом случае стремится к нулю (циркулярная поляризация к своему максимальному значению), когда кинетическая энергия электронов убывает от своего максимального зачения до энергий сравнимых с шириной минизоны. Такое поведение поляризации ГФЛ удовлетворительно описывается в рамках модели, развитой в приближении сильной связи. Анализ поляризационных характеристик ГФЛ показал, что характер распределения электронов по квазиимпульсам существенно зависит от их кинетической энергии. Так электроны с энергиями меньшими, чем ширина минизоны движутся преимущественно вдоль оси минизоны. Наоборот, электроны с энергиями большими ширины минизоны распространяются в плоскости квантовых ям. Анализ поляризационных характеристик ГФЛ позволяет измерять ширины минизон в сверхрешетках;

1.3. Уменьшение высоты барьеров в сверхрешетках позволило осуществить переход от приближения сильной связи к случаю почти свободных электронов. Этот переход также сопровождается изменением поляризационных характеристик ГФЛ. В этом случае зависимость и линейной и циркулярной поляризаций от энергии электронов становится похожей на их зависимость в объемном случае (поляризация слабо зависит от энергии электронов). Однако, сохраняются также и черты и "двумерности": в области запрещенных зон линейная поляризация изменяется заметно быстрее. Это свидетельствует о том, что движение электронов, достигших вершины минизоны становится квазидвумерным при дальнейшем увеличении их энергии;

2. Изучено поведение электронов во внешнем магнитном поле в геометриях Фарадея и Фойгта во всех перечисленных выше случаях:

2.1. Показано, что влияние магнитного поля на линейную поляризацию в геометрии Фарадея во всех случаях схоже. Магнитное поле приводит к деполяризации ГФЛ. Однако, влияние на циркулярную поляризацию существенно зависит от размерности системы. В объемном случае степень циркулярной поляризации в геометрии Фарадея уменьшается, благодаря эффекту разрушения корреляций между спином и импульсом. В квантовых ямах а также сверхрешетках, описываемых в приближении сильной связи, магнитное поле не влияет на циркулярную поляризацию, что свидетельствует об отсутствии спин-импульсной корреляции в этих объектах. Однако, в сверхрешетках с достаточно широкими дырочными минизонами магнитное поле влияет на циркулярную поляризацию как и в объемном случае, что свидетельствует о восстановлении эффекта спин-импульсной корреляции в этих структурах. Эти эксперименты позволили установить, что в сверхрешетке формируется достаточно хорошая дырочная минизона лишь тогда, когда ее ширина становится больше флуктуаций энергии дырок, обусловленных несовершенствами СР;

2.2. Особенности изученых систем проявились наиболее ярко в экспериментах, выполненных в геометрии Фойгта. В объемном случае в этой геометрии (так же как и в геометрии Фарадея) линейная поляризация уменьшается. В квантовой яме "вращение" электронов по циклотронной орбите невозможно пока радиус циклотронной орбиты превышает ширину квантовой ямы. В сверхешетке такое "вращение" (в работе показано, что движение электронов в этом случае описывается уравнением маятника) возможно, если кинетическая энергия электронов не превышает ширину минзоны. При энергиях больших, чем ширина минизоны относительное изменение квазиимпульса электронов становится меньше, а потому влияние магнитного поля на поляризацию уменьшается;

2.3. Методами ГФЛ изучено электрон-фононное взаимодействие в объемных ваАя и структурах с квантовыми ямами. Показано, что во всех изученных системах с умеренным легированием (ТУд < 3 — 4 х 1017 см основным каналом потерь энергии электронами становится их взаимодействие с ЬО-фононами. По магнитной деполяризации ГФЛ измерены времена рассеяния горячих электронов на оптических фо-нонах;

Изучены особенности электрон-фононного взаимодействия в СКЯ и СР. Показано, что в СКЯ существенную роль в рассеянии электронов по энергии играют интерфейсные А1А8-подобные фононы. Их роль о возрастает с уменьшением ширины КЯ, и при ширинах КЯ Ьг ~ 40 А в СаАз/А1А8 структурах эти фононы являются основным каналом потерь энергии электронами. Измерена зависимость вероятности рассеяния горячих электронов на £0-фононах от ширины КЯ.

Проведенный в работе анализ спектров интенсивности ГФЛ в структурах с разной шириной барьеров (от изолированных КЯ до сверхрешеток) показал, что роль интерфейсных фононов в рассеянии электронов убывает при уменьшении ширины барьеров. В частности при Ь2 ~ 6 Ав электрон-фононном взаимодействии доминируют СаАя-подобные фононы. Полученные экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с теоретическими расчетами, выполненными в приближении диэлектрической континуальной модели.

В Изучены спектры рамановского рассеяния света на акустических фо-нонах в магнитных и электрических полях, а также в их отсутствие в СКЯ и СР.

1. Впервые показано, что непрерывный рамановскнй спектр в области акустических фононов обусловлен процессом, в котором не выполняется закон сохранения импульса. Доказано, что нарушение закона сохранения сверхрешеточного квазиимпульса обусловлено нарушением периодичности реальных СКЯ и СР.

1.1. Впервые показано, что спектр резонансного рамановского рассеяния реальных СКЯ и СР в области акустических фононов представляет собой суперпозицию спектра сложенных акустических фононов обусловленного рассеянием от "идеальной" части СКЯ и непрерывного спектра акустических фононов, обусловленного вкладом от КЯ, выпавших из "идеального" ансамбля СКЯ по ширине (энергии). Отношение интенсивностей непрерывного спектра и спектра сложенных фононов определяется, в частности, соотношением однородного и неоднородного уширения экситонных состояний СКЯ;

1.2. В непрерывном рамановском спектре обнаружены особенности, возникающие на частотах, соответствующих запрещенным зонам на краю и в центре зоны Брюллиэна спектра акустических фононов, а также в области пересечения ТА и ЬА ветвей этих фононов. Особенности на краю и в центре зоны Брюллиэна имеют вид провалов в интенсивности с последующими максимумами или наоборот максимумов с последующими провалами. Эти особенности объяснены как результат конструктивной или деструктивной интерференции вкладов в спектр рассеянния КЯ, промодулированных симметричной или антисимметричной акустической волной с нулевым или минизонным волновым вектором. Особенности в области ТА—ТА антипересечений для направления [001] обусловлены несовершенствами КЯ, которые разрешают взаимодействие этих, невзаимодействующих в идеальной КЯ ветвей;

2. Метод индуцированного нарушеннием трансляционной инвариантности рамановского рассеяния света на акустических фононах был впервые применен для исследования электронных состояний СКЯ и СР в магнитных и электрических полях. Преимущества данного метода состоит в том, что он позволяет с высокой точностью определять энергию характерных электронных состояний в КЯ.

2.1. В магнитном поле изучена структура уровней Ландау КЯ, что позволило с большой точностью измерить эффективную массу электронов в плоскости КЯ и в направлении ее роста;

2.2. В электрических полях данная методика позволила впервые обнаружить и исследовать, предсказанный недавно, эффект резонансного туннелирования экситонов в СР. В СР экситон, локализованный в данной КЯ, в электрическом поле может туннелировать в соседние КЯ из-за взаимодействия с континуумом экситонных состояний СР. Метод, индуцированного нарушеннием трансляционной инвариантности рамановского рассеяния света на акустических фононах, позволил также изучить более подробно (обнаруженные ранее) эффекты делокализации экситонов при взаимодействии штарковских состояний первой электронной зоны размерного квантования с состояниями вышележащей зоны. Изучены рамановские спектры при резонансе возбуждающего света с различными электронными состояниями СР в электрическом поле. В частности в рамановском спектре обнаружена линия, обусловленная испусканием акустического фонона при переходе тяжелой дырки между состояниями, локализованными в соседних КЯ.

С Впервые обнаружено и исследовано рамановское рассеяние света с перевортом спина в структурах с квантовыми ямами как легированных акцепторной примесью так и нелегированных.

1. В СКЯ, легированных Ве, выявлены три различных механизма рассеяния света с переворотом спина, два из которых наблюдались впервые:

1.1. Впервые наблюдался рамановский процесс рассеяния, в котором дырки в комплексе А°Х переворачивают свои спины из-за обменного дырочно-дырочного взаимодействия, а электрон в этом комплексе переворачивает свой спин при взаимодействии с акустическим фоно-ном;

1.2. Впервые наблюдался рамановский процесс рассеяния, в котором дырка на акцепторе комплекса А°ЬЕ переворачивает свой спин из-за анизотропного обменного взаимодействия с дыркой в экситоне, локализованном на флуктуациях интерфейса вблизи акцептора. Этот процесс является специфическим для КЯ, поскольку обусловлен понижением симметрии комплекса из-за эффектов локализации на несовершенствах интерфейсов;

1.3. Наблюдался процесс рассеяния света с переворотом спина в наклонном магнитном поле. В этом процессе дырки в комплексе А°Х переворачивают свои спины из-за обменного дырочно-дырочного взаимодействия, а электрон переворачивает спин в результате зеемановско-го взаимодействия с магнитным полем;

1.4. В нулевом магнитном поле наблюдалось электронное рамановское рассеяния в результате перехода дырок между крамерсовыми дублетами ±3/2-4 =рЗ/2 состояний акцептора;

1.5. Впервые рамановское рассеяние света с переворотм спина наблюдалось также в нелегированных СКЯ и было объяснено переворотом момента локализованного экситона из-за пьезоэектрического взаимодействия с акустическим фононом. Этот процесс можно рассматривать как рамановское рассеяния с участием акустического фонона в условиях двойного резонанса;

1.6. Результатом исследования рамановского рассеяния света с переворотом спина в СКЯ стало экспериментальное измерение ^-факторов дырок на акцепторе, электронов и дырок в экситоне, а так же их анизотропии и зависимости от ширины КЯ;

Все перечисленные выше положения диссертации являются новыми и позволили получить обширную информацию как о фундаментальных характеристиках GaAs/AlGaAs СКЯ так и о динамики горячих электронов и их взаимодействия с фононной системоя СКЯ.

Благодарности

В заключение я выражаю искреннюю благодарность:

Д.Н.Мирлину за многолетнее плодотворное сотрудничество, внимание и неоценимую помощь на всех этапах выполнения диссертационной работы. заведедующему лабораторией Б.П.Захарчене за постоянное внимание, интерес и поддержку работы.

М. Кардоне и Т. Руфу за плодотворное сотрудничество и стимулирующие обсуждения результатов работы и гостепреимство при выполнении экспериментов в институте им. Макса Планка.

И.И.Решиной, A.A. Сиренко, И.А. Акимову, М. Чемберлену, А. Шилд-су, Х.Т. Грану, А. Файнштейну, X. Фуксу, И.Я.Карлику, В.В.Сапеге, С. Биртель за многолетнее сотрудничество, неоценимую помощь в проведении экспериментов, обсуждение результатов работы и дружескую поддержку.

Теоретикам В.И.Перелю, И.А.Меркулову, Е.Л.Ивченко, Д.Г.Полякову и В. Белицкому, А.Ю. Добину, М.А. Алексееву, A.B. Родиной за многочисленные полезные обсуждения, во многом определившие уровень понимания полученных экспериментальных результатов, и сотрудничество.

П.С.Копьеву, К.Плоогу, К. Эберлу, H.H. Леденцову, В.М. Устинову за предоставленные образцы.

Оппонентам В.Ф. Агекяну, С.А. Пермогорову и A.B. Субашиеву, а также A.C. Терехову за критические замечания о диссертации.

Коллективу лаборатории Б.П.Захарчени за дружескую атмосферу. Коллективу криогенной станции за техническое обеспечение экспериментов.

Родным и друзьям за поддержку.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Сапега, Виктор Федорович, 1998 год

Литература

[1] Б.П. Захарченя, В.И. Земский, Д.Н. Мирлин, Письма ЖЭТФ, 24, 96 (1976).

[2] Б.П. Захарченя, В.И. Земский, Д.Н. Мирлин, ФТТ, 19, 1725 (1977).

[3] Д.Н. Мирлин, Л.П. Никитин, И.И. Решина, В.Ф. Сапега, Письма в ЖЭТФ, 30, 419 (1979).

[4] Д.Н. Мирлин, И.Я. Карлик, Л.П. Никитин, И.И. Решина, В.Ф. Сапега, Письма ЖЭТФ, 32(1), 34 (1980).

[5] В.Р. Zakharchenya, V.D. Dymnikov, I.Ya. Karlik, L.P. Nikitin, V.l. РегеГ, LI. Reshina, V.F. Sapega, J.Phys.Soc.Japan, 49(Supl.A), 573 (1980)

[6] В.Д. Дымников, Д.Н. Мирлин, Л.П. Никитин, В.И. Перель, И.И. Решина, В.Ф. Сапега, ЖЭТФ, 80(5), 1766, (1981).

[7] В.Д. Дымников, В.И. Перель, А.Ф. Полупанов, ФТП, 16, 235 (1982).

[8] D.N. Mirlin, I.Ya. Karlik, L.P. Nikitin, I.I.Reshina, V.F. Sapega, Solid State Communication, 37(9), 757 (1981).

[9] Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, Изв. АН СССР, 46(3), 517 (1982).

[10] И.Я. Карлик, Д.Н. Мирлин, Л.П. Никитин, Д.Г. Поляков, В.Ф. Сапега, Письма ЖЭТФ, 36, 155 (1982).

[11] М.А. Алексеев, И.Я. Карлик, И.А. Меркулов, Д.Н. Мирлин, Л.П. Никитин, В.Ф. Сапега, ФТТ, 26(11), 3369 (1984).

12] И.Я.Карлик, Д.Н.Мирлин, В.Ф. Сапега, ФТТ, 27(7), 2210 (1985).

131 М.А. Алексеев, И.Я. Карлик, И.А. Меркулов, Д.Н. Мирлин, Ю.Т. Ребане, В.Ф. Сапега, ФТТ, 27(9), 2650 (1985).

14] Б.П. Захарченя, Д.Н. Мирлин, Д.Г. Поляков, В.Ф. Сапега, Письма ЖЭТФ, 41, 306 (1985).

15] И.Я. Карлик, Р. Катилюс, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, Письма в ЖЭТФ, 43(5), 250, (1986).

16] D.N. Mirlin, V.F. Sapega, I.Ya. Karlik, R. Katilus, Solid St. Commun., 61(12), 799 (1987).

17] И.Я. Карлик, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, ФТТ, 21(6), 1030 (1987).

18] М.А. Alekseev, I.Ya. Karlik, D.N. Mirlin, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, 19th Int. Conf. Phys. Semicond., Warsaw, 2 (1988).

191 E.A. Imhof, M.I. Bell, R.A. Forman, Solid State Communication, 54(10), 845 (1985).

201 В.Д. Дымников, М.И. Дьяконов, В.И. Перель, ЖЭТФ, 71(6), 2373 (1976).

211 Б.П. Захарченя, Д.Н. Мирлин, В.И. Перель, И.И. Решина, УФН, 136(3), 459 (1982).

221 В.Д. Дымников, ФТП, 11(8), 1478 (1977).

231 Д.Н. Мирлин, И.И. Решина, ЖЭТФ, 73(3), 859 (1977).

24] В.Ф. Сапега, Поляризация горячей фотолюминесценции в магнитном поле в ктисталлах арсенида галлия: Автореферат канд. диссертации, Л.:ФТИ АН СССР (1984).

[25] М.А. Алексеев, И.Я. Карлик, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, ФТП, 22(4), 569 (1988).

[26] M.A. Alekseev, I.Ya. Karlik, I.A. Merkulov, D.N. Mirlin, V.F. Sapega, Phys. Lett. A. 127(6/7), 373 (1988).

[27] D.N. Mirlin, I.Ya. Karlik, V.F. Sapega, Solid St. Commun, 65(3), 171 (1988).

[28] M.A. Алексеев, И.Я. Карлик, Д.Н. Мирлин, И.И. Решина, В.Ф. Сапе-га, А.А. Сиренко, Изв. АН СССР сер.физ. 53(9), 1769 (1989).

[29] J. Leotin, К. Barbaste, S. Ashkenasy, R.A. Stradling, Solid State Commun., 15, 693 (1974).

[30] D. Bimberg, K. Hess, N. Lipari, M. Altarelli, Physica B, 89, 139 (1977).

[31] Д.Г. Поляков, ФТТ, 24, 3542 (1982).

[32] M. Кардона, Модуляционная спектроскопия. M.: Мир (1972).

[33] B.JI. Гельмонт, М.И. Дьяконов, ЖЭТФ, 62, 713 (1972).

[34] В.P. Zakharchenya, In: Proc. of 11th Intern. Conference on Physics of Semiconductors, Warszawa: Polish Sci. Publ., 1312 (1972).

[35] G. Lampel, In: In: Proc. of 12th Intern. Conference on Physics of Semiconductors, Ed. M Pilkun, Stuttgart: Teubner, 743 (1974).

[36] П.П. Феофилов Поляризованая люминесценция атомов молекул и кристаллов.- М.: Физматгиз, 1959.

[37] М.И. Дьяконов, В.И. Перель, ФТТ, 13(12), 3581 (1971).

[38] V.I. Perel, В.P. Zakharchenya, in: Optical Orientation, ed. by F. Meier and B.P. Zakharchenya, Elseiver Science Publishers B.V., 1, 1984.

[39] М.И. Дьяконов, В.И. Перель, ЖЭТФ, 60, 1954 (1971).

[40] M.A. Алексеев, И.Я. Карлик, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, ФТП, 23, 761 (1989).

[41] R.C. Miller and D.A. Kleinman, J. Luminescence, 30, 520 (1985).

[42] G. Bastard, Phys.Rev.B, 24, 5693 (1982).

[43] G. Bastard, Phys.Rev.B, 25, 7594 (1982).

[44] C. Weisbuch, В. Vinter, Quantum Semiconductor Structures, Academic Press, Inc., 1991.

[45] H. Rucker, E. Molinari, P. Lugli, Phys. Rev. В 45(12), 6747 (1992).

[46] I. Lee, J.M. Goodnik, M. Gulia,E. Molinari, P. Lugli, Phys. Rev. В 51(11), 7046 (1995).

[47] M. Born, K.Huang, в книге Dynamical Theory of Crystal Lattices (Clarendon, Oxford, 1954).

[48] F.A. Riddoch and Ridley, J.Phys. С 16, 6971 (1983).

[49] E.P. Pokatilov and S.I. Beril, Phys. Status Solidi В 118, 567 (1983).

[50] R. Lassing, Phys. Rev. В 30, 7132 (1984).

[51] N. Mori, T. Ando, Phys. Rev. В 40(9), 6175 (1989).

[52] С. Trallero-Giner, F. Garsia-Moliner, V.R. Velasco, M. Cardona, Phys. Rev. В 45(20), 11944 (1992)

[53] P. Perz-Alvarez, F. Garsia-Moliner, V.R. Velasco, C. Tralero-Giner, J. Phys. Condens. Matter 5(31), 5389 (1993)

[54] B.K. Ridley, Phys. Rev. В, 47(8), 4592 (1993)

[55] B.K. Ridley, Rep. Prog. Phys., 54, 169 (1989).

[56] B.K. Ridley, H. Babiker, Phys. Rev. В 43(11), 9096 (1991).

[57] B.K. Ridley, Phys. Rev. В 44(16), 9002 (1991).

[58] M.P. Chamberlaine, M. Cardona, and B.K. Ridley, Phys. Rev. В 48, 14356 (1993).

[59] К. Huang, В. Zhu, Phys. Rev. В 38(13), 13377 (1988).

[60] В.P. Zakharchenya, P.S. Kop'ev, D.N. Mirlin, D.G. Polyakov, I.I. Reshina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, Solid State Commun., 69(3), 203 (1989).

[61] B.P. Zakharchenya, P.S. Kop'ev, D.N. Mirlin, I.I. Reshina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, Laser optics of Condensed Matter, Eds. E. Garmire et al. Plenum Press, New York, 2, 259 (1990)

[62] Б.П. Захарченя, C.B. Иванов, П.С. Копьев, Б.Я. Мельцер, Д.Н. Мир-лин, Д.Г. Поляков, И.И. Решина, В.Ф. Сапега, А.А. Сиренко, 11 Все-союзн. конф. по физ. полупроводн., Кишенев 1988.

[63] М.А. Алексеев, И.Я. Карлик, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, А.А. Сиренко, Тез. Всесоюзн. 20-го с'езда по спектроскоп., Киев 1988, т.2.

[64] D.N. Mirlin, P.S. Kop'ev, I.I. Reshina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, in: Proc. 20 Int. Conf. on the Phys. of Semiconductors, Thessaloniki (Singapoure: World Scientific), 2, 1037 (1990).

[65] П.С. Копьев, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, А.А. Сиренко, тезю докладов на 12 Всесоюзной Конф. по физике полупроводников, Киев, 1, 36 (1990).

[66] П.С. Копьев, Д.Н.Мирлин, Д.Г. Поляков, И.И. Решина, В.Ф.Сапега, А.А.Сиренко, ФТП, 24, 1200 (1990).

[67] G. Basterd, Phys. Rev. В, 24, 4714 (1981).

[68] И.А. Меркулов, В.И. Перель, М.Е. Портной, ЖЭТФ 99, 1202 (1990).

[69] Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, А.А. Сиренко, М. Кардона, К. Плоог, ФТП, 27, 990 (1993).

[70] В.Ф. Сапега, В.И. Перель, А.Ю. Добин, Д.Н. Мирлин, И.А. Акимов, Т. Руф, М. Кардона, К. Эберл, Письма в ЖЭТФ, 63(4), 285 1996.

[71] В.P. Zakharchenya, V.F. Sapega, V.l. Perel', A.Yu. Dobin, D.N. Mirlin, I.A. Akimov, T. Ruf, M. Cardona, and K. Eberl, in Nanostructures: Physics and Technology, 52 (1996).

[72] V. F. Sapega, V. I. Perel', A. Yu. Dobin, D. N. Mirlin, I. A. Akimov, T. Ruf, M. Cardona, and K. Eberl, in: Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996), 3, p. 1711 (1996).

[73] V.F. Sapega, V.l. РегеГ, A.Yu. Dobin, D.N. Mirlin, I.A. Akimov, T. Ruf, M. Cardona, K. Eberl, Phys. Stat.Sol (b) 204, 141 (1997).

[74] V.F. Sapega, V.l. Perel', A.Yu. Dobin, D.N. Mirlin, I.A. Akimov, T. Ruf, M. Cardona, K. Eberl, Phys. Rev. B, 56, 6871 (1997).

[75] P.J. Price, Phys. Rev. B, 30, 2234 (1984).

[76] M.C. Tatham, J.F. Ryan, Semicond. Sei. Technol. 7(3B), 102 (1992).

[77] T. Ruf, A. Cross, J. Spitzer, G. Goldoni, and M. Cardona, in Proceedings of the 11th International Conference of high Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Cambridge, USA, 506 (1994).

[78] М.И. Дьяконов, A.B. Хаецкий, ЖЭТФ, 82, 1584 (1982).

[79] U. Ekenberg, Phys. Rev. В 40, 7714 (1989).

[80] K.T. Tsen, R.Wald. Keith, Т. Ruf, P.Y. Yu, H. Morkog, Phys. Rev. Lett. 67(18), 2557 (1991).

[81] K.T. Tsen, R. Joshi, H. Morkog, Appl. Phys. Lett. 62(17), 2075 (1993).

[82] D.N. Mirlin, P.S. Kop'ev, LI. Reshina, A.V. Rodina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, V.M. Ustinov, in: "22 International Conference on the Physics of Semiconductors" Vancouver, ed. D.J.Lockwood, ed., World Scientific, Singapore, 2, 1229 (1995).

[83] V.F. Sapega,M.P. Chamberlain, Т. Ruf, M. Cardona, D.N. Mirlin, К. Tötemeyer, A. Fisher, К. Eberl, Phys.Rev.B (1995).

[84] D.N. Mirlin, B.P. Zakharchenya, P.S. Kop'ev, I.I. Reshina, A.V. Rodina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, V.M. Ustinov, abstracts of the International simposium "Nanostructures: Physics and Technology", p.72 (1995).

[85] Д.Н. Мирлин, В.П. Захарченя, И.И. Решина, A.B. Родина, В.Ф. Сапега, A.A. Сиренко, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, ФТП 30(4), 699 (1996).

[86] D.N. Mirlin, B.P. Zakharchenya, P.S. Kop'ev, I.I. Reshina, A.V. Rodina, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, V.M. Ustinov, in Hot carriers in semiconductors, ed. by К. Hess, J-P. Leburton, U Ravaioli, Plenum Press, New York and London, 27, (1996).

[87] M. P. Chamberlain and M. Cardona, Semicond. Sci.Tech. 9, 749 (1994).

[88] A. J. Shields, M. P. Chamberlain, M. Cardona, and K. Eberl, Phys. Rev. В 52(19), 10144 (1995).

[89] M.E. Портной, ФТП, 25, 2150 (1991).

[90] M.A. Алексеев Особенности оптической ориентации и выстраивания горячих носителей заряда в полупроводниковых соединениях А3В5. Автореферат канд. диссертации, Л.: ФТИ АН СССР (1989).

[91] С.М. Рытов, Акустический журнал, 2, 71 (1956).

[92] C.Colvard, R. Merlin, M.V. Klein, and A.C. Gossard, Phys. Rev. Lett. 45, 298 (1980).

[93] C.Colvard, T.A. Gant, M.V. Klein, R. Merlin, R. Fischer, H. Morkog, and A.C. Gossard, Phys. Rev. В, 31, 2080 (1985).

[94] П.С. Копьев, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, A.A. Сиренко, Письма в ЖЭТФ, 51, 624 (1990).

[95] П.С. Копьев, Д.Н. Мирлин, В.Ф. Сапега, A.A. Сиренко, тез. докладов на 12 Всесоюзной Конф. по физике полупроводников, Киев, 1, 29 (1990).

[96] P.S. Kop'ev, D.N. Mirlin, V.F. Sapega, A.A. Sirenko, Laser optics of Condensed Matter, Eds. E. Garmire et al. Plenum Press, New York, 2, 283 (1990).

[97] V.F. Sapega, V.l. Belitsky, T. Ruf, H.D. Fuchs, M. Cardona, and K. Ploog, Phys. Rev. В 46, 16005 (1992).

[98] V.F. Sapega, V.l. Belitsky, A.J. Shields, T. Ruf, M. Cardona, and K. Ploog, Solid State Commun, 84, 1039 (1992).

[99] D.N. Mirlin, I.A. Merkulov, V.l. Perel', I.I. Reshina, A.A. Sirenko, and R. Planel, Solid State Commun., 82, 305 (1992).

[100] D.N. Mirlin, I.A. Merkulov, V.l. Perel', I.I. Reshina, A.A. Sirenko, and R. Planel, Solid State Commun., 84, 1093 (1992).

[101] T. Ruf, V.l. Belitsky, J. Spitzer, V.F. Sapega, M. Cardona, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett., 71, 3035 (1993).

[102] T. Ruf, V.l. Belitsky, J. Spitzer, V.F. Sapega, M. Cardona, K.Ploog, Solid State Electronics, 37, 609 (1994).

[103] T. Ruf, J. Spitzer, V.F. Sapega, V.l. Belitsky, M. Cardona, K. Ploog. in: Procedings of the 14th General Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, Physica Scripta T 55, 45 (1994).

[104] V.l. Belitsky, T. Ruf, J. Spitzer, and M. Cardona, Phys. Rev. В 49, 8263 (1994).

[105] Т. Ruf, J. Spitzer, V.F. Sapega, V.l. Belitsky, M. Cardona, and K. Ploog, Phys. Rev. В 50, 1792 (1994).

106] T. Ruf, J. Spitzer, V.F. Sapega, V.l. Belitsky, M. Cardona, and K. Ploog, in Festkörperprobleme/Advances in Solid State Physics, Vol. 34, edited by R. Helbig, (Vieweg, Braunschweig, 1994), p. 237.

107

108

109

110

111 112

113

114

115

116

117

118 119

T. Ruf, V.F. Sapega, M. Cardona, Journal of Raman Scattering 4, 123 (1995).

G. Ambrazevicius, M. Cardona, and R. Merlin, Phys. Rev. Lett. 59, 700 (1987).

T. Ruf, and M. Cardona, Phys. Rev. Lett. 63, 2288 (1989).

T. Ruf, R.T. Phillips, C. Trallero-Giner, and M. Cardona, Phys. Rev. В 41, 3039 (1990).

R. Enderlein and F. Bechstedt, Phys. Status. Solidi В 80, 225 (1977).

C. Trallero-Giner, Т. Ruf, and M. Cardona, Phys. Rev. В 41, 3028 (1990).

В.И. Белицкий, A.B. Гольцев, И.Г. Ланг, С.Т. Павлов, ЖЭТФ 86, 272 (1984).

D. Gammon, R. Merlin, and Н. Markog, Phys. Rev. В 35, 2552 (1987).

D. Gammon, L. Shi, R. Merlin, G. Ambrazevicius, and K. Ploog, Superlatt. Microstruct. 4, 405 (1988).

F. Calle, J.M. Calleja, F. Meseguer, С. Tajedor, L. Viña, С. López and К. Ploog, Phys. Rev. В 44, 1113 (1991).

A. Cross, A. Cantarero, С. Trallero-Giner, and m. Cardona, Phys. Rev. В 45, 6106 (1992).

A. Cross, A. Cantarero, С. Trallero-Giner, and m. Cardona, Phys. Rev. В 45, 6126 (1992).

J. Khul, A. Honold, L. Shultheis, and C.W. Tu, in Festkörperprobleme, Vol. 29 of Advances in Solid State Physics (Vieweg, Braunschweig, 1989), p. 157.

[120] J. Hegarty, M.D. Sturge, C. Weisbuch, A.C. Gossard, and W. Weigmann, Phys. Rev. Lett. 49, 930 (1982).

[121] J.E. Zucker, A. Pinczuk, D.S. Chemla, and A.C. Gossard, Phys. Rev. B 35, 2892 (1987).

[122] A. Punczuk and E. Burstein, in Light Scattering in Solids /, Vol.8 of Topics in Applied Physics, edited by M.Cardona (Springer, Heidelberg, 1983), p.23.

[123] M.V. Klein, IEEE J.Quantum Electron., 22, 1760 (1986).

[124] G. Bastard, and J.A. Brum, IEEE J. of Quantum Electronics 22, 1625

(1986).

[125] B.Jusserand and M. Cardona, in Light Scatteringin Solids V, Vol. 66 of Topics in Applaied Physics, edited by M. Cardona and G. Güntherodt, (Springer, Heidelberg, 1989), p.49.

[126] M. Cardona and N.E. Christensen, Phys. Rev. B 35, 6182 (1987).

[127] T. Ruf, V.F. Sapega, J. Spitzer, V. I. Belitsky, M. Cardona, and K. Ploog, in Phonons in Semiconductors Nanostructures, Vol. 236 of NATO Advanced Study Institute, Series, Edited by J.P. Leburton, J. Pascual, and C. Sotomayor Torres (Kluwer, Dordrecht, 1993), p.83.

[128] J. Sapriel, J. Chavignon, F. Alexandre, and Azoulay, Phys. Rev. B 36, 4858 (1987).

[129] P.V. Santos, L. Ley, J. Mebert, and O. Koblinger, Phys. Rev. B 34, 7118

(1987).

[130] F. Calle, M. Cardona, E. Ricter, and D. Strauch, Solid. State. Commun. 72, 1153 (1989).

[131] A.A. Gogolin and E.I. Rashba, Solid. State. Commun. 19, 1177 (1976).

[132] В.A. Auld, in Acoustic fields and Waves in solids (Wiley, New York, 1973), Vol.1, p. 210.

[133] S. Tamura and J.P. Wolfe, Phys. Rev. В 35, 2528 (1987).

[134] M.A. Herman, D. Bimberg, and J. Christen, J. Appl. Phys. 70, R1 (1991).

[135] G.E.W. Bauer and T. Ando, Phys. Rev. В 37, 3130 (1988).

[136] Е.Ф. Гросс, Б.P. Захарченя, Доклады АН СССР, 97, 57 (1954).

[137] Р.П. Сейсян, Спектроскопия диамагнитных экситонов, Наука, М., 1984.

[138] Н.Д. Ильинская, С.И. Кохановский, Р.П. Сейсян, ФТП, 27, 108 (1993).

[139] A.B. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Э. Сасин, Р.П. Сейсян, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Гупалов, ФТП, 31(9), 1109 (1997).

[140] R.P. Seisyan, М.Е. Sasin, S.I. Koxanovskii, V.R. Vladimirova, A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevski, V.M. Ustinov, К. Ploog, in: Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996), p. 2051.

[141] R.P. Seisyan, B.P. Zakharchenya, in Landau Level Spectroscopy Ed. by G. Landwehr and E.I. rashba Elsiver Scince Publishers B.V. 345 (1991).

[142] G. Goldoni, T. Ruf, V. F. Sapega, A. Fainstein, and M. Cardona, Phys. Rev. В 51, 14542 (1995).

[143] Т. Ruf, R. Т. Phillips, С. Trallero-Giner, and M. Cardona, Phys. Rev. В 41, 3039 (1990).

[144] A. Cros, T. Ruf, J. Spitzer, M. Cardona, and A. Cantarero, Phys. Rev. В 50, 2325 (1994).

145

146

147

148

149

150

151

152

153

154

155

156

157

158

159

160 161

T. Ruf and M. Cardona, Phys. Rev. B 41, 10747 (1990).

F. Ancilotto, A. Fasolino, and J.C. Maan, Phys. Rev. B 38, 1788 (1988). U. Rössler, Solid State Comm. 49, 943 (1984).

M. Braun and U. Rössler, J. Phys. C 18, 3365 (1985).

R.J. Warburton, J.G. Michels, R.J. Nicholas, J.J. Harris, and C.T. Foxon, Phys. Rev. B, 46, 13394 (1992).

J.M. Luttinger, Phys.Rev., 102, 1030 (1956).

O. Akimoto and H. Hasegava, J. Phys. Soc. Jap., 22, 181 (1967).

L.C. Andreani and A. Pasquarello, Phys.Rev.B, 42, 8928 (1990).

G.C. La Rocca and M. Cardona, Phys. Stat. Solidi (b), 167, 115 (1991).

Physics of Group IV Elements and III-V Compounds, edited by O. Madelung, M. Shulz, and H. Weiss, Landolt-Börnstein Vols. 17a and 22a, (Springer-Verlag, Berlin, 1982 and 1987.

C. Bosio, J.L. Staelhi, M Guzzi, G. Burri, and R.A. Logan, Phys.Rev.B, 38, 3263 (1988).

E.T. Yu, J.O.McCaldin, and T.C. McGill, Solid State Phys. 46, 1 (1992).

M. Cardona, N.E. Christensen, and G. Fasol, Phys.Rev.B, 38, 1806 (1988).

P.V. Santos, M.Cardona, Phys.Rev.Lett, 72, 432 (1994).

D.E. Aspnes, M. Cardona, Phys.Rev.B, 17, 726 (1978).

D.E. Aspnes, M. Cardona, Phys.Rev.B, 17, 741 (1978).

M. Hönermann, W. Richter, J. Saalmüller, and E. Anastassakis, Phys.Rev.B, 34, 5381 (1986).

[162] V.F. Sapega, T.Ruf, H. Grahn, M. Cardona, and K. Ploog, in: Proceedings of the 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996), p. 1787.

[163] V.F. Sapega, T. Ruf, H. Grahn, M. Cardona, and K. Ploog, Phys.Rev.B, 56, 1041 (1997).

[164] В.Ф. Сапега, Т. Руф, M. Кардона, X.T. Гран, К. Плоог, ФТТ, 40(5), 40 (1998).

[165] R.F. Kazarinov and R.A. Suris, ФТП, 6, 148 (1972).

[166] J. Bleuse, G. Bastard, and P. Voisin, Phys. Rev. Lett., 60, 220 (1988).

[167] E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda, and J.M. Hong, Phys. Rev. Lett., 60, 2426 (1988).

[168] P. Voisin, J. Bleuse, C. Bouche, S. Gaillard, C. Alibert, and A. Regreny, Phys. Rev. Lett., 61, 1639 (1988).

[169] F. Agullo-Rueda, E.E. Mendez, and J.M. Hong, Phys. Rev. В 38, 12720 (1988).

[170] F. Agullo-Rueda, J.A. Brum, E.E. Mendez, and J.M. Hong, Phys. Rev. B, 41, 1676 (1990).

[171] E. Cota, J.V. Jose, and G. Monsvais, Phys. Rev. B, 35, 8929 (1987).

[172] A.J. Shields, V.A. Haisler, C. Trallero-Giner, and M. Cardona, in Phonons in Semiconductor Nanostructures, edited by J.-P. Leburton, J. Pascual, and C. Sotomayor Torres, NATO ASI Series E Vol. 236, (Kluwer, Dordrecht, 1992), p. 233.

[173] A.J. Shields, C. Trallero-Giner, M. Cardona, H.T. Grahn, K. Ploog, V.A. Haisler, D.A. Tenne, N.T. Moshegov, and A.I. Toropov, Phys. Rev. B, 46, 6990 (1992).

174] A.J. Shields, M. Cardona, H.T. Grahn, and K. Ploog, Phys. Rev. B, 47, 13922 (1993).

175] H. Schneider, H.T. Grahn, K.v. Klitzing, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett., 65, 2720 (1990).

176] J.E. Zucker, A. Pinczuk, D.S. Chemla, and A.C. Gossard, Phys. Rev. B, 35, 2892 (1987).

177] D.C. Reynolds and T.C. Collins, in Excitons (Academic, New York, 1981), p .138, and references therein.

178] A.M. Fox, D.A.B. Miller, G. Livescu, J.E. Cunningham, and W.Y. Jan, Phys. Rev. В,44, 6231 (1991).

179] M.M. Dignam and J.E. Sipe, Phys. Rev. Lett., 64, 1797 (1990).

180] M.M. Dignam and J.E. Sipe, Phys. Rev. B, 43, 4097 (1991).

181] Y. Yafet, Phys. Rev., 152, 855 (1966).

182] G.D. Thomas and J.J. Hopfield, Phys. Rev., 175, 1021 (1968).

183] R. Ebert, H. Pascher, G. Appold, and H.G. Hafele, J. Appl. Phys., 14, 155 (1977).

184] J.F. Scott, Phys.Rep., 194, 379 (1990).

185] M. Nawrocki, R. Planel, G. Fishman, and R. Galazka, Phys. Rev. Lett., 46, 735 (1981).

186] Д.Л. Алов, С.И. Губарев, В.Б. Тимофеев, ЖЭТФ, 59, 658 (1984).

187] D.L. Peterson, D.U. Bartholomev, U. Debska, A.K. Ramdas, and S. Rodriguez, Phys. Rev. В, 32, 323 (1985).

188] S.I. Gubarev, Т. Ruf, and M.Cardona, Phys. Rev. В, 43, 14564 (1991).

189] R. Meyer, M. Hirsch, G. Schaack, A. Waag, and R.-N. Bicknell-Tassius, Superlatt. Microstruct., 9, 165 (1991).

[190] R. Bauer, D. Bimberg, J. Christen, D. Oertel, D. Mars, J.N. Miller, T. Fukunaka, and H. Nakashima, in Proceedings of the 18th International Conference on Semiconductor Physics, Stockholm, 1986, edited by O. Engstrom (World Scientific, Singapore, 1987), p. 525.

[191] Y. Chen, B. Gil, R Lefebre, and H. Mathieu, Phys. Rev. B, 37, 6429 (1988).

[192] W.T. Masselnik, P.J. Pearah, J. Klem, C.K. Peng, H. Morkog, G.D. Sanders, and Yia-Chung Chang, Phys. Rev. B, 32, 8027 (1985).

[193] Y. Masumoto, M. Matsuura, S. Tarucha, and M. Okamoto, Surf. Sci., 170, 635 (1986).

[194] V.F. Sapega, M. Cardona, K. Ploog, E.L. Ivchenko, and D.N. Mirlin, Phys. Rev. В 45, 4320 (1992).

[195] V.F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona, K. Ploog, E.L. Ivchenko, and D.N. Mirlin, in Proceedings of the XIII International Conference on Raman Spectroscopy, edited by W. Kiefer, M. Cardona, G. Schaack, F.W. Schneider, and H.W. Schroetter (Wiley, New York, 1992), p. 856.

[196] M. Cardona, E.L. Ivchenko, D.N. Mirlin, K. Ploog, V.F. Sapega, T. Ruf, abstracts of the International simposium "Nanostructures: Physics and Technology", p.62 (1993).

[197] V.F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona, K. Ploog, E.L. Ivchenko, and D.N. Mirlin, Phys. Rev. B, 50, 2510 (1994).

[198] В.Ф. Canera, E.JI. Ивченко, Д.Н. Мирлин, К. Плоог, Т.Руф, М. Кар-дона, тез. докладов на 1ой Российской Конф. по физике полупроводников, Нижний Новгород, 2, 232 (1993).

[199] V.F. Sapega, Т. Ruf, E.L. Ivchenko, М. Cardona, D.N. Mirlin and K. Ploog, in: "22 International Conference on the Physics of Semiconductors"

, Vancouver, ed. D.J.Lockwood, (World Scientific, Singapore), 2, 1288 (1995).

[200] W. Ossau, B. Jäkel, E. Bangert, and G. Weimann in The Basic Properties of Impurity States in Superlattice Semiconductors, edited by C. Fong (Plenum, New York, 1988).

[201] H.W. van Kesteren, E.C. Cosman, W.A.J.A. van der Poel, and C.T. Foxon, Phys. Rev. B, 41, 5283 (1990).

[202] E.JI. Ивченко, A.A. Киселев, ФТП, 26, 1471 (1992).

[203] B.K. Калевич, В.Л. Коренев, Письма ЖЭТФ, 57, 557 (1993).

[204] A.A. Киселев, В.Л. Моисеев, ФТТ, 38, 1574 (1996).

[205] Q.X. Zhao, P.O. Holtz, A. Pasquarello, В. Monemar, М. Willander, in: "22 International Conference on the Physics of Semiconductors" , Vancouver, ed. D.J.Lockwood, (World Scientific, Singapore), 2, 1288 (1995).

[206] M.J. Snelling, E. Blackwood, C.J. McDonagh, R.T. Harley, and C.T.B. Foxon, Phys. Rev. B, 45, 3992 (1992).

[207] E.L. Ivchenko, V.P. Kochereshko, I.N. Uraltzev, and D.R. Yakovlev, in High Magnetic Fields in Semiconductor Physics III, ed. by G. Landwehr, Springer Series in Solid State Science, Vol. 101 (Springer, Berlin 1992) p. 533.

[208] B.K. Калевич, В.Л. Коренев, Письма ЖЭТФ, 56, 257 (1992).

[209] B.K. Калевич, Б.П. Захарченя, О.М. Федорова, ФТТ, 37, 287 (1995).

[210] А.Р. Heberle, W.W. Rühle, and K.Ploog, Phys. Rev. Lett., 72, 3887 (1994).

[211] R.M. Hannak, M. Oestreich, A.P. Heberle, W.W. Rühle, and K. Kohler, Solid State Commun. 93, 313 (1995).

[212] Q.X. Zhao, M. Oestereich, and N. Magnea, Appl. Phys. Lett., 69, 3704 (1996).

[213] A.A. Sirenko, T. Ruf, N.N. Ledentsov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov, and A.E. Zhukov, Solid State Commun., 97, 169 (1996).

[214] A.A. Sirenko, T. Ruf, A. Kurtenbach, and K. Eberl, in: Proc. 23d ICPS, ed. by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific, Singapoure, 1996) p. 1385.

[215] A.A. Sirenko, T. Ruf, К. Eberl, M. Cardona, A.A. Kiselev, E.L. Ivchenko, and K. Ploog, in Proc. 12th Int. Conf. on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Würzburg 1996, ed. by G. Landwehr and W. Ossau (World Scientific, Singapoure 1997)

[216] D. Gammon, R. Merlin, W.T. Masselink, and H. Morkog, Phys. Rev. В, 33, 2919 (1986).

[217] M. Kohl, D. Heitmann, S. Tarucha, K. Leo, and K. Ploog, Phys. Rev. В 39, 7736 (1989).

[218] P.O. Holtz, M. Sundaram, R. Simes, J.L. Merz, A.G. Gossard, and J.N. English, Phys. Rev. В, 39, 13293 (1989).

[219] G.E.W. Bauer and T. Ando, Phys. Rev. В, 38, 6015 (1988).

[220] J.E. Zucker, E. Isaacs, D. Heiman, A. Pinczuk, and D.S. Chemla, Surf. Sei., 196, 563 (1988).

[221] E.L. Ivchenko, ФТТ 34, 476 (1992).

[222] Г.Л. Вир, Г.Е. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, М. 1972.

[223] A. Abragam and M.H.L. Price, Proc. Roy. Soc. A 205, 135 (1951).

[224] A. Abragram and B. Bleaney, Electron Paramagnetic Resonance of Transitions Ions (Clarendon Press, Oxford, 1970).

[225] P.O. Holtz, Q.X. Zhao, B. Monemar, M. Sundaram, J.L. Merz, and A.C. Gossard, Phys. Rev. В 47, 15675 (1993).

[226] A.M. White, P.J. Dean, and B. Day, J. Phys. C: Solid State Phys. 7, 1400 (1974).

[227] D. Paqet, G. Lampel, B. Sapoval, and V.l. Safarov, Phys. Rev. В 15, 5780 (1977).

[228] M.J. Snelling, G.P. Flinn, A.S. Plaut, R.T. Harley, A.C. Tropper, Phys. Rev. В 44, 11345 (1991).

[229] M. Cardona, N.E. Christensen, and G. Fasol, Phys. Rev. В 38, 1806 (1988).

[230] V.K. Kalevich and V.L. Korenev, Письма ЖЭТФ 56, 257 (1992).

[231] Tables of Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, Edited by O. Madelung, Landolt-Börnstein, New Series, Group III, Vol.17, Pt. a (Springer-Verlag, Berlin, 1982).

[232] Д.Н. Мирлин, A.A. Сиренко, ФТТ, 34, 205 (1992).

[233] M. Reine, R.L. Aggarwal, В. Lax, and C.M. Wolf, Phys. Rev. В 2, 458 (1970).

[234] В. Lefebvre, В. Gil, J.P. Lascaray, H. Mathieu, D. Bimberg, T. Fukunaga, and H. Nakashima, Phys. Rev. В 37, 4171 (1980).

[235] G.E.W. Bauer, in High Magnetic Fields in Semiconductors Physics 17, edited by G. Landwehr (Springer-Verlag, Berlin, 1989).