Линейный и циркулярный объемные фотовольтаические эффекты в пьезоэлектрическом кристалле La3 Ga5 SiO14 с различными примесями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Джалалов, Рафаэль Казиханович

• Джалалов, Рафаэль Казиханович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Джалалов, Рафаэль Казиханович

ОФЭ

2.21. Методика измерения поляризационных зависимостей фотовольтаических токов

2.22. Методика измерения электрического поля, генерируемого

ОФЭ

2.23. Экспериментальная установка для исследования ОФЭ

§2.3. Линейный и циркулярный ОФЭ в пьезоэлектрическом кристалле

ЬазОабЗЮк с примесями Со, Сг, Ре, 1г, Мп, №

§2.4. ОФЭ в пьезоэлектрическом кристалле РгзОабЗЮм

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОРЕФРАКТИВНОГО ЭФФЕКТА В ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ ЬазОазЭЮм С ПРИМЕСЯМИ Ре и Рг3+.

§3.1. Экспериментальная установка и методика фоторефрактивных

измерений

§3.2. Фоторефрактивный эффект в пьезоэлектрическом кристалле

ЬазОа58Ю14:Ке

§3.3. Двухступенчатый механизм фоторефрактивного эффекта в

пьезоэлектрическом кристалле ЬазОа53Ю14:Рг3+

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Линейный и циркулярный объемные фотовольтаические эффекты в пьезоэлектрическом кристалле La3 Ga5 SiO14 с различными примесями»

ВВЕДЕНИЕ.

Исследование объемного фотовольтаического эффекта (ОФЭ), открытого в ИКАН в начале 70-х годов, представляет как фундаментальный, так и прикладной интерес. К настоящему времени выяснено, что ОФЭ лежит в основе фоторефрактивного эффекта (ФРЭ) и объемной фазовой голографии в кристаллах без центра симметрии. Во всех кристаллах, где генерируемые светом поля сравнимы с полем диффузии, ОФЭ играет существенную роль в механизме образования, голографических решеток. Поэтому исследование механизма ОФЭ представляет еще и прикладной интерес.

Спецификой кристаллов, в которых ОФЭ приводит к фоторефракции, является зависимость дифракционной эффективности от ориентации вектора поляризации света по отношению к осям кристалла. Это расширяет возможности исследования и применения фоторефрактивных кристаллов. Кроме того, это дает дополнительную возможность разделения механизмов, лежащих в основе ФРЭ.

В настоящей работе исследованы кристаллы типа ЬазОабЭЮм, принадлежащие к симметрии кварца (точечная группа - 32,

пространственная группа - В^ -Р321). Эти пьезоэлектрические

кристаллы, обладая широкой запрещенной зоной (Е§ > 5 эВ), требуют введения примесей для работы в видимой области спектра. Поэтому исследованные в этих кристаллах линейный и циркулярный ОФЭ имеют примесный характер. В ряде случаев примесный ОФЭ в этих кристаллах связан с двухступенчатым возбуждением электрона в зону проводимости, когда электрон с нижнего уровня примеси переходит на промежуточный, а с промежуточного уровня (при взаимодействии со

вторым фотоном) в зону проводимости. Двухступенчатый примесный механизм ОФЭ имеет место, например, в кристаллах ЬазОабЭЮн с примесью Рг3+. Двухступенчатый механизм примесного ОФЭ представляет большой прикладной интерес для считывания голограмм без их заметного стирания.

Исследование ОФЭ в этих кристаллах интересно еще и потому, что зависимость дифракционной эффективности от поляризации света и периода голографической решетки позволяет отделить ОФЭ - механизм от диффузионного.

Поскольку исследованные линейный и циркулярный ОФЭ в кристаллах типа ЬазОабЗЮи имеют примесный характер, в настоящей работе исследована роль примеси в ОФЭ и зависимость компонент фотовольтаического тензора от характера примеси. Это позволяет в дальнейшем вести целенаправленный поиск новых фоторефрактивных кристаллов с примесями для их применения в фоторефрактивной оптике.

Цель работы.

Конкретными задачами данной работы явились:

1) изучение линейного и циркулярного ОФЭ в кристаллах ЬазОазвЮм с различными примесями, а также в кристалле РгзОазЭЮм, имеющих симметрию кварца;

2) исследование фоторефрактивного эффекта в кристалле ЬазОабЭЮм^е.

3) исследование двухфотонного механизма ОФЭ в кристаллах ЬазОа58Юг4 с примесью Рг3+.

Объекты исследования.

Объектами исследования в настоящей работе были пьезоэлектрические кристаллы ЬазОабЭЮм с примесями Со, Сг, Ре, 1г, Мп, N1, Рг3+, а также пьезоэлектрический кристалл РгзОаоЭЮм, выращенные методом Чохральского. Все кристаллы принадлежали к

точечной группе симметрии 32 (пространственная группа Б§ -Р321).

Концентрация примесей Со, Сг, Мп, № в кристаллах ЬазОабЗЮм была 0,1 %, концентрация примеси Ре-0,5%, концентрация примеси Рг3+-1,4%.

Научная новизна работы.

Впервые обнаружены и исследованы линейный и циркулярный ОФЭ в кристаллах ЬазОабЭЮм с примесями Со, Сг, Ре, 1г, Мп, N1, а также в кристалле РгзОабЭЮм. Измерены компоненты тензоров линейного и циркулярного ОФЭ. Измерены также фотоиндуцированные поля в этих кристаллах и их темновая и фотопроводимости.

Изучен линейный ОФЭ в ЬазСа58Ю14:Рг3+. Установлено, что линейный ОФЭ в данном кристалле для л=488 нм обусловлен двухступенчатым возбуждением электронов с нижнего уровня в зону проводимости. Получена квадратичная зависимости дифракционной эффективности и фотовольтаического тока от интенсивности света, следующая из механизма двухступенчатого возбуждения.

Исследован фоторефрактивный эффект в кристаллах ЬазОа58Ю14:Ре и ЬазОа5ЗЮ14:Рг3+.

Практическая ценность.

Полученные в настоящей диссертации результаты позволяют использовать новый класс пьезоэлектрических кристаллов симметрии кварца в голографии и фоторефрактивной оптике. Особый интерес представляет открытый в ЬазОа58Ю14:Рг3+ двухступенчатый механизм возбуждения неравновесных электронов, позволяющий осуществить в этих кристаллах считывание голограмм без их заметного стирания.

Апробация.

Основные результаты работы были представлены на 5-й международной конференции по фоторефракции (Токио, Япония, 1997г.).

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка литературы.

Первая глава посвящена рассмотрению объемного фотовольтаического и фоторефрактивного эффектов в кристаллах без центра симметрии.

В §1.1 дается определение ОФЭ и показано какое место данный эффект занимает среди остальных фотоэлектрических явлений, а также в каких средах он возможен.

В §1.2 представлена феноменологическая теория ОФЭ. Подробно рассмотрены линейный и циркулярный ОФЭ. Показано в каких классах кристаллов можно наблюдать эти эффекты. Приводятся феноменологические соотношения для линейного и циркулярного ОФЭ.

Обсуждаются свойства тензоров линейного и циркулярного ОФЭ, а также основные характеристики ОФЭ - коэффициент Гласса и фотоиндуцированное поле.

В §1.3 рассмотрен фоторефрактивный эффект в кристаллах без центра симметрии. Обсуждаются механизмы, приводящие к изменению двупреломления кристалла. Большое внимание уделено механизму фоторефрактивного эффекта связанного с ОФЭ. Детально рассмотрен фоторефрактивный эффект при двухфотонном поглощении. Отмечены преимущества фоторефрактивной записи при двухступенчатом двухфотонном поглощении света.

В §1.4 описывается микроскопическая теория ОФЭ. Показаны, какие микроскопические процессы, происходящие в средах без центра симметрии, являются причиной фотовольтаического тока. Обсуждаются основные аспекты кинетической теории, баллистического и сдвигового механизма ОФЭ.

Вторая глава посвящена проведенному в данной работе экспериментальному исследованию линейного и циркулярного ОФЭ в пьезоэлектрических кристаллах ЬазОазЗЮм с примесями Со, Сг, Ре, 1г, Мп, N1, а также РгзОабЭЮм.

В §2.1 описываются экспериментальные образцы, использованные нами в эксперименте. Приводятся рентгеновские характеристики и размеры кристаллов, а также измеренное спектральное поглощение. Описываются также некоторые физические свойства объектов исследования.

В §2.2 изложена методика измерений ОФЭ в кристаллах точечной группы симметрии 32. Соответственно виду тензора фотовольтаических

коэффициентов линейного и циркулярного ОФЭ выбрана геометрия эксперимента для измерения поляризационных зависимостей фотовольтаических токов. Рассмотрены особенности измерений данных зависимостей в кристаллах, обладающих оптической активностью. Описана методика измерения фотоиндуцированных полей, генерируемых ОФЭ. Приведена блок-схема экспериментальной установки для исследования ОФЭ с подробным описанием ее элементов и этапов измерений.

В §2.3 представлены результаты экспериментального исследования линейного и циркулярного ОФЭ кристаллах ЬазОабЗЮм с примесями Со, Сг, Ре, 1г, Мп и N1. Полученные экспериментальные поляризационные зависимости как линейного так и циркулярного тока ОФЭ находятся в хорошем согласии с соответствующими феноменологическими соотношениями. Получены значения коэффициентов рьц тензора линейного ОФЭ и Рсзз тензора циркулярного ОФЭ. Проведен сравнительный анализ влияния рода примеси на величину вышеуказанных коэффициентов. Для всех кристаллов измерены фотоиндуцированные поля, генерируемые ОФЭ.

В §2.4 приводятся результаты проведенного экспериментального исследования ОФЭ в кристалле РгзОабЭЮм. Для данного кристалла измерена поляризационная зависимость тока линейного ОФЭ. Определены значения коэффициентов Рьп и Рсзз- Измерены зависимости фотоиндуцированного напряжения и фотопроводимости от интенсивности света. Показано, что величина фотоиндуцированного напряжения не зависит от ширины запрещенной зоны кристалла и ограничена лишь фотопроводимостью и размерами кристалла.

Третья глава настоящей диссертации посвящена исследованию фоторефрактивного эффекта в пьезоэлектрических кристаллах ЬазОа58Ю14:Ре и ЬазОа58Юи:Рг3+.

В §3.1 изложена методика измерения фоторефракции в кристаллах точечной группы симметрии 32. Рассмотрены два основных метода исследования фоторефрактивного эффекта: компенсационный и голографический. Приведены блок-схемы экспериментальных установок с описаниями процесса измерений.

В §3.2 представлены результаты измерений фоторефракции компенсационным методом в ЬазОазЭЮм^е. Показано, что наблюдаемое изменение двупреломления в данном кристалле, обусловлено линейным ОФЭ. Определено значение коэффициента линейного электрооптического эффекта п 1.

В §3.3 приведены результаты исследования механизма фоторефрактивной записи в ЬазОа5ЭЮ14:Рг3+ голографическим методом. Полученные квадратичные зависимости дифракционной эффективности и фотовольтаического тока от интенсивности света при Х=488 нм говорят о двухступенчатом характере фоторефрактивной записи для Ьаз Оа5 ЭЮ14: Рг3+. Для пьезоэлектрических кристаллов двухступенчатый механизм фоторефрактивной записи наблюдался впервые.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Джалалов, Рафаэль Казиханович

Основные результаты диссертации отражены в следующих публикациях:

1. Batirov Т., Doubovik Е., Djalalov R., Fridkin V.M. The Bulk Photovoltaic Effect in the Piezoelectric Crystal PrsGasSiOn. // Ferroelectric Lett.,1997, v.23, p.95-98.

2. Батиров T.M., Верховская K.A., Джалалов P.K, Дубовик Е.В., Фридкин В.М. Исследование объемного фотовольтаического эффекта в пьезоэлектрическом кристалле Pr3GasSiOi4.// Кристаллография, 1998, т.43, N.5, с.893-894.

3. Nikolajsen Т., Johansen P.M., Dubovik Е., Batirov Т., Djalalov. R. Photorefractive two-step recording in a piezoelectric La3GasSiOi4 crystal doped with praseodymium.// Optics Lett., 1998, v.23, N.15, p. 11641166.

4. Batirov Т., Djalalov R., Doubovik E., Mill В., Fridkin V. The Linear and Circular Bulk Photovoltaic Effect in the Piezoelectric Crystal La3Ga5SiOi4 with Different Impurities.// Ferroellectric Lett., 1998, v.24, p.9-12.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Джалалов, Рафаэль Казиханович, 1999 год

ЛИТЕРАТУРА.

1. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. - М.: «Физматгиз», 1963, 494 с.

2. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. - М.: Мир, 1980, 208с.

3. Тауц Я. Фото и термоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: «ИЛ», 1962, с.253.

4. Панков И. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: «Мир», 1973, с.456.

5. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики - полупроводники. - М.: "Наука", 1976, 408 с.

6 Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. - М.: Наука, 1979, 264 с.

7 Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванический эффект в полупроводниках. - В сб. : Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980, с. 275 - 293.

8 Фридкин В.М., Попов Б.Н. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках.// УФН, 1978, т. 126, в.4, с.657 - 671.

9 Велиничер В.И., Стурман Б.И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии.// УФН, 1980, т. 130, с.415 - 458.

10 Данишевский A.M., Кастальский A.A., Рыбкин С.М. и др. Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах.// ЖЭТФ, 1970, т.58, N.2, с.544 - 550.

11 Гуревич Л.Э., Травников B.C. Увлечение электронов электромагнитными волнами и электромагнитных волн

электронами. - В сб. Проблемы современной физики. - Д.: Наука, 1980, с.262 - 268.

12 Рыбкин.С.М., Ярошецкий И Д. Увлечение электронов фотонами в полупроводниках. В сб. : Проблемы современной физики. - А.: Наука, 1980, с. 173 - 184.

13 Бломберген Н. Нелинейная оптика. - М.: "Мир", 1966 с.424.

14 Давыдов А.С. Квантовая механика. - М.:Наука, 1973.

15 Fridkin V.M. Photoferroelectrics, Springer Ser. - Solid State Sci., v.9 (Spriger, Berlin, Heidelberg 1979).

16 Sturman B.I., Fridkin V.M. The Photovoltaic and Photorefractive Effects in Noncentrosymmetric Materials. - Gordon and Breach Science Publishers, Philadelphia, 1992.

17 Казлаускас А.В., Левинсон И.Б. Эффект Сасаки в кристаллах без центра инверсии.// ФТТ, 1964, т.6, N.10, с.3192 -3194.

18 Baskin Е.М., Blokh M.D., Entin M.V. et.al. Current Quadratic in Field and Photogalvanic Effect in Crystals without Inversion Centre.// Phys. Stat. Solidi (b), 1977, v.83, N.2, p.k97 - klOO.

19 Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Четная электропроводность в пьезоэлектриках при стрименге. Разделение сдвигового и баллистического вкладов.// Письма в ЖЭТФ 1984, т.39, в.6, с.268 -270.

20 Ткаченко А.Ю., Иванов Ю.Л. Четный по электрическому полю ток в InSb.// Письма в ЖЭТФ, 1984, т.39, в.6, с. 270 - 272.

21 Зеегер К. Физика полупроводников: пер. с англ. - М.: Мир, 1977.

22 Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. - М.: Наука, 1979, 640 с.

23 Батыгин В.В., Топтыгин И.Н. Сборник задач по электродинамике. - М.: Наука, 1979.

24 Стурман Б.И., Фридкин В.М. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. - М.: Наука 1992, 208 с.

25 Astafev S.B., Fridkin V.M., Lazarev V.G. Magnetoinduced Photovoltaic Effect in GaP.// Ferroelectrics 1989, v.95, p.221 - 224.

26 Glass A.M., von der Linde, Negran T.J. High - Voltage Bulk Photovoltaic Effect and Photorefractive processes in LiNbOs.// Appl. Phys. Lett. 1974, v.25, p.233 - 236.

27 Glass A.M., von der Linde D., Auston D.H., Negran T.J. Excited State Polarization and Bulk Photovoltaic Effect.// J. of Electr. Mat. 1975, v.4, N.5, p.915 - 943.

28 Fridkin V.M. Holography by Means of Photorefractive Materials. //J. Inf. Rec. Mat., 1993, v.21, p.227 - 237.

29 Тсуя X. Эффект оптического искажения в кристаллах LiNb03 легированного ионами переходных металлов.// Изв. АН СССР, сер. физ., 1977, т.41, N.4, с.740 - 747.

30 Белиничер В.И., Канаев И.Ф., Малиновский В.К. и др. Исследование эффекта оптического повреждения в кристаллах ниобата лития.// ФТТ, 1976, т. 18, в.8, с.2256 - 2261.

31 Johnston W.D. Optical Index Damage in LiNbOß and Other Pyroelectric Insulators.// J. Appl. Phys., 1970, v.41, N.8, p.3279 -3282.

32 Магомадов P.M. Эффект оптического повреждения в кристаллах LiNbOß в поляризованном свете.// Опт. и спектр., 1986, т.61, в.4, с.791 - 795.

33 Белиничер В.И., Канаев И.Ф., Малиновский В.К. Исследование механизмов оптического повреждения в кристаллах ниобата лития.// Изв. АН СССР, сер. физ., 1977, т.41, с.733 - 740.

34 Канаев И.Ф., Малиновский В. К. О механизме оптического повреждения в электрооптических кристаллах.// ФТТ, 1974, т. 16, N.6, с.3694 - 3696.

35 Ohmory Y., Yamaguchi М., Yoshiko К., Inuishi Y. Optical Damage in Fe - Doped LiNbOa.// Jap. Appl. Phys., 1979, v. 18, N.l, p.79 - 84.

36 Сонин A.C., Васильевская A.C. Электрооптические кристаллы. - М.: Атомиздат, 1971, 328с.

37 Шувалов A.A., Урусовская A.A., Желудев И.С. и др. Современная кристаллография т.4 - М.: Наука, 1981, 496с

38 Желудев И.С. Электрические кристаллы. - М.: Наука, 1969, 216с.

39 Желудев И.С. Физика кристаллов и симметрия. - М.: Наука, 1987, 192с.

40 Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир, 1981, 736с.

41 Ashkin A., Boyd G.D., Dziedzic J.H. et al. Optically Induced Refractive Index Inhomogeneties in LiNbOß and ЫТаОз.// Appl. Phys. Lett., 1966., v.9, N.l, p.72 -74.

42 Chen F.S. Optically Induced Change of Refractive Indices in LiNbOß and LiTaOs.// J. Appl. Phys., 1969, v.40, N.8, p.3389 - 3396.

43 Леванюк А.П., Осипов B.B. Механизмы фоторефрактивного эффекта.// Изв. АН СССР, сер. физ., 1977, т.41, N.4, с.752 - 769.

44 von der Linde D., Glass A.M. Photorefractive Effects for Reversible Holographic Storage of Information.// Appl. Phys., 1975, v.8, N.2, p.85 - 100.

45 Фридкин B.M., Попов Б.Н., Верховская К.А. Фотовольтаический и фоторефрактивный эффекты в сегнетоэлектриках группы KDP.// ФТТ, 1978, т.20, N.4, с. 1263 - 1265.

46 Борисова М.Э., Койков С.Н. Физика диэлектриков. - Л.: изд-во ЛГУ, 1979.

47 Бонч - Бруевич В.А., Калашников С.Г. Физика полупроводников. -М.: Наука, 1977.

48 von Baltz R. Theory of Bulk Anomalous Photovoltaic Effect in Ferroellectrics.// Phys. Stat. Solidi (b), 1978, v.89, N.2, p.419 - 429.

49 Ионов A.B. Фоточувствительность сегнетоэлектрических ниобатов.// ФТТ, 1973, т. 15, N.9, с.2827 - 2828.

50 von der Linde D., Glass A.M., Rodgers K.F. Multiphoton Photorefractive Processes for Optical Storage in LiNb03.// Appl. Phys. Lett., 1974, v.25, N.3, p. 155 - 157.

51 Schwartz K. Review Real Time Optical Recording Materials: Basic Principles and Applications.// J- Inf. Recording, 1996, v.22, N.4, p.289 - 311.

52 Buse K., Jermann F., Kratzig E. Infrared Holographic Recording in LiNb03:Fe and LiNb03:Cu.// Opt. Materials, 1995, v.4, p.237 - 240.

53 Tao S., Selviah D.R., Midwinter J.E. High Capacity, compact holographic storage in photorefractive crystal. - Topical meeting on Photorefractive Materials, Effects, and Devices., Kiev, 1993, p.578 -581.

54 Staebler D.L., Phillips W. Fe - Doped LiNb03 for Read - Write Applications.// Appl. Optics, 1974, v. 13, N.4, p788 - 794.

55 Thaxter J.B., Kestigian M. Unique Properties of SBN and Their Use in a Layered Optical Memory.// Appl. Optics, 1974, v.13, N.4, p.784 -787.

56 von der Linde D., Glass A.M., Rodgers K.F. High - Sensitivity Optical Recording in KTN by Two - Photon Absorpton.// Appl. Phys. Lett., 1974, v.26, N.l, p.22 - 24.

57 Ken - Ichi Kitayama, Fumihiko Ito. Holographic memory using long photorefractive fiber array.// Opt. Materials, 1995, v.4, p.392 - 398.

58 Gunter P., Huignard J.P. Photorefractive Materials and their Applications. 1. Fundamental Phenomena. - Heidelberg: Springer, 1989, v.61, 295p.

59 Gunter P., Huignard J.P. Photorefractive Materials and their Applications. 2. Applications. - Heidelberg: Springer, 1989, v.62.

60 Mager L., Pauliat G., Garret M.H. Photorefractive ВаТЮз an efficient material for laser wavefront correction.// Opt. Materials, 1995, v.4, p.381 -385.

61 Белиничер В.И., Малиновский В.К., Стурман Б.И. Фотогальванический эффект в кристаллах с полярной осью.// ЖЭТФ, 1977, т.73, N.2, с.692 - 699.

62 Белиничер В.И., Канаев И.Д., Малиновский В.К., Стурман Б.И. Фотоиндуцированные токи в сегнетоэлектриках. / / Автометрия, 1976, т.4, с.23 -28.

63 Novikov V.N., Sturman B.I. Hopping model of photogalvanic effect in ferroelectrics./ / Ferroelectrics, 1987, v.75, p. 199 - 208.

64 Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Квантовая механика. - M.: Наука, 1989.

65 Мессиа А. Квантовая механика. - М.: Наука 1978.

66 Гантмахер В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей в металлах и полупроводниках. - М.: Наука 1984.

67 Белиничер В.И., Филонов А.И. Модели примесных центров в теории фотогальванического эффекта.// Автометрия, 1978, т. 1, с.46 - 50.

68 Ионов Н.В., Попов Б.Н., Фридкин В.М. Температурная и спектральная зависимость фотовольтаического тока в сегнетоэлектриках.// Изв. АН СССР сер. физ., 1977, т.41, N.4, с.771 -774.

69 Белиничер В. И., Стурман Б. И. Фононный механизм фотогальванического эффекта в пьезоэлектриках.// ФТТ, 1978, т.20, N.3, с.821 - 829.

70 Шелест В.И., Энтин М.В. Фотогальванический эффект при учете электрон - фононного взаимодействия.// ФТП, т. 13, в. 12, с.2312 -2315.

71 Белиничер В.И. Влияние спина электрона на фотогальванический эффект.// ФТТ, 1978, т.20, N.10, с.2955 - 2958.

72 Ивченко Е.А., Пикус Г.Е. Новый фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах.// Письма в ЖЭТФ, 1978, т.27, в. 11, с.640 - 643.

73 Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в поле сильной электромагнитной волны./ / ЖЭТФ, 1978, т.75, N.2(8), с.673 - 683.

74 Белиничер В.И. О бездиссипативном фотогальваническом эффекте в гиротропных кристаллах. ФТТ, 1981, т.23, N.4, с.1229 - 1231.

75 Белиничер В.И. Фотогальванический эффект на свободных носителях в кристаллах без центра симметрии.// ЖЭТФ, 1978, т.75, N.2, с.641-652.

76 Ивченко Е.А., Пикус Г.Е. Фотогальванический эффект в полупроводниках со сложными зонами.// ФТП, 1979, т. 13, N.5, с.992 - 994.

77 Баскин Э.М., Магарилл Л.И., Энтин М.Ф. Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии.// ФТТ, 1978, т.20, N.8, с.2432 - 2436.

78 Лянда - Геллер Ю.Б., Расулов Р.Я. Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках А3В5 р - типа. 2. Баллистический вклад.// ФТТ, 1985, т.27, в.4, с.945-951.

79 Стурман Б.И. Фотогальванический эффект в модели неглубоких примесных центров.// ФТТ, 1980, т.22, в. 12, с.3084 - 3090.

80 Belinicher V.I., Kanaev I.F., Malinovsky V.K., Sturman B.I. Theory of Photogalvanic Effect in Ferroelectrics.//Ferroelectrics, 1978, v.22, p.647 - 648.

81 Belinicher V.I., Sturman B.I. The Relation Beetween Shift and Ballistic Currents in the Theory of Photogalvanic Effect.// Ferroelectrics, 1988, v.83, p.29 - 34.

82 Belinicher V.I., Novikov V.N. Photogalvanic effect in piezoelectrics. Quantative theory for interband transitions in gallium arsenide.// Phys. Stat. Sol. 1981, v. 107, p.66-68.

83 Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. - М.: Наука 1978.

84 Gibson A.F., Hatch С.В., Kimmit N.F. et.al. Optical Rectification and Photon Drag in Gallium - Phosphide.// J. Phys. C., Solid State Phys.,

1977, v.10, p.905-916.

85 Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Физическая кинетика. - M.: Наука 1979.

86 von Baltz R., Kraut W. Model Calculation to Explain the Existence of Bulk Photovoltaic Effect in Ferroelectrics.// Sol. State Commun.,

1978, v.26, N. 12, p.961 - 963.

87 von Baltz R. Theory of Bulk Anomalous Photovoltaic Effect in Ferroelectrics.// Phys. Stat. Solidi (b), 1978, v.89, N.2, p.419 - 429.

88 Белиничер В.И., Ивченко Е.А., Стурман Б.И. Кинетическая теория сдвигового фотогальванического эффекта в пьезоэлектриках.// ЖЭТФ, 1982, т.83, в.2(8), с.649 - 661.

89 von Baltz R. The Bulk Photovoltaic Effect in Ferro - and Piezoelectric Materials.// Ferroelectrics, 1981, v.35, N.l/4, p.131 - 136.

90 von Baltz R. Kraut W. The Bulk Photovoltaic Effect in Pure Pyro - and Piezoelectrics.// Phys. Lett., 1980, A79, N.4, p.364 - 366.

91 Кристоффель H.H., Гулбис A.B. Возможность собственного фотовольтаического эффекта в вибронных сегнетоэлектриках.// Изв. АН Эст. ССР, физ. - мат. сер., 1978, в.28, N.3, с.268 - 271.

92 Кристоффель H.H., Гулбис A.B. К теории некоторых нелинейных оптических свойств широкощельных вибронных сегнетоэлектриков.// Изв. АН Латв. ССР, физ. - тех. сер., 1982, N.1, с.50- 54.

93 Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Трунов H.H. Межзонная модель сегнетоэлектричества. Теория и эксперимент.// Изв. ВУЗов, Физика, 1981, т.24, N.8, с.94 - 109.

94 Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Трунов H.H. Локализация носителей и фотогальванический эффект в сегнетоэлектриках. - В сб. "Электроны и фононы в сегнетоэлектриках". А.: Наука, 1979, с.43 -46.

95 Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Трунов H.H. Аномальный фотогальванический в системах с электронными и фононными параметрами порядка.// ЖЭТФ, 1982, т.82, N.4, с. 1170 - 1175.

96 Ивченко Е.А., Пикус Г.Е., Расулов Р.Я. Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках А3В5 - р - типа. Сдвиговый вклад.// ФТТ, 1984, т.26, в. 11, с.3362 - 3368.

97 Каминский A.A., Аминов Л.К., Ермолаев В.Л. и др. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. - М.: Наука, 1986, 272с.

98 Белоконева Е.Л., Белов Н.В. Кристаллическая структура синтетического Ga, Ge геленита Ca2Ga2GeC>7 = Ca2Ge(GaGe)07 и сопоставление ее со структурой Ca3Ga2Ge40i4 Ca3Ge[(Ga2Ge)Ge2Oi4].// ДАН СССР, 1981, т.260, N.6, с. 1363 - 1366.

99 Милль Б.В., Буташин A.B., Эллерн A.M. и др. Фазообразование в системе СаО - Ga203 - GeÜ2.// Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1981, т. 17, N.9, с. 1648 - 1653.

100 Милль Б.В., Буташин A.B., Ходжабагян Г.Г. и др. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca3Ga2Ge40i4.// ДАН СССР, 1982, т.264, N.6, с. 1385 - 1389.

101 Каминский A.A., Саркисов С.Э., Милль Б.В. и др. Генерация стимулированного излучения ионов Nd3+ в тригональном ацентричном кристалле LaíGasSiOn.// ДАН СССР, 1982, т.264, N. 1, с.93 - 95.

102 Kaminskii A.A., Mill B.V., Khodzhabagyan G.G. et. al. Investigation of Trigonal (Lai-xNdx)3Ga5SiOi4 Crystals. 1. Growth and Optical Properties.// Phys. Stat. Solidi (a), 1983, v.80, N.l, p.387 - 398.

103 Kaminskii A.A., Silvestrova I.M., Sarkisov S.E. et. al. Investigation of Trigonal (Lai-xNdx)3Ga5SiOi4 Crystals. 2. Spectral Laser and

Electromechanical Properties.// Phys. Stat. Solidi (a)}> 1983, v.80, N.2, p.607 - 620.

104 Батурина O.A., Гречушников Б.Н., Каминский A.A. и др. Кристаллооптические исследования соединений со структурой Ca -галлогерманата (Ca3Ga2Ge4Oi4).// Кристаллография, 1987, т.32, в.2, с.406 - 412.

105 Сильвестрова И.М., Писаревский Ю.В., Милль Б.В. и др. Акустические и электромеханические свойства пьезоэлектрических кристаллов со структурой тригонального Ca -галлогерманата.// Докл. АН СССР, 1985, т.282, N.3, с.575 - 578.

106 Каминский A.A., Буташин A.B., Фридкин В.М.,и др. Фоторефрактивный эффект в пьезоэлектрическом кристалле La3Ga5SiOi4:Pr3+.// ФТТ, 1989, т.31, в.8, с.318-320.

107 Fridkin V.M., Kaminskii A.A., Lazarev V.G. et al. The Photorefractive Effect in the Piezoelectric Crystal La3GasSiOi4:Pr3+.// Appl. Phys. Lett., 1989. v.55(6), p.545 - 546.

108 Dam - Hansen C., Johansen P.M., Fridkin V.M. Photorefractive grating formation in piezoelectric La3GasSiOi4:Pr3+ crystals.// Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, N.14, p.2003 - 2005.

109 Belinicher V.l. Space Oscillating Photocurrent in Crystals without Symmetry Center./ / Phys. Lett., 1978, v.66A, p.213 - 214.

110 Одулов С.Г. Обнаружение пространственно - осциллирующего фотовольтаического тока в кристаллах ниобата лития легированных железом.// Письма в ЖЭТФ, 1982, т.35, N.1, с. 10 -12.

111 Фридкин B.M., Верховская К.А., Каримов Б.Х. и др. Пространственно - осциллирующий фотовольтаический ток в сегнетоэлектрике SbSJ.// ДАН СССР, 1980, т.255, N.6, с. 1359 -1361.

112 Петров М.П., Грачев А.И. Объемные фотогальванические эффекты в кристаллах типа силленита.// ФТТ, 1980, т.22, в.6, с. 1671 - 1675.

113 Петров М.П., Грачев А.И. Объемные фотогальванические эффекты в силикате висмута (Bii2Ge02o).// Письма в ЖЭТФ, 1979, т.ЗО, в.1, с.18 - 21.

114 Dalba G., Doubovik Е., Fridkin V.M. et al. The circular bulk photovoltaic effect in the piezoelectric crystal LasGasSiOi^Pr.// Ferroelectrics Lett., 1996, v.21, p.61 - 63.

115 Канаев И.Ф., Малиновский В.К. Фотогальванический и фоторефрактивный эффекты в кристаллах ниобата лития// ФТТ, 1982, т.24, N7, с.2149 - 2158.

116 Петров М.П., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации. - Л.: Наука, 1983, 270с.

117 Москалев В.А., Нагибина И.М., Полушкина Н.А. и др. Прикладная оптика. - С. - П.: Политехника, 1995, 528с.

118 Serreze Н.В., Goldner R.B. A phase sensitivity technique for measuring small birefringence changes.// Rev. Sci. Instrum., 1974, v.45, N. 12, p.1613- 1614.

119 Peterson G.E., Glass A.M., Negran T.J. Control at the susceptibility of the lithium niobate to laser - induced refractive index changes.// Appl. Phys. Lett., 1971, v. 19, N.5, p. 130 - 132.

120 Pockels F. Lehrbuch der Krystalloptik. Leipzig - Berlin, Druck und Verlag von B.G. Teubner, 1906.

121 Нарасимхамурти Т. Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов. - М.: Мир, 1984, 624 с.

122 Най Д. Физические свойства кристаллов. - М.: Мир, 1967, 385с.

123 Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. - М.: Физматгиз, 1963, 696с.

124 Bai Y.S., Neurgaonkar R.R., Kachru R. Resonant two - photon photorefractive grating in praseodium - doped strontium barium niobate with cw - lasers.// Optics Lett., 1996, v.21, N.8, p.567 - 569.

125 Bai Y.S., Neurgaonkar R.R., Kachru R. High efficiency nonvolatile holographic storage with two - step recording in praseodymium -doped lithium niobate by use of continuous - wave lasers.

126 Ryba - Romanowski W., Brenier A., Garapon C. et. al. Optical spectra and luminescence dynamics of Pr3+ and Nd3+ in SrLaA104 single crystals.// Appl. Phys. B, 1995, v.61, p.345 - 350.

127 Каминский А.А., Мак А.А., Пасынков П.П. и др. Справочник по лазерам (под ред. A.M. Прохорова). - М.:Сов. радио, 1978, т. 1, с.237 -324.

128 Клышко Д.Н. Физические основы квантовой электроники. - М.: Наука, 1986, 296с.