Экспериментальные исследования фотогальванического эффекта в кристаллах ниобата лития тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат физико-математических наук Пугачев, Алексей Маркович

• Пугачев, Алексей Маркович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пугачев, Алексей Маркович

Введение.

Глава I. Исследования фотогальванического эффекта в кристаллах ниобата лития (обзор литературы).

§1. Фоторефрактивный и фотогальванический эффекты в ниобате лития.

§2. Модели фотогальванического эффекта.

§3. Характерные особенности фотогальванического эффекта в кристаллах 1л№>Оз.

3.1. Поляризационные зависимости ФГ тока.

3.2. Подвижность носителей заряда, участвующих в фотогальваническом эффекте.

§4. Влияние светового облучения на фотогальванический эффект в1л№>03.

4.1. Примесные фоторефрактивные центры.

4.2 Индуцированное светом увеличение фотогальванического эффекта в кристаллах ниобата лития. "Вторичные" центры.

4.3. Особенности фотогальванического эффекта при больших интенсивностях света.

Выводы к Главе 1.

Глава II. Методики и экспериментальная техника измерений фотоиндуцированного отклика в фоторефрактивных кристаллах.

§ 1. Измерение фотоиндуцированных токов и фотопроводимости. 43 1.1 Измерение фотоэлектрических параметров в "стандартной схеме".

1.2 Измерение фотогальванического тока и фотопроводимости в схеме с прозрачными электродами.

1.3 Измерение фотоиндуцированного отклика при нали- --чии механических напряжений.

§2. Особенности измерения фототока и фотопроводимости в импульсном режиме.

2.1. Регистрация импульсного фотоиндуцированного отклика кристалла 1ЛМЬ03.

2.2 Приборы и измерительная аппаратура.

2.3 Источники импульсного излучения.

§3. Сравнительный анализ и область применения различных схем регистрации фотоиндуцированного отклика.

§4. Методические особенности разделения вкладов различных механизмов генерации фототока.

4.1 Пьезоэлектрический сигнал.

4.2 Пиро- и фотогальванический эффекты.

§5. Методики измерения фотоиндуцированных электрических полей.

5.1 Связь электрических полей с изменениями двулучепре-ломления.

5.2. Голографический метод. Основные соотношения.

5.3 Методические особенности записи, считывания и стирания голограмм в 1л№Юз.

§6. Измерение подвижности фотовозбужденных электронов в магнитном поле при помощи голографической методики.

6.1 Запись голограммы за счет фото-Холл эффекта как метод определения подвижности носителей заряда в ниобате лития.

6.2 Магнитное поле.

6.3 Запись и считывание голограммы в импульсе.

Глава III. Исследование подвижности электронов, участвующих в фотогальваническом эффекте в кристаллах ЫЫЬОз.

§1. Влияние магнитного поля на запись объемных фазовых голограмм в ниобате лития.

1.1 Чувствительность методики.

1.2. Экспериментальная проверка влияния магнитного поля на запись голограмм.

§2. Зависимость эффективности голографической записи от шага решетки.

§3. Обсуждение результатов.

Выводы к Гл. III.

Глава IV. Индуцированные светом изменения фотогальванического эффекта в 1Л*Л)03.

§1. Зависимость наведенного двулучепреломления и фотогальва- 88 нического тока от длительности импульса в кристаллах Хл№>03.

§2. Влияние механических напряжений на фотогальванический эффект и спектры комбинационного рассеяния в 1л№)Оз.

2.1. Эксперименты с ФГ эффектом.

2.2.Эксперименты с КРС.

§ 3. Обсуждение результатов.

3.1. Зависимость фотогальванического коэффициента от длительности импульса.

3.2 Влияние механических напряжений на фотогальванический эффект.

Выводы к Гл. IV.

Глава V. Экспериментальные исследования фотоиндуцированного электрического отклика 1лМ)Оз при больших интенсивностях света.

§ 1. Измерения электрического отклика кристаллов под действием мощных коротких лазерных импульсов.

1.1. Пьезоэлектрический сигнал.

1.2. Сигнал с временем релаксации (100 -н 300) 10'9с.

1.3. Фотогальванический и пироэффект.

1.4. Фотоиндуцированный отклик, повторяющий форму лазерного импульса.

§2. Обсуждение результатов.

2.1. Возбуждение локальных нестационарных электрических полей в кристаллах ниобата лития.

2.2. Локальные поля и фотогальванический эффект.

Выводы к Гл. IV.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Экспериментальные исследования фотогальванического эффекта в кристаллах ниобата лития»

Изучение фоторефракции (ФР) и фотогальванического эффекта (ФГЭ) в сегнетоэлектрических кристаллах занимает важное место в физике фотоэлектрических явлений. С момента открытия в ниобате лития (1лМЮ3) фоторефракции (эффекта "оптического повреждения" [1]) - локальных обратимых изменений двулучепреломления, интерес к исследованию этого явления был и остается весьма велик. Это вызвано тем, что фоторефракция, с одной стороны, препятствует использованию кристаллов в устройствах нелинейной оптики, а с другой стороны, может быть использована в практических устройствах. Объемные фазовые голограммы, записанные в фоторефрактивных кристаллах, применяются для записи и хранения информации [2, 56]; создания оптических спектральных приборов с высокой селективностью [3, 57, 58]; самодифракция световых пучков [54] находит применение в эффективной перекачке из слабого пучка в сильный [54,59,60], "очистителях" световых пучков [61], коммутации световых потоков в волноводных оптических системах [62] и т.д.

Открытие фотогальванического эффекта (ФГЭ) - генерации постоянного тока вдоль оси спонтанной поляризации при облучении образца однородным светом [4], и доказательство того, что он является основной причиной фоторефракции, явилось новым этапом в развитии науки о фоторефрактивных явлениях. Поскольку все основные характеристики фоторефрактивного эффекта в той или иной степени связаны с особенностями ФГЭ, изучение ФГэффекта представляет большой практический интерес для изучения фоторефрактивных явлений. Исследование ФГЭ представляет также самостоятельную научную ценность, поскольку направление тока задается не параметрами внешнего воздействия, а свойствами кристалла (обычно направление тока связывают либо с действием электрических и магнитных полей, либо с пространственной неоднородностью среды или возбуждающего света: темновой и фотопроводимостью, диффузией [5], ЭДС Дембера [6], эффектом увлечения [7], генерацией тока на контактах, термо-ЭДС [5, 8] и др.). Установление однозначной связи характеристик эффекта с характеристиками кристалла и возбуждающего излучения может дать не только понимание механизмов ФГЭ, но и позволит определять различные параметры самого кристалла. Экспериментальные и теоретические исследования ФГЭ в различных фоторефрактивных кристаллах (в настоящее время исследованы уже десятки таких материалов: 1л№Ю3 [4, 26 - 30], 1ЛТа03 [24], ВаТЮ3 [9,10,11], №8 [12, 13, 14], ОаАэ [15], ваР [16], К№>03 [17, 18, 19], ZnS [20, 21, 22, 23], 8Ю2 [25] и др.) послужили основой научного направления, в рамках которого проводятся регулярные международные конференции, написаны сотни статей и монографии.

Особенно ярко фотогальванический и фоторефрактивный эффекты проявляются в кристаллах ниобата лития (1л№>03). Открытие и основополагающие работы по физике ФГ и ФР эффектов связаны именно с этими кристаллами. Физические свойства ниобата лития хорошо изучены, отработана технология его выращивания и легирования различными примесями [31,32], что делает ниобат лития удобным модельным объектом для изучения фотоиндуцированных эффектов.

Богатый экспериментальный и теоретический материал и наличие подробно разработанных моделей ФГЭ (например [63 - 66]) не ослабили значительного интереса исследователей к изучению фоторефрактивного и фотогальванического эффектов в ниобате лития. С одной стороны, необходимо дальнейшее экспериментальное изучение ФГЭ, поскольку в настоящее время вопрос об однозначном описании природы фотогальванического эффекта в ниобате лития остается открытым. С другой стороны, применение фоторефрактивных кристаллов в оптических устройствах требует дальнейших исследований ФГЭ и фоторефракции в зависимости от параметров облучающего света и от физических свойств исследуемых кристаллов.

При экспериментальном исследовании ФГЭ необходимо разделение вкладов от широкого класса физических явлений, возникающих при облучении ФР кристалла когерентным световым пучком (пиро- и пьезоэлектричества, генерации локальных электрических полей, возникновения фотоиндуцированных механических напряжений в освещенной области кристалла, нелинейных эффектов и т.д.).

В диссертационной работе стояла задача провести комплекс экспериментальных исследований ФГЭ в номинально чистых и легированных различными примесями кристаллах ниобата лития в широком диапазоне интенсивностей, длин волн, времен взаимодействия светового излучения с кристаллом. Конкретная цель работы состояла в:

1) экспериментальной оценке подвижности носителей заряда, участвующих в фотогальваническом токе в кристаллах ниобата лития;

2) изучении характерных особенностей возбужденных светом состояний кристалла, ответственных за фотоиндуцированное усиление ФГЭ:

- исследовании зависимости фотогальванического коэффициента от механических напряжений и длительности светового импульса (ти);

- разделении вклада различных физических механизмов (пиро-, пьезо-, фотогальванического эффектов) в электрический отклик с кристалла LiNb03 при воздействии на образец мощного короткого (30 - 50нс) лазерного импульса в спектральном диапазоне 532 - 1079 нм.

Основные результаты, полученные в работе, состоят в следующем.

1. Разработана методика измерения подвижности носителей заряда в высокоом-ных фоторефрактивных кристаллах. Эта методика, основанная на записи голограмм за счет отклонения возбужденных светом электронов в магнитном поле, в значительной степени исключает влияние факторов, имитирующих холловские токи (в частности поверхностные токи, фотоиндуцированное рассеяние света).

2. Показано, что подвижность электронов, участвующих в ФГЭ в кристаллах ниобата лития мала и не превышает величины 2.5 см2/В • с.

3. На серии кристаллов ниобата лития, легированных Fe, LiNb03:Fe отожженных в атмосфере водорода, номинально чистых а также чистых отожженных в вакууме исследована зависимость дифракционной эффективности, сдвиговой и несдвиговой компоненты голограммы от шага решетки. Показано, что характер зависимости не описывается универсальным для всех кристаллов соотношением, а зависит от типа и концентрации легирующей примеси и параметров отжига.

4. Обнаружено, что фотогальванический коэффициент О зависит от длительности светового импульса, а также от механических напряжений, приложенных извне или возникающих при нагреве освещенной области кристалла.

5. На серии кристаллов: ГлМЮз^е 1лЫЬ03:Си, номинально чистых, чистых отожженных в вакууме, разделены вклады пиро- фотогальванического и пьезоэффектов в электрический сигнал, индуцированный мощным (100 - 400 л

МВт/см ) коротким (30 - 50 не) одиночным лазерным импульсом.

6. Обнаружено, что знак генерируемых светом деформаций кристалла вдоль оси спонтанной поляризации в номинально чистых образцах противоположен знаку соответствующих деформаций в легированных железом и чистых отожженных в вакууме кристаллах ниобата лития.

7. При импульсном облучении кристаллов ниобата лития обнаружен неизвестный ранее электрический отклик, повторяющий форму лазерного импульса. Показано, что по зависимости его от коэффициента поглощения и ориентаци-онным характеристикам этот сигнал нельзя объяснить известным эффектом оптического выпрямления. Предложена модель, связывающая появление этого сигнала с возбуждением локальных областей нанометрового масштаба в облучаемом объеме.

Заключение диссертации по теме «Оптика», Пугачев, Алексей Маркович

Основные результаты, полученные в работе, состоят в следующем.

1. Разработана методика измерения подвижности носителей заряда в высокоом-ных фоторефрактивных кристаллах. Эта методика, основанная на записи голограмм за счет отклонения возбужденных светом электронов в магнитном поле, в значительной степени исключает влияние факторов, имитирующих холловские токи (в частности поверхностные токи, фотоиндуцированное рассеяние света).

2. Показано, что подвижность электронов, участвующих в ФГЭ в кристаллах ниобата лития мала и не превышает величины 2.5 см2/В • с.

3. На серии кристаллов ниобата лития, легированных Ре, Ы№>03:Ре отожженных в атмосфере водорода, номинально чистых а также чистых отожженных в вакууме исследована зависимость дифракционной эффективности, сдвиговой и несдвиговой компоненты голограммы от шага решетки. Показано, что характер зависимости не описывается универсальным для всех кристаллов соотношением, а зависит от типа и концентрации легирующей примеси и параметров отжига.

4. Обнаружено, что фотогальванический коэффициент в зависит от длительности светового импульса, а также от механических напряжений, приложенных извне или возникающих при нагреве освещенной области кристалла.

5. На серии кристаллов: 1лЫЮ3:Ре 1л№>03:Си, номинально чистых, чистых отожженных в вакууме, разделены вклады пиро- фотогальванического и пьезоэффектов в электрический сигнал, индуцированный мощным (100 - 400 МВт/см ) коротким (30 - 50 не) одиночным лазерным импульсом.

6. Обнаружено, что знак генерируемых светом деформаций кристалла вдоль оси спонтанной поляризации в номинально чистых образцах противоположен знаку соответствующих деформаций в легированных железом и чистых отожженных в вакууме кристаллах ниобата лития. 7. При импульсном облучении кристаллов ниобата лития обнаружен неизвестный ранее электрический отклик, повторяющий форму лазерного импульса. Показано, что по зависимости его от коэффициента поглощения и ориентаци-онным характеристикам этот сигнал нельзя объяснить известным эффектом оптического выпрямления. Предложена модель, связывающая появление этого сигнала с возбуждением локальных областей нанометрового масштаба в облучаемом объеме.

В заключение автор приносит глубокую благодарность доктору физико -математических наук профессору Малиновскому В.К. за научное руководство, постановку задачи и поддержку данной работы; кандидату физико - математических наук Канаеву И.Ф. за плодотворную совместную работу, руководство и научные идеи, которые легли в основу настоящей работы; кандидату физико -математических наук Суровцеву Н.В. за помощь в проведении экспериментов и расчетов, полезные замечания и научные дискуссии; кандидату физико -математических наук Кострицкому С.М. за измерения спектров комбинационного рассеяния света в ниобате лития и совместную работу. Автор искренне благодарит всех коллег из лаборатории физической электроники ИАиЭ СО РАН и лаборатории прикладной оптоэлектроники КТИ НП за поддержку и помощь по всем вопросам, возникавшим при работе над диссертацией.

Заключение

Цель работы заключалась

1. В экспериментальной оценке подвижности носителей заряда, участвующих в фотогальваническом токе в кристаллах ниобата лития.

2. Изучении характерных особенностей возбужденных светом состояний кристалла, ответственных за фотоиндуцированное усиление ФГЭ:

- исследовании зависимости фотогальванического коэффициента от механических напряжений и длительности светового импульса (ти);

- разделении вклада различных физических механизмов (пиро-, пьезо-, фотогальванического эффектов) в электрический отклик кристалла 1ЛЧЬ03 при воздействии на образец мощного короткого (30 - 50нс) лазерного импульса в спектральном диапазоне 532 - 1079 нм.

Научная новизна представленных в диссертации результатов определяется тем, что

1. Разработана методика определения подвижности электронов, участвующих в фотогальваническом эффекте в кристаллах ниобата лития. Она основана на записи объемных фазовых голограмм в магнитном поле и минимизирует влияние поверхностных зарядов и фотоиндуцированного рассеяния света на результаты измерений.

2. Впервые исследована зависимость фотогальванического коэффициента от длительности светового импульса, а также от механических напряжений, приложенных извне или индуцированных разогревом освещенной области кристалла.

3. В спектральном диапазоне 532 - 1079 нм проведены исследования электрического отклика легированных железом и медью, номинально чистых и отожженных в вакууме кристаллов ниобата лития под действием мощного короткого (30-50нс) лазерного импульса. Обнаружена неизвестная ранее компонента электрического отклика, повторяющая форму лазерного импульса и зависящая от поглощения света.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пугачев, Алексей Маркович, 2000 год

1. Ashkin A., Boyd J.M., Dziedzic Т. М., Smith R.G. е.а. // Appl. Phys. Lett., Vol.9, №1,72-74,(1966),

2. Linde D. von der., Glass A.M. // Appl. Phys. Lett., Vol. 4, №5, (1975), pp. 915 -918.

3. Rakuljic G.A.and V.Leyva // Opt.Lett. Vol.18, №7, pp. 459 461, (1993 ),.

4. Glass A.M., von der Linde D., Auston D.H., Negran T J. // Appl. Phys. Lett., 25,), p.223 (1974)

5. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.-.Наука, 1977.

6. Рывкин С. М. "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" М.: Физматгиз, 1963.

7. Рывкин С. М., Ярошецкий И.Д. "Проблемы современной физики" JL: Наука, 1963.

8. Тауц Я. "Фото и термоэлектрические явления в полупроводниках". - М. Физматгиз, 1962.

9. Волк Т.Р., Греков А.А., Косогонов Н.А., Фридкин В.М. //ФТТ, т. 14 (1972), с.3216 Физматгиз, 1963.

10. Koch W.T., Munser R., Ruppel W., Wurfel P. //Solid State Communication, V.17, p. 847,(1975),

11. Koch W.T., Munser R., Ruppel W., Wurfel P. //Ferroelectrics, V.13, p. 305. (1976).

12. Воронов B.B., Гуланян Э.Х., Дорош И.Р., Кузьминов Ю.С., Микаэлян A.JL, Осико В.В., Полозков Н.М., Прохоров A.M. //Квантовая электроника, т.6, (1979), с. 1993

13. Попов Б.Н., Фридкин В.М. // ФТТ, т.20 (1978), с. 710.

14. Volk T.R., Kovalevich V.I., Kuzminov Yu. S. // Ferroelectrics, V.22 p.659 (1978),

15. Альперович B.JI., Белиничер В.И., Минаев A.O., Мощенко С.П., Терехов А.С.//ФТТ, т.30, 3111, (1988).

16. Андрианов A.B., Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е., Расулов Р.Я., Ярошецкий И.Д. // ЖЭТФ, т. 81, с. 2080, (1981).

17. Фридкин В.М., Попов Б.Н., Ионов П.В. // Изв. АН СССР. Сер. физ. т.41 с.771, (1977).

18. Gunter P., MisheronF. //Ferroelectrics, v. 18, p. 27(1978),.

19. Krumin A.E., Gunter P. //Phys. Stat. Sol., v.55, p.185 (1979),.

20. Neumark G.F. // Phys.Rev., v. 125, №3, p.838, (1962).

21. Fridkin V.M., Lazarev V.G., Levin Yu. E., Rodin A.I. //Ferroelectrics Lett., v. 2, p. 97 (1984)

22. Фридкин B.M., Лазарев В.Г., Левин Ю.Э., Родин А.И. //Письма в ЖЭТФ, т. 38, с.159 (1983).

23. Верховская К.А., Шувалов Л.А., Лазарев В.Г., Левин Ю.Э., Фридкин В.М. // ФТТ, т. 28, в1, с. 80,(1986),.

24. Krätzig Е., R. Orlovski //Appl. Phys, v.15 p. 133,(1978),.

25. Фридкин В.М. Верховская К.А., Лазарев В.Г., Пономарев В.М. //ФТТ, т. 24 с. 63, (1982),.

26. Glass A.M., von der Linde D., Auston D.H., Negran T.J. // J. Electr. Mat., v.4 p.915, (1975),.

27. Белобаев К.Г., Марков В.Б. Одулов С.Г. //ФТТ т.20, с.2520, (1978),

28. Krätzig Е., Kurz Н. // Ferroelectrics, v. 10, p. 159, (1976),.

29. Krätzig E., Kurz H. // Optical Acta, v.24, p.475, (1977),.

30. Josch W., Munser R., Ruppel W„ Würfel P. //Ferroelectrics, v.21, p. 623, (1978),

31. Кузьминов Ю.С. "Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития". М.: Наука, 1987.

32. Weis R.S., Gaylord Т.К. //Appl. Phys. A, v.37, p. 191 203, (1985),.

33. Канаев И.Ф., В.К.Малиновский // Автометрия, №4, с.37-48, (1991),

34. Kanaev I.F., V.K.Malinovsky, B.I.Sturman // Optics Communication, v.34, № 1, c.95 100, (1980).

35. Канаев И.Ф., B.K. Малиновский //ФТТ, в. 7, т.24, с.2149 (1982).

36. Kanaev I.F., V.K.Malinovsky // Ferroelectrics, v.43, p. 185 (1982).

37. Chen F. S. //J. Appl. Phys, v.40, p.3388 3396, (1969),.

38. Jonston W.D. //J. Phys., v.41, p.3279 3282, (1970),.

39. Сонин A.B., Василевская A.C. Электрооптические кристаллы. M.: Атомиздат, 1971.

40. Bollman W., Gernaud M. //Phys. Stat. Sol. (A), v.9, p.301 308, (1977),.

41. Krätzig E., Kurtz H. //J. Electrochem. Soc., v.124, №1, p.131 (1977)

42. Amodei J.J., Staebler D.L., //RCA Rev., v.33, №l,p.71-76, (1972).

43. Фридкин B.M. "Фотосегнетоэлектрики". "Наука", M. 1979, 264 с.

44. Фридкин B.M. "Сегнетоэлектрики полупроводники". - "Наука", М. 1976, 264 с.

45. Леванюк А.П., Осипов В.В. // Изв. АН СССР, сер. физ., т.41 №4, с.752 769 (1977).

46. Леванюк А.П., Осипов В.В // ФТТ, т. 17 №12, с. 3595 3602, (1975),.

47. Levanyuk А.Р., Osipov V.V // Phys. Stat. Sol. (a), v.35, p.605 614, (1976).

48. Fridkin V.M., Grekov A.A., Ionov P.V., Savchenko E.A. // Ferroelectrics, v.8, p. 433 -437,(1974).

49. Chen F.S., La Macchina J.T., Frazer D.B.//Appl. Phys. Lett., v. 13, p.223 -227,(1968)

50. Amodei J.J. // Appl. Phys. Lett., v. 18, 22, (1971).

51. Amodei J.J. // RCA. Rev., v.32 pp.185 -191, (1971).

52. Joung L. e.a. //Appl. Phys. Lett., v.24pp.264 268, (1974).

53. Стурман Б.И. Взаимодействие двух световых волн в кристаллах, обусловленное диффузией и дрейфом фотоносителей //Препринт №48 ИАиЭ СО АН СССР, Новосибирск, 1977.

54. Винецкий В. Л., Кухтарев Н. В., Одулов С. Г., Соскин М.С.// УФН т.129,, с. 113-137,(1979)

55. Markov V.B., Odulov S.G., Soskin M.S. // Optics and Laser Technology pp. 95 -99,(1979).,

56. Psaltis D., F. Mok // Scientific American, v. 52, 165(November 1995).

57. Müller R., M.T. Santos, L. Arizmendi, J.M.Cabrera // J.Phys.D: Appl. Phys. v.27, 241 (1994).

58. James R.T.B., C. Wah, K. Iizuka, H. Shimotahira //Appl. Opt. v.34, 8230 (1995).

59. MacCormac S., J. Feinberg // Opt. Lett., v. 18, 211 (1993).

60. MacCormac S., J. Feinberg, M.H. Carret // Opt. Lett., v. 19, 120 (1994).

61. Chiou A.E.T., P Yeh// Opt. Lett., v.l0,621 (1985).

62. Chiou A.E.T., P Yeh, C. Yang, C. Gu // Opt. Lett., v.20, 1125 (1995).

63. Gunter P., J.-P. Huignard (eds.) // Photorefractive Materials and Their Applications I. Fundamental Phenomena, Heidelberg: Springer, v.62, 1988.

64. Стурман Б.И., Фридкин B.M. // Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные им явления. М.: Наука, 1992.

65. Solymar L., D.J. Webb, A. Grunnet- Jepsen // The Physics and Applications of Photorefractive Materials" , Claredon Press, Oxford, 1996.

66. Buse K. // Appl.Phys. В v.64, 273, (1997).67. . Kuhtarev N.V, V.B. Markov, S.G. Odulov, M.S. Soskin, V.L. Vinetskii // Ferroelectrics v.22, 949, (1976)

67. Петров М.П., Степанов C.H., Хоменко A.B.//Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации., Л.:Наука, 1983.69. . Orlovski R, Krätzig Е„ // Solid State Communi., v.21, 1351 (1978).

68. Белиничер В.И., Стурман Б.И. //УФН., т.130, 415 (1980).

69. Авакян Э.М., К.Г. Белабаев, С.Г. Одулов, О.И. Олейник // Изв. АН СССР, сер. физ., т.47, №4, 656 (1983).

70. Belinicher V.l. // Phys. Lett., 66А, №3, 213 (1978).

71. Белиничер В.И., Ивченко Е.Л., Стурман Б.И. // ЖЭТФ, т.83, 649 (1982).

72. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е., Расулов Р.Я. // ФТТ, т.26, 3362 (1984).

73. Belinicher V.l., Sturman B.I. // Ferroelectrics, v.83, 29 (1988).

74. Fridkin V.M. // Appl. Phys., v. 13, 357 (1977).

75. Сандомирский В.Б., Халилов Ш. С., Ченский E.B. // ФТТ, т.24, 3318 (1982).

76. Neumark G.F. // Phys.Rev., v.125, №3, 838 (1962).

77. Стурман Б.И. // ФТТ, т.31, 289, (1989).

78. Казанский П.Г.,Прохоров A.M., Черных В.А. // Письма в ЖЭТФ, т.41, 370 (1985).

79. Одулов С.Г.//Письма в ЖЭТФ, т.35, 10 (1982).

80. Одулов С.Г., Олейник О.И. // КЭ, т. 10, 1498 (1983).

81. Фридкин В.М., Магомадов P.M. // Письма в ЖЭТФ, т.30, 686 (1979).

82. Хатьков Н.Д., Шандаров С.М. // Автометрия, в.6, 103 (1987).

83. Festl H.G., Hertel Р., Krätzig E., von Baltz R. // Phys. Stat. Sol. В y.113, 157 (1982).

84. Одулов С.Г., Стурман Б.И. // ЖЭТФ, т.92, 2016 (1987).

85. Novikov A.D., Odulov S.G., Oleinik O.I., Sturman B.I. // Ferroelctrics, v.75, p.295, (1987).

86. Божевольный С.И., Золотов E.M., Казанский П.Г.,Прохоров A.M., Черных В.А. // Письма в ЖЭТФ, т.9, 690 (1983).

87. Золотов Е.М., Казанский П.Г.,Прохоров A.M., Черных В.А. // Письма в ЖЭТФ, т.7,924 (1981).

88. Канаев И.Ф, Малиновский В.К., Пугачев A.M. // ФТТ, т.З, 692 (1987).

89. Малиновский В.К., Стурман Б.И. // ФТТ, т.22, 3678 (1987).

90. Ивченко E.JL, Пикус Г.Е. // Проблемы современной физики Л., Наука, 1980, с.275.

91. Белиничер В.И. // Автометрия, №1, с.3.9 (1978).

92. Блох М.Д., Магарилл Л.И. // ФТТ, т.22, 2279, (1980).

93. Ивченко Е.Л., Лянда Геллер Ю.Б., Пикус Г.Е., Расулов PJL, // ФТП, т. 22 №8, с.2279 (1980).

94. Леванюк А.П., Погосян А.Р., Уюкин Е.М. // ДАН СССР, т.256, №1, с.60 (1981).

95. Ohmory Y. Yamagushi М., Yoshino К., Inuishi Y. // Japan J. Appl. Phys. v. 15, p.2253 ) (1976).

96. Попов Б.Н., Фридкин B.M. //ДАН СССР, т.256, №1, с.63, (1981).

97. Погосян А.Р., Попов Б.Н., Уюкин Е.М. // ФТТ, т.24 N 9, 2551(1982).

98. Fridkin V.M., Lazarev V.G., Levin Yu. E., Rodin A.I. // Ferroelectrics Lett., v. 44, p.135, (1982)

99. Фридкин B.M., Лазарев В.Г., Левин Ю.Э., Родин А.И. // Письма в ФТТ, т. 25, в.25, С.3402, (1983).

100. Esayan S.K., Ivchenko E.L., Lemanov V.V., Maksimov A.Yu., Pikus G.E,// Japan J. Appl. Phys. v.24, p.299 (Suppl. 24 2 ) (1985).

101. Dam-Hansen C., P.M. Johansen, P.M. Petersen, Fridkin V.M. // Phys. Rev. B, v.52, №18, p.52, (1995).

102. Бровкович В.Г., Стурман Б.И. // Письма в ЖЭТФ т.37, с. 10 (1983).

103. Yong L., Moharan M.G., Guibaly F.E., Lun E., J. // Appl.Phys., v.50, №6, p.4201 (1979).

104. Moharan M.G., Gaylord J.K., Magnusson R., Yong L. // Appl.Phys., v.50, №9, p.5642 (1979).

105. Alphonse G.A., R.C. Alig, D.L. Staebler, W. Phillips // RCA Rev. v.36, 225 (1975).

106. Марков В.Б. // Исследование процессов записи и усиления световых пучков динамическими голограммами в кристаллых ниобата лития, Канд. диссертация, Киев, 1978.

107. Rupp R.A., Sommerfeldt R, Ringhofer K.H, Krätzig E. // Appl.Phys. B51., 364 (1990).

108. Tayebati P., D. Mahgereften // J. Opt. Soc. Am. b, v.8, 1053 (1991).

109. Канаев И.Ф., В.К.Малиновский // Автометрия, N5, 63 (1983)

110. Huafu W, Gutony S., ZhongkangW. // Phys. Stat. Sol, v. 89, p.K211,(1985).

111. Spinhirne J.M, Aug D., Joiner C.S., Estle T.L. // Appl. Phys. Lett,v.30, p.89, (1977).

112. Vladimirtsev Y.V, V.A. Golenishchev Kutuzov, S.A. Migachev, N.A. Shamukov // Ferroelectrics, v. 22, p. 653 (1978)

113. Kurz H, Krätzig E, W.Keune, H. Engelman, U.Conser, B. Dischler A.Rauber // Appl. Phys., v.12, p.355 (1977).

114. Krätzig E // Ferroelectrics, v. 21, p. 635 (1978)

115. Dischler B, HerringtonJ.R. A.Rauber, // Solid State Com, v.14, p.1233 (1974).

116. Staebler D.L, W. Phillips // Appl. Opt. v.13, 788 (1974).

117. Krätzig E, R. Orlovski // Opt. Quant.Electr, v.12 p.495, (1980).

118. K. Buse // Appl.Phys. B, v.64, 391 (1997).

119. Krätzig E, R. Orlovski // Ferroelectics, v.27, p.241,(1980).

120. Krätzig E., Sommerfeldt R.// SPIE, 1273,2 (1990)

121. Sommerfeldt R., Rupp R.,Vormann H., Krätzig E.// Phys. Stat. Sol. v. 99, Kl5 (1987)

122. Brian D.A., Gerson R., Tomaschke H.E. // Appl. Phys. Lett, v.44, №9, p.847 (1984).

123. Sweeney K.L., Halliburton L.E.,Brian D. A., Rice R.R. Gerson R., Tomaschke H. E. // J. Appl. Phys. v.57, №4, p.1036, (1985).

124. Волк T.P., H.M. Рубинина // ФТТ,т.ЗЗ, № 4, c.l 192 (1991)

125. Волк T.P., H.M. Рубинина, Холодных А.И. // Квантовая электроника,т.15, № 9, с.1705 (1988).

126. Volk T.R. Rubinina N.M. //Phys. Stat. Söl.(a) v. 108, №2, p.437 (1988)

127. Volk T.R., Razumovski N.V., Mamaev A.V., Rubinina N.M. // J. Opt. Soc. Am.(B), v.13, p.1457 (1995).

128. Arizmendi L., Powell R.C. //J. Appl. Phys., v.61, №6, p.2128 (1987).

129. Jin-ke Wen, Liang Wang, Yang sheng Tang, Hua fu Wang // Appl. Phys. Lett. v.53, №4 p.260, (1988).

130. Sommerfeldt R., Holtmann L., Krätzig E, Grabmaier B.C.// Phys. Stat. Sol. (a), v. 106, №1(1988).

131. D. von der Linde, Glass A.M., K.F. Rodgers // Appl. Phys. Lett., v.26, (1975). p.22

132. D. von der Linde // Appl.Phys. Lett, v.34, p.5, (1979).

133. Jermann F., Krätzig E. // Appl. Phys. A, v.55, p. 114, (1992).

134. Jermann F., J. Otten // J. Opt. Soc. Am. B, v.10 №11 p.2085, (1993).

135. Althoff O., Krätzig E. // SPIE, 1273, pl2 (1993).

136. Simon M., St.Wevering, K. Buse, Krätzig E. // J. Phys. D: Appl. Phys.,v.30, p. 144 (1997).

137. Jermann F., Simon M., Krätzig E. // J.Opt.Soc.Am. В v.12, №11, 2066 (1995).

138. D. von der Linde, O.F.Shirmer, H.Kurz // Appl.Phys v.15, p.153 (1978).

139. O.F.Shirmer, D. von der Linde // Appl.Phys. Lett. V.33, p.35 (1978).

140. Che Tsung Chen, Dae M. Kim, D. Von der Linde // Appl. Phys. Lett., v. 34, p.321 (1979).

141. S. Abrahams, P. Marsh // Acta Crystallogr. Sect., B42, p.61 (1986).

142. O.F.Shirmer, O. Thiemann, M. Wöhleke// J. Phys. Chem. Solids, v.52, p. 185 (1991).

143. J. Wen, L. Wang, Y. Tang, H. Wang // Appl. Phys.Lett., v.53, p.260 (1988)

144. Volk T.R., Wöhleke M., Rubinina N.M., N.V. Razumovski, Jeimann F., Fisher C., R. Bö wer // Appl. Phys.A., v.60, p.217 (1995).

145. Malovichko G.I., Grachev V.G.,. Kokanyan E.P, Shirmer O.F., Betzer K., Gathner В., Jermann F., Klauer S., Schiarb U., Wöhleke M.II Appl. Phys.A., v.56, p.103 (1993).

146. Simon M., Jermann F, Krätzig E.// Opt. Materials. В v.3, p.243 (1994).

147. Simon M., Jermann F, Volk T.R., Krätzig E.// phys. stat. sol. (a) v. 149, p.723 (1995).

148. Волк Т.Р., С.Б. Астафьев, Н.В. Разумовский // ФТТ, т.37, № 4, с.1073 (1995).

149. Волк Т.Р., С.А. Шрамченко, Л.А. Шувалов, В.М. Фридкин // ФТТ, т.27, № 8, с.2334 (1995).

150. Бондаренко А.Н., Кривощеков Г.В., Маренников С.И., Пестряков Е.В., Саввиных Г.А. // ФТТ, т.8, №11, с.2490 (1966)

151. Бломберген Н. // Нелинейная оптика, М., Мир 19

152. Морозов Б.Н., Ю.М.Айвазян // Квантовая электроника, в.1, с.5 (1980).

153. D. von der Linde, Glass A.M., K.F. Rodgers // Appl. Phys. Lett., v.25, №43, p.155 (1974).

154. Glass A.M., Auston D.H. //Ferroelectrics, v.7, p.187 (1974).

155. Nelson K.A., D.R. Lutz, M.D. Fayer, L. Madison // Phys.Rev. B, v.24, p.3261 (1981)

156. Nelson K.A., M,D. Fayer, // J.Chem. Phys., v.72, p.5202 (1980).

157. Gusev V.E., A.A. Karabutov // Laser Opto-acoustics, M., Nauka 1991.

158. Nelson K.A., R.J. Dwayne Miller, D.R. Lutz, M.D. Fayer, // Appl. Phys., v.53, p.l 144, (1982).

159. Деев B.H., П.А. Пятаков //ЖТФ, т. 65, с. 1909 (1986).

160. Аванесян С.М., Гусев В.Е. // К Э, т. 13, №6, с. 1241 (1986).

161. Litvinov R., Shandarov S. // J. Opt. Soc. Am. B, v.l 1 №7 p.l204 (1994).

162. Степанов С.И., С.М.Шандаров, Н.Д. Хатьков // ФТТ, т.29, с.1754 (1987).

163. Занадворов П.Н., Е.Л.Лебедева, В.М.Молдавская, Ю.А.Степанов // Физика твердого тела, т. 25, в.9, 2823, (1983).

164. Коканян Э.П., Е.Л.Лебедева, В.М.Молдавская // Физика твердого тела, т.28, в.8, 2572 (1986)

165. Занадворов П.Н., Е.Л.Лебедева, В.М.Молдавская, Э.П.Коканян // Физика твердого тела, т.ЗО, № 7, с.2015 (1988).

166. Пестряков Е.В.// Кандидатская диссертация, Новосибирск, 1983

167. Glass A.M., Auston D.H. // Opt. Commun., v.5, p.45 (1972).

168. Канаев И.Ф. Кандидатская диссертация, Новосибирск, 1980

169. Канаев И.Ф., В.К.Малиновский, Стурман Б.И. // Автометрия № 1, с.4, (1978)

170. Шаскольская М.П. "Акустические кристаллы", М., Наука,. 1982, 632с

171. Jayaraman A., Bollman A.A. // J. Appl. Phys., v.60, p.1208 (1986).

172. Deibold A.C., Steinhauser S. W., Mariella R.P., // J. Vac. Sei. Technol., v.B7, p.365 (1989).

173. Бухгольц Г. "Расчет электрических и магнитных полей", М., Иностранная литература, 1961, 712с.

174. Канаев И.Ф., В.К.Малиновский // Автометрия,, № 5, 3 9 (1995).

175. Тихонов А.Н., Самарский A.A. "Уравнения математической физики", М., Наука, 1966, 724с.

176. Канаев И.Ф., В.К.Малиновский, А.М.Пугачев // Физика твердого тела, т. 27, вып 6, 1772 (1985),

177. Kanaev I.F., V.K.Malinovsky, A.M.Pugachev // Ferroelectrics, v.275, 209, 180, (1987),

178. Белиничер В.И., Канаев И.Ф., В.К.Малиновский, В.Д.Анцыгин, Б.И.Стурман // Автометрия, № 4, с.7 (1976).

179. Стурман Б.И.// ЖТФ, т.48, с. 1010, (1978).

180. Павлов Л.П., "Методы измерения параметров полупроводниковых материалов", М., Высш. шк.,1987, 239с.

181. Auston D.H., Glass A.M., Ballman A.A. // Phys. Rev. Lett, v.28, p.897, (1972).

182. Канаев И.Ф., B.K. Малиновский, A.B. Новомлинцев, А.М. Пугачев // Автометрия, N3, 3-15, (1996).185. .Kanaev I.F, V.K.Malinovsky, A.V.Novomlintsev, and A.M.Pugachev // Ferroelectrics, v. 214, p. 307 (1998).

183. Канаев И.Ф. B.K. Малиновский, A.B. Новомлинцев, А.М.Пугачев // Физика твердого тела т.39 №9 с. 1636 1642 (1997)

184. Kanaev I.F., V.K.Malinovsky. // Ferroelectrics, 126, 67-72, (1992).

185. Kanaev I.F., V.K.Malinovsky, A.M.Pugachev, S.M.Kostritskii // Ferroelectrics, v.126, p.45 (1992).

186. Schiarb U., Klauer S.,Wesselmann M., Betzier K., Wöhleke M.// Appl. Phys., v.A56,p.311 (1993).

187. Sehen L.B., Cressman P.J., Cross L.E. // Appl. Phys., V.49, p.798 (1978).

188. Sehen L.B., Cressman P.J., Cross L.E. // Ferroelectrics., V.22, p.945 (1979).

189. Канаев И.Ф., Кострицкий C.M., Малиновский B.K., Новомлинцев A.B., Пугачев А.М. // Известия РАН сер. физическая 259, № 9, 41, (1995 )

190. Vogt Н. // J. Phys. Condens. Matter, v.3, p.3697 (1991)

191. Baran E.J., Botto I.L., Muto F., Kumada N., Kinomura N. // J. Mater. Sei. Lett., v.5, p.671, (1986).

192. Donnenberg H.J., Tomlinson S.M., Catlow C.R. // J. Phys. Chem. Solids, v.52, p.201 (1991).

193. Kumada N., Ozava N., Muto F., Kinomura // J. Solid State Chem., v.57, p.267 (1985).

194. Баланевская А.Э., Л.И. Пятигорская, З.И. Шапиро, Л.Н. Марголин, Е. А. Бовина // ЖПС, т.38, с.662, (1983).

195. Koppitz J., Shirmer O.F., Kuznetsov A.I., Grabmaier B.C., Wöhleke M.// Ferroelectrics, v.92, p.233, (1989).

196. Канаев И.Ф., В.К.Малиновский, А.М.Пугачев // Автометрия, N 4, 36-46. (1988).

197. Веселовский И.А., Б.М. Жиряков, Н.И. Попов, A.A. Самохин // Труды ИОФАН, в.13, с.108. М., Наука (1988)