Селективные свойства объемных голограмм, записанных в фоторефрактивных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Шамрай, Александр Валерьевич

• Шамрай, Александр Валерьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шамрай, Александр Валерьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СЕЛЕКТИВНОСТЬ ОБЪЕМНЫХ ГОЛОГРАММ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Классификация и характеристики голограмм.

1.2. Селективные свойства объемных голограмм.

1. 2. 1. Теория связанных волн.

1. 2. 2. Пропускающие голограммы.

1. 2. 3. Отражательные голограммы.

1.3. Мультиплексирование объемных голограмм.

1. 3. 1. Угловое мультиплексирование.

1. 3. 2. Спектральное мультиплексирование.

1. 3. 3. Фазовое кодирование волнового фронта.

1.4. Материалы для записи объемных голограмм.

1. 4. 1. Экспозицияи чувствительность.

1. 4. 2. Разрешающая способность.

1. 4. 3. Сохраняемость и стирание голограмм.

1. 4. 4. Наиболее перспективные материалы для голографической записи.

1.5. Электрическое управление условиями дифракции.

1.6. Практическое применение электрического управления объемных голограмм.

1. 7. Постановка задачи исследований.

ГЛАВА 2. ГОЛОГРАФИЧЕСКАЯ ЗАПИСЬ В ФОТОРЕФРАКТИВНОМ КРИСТАЛЛЕ LINB03.

2.1. Методика голографической записи.

2. 1. 1. Источник света для записи голограмм.

2. 1. 2. Требования к механической стабильности при записи голограмм.

2. 1. 3. Источник света для восстановления голограмм.

2. 1. 4. Экспериментальная установка для записи отражательных голограмм.

2.2. Фоторефрактивный кристалл ниобата лития.

2. 2. 1. Физические свойства.

2. 2. 2. Голографические характеристики.

2.3. Механизм фоторефрактивной записи.

2. 3. 1. Диффузионный механизм.

2. 3. 2. Дрейфовый механизм.

2. 3. 3. Общий случай записи фоторефрактивных голограмм.

2. 3. 4. Стационарный режим.

2. 3. 5. Характерное время и скорость записи голограмм.

2. 3. 6. Эффект насыщения ловушек.

2. 4. электрооптический эффект в кристалле L1NBO3.

2.5. Фотогальванический эффект.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Селективные свойства объемных голограмм, записанных в фоторефрактивных кристаллах»

Актуальность темы.

Высокая селективность объемных голограмм находит широкий круг практических применений. Прежде всего, это системы топографической памяти и использование голографических элементов в волоконно-оптических системах связи.

Не смотря на то, что концепция топографической памяти, позволяющей запись и хранение огромного количества информации, была предложена более тридцати лет назад [1-3], такие системы по сей день остаются лишь предметом лабораторных исследований или единичных коммерческих продуктов. Однако, современные компьютерные приложения требуют все большего объема памяти и меньшего времени доступа к необходимой информации, где основные преимущества голографических систем, а именно огромная емкость и параллельный доступ, позволяют решить целый ряд проблем [4-5]. Поэтому, более глубокое исследование факторов, определяющих селективность объемных голограмм, и новых методов мультиплексирования (записи большого числа голограмм в одном и том же объеме светочувствительного материала ) является актуальной задачей.

Другая область практического применения высокой селективности объемных голограмм - это узкополосные оптические фильтры [6]. Такие топографические фильтры могут использоваться в спектроскопии, в системах формирования изображений и в источниках когерентного света. Наиболее перспективным направлением является спектральное уплотнение в волоконно-оптических системах передачи информации (WDM) [7]. Спектральное уплотнение позволяет наиболее полно использовать пропускную способность оптического волокна, что особенно важно в свете постоянного роста объема передаваемых данных. Информация передается по близко расположенным спектральным каналам (50 ГГц), распространяющихся по одному и тому же волокну. Причем для использования новых возможностей, которые дает WDM, необходимо минимизировать количество преобразований оптического сигнала в электронный вид. Оптические фильтры, позволяющие селектировать спектральные каналы, стали неотъемлемой частью современных волоконных систем связи. А исследование и разработка новых технологий по созданию управляемых оптических фильтров для переключения спектральных каналов одна из приоритетных задач в этой бурно развивающейся области современной оптики. Управление условиями дифракции на объемных голограммах, записанных в фоторефрактивных кристаллах, одно из возможных решений данной проблемы.

Кроме того, исследование управления условиями дифракции и влияние внешних условий записи на селективные свойства объемных голограмм представляет и чисто научный интерес с точки зрения задачи дифракции света на неоднородностях показателя преломления и процессов записи голограмм в фоторефрактивных кристаллах.

В данной работе основное внимание уделяется экспериментальному и теоретическому исследованию электрического управления условиями дифракции на объемных голограммах, записанных в фоторефрактивных кристаллах. Первые работы посвященные электрически управляемой дифракции были опубликованы в 1977 - 79 гг [810]. Тогда было продемонстрировано электрическое мультиплексирование шести голограмм в кристалле LiNb03 (ниобата лития), каждая голограмма записывалась при определенной величине внешнего электрического поля, а прикладывая соответствующее электрическое поле при считывании можно было восстановить необходимую голограмму. В настоящее время интерес к данному методу снова возрос, что связано с существенным расширением области практических применений объемных голограмм. Возможность использования метода электрического управления условиями дифракции и электрического мультиплексирования объемных голограмм в системах голографической памяти, а также для создания управляемых узкополосных оптических фильтров обуславливает реобходимоть более глубокого изучения данного эффекта. Исходя из выше сказанного цель настоящей работы ьожет быть сформулирована следующим образом.

Цель работы:

• Исследование процессов дифракции на объемных голограммах, записанных в фоторефрактивных кристаллах, в условиях, когда к кристаллу приложено внешнее электрическое поле.

• Изучение механизма управления условиями дифракции при помощи внешнего электрического поля. Сравнение влияния изменения электрического поля с влиянием других внешних условий записи, а именно длины волны света и угла между записывающими лучами.

• Поиск оптимальной геометрии голографической записи и ориентации фоторефрактивного кристалла для наиболее эффективного электрического управления условиями дифракции.

• Изучение факторов влияющих на селективные свойства объемных голограмм, записанных в фоторефрактивных кристаллах.

• Выявление причин нестабильности электрически управляемых голограмм и методов борьбы с временным дрейфом управляющего электрического поля.

Научная новизна

В диссертационной работе впервые:

• Проведен детальный теоретический анализ электрического управления условиями дифракции на объемных голограммах, записанных в фоторефрактивных кристаллах. Показано, что селективность голограмм к изменению внешнего электрического поля определяется теми же параметрами, что и спектральная селективность (селективность к изменению длины волны света).

• Разработана методика определения оптимальной, с точки зрения наибольшей электрической селективности, ориентации фоторефрактивного кристалла, с учетом его двулучепреломления и электрооптических свойств. В оптимальной геометрии для кристалла LiNb03 было экспериментально продемонстрировано электрическое мультиплексирование 17 голограмм, что является максимальным числом голограмм, мультиплексируемых при помощи данного метода, когда либо упоминаемым в литературе.

• Экспериментально показана возможность создания электрически перестраиваемого узкополосного оптического фильтра, используя метод электрического управления условиями дифракции.

• Обнаружен эффект временного дрейфа величины прикладываемого внешнего электрического поля, обеспечивающего максимальную дифракционную эффективность (точное выполнение условий Брэгга). Предложена теоретическая модель качественно описывающая данный эффект.

• Исследованы факторы ограничивающие электрическую селективность, такие как, неоднородность внешнего электрического поля, неоднородность засветки и некогерентность считывающего света.

Практическая ценность

Работы состоит в том, что в ней найдена оптимальная ориентация кристалла LiNbOj для электрического мультиплексирования объемных голограмм, экспериментально продемонстрирована возможность создания электрически перестраиваемого оптического фильтра с полосой пропускания <0.1 нм и диапазоном перестройки 2 нм; оценен уровень перекрестных помех, вызванных некогерентностью считывающего света при электрическом и спектральном мультиплексировании объемных голограмм; сформулированы требования к когерентности источника считывающего света. 7

Положения выносимые на защиту

1. Изменение величины внешнего электрического поля эквивалентно, с точки зрения селективных свойств объемных голограмм, изменению длины волны света, а электрическая селективность определяется теми же параметрами, что и спектральная селективность.

2. Оптимальная ориентация фоторефрактивных кристаллов, обеспечивающая наиболее эффективное электрическое управление, в общем случае отличается от традиционной ориентации для голографической записи, дающей максимальную дифракционную эффективность. Поэтому необходимо выбирать некоторую компромиссную геометрию, которая зависит от электрооптических свойств использующегося кристалла и конкретных практических применений.

3. В кристалле ниобата лития под действием фотовольтаического эффекта в процессе записи возникает однородное электрическое поле, которое изменяет условия дифракции. Влияние этого эффекта может быть минимизировано путем уменьшения интенсивности записывающего света и снижения контраста записываемой интерференционной картины.

4. При оценке селективности объемных голограмм к изменению внешнего электрического поля и максимального числа электрически мультиплексируемых голограмм необходимо учитывать неоднородность электрического поля внутри кристалла и некогерентность (немонохроматичность) считывающего света.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Шамрай, Александр Валерьевич

Основные результаты исследований опубликованы в работах:

1. Petrov MP., Shamray А. V., Petrov V.M. Spectral and Electric Field Multiplexing of Volume Holograms and the potential of these techniques for Holographic Memory// Optical Memory & Neural Networks. 1998. Vol. 7, N 1. P. 19-35.

2. Shamray A.V., Petrov V.M., Petrov M.P. Electric field multiplexing in volume LiNb03 holograms //Proc.SPIE. 1998. Vol. 3347. P. 75-83.

3. Петров М П., Шамрай A.B., Петров В.М. Электрически управляемая дифракция на объемных голограммах в LiNb03 //ФТТ. 1998. Т. 40, № 6. С. 1038-1041.

4. Petrov М.Р., Shamray A.V., Petrov V.M., Mondragon J. S. Electric field selectivity of reflection volume holograms in LiNb03//Opt. Commun. 1998.Vol. 153. P. 305-308.

5. Шамрай A.B., Петров М П., Петров В.М. Перекрестные помехи, вызванные некогерентностью считывающего света при спектральном мультиплексировании объемных голограмм // ЖТФ. 1999. Т. 69, № 9. С. 110-114.

6. Chamrai A.V., Petrov М.Р., Petrov V.M. Optimal configuration of electric field multiplexing of volume holograms in photorefractive ferroelectrics// TOPS. 1999. Volume XXVII, Advances in Photorefractive Materials, Effects and Devices, P. 515-519.

7. Petrov V.M., Denz C., Shamray A.V., Petrov M.P., Tschudi T. Electric field selectivity and multiplexing of volume holograms in LiNb03// Appl. Phys. B. 2000. Vol. 71. P. 43-46

8. Petrov V.M., Denz С, Chamray A.V., Petrov MP., Tschudi T. The effect of a photovoltaic field on the Bragg condition for volume holograms in Li№>03// Appl. Phys.B. 2001. Vol.72 P. 701-705.

9. Petrov V.M., Denz C., Tschudi Т., Chamrai A.V., Petrov M P. Effect of a photovoltaic field on the Bragg condition in LiNb03// TOPS. 2001. Volume 62, Advances in Photorefractive Materials, Effects and Devices, P. 464 - 469.

10. Petrov V.M., Denz C., Shamray A.V., Petrov M.P., Tschudi T. Electrically controlled • volume LiNb03 holograms for wavelength demultiplexing system// Opt. Mater. 2001. Vol. 18. P. 191-194

11. Petrov M P., Petrov V.M., Chamrai A.V., Denz С, Tschudi T. Electrically controlled holographic optical filter // Proc. 27th Eur. Conf. on Opt. Comm. (ECOC'Ol - Amsterdam), Th.F.3.4, P. 628-629

Заключение.

Сформулируем основные результаты работы:

1. Разработана детальная теория электрического управления условиями дифракции на объемных голограммах, записанных в фоторефрактивных кристаллах, с учетом анизотропии кристалла и симметрии тензора электрооптических коэффициентов. Рассмотрена зависимость параметра расстройки Брэгга (%) от взаимной ориентации кристаллографических осей, волнового вектора голограммы и прикладываемого внешнего электрического поля.

2. Определена оптимальная конфигурация для экспериментальной демонстрации электрического мультиплексирования объемных голограмм в кристалле УМЮз- Ей соответствует: геометрия записи отражательных голограмм; поперечный электрооптический эффект (внешнее электрическое поле перпендикулярно направлению распространения света); и ориентация кристалла при которой оптическая ось "с" направлена под углом 30 -г- 40 deg к прикладываемому электрическому полю.

3. Экспериментальная демонстрация электрического мультиплексирования 17 голограмм и узкополосного перестраиваемого оптического фильтра показала эффективность метода электрического управления условиями дифракции и перспективность его практических применений.

4. Обнаружен эффект изменения условий Брэгга под действием однородного фотогальванического поля, возникающего в кристалле в процессе записи. Для точного выполнения условий Брэгга необходимо в процессе считывания прикладывать к кристаллу дополнительное внешнее электрическое поле, не смотря на то, что запись осуществлялась без приложения внешнего поля. Разность значений внешнего электрического поля при записи и эффективном считывании может составлять единицы киловольт на сантиметр.

5. Предложена теоретическая модель, качественно описывающая данный сдвиг электрического поля. Кристалл рассматривается как генератор фотогальванического тока, нагруженный на эффективное сопротивление. Предполагается, что в качестве эффективного сопротивления выступает поверхностное сопротивление образца. В приближении, когда эффективное нагрузочное сопротивление гораздо меньше внутреннего сопротивления образца (связанного с фотопроводимостью) модель качественно описывает поведение сдвига электрического поля. Наблюдается зависимость от средней интенсивности записывающего света и контраста интерференционной картины.

6. Рассмотрены факторы, ограничивающие электрическую селективность объемных голограмм и увеличивающие уровень перекрестных помех при спектральном и электрическом мультиплексировании. Показано, что основными источниками перекрестных помех являются, поляризация записывающего и считывающего света отличающаяся от поляризации одной из собственных мод, неоднородность электрического поля внутри кристалла, и немонохроматичность считывающего света.

Перечисленные результаты отражают личный вклад автора.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шамрай, Александр Валерьевич, 2002 год

1. VanHeerden P. J. Theory of optical information storage in solids //Appl. Opt. 1963. Vol. 2, N 2. P. 393-400.

2. Leith E. N., Kozma A., Upatneiks J., Marks J., Massey N. Holographic data storage in three-dimensional media// Appl. Opt. 1966. Vol. 5,N7.P. 1303-1311.

3. Ramberg E.G. Holographic information storage //RCA Review 1972. Vol. 33, N 1. P. 5-53.

4. Акаев А. А., Гуревич С. Б., Жумалиев К. М. Голографические системы хранения и выборки информации. Бишкек, СПб.: Илим, 2000. 408 с.

5. Coufal H.J., Psaltis D., Sincerbox G.T. Holographic Data Storage. Heidelberg: Springer Verlag, 2000. 486 p.

6. Rakuljic G. A., Leyva V. Volume holographic narrow-band optical filter //Opt. Lett. 1993. Vol. 18, N6. P. 459-461.

7. Agrawal G. P. Fiber-Optic Communication Systems, 3rd Edition. N. Y. John Wiley & Sons, 2002. 576 p.

8. Степанов С. И., Камшшшн А. А., Петров М. П. Электрически управляемая дифракция света на объемных голограммах в электрооптических кристаллах //Письма в ЖТФ. 1977. Т. 3,№ 2. С. 89-93.

9. Petrov М. P., Stepanov S. I., Kamshilin A. A. Light diffraction in photorefractive ferroelectrics //Ferroelectrics. 1978. Vol. 21. P. 631-633.

10. Petrov M. P., Stepanov S. I., Kamshilin A. A. Light diffraction from the volume holograms in electrooptic birefringent crystals //Opt. Commun. 1979. Vol. 29., N 1. P. 44-48.

11. Кольер P., Беркхарт К., Лин JI. Оптическая голография. М.: Мир, 1973. 686 с.

12. Hendow S. Т. Crystal Bragg gratings stabilize laser sources // Laser Focus World. 1996. N II P. S19-S24.

13. Gabor D. A new microscopic principle //Nature. 1948. Vol. 161, N 4098. P. 777-778.

14. Leith E. N., Upatniecs J. Reconstructed wavefronts and communication theory //J. Opt. Soc. of Amer. 1962. Vol. 52, N 10. P. 1123-1130.

15. Klein W. R. Theoretical efficiency of Bragg devices // Proc. IEEE. 1966. Vol. 54, N 5. P. 803-804.

16. Денисюк Ю. H. Об отображении оптических свойств объекта в волновом поле рассеянного им излучения //Докл. АН СССР. 1962. Т. 144, № 6. С. 1275-1278.

17. Денисюк Ю. Н. Об отображении оптических свойств объекта в волновом поле рассеянного им излучения //Оптика и спектроскопия. 1963. Т. 15, № 4. С. 522-532.

18. Kogelnik H. Coupled wave theory for thick hologram gratings //Bell Syst. Techn. J. 1969. Vol. 48, N 9. P. 2909-2947.

19. Ярив А., ЮхП. Оптические волны в кристаллах. М.: Мир, 1987. 616 с.

20. Пенчева Т. Г., Петров М. П., Степанов С. И. Дифракционная эффективность анизотропных голограмм в LiNbO? //Автометрия. 1980. № I. С. 122-126.

21. Hesselink L., Bashaw М. С. Optical memories implemented with photorefractive media //Opt. Quantum Electron. 1993. Vol. 25. P. S611-S661.

22. Hong J. H., McMichael I., Chang T. Y., Christian W., Paek E. G. Volume holographic memory systems, techniques and architectures // Opt. Eng. 1995. Vol. 34, N 8. P. 2193-2203.

23. Burke W. J., Sheng P. Crosstalk noise from multiple thick-phase holograms // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48, N2. P. 681-685.

24. Mok F. H. Angle-multiplexed storage of 5000 holograms in lithium niobate // Opt. Lett. 1993 . Vol. 18, N 11. P. 915-917.

25. Rakuljic G. A., Leyva V., Yariv A. Optical data storage by using orthogonal wavelength-multiplexed volume holograms // Opt. Lett. 1992. Vol. 17, N 20. P. 1471-1473.

26. Curtis K., Gu СPsaltis D. Cross talk in wavelength-multiplexed holographic memories // Opt. Lett. 1993. Vol. 18, N 12. P. 1001-1003.

27. Kume Т., Nonaka K., Yamamoto M. Wavelength-multiplexed holographic recording in cerium doped strontium barium niobate by using tunable laser diode // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Vol. 35, N IB. P. 448-453.

28. Krasnov A. E. Thick-film phase holograms recorded by means of coded reference waves //Sov. J. Quantum Electron. 1977. Vol. 7. P. 1147-1148.

29. Denz C., Pauliat G., Roosen G., Tschudi T. Volume hologram multiplexing using a deterministic phase encoding technique // Opt. Commun. 1991. Vol. 85, N 1. P. 171-176.

30. Bashaw M. C., Heanue J. F., Aharoni A., Walkup J. F., Hesselink L. Cross-talk considerations for angular and phase-encoded multiplexing in volume holography // J. Opt. Soc. Am. B. 1994. Vol. 11, N9. P. 1820-1836.

31. Lee H., Gu X. G., Psaltis D. Volume holographic interconnections with maximal capacity and minimal crosstalk //J. Appl. Phys. 1989. Vol. 65, N 5. P. 2191-2194.

32. Li H. Y., Psaltis D. Three-dimensional holographic disks // Appl. Opt. 1994. Vol. 33. N 17. P. 3764-3774.

33. Gu C., Hong J., McMichael I., Saxena R., Mok F. Cross-talk-limited storage capacity of volume holographic memory HI. Opt. Soc. Am. A. 1992. Vol. 9, N 11. P. 1978-1983.

34. Yariv A. Interpage and interpixel cross talk in orthogonal (wavelength-multiplexed) holograms // Opt. Lett. 1993. Vol. 18, N 8. P. 652-654.

35. Вест Ч. Голографическая интерферометрия. М.: Мир, 1982. 504 с.

36. Островский Ю. И., Бутусов М. М., Островская Г. В. Голографическая интерферометрия. М.: Наука, 1977. 336 с.

37. Петров М. П., Степанов С. И., Хоменко А. В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной опггике. СПб.: Наука, 1992. 318 с.

38. Giinter P., Huignard J. P. Photorefractive materials and their applications. I. Fundamental phenomena. Heidelberg: Springer Verlag, 1988. V. 61. 314 p.

39. Giinter P., Huignard J. P. Photorefractive materials and their applications. I. Applications. Heidelberg: Springer Verlag, 1989. V. 62. 278 p.

40. Gunter P. Nonlinear optical effects and materials. Heidelberg: Springer Verlag, 2000. 540 p.

41. Ashkin A., Boyd G. D., Dziedzic J. M., Smith R. G., Ballman A. A., Levinstein J. J., Nassau K. Optically induced refractive index inhomogeneities in LiNb03 and LiTa03 //Appl. Phys. Lett. 1966. Vol. 9, N 1. P. 72-74.

42. Chen F. S., LaMacchia J Т., Frazer D. B. Holographic storage in lithium niobate //Appl Phys. Lett. 1968. Vol. 13, N5. P. 223-224.

43. Townsend R. L., LaMacchia J. T. Optically induced refractive index changes in ВаТЮз //J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41, N 13. P. 5188-5192.

44. Feinberg J., Heiman D., Taaguay A. R, Hellwarth R. W. Photorefractive effects and light-induced charge migration in barium titanate //J. Appl. Phys. 1980. Vol. 51, N 3. P. 12971305.

45. Thaxter J. В., Kestigian M. Unique properties of SBN and their use in layered optical memory // Appl. Opt. 1974. Vol. 13, N 4. P. 913-924.

46. Воронов В. В., Гуланян Э. X., Дорош И. Р. и др. Фотоэлектрические и фоторефрактивные свойства кристаллов ниобата бария-стронция, легированных церием //Квантовая электрон. 1979. Т. 6, № 9. С. 1993-1999.

47. Ma J., Chang Т., Hong J., Neurgaonkar R., Barbastathis G., Psaltis D. Electrical fixing of 1000 angle-multiplexed holograms in SBN: 75 // Opt. Lett. 1997. Vol. 22, N 14. P. 11161118.

48. Bernal M-P., Burr G. W., Coufal H, Giygier R. K., HofFnagle J. A., Jefferson С. M., Macfarlane R. M., Shelby R. M., Sincebox G. Т., Wittmann G. Holographic-data-storage materials // MRS Bulletin. 1996. N 6. P. 51-60.

49. Kewitsch A., Segev M., Yariv A., Neurgaonkar R. R. Electric-field multiplexing/demultiplexing of volume holograms in photorefractive media //Opt. Lett. 1993. Vol. 18,N7. P. 534-536.

50. Alvarez-Bravo J. V., Muller R., Arizmendi L. Electric field multiplexing of volume holograms in LiNbCh //Europhys. Lett. 1995. Vol. 31. P. 443-448.

51. Balberg M., Razvag M., Refaeli E., Agranat A. J. Electric-field multiplexing of volume holograms in paraelectric crystals //Appl. Opt. 1998. Vol. 37, N 5. P. 841-847.

52. Amodei J. J., Staebler D. L. Holographic pattern fixing in electro-optic crystals //Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18, N 12. P. 540-542.

53. Amodei J. J., Philips W., Staebler D. L. Improved electrooptic materials and fixing techniques for holographic recording //Appl. Opt. 1972. Vol. 11, N 2. P. 390-396.

54. Куликов В. В., Степанов С. И. Механизмы голографической записи и термического фиксирования в фоторефрактивном LiNbOj: Fe //ФТТ. 1979. Т. 21, № 11. С. 3204-3208.

55. Куликов В. В., Петров М. П., Степанов С. И. Механизмы старения объемных голограмм в LiNb03 //Автометрия. 1980. № 1. С. 39-45.

56. Бобринев В. И., Васильева 3. Г., Гуланян Э. X., Микаэлян А. Л. Многократная перезапись и фиксирование голограмм в кристаллах ниобата лития, легированных железом //Письма в ЖЭТФ. 1973. Т. 18, № 4. С. 267-269.

57. Kenan R. P., Verber С. М., Wood Е. Wide-angle electrooptic switch //Appl Phys. Lett 1974. Vol. 24, N 9. P. 428-430.

58. De-Vre R., Jeganathan M., Wilde J. P., Hesselink L. Effect of applied electric fields on the Bragg condition and the diffraction efficiency in photorefractive crystals //Opt. Lett. 1994. Vol. 19, N 12. P. 910-912.

59. De-Vre R., Jeganathan M., Wilde J. P., Hesselink L. Effect of applied electric fields on the writing and the readout of photorefractive gratings //J. Opt. Soc. Am. B. 1995. Vol. 12, N 4. P. 600-614.

60. IBM Holographic Optical Storage Team. Holographic storage delivers high data density //Laser Focus World. 2000. N 12. P. 123-127.

61. Petrov M. P., Shamray A. V., Petrov V. M., Spectral and electric field multiplexing of volume holograms and the potential of these techniques for holographic memory //Optical Memory & Neural Networks. 1998. Vol. 7, N 1. P. 19-35.

62. Petrov M. P., Petrov V. M., A.V. Chamrai A. V., Denz C., Tschudi T. Electrically controlled holographic optical filter //Proc. 27th Eur. Conf. on Opt. Comm. (ECOC'Ol Amsterdam), 2001. P. 628-629.

63. Звелто О. Принципы лазеров. М. Мир, 1990. 560 с.

64. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М. . Наука, 1970. 856 с.

65. DosSantos P. A., Cescato L., Frejloch J. Interference-term real-time measurement for self-stabilized two-wave mixing in photorefractive crystals // Opt. Lett. 1988. Vol. 13, N 11. P. 1014-1016.

66. Garcia P. M., Buse K., Kip D., Frejlich J. Self-stabilized holographic recording in LiNbO^Fe crystals//Opt. Commun. 1995. Vol. 117. P. 235-240.

67. Breer S., Buse K., Peithmann K., Vogt H., Kratzig E. Stabilized recording and thermal fixing of holograms in photorefractive lithium niobate crystals //Rev. Sci. Instr. 1998. Vol. 69, N 4. P. 1591-1594.

68. Linde D. von der, Glass A. M. Photorefractive effects for reversible holographic storage of information//Appl. Phys. 1975. Vol. 8, N 2. P. 85-100.

69. Linde D. von der, Glass A. M., Rodgers K. F. Multiphoton photorefractive processes for optical storage in LiNb03 //Appl. Phys. Lett. 1974. Vol. 25, N 3. P. 155-157.

70. Linde D. von der, Glass A. ML, Rodgers K. F. Optical storage using refractive index changes induced by two-step excitation //J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, N 1. P. 217-220.

71. Buse K, Jermann F., Kratzig Е. Two-step photorefractive hologram recording in LiNb03 Fe //Ferroelectrics. 1993. Vol. 141. P. 197-200.

72. Buse K., Jermann F., Kratzig Е. Infrared holographic recording in LiNb03:Fe and LiNb03 //Opt. Mater. 1995. Vol. 4, N 2-3. P. 237-240.

73. Petrov M. P., Stepanov S. I., Kamshilin A. A. Holographic storage of information and peculiarities of light diffraction in birefringent electro-optic crystals //Opt. and Laser Techn. 1979, N6. P. 149-151.

74. Камшилин А. А., Петров M. П., Степанов С. И. Нелинейная обработка изображений в объемных голографических средах //Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5, № 6. С. 374-377.

75. Sayano К., Zhao F., Hendow S. Т., Kukhtarev N. V. High efficiency, long lifetime volume holographic gratings in LiNb03 //post-deadline paper at CLEO'96. June 2-7 1996. Anaheim. CA. USA.

76. Кузьминов Ю. С. Ниобат и танталат лития: Материалы для нелинейной оптики. М.: Наука, 1975. 224 с.

77. Lenzo P. V., Spencer Е. G., Nassau К. Electro-optic coefficients in single-domain ferroelectric lithium niobate //J. Opt. Soc. Amer. 1966. Vol. 56, N 5. P. 633-636.

78. Пашков В. А., Соловева H. M., Уюкин Е. М. Фото- и темновая проводимость в кристаллах ниобата лития //ФТТ. 1979. Т. 21, № 6. С. 1879-1882.

79. Ohmori Y., Yasojima Y., Inuishi Y. Photoconduction, thermally stimulated luminescence and optical damage in single crystal of LiNb03 //Jap. J. Appl. Phys. 1975. Vol. 14, N 9. P. 1291-1300.

80. Kratzig E., Kurz H. Photorefractive and photovoltaic effects in doped LiNb03 //Opt. Acta. 1977. Vol. 24. P. 475-482.

81. Staebler D. L., Burke W. J., Phillips W., Amodei J. J. Multiple store and erasure of fixed holograms in Fe-doped LiNb03 //Appl. Phys. Lett. 1975. Vol. 26, N 4. P. 182-184.

82. Стурман Б. И., Фридкин В. М. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. М.: Наука, 1992. 208 с.

83. Микаэлян А. К., Гуланян Э. X., Дмитриева Е. И., Дорош И. Р. Отражательные голограммы в кристаллах LiNbOj //Квантовая электрон. 1978. Т. 5, № 2. С. 440-442.

84. Гуланян Э. X., Дорош И. Р., Жмурко А. И. Исследование механизма записи отражательных голограмм в сегнетоэлектрических кристаллах// Вопр. радиоэлектрон. Сер. общетехн. 1979. № 8. С. 95-105.

85. Amodei J. J., Staebler D. L. Holographic recording in lithium niobate //RCA Rev. 1972. Vol. 33, N 1. P. 71-93.

86. Staebler D. L., Phillips W. Fe-doped LiNb03 for read-write applications //Appl. Opt. 1974. Vol. 13, N4. P. 788-794.

87. Amodei J. J. Electron diffusion effects during hologram recording in crystals // Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18, N 1. P. 22-24.

88. Kukhtarev N. V., Markov V. В., Odulov S. G, Soskin M. S., Vinetskii V. I. Holographic storage in electrooptic crystals //Ferroelectrics. 1979. Vol. 22. P. 949-960.

89. Рывкин С. M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963. 496 с.

90. Батыгин В. В., Топтыгин И. Н. Сборник задач по электродинамике. М.: Наука, 1970. 286 с.

91. Buse К. Light-induced charge transport processes in photorefractive crystals .1. Models and experimental methods //Appl. Phys. B. 1997. Vol. 64, N 3. P. 273-291.

92. Buse K. Light-induced charge transport processes in photorefractive crystals .1. Materials //Appl. Phys. B. 1997. Vol. 64, N 4. P. 391-407.

93. Белиничер В. И., Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии//УФН. 1980. Т. 130, 3. С. 415-458.

94. Glass A. M., Linde D. von der, Auston D. H, Hegrant T. J. Excited state polarization, bulk photovoltaic effect and photorefractive effect in electrically polarized media //J. of Electron. Mater. 1975. Vol. 4, N 5. P. 915-943.

95. Peithmann K., Wiebrock A., Buse K. Photorefractive properties of highly-doped lithium niobate crystals in the visible and near-infrared //Appl. Phys. B. 1999. Vol. 68, N 5. P. 777784.

96. Одулов С. Г., Олейник О. И., Соскин М.С. Оптическая нелинейность чистых кристаллов ниобата лития и голографическая запись при низких температурах// Письма в ЖЭТФ. 1981. Т. 34, № 7. С. 403-406.

97. Фридкин В. М., Попов Б. И. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках //УФН. 1978. Т. 126, №4. С. 657-671.

98. Simon М., Wevering S., Buse К., Kratzig Е. The bulk photovoltaic effect of photorefractive LiNb03:Fe crystals at highlight intensities III of Physics D. 1997. Vol. 30, N 1. P. 144-149.

99. Peithmann K., Wiebrock A., Buse K., Kratzig E. Low-spatial-frequency refractive-index changes in iron-doped lithium niobate crystals upon illumination with a focused continuous-wave laser beam //J. Opt. Soc. Am. B. 2000. Vol. 17, N 4. P.586-592.

100. Matull R, Rupp R. A. Microphotometric investigation of fixed holograms 111. Phys. D. Appl. Phys. 1988. Vol. 21. P. 1556-1565.

101. Buse K., Beer S., Peithmann K., Kapphan S., Gao M., Kratzig E. Origin of thermal fixing in photorefractive lithium niobate crystals IIPhys. Rev. B. 1997. Vol. 56, N 3. P. 1225-1235.

102. Magnussen R., Gaylord Т. K. Laser scattering induced holograms in lithium niobate //Appl. Opt. 1974. Vol. 13, N7. P. 1545-1548.

103. Хатьков H. Д., Шандаров С. M. Анизотропия записи шумовых голограмм в фоторефрактивномкристалле LiNb03:Fe//Автометрия. 1983. №2. С. 61-65.

104. Grousson R., Mallick S., Odulov S. G. Amplified backward scattering in LiNb03:Fe //Opt. Commun. 1984. Vol. 51, N 5. P. 342-346.

105. Banerjee P. P., Misra R. M. Dependence of photorefractive beam fanning on beam parameters //Opt. Commun. 1993. Vol 100. P. 166-172.

106. Okamura H. Theory of photorefractive grating formation in the presence of the bulk photovoltaic effect//Jpn. J. Appl. Phys. 1. 2000. Vol. 39,N9A. P. 5105-5110.

107. Gu C., Hong J., Li H. Y., Psaltis D., Yeh P. Dynamic of grating formation in photovoltaic media//J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69, N 3. P. 1167-1172.

108. Kukhtarev N. V., Lyuksyutov S. F., Buchhave P., Kukhtareva Т., Sayano K., Banerjee P. P. Self-enhancement of dynamic gratings in photogalvanic crystals IIPhys. Rev. A. 1998. Vol. 58, N5. P. 4051-4055.134

109. Корзинин Ю. JI., Суханов В. И. Дифракция света на трехмерных голограммах со сплошным спектром пространственных частот. Система уравнений связанных волн //Опт. и Спектр. 1984. Т. 56, № 4. С. 763-767.

110. Корзинин Ю. Л., Суханов В. И. Дифракция света на трехмерных голограммах со сплошным спектром пространственных частот //Опт. и Спектр. 1984. Т. 56, № 5. С. 935-939.

111. Heanue J. F., Bashaw M. С., Hesselink L. Sparse selection of reference beams for wavelength- and angular-multiplexed volume holography //J. Opt. Soc. Am. A. 1995. Vol. 12, N8. P. 1671-1676.