Кинетические и размерные эффекты с переносом заряда в лабильных ионных кристаллах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор физико-математических наук Ханефт, Александр Вилливич

• Ханефт, Александр Вилливич
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Ханефт, Александр Вилливич

Введение.

Глава 1. Кинетические и размерные эффекты при образовании дефектов Френкеля в ионных кристаллах.

1.1. Влияние разупорядочения поверхности на образование дефектов Френкеля в ионном кристалле.

1.2. Влияние размеров микрокристаллов бромида серебра на ионную проводимость и поверхностный потенциал.24.

1.3. Влияние температуры и размеров кристаллов на ионный эффект Дембера в бромиде серебра.

Глава 2. Термодинамика и кинетика образования дефектов Шоттки в ионных кристаллах с двухвалентным катионом.

2.1. Термодинамический расчет концентрации дефектов Шоттки в ионных кристаллах с двухвалентным катионом.

2.2. Кинетика образования дефектов Шоттки в ионных кристаллах с двухвалентным катионом.

2.3. Ионная проводимость азида свинца.

Глава 3. Объемно-зарядовая поляризация заряженных частиц в кристаллах во внешнем электрическом поле.

3.1. Кинетика поляризации и эффект термогенерации дефектов Френкеля в бесконтактном электрическом поле.

3.2. Влияние термогенерации дефектов Френкеля на джоулев разогрев ионного кристалла.

3.3. Кинетика поляризации и деполяризации заряженных примесных дефектов в диэлектрике.

3.4. Эффект опустошения акцепторных уровней в полупроводнике р-типа проводимости в бесконтактном электрическом поле.

Глава 4. Влияние собственных дефектов и примесных катионов на положение уровня Ферми в ионных кристаллах.

4.1. Зависимость положения уровня Ферми от размеров кристаллов в галогенидах серебра.

4.2. Влияние собственных дефектов и примесных катионов на положение уровня Ферми в азиде свинца.

4.2.1. Влияние собственных дефектов и примесных катионов серебра на положение уровня Ферми в азиде свинца.

4.2.2. Влияние собственных дефектов и примесных катионов меди на положение уровня Ферми в азиде свинца.

Глава 5. Гетерогенно-электронный механизм термического разложения азида свинца.

5.1. Кинетика и механизм разложения азида свинца в первом максимуме скорости термораспада.

5.2. Топохимическая модель автокаталитического разложения азида свинца в периоде ускорения.

5.3. Оценка нормальной составляющей скорости роста ядер свинца при термическом разложении азида свинца.

Глава 6. Тепловой взрыв и критерии зажигания конденсированных веществ электронным и лазерным импульсами.

6.1. Термическое разложение и тепловой взрыв азида свинца.

6.2. Критерий зажигания конденсированных веществ электронным импульсом.

6.3. Влияние параметров короткого лазерного импульса на условие зажигания конденсированных веществ.

Глава 7. Импульсные электронные процессы в энергетических широкозонных ионных кристаллах.

7.1. Гетерогенно-цепной механизм инициирования азида свинца лазерным импульсом.

7.1.1. Анализ гетерогенно-цепного механизма инициирования азида свинца лазерным импульсом.

7.1.2. Результаты численного расчета и их обсуждение.

7.2. Электрический пробой монокристаллов перхлората аммония.

7.2.1. Влияние межэлектродного расстояния на электрический пробой монокристаллов перхлората аммония.

7.2.2. Влияние длительности переднего фронта импульса напряжения на электрический пробой перхлората аммония.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетические и размерные эффекты с переносом заряда в лабильных ионных кристаллах»

Актуальность проблемы. Основной задачей современного материаловедения и, в частности, его теоретической основы - химии твердого тела - является создание материалов с регулируемыми свойствами. Экспериментальные исследования кинетики разложения, инициирования, электрофизических, оптических и других свойств целого ряда лабильных ионных кристаллов применительно к задачам стабильности технических составов на их основе, записи информации и физики взрывчатых веществ показали, что эти процессы связаны с возбуждением электронной подсистемы кристалла, с образованием точечных дефектов в ионной подсистеме - дефектов Френкеля и Шоттки [1-9].

Для направленного регулирования электрофизических, оптических характеристик и реакционной способности кристаллов с преимущественно ионной долей химической связи необходимо выяснить физику влияния оптического излучения, радиации и электрического поля, как при стационарном, так и импульсном воздействии их на электронную и ионную подсистемы кристалла. Особенно здесь информативны эксперименты, в которых возникают кинетические и размерные эффекты, эксперименты, проведенные в неравновесных условиях, а также эксперименты, в которых определяются критические характеристики кристалла, например порог инициирования и электрическая прочность. Интерес к подобным явлениям обусловлен, во-первых, тем, что при наличии размерных эффектов и существенно неравновесных условий удается определять параметры электронной и ионной подсистем кристалла и механизм их взаимодействия, которые нельзя опредеделить, например, при стационарном облучении. Вторая основная причина, вызывающая повышенный интерес к данным процессам связана с прикладной стороной вопроса.

В настоящее время накоплен значительный экспериментальный материал по электрофизическим свойствам галогенидов серебра, энергетических ионных кристаллов (азиды тяжелых металлов, перхлорат аммония) [1-12]. Изучена кинетика разложения азидов тяжелых металлов при воздействии тепла, света и радиации. Выполнен огромный цикл работ по изучению электрофизики азидов тяжелых металлов. Имеются экспериментальные данные по влиянию примесных катионов на проводимость азидов тяжелых металлов, на скорости термического, фото - и радиационного разложения. Обнаружены интересные явления, такие как низкопороговое инициирование азидов при воздействии наносекундных лазерных и электронных импульсов, разложение в бесконтактном, сравнительно слабом электрическом поле [8,9,12]. Однако анализ данной литературы показывает, что нет должного объяснения влияния размеров эмульсионных микрокристаллов на ионную проводимость бромида серебра. Нет единого взгляда на общность и различие механизмов медленного разложения и низкопорогового инициирования азидов тяжелых металлов. Хотя визуально видно, что разложение азидов тяжелых металлов начинается с поверхности, например термическое и электрополевое, рассмотренные в литературе механизмы являются гомогенными. Нет единого мнения в литературе и о механизме инициирования азидов тяжелых металлов при их облучении нано-секундными лазерными импульсами в области прозрачности кристаллов. Не обсуждается даже как, каким образом при поглощении квантов света с энергией ~ 1эВ, в азидах тяжелых металлов с оптической шириной запрещенной зоны ~ 3,5 эВ генерируются дырки, которые необходимы для запуска взрывной реакции. Все это весьма важно для решения проблемы стабильности и направленного регулирования рабочих характеристик, как чистых энергетических материалов, так и технических составов на их основе. Все это говорит о том, что тема работы является актуальной.

Решение выше перечисленных проблем позволит понять и направленно регулировать чувствительность лабильных кристаллов с преимущественно ионной долей связи к внешним энергетическим воздействиям.

Цель работы - заключалась в том, чтобы, используя комплексно набор экспериментальных данных по кинетическим и размерным эффектам, возникающим в типичных представителях для своих подклассов системах - бромид серебра, азид свинца, перхлорат аммония в физико-химических и электрофизических процессах, получить количественные сведения о характере ионного разупорядочения и переноса в бромиде серебра и азиде свинца, объяснить непротиворечиво с единых позиций как медленное, так и взрывное разложение азида свинца, выяснить механизм электрического пробоя перхлората аммония.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые разработаны термодинамические и кинетические самосогласованные модели образования дефектов Френкеля и Шоттки в ионных кристаллах. Показано, что при уменьшении размеров ионных кристаллов поверхностный потенциал, согласно принципу электронейтральности, изменяется таким образом, что объемный заряд возрастает, а поверхностный заряд наоборот уменьшается. Впервые получено уравнение для ионной проводимости, потенциалов на поверхности и в объеме для микрокристаллов, размеры которых меньше длины Дебая. Проведена оценка поверхностного потенциала для микрокристаллов AgBr октаэдрической, кубической и плоской форм.

2. Впервые показано, что при скачкообразном изменении температуры образца возникает ионный эффект Дембера. Знак ЭДС Дембера зависит от того, нагреваем мы образец или охлаждаем.

3. Впервые предсказано, что в бесконтактном электрическом поле в ра-зупорядоченном по Френкелю ионном кристалле вследствие разделения дефектов разного знака происходит неравновесная термогенерация дефектов Френкеля. Получены выражения для неравновесной концентрации дефектов Френкеля и энергии, выделяющейся в процессе поляризации дефектов.

4. Впервые проведен расчет зависимости уровня Ферми от размеров микрокристаллов AgBr с учетом объемного заряда и поверхностных состояний. Показано, что уровень Ферми в микрокристаллах AgBr определяется в основном поверхностными электронными состояниями.

5. Впервые получены выражения для координаты минимума изотермы относительной проводимости для двухвалентных ионных кристаллов допиро-ванных двухвалентными катионами, позволяющие оценивать подвижность и концентрации собственных дефектов. Оценены подвижности анионных и ка-тионных вакансий в азиде свинца. Впервые проведена оценка положения энергетических уровней анионных, катионных вакансий и катионов меди в запрещенной зоне азида свинца.

6. Впервые оценены минимальные размеры частиц свинца на поверхности азида свинца, приводящие к топохимическому автокатализу разложения азида свинца. Оценены нормальная и радиальная составляющие скорости плоских зародышей свинца. Впервые показано, что энергия активации скорости термораспада азида свинца в периоде ускорения отличается от энергии активации в первом максимуме на 2 A W, где A W - контактная разность потенциалов между свинцом и азидом свинца. Обнаружен компенсационный эффект: взаимосвязь между энергией активации и предэкспонентом скорости разложения азида свинца.

7. Впервые получено явное выражение для зависимости плотности тока от напряжения и температуры окружающей среды, а также критерий электротеплового пробоя диэлектриков с граничными условиями первого рода для уравнения теплопроводности. Показано, что зависимость критической температуры инициирования азида свинца от напряженности электрического поля в режиме линейного нагрева объясняется теорией теплового взрыва.

8. Впервые получены критерии зажигания конденсированных взрывчатых веществ коротким электронным импульсом и лазерным импульсом гауссовой формы по сечению пучка.

9. Впервые предложен гетерогенно-цепной механизм низкопорогового инициирования азида свинца лазерным импульсом в области прозрачности кристалла. Для короткого лазерного импульса получен критерий инициирования азида свинца. Время задержки инициирования обусловлено временем заполнения дырочных ловушек.

10. Показано, что электрический пробой перхлората аммония обусловлен ударным размножением электронов. Оценен коэффициент ударного размножения электронов.

Научные положения, защищаемые автором:

1. Размерный эффект ионной проводимости микрокристаллов бромида серебра обусловлен тем, что размеры кристаллов становятся соизмеримыми с областью объемного заряда, образованного наиболее подвижными дефектами - междоузельными катионами серебра.

2. Нестационарный, ионный эффект Дембера, возникающий при скачкообразном изменении температуры ионного кристалла.

3. Эффект неравновесной термогенерации дефектов Френкеля в ионном кристалле в бесконтактном электрическом поле, вызванный нарушением равновесия между скоростями генерации и рекомбинации дефектов.

4. Критерий электротеплового пробоя диэлектриков с граничными условиями первого рода для уравнения теплопроводности.

5. Топохимическая модель автокатализа термического разложения азида свинца и компенсационный эффект.

6. Гетерогенно-цепной механизм низкопорогового инициирования азида свинца лазерным импульсом в области прозрачности кристалла.

7. Ударный механизм электрического пробоя перхлората аммония.

Достоверность научных положений результатов и выводов достигается:

Использованием хорошо зарекомендовавшими себя алгоритмами численного расчета;

Установлением границ применимости полученных формул;

Удовлетворительным согласием расчетных кривых с существующими экспериментальными данными.

Научная и практическая значимость. Ионный эффект Дембера позволяет оценивать параметры образования и переноса собственных дефектов в ионных кристаллах. Полученные теоретические результаты по размерному эффекту проводимости ионных кристаллов позволяют оценивать поверхностный потенциал в микрокристаллах галогенидов серебра с единых позиций и могут быть использованы для направленного регулирования фоточувствительности галогенно-серебреных материалов. Эффект термогенерации дефектов Френкеля в бесконтактном электрическом поле объясняет повышение чувствительности фотоэмульсий на основе галогенидов серебра. Теоретические результаты по образованию собственных дефектов в ионных кристаллах с учетом поверхностных явлений могут быть использованы в учебном процессе. Проведенное рассмотрение механизмов термического разложения, теплового взрыва и низкопорогового инициирования закладывает основы теории и направленного регулирования термической стабильности азидов тяжелых металлов, а также их устойчивости к действию радиации, импульсных лазерных и электронных пучков и электрического поля. Результаты по топохимическому автокатализу могут быть использованы в учебном процессе.

Личный вклад автора. Физическая постановка задач, численное моделирование, получение формул и объяснение экспериментальных данных выполнены автором самостоятельно.

Апробация работы. Основные результаты и положения работы докладывались на следующих научных симпозиумах, конференциях и совещаниях: IV Всесоюзное совещание по детонации, Черноголовка, 1988; IX Всесоюзный симпозиум по горению и взрыву, Черноголовка, 1989; X Всесоюзный симпозиум по горению и взрыву, Черноголовка, 1992; XI Всесоюзное совещание по кинетике и механизму химических реакций в твердом теле, Минск, 1992; VI международная конференция: радиационные гетерогенные процессы, Кемерово, 1995; XIII international symposium on the reactivity of solids. Hamburg/Germany, 1996; XI Всесоюзный симпозиум по горению и взрыву, Черноголовка, 1996; Международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов, РФХ-9, Томск, 1996; Международная конференция: Физико-химические процессы в неорганических материалах, Кемерово, 1998; Первая международная конференция: Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, Томск, 1998; Международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов, РФХ-10, Томск, 1999; XII Всесоюзный симпозиум по горению и взрыву, Черноголовка, 2000; Вторая международная конференция: Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, Томск, 2000; 1st international congress on radiation physics, high current electronics. And modifi-catio of materials, Tomsk, 2000; 4-ая Всероссийская научная конференция «Краевые задачи и математическое моделирование», Новокузнецк. 2001 г.; Международная конференция: Физико-химические процессы в неорганических материалах, Кемерово; Третья Международная конференция: Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, Томск,

2002; V.I. Voevodsky Conference: Physics and Chemistry of Elementary Chemical Processes, 2002, Novosibirsk; VIII международная школа-семинар по люминесценции и лазерной физике, Иркутск, 2002; 5-ая Всероссийская научная конференция «Краевые задачи и математическое моделирование», Новокузнецк. 2002 г.; Международная научно-техни-ческая конференция «Тонкие пленки и слоистые структуры», г.Москва, 2002 г.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 63 работы.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 7 глав, раздела «Основные результаты и выводы» и списка литературы. Изложена на 253 стр. машинописного текста, содержит 82 рис., 2 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Ханефт, Александр Вилливич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработаны термодинамические и кинетические самосогласованные модели образования дефектов Френкеля и Шоттки. Впервые показано, что при уменьшении размеров ионных кристаллов поверхностный потенциал, согласно принципу электронейтральности, изменяется таким образом, что объемный заряд возрастает, а поверхностный заряд наоборот уменьшается. Поверхностный потенциал в ионных кристаллах возникает вследствие различия величин барьеров перескока точечных дефектов и ионов на поверхность.

2. Впервые получено уравнение, связывающее ионную проводимость с потенциалами на поверхности и в объеме для микрокристаллов, размеры которых меньше длины Дебая. Проведена оценка поверхностного потенциала для микрокристаллов AgBr октаэдрической, кубической и плоской формы. Размерный эффект ионной проводимости микрокристаллов бромида серебра обусловлен тем, что размеры кристаллов становятся соизмеримыми с областью объемного заряда, образованного наиболее подвижными дефектами - межузельными катионами серебра

3. Впервые показано, что при скачкообразном изменении температуры образца возникает ионный эффект Дембера, обусловленный разной подвижностью собственных дефектов. Знак ЭДС Дембера зависит от знака приращения температуры. Характерные времена релаксации ЭДС Дембера позволяют оценить подвижности собственных дефектов.

4. Впервые показано, что в бесконтактном электрическом поле, в разупорядоченном по Френкелю ионном кристалле вследствие разделения собственных дефектов разного знака происходит неравновесная термогенерация дефектов Френкеля. Получены выражения для стационарной концентрации дефектов Френкеля и энергии, выделяющейся в кристалле в процессе дрейфово-диффузионной поляризации собственных дефектов в электрическом поле.

5. Получены выражения и проведен расчет зависимости положения уровня Ферми от размеров микрокристаллов AgBr, с учетом объемного заряда собственных дефектов и поверхностных состояний анионов и катионов. Уровень Ферми в микрокристаллах AgBr определяется в основном поверхностными электронными состояниями.

6. Оценены подвижности дефектов Шоттки - анионных и катионных вакансий в азиде свинца. Определены энергетические положения уровней дефектов Шоттки и катионов меди (Си2+) в запрещенной зоне азида свинца. Показано, что независимость положения уровня Ферми в азиде свинца при больших степенях легирования примесными катионами обусловлена компенсационным эффектом.

7. Впервые оценены минимальные размеры частиц свинца на поверхности азида свинца, приводящих к топохимическому автокатализу разложения азида свинца. Оценены нормальная и радиальная составляющие скорости плоских зародышей свинца. Впервые показано, что энергия активации скорости термораспада азида свинца на участке ускорения отличается от энергии активации в первом максимуме на 2AJV, где AW -контактная разность потенциалов между свинцом и азидом свинца, что указывает на бимолекулярность реакции образования молекул азота. Показано, что в зависимости от температуры разложения возможен рост двухмерных, трехмерных зародышей, а также прорастание дендридов вглубь кристалла. Обнаружен компенсационный эффект: взаимосвязь между энергией активации и предэкспонентой скорости разложения азида свинца. По компенсационному эффекту оценен температурный коэффициент ширины запрещенной зоны а-азида свинца.

8. Впервые получено явное выражение для зависимости плотности тока от напряжения и температуры окружающей среды, а также критерий электротеплового пробоя диэлектриков с граничными условиями первого рода для уравнения теплопроводности. Данный критерий совпадает с критерием В.А. Фока, полученный им для «толстых» образцов. Показано, что зависимость критической температуры инициирования азида свинца от напряженности электрического поля в режиме линейного нагрева объясняется теорией теплового взрыва.

9. Получены выражения для критериев зажигания конденсированных взрывчатых веществ коротким электронным и лазерным импульсами гауссовой формы по сечению пучка. Критическая энергия зажигания конденсированных взрывчатых веществ определяется из условия равенства адиабатического периода индукции характерному времени тепловой релаксации реакционного объема.

10. Предложен гетерогенно-цепной механизм низкопорогового инициирования азида свинца лазерным импульсом в области прозрачности кристалла. Время задержки инициирования обусловлено временем заполнения дырочных ловушек, что приводит к тому, что интенсивность рекомбинации электронов и дырок опережает нарастание пред взрывной проводимости. Порог инициирования обусловлен нелинейной бимолекулярной реакцией азид-радикалов.

11. Электрический пробой перхлората аммония обусловлен ударным размножением электронов. Увеличение электрической прочности перхлората аммония с уменьшением толщины кристалла связано с выносом электронов из кристалла. Увеличение электрической прочности перхлората аммония с увеличением крутизны фронта импульса напряжения обусловлено задержкой развития ударной ионизации. Определена функциональная зависимость коэффициента ударного размножения электронов в перхлорате аммония от величины электрического поля.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Ханефт, Александр Вилливич, 2004 год

1. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. М.: Наука, 1972. 400 с.

2. Джеймс Т. Теория фотографического процесса. Л.: Химия, 1980. 672 с.

3. Химия твердого состояния//Под ред. Гарнера. Пер. с англ. М.: ИЛ, 1961. 544 с.

4. Боуден Ф., Иоффе А. Быстрые реакции в твердых веществах. М.: ИЛ, 1962. 244 с.

5. Болдырев В.В. Реакционная способность твердых веществ. Издательство СО РАН. Новосибирск. 1997. 304 с.

6. Захаров Ю.А. Электронно-ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических соединений. Дис. . докт. хим. наук. Томск, 1975 - 480 с.

7. Манелис Г.Б., Назин Г.М., Рубцов Ю.И., Струнин В.А. Термическое разложение и горение взрывчатых веществ и порохов. М.: Наука, 1996. 224 с.

8. Рябых С.М. Радиационная химия азидов тяжелых металлов. Дис.докт. хим. наук. Кемерово, 1984 - 411 с.

9. Крашенинин В.И. Управление процессом медленного разложения в азидах серебра и свинца электрическим и магнитным полем. Дис.докт. физ. мат. наук. Кемерово, 1999 - 234 с.

10. Ohzekl К., Urabe S., Tanl Т. A Study of Properties of Tabular Silver Bromide Grains//Journal of Imaging Science. 1990. V.34, №4. P. 136-142.

11. Александров Е.И., Вознюк А.Г. Инициирование азида свинца лазерным импульсом//Физика горения и взрыва. 1978. Т. 14, №4. С.86-91.

12. Ханефт А.В. Влияние разупорядочения поверхности на образование дефектов Френкеля в ионном кристалле//Журнал физической химии. 1992. Т.66. №11- С.3037-3044.

13. Ханефт А.В., Кригер В.Г. Зависимость параметров ионной проводимости от размеров микрокристаллов в галогенидах серебраУ/Физика твердого тела. 1996. Т.38. №4- С.977-982.

14. Ханефт А.В. Влияние поверхностного заряда и размеров микрокристаллов на ионную проводимость и поверхностный потенциал в бромиде серебра/Журнал научной и прикладной фотографии. 2000. Т.45. №2 С.67-72.

15. Ханефт А.В., Кригер В.Г. Влияние температуры и размеров кристаллов на ионный эффект Дембера//Журнал научной и прикладной фотографии. 2000. Т.45. №3.-С.40-50.

16. Ханефт А.В. Оценка поверхностного потенциала в Т-кристаллах AgBr// Журнал научной и прикладной фотографии. 2002. Т.47. №4 С.54-58.

17. Ханефт А. В, Жогин И JL, Кригер В. Г. Модель образования дефектов по Френкелю на поверхности ионных кристаллов//Поверхность. 1990. № 6. -С. 65-71.

18. Ханефт А.В. Влияние размеров микрокристаллов на ионную проводимость галогенидов серебраУ/Неорганические материалы. 2003, Т.39, №3- С.368-373.

19. Ханефт А. В. Кригер В. Г. Образование вакансий на поверхности и в объеме ионного кристалла//Журн. физ. химии. 1990. Т 64. № 9. С.2424-2429.

20. Poeppel R.B., Blakely J. М. Origin of equilibrium space charge potentials in ionic crystals//Surf. Sci. 1969. V. 15. № 3. P. 507-523.

21. Blakely J.M., Danyluk S. Space Charge regions at silver halide surfaces: effect of divalent impurities and halogen pressure//Surf. Sci. 1973. V. 40. № 4. P. 37-60.

22. Френкель Я. И. О поверхностном ползании частиц у кристаллов и естественной шероховатости кристаллических граней//ЖЭТФ. 1946. Т. 16. Вып. 1. С.39-52.

23. Гегузин Я. Е. Диффузия по реальной кристаллической поверхности//Сб.

24. Поверхностная диффузия и растекание. М.: Наука, 1969. С. 11-77.

25. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969. 657 с.

26. Турчак Л.И. Основы численных методов. М.: Наука, 1987. 320 с.

27. Danyluk S., Blakely J.M. Space charge regions at silver halide surface experimental results for undoped AgCl//Surf. Sci. 1974. V. 41. P. 359-370.

28. Callens F., Maenhout-van der Vorst W., Ketellapper L.W. //Phys. Stat. sol. (a). 1982. V.70. P.189-195.

29. Колесников JI.B., Сергеева И.А., Караченцев В.Г. Влияние размеров и рВг на ионную проводимость эмульсионных микрокристаллов бромида серебра кубического габитусаУ/Журнал физической химии. 1993. Т 67. № 5. -С. 1079-1080.

30. Callens F., Ketellapper L.W., Maenhout-van der Vorst W. The Influence of the Solution pAg on the Interstitial Concentration of Silver Halides. A Semi-Quantitative Treatment//Journal Photographic Science. 1985. V.33. P. 100104.

31. Лифшиц И.М., Гегузин Я.Е. Поверхностные явления в ионных кристал-лах//Физика твердого тела. 1965. Т.7. №1- С.62-74.

32. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука. 1987. 432 с.

33. Takada S. Ionic conduction and space charge layer in silver halide photographic emulsion grains//Phot. Sci. and Eng. 1974. V.18. №5.-P.501-503.

34. Пешев О. Влияние дисперсности полупроводника на его каталитическую активность//Журнал физической химии. 1970. Т.44. № 2- С.370-374.

35. Van Hulle М.Е. and Maenhout van der Vorst W. Ionic conductivity and space charge region in silver bromide (111) microcrystals//Phys. Stat. Sol. (a). 1977. V.39. P.253-258.

36. Starbov N., Buroff A., Malinowski J. Surface Ionic Conductivity, Lattice Disorder, and Space Charge Region in Thin Silver Bromide Layers// Phys.Stat.Sol.(a). 1976. V.38. P.161-170.

37. Бреслав Ю.А., Пейсахов В.В., Каплун Л.Я. Синтез и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра/УУспехи научной фотографии. 1986. T.XXIV. С.5-46.

38. Котов А.Г., Силаев Е.А. Модель образования плоских эмульсионных микрокристаллов галогенида серебра//Успехи научной фотографии. 1986. T.XXIV. С.47-68.

39. Шапиро Б.И. Теоретические начала фотографического процесса. М.: Эди-ториал УРСС, 2000. 288 с.

40. Диденко А.Я., Добродеев Н.А., Коноплич Р.В., Савкин В.И. К эффекту изменения светочувствительности фотографических материалов в электрическом поле//Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1991. Т.36, №4.-С.277-281.

41. Baetzold R.C., Hamilton J.F. On the surface potential of silver bromide films and microcrystals//Surf. Sci. 1987. V.179. №2-3. P.85-90.

42. Кригер В.Г., Ханефт A.B., Картужанский А.Л. Ионный аналог эффекта Дембера в галогенидах серебраУ/Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19, Вып. 18. -С.68-71.

43. Кригер В.Г., Ханефт А.В. Влияние образования дефектов Френкеля в ионном кристалле на кинетику релаксации поверхностного потенциала //Поверхность. 1994. №5. -С.98-107.

44. Scharfetter D.L., Gummel Н.К. Large-Signal Analysis of a Silicon Read Diode Oscillator//IEEE Trans. Eiektron Dev. 1968. V.ED-16.N1.-P.64-77.

45. Черняев А.В. Исследование алгоритмов численного моделирования нестационарных процессов в биполярных полупроводниковых приборах. Деп. рук. в ВИНИТИ. 1987. №1748-В87. 27 с.

46. Патанкар С. Численные методы решения задач теплообмена и динамики жидкости. М.: Энергоатомиздат.1984. 152 с

47. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука. 1972. 416 с.

48. Еремин Jl.П. Фотолиз галогенидов свинца и фотографические процессы. Томск: Издательство Томского университета. 1989. 152 с.

49. Захаров Ю.А., Баклыков С.П., Шечков Г.Т. Точечные дефекты и ионная электропроводность в азиде свинца//Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т.16, №1.- С.62-67.

50. Ханефт А.В. Термодинамический расчет концентрации дефектов Шоттки в ионных кристаллах с двухвалентным катионом//Журнал физической химии. 1999, Т.73, №4 С.626-631.

51. Ханефт А.В., Кригер В.Г. Кинетическая самосогласованная модель образования дефектов Шоттки в ионном кристалле с двухвалентным катионом //Поверхность. 1992. №7.-С.79-87.

52. Ханефт А.В., Кригер В.Г. Анализ изотерм относительной проводимости и определение константы рекомбинации дефектов по Шоттки в азиде свин-ца//Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23, №5-С.793-796.

53. Винецкий В.Д., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка. 1969. 188 с.

54. Маргвелашвили И.Г., Саралидзе З.К. Формирование равновесной концентрации вакансий на поверхности двухкомпонентного упорядоченного (неионного) кристалла при скачкообразном изменении температуры// Поверхность. 1988. №8 С.107-115.

55. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Д.: Наука. 1975. 592 с.

56. Kliewer K.L., Koehler J.S. Space Charge in Ionic Crystals//Phys. Rev. 1965. V.140. №4A. -P.l226-1246.

57. Шечков Г.Т. Термостабильность и некоторые физико-химические свойства азидов свинца, серебра и смешанных кристаллов на их основе. Дис. . канд. хим. наук. Томск, 1975 - 225 с.

58. Ханефт А.В., Кригер В.Г. Влияние разложения на температурную зависимость проводимости азида свинца//Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1988. Т.24, №7.-С. 1226-1227.

59. Ханефт А.В., Крашенинин В.И. Кинетика поляризации и эффект термогенерации дефектов Френкеля в галогенидах серебра//Журнал научной и прикладной фотографии. 1998. Т.43. №1- С.34-43.

60. Ханефт А.В., Захаров В.Ю. Крашенинин В.И. Влияние термогенерации дефектов Френкеля на джоулев разогрев ионного кристалла при дрейфово-диффузионной поляризации//Журнал научной и прикладной фотографии. 1999. Т.44. №1- С.21-28.

61. Ханефт А.В. Кинетика поляризации и эффект термогенерации дефектов Френкеля в электрическом поле//Труды 4-ой Всероссийской научной конференции «Краевые задачи и математическое моделирование». Новокузнецк. 1-4 декабря 2001 г.-С.101-105.

62. Картужанский А.А., Уланов В.М. Эффекты в фотоэмульсионных микрокристаллах, обусловленные размножением носителей в сильных электрических полях//Физика и техника полупроводников 1982. Т. 16. В.2 С.337-339.

63. Диденко А .Я., Лемешко Б.Д., Островский В.А. Электроиндуцированная сенсибилизация галогенсеребрянных эмульсий//Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1985. Т.30. N5. -С.376-377.

64. Диденко А.Я., Лемешко Б.Д., Островский В.А.,Мороз И.Н. Эффект понижения светочувствительности фотографической эмульсии в сильных электрических полях//Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1985. Т.ЗО. N3.- С.226-227.

65. Teraoka К., Nakamura М., Hoshino К., Nima К., Saeki N., Watanabe S., Tani Т. Enhancement of photographic sensitivity by strong electric field pulse//Journal of the Society of photographic Science and Technology of Japan. 1997. V.60. №l.-P.37—44.

66. Галашин E А., Захаров B.H. Об особенностях и механизме действия электрических полей и тока на зерна фотографических эмульсий//Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1990. Т.35. N4-С.243-251.

67. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.:Мир. 1980. 488 с.

68. Багинский И.Л., Косцов Э.Г. Теория переходного тока в диэлектриках при ограниченном уровне монополярной инжекции//Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР. Препринт №211. 1983. 42 с.

69. Справочник по специальным функциям. Под ред. М. Абрамовича И.Стиган. М.:Наука. 1979. 832 с.

70. Крашенинин В.И., Захаров В.Ю., Кузьмина Л.В. Тепловой эффект при электрополевом разложении азида серебра//Химическая физика. 1997. Т. 16, №5-С.96-99.

71. Захаров Ю.А., Гасьмаев В.К., Баклыков С.П., Морейнс Ю.Р. Ионный и электронно-дырочный токоперенос в азиде серебраУ/ Журнал физической химии. 1978. Т.52. №11.-С.2076-2078.

72. Кригер В.Г., Колпаков О.Л., Ханефт А.В. Анализ ионной проводимости азида серебра//Сб: Кинетика и механизм реакций в твердой фазе. Кемерово. 1982.- С.92-97.

73. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа. 1975.296 с.

74. Гороховатский Ю.А., Губкин А.Н., Кирьянов Г.Г. Численный анализ изотермической релаксации объемного заряда в диэлектрике с блокирующими электродами//Известия Вузов. Физика. 1983. №1- С.100-105.

75. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука. 1991.248 с.

76. Захаров В.Ю., Ханефт А.В., Крашенинин В.И., Кузьмина JI.B. Разложение азида серебра в бесконтактном электрическом поле//Журнал научной и прикладной фотографии. 2000. Т.45. №4. С. 1-6.

77. Крашенинин В.И., Кузьмина JI.B., Захаров В.Ю. О влиянии электрическогополя на скорость разложения нитевидных кристаллов азида сереб-ра//Химическая физика. 1997. Т. 16, №4. С.74-77.

78. Ханефт А.В. Зависимость положения уровня Ферми от размеров кристаллов в галогенидах серебра//Журнал научной и прикладной фотографии. 1999. Т.44. №2. С.11 - 18.

79. Ханефт А.В. Зависимость загиба зон от энергии ионизации поверхностных уровней в полупроводниках//Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т.26, №3.- С.462-466.

80. Захаров Ю.А., Ханефт А.В. Влияние собственных дефектов и примесных катионов на положение уровня Ферми в азиде свинца//Журнал научной и прикладной фотографии. 2002. Т.47. №3- С.3-10.

81. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1990. 688 с.

82. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир. 1977. 568 с.

83. Chien-teh Као, Rowan L.G., Slifkin L.M. EPR study of hole trapping at cation vacancies in silver halides//Phys. Rev. B. 1990. V.42, №5.-P.3142-3151.

84. Kaneda Т. A New Approach to Estimation of Depth of Electron Traps in AgBr Emulsion Grains on the Basis of the Gume-Mott Model//J. Imaging Science. 1989. V.33. №4. -P.115-118.

85. Tyutyulkov N.N., Tadjer A.V., Dietz F., Reinhold J. Band structure and local states in silver halide crystals/УДоклады Болгарской академии наук. 1983. T.36. №4.- P. 1073-1076.

86. Hamilton J.F. A modified proposal for the mechanism of sulfur sensition in terms of capture cross section//Photogr. Sci. and Eng. 1983. V.27. №6. P.225-230.

87. Захаров Ю.А., Баклыков С.П. Процессы возбуждения и переноса электрона в азиде свинца//Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1979. Т.15. №12. -С.2146-2150.

88. Захаров Ю.А., Колесников Л.В., Черкашин А.Е., Баклыков С.П. Структура энергетических зон и природа некоторых электронных переходов в азиде свинца/Юптика и спектроскопия. 1978. Т.45, Вып. 4. С.725-730.

89. Schoonman J., Verwey J.F. Anion vacancies in Lead Bromide single crys-tals//Physica. 1968. V.39, №2. P.244-250.

90. Schoonman J. Hoi conduction in pyre and doped lead bromide crystals//.!. Solid State Chem. 1972.V.5, №1. P.62-70.

91. Иванов Ф.И. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов и их роль в фото- и электрополевом разложении: Автореф. дис.д-ра хим. наук:02.00.04.-Кемерово, 1997. 43 с.

92. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука. 1967. 416 с.

93. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука. 1977. 368 с.

94. Ханефт А.В. Механизм разложения азида свинца под действием ультрафиолетового света при 12 К//Журнал физической химии. 1995. Т.69. №3. -С.433 435.

95. Ханефт А.В. Топохимическая модель автокаталитического разложения азида свинца//Журнал физической химии. 1992. Т.66, N7. С. 1772-1778.

96. Ханефт А.В. Гетерогенная модель разложения азида свинца в периоде ускорения. В кн.: Тез. докладов XI Всес. совещ. по кинетике и механизму химических реакций в твердом теле. Минск, 1992. С.314-316.

97. Ханефт А.В. Механизм образования молекулярного азота при разложении азида свинца//Журнал физической химии. 1996. Т.70, №4. С.639-642.

98. Khaneft А. V. The mechanism of lead azide thermal decomposition. XIIIth INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE REACTIVITY OF SOLIDS, SEPTEMBER 8-12, 1996, HAMBURG/GERMANY-9-PO-262.

99. Ханефт А. В. Оценка нормальной составляющей скорости роста ядер свинца при термическом разложении азида свинца//Журнал физической химии. 2001. Т.75, №1. С. 19-23.

100. Ханефт А.В. Автокатализ гетерогенной реакции термического разложения азида свинца дефектами//Семинар СО РАН-УрОАН «Термодинамика и неорганические материалы» Тезисы докладов. 23-25 октября 2001. Новосибирск. С.59.

101. Москович С.М., Александрович В.А. Термическое разложение азида свинца//Журнал физической химии. 1935. Т.6, №9. С. 1218-1231.

102. Аппин А.Я. Термическое разложение и взрыв азида свинца/Сборник статей по теории взрывчатых веществ. Под ред. К.К. Андреева и Ю.Б. Хари-тона. М.: Государственное издательство оборонной промышленности. 1940.-С.106-120.

103. Griffiths P. J. F., Groocock J. М. The Thermal Decomposition of a-Lead Az-ide//J. Soc. 1957. P.3380 - 3389.

104. Jach J. Thermal Decomposition of Irradiated a-Lead Azide//Trans. Faraday Soc. 1963. V.59. №484. P.947-358.

105. Young D. A. The thermal decomposition of a-lead azide//J. Chem. Soc. 1964. -P.3141-3146.

106. Янг Д. Кинетика разложения твердых веществ. М.: Мир. 1969. 264 с.

107. Кук М.А. Наука о промышленных взрывчатых веществах. М.: Недра. 456 с.

108. Шечков Г. Т., Захаров Ю. А., Савельев Г. Г., Каплин В. А., Свободин Е. Н. Изучение начальной стадии термораспада а- РЬ(Ы3)2//Кинетика и катализ. 1970. T.XI, В.З. С.623-630.

109. Пикус Г.Я., Тальнова Г.Н. Концентрация свободных электронов и кинетика термического разложения кристаллов CdS в вакууме//Физика твердого тела. 1976. Т. 18, в. 10. С.2934-2935.

110. Пикус Г.Я. Механизм формирования состава и электрофизических свойств кристаллов соединений AnBIV при высокотемпературном отжиге в вакууме. Дис. .докт. физ. мат. наук. Киев, 1977 - 406 с.

111. Тальнова Г.Н., Пикус Г.Я. Электронные процессы и кинетика испарения ионных кристаллов в вакууме//Журнал физической химии. 1978. Т.52, №12. С.3107-3112.

112. Fox P.G. The Explosive sensitivity of the Metal Azides to Impact//J. Solid State Chem. 1970. V.2, N4. P.491-502.

113. Мотт Н., Герни П. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: Изд-во иностр. лит., 1950. 304 с.

114. Захаров Ю.А., Руколеев С.И., Лоскутов B.C. Низкотемпературный фотолиз и люминесценция азидов свинца, серебра и таллия//Химия высоких энергий. 1979. Т.13, №1. С.61-65.

115. Torkar К., Spath Н.Т. Theorie des Zerfalls der Nj-Radikale und der Bildung von Ba3N2//Monatshere fur Chemic. 1968. T.99. S.773-797.

116. Савельев Г.Г., Гаврищенко Ю.В., Щеринский В.А., Руколеев С.И. О механизме фотолиза азида свинцаУ/Известия ТПИ. Томск. 1969. Т. 199. -С.116-118.

117. Захаров Ю.А., Ханефт А.В. Механизм разложения азида серебра в режиме инжекции дырок//Химическая физика. 2002, Т. 21, №12. С.32-34.

118. Захаров Ю.А., Ханефт А.В. Влияние эффекта Френкеля-Пула на скорость разложения азида серебра в электрическом поле//Материаловедение. 2003, №5.-С.2-4.

119. Пошевнев В.И., Галицын Ю.Г., Михайлов Ю.Н., Болдырев В.В. Кинетика газовыделения водорода при термолизе гидрида алюминия//Докл. АН СССР. 1981.Т.256, №4. С.94-908.

120. Verwey J. F. Time and intensity dependence of the photolysis of lead hal-ides//J.Phys. and Chem. Solids. 1970. V.32, №1. P. 163-171.

121. Albrecht M. G., Green M. The kinetic of the photolysis of thin films of lead iodide//!. Phys. and Chem. Solids. 1977. V.38, №3. P.297-306.

122. Жданов В. П., Павличек Я., Кнор 3. «Нормальные» предэкспоненци-альные факторы для элементарных физико-химических процессов на по-верхности//Поверхность. 1986, №10. С.41-46.

123. Жданов В.П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. Наука: Новосибирск, 1988. 320 с.

124. Розанов Л. Н. Вакуумная техника. М.: Высшая школа. 1990. 320 с.

125. Рябых С. М. Радиационно-химическое разложение азидов тяжелых металлов как гетерогенный процесс//Химическая физика. 1985. Т.4, №12. -С.1654-1661.

126. Розовский А. Я. Катализатор и реакционная среда. М.: Наука, 1988. 304 с.

127. Браун М., Доллимор Д., Галвей А. Реакции твердых тел. М.:Мир, 1983. 360 с.

128. Fox P.G., Hutchinson R.W. Slow Thermal Decomposition //Energetical Materials. New-York.: Plenum Press. 1976. V.l. P.251-284.

129. Манелис Г.Б. Некоторые особенности механизма реакций в твердой фазе/В кн.: Проблемы кинетики элементарных химических реакций. М.: Наука. 1973. С.93-106.

130. Гасьмаев В.К., Чернявский Г.П., Чалых Н.Ф. Некоторые закономерности термического разложения a-Pb(N3)2 в вакууме. Деп. рук. в ГОСИНТИ, №6 80 деп.-19 с.

131. Yoganarasimhan S.R. Reactivity of Azides and Perchlorates//Chem. and Phys. Surface Metals and Their Oxides. Proc. Symp. Kalpakuan. Tamil Nadu. 1976. -P.18-43.'

132. Danforth J.D., Porter S.R., Stricler D. The Acceleratory Degradation of Solids According to Non-Steady-State Kinetics//J. Solid State Chem. 1984. V.54-P.34^18.

133. Tang T.B., Chaudri M.M. The thermal decomposition of silver az-ide//Proceedings of the Royal Society of London. A. 1979. V.A369.-P.83-104.

134. Розовский А.Я. Кинетика топохимических реакций. М.: Химия, 1974. 214 с.

135. Фоменко B.C., Подчерняева И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. М.: Атомиздат, 1975. 320 с.

136. Суровой Э.П. Катализ металлами и полупроводниками процесса фотолиза азидов свинца и серебра. Дис. . канд. хим. наук. Томск, 1976. 219 с.

137. Глауберман А.Е. О физике фотографического процесса//Вопросы физики твердого тела. Киев: Вища школа. 1976. С. 18-51.

138. Hutchinson R.W., Kleinbergs., Stein F.P. Effect of Particle-Size Distribution on the Thermal Decomposition of a-Lead Azide//J. Phys. Chem. 1973. V.77, №7. P.870-875.

139. Болдырев В.В. Топохимия термического разложения твердых веществ/Лепехи химии. 1973. T.XLII, вып. 7.- С.1161-1183.

140. Лихтенштейн Г.И. О возможном объяснении компенсационного эффекта в некоторых процессах//Кинетика и катализ. 1963. Т.4, вып. 1- С.35-38.

141. Кузнецов B.C. О происхождении компенсационного эффекта в химических реакциях, протекающих на поверхности полупроводниковых катали-заторов//Кинетика и катализ. 1964. Т.5, вып. 2- С.277-288.

142. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. М.:Химия,1978. С.360.

143. Физические величины: Справочник/Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. М.: Энергоатомиздат, 1991. С.1232.

144. Ханефт А.В., Кригер В.Г. Влияние саморазогрева на проводимость азида свинца в неизотермических условиях//Кинетика химических реакций. Материалы IX Всесоюзного симпозиума по горению и взрыву. Черноголовка: ОИХФ АН СССР, 1989. С.90-92.

145. Ханефт А.В. К инициированию азида свинца электронным импульсом //Физика горения и взрыва. 1993. Т.29, №5. С.63-66.

146. Ханефт А. В. Определение критической энергии зажигания конденсированных веществ электронным импульсом методом Ковальского //Химическая физика процессов горения и взрыва. XI Симпозиум по горению и взрыву. Т. I, Часть II. Черноголовка 1996'. С.247-248.

147. Ханефт А.В. Критерий зажигания конденсированных веществ электронным импульсом//Химическая физика. 1998. Т.17, №8. С.132-137.

148. Ханефт А.В. Влияние распределения светового потока в лазерном пучке на критическую энергию зажигания конденсированного вещества// Химическая физика. 1998. Т.17, №10. С.67-70.

149. Ханефт А.В. Влияние параметров лазерного импульса на условие зажигания конденсированного вещества//Химическая физика процессов горенияи взрыва. XII Симпозиум по горению и взрыву. Часть II, 11-15 сентября, Черноголовка 2000. С.50-52.

150. Ханефт А.В. Влияние параметров короткого лазерного импульса на условие зажигания конденсированного вещества//Труды 4-ой Всероссийской научной конференции «Краевые задачи и математическое моделирование». Новокузнецк. 1-4 декабря 2001 г.-С.96-101.

151. Ханефт А.В. Тепловой взрыв и термическое разложение азида свинца// Труды III Международной конференции: Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. Томск, 29 июня-3 августа 2002. -С.216-218.

152. Ханефт А.В. Влияние джоулева нагрева на температуру теплового взрыва азида свинца//Сборник трудов 6-ой Всероссийской научной конференции «Краевые задачи и математическое моделирование». Т.1, Новокузнецк. 29 ноября-1 декабря 2003 г.-С. 119 124.

153. Henkin Н., Мс Gill R. Rates of Explosive Decomposition of Explosives// Industrial and Engineering Chemistry. V.44, No.6. -P.1391-1395.

154. Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А. Автоматическая регистрация времени задержки вспышки взрывчатых веществ//Известия ТПИ. Томск. 1969. Т.199.-С.53-55.

155. Chaudhri М.М., Field J.E. The effect of Crystal Size on the Thermal Explosion of ос-Lead Azide//Journal of Solid State Chemistry. 1975.No.l2.-P.72-79.

156. Франк-Каменецкий Д. А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике. М.: Наука, 1967. 482 с.

157. Зельдович Я.Б., Баренблатт Г.И., Либрович В.Б., Махвиладзе Г.М. Математическая теория горения и взрыва. М.: Наука, 1980. 480 с.

158. Беляев А.Ф., Харитон Ю.Б. О передаче детонации между инициирующими взрывчатыми веществами. III. Размеры частиц, передающих детонацию/В кн.: Детонация конденсированных и газовых систем. М.: Наука, 1986. С.10-16.

159. Тюрин Ю. И. Хемовозбуждение поверхности твердых тел. Томск: Издательство Томского университета, 2001. 624 с.

160. Дворкович А.В., Евтюхин Н.В., Марголин А.Д., Шмелев В.М. Фрактальные режимы электрогорения тонких полимерных слоев//Химическая физика. 1994. Т.13, №6. — С. 111—117.

161. Марголин А.Д. Тепловой электрохимический поверхностный пробой ди-электрикаУ/Химическая физика процессов горения и взрыва. XI Симпозиум по горению и взрыву. Т. I, Часть II. Черноголовка 1996. С. 113-115.

162. Барзыкин В. В. Тепловой взрыв при линейном нагреве//Физика горения и взрыва. 1968. Т.9, №1. С.37-54.

163. Аверсон А. Э., Барзыкин В. В., Мержанов А. Г. Динамические режимы зажигания//Физика горения и взрыва. 1968. Т.4, №1. С.20-32.

164. Франц В. Пробой диэлектриков. М.: ИЛ. 1961, 208 с.

165. Andersen W.H. Theory of the surface ignition energy of condensed explosives //Industr. and Engng Chem. Process Design and Developm. 1965. V.4, №3. -P.286-288.

166. Ковальский А.А., Хлевной С.С., Михеев В. Ф. К вопросу о зажигании баллиститных порохов//Физика горения и взрыва. 1967. Т.З, №4. С.547-554.

167. Аверсон А.Э., Барзыкин В. В., Мержанов А.Г. Приближенный метод решения задач тепловой теории зажигания//Доклады АН СССР. 1968. Т.178, №1 -С.131-134.

168. Аверсон А.Э. Теория зажигания//В кн. Тепломассобмен в процессе горения. Черноголовка: ОИХФ АН СССР, 1980. С. 16-35.

169. Enig J. W. Approximate solutions in the theory of thermal explosions in the theory of thermal explosions for semi-infinite explosives//Proc. Roy. Soc. 1968. A305, №1481. P.205-217.

170. Bradley H. H. Theory of ignition of a reactive solid by constant energy flux// Combust. Sci. and Technol. 1970. V.2, №1 P. 11-20.

171. Глотов О. Г., Зарко В. Е. Численное моделирование зажигания конденсированного вещества с независимыми эндо- и экзотермической реакциями //Физика горения и взрыва. 1984. Т.20, №4. С.3-10.

172. Вилюнов В.Н. Теория зажигания конденсированных веществ. Новосибирск: Наука, 1984. 192 с.

173. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение/Под ред. Г. Харбеке. М.: Мир, 1989. 344 с.

174. Рябых С.М., Карабукаев К.Ш., Барелко В.В. О многостадийном характере процесса развития взрыва кристаллических азидов серебра и свин-ца//Доклады IV Всесоюзного совещания по детонации. Черноголовка: ОИХФ АН СССР, 1988. Т.1. С.141-147.

175. Рябых С.М., Долганов B.C., Карабукаев К.Ш. Нетермическое инициирование взрыва азидов серебра и свинца импульсом быстрых электронов// Физика горения и взрыва. 1993. Т.29, №2. С.75-77.

176. Александров Е.И., Сериков JT.B. Исследование природы чувствительности азида свинца к действию электронных импульсов//Детонация. Материалы IX Всесоюзного симпозиума по горению и взрыву. Черноголовка: ОИХФ АН СССР, 1989. С.39-42.

177. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.: Энергоатомиздат, 1991. 288 с.

178. Рябых С.М., Сафонов Ю.Н. Разложение азида серебра импульсными электронами/Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии. Новосибирск: Наука, 1983. С.73-80.

179. Баязитов P.M., Ибрагимов М.И., Хайбулин И.Б. Методы расчетов температурных полей при импульсном световом облучении полупроводниковых ионнолегированных слоев. Казань. Деп. в ВИНИТИ 29.09.81. №4716 -81.21 с.

180. Бриш А.А., Галеев И.А., Зайцев Б.Н., Сбитнев Е.А., Татаринцев JI.B. Возбуждение детонации конденсированных ВВ излучением оптическогоквантового генератора//Физика горения и взрыва. 1966. Т.2, №3. С.132-133.

181. Бриш А.А., Галеев И.А., Зайцев Б.Н., Сбитнев Е.А., Татаринцев Л.В. О механизме инициирования конденсированных ВВ излучением ОКГ//Физика горения и взрыва. 1969. Т.5, №4. С.475-480.

182. Волкова А.А., Зинченко А.Д., Санин И.В., Таржанов В.И., Токарев Б.Б. Временные характеристики инициирования ТЭНа лазерным импульсом //Физика горения и взрыва. 1977. Т. 13, №5. С.760-765.

183. Карабанов Ю.Ф., Боболев В.К. Зажигание инициирующих взрывчатых веществ импульсом лазерного из лучения//Доклады АН СССР. 1981. Т.256, №5 -С.1152-1154.

184. Hagan J.T., Chaudri М.М. Low energy laser initiation of single crystals of |3-lead azide//Journal of materials science. 1981. V. 16 P.2457-2466.

185. Александров Е.И., Ципилев В.П. Размерный эффект при инициировании прессованного азида свинца лазерным моноимпульсным излучени-ем//Физика горения и взрыва. 1981. Т. 17, №5. С.77-81.

186. Александров Е.И., Ципилев В.П. Исследование влияния длительности возбуждающего импульса на чувствительность азида свинца к действию лазерного излучения//Физика горения и взрыва. 1984. Т.20, №6.-С.104-109.

187. Чернай А.В., Соболев В.В., Илюшин М.А., Житник Н.Е., Петрова Н.А. К вопросу о механизме зажигания взрывчатых составов лазерным моноим-пульсом//Химическая физика. 1996. Т.15, №3. С.134-139.

188. Ассовский И.Г., Лейпунский О.И. К теории зажигания топлива световым импульсом//Физика горения и взрыва. 1980. Т. 16, №1.-С.3-10.

189. Ассовский И.Г., Закиров З.Г. О зажигании газифицирующегося топлива тепловым импульсом//Химическая физика. 1987. Т.6, №11. С.1583-1589.

190. Ворожцова О.Б. Очаговый тепловой взры|в при воздействии импульсного излучения//Химическая физика. 1990. Т.9, №12.-С. 1639-1643.

191. Дик И.Г. О зажигании конденсированного вещества узким световым пуч-ком//Горение конденсированных систем. Материалы 8 Всесоюзного симпозиум по горению и взрыву, Ташкент, 13 17 октября, 1986. Черноголовка 1986. - С.94-97.

192. Ассовский И.Г. Критические явления при взаимодействии света с реагирующим веществом//Химическая физика процессов горения и взрыва. Горение. Тезисы X симпозиума по горению и взрыву. Черноголовка 1992. -С.8-10.

193. Ассовский И.Г. Взаимодействие лазерного излучения с реагирующим веществом. Критический диаметр светового пучка//Доклады АН России. 1994. Т.337, №6. С.752-756.

194. Зарко В.Е., Хлевной С.С. Зажигание баллиститного пороха накаленными проволочками//Физика горения и взрыва. 1968. Т.4, №2.-С. 158-170.

195. Александров Е. И., Ципилев В. П. Влияние режима генерации на особенности размерного эффекта при лазерном инициировании прессованного азида свинца//Физика горения и взрыва. 1982. Т. 18, №6. С.60-62.

196. Дульнев Г.Н., Парфенов В.Г., Сигалов А.В. Применение ЭВМ для решения задач теплообмена. М.: Высшая школа, 1990. 208 с.

197. Ханефт А. В., Кригер В. Г. Механизм низкопорогового инициирования азида свинца лазерным импульсом//В кн.: Доклады IV Всесоюзного совещания по детонации. Черноголовка 1988. 4.II. С.205-211.

198. Ханефт А. В. Энергетически разветвленный цепной механизм инициирования азида свинца лазерным импульсом//В кн.: Тез. докладов 9 Международной конференции по физике и химии неорганических материалов. РФХ 9, Томск 1996. - С.383-384.

199. Khaneft A.V. The energetically branched chain mechanism of lead azide initiation by a laser pulse//XIIIth INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE REACTIVITY OF SOLIDS, SEPTEMBER 8-12, 1996, HAMBURG/ GER-MANY-3-PO-208.

200. Ханефт А. В. Цепной механизм низкопорогового инициирования азида свинца импульсным лазером//Химическая физика процессов горения и взрыва. XI Симпозиум по горению и взрыву. Т. I, Часть I. Черноголовка 1996. С.69-70.

201. Ханефт А. В. Энергетически разветвленный цепной механизм низкопорогового инициирования азида свинца лазерным импульсом// Химическая физика. 1998. Т.17. №4.-С. 100-108.

202. Ханефт А. В. Фотонно-разветвленный цепной механизм инициирования азида свинца лазерным импульсом//В кн.: Тезисы докладов Международной конференции: Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. Томск 1998. С.90-92.

203. Ханефт А.В. Гетерогенно-цепной механизм инициирования азидов тяжелых металлов лазерным импульсом//Химическая физика процессов горения и взрыва. XII Симпозиум по горению и взрыву. Часть III, 11-15 сентября, Черноголовка 2000. С. 109-111.

204. Ханефт А.В. Гетерогенно-цепной механизм низкопорогового инициирования азида свинца лазерным импульсом//Международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах» Тезисы докладов. 9-12 октября. Кемерово, 2001. Т.2.С.-103-104.

205. Ханефт А.В. Гетерогенно-цепной механизм инициирования азида свинца лазерным импульсом в области прозрачности//Тезисы лекций и докладов VIII международной школы-семинара по люминесценции и лазерной физике, 23-28 сентября 2002, Иркутск.- С. 100-102.

206. Ханефт А.В. Численное моделирование взрывной гетерогенно-цепной реакции в азиде свинца//Сборник трудов 5-ой Всероссийской научной конференции «Краевые задачи и математическое моделирование». Новокузнецк. 29 ноября-1 декабря 2002 r.-C.l 19 124.

207. Ханефт А.В. Гетерогенно-цепной механизм инициирования азидов тяжелых металлов лазерным импульсом//Материаловедение. 2002, №11 .-С.7-14.

208. Сухушин Ю. Н., Ханефт И. Г., Ханефт А. В. Электрический пробой монокристаллов перхлората аммония//В кн.: Кинетика химических реакций. Тезисы X симпозиума по горению и взрыву. Черноголовка: ИХФ РАН, 1992. С.48-50.

209. Ханефт И. Г., Ханефт А. В. Влияние межэлектродного расстояния на электрический пробой монокристаллов перхлората аммония//Журнал технической физики. 1995. Т. 65, В.6. С.200-203.

210. Ханефт И. Г., Ханефт А. В. Механизм электрического пробоя монокристаллов перхлората аммония//В кн.: Тезисы докладов VI Международной конференции: Радиационные гетерогенные процессы. Кемерово, 1995. 4.II.-C.210-211.

211. Ханефт И. Г., Ханефт А. В. Влияние длительности переднего фронта импульса напряжения на электрический пробой монокристаллов перхлората аммония//Журнал технической физики. 2000. Т. 70, №4. С. 42-45.

212. Александров Е.И. Замечания о механизме зажигания ВВ импульсным лазерным излучением//Горение конденсированных систем. VIII Всесоюзный симпозиум по горению и взрыву. Ташкент. Черноголовка, 1986.

213. Александров Е.И., Ципилев В.П. Влияние давления прессования на чувствительность азида свинца к действию лазерного излучения//Физика горения и взрыва. 1982. Т.18, №2. С.100-103.

214. Александров Е.И. О преддетонационном участке взрывчатого разложения азида свинца при очаговом инициировании//В кн.: Доклады IV Всесоюзного совещания по детонации. Черноголовка 1988. 4.II. ^.205-211. 218.

215. Кригер В. Г., Каленский А. В. Инициирование азидов елых металлов импульсным излучением//Химическая физика. 1995. Т.14. №4. С.152

216. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Кречетов А.Г., Митрофанов А.Ю. Кинетика предвзрывной проводимости азида серебра//Письма в ЖТФ. 1999. Т.25, вып. 22. С.44-48.

217. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Захаров Ю.А., Кречетов А.Г. Взрывное разложение азидов тяжелых металлов//ЖЭТФ. 1999. Т.116, вып. 5(11). С.1676-1693.1. С.55-59.160.

218. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Дробчик А.Н., Захаров Ю.А., Кречетов А.Г., Митрофанов А.Ю. Предвзрывные явления в азидах тяжелых металлов//Физика горения и взрыва. 2000. Т.36, №5. С.78-89.

219. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Белокуров Г.М., Кречетов А.Г., Митрофанов А.Ю. Кинетика ранних стадий предвзрывной проводимости азида сереб-ра//Физика горения и взрыва. 2002. Т.38, №3. С. 141-144.

220. Адуев Б.П., Алукер Э.Д., Кречетов А.Г., Митрофанов А.Ю. Динамическая топография предвзрывной люминесценции азида серебра/УФизика горения и взрыва. 2003. Т.39, №5. С.105-108.

221. Турро Н. Молекулярная фотохимия. М.: Мир, 1967. 328 с.

222. Барелко В.В., Володин Ю.Е. О природе критических явлений в реакции окисления аммиака на платине//Кинетика и катализ. 1976. T.XVII, Вып.З. С.683-690.

223. Беляев А.Ф., Боболев В.К., Короткое А.И., Сулимов А.А., Чуйко С.В. Переход горения конденсированных систем во взрыв. М.: Наука, 1973. 292 с.

224. Крылов О.В., Шуб Б.Р. Неравновесные процессы в катализе. М.: Химия. 1990.-288 с.

225. Тюрин Ю.Н. Возбуждение поверхности твердого тела атомами тепловой энергии//Поверхность. 1986. №9. С.115-125.

226. Жданов В.П. О возможности использования энергии, выделяющейся в одной реакции, для прямого ускорения другой реакции//Доклады АН СССР. 1980. Т.254, №2. С.392-396.

227. Кабанский А.Е., Стыров В.В. Высокоэффективная электронная аккомодация при взаимодействии атомарного водорода с монокристаллом герма-ния//ЖЭТФ. 1979. Т.76, вып. 5. С.1803-1810.

228. Корнич В.Г., Манько В.К., Горбань А.Н. Возбуждение атомарным водородом аномально высокого напряжения в пленках Сс1Те//Письма в ЖЭТФ. Т.27, вып. 9. С.489-490.

229. Гранкин В.П., Шаламов В.Ю. Высокоэффективная электронная аккомодация при взаимодействии атомов водорода с поверхностью монокристалла сульфида цинка//Письма в ЖТФ.2ООО. Т.26, вып.5.-С.57-61.

230. Кузнецов С.Н., Пикулев В.Б., Сарен А.А., Гардин Ю.Е., Гуртов В.А. Возбуждение люминесценции пористого кремния при адсорбции молекул озона//Физика и техника полупроводников. 2001. Т.35, вып.5. С.604-608.

231. Одюбер Р. Излучение при химических реакциях//Успехи химии. 1938. T.VII, В.12. С.1858-1883.

232. Audubert R. Etude de la Thermolys de L' Azoture D' Argent//J. Chim. Phus. 1952. T.49, №5. P.275-285.

233. Семенов H.H. Цепные реакции. M.: Наука, 1986. 536 с.

234. Шилов А.Е., Веденеев В.И. Цепные реакции с энергетическим разветвлением. Физическая химия. Современные проблемы./Под ред. Колотыркина Я.М. М.: Химия, 1985.-С.7-30.

235. Денисов Е.Т. Кинетика гомогенных химических реакций. М.: Химия, 1978. 368 с.

236. Митчелл Дж.У. Фотографическая чувствительность//Успехи физических наук. 1959. T.LXVII. Вып. 2. С.293-337.

237. Митчелл Дж.У. Фотографическая чувствительность//Успехи физических наук. 1959. T.LXVII. Вып. 3. С.505-533.

238. Барановский A.M. Оптические свойства некоторых ВВ//Физика горения и взрыва. 1990. Т.26, №3. С.63-64.

239. Jones S.C., Braunlich P., Casper R.T., Shen X., Kelly P. Recent progress on laser-induced modifications and intrinsic bulk damage of wide-gap optical mate-rials//Optical Engineering. 1989. V.28. №10. P.1039-1068.

240. Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1986. 304 с.

241. Пихтин А.Н. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектро-ники. М.: Высшая школа. 1983, 304 с.

242. Hall R.B., Williams F. Photodecomposition an electronic structure of lead az-ide//J. Chem. Phys. 1973. V.58, №3. Bl. -P.1036-1042.

243. Крашенинин В.И., Сухушин Ю.Н., Захаров Ю.А. Инжекционные токи в некоторых азидах тяжелых металлов//Известия АН СССР.

244. Летохов B.C., Секацкий С.К. Лазерная резонансная фотоионизация поглощающих центров на поверхности//Оптика и спектроскопия. 1994, Т. 76, №2. С.303-310.

245. Двайт Г.В. Таблицы интегралов и другие математические формулы. М.: Наука. 1983, 176 с.

246. Моррисон. С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир. 1980, 488 с.

247. Простоев А.С., Шуб Б.Р., Гостева Н.Н. Поверхностная миграция молекул СО, адсорбированных на поверхности Cu( 100)//Химическая физика. 2002. №2. С.9-14.

248. Аджимамбетов P.P., Муджабаев И.Ш., Турсунов А.Т., Халитов Э.Э. Исследование кинетики испарения кристалла CdS методом лазерной ступенчатой фотоионизации атома//Журнал технической физики. 2003. Т.73, вып. 8. С.82-85.

249. Ахманов С.А., Гусев В.Э. Лазерное возбуждение сверхкоротких акустических импульсов: новые возможности в спектроскопии твердого тела, диагностике быстропротекающих процессов и нелинейной акустике//Успехи физических наук. 1992. Т.162, №3.-C.3-87.

250. Маненков А.А., Прохоров A.M. Лазерное разрушение прозрачных твердых тел//Успехи физических наук. 1986. Т. 148, вып. 1- С. 179-211.

251. Шумахер И. Перхлораты. Свойства, производство и применение. М.: Гос-химиздат. 1963, 237 с.

252. Хайретдинов Э.Ф., Мулина Т.В., Болдырев В.В. Механизм зародышеобра-зования при низкотемпературном разложении перхлората аммония/В сб. Механизм термического разложения перхлората аммония. Черноголовка: ИХФ АН СССР, 1981. С.101-103.

253. Гусаченко JI.K., Зарко В.Е., Зырянов В.Я., Бобрышев В.П. Моделирование процессов горения твердых топлив. Новосибирск: Наука, 1985. 182 с.

254. Лаптенков Б.К., Раевский А.В., Манелис Г.Б., Абруков С.А. О влиянии электрического поля на термическое разложение монокристаллов перхлората аммония//ДАН СССР. 1980. Т.250. №1. С. 1185-1187.

255. Сухушин Ю.Н., Ханефт И.Г. Электрический пробой в перхлорате аммо-ния//Журнал прикладной механики и технической физики. 1990. №3. -С.12-15.

256. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область сильных полей). М.: Физмат-гиз, 1958. 908 с.

257. Стенгач В.В. Об электрической прочности прессованного PbN6 //Прикладная механика и техническая физика. 1972. №1. С. 128-132.

258. Стенгач В.В. Зависимость электрической прочности прессованных кристаллических порошков от коэффициента заполнения и диэлектрической проницаемости кристаликов//Прикладная механика и техническая физика. 1975. №2.-С. 159-162.

259. Зенин А.А., Яковлев В.П. Горение перхлората аммония в слоевой систе-ме//Физика горения и взрыва. 1969. Т.5, №4. С.544-549.

260. Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Несмелов Н.С. Электрический пробой ЩГК вследствие ударной ионизации электронами//Изв. вузов. Физика. 1994. №2. С.121-122.

261. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой р-n перехода в полупроводниках. Л.: Энергия. 1980, 152 с.

262. Капассо Ф. Физика лавинных фотодиодов. В кн. Техника оптической связи: Фотоприемники. Под ред. У. Тсанга. М.: Мир. 1988. С.17-207.

263. Воробьев Г.А. Вывод выражения для зависимости пробивного напряжения каменной соли от толщины//Изв. вузов. Физика. 1972. №10. -С. 158160.

264. Химмельблау Д. Прикладное нелинейное программирование. М.: Мир, 1975. 534 с.

265. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука. 1987, 592 с.

266. Чуенков В.А. К теории ударной ионизации в ионных полупроводни-ках//ФТТ. 1967. Т.9, вып.1. С.48-58.

267. Вершинин Ю.Н., Плешанов А.С. О природе минимума вольт-секундной характеристики при пробое диэлектриков//Электричество. 1988. №12. -С.54-57.

268. Воробьев А.А., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых тел. М.: Высшая школа. 1966, 224 с.

269. Гейман В.Г., Генкин С.А., Клименко К.А. Особенности формирования самостоятельного объемного разряда в больших межэлектродных проме-жутках//ЖТФ. 1985. Т.55, вып.12. С.2347-2353.

270. Воробьев Г.А., Мухачев В.А. Пробой тонких диэлектрических пленок. М.: Советское радио. 1977, 70 с.