Кинетические эффекты в кристаллах HgTe1-x S x , Ga2 Te3 и In2 Te3 при высоком давлении до 20 ГПа тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Гудина, Светлана Викторовна

• Гудина, Светлана Викторовна
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гудина, Светлана Викторовна

ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Кинетические эффекты.

1.2 Влияние давления на физические свойства полупроводников.

1.3 Кристаллическая структура и физические свойства халькогенидов ртути.;.

1.3.1 Общие сведения.

1.3.2 Изменение структуры халькогенидов ртути под действием давления.

1.3.3 Электрические свойства фаз высокого давления халькогенидов ртути.

1.3.4 Электрические свойства фаз высокого давления твердых растворов на основе халькогенидов ртути.

1.4 Физические свойства соединений АШ2В1У 3.

1.4.1 Общие сведения.

1.4.2 Свойства фаз высокого давления.

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1 Камеры высокого давления.

2.1.1 Камеры высокого давления типа поршень-цилиндр.

2.1.2 Камеры с наковальнями.

2.1.3 Камеры для оптических исследований.

2.2 Измерение гальваномагнитных эффектов в полупроводниках под давлением.

2.3 Измерение термоэлектрических эффектов в полупроводниках под давлением.

2.3.1 Обзор методов измерения термоэлектрических эффектов под давлением.

2.3.2 бенни измерения т.э.д при давлениях до 30 ГПа.

2.3.3 Другие детали эксперимента.

2.4 Оптические измерения при высоком давлении.

2.4.1 Измерение давления по люминесценции рубина.

2.4.2 Синхротронные исследования и измерение спектров комбинационного рассеяния под давлением.

2.5 Приготовление и аттестация образцов.

ГЛАВА 3 КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ HgTe,xSx (0.04 < х < 0.6), Ga2Te3 и In2Te3 ПРИ ВЫСОКОМ ДАВЛЕНИИ ДО 20 ГПа

3.1 Электрические свойства кристаллов HgTeixSx при высоком давлении.

3.2 Спектры комбинационного рассеяния света кристаллов HgTei.xSx при атмосферном и высоком давлении.

3.3 ■ Синхротронное исследование структурного превращения под действием давления в соединении HgTe0.7So.3.

3.4 Электрические свойства фаз высокого давления теллуридов галлия

Ga2Te3 и индия а-1п2Те3.

ГЛАВА 4 ОБСУЖДЕНИЕ ИЗМЕНЕНИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ И КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУР СОЕДИНЕНИЙ HgTe,.xSx, Ga2Te3 и In2Te3 ПОД ДЕЙСТВИЕМ ДАВЛЕНИЯ

4.1 Свойства исходной фазы кристаллов HgTei.xSx под действием давления до ~ 1 ГПа.

4.2 Обсуждение результатов измерения R(P) и S(P) в кристаллах HgTe^Sx при высоком давлении до 20 ГПа.

4.3 Модель изменения электронной и кристаллической структур соединения HgTei.xSx под действием давления.

4.4 Применение "р-модели" для описания фазовых переходов в соединениях Ga2Te3 и 1п2Те3 под действием давления.

4.5 Другие применения "р-модели".

ГЛАВА 5 РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОФАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ, ИСПЫТЫВАЮЩИХ ПЕРЕХОД ПОЛУПРОВОДНИК - МЕТАЛЛ, ВБЛИЗИ ДАВЛЕНИЯ

ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетические эффекты в кристаллах HgTe1-x S x , Ga2 Te3 и In2 Te3 при высоком давлении до 20 ГПа»

С давних пор физика выполняет две основные задачи: первая, фундаментальная, заключается в понимании природных закономерностей, а вторая, прикладная, связана с поиском путей применения открытых законов и свойств. Эти две задачи тесно взаимосвязаны и инициируют развитие друг друга.

Давление, наряду с температурой, является основным термодинамическим параметром, определяющим свойства вещества. Первые исследователи полупроводников под давлением Пол и Дрикамер [1] ввели термин спектроскопия давлением, которым подчеркивали важность воздействия давлением как мощного и универсального инструмента для изучения электронных свойств вещества. Спектроскопия давлением дает возможность расшифровать зонную структуру твердых тел, получать важную информацию о фазовых переходах, установить области устойчивости фаз, получать метастабильные фазы, выяснить роль структурных дефектов и, наконец, направленно влиять на свойства материалов, используемых в новой технике.

В последние десятилетия в связи с развитием электроники полупроводники заняли важное место в физике твердого тела. Пригодность полупроводниковых веществ для технических целей определяется главным образом свойствами носителей тока, наиболее распространенным методом изучения которых является исследование кинетических эффектов. Измерение гальваномагнитных и термоэлектрических явлений позволяет определить такие параметры носителей заряда как их знак, концентрацию, подвижность, параметр рассеяния, количество зон проводимости, характеризующее данный кристалл.

Современные представления о твердом теле не отделимы от понятия зонной структуры, которое лежит в основе объяснения всех физических свойств. Параметры, описывающие зонную структуру, находятся в тесной связи с параметрами носителей заряда, вкупе дающих полное представление о природе свойств материала. Полупроводники особенно чувствительны к воздействию давлением, что проявляется в перестройке энергетического спектра и, прежде всего, в резком изменении ширины запрещенной зоны, что наиболее существенно для узкозонных материалов. Согласно общей точке зрения основное влияние сжатия связано с увеличением перекрытия электронных орбиталей. Т.к. s-,p-, d-орбитали имеют различные радиальную протяженность, угловой момент, сжимаемость, то под влиянием давления они искажаются в разной степени. Под действием давления претерпевают существенные изменения параметры носителей тока. Особенно эффективно сочетание воздействия высокого давления и замещения, поскольку в этом случае происходят сильные изменения в спектре носителей тока, которые можно обнаружить при измерении кинетических свойств -термоэлектродвижущей силы (т.э.д.с.), электросопротивления и гальваномагнитных эффектов.

Широкозонные полупроводники Ga2Te3 и 1п2Те3 нашли применение как материалы для радиационно-стабильной электроники, электроники низкоразмерных структур и оптоэлектроники благодаря своим уникальным свойствам [2]: (1) физические параметры этих соединений не меняются даже при больших дозах ионизирующего излучения; (2) концентрация носителей заряда почти не зависит от концентрации примесей; (3) проводимость этих материалов всегда остается собственной. Другой класс полупроводников -бесщелевые халькогениды ртути HgX (X = Те, Se, S), относятся к полупроводникам с регулируемой энергетической щелью и широко применяются в качестве высокочувствительных приемников инфракрасного излучения, оптических фильтров и т.д. [3-6]. Особую ценность представляет то обстоятельство, что из-за малости запрещенной зоны эти материалы чрезвычайно чувствительны к внешним воздействиям (например, давление и изменение состава), так что в них возникают фазы с сильно отличающимися характеристиками. Это дает возможность управлять их свойствами.

В данной работе рассматриваются соединения Ga2Te3, In2Te3 и HgTe!xSx, формально относящиеся к разным классам веществ: бесщелевые полупроводники (халькогениды ртути) и широкозонные полупроводники (халькогениды галлия и индия). Вместе с тем они обладают рядом общих свойств:

1) это изоструктурные соединения, кристаллизующиеся в структуре цинковой обманки (сфалерита);

2) это дефектные соединения; - в теллуридах галлия и индия дефекты являются стехиометрическими (1/3 мест в катионной подрешетке пустые), а в халькогенидах ртути возникают нестехиометрические дефекты, влияющие на свойства материала;

3) HgTe образует с теллуридами галлия и индия непрерывные ряды твердых растворов, что указывает на сходный характер типа связи, и предполагает сходство зонных структур этих соединений [7, 8];

4) изучение полиморфизма твердых растворов HgTe-Ga2Te3 и HgTe-In2Te3 показало, что при изменении доли теллуридов галлия и индия наблюдаются структурные переходы типа порядок - беспорядок в вакансионной подрешетке, характерные для чистых Ga2Te3, In2Te3; под действием давления кубические фазы твердых растворов испытывают превращения в структуру типа киновари и электронные переходы бесщелевой полупроводник - широкозонный полупроводник, характерные для чистого HgTe [8, 9].

Таким образом, совместное исследование свойств этих соединений при высоком давлении способствует установлению взаимосвязей между различными классами полупроводниковых материалов.

Центральной задачей настоящего исследования являлось изучение фазовых переходов, происходящих при изменении давления и степени замещения, в соединениях Ga2Te3, In2Te3 и HgTeixSx. Особенно интересным представляется выявление закономерностей изменения энергетического спектра при структурных и электронных превращениях под давлением, регистрируемых по измерениям кинетических эффектов. Цель настоящей работы - исследовать влияние давления на кинетические эффекты в фазах низкого и высокого давления твердых растворов HgTei.xSx, теллуридов галлия Ga2Te3H индия 1п2Те3.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и основных выводов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Гудина, Светлана Викторовна

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

• Впервые изучено влияние давления и анионного замещения на электрофизические свойства фазы со структурой цинковой обманки кристаллов HgTei.xSx. По результатам измерения магнитосопротивления, т.э.д.с. и температурных зависимостей электросопротивления получены новые подтверждения модели инверсной зонной структуры, предложенной для соединения HgTe.

• Методами комбинационного рассеяния света и синхротронной дифракции впервые исследованы фазовые переходы и кристаллическая структура системы HgTei.xSx при изменении состава от 0 до 0.6 и давления от 0 до 3.5 ГПа. Установлено, что полупроводниковая фаза высокого давления имеет структуру киновари, как и бинарные халькогениды ртути. Определены параметры решеток исходной фазы и фазы высокого давления.

• Впервые измерены барические зависимости электросопротивления и т.э.д.с. в кристаллах HgTei.xSx под действием давления до 20 ГПа. Обнаружены электронные переходы бесщелевой полупроводник —> полуметалл —> широкозонный полупроводник (Р > 1 ГПа) —> металл (Р > 8 ГПа), происходящие с ростом давления до 20 ГПа и при изменении концентрации серы (0.04 < х < 0.6). Для полупроводниковой области состава (х < 0.2) впервые установлена тройная смена знака S с ростом Р, в отличие от полуметаллической (х > 0.2), где S меняет знак только при переходе в металлическую фазу высокого давления.

• Впервые получены данные т.э.д.с., магнитосопротивления и температурных зависимостей сопротивления соединений Ga2Te3 и 1п2Те3 до 25 ГПа, испытывающих фазовые переходы в металлическое состояние при Р = 3-5 ГПа и 2 ГПа, соответственно.

• Фазовые переходы в кристаллах HgTeixSx, Ga2Te3 и In2Te3 из тетраэдрической структуры (сфалерит и сфалерит с вакансиями) в октаэдрическую (искаженная структура NaCl: киноварь и структура типа Bi2Te3) описаны в единой "р-модели". Для HgTeixSx она объясняет полупроводниковые свойства в структуре киновари и металлизацию при дальнейшем увеличении давления. Для Ga2Te3 и 1п2Те3 р-модель объясняет металлический характер проводимости в фазах высокого давления, в отличие от Bi2Te3, который при атмосферном давлении является полупроводником. С помощью термоэлектрических данных предсказано и обнаружено сходство фаз высокого давления Ga2Te3 и 1п2Те3 со своими жидкими металлическими фазами и металлической фазой высокого давления Bi2Te3.

• В модели гетерофазных материалов с варьируемой конфигурацией включений впервые рассчитан комплекс электрических, термоэлектрических и гальваномагнитных свойств веществ, испытывающих переход полупроводник - металл, вблизи давления фазового перехода. Получены соотношения между различными свойствами в зависимости от конфигурации и концентрации включений фаз. Показано, что величины электрического сопротивления, т.э.д.с., эффекта Холла и т.д. изменяются диспропорционально в области фазового перехода.

В заключение я хочу выразить благодарность моим коллегам и соавторам, при чьем участии были проведены описанные здесь исследования.

Особую признательность я адресую моему научному руководителю Щенникову Владимиру Викторовичу, оказавшему большое влияние на формирование моего научного мировоззрения, научившему меня премудростям исследовательской работы, и помогавшему во всех начинаниях и на всех этапах работы.

Я благодарю Гощицкого Бориса Николаевича за его постоянный интерес и внимание к нашей работе, ценные замечания и всестороннюю поддержку.

Неоценимую помощь оказали Осотов В.И., Деревсков А.Ю., Овсянников С.В. - сотрудники Группы высоких давлений.

Большое спасибо Поносову Ю.С., Могиленских В.Е., Бажану И.С., Манакову А.Ю., Вохмянину А.П., Анчарову А.И., Толочко Б.П. за содействие в экспериментах по комбинационному рассеянию света и дифракции синхротронного излучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гудина, Светлана Викторовна, 2003 год

1. Paul W., Warschauer D.M. in\ Solids under Pressure / W. Paul, D.M. Warschauer (editors). McGraw-Hill Book Company, 1.c. N.Y - London. 1963.

2. Gurevich Y.G., Koshkin V.M., Volovichev I.N. The heterocontact of 2 intrinsic semiconductors and radiation-stable electronics // Solid-State Electronics 1995. - V. 38 - N 1. - P. 235-242.

3. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука. 1972. 640 с.

4. Берченко Н.Н., Кревс В.Е. Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. Воениздат СССР. 1982. 208 с.

5. Цидильковский И.М., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках. Свердловск: УНЦ АН СССР. 1987. 152 с.

6. Цидильковский И.М. Электронный спектр бесщелевых полупроводников. Свердловск: УрО АН СССР. 1991. 224 с.

7. Pitt G.D., McCartney J.H., Lees J., Wright D.A. The electrical and phase properties of Hg3Te3-In2Te3 alloys to high pressure // J.Phys. D: Appl.Phys. 1972. - V. 5. - N 7 - P. 1330-1343.

8. Morissy J.H., Pitt G.D., Vyas M.K.R. High pressure electrical and phase properties of Hg3Te3-Ga2Te3 alloys // J.Phys. C: Solid State Phys. 1974. -V. 7.-N4.-P. 113-126.

9. Shchennikov V.V., Popova (Gudina) S.V., Ovsyannikov S.V. Galvano-magnetic properties of heterophase materials at high pressures // Proceedings of SPIE. ed. by A. I. Melker. 1999. - V. 3687. - P. 129130.

10. Shchennikov V.V., Titov A.N., Popova (Gudina) S.V., Ovsyannikov S.V. Electrical properties of (PbS)o.59TiS2 crystals at high pressures up to 20

11. GPa // II International Seminar on Neutron scattering at high pressure. Dubna. Russia. Abstracts. 1999. - P. 74-75.

12. Попова (Гудина) C.B. Электрические свойства Ga2Te3, In2Te3, HgTe., XSX при высрком давлении // Международная зимняя школа по физике полупроводников. Научные сообщения молодых ученых. С.Петербург. 2000. - С. 11-12.

13. Щенников В.В., Попова (Гудина) С.В., Осотов В.И. Электрические свойства кристаллов Ga2Te3, In2Te3, HgTej.xSx при высоком давлении // 28 Международная зимняя школа физиков-теоретиков "Коуровка-2000". Программа и тезисы. Екатеринбург. 2000. - С.31.

14. Щенников В.В., Титов А.Н., Попова (Гудина) С.В., Овсянников С.В. Электрические свойства кристалловРЬ8059Т182 при высоком давлении до 20 ГПа // ФТТ. 2000. - Т.42. - вып. 7. - С. 1193-1195.

15. Щенников В.В., Савченко К.В., Попова (Гудина) С.В. Электрические свойства фаз высокого давления теллуридов галлия и индия//ФТТ. 2000. - Т. 42. - вып. 6.-С. 1004-1008.

16. Shchennikov V.V., Titov A.N., Popova (Gudina) S.V., Ovsyannikov S.V. Electrical properties of (PbS)0.59TiS2 crystals at high pressures up to 20 GPa // High Pressure Research. 2000. - V. 17. - P. 347-353.

17. Ponosov Yu.S., Shchennikov V.V., Mogilenskikh V.E., Osotov V.I., Popova (Gudina) S.V. Raman spectra and electronic properties of HgTeS crystals at high pressure // Phys. Stat. Sol. (b). 2001. - V.223. - N 1-2. - P.561-565.

18. Ovsyannikov S.V., Shchennikov V.V., Popova (Gudina) S.V., Derevskov A.Yu. Semiconductor-metal transitions in lead chalcogenides at high pressure // Phys.Stat.Sol. b. 2003. - V. 235. - N 2. - P. 521-525.

19. Аскеров Б. М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Ленинград: Наука. 1970. 303 с.

20. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. Москва. 1957.

21. Зеегер К. Физика полупроводников. Москва: Мир. 1977. 615 с.

22. Верещагин Л.Ф., Кабалкина С.С. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М.: Наука. 1979. 174 с.

23. Ансельм А. Введение в теорию полупроводников. Москва. 1962.

24. Shchennikov V.V. Semiconductor-metal transition in some materials at high pressures up to 30 GPa // Phys.Stat.Sol. b. 2001. - V. 223. - N 1-2.-P. 561-565.

25. Shchennikov V.V. Magnetoresistance and thermoelectric power of semiconductors at pressures up to 30 GPa // Defect and Diffusion Forum. 2002. - V. 208-209. - P. 275-280.

26. Goni A.R., Syassen K. Optical properties of semiconductors under pressure // Semiconductors and semimetals. 1998. - V. 54. - P. 247425.

27. Берченко H.H., Пашковский M.B. Теллурид ртути полупроводник с нулевой запрещенной зоной // Успехи физических наук. - 1976. -Т. 119.-N2.-C. 223-255.

28. Groves S.H., Paul W. Band structure of gray tin // Phys.Rev.Lett. 1963. -V. 11.-P. 194-196.

29. Cheong H.M., Burnett J.H., Paul W., Young P.M., Lansari Y., Schetzina J.F. Photoluminescence of HgTe/CdTe superlattices under high hydrostatic pressures // Phys.Rev.B. 1993. - V. 48. - N 7. - P. 44604463.

30. Piotrzkowski R., Porowski S., Dziuba Z., Ginter J., Giriat W., Sosnowski L. Band structure of HgTe // Phys.Stat.Sol. 1965. - V. 8. - N 3. - P. K135-K139.

31. Соболев В.В., Немошкаленко В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев: Наукова думка. 1988. 424 с.

32. Gawlik K.-U., Kipp L., Skibowski M., Orlowski N., Manzke R. HgSe: Metal or semiconductor? // Phys.Rev.Lett. 1997. - V. 78. - N 16. - P. 3165-3168.

33. Rohlfing M., Louie G. Quasiparticle band structure of HgSe // Phys.Rev.B. 1998. - V. 57. - N 16. - P. R9392-R9395.

34. Truchseb M. von, Pfeuffer-Jeschke A., Becker C.R., Landwehr G., Batke E. Electronic band structure of HgSe from Fourier transform spectroscopy//Phys.Rev.B.-2000.-V. 61.-N3.-P. 1666-1669.

35. Eich D., Hubner D., Fink R., Umbach E., Ortner K., Becker C.R., Landwehr G., Fleszar A. Electronic structure of HgSe (001) investigated by direct and inverse photoemission // Phys.Rev.B. 2000. - V. 61. - N 19.-P. 12666-12669.

36. Orlowski N., Augustin J., Golacki Z., Janowitz C., Manzke R. Direct evidence for the inverted band structure of HgTe // Phys.Rev.B. 2000. -V. 61.-N8.-P. R5058-R5061.

37. Delin A. First-principles calculations of the II-VI semiconductor P-HgS: Metal or semiconductor // Phys.Rev.B. 2002. - V. 65. - P. 153205-1-4.

38. Werner A., Hochheimer H.D., Strossner K., Jayaraman A. High-pressure x-ray diffraction studies on HgTe and HgS to 20 GPa // Phys.Rev.B. -1983. V. 28. - N 6. - P. 3330-3334.

39. Huang T-L., Ruoff A.L. High-pressure-induced phase transitions of mercury chalcogenides // Phys.Rev.B. 1985. - V. 31. - N 9. - P. 59765983; Pressure-induced phase transitions of HgSe // Phys.Rev.B. - 1983. -V. 27. - N 12. - P. 7811-7812.

40. Wright N.G., McMahon M.I., Nelmes R.J., San-Miguel A. Crystal structure of the cinnabar phase of HgTe // Phys.Rev.B. 1993. - V. 48. -N 17. - P. 13111-13114.

41. San-Miguel A., Wright N.G., McMahon M.I., Nelmes R.J. Pressure evolution of the cinnabar phase of HgTe // Phys.Rev.B. 1995. - V. 51. -N 14.-P. 8731-8736.

42. Mariano A.N., Warekois E.P. High Pressure Phases of Some Compounds of Groups II-VI // Science. 1963. - V. 142. - N 3593. - P. 672.

43. Bridgman P.W. The compression of 46 substances to 50 kbar // Collected Experimental Papers. 1964. - V. 6. - P. 134.

44. Омельченко A.B., Сошников В.И. О фазовой диаграмме HgSe // Неорганические материалы. 1980. - Т. 16. - № 5. - С. 928-929.

45. Омельченко А.В., Сошников В.И. О фазовой диаграмме HgTe // Неорганические материалы. 1982. - Т. 18. - № 4. - С. 685-686.

46. Kafalas J.A., Gatos Н.С., Lavine М.С., Banus M.D. High-pressure phase transition in mercury selenide // J.Phys.Chem.Solids. 1962. - V. 23. -P. 1541-1544.

47. McMahon M.I., Nelmes R.J., Liu H., Belmonte S.A. "Hidden" high-to-low cristobalite type pransition in HgSe and HgTe at high pressure // Prys.Rev.Lett. 1996. V. 77. -N 9. - P. 1781-1784.

48. McMahon M.I., Wright N.G., Allan D.R., Nelmes R.J. High-pressure crystal structure of HgTe-IV // Phys.Rev.B. 1996. - V. 53. - N 5. - P. 2163-2166.

49. Nelmes R.J., McMahon M.I., Wright N.G., Allan D.R. Phase transitions in CdTe to 28 GPa // Phys.Rev.B. 1995. - V. 51. - N 22. - P. 1572315731.

50. Nelmes R.J., McMahon M.I., Wright N.G., Allan D.R. Crystal structure of ZnTe III at 16 GPa // Phys.Rev.Lett. 1994. - V. 73. - N 13. - P. 1805-1808.

51. Nelmes R.J., McMahon M.I., Belmonte S.A. Nonexistence of the Diatomic (3-Tin structure // Phys.Rev.B. 1997. - V. 79. - N 19. - P. 3668-3671.

52. Cote M., Zakharov О., Rubio A., Cohen M.L. Ab initio calculations of the pressure-induced structural phase transitions for four II-VI compounds //Phys.Rev.B. 1997. -V. 55. -N 19. - P. 13025-13031.

53. Lombos B.A., Lee E.Y.M., Kipling A.L., Krawczyniuk R.W. Mercury chalcogenides, zero gap semiconductors // J.Phys.Chem.Sol. 1975. - V. 36.-N ll.-P. 1193-1198.

54. Цидильковский И.М., Щенников В.В., Глузман Н.Г. Металлизация халькогенидов ртути в условиях сверхвысокого давления // ФТТ -1982. Т. 24. - № 9. - С. 2658-2662.

55. Цидильковский И.М., Щенников В.В., Глузман Н.Г. Термоэдс халькогенидов ртути при сверхвысоком давлении // ФТП. 1983. -Т. 17.-№5.-С. 958-960.

56. Щенников В.В. Магнитосопротивление халькогенидов ртути при высоких давлениях до 30 ГПа // ФТТ. 1993. - Т. 35. - № 3. - С. 783-788.

57. McMahon M.I., Nelmes R.J, Wright. N.G., Allan D.R. Phase transitions in CdTe to 5 GPa // Phys.Rev.B. 1993. - V. 48. - N 22. - P. 1624616251.

58. Nelmes R.J., McMahon M.I., Wright N.G., Allan D.R. Observation of a high-pressure cinnabar phase in CdTe // Phys.Rev.B. 1993. - V. 48. - N 2.-P. 1314-1317.

59. Козленко Д.П., Щенников В.В., Воронин В.И., Глазков В.П., Савенко Б.Н. Нейтронографическое исследование структурного перехода в тройном соединении HgTeo.85So.15 под давлением // ФТТ. 2002. - Т. 44. - № 9. - С. 1553-1556.

60. Blair J., Smith A.L. Phase transition in mercury telluride // Phys.Rev.Lett.- 1961.-V. 7.-N4.-P. 124-125.

61. Stankiewicz j., Giriat W. Galvanomagnetic properties of pure HgTe under high hydrostatic pressure // Phys.Rev.B. 1976. - V. 13. - N 2. - P. 665-672.

62. Ramesh T.G., Shubha V. Transport properties under pressure in HgSe // J.Phys. C: Solid State Phys. 1982. -V. 15. - P. 6193-6198.

63. Щенников B.B., Гавалешко Н.П., Фрасуняк B.M. Переходы полупроводник-металл в HgMgTe и HgSeS при сверхвысоком давлении // ФТТ. 1993. - Т. 35. - № 2. - С. 389-393.

64. Щенников В.В., Гавалешко Н.П., Фрасуняк В.М., Осотов В.И. Фазовый переход под действием гидростатического давления в кристаллах HgSeS // ФТТ. 1995. - Т. 37. - № 8. - С. 2398-2408.

65. Щенников В.В., Гавалешко Н.П., Фрасуняк В.М. Фазовый переход в кристаллах HgTeS при высоком давлении // ФТТ. 1995. -Т. 37. - № 11.-С. 3532-3535.

66. Щенников В.В., Карькин А.Е, Гавалешко Н.П., Фрасуняк В.М. Магнитосопротивление кристаллов HgSeS при гидростатическом давлении до 1 GPa // ФТТ. 1997. - Т. 39, в. 10. - С. 1717-1722.

67. Глузман Н.Г., Цидильковский И.М., Щенников В.В. Электрические и термоэлектрические свойства фаз высокого давления Hgi.xCdxSe // Физика и техника высоких давлений. 1983. - № 13. - С. 72-74.

68. Цидильковский И.М., Щенников В.В., Глузман Н.Г. Переход полупроводник-металл в кристаллах HgixCdxSe под действием давления // ФТТ. 1985. - Т. 27. - № 2. - С. 439-443.

69. Chen А.В., Lai-Hsu Y-M., Krishnamurthy S., Berding M.A., Sher A. Band structures of HgCdTe and HgZnTe alloys and superlattices // Semicond. Sci.Technol. 1990. -V. 5. - P. S100-S102.

70. Gonthier J.C., Raymond A., Robert J.L., Triboulet R., Faurie J.P. Characterisation under hydrostatic pressure of narrow-gap Hgi.xCdxTe and Hg,.xZnxTe // Semicond.Sci.Technol. 1990. - V. 5. - P. S217-S220.

71. Kharakhorin F.F., Lutziv R.V., Pashkovskii M.V., Petrov V.M. Optical and photoelectrical properties of MnxHg!xTe system in the region of semimetal-semiconductor transition // Phys.Stat.Sol. a. 1971. - V. 5. -N l.-P. 69-75.

72. Narita S., Egawa M., Suizu K., Katayama M., Mizukami S. Effects of hydrostatic pressure on CdxHg(.xTe alloys // Appl.Phys. 1973. - V. 2. -N3.-P. 151-156.85. ' Popovic Z.V., Tomic N., Milutinovic A. Far-infrared spectroscopy of

73. Hgi.xMnxS alloys // Physica Status Solidi b. 1996. - V.197. - P. 315321.

74. Quadri S.B., Skelton E.F., Webb A.W., Colombo L., Furdyna J.K. High-pressure investigation of Hg0.91Mn0.09Te // Phys.Rev.B. 1989. - V. 40. -N 4. - P. 2432-2434.

75. Rath S., Jain K.P., Abbi S.C., Julien C., Balkanski M. Composition and temperature-induced effects on the phonon spectra of narrow-band-gap CdixHgxTe // Phys. Rev. B. 1995. -V. 52. - N 24. - P. 17172-17182.

76. Kozyrev S.P., Vodopyanov L.K., Triboulet R. Structural analysis of the semiconductor-semimetal alloy CdixHgxTe by infrared lattice-vibration spectroscopy//Phys. Rev. B. 1998.-V. 58. -N3. - P. 1374-1384.

77. Solodowy P.A., Giriat W. The dependence of the energy gap on the composition in the mixed crystals CdvHgivSe // Phys.Stat.Sol. b. 1971. -V. 48. -N2. - P. 463-466.

78. Биленький Б.Ф., Савицкий В.Г., Филатова А.К. Спектры фундаментального отражения тонких пленок системы HgTe-(3-HgS // УФЖ- 1973.-Т. 18.-№ 10.-С. 1729-1730.

79. Щенников В.В., Карькин А.Е, Гавалешко Н.П., Фрасуняк В.М. Влияние давления и анионного замещения на электрическиесвойства кристаллов HgTeS // ФТТ. 2000. -Т. 42. - № 2. - С. 210217.

80. Lacam A., Peyronneau J., Engel L.J., Lombos B.A. Pressure-induced phase transitions in mercury chalcogenides // Chem.Phys.Lett. 1973. -V. 18. - N 1. - P. 129-131.

81. Lombos B.A., Ghicopoulos В., Bhattacharya S., Pant B.C. Pressure induced phase transitions of mercury chalcogenides // Can.J.Phys. -1976. V. 54.-Nl.-P. 48-55.

82. Webb A.W., Qadri S.B., Carpenter E.R. Jr., Skelton E.F., Kennedy J., Effects of pressure on Cd.xZnxTe alloys (0 < x < 0.5), J.Appl.Phys., V. 61. N 7. - P. 2492-2494 (1987).

83. Lin C-M, Chuu D.S., Xu J-a., Huang E., Chou W.C., Pei J-H. High-pressure phase transitions in Zni.xMxSe (M=Cd, Fe, and Mn) // Phys.ReV. B. 1998. -V. 58. - N 1. - P. 16-19.

84. Arora A.K., Bartholomew D.U., Piterson D.L., Ramdas A.K. Raman-scattering study of the high-pressure phase transition in Cdt.xMnxTe // Phys.Rev.B. 1987. - V. 35. - N 15. - P. 7966-7972.

85. Жузе в.п., Сергеева b.m., Шалых А.И. Электрические свойства 1п2Те3 -полупроводника с дефектной структурой // ФТТ. 1960. -Т.2. -№ И. С. 2858-2871.

86. Медведева З.С. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы. М.: Наука. 1968. 206 с.

87. Warren W.W. Jr. Nuclear magnetic resonance and relaxation in "liquid semiconductors" 1п2Те3, Ga2Te3 and Sb2Te3 // Phys.Rev. B. 1971. - V.3.-N 11.-P. 3708-3724.

88. Takumi m., Koshio y., Nagata K. X-ray, Raman and photoluminescence study of vacancy ordered P-Ga2Se3 under high pressure // Phys. Stat. Sol. (b).- 1999.-V. 211.-N l.-P. 123-129.

89. Абрикосов h.x., Банкина В.Ф., Порецкая jl.b., Скуднова Е.В., Чижевская С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука. 1975. 100 с.

90. Катлер М. Жидкие полупроводники. Москва: Мир. 1980. 256 с.

91. Wooley J.C., Pamplin R.J. Some properties of In2Te3 and Ga2Te3 // J.Electrochem.Soc. 1961. - V. 108. - N 9. - P. 874-879.

92. Петрусевич b.a., Сергеева b.m., Смирнов и.а. о связи тепловых и оптических свойств 1п2Те3 // ФТТ. 1960. -Т. И. - вып. 11. - С. 2894-2898.

93. Savchenko K.V., Shchennikov V.V. A phase transition in Ga2Se3 under high pressure // Can. J. Phys. 1994. - V. 72. - N 5-6. - P. 681-682.

94. Geller S., Jayaraman A., Hill G.V. Crystal Chemistry and superconductivity of pressure-induced phases in the In-Te system // Phys.Chem.Solids. 1965. -V. 26. - P. 353-361.

95. Becker W., Range k.-j., Weiss A. Uber das verhalten von ZnIn2Te4, CdGa2Se4 und ZnGa2Se4 bei hohen drucken // Z. Naturforsch. 1968. -V. 23b. -N 11. - P. 1545.

96. Littlewood P.B. Structure and bonding in narrow gap semiconductors // CRC Critical Review in Solid State and Materials Science. 1984. -V. 11.-N3.-P. 229-285.

97. Serebryanaya N.R. The crystal structure of pressure-induced phases of indium telluride (In2Te3) and gallium telluride (Ga2Te3) // Powder Diffr. 1992.-V.7.-N2.-P. 99-102.

98. Bose D.N., Sen S., Josih D.K., Vaidya S.N. Resistivity studies on Ga2Te3 and In2Te3 under high pressures // Materials letters. 1982. - V. 1. - N 2. -P. 61-63.

99. Кульбачинсккй В.А. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. Москва: Издательство МГУ. 1998. 164 с.

100. Shchennikov V.V., Derevskov A.Yu., Smirnov V.A. Phase transitions registration at high pressure up to 30 GPa // High Pres.Chem.Engineering. Ed. by R.Rohr. Amsterdam: Elseiver. 1996. -P. 667-672.

101. Щенников B.B. Камера высокого давления // Авторское свидетельство СССР№ 835824. опубл. в Б.И. 1981. -№21.

102. Bundy F.P. Ultrahigh pressure apparatus using cemented tungsten carbide piston with sintered diamond tips // Rev.Sci.Instrum. 1975. -V. 46. - N 10. - P. 1318-1324.

103. Щенников B.B., Смирнов B.A. Устройство для создания сверхвысокого давления. Патент РФ №2050180 1995. // Открытия, изобретения. - 1995. - №35.

104. Бредли К. Применение техники высоких давлений при исследованиях твердого тела. М.: Мир. 1972. 231 с.

105. Верещагин Л.Ф. Избранные труды. Твердое тело при высоких давлениях. М.: Наука. 1981.

106. Eremets M.I. High pressure experimental methods. Oxford University Press, Oxford New York Tokyo. 1996.

107. Щенников В.В. ТермоЭДС и электропроводность материалов в окрестности точки фазового перехода полупроводник-металл // ФММ.- 1989.-Т. 67.-№ 1.-С. 93-96.

108. Jayaraman A. Ultrahigh pressures // ReV. Sci. Instrum. 1986. - V.57. -N6.-P. 1013 -1031.

109. Lowney J.R., Thurber W.R., Seiler D.G. Transverse magnetoresistance: a novel two-terminal method for measuring the carrier density and mobility of a semiconductor layer // Appl. Phys.Lett. 1994. - V. 64. - N 22. - P. 3015-3017.

110. Sakai N., Takemura K., Tsuji K. Electrical properties of high-pressure metallic modification of iodine // J.Phys.Soc.Japan. 1982. -V. 51. - № 6. - P.1811-1816.

111. Ramasesha S.K., Singh A.K. Measurement under pressure of thermoelectric power along the thickness of a thin specimen // Rev.Sci.Instrum. 1991. - V.62. - № 5. - P.1372-1373.

112. Polvani D.A., Meng J.F., Hasegawa M., Badding J. V. Measurement of the thermoelectric power of very small samples at ambient and high pressures // Rev.Sci.Instrum. 1999. - V. 70. - N 9. - P. 3586-3589.

113. Ferdin Bimal Т., Jaya N. Victor, Anbukumaran K., Natarajan S. Measurement of thermoelectric power using metal opposed anvil cells upto 100 kbar // Review of Scientific Instruments. 1995. - V. 66. - № 12. -P. 5636-5637.

114. Вуд С., Хмелевски А., Золтан Д. Определение коэффициента термо-ЭДС при больших перепадах температур // Приборы для научных исследований. 1988. - Т. 59. - № 6. - С. 135-140.

115. Глазов В.М., Охотин А.С., Боровикова Р.П., Пушкарский А.С. Методы исследования термоэлектрических свойств полупроводников. М.: Атомиздат. 1969. 176 с.

116. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства: справочник. Киев: Наукова думка. 1979. 768 с.

117. Аверкин А.А., Воров Ю.Г., Иванов Г.А., Регель А.Р. Влияние давления на электрические свойства висмута // ФТТ. 1971. - Т. 13. -№ 2. - С. 378.

118. Khvostansev L.G., Vereshchagin L.F. Uliyanitskaya N.M. Measurement of the thermo-electric properties of metals and semiconductors at quasi-hydrostatic pressures up to 60 kbar. 1.Bismuth // High Temp. High Pressure. - 1973. - V. 5. - №1. - P. 261- 264.

119. Munro R.G. Block S., Piermarini Y.J., Maner F.A. Temperature distribution in the diamond anvil pressure cell at high temperature // J.Appl.Phys. 1984. - V. 55. - N 1. - P. 4-8.

120. Shchennikov V.V., Bahzenov A.V. Thermoelectric Power Investigation at High Pressure up to 30 GPa // Rev. High Press. Sci. Technol. 1997. -V.6.-P.657.

121. Щенников В.В. Способ определения фазовых превращений // Авторское свидетельство СССР № 1354086. МКИ3 G 01N 25/02.

122. Shchennikov V.V., Derevskov A.Yu., Osotov V.I., Ovsyannikov S.V. High pressure treatment and analysis of semiconductor metal heterophase structures // Int. SymP. on Microelectronic and MEMS technologies. Proc. of SPIE. -2001. - V. 4405. - P.148-156.

123. Щенников B.B. Аппарат высокого давления // Авторское свидетельство СССР № 1646098. 1990.

124. Hirsch K.R., Holzapfel W.B. Diamond anvil high-pressure cell for Raman spectroscopy // Rev.Sci.Instrum. 1981. - V. 52. - N 1. - P. 5255.

125. Ji R.B., Wang S.L, Yang J.R., Yu M.F., Qiao Y.I., Chang Y, Li B.A., He L. Photoluminescence and raman-scattering spectroscopies of MBE-grown Hgo.68Cdo.32Te epilayer // J.of Infrared and Millimetre Waves. -1998.-V. 17. -N2. P. 87-90.

126. Chang I.F., Mitra S.S. Application of a modified random-element-isodisplacement model to long-wavelength optic phonons of mixed crystals // Phys. Rev. B. 1968. - V. 172. - N 3. - P. 924-934.

127. Grinberg M., Le Toulec R., Balkanski M. Dielectric function in HgTe between 8 and 300 К // Phys. Rev. B. 1974. - V. 9. - N 2. - P. 517-526.

128. Козырев С.П. Аномальные свойства решеточных ТО колебаний I. Внецентровая модель решеточных колебаний // ФТТ. 1993. - Т. 35. -№7. -С. 1729-1740.

129. Zallen R., Lucovsky G., Taylor W., Pinczuk A., Burnstein E. Lattice vibrations in trigonal HgS // Phys. Rev. B. 1970. - V. 1. - P. 40584070.

130. Sen S., Bose D.N. Electrical and optical properties of single crystal Ga2Te3 and In2Te3 // Solid State Commun. 1984. - V. 50. - N 1. - P. 3942.

131. Nagat A.T., Nassary M.M., El-Shaikh H.A. Investigation of thermoelectric power of indium sesquitelluride monocrystals // Semicond. Sci. Technol. 1991. - V. 6. - N 10. - P. 979-982.

132. Абрикосов А.А. Основы теории металлов. M. Наука. 1987. 520 с.

133. Обухов С. А. Отрицательное магнитосопротивление в полупроводниках // Препринт ФТИ им. Иоффе АН СССР. 1990. -N 1459.-С. 1-21.

134. Пайерлс Р. Квантовая теория твердых тел. М.: Иностранная литература. 1956. 259 с.

135. Волков Б.А., Панкратов О.А., Пахомов С.В. Деформационная теория энергетического спектра теллура // ЖЭТФ. 1984. - Т. 86. - вып. 6. -С. 2293-2303.

136. Волков Б.А., Панкратов О.А., Сазонов А.В. Теория электронного энергетического спектра полупроводников группы А4В6 // ЖЭТФ. -1983.-Т. 85.-вып. 4(10).-С. 1395-1408.

137. Gaspard J.P., Marinelli F., Pellegatti A. Peierls instabilities in covalent structures//Europhys. Lett. 1987.-V. 3.-N 10.-P. 1095-1101.

138. Tamura K., Misonou M., Endo H. Electrical resistivity of liquid Те, Ga2Te3, In2Te3 and Tl2Te under high pressure // J.Phys.Soc.Jap. 1979. -V. 46. - N 2. - P. 637-642.

139. Tsuchiya Y. and Seymour E.F.W. Non-metal metal transition in liquid Ga2Te3 under pressure // J.Phys. C: Solid State Phys. - 1983. -V. 16. - P. 5815-5822.

140. Полтавец Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллических состояниях // Успехи физических наук. 1976. - Т. 120. - вып. 4. -С. 581-612.

141. Кульбачинский В.А., Щенников В.В., Горак Я., Лоштяк П. Особенности поведения термоэдс Bi2Te3 и InxBi2xTe3 при давлении до 20 ГПа // ФТТ. 1994. - Т. 36. - вып. 2. - С. 526-530.

142. Chattopadhyay Т., Schnering H.G. von, Grosshans W.A., Holzapfel . W.A. High-pressure x-ray diffraction study on the structural phasetransitions in PbS, PbSe and PbTe with synchrotron radiation // Physica ВС. 1986. - V. 139-140. - P. 356-360.

143. Оделевский В.И. Расчеты полной проводимости гетерогенных систем // ЖТФ. 1951. - Т. 21. - № 6. - С. 667-685.

144. Halpern V. The thermopower of binary mixtures // J. Phys. C: Solid State Phys. 1983. - V. 16. - P. L217-L220.

145. Бугаев A.A., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Ленинград: Наука. 1979.

146. Балагуров Б.Я. Об изоморфизме некоторых теорий протекания // ЖЭТФ. 1983. - Т. 85. - № 2. - С. 568-584.

147. Щенников В.В., Штрапенин Г.Л. Эффективная проводимость гетерофазных систем: влияние геометрических параметров // Расплавы. 1990. - Т. 6. - С. 103-106.

148. Щенников В.В. Магнитосопротивление метастабильных фаз высокого давления // ФТТ. 1995. - Т. 37. - № 4. - С. 1015-1021.

149. ГОСУДс,; с-твксшлп •БЛБЛЫОТ.Ь^Л'г-С>Ъ