Электронные кинетические явления в полупроводниковых и ВТСП соединениях с примесями замещения и собственными дефектами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Пономарев, Анатолий Иванович

• Пономарев, Анатолий Иванович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Пономарев, Анатолий Иванович

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

Введение

Глава I. Электронный спектр бесщелевых и узкощелевых

полупроводников (обзор)

1.1 Зонная структура Н§Те и Н§8е

1.2 Энергетический спектр бесщелевых полупроводников

вблизи центра зоны Бриллюэна

1.3 Собственные дефекты в халькогенидах ртути

1.4 Изовалентные примеси замещения в халькогенидах ртути

2.1 Исследование гальваномагнитных эффектов в

импульсном магнитном поле

2.2 Исследование гальваномагнитных эффектов в

постоянном магнитном поле

2.3 Измерение термоэдс

2.4 Подготовка полупроводниковых образцов к измерениям

2.5 Подготовка ВТСП образцов к измерениям

2.6 Погрешности определения измеряемых величин

Глава III. Определение зонных параметров Н§8е и Hgi.xZn.xSe из

осцилляций Шубникова-де Гааза (Ш-Г)

А : Квантовая теория гальваномагнитных явлений

З.А1. Магнитосопротивление в квантующих магнитных полях

З.А2. Методы определения зонных параметров из осцилляций Ш-Г

В : Определение зонных параметров Н§8е

3 .В 1. Определение концентрации электронов и температуры Дингла

З.В2. Определение g- фактора электронов проводимости

3 .ВЗ. Сравнение экспериментальных значений g - фактора

электронов с результатами теории (учет влияния удаленных

зон)

С : Определение зонных параметров Hgi_xZnxSe

3 .С 1. Определение температуры Дингла и её зависимости от

концентрации электронов проводимости

З.С2. Определение эффективной массы электронов в зависимости от концентрации электронов и от содержания Zn

в Hg!_xZnxSe

З.СЗ. Определение g-фактора электронов в Hgi„xZnxSe при

переходе из бесщелевого состояния в состояние с открытой щелью

Глава IV. Примесные состояния, энергетический спектр разбавленных

магнитных полупроводников

4.1 Специфика Мп как примеси замещения в полупроводниках A„Bvi

4.2 Энергетический спектр разбавленных магнитных полупроводников (РМП)

4.3 Примесные состояния в немагнитных твердых растворах

на примере Hgi_xCdxTe

4.4 Особенности примесных состояний в Hgi.xMnxTe

4.5 Магнитные свойства РМП

4.6 Гальваномагнитные явления в р-Hgi.xMnxTe

4.7 Гальваномагнитные явления в Hgi.xMnxSe

Глава V. Явления переноса в разбавленных магнитных

полупроводниках

5.1 Особенности эффекта ШГ в Hgi_xMnxSe

5.2 Гальваномагнитные явления в бесщелевом р- Hg^JVlnxTe

5.3 Гальваномагнитные явления в Hgi.xMnxTei.ySey

5.4 Магнитная восприимчивость Hgi.xMnxTei.ySey

Глава VI. Электронные свойства высокотемпературных

сверхпроводников (ВТСП)

6.1 Введение

6.2 Фазовая диаграмма и электронная кристаллическая

структура медно-оксидных СП

6.3 Свойства нормального состояния ВТСП

Глава VII. Термогальваномагнитные эффекты и релаксационные

явления в дырочном La2-xSrxCu04

7.1 Влияние содержания Sr в La2_xSrxCu04 на поведение сопротивления и термоэдс при Т > Тс

7.2 Влияние магнитного поля на сопротивление и термоэдс в La2.xSrxCu04 при Т < Тс

7.3 Релаксация остаточного сопротивления в La2.xSrxCu04

7.4 Особенности поведения намагниченности в La2.xSrxCu04

7.5 Обсуждение результатов

Глава VIII. Кинетические явления в поли- и монокристаллическом

Nd2.xCexCu04

8.1 Кинетические явления в поликристаллических образцах NdbssCeo.isCuO^

8.2 Анизотропия сопротивления и термоэдс монокристалла Ndi.85Ceo.i5CuO«

8.3 Двумерные свойства монокристалла Ndi.85Ceo.i5Cu04.g

8.4 Влияние магнитного поля на сверхпроводящий переход

в монокристалле Ndi.85Ceo.i5Cu04..5

Заключение

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные кинетические явления в полупроводниковых и ВТСП соединениях с примесями замещения и собственными дефектами»

ВВЕДЕНИЕ

Кинетические эффекты лежат в основе многих технических применений полупроводников. Так как эти эффекты чувствительны к законам дисперсии носителей тока и к природе взаимодействия носителей с различными дефектами кристаллической решетки, многие традиционные методы изучения твердых тел основываются на исследовании различных кинетических свойств. Эти методы становятся особенно эффективными в экстремальных экспериментальных условиях: при низких температурах, высоких давлениях, в сильных магнитных полях и т.д. Хорошие и надежные результаты получаются тогда, когда исследование проводится комплексно, с учетом выводов теории электронных явлений переноса.

В работе приведены результаты комплексных исследований кинетических явлений с целью изучения влияния изовалентных и неизовалентных примесей замещения на физические свойства бесщелевых Н^е, узкощелевых Н^.^п^е, полумагнитных Н§1.хМпхТе(8е) полупроводников, а также соединений Ьа2.х8гхСи04 (р-тип) и Ш2-хСехСи04 (п-тип проводимости). Общим для всех этих материалов является то, что при отсутствии примесей и Т=0 все они являются диэлектриками и лишь при наличии примесей обладают проводимостью.

Примесями являются любые точечные дефекты: атомы других химических элементов, внедренные в основную матрицу кристалла, или собственные стехиометрические дефекты, например, вакансии или межузельные атомы. Именно собственные электрически заряженные дефекты играют главную роль в формировании электронных свойств бесщелевых и узкощелевых полупроводников II-VI. (В настоящей работе это халькогениды ртути Щ8е и Б^Те ).

Замещение части атомов ртути в этих соединениях изовалентными атомами (например Сс1 ) коренным образом меняет их энергетический

спектр, не изменяя концентрации носителей тока. Например, в Н£1.хСс1хТе с изменением состава (х) изменяются только зазоры между зонами разрешенных энергий таким образом, что можно перейти от инвертированной зонной структуры с нулевой шириной запрещенной зоны в ЩТе (х=0) к полупроводнику с открытой щелью (х >0.16) типа СсГГе.

Бесщелевые полупроводники и полупроводники с малой шириной запрещенной зоны ( её < 0.1 эВ) обладают рядом уникальных свойств, открывающих широкие возможности для их практического применения, благодаря высокой чувствительности к внешним воздействиям: магнитному полю, электромагнитному излучению, температуре и т. д. Одно из самых важных применений узкощелевых полупроводников - создание на их основе приемников и генераторов ИК - излучения, работающих на внутреннем фотоэффекте. Например, кристаллы Н§1_хСс1хТе с х = 0.2 имеют энергетическую щель вё = 0.1 эВ и используются для изготовления приемников теплового излучения, работающего вблизи длины волны X = 12 мкм.

В настоящей работе исследована серия новых кристаллов Hgi.xZn.xSe и установлено критическое содержание цинка, при котором происходит переход от бесщелевого полупроводника в состояние с открытой щелью.

Если часть атомов ртути в соединениях ЩТе (Бе) замещена атомами переходных элементов (например Мп) с незаполненной ё-оболочкой (с отличным от нуля магнитным моментом), то в отсутствие магнитного поля или при достаточно высоких температурах твердые растворы ^1_хМпхТе (8е) почти не отличаются от свойств твердых растворов Н§1.хС4Те (Бе).

При Н = 0 и малом содержании Мп х < 0.1 магнитного порядка в системе нет, и такие кристаллы называют разбавленными магнитными полупроводниками (РМП). В отличие от традиционных магнитных полупроводников (МпТе, ЕиО) разбавленные магнитные полупроводники

обладают хорошо известной зонной структурой исходного кристалла. В магнитном поле происходит упорядочение спинов магнитной подсистемы, которая через обменное взаимодействие вызывает качественную перестройку электронного энергетического спектра, а это приводит к целому ряду особенностей в поведении гальваномагнитных, оптических и других эффектов в РМП.

Исследование гальваномагнитных эффектов в разбавленных магнитных полупроводниках является актуальной задачей. Такие исследования не только расширяют понимание физических процессов, происходящих в бесщелевых и узкощелевых полупроводниках, но позволяют совершенствовать технологию получения материалов с заданными свойствами, которые необходимы для развития полупроводниковой электроники.

Разбавленные магнитные полупроводники уже применяются для изготовления различных приборов в актуальной ИК области спектра. Так, например, использование РМП для изготовления оптических фильтров, позволяет проводить перестройку полосы пропускания с помощью магнитного поля. Кроме того, РМП удобны для проверки теоретических моделей (подарок природы), т.к. в хорошо изученной матрице с известной зонной структурой имеется неупорядоченная магнитная система с контролируемой концентрацией магнитных ионов и электронов проводимости.

В настоящей работе приведены результаты исследования разбавленных магнитных полупроводников как п-типа Н§1.хМпх8е, так и р-типа Н§1.хМпхТе и Hgi.xMrixTei.ySey в широком интервале составов и концентраций носителей тока.

Уже десятки лет проблема высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) привлекает особое внимание исследователей, благодаря многообразию применений сверхпроводимости в электротехнике и

электронике. Открытие в 1986 году высокотемпературной сверхпроводимости послужило мощным толчком к взрыву научной активности в области исследований сверхпроводимости.

Но, несмотря на то, что штурм проблемы ВТСП продолжается уже 12 лет, круг поисков механизма высокотемпературной сверхпроводимости остается довольно широким. Причина этого состоит прежде всего в том, что до сих пор недостаточно выяснена физическая картина нормального состояния сверхпроводников, а это, в свою очередь, не позволяет вести целенаправленный поиск материалов с более высокими критическими параметрами. Другими словами, исследование физических свойств ВТСП в нормальном состоянии - задача сверхактуальная.

В данной работе приведены результаты исследований ВТСП соединений с неизовалентными примесями замещения Ьа2-х8гхСи04 (р-тип) и Ш2-хСехСи04 (п-тип) в смешанном и нормальном состоянии.

В диссертации проанализированы имевшиеся к началу настоящей работы литературные данные об исследованных в работе соединениях и показано, что экспериментальные данные носили разрозненный характер, а их интерпретация была далеко неоднозначной. Часто это было связано с тем, что исследования были выполнены на единичных образцах или в малых интервалах составов и концентраций носителей тока. Во многих случаях авторы исследовали и обсуждали лишь отдельные эффекты: продольное или поперечное магнитосопротивление, эффект Холла или термоэдс и т. д.

Поэтому целью настоящей работы было: комплексное экспериментальное исследование электронных кинетических явлений для изучения влияния изовалентных и неизовалентных примесей замещения на физические свойства бесщелевых, узкощелевых полупроводников и некоторых ВТСП соединений.

Основными экспериментальными методами, используемыми в данной работе, являются термогальваномагнитные явления в широком диапазоне

16 18 3

составов, уровня легирования (10 -ь 10 см" ), стационарных магнитных полей до 12Т, импульсных до 40 Т и температуры (1.3 ч- 300 К). Отдельные измерения проводились при сверхнизких температурах вплоть до Т = 0.2К.

Основу настоящей диссертации составили результаты экспериментальных исследований, проведенных в лаборатории полупроводников и полуметаллов Института физики металлов УрО РАН в период с 1977 по 1997 год.

Кроме введения, основных результатов и заключения диссертация содержит 8 глав.

Первая глава носит обзорный характер. В первом параграфе изложены основные представления об особенностях зонной структуры бесщелевых полупроводников Н^Те и Н^е, которые являются основой исследованных в работе полупроводниковых твердых растворов Н^.^ПхБе, Н§1_хМпхТе, Н&.хМпх8е, Hgt.xMnxTei.ySey.

Во втором параграфе этой главы приведено описание энергетического спектра бесщелевых полупроводников вблизи центра зоны Бриллюэна в отсутствие магнитного поля, кратко излагаются методы расчета закона дисперсии носителей тока в магнитном поле, приводятся выражения для уровней энергии электронов и дырок в зависимости от магнитного поля в различных приближениях.

В третьем и четвертом параграфах этой главы обсуждается влияние собственных дефектов и изовалентных примесей замещения на физические свойства халькогенидов ртути. Приведены известные к началу данной работы сведения о параметрах зонной структуры Н§1.х2пх8е - твердого раствора, в котором часть атомов ртути замещена атомами цинка (изовалентное замещение).

Во второй главе описаны использованные в работе экспериментальные установки, методика проведения эксперимента, подготовка образцов к измерениям, приведены погрешности измеряемых величин.

Третья глава состоит из трех частей: А, В и С. В части А кратко изложена квантовая теория гальваномагнитных явлений, приведены выражения для продольного р7/ и поперечного р,« магнитосопротивления в квантующих магнитных полях и методы определения зонных параметров полупроводников из осцилляций Шубникова-де Гааза (Ш-Г) таких как: концентрация и эффективная масса носителей тока, §-фактор, величина нетеплового уширения квантовых уровней Г= кТс (Тс - температура Дингла).

В частях В и С главы III приведены результаты исследований осцилляций Ш-Г на сериях образцов Н^Бе (17 образцов) и К^.^п^е (22 образца). Эти исследования позволили определить концентрацию электронов, температуру Дингла, эффективную массу и зависимость её от концентрации носителей, энергетический зазор её = в(Гб) - в(Г8) в \lg\_yZnySQ и содержание цинка, при котором происходит инверсия термов Г6 и Г8. Полученный в работе график зависимости её(х) дает возможность получать кристаллы ^1_х2пх8е с нужной величиной открытой щели.

Благодаря использованию генератора импульсных магнитных полей, позволяющему получать поля до 40Т, в обоих соединениях надежно определен g-фaктop электронов проводимости из спинового расщепления максимумов осцилляций Ш-Г с малыми квантовыми номерами и проведено сравнение полученных результатов с теорией.

Четвертая глава носит обзорный характер. В ней обсуждаются особенности изовалентного замещения ртути марганцем в халькогенидах ртути, влияние магнитного поля на энергетический спектр РМП, магнитные свойства РМП, проанализированы известные данные об исследованиях Н&.хМпхТе и Н^.хМп^е.

В пятой главе обсуждаются особенности явлений переноса в РМП. В первом параграфе приведены результаты экспериментальных исследований осцилляций Ш-Г в кристаллах Н§ьхМпх8е с электронным типом

проводимости как с sg < 0, так и с sg > 0. Эти исследования позволили объяснить особенности осцилляций Ш-Г в бесщелевых РМП, определить знак и величину обменных параметров, а также величину и зависимость g-фактора электронов от температуры для бесщелевых кристаллов и для образцов с 8g> 0.

Во втором и третьем параграфах приведены результаты исследований сопротивления и эффекта Холла на сериях кристаллов p-Hgi_xMnxTe (8 образцов) и p-Hgi_xMnxTei_ySey (12 образцов). Проведен анализ полученных результатов, который показал, что обменное взаимодействие дырок с подсистемой спинов ионов Mn (p-d обменное взаимодействие) приводит к образованию связанного магнитного полярона. Разрушение состояния магнитного полярона магнитным полем приводит к резкому увеличению (до двух порядков) концентрации свободных дырок и ряду аномалий в поведении сопротивления и эффекта Холла.

Впервые показано, что влияние p-d обменного взаимодействия в образцах p-Hgi.xMnxTei.ySey приводит к увеличению на порядок критической концентрации перехода Мотта по сравнению с немагнитными полупроводниками.

В главе шестой изложены современные представления о двух типах ВТСП с неизовалентными примесями замещения - дырочных La2.xSrxCu04 и электронных Nd2-xCexCu04. Обсуждаются фазовые диаграммы, кристаллическая структура, свойства нормального состояния этих соединений.

В седьмой главе приведены результаты комплексных исследований температурных зависимостей сопротивления, термоэдс, эффекта Холла и намагниченности образцов La2.xSrxCu04.y с разным содержанием стронция (0 < х < 0.4) в широком интервале температур и магнитных полей.

Результаты измерений коэффициента Холла (Rh) в La2.xSrxCu04.y , полученные в настоящей работе в феврале 1987 года, были первыми,

указывающими на то, что во вновь открытых сверхпроводниках в области нормального состояния преобладает дырочная проводимость. Приведены оценки концентрации дырок и их подвижности.

В работе впервые в одних и тех же условиях проведены исследования сопротивления и намагниченности на поликристаллах Ьа2-х8гхСи04 при Т < Тс. Обнаружен новый тип резистивного состояния, в котором как в поведении сопротивления, так и намагниченности ярко проявляются гистерезисные и релаксационные эффекты. Найдены энергии активации абрикосовских вихрей из релаксации остаточного сопротивления и остаточной намагниченности. Предложена гипотеза для объяснения наблюдаемых явлений. Показано, что наблюдаемые эффекты связаны с особенностями проникновения, захвата и движения магнитного потока как в межгранульном пространстве, так и в самих сверхпроводящих гранулах.

Восьмая глава содержит четыре параграфа. В первом параграфе приведены результаты комплексного исследования сопротивления и намагниченности поликристаллических образцов Мё2.хСехСи04. Как и в поликристаллах Ьа2-х8гхСи04, установлена аналогия в поведении сопротивления и намагниченности в резистивном состоянии. Несмотря на то, что эксперименты проведены при низких температурах (4.2 -г 15 К) выявлены общие закономерности свойств, присущие другим ВТСП соединениям с более высокими Тс.

Во втором параграфе приведены результаты исследований температурных зависимостей сопротивления в плоскости аЬ раь и в направлении оси с рс и термоэдс 8аь и 8С монокристалла Ш^зСеолзСиО« . Определен коэффициент анизотропии сопротивления Рс/Раь ~ 1.4-104 (Т = 300К). Температурные зависимости сопротивления и термоэдс объяснены в рамках модели узкой зоны, предложенной в работе [254].

В третьем и четвертом параграфах приведены результаты впервые проведенного комплексного исследования сопротивления и эффекта Холла монокристаллов Кё2.хСехСи04.5 (х = 0.15; 0.18) в смешанном и нормальном состояниях. Анализ полученных экспериментальных данных с помощью современных теоретических представлений позволил определить величины нижнего и верхнего критического магнитного полей, критические индексы теории скейлинга, длину когерентности. Полученные закономерности и численные значения критических индексов скейлинга позволяют утверждать, что проводимость в монокристаллах Ыё2-хСехСи04.5 аддитивно складывается из двумерных проводимостей плоскостей Си02, а сам кристалл является аналогом сверхрешетки с периодом = бА.

В диссертации каждый параграф имеет свою нумерацию. Ссылки на формулы или рисунки даются с указанием номера главы и параграфа, например, формула (6.4.3) - шестая глава, четвертый параграф, формула третья.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Пономарев, Анатолий Иванович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Приведем основные результаты, полученные в настоящей работе:

1. Впервые надежно установлена зависимость щелевого параметра гё от концентрации Ъп в твердых растворах ^1х2пх8е. Показано, что переход от обращенного (её < 0) к обычному (её > 0) порядку зон происходит при х = 6%. Этот вывод имеет большое практическое значение, т.к. позволяет получать узкощелевые полупроводники с заданной величиной прямой запрещенной зоны.

2. Зависимость эффективной массы и g-фaктopa электронов от их концентрации в бесщелевых полупроводниках Н§8е соответствует теории зонной структуры Кейна. Показано, что для количественного описания эффективной массы достаточно обычного трехзонного приближения, однако в величину g-фaктopa дают существенный вклад (до 40%) поправки от удаленных зон. С другой стороны, вклад от удаленных зон в величину g-фактора электронов зоны Г6 (в-типа) несуществен и для количественного описания вполне достаточно трехзонного приближения.

3. В разбавленных магнитных полупроводниках ^1.хМпх8е обменное взаимодействие локализованных <1-электронов Мп с зонными электронами приводит к существенной перенормировке g-фaктopa электронов проводимости, который определяется состоянием магнитной подсистемы, зависящей от магнитного поля и температуры. Показано, что влиянием этого обмена обусловлены все аномалии осцилляций Шубникова-де Гааза. Определены знак и оценена величина параметра обменного взаимодействия.

4. В разбавленных магнитных полупроводниках Н§1.хМпхТе с дырочным типом проводимости изучено влияние обменного взаимодействия на локализованные состояния дырок на акцепторе. Показано, что обмен приводит к образованию магнитного полярона, энергия связи дырки увеличивается, радиус связанного состояния уменьшается, а критическая концентрация перехода Мотта возрастает более, чем на порядок величины.

Разрушение состояния магнитного полярона внешним магнитным полем приводит к резкому росту (на два порядка) концентрации делокализованных дырок и ряду аномалий магнитосопротивления и эффекта Холла.

5. Впервые в поликристаллических образцах Ьа2х8гхСи04 исследован эффект Холла, определен знак носителей, их концентрация и подвижность. Обнаружен гистерезис сопротивления и намагниченности в магнитном поле. Остаточное сопротивление и остаточная намагниченность релаксируют со временем по логарифмическому закону. Найдены значения энергии активации абрикосовских вихрей Ур и Уа, предложено объяснение различия этих величин.

6. В результате исследования сопротивления и эффекта Холла в монокристаллах Кё2-хСехСи04 в смешанном и нормальном состояниях определены величины нижнего и верхнего критических магнитных полей, коэффициент анизотропии сопротивления в нормальной фазе, критические индексы теории скейлинга, длина когерентности.

Показано, что наблюдаемая в резистивном состоянии инверсия знака коэффициента Холла обусловлена переходом от режима пиннинга абрикосовских вихрей к режиму их вязкого течения. Исследования в магнитных полях В > Вс2 позволили установить температурную зависимость сопротивления при температурах Т < Тс вплоть до Т = 0.2 К. Возрастание сопротивления при понижении температуры связано с интерференционными эффектами и вкладом электрон-электронного взаимодействия. Логарифмический закон возрастания характерен для систем с двумерной (2Б) проводимостью. С увеличением магнитного поля квантовые поправки подавляются и наблюдается предсказанное теорией слабой локализации отрицательное магнитосопротивление. Эти законо-мерности, а также численные значения критических индексов скейлинга позволяют утверждать, что проводимость в монокристаллах Кё2-хСехСи04 аддитивно складывается из 20 - проводимостей автономных купратных плоскостей. В этом отношении кристалл Ш2-хСехСи04 является аналогом многослойной гетероструктуры или сверхрешетки с периодом « 6А.

В заключение я хочу выразить глубокую благодарность академику РАН И.М.Цидильковскому за внимание и постоянный интерес к работе.

Я благодарен моим ближайшим сотрудникам Г.А. Потапову, К.Р. Крылову, Т.Б. Чариковой, А.Н. Игнатенкову и всем соавторам, в разное время принимавшим участие в выполнении настоящей работы, а также моим соратникам Г.И. Харусу, Н.Г. Шелушининой, Л.Д. Сабирзяновой за многолетнее сотрудничество и вдохновляющее общение.

Я хочу поблагодарить заведующего лабораторией полупроводников ИФМ УрО РАН доктора физ.-мат. наук В.И. Окулова, чья поддержка в немалой степени способствовала завершению работы.

Я благодарю всех сотрудников лаборатории полупроводников, способствовавших завершению работы.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Пономарев, Анатолий Иванович, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

[1] Цидильковский И.М. Эффект Нернста-Эттинсгаузена в теллуриде ртути

- ЖТФ, 1957, т. 27,с.1744.

[2] Harman Т.С., Strauss A.J. Band Structure of HgSe and HgSe-HgTe Alloys

- J. Appl. Phys. (Suppl.), 1961, v. 32, №10, p. 2265-2270.

[3] Гельмонт Б.Л., Иванов-Омский В.И., Цидильковский И.М. Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников - Успехи физических наук, 1976, т. 120, вып. 3, с. 337-360.

[4] Kane Е.О. Proceedings of the International Summer School on the Physics of Narrow Gap Semiconductors - Nimes (Berlin; Springer - Verlag), 1979, p. 13-21.

[5] Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников - М., Наука, 1978, с. 328.

[6] Цидильковский И.М., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках -Свердловск, 1987, с. 152.

[7] Groves S., Paul W. Band Structure of gray tin - Phys. Rev. Lett. , 1963, v. 11, p. 194.

[8] Whitset R.R. Osullatory magnetoresistance in mercuric Selenide - Phys. Rev., 1965, v. 138A, p. 829.

[9] Seiler D. G., Galazka R.R., Becker W.M. Band Structure of HgSe: Band Parameter Determinations from Effective - Mass Data, and Concentration Dependence and Anisotropy of Beating Effects in the Shubnikov - de Haas Oscillations - Phys. Rev., 1971, v.B3, №12(2), p. 4274-4285.

[10] L. M., Landwher G. - Phys. St. Sol., v. 31, p. 115.

[11] Lehorczky S.L., Broerman J.G., Nelson D.A., Whitsett C.R. Temperature -dependent electrical properties of HgSe - Phys. Rev., 1974, v. B9 , №4, p. 1598-1620.

[12] Латтинджер Дж., Кон В. Движение электронов и дырок в возмущенных периодических полях - В кн.: Проблемы физики полупроводников, - М.: Издательство иностранной литературы, 1957, с. 514- 539.

[13] Kane Е. О. Band Structure of Indium Antimonide - J. Phys. Chem. Sol., 1957, v. 1, p. 249-258.

[14] Pidgeon C. R., Brown R. N. Interband magnetoabsorption and Faraday rotation in InSb - Phys. Rev. В., 1966, v. 146, № 2, p. 575 - 585.

[15] Емцев В. В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках - М. Радио и связь, 1981, с. 248.

[16] Физика соединений AnBVI, M. Наука, 1986, с. 320 (под редакцией А. Н. Георгобиани и М. К. Шейнкмана).

[17] Цидильковский И. М. Эффект Нернста - Эттинсгаузена в сильных магнитных полях // - Программа Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Л. 1955, с. 6 -7.

[18] Harman Т. С., Logan M. J., Goering H. L. Preparation and electrical properties of mercury telluride. - J. Phys. Chem. Soc., 1958, v. 7, N 1, p. 228 - 235.

[19] Гавалешко H. П., Горлей П. H., Шендеровский В. А. Узкощелевые полупроводники. Получение и физические свойства - Киев, Наукова думка, 1984, с. 271.

[20] Кручеану Е., Никулеску Д., Нистор Н. Исследование псевдобинарной системы ZnSe-HgSe - Phys. Rev. Roum, 1963, v.8, p. 379.

[21] Кот M.B., Симашкевич A.B. Структура и электронные свойства системы ZnSe-HgSe // - Изв. АН СССР, сер, физ., 1964, v. 28, р. 1065.

[22] Физика и химия соединений AnBVI (под редакцией С. А. Медведева), "Мир", М., 1970.

[23] Гавалешко Н.П., Хомяк В.В., УФЖ, 1976, т. 21, с. 1488.

[24] Гавалешко Н.П., Хомяк В.В. Зонная структура и механизмы рассеяния носителей тока в ZnxHgi.xSe - ФТТ, 1976, т. 18, с. 2949.

[25] Гавалешко Н.П., Хомяк В.В., УФЖ, 1976, т. 21, с. 2058.

[26] Гавалешко Н.П., Солончук JI.C., Хомяк В.В. Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы - (Материалы IV Всесоюзного симпозиума), ч. I, 1975, т. 8, "Вища школа", JI.

[27] Gavaleshko N.P., Dobrowolski W., Baj M., Dmowski L., Dietl Т., Khomjak V.V. Proceedings of the III International Conference on the Physics of Semiconductors - Warszawa, 1977, p. 331.

[28] Kapitza P.L. A Method of Producing Strong magnetic Fields - Proc. Roy. Soc., 1924, A105,p. 191.

[29] Монтгомери Д.Б. Получение сильных магнитных полей с помощью соленоидов - Москва, "Мир", 1971.

[30] Кнопфель Г. Сверхсильные импульсные магнитные поля - Москва, "Мир", 1972.

[31] Сильные и сверхсильные магнитные поля и их применение, под редакцией Ф. Герлаха - Москва, "Мир", 1988.

[32] Miura N., Goto Т., Nakao К., Takeyama S. - Physica В, 1989, v. 155, p. 23 - 32; Miura N. 12th International Conference on the Application of High Magnetic Fields - Wurzburg, Germany, 29.07 - 2.08, 1996.

[33] Сахаров А.Д. Взрывомагнитные генераторы - УФН, 1966, т. 88, вып. 4,с. 725.

[34] Swarts P.S. Proc. Intern. Conf., Oxford, 1978, p. 79.

[35] Бонч - Бруевич A.M. Радиоэлектроника в экспериментальной физике -М, Наука, 1966, с. 768.

[36] Beer F.G. Galvanomagnetic Effects in Semiconductors, A.P. NJ - L, 1963.

[37] Кучис E.B. Методы исследования эффекта Холла - М.: Сов. Радио, 1974, с. 328.

[38] Буравов JI.И. Расчет анизотропии сопротивления с учетом концов образца с помощью конформного преобразования - ЖТФ, 1989, т.59, в.4, с.138-142.

[39] Semiconductors and Semimetals, ed. by R. K. Willardson, N. Y., 1966, v. 1.

[40] Adams E.N., Holstein H.D. Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena - J. Phys. Chem. Sol., 1959, v. 10, № 4, c. 254-276.

[41] Гуревич Л.Э., Эфрос А.Л. Влияние спина на осцилляции Шубникова-де Гааза как возможный метод определения эффективной массы носителей тока - ЖЭТФ, 1962, т. 43, №2(8), с. 561-563.

[42] Павлов С.Т., Парфеньев Р.В., Фирсов Ю.А., Шалыт С.С. К вопросу о влиянии спина электронов на квантовые осцилляции гальваномагнитных коэффициентов n-InSb - ЖЭТФ, 1965, т. 48, №6, с. 1565-1571.

[43] Whitsett Ch.R. Oscillatory Magnetoresistance in Mercuric Selenide -Phys. Rev., 1965, v. 138, A , p. 829.

[44] Galazka R., Becker W.R. , Seiler D.G. Proceedings of the International Conference on the Physics of Semiconductors - N.Y., 1971, c. 481.

[45] Баширов Р.И., Гаджиева P.M. Квантовые осцилляции магнитосопротивления в n-HgTe и n-HgSe - ФТП, 1970, т. 4, с.1936.

[46] Galazka R. Proceedings of the International Conference "The Application of High Magnetic Fields in Semiconductors Physics" - Wurzburg, 1976, p.498.

[47] Пономарев А.И., Потапов Г.А., Цидильковский И.М. Эффект ТТТГ в HgSe - ФТП, 1977, т. 11, с. 45 - 50.

[48] Пономарев А.И., Потапов Г.А., Цидильковский И.М. Осцилляции ТТТГ в HgSe - ФТП, 1977, т. 11, вып. 4, с. 802 - 803.

[49] Глузман Н.Г., Пономарев А.И. , Потапов Г.А., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М. Влияние уширения уровней на осцилляции Ш-Г в HgSe и HgCdSe - ФТП, 1978, т. 12, с. 468.

[50] Пономарев А.И., Потапов Г.А., Харус Г.И., Цидильковский И.М. Определение g-фактора электронов HgSe из осцилляций Ш-Г - ФТП, 1979, т. 13, с. 854-862.

[51] Глузман Н.Г., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М. Об эффекте Ш-Г в n-JnSb - ФТП, 1979, т.13, с. 466.

[52] Цидильковский И.М. „Электроны и дырки в полупроводниках" -Наука, М., 1972.

[53] BlickL.M., Landwehr G. De Haas-Van Alphen and Shubnikov - De Haas Effect in n-HgSe in Strong Magnetic Fields - Phys. Stat. Sol., 1969, v. 31, p.115-120.

th

[54] Dobrowolski W., Dietl T. Proceedings of the 13— International Conference on the Physics of Semiconductors - Rome, 1976, v. 12.

[55] Blick L.M., Landwehr G. Proceedings of the International Conference on II - VI Semiconductor Compounds - New York, 1967, p.897.

[56] Kacman R., Zawadzki W. Spin Magnetic Moment and Spin Resonance of Conduction Electrons in a-Sn-Type Semiconductors - Phys. Stat. Sol., 1971, v. 47, p. 629.

[57] Lehoczhy S.L., Broerman J.G., Nelson D.A., Whitsett C.R. Temperature -dependent electrical properties of HgSe - Phys. Rev. (B), 1974, v. 9, вып. 2, p. 1598-1619.

[58] Cardona M., Phys. J. - Chem. Sol., 1963, v. 24, p.1543.

[59] Pidgeon C.R., Brown R.N. Interband magneto-absorption and Faraday rotation in InSb - Phys. Rev., 1966, v. 146, №2, p.575-583.

[60] Yafet Y. Energy level of conduction electrons in a magnetic field - Phys. Rev., 1959, №5, v. 115, p.l 172-1176.

[61] Zawadski W. - Phys. Lett., 1963, v. 4, p.190.

[62] Гельмонт Б. Л., Иванов - Омский В.И., Цидильковский И.М. Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников -УФН, 1976, т. 120, с. 337.

[63] Миньков Г. М., Кружаев В. В., Рут О. Э. Туннельная спектроскопия п -HgSe - ФТТ, 1981, т. 23, вып.11, с. 3212-3217.

[64] Аскеров Б.М. Кинетические явления в полупроводниках - Наука, М., 1971, с. 200.

[65] Амирханов Х.И., Баширов Р.И. - ЖЭТФ. Письма, 1965, т. I, с. 17.

[66] Gavalesko N.P., Dobrowolski W., Bai M., Dmowski L., Dietl Т., Khomjak V.V. Proceedings of the III Intermational Conference on the Physics of Semiconductors - Warszawa, 1977, p. 331.

[67] Потапов Г.А., Пономарев А.И., Гавалешко Н.П., Хомяк В.В. Гальваномагнитные явления в ZnxHg!_xSe - Физика и техника полупроводников, 1979, т . 13, вып. 5, с. 881 - 886.

[68] Потапов Г.А., Пономарев А.И., Гавалешко Н.П., Хомяк В.В. Осцилляции ШГ в ZnxHg!.xSe - Физика и техника полупроводников, 1980, т. 14, вып. 12, с. 2333 - 2337.

[69] Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников - Наука, М., 1978.

[70] Galazka R.R., Kossut J. - Jn: Proc. Intern. Summer School on the Physics of Narrow Gap Semiconductors France, 1979, p. 245.

[71] Brandt N.B., Moshchalkov V.V. Semimagnetic semiconductors -Advances in Physics, 1984, v.33, №3,p.l93.

[72] Ляпилин И.И., Цидильковский И.М. Узкощелевые полумагнитные полупроводники - УФН, 1985, т.146, №1, с. 35-72.

[73] Полумагнитные полупроводники (под редакцией Я. Фурдыны и Я. Косута) - Москва, „ Мир», 1992.

[74] Furdyna J.K. Diluted magnetic semiconductors - J. Appl. Phys., 1988, v. 64, № 4, p. R29-64.

[75] Galazka R.R. Recent developments in semimagnetic semiconductors -Materials Science Forum on the Fourth Intern. Workshop on Semimagnetic Semiconductors, Linz, Austria, Sept., 1994, p. 371 - 380.

[76] Dietl Т. Semimagnetic Semiconductors in Magnetic Fields -Proceedings of the International Seminar, Hakone, Japan, 1980.

[77] Цидильковский И. M. Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния - Успехи физических наук, 1992, т. 162, N 2, с. 63 - 105.

[78] Гельмонт Б. JL, Дьяконов М. Н. Примесные состояния в полупроводнике с нулевой запрещенной зоной - ЖЭТФ, 1972, v. 62, N2, р. 713-724.

[79] Мотт Н. Ф., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах - М., Мир, 1974, с. 472.

[80] Yafet Y., Keyes R. W. and Adams E. N. Hydrogen atom in a strong magnetic field - J. Phys. Chem. Solids, 1966, v. 1, p. 137 - 142.

[81] Мыцельский E. Мелкие акцепторы в РМП // в кн. Полумагнитные полупроводники (под ред. Я. Фурдыны и Я. Косута) - М., Мир, 1992.

[82] Gaj J. A., Ginter Т., Galazka R. R. Exchange interaction of manganese 3d5 states with band electrons in Cdi_xMnxTe - Phys. St. Sol. (b), 1978, v. 89, № 2, p. 655-662.

[83] Rigaux C., Bastard G., Guldner Y. et al. - J. Phys. Soc. Japan, 1980, v. A 49 (Suppl.), p.811 - 814 (см. таже 807 - 810).

[84] Gawron T.R., Trylsky J. Acceptor States in Semimagnetic Semiconductors in a Magnetic Field - Lecture Notes in Physics, 1982, v. 152. p. 312 - 315.

[85] Gai J.A., Planel R., Fishman G. Relation of magneto - optical properties of

free exitons to spin - alignment of Mn^+ ions in CdMnTe - Sol. St. Comm., 1979. т. 29, N5, p. 435 -438.

[86] Bastard G., Lewiner C. Magnetization of HgMnTe alloys: a self consistent two spin - claster model - J. Phys. C. Sol. St. Phys., 1980. т. 13, N8, p. 1469 - 1479.

[87] Dobrowolski W., Ortenberg M., Sandauer A.M., Galazka R.R., Mycielski A., Rauthenet. Magnetization of narrow gap SMSC HgMnTe and HgMnSe

- Proc. 4-th Intern. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond. Linz, Austria, 1981, p. 302.

[88] Брандт Н.Б., Мощалков B.B., Орлов A.O., Скрбек Л., Цидильковский И.М., Чудинов С.М. Исследование электрических и магнитных свойств бесщелевого полумагнитного полупроводника HgMnTe при низких и сверхнизких температурах - ЖЭТФ, 1983, т. 84, с. 1059.

[89] Nagata S., Galazka R.R, Knattak C.D. et al. Magnetic susceptibility, specific heat and spin - glass transition in HgMnTe - Phys. Rev. B, 1980, v. 22, p. 3331.

[90] Delves R. T. HgTe - MnTe alloys. Electrical properties - J. Phys. Chem. Solids, 1963, v. 24, N 7, p. 885-897. Delves R. T. New galvanomagnetic effects in very small energy gap HgMnTe solid solutions

- Proc. of the Phys. Soc., 1966, v. 87, N 557, p. 809 - 824.

[91] Mycielsky A., Mycielsky J. Acceptors in semimagnetic Semiconductors -J. Phys. Soc. Japan, 1980, v. 49, Suppl. A, p. 807- 810.

[92] Anderson J. R., Johnson W. В., Stone D. R. Transverse magnetostriction and Hall effect in wide - gap Hgi_xMnxTe - J. Vac. Sci. Techn, 1983,

v. Al, N3, p. 1761 - 1764.

[93] Wojtowitch Т., Mycielsky A. Magnetic field induced nonmetal - metal transition in the open gap Hgi_xMnxTe - Physica, 1983, v. 117B - 118B,

p. 1754- 1757.

[94] Германенко А. В., Зверев Л. П., Кружаев В. В., Миньков Г. М., Рут О. Э., Гавалешко Н. П., Фрасуняк В. М. Энергия акцепторного уровня в полупроводниковом р - HgMnTe в магнитном поле - ФТТ, 1984, т. 26, N6, с. 1754- 1757.

[95] Зверев Л. П., Кружаев В. В., Миньков Г. М., Рут О. Э., Гавалешко Н. П., Фрасуняк В. М. Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр Hgi_xMnxTe с 8g > 0 в магнитном поле - ФТТ, 1984, т. 26, N 10, с. 2943 - 2950.

[96] Sawicki M., Dietl Т., Plesiewicz et al. Jn: Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (C. Landwehr, ed.). - Springer, Berlin, 1983, p. 382.

[97] Davydov А. В., Ponikarov В. В., Tsidilkovski I. M. Peculiarities of the magnetoresistance of Hgi.xMnxTe - Phys. Stat. Sol. (b), 1980, v. 101, № 1, p. 127-134.

[98] Поникаров Б. Б., Цидильковский И. М., Шелушинина Н. Г. Проводимость по акцепторным состояниям в Hgi.xMnxTe в сильных магнитных полях - ФТП, 1981, т.15, вып. № 2, с. 296-303.

[99] Давыдов А. В., Поникаров Б. Б., Цидильковский И. М. Влияние обменного взаимодействия на гальваномагнитные эффекты в Hgi„xMnxTe - ФТП, 1981, т.15, вып. 5, с. 881-889.

[100] Takeyma S. and Galazka R.R. Band structure of HgMnSe from anomalous Shubnikov de Haas effect - Phys. St. Sol. (b), 1979, v. 96, № 1, p. 413-424.

[101] Byszewsky P., Cieplak M.Z., Mongird - Gorska A. The energy structure of HgMnSe in a strong magnetic field - Solid St. Phys, 1980, v. 13, p. 5383 -5391.

[102] Марьянчук П.Д., Гавалешко Н.П. Кинетические явления, зонные параметры и закон дисперсии электронов в HgMnSe - Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Баку, 1982, с. 237- 238.

[103] Марьянчук П.Д., Гавалешко Н.П. Переход бесщелевой полупроводник - обычный полупроводник в MnxHgi_xSe - Украинский физический журнал, 1982, т.21, N8, с. 1259-1261.

[104] Ляпилин И.И., Пономарев А.И., Харус Г.И., Гавалешко Н.П., Марьянчук П.Д. Особенности эффекта ШГ в HgMnSe. - ЖЭТФ, 1983, т. 85, с. 1638-1646.

[105] Гавалешко Н.П., Ляпилин И.И., Марьянчук П.Д., Пономарев А.И., Харус Г.И. Влияние обменного взаимодействия на g-фактор электронов проводимости в HgMnSe. - ФТП, 1984, т. 18, с. 990 - 993.

[106] Ляпилин И.И., Пономарев А.И., Карягин В.В., Золотовицкий А.Б.. О форме линий осцилляций ШГ в HgMnSe. - ФТП, 1985, т. 19, с. 955 -959.

[107] Jaczynsky M., Kossut J., Galazka R.R. Influence of exchange interaction on the quantum transport phenomena in Hgi_xMnxTe - Phys. Stat. Sol. (b), 1978, т. 88, № l,p. 73-86.

[108] Bastard G., Rigaux C., Mycielski A. Giant spin splitting induced by exchange interactions in Hgi.xMnxTe mixed crystals - Phys. Stat. Sol. (b), 1977, т. 79, №2, p. 585-593.

[109] Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках - Л.: Наука, 1970.

[110] Dobrowolski W., Ortenberg M., Sondauer A.M., Galazka R.R., Mycielski A., Pauthenet R. Proc. 4-th Intern. Conf. Phys. Narrow-Gap Semicond. Austria, Linz, 1981, p. 302.

[111] Bastard G., Rigaux C., Guldner Y., Mycielski J., Mycielski A. Effect of exchange on interband magneto-absorption in zero-gap HgixMnxTe mixed crystals - J. de Phys., 1978, v. 39, N 1, p. 87-98.

[112] Gaj J.A.., Ginter J., Galazka R.R. Exchange Interaction of Manganese 3d5 States with Band Electrons in Cdi_xMnxTe - Phys. St. Sol. (b), 1978, v. 89, N2, p. 655-662.

[113] Dobrowolska M., Dobrowolski W., Galazka R.R., Kossut J. Thermooscillations of magnetoresistance in Hgi_xMnxTe - Sol. St. Commun., 1979, v. 30, N 1, p. 25-29.

[114] Mycielski J. - In: Proc. Int. Conf. High Magnetic Field Semicond. Phys. Grenoble, 1982, p. 431; Mycielski A., Mycielski J. - In: Proc. 15 Int. Conf. Phys. Semicond. Kyoto, 1980, p. 807.

[115] Anderson J.R., Johnson W.B., Stone D.R. Transverse magnetoresistance and Hall effect in wide-gap, p-type Hgi.xMnxTe - J. Vac. Sei. Techn., 1983, v. AI, N3, p. 1761-1764.

[116] Wojtowicz T., Gawron T.R., Robert J.L., Raymond A., Bousquet C., Mycielski A. - In: Proc. Second. Int. Conf, II - VI Comp. Aussois, 1985, p. 35.

[117] Крылов K.P., Пономарев А.И., Цидильковский И.М., Шелушинина Н.Г. Индуцированная магнитным полем аномальная анизотропия сопротивления в p-HgMnTe. - В кн.: Тез. докл. X Всес. Конф. по физике полупроводников. Минск, 1985, ч. 3, с. 54.

[118] Глузман, Давыдов А.Б., Крылов K.P., Леринман Н.К., Поникаров Б.Б., Пономарев А.И., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М. Шелушинина Н.Г. Аномальная анизотропия магнитосопротивления бесщелевого p-HgMnTe. ФТП, т. 20, вып. 11, 1986, с. 1970-1979.

[119] Давыдов А.Б., Поникаров Б.Б., Цидильковский И.М. Влияние обменного взаимодействия на гальваномагнитные эффекты в Hgi.xMnxTe. - ФТП, 1981, т. 15, в. 5, с. 881-889.

[120] Германенко A.B., Зверев Л.П., Кружаев В.В., Миньков Г.М., Рут О.Э. Связанный магнитный полярон в бесщелевом p-Hgi_xMnxTe. - ФТТ, 1985, т. 27, в. 6, с. 1857-1863.

[121] Германенко A.B., Кружаев В.В., Миньков Г.М., Рут О.Э. Влияние квантования спектра валентной зоны на магнитосопротивление p-Hgi.xMnxTe при низких температурах. - ФТП, 1986, т. 20, в. 7, с. 1329-1332.

[122] Adams Е., Holstein Т. Quantum Theory of the transverse galvanomagnetic phenomena - J. Phys. Chem. Sol., 1959, v. 10, N 4, p. 254-264.

[123] Гавалешко Н.П., Марьянчук П.Д., Падалко A.M. Особенности магнитной восприимчивости монокристаллов Hgi.xMnxTei.ySey Известия ВУЗ'ов, Физика, 1991, т. 34, №4, с. 60.

[124] Крылов К.Р., Леринман Н.К., Пономарев А.И., Сабирзянова Л.Д., Шелушиннна Н.Г., Гавалешко Н.П., Марьянчук П.Д. Магнитная восприимчивость и гальваномагнитные свойства полумагнитного полупроводника Hgi_xMnxTei_ySey - ФТП, 1994, т. 28, вып.8, с. 13821392.

[125] Леринман Н.К., Марьянчук П.Д., Пономарев А.И., Сабирзянова Л.Д., Шелушинина Н.Г. Эффект вскипания дырок и особенности магнитосопротивления полумагнитного полупроводника Hgi_xMnxTei.ySey - ФТП, 1997, т. 31, №10, с. 1198-1205.

[126] Ponomarev A.I., Lerinman N.K., Mar'yanchuk P.D., Sabirzyanova L.D., Shelushinina N.G. Exchange-induced anomalous magnetoresistivity in p-HgMnTeSe, P2-44 in a Book of Abstracts 11 International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Salford, England, September, 1997.

[127] Tsidilkovski I.M., Hams G.I., Shelushinina N.G. Impurity states and electron transport in gapless semiconductors - Adv. Phys, 1985, v. 34, № 1, p. 43-174.

[128] Antcliffe G.A., Bate R.T., Reynolds R.A. - J. Phys. Chem. Sol., 1971, v. 32, Suppl. 1, p.499.

[129] Елизаров А.И., Иванов-Омский В.И., Корнияш А.А., Петриков В.И. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов в Hgi_xCdxTe при низких температурах - ФТП, 1984, т. 18, вып.2, с. 201-205.

[130] Mycielski J. - Proc. Int. Conf. High Magnetic Fields Semicond. Phys., Grenoble, 1982, p. 431.

[131] Dietl Т., Spalek J. - Phys. Rev. B, 1983, v. 28, № 3, p.1548-1563 .

[132] J.Mycielski in "Diluted Magnetic Semiconductors" ed. by J.K.Furdyna and J.Kossut - Academic Press, 1988 ("Полумагнитные полупроводники", M. Мир, 1992).

[133] Dobrowolski W., M. von Ortenberg, Sandauer A.M., Galazka R.R., Mycielski A., Pauthenet R. - Proc. 4th Int. Conf. Phys. Narrow Gap Semicond., Linz, 1981, p.302.

[134] Германенко A.B., Кружаев B.B., Миньков Г.М., Рут О.Э. К вопросу о гальваномагнитных эффектах в слаболегированном бесщелевом полупроводнике р- Hgi_xCdxTe - ФТП, т. 22, вып. 6, с. 992-997.

[135] Pidgeon C.R., Brown R.N. Interband Magneto-Absorption and Faraday rotation in InSb - Phys. Rev., 1966, v. 146, №2, p. 575-583.

[136] Зверев Л.П., Кружаев B.B., Миньков Г.М., Рут О.Э., Гавалешко Н.П., Фрасуняк В.М. Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр Hg!_xMnxTe с sg > 0 в магнитном поле - ФТТ, 1984, т. 26, вып. 10, с. 2943-2950.

[137] Кульбачинский В.А., Марьянчук П.Д., Чурилов И.А. Электрические и магнитные свойства полумагнитных полупроводников Hgi_xMnxTei_ySey - ФТП, 1995, т. 29, вып. 11, с. 2007-2014.

[138] Иванов-Омский В.И., Коломиец Б.Т., Мельников В.М., Огородников В.К. Магнитная восприимчивость HgTe - ФТТ, 1969, т. 11, вып. 9, с. 2563-2567.

[139] Spalek J., Lewicki A., Tarnawski Z., Furdyna J.K., Galazka R.R., Obuszko Z. - Phys. Rev. В, 1986, v. 33, № 5, p. 3407.

[140] Nagata S., Galazka R.R., Mullin D.P., Akbarzadeh H., Khattak G.D., Furdyna J.K. The equivalent neighbour model / Domb C., Dalton N.M. Crystal statistics with long-range forces - Proc. Phys. Soc., 1966, v. 89, part 4, № 566, p. 859-871.

[141] Pajaczkowska A., Pauthenet R. - J. Magn. Mater., 1977, v. 10, p. 111.

[142] Bednorz I.G. and Muller K.A. Possible High Tc Superconductivity in the Ba-La-Cu-0 System - Z. Phys, 1986, v. 64, p. 189.

[143] Wu M.K., Ashburn T.R., Chu C.Q. et al - Phys. Rev. Lett., 1987, v.58, p. 908; Ног P.H., Gao L., MengR.L. etal - ibid., 1987, v.58,p.911.

[144] Maeda H., Tanaka У., Fukutomi M. and Asano Т. A New High-Tc Oxide Superconductor without a Rare Earth Element - Jpn. J. Appl. Phys, 1988, v.27, p.209.

[145] Sheng Z.Z. and Hermann A.M. - Nature 332, 1988,p.l38.

[146] Putilin S.N., Antipov E.V. and Marezio M. - PhysicaC212, 1993,p.266.

[147] Schilling A., Cantoni M., Guo J.D. and Ott H.R. Superconductivity above 130 К in the Hg-Ba-Ca-Cu-0 System - Nature 363, 1993, p.56.

[148] Gao L., Xue Y.Y., Chen F. et al Superconductivity up to 164 К in HgBa2Cam.iCum02m+2+5 ( m = 1,2, and 3 ) under quasihydrostatic pressures - Phys. Rev, 1994, v. 50, p. 4260-4263.

[149] Le Page Y. , Siegrist T, Sunshine S.A. et al Structural properties of Ba2Rcu307 high- Tc superconductors - Phys. Rev B, 1987, v.36, № 7, p. 3617-3621.

[150] Zou Z, Oka K, Ito T. Nishihara Y. Bulk superconductivity in single Crystals of PrBa2Cu3Ox - Jpn. J. Appl. Phys, 1997, v.36 , LI8.

[151] Tokura Y, Takagi H. and Uchida S. - Nature 337, 1989, p.345.

[152] Asuma M, Hiroi Z, Takano M. et al - Nature 356, 1992, p.775.

[153] Гинзберг Д.М. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников - Мир, Москва, 1991.

[154] Bozovic I, Eckstein J.N, Clausmeier-Brown M.E. et al - Journal of Superconductivity, 1992, v.5, p. 19.

[155] Schrieffer J.R. - Physica C185, 1991, p.17.

[156] Dagotto E. Correlated electrons in high-temperature superconductors Reviews of modern Physics, 1994, v. 66, N3, p.766.

[157] Плакида H.M. Высокотемпературные сверхпроводники - Москва, 1996, с. 287.

[158] Johnston D.C, Bayless W.R, Borsa F. et al - Physica C235-240, 1994, p.257.

[159] Shafer M.W., Penney Т., Olson B.L. Correlation of Tc with hole concentration in La2-xSrxCu04_§ superconductors. - Phys. Rev., 1987,

v. 36, № 7, p. 4047-4049.

[160] Torrance J.B., Tokura Т., Nazzal A.K. et al. Anomalous dissapearance of high Tc superconductivity at high hole concentration in metallic La2_xSrxCu04 - Phys. Rev. Lett., 1988, v.61, p. 1127- 1129.

[161] Van Dover R.B., Cava RJ. Composition - dependent superconductivity in La2-xSrxCu04 - Phys. Rev. B35, 1987, N10, p.5337-5339.

[162] Takagi H., Ido Т., Ishibashi S. et al. Superconductor-to-nonsuperconductor transition in (Lai_xSrx)2Cu04 as investigated by transport and magnetic measurements - Phys. Rev. B40, 1989, N4, p. 2254-2261.

[163] Takagi H., Ushida S. and Tokura Y. Superconductivity Produced by Electron. Doping in Cu02 - Layered Compounds - Phys. Rev. Lett., 1989, v. 62, № 10, p. 1197-1200.

[164] Fortune N.A., Murata K., Ishibashi M. et al. Systematic variation of transport and thermodynamic properties with degree of reduction in Ndi;85Ceo,i5Cu04-5 - Phys. Rev. B43, 1991, № 16-A , p. 12930-12934.

[165] Kubo S., Suzuki M. - Physica C185-189, 1991, p.1251; Xu X.Q., Mao S.N., Jiang W. et al - Phys. Rev. B53,1996,p.871.

[166] Hidaka Y., Suzuki M. - Nature, 1989, v.338, p.635.

[167] Jiang W., Peng J.L., Li Z.Y., Greene R.L. - Phys. Rev. B47, 1993, p. 8151.

[168] Пашицкий Э.А. Низкочастотные возбуждения зарядовой плотности и высокотемпературная сверхпроводимость в купратных металлооксидных соединениях - Физика низких температур, 1995, т.21, N10, с.995-1019.

[169] lye Y. Transport properties of High Tc Cuprates Technical Report of ISSP,

A-2488, 1991, p.73.

[170] Изюмов Ю.А. - УФН, 1991, т.161, с.З, Модель Хаббарда в режиме сильных корреляций - УФН, 1995, т. 165, № 4, с. 403, Сильно

коррелированные электроны: t-J-модель - УФН, 1997, т.167, № 5, с. 465.

[171] Садовский М.В. Сверхпроводимость и локализация - СФХТ, 1995, т. 8, № 3, с. 337-442.

[172] Овчинников С.Г. Квазичастицы в сильно коррелированной электронной системе оксидов меди - УФН, 1997, т. 167, №10, с. 1043-1068.

[173] Proceedings of the International Conference on High-Temperature Superconductors and Materials and Mechanisms of Superconductivity: M2-HTSC I, Physica C, 1988, v.153-155; M2-HTSC II, Physica C, 1989, v. 162-164; M2-HTSC III, Physica C, 1991, v. 185-189; M2-HTSC IV, Physica C, 1994, v. 235-240; M^-HTSC V, Physica C, 1997. v. 282-287.

[174] Physical Properties of High-Temperature Superconductors / Ed. D.M.Ginsberg. - Singapore: World Scientific, 1989, v.l; 1990, v.2; 1992, v.3; 1994, v.4; 1996, v.5.

[175] Chu C.W. et al. - Phil. Mag. Lett., 1997, v.75, № 1, p.15.

[176] Tsuei C.C., Gupta A. and Koren G. Quadratic temperature dependence of the in-plane resistivity in superconducting Ndij85Cu04 - evidence for Fermi-liquid normal State - Physica C, 1989, v. 161, p.415.

[177] Бабушкина H.A., Белова JI.M., Жернов A.T., Трубицын В.И Квадратичная температурная зависимость электросопротивления в нормальном состоянии в пленках Nd2_xCexCu04_5 - СФХТ, 1995, т.8, с.193.

[178] Ihle D., Plakida N.M. Optical and dc conductivities in high-Tc superconductors : spin-fluctuation scattering in the Emery model - Z.Phys. B, 1994, v.96, № 2, p. 159-163.

[179] Martin S., A.T.Fiory, R.M.Fleming et al. Nornal-state transport properties of Bi2+xSr2.yCu06 crystals - Phys. Rev. B41,1990, № 1, p.846-849.

[180] Moriya Т., Takahashi Y., Ueda K. - J.Phys. Soc. Jpn., 1990, v. 59, p.2905.

[181] Ihle D., Kasner M., Plakida N.M. Electrical resistivity in the strong-correlation limit of the Emery model - Z.Phys. B, 1991, v. 82, N2, p.193-197.

[182] Anderson P.W., Zou Z. «Normal» Tunneling and «Normal» Transport: Diagnosties for the Resonating - Valence - Bond State - Phys. Rev. Lett, 1988, v.60, N2, p.132-132.

[183] Varma C.M., Littlewood P.B. et al. Phenomenology of the Normal State of Cu-0 High-Temperature Superconductors - Phys.Rev.Lett, 1989, v.63, N18, p. 1996-1999.

[184] Ito Т., Nakamura Y., Takagi H., Uchida S. - Physica C, 1991, v.185-189, p. 1267.

[185] Ito Т., Takagi H., Ishibashi S. et al - Nature, 1991, v.350, p. 596.

[186] Friedman T.A., Rabin M.W., Rice J.P. - Phys.Rev., 1990, v. 42, p.6217.

[187] Ushida S., Takagi H., Tokura Y. Doping Effect on the Transport and Optical Properties of P-Type and N-Type Cuprate Superconductors Physica C, 1989, v.162-164, N10, p.1677-1686.

[188] Галахов B.P., Гошицкий Б.Н., Губанов B.A., Давыдов С.А., Крылов К.Р., Лончаков А.Т., Мирмельштейн А.В., Пономарев А.И., Садовский М.В., Цидильковский И.М., Фотиев В.А., Черноплеков Н.А., Чешницкий С.М. Электронные и фононные свойства соединений La2. xSrxCu04.y - Физ. Мет. Металловед., 1987, т.63, в.4, с.829-830.

[189] Кожевников В.Л., Крылов К.Р., Пономарев А.И., Садовский М.В., Цидильковский И.М., Чешницкий С.М. Гальваномагнитные явления в системе La-Sr-Cu-О - Физ. Мет. Металловед., 1987, т.64, в.1, с. 184-185.

[190] Torrance J.B., Tokura Т., Nazzal А.К., Bezingl A., Huang Т.С., Parkin S.S.P. Anomalous dissapearance of high-Tc superconductivity at high hole concentration in metallic La2.xSrxCu04 - Phys. Rev. Lett., 1988, v.61,p.l 127-1129.

[191] Van Dover R.B., Cava RJ. Composition - dependent superconductivity in La2.xSrxCu04 - Phys. Rev., 1987, v. 35, №10, p.5337-5339.

[192] Кожевников В.JI., Крылов К.Р., Медведев М.В., Пономарев А.И., Цидильковский И.М., Чешницкий С.М. Гистерезис сопротивления в LaSrCuO и YBaCuO - Материалы Рабочего совещания "Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости", Свердловск, 1987, ч.П, с. 96-97.

[193] Kastner М.А., Birgeneau R.J., Chen C.Y., Chiang Y.M., Gabbe D.R., Jenssen H.P., Junk Т., Peters C.J., Picone P.J., Thurston T.R., Tuller H.L. Resistivity of nonmetallic La2-ySryCui_xLix04_5 single crystals and ceramics. Phys. Rev., 1988, v. 37, № 1, p. 111-117.

[194] Uher C., Kaiser A.B. Magnetoresistance as a probe of superconducting islands in La-Sr-Cu-0 - Phys. Rev., 1988, v. 37, № 1, p. 127-130.

[195] Tateno J., Masaki N., Iwase A. Electronic properties in La2Cu04 at low temperatures - Phys. Lett. A, vl989, v.138, № 6,7, p. 313-317.

[196] Hauser J.J. Hopping conductivity in amorphous antimony. - Phys.Rev., 1974, v. 9, № 6, p. 2623-2626.

[197] Ambegaokar V., Halperin B.I., Langer J.S. Hopping conductivity in disordered sustems - Phys. Rev. B4,1971, № 8, p. 2612-2620.

[198] Batlogg В., Ramirez A.P., Cava R.J., Van Dover R.V., Reitman E.A. Electronic properties of La2.xSrxCu04 high-Tc superconductors - Phys. Rev. B35, 1987, № 10, p. 5340-5342.

[199] Greene R.L., Maletta H., Plaskett T.S., Bednorz J.G., Muller K.A. Evidence for electron-electron correlations in La2Cu04 and La2_xSrxCu04 superconductor - Sol. St. Commun., 1987, v.63, № 5, p. 379-384.

[200] Мощалков В.В., Муттик И.Г. Переход металл-изолятор в оксидных сверхпроводниках - Физические свойства ВТСП, Москва, 1990, ч.1, с.32-73.

[201] Suzuki M. Hall coefficients and optical properties of La2.xSrxCu04 single-crystal thin films - Phys. Rev.B39, 1989, № 4, p. 2312-2321.

[202] Takagi H., Ido Т., Ishibashi S., Uota M., Ushida S., Tokura Y. Superconductor-to-nonsuperconductor transition in (Lai_xSrx)2Cu04 as investigated by transport and magnetic measurements - Phys. Rev. B40, 1989, №4, p. 2254-2261.

[203] Chaikin P.M., Beni G. Thermopower in the correlated hopping regime Phys. Rev. В13, 1976, № 2, p. 647-651.

[204] Kwak J.F., G.Beni. Thermoelectric power of a Hubbard chain with arbitrary electron density: strong-coupling limit - Phys.Rev. В13, 1976, №2, p. 652-657.

[205] Anderson P.W. The resonating valence bond state in La2Cu04 and superconductivity - Science, 1987, v.235, p. 1196-1198.

[206] Cooper J.R., Alavi В., Zhou L.W., Beyrmann W.P., Gruner G. Thermoelectric power of some high-Tc oxides - Phys. Rev. B35, 1987, №16, p. 8794-8796.

[207] Ando Y., Sera M., Yamagata S., Kondoh S., Onoda M., Sato M. Normal state properties of La2.xSrxCu04 and La2SrCu2Oy - Sol. St. Commun., 1989, v.70, № 3, p. 303-308.

[208] Eagles D.M. Analysis of Hall data in ceramic samples of 90 К oxide superconductors - Physica C, 1988, v.153-155, p.701-703.

[209] Honma Т., Yamaya K., Minami F., Takekawa S. Temperature dependence of anisotropic resistivity in the a-b plane and Hall coefficient in a single-crystal Bi2Sr2CaCu2Oy - Physica C, 1991, v.176, № 1-3, p. 209-215..

[210] Пономарев А.И., Крылов K.P., Медведев M.B., Мушников Н.В., Цидильковский И.М., Чарикова Т.Б. Термогальваномагнитные эффекты и релаксационные явления в La-Sr-Cu-O - СФХТ, 1991, т. 4, №11, с. 2149-2158.

[211] Tsidilkovski I.M, Ponomarev A.I, Krylov K.R, Medvedev M.V, Mushnikov N.Y, Charikova T.B. Influence of the magnetic field on thermomagnetic effects and relaxation phenomena in La-Sr-Cu-0 at T<TC -Proc. Int. Conf. "High temperature superconductivity and localisation phenomena", Moscow, 1991, Ml8.

[212] Kobayashi N, Kawabe H, Iwasaki H, Watanabe K, Yamane H, Kurosawa H, Masumoto H, Hirai T, Matsushita, Moto Y.. Electric resistance in the mixed state of the high Tc oxide films - Physica C, 1989, v. 162-164, p. 683-684.

[213] Woo K, Gray K.E, Kampwirth R.T, Kang J.H, Stein SJ, East R, McKay D.M. Lorentz-force independence of resistance tails for high-temperature superconductors in magnetic fields near Tc - Phys. Rev. Lett, 1989, v.63, № 17, p. 1877-1879.

[214] Кожевников В.JI, Крылов К.Р, Медведев М.В, Пономарев А.И, Цидильковский И.М, Чешницкий С.М. Влияние магнитного поля на резистивное состояние сверхпроводящих керамик LaSrCuO и YBaCuO - Физ. Мет. Металловед, 1988, т.66, в.1, с. 189-192.

[215] Mota А.С, Polini A, Visani Р, Muller К.А, Bednorz J.G. Relaxation of the magnetization in high-Tc superconductors - Physica C, 1988, v. 153155, p. 67-70.

[216] Karimov Y.S, Kikin A.D. New relaxation phenomena in high-Tc ceramic superconductors - Physica C, 1990, v. 169, p. 50-54.

[217] Matthews D.H, Russel G.I, Taylor K.N.R. Flux trapping energies in YBCO in the presence of a transport current - Physica C, 1990, v. 171, p. 301-304.

[218] Kim Y.B, Hempstead C.F, Strnad A.R. Critical persistent currents in hard superconductors - Phys. Rev. Lett, 1962, v.9, № 7, p. 306-309.

[219] Beasley M.R, Labusch R, Webb W.W. Flux creep in type-II superconductors - Phys. Rev, 1969, v. 181, № 2, p. 682-700.

[220] Кемпбел А., Иветс Дж. Критические токи в сверхпроводниках -Москва, Мир, 1975, с.332.

[221] Малоземофф А.П. Макроскопические свойства высокотемпературных сверхпроводников. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников (под ред. Д.Гинзберга), Москва, Мир, 1990, р. 69-162.

[222] Пономарев А.И., Крылов К.Р., Чарикова Т.Б., Городилов Н.А., Цидильковский И.М., Мушников Н.В., Штрапенин Г.Л., Бобылев И.Б., Любимов М.Г. Парапроводимость, критические поля, энергия активации в литой керамике BiSrCaCuO - СФХТ, 1992, т.5, № 12, с. 2259-2271.

[223] Muller К.А., Takashige М., Bednorz J.G. Flux trapping and superconductive glass state in La2Cu04 : Ba - Phys. Rev. Lett., 1987, v.58, №11, p. 1143-1146.

[224] Ebner C., Stroud D. Diamagnetic susceptibility of superconducting clusters: spin-glass behavior - Phys.Rev. B31,1985, № 1, p. 165-171.

[225] Naito M., Matsuda A., Kitazawa K., Kambe S., Tanaka I., Kojima H. Temperature dependence of anisotropic lower critical fields in (Lai.xSrx)2Cu04 - Phys.Rev. B41, 1990, № 7, p. 4823-4826.

[226] Yeshurum Y., Malozemoff A.P. Giant flux creep and irreversibility in an Y-Ba-Cu-O crystal: an alternative to the superconducting - glass model - Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, № 21, p. 2202-2205.

[227] Dew-Hughes D. Model for flux creep in high-Tc superconductors -Cryogenics, 1988, v.28, № 1-2, p. 674-677.

[228] Де Жен П. Сверхпроводимость металлов и сплавов - Москва, Мир, 1968, с.280.

[229] Galffy М., Freimuth A., Murek U. Unusual Seebeck and Nernst effects in the mixed state of Bi2.xPbxSr2Ca2Cu306 - Phys. Rev. В 41, 1990, № 16, p. 11029-11032.

[230] Chakravarty S., Ivlev B.I., Ovchinnikov Yu.N. Resistivity of high-temperature superconductors: is the vortex state a liquid ? - Phys. Rev. Lett., 1990, v.64, № 26, p. 3187-3190.

[231] lye Y., Nakamura S., Tamegai Т., Terashima Т., Bando Y. Angular dependent transport studies in the mixed state of УВа2Си307_у and Bi2Sr2Cu208+y - PhysicaC, 1990, v. 166, p. 62-70.

[232] Yeshurun Y., Malozemoff A.P., Wolfus Y., Yacoby E.R., Felner I., Tsuei C.C. Flux creep and related phenomena in high temperature superconductors - Physica С, 1989, v. 162-164, p. 1148-1151.

[233] Xu Y., Suenaga M., Moodenbaugh A.R., Welch D.O. Magnetic field and temperature dependence of magnetic flux creep in c-axis-oriented YBa2Cu307 powder - Phys.Rev.B40, 1989, № 16, p.10882-10885.

[234] Hagen C.W., Grissen R. - Phys. Rev. Lett., 1989, v. 62, p. 2857.

[235] Dalichaouch Y., Lee W.M., Seaman C.L., Markert J.T., Maple M.B. Upper critical field of Smi.gsCeo.isCuO^s single crystal: interaction between superconductivity and antiferromagnetic order in coper oxides - Phys. Rev. Lett., 1990, v. 64, 599-602.

[236] Fontcuberta J., Pinol S., Obradors X., Lera F., Rillo C. Cryogenics, 1990, v. 30, p. 656.

[237] Karimov Y.S., Kikin A.D. New relaxation phenomena in high-Tc ceramic superconductors - Phys. C, 1990, v. 169, N 1, p. 50-54.

[238] Yeshurun Y., Malozemoff A.P. Giant Greep and Irreversibility in an YBaCuO Crystal: An Alternative to the Superconducting- Glass Model -Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, p.2202.

[239] Пономарев A.M., Крылов K.P., Мушников H.B., Цидильковский И.М., Чарикова Т.Б., Базуев Г.В., Медведев М.В. Крип потока и потенциалы пиннинга в Ndi)85Ceo;i5Cu04.8 - СФХТ, 1992, т. 5, N6, с. 1053-1062.

[240] Peng J.L., Shelton R.N., Radousky Н.В. Kondo effect and superconductivity in Nd2_xCexCu04-5 compounds - Phys. Rev. B, 1990, v.41, p. 187.

[241] Anderson P.W. Theory of flux creep in hard superconductor - Phys. Rev. Lett., 1962, v. 9, c. 309.

[242] Hagen C.W., Grissen R. Distribution of activation energies for thermally activated flux motion in high-Tc superconductors: an inversion scheme -Phys. Rev. Lett., 1989, v. 62, p. 2857.

[243] Danmling M., Larbaleister D.C. Critical state in diskshaped superconductors - Phys. Rev., 1989, v.40, N 13, p. 9350-9353.

[244] Baczewski L.T., Piotrowski K., Szymezat R., Szymezat M., Malozemoff

A.P. Critical current and the spatial distribution of magnetic flux in superconducting thin films - Physica C, 1991, v.175, p. 363-368.

[245] Beille J., Cyrot M., Dupendant H., Jegoudez J., Revcolevschi A. Effect of the pressure and magnetic field on sintered electron doped NdCeCuO -Phys. Lett. A, 1990, v. 143, p.342-344.

[246] Митин A.B. Влияние термомагнитной предыстории на транспортные свойства гранулярных сверхпроводников Yba2Cu306+5 - СФХТ, 1994, т.7, N 1, с. 62-79.

[247] Gerber A., Beille J., Grenet Т., Cyrot М. - Physica В, 1990, v. 165-166, p.1541.

[248] Gerber A., Grenet Т., Cyrot M., Beille J. Double-peak SC transition in granular L-M-Cu-0 (L = Pr, Nd, Sm, En; M = Ce, Th) superconductors -Phys. Rev. Lett, 1990, v.65, p. 3201-3204.

[249] de Andrade M.C., Dalichaouch Y., Maple M.B. Magnetoresistance of SC single crystals of the electron deped compound Nd2.xCexCu04.y - Phys. Rev.

B, 1993, v.48, p. 16737-16743.

[250] Hidaka and Suzuki M. - Nature, 1989, v. 388, p.635.

[251] Crusellas M.A., Fortcuberta J., Pinol S., Grenet T. and Beille J. Temperature dependence of the resistivity and its anisotropy in n-type NdCeCuO single crystal - Physica C, 1991, v.180, p. 313-323.

[252] Xu X.Q., Hagen S J., Jiang W., Peng J.L., Li Z.Y. and Greene R.L. Thermoelectric power of Nd2-xCexCu04.5 crystals - Phys. Rev.B, т. 45, 1992, p. 7356-7359.

[253] Ponomarev A.I., Tsidilkovski V.l., Krylov K.R., Charikova T.B. et al. Transport Properties of Ndi^CeojsCuC^s Single Crystals: The Narrow Band Model - Journal of Superconductivity, 1996, v. 9, N 1, p.27.

[254] Tsidilkovski V.l. and Tsidilkovski I.M. Термоэдс, проводимость и магнитная восприимчивость СП керамик при Т>ТС - Fiz. Met. Metalloved, 1988, т.65, p. 83-91. Tsidilkovski I.M. and Tsidilkovski V.l. Kesistivity and thermoelectric power of ceramic at T>TC - Solid State Commun, 1988, v.66, p. 51-54.

[255] Tsuei C.C., Gupta A. and Koren G. Quadratic temperature dependence of the in-plane resistivity in SC Nd^gsCeojsCuC^ - evidence for Fermy-liquid normal state - Physica C, 1989, v. 161, p. 415-422.

[256] Tsidilkovski I.M., Konstantinov V.l., Krylov K.R., Ponomariev A.I., Kosmyna M.B., Levin A.B. and Charikova T.B. Анизотропия кинетических и оптических свойств монокристаллов Bi2Sr2CaCu208 -СФХТ, 1989, т.2, р.45.

[257] Pekala М., Kitazawa К., Balbashov A.M., Polaczek A., Tanaka I. and Kojima H. Anisotropie thermoelectric power and thermal conductivity in SC single crystal BiSrCaCuO - Solid State Commun, 1990, v.16, p. 419421.

[258] Krylov K.R., Ponomarev A.I., Tsidilkovski I.M., Tsidilkovski V.l., Bazuev G.V., Kozhevnikov V.L. and Cheshnitski S.M. Resistivity and thermoelectric power in YBaCuO samples with different oxygen content -Phys. Lett. A, 1988, v. 131, p.203.

[259] Bazuev G.V., Krylov K.R., Ponomarev A.I., Tsidilkovski I.M., Tsidilkovski V.l. and Charikova T.B. Peculiarities of Galvanomagnetic and

Thermoelectric Properties of Yba2-xLaxCu307_5 Solid Solutions - Phys. Status Solidi (a), 1989, v.l 15, p.267.

[260] Moshchalkov V.V. Localization effects and metal-insulator transition in oxide superconductors - Physica C, 1988, v.156, p. 473-476.

[261] Казьмин С.А., Кайданов В.И., Лейсинг Г. Термоэдс и удельное сопротивление оксидов YBa2Cu307-5 - ФТТ, 1988, т.30, с. 2955-2958.

[262] Hirsh J.E and Marsidlio F. Normal state properties of high-Tc oxides -Physica C, 1992, v.195, p.355.

[263] Tolentino H., Fontaine A., Frank A.M. Lagarde P. and Studer F. Reverse model of metalliration for La2Cu04/Nd2Cu04 by impurity hole / electron levels in the band gap - Physica C, 1991, v. 179, p. 387.

[264] Sakisaka Y., Maruyama T. and Moricawa Y. Angle-resolved photoemission from Nd2-xCexCu04 (001); A dispersive bandlike Fermi-liquid state of Cu 3d character near the Fermi level - Phys. Rev B, 1990, v.42, p.4189.

[265] Uchida S. Electronic structure of copper oxide superconductors -Physica C, 1991, v. 185-189, p. 51-56.

[266] Fudjimory A., Namatame H. Doping dependence of the electronic structure of SC and non-SC oxides: high energy spectroscopic studies -Physica C, 1991, v. 185-189, p. 51-56.

[267] Пономарев А.И., Крылов K.P., Харус Г.И., Чарикова Т.Б., Шелушинина Н.Г. Письма в ЖЭТФ, 1995, т. 62, N 6, с. 494-499.

[268] Fisher М.Р.А. Quantum phase transitions in disordered two dimensional superconductors - Phys.Rev.Lett., 1990, v. 65, p. 923-926.

[269] Tanda S., Ohzeki S. and Nakajama T. Bose-glass-vortex-glass phase transition and dynamic scaling for high-Tc NdCeCuO thin film -Phys.Rev.Lett., 1992, v. 69, p. 530-533.

[270] Yazdani A., Kapitulnik A. Superconducting - Insulating Transition in two-Dimensional a-MoGe Thin Films - Phys.Rev.Lett., 1995, v. 74, p.3037.

[271] Hidaka Y., Tajima Y., Sugiyama K., Toniyama F. et al. Two-Dimensional Weak Localization in Electron High-Tc Superconductor Nd2-xCexCuOy under High Magnetic Field - J.Phys.Soc.Jap., 1991, v. 60, p.l 185.

[272] Lee P.A., Ramakrishnan T.V. - Rev.Mod.Phys., 1985, v. 57, p.287.

[273] Абрикосов А.А. Основы теории металлов - M.: Наука, 1987.

[274] Wang Z.Z., Chien T.R., Ong N.R. et al. Positive Hall coefficient observed in single-crystal Nd2.xCexCu04.5 at low temperatures - Phys. Rev. B, 1991, v. 43, p. 3020.

[275] Harus G.I., Ignatenkov A.I., Ponomarev A.I. et al. Influence of magnetic field on the superconducting Transition in a Ndi;82Ceo,i8Cu04_5 Film - JETP Lett., 1966, v. 64, p. 407.

[276] Ponomarev A.I., Babushkina N.A., Belova V.M., Harus G.I., Ignatenkov A.N., Shelushinina N.G. - Czechoslovak Journal of Physics, 1996, v. 46, Suppl. 53, p. 1747.

[277] Ponomarev A.I., Ignatenkov A.N., Harus G.I. et al. - Journal of Low Temperature Physics, 1996, v. 105, N 3/4, p.939.

[278] Ponomarev A.I., Harus G.I., Ignatenkov A.N., Lerinman N.K., Sabirzyanova L.D., Shelushenina N.G., Babushkina N. A. -PhysicaC, 1997, v. 282-287, p. 1149-1150.

[279] Arapov Yu.G., Harus G.I., Ignatenkov A.N., Neverov V.N., Ponomarev A.I., Sabirzyanova L.D., Shelushenina N.G., Babushkina N.A. Proceedings of the Intern. Symposium Nanostructures: Physics and Technology - St. Petersburg, Russia, 1997, June 23-27.

[280] Ivanov A.A., Galkin S.G., Kuznetsov A.V., Menushenkov A.P. Smooth homogeneous HTSC thin films produced by laser deposition with flux separation - Physica C, 1991, v. 180, p. 69-72.

[281] Wang Z.D. and Ting C.S. Theory of flux motion with backflow current in high- superconductors - Phys.Rev. B, 1992, v. 46, p.284.

[282] Jia Y.X., Liu J.Z., Lan M.D. et al. Hall effect in the mixed state of Y1.xPrxBa2Cu307-5 single srystals - Phys. Rev. B, 1993, v. 47, p. 6043.

[283] Bardeen J. and Stephen M.J. Theory of the Motion of vortices in superconductors - Phys. Rev. A, 1965, v. 140, p. 1197.

[284] Nozieres P. and Vinen W.F. - Philos. Mag., 1996, v. 14, p.667.