Фазовые переходы и электронные свойства халькогенидов свинца при высоком давлении тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Овсянников, Сергей Владимирович

• Овсянников, Сергей Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Овсянников, Сергей Владимирович

Глава 1. Исследование фазовых переходов и свойств халькогепидов свинца (обзор).

§1. Кристаллическая и электронная структура.

§ 2. Фазовые переходы в халькогенидах свинца.

§ 3. Теоретическое исследование фазовых переходов под давлением в халькогенидах свинца.

§ 4. Анализ выражений для кинетических эффектов исследуемых в халькогенидах свинца в области фазовых переходов под давлением.

§ 5. Особенности комбинационного рассеяния света в халькогенидах свинца.

§ 6. Краткие выводы.

Глава 2. Методика эксперимента.

§ 1. Создание высоких квазигидростатических давлений.

§ 2. Градуировка камер высокого давления.

§ 3. Приготовление и аттестация образцов.

§ 4. Методики термоэлектрических, гальваномагнитных и термомагнитных измерений на микрообразцах при высоком давлении.

§ 5. Методика изучения комбинационного рассеяние света.

§ 6. Методика облучения быстрыми нейтронами и измерения электрофизических свойств облучённых образцов.

§ 7. Погрешности измеряемых величин.

§ 8. Апробация методик.

§ 9. Краткие выводы по методическому материалу.

Глава 3. Термоэлектрические и электрические свойства халькогенидов свинца при высоком давлении.

§ 1. Термоэлектрические и электрические свойства PbS, PbSe и РЬТе при высоком давлении.

§ 2. Термоэлектрические и электрические и свойства монокристаллов n-Pb|.xSnxSe, х={0.06, 0.08, 0.125} при высоком давлении.

§ 3. Электрические свойства монокристалла p-PbSe при облучении быстрыми нейтронами.

§ 4. Краткие выводы.

Глава 4. Термо- и гальваномагнитные эффекты в халькогенидах свинца в области фазовых переходов под давлением.

Глава 5. Комбинационное рассеяние света в халькогенидах свинца

§ 1. Комбинационное рассеяние света в PbSe и тройных сплавах на его основе (Pbi.xSnxSe).

§ 2. Комбинационное рассеяние света в PbS и некоторых тройных теллуридах свинца.

§ 3. Краткие выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовые переходы и электронные свойства халькогенидов свинца при высоком давлении»

Хапьхогениды свинца (PbX) PbTe, PbSc, PbS являются типичными представителями класса узкощелевых полупроводников. Их полупроводниковые свойства известны уже более ста тридцати лет. Первые наблюдения свойств этих кристаллов делались ещё в позапрошлом веке. Так в 1865 году было обнаружено, что термоэдс естественных кристаллов PbS (галенит) имеет различный знак в зависимости от исходного образца, что соответствует электронной и дырочной проводимости в полупроводниках. Выпрямляющее действие контакта металла с полупроводником (PbS) было открыто Брауном в 1874 году и использовано на ранней стадии развития радиотехники в точечных кристаллических детекторах [1].

Соли свинца успешно применялись в детекторах инфракрасного излучения, термоэлектрических устройствах, фотосопротивлениях и т.д., что позволило увеличить чувствительность и уменьшить инерционность приборов. Хапькогениды свинца (особенно РЬТе) являются одними из лучших материалов для изготовления различных полупроводниковых генераторов в интервале средних температур (6004-1000 К) [1]. И в настоящее время в этих соединениях продолжают открывать интересные свойства. Например, в PbSe установлены необычно высокие температуры (превышающие достижимые на многих гетероструктурах) непрерывной (continuous-wave) эмиссии, важные для проектирования инфракрасных лазеров, работающих при комнатных температурах [2].

Халькогениды свинца являются узкощелевыми прямозонными полупроводниками, которые широко применяются для фотоприёмников, лазеров и светодиодов, работающих в среднем и дальнем инфракрасных диапазонах, а также обладают наилучшими термоэлектрическими свойствами в интервале средних температур 600 - 1000 К [1]. Данные недавних исследований говорят о том, что элементы высокочувствительных приемников дальнего инфракрасного диапазона

20-200 мкм) на основе легированных халькогенидов свинца могут успешно конкурировать с лучшими аналогами на основе "классических" материалов - германия и кремния [3]. В отличие от последних, халькогениды свинца обладают значительной радиационной стойкостью, обусловленной высокой плотностью состояний, стабилизирующих уровень Ферми [3].

Хорошо известны электронные и оптические свойства халькогенидов свинца при атмосферном давлении [1,4-15]. При высоком давлении исследования свойств ограничивались электрическими [16-28], структурными [29-30] и некоторыми оптическими свойствами [31-44], по которым были установлены структурные фазовые переходы типа NaCI-»GeS и GeS->CsCl [21-22,26-27,34,45]. Практическая важность халькогенидов свинца и наличие двух структурных фазовых переходов под давлением делает эти соединения интересным объектом для изучения как с точки зрения фундаментальной науки, так и благодаря возможному практическому использованию полученных результатов.

В настоящее время активно исследуются свойства сверхрешёток и нано- и гетероструктур на основе этих материалов [см., например 35,4655], причём, открываемые квантовые эффекты [56-57], сверхпроводимость [58] и т.п. являются весьма перспективными для передовых микро- и нано-технологий.

Однако до настоящего момента не проводились систематические исследования электронных (термоэлектрических, гальваномагнитных и термомагнитных) свойств этих материалов в широком интервале давлений. Отдельные работы, посвященные этим исследованиям ограничивались небольшим интервалом давлений (до ~ 3 ГПа) и главным образом исследовались не бинарные халькогениды свинца, а тройные сплавы на их основе (PbI.xSnxSe, Pbj.xSnxTe) [59-71]. А термомагнитные эффекты на полупроводниковых микрообразцах практически не измерялись даже при атмосферном давлении.

Исследования свойств, характеризующих электронную подсистему, могут пролить свет на зонную структуру материалов, то есть определить барическую зависимость полупроводниковой энергетической щели, установить тип носителей заряда и его смену под давлением, установить параметр рассеяния в каждой фазе материалов, определить поведение подвижности носителей заряда под давлением, что может повысить эффективность полупроводниковых устройств, использующих транспортные свойства и т.д. В связи с этим одной из центральных задач дайной диссертации был поиск эффективных методов исследования электронных свойств материалов, для чего проводились систематические сравнения термоэлектрических, гальваномагнитных и термомагнитных методов между собой. В ходе работы было показано преимущество термомагиитиых эффектов (высокая чувствительность, большая информативность) перед термоэлектрическими и гальваномагнитными, а также перед широко распространёнными оптическими методами исследований (комбинационное рассеяние света в кристаллах).

Главным препятствием в проведении термоэлектрических, гальваномагнитных и термомагиитиых исследований при сверхвысоком давлении являлись малые размеры рабочих объёмов камер высокого давления и, соответственно, малые размеры образцов, сравнимые с размерами полупроводниковых микроструктур [72]. В настоящее время проблему подведения электрических зондов к образцам пытаются решить с помощью современных полупроводниковых технологий, создавая на поверхности алмазной наковальни (например, методом ионной имплантации) тонкие ~ 1 мкм проводящие слои, изолированные алмазной плёнкой [73-82]. Методики, основанные на использовании натуральных алмазов с нанесёнными проводящими плёнками являются крайне дорогостоящими, поэтому не вызывает сомнений необходимость разработки более дешёвой и простой методики, не уступающей по качеству.

Фазовые переходы в халькогенидах свинца происходят при воздействии давления, поэтому давление используется в работе как основной инструмент для определения границ фазовых переходов, а также зондирования электронных свойств халькогенидов свинца. Кроме того по изменению кинетических характеристик в кристаллах под давлением можно делать определённые выводы о зонной структуре фаз высокого давления халькогенидов свинца. Известно также, что давление значительно изменяет свойства полупроводниковых материалов. И, поскольку, халькогениды свинца являются модельными узкощелевыми полупроводниками, то есть материалами с наиболее типичными полупроводниковыми свойствами [1], то исследование их при высоком давлении может быть положено в основу общих теорий по влиянию давления на полупроводники.

Другими эффективными методами изучения особенностей электронной структуры полупроводников, которые также используются и работе, являются: облучение и последовательные отжиги, восстанавливающие исходные свойства, а также комбинационное рассеяние света. Облучение полупроводников высокоэнергетическими частицами (электронами, нейтронами, протонами), как известно, приводит к образованию в электронном спектре энергетических уровней, связанных с дефектами структуры [1]. Вследствие перераспределения электронов между основными зонами и уровнями, обусловленными дефектами, химический потенциал £ может существенно сместиться, что приводит к изменению концентрации носителей заряда, смене типа проводимости, а иногда - к электронным переходам типа "металл-полупроводник" [1,66,83]. В отличие от химического легирования, которое приводит к таким же изменениям, последствия облучения могут быть устранены с помощью низкотемпературных отжигов [83]. Таким образом, облучение высокоэнергетическими частицами представляет собой эффективный метод изменения и зондирования электронной структуры узкощелевых полупроводниковых материалов [83,84].

Комбинационное рассеяние света является другим эффективным инструментом изучения структуры, электронных и колебательных свойств широкого класса материалов [85]. Так, с его помощью можно наблюдать сосуществование нескольких фаз кремния, образующихся около места укола алмазным нано-индентором поверхности образца [86], и производить наноидентификацию поверхности [87].

Цель работы состояла в изучении влияния сверхвысокого давления, химического замещения и нейтронного облучения на электронную структуру халькогенидов свинца. Указанные воздействия имеют общие черты по влиянию на кристаллическую решётку и параметры электронной структуры, например, они могут вызывать электронные переходы типа "полупроводник-металл". Но у каждого метода есть и свои особенности. Перечисленные методы воздействий широко используются и как инструмент для изучения электронной структуры, и как инструмент модифицирования полупроводников для создания микроустройств [1]. В связи с поставленной целыо работы предстояло решить следующие задачи:

• Исследование термоэлектрических свойств халькогенидов свинца при высоком давлении в области фазовых переходов. Установление давлений переходов из структуры типа NaCI в GeS и из GeS в CsCI по барическим зависимостям термоэде.

• Изучение влияния замещения атомов свинца оловом в кристаллической решётке на термоэлектрические свойства селенида свинца в области фазовых переходов. Определение зависимости давления фазового перехода из структуры типа NaCi в GeS от содержания олова в сплаве по данным термоэде и сопротивления.

• Исследование электрических и гальваномагнитных свойств халькогенидов свинца (на примере селенида свинца, как самого узкощелевого) при облучении быстрыми нейтронами. Изучение электронных свойств при последовательных отжигах.

• Разработка методики измерений термомагнитных эффектов (продольный и поперечный эффекты Нернста-Эгтннгсгаузена) на микрообразцах при сверхвысоком давлении до 30 ГПа.

• Апробация методики термомагнитных измерений под давлением на элементарных полупроводниках - халькогенах (с одним типом носителей заряда) и халькогенидах свинца (два типа носителей заряда). Определение параметров электронной структуры (тип минимальной щели: прямая - непрямая, подвижность и параметр рассеяния носителей заряда, и т.д.) халькогенидов свинца из термомагнитных эффектов.

• Исследование спектров комбинационного рассеяния света в NaCl-фазе монокристаллов халькогенидов свинца (PbSe, PbTe, PbS, Pb|.xSnxSe, тройные теллуриды свинца), поиск резонансных эффектов комбинационного рассеяния света с помощью варьирования лазерных линий (энергии возбуждения), изучение особенностей фонониых свойств в тройных сплавах.

Научная новизна работы может быть сформулирована следующим образом:

• Получены данные о величине и барической зависимости термоэде у полупроводниковых (типа GcS) и металлических (типа CsCl) фаз высокого давления халькогенидов свинца (PbTe, PbSe, PbS).

• В сплавах Pb|.xSnxSe установлено влияние замещения на термоэлектрические свойства полупроводниковых фаз высокого давления. Оценена величина полупроводниковой щели GeS фазы и её барический коэффициент (- 0.05 эВ / ГПа).

• В монокристалле p-PbSe установлен электронный переход типа "металл-полупроводник" при облучении быстрыми нейтронами. Последовательные отжиги облучённых образцов ведут к частичному восстановлению исходных свойств и обратному переходу. Разработана методика исследования термомагнитных свойств (продольный и поперечный эффекты Нернста-Эттингсгаузена) полупроводниковых микрообразцов при сверхвысоком давлении. Исследованы термомагнитные продольный и поперечный эффекты Нернста-Эттингсгаузена и эффект магнитосопротивления при высоком давлении в исходной NaCl-фазе и в GeS-фазе высокого давления у РЬТе, PbSe и PbS. Оценены подвижность и параметр рассеяния носителей заряда. В РЬТе и PbSe установлен рост поперечного и продольного эффектов Нериста-Эгтингсгаузена с давлением, свидетельствующий о переходе в бесщелевое состояние вблизи 3 ГПа. В PbSe обнаружена инверсия знака поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена, указывающая на изменение механизма рассеяния электронов в GeS-фазе. Установлено, что в GcS фазе полупроводниковая щель -непрямая.

В NaCl-фазе монокристаллов халькогенидов свинца (PbSe, РЬТе) и сплавах на их основе (Pbi.xSnxSe: х=0.06, 0.08; Pbi.xMnxTe: х=0.05; РЬ|. xSixTe: х=0.00005) впервые наблюдались спектры комбинационного рассеяния света первого и второго порядка с участием фононов.

Научная и практическая ценность работы состоит в следующем: Разработанная методика термомагнитных измерений микрообразцов под давлением может быть использована для изучения параметров электронной структуры различных материалов, а также для тестирования и контроля качества микроструктур, тем самым открывается перспектива использования термомагнитных эффектов в микротехнологиях.

На примере тройных халькогенидов свинца показано, что методика термоэлектрических измерений под давлением может быть использована для аттестации полупроводниковых микрообразцов с близким составом и близкими электрофизическими свойствами.

• Полученные сильные изменения электронных свойств халькогенидов свинца под давлением могут быть использованы в различных датчиках и полупроводниковых приборах [5].

Личный вклад автора. Соискатель участвовал в разработке новых методик, планировании, подготовке и проведении экспериментов, обработке результатов, написании статей и представлении результатов на международных конференциях. В работе, связанной с облучением быстрыми нейтронами, соискатель участвовал в обработке экспериментальных данных и написании статей.

Соискатель благодарен своему научному руководителю Ю.С. Поносову, сотрудникам группы высоких давлений ОРАР -В.В.Щенникову, А.Ю.Деревскову, С.В.Гудииой, В.И. Осотову за помощь в проведении экспериментов при высоком давлении, А.Е. Карькину за измерение облучённых образцов, Б.Н. Гощицкому за постоянную поддержку, а также соавторам всех работ и другим лицам оказавшим техническую помощь в работе.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения н выводов и списка цитированной литературы, включающего 187 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Овсянников, Сергей Владимирович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

В настоящей диссертации впервые комплексно рассмотрены электронные свойства (термомагнитные, гальваномагпитные, термоэлектрические, электрические) халькогенидов свинца в области фазовых переходов под давлением до 30 ГПа. Впервые исследовались электронный переход "металл-полупроводник" в селениде свинца при облучении быстрыми нейтронами и Рамановские спектры первою, запрещённого правилами отбора, и второго порядков в халькогенидах свинца и сплавах на их основе. Получен ряд важных методических, научных и практических результатов:

• Впервые получены данные о величине и барической зависимости термоэде у полупроводниковых (GeS) и металлических (CsCl) фаз высокого давления халькогенидов свинца (PbTe, PbSe, PbS). По изменению барической зависимости термоэде установлены фазовые переходы NaCl—>GcS и GeS—»CsCl.

• Впервые в сплавах Pb|.xSnxSc установлено влияние замещения, приводящего к линейному снижению давления фазового перехода (NaCI-»GeS), на термоэлектрические свойства полупроводниковых фаз высокого давления. На примере тройных халькогенидов свинца показана высокая чувствительность термоэлектрических свойств материала к небольшим вариациям состава, что позволяет использовать методику термоэлектрических измерений при высоком давлении для аттестации полупроводниковых микрообразцов.

• Впервые в монокристалле p-PbSc установлен обратимый электронный переход типа "металл-полупроводиик" при облучении быстрыми нейтронами.

• Разработана методика исследования термомагнитных свойств полупроводниковых микрообразцов при сверхвысоком давлении. Методика протестирована на ряде полупроводниковых материалов, где подтвердились известные ранее особенности электронной структуры и получены новые данные о параметре рассеяния носителей заряда (дырок) вблизи перехода полупроводник-металл в Те и Se. Впервые исследованы продольный и поперечный термомагнитный эффекты Нернста-Эттингсгаузсна и магнитосопротивлеиия при высоком давлении в исходной ЫаС1-фазе и в GcS-фазе высокого давления у РЬТе, PbSe и PbS, из которых оценены подвижность и параметр рассеяния носителей заряда. В РЬТе и PbSe установлен рост поперечного и продольного эффектов Нсрнста-Эттингсгаузена с давлением, свидетельствующий о переходе в бесщелевое состояние вблизи 3 ГПа. В PbSe обнаружена инверсия знака поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена, указывающая на изменение механизма рассеяния электронов в GcS-фазе. Наблюдаемый в ЫаС1-фазе рост эффектов с давлением указывает на прямую запрещённую щель в электронном спектре, а уменьшение эффектов с давлением в фазе GeS свидетельствует о непрямой полупроводниковой щели в этой фазе. Впервые в NaCl фазе монокристаллов халькогенидов свинца PbSe, РЬТе и сплавов на их основе Pb|.xSnxSe (х=0.06,0.08), РЬ|.хМпхТе (х=0.05), РЬ|. xSixTe (х=0.00005) наблюдались спектры комбинационного рассеяния света первого порядка и второго порядка с участием фононов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Овсянников, Сергей Владимирович, 2004 год

1. М. Boberl, W. Heiss, Т. Schwarzl, К. Wiesauer, G. Springholz. Midinfrared continuous-wave photoluminescence of lead-salt structures up to temperatures of 190 °C. Appl. Phys. Lett., 2003, vol. 82, No. 23, pp. 4065-4067.

2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Примеси с переменной валентностью в твёрдых растворах на основе теллурида свинца. -УФН, 2002, том 172, вып. 8, сс. 875-906.

3. И.М. Цидильковский. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-640 с.

4. S.E. Kohn, P.Y. Yu, Y. Petroff, Y.R. Shcn, Y. Tsang, M.L. Cohen. Electronic band structure and optical properties of РЬТе, PbSe and PbS. -Phys. Rev. B, 1973, vol. 8, pp. 1477-1488.

5. P.B. Littlevvood. Phase transitions and optical properties of IV-VI compounds/ In Proceedings of 4th Intl. conf. on Physics of Narrow Gap Semiconductors. New York: Springer, 1982.

6. P.B. Littlewood. Structure and bonding in narrow gap semiconductors. -CRC Critical Reviews in Solid State and Material Sciences, 1984, vol. 11, No. 3, pp. 229-285.

7. G. Martinez, M.Schlulcr, M.L. Cohen. Electronic structure of PbSe and PbTe. I. Band structures, densities of states and effective masses. Phys. Rev. B, 1975, vol. 11, pp. 651-659.

8. G. Martinez, M.Schluter, M.L.Cohen. Electronic structure of PbSe and PbTe. II. Optical properties. Phys. Rev. B, 1975, vol. 11, pp. 660-670.

9. N.M. Ravindra, V.K. Srivastava. Properties of PbS, PbSe and PbTe. -physica status solidi (a), 1980, vol. 58, pp. 311-316.

10. Б.А. Волков, O.A. Панкратов, A.B. Сазонов. Теория электронного энергетического спектра полупроводников группы А4В6 ЖЭТФ, 1983, том 85, вып. 4 (10), сс. 1395-1408.

11. Е.А. Albanesi, C.M.I. Okoye, С.О. Rodriguez, E.L. Peltzer у Blanca, A.G. Petukhov. Electronic structure, structural properties, and dielectric functions of IV-VI semiconductors: PbSe and PbTe. Phys. Rev. B, 2000, vol. 61, No. 24, pp. 16589-16595.

12. A. Sagar, R.C. Miller. Study of band structure of intermetallic compounds by pressure experiments. J. Appl. Phys., 1961, vol. 32, No.10, pp. 20732078.

13. R.N. Hall, J.H. Racctte. Band structure parameters dcduced from tunelling experiments. J. Appl. Phys., 1961, vol. 32, No. 10, pp. 2078-2081.

14. А. А. Аверкин, Б.Я. Мойжес, И. А. Смирнов. Изменение электрических свойств PbSe при давлении. ФТТ, 1961, том 3, выи. 6, сс. 1859-1962.

15. А.А. Аверкин, И.Г. Домбровская, Б.Я. Мойжес. Изменение ширины запрещённой зоны PbSe при давлении. ФТТ, 1963, том 5, вып. 1, сс. 96-99.

16. А.А. Аверкин, П.Г. Дерменжи. Изменение электрических свойств PbTe при давлении. ФТТ, 1966, том 8, вып. 1, сс. 103-106.

17. G.A. Samara, H.G. Drickamer. Effect of pressure on the resistance of PbS and PbTe. Letters to. J.Chem. Phys., 1962, vol. 37, No. 5, pp. 11591160.

18. А.Л. Семсрчан, Н.Н. Кузин, JI.H. Дроздова, Л.Ф. Верещагин. Изменение электрического сопротивления PbS, PbSe и РЬТе под давлением до 200 ООО кг/см2. ДАН СССР, физика, 1963, том 152, вып. 5, сс. 1079-1081.

19. Y. Sato, М. Fujimoto, A. Kobayashi. Effects of pressure on electrical properties of lead telluride. J. Phys. Soc. of Japan, 1964, vol. 19, No. 1, pp. 24-30.

20. M. Schluter, G. Martinez, M.L. Cohen. Pressure and temperature dependcncc of electronic energy levels in PbSe and PbTe. Phys. Rev. B, 1975, vol. 12, No. 2, pp. 650-658.

21. Б.А. Акимов, P.C. Вадхва, В.П. Зломанов, Л.И. Рябова, С.М. Чудинов. Переход в бесщелевое состояние иод действием давления в сплаве Pb|.xSnxTe с примесью In. ФТП, 1977, том И, вып. 6, сс. 1077-1083.

22. Н.Б. Брандт, Д.В. Гицу, Н.С. Попович, В.И. Сидоров, С.М. Чудинов. Сверхпроводимость соединений РЬТе и PbSe иод высоким давлением. Письма в ЖЭТФ, 1975, том 22, выи. 4, сс. 225-229.

23. Н.Б. Брандт, Д.В. Гицу, Н.С. Попович, В.И. Сидоров, С.М. Чудинов. Фазовые переходы в соединениях PbS и TlSbS2 под действием давления до 300 кбар. ФТП, 1976, том 10, вып. 8, сс. 194-196.

24. Н.Б. Брандт, О.И. Белоусова, В.П. Зломанов, Я.Г. Пономарёв, Е.П. Скипетров. Переход PbSe n-типа в бесщелевое состояние, индуцированное давлением. ФТТ, 1977, том 19, вып. 2, сс. 437-444.

25. Т. Chattopadhyay, H.G.Von Schnering, W.A. Grosshans, W.A. Holzapfel. High-pressure x-ray diffraction study on the structural phase transitions in PbS, PbSe and PbTe with synchrotron radiation. Physica ВС, 1986, vol. 139-140, pp. 356-360.

26. J. Maclean, P.D. Hatton, R.O. Piltz, J. Crain, R.J. Cernik. Structural studies of semiconductors at very high pressures. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1995, vol. 97, pp. 354-357

27. М. Baleva, I. Ivanov, M. Momtchilova. Phonons in polymorphous PbTe films: II. Infrared and Raman spectra of PbTe and PbTe:Cr films on KC1 substrates. J. Phys.: Condcns. Matter, 1992, vol. 4, pp. 4645-4652.

28. M. Baleva, M. Momtchilova. Raman modes of the GeS-type orthorhombic phase of PbTe. Phys. Rev. В., 1994, vol. 50, No. 20, pp. 15056-15062.

29. M. Baleva, E. Matceva. The PbSe mctastable phase: II. The energy gap of the CsCl-type phase of PbSe and PbSe doped with Cd. J. Phys.: Condens. Matter, 1993, vol. 5, pp. 7971-7978.

30. S. Ves, Yu.A. Pusep, K. Syassen, M. Cardona. Raman study of high pressure phase transitions in PbTe. Solid State Comm., 1989, vol. 70, No.3, pp. 257-260.

31. M. Ikczawa, T. Okuno, Y. Masumolo. Л.Л. Lipovskii. Complementary detection of confincd acoustic phonons in quantum dots by coherent phonon measurements and Raman scattering. Phys. Rev. B, 2001, vol. 64, pp. 201315-1-201315-4 (R).

32. C.K.N. Patel, R.E. Slusher. Electron spin-flip Raman scattering in PbTe. -Phys. Rev., 1969, vol. 177, No. 3, pp. 1200-1202.

33. L. Brillson, E. Burstein. Surface electric field induced Raman scattering in PbTe and SnTe. - Phys. Rev. Lett., 1971, vol. 27, No. 12, pp. 808-811.

34. II. Pascher, G. Bauer, R. Grisar. Magnetooptical investigations and four-wave-mixing spectroscopy of PbSe. Phys. Rev. B, 1988, vol. 38, No. 5, pp. 3383-3390.

35. K.K. Nanda, S.N. Saliu, R.K. Soni, S. Tripathy. Raman spectroscopy of PbS nanocrystalline semiconductors. Phys. Rev. B, 1998, vol. 58, No. 23, pp. 15405-15407.

36. S.S. Jha. Spin-flip Raman scattering by carriers in PbTe, PbSe and PbS. -Phys. Rev., 1969, vol. 179, No. 3, pp. 764-768.

37. S.S. Jha. Light scattering from single-particle excitations of carriers in lead salts: charge-density and spin-density fluctuations. Phys. Rev., 1969, vol. 182, No. 3, pp. 815-820.

38. T.D. Krauss, F.W. Wise, D.B. Tanner. Observation of coupled vibrational modes of a semiconductor nanocrystal. Phys. Rev. Lett., 1996, vol. 76, No. 8, pp. 1376-1379.

39. T.D. Krauss, F.W. Wise. Coherent acoustic phonons in semiconductor quantum dot. Phys. Rev. Lett., 1997, vol. 79, No. 25, pp. 5102-5105

40. G.D. Smith, S. Firth, R.J.H. Clark, M. Cardona. First- and second-order Raman spectra of galena (PbS). J. Appl. Phys., 2002, vol. 92, No. 8, pp. 4375-4380.

41. H. Kavvamura. Phase transitions in IV-VI compounds. / In Proceedings of Intl. Summer School on Physics of Narrow Gap semiconductors, edited by W.Zawadski, New York: Springer, 1980, pp. 470-497.

42. O.A. Mironov, O.N. Makarovskii, O.N. Nashchekina, L.P. Shpakovskaya, V.I. Litvinov, M. Oszwaldowski, T. Berus. SnTe phase transition in strained superlattices PbTe/SnTe. Acta Physica Polonica A, 1995, vol. 88, No. 5, pp. 853-856.

43. L. Kowalczyk, J. Sadowski, R.R. Galazka. A photoluminescence study in PbS-EuS superlattices. Acta Physica Polonica A, 1998, vol. 94, No. 3, pp. 397-400.

44. Л.И. Арутюнян, B.I I. Богомолов, Д.А. Курдюков, B.B. Попов, А.В. Прокофьев, И.А. Смирнов. Электрические, гальваномагнитные и термоэлектрические свойства PbSe в подрешётке пустот опала. -ФТТ, 1998, том 40, выи. 4, сс. 781-783.

45. М. Pinczolits, G. Springholz, G. Bauer. Direct formation of self-assembled quantum dots under tensile strain by heteroepitaxy of PbSe on РЬТе (111). Appl. Phys. Lett., 1998, vol. 73, No. 2, pp. 250-252.

46. A. Raab, G. Springholz. Controlling the size and density of self-assembled PbSe quantum dots by adjusting the substrate temperature and layer thickness. Appl. Phys. Lett., 2002, vol. 81, No. 13, pp. 2457-2459.

47. K. Alchalabi, D. Zimin, G. Kostorz, II. Zogg. Self-assembled semiconductor quantum dots with nearly uniform sizes. Phys. Rev. Lett., 2003, vol. 90, No. 2, pp. 026104.

48. F. Geist, II. Pascher, M. Kricchbaum, N. Frank, G. Bauer. Magneto-optical properties of diluted magnetic PbSe/Pb|.xMnxSe superlattices. -Phys. Rev. B, 1996, vol. 54, No. 7, pp. 4820-4834.

49. T.D. Krauss, F.W. Wise. Raman-scattering study of exciton-phonon coupling in PbS nanocrystals. Phys. Rev. B, 1997, vol. 55, No. 15, pp. 9860-9865.

50. A. Olkhovets, R.-C. Hsu, A. Lipovskii, F.W. Wise. Size-dependent temperature variation of the energy gap in lead-salt quantum dots. Phys. Rev. Lett., 1998, vol. 81, No. 16, pp. 3539-3542.

51. G.E. Tudury, M.V. Marquczini, L.G. Ferreira, L.C. Barbosa, C.l. Cesar. Effect of band anisotropy on electronic structure of PbS, PbSe and PbTe quantum dots. Phys. Rev. B, 2000, vol. 62, No. 11, pp. 7357-7364.

52. E.I. Rogachcva, T.V. Tavrina, O.N. Nashchekina, S.N. Grigorov, К.Л. Nasedkin, M.S. Drosselhaus, S.B. Cronin. Quantum size effects in PbSe quantum wells. Appl. Phys. Lett., 2002, vol. 80, No. 15, pp. 2690-2692.

53. E.I. Rogacheva O.N. Nashchekina, Y.O. Vekhov, M.S. Dresselhaus, S.B. Cronin. Effect of thickness on the thermoelectric properties on PbS thin fils. Thin Solid Films, 2003, vol. 423, pp. 115-118.

54. R. Nii. Cyclotron absorption in lead telluride. J. Phys. Soc. of Japan, 1964, vol. 19, No. l,pp. 58-66.

55. В.Ф. Жаров, М.К. Житннская, Н.А. Ерасова, О.М. Нарва. Влияние диэлектрических включений на термоэлектрические свойства теллурида свинца. Неорганические Материалы, 1985, том 21, вып. 11, сс. 1882-1884.

56. Б.М. Аскеров. Явления переноса в халькогенидах свинца п-типа. -ФТП, 1986, том 20, вып. 1, сс. 186-189.

57. Е.С. Ицкевич, JI.M. Каширская, И.В. Кучеренко, О.А. Панкратов, А.Е. Свистов, А.П. Шотов. Инверсия коэффициента Холла и термоэде под давлением в узкощелевых полупроводниках свинсц-олово-свинец. Письма в ЖЭТФ, 1986, том. 43, вып.6, сс. 303-306.

58. JI.B. Прокофьева, III.M. Жумаксаиов, Х.Р. Майлина. Исследование механизма изовалетно-акцепторного легирования PbSe методом эффекта Зеебека. ФТП, 1987, том 21, вып. 2, сс. 310-313.

59. Б.М. Гольцман, А.Е. Дулькпн, С.А. Казьмин, В.II. Наумов, Ю.И. Равич. Кинетические эффекты в плёнках PbSe с аномальной термоэде. ФТП, 1987, том 21, вып. 4, сс. 707-709.

60. JI.B. Бочкарёва, С.П. Зимин, А.А. Сизык. Гальваномагнитшле и термомагиитные свойства эпитаксиальных слоев Pb0.8Sn0.2Tc. ФТП, 1987, том 21, вып. 9, сс. 1594-1599.

61. А.Н. Ковалёв, В.В. Остробородова, В.И. Парамонов, П.И. Фолонин. Проявление неодиородпостей в нелегированных халькогенидах свинца по гальваномагнитным свойствам. ФТП, 1989, том 23, вып. 11, сс. 2039-2048.

62. И.В. Кучеренко, JI.M. Каширская, К.-П. Мёллман, Е.С. Ицкевич. Гальваномагнитные явления в сплавах Pbo.75Sno.25Te с малой концентрацией In (0.1 ат %) вблизи бесщелевого состояния. ФТП, 1989, том 23, вып. 10, сс. 1784-1790.

63. Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров. Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках А4В6 с помощьюдавления. Физика низких температур, 1996, том 22, вып. 8, ее. 870891.

64. Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, Б.Б. Ковалёв, JI.A. Скипетрова. Переход диэлектрик-металл под действием давления в сплавах РЬ|. xSnxSe (х < 0.03), облучённых электронами. ФТП, 1998, том 32, вып. 8, сс. 663-667.

65. P.W. Zhu, L.X. Chen, X. Jia, Н.А. Ma, G.Z. Ren, W.L. Guo, W. Zhang, G.T. Zou. Thermoelectric properties of PbTe prepared at high pressure and high temperature. J. Phys.: Condens. Matter, 2002, vol. 14, pp. 11185-11188.

66. J.R. Lowney, W.R. Thurber, D.G. Seiler. Transverse niagnetorcsistance: A novel two-terminal method for measuring the carrier density and mobility of a semiconductor layer. Appl. Phys. Lett., 1994, vol. 64, No. 22, pp. 3015-3017.

67. N. Velisavljevic, G.N.Chesnut, Y.K.Vohra, S.T.Wcir, V.Malba, J.Akella. Structural and electrical properties of Beryllium metal to 66 GPa studies using designer diamond anvils. Phys. Rev. B, 2002, vol. 65, p. 172107.

68. J.R. Patterson, Y.K. Vohra, S.T. Weir, J. Akella. Single-wall carbon nanotubes under high pressures to 62 GPa studied using designer diamond anvils.-J. Nanosci. Nanotech., 2001, vol. 1, pp. 143-148.

69. J.R. Patterson, S.A. Catlcdge, Y.K. Vohra, J. Akella, S.T. Weir. Electrical and mechanical properties of C70 fullerene and graphite under high pressures studied using designer diamond anvils. Phys. Rev. Lett., 2000, vol. 85, pp. 5364-5367.

70. S.T. Weir, J. Akella, С.Л. Ruddle, Y.K. Volira, S.A. Catledge Epitaxial diamond encapsulation of metal microprobes for high pressure experiments. Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 77, pp. 3400-3402.

71. J. Akella, S.T. Weir, Y.K. Vohra, II. Prokop, S.A. Catledge, G.N. Chesnut. high pressure phase transformations in neodymium studied in a diamond anvil cell using diamond coated rhenium gasket. J. Phys.: Condens. Matter, 1999, vol. 11, pp. 6515-6520.

72. P.A. Baker, Y.K. Vohra, R.S. Peterson, S.T. Weir. Isotopicaliy enriched designer-diamomd anvil. Appl. Phys. Lett., 2003, vol. 83, No. 9, pp. 1734-1736.

73. D.A. Polvani, Y. Fci, J.F. Meng, J.V. Badding. A technique for thermoelectric power measurements at high pressure in an octahedral multianvils press. Rev. Sci. Instrum., 2000, vol. 71, No. 8, pp. 31383140.

74. D.A. Polvani, J.F. Mcng, M. Hascgawa, J.V. Badding. Measurement of the thcrmoclectric power of very small samples at ambient and high pressures. Rev. Sci. Instrum., 2000, vol. 71, No. 9, pp. 3586-3589.

75. B.T. Fcrdin, N.V. Jaya, K. Anbukumaran, S. Natarajan. Measurement of thermoclcctric power using metal opposed anvil cells up to 100 kbar. -Rev. Sci. Instrum., 1995, vol. 66, No. 12, pp. 5636-5637.

76. J.F. Mcng, N.V. Chandra Shekar, D.-Y. Chung, M. Kanatzidis, J.V. Badding. Improvement in the thermoelectric properties of pressure-tuned /?-K2Bi8Sei3. J. Appl. Physics, 2003, vol. 94, No. 7, pp. 4485-4488.

77. Л.Е. Карькин, B.B. Щенников, Б.Н. Гощицкий, С.Е.Данилов, В.Л.Арбузов. Анизотропия транспортных свойств разупорядоченных электронным облучением монокристаллов Bi2Te3. ЖЭТФ, 1998, том 113, вып. 5, сс. 1787-1798.

78. В.В. Козловский Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб.: Наука, 2003. 268 с.

79. U.D. Venkatcswaran, E.A. Brandsen, U. Schlccht, A.M. Rao, E. Richtcr, I. Loa, K. Syassen, P.C. Eklund. High pressure studies of the Raman-active phonons in carbon nanotubes. physica status solidi (b), 2001, vol. 223, No. 1-2, pp. 225-236

80. D. Ge, V. Domnich, Yu. Gogotsi High resolution transmission electron microscopy study of metastable silicon phases produced by nanoindentation. - J. Appl. Phys., 2003, vol. 93, No. 5, pp. 2418-2423.

81. V. Domnich, Yu. Gogotsi, S. Dub. Effect of phase transformation on the shape of the unloading curve in the nanoidentification of silicon. Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 76, No. 16, pp. 2214-2216.

82. N. Masahiro. Cooling method for engine cooling water using thermomagnetic rotating device. JP Patent No. 2001289045 (publication data Oct. 19, 2001).

83. V.S. Bedbenov. Thermomagnetic device. RU Patent No. 2167338 (publication data May 20, 2001).

84. II. Weiss, II. Wagini. Thermomagnetic-effect devices. DE Patent No. 1963S088215 19631108 (publication data Sep. 19,1967).

85. K. Barowski, C.Bcrghammer. Hair roller heating device with thcrmomagnctic roller temperature control. US Patent No. 4691095 (publication data Sept. 1, 1987).

86. W. Bartolo, 1. Boillot, R. Challande, P. DeRobertis, J. Duchenaud, J-C. Ramaciotti. Miniature electrical circuit breaker with multiple moving contacts and thermomagnetic trip release. US Patent No. 4714907 (publication data Dcc. 22, 1987).

87. L.R. Hardt, J.E. Means. Thermomagnetic safe arm device. US Patent No. 5083041 (publication data Jan. 21,1992).

88. W.P. Eaton, J.H. Smith. Micromachincd pressure sensors: review and recent developments. Smart Mater. Struct, 1997, vol.6, pp. 530-539.

89. R. Ahuja. High pressure structural phase transitions in IV VI semiconductors. - physica status solidi (b), 2003, vol. 235, No. 2, pp. 341347.

90. A. Srivastava, R.K. Singh, R. Ahuja, B. Johansson. High-pressure phase transitions in semimagnetic semiconductor I: Pb|.xMnxS. physica status solidi (b), 2003, vol. 237, No. 2, pp. 448-453.

91. Л.Ф. Верещагин, C.C. Кабапкина. Рентгеноструктурные исследования при высоком давлении. М.: Наука, 1979. 174 с.

92. D. Rached, М. Rabah, N. Benkhettou, М. Driz, В. Soudini. Calculated band structures and optical properties of lead chalcogcnides РЬХ (X = S, Se, Те) under hydrostatic pressure. Physica B, 2003, vol. 337, Ns. 1-4, pp. 394-403.

93. P.W. Bridgman. The compression of 46 substances to 50 000 kg/cm2. -Proc. Amer. Acad. Arts and Scicnces, 1940, vol. 74, No. 3, pp. 21-51.

94. Б.М. Аскеров Кинетические эффекты в полупроводниках. JI.: Наука, 1970.-304 с.

95. К. Зсегер. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 616 с.

96. И.М.Цндильковский. Термомагнитные явления в полупроводниках, М.: Гос. Из-во физ.-мат. лит-ры, 1960.

97. А.И. Белогорохов, И.И. Иванчик, 3. Попович, Н. Ромчевич, Д.Р. Хохлов. Структура DX-n одобных центров в узкощелевых полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы. -ФТП, 1998, том 32, вып. б, сс. 679-683.

98. А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, Д.Р. Хохлов, С.В. Лемешко. Смешанные оптические моды колебаний в нанокристаллах РЬТе.

99. ФТП, 2002, том 36, вып. 6, сс. 701-708.

100. J1.K. Водопьянов, J1.A. Фальковский, Дж. Ирвин, С. Хименис. Комбинационное рассеяние света в вырожденном полупроводнике (Pb,Sn)Se. Письма в ЖЭТФ, 1991, том 53, вып. 11, сс. 561-565.

101. J1.K. Водопьянов, И.В. Кучеренко, А.Г1. Шотов, Р. Шерм. Бесщелевое состояние и фонопиый спектр системы узкозониых соединений Pbj. xSnxSe. Письма в ЖЭТФ, 1978, том 27, вып. 2, сс. 101-104.

102. П.Б. Брандт, Я.Г. Пономарёв, Е.П. Скипетров, В. Титель, В.И. Штанов. Структурный фазовый переход в сплавах под давлением. -ФТП, 1983, том 17, вып. 4, сс. 645-649.

103. В.В. Щепииков, С.В. Овсянников, АЛО. Деревсков. Термоэдс халькогенидов свинца при высоком давлении. ФТТ, 2002, том.44, вып. 10, с. 1762-1765.

104. S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov, S.V. Popova, A.Yu. Derevskov. Semiconductor -metal transitions in lead chalcogcnides at high pressure. physica status solidi (b), 2003, vol. 235, No.2, pp. 521-525.

105. B.B. Щенников, С.В. Овсянников. Термо- и гальваномагнитные свойства халькогенидов свинца при высоком давлении до 20 ГПа. -Письма в ЖЭТФ, 2003, том 77, вып. 1-2, сс. 93-98.

106. V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov. Themioelectric power, magnetoresistance of lead chalcogenidcs in the region of phase transitions under pressure. Solid State Communications, 2003, vol. 126, No. 7, pp. 373-378.

107. B.B. Щенников, Г.С. Яковлева. Аппарат сверхвысокого давления. Авторское свидетельство, № 1646098.

108. И.М. Цидильковский, В.В. Щенников, Н.Г. Глузман. Термоэ.д.с. халькогенидов ргути при сверхвысоком давлении. ФТП, 1983, том 17, вып. 5, сс. 958-960.

109. К. Бредли. Применение техники высоких давлений при исследованиях твёрдого тела. М.: Мир, 1973, Т.1.-296 с.

110. F.A. Blum, B.C. Dcaton. Properties of Group VIB elements under pressure. II. Semiconductor-to-metal transition of tellurium. Phys. Rev. A, 1963, vol. 137, No. 5A, pp. A1410-A1417.

111. J.A. Kafalas, II.G. Gatos, M.C. Lavinc, M.D. Banus. High pressure phase transition in mercury selenide. J. Physics and Chemistry of Solids, 1962, vol. 23, No. 11, pp. 1541-1546.

112. К. Руманс. Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальных и высоких давлениях. М.: Мир, 1966. 207 с.

113. J. Blair, А.С. Smith. Phase transition in mercury tclluride. Phys. Rev. Lett., 1961, vol. 7, No. 4, pp. 124-125.

114. R.T. Jonson, I.B. Morosin. High pressure effects on the resistivity of single-crystal cadmium sulphide. High temperature - high pressure, 1976, vol. 8, No.l, pp. 31-44.

115. F.P. Bundy, K.J. Dunn. Electrical behaviour of Se and Те to pressure of about 500 kbar. J. Chemical Physics, 1979, vol. 71, No. 4, pp. 15501558.

116. F.P. Bundy. Ultrahigh pressure apparatus using cemented tungsten carbide pistons with sintered diamond tips. Rev. Sci. Instrum., 1975, vol. 46, No. 10, pp. 1318-1324.

117. G.J. Picrmarini, S. Block. Ultrahigh pressure diamond cell and several semiconductor phase transition pressures in relation to the fixed point pressure scale. Rev. Sci. Instrum, 1975, vol. 46, No. 8, pp. 973-979.

118. E. Gregoryanz, V.V. Struzhkin, R.J. Hemley, M.I. Eremets, II.-K. Mao, Yu.A. Timofeev. Superconductivity in the chalcogens up to multimegabar pressures. Phys. Rev. B, 2002, vol. 65, No. 6, p. 064504.

119. J.P. Heremans. C.M. Thrush, D.T. Morelli. Geometrical magnetothermopower in semiconductors. Phys. Rev. Lett, 2001, vol. 86, No. 10, pp. 2098-2101.

120. О. Yamashita, Sh. Tomiyoshi. Effect of geometrical shape on magneto-Peltier and Ettingshausen cooling in Bi and Bio.ssSbo.u polycrystals. J. Appl. Phys., 2002, vol. 92, No. 7, pp. 3794-3802.

121. B.B. Щенников. Термоэде фаз высокого давления халькогенидов цинка и кадмия. Расплавы, 1988, том 2, вып. 2, се. 33-40

122. B.B. Щенников, C.B. Попова, A. Misiuk. Термоэлектрические свойства кремния при высоком давлении в области перехода иолупроводник-метал. Письма в ЖТФ, 2003, том 29, вып. 14, сс. 57-65.

123. V.V. Shchennikov, A.V. Bazhenov. Thermoelectric investigations of materials at high pressures up to 30 GPa. Rev. High Pres. Sci & Tech, 1997, vol. 6, p. 657.

124. E.S. Choi, H. Kang, Y.J. Jo, W. Kang. Thermoelectric power measurement under hydrostatic pressure using a self clamped pressure cell. Rev. Sci. Instrum., 2002, vol. 73, No. 8, pp. 2999-3002.

125. M.M. Babaev, T.M. Gassym, M. Tas, M. Tomak. Influence of mutial drag of the carrier-phonon system on the thermopower and transverse Nernst-Ettingshausen effect. Phys. Rev. B, 2003, vol. 67, No.l 1, p. 115329.

126. Т. Okashita, II. Kobori, Т. Ohyama. Resonant photoelectromagnetic effect in semiconductors. Phys. Rev. B, 2001, vo. 64, No. 19, p. 195333.

127. W. Wu, I.J. Lee, P.M. Chaikin. Giant Nernst effect and lock-in currents at magic angles in (TMTSF)2PF6. Phys. Rev. Lett., 2003, vol. 91, No. 5, p. 056601.

128. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, O.V. Kibis, A. Pouydebasque, D.K. Maude, J.C. Portal. Thermomagnetic effect in a two-dimensional electron system with an assymmetric quantizing potential. Phys. Rev. B, 2000, vol. 61, No. 23, pp. 15603-15605.

129. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, D. Uzur, A. Nogaret, A.E. Plotnikov, A.K. Bakarov, A.I. Toropov. Thermopower of a multiprobe ballistic conductor. Phys. Rev. B, 2002, vol. 66, No. 20, p. 201303.

130. B.E. Могиленских, В.И. Осотов, Ю.С. Поносов, В.В. Щенников. Влияние гидростатического сжатия на оптические фононы в Os и Re: вклад теплового расширения в собственные энергии. ФММ, 2003, том 96, вып. 5, сс. 39-42.

131. Yu.S. Ponosov, V.V. Shchennikov, V.E. Mogilenskikh, V.I. Osotov, S.V. Popova. Raman spectra and electronic properties of HgTeS crystals at high pressure. physica status solidi (b), 2001, vol. 223, No. 1-2, pp. 275280.

132. B.B. Щенников, C.B. Овсянников. Термоэлектрические и гальваномагнитные свойства халькогенов (Те, Se) при высоком давлении до 30 ГПа. Письма в ЖЭТФ, 2001, том. 74, вып. 10, сс. 546-550.

133. V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov. Thermoelectric and galvanomagnetic investigations of VI Group semiconductors Se and Те at high pressure up to 30 GPa. Solid State Communications, 2002, vol. 121, No 6-7, pp. 323-327.

134. B.B. Щеннпков, C.B. Овсянников. Термоэде серы при высоком давлении. ФТТ, 2003, том.45, вып. 4, сс. 590-593.

135. S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov. Thermo- and galvanomagnetic technique for semiconductors testing at high pressure up to 30 GPa. -Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2003, vol. 17, pp. 546-548.

136. V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov. Thermo- and galvanomagnetic measurements of semiconductors at ultrahigh pressure. physica status solidi (b), 2003, vol. 235, No. 2, pp. 288-292.

137. V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov. Thermoelectric power of Sulphur at high pressure up to 40 GPa. physica status solidi (b), 2003, vol. 239, No. 2, pp. 399-404.

138. B.B. Щеннпков, A.H. Титов, СВ. Попова, C.B. Овсянников. Электрические свойства кристаллов (PbS)o.59TiS2 при высоком давлении до 20 GPa. ФТТ, 2000, том 42, вып. 7., с 1193-1195.

139. V.V. Shchennikov, A.N. Titov, S.V. Popova, S.V. Ovsyannikov. Electrical properties of (PbS)0.59TiS2 crystals at high pressures up to 20 GPa.-High Pressure Research,2000, vol. 17,pp. 347-353.

140. И.С. Бажан, АЛО. Манаков, C.B. Попова, C.B. Овсянников, В.И. Осотов, А.П. Вохмянин, А.И. Анчаров, Б.П. Толочко, В.В.

141. Щсшшков. Электронные и структурные фазовые превращения под действием давления в соединениях HgTco.7So.3- В материалах XIV Российской конференции по использованию синхротронного излучения. 15-19 июля 2002, Новосибирск, Россия, с. 151.

142. V.V. Shchennikov, S.V. Ovsyannikov, N.Yu. Frolova. High pressure study of ternary mercury chalcogenides: phase transitions, mechanical and electrical properties. - Journal of Physics D: Applied Physics, 2003, vol. 36, No. 16, pp. 2021-2026.

143. S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov, A.Yu. Derevskov, V.I. Osotov. High pressure treatment of semiconductor-metal heterophase structures. Defect and Diffusion Forum, 2002, vol. 208-209, pp. 255-260.

144. Л.Л. Аверкин, С. Касимов, Е.Д. Пенсберг. Изменение электрических свойств PbTe и PbS при давлении. ФТТ, 1962, том 4, вып. 12, сс. 3667-3669.

145. Б.Л.Волков, О.Панкратов, С.В.Пахомов. Вычисление электронной структуры в тригональном Теллуре. ЖЭТФ, 1984, том 86, сс. 2293.

146. J.P. Gaspard, F. Marinelli, A. Pcllcgatti. Peicrls instabilities in covalcnt structures. Europhys Lett, 1987, vol. 3, No. 10, pp. 1095-1101.

147. B.B. Щенников. Магнитосопротивление и термоэдс теллура при давлении до 30 ГПа. ФТТ, 2000, том 42, вып.4, сс. 626-631.

148. V.V. Shchennikov. Semiconductor-metal transistions in some materials at high pressures up to 30 GPa. physica status solidi (b), 2001, vol. 223, No. 1-2, pp. 561-565.

149. V.V.Shchennikov. Magnctorcsistancc and thermoelectric power of semiconductors at pressures up to 30 GPa. Defect and Diffusion Forum, 2002, vol. 208-209, pp. 275-279.

150. S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov. Thermomagnctic and thermoelectric properties of semiconductors (PbTe, PbSe) at ultrahigh pressures. Physica B: Physics of Condensed Matter, 2004, vol. 344, No. 1-4, pp. 190-194.

151. Л.Ф. Верещагин. Избранные труды. Твёрдое тело при высоких давлениях. М.: Наука, 1981.-288 с.

152. В.Ф. Скумс, JI.B. Прокофьева, A.C. Скороианов. Фазовые превращения в твёрдых растворах Pbi.xSnxSe при высоких давлениях. Неорганические материалы, 1987, том 23, вып. 9, сс. 1450-1452.

153. В.Ф. Скумс, JI.B. Прокофьева, Л.С. Скоропамов, А.Л. Вечер, В.Л. Лаптев. Электробарические свойства сплавов на основе селенида свинца. Неорганические материалы, 1988, том 24, вып. 9, сс. 14621464.

154. Б.А. Волков, А.Е. Свистов. Инверсия зон в полупроводниках типа Л4В6, связанная с флуктуациями локальных напряжений или с локальными флуктуациями состава. ФТТ, 1993, том 35, вып. 2, сс. 277-283.

155. А.Е. Карькин, В.В. Щенников, С.В. Овсянников, Е.П. Скипетров, Б.Н. Гощицкий. Индуцированный облучением быстрыми нейтронами электронный переход полупроводник-металл в селениде свинца. Письма в ЖТФ, 2004, том 30, выи. 8, с. 53-61.

156. В.В. Щенников, А.Е. Карькин, II.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк. Влияние давления и анионного замещения на электрические свойства кристаллов IlgTeS. ФТТ, 2000, том 42, вып. 2, сс. 210-217.

157. А.Е. Карькин, В.В. Щенников, С.Е. Данилов, B.JI. Арбузов, Б.Н. Гощицкий. Гальваномагиитные свойства атомно-разуиорядоченных соединений IIg(Se-S).^Tn, 2003, том 37, вып. 11, сс. 1316-1320.

158. А.Е. Карькин, В.В. Щенников, Б.Н. Гощицкий, С.Е. Данилов, B.JI. Арбузов, В.А. Кульбачинский. Влияние электронного облучения на гальваномагиитные свойства монокристаллов полупроводников InxBi2.xTc3. ФТТ, 2003, том 45, вып. 12, сс. 2147-2152.

159. В.Пол, Д. Варшауэр. Твёрдые тела иод высоким давлением. М.: Мир, 1966.-524 с.

160. J.P. Donnelly, Т.С. Harman, A.G. Foyt. n-p junction photovoltaic detectors in PbTe produced by proton bombardment. Appl. Phys. Lett., 1971, vol. 18, No. 6, pp. 259-261.

161. T.F. Tao, C.C. Wang, J.W. Sunier. Effect of proton bombardment on Pbo.76Sno.24Tc. Appl. Phys. Lett., 1972, vol. 20, No. 7, pp. 235-237.

162. C.C. Wang, T.F. Tao, J.W. Sunicr. Proton bombardment and isochronal annealing of p-type Pbo.76Sn0.24Te. J. Appl. Phys., 1974, vol. 45, No. 9, pp. 3981-3987.

163. I3.H. Брудный, A.B. Войцеховский, M.A. Кривов, Ю.В. Лнленко, A.C. Петров, А.И. Потапов. Электрофизические и рекомбинационные характеристики кристаллов Pbi.xSnxTe(Se) облучённых электронами. -ФТП, 1978, том 12, вып. 6, сс. 1495-1498.

164. Ю.Н. Казарпнов, В.Н. Ломасов. Кинетика накопления доноров в селениде свинца при корпускулярном облучении. ФТП, 1989, том 23, вып. 1, сс. 177-178.

165. Д.М. Фреик, А.Г. Миколайчук, Я.В. Огородник, Я.П. Салий, А.Д. Фрейк. Релаксация и накопление радиационных дефектов в эпитаксиальных слоях PbSe при а-облученни. ФТТ, 1990, том 32, вып. 9, сс. 2742-2745.

166. N.B. Brandt, B.B. Kovalev, Е.Р. Skipetrov. Pressure studies of the energy spectrum of irradiation-induced defects in Pb|.xSnxSe. Semicond. Sci. Tech., 1991, vol. 6, No. 6, pp. 487-490.

167. M.M. Aksclrod, K.M. Demchuk, I.M. Tsidilkovski, E.I. Broyda, K.P. Rodionov. The effect of pressure on the electron effective mass in InSb. -physica status solidi (b), 1968, vol. 27, pp. 249-254.

168. A.B. Морозов, A.E. Кожанов, А.И. Артамкин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько, W.D. Dobrowolski, Т. Story, Д.Р. Хохлов. Стабилизация уровня Ферми и отрицательное магнитосоиротивление в РЬТе (Мп, Сг). ФТП, 2004, том 38, вып. 1, сс. 30-33.

169. Г.А.Иванов, Е.К.Иорданишвили, В.Л.Налетов, Б.Г.Тихомиров / В сб. гД.В.Гицу (ред.). Низкотемпературные термоэлектрические материалы. Изд-во Ан Молдавской ССР, Кишинев, 1970. с. 182.

170. S.V. Ovsyannikov, V.V. Shchennikov. Measurement of thermoelectric, galvanomagnetic and thermomagnetic effects at ultrahigh pressure./ In Proceedings of SPIE's Intl. symposium on Thermosense XXV (part of

171. SPIE's symposium on Acrosensc), April 21-25, 2003, Orlando, FL. -Proceedings of SP1E, 2003, vol. 5073, pp. 426-434.

172. N.P. Seregin, S.A. Nemov, T.R. Stepanova, Yu.V. Kozhanova, P.P. Scrcgin. Local symmetry and electronic structure of atoms in the Pb|. xSnxTe lattices in the gapless state. Semicond. Sci. Tcchnol., 2003, vol. 18, pp. 334-336.