Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Бодягин, Николай Викторович

• Бодягин, Николай Викторович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Бодягин, Николай Викторович

СОДЕРЖАНИЕ

стр.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПЛЕНОК a-Si:H И a-Si

1.1 Современные представления о структуре пленок a-Si:H

1.2. Морфология поверхности пленок a-Si:H

1.3. Исследование модели роста a-Si:H. 30 Результаты и выводы по главе 1. 41 ГЛАВА 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНОГО 42 И АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ

И ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ a-Si:H.

2.1. Методики, оборудование, используемое для исследований. 42 Получение и подготовка образцов.

2.2. Зависимость термодинамических характеристик a-Si:H 49 от условий получения и термообработок.

2.3.Механизмы релаксационных процессов в a-Si:H

2.4. Технология получения однократно программируемых элементов 80 памяти на основе аморфного гидрогенизированного кремния.

2.4.1. Введение. Эффект переключения в аморфных 80 полупроводниках.

2.4.2. Технология получения элементов памяти на основе a-Si:H

2.4.3. Исследование зависимости параметров ПЭ от режимов

- з -

осаждения пленок a-Si:H.

2.4.4. Температурная зависимость ВАХ и влияние повторных 90 термообработок на изменение параметров ВАХ.

2.4.5. Выбор оптимальных технологических условий получения 93 ПЭ на основе a-Si:H.

Основные результаты и выводы по главе 2

ГЛАВА 3. ПРОБЛЕМЫ ТЕХНОЛОГИЙ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ 99 МАТЕРИАЛОВ.

3.1. Закономерности эволюции технологий материалов

3.1.1. Элементы технологий

3.1.2. Эволюция технологий

3.1.3. Кризис и будущее технологий материалов

3.2. Проблемы технологий

3.2.1. Понятие проблем технологий материалов

3.2.2. Проблемы технологий как конфликты

3.2.3. Локализация проблем технологий

3.3. Закономерности процессов роста твердотельных материалов

3.3.1. Динамические особенности процессов образования 119 твердотельного состояния.

3.3.2. Аттракторы процессов перехода: газ (расплав) - твердое тело

3.4. Исследование динамики формирования структуры 140 твердотельных материалов.

3.4.1. Методологический подход к изучения эволюции

вещества при отвердевании.

3.4.2. Определение фрактальной размерности по результатам 148 измерений.

3.4.3. Особенности определения фрактальной размерности 153 аттракторов распределеных систем.

3.4.4. Экспериментальное исследование поверхности материалов 157 с помощью метода вложения.

3.5. О природе фрактальной размерности структуры материалов

3.6. Реконструкция динамики роста твердотельных материалов 193 по их структуре.

3.7. Промежуточные слои на границах газ (расплав) - твердое 206 тело как области сложного поведения вещества.

3.7.1. Общие соображения

3.7.2. Эволюция вещества в промежуточном слое

3.7.3. Пространственные и временные масштабы ПС

3.7.4. Информация и ПС

3.7.5. Вычислительная сложность

3.7.6. Экспериментальные доказательства существования ПС. 222 Результаты и выводы по главе 3. 226 ГЛАВА 4. СТРУКТУРА И ЗАКОНОМЕРНОСТИ ЭВОЛЮЦИИ 227 НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

4.1. Динамическая модель структуры аморфных материалов

4.1.1. Построение модели

4.1.2. Численное моделирование и сравнение с экспериментом

4.2. Эволюция неупорядоченных систем и релаксационные 238 процессы в аморфных материалах на основе кремния.

4.3. О причинах невоспроизводимости структуры и свойств 247 некристаллических материалов.

4.3.1. Невоспроизводимость структуры и свойств полупроводников 247 как технологическая проблема.

4.3.2. Динамические причины невоспроизводимости

4.3.3. Динамические критерии невоспроизводимости

4.3.4. Пути увеличения воспроизводимости в технологиях 260 полупроводниковых материалов.

Результаты и выводы по главе 4. 262 ГЛАВА 5. УПРАВЛЕНИЕ ПРОЦЕССАМИ РОСТА ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ 263 МАТЕРИАЛОВ.

5.1. Основные принципы управления поведением вещества в 265 процессе образования твердотельной структуры.

5.2. Дополнительные замечания

5.3. Схема управления процессами роста. 272 Результаты и выводы по главе 5. 274 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ. 275 ЛИТЕРАТУРА. 279 Приложения

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников»

ВВЕДЕНИЕ.

Актуальность работы. За последние годы некристаллические полупроводники, благодаря своим уникальным свойствам, стали базой многих устройств и приборов. Наиболее важным и перспективным среди них является аморфный гидрогенизированный кремний. Объем производства приборов на его основе, среди которых: электрофотографические слои, солнечные элементы, матрицы тонкопленочных транзисторов, значительно превышает производство других материалов этого класса. Однако, для разработки новых устройств на основе a-Si:H и Других неупорядоченных полупроводников: атомных сверхрешеток, многослойных гетероструктур, необходимо решение ряда проблем технологий, среди которых наиболее важными являются:

- аномально высокая чувствительность структуры, и как следствие свойств материала, к технологическим условиям. Это, с одной стороны приводит к слабой воспроизводимости характеристик получаемых слоев, а с другой стороны, делает невозможным определение собственных свойств a-Si:H;

- метастабильность структуры и характеристик a-Si:H, которая ограничивает возможности эксплуатации приборов на его основе, вызывает серьезные проблемы при использовании таких методов как диффузия, высокотемпературный отжиг дефектов, определяет чувствительность материала к внешним воздействиям;

- несовершенны алгоритмы оптимизации технологических режимов: нахождение оптимальной области в пространстве технологических параметров часто осуществляется путем простого перебора всех возможных вариантов ре-

жима, т.е. является следствие случайного эксперимента.

Эти проблемы связаны между собой и обусловлены тем, что до сих пор остаются не ясны закономерности формирования и последующей эволюции структуры а-8кН. Это выражается в отсутствии способов описания взаимосвязи между структурой, физико-химическими свойствами материалов и условиями их роста. Прежде всего это относится к различным структурным неодно-родностям, которые присутствуют даже в пленках "приборного" качества, и оказывают решающее влияние на стабильность их характеристик. Следует отметить, что аналогичная ситуация характерна для многих некристаллических материалов.

Сложность положения усугубляется тем, что возможности существующих подходов к анализу свойств неупорядоченных полупроводников, основные положения которых опираются на представления о гомогенной, случайной структуре и решающей роли ближнего и среднего порядков в формировании физических свойств материалов, весьма ограничены, а ряд проблем фундаментального характера до сих пор не решены. Это требует развития принципиально новых концепций аморфного состояния. Одним из возможных направлений является использование идей теории нелинейных процессов. Это связано с тем, что вещество, находящееся в процессе формирования твердотельной структуры имеет свойства характерные для неравновесных, самоорганизующихся систем. Такой подход открывает новые возможности в моделировании структуры аморфных материалов, процессов их роста и управления ими.

Проблемы воспроизводимого получения материалов с однородной струк-

турой важны и для технологий кристаллов. В частности, разнообразные структурные неоднородности от макро- до наноразмеров возникают во многих кристаллических материалах, выращиваемых по различным технологиям. Они влияют на структурно-чувствительные свойства, кинетику фазовых и структурных превращений, диффузионных процессов и часто ухудшают практически важные характеристики материалов.

Таким образом, указанные проблемы, обладают большой общностью и обуславливают необходимость развития представлений о закономерностях формирования структуры некристаллических полупроводников, и особенно структурных неоднородностях. Конечным итогом должно стать формирование технологий, позволяющих эффективно управлять ростом материалов с заданной структурой, а также программировать синтез новых материалов с уникальными свойствами.

Цель работы. Теоретическое и экспериментальное исследование закономерностей формирования структуры и термодинамических свойств некристаллических полупроводников и разработка принципов построения технологических систем для воспроизводимого выращивания материалов с заданными свойствами.

/

Поставленная цель вызывала необходимость решения следующих задач:

- исследовать структуру и термодинамические, электрофизические, оптические свойства пленок а-БШ, влияние на них технологических факторов, тер-

мообработок, примесей;

- рассмотреть процесс роста пленок a-Si:H с термодинамических позиций и определить закономерности формирования структуры неупорядоченных материалов;

- разработать; методологический подход к изучению структурных особенностей некристаллических полупроводников, способы определения инвариантных характеристик динамики формирования их структуры и идентификации в ней порядка;

- выявить основные причины неудовлетворительной воспроизводимости структуры и свойств некристаллических полупроводников, разработать инвариантные относительно различных технологий критерии воспроизводимости и определить способы ее улучшения;

- определить принципы моделирования структуры аморфных материалов и эффективного управления процессами ее образования.

Научная новизна.

Совокупность результатов исследований, приведенных в диссертационной работе, может быть представлена как новое перспективное направление: порядок и неоднородности в структуре неупорядоченных и кристаллических полупроводников с точки зрения теории сложных нелинейных систем

Научная новизна состоит в следующем:

- исследованы термодинамические характеристики a-Si:H и влияние на них технологических параметров, примесей кислорода и азота, термообрабо-

ток, обработок потоком ионов;

- впервые методом дифференциального термического анализа (ДТА) обнаружена низкотемпературная (до 400°С) экзотермическая релаксация в аморфном кремнии (a-Si) получаемом распылением;

- обнаружены структурные особенности в a-Si:H в виде правильных спиралей, окружностей с характерными размерами до 100 мкм;

- технологий получения твердотельных материалов рассмотрены с позиций теории самоорганизации и системного анализа на примере процесса роста a-Si:H в тлеющем разряде. Предложена модель роста a-Si;H в тлеющем разряде, в рамках которой показано, что в процессе синтеза возможно возникновение различных, в том числе и периодических режимов;

- экспериментально доказано, что структура поверхности a-Si:H и некоторых других материалов представляет собой "замороженный" динамический хаос;

- теоретически доказано, что системы, для которых пространственное распределение может быть описано как "замороженный" динамический хаос, были сформированы на стадии пространственно-временного хаоса;

- установлена взаимосвязь между характеристикам структуры материалов и инвариантными параметрами динамики ее формирования;

- впервые предложена модель роста, которая для одного вещества одновременно описывает структуры с различной степенью упорядочения: кристалл, аморфное состояние, различные структурные особенности аморфной матрицы;

- выявлены физические причины невоспроизводимости структуры мате-

риалов. Разработаны динамические критерии воспроизводимости и предложены способы их экспериментального определения;

- на примере a-Si:H и a-Si доказано, что при условии равенства средних эффективных энергий, энтропия аморфного состояния меньше энтропии кристаллического Si. На основании этого результата рассмотрены особенности эволюции структуры неупорядоченных материалов;

- разработаны принципы построения технологических систем для воспроизводимого выращивания материалов с заданными свойствами, основанные на знании динамики процессов формирования структуры.

Практическая ценность работы состоит в следующем:

- выявлено влияние технологических факторов: температуры подложки, мощности разряда, давления в камере, отжига, добавления примесей N2 и N20 на стабильность свойств a-Si:H. С этих позиций определены оптимальные технологические режимы, которые используются при получении элементов памяти, спектрально-чувствительных датчиков света на основе a-Si:H;

- разработаны, изготовлены и испытаны однократнопрограммируемые элементы памяти на основе a-Si:H (А.с.№ 1664085).

- разработаны способы идентификации порядка в структуре поверхности аморфных и кристаллических материалов;

- разработаны способы определения динамики роста материалов in situ и по характеристикам структуры материалов;

- разработаны динамические критерии воспроизводимости инвариантные

относительно технологических режимов и позволяющие оценивать влияние на воспроизводимость различных факторов и определять способы ее улучшения. Предложены экспериментального способы определения степени воспроизводимости;

- разработана методология построения технологических систем для воспроизводимого выращивания материалов с заданной структурой, основанная на принципе соответствия управляющих воздействий внутренним свойствам вещества.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Релаксационные процессы в a-Si:H, проявляющиеся в экзотермических пиках в спектре ДТА, неравновесными эффектами на кривых температурной зависимости темновой и фотопроводимости, определяются структурно-химической неоднородностью материала.

2. Релаксационные процессы в a-Si: H до 200°С обусловлены взаимодействием молекулярного водорода со слабыми Si-Si связями.

3. Структурные неоднородности в a-Si: H, аномальная зависимость термодинамических и электрофизических характеристик, в том числе и параметров ВАХ слоев a-Si:H в сильных электрических полях, от технологических факторов, примесей, неудовлетворительная воспроизводимость характеристик материала обусловлены неустойчивым характером процессов роста, определяемым хаотической динамикой.

4. Структура поверхности a-Si: H и некоторых других материалов пред-

ставляет собой "замороженный" динамический хаос;

5. Тип и некоторые инварианты динамики процессов роста материалов могут быть определены по структуре "замороженной" границы роста.

6. Системы, для которых пространственное распределение может быть описано как "замороженный" динамический хаос, были сформированы на стадии пространственно-временного хаоса.

7. Энтропия аморфного кремния меньше энтропии кристаллического при условии равенства средних эффективных энергий.

8. Принципы построения технологических систем для воспроизводимого выращивания материалов с заданными свойствами, основанные на соответствии управляющих воздействий внутренним динамическим процессам формирования структуры.

Апробация работы.

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на международных конференциях: по аморфным и жидким полупроводникам (Эйшвилл, США, 1989), международного исследовательского общества материалов (Сан-Франциско, США, 1996, 1997), по аморфным полупроводникам (Гармиш-Партенкирхен, ФРГ, 1991), "Некристаллические полупроводники-90" (Ужгород, 1989), по электротехническим материалам и компонентам (Алушта, 1995), "Критерии самоорганизации в физических, химических и биологических системах" (Суздаль, 1995), "Математика, компьютер, образование" (Дубна, 1996, 1997), "Тонкие пленки в электронике" (Харьков, 1997), на Всесоюзном научно-

техническом совещании "Пути совершенствования технологии полупроводниковых и диэлектрических материалов" (Одесса, 1988), IV и V Всесоюзных конференциях "Термодинамика и материаловедение полупроводников (Москва, 1989, 1997), III Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок (Ивано-Франковск, 1990), конференции "Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем" (Махачкала, 1990), III Всесоюзной конференции "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов" (Кишинев, 1991), Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика-95" (Москва, 1995), научно-практической конференции "Человек, экология, здоровье" (Рязань, 1997), 1-ой Всесоюзной конференции "Автоматизация, интенсификация, интеграция процессов технологии микроэлектроники" (Ленинград, 1989), на школе передового опыта ВДНХ СССР "Применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в электрофотографии" (Москва, 1988), на научных семинарах: Института общей и неорганической химии им.Курнакова Н.С. РАН "Средний порядок, кластеры, самоорганизация" (Москва, 1989), РРТИ (1997), МЭИ (1997), МИЭТ (1997), Института прикладной математики им. Л.М.Келдыша РАН (1997).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 56 печатных работах, в том числе: 28 статей в международных и российских академических журналах и сборниках, 27 докладов и тезисов опубликованных, в трудах международных, Всесоюзных и Всероссийских конференций, 1 авторское

свидетельство на изобретение.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных результатов и выводов по диссертации, списка литературы из 216 наименований. Работа содержит 209 страниц машинописного текста, 64 рисунка, 16 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Бодягин, Николай Викторович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ

1) В процессах роста a-Si:H обнаружено спонтанное возникновение структурных неоднородностей, которые проявляются в частности, в виде правильных геометрических фигур: спиралей, окружностей, пузырьков и т.д.

2) Предложена модель роста a-Si:H из плазмы тлеющего разряда. При ее исследовании методами качественной теории дифференциальных уравнений были обнаружены области технологических параметров, в которых возможна самоорганизация, выражающаяся в периодическом изменении концентрации кремния и водорода на поверхности роста. На основе полученных результатов сформулированы практические рекомендации для технологии а-Si:H.

3) Методом ДТА в диапазоне температур от -140 С до 570 С исследованы термодинамические характеристики a-Si:H, получаемого методом тлеющего разряда. Обнаружены два экзотермических пика с температурами максимумов при температурах 130°С и 410°С. Выявлены зависимости ТД от технологических условий синтеза материала: Тп, W, Р. Показано, что введение примесей

N20, N2/SíH4=4% значительно изменяет ТД характеристики материала. Это влияние оказывается существенно зависящим от технологических режимов. Изотермический отжиг при 200°С значительно улучшает термостабильность a-Si:H.

4) Возникновение низкотемпературного экзотермического пика с обусловлено квазихимическим взаимодействием молекулярного водорода со слабыми Si-Si связями с образованием двух Si-H связей. Высокотемпературный пик связан с релаксационными процессами в аморфной матрице кремния и эффузией водорода.

5) Разработана конструкция и исследованы параметры однократнопро-граммируемых элементов памяти на основе слоев a-Si:H. Оптимальные характеристики элемента обеспечиваются следующим технологическим режимом: Тп = 260°С, W=0,2 Вт/см2, Р=50 Па. Скорость расхода смеси 10%SiH4 + 90%Н2 составляет 100 см3 /мин. Установлено, что одним из способов улучшения стабильности, воспроизводимости, уменьшения разброса значений характеристик ПЭ является легирование a-Si:H добавлением в разряд N2 и N20.

6) Установлено, что процесс роста a-Si:H имеет следующие отличительные черты: неравновесность условий синтеза, нарушение симметрии, бифуркационный характер изменений, существование ассимптотически устойчивых режимов - максимальных аттракторов. С позиций динамики это соответствует режиму самоорганизации, который может быть описан ограниченным числом степеней свободы.

7) Распределение вещества по поверхности (а-БШ, ОаАэ, С), представляющей собой "замороженный" мгновенный снимок процессов роста, имеет детерминированный хаотический характер. Обработки поверхности (ОаАэ, \Л/) могут приводить как к ее деградации, так и проявлению самоорганизованной структуры.

8) Процесс роста некоторых твердотельных материалов проходит через стадию пространственно-временного динамического хаоса. Установлена взаимосвязь между характеристиками структуры материалов и инвариантными параметрами динамики процесса ее формирования.

9) На границах раздела фаз в системах выращивания твердотельных материалов существуют промежуточные слои, свойства которых отличаются от свойств пограничных объемов. Толщина ПС значительно превосходит межатомные расстояния. Вещество в ПС находится в сильнонеравновесном неустойчивом состоянии бифуркации и проходит через стадию динамического хаоса.

10) Причиной невоспроизводимости структуры и характеристик твердотельных материалов является динамическая неустойчивость процессов роста, связанная с динамическим хаосом, в сочетании с неустранимыми флуктуа-циями. Разработаны динамические критерии для оценки степени воспроизводимости, основанные на характеристиках нелинейных систем, определен ее фундаментальный уровень, на который не влияет увеличение точности задания параметров технологии. Определены возможные способы увеличения воспроизводимости.

11) На основании теоремы Климонтовича на примере a-Si и к-Si показано, что энтропия кристалла больше, чем у аморфного состояния, при условии равенства средних эффективных энергий. Определены основные черты эволюции аморфных материалов.

12) Построена возможная модель "перехода" от кристалла к аморфному состоянию, основанная на функциональном уравнении, описывающем рост одномерной цепочки. Из сравнения результатов численного исследование модели с экспериментальными данными можно предположить, что "замороженный" динамический хаос является одним из возможных способов описания структуры некристаллических твердотельных материалов.

13) Определены основные принципы управления процессами роста с целью воспроизводимого выращивания материалов с заданной структурой. Они основаны на соответствии динамики управляющих воздействий внутренним процессам, возникающим в веществе в процессе образования твердотельной структуры. Разработана блок-схема технологических систем, основанных на этих принципах.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Бодягин, Николай Викторович, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА.

1. loffe A.F., Regel A.R. Non-crystalline, amorphous and liquid electronic semiconductors. - In: Progress in amorphous, v.4, London, 1960, pp. 231-238.

2. Danesh P., Simon S., Pashov N., Kalitzova M., Ballossier G. Structural study of glow discharge a-Si:H films. - Appl. Phys. A., 1986, v. 39, pp. 297-299.

3. Liu Z., McKenzie D., Cockayne D., Dwarte D. Electron diffraction study of the structure of boron- and phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicon. -Phil. Mag. В., 1988, v. 57, N 6, pp. 753-761.

4. Bellissent R., Chenevas-Paule A., Cheux P., Menelle A. a-Si:H short range order by neutron scattering. - J. Non-Cryst. Solids, 1985, v. 77/78, pp. 213-216.

5. Cervinka L. Medium-range ordering in non-crystalline solids. - J. Non-Cryst. Solids, 1987, v. 90, pp. 371-382.

6. Рассеяние света в твердых телах. Пер. с англ./ Под ред. М. Кардоны. - М.: Мир, 1979.-392 с.

7. Elliott S. The use of non-diffraction probes in determining the structure of amorphous solids in: Glass'89. A survey of contemporary glass science and technology. Leningrad "Nauka". 1988, pp. 65-83.

8. Mobilio S. EXAFS in amorphous silicon alloys. - J. Non-Cryst. Solids, 1987, v. 97/98, pp. 365-378.

9. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Пер. с англ./ Под ред. И. Хамакавы. - М.: Мир. 1986, Моригаки К., Сано Е., Хирабаяши И. Оптически детектируемый магнитный резонанс (ОМДР) в гидрогенизированном аморфном кремнии, с. 93-103.

10. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 1. Структура, приготовление и приборы. Пер. с англ./ Под ред. Дж.Джоунопулоса, Дж.Люковски. - М.: Мир, 1987. Гл. 2. Найтс Дж. Структурная и химическая ха-рактеризация. с. 13-84.

11. Craven A., Patterson A., Long A., Wilson J. Small angle electron scattering in a-Si and a-Si:H films. - J. Non-Cryst. Solids, 1985, v. 77/78, pp. 217-220.

12. Chenevas-Paule A., Belliessent R., Roth M., Pankove J. Correlation between Staebler-Wronski effect and medium range order in a-Si:H by SANS. - J. Non-Cryst. Solids, 1985, v.77/78, pp.373-376.

13. Mott h., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 2.-М.: Мир, 1982-664 с.

14. Properties of amorphous silicon, INSPEC. - The institution of electrical engineers, London and New York, 1985, chap. 1. Microstructure, pp. 12-23.

15. Mishima Y., Yagishita T. Investigation of the bubble formation mechanism in a-Si:H film by Fourier-transform infrared microspectroscopy. - J. Appl. Phys., 1988, v. 68, N 4, pp. 3972-3974.

16. Collins R., Cavese J. Influence of substrate structure on the growth of hydro-genated amorphous silicon studied by in situ ellipsometry. - J. Appl. Phys., 1986, v.60, N12, pp. 4169-4176.

17. Tsai C., Knights J., Chang G., Wacker B. Film formation mechanisms in the plasma deposition of hydrogenated amorphous silicon. - J. Appl. Phys., 1986, v. 59, N 8, pp. 2998-3001.

18. Ross R., Johnoock A., Chan A. Physical microstructure in device-quality hy-

drogenated amorphous silicon. - J. Non-Cryst. Solids, 1984, v. 66, pp. 81-86.

19. Knight J. Grow morphology and defects in plasma deposition a-Si:H films. - J. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 35/36, pp. 159-170.

20. Williamson D., Mahan A., Nelson W., Crandall R. The observation of micro-voids in device quality hydrogenated amorphous silicon. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 226-228.

21. Chabal Y.J., Patel C.K.N. Effects of high pressure molecular hydrogen in a-Si:H. - J.Non-Cryst. Solids, 1985, v.77/78, pp. 201-212.

22. Yamazaki M., Nakata J., Imao S., Shirafuji J., Inuishi Y. AC conductivity of un-doped a-Si:H and MK-Si:H in connection with morphology and optical degradation. - Jap. J. Appl. Phys., 1989, v. 28, № 4, pp. 577-585.

23. Bustarret E. Urbach edges and angular distortions in a-Si:H and related alloys. -J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 13-15.

24. Бодягин H.B., Вихров С.П., Айвазов А.А. Динамика роста твердотельных материалов. "Известия ВУЗов. Электроника", 1997, № 3-4, с.7-10.

25. Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Бодягин Н.В. Морфология поверхности и релаксационные процессы в a-Si:H. - Поверхность (физика, химия, механика). 1993, №1, с.81-86.

26. Селищев С.В., Бялый А.В. Влияние давления аргона на морфологию поверхности кремния при воздействии на него лазерного излучения. - ФХОМ 1987, № 5, с.88-90.

27. Вихров С.П., Бодягин Н.В. Новый подход к построению технологических систем на примере роста слоев a-Si:H. - Учебное пособие. Рязань, РГРТА,

1994. 108 с.

28. Saxena N., Albright D., Fortman C., Russell Т., Fauchet P., Campbell 1. Temperature dependence of H radical etching in the deposition of microcrystalline silicon alloy thin films by HG-sensitized photo-CVD. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 801-803.

29. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 2. Электронные и колебательные свойства. Пер. с англ./ Под ред. Дж.Джоунопулоса, Дж.Люковски. - М.: Мир, 1988. Гл. 7. Люковски Дж., Поллард У. Колебательные свойства аморфных сплавов, с. 377-411.

30. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. Пер. с англ./ Под ред. Й.Хамакавы. - М.: Металлургия, 1986. Гл. 3. Новые методы исследования аморфных полупроводников. Шимизу Т. Электронный парамагнитный (ЭПР) и ядерный магнитный (ЯМР) резонансы. с.81-92.

31. A.A.Aivazov, N.V.Bodyagin, S.P.Vikhrov Collective effects in a-Si:H growth proccess - Abstracts of 13th International conference on amorphous and Liquid semiconductors. Asheville, NC, USA, 1989, 22 am B4.

32. Айвазов A.A., Бодягин H.B., Вихров С.П. Синергетические процессы в а-Si:H и a-Si. - В кн.: Тезисы докладов четвертой Всесоюзной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников". Т.1. Москва, 1989,

с. 324-325.

33. Aivazov А.А., Bodyagin N.V., Vikhrov S.P., Petrov S.V. Collective effects in the a-Si:H growth process. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v.114, pp. 157-159.

34. Айвазов A.A., Бодягин H.B., Вихров С.П. Аморфный гидрогенизированный

кремний как материал электронной техники. - Зарубежная электронная техника, 1989, N8, с.83-112.

35. Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Дефектные состояния в аморфном кремнии. - В кн.; Сборник научных трудов МИЭТ "Материалы и технологические процессы микроэлектроники" под ред Айвазов А.А. М.; МИЭТ, 1988,

с. 5-13.

36. Shirafuji S., Nagata S., Kuwagaki M. Effect of hydrogen dilutation of silane on properties of glow-discharged undoped hydrogenated silicon. - Jap. J. Appl. Phys. 1986, V.25, № 3, pp.336-344.

37. Tanaka K. Physics and chemistry of deposition. - J. Non-Cryst. Solids. 1987, V.97-98, pp.285-288.

38. Айвазов A.A., Бодягин H.B., Вихров С.П., Петров С.В. О возможности самоорганизации при получении a-Si:H. - В кн.; Материалы Международной конференции "Некристаллические полупроводники - 89". Ужгород, 1989,

с. 101-104.

39. Айвазов А.А., Петров С.В., Приходько Е.Л., Бодягин Н.В. Аморфный кремний как диссипативная система. - В кн.: Тезисы докладов Всесоюзного научно-технического совещания "Пути совершенствования технологии полупроводников и диэлектрических материалов электронной техники". Одесса, 1988,

с.23-24.

40. Kushner М. A model for the discharge kinetics and plasma chemistry during plasma enhance chemical vapor deposited of amorphous silicon. - J.Appl. Phys. 1988, V.63, №8, pp.2532-2551.

41. Tsai C., Knight J., Chaug G., Wacker B. Films formation mechanisms in the plasma deposition of hydrogenated amorphous silicon. - J. Appl. Phys. 1986, V.59, N 8, pp.2998-3001.

42. Kuznetsov V., van Oort R., Metselaar J. Plasma deposition of hydrogenated amorphous silicon: Effect rf power. - J. Appl. Phys. 1989, V.65, № 2, pp.575-580.

43. Gleasson K., Wang K., Chen M., Reimer J. Monte Carlo simulation of amorphous hydrogenated silicon thin films growth. - J. Appl. Phys. 1987, V.61, № 8, pp.2866-2873.

44. Gallagher A. Neutral radical deposition from silane discharge. - J. Appl. Phys. 1988, V.63, №7, pp.2406-2413.

45. Kampas F. Chemical reaction in plasma deposition. - Semiconductors and semimetals, V21A. London. Academic Press, Inc., 1984. Chap.8, pp.153-177.

46. Tsai C., Anderson G., Thompson R., Wacker B. Control of silicon network structure in plasma deposition. - J. Non-Cryst. Solids. 1989, V.114, pp. 151-153.

47. Saxena N., Albright D., Fortman C., Russell T., Fauchet P., Campbell I. Temperature dependence of H radical etching in the deposition of microcrystalline silicon alloy thin films by HG-sensitized photo-CVD. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, V.114, pp.801-803.

48. McCaughey M., Kushner M. Simulation of the bulk and surface properties of amorphous hydrogenated silicon deposition from plasma. - J. Appl. Phys. 1989, V.65, № 1, pp. 186-195.

49. Vanier P., Tafto J., Rajeswaran G., Kamras F. Nucleation and growth of n-type and p-type microcrystals in low-temperature glow-discharge deposited silicon films.

- J. Non-Cryst. Solids. 1984, V.66, pp.31-38.

50. Kampas F., Vanier P. Mechanisms involved in the glow-discharge deposition of doped hydrogenated amorphous silicon. - J. Non-Cryst. Solids. 1984, V.66, pp.25-30.

51. Lamotte B. States of bonded hydrogen in a-Si:H. - J. Non-Cryst. Solids, 1985, V.77/78, pp.191-200.

52. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. -М.: Мир, 1979. 536 с.

53. Ахромеева Т.С., Курдюмов С.П., Малинецкий Г.Г., Самарский А.А. Нестационарные структуры и диффузионный хаос. - М.: Наука, 1992, 541 с.

54. Koynov S., Toneva A. Preparation of a-Si:H by cross homogeneous CVD method.-J. Non-Cryst .Solids, 1987, v. 90, pp. 327-330.

55. Saxena N., Albright D., Fortman C., Russell Т., Fauchet P., Campbell I. Temperature dependence of H radical etching in the deposition of microcrystalline silicon alloy thin films by HG-sensitized photo-CVD. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 801-803.

56. Hasegawa S., Shimizu S., Kurata Y. Thickness dependences of properties of P- and B-doped hydrogenated amorphous silicon. 1. Dark conductivity and photoconductivity. - Phil. Mag. В., 1984, v. 49, N 5, pp. 511-519.

57. Properties of amorphous silicon, INSPEC. - The institution of electrical engineers, London and New York, 1985, chap. 4. Infrared (IR) absorption spectra,

pp. 58-80.

58. Kshirsagar S., Khaladkar N., Mamdapurkar J., Sinka A. Raman scattering

studies in a-Si:H films grown with columnar morphology. - Jap. J. Appl. Phys., 1986, v. 25, №12, pp. 1788-1794.

59. Hasegawa S., Shimizu S., Kurata Y. Thickness dependences of properties of P- and B-doped hydrogenafed amorphous silicon. II ESR, hydrogen vibrational spectra and optical absorption. Phil. Mag. В., 1984, V. 49, №5, pp. 521-532.

60. Properties of amorphous silicon, INSPEC. - The institution of electrical en-geneers, London and New York, 1985, chap. 6. Conductivity, pp. 109-150.

61. Chacorn V., Haneman D. Thickness and doping dependence of the optical gap in amorphous hydrogenated silicon films. - Sol. St. Commun., 1988, v. 65, № 7, pp. 609-611.

62. Properties of amorphous silicon, INSPEC. - The institution of electrical en-geneers, London and New York, 1985, chap. 8. Optical absorption spectra, pp. 161-175. Chap. 9. Optical energy gap, pp. 176-198.

63. Айвазов А.А., Бодягин H.В., Приходько Е.Л.,Хашимов P.H., Петров C.B. Эволюция спектров ДТА и КРС аморфного и аморфного гидрогенизирован-ного кремния. - Письма в ЖТФ, 1990, вып. 10, т. 16, с. 91-96.

64. Уэндландт У. Термические методы анализа. - М.: Мир, 1978, 526 с.

65. Kazanskii A., Klimashin I. The influence of temperature on recombination of carriers in undoped a-Si:H. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 313-316.

66. Tsu R., Paesler M., Sayers D. Phonon linewidth and bond angle deviation in amorphous silicon and germanium.- J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 199201.

67. Sinke W., Warabisako T., Miyao M., Tokuyama T., Roorda S., Saris F. Tran-

sient structural relaxatiion of amorphous silicon. - J. Non-Cryst. Solids, 1Э88, v. 99, pp. 308-323.

68. Краткий справочник физико-химических величин. Под ред. К.П.Мищенко, А.А.Равделя. - Л.: Химия, 1967 -182 с.

69. McMillan J., Peterson Е. Kinetic of decomposition of amorphous hydrogenated silicon films. J. Appl. Phys., 1979, v. 20, № 8. pp. 5238-5241.

70. Nasu H., Akamatsu C., Hayashi R., Osaka Y. Differential scanning calo-rimetry studies of p-doped a-Si:H. - Jap. J. Appl. Phys., 1989, v. 28, N 3,

pp. 557-558.

71. Matsuo S., Nasu H., Akamatsu C., Hayashi R., ImuraT., Osaka Y. DSK studies of glassy behaviour in P-doped a-Si:H. - Jap. J. Appl. Phys., 1988, v. 27, N 2, pp. L132-L133.

72. Mosson D., Sacher E., Yelon A. Evolution of the vibrational spectra of hydrogenated amorphous silicon thin films having columnar morphology. Phys. Rev. В., 1987, v. 35, N 3, pp. 415-420.

73. Chou J., Hsiung S., Lu C. Study of the phase transformation and crystallization model of hydrogenated amorphous silicon thin films. - J. Non-Cryst. Solids, 1988,

v. 99, pp.23-31.

74. Аморфные полупроводники. Пер. с англ./ Под ред. М.Бродски. - М.: Мир, 1982. Гл. 10. Карлсон Д., Вронски К. Солнечные батареи из аморфного кремния. с.350-414.

75. Winer К., Street R. Interstitial Li doping of a-Si:H. - J. Appl. Phys., 1989, v. 65, N5, pp. 2272-2281.

76. Akirnchenko 1., Karriyev A., Gippius A. Photoluminescence and optical absorption of a-Si:H implanted by transition elements. - J. Non-Cryst. Solids, 1985, v. 77/78, pp. 691-694.

77. Физика гирдрогенизированного аморфного кремния. Вып. 1. Структура, приготовление и приборы. Пер. с англ./ Под ред. Дж.Джоунопулоса, Дж.Люковски. - М.: Мир, 1987. Гл. 6. Карлсон Д. Преобразование солнечной энергии, с. 259-309.

78. Школьников Е.В. Структурно-химические особенности полупроводниковых халькогенидных стекол и закономерности их спонтанной кристаллизации и ситаллизации: дис. док. хим. наук. - Л.: ЛГУ, 1982, 498 с.

79. Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Петров С.В., Белоусов B.C., Приходько Е.Л. Исследование влияния технологических фактров на термодинамические свойства аморфного гидрогенизированного кремния. - Электронная промышленность, 1990, вып. 8, с.42-46.

80. Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Будагян Б.Г. Исследование стабильности пленок a-Si:H методом ДТА. - Сборник научных трудов МИЭТ. М.: МИЭТ. 1991. С.152-155.

81. Ионная имплантация и лучевая технология. Пер. с анлг./ Под ред. Дж.Вильямса, Дж.Поута. - Киев.: Наукова Думка. 1988 - 358 с.

82. Модифицирование и легирование поверхности лазерными и электронными пучками. Пер. с англ./ Под ред. Дж.Поута, Г.Фоти, Д.Джекоба. - М.: Машиностроение, 1987, 424 с.

83. Amorphous silicon and related materials/ Ed. by H.Fritzsche. - World Scientific

Publishing Сотр. New York, 1988. Kakalios J., Jackson W. The hydrogen glass model, pp. 207-245.

84. Gabraebner J.E., Alien L.C., Golding B. Solid H2 in a-Si:H at low temperatures. - Phys. Rev. В., 1985, v.31, № 2, pp. 904-912.

85. BoyceJ., Ready S., Stutzmann M., Norberg R. NMR investigation of hydrogen in amorphous silicon and related materials. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114,

pp. 211-216.

86. Parsons G., Wang C., Williams M., Lucovsky G. Reduction of defects by high temperature annealing (150 C-240 C) in hydrogenated amorphous silicon films deposited at room temperature. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 178-180.

87. Lee S., Kumar S., Wronski C., Maley N. A critical investigation of a-Si:H photoconductivity generated by subgap absorption of light. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 316-318.

88. Lucovsky G., Davidson В., Parsons G., Wang C. Incorporation of polyhydride bonding groups into thin films of hydrogenated amorphous silicon. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 154-156.

89. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 2. Электронные и колебательные свойства. Пер. с англ./ Под ред. Дж.Джоунопулоса, Дж.Люковски. - М.: Мир, 1988. Гл. 2. Аллен Д., Джоунопулос Дж. Теория электронной структуры, с. 13-85.

90. Wang С., Parsons G., Lucovsky G. Effects of gas additives on the properties of a-Si:H films. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 193-195.

91. Aivazov A.A., Budaguan B.G., Bodyagin N.V. The analysis of a-Si:H Raman

scattering spectra and DTA films doped with nitrogen and oxygen. . - Proc. of Fourteenth International Conference on Amorphous Semiconductors - Science and Technology. Garmisch-Partenkirchen. FRG. August 19-23.1990. P 52.

92. Айвазов A.A., Бодягин H.B., Будагян Б.Г. Влияние примесей на свойства а-Si:H, полученного методом ВЧ разложения силана. - Тезисы докладов III Всесоюзной коференции по физике и технологии тонких полупроводниковых пленок. г. Ивано-Франковск. 9-12 октября 1990, 4.1. Ивано-Франковск: 1990, с.81.

93. Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Будагян Б.Г. Электрофизическиесвойства а-Si:H, полученного методом разложения силана. - Тезисы докладов коференции "Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем". Махачкала, 20-23 ноября, 1990, Махачкала: 1990, с.20.

94. Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Бодягин Н.В. Влияние примесей азота и кислорода на метастабильные состояния в аморфном гидрогенизированном кремнии. - Тезисы докладов III Всесоюзной конференции "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов". Кишинев. 27-29 мая, 1991, Кишинев. 1991, с.115.

95. Meaudre R., Meadure М., Jensen P., Guiraud G. Thermal-equilibrium process and electronic transport in undoped hydroge-nated amorphous silicon. - Phil. Mag. Lett., 1988, v. 57, N 6, pp. 315-320.

96. Weiser G., Mell H. Temperature dependence of the optical absorption edge in a-Si:H. - J.Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, pp. 298-300.

97. Dresner J. Hall mobility for electrons in undoped a-Si:H. - Appl. Phys. Lett., 1980, v. 37, №8, pp. 742-744.

98. Donovan E., Spaenen F., Turnbull D., Poate J., Jacobson D. Calorimetric studies of crystallization and relaxation of amorphous Si and Ge prepared by ion implantation. - J. Appl. Phys., 1985, v. 57, № 6, pp. 1795-1804.

99. Ovshinsky S. Amorphous semiconductors. - J. Sci., 1969, v. 5a, N 2, pp.73-76.

100. Feidman C., Moorjani K. Switching in elemetal amorphous semiconductors. - J. Non-Cryst. Solids, 1970, v. 2, pp. 82-90.

101. Walsh P. Ehperimental results in amorphous semiconductors switching behaviour. -J. Non-Cryst. Solids, 1970, v. 2, pp. 107-124.

102. Айвазов A.A. Корреляции между явлением переключения и структурой в жидком селене. - Физика и тех. полупров., 1978, т. II, вып. 1, с. 178-180.

103. Owen A., Le Comber P., Spear W., Hajto J. Memory switching in amorphous silicon devices. - J. Non-Cryst. Solids, 1983, v. 59/60, pp. 1273-1280.

104. Gabriel M., Adier D. Swiching in hydrogenated amorphous silicon. - J. Non-Cryst. Solids, 1982, v. 48, pp. 277-305.

105. Разработка методов получения и контроля физических свойств тонкопленочных структур на основе неупорядоченных полупроводниковых материалов для ППЗУ. Отчет по НИР (закл.)/ МИЭТ. Рук. Айвазов А.А., отв. исп. Филатова И.В. - "Икар - 88 - ФТ - ОХ". Г. р. Ф34614, 1988, 76 с.

106. Исследование свойств тонкопленочных структур на основе неупорядоченных полупроводниковых материалов для ППЗУ. Отчет по НИР (закл.)/ МИЭТ. Рук. Айвазов А.А., отв. исп. Филатова И.В. -"Икар - 89 - ФТ - MB". Г. р. 8Ф90974, 1989, 78 с.

107. Айвазов А.А., Бодягин Н.В, Тарабрин А.А. Исследование переклю-

чающих характеристик пленок аморфного гидрогенизированного кремния. - В кн.: Сборник научных трудов МИЭТ "Технологические процессы микроэлектроники". Под ред. Айвазова А.А. М.: МИЭТ, 1989, с. 13-18.

108. А.С. 1664085 СССР. Однократнопрограммируемый элемент памяти/ Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Петров С.В., Приходько Е.Л., Щетинин Ю.И., Сули-мин А.Д., Приходько П.С. С приоритетом от 28.4.89.

109. Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Петров С.В., Белоусов B.C., Приходько Е.Л. Программируемые элементы памяти на основе аморфного гидрогенизированного кремния. - Электронная промышленность, 1990, вып. 8, с.24-29.

110. Патент США N 448862, МКИ IICII/40, НКИ 365/104, 395/100.

111. Roca i Cabarrocas P., Liu J., Park H., Marugama A. Substrate temperature dependence of the growth kinetics and optoelectronic properties of a-Si:H films deposited by RF glow discharge. - J. Non-Cryst, Solids. 1989, v. 114, pp. 190-192.

112. Properties of amorphous silicon, INSPEC, The institution of electrical engineers, London and New York, 1985, chap. 2. Hydrogen in amorphous silicon,

pp. 25-39.

113. Лем С. Сумма технологии. - М.: Мир, 1968. 608 с.

114. Лима-де-Фариа А. Эволюция без отбора: Аутоэволюция формы и функции. - М.: Мир, 1991. 450 с.

115. Бодягин Н.В., Вихров С.П. Идеи теории сложных систем в биофизике. -Вестник новых медицинских технологий. Тула. 1995, № 3-4, с.9-14.

116. Вавилов B.C. Полупроводники в современном мире. - Успехи физических наук. 1995, т. 165, № 5, с.77.

117. Айвазов A.A., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Процессы самоорганизации в технологиях синтеза материалов. - Тезисы докладов Международной конференции "Критерии самоорганизации в физических, химических и биологических системах". Суздаль. 1995, М., 1995. с.7.

118. Айвазов A.A., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Методологические аспекты построения технологий некристаллических материалов на синергетических принципах. - Тезисы докладов Международной конференции по электротехническим материалам и компонентам. Москва, 1995. М., 1995,. с.42.

119. Николис Дж. Динамика иерархических систем. Эволюционное представление. - М.: Мир, 1989. 486 с.

120. Пригожин И., Стенгерс И. Порядок из хаоса. - М.: Прогресс, 1986, 432 с.

121. Бодягин Н.В., Вихров С.П., Айвазов A.A. Новая концепция технологий твердых материалов. - Учебное пособие. Рязань, РГРТА, 1996. 64 с.

122. Айвазов A.A., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Процессы самоорганизации в технологиях синтеза материалов. - Труды Международной конференции "Критерии самоорганизации в физических, химических и биологических системах". Суздаль, 1995, М. 1995, с.20-25.

123. Айвазов A.A., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Новая концепция технологий материалов микроэлектроники. - Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика-95". М., 1995, с.107.

124. Айвазов A.A., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Явления самоорганизации в технологиях твердотельных материалов. -"Известия ВУЗов. Электроника", 1997, №1, с.39-44.

125. Айвазов A.A., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Технологии получения материалов с позиций теории систем. - Электронная промышленность, 1995, № 4-5, с.39-43.

126. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. - М.: Металлургия, 1988. 574 с.

127. Шамба H.A. Генезис и эволюция объемных деформационных дефектов в монокристаллах полупроводниковых веществ структурного типа алмаза: дис. док. физ.-мат. наук. - Сухуми.: Сухумский физико-технический институт, 1986, 228 с.

128. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава. - М.: Мир, 1992. 435 с.

129. Николис Г., Пригожин И. Познание сложного. - М.: Мир, 1990. 342 с.

130. Князева E.H., Курдюмов С.П. Законы эволюции и самоорганизации сложных систем. - М.: Наука. 1994. 236 с.

131. Рихтмайер Р. Принципы современной математической физики. - М.: Мир, 1982.468 с.

132. Кудрявцев Л.Д. Курс математического анализа. - М.: Высшая школа, 1989, т.З, 352 с.

133. Бабин A.B., Вишик М.И. Аттракторы эволюционных уравнений. - М.: Наука, 1989. 294 с.

134. Хакен Г. Синергетика. Иерархия неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах. - М.: Мир, 1985. 224 с.

135. Абарбанель Г.Д.И., Рабинович М.И., Цимринг Л.Ш. "Кристаллы" и "квазикристаллы" в неравновесных средах. - Изв. вузов "ПНД", 1994, т.2, №.1,

с. 5-23.

136. Durig U., Bilgram J.H. Kanzig W. Properties of the solid-liquid interface of growing salol crystals: A dynamic light scattering investigation. - Phys.Rev.A, 1984, V.30, №.2, pp.946-959.

137. Aivazov A.A., Bodyagin N.V., Vikhrov S.P. Intermediate layers in the a-Si:H growth process/ MRS. -1996, v.420. p.467-471.

138. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов. - М.: Металлургия. 1984. 176 с.

139. Глазов В.М., Айвазов А.А. Энтропия плавления металлов и полупроводников. - М.: Металлургия. 1980.172 с.

140. Аморфный кремний и родственные материалы. /Под ред. Фрицше X. - М.: Мир. 1991. 542 с.

141. Физический энциклопедический словарь. - М.: Советская энциклопедия. 1983.928 с.

142. Afraimovich V.S., Ezersky А.В., Rabinovich M.I., Shereshevsky M.A., Zheleznyak A.I. Dynamical description of spatial disorder. - Physica D. 1992. V.58. pp. 365-383.

143. Физика гирдрогенизированного аморфного кремния. Вып. 1. Структура, приготовление и приборы. Пер. с англ./ Под ред. Дж.Джоунопулоса, Дж.Люковски. - М.: Мир, 1987. Гл. 3. Спир У., Ле-Комбер П. Фундаментальные и прикладные исследования материала, приготавливаемого в тлеющем разряде, с. 85-156.

144. Drevillon В. In situ studies of the growth of hydrogenated amorphous silicon. -

J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114. pp.139-144/

145. Neitzert H.C., Werner A., Kunst M. Charge carrier kinetics during growth of a-Si:H layers. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114. pp. 166-168.

146. Bilgram J.H., Guttinger H., Kanzig W. Fluctuations of the ice-water interface during solidification. - Phys. Rev. Lett, v.40, №.40, pp.1394-1397.

147. Ababranel H.D.I., Brown R., Sidorovich J.J., Tsimiring L.S. The Analysis of Observed Chaotic Data in Physical Systems. - Rev. Mod. Phys. 1993. V.65, №4, p. 1331-1392.

148. Takens F. Detecting Strange Attractors in Turbulence. - Dynamical Systems and Turbulence. Warwick, 1980. Lecture Notes in Mathematics. Berlin. Springer. 1981. V.898.

149. Chate H. On the Analysis of Spatiotemporally Chaotic Data. - Physica D. 1995, v.86, p.238-247.

150. Корзинов Л.Н., Рабинович М.И. Диагностика пространственно-временного беспорядка. - Изв. вузов "ПНД". 1994, т.2, № 1, с.59-69.

151. Берже П., Помо И., Видаль К. Порядок в хаосе. О детерминированном подходе к турбулентности. - М.: Мир, 1991. 368 с.

152. Smith L.A. Intristic limits on dimension calculatios. - Phys. Lett. A. 1988, v.133, №6, pp.283-288.

153. Grassberger P. Information content and predictability of lumped and distributed dynamical systems . - Physica Scripta. 1989, v.40, p.346-353.

154. Tsimring L.S. Nested strange attractor in shatiotemporal chaotic systems. -Phys. Rev. E. 1993, v.48, №5, pp.3421-3426.

155. Рабинович М.И., Старобинец И.М., Цимринг М.Ш., Чугурин В.В. Диагностика пространственно-временных наблюдаемых методом Q-размерности. -ЖТФ, 1996, т.66, № 10, с.1-14.

156. Витухин В.Ю., Закурдаев И.В., Киреева О.В., Руденко А.И. Сканирующая туннельная микроскопия поверхности кристаллов с развитой микроструктурой. - Известия Академии наук "Серия физическая". 1995, т.60, №.7, с.180-185.

157. Сазонов А.Ю. Микроструктурная неоднородность и термическая стабильность пленок a-Si:H и сплавов на его основе. - Дисс. на сосискание ученой степени к.т.н. М.: МИЭТ, 1997. 150 с.

158. Bodyagin N.V., Aivazov А.А., Vikhrov S.P. Dynamical identification of the growth processes and structure of polycrystalline films. - Abstracts of 1997 Spring Meeting Material Research Society USA, March 31 - April 4, 1996, San Francisco, USA, pp.

159. Bodyagin N.V., Aivazov A.A., Vikhrov S.P. Dynamical description of the material structure in macro and mesoscales. - Abstracts of 1997 Spring Meeting Material Research Society USA, March 31 - April 4, 1996, San Francisco, USA, pp.

160. Вихров С.П., Бодягин Н.В., Уфимцев А.Г. Идентификация порядка в структуре твердотельных материалов методами нелинейной динамики. - Меж-вуз. сб./Рязанская гос. радитехн. акад. Рязань, 1997, с.9-13.

161. Бодягин Н.В. "Динамическое описание структуры тонких пленок". - Труды Украинского вакуумного общества. Харьков. 1997, т.З. с.329-333.

162. Бодягин Н.В., Вихров С.П. Пространственно-временной хаос в процессе

образования твердотельного состояния. - Письма в ЖТФ. 1997, т.23, вып. 19, с.77-80.

163. Бодягин Н.В., Вихров С.П., Айвазов A.A. Динамика роста твердотельных материалов. - "Известия ВУЗов. Электроника", 1997, №4, с.15-19.

164. Иванова B.C., Баланкин A.C., Бунин И.Ж., Оксогоев A.A. Синергетика и фракталы в материаловедении. - М.: Наука. 1994. 383 с.

165. Федер Е. Фракталы. - М.: Мир. 1991. 298 с.

166. Фракталы в физике. Под ред. Пьеттронеро Л., Тозатти Э. - М.: Мир, 1988, 670 с.

167. Muramatsu S., Matsubara S., Watanabe T., Shimada T., Kamiyama T., Suzuki K., Matsuda A. Classification of inhomogeneiteies in hydrogenayed amorphous silicon. - Jap. J. of Appl. Phys, 1991, v.30, №.12A, pp.L2006-L2008.

168. Калинин C.B., Кашников Б.П., Смирнов Г.И. О фрактальном моделировании фотопроводимости поликристаллических пленок. - Микроэлектроника. 1996, т.25, №1, с.9-12.

169. Кравцов Ю.А. Случайность, детерминированность, предсказуемость . -УФН. 1989, т. 158, вып.1, с.93-122.

170. Шустер Г. Детерминированный хаос. Введение. - М.: Мир. 1988. 240 с.

171. Malinetskii G.G. Synergetics, predictability and deterministic chaos. - Berlin: Springer, 1992, p.75-142.

172. Айвазов A.A., Бодягин H.В., Вихров С.П. промежуточные слои в технологиях получения аморфных и кристаллических материалов. - Тезисы докладов Международной конференции по электротехническим материалам и компо-

нентам. М., 1995, с.46.

173. Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Промежуточные слои в технологиях получения материалов как области сложного поведения вещества. - Тезисы докладов Международной конференции "Критерии самоорганизации в физических, химических и биологических системах". Суздаль, 1995. М., 1995, с.8.

174. Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Промежуточные слои в технологиях получения материалов как области сложного поведения вещества. - Труды Международной конференции "Критерии самоорганизации в физических, химических и биологических системах". М.1995, с.14-19.

175. Бодягин Н.В., Вихров С.П., Дьяков С.Н. Экспериментальное доказательство самоорганизации при получении материалов для микроэлектроники. -Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб./Рязанская гос. ра-дитехн. акад. Рязань, 1995, с.92-95.

176. Aivazov А.А., Bodyagin N.V., Vikhrov S.P. Intermediate layers in the a-Si:H growth processes. - Abstracts of 1996 Spring Meeting Material Research Society USA, April 8-12, 1996, San Francisco, USA, pp.244.

177. Aivazov A.A., Bodyagin N.V., Vikhrov S.P. Intermediate layers in the a-Si:H growth processes. - 1996 Material Research Society USA Spring Meeting Proceedings, Amorphous Silicon Technology. 1996, v.420, pp.467-471.

178. Бодягин Н.В. Области критического состояния вещества в технологиях твердотельных материалов. - "Известия ВУЗов. Электроника", 1997, № 2, с.31-35.

179. Aivazov A.A., Bodyagin N.V., Vikhrov S.P. Self-organization regions in the thin films growth process. - Труды Украинского вакуумного общества. Харьков. 1997, т.З, с.322-325.

180. Курдюмов С.П., Малинецкий Г.Г., Потапов А.Б. Синергетика - новые направления. - М,: Знание. 1989. 48 с.

181. Пригожин И. От существующего к возникающему. - М: Наука, 1985. 327 с.

182. Николис Дж. Динамика иерархических систем. Эволюционное представление. - М.: Мир, 1989. 486 с.

183. Mesquita O.N., Neal D.G., Copic М., Cummins H.Z. Assymetry of Dynamics at the Growing Crystal-Melt Interface. - Phys. Rev. B. 1984, v.29, №.5, pp.28462849.

184. Айвазов A.A., Бодягин H.B., Вихров С.П. О существовании аттрактора в неравновесных фазовых переходах образования твердой фазы вещества. -Тезисы докладов V Медународной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников. Июнь, июль 1997. Москва 1997, с. 13.

185. Вихров С.П., Айвазов А.А., Бодягин Н.В. Рост твердотельных материалов как явление самоорганизации. - Вестник Рязанской государственной радиотехнической академии. 1996, вып.1, с.77-84.

186. Лившиц И.М., Гредескул С.А., Пастур Л.А. Введение в теорию неупорядоченных систем. - М.: Наука, 1982. 358 с.

187. Займан Дж. Модели беспорядка/ Пер. с англ; Под ред. В.Л.Бонч-Бруевича. - М.: Мир, 1982. 591 с.

188. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел/ Пер. с англ;

Под ред. Ж.И.Алферова. - М.: Мир, 1983, т.1. 381 с.

189. Фейгенбаум М. Универсальное поведение в нелинейных системах. - УФН, 1983, т. 141, вып.2, с.343-374.

190. Sinke W., Warabisaco Т., Miyao М., Tokuyama Т., Roorda S., Saris F. Transient structural relaxation of amorphous silicon. - J. Non-Cryst. Solids, 1988, v.99, p.308-320.

191. Вихров С.П., Бодягин H.B. Аморфное состояние как детерминированный хаос. - Межвуз. сб./Рязанская гос. радитехн. акад. Рязань, 1997, с.3-6.

192. Айвазов A.A., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Моделирование аморфного состояния одномерными отображениями. - Тезисы докладов V Медународной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников. Июнь, июль 1997. Москва 1997, с. 14.

193. Кпимонтович Ю.Л. Статистическая теория открытых систем. - М.: ТОО "Янус", 1995, 622 с.

194. Хакен Г. Информация и самоорганизация: Макроскопический подход к сложным системам. - М.: Мир, 1991, 240 с.

195. Татарский В.И. О критериях степени хаотичности. - УФН. 1989, т.158, вып.1, с. 123-126.

196. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Статистическая физика. - М.: Наука, 1964. 567 с.

197. Леонтович М.А. Введение в термодинамику. Статистическая физика. - М.: Наука. 1983. 416 с.

198. Киттель Ч. Элементарная физика твердого тела. - М.: Наука. 1965. 366 с.

199. Mertig M., Pompe G., Hegenbarth E., Specific heat of amoprhous silicon at low temperatures. - Sol. St. Commun., 1984, v.49, № 4, pp.369-372.

200. Вихров С.П., Бодягин Н.В., Уфимцев А.Г. Определение относительной степени упорядоченности аморфного состояния и кристалла. - Межвуз. сб./Рязанская гос. радитехн. акад. Рязань, 1997, с.7-9.

201. Айвазов А.А., Бодягин Н.В., Вихров С.П. Определение относительной степени упорядоченности аморфного и кристаллического состояний на основании S-теоремы Климонтовича. - Тезисы докладов V Медународной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников. Июнь, июль Москва. 1997. Москва. 1997, с. 12.

202. Бодягин Н.В., Вихров С.П., Айвазов А.А. О причинах невоспроизводимости структуры твердотельных материалов. - "Известия ВУЗов. Электроника", 1997, №9-12.

203. Бодягин Н.В., Вихров С.П. Динамические критерии воспроизводимости структуры твердотельных материалов. - Письма в ЖТФ. 1997, т.23, вып.19, с.81-84.

204. Lisichkin V.A. The information-theoretic approach to assessing reliability of forecasts. - Berlin: Springer, 1992, p.140-160.

205. Ruelle D. Large volume limit of the distribution of characteristic exponents in turbulence. - Commun. Math. Phys. 1982, v.87, pp.287-302.

206. Хорстхемке В., Лефевр P. Индуцированные шумом переходы. - М.: Мир. 1987. 397 с.

207. Shinbrot Т. Progress in the control of chaos. - Advances in physics, 1995,

v.44, № 2, pp.73-111.

208. Бодягин H.B., Вихров С.П. Управление процессами роста полупроводниковых материалов. - Учебное пособие. Рязань, РГРТА, 1997. 79 с.

209. Винер Н. Кибернетика, или управление и связь в животном и машине. -М.: Сов. радио. 1963. 247 с.

210. Вернадский В.И. Химическое строение биосферы и ее окружение. - М.: Мысль. 1965. 328 с.

211. Лем С. Сумма технологии. - М.: Мир. 1968. 608 с.

212. Абдеев Р.Ф. Философия информационной цивилизации. - М.: ВЛАДОС. 1994. 335 с.

213. Бодягин Н.В., Вихров С.П. Новый подход к построению технологических систем. - Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб./Рязанская гос. радиотехн. акад. Рязань, 1995, с.31-37.

214. Aivazov A.A., Bodyagin N.V. The new principles of the solid artificial materials simulation. - Abstracts of 3-d International conference "Mathematics, computer, education", Dubna, 29 January-3 February, 1996, Russia, p.152.

215. Aivazov A.A., Bodyagin N.V., Vikhrov S.P. The new principles of the solid artificial materials simulation. - Abstracts of 1996 Spring Meeting Material Research Society USA, April 8-12,1996, San Francisco, USA, p.376.

216. Бодягин H.B. Динамическое моделирование структуры твердых тел. - Тезисы Четвертой международной конференции "Математика, компьютер, образование". М.: 1996, с.45.