Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок a-Si: H и сплавов на его основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Попов, Александр Афанасьевич

• Попов, Александр Афанасьевич
• кандидат технических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат технических наук Попов, Александр Афанасьевич

Введение •

Глава 1. Основные особенности аморфныхполупроводников и 10 перспективы развития технологии их получения

1.1. Особенности структуры и свойств аморфных 10 полуп роводНИКОВ.

1.2 Основные способы получения a-Si:H.

1.2.1 Получение пленок аморфного кремния из твердых источников.

1.2.2 Осаждение пленок a-Si:H из газовой фазы.

1.2.3 Основные принципы повышения скорости роста a-Si:H.

1.3 Современные достижения и проблемы в осаждении a-Si:H.

1.4 Выбор объекта исследования. • :/.V.

1.5 Способы диагностики плазмохимичёских методов 37 осаждения аморфного гидрогенизированного кремния.

1.6 Определение комплекса диагностических методик для 45 исследования процесса НЧ СПГФО.

1.7 Выводы.

Глава2. Оборудование, технологии изготовления, способы 48 диагностики процесса осаждения a-Si:H

2.1 Экспериментальная установка

2.2 Аппаратура для диагностики технологического процесса.

2.3 Определение зон технологических параметров, обеспечивающих стабильность разряда.

2.4 Изготовление экспериментальных образцов.

2.4.1 Технологическая схема проведения экспериментов.

2.4.2 Процессы, проведенные для получения образцов a-Si:H с собственной проводимостью.

2.4.3 Процессы осаждения легированного a-Si:H и сплавов на 64 основе a-S'i:H.

2.5 Оборудование и методы для измерения свойств полученных пленок.

2.6 Выводы.

Глава 3 Исследование процессов НЧ СПГФО ш свойств пленок, 74 полученных этим методом.

3.1 Изучение скорости роста пленок а-ЗкН.

3.2 Исследование равномерности и воспроизводимости.

3.2.1 Эффект истощения источника кремния.

3.2.2 Неоднородности, вызванные локальным искажением 83 электрического поля и других параметров.

3.2.3 Неоднородность, связанная с возникновением 84 неустойчивости горения разряда.

3.2.4 Результаты измерения неравномерности.

3.3 Электрические параметры разряда.

3.4 Исследование наличия частиц порошка в области разряда.

3.5 Оптические эмиссионные спектры.

3.6 Масс спектроскопия газообразных продуктов реакции.

3.7 Анализ полученных легированных пленок и сплавов 102 методом вторичной йонной масс спектроскопии.

3.8 Исследование внутренних механических напряжений в 107 пленках.

3.9 Содержание водорода и микроструктурный параметр.

3.10 Измерения электронного парамагнитного резонанса.

3.11 Текстура поверхности а-$г.Н.

3.12 Выводы

Глава 4 Эмпирическая модель низкочастотного тлеющего 120 разряда и процесса осаждения а-ЗШ в нем.

4.1 Физика низкочастотного разряда.

4.1.1 Природа газового разряда.

4.1.2 Описание классического разряда постоянного тока.

4.1.3 Условие горения разряда.

4.1.4 Оценка длины свободного пробега молекул при осаждении a-Si:H в НЧ СПГФО.

4.1.5 Расчет амплитуды колебаний заряженных частиц в 127 низкочастотном электрическом поле.

4.1.6 Расчет перемещения частиц за половину периода с 129 учетом столкновений.

4.1.7 Особенности горения разряда в исследуемой 130 плазмохимической установке

4.1.8 Определение толщины катодного слоя.

4.2 Явления в газовой фазе и на поверхности роста. 133 4.2.1 Слоевая структура низкочастотного тлеющего разряда 133 4.2.2.0ценка потоков частиц на поверхность роста.

4.2.3 Рост кластеров в газовой фазе.

4.2.4 Слой порошкообразных частиц.

4.2.5 Анализ неустойчивости горения разряда.

4.3 Отличительные черты низкочастотного разряда и 156 - осажденных в нем материалов.

4.4 Условия осаждения пленок a-Si:H приборного качества с 159 высокими скоростями.

4.5 Выводы. -

Глава 5 Свойства аморфных полупроводников, полученных 163 методом НЧ СПГФО и солнечные элементы на их основе.

5.1 Полупроводниковые свойства материалов, полученных 163 методом НЧ СПГФО.

5.1.1 Спектры оптического пропускания' и оптическая ширина . 163 запрещенной зоны.

5.1.2 Измерения проводимости

5.1.3 Измерение стабильности пленок.

5.1.4 Интегральная оценка свойств аморфного кремния, 170 осажденного в низкочастотном тлеющем разряде.

5.2 Солнечные батареи, изготовленные методом НЧ СПГФО. 171 5.2.1 Конструкция солнечных батарей.

5.2.2 Изготовление экспериментальных образцов солнечных 174 батарей

5.2.3 Исследование свойств экспериментальных образцов 177 солнечных элементов.

5.3 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок a-Si: H и сплавов на его основе»

Актуальность работы.

Интерес к аморфному гидрогенизированному кремнию и сплавам на его основе вызван тем, что он обладает уникальным сочетанием качеств. Важной особенностью является то, что электронные свойства a-Si:H можно менять в широких пределах варьируя технологические режимы осаждения. Кроме того, непосредственно в процессе осаждения можно проводить легирование a-Si:H и получать сплавы на его основе. Технологически a-Si:H можно получать в виде тонких пленок, наносимых на любую поверхность. Стоимость изготовления а-Si:H относительно невелика. Технология формирования аморфного кремния хорошо совместима с обычной кремниевой технологией производства интегральных схем.

Указанные свойства позволяют применять a-Si:H во множестве" приборов твердотельной электроники. Основными из них являются солнечные батареи, тонкопленочные транзисторы и пространственные активные матрицы на их основе для устройств ввода и вывода графической и видео информации, датчики различного рода излучений и т.д.

Вместе с тем приборы на основе a-Si:H в настоящее время не получили достаточно большого распространения. Причиной этого является сложность одновременного получения хороших электрофизических свойств, удовлетворительной стабильности материала при экономически приемлемой стоимости его получения. С точки зрения технологии снижение затрат на получение материала обычно связывают с необходимостью увеличения скорости его роста. Обычно увеличение скорости осаждения a-Si:H приводит к снижению стабильности и ухудшению электронных свойств. Совмещение удовлетворительного качества и высокой скорости роста a-Si:H представляет фундаментальную проблему. Для ее разрешения необходимо выявить механизмы цепочки «технология - структура - свойства». Сложность решения этой задачи связана с очень сильной зависимостью свойств аморфного полупроводника от условий его получения, что обусловлено аморфной, т.е. метастабильной структурой a-Si:H. Для создания полной картины указанной цепочки анализируют свойства и закономерности при совершенно различных процессах осаждения a-Si:H. Любой новый метод получения аморфного кремния, особенно материала «приборного» качества, представляет сам по себе большой научный интерес. В данной работе исследования были направлены на получение аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов с высокой скоростью осаждения методом стимулированного плазмой низкочастотного тлеющего разряда осаждения из газовой фазы (НЧ СПГФО) и исследования механизмов указанного процесса.

Цель настоящей работы: Разработка технологии низкочастотного тлеющего разряда и модели протекающих в нем процессов для получения пленок a-Si:H и сплавов на его основе с высокой скоростью осаждения. При этом решались следующие задачи:

3. Разработка технологии получения a-Si:H приборного качества при высокой скорости роста.

4. Разработка технологии получения легированного аморфного шдроуенизированного кремния п- и р- типа в плазме низкочастотного тлеющего разряда.

5. Разработка технологии получения сплавов a-SiGe:H и a-SiC:H в плазме низкочастотного тлеющего разряда с целью получения аморфных пленок с контролируемыми в широких пределах оптическими и электрофизическими характеристиками.

2. Разработка модели низкочастотного тлеющего разряда и механизмов роста пленки в нем.

6. Изготовление экспериментальных образцов солнечных элементов методом НЧ СПГФО на основе разработанных технологий и моделей.

На защиту выносятся следующие положения.

1. Технологии осаждения аморфного гидрогенизированного кремния и сплавов на его основе, позволяющие получать пленки приборного качества с высокой (до 30 А/с) скоростью роста в низкочастотном тлеющем разряде. Впервые по этим технологиям в низкочастотном тлеющем разряде получены легированные пленки аморфного кремния, сплавы кремния с углеродом и германием и экспериментальные структуры солнечных элементов

2. Эмпирическая модель низкочастотного тлеющего разряда в силановой атмосфере, основанная на анализе низкочастотного разряда как разряда постоянного тока с электродами, поочередно являющимися катодом и анодом. В рамках данной модели объяснена слоевая структура разряда с учетом формирующегося слоя порошкообразных частиц.

3. Эмпирическая модель плазмохимических процессов в газовой фазе и механизмов роста пленки в низкочастотном тлеющем разряде, основанная на анализе зависимостей особенностей генерации химически активных частиц и их транспорта от условий горения НЧ разряда. В рамках этой модели объяснено возникновение микрорельефа поверхности и установлены факторы, позволяющие совместить высокую скорость роста и приборное качество осаждаемых материалов методом НЧ СПГФ®.

Апробация работы.

По результатам исследований были сделаны доклады на YII всероссийской научно-технической конференции "Датчики и преобразователи информации систем измерения контроля и управления" ("Датчик-95"). -Крым 1995г, Всероссийских научно-технических конференциях "Электроника и информатика" МЙЭТ, Зеленоград, 1995г, 1997г., межвузовских научно-технических конференциях "Электроника и информатика" МИЭТ, Зеленоград

1996, 1997г., конференции международного исследовательского общества MRS Сан-Франциско, 1997г., Международной школе-конференции по физическим проблемам в материаловедении полупроводников, Черновцы, 1997; объединенной международной конференции электрохимического общества и международного общества электрохимии, Париж, 1997,2-й Российской конференции' с участием зарубежных специалистов "Высокие технологии в промышленности России", Москва МГТУ им. Баумана 1997, конференции Украинского вакуумного общества "тонкие пленки в электронике", Харьков

1997, 17 международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" Будапешт, 1997, 2й международной конференции "Физика 9 плазмы и плазменные технологии", Минск, 1997г., 26 конференции IEEE для специалистов по фотовольтаике, Анагейм, 1997г., Всероссийском симпозиуме

Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург, 1998г.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 32 печатные работы, в том числе 5 в ведущих зарубежных изданиях, 3 в российских центральных журналах, 8 работ в трудах зарубежных и российских конференций, а также тезисы докладов на российских и зарубежных конференциях.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных результатов и выводов по работе, трех приложений, содержит 179 страниц машинописного текста, включая б таблиц, 83 рисунка и список литературы в количестве 89 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Попов, Александр Афанасьевич

Основные результаты и выводы

1. Разработана технология получения аморфного гидрогенизированного кремния приборного качества с высокой, до 30 А/с, скоростью роста методом стимулированного плазмой низкочастотного разряда газофазного осаждения (НЧ СПГФО).

2. Разработана технология получения аморфного гидрогенизированного кремния п- и р- типа методом НЧ СПГФО, позволяющая контролируемо изменять положение уровня Ферми в пленках в широких пределах от середины запрещенной зоны до 0,3 эВ от зоны основных носителей.

3. Разработана технология получения аморфных гйдрогенизированных сплавов кремния с германием и углеродом методом НЧ СПГФО, позволяющая получать требуемую ширину запрещенной зоны в диапазоне от 1,35 до 1,75эВ и от 1,75 до 2,25 эВ соответственно.

4. Впервые разработана технология и изготовлены методом НЧ СПГФО на основе а-БкН и его сплавов при высоких скоростях роста элементы солнечных батарей. Полученные характеристики определяют перспективу дальнейшей оптимизации технологии для повышения эффективности преобразования солнечной энергии.

5. Разработаны методы повышения равномерности и воспроизводимости свойств пленок, получаемых методом НЧ СПГФО, позволяющие достигать разброса параметров пленки по пластине не более 3% и их воспроизводимости не хуже 4%, что удовлетворяет требованиям, предъявляемым при производстве приборных структур.

6. Впервые обнаружено и объяснено явление формирования волокон на поверхности роста в НЧ разряде, при осаждении в некоторых режимах а-8Ш, легированного бором. Установлено, что волокна вытягиваются из квазижидкого слоя под действием прикладываемого электрического поля. Диаметр волокон при этом составляет около 1 мкм, а скорость их роста достигает 10 мм/мин

7. Впервые разработана эмпирическая модель низкочастотного тлеющего разряда в силановой атмосфере, основанная на анализе низкочастотного разряда как разряда постоянного тока с электродами, поочередно являющимися катодом и анодом. В рамках данной модели объяснена слоевая структура разряда с учетом формирующегося слоя порошкообразных частиц.

8. Установлено влияние слоя порошкообразных частиц, располагающихся в центре межэлектродного промежутка, на распределение электрических параметров НЧ разряда в силановой атмосфере. Экранирование отрицательно заряженных порошкообразных частиц положительными ионами приводит к уменьшению напряженности электрического поля в центре межэлектродного промежутка, что вызывает уменьшение средней энергии электронов в этой области и соответствующее уменьшение интенсивности оптической эмиссии.

9. Разработана эмпирическая модель плазмохимических процессов в газовой фазе и механизмов роста пленки в низкочастотном тлеющем разряде, основанная на анализе зависимости особенностей генерации химически активных частиц и их транспорта от условий горения НЧ разряда. Установлены факторы, обеспечивающие высокую скорость роста пленки: высокий КПД генератора, согласующего устройства и подводящих цепей, эффективное использование подводимой НЧ мощности на генерацию ХАЧ, приближение зоны генерации ХАЧ к поверхности роста.

10. Разработанная эмпирическая модель осаждения полупроводниковых слоев на базе кремния методом НЧ СПГФО, позволяет прогнозировать оптимальные технологические параметры получения аморфных пленок с заданными свойствами. При этом установлено, что основным параметром, определяющим соотношения генерации разных видов радикалов и ионов, и соответственно свойств получаемых пленок и скорости роста, является отношение толщины катодного слоя к межэлектродному расстоянию. Максимальная скорость роста и наилучшие значения электрофизических свойств пленок получаются при равенстве суммарной толщины катодного и послекатодного слоев межэлектродному расстоянию.

181

11. Установлен механизм формирования микрорельефа поверхности пленок a-Si:H, осажденных методом НЧ СПГФО. Микрорельеф возникает в результате конформного осаждения материала пленки на кластеры размером 1-100 нм, формирующиеся в газовой фазе и попадающие на поверхность роста. Анализ микрорельефа образца позволяет ввести новые параметры, характеризующие его структурные особенности и процесс роста: распределение кластеров по размерам, поток кластеров на поверхность роста, плотность кластеров в единице объема осажденного материала, доля кластеров в объеме пленки.

12. Установлен механизм возникновения механических напряжений сжатия в пленках, получаемых методом НЧ СПГФО, заключающийся в имплантации ионов, бомбардирующих поверхность, в растущую пленку. Возникающие при этом механические напряжения вызывают уплотнение микропор аморфного материала и предотвращают обрыв слабых Si-Si связей, что приводит к улучшению электрофизических свойств и стабильности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Попов, Александр Афанасьевич, 1999 год

1. Вып. 1. Структура, приготовление и приборы. / Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. М.: Мир. 1988.

2. Spear, W.E. and P.G. LeComber. Substitutional doping of amrphous silicon. // Solid State Comm., 17, pp. 1193-1196, 1975.

3. Street R.A. Hidrogenated amorphous silicon. Cambrige Solid State Science Series, ed.by R.W.Cahn, E.A.Davis, I.M.Ward. Cambrige university press, 1991.

4. Айвазов A.A., Вихров С.П., Будагян Б.Г., Попов А.И.Неупорядоченные полупроводники М.: Изд-во МЭИ, 1995. - 352 с.

5. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах : В 2 т., М., Мир, 1982. 662 с.

6. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. / Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. Вып.2. М.: Мир. 1988.

7. Budaguan B.G., Aivazov А.А., Stryakhilev D.A. The valence band tail density of states and bond angle distortion in a-SiNx:H alloys // MRS Simp. Proc. 1996, Vol.426, p.59-64.

8. Staebler D.L., Wronski C.R. //Appl. Phys. Lett. 1977. V.31. P.292.

9. Perrin J. Reactor design for a-Si:H deposition. // In: Plasma Deposition of Amorphous Silicon-Based Materials, ed. by G.Bruno, P.Capezzuto, and A.Madan (Academic Press, San Diego, 1995), pp. 177-241.

10. Schmitt J. P.M. Fundamental mechanisms in silane plasma decompositions and amorphous silicon deposition//J.Non-Cryst. Solids. 1983. Vol.59&60. P.649-658.

11. Kushner M.J., Anderson H.M., Hargis P.J. Simulation of spatially dependent excitation rates and power deposition inf glow discharges for plasma processing I I MRS Symp. Proc. 1985 Vol.38. P.201-213.

12. Mihelcic D., Schubert V., Schindler R.N., PotzingerP. Rate constants for the reaction of hydrogen and deuterium atoms with silane // J.Phys.Chem. 1977. Vol.81. N16. P. 1543-1545.

13. NuriddinA., Doyle J.R., Abelson J.R. Surface reaction probability in hydrogenated amorphous silicon growth // J.Appl.Phys. 1994. Vol.76. N 5. P.3123-3129.

14. GuizotJ.L., Nomoto K., MatsudaA. Surface reactions during the a-Si:H growth in the diode and triode glow discharge reactors // Surf.Sci. 1991. Vol.244. N 1-2. P.22-38.

15. Schmitt J.P.M. Fundamental mechanisms in silane plasma decompositions and amorphous silicon deposition//J.Non-Cryst. Solids. 1983. Vol.59&60. P.649-658.

16. PerrinJ. Plasma and surface reactions during a-Si:H film growth. // J. Non-Cryst. Solids. 1991. Vol. 137&138. P.639-644.

17. Street R.A. Model for the grouth of plasma deposition A-Si:H and related material // J.NonCryst.Sol. 137&138 (1991) P. 645-648.

18. PerrinJ., TakedaY., Hirano N. Takeuchi Y., MatsudaA. Sticking and recombination of the SiH3 radical on hydrogenated amorphous silicon: the catalytic effect of diborane // Surf.Sci. 1989. Vol.210. P. 114-128.

19. Molenbroek E. C., Mahan A.H., Johnson E.J., Gallagher A. C. Film quality in relation to depositionconditions of a-Si:H films deposited by the "hot wire" method using highly diluted silane. // Jorn.Appl.Phys. Vol.79. N8. Parti.(apr. 96) p.7278-7292.

20. GarscaddenA. PECVD in discharge models review I I MRS Symp. Proc. 1990. Vol.165. P.3-15.

21. Knights J.C., Lucovsky G., Nemanich R.J. Defects in plasma deposited a-Si:H // J.Non-Cryst.Solids 1979. Vol.32. N. 1/3. P.393-403.

22. Drevillon B., Schmitt J.P.M. Ion bombardment effect on the properties of a-Si:H // MRS Symp.Proc. 1984. Vol.38. P.417-423.

23. Hishikawa Y., Sasaki M., Tsuge S., Tsuda S. Effect of heating SiRj on the plasma chemical vapor deposition of hydrogenated amorphous silicon // Jpn. Journ. of Appl. Phys. 1994. Vol.33 N. 7B. P.4373-4376.

24. MatsudaA., Yokoyama S., Tanaka K. Independent control of spin density and hydrogen bonding configuration in glow - discharge hydrogenated Si - Ge alloysusing a cathode heating method. I I Appl.Phys.Lett. 1988. Vol.53. N 16. P. 1489 -1491.

25. TanaySeth, P.N.Dixit, O.S.Panwar, R.Bhattacharyya Comparative study of high rate deposited amorphous silicon films prepared under rf and dc glow discharge // Indian J. of Pure & Appl. Phys. V.31, May 1993, p.315-318.

26. BoeufJ.P., Belenguer Ph., Wang J. Radiofrequency discharge modeling. // MRS Symp. Proc. 1990. Vol.165. P. 17-28.

27. A.A. Fridman, L. Boufendi, T. Hbid, В. V. Potapkin, A Bouchoule. Dusty plasma formation: Physics and critical phenomena. Theoretical approach. // Jorn. Appl.Phys. Vol.79. N3. (feb. 96) p. 1303-1314.

28. J.Perrin, C.Bohm, R.Etemadi, A.Lioret. Possible Routes for cluster growth and particle formation in RF silane discharges. // Plasma Sources Sci. Technol. 3 (1994) p.252-261.

29. J.Perrin, P.Molinas-Mata, P.Belenguer. Ion drag and plasma induced thermophoresis on particles in radiofrequency glow discharge I I J.Phys.D: Appl.Phys. 27 (1994) p.2499-2507.

30. Longeway P. A., Weakliem H.A., Estes R.D. Mechanism of the direct current plasma discharge decomposition of disilane I I J.Phys.Chem. 1984. 88. 15. 3282 3287.

31. KushnerM.J. Mechanisms for power deposition in Ar/SiKU capacitively coupled RF discharges// IEEE Trans. Plasma Sci. 1986. Vol.PS-14. N 2. P. 188-196

32. М.М.Мездрогина, ОЛ.Голикова, КАрлаускас, Г.Юшка, М.М.Казанин, Р.Хайдаров. // Неорг. Матер., т.21, 1991г., стр.666

33. Drevillon В., Toulemonde М: Hydrogen content of amorphous silicon films deposited in a multipole plasma // J.Appl.Phys. 1985. Vol.58. N.l. P.535-540.

34. Gallagher A., Amorphous silicon deposition rates in diode and triode discharges I I J.Appl.Phys. 1986, Vol.60. N.4. P. 1369-1373.

35. Gallagher A. Neutral radical deposition from silane discharges. 11 Joura. of Appl.Phys. 1988. Vol.63. N7. P.2406 2413.

36. Theil J.A., Powell G. The effects of He plasma interactions with SiELj in remote plasma-enhanced chemical vapor deposition // Journ.Appl.Phys. 1994. Vol.75. N5. P.2652-2666.

37. Nomura H., Kono A., Goto T. Effect of dilution gases on the SiH3 radical density in an RF SiHU plasma // Jpn. Journ. of Appl.Phys. 1994. Vol.33. N 7B. P.4165 4169.

38. J.P.Kleider, C.Longeaud, P.Roca i Cabarrocas. Influence on the transport properties of the deposition temperature of a-Si:H films deposited from mixtures of silane in helium at higt deposition rates // J. of Non-Cryst. Sol. V. 164-166 (1993) p.403-406.

39. C. Mukherjee, C. Anand, Tancty Seth, P.N.Dixit, R.Bhattacharyya. Effect of hydrogen dilution on the deposition rate of hydrogenerated amorphous silicon films in a modified pulsed plasma discharge. // Appl.cPhys. Lett. Vol.68 No.6, 1996 pp. 835837.

40. ItabashiN., Nishiwaki N., MaganeM., Goto T., MatsudaA., YamadaC., E.Hirota. SiH3 radical density in pulsed silane plasma // Jpn.Journ.of Appl.Phys. 1990. Vol.29. N3. P.585 590.

41. Heintze M. Diagnostics of High-Rate a-Si:H Deposition in a Variable Frequency Plasma 11 Solid State Fenomena Vols. 44-46 (1995) pp. 181-194.

42. Mi?. Wertheimer, M.Moisan, J.E.Klemberg-Sapieha, RGlaude Effect of frequency from "low frequency" to microwave on the plasma deposition of thin films. I I Pure and Appl. Chem. 1988. Vol.60. N5. P.815-820.

43. T.Sasaki, Y.Ichikawa, H.Sakai, H.Kito, S. Teii. Deposition mechanism of a-8iGe:H films in pulse-discharge CVD. // Plasma Sources Sci. Technol. 2 (1993) p.30-34.

44. Roca i Cabarrocas P., Morin P., Chu V., Conde J.P., Liu J.Z., ParkH.R., S. Wagner. Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias // J. Appl. Phys. 1991. Vol.69. N5. P.2942-2949.

45. Boufendi L. and Bouchoule A. Particle nucleation and growth in a low-pressure argon-silane discharge. // Plasma Sources Sci.Technol. 1994. Vol.3. P.262-267.

46. T.Yamaguchi, N.Sakamoto, M.Shimozuma, M.Yoshino, H.Tagashira. Particle formation in SiOx filmdeposition by low frequency plasma enhanced chemical vapor deposition. //J. Appl. Phys. 83 (1), 1 January 1998, p. 554-560

47. M.A.Hachicha, J.C.Bruyere, E.Bustarret, A.Deneuville, M.Brunei. Low temperature deposition of hydrogen-free microcrystalline silicon by 50 kHz PECVD. 11 6th Int. Conference Ion&plasma assisted techniques. Brighton, UK, May 1987, pp.360-365.

48. A. Matsuda et al., Influence of Power-Source Frequency on the Properties of GD a-Si:H. // Jpn.J.Appl.Phys. 23, 1984, pp.L567-L569.

49. TachibanaK. Diagnostics and control of low pressure plasmas for the chemical vapor deposition (CVD) of amorphous semiconductor and insulator films // Pure and Appl. Chem. 1988. Vol.60. N5. P.769-780.

50. Kokubo T., Tochikubo F. and Makabe T. Diagnostics of low-frequency CH4 and H2 discharge by optical emission spectroscopy. // J.Phys.D: Appl.Phys. 1989. Vol.22. P.1281-1287.

51. Kuznetsov V.I., van OortRC., MetselaarJ. W. Plasma deposition of hydrogenated amorphous silicon: effect of rf power // Journ. of Appl. Phys. 1989. Vol.65. N.2. P.575-580.

52. N.Hata 11 Proc. 3rd Symp. Plasma Processing (Kiryu, 1986) p.201

53. P.Capezzuto, G.Bruno. Plasma deposition of amorphous silicon films: an overview on some open questions. // Pure and Appl. Chem. 1988. Vol.60. N5. P.633-644.

54. C.Bohm, J. Perrin Spatially resolved optical emission and electrical properties of SiH4 RF discharges at 13.56 MHz in a symmetric parallel-plate configuration. // J. Phys. B: Appl. Phys. Vol.24 (1991) pp.865-881.

55. Robertson R, Hils D., Chatham H., Gallagher A. Radical species in argon- silane discharges//Appl.Phys.Lett. 1983. Vol.43. P.544-546.

56. Mataras D., Cavadias S., Rapakoulias D. Spatial generation profiles of active radicals in plasma-enhanced CVD of a-Si:H // MRS Symp. Proc. 1990. Vol.165. P. 103.

57. Hundhausen M, Ley L. The formation and stability of sub- micron clusters in silane and argon plasmas // J.Non-Ciyst.Solids. 1991. Vol. 137&138. P.795-798.

58. Howling A.A., Hollenstein Ch, Paris P.-J. Direct visual observation of powder dynamics in rf plasma-assisted deposition // Appl.Phys.Lett. 1991, Vol.59. N 12. P. 1409-1411.

59. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.:"Наука", 1987. 592 с.

60. Ross R.C., JaklikJr.J. И J. Appl. Phis. 55 (1984) p.3785. '

61. Godyak V.A., Piejak R.B. In situ simultaneous radio frequency discharge power measurements. // J. Vac. Sei. Technol. 1990 V8A P.3833 3837.

62. Schmidt U.I., Schroeder В., Oechsner H. Influence of powder formation in a silane discharge on a-Si:H film growth monitored by in situ ellipsometry // J. Non- Cryst. Solids. 1993. Vol. 164-166. P. 127-130.

63. Canillas A., CampmanyJ., AndujarJ.L., BertranE. Effect of hydrogen dilution on the growth of hydrogenated amorphous silicon studied by in situ phase - modulated ellipsometry // Thin Solid Films. 1993. Vol.228. P. 109 - 112.

64. А.Н.Магунов, О.В.Лукин, В.Г.Малыиаков, А.А.Попов. Тепловой баланс кремниевых и кварцевых пластин в плазмохимическом реакторе. // Труды ФТИРАН, т. 12, 1997г. стр.99-120

65. В.С.Сергеев, О.А.Кузнецов и д.р. Напряжения и деформации в элементах микросхем. Москва 1987г.

66. Райзер Ю.П., Шнейдер М.Н., Яценко Н.А. Высокочастотный емкостной разряд. М. Наука 1995, 3 Юс.

67. I.Solomon andL.R. Tessler, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 336, p. 505 (1994).

68. L/Sansonnens, D.Franz, Ch.Hollenstein et.all. Diagnostics of an industrial plasma reactor for large area amorphous silicon cells // Proc. 13th european photovoltaic Solar energy conference, Nice, France 1995, p.276-279

69. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М. Энергоатомиздат, 1989, 328с.

70. Godyak V.A., KhannehA.S. Ion bombardment secondary electron maintenance of steady if discharge // IEEE Trans. Plasma Sci. 1986. Vol.PS-14. No 2. P. 111-123.

71. Справочник по вакуумной технике и технологии. Под ред. Ф. Розбери. М., Энергия, 1972.

72. В.Н.Цитович Плазменно пылевые кристаллы, капли и облака. // УФН, Т. 167, N1, 1997, стр.57-99.194

73. B.G.Budaguan, A.AAivazov. Stability impruvement of a-Si:H films deposited in SQWM-55kHz glow discharge plasma. I I MRS Symp. Proc. 1998. Vol.507. P.493-498

74. B.G. Budaguan, AAA ivazov, M. N.Meytin, A.Yu. Sazonov, J. WMetselaar. Relaxation process and metastability in amorphous hydrogenated silicon investigated with differential scanning calorimetry. // Physica B. 1998. V.252. p. 198-206.

75. УТВЕРЖДАЮ" Проректор МГИЭТ (ТУ) Поспелов A.C. 1999 г.1. АКТоб использовании результатов диссертационной работы Попова A.A.

76. Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок a-Si:H и сплавов на его основе ".

77. Экспериментальные структуры и данные их измерений используются при обучении студентов по специальности 20.01.00

78. Зав. каф. Материаловедения и физической химии, проф., д.ф-м.н.1. Будагян Б.Г.1. Доц., к.ф.-м.н.1. Мейтин М.Н.г: ••

79. УТВЕРЖДАЮ" Проректор МГИЭТ (ТУ)ч1999 г.1. АКТоб использовании результатов диссертационной работы Попова A.A. " Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленокa-Si:H и сплавов на его основе ".

80. Зав. каф. Материаловедения и---—Афизической химии, проф., д.ф-м.н. / Будагян Б.Г.в.н.с., к.т.н.1. Уу НТерченков A.A.