Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Ионов, Александр Николаевич
- Специальность ВАК РФ01.04.10
- Количество страниц 193
Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ионов, Александр Николаевич
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОБЗОР РАБОТ ПО ПРОВОДИМОСТИ СЛАБОЛЕГИРОВАННОГО
ГЕРМАНИЯ
1.1. Локализованные состояния
1.2. Прыжковая проводимость слаболегированного германия
1.3. Температурная зависимость проводимости с непрерывно убывающей энергией активации. Закон Мотта.
ГЛАВА 2. ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ И
КОМПЕНСИРОВАННЫХ (СЛК) ПОЛУПРОВОДНИКАХ
2.1. Вид энергетической зоны в СЛК полупроводниках и ожидаемая температурная зависимость проводимости.
2*2. Исследование низкотемпературной омической проводимости СЛК германия, полученного из расплава.
2.3. Кулоновская щель в кристаллических полупроводниках. Закон Шкловского-Эфроса.
2.4. Проводимость СЛК Ge в сильных электрических полях Выводы
ГЛАВА 3. ПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПЕРЕХОДЕ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК.
З.Х. Концепция минимальной металлической проводимости Мотта.
3.2. Скейлинговый подход к решению проблемы минимальной металлической проводимости.
3.3. Скейлинговая теория локализации.
3.4. Сравнение теории с экспериментом
ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРИТИЧЕСКИХ
ИНДЕКСОВ ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК.
Постановка задач исследований
4.1. Теория положительного магнитосопротивления в случае прыжковой проводимости .••••.••
4.2. Техника эксперимента и методика приготовления образцов.
4.3. Ацробация метода определения и эе.
4.4. Экспериментальное определение критических индексов перехода металл-диэлектрик.
4.5. Исследование проводимости в точке перехода металл-диэлектрик
Выводы.
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТОПРОВОДИМОСТИ ВБЛИЗИ ПЕРЕХОДА
МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ СТОРОНЕ
ЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ.
Часть I.
5.1. История проблемы аномального магнитосопротивления
Выводы.
Часть 2.
5.2. Квантовые поправки к проводимости невзаимодействующих электронов.
5.3. Сравнение теории с экспериментом а) Постановка экспериментальных задач б) Влияние контактов на измерение магнитосо-цротивления. в) Экспериментальные результаты и их обсуждение
5.4. Аномальное магнитосопротивление в
5.5. Аномальное магнитосопротивление в p-Ge. эксперимент)
Выводы.
ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СИСТЕМАХ.
6.1. Магнитопроводимость при учете взаимодействия между электронами
6.2. Исследование магнитопроводимости p-Ge
6.3. Проводимость взаимодействующих электронов.
6.4. Сравнение с экспериментом.
6.5. Исследование температурной зависимости проводимости в p-Ge.
6.6. Квантовые поправки к постоянной Холла.
Выводы.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Проводимость двумерных систем при переходе от слабой к сильной локализации2004 год, кандидат физико-математических наук Шерстобитов, Андрей Александрович
Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик2009 год, доктор физико-математических наук Алешин, Андрей Николаевич
Квантовые поправки к проводимости разупорядоченных двумерных систем2005 год, доктор физико-математических наук Германенко, Александр Викторович
Перенос заряда по локализованным состояниям в наноструктурах на основе кремния2017 год, кандидат наук Степина, Наталья Петровна
Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии2012 год, кандидат физико-математических наук Коптев, Евгений Сергеевич
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик»
Переход металл-диэлектрик (ПМД) в неупорядоченных системах уже долгое время находится в центре внимания исследователей. Из-за отсутствия малого параметра это одна из труднейших теоретических проблем. Прогресс здесь идет по пути создания теоретических моделей и проверке предсказаний этих моделей на эксперименте. Среди многочисленного класса неупорядоченных систем (аморфных, жидких, стеклообразных, поликристаллических и т.д.) особое место занимают легированные кристаллические полупроводники со случайным распределением примесей. Это особое место они занимают в силу того, что являются одной из простейших неупорядоченных систем с легко регулируемыми параметрами, определяемыми уровнем легирования и степенью компенсации. Поэтому такие материалы являются наиболее удобным объектом для экспериментальной проверки теоретических моделей.
В настоящее время теоретически и экспериментально хорошо изучен случай слабого легирования ( , где N концентрация примесей, Л- боровский радиус), когда примесная зона отделена от зоны проводимости. При низких температурах, поскольку имеется конечное перещштие волновых функций электронов между ближайшими центрами, электрон может перемещаться между ними без активации в зону проводимости. Такое явление, получившее название примесной прыжковой проводимости (ПП), интенсивно изучалось в 60-70-х гг. Д-8/. Однако в области, примыкающей к ПМД, характер температурной зависимости проводимости <зг (Т) и влияние на нее электрических и магнитных полей были практически не исследованы к моменту начала выполнения нашей работы. Это сделало актуальным исследование С и магнитрпроводимости на диэлектрической стороне ПМД.
С увеличением концентрации примесей в примесной стороне происходит переход в металлическое состояние, после которого ♦ Этот переход из диэлектрической в металлическую проводимость происходит в узкой области концентраций, но проводимость при этом, например при Т = 2 К, возрастает на 6-7 порядков по величине. С другой стороны, находясь в металлическом состоянии, можно перейти в диэлектрическое, если увеличивать степень разупорядочения, например, введением компенсирующей примеси.
Как происходит ПМД в полупроводниках - плавно или резко, т.е. является переходом первого или второго рода? Долгое время господствующей точкой зрения была концепция Мотта о существовании минимальной металлической проводимости для двумерных и трехмерных систем /9-11/. Это означало, что ПМД - переход первого рода.
В 1978 г. появилась работа группы авторов (Абрахаме, Андерсон, Личчарделло, Рамакришнан Д2/), которые развили скей-линговую теорию локализации. Основные выводы новой теории состоят в следующем: I) В трехмерных системах ПМД является переходом второго рода. 2) В двумерных системах должен быть переход от сильной локализации к слабой, что соответствует переходу от экспоненциальной температурной зависимости проводимости к логарифмической. Это означает, что в двумерных системах металлической проводимости не должно быть. Действительно, эксперименты подтвердили основные выводы скейлинговой теории, а именно: в трехмерных системах не существует минимальной металлической проводимости по Мотту /13-15/, а в двумерных сопротивление логарифмически возрастает с понижением температуры
16/. Однако многие предсказания теории оставались не проверенными и, в частности, поведение радиуса локализации волновой функции электрона вблизи ПМД.
Скейлинговая теория локализации стимулировала решение других вопросов физики твердого тела, таких как поведение диэлектрической проницаемости вблизи перехода и увеличение проводимости в магнитном поле. Последний эффект, известный в литературе как отрицательное магнитосопротивление (ОМС), был обнаружен в полупроводниках около 30 лет назад /17/. Здесь необходимо отметить, что современный прогресс в понимании проводимости и маг-нитопроводимости на металлической стороне в неупорядоченных полупроводниках, помимо скейлинговой теории локализации, обязан также подходу, основанному на многоэлектронной задаче при учете взаимодействия между электронами, развитому Альтшулером и Аро-новым (электрон-электронное взаимодействие, ЭВВ) /18-21/. В двумерных системах обе теории предсказывают локализованные состояния и возрастание сопротивления по логарифмическому закону с понижением температуры. Эти предсказания, как уже отмечалось, хорошо согласуются с экспериментом; Однако для трехмерных систем эти теории предсказывают различное поведение как для температурной зависимости проводимости, магнитопроводимости, так и постоянной Холла» Эти обстоятельства делают актуальной постановку экспериментальных исследований не только на диэлектрической, но и на металлической стороне перехода.
В качестве объекта исследований был выбран легированный мелкими примесями германий. Выбор германия был обусловлен как всесторонними обширными знаниями об этом материале, так и совершенной технологией введения примесей. В последнем случае имеется в виду метод нейтронного легирования (НЛ) и его модификации.
Цель работы заключалась в последовательном экспериментальном исследовании новых явлений вблизи ПМД в неупорядоченных системах, таких как I) активационной проводимости с переменной длиной прыжка в сильнолегированном и сильнокомпенсированном германии; 2) безактивационной прыжковой проводимости в сильных электрических полях; 3) расходимости радиуса локализации волновой функции и диэлектрической проницаемости вблизи ПМД и одновременно проверки справедливости закона прыжковой проводимости Шкловского-Эфроса; 4) явлений, связанных с аномальным маг-нитосопротивлением; 5) явлений, обусловленных влиянием электрон-электронного взаимодействия на проводимость, магнитопроводи-мость и постоянную Холла.
Научная новизна полученных результатов состоит в следующем. I) Показано, что температурная зависимость проводимости сильнолегированного и компенсированного (СЛК) германия, легированного мелкими примесями в расплаве, подчиняется закону проводимости вида СГ(Т) = (Тс ехр[- , где /ь = 0,5, а и 77 постоянные. 2) Впервые в щдасталлическом материале экспериментально обнаружена предсказанная Моттом безактивационная проводимость в сильных электрических полях; 3) В рамках модели активационной проводимости с переменной длиной прыжка с кулонов-ской щелью Шкловского-Эфроса на уровне Ферми применена методика определения радиуса локализации (а) волновой функции электрона и диэлектрической проницаемости ). 4) Показано, что в окрестности перехода металл-диэлектрик по мере уменьшения разупорядоченности <Х и расходятся по степенному закону с определенными значениями критических индексов и их отношения. 5) Показано, что непосредственно в переходе металл-диэлектрик температурная зависимость проводимости подчиняется степенному закону в широком температурном интервале, 6) Обнаружен минимум сопротивления в температурной зависимости проводимости р-бе. с металлической проводимостью. Показано, что низкотемпературная добавка к проводимости p-Ge. обусловлена электрон-электронным взаимодействием по теории Альтшулера и Аронова. 7) Выяснена роль различных вкладов в магнитопроводимость в недеформированном германии р -типа. Обнаружено аномальное положительное магнитосо-противление в деформированном и показано, что оно обусловлено спиновым расщеплением свободных дырок (Ли, Рамакришнан). 8) Обнаружена корреляция между поведением магнитосопротивления и температурной зависимости проводимости p-Ge. с металлической проводимостью. 9) Показано, что большая разница в абсолютных значениях магнитопроводимости у Gzlflz^ и обусловлена разной интенсивностью процессов междолинного переброса электронов, что находится в согласии с новой теорией аномального магнитосопротивления. 10) Показано, что анизотропия магнитопроводимости однооснодеформированного /i-Ge. обусловлена анизотропией коэффициента диффузии, а не эффективной массы. II) Впервые исследована низкотемпературная зависимость постоянной Холла А- и p-0)Q. с металлической проводимостью. Показано, что как в Л- , так и в р- ^ f постоянная Холла пропорциональна Т1/2, что согласуется с теорией ЗЭВ. Показано, что в изменение постоянной Холла примерно в 2 раза больше, чем изменение проводимости в одном и том же температурном интервале, что согласуется с теорией ЭЭВ.
Практическая ценность. Результаты исследования проводимости и магнитосопротивления в сильнолегированном и компенсированном германии на диэлектрической стороне перехода использованы при создании щшогенных преобразователей температуры, получивших широкое применение в различных областях техники. Результаты экспериментальных исследований стимулировали развитие теории аномальной магнитопроводимости, а такке теории проводимости на диэлектрической стороне ПМД кристаллических полупроводников. Предложенная методика определения CL и эв может быть использована в других неупорядоченных системах.
На защиту выносятся следующие основные положения диссертации:
1. Показано, что в сильнолегированном и сильнокомпенсиро-ванном мелкими примесями германии наблюдается прыжковая проводимость с непрерывно убывающей энергией активации при уменьшении температуры, подчиняющаяся зависимости где /I = 0,5.
2. Эффект безактивационной прыжковой проводимости в СЛК-в сильных, неомических электрических полях, подчиняющийся зависимости тока , где /2 имеет то же значение, что и в случае омической проводимости.
3. Методика и результаты определения радиуса локализации CL и Ж. для с активационной проводимостью, подчиняющейся закону Шкловского-Эфроса.
Показано, что большая разница в абсолютных значениях магнитопроводимости у 6>е.<^> и обусловлена разной интенсивностью процессов меадолинного переброса электронов.
5. Показано, что анизотропия магнитопроводимости одноосно-деформированного fi-fte. обусловлена анизотропией коэффициента диффузии, а не эффективной массы,
6. Показано, что вклад в общее МС за счет ЭЭВ в куперовском канале для не деформированного p-Ge. незначителен,
7. В деформированном />-£е с понижением температуры и ростом магнитного поля обнаружен переход от ОМС в аномальное ПМС. Показано, что аномальное ПМС обусловлено ЭЭВ при учете спинового расщепления уровней свободных дырок.
8. Показано, что в температурной зависимости проводимости p-Ge. с металлической проводимостью имеется минимум сопротивления. При этом низкотемпературная добавка к проводимости обусловлена электрон-электронным взаимодействием в соответствии с теорией Альтшулера и Аронова.
9. Показано, что на металлической стороне ПМД в области гелиевых температур постоянная Холла пропорциональна Т1/2 как в А- , так и в , что согласуется с теорией ЭЭВ.
Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет /33 страниц*/ машинописного текста, включая 38 рисунков и 6 таблиц . Список литературы содержит /87 наименований .
Похожие диссертационные работы по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК
Структура примесной зоны и механизмы проводимости по примесям некомпенсированного кремния2002 год, доктор физико-математических наук Шестаков, Леонид Николаевич
Транспортные свойства сильновзаимодействующей двумерной электронной системы в кремнии2008 год, кандидат физико-математических наук Князев, Дмитрий Александрович
Электрические и магнитные свойства наногетерогенных систем металл-диэлектрик2010 год, доктор физико-математических наук Ситников, Александр Викторович
Металлическая проводимость в сильном магнитном поле2000 год, доктор физико-математических наук Мурзин, Сергей Станиславович
Свойства компенсированных полупроводников вблизи индуцированного магнитным полем перехода металл-диэлектрик2001 год, кандидат физико-математических наук Чумаков, Николай Константинович
Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ионов, Александр Николаевич
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ
Г. Исследованы законы проводимости в омических и неомических электрических полях сильно легированного и сильно компенсированного мелкими примесями германия. Показано, что: а) Имеется анизотропия проводимости по отношению к направлению роста слитка СЖ-германия, полученного по методу Чохраль-ского с одновременным введением донорной и акцепторной примеси в расплав. б) В плоскости вдоль оси роста слитка активационная проводимость шунтируется металлической при Т ^ I К. в) В плоскости перпендикулярной оси роста имеет место прыжковая цроводимость с непрерывно убывающей энергией активации при понижении температуры, подчиняющаяся зависимости
Tj^J J » где ft = 0,5. Такая зависимость свидетельствует о существовании параболической щели в спектре плотности состояний на уровне Ферли. г) В сильных неомических электрических полях в кристаллическом германии обнаружен предсказанный Моттом эффект безактивационной прыжковой проводимости, подчиняющийся зависимости f^jr') J t где Jt имеет то же значение, что и в случае омической проводимости.
2. Разработана методика определения радиуса локализации волновой функции электрона CL и диэлектрической проницаемости в случае проводимости с переменной длиной прыжка и кулоновской щелью на уровне Ферми. Показано, что: а) С приближением к переходу в металлическое состояние <Х и Зё расходятся по степенному закону а. ^ и а, ф-0,69+0,03? причем между критическими индексами ЩЦ выполняется соотношение Jyj =2,3. б) Для образцов с однородным распределением цримесей и
К < 0, найденные значения )=0,6и ^=1,38 удовлетворительно согласуются со значениями, найденными с помощью независимых методик на металлической стороне перехода. Это дает основания считать применимой модель кулоновской щели Шкловского-Эфроса. в) Обнаружена и исследована с помощью методики одноосного сжатия в о1фестности ПЩ степенная зависимость проводимости.
4. Исследована магнитопроводимость А <5*(Н) и ее анизотропия в Л- и р- (ле. на металлической стороне ПЩ. Показано, что: а) Отсутствие анизотропии Д в зависимости от угла между направлением магнитного поля и кристаллографической осью в при kpt^yl указывает на то, что за возникновение эффекта ОМС ответственно орбитальное движение электронов, а не подавление спинового рассеяния. Кроме того, для Ge.<fif> это означает, что долины зоны цроводимости не вносят аддитивного вклада в магнитопроводимость. б) Большая разница в абсолютных значениях магнитоцроводи-мости у и 6?е<^/> обусловлена разной интенсивностью цроцессов переброса электронов из долины в долину для рассматриваемых цримесей. в) Анизотропия л ^(н) в обусловлена анизотропией коэффициента диффузии, а не эффективной массы. г) В недеформированном р>-6к в слабых магнитных полях в сильных, причем л с1(Н)<0 и в области больших И дс^ не зависит от температуры. д) В р-&е. с металлической проводимостью по мере снятия вырождения валентной зоны наблюдается переход от ПМС к ОМС.
5. Исследовано влияние ЭЭВ на магнитопроводимость, на температурную зависимость проводимости и на постоянную Холла на металлической стороне 1ВД. а) Обнаружен минимум сопротивления в температурной зависимости g(T) p-Ge. с металлической проводимостью. Показано, что низкотемпературная добавка к проводимости обусловлена ЭЭВ. б) Показано, что вклад в общее МС за счет ЭЭВ в куперов-ском канале для недеформированного p-Ge. незначителен. в) В деформированном p-Ge. обнаружен с понижением температуры и ростом магнитного поля переход от ОМС в аномальное ПМС. Показано, что аномальное ПМС обусловлено ЭЭВ при учете спинового расщепления уровней свободных электронов. г) Показано, что ъ А- ж p-Ge постоянная Холла
Яу ^ Т^, что согласуется с теорией ЭЭВ. Для jo-Ge. показано, что % • Это является независимым доказательством того, что температурная зависимость проводимости: p-Gaобусловлена ЭЭВ. д) Из анализа поведения /^(Т) и для сделан вывод, что в области гелиевых температур наряду с эффектами взаимодействия существенны и эффекты локализации. х х х
В заключение выражаю благодарность моему научному руководителю Исаю Семеновичу Шлимаку за поддержку и всестороннюю помощь в работе, Б.Л.Альтшулеру, Б.И.Шкловскому, А.Л.Эфросу за стимулирующие обсуждения, а также соавторам по работам А.Г.За-бродскому, Л.И.Зарубину, Ф.М.Воробкало, И.Ю.Немишу и И.К.Измайловой.
Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ионов, Александр Николаевич, 1983 год
1., Twose W.Б. The theory of imparity conduction. -Adv. Phys., 1961, V.10, p.107. - Перевод: УШ, 1963, т.79, с .691-740.2« Шкловский Б.И. Прыжковая проводимость слаболегированных полупроводников. ФТП, 1972, т.6, с.1197-1226.
2. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
3. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайнер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981.
4. Шлимак И.О. Электронные переходы между локализованными состояниями в полупроводниках. Автореферат докт. диссерт., Ленинград, ФТИ, 1979, 17- с.
5. Mott N.F. Electrons in disordered structures. Adv. Phys., 1967, v.16, p.49-52.
6. Mott N.F. Metal-insulator transition. London: Taylor-Francis. Ltd., 1976. Русский перевод: Мотт Н.Ф. Переход металлизолятор. М.: Наука, 1979.
7. Mott H.F. The minimum metallic conductivity in three dimensions. Phil.Mag*, 1981, V.B44» p.265-284*
8. Hubbard J. Eleotron correlations in narrow energy bands. II» The degenerate band oase. Proo.Roy.Soc., 1964» v.A277, p.237-259.23* Anderson P.W. Absence of diffusion in certain random lattice. Phys.Rev., 1958, v.109, p.1492-1505.
9. Fritzsche H. Resistivity and Hall coefficient of antimony-doped germanium at low temperatures. J.Phys.Chem.Solids, 1958, v.6, p.69-75.
10. Гершензон E.M., Гольщан Г.Н., Мельников А.П. 06 энергии связи носителя заряда с нейтральным примесным атомом в германии. Письма в ЖЭТФ, 1975, т.14, с.281-284.
11. Miller A., Abrahams Е. Impurity conduction at low concentrations. Phys.Rev., 1960, v.120, p.745-751.
12. Шкловский В.И., Эфрос A.I. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников'. ЖЭТФ, 1971, т.60, с.867-878.
13. Shlimak I.S., Emtzev V.V. Dependence of the activation energy of conductivity on the compensation degree in germanium. -Phys. stat. Sol. (b), 1971, v.47, p.325-328.
14. Шлимак И.С., Никулин Е.И. Проводимость легированного германия при сверхнизких температурах. Письма в ЖЭТФ, 1972, о*.15, с.30-33.
15. Redfield Р., Crandoll R.S. Energy dependence of conductionin band tails. Proo. X Internet.Conf• on Phys. of Semicond., Boston, 1970, p*574-575«
16. Шкловский Б.И., Эфрос А.И. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников. Материалы У1 Зимней школы ФТИ им. А.Ф.Иоффе по физике полупроводников, 1971, с.438-454.
17. Файнштейн С.М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов. М.-Л.: Энергия, 1966, с.72.
18. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники. М.: Наука, 1967, с.278.
19. Кляцкина И.В., Кожух М.Л., Рыбкин С.М., Трупов В.А., Шлимак И.С. Взаимодействие примесей и дислокаций в легированном, пластически деформированном h. -германии. Письмав ЖЭТФ, 1979, т.29, с.268-272.
20. Hill R.M. On the observation of variable range hopping. -Phys. stat. Sol. (a), 1976, v.35, p.K29.
21. Забродский А.Г. Прыжковая проводимость и ход плотности локализованных состояний в окрестности уровня Ферми. ФТП, 1977, т.И, с.595-598.
22. Efros А.Ь., Shklovskii B.I. Coulomb gap and low temperature conductivity of disordered systems. J.Phys., ser. C, 1975» v.8, p.L49.
23. Гельмонт Б.Л., Эфрос А'. Л. Кулоновская щель в неупорядоченных системах5. Материалы УШ Зиглней школы ФТИ им. А.Ф.Иоффе по физике полупроводников, 1977, с.5-44.
24. Шкловский Б.И. Прыжковая цроводимость полупроводников в сильных электрических полях. ФТП, 1972, т.6, с.2335-2340.
25. Fritzsche Н. Resistivity and Hall coefficient of antimony-doped germanium at low temperatures. J.Phys.Chem.Solids, 1958, v.6, p.69.
26. Chao K.A. Theory of impurity states in heavily doped semiconductors. In: Modern trends in the theory of condensed matter. - Springer-Verlags 1980. Ed.A.Pekalski, J.Praystawa, p.339-365.
27. Rosenbaum T.F., Milligan R.F., Thomas G.A., Lee P.A., Rama-krishnan T.V., Bhatt R.N. Low-temperature magnetoresistance of a disordered metal* Phys.Rev. Lett., 1981, v.47, p.1758-1761.
28. Thomas G.A., Kawabata A*, Ootuka Y., Eatsumoto S., Kobayashi S., Sasaki W. Phys.Rev., 1982, V.B26, p.2113-2119.
29. Cappizzi M., Thomas G.A., DeRosa F., Bhatt R.H., Rice T.M.
30. Observation of the approach to a polarisation catastrophy.
31. Ue H., Maekawa S. Electron-spin resonance studies of heavily phosphorus-doped silicon. Phys.Rev., 1971, vB3, N 12,p.4232-4238.
32. Ioffe A.F., Regel A.R. Non-crystalline, amorphous and liquid electronic semiconductors. Progr. Semicond., 1960, v.4,p.237-245.
33. Anderson P.W. The size of localized states near the mobility edge. Proc. Nat.Acad.Sci* USA, 1972, v.69, p#1097-1099.
34. Садовский M.B. Локализация электронов в неупорядоченных системах. Порог подвижности и теория критических явлений. -ЖЭТФ, 1976, т.70, c.I936-I940.
35. Альтшулер Б.Л., Аронов А.Г. Теория подобия перехода Андерсона для взаимодействущих электронов. Письма в ЖЭТФ, т.37, с.349-351.
36. Rosenbaum T.F., Andres К», Thomas G.A. Non-Ohmic conductivity of barely localized electrons in three dimensions. Solid State Commun., 1982, v.35, p.663-666.
37. Thomas G.H., Paalanen M«, Rosenbaum T.F. Measurements of conductivity near the metal-insulator critical point.
38. Bosenbaum T.F., Milligan R.F., Paalanen М.А., Thomas G.A., Bhatt R.H., bin ¥. Metal-insulator transition in a doped semiconductor. Phys.Rev., 1983» V.B27, p.7509-7523.
39. Townsend P. Infrared adsorption in phosphorus doped silicon and the D-band. J.Phys., 1978, v.C11, p.1481-1489*
40. Harald F.H., DeConde К., Rosenbaum T.F., Thomas G.A* Gigant dielectric constants at the approach to the insulator-metal transition. Phys.Rev., 1982, V.B25, N 8, p.5578-5580.
41. Гершензон E.M., Ильин В.А., Литвак-Горская 1.Б. Влияние магнитного поля на прыжковую проводимость в . ФТП, 1974, т.8, с.295-297.
42. Chrohoczek J .A., Sladek R.J. Magnetoresistance of p-type germanium in the phonon-assisted hopping conduction range athigh magnetic fields. Phys.Rev., 1966, v.151, p.595-599.
43. Гаджиев A.P., Шлимак И.О. Влияние магнитного поля на прыжковую проводимость p-Ge г. ФТП, 1972, т.6, с.1582-1594.
44. Емельяненко О.В., Масагутов К.Г., Наследов Д.Н., Тимченко И.Н. Прышсовая проводимость по примееягл в n-inP v -ФТП, 1975, т.9, с.503-512.
45. Mikoshiba N. Strong-field magnetoresistance of impurity conduction in n-type germanium. Phys.Rev., 1962, v.127» р.19б1-1969.
46. Шкловский Б.И. Прыжковая проводимость в сильном магнитном поле'. ЖЭТФ, 1971, т.61, с.2033-2047.
47. Шкловский Б.И. К теории экспоненциального магнитосопротивления полупроводников. ФТП, 1973, т'.8, с.416-422.
48. Шкловский Б.И., Нгуен Ван Лиен. Прыжковое магнитосопротивле-ние п -германия. ФШ, 1978, т. 12, с;.1346-1354.
49. Rose-Innes А.С. bow temperature techniques. 1964. The English Universities Press btd.
50. Перевод: А.Роуз-йнс. Техника низкотемпературного экспериментам М.: Мир, 1966.
51. Есельсон Б.Н., Швец А.Д., Березняк Н.Г. Прибор для полученияотемператур до 0,3 К с использованием Не . ПТЭ, 1961, т.6, с.123-124.
52. Beer А.С. Galvanomagnetic effects in semiconductors.N.Y.London, Acad.Press, 1966, 418 p.
53. Ларк-Горовиц К. Бомбардировка полупроводника нуклонами.
54. В кн;: Полупроводниковые материалы. Перевод с англ-, под ред. В.М.1Учкевича. М.: М, 1954, с.62-95.
55. Юз Р., Шварц Bl. Атлас нейтронных сечений. М.: Атомизда, 1959.
56. Brockhause. National laboratory 325» ED-3$ 1973.
57. Thomas H.C., Covington B. Impurity conduction in transmutation doped germanium. - J. Appl. Phys., 1977, v.48,p.3434-3440.
58. Забродский А.Г. Экспериментальное определение степени компенсации нейзронно-лещрованного германия; Письма в ЖЭТФ, 1981, Т.ЗЗ, & 5, с.258-262.
59. Беда А.Г;* Вайнберг В.В., Воробкало Ф.М., Зарубин Л.И. Определение степени компенсации в трансмутационно легированном германии; ФШ, 1981, т;15, с;1546-1549.
60. Алейников А.Б., Вайнберг В.В. , Воробкало Ф.М., Зарубин Л.й. Отрицательное магнитосопротивление p-Ge в области црыжковой проводимости моттовекого типа. Письма в ЖЭТФ, 1982, т. 35, с. I3-I4-.
61. Шлимак И;Сг, Емцев В;В. Активационная проводимость почти полностью компенсированного n-Ge . Письма в ЖЭТФ, 1971, тЛЗ, с.153-157.
62. Забродский А.Г. Электропроводность сильнолегированного компенсированного германия п -типа, полученного путем нейтронного легирования; ФШ, 1980, т'Л4у с.1130-1139.
63. Thomas G.A., Outuka Y., Katsumoto S., Kobayashi S., Sasaki W. Evidence for localization effect in compensated semiconductors. — Phys.Rev., 1982, V.B25, N 6, p.4288-4290.
64. Imry Y. Possible role of incipient Anderson localization in the resistivities of highly disordered metals. Phys. Rev.Lett., 1980, v.44, p.469-471.
65. Toyozawa Y. Theory of localized spins and negative magneto-resistance in metallio impurity conduction. J.Phys.Soc. Jggan, 1962, v.17, p.986-1004*
66. Fritzsche H. Effect of stress on the donor wave function in germanium. Phys.Rev., 1962, v.125, p.1560-1568.
67. Katz M.J. Electrical conductivity in heavily doped n-type germanium: temperature and stress-dependence. Phys.Rev., 1965, v.140, p.1323-1344.
68. Аскеров Б.М. Теория явлений переноса в полупроводниках; -Баку: Изд£ АН УзССР, 1963.по. Вонсовский С .В. Магнетизм^ М.: Наука, 1971.
69. Beal-Manod М.Т., Weiner R.A. Negative magnetoresistivity in dilute alloys. Phys.Rev., 1968, v.170, p.552-559.
70. Sasaki W., Kanai Y. Galvanomagnetic effect of a heavily doped Ge-crystal. J.Phys.Soc.Japan, 1956, v.11, p.894895.
71. Обухов C.A1; Переход полупроводник-металл, индуцированный магнитным полем, в одноосно деформированном антимониде индия р-типа1. ФТТ, 1979, т.21, с.59-65.
72. Anderson P.W. Localized magnetic states in metals. Phys. Rev., 1961, v.124, p.41-53*
73. Гасанли Ш.М., Емельяненко О .В., Лагунова Т.О., Наследов Д.Н. О природе отрицательного магнитосопротивления в арсениде галлия. ФШ, 1972, т.6, с.2010-2014.
74. Katayama Y., Tanaka S. Resistance anomaly and negative magnetoresistance in n-type InSb at very low temperatures.
75. Phys.Rev., 1967, v.153, p.873-882.
76. Шиарцев Ю.В., Шеидер Е.Ф., Полянская Т.Аъ Отрицательное магнитосопротивление и локализованные магнитные состояния в полупроводниках5. ФШ, 1970, т.4, с.2311-2321.
77. Alexander М.Ы., Nuclear-magnetic resonance study of heavilynitrogen-doped silicon carbide* Phys.Rev», 1968, v.172, p.331-340.
78. Hedgcock F.T., Mathur D.P. Localized spins in heavily doped n-type germanium exhibiting metallic conduction. Can. J. Phys., 1963, v.41, p.1226-1229.
79. Sasaki W., Kinoshita J. Piezoresistanoe and magnetic susceptibility in heavily doped n-type silicon. J.Phys.Soc. Japan, 1968, v.25» р.1б22-1б29#
80. Alexander M.N., Holoomb D.F. Semiconductor-to-metal transition in n-type group IV semiconductors . — Rev.Mol. Phys*, 1968, v.40, p.815-829.
81. Hedgcock F.H., Randorf T.W. Two band model for negative magnetoresistance in heavily doped semiconductors. Sol. St. Commun., 1980, v.8, p.1819-1822.
82. Furukawa Y. Magnetoresistance of heavily doped germanium at low temperature. J.Phys.Soc.Japan, 1963» v.18, p.737.
83. Roth H., Straub W.O., Bernard W., Mulhern I.E. Empirical characterization of low-temperature magnetoresistance effects in heavily doped Ge and Si. Phys.Rev.Lett., 1963, v.11, p.328-331.
84. Sugiyama K., Kobayashi A. Piezoresistance and magnetoresistance in impurity conduction of germanium. J.Phys.Soc. Japan, 1963, v.18, p.163-174.
85. Бир Г.JT., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972, 584
86. Woods J.F., Chen C.Y. Negative magnetoresistance in impurity conduction. Phys.Rev., 1964, v. 1 355, p.A1462-1466.145* Sasaki W. Negative magnetoresistance in the metallic impurity conduction. J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, Supplement, p.543-548.
87. Kondo J. Resistance minimum in dilute magnetic alloys. -Progr. Theoret.Phys. (Kyoto), 1964, v.32, p.37-49.147* Khosla R.P., Fischer I.R. Magnetoresistance in degenerate CdSs localized magnetic moments. Phys.Rev., 1970, v.B2, p.4084-4097*
88. Ионов АЖ» Жлимак И;С. Эффект Кондо в вырожденном германии, легированном немагнитными примесями; ФШ, 1977 , Till, с.741-747;149* Абрикосов А.А. %гнитнне примеси в немагнитных металлах?? -УШ, 1969, т. 97, c^403-426i
89. Nagai S., Kondo J. Resistivity of dilute magnetic alloys in the presence of external magnetic fields. J.Phys.Soc. Japan, 1975, v.38, p.129-136.151* Ootuka Y., Kondo J., Kobayashi S., Ikehata S., Sasaki W.
90. Anomalous magnetoresistance in heavily antimony doped germanium. Solid State Commun., 1979» v.30, p.169-172.
91. Khosla R.P., Sladek R.T. Thermoelectrical power anomalyin n-type InSb at low temperatures. Phys.Rev.Lett., 1965, v.15, p.521-523.
92. Hedgeook F.T., Mathur D.P. Low-temperature thermoelectricpower of heavily doped n-type germanium. Can. J, Phys., 1965,v. 43, p.2008-2020.
93. Ионов A.H; К вопросу о природе аномального магнитосоцротив-ления в сильнолегированном германии р-типа. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, с.76-79;
94. Ионов А.Н. Проводимость и аномальное магнитосопротивлениеn-Ge в области перехода полупроводник-металл^ ФШ, 1980, т.14, с.1287-1292.
95. Kawaguchi У., Kitahara Н., Kawaji S. Negative magnetoresis-tance in a two-dimensional impurity hand in cesiated p-Si(HI)surface inversion layers. Surface Sci. 1978, v.73, p.520-527- %
96. Горьков Л.П., Ларкин А.И. , Хмельницкий Д.Е. Проводимость частицы в двумерном случайном потенциале^ Письма в ЖЭТФ,1979, т.ЗО; с.248-252.
97. Hikami S., barkin А.» Nagaoka J. Spin-orbit interaction and magnetoresistance in two dimensional random systems. -Progr. Theoret. Phys., 1980, v.63, p.707
98. Ларкин А.И^ Магнитосопротивление двумерных систем. Письма в ЖЭТФ, 1980, T.3I, с.239-243.
99. Kawabata A. Theory of negative magnetoresistance I. Application to heavily doped semiconductors J.Phys.Soc.Japan,1980, v.49» p.628-637.
100. Альтшулер БД., Аронов А.Г., Ларкин А.И., Мельницкий Д.Е. Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках'.3 -ЖЭТФ, 198Г, т.81, с.768-783.
101. Anderson Р.¥., Abrahams Е.Ramakrishnan T.V. Possible explanation of NO linear conductivity in thin film metal wires. Phys.Rev.Lett., 1979, v.43, p.718-720.
102. Rose-Innes А.С., Rhoderick Е.Н. Introduction to superconductivity. Pergamon Press, 1969.
103. Русский перевод: Роуз-Инс А., Родерик Е. Введение в физику сверхпроводимости; М;:Иир, 1972, С.Г76.
104. Вул Б.М., Заварицкая Э.И., Заварицкий Н.В. Туннельный эффект в диодах из арсенида галлия при низких температурах. ФТТ, 1966, т.8, с.888-893.
105. Li Р.Ь», Paton В.Е. The influence of superconducting contacts on magnetoresistanoe measurements. J.Phys., 1977, v.E-10, p.1222-1224.
106. Sugiama K. Magnetoresistanoe of uniaxially stressed germanium in impurity hand conduction region. J.Phys.Soc. Japan, 1967, v.22, p.109-117.
107. Вязовкин B.C., Мирзабаев М.М., Рыжков B.B., Сандов A.C., Тучкевич B.Mw , Шмарцев Ю.В. Влияние упругой деформациина продольное и поперечное магнитосопротивление в германии П -типа". ФТП, 1968, т.2, сг.447-449.
108. Altshuler B.L., Khmelnitskii D., barkin A.I., Lee Р.А. Magnetoresistance and Hall effect in a disordered two-dimensional electron gal. Phys.Rev., 1980, V.B22, p.5142-5143.
109. Fukuyama H., Effects of interactions on non-metallic behaviours in two-dimensional disordered systems. J.Phys. Soc.Japan, 1980, v.48, p.2169-2170.179* Abrahams E., Anderson P.W., Lee P.A., Ramakrishnan T.V.
110. Quasiparticle lifetime in disordered two-dimensional metals. Phys.Rev., 1981, V.B24, p.6783-6794.
111. Lee P.A., Ramakrishnan T.V. Magnetoresistance of weakly disordered electrons. Phys.Rev., 1982, v.B26, p.4009-4012.
112. Altshulter B.L., Aronov A.G., Zuzin A.Yu. Spin relaxation and interaction effects in the disordered conductors.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.