Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Гайслер, Владимир Анатольевич

• Гайслер, Владимир Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 1985

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гайслер, Владимир Анатольевич

Введение.

Глава I. Общие свойства колебательных состояний кристаллической решетки. Рассеяние света на колебательных состояниях в кристаллах.II

§1.1. Элементы динамической теории кристаллических решеток II

§1.2. Теоретико-групповой анализ фундаментальных колебаний

§1.3. Комбинационное рассеяние света на фононах.

§1.4. Правила отбора для процессов комбинационного рассеяния света на фононах.

Глава 2. Методические вопросы исследования.

§2.1. Спектрометр дляурследования комбинационного рассеяния света.

§2.2. Автоматический режим работы спектрометра.

§2.3. Импульсный лазер на красителе для исследования резонансного комбинационного рассеяния света.

§2.4. Методика проведения экспериментов.

Глава 3. Комбинационное рассеяние света первого порядка.

§3.1. Общая характеристика спектров комбинационного рассеяния света в дииодиде ртути.

§3.2. Поляризационные зависимости интенсивности комбинационного рассеяния света на низкочастотных фононах. Расчет частоты фононов симметрии Ед и

§3.3. Исследование спектров комбинационного рассеяния света на высокочастотных фононах.

§3.4. Расчет частоты фонона симметрии Ед . Определение констант межатомного взаимодействия и зарядов ионов ртути и иода.

Глава 4. Проявление энгармонизма фононов дииодида ртути в спектрах комбинационного рассеяния света.

§4.1. Комбинационное рассеяние света второго порядка.

§4.2. Влияние давления на фононный спектр дииодида ртути.

§4.3. Температурные исследования комбинационного рассеяния света в дииодиде ряути.

§4.4. Рассеяние фононов на дефектах. Оценка совершенства кристаллов дииодида ртути методами спектроскопии неупругого рассеяния света.

Глава 5. Резонансное комбинационное рассеяние света в дииодиде ртути

§5.1. Резонансное комбинационное рассеяние света на четных фононах.

§5.2. Исследование низкотемпературных спектров резонансного комбинационного рассеяния света в дииодиде ртути

5.2.1.Резонансное комбинационное рассеяние света на полносимметричном фононе Л

5.2.2.Резонансное комбинационное рассеяние света на нечетных фононах.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света»

Развитие современной микроэлектроники, наряду с углубленным изучением свойств традиционно используемых полупровдников, характеризуется поиском и всесторонним исследованием новых перспективных соединений.

Дииодид ртути, являющийся представителем полупроводниковых соединений А2 В2 , относится к их числу.Этот материал привлекает к себе пристальное внимание многих исследователей, что обусловлено рядом причин. Он является перспективным для создания эффективного неохлаждаемого детектора радиации [1,2] . На его основе получены детекторы с параметрами, приближающимися к параметрам серийно выпускаемых охлаждаемых до температур жидкого азота детекторов на основе кремния и германия. В литературе, кроме того, имеются сообщения о возможности применения этого материала в тензометрии и при создании полупроводниковых лазеров ¿"3-5] . Исследования, непосредственно не примыкающие к разработке приборов на основе дииодида ртути, имеют самостоятельный интерес как с точки зрения поиска его новых применений, так и с точки зрения определения фундаментальных характеристик этого ещё мало изученного полупроводника. Причем, в ряде случаев эти исследования имеют большее значение, нежели определение электрофизических параметров конкретного нового материала. Они позволяют выявлять закономерности, присущие широкому классу соединений. В этой связи достаточно упомянуть, что дииодид ртути был вторым после закиси меди материалом, где было обнаружено проявление экситона в оптических спектрах £67 , в одном из первнх, в цииодиде ртути были изучены закономерности проявления биэкситона и экситонного поляритона в спектрах люминесценции /"7-97 • Наконец,

X) Здесь и в дальнейшем речь идет о низкотемпературной ( 7" 4 126С ) модификации дииодида ртути ( <<- ) > представляющей наибольший научный и практический интерес. процесс зона-зонной излучательной рекомбинации с участием фононов был обнаружен именно в этом материале [Ю] .

Сложности применения традиционных электрофизических методов при исследовании дииодида ртути (связанные с очень большим сопротивлением материала и трудностями в изготовлении контактов к его поверхности [II] ) повыщают значимость оптических бесконтактных и нераз-рушающих методов, и в первую очередь методов лазерной спектроскопии неупрогого рассеяния света (комбинационного рассеяния света (КРС) и люминесценции (ФЛ) ). Информативность этих методов хорошо известна [12-16] , и актуальность исследования с их помощью новых перспективных полупроводников не вызывает сомнений.

К моменту начала работы спектр электронных состояний дииодида ртути был изучен достаточно подробно (в том"числе методом люминесценции), в то время как фононный спектр был изучен сравнительно слабо. Литературные данные по вопросу классификации фононного спектра и выяснению характера межатомного взаимодействия в этом материале содержали неточности и противоречия, отсутствовали данные по ряду важных задач физики фононов. В частности, не был изучен энгармонизм фононов в дииодиде ртути. Последняя задача представлялась нам весьма актуальной по той причине, что в слоистых полупроводниках проявление эффектов энгармонизма фононов практически не изучалось.

Методикой, позволяющей получить наиболее точную и достоверную информацию при решении названных задач, является спектроскопия КРС [17] . Использование методик неупругого рассеяния нейтронов и методик ИК спектроскопии при решении этих задачсопрядено с большими (в ряде случаев непреодолимыми) экспериментальными трудностями. Кроме того, при решении некоторых задач они не обеспечивают необходимой точности измерения параметров колебательных возбужден ний в кристалле [18,19] . В связи с этим методика КРС в данной работе была взята за основу.

- б

Наряду с перечисленными задачами большой интерес представляло дальнейшее развитие исследований по резонансному комбинационному рассеянию света в дииодиде ртути, что было обусловлено отсутствием данных по количественному анализу резонансных зависимостей интенсивности КРС, содержащих в себе важную информацию об особенностях электрон-фононного взаимодействия и структуре промежуточных состояний.

Наконец, вопросы применения методик неупругого рассеяния света для контроля совершенства дииодида ртути, на наш взгляд, также не получили должного развития.

В связи с этим были сформулированы следующие основные задачи исследования:

1. Классификация фононного спектра дииодида ртути, подразумевающая интерпретацию особенностей спектров КРС, определение симметрии и энергии фононов, участвующих в процессах рассеяния. Определение характера сил межатомного взаимодействия, констант взаимодействия, зарядов ионов иода и ртути.

2. Изучение проявлений различных типов энгармонизма в спектрах КРС дииодида ртути. Определение ангармонических параметров Грюнай-зена. Установление механизмов распада фононов в дииодиде ртути. Исследование возможностей методики неупругого рассеяния света для контроля совершенства материала.

3. Исследование механизмов взаимодействия фононов с носителями зарядов, уточнение энергетики промежуточных состояний (в первую очередь экситонных) на основе количественного анализа резонансных зависимостей интенсивности КРС.

Целью данной диссертационной работы является решение сформулированных выше задач.

Помимо введения, диссертация состоит из пяти глав, заключения, списка литературы.

Первая глава является обзорной, составляющей основу дальнейшего рассмотрения. В ней излагаются элементы динамики кристаллической решетки применительно к слоистым материалам, к числу которых относится и дииодид ртути. Приводится классификация фундаментальных колебаний дииодида ртути по симметрии. Рассматриваются общие закономерности процессов КРС, правила отбора в процессах КРС.

Во второй главе приводится описание экспериментальной установки и её отдельных блоков. Рассматриваются различные режимы работы установки, методики проведения экспериментов.

Третья глава посвящена исследованию КРС на фононах первого порядка в дииодиде ртути. На основе поляризационных и температурных зависимостей интенсивности КРС, а также исходя из результатов расчета частот некоторых фононов, проводится классификация фононного спектра в дииодиде ртути. Определяются величины констант межатомного взаимодействия и заряды ионов ртути и иода. Анализируется характер сил межатомного взаимодействия в кристалле.

В четвертой главе рассматриваются вопросы проявления ангармо-низма в процессах КРС. Анализируются спектры КРС второго порядка. Из совместного рассмотрения температурных и деформационных зависимостей частот фононов определяются ангармонические параметры. Сообщается об экспериментальном обнаружении аномального поведения фононного спектра дииодида ртути под действием одноосного давления в кристаллах, выращенных из раствора дииодида ртути в ацетоне. Приводится интерпретация этого явления. Устанавливаются механизмы распада различных фононов в дииодиде ртути. В последнем параграфе главы устанавливается корреляция между методами выращивания кристаллов и параметрами спектров неупругого рассеяния света, что позволяет сделать вывод о перспективности этих методов для оценки совершенства дииодида ртути.

Пятая глава содержит результаты исследований КРС в резонансных условиях. Проводится количественный анализ резонансных зависимостей интенсивностей линий КРС, на основании чего, в частности, устанавливается структура энергетических состояний экситона в диио-диде ртути. Приводится интерпретация спектров резонансного комбинационного рассеяния света с учетом различий механизмов взаимодействия носителей заряда с четными и нечетными фононами.

В заключении формулируются основные результаты и выводы диссертационной работы, а также указывается вклад автора в выполненную работу.

На защиту выносятся:

Результаты по классификации фононного спектра дииодида; «ртути, определению характера сил межатомного взаимодействия, данные расчёта величин зарядов ионов ртути и иода, значений констант межатомного взаимодействия. Выражения для расчета частот фононов, которым соответствует относительное колебание недеформированных слоев, в слоистых тетрагональных кристаллах.

Результаты по анализу проявлений энгармонизма в спектрах КРС. Интерпретация спектров КРС второго порядка.

Экспериментальное обнаружение и интерпретация аномального поведения фононного спектра дииодида ртути под действием одноосного давления.

Результаты определения вкладов энгармонизма различного типа в температурные зависимости частот фононов. Значения ангармонических параметров Грюнайзена.

Механизмы релаксации колебательной энергии в дииодиде ртути. Общность установленных механизмов для широкого класса слоистых соединений.

Результаты количественного анализа резонансных зависимостей интенсивности КРС.

Определение энергетики экситонных состояний дииодида ртути, значение энергии связи экситона.

Научная новизна работы. Большинство основных экспериментальных зависимостей, результатов и выводов диссертационной работы получены впервые.

Комплексный подход к вопросу классификации фононного спектра (включающий температурные и поляризационные исследования, а также расчет рада частот фононов) позволил надежно интерпретировать особенности спектров КРС, установить характер внутрислоевого межатомного взаимодействия и определить величины зарядов ионов ртути и иода. Впервые осуществлен всесторонний анализ проявлений эффектов энгармонизма, определены ангармонические параметры и установлены механизмы распада фононов в дииодиде ртути. Обнаружено аномальное поведение фононного спектра дииодида ртути под действием одноосного давления. Впервые проведен количественный анализ резонансных зависимостей, определена энергия связи и структура энергетических уровней экситона.

Научная и практическая ценность работы.

Практическая ценность диссертационной работы заключается в демонстрации возможностей методик неупругого рассеяния света, для контроля совершенства и оценок функциональной пригодности дииодида ртути, что в настоящее время является весьма важной и нерешенной проблемой в силу отмеченных выше трудностей применения традиционных электрофизических методов исследования.

Практическую ценность работы также составляет определение констант межатомного взаимодействия, зарядов ионов ртути и иода, ангармонических параметров Грюнайзена. Перечисленные параметры могут использоваться при построении термодинамических моделей 1фисталла, что в свою очередь будет способствовать лучшему пониманию цроцес-сов роста 1фисталла, дальнейшему совершенствованию технологии выращивания.

Научная ценность работы заключается в следующем. В работе получены соотношения, пригодные для расчета частот ряда фононов в любых тетрагональных слоистых соединений*.

Проанализированы механизмы релаксации колебательной энергии в дииодиде рзути. Отмеченные закономерности являются общими для широкого класса слоистых соединений. Определена структура экеитонных состояний в дииодиде ртути. Предложенный метод (анализ вида резонансных зависимостей) в дальнейшем может быть использован при решении аналогичных задач, а также при определении эффективных масс электрона и дырки по анализу контуров возбуждения рассеяния второго порядка.

Апробация работы.Результаты, полученные в работе, докладывались на Всесоюзном совещании по полупроводниковым детекторам (Киев, 1978 г), Всесоюзной конференции по автоматизации научных исследований (Новосибирск, 1979г.)., Совещании по широкозонным материалам для полупроводниковых детекторов (Новосибирск, 1980г.), У1 Всесоюзной конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1982г.), П Совещании по полупроводниковым детекторам ядерного излучения на широкозонных материалах (Новосибирск, 1983г.). По результатам диссертации опубликовано 8 печатных работ [20-27] .

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гайслер, Владимир Анатольевич

- 158 -Заключение

Сформулируем основные результаты и выводы работы.

1. Специфика решаемых в работе экспериментальных задач привела к необходимости разработки некоторых вопросов методики измерений. Создана автоматизированная установка для регистрации малоинтенсивных спектров комбинационного рассеяния света и люминесценции. Изготовлен импульсный лазер на красителе с большим диапазоном перестройки длин волн генерации, используемый для исследований по резонансному комбинационному рассеянию света.

2. На основе поляризационных и температурных исследований спектров комбинационного рассеяния света, а также исходя из расчетных £ значений частот фононов симметрии Е у , В^д , Ед проведена идентификация линий комбинационного рассеяния света первого порядка.

Установлено: линия 17см"* в спектре КРС соответствует фонону симметрии Ед , 29см"* - Ед и Вц (случайное вырождение), 114см"* г А1д , 143см"* - В% . Фононная линия Ед (расчетное значение 112см"*) маскируется интенсивной линией

3. Получены выражения для расчета частот оптических фононов, которым соответствуют колебания недеформированных слоев. Они применимы для любых слоистых тетрагональных кристаллов, элементарная ячейка которых содержит атомы двух слоев.

4. Определены значения констант межатомного взаимодействия и заряды ионов ртути 0ц =0.42 б0 и иода =-0.21 б0. Установлено, что силы межатомного взаимодействия в дииодиде ртути носят преимущественно ковалентных характер, ионный тип связи проявляется слабо.

- 159

5. Впервые подробно исследовано проявление энгармонизма фононов в спектрах комбинационного рассеяния света дииодида ртути. Проведена идентификация ряда особенностей спектров рассеяния второго порядка.

6. Исследовано влияние одноосного и гидростатического сжатия на фононный спектр дииодида ртути. Обнаружено гистерезисное поведение в зависимости частоты фонона от одноосного сжатия в кристаллах, выращенных из раствора дииодида ртути в ацетоне, что объясняется нами переориентацией интеркалированных примесей под действием давления.

7. В широком температурном интервале исследовано поведение сдвигов и уширений линий комбинационного рассеяния света. Определены модовые ангармонические параметры Грюнайзера. Разделены вклады различных типов ангармонизмов в температурной зависимости частоты фононов. Установлены механизмы распада фононов: полносимметричный фонон А¿д распадается на три акустических (доминирует ангармонизм четвертого порядка), другие фононы распадаются на два фонона (доминирует кубический ангармонизм). Отмеченные закономерности релаксации колебательной энергии являются общими для широкого класса слоистых соединений.

8. Изучено проявление дефектов в спектрах комбинационного рассеяния света и люминесценции. На основании полученных данных сделан вывод о перспективности методов неупругого рассеяния света для оценки совершенства кристаллов дииодида ртути.

9. Исследовано резонансное комбинационное рассеяние света в дии-одиде ртути. Проведена интерпретация спектров резонансного комбинационного рассеяния света с учетом различий механизмов взаимодействия носителей заряда с четными и нечетными фонона-ми. Дано объяснение поляризационных зависимостей интенсивности РКР.

10.Анализ контура возбуждения фононной линии позволил определить параметры затухания экситона и уточнить его энергетические характеристики. Установлено, что водородоподобная модель не является удовлетворительной для описания экситона в дииодвде ртути. Определена энергия связи экситона R* =100 см""*.

Диссертационная работа была выполнена в Отделе кинетических явлений Института физики полупроводников СО АН СССР. Личный вклад автора в работу является основным как в методических разработках и расчетах, так и в получении и анализе экспериментальных данных. Интерпретация полученных результатов проводилась автором совместно с научным руководителем - А.Ф.Кравченко и другими соавторами работ, опубликованных по теме диссертации. Работа по созданию автоматизированного спектрометра для исследований по КРС и люминесценции осуществлялась совместно с сотрудником Института физики полупроводников А.С.Тереховым и сотрудниками Вычислительного центра Института.

Автор считает своим приятным долгом, выразить глубокую благодарность руководителю д.ф.-м.н., профессору А.Ф.Кравченко за постоянное и действенное руководство при выполнении работы, к.ф.--м.н. А.С.Терехову за помощь при создании установки и в интерпретации некоторых результатов, к.т.н. В.М.Залетину за представление образцов, большой интерес к работе и ряд ценных замечаний.

Автор благодарен сотрудникам ЛФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР к.ф.

-м.н. И.Г.Ланг, д.ф.-.м.н. С.Т.Павлову, к.ф.-м.н. Г.Ю.Яшину, В.И. i

Белицкому за помощь в интерпретации результатов исследований по резонансному рассеянию и рассеянию второго порядка, за деловое и творческое сотрудничество.

Наконец, хочу поблагодарить всех сотрудников Отдела кинетических явлений, проявивших интерес к работе, за обсуждение её результатов на семинарах, плодотворные дискуссии, постоянную помощь и поддержку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гайслер, Владимир Анатольевич, 1985 год

1. Slapa M., Huth G.,Seibt W. Capabilities of Mercuric 1.dide as a room Temperature X-ray Detector.-IEEE Trans, on Nucl.Sci. 1976, N23, p.102-111.

2. Залетин B.M., Кочеванов В.А., Ножкина И.Н., Танская Н.А., Фомин В.И. Детекторы рентгеновского и ¡f излучения на основе кристаллов Hgl2 . - Атомная энергия, 1982, т.52, в.З, с. 193-195.

3. Sri vast ava К.К., Goyal D.R., Krishan Lakshminarayan К, Pressure Dependence of Dielectric Constant of Mercuric Iodide* Indian Journal of Pure and Applied Physics, 1977, v.15, N10, p.724-726.

4. Catalano I.M., Cingolani A., Ferrara M. et al. Stimulated Emission and Optical Gain in Hglg.- Applied Physics Letters, 1978, v.32, N1, p.36-38.

5. Cingolani A*, Perrara M., Lugara M. Coopertive Fluorescence by Ixcitonic Resonant Pumping in Pbl2 and Hgl2>- Optics Communications, 1979, v.28, N1, p.97-100.

6. Гросс Е.Ф., Каплянский A.A. О спектрах поглощения кристаллов некоторых иодидов.-Журнал технической физики, 1955, т.25,в.12, с. 2061-2068.

7. Акопян И.Х., Новиков Б.В, Пимоменко М.М., Разбирин Б.С. Биэкситон в Hgl2 Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17, в.8, с.419-421.

8. Nakaoka К., Goto Т., Nishina Y. Smission Mechanism in Highly Excited State of Red Hglg.- Nuovo Cimento, 1977, V.38B, N2, p.588-595.

9. Akopyan I., Novikov В., Permogorov S. et al. Ixciton Polaritons in Hglg Crystals.- Phys. stat. sol.(b), 1975,v.70, N1, P.353-358.

10. Goto Т., Nishina Y. Phonon-Assisted Recombination of Free Electron-Hole Pair in Hgl2*~ Solid Communications, 1978, v.25, N2, p.123-125.

11. Bube R.H. Opto-Electronic Properties of Mercuric Iodide.-Phys. Rev., 1957, v.106, N4, p.703-717.

12. Современные проблемы спектроскопии комбинационного рассеяния света.-М:Наука, 1978, 304с.

13. Рассеяние света в твердых телах, под.ред. Кардоны М., М: Мир, 1979, - 392с.

14. Рассеяние света в твердых телах, выпуск П, под. ред. Кардоны И., Гюнтеродта Г., М.:Мир, 1984, - 328с.

15. Light Scattering in Solids (3),Recent Results, ed.Cardona M.,

16. Guntherodt G.t Berlin, 1984,-281p.

17. Light Scattering in Solids (4), ed.Cardona M., Guntherodt G., Berlin, *984,-542p.

18. Гилсон Т., Хендра П. Лазерная спектроскопия КР в химии, М.: Мир, 1973, - ЗОбс.

19. Жижин Г.Н., Маврин Б.Н., Шабанов В.Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов, М.:Наука, 1984, - 232с.

20. Динамические свойства твердых тел и жидкостей.Под.ред. Лавси С, Шпрингера Т., М.:Мир, 1980, - 487с.

21. Гайслер В.А., Залетин В.М., Кравченко А.Ф., Терехов А.С. Исследование совершенства структуры кристаллов н Hglg методом комбинационного рассеяния света.-Материалы Всесоюзного Совещания по полупроводниковым детекторам, Киев, 1981, с44-46.

22. Гайслер В.А., Залетин В.М., Кравченко А.Ф., Терехов А.С. Аномальное поведение фононного спектра Hglg под действием одноосного давления.- Оптика и спектроскопия, 1981, т.50, в.З, с.590-592.

23. Гайслер В.А., Дагман Э.Е., Кляйн А.Р., Терехов A.C. Рамановс-кий спектрометр, управляемый ЭВМ.- Автометрия, 1980, № 4, с. 46-51.

24. Haisler V.A., Zaletin V.M., Kravchenko A.F., Yashin G.Y. Raman Scattering of First and Second Order in Red Mercury Iodide.- Phys. stat. sol.(b), 1984, v.121, N1, K13-K17.

25. Haisler V.A., Zaletin V.M., Kravchenko A.P. Raman Study of Anharmonic Effects in Red Mercury Iodide.- Phys. stat. sol (b), 1984, v. 125, N2, КШ-КШ .

26. Гайслер В.А. Комбинационное рассеяние света в дииодиде ртути Новосибирск, 1984, - 43с. (Препринт / Институт Физищ Полупроводников: 8-84).

27. Гайслер В.А., Залетин В.М., Лях Н.В., Ножкина И.Н., Фомин В.И. Дииодид ртути: получение, свойства, применение.- Новосибирск, Наука, Сибирское отделение, 1984, Ю4с.

28. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток.--М.: ИИЛ, 1958, 488с.

29. Рейсленд Д. Физика фононов,-М.:Мир, 1975,-365с.

30. Пуле А., Матье Ж. П. Колебательные спектры и симметрия кристаллов. -М. : Мир, 1973, - 437с.

31. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров.-М.:Наука, 1977, 831с.

32. Prevot В., Schwab С., Dorner В. Phonon Dispersion in Red

33. Hglg.- Phys. stat. sol*(b), 1978, v.88, N1, p.327-333.

34. Врелик B.C., Умаров B.C., Введение в спектроскопию комбинационного рассеяния света в кристаллах, Душанбе, Дониш, 1982,--282с.

35. Давьщов A.C. Теория твердого тел а, -14.: Наука, 1976,-639с.

36. Применение спектров комбинационного рассеяния, под.ред. Андерсона А. ,-М. :Мир, 1977, 586с.

37. Лейбфрид Г., Людвиг В. Теория ангармонических эффектов в кристаллах. М.:ИШ1, 1963,-231с.

38. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел.- М.:Наука, 1974,-292с.

39. Маделунг 0. Теория твердого тела,-1Д.:Наука, 1980,-416с.

40. Байрамов Б.Х., Китаев Ю.Э., Негодуйко В.К., Хашхожев З.М., Температурная зависимость спектров рассеяния света оптическими фононами в кристаллахGaP .^ТТ, 1974, т. 16, в.7, с.2036--2043.

41. Валлис Р.Ф., йпатова И.П., Марадудин A.A. 0 температурной зависимости ширины линии основного решеточного поглощения в ионных кристаллах,- ИТ, 1966, т.8, в.4, с.1064-1078.

42. Sakurai Т., Sato Т. Temperature Dependence of Vibrational Spectra in Calcite by Means of Emissivity Measurement Phys.Rev.B, 1971, v.4, N2, p.583-591.

43. Погорелов B.E., Буян Г.П. Фононный распад в кристаллах стиль-бена.- В кн.: Спектроскопия комбинационного рассеяния света, Материалы 2 Всесоюзной конференции.- М., 1978, с.211-212.

44. Марадудин А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов.-М.: Мир, 1968,- 432с.

45. Cerdeira Р., Meló F.E.A., Lemos V. Raman Study of Anharmonic Effects in <rt-LiIO-.-Phys.Rev.B, 1983,v.27,N12, p.7716-7729.

46. Иванов М.А., Кривоглаз М.А., Мирлин Д.Н., Решина И.И. О природе уширения линий инфракрасного поглощения на высокочастотных локальных колебаниях.- ФТТ, 1966, т.8, в.1, с.192-200.

47. Петрашень М.И., Трифонов Е.Д. Применение теории групп в квантовой механике. М.:Наука, 1967,-307с.

48. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников, М.:Наука, 1978--615с.

49. Сущинский М.М. Спектры комбинационного рассеяния молекул и кристаллов. М.:Наука, 1969, 576с.

50. Nakashima S., Mishima Н., Mitsuishi A* Raman Scattering in Yellow and Red Mercury Iodides.- J. Raman Spectr., 1973,v.1, N2, p.325-340.

51. Martin Й.,Damen T. Breakdown of Selection Rules in Resonant Raman Scattering.-Phys.Rev.Lett.,1977,v.26,N2, p.86-88.

52. Бобров А.В., Мулдахметов З.М. Спектроскопия комбинационного рассеяния света,-Алма-Ата:Наука, Казахской ССР, I98I,-I50c.57.3айдель А.Н., Островская Г.В., Островский Ю.И. Техника и практика спектроскопии.-М.:Наука, 1976,-392с.

53. Перцев А.Н., Писаревский А.Н. Одноэлектронные характеристики $ЭУ и их применение,~М.:Атомиздат, 1971-77с.

54. Лебедева В.В. Техника оптической спектроскопии.-М.: Изд-во Моск. ун-та, 1977,-383с.

55. Современные тенденции в технике спектроскопии, Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1982,-212с.

56. Ищенко В.Н., Лисицин В.Н., Старинский В.Н. Импульсный ультрафиолетовый лазер на азоте.-Оптико-мех. пром-сть, 1974, № 3, с.32-34.

57. Littman М.G., Metcalf H.J. Spectrally Narrow Pulsed Dye Laser Without Beam Expander.- Applied Optics, 1978, v.17 N14, p.2224-2227.

58. Бельтюгов B.H., Наливайко В.И., Плеханов А.И., Сафонов В.П. Одномодовый импульсный лазер на красителе.- Квантовая электроника, 1981, т.8, № 6, с.1382-1384.

59. Лазеры на красителях.-Под ред. Шефера Ф.П. .-М.:Мйр, 1976,-329с.

60. Кардона М. Модуляционная спектроскопия.-М.:Мир, 1972,-416с.

61. Циклис Д.С. Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях.: Химия, 1976,-431с.

62. Adams D.M., Hooper М.А. Single-crystal Raman Spectrum of Red Mercury Iodide.- Australien Journal of Chemistry, 1971» v.21, N4, p.885-886.

63. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника.- Киев, Наукова Думка, 1975,-704с.

64. Най Д. Физические свойства кристаллов и их описание при помощи тензоров и матриц.- М.:Мир, 1967,-385с.74 .Hydrr S.B. Trapping effects in Silver-doped Mercuric Iodide

65. Equation for the Vibration Frequences of a Molecule.-J. Chem. Phys., 1939, v.7,N11, p.1047-1052.

66. Shimanouchi Т., Tsuboi M., Miyazawa Optically Active Lattice Vibrations as Treated by the GF-Matrix Method.- J.Chem.Phys., 1961,v.35, N5, p.1597-1612.

67. Shimanouchi T. The Normal Vibrations of Polyatomic Molecules as Calculated by Urey-Bradley Field.- J. Chem. Phys., v.17, N10, p.848-851.

68. Nakashima S., Daimon M., Mitsuishi A. Interlayer Forces in Layer Compounds.- Sei. Repts. Res. Inst. Tohoku Univ., 1979, N1, p.39-42.

69. Nakashima S., Aziza A., le Postollec M., Balkanski M. Raman and Infrared Spectra in Organic Layer Crystals of Squaric Acid.- Phys. stat. sol.(b), 1979, V.94, N2, p.529-539.

70. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах,-т.2-М.: Мир, 1978,-357с.

71. Nakashima S., Katahama Н., Daimon Ш., Mitsuishi A. Estimation of Interlayer Interaction in Cdl2 by Light Scattering Techniques.- Sol. St. Comm., 1979, v.31, N11, p.913-916.

72. Khilji M.Y., Sherman W.F., Stadtmuller A., Wilkinson G.R. Variable Temperature and Pressure Study of the Raman Spectrum of Five Phases of Hglg.- J. Raman Spectrosc., 1981, v.11, N4, p.238-246.

73. Левинсон И.Б. Генерация и детектирование неравновесных оптических фононов при комбинационном рассеянии лазерного излучения. 1973, т.7, в.9, с. 1673-1683.

74. Гуревич В.Л. Кинетика фононных систем, Наука, М., 1980,-400с.

75. Peercy P.S. Raman Scattering of Ion-implanted GaAs.-Applied

76. Schmidt R.L., McCombe B.D., Cardona M. Resonant First- and Second-order Raman Scattering in ZnTe.- Phys.Rev.B, 1975, v.11, N2, p.746-753.

77. Kanzaki K., Imai I. l.The Optical Spectrumofof Hglg.- J.Phys. Soc.Japan, 1972, v.32, N4, p.1003-1009.

78. Washington M.A., Genack A.Z., Cummins H.Z. et al. Spectroscopy of Excited yellow Exciton States in CUgO by Forbidden Resonant Raman Scattering.- Phys. Rev. B, 1977, v.15, N4,p.2145-2153.

79. Новиков Б.В., Пимоненко М.М. Экситонное поглощение и люминесценция тетрагональной Hglg при низких температурах. --Физика и техника полупроводников. 1970, т.4, в.II,с.2077-2082.

80. Kurtze G., Klingshirn С., Honerlage В. et al. Excitation Spectroscopy, Raman Scattering and the Temperature dependence of the Luminescence in Highly Excited Red Hglg.

81. J.Luminescence, 1979, v.20, N2, p.151-161.

82. Goto Т., Uishina Y. Resonant Raman Scattering and Luminescence in Red Hglg.- Phys. Rev. B, 1978, v.17, N12, p.4565-4571.

83. Goto Т., Kasuya A. Study of Exciton State by Magneto-Raman Scattering in Hglg.-J.Phys.Soc.Japan,1980,v.50,N2,p.520-524.

84. Martin R. Theory of the One-phonon Reaonance Raman Effect.-Phys. Rev. B, 1971, v.4, N10, р.3б7б~3б85.

85. ЮО.Х.Хакен. Квантовополевая теория твердого тела.-М.:Наука,1980. 344с.

86. Goto Т., Nishina Y. Resonant Raman Scattering of Red Hglg in B-exciton and band-to-band transition regions.- Phys. Rev.B, 1979, v.19, N2, p.1299-1301.

87. Ю2.Гольцев А.В., Ланг И.Г., Павлов С.Т. Роль свободных электронно-дырочных пар в многофононном резонансном комбинационномрассеянии света.-ФТТ, 1980, т.22, в.9, с.2766-2771.

88. ЮЗ.Траллеро Гийер К., Ланг И.Г., Павлов С.Т. Теория двухфонон-ного резонансного комбинационного рассеяния света в ZnTe -ФТТ, 1980, т.22, в.4, с.1230-1233.

89. Merlin R., Guntherodt G., Humphreys R., Cardona M.

90. Multiphonon processes in YbS.- Phys. Rev. B, 1978, v.17, N12, p.4951-4958.

91. Юб.Траллеро Гинер К., Ланг К.Г., Павлов С.Т. Теория многофононно-го резонансного комбинационного рассеяния света в полярных полупроводниках с участием горячих экситонов.- ФТТ, 1981, т.23, в.5, с.1265-1275.