Исследование фазовых равновесий в системе Ag-Ga-S и получение монокристаллов AgGaS2 методом Бриджмена тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 25.00.05, кандидат геолого-минералогических наук Кох, Константин Александрович

• Кох, Константин Александрович
• кандидат геолого-минералогических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат геолого-минералогических наук Кох, Константин Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ.

§1. Фазовые соотношения в системе Ag-Ga-S.

§2. Методы выращивания монокристаллов AgGaS2.

§3. Свойства кристаллов AgGaS2.

§4. Метод направленной кристаллизации для изучения фазовых равновесий.

§5. Тепломассоперенос при росте кристалла по методу Бриджмена.

Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ

В СИСТЕМЕ Ag-Ga-S.

§1. Синтез образцов.

§2. Направленная кристаллизация.

§3. Термообработка (отжиг) кристаллов AGS.

§4. Травление кристаллов AGS.

§5. Физико-химические методы исследования.

Глава 3. ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В СИСТЕМЕ Ag-Ga-S.

§1. Температура плавления реальных кристаллов AgGaS2.

§2. Область твердых растворов на основе AgGaSi.

§3. Микроструктура кристаллов AgGaS2.

Глава 4. ПРИМЕНЕНИЕ ВРАЩАЮЩЕГОСЯ ТЕПЛОВОГО ПОЛЯ К

ВЫРАЩИВАНИЮ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ

ИССЛЕДОВАНИЕ.

Глава 5. ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ AGS ВО ВРАЩАЮЩЕМСЯ

ТЕПЛОВОМ ПОЛЕ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование фазовых равновесий в системе Ag-Ga-S и получение монокристаллов AgGaS2 методом Бриджмена»

Актуальность темы

На основе структуры минерала халькопирита существует множество соединений, которые несут уникальные решения проблем современной техники. Так, в структуре халькопирита кристаллизуется минерал роквезит (CuInS2), который в настоящее время рассматривается как альтернатива монокристаллическому кремнию для изготовления солнечных батарей. В нелинейной оптике используется синтетический аналог минерала галлита — соединение состава CuGaS2.

Не менее интересным для нелинейной оптики ближнего и среднего ИК-диапазона оказывается соединение тиогаллат серебра AgGaS2 (AGS). Преимуществом этого материала является удачное сочетание значений двулучепреломления, коэффициента нелинейности и стойкости к лазерному излучению. Параметрические генераторы света (ПГС) на основе этих кристаллов могут обеспечивать непрерывно перестраиваемое излучение в спектральном диапазоне от 1,2 мкм до 10 мкм. Особенностью AGS является то, что это один из немногих кристаллов, на основе которого возможно получать излучение с длиной волны >5 мкм, используя для накачки широко распространенные лазеры, излучающие на длине волны ~1 мкм, например YAG:Nd. Излучение среднего ИК-диапазона необходимо для решения целого ряда задач, в частности, связанных с колебательным возбуждением молекул (ИК-фотохимия, ИК-спектроскопия и т.п.). По инфракрасным спектрам поглощения можно установить строение молекул различных органических и неорганических веществ: антибиотиков, ферментов, алкалоидов, полимеров, комплексных соединений и др. А по интенсивности полос поглощения возможен количественный анализ. Возбуждающий импульс должен быть в резонансе с одной из колебательных мод молекулы, частоты многих из которых лежат как раз в диапазоне частот излучений, получаемых с помощью ПГС на кристалле AgGaS2.

Один из факторов, ограничивающих эффективность преобразования света параметрическим генератором, а также допустимую мощность излучения, заключается в степени оптической однородности элемента, изготовленного из кристалла. А для излучения высокой мощности, вследствие определенного уровня стойкости к лазерному излучению, возникает такой дополнительный параметр, как апертура оптического элемента, т.е. размер кристалла. Достижение высокого оптического качества и требуемого размера кристалла является сложной задачей, решение которой заключается в совокупном рассмотрении двух подходов - физико-химического и технического.

Физико-химические условия, при которых возможна кристаллизация, содержание примесей и дефектов в кристалле, определяются видом диаграммы состояния системы. Существуют объективные трудности изучения системы Ag-GaS, связанные с наличием агрессивного расплава с высокой температурой плавления, близко расположенными термическими эффектами, склонностью расплава к существенному (до 60°С) переохлаждению, наличием сильно летучего компонента и т.д. Это приводит к невоспроизводимости и к трудностям интерпретации результатов изучения образцов. Так, для AGS остаются разногласия в определении температуры и характера плавления. Кроме того, нет единой точки зрения на строение разреза Ag2S-Ga2S3 фазовой диаграммы этой системы. Отметим также, что для изучения этой системы используется только традиционный подход, связанный с исследованием отдельных образцов методом изотермического отжига и термического анализа. Поэтому возникает необходимость использовать другие методы физико-химического исследования диаграмм состояния многокомпонентных систем. Например, нетрадиционный метод направленной кристаллизации расплава в квазиравновесном режиме позволяет изучать кристаллизационные процессы в этой системе. Стоит отметить, что черты строения диаграмм состояния являются общими практически для всех соединений со структурой халькопирита. Несомненно, что закономерности, полученные для системы Ag-Ga-S, можно будет распространить и на другие системы, в которых кристаллизуются соединения II-IV-V2, в том числе и встречающиеся в природе.

Технический подход связан с методикой получения самого монокристалла. Среди всех доступных способов наибольшую эффективность в получении монокристаллов AGS показал вертикальный метод Бриджмена. Однако, одной из основных проблем этого способа является достижение гомогенности расплава над растущим кристаллом. Поиск методов для поддержания определенной интенсивности перемешивания расплава остается до сих пор актуальным. Одним из таких способов может выступать метод изменения симметрии и вращения теплового поля, предложенный в лаборатории роста кристаллов ИГМ СО РАН.

Таким образом, актуальность работы определяется изучением метода Бриджмена, что представляет интерес для экспериментальной и технической минералогии. С другой стороны, выявление физико-химических закономерностей кристаллизации AGS применимо для решения задач, связанных с кристаллохимическими особенностями и дефектностью реальной структуры минералов группы халькопирита.

Цель работы заключалась в изучении особенностей физико-химических условий при кристаллизации AgGaS2 и получении его монокристаллов.

Основные задачи исследований

• Уточнение фазовой диаграммы Ag-Ga-S в области кристаллизации AgGaS2 с использованием метода направленной кристаллизации в квазиравновесном режиме.

• Анализ особенностей реальной структуры и свойств кристаллов AGS.

• Проведение экспериментов по кристаллизации AGS методом Бриджмена в условиях неоднородного теплового поля. Построение математической и экспериментальной модели поведения расплава при кристаллизации по методу Бриджмена в условиях неоднородного теплового поля.

Защищаемые положения

1. Разрез Ag2S-Ga2S3 не является квазибинарным. Ширина области гомогенности AGS уменьшается при понижении температуры и ее границы сужаются к стехиометрическому составу, вследствие чего происходит распад твердых растворов.

2. Для полученных образцов AGS характерно наличие микровключений фазы Ag2Ga2oS3i размером ~50 микрон. Подобные дефекты устранимы путем термообработки в парах Ag2S при температуре ~800°С.

3. Усовершенствованный метод выращивания кристаллов AgGaS2 основан на создании циклических колебаний температуры на стенках ростового контейнера, помещенного в печь Бриджмена. Усиление конвективного перемешивания в расплаве создает условия для роста более однородного кристалла. Необходимые условия для этого могут быть найдены путем моделирования.

Научная новизна

• На основе полученных данных по направленной кристаллизации расплавов с составами на разрезе Ag2S-Ga2S3 впервые получены оценки области гомогенности тиогаллата серебра в системе Ag-Ga-S.

• Показано, что направленная кристаллизация является эффективным методом для проверки гипотезы о квазибинарности разрезов на диаграммах плавкости тройных систем.

• На примерах численного и экспериментального моделирования доказана эффективность воздействия неоднородного разогрева боковых стенок ростового контейнера на конвективную структуру в расплаве.

Практическое значение

• Установленные для системы Ag-Ga-S закономерности кристаллизации, а также изменение свойств AgGaS2 при пост-ростовом отжиге могут быть использованы для изучения других кристаллов со структурой халькопирита.

• Рассмотрены методические основы выращивания кристаллов методом Бриджмена в условиях вращающегося теплового поля. Разработанная математическая модель демонстрирует эффективность метода и может быть использована для решения задач получения кристаллов различных соединений методом Бриджмена.

Апробация работы

Результаты работы докладывались на следующих конференциях: XL, XLI, XLII, XLII Международные студенческие конференции (Новосибирск, 2002, 2003, 2004, 2005); Международная конференция "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение" (Александров, 2004); П Конференции молодых ученых

Сибири (Новосибирск, 2004); XI, XII Национальные конференции по росту кристаллов (Москва, 2004, 2006); 14 International conference on crystal growth (Grenoble, France, 2004); XX Congress of the International Union of Crystallography (Florence, Italy, 2005); 6-ая Международная конференция «Рост кристаллов и тепломассоперенос» (Обнинск, 2005), International Workshop on Modeling in Crystal Growth (Bamberg, Germany, 2006), 5th International conference on solid state crystals (Zakopane, Poland, 2007); II Международная конференция «Кристаллогенезис и минералогия» (Санкт-Петербург, 2007); V конференции молодых ученых, посвященной М.А. Лаврентьеву (Новосибирск, 2007); VIII Международная конференция «Импульсные лазеры на переходах атомов и молекул» (Томск, 2007).

Публикации. По материалам диссертации опубликованы 21 работа, из них 4 статьи в рецензируемых журналах.

Работа выполнена в лаборатории Роста кристаллов (№447) Института геологии и минералогии СО РАН в рамках выполнения исследований по проекту 28.2.2. "Разработка физико-химических основ получения новых монокристаллов с заданными свойствами, как элементарной базы для систем дистанционного мониторинга окружающей среды", РК 01200403015 (2004-2006гг) и по проекту "Рост и свойства кристаллов для фотоники и других областей техники" Междисциплинарной программы СО РАН 39.2 "Рост и свойства кристаллов" (20072009гг). Частично исследования были поддержаны Лаврентьевским грантом для молодых ученых (заявка №138), а также фондом поддержки отечественной науки (2007-2008 г.г.).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы из 106 наименований. Общий объем диссертации 137 страниц, включая 8 таблиц и 63 рисунка.

Заключение диссертации по теме «Минералогия, кристаллография», Кох, Константин Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Вопреки большинству существующих в литературе представлений, разрез Ag2S-Ga2S3 не является квазибинарным. , ,

В системе Ag-Ga-S область гомогенности AGS располагается не симметрично относительно разреза Ag2S-Ga2S3. Впервые по собственным и имеющимся литературным данным сделана оценка размера области гомогенности AGS: на концентрационном треугольнике Ag-Ga-S она лежит в интервале 49.5 - 51.2 ат.% S и 49.9 - 52.1 ат.% Ga. При понижении температуры границы этой области приближаются к стехиометрическому составу.

В полученных образцах AGS обнаружены микровключения фазы Ag2Ga2oS3i шириной 0.5 - 1 и длиной -50 мкм, которые, вероятно, являются продуктом распада высокотемпературных твердых растворов. Удаление таких микровключений происходит за счет диффузии серебросодержащего компонента внутрь кристалла AGS при его термообработке в атмосфере Ag2S.

На температуру плавления реальных кристаллов тиогаллата серебра существенное влияние оказывает термическая предыстория образцов. Монокристалл, выращенный при медленных скоростях кристаллизации плавится при ~1000°С, а вещество с составом 50 мол. % Ag2S + 50 мол. % Ga2S3, полученное путем сплавления элементарных Ag, Ga и S - при ~970°С.

На основе численного и экспериментального моделирования показана .возможность управления интенсивностью конвективных течений в жидкости за счет создания неоднородного распределения температуры на стенках контейнера. Экспериментально показана возможность использования метода вращающегося теплового поля для выращивания однородных кристаллов AGS.

Список литературы диссертационного исследования кандидат геолого-минералогических наук Кох, Константин Александрович, 2008 год

1. Алабужев Б.А. Установка дифференциального и производного термического анализа // Экспериментальные исследования по минералогии (1968-1969 г.г.). Новосибирск: Изд. Ин-та геологии и геофизики. 1969. - С. 168.

2. Бадиков В.В., Скребнева О.В. Выращивание тиогаллата серебра и исследование его оптических свойств // Сб. науч. трудов: Оптические свойства и условия роста тиогаллатов серебра и ртути / Кубанский гос. унив., Краснодар. — 1982. — С. 124— 161.

3. Басин А.С., Шишкин А.В. Получение кремневых пластин для солнечной энергетики. Методы и технологии. Новосибирск: Институт теплофизики СО РАН, 2000. - 196 с.

4. Бергер Л.И., Прочухан В.Д. Тройные алмазоподобные полупроводники. М.: Металлургия. - 1968. - 151 с.

5. Боганов А.Г., Руденко B.C., Черемисин И.И. Механизм образования и роста пузырей в кварцевом стекле // Физика и химия стекла. -1984. Т. 10. - С.208-216.

6. Боднарь И.В., Ворошилов Ю.В., Кароза А.Г., Смирнова Г.Ф., Худолий В.А. Исследование системы AgGaS2 AgGaSe2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1979. - Т. 15. - №5. - С. 763-765.

7. Вайнштейн Б.К., Чернов А.А., Шувалов Л.А. Современная кристаллография. -М.:Наука. Т.2.-359 с.

8. Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем, т. II. М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1959. - 196 с.

9. Головей М.И., Переш Е.Ю., Семрад Е.Е. Получение и свойства полупроводниковых материалов сложного состава перспективных для квантовой электроники и оптоэлектроники // Квантовая электроника. 1981. -№20. - С.93-103.

10. Гурзадян Г.Г., Дмитриев В.Г., Никогосян Д.Н. Нелинейно-оптические кристаллы. М.:Радио и связь, 1991. - 159 с.

11. Иванова Р.В., Химия и технология галлия. М.: Металлургия. - 1973. - 320 с.

12. Кидяров Б.И., Николаев И.В. Влияние структурно-термической предыстории твердой и жидкой фазы на параметры кристаллизации плавления полупроводниковых соединений // Известия ВУЗов, Физика, Приложение, 2000. -Т.43. - N11. - С.98-103.

13. Киргинцев А.Н., Косяков В.И. Определение линий солидуса направленной кристаллизации. I.Общие положения//Радиохимия. 1971(A). -№3. С.346-351.

14. Киргинцев А.Н., Косяков В.И. Направленная кристаллизация нитрата натрия. Ш.Зависимость коэффициента рапределения нитрата стронция от условий кристаллизации // Радиохимия. 1971 (Б). -№2. — С. 169-176.

15. Косяков В.И. Консервативная направленная кристаллизация двухкомпонентных расплавов // Изв. СОАН СССР, сер. хим. Наук. 1975. - №2. - С.25-44.

16. Вигдорович В.Н., Вольпян А.Е., Курдюмов Г.М. Направленная кристаллизация и физико-химический анализ. М.: Химия. - 1976. - 200 с.

17. Косяков В.И. Консервативная направленная кристаллизация двухкомпонентных расплавов // Изв. СОАН СССР, сер. хим. Наук. 1975. - №2. - С.25-44.

18. Косяков В.И. Возможности использования направленной кристаллизации для решения задач петрологии // Геология и геофизика. 1998. - Т.39. - №9. С. 12421253.

19. Косяков В.И. Кудрин В.Д., Яушева JI.B., Киргинцев А.Н. Распределение примеси в конечном слитке при направленной кристаллизации неперемешиваемого расплава // Изв. СО АН СССР, сер. хим. наук. 1972. - №2. - С.4СМ7.

20. Кох А.Е., Вакуленко А.С., Кох В.Е. Управление характеристиками тепловой волны при выращивании кристаллов в установке с вращением теплового поля // Приборы и техника эксперимента. 2000. - №6. - С. 136-138.

21. Кох А.Е., Влезко В.А., Кох К.А. Установка для выращивания кристаллов гидротермальным методом в условиях вращающихся тепловых полей // Приборы и техника эксперимента. 2003. - №3. - С. 151-156.

22. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава: Конвекция и неоднородности: Пер. с англ. -М.: Мир. 1991. - 143 с.

23. Нашельский А.Я., Технология полупроводниковых материалов. М.: Металлургия. - 1972. - 104 с.

24. Ненашев Б.Г., Павлюченко B.C. О фазе AgsGaS4 в системе Ag-Ga-S // Труды IV международной конференций «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». 18-22 октября 1999. Александров, 1999. С. 111-116.

25. Ненашева С.Н., Синякова Е.Ф. Термографическое исследование части системы Ag-Ga-S // Сб. науч. трудов: Физико-химические исследования минералообразующих систем / ин-т Геологии и Геофизики СОАН СССР. 1982. - С. 30-38.

26. Ненашева С.Н., Синякова Е.Ф. Фазовая диаграмма Ag2S Ga2S3 Н Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1983. - Т. 19. - №10. - С. 1622-1625.

27. Ненашева С.Н., Синякова Е.Ф. Исследование системы Ag-Ga-S"// Сб. науч. трудов: Физико-химические исследования сульфидных и силикатных систем / ин-т Геологии и Геофизики СОАН СССР. 1984. - С.3-14.

28. Ненашева С.Н., Синякова Е.Ф., Синяков И.В., Богданова. В.И:, AgsGaS4 новая фаза в системе Ag-Ga-S // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1978. -Т.14. -№5. - С. 846-848.

29. Палатник J1.C., Белова Е.К., Исследование закономерностей в полупроводниковых системах типа Аг'СУ1 В2ШСзУ1 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1967. -Т.З. -№12. - С. 2194-2202.

30. Пивоваров О.Н., Скоков Ю.В., Бадиков В.В., Скребнева О.В., Здышенко Ю.Ф. Кристаллооптические свойства тиогаллата серебра, AgGaS2 Н Кристаллография. 1975.-Т.20.-№3.-С.657-658.

31. Пшибрам К. Окраска и люминесценция минералов. Пер. с англ. М.: Изд.ин.лит., 1959. - 457 с.

32. Самсонов Г.В., Дроздова С.В. Сульфиды. М.: Металлургия, 1972. - 304 с.

33. Стрикленд-Констэбл Р.Ф., Кинетика и механизм кристаллизации. Пер. с англ. -Лен.: Недра, 1971, 310 с.

34. Торопов Н.А., Барзаковский В.П., Бондарь И.А., Удалов Ю.П. Диаграммы состояния силикатных систем. Л.: Наука. - 1970. - Т.2. - 472 с.

35. Уббелоде А. Плавление и кристаллическая структура. Пер. с англ. М.:Мир.-1969.-420 с.

36. Федорова Ж.Н., Синякова Е.Ф. и Ненашев Б.Г. Поверхность ликвидуса системы Ag-Ga-S // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. - Т.27. - №3. - С. 461—466.

37. Федорова Ж.Н., Синякова Е.Ф., Павлюченко B.C., Ненашев Б.Г. Оценка парциального давления серы в газовой фазе, равновесной с тиогаллатом серебра

38. Тезисы 4й всесоюзной конференции «термодинамика и материаловедение полупроводников». Июнь, 1989. Москва. С. 339-340.

39. Труды IV международной конференций «Кристаллы: рост, свойства, реальнаяструктура, применение». 18-22 октября 1999. Александров, 1999: С. 111-116.

40. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. T.I. — М.: Металлургиздат, 1962.-460 с.

41. Яценко С.П. Галлий взаимодействие с металлами. - М.: Наука. - 1974. - 212 с.

42. Bethea C.G. Megawatt power at 1.318 ji in Nd+3:YAG and simultaneous oscillation at both 1.06 and 1.318 p//I.E.E.E. J.Q.E. 1973. - V.9.-N2.-P.254-257.

43. Bodnar I.V., Orlova N.S. X-ray study of the thermal expansion anisotropy in AgGaS2 and AgGaSe2 compounds over the temperature range from 80 to 650K // Phys. Stat. Sol. A. 1985. - V.91. - N2. - P.503-507.

44. Brandt G., Kramer V. Phase investigation in the silver-gallium-sulphur system // Mat. Res. Bull. 1976. - V.l 1. - N11. - P. 1381-1388.

45. Boyd G.D., Kasper H., McFee J.H. Linear and nonlinear optical properties of AgGaS2, CuGaS2 and CuInS2, and theory of the wedge technique for the measurements of nonlinear coefficients // J. Quant. Electron. 1971.-V.7. - P.563-573.

46. Brini R., Schmerber G., Kanzari M., Rezig В., Werckmann J. Growth and optimization by post-annealing of chalcopyrite CUAIS2 compound // Eur. Phys. J. Appl. Phys. -2006. -V.36. P. 11-15.

47. Brisson О., Simonnet A., Darriet В., Launay J.-C. Transmission electron microscopy investigation of AgGaS? single crystals and study of annealing efficiency by electrical conductivity measurements // J. crystal Growth. 1998. - V.193. - P. 597-604.

48. Carlone C., Olego D., Jayaraman A., Cardona M. Pressure dependence of the Raman modes and pressure-induced phase changes in CuGaSe2 and AgGaS2 // Phys. Rev. -1980. V. 22. - N 8. - P.3877-3885.

49. Catella G.C., Burlage D. Crystal growth and optical properties of AgGaS2 and AgGaSe2 // MRS Bull. 1998. -V.7. - P.28-36.

50. Chedzey H.A., Marshall D.J., Parfitt H.T., Robertson D.S. A study of the melt growth of single-crystal thiogallates //J. Phys. D: App. Phys. 1971. - V.4. -P.1320-1324.

51. Chemla D.S., Kupecek P.J., Robertson D.S., Smith R.C. Silver thiogallate, a new material with potential for infrared devices //Opt. Comm. 1971. - V.3. -Nl. - P.29-31.

52. Chen В., Zhu S., Zhao В., Lei Y., Wu X., Yuan Z., He Z. Differential thermal analysis and crystal growth of AgGaS2 // J. Crystal Growth. 2008. - V.310. - N1. - P.635-638.

53. Choi I., Yu P. Y. Optical investigation of defects in AgGaS2 and CuGaS2 // J. Phys. Chem. Solids. 1996,-V. 57.-N 11.-P. 1695-1704.

54. Distanov V.E., Nenashev B.G., Kirdyashkin A.G., Serboulenko M.G. Proustite single-crystal growth by the Bridgman-Stockbarger method using ACRT // J. Crystal Growth. 2002. - V.235. - N1-4. - P.457-464.

55. Dold P., Benz K.W. Rotating magnetic fields: fluid flow and crystal growth applications //Prog. Crystal Growth and Characteristics of Materials. 1999. - V.38. -P.7-38.

56. Elsaesser Т., Seilmeier A., Kaiser W., Koidl P., Brandt G. Parametric generation of tunable picosecond pulses in the medium infrared using AgGaS2 crystals // Appl. Phys.Letts. 1984. - V.44. - P.383-385.

57. Feigelson R.S. The growth of ternary semiconductor crystals suitable for device applications // J. de Physique. 1975. - T.36. - Suppl.9. - Col.3. - P.C3-57-C3-66.

58. Feigelson R.S., Route R. K. Recent developments in the growth of chalcopyrite crystals for nonlinear infrared applications // Opt. Eng. 1987. - V.26. - N2. - P. 113119.

59. Garandet J.P., Alboussiere T. Bridgman growth : modelling and experiments // Prog. In. Crys. Growth and Characterization of Mat. 1999. - V.73. -P.132-159.

60. Hahn V.H., Frank G., Klinger W., Meyer A., Storger G. Uber einige ternare Chalkogenide mit Chalkopyritstruktur // Z. anorg. allg. Chemie. 1953. - Bd. 271. -P. 153-170.

61. Hobden M.V. Optical activity in a non-enantiomorphous crystal AgGaS2 //Acta Crys. -1968.-V.24.-P.676-680.

62. Honeyman W.N. and Wilkinson K.H. Growth and properties of single crystals of group I-III-VI2 ternary semiconductors // J. Phys. D: App. Phys. 1971. - V.4. - P.1182-1185.

63. Isaenko L., Vasilyeva I., Merkulov A., Yelisseyev A., Lobanov S. Growth of new nonlinear crystals LiMX2 (M=A1, In, Ga; X=S, Se, Те) for the mid-IR optics // J. Crystal Growth. 2005. V.275. - N1-2. - P.217-223.

64. Kasper H.M. Formation, stoichiometry and properties of I-II-VI2 semi conducting crystals // Spec. Publ. Natl. Bur. Std. (US). 1972. - V.364. - P. 671-679.

65. Kistaiah P., Venudhar Y.C., Murthy K.S., Iyngar L., Rao K.V.K. X-ray studies on the thermal expansion of silver thiogallate // J. Mater. Sci. 1981. - V. 16. - N5. - P. 14171419.

66. Kokh A.E., Kononova N.G. Crystal growth under heat field rotation conditions // Solid State Electronics. 2000. - V.44. - P.819-824.

67. Kokh A., Kononova N., Lupinski D., Villeval Ph., Durst S., Vlezko V., Kokh K. Growth of high quality large dimension LBO crystals //.„15 International crystal growth conference: Abstracts, Salt-Lake city. - 2007. - P.1208.

68. Kokh A.E., Popov V.N., Bekker T.B., Kononova N.G., Kokh K.AMokrushnikov., P.V. Melt-solution BBO crystal growth under change of the heat field symmetry and its rotation // J. Crystal Growth. 2005. - V.275. - N1-2. - P.e669-e674.

69. Komatsu R., Watanabe N., Komai E., Kitakaze A., Ikeda K. Growth and characterization of silver thiogallate (AgGaS2) crystals by the hydrothermal method. -Jpn. J. Appl. Phys. -2000. V.39. - P.5662-5664.

70. Korzak P., Staff C.B. Liquid encapsulated Chochralski growth of silver thiogallate // J.Crystal Growth. 1974. - V.24-25. - N1. - P.386-389.

71. Kroger F.A. The chemistry of imperfect crystals. Amsterdam: North-Holland Pub. Co. - 1964.-450 p.

72. Lan C.W. Effect of ampoule rotation on flows and dopant segregation in vertical Bridgmancrystal growth//J. Crystal Growth.- 1999.-V. 197. -P.983-991.

73. Lan C.W. Flow and segregation control by accelerated rotation for vertical Bridgman growth of cadmium zinc telluride: ACRT versus vibration // J Crystal Growth. 2005. - V.274. - P.379-386.

74. Lan C.W., Lee I.F., Yeh B.C. Three-dimensional simulation of dopant segregation in vertical Bridgman crystal growth under axial and transversal magnetic fields // J. Crystal Growth. 2003. - V.254. - P.503-515.

75. Le Marec C., Guerin R., Haldenwang P. Radial macrosegregation induced by 3D patterns of solutal convection in upward Bridgman solidification // J. Crystal Growth. -1996. V.169. -P.147-160.

76. Ma R., Zhang H., Larson Jr D.J., Mandal C. Dynamics of melt-crystal interface and thermal stresses in rotational Bridgman crystal growth // J. Crystal Growth. 2004. -V.266. - P.216-223.

77. Matthes H., Viehnmann R., Marschall N. Improved optical quality of AgGaS2 // App. Phys. Lett. 1995. - V.26. - N5. - P.237-239.

78. Matthes H., Vienmann R., Marschall N., Korczak P. Bridgman growth of AgGaS2 with improved optical properties // J. de Physique. 1975. - T.36. - Suppl.9. - Col.3. -P.C3-105-C3-108.

79. Mochizuki K., Niwa E., Iwanaga H.,Masumoto K. Some characteristics of AgGaS2 single crystals grown from the melt // J. Crystal Growth. 1993. - V. 131. - N1-2. - P. 41-48.

80. Niwa E., Masumoto K. Growth of AgGaS2 single crystals by a self-seeding vertical gradient method // J. Crystal Growth. 1998. - V. 192. - N1-2. - P. 354-360.

81. Niwa E., Masumoto K., Yasuda Т., Isshiki M., Gegawa Y. Growth and photo luminescence spectra of high quality AgGaS2 single crystals // 11th Conf. on ternary and multinary compounds: Proceedings. 8-12 Sept. Stanford. P.409-412.

82. Noda Y., Kurasawa Т., Furukawa Y. Growth of AgGaS2 single crystals by chemical transport with halogen // J. Crystal Growth. 1991. - V.l 15. - P.802-806.

83. Noda Y., Kurasawa Т., Sugai N., Furukawa Y. Growth of AgGaS2 single crystals by chemical transport reaction // J. Crystal Growth. 1990. - V.99. -P.757-761.

84. Olekseyuk I.D., Parasyuk O.V., Halka V.O., Piskach L.V., Pankevych V.Z., Romanyuk Ya.E. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S-CdS-Ga2S3 // J. Alloys and Сотр. -2001. -V.325. P. 167-179.

85. Park Y., Kim H., Hwang I., Kim J., Park H. Y., Jin M., Oh S., Kim W. Substitunional site of Co+2 ions in single-crystalline AgGaS2:Co+2 // Phys. Rev. B. 1996. - V.53. -N23. P.53-55.

86. Post E., Kramer V. Crystal growth of AgGaS2 by the Bridgman-Stockbarger and traveling heater methods // J. Crystal Growth. 1993. - V.129. - N3-4. - P. 485-490.

87. Robbins M., Phillips J. C., Lambrecht V. G. Solid solution formation in the system CuMmX2-AgMmX2 // J. Phys. Chem. Solids. 1973. - V.34. - P.1205-1209.

88. Route R.K., Raymakers R.J., Feigelson R.S. Preparation of large untwined single crystals of AgGaS2 // J. Crystal Growth. 1975. - V.29. - P.125-126.

89. Sashitai S.R., Stephens R.R. and Lotspeich J.F. A multilayer AgGaS2 structure for infrared (2-10 цт) electro-optic tunable filters: fabrication and performance // J. Appl. Phys. 1986. - V.59. - N3. - P. 757-760.

90. Scheel H.J. Flux growth of large crystals by accelerated crucible-rotation technique // J. Crystal Growth. 1971.-V.13. -P.304-306.

91. Schunemann P., Setzler S., Pollak Т., Ptak A., Myers T. Defect segregation in CdGeAs2 // J. Crystal Growth. 2001. - V.225. -N2-4. - P.440-444.

92. Singh N.B., Hopkins R.H. and Feichtner J.D. Effect of annealing on the optical quality of AgGaS2 and AgGaSe2 single crystals//J. Mat. Sci. 1986. - V.21. -P.837-841.

93. Sonda P., Yeckal A., Daoutidis P., Derby J.J. Improved radial segregation via the destabilizing vertical Bridgman configuration // J. Crystal Growth. 2004. - V.260. -P.263-276.

94. Tell В., Kasper H.M. Optical and electrical properties of AgGaS2 and AgGaSe2 // Phys. Rev. B. 1971. - V.4. - N12. - P. 4455-4459.

95. Tinoco Т., Polian A., Itie P., Moya E., Gonzalez J. Equation of state and phase transitions in AgGaS2 and AgGaSe2 // J. Phys. Chem. Solids. V.56. - N3-4. - P.481-484.

96. Treser E., Kramer V. Crystal growth of AgGaS2 by the Bridgman-Stockbarger technique using shaped crucibles // J. Crystal Growth. 1993. - V.128. - N1-4. - P. 661-667.

97. Vizman D., Nicoara I., Muller G. Effects of temperature asymmetry and tilting in the vertical Bridgman growth of semi-transparent crystals // J. Crystal Growth. 2000. - V.212. - P,334-339.

98. Weise S., Salk M., Kramer V. The influence of the thermal behaviour of AgGaS2 on the crystal growth process // J. Therm. Anal. 1998. - V.52. - P.17-20.

99. Yamamoto K., Yokota K., Horinaka H. Solid state growth of some I—III—VI2 chalcopyrite crystals// J. Crystal Growth. 1990. - V.99. - Nl^t. - P.747-751.

100. Yeckel A., Compere J., Pandy A., Derby J.J. Three-dimensional imperfections in a model vertical Bridgman system for cadmium zinc telluride // J. Crystal Growth. -2004. V.263. - P.629-642.

101. Yelisseyev A.P., Titov A.S., Lyapunov K.M., Drebushchak V.A., Isaenko L.I., Lobanov S.I. Thermal and thermo-optic parameters of LiInSe2 single crystals // J. Crystal Growth. 2005. - V.275. - N1-2. P.el679-el684.

102. Zawilski K.T., Claudia M., Custodio C., DeMattei R.C., Feigelson R.S. Vibroconvective mixing applied to vertical Bridgman growth // J. Crystal Growth. -2003. V.258. - N1-2. - P.211-222.

103. Zhao В., Zhu S., Yu F., Li H., Gao D., Li Z. Polycrystajline synthesis and single crystal growth of AgGaS2 // Crystal research and technology. 1998. - V.33. - N6. -P.943-948.