Синтез, оптические спектры и стереоатомный анализ структуры сложных халькогенидов, активированных фторидов и оксидов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Исаев, Владислав Андреевич

• Исаев, Владислав Андреевич
• доктор физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Исаев, Владислав Андреевич

Введение

Глава 1. Условия синтеза и оптические спектры сложных 21 халькогенидов и активированных фторидов и оксидов

1.1. Фазовые равновесия, синтез и выращивание 21 монокристаллов в системах сложных халькогенидов и их спектральные свойства

1.2. Спектрально-люминесцентные свойства активированных 46 сред для полуторамикронной генерации излучения

1.3. Каскадная эмиссия фотонов в люминофорах

1.4. Выводы к главе

Глава 2. Условия синтеза и выращивание кристаллов твердых 54 растворов на основе тиогаллата кадмия

2.1. Фазовые равновесия в системах на основе сложных 55 халькогенидов

2.2. Распределение примеси при направленной кристаллизации 61 слитка, имеющего конечные размеры.

2.3. Рост кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата 68 кадмия

2.4. Выводы к главе

Глава 3. Стереоатомный анализ структуры кристаллов

3.1. Основные характеристики полиэдров Вороного-Дирихле

3.2. Основные положения метода пересекающихся сфер

3.3. Применение методов стереоатомного анализа

3.4. Координационные полиэдры CdSn, ZnSn и GaSn в структуре 103 кристаллов

3.5. Выводы к главе

Глава 4. Физические свойства кристаллов твердых растворов на 122 основе тиогаллата кадмия и их взаимосвязь со структурными характеристиками

4.1. Гиротропия и структурные особенности тройных 122 халькогенидов

4.2. Стереоатомный анализ структуры кристаллов области 128 твердых растворов на основе тиогаллата кадмия

4.3. Применение метода пересекающихся сфер и критерий 138 существования изотропной точки в кристаллах

4.4. Оптические свойства кристаллов со структурой 145 халькопирита

4.5. Стереоатомный анализ кристаллов со структурой 155 халькопирита

4.6. Выводы к главе

Глава 5. Спектрально-люминесцентные свойства гранатов, 164 активированных ионами хрома, каскадная эмиссия фотонов в люминофорах и стереоатомный анализ

5.1. Влияние структурных особенностей кристаллических 165 гранатов на величину энергетического зазора AEj3 между возбужденными состояниями 4Т2 и 2Е ионов Сг3+

5.2. Каскадная эмиссия фотонов в люминофорах

5.3. Синтез фторидных и кислородосодержащих 192 люминофоров И спектрально-люминесцентные исследования

5.4. Положение нижнего 5с1-уровня относительно основного 202 состояния 3Н4 иона Рг3+ в различных кристаллических матрицах и стереоатомный анализ структуры исследуемых соединений

5.5. Выводы кглаве

Глава 6. Выращивание, структура и спектрально- 212 люминесцентные свойства силикатов редких земель

6.1. Структура силикатов редких земель, выращивание и 213 некоторые свойства монокристаллов Yb ,Er ,Се : CGS

6.2. Спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов

Er3+,Ce3+:CaGd4(Si04)

6.3. Структура кристаллов CaGd4.x.y.zYbxEryCez(Si04)30 и 226 вероятности мультипольных взаимодействий

6.4. Выводы к главе 6 231 Заключение и выводы 231 Цитируемые источники

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Синтез, оптические спектры и стереоатомный анализ структуры сложных халькогенидов, активированных фторидов и оксидов»

Актуальность проблемы. Одной из фундаментальных проблем физики конденсированного состояния является целенаправленный поиск новых нелинейных и активированных кристаллов с требуемыми характеристиками, основанного на проведении комплексных исследований взаимосвязи структуры и природы химической связи в кристаллах со спецификой процессов поглощения и испускания света, определенным видом энергетической и колебательной структур примесных центров и другими физическими свойствами, которые определяют эффективность работы оптических приборов и устройств на основе кристаллов.

Большое значение для развития квантовой электроники и ее многочисленных ответвлений имеет поиск и детальное исследование новых перспективных материалов, обладающих совокупностью заданных оптических, спектрально-люминесцентных и физико-химических свойств, позволяющих, с одной стороны, значительно улучшить параметры существующих устройств, а с другой - создать элементы принципиально нового типа. Получение материалов с необходимыми свойствами требует изучения фазовых диаграмм, разработку способов синтеза и роста, исследования различных свойств, что приводит к значительным финансовым и временным затратам. Поэтому принципиальное значение приобретают работы, направленные на разработку методов прогнозирования материалов с необходимым набором свойств.

Тиогаллаты со структурами халькопирита и дефектного халькопирита относятся к тройным халькогенидам. Эти соединения обладают нелинейными, акустооптическими, сегнетоэлектрическими, полупроводниковыми свойствами. Большая ширина запрещенной зоны, высокая чувствительность к видимому и ультрафиолетовому излучению, эффекты переключения, памяти и фильтрации одних (твердые растворы на основе CdGa2S4 и AgGaSi) позволяют использовать эти материалы в полупроводниковой технике и оптоэлектронике, а сочетание таких свойств, как прозрачность в широком диапазоне видимого и инфракрасного излучения, большая величина коэффициента нелинейной восприимчивости, двулучепреломление и устойчивость к лазерному излучению для других (твердые растворы на основе HgGa2S4 и AgGaS2) привлекают внимание к этим соединениям как материалам нелинейной оптики - для генерации второй гармоники, параметрического преобразования частот, управления лазерным излучением. Сложный энергетический спектр электронов и анизотропия оптических свойств позволяют создавать на основе халькопиритных кристаллов фотодетекторы, элементы солнечных батарей, когерентные и некогерентные источники поляризованного излучения.

Широкому использованию тройных тиогаллатов в современных приборах препятствуют трудности получения их высококачественных кристаллов. Эти соединения имеют переменный химический состав со сложной формой области гомогенности в координатах Т - X. Распад твердых растворов при низких температурах дополнительно затрудняет выращивание качественных монокристаллов. Поэтому необходимы экспериментальные исследования областей устойчивости халькогенидных соединений со структурой халькопирита и дефектного халькопирита, выяснение оптимальных условий их получения. Кроме того, при разработке приборов и устройств на основе кристаллов со структурой халькопирита необходимо иметь точные сведения об оптических свойствах этих соединений. Открытым, в частности, остается вопрос о механизме трансформации оптических свойств при изменении состава твердых растворов на основе тиогаллата кадмия. Решение этих вопросов важно для прогнозирования соединений с заданной совокупностью свойств и целенаправленного изменения тех или иных параметров различных устройств.

Повышенный интерес к люминофорам и рост исследовательской деятельности в этом направление объясняется возрастающим год от года техническим значением их в различных областях науки и техники. Наиболее широкое применение в последние годы получили люминесцентные лампы дневного света, в которых осуществляется преобразование ультрафиолетового излучения от ртутного разряда в видимое излучение люминофором, нанесенным на внутреннюю поверхность стеклянной трубки. Однако в связи с тем, что в люминесцентных лампах присутствует ртуть, что делает их экологически вредными как при производстве, так и в утилизации, наметилась тенденция к замене ртути в люминесцентных лампах. Кроме того, давление паров ртути при комнатной температуре недостаточно высокое, вследствие чего устойчивое горение лампы происходит не сразу же после включения, что крайне нежелательно для ламп дневного света и делает невозможным использование ртутного разряда в панелях плазменных дисплеев. Альтернативой ртути были предложены благородные газы, в частности смесь газов неона и ксенона. Однако простая замена ртутного разряда на ксеноновый разряд невозможна, так как спектры возбуждения люминофоров, разработанных для ртутного разряда не согласуются со спектром излучения Ne-Xe-разряда, максимум полосы излучения которого приходится на 170 нм, что значительно короче длины волны ртутного разряда X = 254 нм. Это обстоятельство выдвигает более жесткие требования к люминофорам для ламп с Ne-Xe-разрядом, так как прямое преобразование одного кванта света с длиной волны 170 нм в квант видимого излучения с X & 510 нм энергетически не эффективно. Энергетический выход при получении одного кванта видимого диапазона при возбуждении одним квантом вакуумного ультрафиолета очень мал (предел составляет 27%). Проведенные исследования показали, что такой эффект может быть достигнут в кристаллических средах, активированных ионами празеодима. Однако для наблюдения так называемой каскадной люминесценции, когда возбужденный в высокоэнергетическое состояние ион переходит в основное состояние, излучая два фотона видимого диапазона, необходимо, чтобы 'S0 - уровень Рг3+ был расположен ниже дна 5с1-зоны. Так как радиальное распределение 5с1-орбиталей выходит за рамки 5з26р6-оболочек, то положение 5с1-уровней весьма чувствительно к кристаллическому полю, т.е. к химической природе лигандов и их координации вокруг иона Рг3+. В связи с этим особое значение приобретают научные исследования, направленные на изучение спектрально-люминесцентных и структурных свойств широкого круга неорганических материалов с целью выявления закономерностей формирования структуры энергетических уровней.

В системах оптической связи требуются эффективные источники когерентного излучения для обработки, передачи, записи информации. Твердотельные лазеры выгодно отличаются от используемых в этом же качестве светодиодов и диодных лазеров более высокой мощностью излучения, сравнительно малой шириной линии генерации, малой расходимостью выходного излучения, большим сроком службы. При использовании в качестве источника накачки лазерных диодов, спектральная яркость которых в сотни раз превышает яркость газоразрядных ламп, существенно снижаются требования к величине поперечных сечений генерационных переходов и открывается возможность использования «многоцентровых» разупорядоченных лазерных материалов, а также материалов с развитым фононным спектром, формирующих широкие контуры усиления. Предельным случаем разупорядоченной лазерной матрицы с развитым фононным спектром являются некоторые лазерные стекла, например силикатные и фосфатные стекла, активированные редкоземельными ионами, на которых реализованы лазеры высокой эффективности. Однако неудовлетворительные термооптические и теплофизические характеристики стекол накладывают жесткие ограничения на выходные характеристики лазеров на их основе, что делает актуальными работы, направленные на изготовление эрбиевых лазеров на основе кристаллов.

Поэтому для создания высокоэффективных твердотельных лазеров на 1,5 мкм необходима разработка новых лазерных кристаллов, активированных редкоземельными ионами Ег3+.

Основным препятствием на пути создания эффективного полуторамикронного кристаллического эрбиевого лазера является низкая скорость заселения верхнего лазерного уровня. Скорость заселения верхнего лазерного уровня 4Ii3/2 определяется скоростью безызлучательного опустошения расположенного непосредственно над ним уровня 41ц/2- В хорошо зарекомендовавших себя и получивших широкое распространение лазерных матрицах, таких как кристаллические алюминаты, время жизни уровня 41ц/2 составляет величины порядка нескольких сот микросекунд. Уменьшение времени жизни надлазерного уровня может быть достигнуто путем подбора матрицы с определенной протяженностью фононного спектра, а также путем введения в матрицу ионов релаксаторов, опустошающих его за счет мультипольных взаимодействий. Желаемый эффект может быть реализован специальным выбором кристаллов из семейства силикатов редкоземельных и щелочноземельных металлов. Несмотря на удовлетворительные свойства этих кристаллов, в целом они изучены недостаточно и не находят до сих пор широкого применения.- Поэтому выявление связи спектрально-люминесцентных свойств и лазерных параметров кристаллов на основе соединений кремния, активированных ионами Yb3+, Ег3+, Се3+, предназначенных, для активных сред твердотельных лазеров, излучающих в полуторамикронной области спектра с кристаллохимическими характеристиками лигандов, является актуальной проблемой.

Применение кристаллохимического подхода, основанного на установлении связи состав-структура-свойство, позволяет сократить путь от соединения к материалу, пригодному для изготовления оптических элементов приборов и устройств. Однако в рамках классической кристаллохимии атомы в кристаллах рассматриваются как жесткие сферы определенного радиуса. Соотношение шаров различного радиуса определяется химическим и стереохимическим составом вещества. При этом атомам одного и того же химического элемента приписывается не одно, а несколько значений кристаллохимических радиусов, соответствующих разным типам связи. Анализ распределения электронной плотности вокруг атомов показывает, что области пространства, отвечающие в структуре кристаллов отдельным атомам, напоминает многогранник. Приближением, которое позволяет установить форму этого многогранника, является метод полиэдров Вороного-Дирихле. Характеристики полиэдров Вороного-Дирихле в сочетании с методом пересекающихся сфер позволяют расширить область применения кристаллохимического подхода для выявления закономерностей состав-структура-свойство. Однако применение этих методов к областям твердых растворов и активированным кристаллам требует разработки новых подходов и методов.

Таким образом, развитие методов поиска новых материалов для квантовой электроники, позволяющих сократить время и затраты на исследования, является одной из актуальных проблем физики конденсированного состояния.

Цель диссертационной работы состояла в определении условий синтеза широкого круга кристаллических сред и в исследовании связи спектральных свойств выращенных кристаллов на основе сложных халькогенидов, празеодим содержащих сложных оксидов и фторидов, силикатов редких земель со структурными особенностями и природой химической связи в них и разработке методов поиска новых нелинейных и активированных кристаллов с заданными свойствами.

Поставленная цель требует решения следующих основных задач: - поиск и получение методом Бриджмена-Стокбаргера и его модификациями новых монокристаллов твердых растворов на основе тиогаллатов кадмия и ртути, методом Чохральского новых активированных ионами Yb3+, Er3+, Се3+ монокристаллов силикатов редких земель, методом твердофазного синтеза празеодим содержащих сложных оксидов и фторидов, что требует изучения фазовых диаграмм состояния, особенностей синтеза и кристаллизации, рентгенофазовых и рентгеноструктурных исследований;

- комплексное исследование спектров пропускания, люминесценции, кинетик затухания люминесценции синтезированных материалов;

- проведение стереоатомного анализа структурных данных методами полиэдров Вороного-Дирихле и пересекающихся сфер, их развитие их применения на области твердых растворов и сопоставление результатов стереоатомного анализа с полученными данными оптических исследований.

Научные исследования, представленные в настоящей диссертации, частично проведены в ОКБ «Аметист» НПО «Астрофизика» (г. Краснодар) и продолжаются на кафедре экспериментальной физики КубГУ в рамках госбюджетных фундаментальных поисковых и исследовательских НИР: «Экспериментальные исследования спектральных, люминесцентных, кинетических и генерационных свойств активированных кристаллов на основе сложных оксидов и разработка новых высокоэффективных лазерных сред», № ГР 01.9.70 002917; «Выращивание и исследование монокристаллов силикатов и ниобатов с иттербием для создания новых высокоэффективных источников лазерного излучения с длиной волны 1.06 мкм», 2001-2002 г.г., грант по межотраслевой программе сотрудничества Министерства образования Российской Федерации и Министерства обороны Российской Федерации «Научно-инновационное сотрудничество» № ГР 01.2001.19376; «Новые технологии синтеза лазерных монокристаллов с заранее заданными свойствами (с целью создания регионального центра лазерных технологий)», № ГР 01.20.00 0787; «Разработка принципов и создание оптически активных сред для квантовых генераторов, плазменных дисплеев и ламп нового поколения». № ГР 01.9.80 003897.

Научная новизна работы:

- по результатам комплексных исследований впервые установлены условия фазового равновесия в системах CdS-Ga2S3, CdGa2S4-ZnGa2S4, CdGa2S4-MgGa2S4 и CdGa2S4-HgGa2S4, определена область существования твердого раствора со структурой дефектного халькопирита CdixMgxGa2S4;

- разработан новый способ исследования гетерогенных равновесий для систем с летучим компонентом, используемый при построении Р-Т-проекции Р-Т-х диаграммы состояния системы HgS-Ga2S3, позволяющий эффективно вести изучение фазовых равновесий систем со значительным давлением паров летучего компонента;

- впервые аналитически решена задача распределения примеси при направленной кристаллизации слитка, имеющего конечные размеры;

- предложен новый способ роста кристаллов, который заключается в использовании взаимного влияния изоморфных примесей на свойства основной матрицы, и выращены монокристаллы твердого раствора на основе тиогаллата кадмия с требуемыми оптическими свойствами и впервые предложены и выращены модифицированным методом Бриджмена-Стокбаргера кристаллы CdixyZnyGa2S4x, CdixyMgyGa2S4x и Cdi.x yZnxMgyGa2S4 с минимальным разбросом длины волны изотропии по объему кристалла;

- с помощью полиэдров Вороного-Дирихле и метода пересекающихся сфер впервые проведен анализ координации атомов Cd, Ga и Zn в структуре всех известных соединений, содержащих полиэдры CdSn, GaSn и ZnSn;

- на основе модифицированного для твердых растворов стереоатомного анализа структуры кристаллов сложных халькогенидов установлен критерий существования "изотропной точки", базирующийся на определении степени ионности связей в полиэдрах СА2В2, где А — это атомы металлов I или II групп, либо вакансии, В - металлов Ilia группы, С - атомы группы Via, выявлена корреляция между составом твердых растворов на основе тиогаллатов, их структурными характеристиками и длиной волны изотропии;

- синтезированы празеодим содержащие оксиды и фториды, изучены их спектры люминесценции, на основе кристаллохимического анализа широкого круга празеодим содержащих матриц предложен метод прогнозирования кристаллических матриц, в которых демонстрируется каскадная эмиссия фотонов на переходах иона Рг3+;

- выращены монокристаллы CaGcL^SiO^O, активированные ионами Се3+, Yb3+ и Ег3+, впервые исследована их структура и установлена взаимосвязь между их составом, структурными характеристиками и вероятностями мультипольных взаимодействий между ионами эрбия и церия.

Практическая значимость работы:

- в результате исследований разработана научно обоснованная технология получения объемных монокристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия, элементы из которых используются в оптическом приборостроении;

- предложен новый способ исследования гетерогенных равновесий, который найдет свое применение при изучении диаграмм состояния систем с летучим компонентом;

- развит способ выращивания монокристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия с использованием взаимного влияния изоморфных примесей на свойства основной матрицы и результатов решения задачи о распределении примеси при направленной кристаллизации слитка, имеющего конечные размеры, который может быть распространен на другие системы твердых растворов с целью получения кристаллов с заданными свойствами по их длине;

- на примере твердых растворов сложных халькогенидов, силикатов редких земель и празеодим содержащих оксидов и фторидов показаны возможности применения современного стереоатомного анализа на основе полиэдров Вороного-Дирихле и метода пересекающихся сфер для прогнозирования свойств оптических материалов, который расширяет возможности и сокращает пути поиска новых соединений для создания элементов оптических приборов и устройств.

Результаты исследований используются в ОКБ «Аметист» НПО «Астрофизика» и на кафедре экспериментальной физики Кубанского госуниверситета при выполнении научно-исследовательских и опытноконструкторских работ, а также в учебном процессе в курсах «Кристаллография», «Кристаллохимия» и «Рост кристаллов».

Положения и основные результаты, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментального исследования условий фазового равновесия в системах CdGa2S4-MgGa2S4 и CdGa2S4-HgGa2S4, области существования твердых растворов Cdi.xGa2xS2x+b Cdix(Zn,Mg,Hg)xGa2S4 со структурой дефектного халькопирита и способ исследования гетерогенных равновесий для систем с летучим компонентом и Р-Т-проекция Р-Т-х диаграммы состояния системы HgS-Ga2S3, построенная на его основе.

2. Аналитическое решение задачи о распределении примеси при направленной кристаллизации слитка, имеющего конечные размеры, его анализ и утверждение о возможности управления составом выращиваемого кристалла путем управления давлением газовой фазы.

3. Научно обоснованные, базирующиеся на учете взаимного влияния изоморфных примесей на свойства основной матрицы способы выращивания объемных монокристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия с заданными свойствами по их длине и методы поиска таких примесей.

4. Результаты анализа координации атомов Cd, Ga и Zn в структуре известных соединений, содержащих полиэдры CdSn, GaSn и ZnSn.

5. Критерий существования "изотропной точки" в монокристаллах со структурой халькопирита или дефектного халькопирита, определение которого базируется на исследованиях методами стереоатомного анализа и пересекающихся сфер, — степень ионности связей в полиэдрах СА2В2, где А это атомы металлов I или II групп, либо вакансии, В — металлов Ilia группы, С - атомы группы Via, корреляционные зависимости между составом твердых растворов на основе тиогаллатов, их структурными характеристиками и длиной волны изотропии.

6. Метод прогнозирования кристаллических матриц сложных оксидов и фторидов, в которых демонстрируется каскадная эмиссия фотонов на

П I переходах иона Pr , базирующийся на расчете параметра G3 — степени сферичности полиэдров Вороного-Дирихле позиций атомов, замещаемых Рг и стремлении к максимальной степени сферичности.

7. Результаты исследования структуры монокристаллов CaGcL^SiO^O,

Т ! О I активированных ионами Се , Yb и Ег , и взаимосвязи между составом, структурными характеристиками и „ вероятностями мультипольных взаимодействий примесных центров.

Апробация работы. Результаты диссертационного исследования и научные положения работы докладывались и обсуждались на конференциях и совещаниях: 7 Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Москва, 1988), 7 Всесоюзном совещании «Кристаллические оптические материалы» (Ленинград, 1989), Научно-технической конференции «Проблемы развития спутниковой связи» (Москва, 1989), IV Всесоюзной конференции «Термодинамика и материаловедение полупроводников» (Москва, 1989), Всесоюзной конференции «Физика и применение твердотельных лазеров» (Москва, 1990), VI Всесоюзной конференции «Оптика лазеров» (Ленинград, 1990), «1999 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter» (Osaka, Japan, 1999), Sixth International Conference «Actual problems of Solid State Electronics and Microelectronics» (Divnomorckoye, Russia, 1999), Third International Conference «Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat-Mass Transfer»" (ICSC-99 Obninsk, 1999), International Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO/IQEC) (Europe, Paris, 2000), X-th International Conference on «Laser Optics», (St.-Petersburg, 2000), XI семинаре совещании «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2005), XII-XIV Всероссийских конференциях «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2006-2008).

Публикации. Основные результаты диссертации содержатся в 44 работах, 16 из которых опубликованы в изданиях, рекомендованных ВАК РФ для докторских диссертаций, в 4 заявках на изобретение и 4 отчетах о НИР. Общее число опубликованных автором работ составляет 54 наименования.

Личный вклад автора. Содержание диссертации отражает личный вклад автора в проведенные исследования. Постановка экспериментальных и теоретических задач, анализ полученных результатов, выводы и научные положения, выносимые на защиту, принадлежат автору.

Структура и содержание работы.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, ее проблемный характер, сформулированы цель и вытекающие из нее задачи исследований, научная новизна работы, представлены положения и основные результаты, выносимые на защиту, приведена информация о структуре диссертации, апробации работы и основных публикациях.

Первая глава содержит критический обзор публикаций по проблемам исследования диаграмм состояния, синтеза и роста кристаллов, приведены результаты изучения физических и спектральных свойств сложных халькогенидов; люминесценции ионов редкоземельных элементов, кристаллохимического и стереоатомного анализа структуры кристаллов.

Вторая глава посвящена исследованиям фазовых равновесий в системах CdGa2S4-ZnGa2S4, CdGa2S4-MgGa2S4, описан способ исследования гетерогенных равновесий систем с летучим компонентом, позволяющий распространить изучение Р-Т-х диаграмм состояния на область твердого состояния вещества, повысить производительность и информативность экспериментов. Предложенным способом построена Р-Т-проекция диаграммы состояния системы HgS-Ga2S3, вид которой позволяет сделать вывод о конгруэнтном плавлении тиогаллата ртути. Показано, что в системе CdGa2S4-HgGa2S4 наблюдается взаимная растворимость во всем диапазоне концентраций.

Далее во второй главе решена и проанализирована задача о распределении примеси при направленной кристаллизации слитка конечных размеров. В частности показано, что, если в системе имеется летучий компонент, то управление массообменном с газовой фазой позволяет изменять эффективный коэффициент распределения и тем самым контролировать распределение примеси в выращиваемом кристалле. В системе CdS-Ga2S3 уточнены границы области твердых растворов на основе тиогаллата кадмия и установлено, что при 990 °С конгруэнтно плавится состав Cd0.498Ga1.004S2.004, а длина волны изотропии Хо линейно зависит от содержания Ga2S3 в твердом растворе на основе тиогаллата кадмия. Предложены усовершенствования в промышленную технологию роста кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия. Исследовано взаимное влияние пар примесей (ZnGa2S4, Ga2S3) и (ZnGa2S4, MgGa2S4) на оптические свойства тиогаллата кадмия. Доказано, что совместное использование тиогаллата цинка и MgGa2S4 для взаимной компенсации влияния на длину волны изотропии тиогаллата кадмия позволяет расширить диапазон фильтрующих устройств до 880 нм с разбросом не более 0.2 нм по апертуре элемента.

Третья глава посвящена обоснованию одного из современных методов развития кристаллохимического рассмотрения свойств кристаллов -стереоатомного анализа, использующего данные рентгеноструктурного анализа и базирующегося на свойствах полиэдров Вороного-Дирихле. Приведены основные характеристики полиэдров Вороного-Дирихле, исследованы структурные свойства координационных полиэдров ZnSn, CdSn и GaSn в структуре кристаллов. Показано, что в сочетании с другими методами исследований стереоатомный анализ позволяет ускорить и сделать экономически выгодными исследования по обнаружению соединений, обладающих необходимыми физическими свойствами.

В четвертой главе методами стереоатомного анализа установлен критерий существования "изотропной точки" в монокристаллах со структурой дефектного халькопирита. В рамках модели виртуального кристалла рассмотрены структурные особенности кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия, для которых известно о существовании изотропной точки. Показано, что предложенный критерий указывает на вещества со структурой дефектного халькопирита, которые обладают точкой изотропии. Обнаружено, что в системах твердых растворов на основе тиогаллата кадмия наблюдается закономерный рост значений длины волны изотропии с уменьшением объема полиэдра Вороного-Дирихле халькогена.

С целью подтверждения возможности использования предложенного критерия существования изотропной точки и распространения области его применения на основе имеющихся экспериментальных данных для кристаллов со структурой халькопирита (пространственная группа был проведен стереоатомный анализ структуры соединений AgGaS2, AgGaSe2, AgInS2, AgInSe2, CuGaS2, CuGaSe2, CuInS2 и CuInSe2. Показано, что для соединений со структурой халькопирита в системах твердых растворов на основе AgGaS2 наблюдается закономерный рост значений длины волны изотропии с увеличением объема полиэдра Вороного-Дирихле, а существование «изотропной точки» ограничено величиной степени ионности химической связи ц халькогена с элементами, входящими в полиэдр СА2В2. В то время как для соединений со структурой дефектного халькопирита в системах твердых растворов на основе CdGa2S4 наблюдается закономерный рост значений длины волны изотропии с уменьшением объема полиэдра Вороного-Дирихле халькогена с элементами, входящими в полиэдр СпАВ2. Указанное различие объясняется наличием большого числа вакансий в твердых растворах со структурой дефектного халькопирита и характером их взаимодействия с остальными атомами.

Первая часть пятой главы содержит результаты исследований возможностей стереоатомного анализа для предсказания люминесцентных свойств хрома в кристаллах. Известно, что выдающиеся люминесцентные свойства демонстрируют октаэдрически координированные ионы трехвалентного хрома лишь в матрицах либо со средним, либо со слабым кристаллическим полем. На примере исследований зависимости ширины энергетического зазора АЕ13 между возбужденными состояниями 4Т2 и 2Е о 1 иона Сг от структурных особенностей кристаллических гранатов показана возможность использования стереоатомного метода анализа для прогнозирования люминесцентных свойств хрома в кристаллах.

Во второй части пятой главы приведены результаты исследования спектров люминесценции кристаллических фторидов и кислородосодержащих соединений, активированных ионами Pr : SrAli20i9, LaA103, SrB407, LaMgAln019, YA103, LiSrAlF6, SrAlF5, SrF2, SrCIF, LaF3, YF3, KMgF3, BaSiF6, CaS04, BaS04, SrS04, Y2Si05, LaZr3F15. Показано, что кристаллы, активированные ионами празеодима, демонстрируют существенно различные спектры излучения при возбуждении в высоколежащие d - состояния. Все спектры можно условно разделить на две группы. Люминесценция в первой может наблюдаться в матрицах, в которых уровень 1 So расположен значительно ниже уровней 5d-кoнфигypaции, в противном случае в спектрах отсутствует линия, соответствующая первой ступени каскадной эмиссии фотонов. Стереоатомный анализ полиэдров PrFn, показал, что по отношению к атомам фтора атомы празеодима проявляют координационные числа от 6 до 12. Причем полиэдры Вороного-Дирихле большинства атомов Рг искажены, что хорошо согласуется с низкой сайт-симметрией позиций, чаще всего занимаемых атомами металла - Cj, Cs и С2. Объем полиэдров изменяется незначительно в пределах от 11.110 до 12.658

А3.

Доказано, что соединения, активированные ионами празеодима, с наименьшими значениями параметра G3, характеризующего степень сферичности полиэдра Вороного-Дирихле, демонстрируют в своих спектрах первую ступень каскада люминесценции, т.е. именно для них 'sq - уровень расположен ниже дна 5d-30hbi.

Шестая глава посвящена получению и изучению свойств силикат-аппатитов, активированных ионами эрбия, иттербия и церия. Задача получения эффективной генерации в Yb,Er,Ce:CGS состоит в оптимизации состава лазерной среды, поскольку с ростом концентрации Се3+, с одной стороны, растёт скорость заселения лазерного уровня (4Ii3/2) за счет тушения предлазерного уровня (41) 1/2), а с другой стороны, уменьшается эффективное время жизни и, соответственно, населённость верхнего лазерного уровня. Показано, что эволюция населённостей предшествующего лазерному 4ln/z и лазерного А1\т уровней ионов эрбия для кристаллов Yb0.3Er0.03Ce0.8:CGS и Ybo.3Ero.o3-'CGS зависит от концентрации церия.

Далее в шестой главе приведены результаты рентгеноструктурного анализа кристаллов CaCe0.20Er0.36Gd3.34O13Si3Yb0.10, CaCeo.8oEro.o4Gd3.i60i3Si3, CaCe0.4oEro.o5Gd3.560i3Si3. и сопоставлены результаты структурных исследований с полученными данными по спектрам кинетик затухания люминесценции. Установлено, что увеличение концентрации церия ведет к увеличению объема полиэдра Вороного-Дирихле и параметра G3. При этом уменьшается время жизни предлазерного и верхнего лазерного уровней. Итак, по результатам стереоатомного анализа можно предсказывать не только взаимное положение уровней, но и вероятности мультипольных взаимодействий.

В заключении кратко сформулированы основные результаты и выводы диссертационного исследования.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Исаев, Владислав Андреевич

6.4. Выводы к главе 6

1. Впервые методом Чохральского выращены монокристаллы ' CaGd4.x.y.zYbxEryCez(Si04)30 (Yb3+,Er3+,Ce3+:CGS), проанализированы концентрационные зависимости кинетик затухания люминесценции уровней 4S3/2, 41ц/2 и 4Ii3/2 иона Ег3+, проведен рентгеноструктурный анализ кристаллов CaCeo.2oEro.36Gd3.34Oi3Si3Ybo.i(b CaCe0.80Er0.04Gd3.i6Oi3Si3 и

CaCe0.40Er0.05Gd3.56Oi3 Si,.

2. Показано, что увеличение концентрации церия приводит к снижению времени затухания люминесценции уровней 4S3/2, 41ц/2 и 41хз/2 иона Ег3+ в кристаллах Er,Ce:CGS вследствие безызлучательного взаимодействия Ег—>Се, а допирование Yb увеличивает время затухания люминесценции лазерного уровня 4Ii3/2

3. Доказано, что по результатам стереоатомного анализа появляется возможность оценить времена жизни уровней, т.е. предсказать вероятности мультипольных взаимодействий.

Заключение и выводы

1. Проведены исследования фазовых равновесий в системах CdGa2S4-ZnGa2S4, CdGa2S4-MgGa2S4 и CdGa2S4-HgGa2S4, в результате которых установлено, что в системах CdGa2S4-ZnGa2S4 и CdGa2S4-HgGa2S4 наблюдается непрерывный ряд твердых растворов на основе тиогаллата кадмия, причем параметры элементарной ячейки изменяются линейно от а=5.547±0.001 А, с=10.168±0.002 А для CdGa2S4 до а = 5.524 А, с = 10.196 А" для Cdo,9Zn0,iGa2S4 и до 5.510±0.001 А, с=10.240±0.002 А для HgGa2S4 соответственно. В системе CdGa2S4-MgGa2S4 область существования твердого раствора со структурой дефектного халькопирита CdixMgxGa2S4 ограничена и при температуре 966±0.5 °С максимальна, достигая 45 мол. % MgGa2S4. Параметры тетрагональной решетки изменяются от а=5.547±0.001 А, с=10.168±0.002 А для CdGa2S4 до а = 5.521±0.001 А, с = 10.162±0.002 А для Cd0.55Mg0.45Ga2S4. Также выявлено, что конгруэнтное плавление твердых растворов на основе тиогаллата кадмия в системе CdS-Ga2S3 наступает при температуре 990 °С и соответствует химическому составу Cdo.49sGa1.004S2.004

2. Предложен способ исследований гетерогенных равновесий систем с летучими компонентами, представляющий собой одновременный отжиг исследуемой системы переменного химического состава (из-за градиента температуры по образцам) при постоянном давлении (температура летучего компонента постоянна). Использование предлагаемого способа исследования гетерогенных равновесий систем с летучим компонентом позволяет распространить исследования на область твердого состояния вещества, повысить производительность и информативность (несколько экспериментов позволяют построить Р-Т-проекцию диаграммы состояния; выбором градиента температуры по образцам и температуры, определяющей давление летучего компонента, можно производить исследования с требуемой точностью). Указанный способ был использован при исследовании Р-Т-проекции диаграммы состояния системы HgS-Ga2S3, в результате которого доказано, что диаграмма HgS-Ga2S3 относится к системам с двойной эвтектикой с твердыми растворами на основе соединения HgGa2S4.

3. Основываясь на результатах аналитического решения задачи о распределении примеси при направленной кристаллизации слитка, имеющего конечные размеры, как без учета взаимодействия расплава с газовой фазой, так и с его учетом, показано, что полученное распределение существенно отличается от описываемого формулой Релея. В частности, учет влияние скорости движения границы раздела фаз жидкость - твердое тело приводит к уменьшению величины Cs(l) -Cs(0) , характеризующей усредненную по длине кристалла неравномерность распределения примеси по сравнению с соответствующей величиной для бесконечно малой скорости роста, при которой распределение примеси описывается формулой Рэлея. Эффект уменьшения неравномерности распределения примеси по длине кристалла объясняется тем, что при конечной скорости роста концентрация примеси в жидкой фазе непосредственно перед фронтом кристаллизации будет отличаться от концентрации примеси в остальной части расплава за счет того, что диффузия примеси в жидкой фазе не успевает выравнивать разность концентраций вблизи фронта кристаллизации, возникающую вследствие эффекта сегрегации примеси. Кроме того, анализ решения указывает на возможность управления составом выращиваемого кристалла путем регулирования процесса испарения из расплава летучего компонента (при выращивании кристаллов тиогаллата ртути таковым является сульфид ртути).

4. Разработаны способы выращивания кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия с требуемыми оптическими свойствами, базирующиеся на использовании взаимного влияния изоморфно вводимых примесей на значение длины волны изотропии, и впервые синтезированы указанные монокристаллы. Исследования показали, что коэффициенты распределения Mg, замещающего Cd, CdS и Ga2S3 в тиогаллате кадмия, меньше единицы, что ведет при направленной кристаллизации к их недостатку в начале кристалла и увеличению их концентрации в верхней части кристалла. Коэффициент распределения Zn больше единицы, поэтому большая его часть скапливается в начале кристалла. При этом увеличение содержания CdS ведет к снижению значений длины волны изотропии, a Mg, Zn и Ga2S3 - к их увеличению. Сочетание этих свойств и позволяет управлять составом и свойствами выращиваемых кристаллов. В частности, одновременное легирование матрицы CdGa2S4 магнием и цинком позволяет вырастить монокристаллы, пригодные для изготовления оптических элементов фильтрующих устройств с ^о от 492.7 нм до 880 нм с разбросом не более 0.2 нм по апертуре элемента. Кроме того, показано, что увеличение высоты и диаметра кристаллов тиогаллата кадмия и твердых растворов на их основе, выращиваемых в направлении [112], использование покрытия кварцевого контейнера для выращивания триоксидом бора ведет к повышению однородности и улучшению оптического качества монокристаллов.

5. В результате стереоатомного анализа координации атомов Cd, Ga и Zn в структуре известных соединений, содержащих полиэдры CdSn, GaSn и ZnSn, установлено, что атомы Cd по отношению к атомам серы могут проявлять КЧ 3, 4, 5 или 6. Наиболее характерна для атомов Cd тетраэдрическая координация. Согласно полученным данным, в зависимости от КЧ и формы координационных полиэдров атомов Cd объем (Упвд) их полиэдров ВД изменяется в пределах от 19 до 23 А3. В структуре изучаемых соединений безразмерный параметр G3, характеризующий степень сферичности полиэдров ВД атомов Cd (для сферы G3=0.077), изменяется от 0.080 до 0.094. Наименьшее среднее значение G3 имеют атомы Cd с октаэдрической координацией, для которых оно совпадает с теоретическим значением 0.083 для правильного октаэдра. Максимальные значения G3 (в среднем 0.088(3)) соответствуют атомам Cd с тетраэдрической координацией. При этом для всех атомов Cd с КЧ 4 реальная величина G3 меньше теоретического значения 0.104 для идеального тетраэдра, что можно считать следствием влияния невалентных взаимодействий Cd/Z.

Аналогичные расчеты для полиэдров ZnSn показывают, что в зависимости от КЧ и формы координационных полиэдров атомов Zn объем их полиэдров ВД изменяется в пределах от 16 до 18.5 А3. Безразмерный параметр G3 изменяется от 0.081 до 0.099. Наименьшее среднее значение G3 имеют атомы Zn с октаэдрической координацией, для которых оно совпадает с теоретическим значением 0.083 для идеального октаэдра. Максимальные значения G3 (в среднем 0.089) соответствуют атомам Zn с треугольной, тетраэдрической или тригонально-призматической координацией.

Для координационных полиэдров GaSn в структуре кристаллов в зависимости от КЧ и степени окисления объем полиэдров ВД атомов Ga (Упвд) изменяется в широких пределах от 14.7 до 21.1 А3. Отметим, что для атомов Ga(III) с КЧ 6 и 3 значения К^д практически совпадают (соответственно 1.522 и 1.529А), тогда как для Ga(III) с КЧ 4 Б^сд увеличено в среднем до 1.64А. Этот факт связан со сравнительно сильным искажением в структуре кристаллов как линейных, так и угловых параметров тетраэдров GaS4.

Параметры полиэдров ВД являются важными интегральными характеристиками атомов в структуре кристаллов. Поэтому их существенное отклонение от среднего значения для атомов некоторого элемента с фиксированной природой атомов первой координационной сферы позволяет легко выявлять ошибки в кристаллоструктурной информации.

6. Доказано, что оптические свойства изоструктурных соединений со структурой дефектного халькопирита зависят от степени ионности связей металл - халькоген. В частности, точкой изотропии обладают вещества только с относительно высокой степенью ионности связей М-Х (ja>0.15). У веществ же со сравнительно небольшой степенью ионности связей М-Х (р<0.15) точка изотропии отсутствует. Указанный выше критерий позволяет определить границы существования изотропной точки для твердых растворов на основе тиогаллата кадмия. Так, для твердых растворов Cdi„xZnxGa2S4 при х <0.2, параметр р > 0.15, и поэтому такие твердые растворы, как и CdGa2S4, должны обладать точкой изотропии, что нами экспериментально подтверждено данными для образцов с х<0.072. Аналогичные расчеты для систем твердых растворов CdGa2S4 - HgGa2S4, CdGa2S4 - CdGa2Se4, и CdGa2S4 - CdGa2Te4 показывают, что предельные соединения Cd0>68Hg0,32Ga2S4, CdGa2S3,76Seo(24, CdGa2S3)94Teo)o6 должны обладать изотропной точкой. Действительно, для соединения CdGa2S3)92Se0)08 длина волны изотропии Ло равна 654 нм, в то время как кристаллы CdGa2Se4 не обладают изотропной точкой.

Анализ рассчитанных данных показывает, что такие характеристики, как объем полиэдров Вороного - Дирихле, объем координационного полиэдра и площадь поверхности ПВД всех атомов, входящих в структуру Cdi.xGa2xSe2x+b уменьшаются линейно с увеличением концентрации Ga2S3. Учитывая, что для кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия в системе CdS — Ga2S3 наблюдается линейный рост положения изотропной точки с увеличением концентрации Ga2S3, можно сделать вывод о том, что уменьшение объема полиэдра Вороного-Дирихле атома серы закономерно ведет к увеличению значений длины волны изотропии в кристаллах со структурой дефектного халькопирита.

Аналогичные исследования для систем CdGa2S4-ZnGa2S4 и CdGa2S4 -MgGa2S4 показывают, что для кристаллов твердых растворов на основе тиогаллата кадмия наблюдается нелинейный рост положения изотропной точки с увеличением концентрации цинка и магния. А объем полиэдров Вороного - Дирихле также нелинейно уменьшается, т.е. можно сделать вывод о том, что уменьшение объема полиэдра Вороного-Дирихле атома серы закономерно ведет к увеличению значений длины волны изотропии, как и для кристаллов твердых растворов на основе CdGa2S4 в системе CdS

Ga2S3.

В случае изоструктурных халькогенидов типа AIBIIIXVI2 со структурой халькопирита и твердых растворов на их основе, например AgGaJni^S2 и AgGaCSi^Se^, как и для АПВШ2ХУ14, величина р > 0.15 также только для кристаллов, обладающих изотропной точкой. В исследованных изоструктурных соединениях максимальная величина р и, как следствие, максимальный отрицательный заряд 8" на атомах халькогена отвечают кристаллам AgGaS2, AgInS2, AgInSe2, CuInS2, обладающим точкой изотропии. Изучение зависимости объема полиэдров Вороного-Дирихле от концентрации индия и селена в AgGaS2 показывает, что введение и индия, и селена в AgGaS2 приводит к увеличению объема ПВД. При этом увеличение содержания индия и селена ведет к повышению значений длины волны изотропии.

Итак, представленные результаты дают основание считать, что параметр р позволяет выявлять кристаллы, обладающие точкой изотропии, при кристаллохимическом анализе соединений (или твердых растворов на их основе), для которых гиротропные свойства разрешены их симметрией.

7. Синтезированы и проведены исследования спектров люминесценции следующих кристаллических фторидов и кислородосодержащих соединений, о 1 активированных ионами Рг : SrAl120i9, LaA103, SrB407, LaMgAlu019, YA103, LiSrAlF6, SrAlF5, SrF2, SrCIF, LaF3, YF3, KMgF3, BaSiF6. Проанализированы, кроме того, спектры люминесценции CaS04, BaS04, SrS04, Y2Si05, LaZr3F15. Проведен стереоатомный анализ полиэдров PrFn, который показал, что по отношению к атомам фтора атомы празеодима проявляют координационные числа от 6 до 12. Причем наиболее характерными являются координационные числа 9 (37.5 %), 8 (31.3 %) и 10 (18.8 %). Полиэдры Вороного-Дирихле большинства атомов Рг искажены, что хорошо согласуется с низкой сайт-симметрией позиций, чаще всего занимаемых атомами металла - Сь Cs и С2. Объем полиэдров изменяется незначительно в пределах от 11.110 до 12.658 А3.

Имеющиеся данные показывают, что у фторидов максимальное значение параметр G3 имеет позиция атома Sr (G3= 8.304*10'2, КЧ=9) в SrFCl, а минимальное - позиция атома К (G3=7.875*10"2, КЧ=12) в KMgF3 и Ва

2 1 (G3=7.850*10" , КЧ=12) в BaSiF6. При этом So-люминесценция празеодима наблюдается для соединений LiSrAlF6, SrAlF5, LaF3, YF3, KMgF3, LaZr3Fi5 и

BaSiFe, а для SrF2 и SrCIF она отсутствует. Таким образом, степень сферичности, полиэдра Вороного-Дирихле определяет возможность того или иного соединения демонстрировать первую ступень каскадной люминесценции для празеодима. Более того, для,фторидов просматривается связь между параметром G3 и величиной красного сдвига D(A). Установлено, что соединения LaZr3Fi5 и BaSiF6 являются перспективными для демонстрации первой ступени каскадной люминесценции празеодима, что и наблюдается для LaZr3Fi5.

Максимальным значением параметра G3 у кислородосодержащих соединений (9.182*10"2) обладает атом Y\ (КЧ = 8) в Y2Si05, а наименьшее G3 (7,886*10"2 и 7,898*10"2) принадлежит атомам Sr (КЧ = 7) в SrB407 и в-SrAli20i9 (КЧ = 12). Последние два соединения, активированные ионами празеодима, демонстрируют первую ступень каскадной люминесценции, т.е. переход'S0'l6.

Таким образом, доказано, что именно соединения, активированные ионами празеодима, с наименьшими значениями параметра G3, демонстрируют в своих спектрах каскадную люминесценцию, т.е. именно для них 'S0 - уровень расположен ниже дна 5с1-зоны.

8. Впервые методом Чохральского выращены монокристаллы CaGd4-x-y-zYbxEryCez(Si04)30 (Yb3+,Er3+,Ce3+:CGS), проанализированы-концентрационные зависимости кинетик затухания люминесценции уровней 4S3/2, 4Ii i/2 и 4Ii3/2 иона Ег3+, проведен рентгеноструктурный анализ кристаллов CaCeo.2oEro.36Gd3.340,3Si3Ybo.io, CaCe0.8oEro.o4Gd3.i60i3Si3 и

GaCeo.4oEro.o5Gd3.56Oi3Si3. Установлено, что увеличение содержания церия ведет к увеличению параметров решетки и смещению атомов Gd(l); Si, 0(1) и 0(2) в плоскости хоу, а 0(3) - вдоль всех осей. Атом 0(4) своих координат не изменяет, позиция Сз, занимаемая атомами Са(1), Gd(2), Се(1), Ег(1) и Yb(l), претерпевает смещение только вдоль оси z. Допирование Yb снижает значение параметров ячейки, а смещение атомов происходит таким же образом, как и при замещении церием. Кроме того, увеличение концентрации церия ведет к увеличению объема полиэдра Вороного-Дирихле и параметра G3, а введение иттербия приводит к снижению объема и к увеличению G3. Увеличение концентраций церия и иттербия уменьшает смещение ядра атома из центра тяжести его полиэдра.

Вместе с тем увеличение концентрации церия приводит к снижению времени затухания люминесценции уровней 4S3/2, 41ц/2 и 4Ii3/2 иона Ег3+ в кристаллах Er,Ce:CGS вследствие безызлучательного взаимодействия Ег—>Се, а допирование Yb увеличивает время затухания люминесценции лазерного уровня А1\ъц.

Итак, поскольку изменение времени жизни с введением той или иной примеси связано с безызлучательными взаимодействиями между примесными центрами, а в нашем случае спектры поглощения и излучения примесных центров с изменением их концентрации не изменяются и отсутствует миграция энергии, то вероятность мультипольных взаимодействий пропорциональна концентрации акцепторной примеси (Се). В свою очередь объем полиэдра Вороного-Дирихле также пропорционален концентрации примеси, следовательно, по результатам стереоатомного анализа появляется возможность оценить времена жизни уровней, т.е. предсказать вероятности мультипольных взаимодействий.

9. В результате проведенных исследований показано, что применение современного анализа структуры кристаллов на основе полиэдров Вороного-Дирихле и метода пересекающихся сфер расширяет возможности прогнозирования их свойств и сокращает пути поиска новых соединений для создания элементов оптических приборов и устройств.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Исаев, Владислав Андреевич, 2009 год

1. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Чижевская С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М. Наука. 220 с.

2. Радауцан С.И., Дерид Ю.О., Житарь В.Ф., Дерид О.П., Троценко Н.К., Тюлюпа А.Г. Диаграмма системы CdS-Ga2S3. //Докл. АН СССР. Физическая химия. 1982. Т. 267. № 3. с. 673 675.

3. Olekseyuk I.D., Parasyuk O.V., Halka V.O., Piskach L.V., Pankevych V.Z., Romanyuk Y.E. Phase equilibria in the quasi-ternary system Ag2S-CdS-Ga2S3. //Journal of Alloys and Compounds. 2001. V. 325, Issues 1-2. P. 167-179.

4. Pardo M.P., Flahaut J. Systeme Ga2S3-CdS etude cristallographique -diagramme de phase. //Materials Research Bulletin. 1984. V. 19, Issue 6. P. 735743.

5. Бадиков B.B., Матвеев И.Н., Панютин В.Л., Пшеничников С.М., Репяхова Т.М., Рычик О.В., Розенсон А.Э., Троценко Н.К., Устинов Н.Д. Выращивание и оптические свойства тиогаллата ртути. //Квантовая электроника. 1979 т. 21. №8. с. 1807-1810.

6. Бадиков В.В., Матвеев И.Н., Пшеничников С.М., Рычик О.В., Троценко Н.К., Устинов Н.Д., Щербаков С.И. Выращивание и нелинейные свойства HgGa2S4. //Квантовая электроника. 1980 т. 7. №10. с. 2235-2237.

7. Ильяшева Н.А., Ненашев Б.Г., Синяков И.В., Синякова Е.Ф. Изучение системы HgS Ga2S3 методом направленной кристаллизации. //В кн.: Физико-химические исследования сульфидных и силикатных систем. Новосибирск. 1984. с. 15 - 21.

8. Ильяшева Н.А., Синякова Е.Ф. Ненашев Б.Г. Диаграмма состояния системы HgS Ga2S3. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985 т. 21 №11 с 1860-1864.

9. Синякова Е.Ф., Ильяшева Н.А. Изучение системы Hg Ga-S. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986 т. 22 №10 с 1625-1629.

10. Рычик О.В. Выращивание тиогаллата ртути и исследование его оптических свойств. В кн.: Оптические свойства и условия роста тиогаллатов серебра и ртути. Под научной редакцией Н.Д. Устинова. Деп. В ВИНИТИ. Краснодар. 1982. стр. 90 123. 13.10.82. №6319-82.

11. Ненашева С.Н., Синякова Е.Ф. Фазовая диаграмма разреза Ag2S-Ga2S3. //Неорган, материалы. 1983. Т. 14. № 5. с. 1622-1625.

12. G. Brand and V. Kramer. Phase equilibrium in the quasi-binary system Ag2S Ga2S3 //Mater. Res. Bull. 1976. V.ll. pp. 1381-1388.

13. Боднарь И.В., Ворошилов Ю.В., Кароза А.Г. и др. Исследование системы AgGaS2 AgGaSe2. //Неорган, материалы. 1979. Т. 15. № 5. с. 763 -765.

14. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М. Сов. радио, 1968. 267 с.

15. Бергер Л.И., Прочухан В.Д. Тройные алмазоподобные полупроводники. М. Металлургия. 1968. 151 с.

16. Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю. Аноксидные материалы для электронной техники. Львов. Изд во при Львовском университете. 1989. 200 с.

17. Житарь В.Ф., Дону B.C., Вальковская М.И., Мариус М.М. Получение и некоторые физические свойства соединений CdGa2S4(Se4)./AI>H3HKa и химия сложных полупроводников. Кишинев. 1975. 253 с.

18. Feigelson R.S., Route R. К. Crystal growth and optical properties of CdGa2S4. //Progress in Cristal Growth and Characterization. 1984. V. 10. P 189197.

19. Schunemann P. G. and Pollak Т. M. Synthesis and growth of HgGa2S4 crystals. //J. Cryst. Growth. 1997. V. 174(1^1), P. 278-282.

20. Beun J. A., Nitsche R. and Lichtensteiger M. Optical and electrical properties of ternary chalcogenides. //Physica. 1961. V. 27(5). P. 448-452.

21. Krausbauer L., Nitsche R., Wild P. Mercury Gallium Sulfide, HgGa2S4, a New Phosphor. //Physica. 1965. V. 31. P. 113-121.

22. Petrov V. and Rotermund F. Application of the solid solution CdxHgixGa2S4 as a nonlinear optical crystal. //Opt. Lett. 2002. V. 27(19), P. 17051707.

23. Petrov V., Badikov V., Panyutin V., Shevyrdyaeva G., Sheina S. and Rotermund F. Mid-IR optical parametric amplification with femtosecond pumping near 800 nm using CdxHg!xGa2S4. //Opt. Commun. 2004. V. 235(1-3). P. 219226.

24. Paniutin V. L., Ponedelnikov В. E., Rosenson A. E. and Tchijikov V. I. Structures de bande des solutions solids Cdi-xHgxGa2S4 et CdGa2fSi-xSeJ4. //J. Physique. 1980. V. 41(9), P. 1025-1029.

25. Hopfield J.J., Thomas D.G., Polari'ton absorption lines. //Phys. Rev. Lett. 1965. V. 15. № l.P. 22-24.

26. Бокуть Б.В., Сердуков A.H. Основы теоретической кристаллооптики. Гомель. 1977. Ч 1. 94 с.

27. Henry C.H. Coupling of electromagnetic waves in CdS. //Phys. Rev. 1966. V. 143, №2. P. 627-633.

28. Сусликов JI.M., Сливка В.Ю., Лисица М.П. Твердотельные оптические фильтры на гиротропньк кристаллах. Киев. 1998. с. 293.

29. Ландсберг Г.С. Оптика: Учебн. пособые. М.: Наука, 1976. 926 с.

30. Laurenti J.P., Vaigot P., Rouzeyre M. Filtres optiques a couplage de modes polarises. //Phys. Rev. Appl 1977. T.12, № 11. P. 1755-1766.

31. Кузьмин О.В., Мартынов А.А., Панютин В.Л., Чижиков В.И. Основы кристаллооптики. Линейные эффекты. Учеб. пособие. Краснодар, 1997, 180 с.

32. Шаскольская М.П. Кристаллография: Учебн. пособие. 2-е изд., перераб. и доп. М. Высшая школа, 1984. 376 с.

33. Ярив А. Квантовая электроника и нелинейная оптика. М. Сов. радио, 1973. 456 с.

34. Цернике Ф., Мидвинтер Дж. Прикладная нелинейная оптика. М. Мир, 1976. 261 с.

35. Czyzalc S.J., Crane R.C., Bienewski Т.М. Dichroism in essentially pure and activated cadmium sulfide crystals. //J.Opt. Soc. Amer. 1959. V. 49, N5. P. 485-488.

36. Соловьев Л.Е., Рудаков B.C. Явление псевдопересечения дисперсионных кривых. //Вести.ЛГУ. 1968. №4. с. 23-26.

37. Bond W.L. Measurement of the refractive indexes of several crystals. //J. Appl. Phys. 1965. V. 36, № 5. P. 1674-1677.

38. Park Y.S., Schneider J.R. Index of refraction of ZnO. //J. Appl. Phys. 1968. V. 39, № 7. P. 3049-3052.

39. Шалдин Ю.В., Белогуров Д.А. Об измерении двупреломления методом интерференции поляризованных лучей в кристаллах с точкой Дп=0, лежащей в области прозрачности. //Оптика и спектроскопия. 1974. Т.36, № 3. С. 599-600.

40. Chandrasekharan V., Damany H. Anomalous dispersion of birefringence of sapphire and magnesium fluoride in the vacuum ultraviolet. //Appl. Opt. 1969. V. 8, № 3. P. 671-675.

41. Laurenti J.P., Rustagi K.C., Rouzeyre M. Graded-composition semiconductors as tunable narrow-band optical filters. //J. Appl. Phys. 1977. V.48, № l.P. 203-204.i

42. Laurenti J.P., Rustagi K.C., Rouzeyre M. Optical filters using coupled light waves in mixed crystals. //J. Appl. Phys. Lett. 1976. V.28, № 4. P. 212-213.

43. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrite semiconductors: Growth, electronic properties and applications. Oxford: Pergamon Press, 1975. 245 p.

44. Hobden M.V. Optical activity in an non-enantiomorphous crystal: AgGaS2.//Acta Cryst. 1968. V. A24, № 3. P. 676-680.

45. Сусликов JI.M., Гадьмаши З.П., Ковач Д.Ш. Дисперсия показателей преломления и двулучепреломления тиогаллата кадмия. //Оптика и спектроскопия. 1982. Т.53, № 3. С. 480-488.

46. Bound G.D., Kasper Н.М., McFee J.H. Linear and nonlinear optical properties of AgGaS2, CuGaS2 and CuInS2 and theory of the wedge technique for the measurements of nonlinear coefficients. //IEEE J. Quant. Electr. 1971. V. QE7,№ 12. P. 563-573.

47. Bound G.D., Kasper H.M., McFee J.H., Storz F.G. Linear and nonlinear optical properties of some ternary selenides. //IEEE J. Quant. Electr. 1972. V. QE8, № 12. P. 900-908.

48. Berkowski M., Borowiec M.T., Rataj K. Absorption and birefringence of BaLaGa307 single crystals. //Physica B. 1984. V. 123, № 1. P. 215-219.

49. Hobden M.V. Optical activity in an non-enantiomorphous crystal of class 4: CdGa2S4. //Acta. Cryst. 1969. V. A25, № 2. P. 633-638.

50. Баранец И.В., Зильберштейн A.X., Соловьев Л.Е. Двупреломлемие в кристаллах с изотропной точкой и определение сил осцилляторов экситонов в CdS методом "крюков" Рождественского. //Оптика и спектроскопия. 1974. Т.37, № 2. с. 285-287.

51. Barker A.S., London R. Dielectric properties and optical phonons in LiNb03. //Phys. Rev. 1967. V. 158, № 2. P. 433-445.

52. Abrahams S.C., Bernstein J.L. Crystal structure of piesoelectric nonlinear-optic AgGaS2. //J. Chem. Phys. 1973. V.59, № 4. P. 1625-1629.

53. Kraemer V., Siebert D., Febbraro S. Structure refinement of cadmium gallium selenide CdGa2Se4. //Zeitschrift fuer Kristallographic. 1984. V.169. P. 283-287.

54. Kshirsagar S.T., Sinha A.P.B. Crystallographic studies of some mixed thiogallate semiconductors. //J. Mat. Sci. 1977. V. 12, № 12. P. 2441-2446.

55. Mamedov K.K., Aliev M.M., Kerimov C.G., Nani R.Kh. Optical properties of CdGa2S4. //Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V.9, № 1. P. K149-K150.

56. Diehl R., Carpentier C. The structural chemistry of indium phosphorus chalcogenides. //Acta Cryst. 1978. V. 34, № 4. p. Ю97-1105.

57. Фольберт О.Г. Химическая связь в соединениях АШВУ. Полупроводниковые соединения АШВУ. Под. ред. Р. Виллардсона и X. Геринга. М.Ил. 1967. с. 37-55.

58. Snitzer Е., Woodcock R. Yb3+-Er3+ Glass Laser. //Applied Physics Letters, 6, №3, 1 February 1965, p.45-46

59. Алексеев Н.Е., Гапонцев В.П., Жаботинский М.Е., Кравченко В.Б., Рудницкий Ю.П. //Лазерные фосфатные стёкла. Под ред. Жаботинского М.Е. М.: Наука, 1980, с.284

60. Каминский А. А., Антипенко Б.М. Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров. М.: Наука, 1989, 270 стр.

61. Родный П.А. Каскадная эмиссия фотонов в люминофорах. //Оптика и спектроскопия. 2000. т. 89. № 4. с. 609-616.

62. Каминский А.А. Спектроскопические исследования стимулированного излучения кристаллов CaF2-YF3, активированных ионами Ег3+. //Оптика и спектроскопия. 1971. т. 31. с. 938-943.

63. Каминский А.А. Каскадные рабочие схемы ОКГ на основе активированных кристаллов. //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1971. № 7. с. 904-907.

64. Каминский А.А. Лазерные кристаллы. М. Наука. 1975. 256 с.

65. Каминский А.А., Аминов Л.К., Ермолаев В.Л. и др. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. М. Наука. 1986. 272 с.1. О I

66. Srivastava A.M., Duclos S.J. On the luminescence of YF3-Pr under vacuum ultraviolet and X-ray excitation. //Chemical physics latters. 1997. V. 275. p. 453-456.

67. Piper W.W., DeLuca J.A., Ham F.S. Cascade fluorescent decay in Pr3+-doped fluorides: achievement of a quantum yield greater than unity for emission of visible light. //J. of luminescence. 1974. V.8. P. 344-348.

68. Lottici P.P., Antonioli G., Razzetti C. EXAFS in ZnxCdi.xGa2S4 defect chalcopyrite solid solution. //Phys. Status Solidi. 1988. 145. № 2. P. 401-407.

69. Razzetti С., Lottici P.P., Zanotti L., Curti M. A raman study of compositional disorder in defect chalcopyrites. //Phys. Status Solidi. 1983. В 118. № 2. P. 743-749.

70. Исаев В.А., Аванесов А.Г., Сережкин В.Н. Системы CdGa2S4 -MGa2S4 (M=Zn, Mg) и гиротропные кристаллы на основе тиогаллата кадмия. // Ж. неорган, химии. 2008. Т. 53. № 7. с. 1219-1224.

71. Уэйлес С. Фазовые равновесия в химической технологии. М. 1989.4.1-2. 304 с.

72. Новоселова А.В. Методы исследования гетерогенных равновесий. М. 1980. 157 с.

73. Зломанов В.П. Р-Т-х диаграммы двухкомпонентных систем. М.1980. 151 с.

74. А.с. 822633 СССР. МКИ4 G 01 № 25/02. Способ исследования гетерогенных равновесий. Гамазов А.А., Дятлов В.Н. № 2865599/18-25.

75. А.с. 1093093 СССР. МКИ4 G 01 № 25/02. Устройство для определения параметров гетерогенных равновесий. Гамазов А.А., Дятлов В.Н. Моцарь А.К., Тыртышная Н.Е. № 3378441/18-25.

76. Положительное решение по заявке № 4741830 СССР. МКИ5 G 01 № 25/02. Способ определения границ фазовых полей. Попов В.В., Исаев В.А. Заявка от 02.08.89.

77. Кулаков М.П. Температура плавления и давление паров HgS. //Неорганические материалы. 1975. Т. 11. № 3. с. 462-468.

78. Исаев В.А., Акопов Е.К. Тройные системы на основе кадмия, ртути, галлия, серы и условия выращивания монокристаллов со структурой дефектного халькопирита. Четвертая Всесоюзная конференция

79. Термодинамика и материаловедение полупроводников». Тезисы докладов. М. 1989. с. 219.

80. Аванесов А.Г., Исаев В.А., Лебедев В.А., Строганова Е.В. Рост кристаллов. Методы выращивания и свойства кристаллов. Учебное пособие. Краснодар. 2005. 53 с.

81. Вигдорович В.Н., Вольпян А.Е., Курдюмов Г.М. НаправленнаяУкристаллизация и физико-химический анализ. М. Химия. 1976. 200 с.

82. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М. Металлургия. 1982. 352 с.

83. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов. М. 1976. 253 с.

84. Мамян А.Л., Налбандян О.Г. Распределение примеси при периодических подплавлениях. //Изв. АН АССР. Физика. 1981. Т. 16. с. 462468.

85. Киргинцев А.Н., Исаенко Л.И., Исаенко В.А. Распределение примеси при направленной кристаллизации. Новосибирск. Наука. 1977. 256 с.

86. Исаев В.А., Тумаев Е.Н. Распределение примеси при направленной кристаллизации слитка, имеющего конечные размеры. В сборнике «Проблемы физико-математического моделирования». Кубан. гос. технол. ун-т, 1997. с. 88-91.

87. Матвеев И.Н., Троценко Н.К., Устинов Н.Д. Проявлениегиротропии в монокристаллах неэнантиоморфных классов 4 и 42т //

88. Оптические свойства и условия роста тиогаллатов серебра и ртути. Деп. В ВИНИТИ. Краснодар. 1982. С. 162- 176. 13.10.82. № 6319 82.

89. Бондарев О.Л., Исаев В.А., Попов В.В., Рычик О.В. Кристаллы для параметрического смещения частот среднего диапазона со второй гармоникой неодимового лазера.// 4 Всесоюзная конференция "Оптика лазеров". Тезисы докладов. Л., 1990. С.316

90. Olekseyuk I.D., Piskach L.V., Parasyuk O.V., Gorgut G.P., Volkov S.V., Pekhnyo V.I. Solid-liquid equilibria in the quasi-ternary system CdS-Ga2S3-GeS2. //Journal of Alloys and Compounds. 2006. V. 421, Issues 1-2. P. 91-97.

91. Порай-Кошиц М.А. Основы структурного анализа химическихчсоединений. М. Высшая школа. 1989. 192 с.

92. Ниггли П. Стереохимия. М. Иностр. лит-ра. 1949. 353 с.

93. Сережкин В.Н., Пушкин Д.В. Кристаллохимические радиусы и координационные числа атомов. Учебное пособие. Самара СГУ. 2004. 64 с.

94. Бейдер Р. Атомы в молекулах. Квантовая теория. М. Мир. 2001.532 с.

95. Блатов В.А., Шевченко А.П., Сережкин В.Н. TOPOS комплекс программ для анализа топологии кристаллических структур. //Журн. структ. химии. 1993. Т.34. № 5. с. 183-185.

96. Сережкин В.Н., Михайлов Ю.Н., Буслаев Ю.А. Метод пересекающихся сфер для определения координационного числа атомов в структуре кристаллов. //Журн. неорг. химии. 1997. Т. 42. № 12. с. 2036-2077.

97. Урусов B.C. Теоретическая кристаллохимия. М. МГУ. 1987. 275 с.

98. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом B.JI. Современная кристаллография. Том 2. Структура кристаллов. М. Наука. 1979. 360 с.

99. Блатов В.А., Погильдякова Л.В., Сережкин В.Н. Анализ окружения атомов щелочноземельных металлов в кислородосодержащих соединениях. //Корд, химия. 1998. Т. 24. № 5 с. 323-326.

100. Блатов В.А., Сережкин В.Н. Некоторые особенности геометрии координационных полиэдров урана в комплексах уранила. //Радиохимия. 1991. Т. 33. № I.e. 14-22.

101. Блатов В.А., Сережкин В.Н., Буслаев Ю.А., Кокунов Ю.В. Анализ окружения атомов серебра, кадмия, индия и олова в структуре фторидов. //Журн. неорган, химии. 1998. Т. 43. № 3. с. 357-361.

102. Блатов В.А., Шевченко А.П., Сережкин В.Н. Области действия анионов в структуре кристаллов. //Докл. АН. 1997. Т. 354. № 3. с. 336-339.

103. Иваненко А.А., Блатов В.А., Сережкин В.Н. Использование полиэдров Дирихле для расчета баланса валентностей в кристаллических структурах. //Кристаллография. 1992. Т. 37. № 6. с. 1365-1371.

104. Сережкин В.Н., Сережкина Л.Б., Шевченко А.П., Пушкин Д.В. Новый метод анализа межмолекулярных взаимодействий в структуре кристаллов: насыщенные углеводороды. //Ж. физич. химии. 2005. Т. 79. № 6. С.1058-1069.

105. В.Н. Сережкин, А.П. Шевченко, Л.Б. Сережкина, М.А. Прокаева. Новый метод анализа межмолекулярных взаимодействий в структуре кристаллов: ненасыщенные углеводороды. //Ж. физич. химии. 2005. Т. 79. № 6. с.1070-1080.

106. В.Н. Сережкин, Д.В. Пушкин, Л.Б. Сережкина, В.Г. Севастьянов, Н.Т. Кузнецов. Новый метод анализа межмолекулярных взаимодействий вструктуре кристаллов: карбонилы металлов. //Журн. неорган, химии. 2005. Т. 50. №12. с.2019-2028.

107. Сережкин В.Н., Сережкина Л.Б., Пушкин Д.В., Кравченко Э.А.,

108. Буслаев Ю.А. Определение констант квадрупольной связи с помощью характеристик полиэдров Вороного-Дирихле. //Доклады РАН. 2001. Т.379. №4. с. 497-500

109. Сережкин В.Н., Шевченко А.П., Сережкина Л.Б. Новый метод анализа межмолекулярных взаимодействий в структуре кристаллов: 7г-комплексы. //Координац. химия. 2005. Т.31. № 7. с.495-505.

110. Сережкин В.Н., Пушкин Д.В., Исаев В.А., Аванесов А.Г. Координационные полиэдры CdSn в структурах кристаллов. //Координац. Химия. 2008. т.34. № 5. с. 395-400.

111. Cambridge structural database system. Version 5.24. Cambridge Crystallographic Data Centre. 2003.

112. Inorganic crystal structure database. Gmelin-Institut fur Anorganische Chemie & FIC Karlsruhe. 2007.

113. Сережкин B.H., Пушкин Д.В., Исаев B.A., Аванесов А.Г. Координационные полиэдры ZnSn в структурах кристаллов. //Координац.

114. Химия. 2008. т.34. № 6. с. 473-480.

115. Сережкин В.Н., Сережкина Л.Б. Координационные полиэдры RuX„

116. X = О, S, Se, Те) в структурах кристаллов. //Координац. химия. 2002. Т.28. № 3. с. 201-207.

117. Сережкин В.Н., Исаев В.А., Аванесов А.Г. Пушкин Д.В., Пересыпкина Е.В. //Координационные полиэдры GaSn в структурах кристаллов. Координац. Химия. 2008. т.34. № 4. с. 302-307.

118. Romers С., Blaisse В.A., Ijdo D.J.W. Complex sulphur compounds. I. The crystal structure of MgGa2S4. //Acta Crystallogr. 1967. V.23. N4. P.634.

119. Георгобиани A.H., Радауцан С.И., Тигиняну И.М. Широкозонные полупроводники AIIBIII2XVI4: оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения. //Физика и техника полупроводников. Т. 19. № 2. с. 193-212.

120. Бадиков В.В., Матвеев И.Н., Пшеничников С.М., Рычик О.В., Троценко Н.К., Устинов Н.Д. Узкополосный перестраиваемый оптический фильтр на монокристаллах CdGa2S4. //Квант, электрон. 1981. Т. 8. № 4 с. 910912.

121. Сусликов JI.M., Гадьмаши З.П., Сливка В.Ю. Оптический фильтр на тиогаллате кадмия. //Оптика и спектроскопия. 1983. Т. 55, № 4. с.748-752.

122. Баландина А.И., Исаев В.А., Попов В.В. Оптический фильтр на основе кристалла тиогаллата кадмия для селекции второй гармоники неодимового лазера. Тезисы докладов VI Всесоюзной конференции «Оптика лазеров». 1990. Л. с. 308.

123. Баландина А.И., Исаев В.А., Попов В.В., Троценко Н.К.

124. Дисперсионные интерференционно-поляризационные фильтры на гиротропных кристаллах со знакопеременным двулучепреломлением. Сборник материалов Всесоюзной конференции «Физика и применениетвердотельных лазеров». 1990. М. с. 72.

125. Jackson A.G., Ohmer М.С. and LeClair S.R. Relationship of the secondorder nonlinear optical coefficient to energy gap in inorganic non-centrosymmetric crystals. //Infrared Phys. & Techn. 1997. V. 38. № 4. P. 233-244.

126. Samanta L.K., Ghosh D.K. and Ghosh P.S. Electronic and nonlinear-optical properties of some mixed thiogallates, selenogallates, and tellurogallates as candidates for laser device applications, //Phys. Rev. B. 1989. V. 39. № 14. P. 10261-10265.

127. Bhar G.C., Das S., Chatterjee U., Datta P.K. and Andreev Yu.N. Noncritical second harmonic generation of C02 laser radiation in mixed chalcopyrite crystal. //Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. № 10. P. 1316-1318.

128. Andreev S.A., Andreeva N.P., Badikov V.V., Matveev I.N. and Pshenichnikov S.M. Frequency up-conversion in crystals of the CdxHgi-xGa2S4 type. In: Proceedings of the All-Union Conference on Coherent and Nonlinear Optics, Kiev, 1980, Part I, p. 60.

129. Badikov V.V., Trotsenko N.K., Tyulyupa A.G. and Shevyrdyaeva G.S., Obtaining a new type of nonlinear material, In: Proceedings of the Ail-Union Conference Materials for the Optoelectronics, Uzhgorod, 1980, p.56.

130. Voroshilov J.V., Gurzan M.I., Panko V.V., Peresh E.J., Rigan M.J. and Koperles B.M. Obtaining and certain properties of CdGa2S4 single-crystals, //Dokl. Akad. NaukUkr. SSR. Ser. B. 1979. V. 41. № 3, P. 163-165.

131. Schunemann P.G., Pollak T.M. Synthesis and growth of HgGa2S4 crystals. //J. Cryst. Growth. 1997. V. 174. № 1-4. P. 278-282.

132. Polygalov Iu.I., Poplavnoi A.S., Ratner A.M. Anion shift influence on band stucture of crystals with chalcopyrite lattice //J. Phys. 1975. V.36. №9. P. C3-129 C3-135.

133. Wemple S.H., DiDomenico M. Behaviour of the electronic dielectric constant in covalent and ionic materials //Phys. Rev. B. 1971. V.4. №4. P. 1338 -1351.

134. Сусликов JI.M., Гадьмаши З.П., Сливка В.Ю. Оптические фильтры для двух линий на основе гиротропных кристаллов с "изотропной" точкой //Оптико-мех. промыш. 1986. №2. С. 10-13.

135. Beun J.A., Nitsche R. and Lichtensteiger M. Optical and electrical properties of ternary chalcogenides. //Physica. 1961. V. 27. № 5. P. 448-452.

136. Radautsan S.I., Tiginyanu I.M. Defect engineering in II-III2-VI4 and related compounds. //Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. № 3. P. 5-9.

137. Jiang X., Lambrecht W. R.L. Electronic band structure of ordered vacancy defect chalcopyrite compounds with formula n-III2-VI4, //Phys. Rev. B. V. 69. №3. P. 1-8.

138. Levine B.F., Bethea C.G., Kasper H.M., Thiel F.A. Nonlinear optical susceptibility of HgGa2S4. //IEEE J. Quantum Electron. 1976. V. 12. № 6, P. 367368.

139. Petrov V., Rotermund F. Application of the solid solution CdxHgixGa2S4 as a nonlinear optical crystal. //Opt. Lett. 2002. V. 27. № 19. P. 1705-1707.

140. Petrov V., Badikov V., Panyutin V., Shevyrdyaeva G., Sheina S., Rotermund F. Mid-IR optical parametric amplification with femtosecond pumping near 800 nm using CdxHg!-xGa2S4. //Opt. Commun. 2004. V. 235. № 1-3. P. 219226.

141. Кузьмичева Г.М. Структурная обусловленность свойств. Часть IV. Кристаллохимия материалов нелинейной оптики. Кристаллохимия пьезоэлектриков. Кристаллохимия ювелирных кристаллов. М. МИТХТ. 2004. 83 стр.

142. Агранович В.М., Гинзбург В.П. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. 2-е изд. перераб. и доп. М. Наука. 1979. 432 с.

143. Кйзель В.А., Бурков В.И. Гиротропия кристаллов. М. Наука, 1980.304 с.

144. Марцинкявичюс С, Бабонас Г. Гиротропия CdGeP2. //ФТТ. 1984. Т. 27, №2. с. 314-317.

145. Bernard М. Glances of ternary compounds. //J. Phys. 1975. V. 36, № 9. P. C3-1-C3-7.

146. Полупроводники A2B4C52. Под. ред. Н.А. Горюновой, Ю.А.Валова. М. Сов. Радио. 1974. 374 с.

147. Сусликов Л.М., Гадьмаши З.П., Копинец И.Ф., Сливка В.Ю. Оптическая активность в кристаллах CdGa2S4. //Оптика и спектроскопия. 1973. Т. 50, №4. с.700-705.

148. Permogorov S., Klochikhin A., Reznitsky A. Disorder-induced exciton localization in 2D wide-gap semiconductor solid solution. //J. Lumines., 2002. V.100. № 1-4. P. 243-257.

149. Kraemer V., Frick В., Siebert D. Structure refinement of cadmium thiogallate CdGa2S4.//Zeitschrift fuer Kristallographie. 1983. V. 165. P. 151-157.

150. Бадиков В.В., Матвеев И.Н., Панютин В.Л., Пшеничников С.М., Розенсон А.Э., Скребнева О.В., Троценко Н.К., Устинов Н.Д. Рост и оптические свойства кристаллов в системе AgGai-xInxS2. //Квантовая электроника. 1980. Т. 7. № 10. стр. 2237-2240.

151. Бадиков В.В., Лаптев В.Б., Панютин В.Л., Шевырдяева Г.С. Получение и оптические свойства монокристаллов селеногаллата серебра. //Квантовая электроника. 1992. Т. 19. № 8. стр. 782-784.

152. Бадиков В.В., Кузьмичева Г.М., Панютин В.Л., Рыбаков В.Б., Чижиков В.И., Шевырдяева Г.С., Щербаков С.И. Рентгенографическое исследование кристаллов твердого раствора AgGaixInxSe2. //Неорганические материалы.2003.Т. 39. № 10. стр. 1193-1199.

153. Bhar G. С., Das S., Chatterjee U., Datta P. К., Andreev Yu. N. Noncritical second harmonic generation of C02 laser radiation in mixed chalcopyrite crystal, //Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63 № 10. P. 1316-1318.

154. Mikkelsen J. C., Kildal Jr., Kildal H. Phase studies, crystal growth, and optical properties of CdGe(Asi-xPx)2 and AgGafSei-xSx)2 solid solutions. //J. Appl. Phys. 1978. V. 49. № 1. P. 426-431.

155. Боднарь И.В. Свойства твердых растворов AgGai-xInxSe2. //Неорганические материалы. 2004. Т. 40. № 9. стр. 1049-1053.

156. Боднарь И.В. Оптические свойства твердых растворов AgGai-xInxSe2. //Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. № 2. стр. 153-156.

157. Боднарь И.В. Инфракрасные спектры отражения и спектры комбинационного рассеяния света твердых растворов CuxAgixGaS2. //Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. № 6. стр. 684-687.

158. Zondy J.-J., Touahri D., Acef О. Absolute value of the d36 nonlinear coefficient of AgGaS2: prospect for a low-threshold doubly resonant oscillator-based 3:1 frequency divider. //J. Opt. Soc. Am. 1997. V. 14. № Ю. P. 2481-2497.

159. Zondy J.-J. Experimental investigation of single and twin AgGaSe2 crystals for CW 10.2 pm SHG. //Opt. Commun. 1995. V. 119. № 3-4, P. 320-326.

160. Rotermund F., Petrov V., Noack F. Difference-frequency generation of intense femtosecond pulses in the mid-IR (4—12 pm) using HgGa2S4 and AgGaS2, //Opt. Commun. 2000. V. 185. № 1-3. P. 177-183.

161. Petrov V., Rempel C., Stolberg K.-P., Schade W. Widely tunable continuous-wave midinfrared laser source based on difference-frequency generation in AgGaS2. //Appl. Opt. 1998. V. 37. № 21. P. 4925-4928.

162. Abrahams S.C., Bernstein J.L. Crystal Structure of Piezoelectric nonlinear-optic AgGaS2. //Journal of Chemical Physics. 1973. V. 59. P. 16251629.

163. Bodnar' I.V., Orlova N.S. X-ray evidence on thermal-expansion anisotropy in AgGaSe2 at 80-650 K. //Inorganic Materials. 1987. V. 23. P. 680682.

164. Delgado G., Mora A.J., Pineda C., Tinoco T. Simultaneous Rietveld refinement of three phases in the Ag-In-S semiconducting system from x-ray powder diffraction. //Mater. Res. Bull. 2001. V. 36. P. 2507-2517.

165. Benoit P., Charpin P., Lesueur R., Djega-Mariadassou C. Crystal structure of chalcopyrite AgInSe2. //Japanese Journal of Applied Physics. 1980. V. 19. P. 85-88.

166. Brandt G., Raeuber A., Schneider J. ESR and X-ray analysis of the ternary semiconductors c0ais3, CuInS2 and AgGaS2. //Solid State Communications. 1973. V. 12. P. 481-483.

167. Abrahams S.C., Bernstein J.L. Piezoelectric nonlinear optic CuGaSe2 and CdGeAs2: Crystal structure, chalcopyrite microhardness, and sublattice distortion CuGaSe2. //Journal of Chemical Physics. 1974. V. 61. P. 1140-1146.

168. Rabadanov M.Kh., Verin I.A. X-ray diffraction study of CuInSe2 single crystals. //Neorganic. Materials. 1998. V. 34. P. 20-23.

169. Справочник по лазерам. Ред. Прохоров A.M. М. 1978. Сов. Радио.1. Т.1.

170. Geller S. Crystal chemistry of the garnets. //Z. Kristallographic. 1067. V. 125. № 1-6. P. 1-47.

171. O'Donnell K.P., Marshall A., Yamaga M. Vibronic structure in the photoluminescence spectrum of Cr ions in garnets. //J. of Luminescence. 1989 V. 42 P. 365-373.

172. Ковба JI.M., Арсеньев П. А. Соединения редкоземельных элементов. Системы с оксидами элементов I- III групп. Серия «Химия редких элементов».М.: Наука, 1983. С. 280.

173. Кузьмичёва Г.М., Мухин Б.В., Жариков Е.В. Кристаллохимический анализ структурных особенностей гранатов. //Перспективные материалы. 1997. № 3. с.41-53.

174. Беляев Л.М., Любутин И.С., Милль Б.В. Катионное распределение в системе гранатов Ca3ln2SnxGe3.xOi2 по данным у-резонансной спектроскопии. //Кристаллография, 1970. Т. 15. № 1. С. 174-175.

175. Недилько О.А. Изоморфное замещение в иттриево-алюминиевом гранате. //Украинский химический журнал. 1985. Т. 51. № 9. С. 899-901.

176. Морозова Л.Г., Феофилов П.П. Люминесцентное и рентгеноструктурное исследование системы 3Y203-(5-x)Ga203-xSc203. Изв. АН СССР. //Неорганические материалы. 1968. Т. 4. № Ю. С. 1738-1743.

177. Кузьмичёва Г.М., Козликин С.Н. Кристаллохимический анализ образования твёрдых растворов на основе соединений со структурой граната. //Журнал неорганической химии. 1989. Т. 34. № 3. С. 576- 580.

178. Ефремов В.А., Захаров Н.Д., Кузьмичёва Г.М., Мухин Б.В. Иттрий- скандий- галлиевый гранат — кристаллическая структура. //Журнал неорганической химии, 1993. Т. 38. № 2. С. 220-225.

179. Ефиценко П.Ю., Касперович B.C., Кулешов А.А., Чарная Е.В. Исследование порядка в твёрдых растворах YxLu3xA150i2 методами ЯМР. //Физика твёрдого тела, 1989. Т. 31. № 9. С. 170-173.

180. Stroka В., Hoist P., Tolksdorf W. An empirical formula for the calculation of lattice constants of oxide garnets based on substituted yttrium and gadolinium iron garnets. //Phillips J. Res., 1978. V. 33. № 3. -P. 186-202.

181. Зиновьев С.Ю., Кузьмичёва Г.М., Козликин С.Н. Особенности поведения твёрдых растворов редкоземельных галлиевых гранатов, содержащих скандий. //Журнал неорганической химии, 1990. Т. 35. № 9. С. 2197-2204

182. Аванесов А.Г., Данилов А.А., Денисов А.Л., Жариков Е.В. и др. Кристаллы иттрий-скандий-алюминиевого граната с хромом и неодимом как материал для активных сред твердотельных лазеров. //ДАН СССР. 1987. Т. 295. №5. с. 1098-1191.

183. Аванесов А.Г., Балашов А.Б., Жуйко И.П., Игнатьев Б.В. и др. Особенности деактивации возбужденных состояний иона Сг в кристаллах. Квантовая электроника. 1989. Т. 16. № 10. с. 2083-2086.

184. Sawada Н. Electron density study of garnets: Z3Ga50i2; Z = Nd, Sm, Gd, Tb. //Journal of Solid State Chemistry. 1997. V. 132. P. 300-307.

185. Nalcatsuka A., Yoshiasa A., Takeno S. Site preference of cations and structural variation in Y3Fe5xGaxoi2 (0<x<5) solid solutions with garnet structure. Acta Crystallographica B. 1995. V. 51. P. 737-745.

186. Efremov V.A., Zakharov N.D., Kuz'micheva G.M., Mukhin B.V., Chernyshev V.V. Yttrium-scandium-gallium garnet:the crystal structure. //Zhurnal Neorganicheskoi Khimii. 1993. V. 38. P. 220-225.

187. Kondratyuk I.P., Zharikov E.V., Simonov V.I. Refinement of atomic structures of Gd3Sc2Ga3oi2 and (Gd0.8Ndo.2)Sc2Ga3Oi2. //Kristallografiya. 1988. V. 33. P. 51-56.

188. Grinberg M. 2E—>4A2 fluorescence of Cr3+ in high and intermediate field garnets. //J. of Luminescence. 1993. T. 54. P. 369-382. 11. О I

189. Sommerijk J.L., Bril A., de Jager A.W. Luminescence of Pr -activated fluorides. //J. of luminescence. 1974. V.9. P. 288-296.

190. Sommerijk J.L., Bril A., de Jager A.W. Two photon luminescence with ultraviolet excitation of trivalent praseodymium. //J. of luminescence. 1974. V.8. P. 341-343.

191. Rodnyi P.A., van Eijk C.W.E., Mishin A.N., Mikhrin S.B., Avanesov A.G., Potapov A.S. Interconfiguration and intraconfiguration transitions of Pr3+ in some oxides and fluorides//Proc. SPIE. 2002. 4766-24. P. 165-170.

192. Родный П.А., Мишин A.H., Потапов A.C. Люминесценция трехвалентного празеодима в оксидах и фторидах. //Оптика и спектроскопия, 2002. т, 93. № 5, с. 775-782.

193. Srivastava A.M., Beers W.W. Luminescence of Pr3+ in SrAl12Oi9: Observation of two photon luminescence in oxide lattice. //J. of luminescence. 1997. V.71.P. 285-290.

194. Родный П.А., Мишин А.Н., Михрин С.Б., Потапов А.С. Температурное измерение интенсивности полос излучения SrAli2019: Рг. //Письма в ЖТФ. 2002. т.28. вып. 23. с. 39-43.

195. Родный П.А., Березовская И.В., Волошиновский А.С., Стрыганюк Г.Б., Потапов А.С. Люминесцентные характеристики иона Рг3+ в SrB407 и SrB6Oi0. //Оптика и спектроскопия, 2003. т. 94, №4. с. 759-764.

196. Rodnyi Р.А., Dorenbos P., Stryganyuk G.B., Voloshinovskij A.S. Potapov A.S. and van Eijk C.W.E. Emission of Pr3+ in SrAl12Oi9 under vacuum ultraviolet synchrotron excitation. //Journal of Physics: Condens. Matter. 2003. 15. P. 719-729.

197. Потапов A.C., Родный П. А., Михрин С. Б., Магунов И. Р. Люминесцентные свойства празеодима в некоторых фторидах. //Физика твердого тела. 2005. Т. 47. № 8. с. 1386-1388.

198. Аванесов А.Г., Исаев В.А., Сергиенко Н.Л., Сережкин В.Н. Люминесценция и особенности структуры некоторых неорганических соединений// Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2005. №1. стр. 51-56.

199. Сергиенко Н.Л., Аванесов А.Г., Исаев В.А. Симметрия лигандов из+ 'каскадная люминесценция Рг . В кн.: Тезисы докладов XI семинарасовещания «Оптика и спектроскопия конденсированных сред». Краснодар,18.23 сентября 2005 г. К. 2005. стр. 51-52.

200. Kuleshov N. V., Mikhailov V. P., Minkov В. I., Danger Т., Sandrock Т., Huder G. Spectroscopy, excited-state absorption and stimulated emmission in Pr3+- doped Gd2Si05 and Y2Si05 crystals. //Journal of Luminescence. 1997. № 71. P. 27-35.

201. Vink A. P., van der Kolk E., Dorenbos P., van Eijk C. W. E. Opposite parity 4fn~1 5d' states of Ce3+ and Pr3+ in MS04 (M = Ca, Sr, Ba). //Journal of Alloys and Compounds. 2002. № 341. p. 338-341.

202. Grzechnik A., Dmitriev V., Weber H.-P., Gesland J.Y., van Smaalen S. LiSrAlF6 with the LiBaCrF6-type structure. //J. Phys.: Condens. Matter. 2004. V. 16. P. 3005-3013.

203. Kubel F. The crystal structure of SrAlF5 and Ba0.43Sro.57AlF5. //Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie. 1998. V. 624. P. 14811486.

204. Forsyth J.B., Wilson C.C., Sabine T.M. Time-of-flight neutron diffraction study of anharmonic thermal vibration in SrF2, at spallation neutron source. //Acta Crystallographica A. 1989. V. 45. P. 244-247.

205. Kodama N., Marumo F., Tanaka K., Utsunomiya Т., Hoshino Y. Structure refinement of SrCIF. //Research Laboratory on Engineering Materials. Tokyo Institute of Technology. 1988. V. 13. P. 7-11.

206. Belzner A., Schulz H., Heger G. The thermal vibrations and the fluorine ionic conductivity in LaF3. //Zeitschrift fuer Kristallographie. 1984. V. 209 P. 239248.

207. Zalkin A., Templeton D.H. The crystal structure of YF3 and related compounds. //Journal of American Chemical Society. 1953. V. 75. P. 2453-2458.

208. Chakmouradian A.R., Ross K., Mitchell R.H., Swainson I. The crystal chemistry of synthetic potassium-bearing neighborite Nai.xKxMgF3. //Physics and Chemistry of Minerals. 2001. V. 28. P. 277-284.

209. Dexpert-Ghys J., Ribeiro S.J.L., Dugat P., Avignant D. Crystal structure and luminescence properties of La3Zr4F25 and alpha-LaZr3F15. //Journal of Materials Chemistry. 1998. V. 8. P. 1043-1050.

210. Hoskins B.F., Linden A., Mulvaney P.C., O'Donnell T.A. The structures of barium hexafluorosilicate and cesium hexafluororhenate. //Inorganica Chimica Acta. 1984. V. 88. P. 217-222.

211. Dobrzycki L.,Biilska E.,Pawlak D.A.,Frukacz Z.,Wozniak K. Structure of YAG crystals doped/substituted with erbium and ytterbium. //J: Inorg. Chem. 2004. V. 43. P. 7656-7664.

212. Brandt R, Mueller-Buschbaum H. Ein Beitrag zur Kristallchemie der Lanthanoidmagnetoplumbite. //Zeitschrift fuer Anorganische und Allgemeine Chemie. 1984. V. 510. P. 163-168.

213. Park J-G,Cormack A. N. Crystal/defect structures and phase stability in Ba hexaaluminates. //J. of Solid State Chemistry. 1996. V. 121. P. 278-290.

214. Diehl R., Brandt G. Crystal structure refinement of YA103, a promising laser material. //Materials Research Bulletin. 1975. V. 10. P. 85-90.

215. Howard C.J., Kennedy B.J., Chakoumakos B.C. Neutron powder diffraction study of rhombohedral rare-earthaluminates and the rhombohedral to cubic phase transition. //J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V. 12. P. 349-365.

216. Pan F./Wang R.-J.,Wei J.-Z.,Shen G.-Q.,Wang X.-Q.,Shen D.-Z. The crystal structure and NLO property of strontium tetraborate SrB407. //Gaodeng Xuexiao Huaxue Xuebao. 2001. V. 22. P. 154-158.

217. Cannas С., Musinu A., Piccaluga G., Deidda C., Serra F., Bazzoni M., Enzo S. Advances in the structure and microstructure determination of yttriumsilicates using the Rietveld method. //J. Solid State Chem. 2005. V. 178. P. 1526-1532.

218. Hartman P. On the unit cell dimensions and bond lengths of anhydrite. //European Journal of Mineralogy. 1989. V. 1. P. 721-722.

219. Miyake M., Minato I., Morikawa H., Iwai S.I. Crystal structure and sulphate force constant of Barite, Celesite, and Anglesite. //American Mineralogist. 1978. V. 63. P. 506-510. ,

220. Dorenbos P. The 4fn<->4fn"15d transition of the trivalent lanthanides in halogenides and chalcogenides. //Journal of Luminescence. 2000. № 91. P. 91— 106.

221. Dorenbos P. The 5d level position of trivalent lanthanides in inorganiccompounds. //Journal of Luminescence. 2000. № 91. P. 155-176.-j i

222. Dorenbos P. 5d-level energies of Ce and the crystalline environment. IV Aluminates and "simple" oxides. //Journal of Luminescence. 2002. № 99. P. 283-299.

223. Bettinelli M., Moncorge R. Correlation between the 5d-level position of Ce3+ and of the other Ln3+ ions in solids. //Journal of Luminescence. 2001. № 92. P. 287-289.

224. Вологжанина A.B., Пушкин Д.В., Сережкин В.Н. Координационные полиэдры РгОп в структуре кристаллов. //Координационная химия. 2005.T. 31. № 1. с. 51-58.

225. Vogt Т., Schweda Е., Laval J. P., Frit В. Neutron Powder Investigation of Praseodymium and Cerium Nitride Fluoride Solid Solutions. //Journal of Solid State Chemistry. 1989. V. 83. P. 324-331.

226. Сережкин В.Н., Исаев B.A., Аванесов А.Г. Кристаллохимический анализ матриц празеодим содержащих люминофоров. В кн.: Материалы XVI Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред». Краснодар. 2008. с. 204-210.

227. Kuz'min E.A., Belov N.V. Crystal Structure of the Simplest Silicates of La and Sm. //Doklady Akademii Nauk SSSR. 1965. V. 165. P. 88-90.

228. Belokoneva E.L., Petrova T.L., Simonov M.A., Belov N.V. Crystal structure of synthetic TR analogs of apatite Dy467(Ge04)30 and Ce4.67(Si04)30. //Kristallografiya. 1972. V.17. P. 490-493.

229. Smolin Y.I., Shepelev Y.F. The crystal structure of (Gd203)7(Si02)9. Izvestiya Alcademii Nauk SSSR, //Neorganicheskie Materialy. 1969. V. 5. P. 18231825.

230. Misture S.T., Harvey S.P., Francy R.T., Gao Y., DeCarr S., Bancheri S.C. Synthesis, crystal structure and anisotropic thermal expansion of Dy4.67(Si04)30. //J. Mater. Res. 2004. V.19. P. 2330-2335.

231. Hartenbach I., Schleid T. M4.667ChSi04.3 (M = Nd, Sm; Ch = O, S): structural comparison ortwo apatite-type lanthanoid chalcogenide ortho-oxosilicates. //Z. Kristallogr. 2005. V. 220. P. 206-210.

232. Фекличев В.Г. Диагностические спектры минералов. М., Недра. 1977. 228 с.

233. Skakle J.M.S., Dickson C.L., Glasser F.P. The crystal structures of CeSi04 and Ca2Ce8(Si04)602. //Journal: Powder Diffraction. 2000. V. 15. P. 234238.

234. Fahey J. A., Weber W. J., Rotella F. J. An X-ray and neutron powder diffraction study of the Ca(2+X)Nd(8X)(Si04)60(2o.5X) system. //Journal of Solid State Chemistry. 1985. V. 60. P. 145-158.

235. Schroeder L. W., Mathew M. Cation ordering in Ca2La8(Si04)602. //Journal of Solid State Chemistry. 1978. V. 26. P. 383-387.

236. The Powder Diffraction File PDF-2 Data Base. 1997.

237. Conference "Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat-Mass Transfer" (ICSC-99 Obninsk, September, 21-24, 1999), Obninsk 1999, p.88-89

238. Шаскольская М.П. Кристаллография. М., Высшая школа, 1976, с.236-245.

239. Рябцев Н.Г. Материалы квантовой электроники. М. Советское радио, 1973, 384 стр., с.71-73.

240. Lebedev V.A., Voroshilov I.V., Ignatiev B.V., Gavrilenko A.N., Isaev V.A., Shestakov A.V. Spectroscopy of ytterbium in Gd4Ca0(Si04)3 (CGS). Journal of Luminescence, 92, Iss. 1-2, 2000, pp.139-144

241. Lebedev V.A., Pisarenko V.F., Chuev Yu.M., Perfilin A.A., Avanesov A.G., Zhorin V.V., Okhrimchuk A.G., Shestakov A.V. Study of energyо I 1 Itransfer from Yb to Er in rare-earth silicates and borates, //Journal of Luminescence, 72-74, 1997, p.942-944

242. Lebedev V.A., Pisarenko V.F., Chuev Yu.M., Perfilin A.A., Avanesov A.G., Zhorin V.V., Okhrimchuk A.G., Shestakov A.V. Study of energy transfer from Yb3+ to Er3+ in rare-earth silicates and borates.// Journal of Luminescence, 72-74, 1997, p.942-944.

243. Sheldrick G.M. (1998a). SADABS v.2.01, Bruker/Siemens Area Detector Absorption Correction Program, Bruker AXS, Madison, Wisconsin, USA.

244. Sheldrick G.M. (1998). SHELXTL v. 5.10, Structure Determination Software Suite, Bruker AXS, Madison, Wisconsin, USA.Q