Исследование электронных и энергетических свойств поверхностных слоев и нарушений решетки твердого тела тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Гадияк, Григорий Васильевич

• Гадияк, Григорий Васильевич
• доктор физико-математических наук
• 1983

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Гадияк, Григорий Васильевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА. I. Методы решения задач физики твердого тела.

§1. Квантовые методы.

1.1. Метод самосогласованного поля и его полуэмпирические варианты

1.1.1. Метод Рутана.

1.1.2. Расширенный метод Хюккеля (РМХ)

1.1.3. Метод полного пренебрежения дифференциальным перекрыванием (ЛПДП)

1.1.4. Метод Х^ - РВ.

1.1.5. Метод рекурсий.

1.2. Параметризация полуэмпирических методов

1.2.1. Параметризация метода ППДП.

1.2.2. Параметризация метода Х^- РВ.

1.2.3. Параметризация метода рекурсий.

1.3. Начальные и краевые условия, проблема сходимости к решению

1.4. Кластерное приближение

§2. Статистический метод описания электронного газа. 58 2.1. Обобщение статистической модели электронного газа на случай сверхсильных магнитных полей.

§3. Метод молекулярной динамики

3.1. Основные понятия метода ЭДЦ.

3.2. Граничные и начальные условия

3.3. Потенциалы взаимодействия.

3.4. Основные расчетные соотношения для тегогафизи-ческих свойств среды в методе ВД,.

ГЛАВА П. Моделирование в двумерных системах.

§ I. Механическая устойчивость двумерной системы.

I.I. Уравнения динамики двумерной решетки.

§ 2. Термодинамика двумерного кристалла.III

§ 3. Модель однокомпонентной двумерной классической плазмы.

§ 4. Кривая плавления в двумерной системе.

§ 5. Численные эксперименты в двумерной системе.

5.1. Кулоновская и дипольная системы.

5.2. Леннард-дщшсовская система.

ГЛАВА. Ш. Моделирование процессов адсорбции на поверхности твердого тела.

§ I. Особенности характера химических связей у поверхностных и объемных атомов алмаза, кремния и германия.

§ 2. Потенциальный рельеф грани (100) германия.

§ 3. Модель перестройки грани (100) германия.

§ 4. Хемосорбция газов на германии и никеле.

4.1. Кислород на поверхности германия.

4.2. Молекула кислорода на поверхности германия.

4.3. Десорбция моноокиси германия с поверхности германия

4.4. Адсорбция молекулы воды на поверхности германия.

4.5. Адсорбция переходных металлов на гранях (III) и

100) германия.

4.6. Адсорбция газов 0, 02, Н, Н2, ОН, Н20 на идеальных гранях (III) и (100) никеля.

§ 5. Электронные состояния неидеальных поверхностей. 182 5.1. Объемные и поверхностные электронные состояния алмазоподобных полупроводников.

ГЛАВА. 1У. Точечные дефекты в полупроводниках.

§ I. Осцилляции в сечении неупругих потерь при рассеянии частиц на атомах кристалла.

§ 2. Дефекты типа смещенных атомов в кремнии.

§ 3. Расчет энергетических характеристик вакансионного типа в кремнии.

ГЛАВА У. Примесные центры и экситоны в магнитном поле.

§ I. Водородоподобные и гелиеподобные примесные центры в магнитном поле.

1.1. Н-центры в сильном магнитном поле.

1.2. Гелиеподобные примесные центры в сильном магнитном поле.

§ 2. Биэкситон и ел^ в сильном магнитном поле.

§ 3. Интерполяционная модель уравнения состояния вещества в сильном магнитном поле.

§ 4. Квантование Ландау при построении уравнения состояния среды в сверхсильном магнитном поле.

§ 5. Сравнение результатов расчета с данными эксперимента и расчетами других авторов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование электронных и энергетических свойств поверхностных слоев и нарушений решетки твердого тела»

Физика твердого тела и физика поверхности переживают полосу своего подъема. Причиной этого является быстрое прохождение новых научных разработок от их открытия до технологических разработок и внедрения в серию в виде новых полупроводниковых приборов, элементов памяти электронно-вычислительных машин (ЭВМ). Кроме традиционных приложений физики твердого тела, таких как микроэлектроника и приборостроение, выращивание кристаллов и получение новых материалов, возникли новые области приложения физики твердого тела и физики поверхности. Это вопросы старения материала в космических условиях (низкий вакуум, собственная атмосфера спутника, высокий уровень радиации), способы защиты поверхности в условиях высоких температур и химических реакций, предложения новых катализаторов для ускорения химических реакций, разработка новых эффективных аэрозолей для прикладных целей. В ходе аэрозольных исследований был поставлен вопрос о самостоятельном изучении не только макроскопических образований кристалла, но и его фрагментов - кластеров, с числом атомов в кластере N=2,3,. Газовая среда, составленная из кластеров, представляет собой новый объект для построения последовательной теории движения среды из таких образований. Кластеры представляют собой огромный резервуар, способный аккумулировать энергию в одном месте и выделять в другом. Конденсация такой кластерной среды приводит к высокодисперсным порошкам со свойствами, совершенно отличными от свойств моно- или поликристаллов с очень широким диапазоном приложений. Изучение адсорбированных монослоев, приповерхностных слоев монокристаллов, пленок на поверхности твердых тел сформировали новое направление - физику двумерных систем с непрерывно меняющимся типом симметрии. Вопросы механической устойчивости, фазовых переходов, кинетических свойств таких систем остаются не решенными до сих пор.

Их решение открывает широкие технологические возможности для многих приложений, особенно цри разработке новых типов црибо-ров.

Другим важным направлением физики поверхности, получившим развитие в 70-е годы, является построение квантовой теории адсорбции на основе кластерной модели. Существующие теории адсорбции основываются на классических термодинамических представлениях, характеризуя интегральные эффекты при адсорбции (теплоты адсорбции, константы адсорбционного равновесия и т.д.). Развитие новых экспериментальных методов позволяет ныне получать более тонкую, дифференциальную информацию о цроцессе адсорбции. Чтобы сопоставить полученный экспериментальный материал по типу адсорбированных атомов, местам посадки, энергетике адсорбции, л поверхностным электронным состояниям и влиянию на них адсорбции атомов или молекул, необходимо проводить квантовые расчеты. Отсутствие периодичности в задаче не позволяет использовать математический, аппарат хорошо развитой зонной теории идеального кристалла, с другой стороны, большие размерности задач не позволяют использовать неэмпирические методы расчета, поэтому наибольшее распространение в исследованиях задач адсорбции на поверхности получили полуэмпирические методы квантовой химии. Построение теории адсорбции позволит не только объяснить экспериментальные данные, но и целенаправленно вмешиваться в технологические процессы. Наиболее серьезные достижения были получены путем численного моделирования при исследовании кристаллов с дефектами. В частности, в полупроводниковых материалах с помощью разного типа дефектов управляют электрофизическими характеристиками прибора. Структурные дефекты наряду с примесями оказывают существенное влияние на важнейшие электрические, оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов, и поэтому • квантовые и классические расчеты позволяют получить ответ на многие из поставленных вопросов.

Особое место занимают электронные свойства примесных центров в полупроводниках и диэлектриках в магнитном поле, так как данные центры, а также экситоны оказались теми идеальными системами, с помощью которых молено моделировать вещество в сверхсильных магнитных полях и сверхвысоких давлениях. Такие экстремальные условия реализуются в астрофизических объектах: белых карликах и пульсарах. Решение такого спектра разнообразных задач физики твердого тела оказалось возможным в результате широкого внедрения методов прямого численного моделртрования на ЭВМ, использующих современные численные методы и экономичные алгоритмы. Сочетание четко сформулированной физической модели, высоко:! точности метода расчета позволили впервые получить принципиальные результаты в исследованиях двумерных систем и процессах на поверхности, точечных дефектах в кристаллах и электронных свойств дефектов в магнитном поле. Путь прямого численного моделирования (вычислительного эксперимента) является нетрадиционным среди существующих школ советских физиков—теоретиков, где наиболее интенсивно развивались аналитические методы. Однако современные исследования и особенно приложения требуют решения задач неравновесных, нелинейных со многими степенями свободы и с характерными физическими параметрами, не позволяющими развить теорию возмущения. Указанные обстоятельства стимулируют проведение прямых численных экспериментов. В некоторых случаях прямой численный эксперимент заменяет проведение физических экспериментов, уменьшая стоимость исследования и делая его кроме того более информативным.

Исследования, полоненные б основу настоящеи диссертации, осуществлялись в течение 1971-1982 г.г. по Координационному плану Сибирского отделения по проблемам: "Физика полупроводников и научные основы полупроводниковой микроэлектроники и опто-электронкки, п. 1,3.7.6*. Исследование физических принципов создания функциональных устройств вычислительной техники и информатики на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник"; "Математические методы в квантовой химии"; по теме двухстороннего сотрудничества АН СССР с Чехословацкой АН - "Кинетика, сорбция"; по теме двухстороннего сотрудничества АН СССР с АН Болгарии - "Квантовостатистические модели вещества"; по теме научного плана Новосибирского государственного университета -"Математическое моделирование процессов адсорбции и химических реакций на поверхности твердых тел"; по открытому плану научных работ Института теоретической и прикладной механики -СО АН СССР по проблеме "Взаимодействие газа с поверхностью твердого тела".

Диссертация состоит из введения и 5 глав.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Гадияк, Григорий Васильевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основания проделанной работы можно сформулировать следующие основные результаты:

I. Выполнен математический анализ квантовохимических методов ЛКАО - типа, включая вопросы сходимости начального приближения, дано обоснование кластерного приближения.

Впервые предложена двухиараметрическая схема для перекрывания сфер в методе РВ, позволившая одновременно получить согласие с экспериментальными данными и по длине и по энергии связи молекулы.

П. Впервые получены выражения для функционала энергии электронной системы .в сверхсильном магнитном поле с учетом квантовых поправок. Обоснованы границы применимости полученных выражений.

Ш. Получены аналитические выражения для термодинамических функций в двумерной системе для случая гармонического и ангармонического кристалла, идеальной кулоновскоЗ плазмы, плотного газа.

1У. Проведены численные эксперименты в двумерной системе.

1) Обнаружение гексатической фазы в кулоновской системе.

2) Показано, что корреляционные длины (ориентационная и трансляционная) испытывают существенные изменения при переходе из одной фазы в другую, изменяется закон затухания корреляционных длин с температурой.

3) Результаты расчетов в кулоновской системе дают возможность утверждать, что фазовый переход имеет П род; а в дипольной и яеннард-джонсовской - I род.

4) Получены значения величины критерия Линдемана для кулоновской, дипольной и леннард-джонсовской систем.

5) Обнаружено отрицательное значение статической диэлектрической проницаемости Эв (к,и) =0) для кулоновской и.диполь-ной систем в широком диапазоне параметра Г .

6) Предложена модель диффузии и объяснено высокое значение теплоемкости в жидкой фазе.

7) На основании расчетов можно сделать вывод, что медленное осциллирующее затухание автокорреляционной функции скорости обусловлено дальнодействующим типом потенциала взаимодействия (кулон, диполь), в то время как для короткодействующих потенциалов "хвосты" автокорреляционной функции скорости имеют степенной характер.

8) В кристаллической фазе любой системы, а также промежуточных фазах (жидкость - кристалл, кристалл-газ, гексатик) важный вклад в определение переносных коэффициентов вносят нелинейные эффекты, поэтому теорию линейного отклика необходимо обобщить с учетом нелинейных эффектов.

9) Для леннард-джонсовской системы вдоль изохоры локализованы все фазы, гексатическая фаза не обнаружена.

10) Расчеты леннард-джонсовской системы позволили получить не только метастабильное состояние ("натянутый" кристалл), но и близкое к основному состоянию "газ - кристалл" и изучить их свойства.

V. Расчетным методом ППДП/2 сделан сравнительный анализ химических связей граней (III), (100) поверхностей и объема германия, кремния, алмаза.

VI.Гкссчитан потенциальный рельеф самодиффузии германия на гранях (III) и (100). Обнаружена существенная анизотропия самодиффузии атомов германия вдоль собственных поверхностей. Расчетом доказана тенденция к перестройке поверхности (100) с образованием суперструктуры (2x1) в модели типа "спаривания".

УЛ. Получен расчетным методом ППДП/2 потенциальный рельеф для диффузии атома кислорода по граням (III) и (100) германия. Предложена модель окисления объема образца через поверхность. Показано, что многоцентровая адсорбция атома и молекулы кислорода энергетически более выгодна, чем одноцентровая адсорбция.

УШ. Расчитаны наиболее важные адсорбционные комплексы, возникающие при адсорбции молекул кислорода и воды. В обоих случаях адсорбция на идеальных поверхностях германия протекает безакти-вационно в квазимолекулярной форме. Молекула кислорода адсорбируется ориентированной параллельно поверхности. Наиболее устойчивыми для грани (100) являются структуры перекисного мостика над атомом второго слоя, а для грани (III) - структура перекисного мостика между атомами верхнего слоя. Взаимодействие молекулы воды с поверхностью германия осуществляется в основном сильным химическим взаимодействием атома кислорода с поверхностными атомами германия с участием электронов неподеленных пар кислорода, атомы водорода "торчат" наружу.

IX. Выполнен расчет адсррбции атомов переходных металлов на гранях (III) и (100) германия. Обнаружена высокая подвижность металлов на грани (III) германия. Адсорбция возможна только многоцентровая или на вакансию. Энергия адсорбции растет при уменьшении заряда от Fe до NL , длина связи уменьшается в этом же ряду. Металлы при адсорбции заряжаются положительно, отдавая часть электронов ближайшим атомам германия.

X. Выполнены расчеты методом ППДП/2 адсорбции атомов и молекул: водорода, кислорода, гидроксильной группы и воды на идеальных гранях (III) и (100) никеля.

I. Расчеты показали, что адсорбция на никеле водорода, кислорода, воды происходит в два этапа; на первом - молекулярная форма, а на втором - атомарная.

2. Молекулы водорода, кислорода при адсорбции ориентируются параллельно поверхности, увеличивая длину связи, гидроксиль-ная группа и молекула воды - перпендикулярно поверхности.

3. Многоцентровая адсорбция является наиболее выгодной, адсорбция происходит безактивационно.

4. Адсорбцию атомарного водорода сопровождает отрицательный заряд на водороде, а молекулу - положительный заряд.

5. Кислород при адсорбции в обеих формах заряжается отрицательно.

6. Гидроксильная группа осуществляет связь с поверхностью через атом кислорода и заряжается отрицательно.

7. Взаимодействие молекулы воды с поверхностным атомом никеля определяется, в основном, сильным химическим взаимодействием атома кислорода с поверхностными атомами никеля с участием электронов неподеленных пар кислорода, атомы водорода "торчат" наружу.

XI. Расчетом был обнаружен важный факт связи координации атома на поверхности или в объеме (нарушение) с числом поверхностных состояний или дискретных уровней в запрещенной зоне для ковалентных кристаллов.

ХП. Методом рекурсий были получены плотности электронных состояний для неидеальных поверхностей.

ХШ. Разработана простая физическая модель и дана физическая интерпретация эффектам осцилляции сечения неупруг'ого рассеяния атомов на кристалле.

XIV. Получены пороговые энергии образования дефектов в кремнии, условия фокусирования в кристалле кремния.

XV. Расчетом впервые была доказана возможность существования ориентационных дефектов типа, полувакансия и пара полувакансий в кремнии.

ХУ1. Впервые выполнен расчет спектра, дипольного и квадру-польного моментов водородоподобных и гелиеподобных систем в сильном магнитном поле. Обобщена теория возмущения по электронному взаимодействию на случай сильного магнитного поля. Получено критическое значение магнитного поля для спиновой перестройки Н~ - центра и произвольного тяжелого атома в сильном магнитном поле.

ХУП. Впервые получены термы состояний для произвольной ориен тации биэкситона и ех£ в сильном магнитном поле. Получено критическое значение магнитного поля для магнитной диссоциации, биэкситона и критическое значение магнитного поля возникновения биэкситона ехг и еэс^ с новым типом связи.

ХУШ. Впервые выполнен расчет уравнения состояния в сильном магнитном поле.

XIX. Впервые обнаружены аномалии в поведении термодинамических коэффициентов в магнитном поле.

Результаты диссертации докладывались на ряде Всесоюзных и Международных конференций и на семинарах в научных институтах Академии наук СССР, АН Болгарии и АН Чехословакии: на Ш совещании по радиационным нарушениям (Новосибирск, 1973), на П (Ленинград, 1976), У (Кривой Рог, 1977) [441] , Х1У (Ташкент, 1981) постоянном Всесоюзном семинаре по моделированию радиационных и других дефектов на ЭВМ; на П и Ш семинарах по физической химии поверхности полупроводников (Новосибирск, 1975, 1977) [3611 ; на У1 Всесоюзном совещании по физике поверхности (Киев, 1977) [ 590] ; на 1У Всесоюзном совещании по квантовой химии (Новосибирск, 1978) [117, 595] ; на У1-й-Международной конференции по атомной физике (Рига, 1979) [588-589] ; на Всесоюзной конферен-.ции по теории атомов и молекул (Вильнюс, 1979) [591-592] ; на Всесоюзной конференции по теории атомов (Воронеж, 1980) [584] ; на У, У1 Всесоюзных школах по моделям механики сплошной среды (Рига, 1979, Алма-Ата, 1981); [484] ; на I и П Всесоюзных школах по физике, химии и механике поверхности (Черноголовка, 1979, Чегет, 1981) [593-594] ; на 1У Всесоюзной школе-семинаре по физике поверхности полупроводников (Ленинград, 1979); на 1,П,Ш Всесоюзном семинаре по уравнениям состояния вещества в экстремаль ных условиях (Нальчик, 1978, 1980, 1982) [207];на УП Всесоюзном симпозиуме по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик (Новосибирск, 1980) [586-587] ; на IУ Международном симпозиуме по квантовой теории адсорбции и катализа (Москва, 1981); на 1-ом Всесоюзном симпозиуме по теории сверхплотных небесных тел (Ереван, 1980) [ 585]; на Всесоюзном семинаре по теории функционала плотности и ее приложениям в теории квантовых систем (Чимкент, 1982); на Всесоюзном семинаре по электронным процессам в двумерных системах (Новосибирск, 1982); на семинарах в Институте физики полупроводников 00 АН СССР, Институте теплофизики СО АН СССР, Институте теоретической и прикладной механики СО АН СССР, Ядерной физики СО АН СССР, Вычислительном центре СО АН СССР, объединенном семинаре по квантовой химии СО АН СССР, ЛГУ, ФИАН им. Лебедева, ЛПИ им. М.И.Калинина, Институте высоких температур АН СССР, Институте электрохимии АН СССР, Институте ядерной физики БАН, Институте механики БАН, Высшей технической школе (Братислава), Институте физической химии и электрохимии им. Я.Гейеровского ЧСАН, а также в статьях [17, 44-45, 56а, 68, 96, 117, 121, 163, 174, 206-208, 238-240.1, 248, 279, 344, 354, 360-363, 368, 376, 425, 429, 437, 483-482, 527-530, 572-573] .

Работы по данной теме были инициированы академиком Н.Н.Янен-ко и член-корреспондентом АН СССР А.В.Ржановым при содействии директора Вычислительного центра СО АН СССР академика Г.И.Марчука в 1971 году. Созданная группа в Отделении механики сплошной среды Вычислительного центра СО АН СССР, а затем лаборатория в Инотитуте теоретической и прикладной механики СО АН СССР были ориентированы на моделирование точечных дефектов и явлений на поверхности полупроводников. Работы велись в прямом контакте с лабораториями Института физики полупроводников (лабораторией профессора Л.С.Смирнова, лабораторией Л.В.Ржанова и С.М.Репинско-го) по Координационному плану Сибирского отделения и научному плану институтов. Исследование двумерных систем и поведение вещества в сверхсильном магнитном поле были начаты после многочисленных дискуссий с одним из соавторов диссертанта Ю.Е.Лозо-виком.

Автор выражает свою глубокую признательность своим соавторам академику Н.Н.Яненко, член-корреспонденту АН СССР А.В.Ржа-нову, Л.С.Смирнову, С.М.Репинскому, А.А.Карпушину, Ю.Е.Лозовику, Ю.Н.Морокову, В.М.Беданову, А.И.Баранову, М.С.Обрехту за плодотворные дискуссии, привлечение внимания к данной тематике и помощь в работе.

Хочу также выразить благодарность коллективу лаборатории № 22 ИТПМ СО АН СССР, в котором выполнялась данная диссертация.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Гадияк, Григорий Васильевич, 1983 год

1. Свердлов Л.М., Ковнер М.А., Крайнов Е.П. Колебательные спектры многоатомных молекул. М., Наука, 1970, - 559 с.

2. Счастнев П.В. Теория электронных оболочек молекул /Спецкурс для студентов-физиков НГУ), часть I. Методы.Новосибирск, Ротапринт НГУ, 1973, 148 с.

3. Бервукер И.Б. Строение и свойства координационных соединений. Москва, Химия, 1971, 312с.

4. Грибов Л.А., Дементьев В.А. Методы и алгоритмы вычислений в теории колебательных спектров молекул. М., Наука, 1981, -356с.

5. Мак-Вини 0, Сатклиф Б. Квантовая механика молекул. М., Мир, 1972, 380с.

6. Таулес Д. Квантовая механика систем многих частиц. М., Мир, 1975, 379 с.

7. Lowdin P.O. The Projected Hartree Pock method: An extension of the independent particle scheme, in quantum theory of atoms, molecules and the solid state (Ed. Lowdin P.O.) Academic Press, New York, London, 1960, -21 Op.

8. Roothaan C.C.J. .New developments in molecular orbital theory. Rev. Mod. Phys., 1951, v.23, p.69 82.

9. Hall G.G. The molecular orbital theory of chemical valency YII, A method of calculating ionization potentials. Proc. Roy. Soc. (London), 1951, V.205A, Я 1083, p.541 552.

10. Hoffman R. An extended Huckel theory 1. Hydrocarbons. J. Chem. Phys., 1963, v.39, N 6, p.1397 1412.

11. Rein R., Fucuda H., Win H., Clarke G. Iterative extended Huckel theory. J. Chem. Phys., 1966, v.45, p.4743 4744.

12. Pople J.A., Santry D.P., Segal G.A. Apporoximate self-consisNtent molecular orbital theory 1. Invariant procedures. J. Chem, Phys., 1965, v.43, H 10, p.Sl29 S135.

13. Pople J.A., Segal G.A. Approximate self-consistent orbital theory 2. Calculations with complete neglect of differential overlap. J.Chem.Phys., 1965, v.43, N 10, p.S136 S151.

14. Слэтер Яд. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М., Мир, 1978, 658 с.

15. Конноли Д». Метод Х<с. В сб."Полуэмпирические методы расчета электронной структуры./Под ред. Да. Сигала/. T.I. М., Мир, 1980, с.139 168.

16. Жидомиров Г.М., Ястребов Л.И. Метода CCtt-X^ -МО в расчетах молекулярных систем. В сб.:"Методы квантовой химии"./Под ред. Соколова Н.Д., Ошерова В.И./. Черноголовка, 1979, с.81 96.

17. Гадияк Г.В., Малкин В.Г., Чернов С.В. Метод X*. в расчетах молекул и кластеров. Препринт №36, Новосибирск,1980, -58с В надзаг: Ин«*т теоретической и прикладной механики СО АН СССР

18. Slater J.С. A simplification of the Hartree-Fock method. Phys, Rev., 1951, v.81, N 3, p.385 390.

19. Gaspar R. Approximation of the Hartree-Fock potential by a universal potential function. Acta Phys. Acad. Sci. Hung., 1954', v.3, p. 263 286.

20. Slater J.C. Suggestions from solid-state theory regarding molecular calculations. J.Chem.Phys., 1965, v.43, -ТГ 10,p.S228.

21. Johnson K.H. Multiple scattering model for polyatomic molecules. J.Chem.Phys., 1966, v.45» p.3085 - 3095.

22. Johnson K.H., Smith P.C. Chemical bonding of a molecular transition-metal ion in a crystalline environment. Phys.Rev.В, 1972, v.5, p.831 843.

23. Slater J.C. and Johnson K.H. Self-consistent-field X^ cluster method for polyatomic molecules and solids. Phys.Rev., 1972, v.5B, p.84.4 853.

24. Johnson K.H. Scattered-wave theory of the chemical bond. Int. J.Quant. Chem., 1973, v.7S, p.143 170.

25. Williams A.H. and van Morgan J.?/. Multiple scattering by non-muffin-tin potentials general formulation, J. Phys.C, 1974, v.7, IT 1, p.37 60.

26. Williams A.R. Multiple scattering theory beyond the muffin-tin approximation. Int. J. Quant. Chem., 1974, v.8S, p.89 1

27. Haydock R., Heine V., Kelly M.J. Electronic structure based on the local atomic environment for tight binding bands. J. Phys. C, Solid State Phys., 1972, v.5,IT 20, p.2845 2858.

28. Haydock R., Heine V., Kelly M.J. Electronic structure based on the local atomic environment for tight-binding bands 2. J. Phys.C: Sol.State Phys., 1975, v.8, IT 16, p. 2591 2605.

29. Pople J.A., Beveridge D.L. Approximate molecular orbital theories. New York McGraw-Hill, 1970, v.8, -214p.

30. Губанов B.A., Жуков В.П., Литинский А.О. Полуэмпирические методы молекулярных орбиталей в квантовой химии. М., Наука, I976-2I3C.

31. Борисов Н.П., Семенов С.Г. К проблеме обоснования метода ПЩЩ., ТЭХ, 1976, т.ХП, № I, с. 89-91.

32. Клименко Н.М.; Зюбин А.С., Чаркин О.П. Квантово-химические t расчеты электронных структур и свойств молекул в рамках приближенных схем нулевого дифференциального перекрывания Журн.структурн.химии. 1977, т.18, № 2, с. 348-374

33. Whitten J.L, Coulombic potential energy integrals and approximations. J. Chem. Phys., 1973* v.58, N 10, p.4496 -'4501.

34. Дыоар M., Теория молекулярных орбиталей в органической химии, М., Мир, 1972, 590с.

35. Stuebing E.W., Weare J.H., Parr R.J. Discontinuous approximate molecular electronic wave-functions. Int. J. Quant. Chem., 1977, v.11, p.81 102.

36. Мороков Ю.Н. Численное моделирование атомно-молекулярных процессов на поверхности германия. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н. (01.04.07) науч.рук. Н.Н.Яненко Г.В.Гадияк, Новосибирск, ИТПМ, СО АН СССР, 1980, 163с.

37. Hoder G., Meza S.A. Modification and extension of the СШЮ method. Acta Chem. Scand., 1972, v.26, p.3723 3743.

38. Nishimoto K., Mataga И. Electronic structure and spectra of nitrogen heterocycles. Zs. Phys. Chem. N.F., 1957, N 13,p.140

39. Минкин В.И., Симкин Б.Я., Миняев P.M. Теория строения молекул. М., Высшая школа, 1979, 407с.

40. Clark D.W. All-valence electron CNDO calculations on transition-metal complexes. J. Chem. Phys., 1972, v.57, H 8,p.350

41. Шохирев H.B., Счастнев П.В. Исследование методом Си ДО структуры вкладов в энергию d -связей на примере комплексов металлов первого переходного ряда. Журнал структурной химии, 1978, т.19, с. 2II-2I6.

42. Blyholder G. CUDO МО calculations for hydrogen atom adsorption on nickel atom clusters. J.Chem.Phys.,1975,v.62,N8,p.319

43. Беданов B.M., Гадияк Г.В., Романов О.В. Хемосорбция некоторых переходных металлов на поверхности (III) германия методом ПЩЩ/2. Физическая химия, 1981, т. I>V , № 2,c.I340-I342.

44. Волокитин А.И., Гадияк Г.В., Карпушин А.А., Мороков Ю.Н., Ржанов А.В., Репинский С.М.Исследование хемосорбции атомов кислорода на поверхностях (Ш) и (100) германия методом РМХи ПЩЩ/2. Физика и техн.полупроводн. 1976,т.10,в.3,с.436-442.

45. Hase H.Z.»Schweig А. СШЮ/2 complete neglect of differential overlap-method for third-row molecules. Theor. Chim. Acta, 1973, v.31, Я 3, p.215 -220.

46. Kohn W., Sham L.J. Self-consistent equations including exchan ge and correlation effects. Phys. Rev. A, 1965, v.140, U 4, p.1133 1138.

47. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogenous electron gas. Phys. Rev., 1964, v.136, И" 3, p.864 871.

48. Schwarz K. Optimization of the statistical exchage parameteroC for the free atoms H through lib. Phys. Rev. B, 1972, v. 5, p.2466 2468.

49. Gunnursson 0., Johnson M., Lundqvist B.I. Descriptions of exchange and correlation effects in inhomogeneous electron systems. Phys. Rev. B, 1979, v.20, p.3136 3164.

50. Danes J.B. Calculation of the total energy in the multiple scattering «^«cmethod 2. numerical technique and results. J. Chem. Phys., 1974, v.61, N8, p.3071 3080.

51. Herman P., Williams A.R. and Johnson K.H. Multiple scattering method based on overlappins atomic spheres with application to the TCNQ molecule. J. Chem. Phys., 1974, v.61,N9,p.3508-35:

52. Salahyb D.R., Messmer R.P., Johnson K.H. Ionization potentials and bond lengths for CO, and , using the SCP-S^-SW method. A study of the effect of overlapping spheres. Mol. Phys., 1976, v.31, П 2, p.529 534.

53. Тополь И.А., Дементьев А.И. Расчеты электронной структуры малых молекул методом ССП-Х^ расоеянных волн. I. Основное электронное состояние молекулы Hg. Журнал структурной химии 1980, т.21, № 2, с. 3-7.

54. Woodruff S.B., Wolfsberg M. Numerical calculation of one-electron properties from SCF-X^-SW wave functions for LiH*. J. Chem. Phys., 1976, v.65, N 9, p.3687 3697.

55. Молекулярные постоянные неорганических соединений. Под ред. Краснова К.С., Л., Химия, 1979, 446с.

56. Danes J.В. and Connoly J.W.D. Calculation of the total energy in the multiple X«, method 1. General theory. J. Chem. Phys., 1974, v.61, U 8, p.3063 3070.

57. Louis E., Yndurain P. Electron states at planar and stepped se miconductor surfaces.Phys.Rev.B,1977,v.16,IT 4,p.1542 1551.

58. Калиткин H.H. Численные методы. M., Наука, 1978, 512 с.

59. Roothaan C.C.J., Bagus P.S. Atomic self-consistent field calculations by the expension method. In:"Methods in computational physics", v.2, N.Y., Academic Press, 1963, p.47 94.

60. Nesbet W.B. Extrapolation in iterative sequences. Chem. Phys. Lett., 1973, v.17, N 2, p.225 230.

61. De Montgolfier P., Hoareau A. Method for converging restricted and unrestricted Hartree-Fock wave functions. J. Chem. Phys., 1976, v.65, N 6, p.2471 2478.

62. Karlstrom G. Dynamical damping based on energy minimization for use in ab initio molecular orbital SCF calculations. Chem. Phys. Lett., 1979, v.67, p.331 348.

63. Saunders V.R., Hillier J.N. A "level-shifting" method for converging closed shell Hartree-Fock wave functions. Int. J. Quan 1973, v.7, p.699 706.

64. Воропинов А.И., Гандельман Г.M., Подвальный В.Г. Электронные энергетические спектры и уравнения состояния твердых тел при высоких давлениях и температурах. УФЫ, 1970, т.100 в.2, с. 193-224.

65. Tietz G. Approximate analytic solution of the Thomas-Fermi equation for atoms. J.Chem.Phys., 1954, v.22,p.2094 2095.

66. Гадияк Г.В., Чигишева T.M. Модифицированный метод расчета потенциала в атоме. В бюл. "Численные методы механики сплошной среды", 1976, т.7, М, с. 43-46.

67. Гамбош П. Статистическая теория атома и ее применения. М., Изд-во Иностр.лит., 1951, 398с.

68. Rau A.R.P., Funo V. Atomic potential wells and the periodic table. Phys. Rev., 1968, v.167, К 1, p.7 10.

69. Киржниц Д.А. ,Шпатаковская Г.В. Осцилляционные эффекты атомной структуры ЖЭТФ, 1972, т.62, в.6, с. 2082-2096.

70. Herman F., Skillman S. Atomic structure calculations. Pren-tic-Hall, U.Y.,1963, 438p.

71. Bennett A.J., Roth Ъ.М. Electronic structure of defect centers in Si02 . J.Phys. Chem. Solids, 1971,v.32,p. 1251 1262.

72. Bennett A.J., McCarrol В., Messmer R.P., Numerical solutions to the continuity equation in the negative-how-faraday-dark-space. Phys. Rev. B, 1971, v.3, N 4, p.1397 1401.

73. McCarrol В., Messmer R.P. A molecular orbital approach to che-misorption 4. Atomic H and О on graphitic. Surf. Sci., 1971, v.27, N 3, p.451 462.

74. Surrat G.T., Kunz A.B. Unrestricted Hartree-Fock calculations for a cluster model of Ш.О. Solid State Comm., 1977, v.23,1. N 8, p.555 558.

75. Рузанкин С.Ф., Авдеев В.И. Задание граничных условий в методе X -РВ, Журнал структурной химии, 1979, т.20,№5,C.95L-95

76. Messmer R.P., Tucker C.W., Johnson K.H. A theoretical interpretation of photoelectron energy spectra for oxygen chemi-sorbed on nickel. Surf. Sci., 1974, v.42, p.341 354.

77. Cartling B.G. Localized description of the electronic structure of covalent semiconductors: 1 Perfect crystals structure calculations. J. Phys. C,: Solid State Phys., 1975, v.8, N 19, p.3171 3182.

78. Redondo A., Goddard III W.A., McGill T.C., Surratt G.T. Relaxation of (III) silicon surface atoms from studies of Si^,

79. Hg clusters. Solid State Comm. ,1977, v.21, p.991 994.

80. Карпушин A.A., Сорокин A.H. Метод решеток Бете в теории адсорбции на поверхности кремния. Препринт ИФП СО АН СССР, Новосибирск, 1981, 16 с.

81. Yndurain P., Louis Е. Electronic structure of Н chemisorbed Si (III) surfaces. Sol. State Comm.,1978,v.25,Щ,p.439-441.

82. Pink W.H. The electronic density of bulk and surface site atoms of diamond from ab initio model calculations. J. Chem. Phys., 1978, v.69, U 7, p.3325 3333.

83. Messmer R.P. Semi-empirical LCAO band structures. Chem. Phys. Lett., 1971, v.11, U 5, p.589 592.

84. Anderson A.B. Vibrational potentials and structures in molecular and solid carbon, silicon, germanium and tin. J. Chem. Phys., 1975, v.63, N 10, p.4430 4436.

85. Левин A.A. Введение в квантовую химию твердого тела. М., Химия, 1974. 240 с.

86. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. М.-Л., Изд-во АН СССР, 1955. 96 с.

87. Пинте С. Исследование структуры простых жидкостей методом дифракции рентгеновских лучей. В кн.: Физика простых жидкостей. М., Мир, 1973, с. 9-66.

88. Морохов И.Д., Петинов В.И., Трусов Л.И., Петрунин В.Ф. Структ

89. J pa и свойства малых металлических частиц. УФН, 1981, т.133, вып.4, с. 653 692.

90. Эварестов Р.А. Применение молекулярных моделей для расчетов электронной структуры твердых тел. В сб.: Методы квантовой химии. Под ред. Соколова Н.Д., Ошерова В.И., Черноголовка, 1979, с. II4-I23.

91. Эварестов Р.А., Петрашень М.И., Дедовская Е.М. Молекулярные модели в теории электронной структуры кристаллов. Физика молекул, 1976, т.1, с. II6-I3I.

92. Сандомирский В.Б. О зависимости ширины запрещенной зоны в полупроводниковых пленках от толщины и температуры. ЖЭТФ, 1962, т.45, с. 2309.

93. Messmer R.P., Watkins G.D. Levels in semiconductors:Substitu-tional nitrogen and the lattice vacancy in diamond. Phys. Rev. B, 1973, v.7, N 6, p.2568 2590.

94. Weigel C., Peak D., Corbett J.W., Watkins G.I),, Messmer R.P. Carbon interstitial in the diamond lattice. Phys. Rev. B, 1973, v.8, U 6, p.2906 2915.

95. Messmer R.P. Prom finite clusters of atoms to the infinite solid 1.Solution of the eigenvalue problem of a simple tight bii ding for cluster of arbitrary size,Phys.Rev.В,1977,v.15, И 4, p.1811 1816.

96. Гадияк Г.В., Рузанкин С.Ф. Численное моделирование вющшений в полупроводниках квантохимическими методами. В сб.: Радиационные эффекты в полупроводниках. Под ред. Л.С.Смирнова, Новосибирск, Наука, 1979, с. 6-20.

97. Артамонов Л.В., Грехов A.M., Ройцин А.Б., Халфин И.Б. Расчет энергетической структуры кластера с произвольным числом атомов, ФТТ, 1980, т.22, в.6, с. I8I2-I8I6.

98. Волокитин А.И. Применение гамильтониана Андерсона в теории хемосорбции. В кн.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников. (Под ред. чл.-корр. А.В.Ржанова) Новосибирск Наука, 1977, с. 44-71.

99. Grimley Т.В. Electronic structure of adsorbed atoms and molecules. J. Vac. Sci. Tech., 1971, v.8, IT 1, p.31 38.

100. Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М.Грина, М., Мир, 1972- 432 с.101*.Беленький А.Я. Электронные поверхностные состояния в кристаллах. УФН, 1981, т.134, вып.1, с. 125-148.

101. Blyhoder G., Coulson С.A. Molecular-orbital models of chemi-sorption. Trans. Faraday Soc., 1967, v.63,part 7,p.1782-1788.

102. Davidson S.G., Levin J.D. Surface states. In: Solid State Physics. /H.Ehrenreich, F.Seitz, D.Turnbull, eds /. Academic Press, IT.Y. - London, 1970, v. 25,p. 1 - 149.

103. Lazarev D., Markov P. LCAO-MO study of the lithium crystal. Surf. Sci., 1969, v.14, p.320 326.

104. Корсунов B.A., Чувылкин Н.Д., Жидомиров Г.М., Казанский В.Б. Полуэмпирическая самосогласованная схема С N Д0/2М для расчета кластеров, моделирующих активные центры на окислах переходных металлов. Кинетика и катализ, 1978, т.19, вып.5.,с. II52-II59.

105. Чувылкин Н.Д., Жидомиров Г.М. Принципы выбора и квантовохи-мического анализа "минимальных" поверхностных комплексов в кластерных методах. Физическая химия, 1981, т. LV , в.1, с. I-II.

106. Hishida M. Cluster model approach for electronic structure of Si and Ge (111) and GaAs (110-} surfaces. Surf.Sci., 1978, v.72, p.589 616.

107. Paulson R.Q., Schrieffer J.R. Induced covalent bond theory of chemisorption. Surf. Sci., 1975, v.48, И 2, p.329 352.

108. Ellis D.E., Baerends E.J., Adachi H., Averill F.W. Molecular cluster theory of CO chemisorption on a nickel (100) surface Surf. Sci., 1977, v.64, p.649 661.

109. Киржниц Д.А. Полевые методы теории многих частиц. М., Госатомиздат, 1963, -344с.

110. Калиткин Н.Н. Модель атома Т-Ф с квантовыми и обменными поправками, ЖЭТФ, I960, т.38, № 5, с. 1534-1510.

111. Калиткин Н.Н. Вещества при высоких давлениях. Диссертация на соискание ученой степени доктора физ-мат наук (01.04.07) М., Ордена Ленина ин-т прикладной математики, 1974, 254с.

112. Киржниц Д.А., Лозовик Ю.Е. Шпатаковская Г.В. Статистическая модель вещества, УФН, 1975, т.117, в.1, с. 3-47.

113. Teller Е. On the stability of molecular in the Thomas-Fermi theory. Rev. Mod. Phys., 1962, v.34, H" 4, p.627 631.

114. Фирсов О.Б. Вычисление потенциала взаимодействия атомов, ЖЭТФ, 1957, т.ЗЗ,в.З(9), с. 696-699.

115. Nander L. Balazs Formation of stable molecules with th» statistical theory of atoms. Phys. Rev., 1967, v.156, p.42 47

116. Гадияк Г.В., Яненко Н.Н. Численная аппроксимация метода функционала электронной плотности для расчета больших молекул, кластеров В кн. Тез.докл. Всесоюзного совещания по квантовой химии. Новосибирск, 1978, с. 58-59.

117. Jacob В., Gross E.K.U., Dreizler R.M. Solution of the Thomas Fermi equation for Triatomic systems. J. Phys. B,: Atom. Mol Phys., 1978, v.11, N 22, p.3795 3802.

118. Dreizler R.M., Gross E.K.U. and Toepfer. Extended Thomas-Fermi approach to diatomic systems. Phys. Lett. A, 1979, v.7 N 1, p.49 53.

119. Борисов Ю.А. Вириально-статистический метод расчета энергий атомов и молекул. Журнал структурной химии. 1976, т.17, № 6, с. 974-984.

120. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н., Мухачев А.Г., Чернов С.В. Метод функционала электронной плотности для расчета молекулярных систем. Журнал структурной химии. 1981, т.22, №5, с.36-40.

121. Ландау Л.Д. Диамагнетизм металлов. Zs. Phys., 1930 , 64, p. 629-640.

122. Румер Ю.Б. К теории магнетизма электронного газа. ЖЭТФ, 1948, т.18, вып.12, с. I08I-I095.

123. Canuto V., Chiu H.Y. Quantum theory of an electron gas in intense magnetic fields. Phys. Rev,, 1968, v.173,N 5,p.1210. ,

124. Canuto V., Chiu H.Y. Thermodynamic properties of a magnetized Fermi-gas. Phys.Rev., 1968, v.173, N 5, p.1220 1228.

125. Canuto V., Chiu H.Y. Magnetic moment of magnetized Fermi-gas. Phys.Rev., 1968, v.173, И 5, p.1229 1236.

126. Canuto V., Chiu H.Y., Fassio-Canuto L. Thermodynamic approach to the equation of state of a magnetized Fermi-gas. Astro-phys. and Space Sci., 1969, v.3, p.258 267.

127. Banerjee В., Constantinescu D.H., Rehak P. Thomas-Fermi and Thomas-Fermi-Dirac calculations for atoms in a very strong magnetic field. Phys.Rev.D, 1974, v. 10, IT 8, p. 2384 2395.

128. Martin R.W. Photoluminescence of electron-hole drops in germanium at high magnetic fields. J. Lumin., 1976, v.12/13,p.645 649.130131132133134135136137138139140141142143

129. Райе Т., Хансел Дж, Филипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М., Мир, 1980, 349 с. Кадомцев Б.Б. Тяжелый атом в сверхсильном магнитном поле. ЖЭТФ, 1970, т.58, с.1765-1769.

130. Mueler R.0., Rau A.R.P., Spruch L. Statistical model of atoms in intense magnetic fields. Phys. Rev. Lett., 1971, v.26,p.11 Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивист-кая теория. М., Наука, 1974, -752с.

131. Tomishima Y., Shinjo К. Inhomogeneity correction to the Thomas-Fermi atom in a strong magnetic field. Progr. Theor.Phys. 1979, v.62, N 4, p.853 861.

132. Vineyard G.H. General introduction. Discussions Faraday Soc. 1961, v.31, p.7 23.

133. Виньярд Дж., Дине Дж. Радиационные эффекты в твердых телах, М., ИЛ, I960, -220с.

134. Биллер Дж. Роль машинных экспериментов в исследованиях материалов. В кн.: Машинное моделирование при исследовании материалов. М., Мир, 1974, с. 31 - 251.

135. Шишкин Ю.М. Исследование задач диффузии методами машинного моделирования. В кн.: Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах. Л., ФТИ, 198I, с.23-32.

136. Агранович В.М., Кирсанов В.В. Проблемы моделирования радиационных повреждений в кристаллах. УФН, 1976, т.118, вып.1, с. 3-51.

137. Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. Ленинград, Наука, 1980, -214с.

138. Замалин В.М., Норман Г.Э., Филинов B.C. Метод Монте-Карло в статистической термодинамике. М., Наука, 1977, 288с.

139. Гурвич Л.Г. 0 граничных условиях при моделировании на ЭВМ взаимодействия атомов с поверхностью твердого тела. В сб. Метод радиационных воздействий в исследовании структуры и свойств твердых тел. Ташкент, ФАН, с.134-138.

140. Плишкин Ю.М. Методы машинного моделирования в теории дефектов кристаллов. В кн.: Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. Л., Наука, 1980, с.77-98.

141. Verlet L. Computer "experiments" on classical fluids 2.Equilibrium correlation functions. Phys. Rev., 1968, v. 165, N 1, p. 201 214.

142. Гиршфельдер Дж., Кертисс Ч., Берд Р. Молекулярная теория газов и жидкостей, М., ИЛ, 1961. 930с.

143. Barker J.A., Pisher R.A., Watts R.O. Liquid argon Monte-Carlo and molecular dynamics calculations. Mol. Phys., 1971,v.21, IT 4, p.657 665.

144. Barker J.A., Watts R.O., Lee J.K., Shaber T.P., Lee Y.T. Interatomic potentials for krypton and xenon. J* Chem. Phys. 1974, v.61, IT 8, p.3081 3089.

145. Крокстон К. Физика жидкого состояния, M., Мир, 1978, -400с.

146. Хокни.Р. Методы расчета потенциала и их приложения. В кн. Вычислительные методы в физике плазмы. М., Мир, 1974,с. 143-212.

147. Hsu C.S., Rahman A. Interaction potentials and their effect on crystal nucleation and symmetry. J. Chem. Phys., 1979, v.71, IT 12, p.4974 4986.

148. Parrinello M., Rahman A. Crystal structure and pair potentials; A molecular dynamics study. American Phys. Soc., 1980, v.45, IT 14, p. 1196 1199.

149. Харрисон У. Теория межатомного взаимодействия в твердых телах, ЩЖ, 1972, т.108, в.2, с. 285-302.

150. Гадияк Г.В., Рузанкин С.Ф. Численное моделирование потенциалов взаимодействия в твердом теле. В сб. Численные методы механики сплошной среды, Новосибирск,1973, т.4, .№5, с.157-16

151. Борн М., Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток, М., Изд.иностр.лит. 1958, 488с.

152. Васильев Л.Н., Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я., Юрьев М.С. Фонон-ный спектр и тепловое расширение германия и кремния, ФТТ, 1971, Т.13, в.2, с.450-459.166« Vukcevich M.R. On elastic properties of covalent crystals. Phys. State Sol., 1970, v.40, p.193 205.

153. Аккерман А.Ф. Моделирование переноса заряженных частиц в веществе. Автореф. диссертации на соиск.уч.степени доктора физ.-мат.наук (01.04.16). Л., ЛПИ им.М.И.Калинина, 1980,- 49с.

154. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика часть I, М., Наука, 1976, 584 с.

155. Куни Ф.М. Статистическая физика и термодинамика. М., Наука, 1981 351 с.

156. Лагарьков А.Н., Сергеев В.М. Бесконечно малое коническое ( преобразование для получения коэффициента теплопроводности в теории линейного отклика. Теплофизика высоких температур 1973, т.II, в.2, с. 233-237.

157. Rahman A. Correlations in the motion of atoms in liquid argon. Phys. Rev. A, 1964, v. 136, IT 2A, p.405 411.

158. Лагарьков A.H., Сергеев В.М. Вычисление коэффициентов переноса плотных газов и жидкостей методом молекулярной динамики, Теплофизика высоких температур. 1970, т.8, №6, с.1309-I3II.

159. Болынов Л.А., Надортович А.П., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Субмонослойные пленки на поверхности металлов, УФН, 1977, т.122, в.1, с. 125-158.

160. Беданов В.М., Гадияк Г.В., Димов С.В., Радев С.П. Фазовый переход в двумерной системе с потенциалом взаимодействия Леннарда-Джонса. -Новосибирск, 1983, ИТПМ СО АН СССР, препринт № I, 46 с.

161. Abraham P.P. The phases of two-dimensional matter their transitions and solid-state stability: A perspective via computer simulation of simple atomic systems. Phys. Reports, 1981, v.80, IT 5, p.339 374.

162. Ando Т., Flowler A.B., Ctern P. Electronic properties of two-dimensional systems. Rev. Mod. Phys., 1982, v.54, U 2, p.437 653.

163. Волков B.A., Петров B.A., Сандомирский В.Б. Поверхность с высокими кристаллографическими индексами сверхрешетка для двумерных электронов. УФН, 1980, т.131, вып.З, с.423-440

164. Синай Я.Г. Теория фазовых переходов. М., Наука, 1980, -207с.

165. Ма Ш. Современная теория критических явлений.М., Мир,1980, -298с.

166. Иаташинский А.З., Покровский В.И. Флуктуационная теория фазовых переходов. М., Наука, 1982, -381с.

167. Mermin N.D. Crystalline order in two-dimensions. Phys. Rev., 1968, v.176, N1, p.251 254.

168. Chakravarty S., Dasgupta C. Absence of crystalline order in two-dimensions. Phys. Rev. B, 1980, v.22, U 1, p.369 372.

169. Alastuey A., Jancovici B. Absence of strict crystalline order in a two-dimensional electron system. J. Statist, Phys., 1981, v.24, p.443 449.

170. Ландау Л.Д. К теории фазовых переходов. П. ЖЭТФ, 1937, вып.5, т.7, с. 627-632.

171. Peirls R. Bemerkungen über Urawandlungs Temperaturen. Helv. Phys. Acta, 1936, 7. Suppl.2, p.81 83.

172. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей АН СССР. М.-Л., 1945- 422с.

173. Березинский В.Л. Разрушение дальнего порядка в одномерных и двумерных системах с непрерывной группой симметрии. ЖЭТФ, 1970, т.59, в.З (9), с. 907-920.184.185.186. 187.

174. Abraham P. P. Melting in two-dimensions is first order. An isothermal-isobaric Monte-Carlo study, Phys. Rev. Lett., 1980, v. 44. N 7, p.463 465.

175. Grimes C.C., Adams G. Evidence for a liquid-to-crystal phase transition in a classical two-dimensional sheet of electrons. Phys. Rev. Lett., 1979, v.42, p.795 798.

176. Alder B.J., Wainwright Т.Е. Phase transition in elastic disks. Phys. Rev., 1962, v.127, p.359 365.

177. De Wette P.W., Allen R.E., Hughes D.S., Rahman A. Crystallization with a Lennard-Jones potential: A computer ezperime Phys. Lett., 1969, V.23A, p.548 551.

178. Hockney R.W., Brown T.R. A lambda transition in a classical electron film. J. Phys. C, 1975, v.8, p.1813 1822.

179. Cotterill R.M.J., Pederson L.B.A molecular dynamics study of the melting of a two-dimensional crystal. Sol. St. Comm., 1972, v.10, p.439 441.

180. Young A.P. Melting and vector Coulomb gas in two-dimensions. Phys. Rev. B, 1979, v.19, p.1855 1866.

181. Lozovik Yu.E,, Musin D.R. Stability region of the two-dimensional electron crystal in strong magnetic fields, Phys. State Sol. (b), 1981, v. 104, N 2, p.711 717.

182. Lozovik Yu.E., Apenko S.M., Klyuchnik A.V. Two-dimensional electron crystal in magnetic field. Topological phase transitions and stability region. Sol. St. Comm., 1980, v.36,p.4

183. Totsuji H. Numerical experiment on two-dimensional electron liquids thermodynamic properties and one set of short-range order. Phys. Rev. A, 1978, v.17, N 1, p.339 406.

184. Gan R.C., Chakravarty S., Chester G.V. Monte-Carlo simulatio of the classical two-dimensional one-component plasma. Phys. Rev. B, 1979, v.20, H 1, p.326 344.

185. Vari Swol P., Woodcock L.V. Melting in two-dimensions; determination of phase transition boundaries. J. Chem. Phys., 1980, v.73, N 2, p.913 922.

186. Prenkel D,, McTague J.P. Evidence for a orientationally ordered two-dimensional fluid phase from molecular-dynamics сa culations. Phys.Rev.Lett., 1979, v.42, N 24, p.1632 1635.

187. Toxvaerd S. Phase transitions in a two-dimensional system. Phys. Rev Lett., 1980, v.44, N 15, p.1002 1004.

188. Беданов B.M., Гадияк Г.В., Лозовик Ю.Е. 0 фазовом переходе кристалл-жидкость в системе двумерных электронов. ФТТ. 1982, т.24, вып.З, с.928-930.

189. Беданов В.М., Гадияк Г.В., Лозовик Ю.Е. Фазовый переход в системе двумерных электронов. В сб. "Уравнения состояния в экстремальных условиях" под ред. Гадияка Г.В., Новосибирск, ИТПМ, СО АН СССР, 1981, с.39-54.

190. Bedanov V.M., Gadiyak G.V., Lozovik Yu.E. Phase transition in the surface two-dimensional electron system. Surf. Sci., 1983, v.I24, И , p.

191. Morf R.H, Temperature dependence of the shear modulus and melting of the two-dimensional electron solid. Phys. Rev. Let 1979, v. 43. N 13, p.931 935.

192. Hansen J.P., McDonald I.R., Pollock E.L. Statistical mechanic of dease ionized matter 3. Dynamical properties of the class: cal one-component plasma.Phys.Rev.A,1975, v.11,IT 3,p.1025-10j

193. Hansen J.P., Levesque D., Weis J.J. Self-diffusion in the twc dimensional classical electron gas. Phys. Rev, Lett., 1979, v.43, И 14, p.979 982.

194. Totsuji H., Kakeya H, Dynamical properties of two-dimensional classical electron liquids. Phys. Rev. A, 1980, v.22, И : p.1220 1228.

195. Чириков Б.В. Природа статистических законов классической механики. Препринт ИЯФ СО АН СССР, 78-66, Новосибирск, Б.И., 1978, 27 с.

196. Израйлев Ф.М., Чириков Б.В., Шепелянский Д.Л. Динамическая стохастичность в классической механике. Препринт ИЯФ СО АН СССР, 80-209, Новосибирск, Б.И., 1980, ~ 35 с.

197. Синай Я.Г. Динамические системы с упругими отражениями. Эргодические свойства рассеивающих бильярдов. УМН, 1970, т.25, в.2, с.141 192.

198. Аносов Д.В. Геодезические потоки на замкнутых многообразиях отрицательной кривизны. Труды ШАН им.Стеклова, 1967,с.90 123.

199. Синай Я.Г. Классические динамические системы со счетнократ-ным лебеговским спектром. П. Изв. АН СССР, Сер. Мат., 1966, т.30, с.15 68.

200. Аносов Д.В., Синай Я.Г. Некоторые гладкие эргодические системы. УМН, 1967, т.ХХП, в.5/137/, С.10&-Г72.

201. Колмогоров А.Н. О сохранении условно-периодических движений при малом изменении функции гамилътона. ДАН, 1954, т.98, М, с.527-530.

202. Арнольд В.И. Доказательство теоремы А.Н.Колмогорова о сохранении условно-периодических движений при малом изменении функции гамильтона. УМН, 1963, т.ХУШ, в.5/137/ с.13-42.

203. Мозер Ю. Лекции о гамильтоновых системах. М., Мир, 1973, - 164 с.

204. Чириков Б.В. Исследование по теории нелинейного резонанса и стохастичности. Новосибирск, 1969, 313с. /препринт Ш.Ф СО АН СССР, № 267/.

205. Заславский Г.М., Чириков Б.В. Стохастическая неустойчивость нелинейных колебаний. УФН, 1971, т.105, №'1, с.3-39.

206. Casartelli М., Gasati G., Diana Е., Galgani L., Stochastic transition in a classical non-linear dynamical system: A Len-nard-tTones chain. Report. EUR/C-IS/715/75e. 16 p.

207. Bonsall L., Maradudin A.A. Some static and dynamical properties of a two-dimensional Wigner crystal. Phys. Rev. B, 1977! v.15, p.1959 1973.

208. Заславский Г.М. Статистическая необратимость в нелинейных системах. М., Наука, 1970, -143с.

209. Боголюбов Н.Н., Митропольский Ю.А. Асимптотические методы в теории нелинейных колебаний. М., Наука, 1974, -503с.

210. Ландау Л.Д., Лифпшц Е.М. Механика, М., Наука, 1965, -203с.

211. Косевич A.M. Основы механики кристаллической решетки. М., Наука, 1972, -280с.

212. Chalupa J. Equation of state of a classical electron layer., Phys. Rev. B, 1975, v.12, U 1, p.4 9.

213. Baus П., Hansen J.P. Statistical mechanics of simple coulomb systems. Phys. Reports, 1980, v.59, N 1, p.2 94.

214. Мотт.Н,, Туз У. Теория проводимости по примесям. У®, 1963, т.79, с.691 740.

215. Platzman P.M., Fucuyama Н. Phase diagram of the two-dimensional electron liquid. Phys.Rev.B, 1974, v. 10,11 8, p.3150-3158,

216. Абдулаев Б., Лозовик Ю.Е., Мусин Д.Р. Влияние сил изображения на область устойчивости двумерного электронного кристалла. Препринт № 13. ИСАИ СССР, г.Троицк М.О., 1981 -20с.

217. Barker J.A., Henderson D., Abraham P.P. Phase diagram of the two-dimensional Lennard-Jones system: Evidence for first-order transition. Physica, 1971, V.106A, p.239 259.

218. Иосилевский И.Л. Фазовые переходы в кулоновских моделях. В сб. Уравнение состояния в экстремальных условиях. Под ред. Г.В.Гадияка. ИТПМ, Новосибирск, 1981, с.20-38.

219. Pollock E.L., Hansen J.P. Statistical mechanics of dense ionized matter 2. Equillibrium properties and melting transition of the crystallized one-component plasma. Phys. Rev. A, 1973, v.8, П 6, p.31Ю,- 3122.

220. Беданов B.M., Гадияк Г.В., Лозовик Ю.Е. Фазовый переходв двумерной системе взаимодействующих диполей. ФТТ, 1983, т.25, вып. I, с. 207-213.

221. Беданов В.М., Гадияк Г.В., Лозовик Ю.Е. Плавление в двумерной системе с дипольным взаимодействием. ФТТ, 1983, т.25, вып.2, с.577 580,

222. СО АН СССР, г.Новосибирск, 1983.2406.Hansen J. P. A Monte-Carlo study of the classical two-dimensional one-component plasma. J. Statistical Phys., 1982, v. 28, IT 2, p.325 349.

223. Долгов O.B., Максимов Е.Г. Эффекты локального поля и нарушение соотношения Крамерса-Кронинга для диэлектрической проницаемости. УФН, 1981, т.135, вып.З, с. 441-477.

224. Guernsey R.L. Kinetic equation for a completely ionized gas. Phys. Fluids, 1962, v.5, N 3, p.322 328.

225. Alder B.J., Wainwright Т.Е. Enhancement of diffusion by vortex-like motion of classical hard particles'. Phys. Soc. Japa: (Suppl) , 1968, v.26, p.268 269.

226. Alder B.J., Wainwright Т.Е. Velocity autocorrelations for hard spheres. Phys. Rev. Lett., 1969, v.18, p.988 990. •

227. Dorfman J.E., Cohen E.G.D. Velocity correlation function in two- and three-dimensions-Phys.Rev.Lett.,1970,v.25,p.1257-12

228. Abraham F.F. Two-dimensional melting, solid-state stability, and the Kosterlitz-Thouless-Feynman criterion. Phys. Rev. B, 1981, v.23, N 11, p.6145 6148.

229. Toxvaerd S. Computer simulation of melting in a two-dimensional Lennard-Jones system. Phys. Rev. A, 1981, v.24, N 5,p.2735 2742.

230. Олыпанецкий Б.З., Репинский C.M., Шкляев А.А. О фазовых переходах на поверхности германия и кремния. Письма в ЖЭТФ, 1977, т.25, М, с.195-197.

231. Olshnetsky B.Z., Repinsky S.M., Shklyaev А.А. LEED investigation of Ge surfaces cleaned by sublimation of sulphide films; structural transitions on clean Ge (110) surface. Surf. Sci., 1977, v. 64, K1, p.224 236.

232. Наутдовец А.Г. Исследования структуры поверхностей методом дифракции медленных электронов; достижения и перспективы.•-^Украинский физический журнал, 1978, т.23, МО, с.1585-1607

233. Кисилев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков, М., Наука,1978, -255с.

234. Palmberg P.W. Structure transformations on cleaved and annealed Ge (111) surfaces. Surf.Sci., 1968,v. 11,И 1,p. 153-158

235. Lander J.J. Low-energy electron diffraction and surface stru tural chemistry. In:"Progress in solid state chemistry. У.2. Pergamon Press, 1965, p.26 116,

236. Haneman D. Surface Structure and Properties of Diamond-Struc ture Semiconductors. Phys. Rev., v.121, N 4, p.1093 1100.

237. Tosatti E., Anderson P.W. Two-dimensional Excitonic Insulators: Si and Ge (111) Surfaces. Sol. State Comm., 1974, v.14 N 8, p.773 777.

238. Appelbaum Т.A., Hamann D.R. Self-Consistent Electronic Struc ture of Solid-Surfaces. Phys. Rev. B, 1972, v. 6, If 6, p. 2166 2177.

239. Schlüter M., Chelikowsky T.R., Louie S.G., Cohen M.L. Self-Consistent Pseudopotential Calculations for the Si (111). Unreconstructed (1x1) and Reconstructed (2x1) Model Structur Phys. Rev. B, 1975, v.12, IT 10, p.4200 4214.

240. Appelbaum Т.A., Hamann D.R. Surface Potential, Charge Densit; and Ionization Potential for Si (111) a self - Consistent Calculation. Phys. Rev. Lett., 1974, v.32, N 5, p.225 - 228.

241. Pandey K.C., Phillips T.C. Tight-Binding Calculations of Surface States of Si and Ge (111). Phys. Rev. Lett., 1974, v.32, N25, p.1433 1435.

242. Appelbaum I.A., Hamann D.R. Surface States and Surface Bonds of Si (111). Phys. Rev. Lett., 1973, v.31, N 2, p.106 109.

243. Batra I.P., Ciraci S. Effect of Relaxation and Reconstructio: on the electronic-energy-level-structure of the Si (111) Surface. Phys. Rev. Lett., 1975, v.34, H 21,p.1337 1340.

244. Кравцов B.E., Малыпуков А.Г. Фазовые переходы в адсорбированном монослое, ЖЭТФ, 1979, т.77, вЛ /7/, с.180-192.

245. Волокитин А.И., Карпушин А.А. Электронная структура адсорбированного слоя. ФТТ, 1979, т.21, в.12, с.3576-3581.

246. Нестеренко Б.А. Динамические свойства поверхностных решеток полупроводников. В сб. "Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников" Под ред. Ежанова А.В., Новосибирск, Наука, 1975, с.73-82.

247. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В. Парамагнитные центры на поверхности полупроводников. В сб. "Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников" , Под ред. Рзканова А.В., Новосибирск, Наука, 1975, с. 73-82.

248. Степанов В.Е., Чалдышев В.А., Чернышев В.Н. Теория поверхностных состояний в полупроводниках. В кн. Проблемы физической химии поверхности полупроводников, Новосибирск, Наука, 1978, с.5-43.

249. Eastman D.E., Freeouf T.L. Photoemission Partial Yield Measurements of Unoccupied Intrinsic Surface States for Ge (111 and GaAs (110). Phys. Rev. Lett., 1974, v.33, И 27,p.1601-16

250. Eastman D.E., Grobman W.D. Photoemission Densities of Intrin sic Surface States for Si, Ge, GaAs. Phys. Rev. Lett., 1972, v.28, H 21, p.1378 1381.

251. Дэвисон С., Левин Дж. Поверхностные /таммовские/ состояния, М., Мир, 1973. 231с.

252. Ludeke R., Esaki L. Electron Energy-Loss Spectroscopy of GaA and Ge Surfaces. Phys. Rev. Lett., 1974, v.33, U 11, p.653 -656.

253. Ludeke R., Koma A. A low-electron-loss Spectroscopy of Ge Surfaces, Phys, Rev, B, 1976, v, 13, IT 2, p.739 749.

254. Беляков Ю.И., Компанеец Т.Н. Адсорбция кислорода и водорода на грани /100/ монокристаллов германия, ЖГФ, 1972, т.42, в.6, с. I278-I28I.

255. Brennan D., Hayward D.O., Trepnell B.M.W. Calorimetric determination of the Heat of Adsorption of Oxygen on Evaporated films of Germanium and Silicon. J. Chem. Solids., 1960, v.14, p.117 123.

256. Французов A.A., Макрушин Н.й. Окисление и регенерация атомарно-чистой поверхности германия. Физика и техн.полу-цровод. 1971, т.5, № 4, с.707 713.

257. Беляков Ю.И., Компанеец Т.Н. Адсорбция водорода и кислорода на грани /Ш/ монокристаллов германия, ЖГФ, 1972, т.42, в.4, с.855-860.

258. Von Wienskonski J., Froitzheim H. Oxidation of Clean cleaved Ge (111) Surfaces. Phys. Stat.Solidi (b), 1979, v.94, p.429 -433.

259. Гадияк Г.В., Карпушин А.А., Мороков Ю.Н., Репинский С.М. Расчет адсорбции воды на поверхности германия. Физическая химия. 1980, т. 17, №2, о. 419-422.

260. Ьа\»с J.T. The adsorption the water vapor on germanium and germanium dioxide. J.Phys.Chem., 1955, v. 59, IT 1, p.67 71.

261. Green M., Maxwell K.H. Adsorption on clean germanium surfaces. J. Phys. Chem. Solids., 1959, v. 11, IT 3-4, p. 195 204.ч

262. Sinharoy S., Henzler M. Binding states of water vapor on cleaved germanium. Surf. Sci., 1975, v. 51, IT 1, p.75 88.

263. Васильев И.Я., Никрин B.H. Изучение адсорбции ионов некоторых элементов I-УШ групп на поверхности /Ш/ полупроводниковых монокристаллов. Тр.Казан.хим.-технолог, инст.,1971, в.46, с.154-164.

264. Кальвенас С.П., Шейкис A.C., Пучинкас A.A. Локальная" отрицательная фотопроводимость германия с примесью никеля в сильных электрических полях. Физика и техн.полупров.1972, т.6, № 8, с.1605-1607.

265. Романов О.В., Соколов М.А., Коноров П.П., Андреев А.Д. Легирующее действие микропримесей металлов на поверхности германия. Микроэлектроника, 1977, т.6, с.263 -268.

266. Романов О.В., Соколов М.А., Султанмагомедов С.Н. Закономерности и особенности воздействия адсорбции микропримесей металлов на электрофизические свойства германия и кремния. Новосибирск, ИФП СО АН СССР, препринт $ 29-78, 20с.

267. Wilmsen C.W., Szpak S. Mob processing for III-Y compound semiconductors overview and bibliography. Thin solid films, 1977, v.46, И 1, p.17 45.

268. Партенский М.Б. Самосогласованная электронная теория металлических поверхностей. УФН, 1979, т.128, вып.1, с. 69-106.

269. Синфелт Дж.Г. Гетерогенный катализ. Некоторые воцросы катализа на металлах. В кн. Новое в исследовании поверхности твердого тела, в.1, М., 1977, с.285-314.

270. Кузьминский М.Б., Багатурьянц A.A. Квантовохимические расчеты атомных кластеров металлов. В кн. Итоги науки и техники, Кинетика и катализ, т.8, М., 1980, с. 99-181.

271. Мессмер Р. Молекулярные кластеры и некоторые проблемы теории твердого тела. В кн. Полуэмпирические методы расчета электронной структуры, т.2, М., Мир, 1980, с.272-309.

272. Hanlan A.J.L., Ozin G.A. Rhodium atom chemistry. 1 synthesis and characterization of dirhodium bis (diohygen) rhodium and mono(diohygen) rhodium.Inorg.Chem.,1977,v.16,N11,p.2848-2857

273. Андерсон Дж. Структура металлических катализаторов, М., Мир, 1978, 432 с.

274. Ягодовский В.Д. Каталитическая активность гранулярных пленок и проволок никеля. Физическая химия, 1969,т.43,с.2959-29

275. Sinfelt J.H. Catalysis hydrogen-olysis over supported metals, Catalysis Rev., 1969, v.3, N 2, p.175 205.

276. Hulse J., Moskovits M. The ultraviolet-visible spectra of diatomic, triatomic and higher nickel clusters. J. Chem. Phys., 1977, v.66, p.3988 3994.

277. Baetzold R.C. Calculated Properties of metal Aggregates. II. Silver and Palladium.J.Chem.Phys., 1971, v.55,N9,p.4363-4370,

278. Blyholder G. СШ)0 calculations of nickel atom cluster. Surf. Sci., 1974, v.42, N 1, p.249 260.

279. Messmer R,P., Tuecker C.W., Johnson K.H. A comparison of SCP-X^ and extended Hii&kel methods for metal clusters. Chem Phys. Lett., 1975, v.35, p.423 426.

280. Callaway J., Wang C.S. Self-consistens calculation of energy bands in ferromagnetic nickel. Phys, Rev. B, 1973, v.7,p.1096 1102.

281. Messmer R.P., Knudson S.K., Johnson K.H., Diamond J.B. and Yang C.Y. Molecular-orbital studies of transition- and noble-metal clusters by the self-consistent-field-Xa scattered-wave method. Phys.Rev.B, 1976, v.13, p.1396 1415.

282. Salahub D.R., Messmer R.P. Molecular-orbital study of aluminium clusters containing up to 43 atoms.Phys.Rev.B,1977,v.16 p.2526 2536.

283. Somorjai G.A., Kesmodel L.L. Surface chemistry and colloids MTR. Rev. of Phys. Chem., 1978, v.7, ser.2, p.28 57.

284. Anderson J.R.(ed). Chemisorption and Reactions on Metallic films. H.Y., Academic Press, 1971, v.1, 555 p.

285. Дункен X. ,Лыгин В. Квантовая химия адсорбции на поверхности твердых тел. Мир, М., 1980, 288с.

286. Tahabe T., Adachi H., Imoto S. Molecular cluster calculation for hydrogen chemisorption on Hi (100) surface. Japan J. Appl. Phys., 1976, v.15» p.1805 1806.

287. Eastman D.E., Cashion J.K. Photoemission energy-level measurements of chemisorbed CO and 0 on Hi. Phys, Rev, Lett., 1971, v.27, N 22, p.1520 1523.

288. German L.H., Mackal A.Ü. Adsorption of hydrogen on a (110) nickel surface. J. Chem. Phys.,1962,v.37,H 7, p.1382 1386.

289. Lichtman D.Simon F.H., Kirst T.R. Electron probe surface mass spectrometry study of the hydrogen (100) nickel system. Surf. Sei., 1968, v. 9, IT 2, p.325 - 346.

290. Simon F.H., Lichtman D., Kirst T.R. Study of the binding sta tes of the hydrogen (100) nickel system. Surf. Sei., 1968, v. 12, H 2, p. 299 307.

291. Lapujoulade J., Heil K.S. Chemisorption of hydrogen on the (111) plane of nickel. J. Chem. Phys., 1972, v.57, H 8,p.3535 3545.

292. Lapujoulade J., Heil K.S. Hydrogen adsorption on Hi (100). Surf. Sei., 1973, v.35, p.288 -301.

293. Kelly R.D. , Rush J.J., Madey T.E. Vibrational spectroscopy of adsorbed species on nickel by neutron inelastic scatterir Chem. Phys. Lett., 1979, v.66, H 1, p.159 164.

294. Anderson S. Vibrational excitations and structure of H , D and HD adsorbed on Hi (100). Chem. Phys. Lett., 1978, v.55, p.185 188.

295. Fassaert D.J., Verbeek H., Van der Avoird. Molecular orbital model for hydrogen adsorption on different sites of a nickel crystals Surf. Sei., 1972, v.29, p.501 522.

296. Fassaert D.J.M., Van der Avoird A. LCAO stidies of hydrogen chemisorption on nickel. Surf. Sei., 1976, v.55, H 1, p.291 312.

297. Anderson A.B., Hoffman R. Molecular orbital studies of dissociative chemisorption of first period diatomic molecules and ethylene .on W and Ni surfaces. J. Chem. Phys., 1974, v.61, p.4545 4559.

298. Братушко Ю.И., Назаренко Ю.П. Расчет электронного строения комплексов 3d -переходных металлов с молекулярным кислородом. Теор.экспер.химия, 1974, т.10, Я I, с.36 43.

299. Квенцель Г.Ф., Гольдец Г.И. Квантовомеханический расчет энергии связи кислорода с поверхностью переходных металлов. Кинетика и катализ, 1972, т.13, с.221-227.

300. Weinberg W.H., Merrill R.P. Crystal field surface orbitalbond. Energy bond order (CFSO BEBE) calculations of adsorption II carbon monoxide, oxygen and carbon dioxide onplatinum (111) and oxygen on nickel (111). Surf. Sei., 1973, v.39, p.206 236.

301. Bullet D.W., Cohen M.L. Localized orbital approach to chemisorption II: H, 0 and CO on Ui and Pt (001). J. Phys. C: Solid State Phys., 1977, v.10, p.2101 2113.

302. Opitz Ch., Dunken H.H. "Extended" Huckel-Rechnungen für Mo-lecül: Me-OH der Übergangsmetalle in der I.Periode. Z. Phys. Chem. P/M., 1972, p.154 166.

303. Пак B.H. Приближенный способ расчета характеристик 0Н-групп поверхности окислов. Физическая химия. 1974, т.47, с. I631-1639.

304. Von R.Suhramann, Heras J.M., de Heras L. V. ,Wedler G. Chemisorption und zerfall der wassermolecul an reine nickeloberflachen bei niedrigen temperaturen decreas. Ber. Buns. Gesell. Für Phys. Chem., 1964, v.68, U 4, p.511 516.

305. Von Suhramann R., Heras J.M., Viscido de Heras L., Wedler G< Chemisorption und Zerfall der Wassermolecul an reinen Kicke! Oberflächen bei niedrigen Temperaturen. Ber. Buns. Jes., 1978, v.82, N 10, p.1035 1041.

306. Burshtein R. Chemisorption at gas/solid and solid/electrolyte interfaee. J. Research Institute for Catalysis, Hokkaido University, 1980, v. 28, Ii 1, p.41 66.

307. Madey Т.Е., Jates J.T. Evidence for the conformation of H20 adsorbed on Ru (001). Chem. Phys. Lett., 1977, v.51, N 1, p.77 83.

308. Ballhausen C.J., Gray H.B. Molecular orbital theory. London Benjamin Press, 1964, 273 p.

309. Seiwetz R. Possible structures for clean, annealied surface of germanium and silicon. Surf. Sei., 1964, v.2, p.473 48«

310. Taloni A., Haneman D. Computer calculation of semiconductor surface structures. Surf. Sei., 1968, v.10, N 2, p.215 23

311. Томашек M., Коутецкий Я. Природа хемосорбционной связи на поверхности полупроводника. Сб. "Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках" под ред. Ф.Ф.Воль-кенштейна, Изд. "Мир", М., 1969, с.71-85.

312. Astrup I. Surface bands of silicon (111) slabs by a LCAO-method. Surf. Sei., 1970, v.20, N 2, p.335 348.

313. Jones R.0. Model calculation of surface states in silicon.

314. J. Phys. C: Solid State Phys., 1972, v.5, N 13, p. 1615 162J

315. Pandey K.C., Phillips J.C. Tight-binding calculations of sur face states of Si (111). Solid State Comm., 1974, v.14, N 5, p.439 441.

316. Phillips J.C. Back, dangling and multiple bonds on covalent surfaces. Surf. Sei., 1974, v.44, IT 1, p. 290 292.

317. Harrison W.A. Surface reconstruction on semiconductors. Surf Sei., 1976, v.55, U 1, p.1 19.

318. Гагарин С.Г., Колбановский Ю.А., Полак Л.С. Квантовохимичес-кое изучение влияния дефектов решетки атомного и ионного кристалла на адсорбцию водорода. Теоретич. и эксперим.химия,1972, 8, вып.2, с. 216-223.

319. Appelbaum J.A., Baraff G.A., Hamman D.R. The Si (100) surface a theoretical study of the unreconstructed surface. Phy Rev. B; 1975, v.11, p.3822 - 3832.

320. Goldstein S., Curtiss L.A., Enwema P. И. HHP calculations for five atom diamond cluster. J. Phys. G: Solid State Phys.,1973, v.9, p.4131 4138.

321. Mulliken R.S. Electronic population analysis on LCAO-MO molecular wave functions I. J. Chem Phys., 1955, v.23, N 10, p.1833 1840.

322. Marsh J.В., Farnsworth H.E.Low-energy electron diffraction studies of (100) and (111) surfaces of semiconducting diamond. Surf. Sci., 1964, v. 1, IT 1, p.3 21.

323. Lander J.J., Morrison J. Low-energy electron diffraction study of the (111) diamond surface. Surf. Sci., 1966, v.4, N 3, p. 241 246.

324. Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Переходы порядок-беспорядок в моноатомных адсорбированных пленках натрия, Письма в ЖЭТФ, 1969, т.10, в.1, с.11-13.

325. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н., Репинский С.М. Анализ потенциальной поверхности для идеальной грани (100) германия. Физическая химия. 1978, т. LU, с.2958-2960.

326. Pchelykov О.Р., Lovyagin R.N., Krivorotov Е.А., е.a. Silicon homoepitaxy with ion sputtering.I. Mechanism of Growth. Phys Stat. Sol., 1973, v.17, p.339 351.

327. Hale B., Kiefer J. A partition function model for nucleation on surfaces. J. Statist. Phys., 1975, v.12, N 5, p.437 444

328. Rao M., Berne В.J., Kalos M.H, Computer simulation of the nucleation and thermodynamics of microclusters. J. Chem. Phyi 1978, v.68, p.1325 1329.

329. Fletcher N.H. Size effect in Heterogeneous nucleation. J. Chem. Phys., 1958, v.29, N 3, p.572 576.

330. Грин M., Ли М.Де. Простые комплексы на поверхностях полупроводников. В сб. Поверхностные свойства твердых тел. М., Мир, с.155-192.

331. Appelbaum J.A., Hamann D.R. Theory of reconstruction induced subsurface strain-application to Si (100). Surf. Sci., 1978, v. 74, p.21 31.

332. Monch W. Physics of reconstructed silicon surfaces. Surf. Sci., 1979, v. 86, p.672 699.

333. Chadi D.J. Si (100) surfaces. Atomic and electronic structures. J. Vac. Technol., 1979, v.16, N 5, p.1290 1296.

334. Chadi D.J. Atomic and electronic structures of reconstructed Si (100) surface'. Phys. Rev. Lett., 1979, v.43, p.43 47.

335. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н., Репинский С.M. Перестройка решетки грани германия (100). ФТП, 1981, т.15, № 9,0.1838-1842

336. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Мир, М., в.1, I977-3I5C.

337. Кисилев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. Наука, M., 1970, 399с.

338. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. M., Науйа, 1971, 480 с.

339. Волокитин А.И., Карпушин А.А. Расчет хемосорбции кислорода на поверхности /Ш/ германия на основе представления о поверхностной молекуле. Физика и техн.полупр. 1979, т.13,в.2, с. 219-222.

340. Волокитин А.И., Мороков Ю.Н. Хемосорбция водорода на полупроводниках: ôe(Ill). Физика и техн.полупроводн. 1976,т.10, вып.10, с.1821-1825.

341. Волокитин А.И., Гадияк Г.В., Карпупшн A.A., Мороков Ю.Н., Репинский С.М., Ржанов A.B. Исследование хемосорбции молекул кислорода на поверхностях /Ш/ и /100/ германия методом ПЩЩ/2, Физика и техн.полупровод. 1976, т. 10, МО,с. 1866-187

342. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н. Полуэмпирические методы расчета задач поверхности полупроводников. Препринт доклада. Второй семинар "Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников. ИФП, Новосибирск, 1975. с.17.

343. Гадияк Г.В., Карпупшн A.A., Мороков Ю.Н. Квантовохимические методы в задачах адсорбции на поверхности полупроводников.

344. В сб. Проблемы физической химии поверхности полупроводников, Новосибирск, Наука, 1978, с. 72-78.

345. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н., Репинский С.М. О характере адсорб ционного состояния кислорода на поверхности германия. Физика и техн.полупроводн. 1978, т.12, №6, с.1228-1229.

346. Компанеец Т.А. Взаимодействие водорода, кислорода и некоторых других газов с поверхностью монокристаллов германия. ЖТФ, 1976, т.46, №7, с. I37I-I372.

347. Dillon J.A., Farnsworth Н.Е. Work-function studies of germanium crystals cleaned by ion bombardment. J. Appl. Ehys., 1957, v.28, p.174 184.

348. Трепнел Б. Хемосорбция, M., ИЛ, 1958, 302.

349. Ржанов A.B., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Неизвестный И.Т., Покровская C.B., Галкина Г.Н. О природе поверхностных центров рекомбинации на германии. ФТТ, 1961, т.З, ЖЗ,с.882-831.

350. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н., Томашек М. Расчет методом ППДП/2 хемосорбций некоторых газов на гранях (Ш) и (100) никеля. Физическая химия, 1983, т.ДУП, Ш, с. 370-376.

351. Van der Avoird. Some model calculations for adsorption on transition metals. Surf. Sei., 1969, v.18, p.159 177.

352. Park R.L., Parnsworth H.E. Adsorption and oxidation of carbon monoxide on (100) nickel. J. Chem. Phys., 1965, v.43,1. 7, p. 2351 2354.

353. Lapujoulade J., Neil K.S, Chemisorption of hydrofen on the (111) plane of nickel. J. Chem. Phys., 1972, v.57, U 8,p.3535 3545.

354. Doves R., Pisani C., Roetti^C. Calculations of nickel bond structure and adsorption on nickel thin films, using an extension of the CNDO formalism. Surf. Sei., 1981, v.103, И 2, p.482 495.

355. Trapnell B.M.V7., Hayword D.O. Chemisorption. Butterworth, London, 1964, 308 p.

356. Schlüter M., Chelikowsky T.R., Louie S.G., Cohen M.L. Self-consistent pseudopotential calculations on Si (111). Unrecor structed and (2x1) reconstructed surfaces. Phys. Rev. Lett., 1975, V.34, H 22, p.1385 1388.

357. Laughlin R.B., Joannopoulos J.D., Chadi D.J. Theory of the electronic of the* Si, Si02 interface. Phys. Rev. B, 1980, v. 21, N 12, p. 5733 5744.

358. Гадияк Г.В., Карпупшн A.A., Мороков Ю.Н., Томашек М. Расчеты объемных и поверхностных свойств алмазоподобных полупроводников. Физ.техн.полупроводников, 1983, т.17, вып.6, с. 1025 1028.

359. Rowe J.E., Ibach Н. Surface and balk contributions to ultraviolet photoemission spectra of silicon. Phys. Rev. Lett., 1974, v.32, IT 8, p.421 424.

360. De Meyer G., Hoogewijs R., Lambrecht W., Vennik J. The influence of hydrogen saturation on the local densities of states in small Si, Ge, GaAs clusters. Surf. Sei., 1981, v.106, p.498 508.

361. Вопросы радиационной технологии полупроводников. /Под ред. Л.С.Смирнова./ -Новосибирск, Наука, 1980, 296с.

362. Anderson Р.А., Noustakas T.D., Paul W. Proc 7th Int. Conf. Amorphous and liquid semiconductors, ed W.E.Spear, CICL, Univ. of Edinburgh, 1977, p.334 341.

363. Ortenburger I.В., Ciraci S., Batra I.P. A comparative study of the (111), (110) and (100) surfaces of silicon using the local density of states method applied to the bond orbital model. J.Phys. C: Solid State Phys., 1976, v.9, p.4185 42(

364. Bortolani V., Calaudra C., Kelly M.J. The electronic structure of the surface of silicon. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1973, v.6, p.L349 L353.

365. Kouteckey J., Tomasek M. Shockley surface states for a graphite and diamond model with a delta function potential. Czechoslovak J.Phys., 1962, V.12B, IT 1, p.48 53.

366. Chadi D.J., Chelikowsky J.R. Step-formation energies and domain orientation at Si (111) surfaces. Phys. Rev. B, 1981, v.24, p.4892- 4895.

367. Robinson M.T., Holmes D.K., Oen O.S. Ranges of energetic atoms in solids. II Lattice model. Bull. Am. Phys. Soc., 1962, v.7, U 3, p.171.

368. Beeler J., Besco D.G. Range and damage effects of tunnel trajectories in a wurtzite structure. J. Appl, Phys., 1963, v.34, N 9, p.2873 2878.

369. Torrens I.MeC., Chadderton L.T. Dynamics of radiation damage in face-centered-cubic alcali halides. Phys. Rev., 1967, v.159, И 3, p.671 682.

370. Silsbee R.H. Focusing in collision problems in solids. J. Appl. Phys., 1957, v.28, U 11, p.2446 2450.

371. Lehman 0., Leibfried G. Fokussierende (110- strosfol-gen in flashenzentrierten kristallen bei jleinen winklen. Z. Phys., 1961, v.162, p.203 214.

372. Орлов A.H., Трушин Ю.В. Современные представления о структу ре и эволюции радиационных каскадов в твердых телах. В кн. Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах, Ленинград, 1979, с.8-39.

373. Корберт Дж., Бургуэн Ж. Дефектоорбразование в полуцровод-никах. в кн. Точечные дефекты в твердых телах. М., Мир, 1979, с. 9-162.

374. Erginsоу С., Vineyard G.H., Shimizu A. Dynamics of radiation damage in a body-centered cubic lattice II Higher energies. Phys. Rev. A, 1965, v.139, И 1A, p.118 125.

375. Lomer J.H., Pepper Ы. Anisotropy of defect production in electron irradiated iron. Phyl. Mag., 1967, v.16, N 144» p.1119 1128.

376. Vajda P. Anisotropy of electron radiation damage in metal crystals. Rev. Mod. Phys., 1977, v.49, N 3, p.481 521.

377. Hemment P.L.P., Stevens P.R.C. Proc. Conference on radiations effects in semiconductors. Santa Pe, 1967. (U.Y. Plenum Press, 1968), p.290 300.

378. Johnson R.A., Brown E. Point defects in copper. Phys. Rev., 1962, v.127, И 2, p.446 454.

379. Орлов A.H. Точечные дефекты в кристаллах и их свойства. В кн. Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ, Ленинград, Наука, 1980, с.5-22.

380. Matsubara Т. TKeory of diffuse scattering of X-rays by local lattice distortions. J. Phys. Soc. Jap., 1952, v.7, Ef 3, p. 270 274.

381. Rao M,, Berne B.J., Kalos M.H. Computer simulation of the nucleation and thermodynamics of miегосlusters. J. Chem. Phy 1978, v.68, p.1325 1329.

382. Fletcher N.H. Size effect in Heterogeneous nucleation. J. Chem. Phys., 1958, v.29, N 3, p.572 576.

383. Грин M., Ли М.Дж. Простые комплексы на поверхностях полупроводников. В сб. Поверхностные свойства твердых тел. М., Мир, с.155-192.

384. Appelbaum J.A., Hamann D.R. Theory of reconstruction induced subsurface strain-application to Si (100). Surf. Sei., 1978, v.74, p.21 31.

385. Mönch W. Physics of reconstructed silicon surfaces. Surf. Sei., 1979, v.86, p.672 699.

386. Chadi D.J. Si (100) surfaces. Atomic and electronic structures, J. Vac. Technol., 1979, v.16, U 5, p.1290 1296.

387. Chadi D.J. Atomic and electronic structures of reconstructed Si (100) surface'. Phys. Rev. Lett., 1979, v.43, p.43 47.

388. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н., Репинский С.М. Перестройка решетки грани германия (100). ФТП, 1981, т.15, № 9,0.1838-1842

389. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Мир, М., в.1, I977-3I5C.

390. Кисилев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. Наука, М., 1970, 399с.

391. Ржанов A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Науйа, 1971, 480 с.

392. Волокитин А.И., Карпушин A.A. Расчет хемосорбции кислорода на поверхности /Ш/ германия на основе представления о поверхностной молекуле. Физика и техн.полупр. 1979, т.13,в.2, с. 219-222.

393. Konzaki H. Point defects in face-centered-cubic lattice -I-II. X-ray scattering effects. J. Phys. Chem. Sol., 1957, v.2, N 24, p.107 114. 400. Ройцин А.Б. Теория глубоких центров в полупроводниках. Физика техн.полупр., 1974, т.8, М, с.3-29.

394. Coulson С.А., Kearsley M.J. Colour centres in irrediated diamonds. Proc. Roy. Soc. A, 1957, v.241, N 1227, p.433 45

395. Yamaguchi T. Electronic states of single vacancies in diamond. J. Phys. Soc. Japan, 1962, v.17, N9, p.1359 1384.

396. Stoneham A.M. The electronic structure of tetrahedral H2 centre and of the neutral vacancy in diamond. Proc. Phys. Soc., 1966, v.88, p.135 147.

397. Friedel J., Lanoo M., Leman 6. Jahn-Teller effect for a single vacancy in diamond-like covalent solids. Phys. Rev., 196' v.164, p.1056 1063.

398. Larkins P.P. Electronic structure of the isolated vacancy in silicon. J. Chem. Sol., 1971, v.32, p.9865 9880.

399. Messmer R.P.»Watkins G.D. Linear combination of atomic orbital-molecular orbital treatment of deep-defect level in a semiconductor: nitrogen in diamond. Phys. Rev. Lett., 1970, v.25, N10, p.656 659.

400. Fermi E., Teller E. The capture of negative mesotrons in matter. Phys. Rev., 1947, v.72, N 5, p.399 408.

401. Lindhard J. On the properties of gas of charged particles. Kgl. Danske. Vidensh. Selsk. Mat Fyz. Medd., 1954, v.28, N 8, p.1 - 57.

402. Lindhard J., Scharff M. Energy loss in matter by fast particles of low charge. Kgl. Dans. Vid. Selsk. Mat. Fiz. Medd., 1953, v.27., N 15, p. 1 31.

403. Фирсов О.Б. Качественная трактовка средней энергии возбуждения электронов при атомных столкновениях. ЖЭТФ, 1959*т.36, в.5, с.1517-1523.

404. Green D.W., Cooper J.И., Harries J.С. Stopping cross sections metals for protons of energies from 400 to 1000 keV. Phys. Rev., 1955, v.98, IT 2, p.466 473.

405. Bader M., Pixley R.E., Mozer F.S., Whaling W. Stopping cross section of solids for protons, 50 600 keV. Phys. Rev., 1956, v.103, IT 1, p.32 - 38.

406. Теплова Я.А., Николаев B.C., Дмитриев И.С., Фатеева Л.Н. Торможение многозарядных эдектронов в твердых и газообразных средах. ЖЭТФ, 1962, т.42, вып.1, с.44-60.

407. Ormrod J.H., Duckworth Н.Е. Stopping cross sections in carbon for low-energy atoms with z ^ 12; Can. J. Phys., 1963, v.41, IT 9, p. 1424 1442.

408. Fastrup B,, Hvelplund P., Sautter C. Stopping cross-section in carbon of 0.1 0.9 MeV atoms with Z1 ^ 20. ITucl. Instr. Meth., 1965, v.38, p.260 - 263.

409. Hvelplund P., Fastrup B. Stopping cross section in carbon of 0.2 1.5 MeV atoms with 21 4 Z^39. Phys. Rev., 1968, v. 165, IT 2, p.408 - 414.

410. Ахиезер И.А., Давыдов Л.Н. Террия электронного торможения тяжелых ионов в металлах. УФН, 1979, т.129, в.2,с.239-254.

411. Кессельман B.C. Тормозная способность кристаллов ддя не-упрутих столкновений с учетом осцилляторной зависимости от порядкового номера иона. ЖТФ, 1971, т. XLI, вып.7-8, с^1708-1716.

412. Кессельман B.C. Эффект осцилляторной зависимости тормозной способности вещества для неупругих столкновений от порядкового номера налетающего атома. ЖТФ, 1972, т.Х1»П, в.6,с. II6I-II66.

413. Winterbon К.В. Z^ oscillations in stopping of atomic particles. Can. J. Phys., 1968, v.46, N 21, p.2429 2433.

414. Cheshire I.M., Dearnaley G., Poate J.M. Structure effects in low-energy electronic stopping. Proc. Roy. Soc., ser.A, 1969, v.311, p.47 51.

415. Гадияк Г.В., Насыров К.А. Оболочечные эффекты в неупругих столкновениях атома с кристаллами, ЖТФ, 1979, т.49, в.10, с. 2122-2123.

416. Галицкий В.М., Никитин Е.Е., Смирнов Б.М. Теория столкновения атомных частиц. М., Наука, 1981, -254с.

417. Шпатаковская Г.В. Оболочечные эффекты в теории атома и сжатого вещества. Автореферат диссерт. на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук /01.04.02/, М., 1974, 12с. АН СССР Ордена Ленина Физический ин-т им. П.Н.Лебедева.

418. Titz Т. An improved approximate analytic solution of the Thomas-Permi equation for atoms. Nuovo cimento, 1955, v. 1, N 5, p.955 956.

419. Гадияк Г.В., Баранов А.И., Рузанкин С.Ф. Численное моделирование динамики радиационных повреждений в кремнии. Депонирована ДЭ № 1942, Ж6, 1975 Юс.

420. Книжников Ю.Н. Об анизотропии пороговой энергии образования дефектов в кремнии /Результаты машинного эксперимента/ Препринт, Москва, 1971 -16с. Институт атомной энергии.

421. Панов В.И., Смирнов Л.С. О роли коллективных процессов при образовании первичных дефектов, Физика и техн.полупров. 1973, т.7, М, с.212-215.

422. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Попов В.И., Смирнов Л.С О пороговой энергии образования радиационных дефектов в полупроводниках. Физика и техн.полупроводн. 1971, т.5, в.8, с. 1644-1646.

423. Коломенская Т.И., Разумовская C.B., Винтовкин С.И. Температурная зависимость порога образования радиационных дефектов в кремнии, облученных электронами. Физика и техн.полупровод. 1967, T.I, в.5, с. 789-792.

424. Смирнов Л.С., Хайновская В.В. Взаимодействие радиационных дефектов с дислокациями в германии. ФТТ, 1967, т.9, в.7, с. 2043-2051.

425. Линхард Й. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. УФН, 1969, т.99, №2? с.249-271.

426. Кумахов М.А. Пространственное перераспределение потока заряженных частиц в кристаллической решетке. УФН, 1975,т. 115, вып.З, с.427-464.

427. Гадияк Г.В. Расчет вакансии и полувакансии в кремнии методом ППДЦ/2. Физика техн.полупр., 1977, т.II,в.9, с.1824-1825.

428. Brown W.L., Augustyniak W.M. Energy, orientation and temperature dependence of defect formation in electron irradiation of n-type germanium. J. Appl. Phys.* 1959, v.30, H 8, p. 1300 1309«',

429. Watkins G.D. Vacancies and interstitials in semiconductors. In: "Radiation Damage and Defects in Semiconductors". Inst, of Phys., London, 1973, p.228 237.

430. Lidiard A.B. Theory of defect energies and states. In: "Radiation Damage and Defects in Semiconductors". Inst, of Phys., London, 1973, P-238 248.

431. Гадияк Г.В., Рузанкин С.Ф. Расчет кластеров кремния методом ССП Xet- РВ. Тезисы докл. 5-го заседания постоянного семинара по моделированию радиационных и других дефектовв кристаллах. Кривой Рог, 1977, с. 54-55.

432. Watkins G.D. EPR and orbital absorption studies in irradiated semiconductors. In: "Radiation Effects in Semiconductors". Edited by Frederick L. Vook Plenum Press, H.Y., 1968, p.67 81.

433. Van Vechten Y.A. Enthalpy of vacancy migration in Si and Ge. Phys. Rev., ser.B, 1974, v.10, H 4, p.1482 1506.

434. Swalin R.A. Theoretical calculations of the enthalpies and entropies of diffusion and vacancy formation in semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, 1961, v.18, N 4, p.290 29'

435. Lannoo M., Leman G. On the Jahn-Teller effect for a single vacancy in diamond-like covalent solids. In:"Radiation effects in Semiconductors". Edited by Frederick L. Vook, Plenum Press, 1968, IT 4, p.37 42.

436. Masters B.J. Semivacancy>pair in crystalline silicon. Sol. State Comm., 1971, v.9, p.283 286.

437. Глазман В.Б., Мякенькая Г.С. Вакансия и пара полувакансий в ковалентных кристаллах в различных зарядовых состояниях. Физика техн.полупр., 1974, т.8, в.7, с. 1393-1394.

438. Пантелеев В,А., Окулич В.И., Щукин Р.Н., Шурганов В.В. О модели пары полувакансий в кремнии. Физика техн.полупр. 1974, т.8, в.9, с. 1805-1806.

439. Wertheim G.K. Temperature-dependent defect production in bombardment of semiconductors. Phys. Rev., 1959, v.115, N 3, p.568 569.

440. Corbett J.W., Bourgoin J.C., Weigel C. Mechanisms of defect production. In: "Radiation Damage and Defects in Semiconductors. Inst, of Phys., London, 1973, p.1 16.

441. Watkins G.D., Messmer R.P., Weigel C., Peak D., Corbett J.W. Properties of the interstitial in the diamond-type lattice. Phys. Rev. Lett., 1971, v.27, N 23, p.1573 1575.

442. Watkins G.D. A review of EPR studies in irradiated silicon. In: " Radiation Damage in Semiconductors (Dunod Paris), 1965, p.97 -.113.

443. Benneman K. Hew method for treating lattice point defects in covalent crystals. Phys. Rev., 1965, V.137A, Ж 5, p.1497 1514.

444. Воскобойников В.В., Гриценко В.А., Диковская Н.Д., Зайцев Б.А., Могильников К.П., Осадчий В.М., Синица С.П. Структурные оптические и электрические свойства нитрида, обогащенного кремнием. Thin solid film, 1976, v.32,1. P.339 342.

445. Prova A., Handler P. Direct Observation of Phonons in Silicon by Electric Field Modulated Optical Absorption. Phys. Rev. Lett., 1965, v.14, p.178 - 180.

446. Fong C.Y., Cohen M.L. Band structure and ultraviolet optical properties of sodium chloride. Phys. Rev. Lett., 1968, v.21, N 1, p.22 25.

447. Trueblood D.L. Electron paramagnetic resonance in electron-irradiated germanium. Phys. Rev., 1967, v. 161, IT 3, p.828 -833.

448. Scholz A., Seeger A. Vacancies and divacancies diamond-struc ture valence crystals. In: " Radiation Damage in Semiconductors Dinod." Paris, 1965, p.315 322.

449. Гершензон E.M., Мельников А.П., Рабинович Р.И., Серебря-никова Н.А.Цримесные //"-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках. УФН, 1980, т.132, вып.2, с. 353-378.

450. Larsen D.M. Binding of D~ ions in a magnetic fields. Phys. Rev. Lett., 1979, vv42, IT 11, p.742 745.

451. Захарченя Б.П., Сейсян Р.П. Диамагнитные экситоны в полупроводниках. УФН, 1969, т.97, вып.2, с.193-210.

452. Жилич А.Т., Монозон Б.С, Кюнер Б.К. Квазиатомные и квазимолекулярные возбуждения в полупроводниках в сильном магнитном поле. Вопросы квантовой теории атомов и молекул., Л., ЛГУ, 1981, №2, с.82-98.

453. Кулаковский В.Д., Кукушкин И.В., Тимофеев В.Б. Экситоныи экситонные молекулы в одноосно-деформированном германии в магнитном поле. ЖЭТФ, 1981, т.81, вып.2 /8/ с.684-695.

454. Кулаковский В.Д., Пикус Г.Е., Тимофеев В.Б. Многоэкситон-ные комплексы в полупроводниках. УФНД981, т.135, вып.2, с.237-284.

455. Келдыш Л.В. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках. В сб. Экситоны в полупроводниках. М., Наука, 1971,с. 5-18.

456. Келдыш Л.В. Электронно-дырочные капли в полупроводниках. УФН, 1970, т.100, вып.З, с. 514-517.

457. Keldysh L.V. Concluding remarks. Proc. Int. Conf. Phys. Semicond 9th. Moscow, 1968, p.1303 1312.

458. Pokrovskii Ya. Condensation of non-equilibrium charge carries in semiconductors. Phys. Stat. Sol. (A), 1972, v.11, U 2, p. 385 410.

459. Tomas G.A., Mock J.B., Capizzi M. Mott distortion of the electron-hole fluid phase diagram. Phys. Rev. B, 1978, v.18, IT 8, p.4250 4259.

460. Lozovik Yu.E., Klyuchnik A.V. Change of binding tipe and dissociation of molecules and biexcitons in a strong magnetic field. Phys. Lett., 1978, V.66A, IT 4, p.282 284.

461. Летохов B.C., Лозовик Ю.Е. Магнитная предиссоциация возбужденных молекул. Москва, 1973 -19с. /препринт ИСАИ СССР, М38-20/.

462. Кукушкин И.В., Кулаковский В.Д., Тимофеев В.Б. Бозе-газ ориентированных по спину экситонов в одноосно деформированном германии. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.34, в.1, с.36-46.

463. Леонас В.Б., Эксперименты с холодными атомами водорода. УФН, 1981, т.133, вып.4, с.705-728.

464. Лабзовский Л.Н., Лозовик Ю.Е. Молекулы с сопряженными связями в сильных магнитных полях. Препринт №12/160. Институт спектроскопии АН СССР, Москва, 1973, -24с.

465. Летохов B.C., Лозовик Ю.Е. Влияние сильного магнитного поля на химические реакции при низких температурах. Препринт № 18, Институт спектроскопии, М., 1973, -16с.

466. Silvera I.P., Walraven J.T.M. Stabilization of atomic hydrogen at low temperature. Phys. Rev. Lett., 1980, v.44,p.164 168.

467. Фортов B.E. Модели уравнений состояния вещества. Препринт Черноголовка, 1979, 49с.

468. Киржниц Д.А. Экстремальные состояния вещества. УФН, 1971,т.104, вып.З, с.489-508.

469. Келдыш Л.В., Силин А.П. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках в магнитном поле. ФТТ,1973,т.15, с.1532-1535.

470. Tsuruta S., Canuto V., Lodenquai J., Ruderman M. Cooling of pulsars. Astrophys. J., 1972, v. 176, IT 3, part 1, p.739 74

471. Tomishima Y., Yonei K. Thomas-Fermi theory for atoms in a strong magnetic field. Progr. Theor. Phys., 1978, v.59, H 3, p.683 696.

472. Ruderman M.A., Flowers E.G., Lee J.F., Sutherland P.G., Hillebrandt v/., Muller e. Variational calculation of ground-state energy of iron atoms and condensed matter in strong magnetic fields. Astrophys. J., 1977, v.215, p.291 301.

473. Gadijak G.V., Lozovik Yu,E. Many-electron atoms in high magnetic fields. J. Phys. B, 1980, v.13, p.1531 1535.

474. Гадияк Г.В., Обрехт М.С., Яненко Н.Н. Численное моделирование атома в сверхсильном магнитном поле. В сб. Численные методы механики сплошной среды, 1980, т.П, #-3, с. 27-46.

475. Гадияк Г.В., Обрехт М.С., Яненко Н.Н. Уравнение состояния А-е фазы коры пульсара с учетом действия сверсильного магнитного поля., Астрофизика,1981, т.17, в.4, с. 777-786.

476. Гадияк Г.В., Обрехт М.С. Уравнение состояния холодного вещества в сверхсильном магнитном поле. Теплофизика высоких температур, 1981, т.XIX, ЖЕ, с. 206-208.

477. Gadijak G.V.,Obrecht M.S., Yanenko Н.Н. Anomalous acoustic velocity at high pressure of condensed matter in a super-strong magnetic field. Phys. Lett. A, 1980, H 2,3, p.191 1

478. Garstang R.H. Atoms in high magnetic fields. Rep. Prog, Phys 1977, v.40, p.105 154.

479. Zwerdling S., Lax B. Oscillatory magnetoabsorption of the direct transition in germanium. Fhys. Rev., 1957, v.106, IT 1, p.51 52.

480. Berstein E., Picus G.S. Interband magnetooptics effects in semiconductors. Phys. Rev., 1957, v.105, p.1123 1125.

481. Гросс Е.Ф., Захарченя Б.П., Павинский П.П. Диамагнитные уровни экситона и циклотронный резонанс. ЖТФ, 1957, т.27, №9, с. 2177-2180.

482. Cohn D.R., Lax В., Button K.J., Dreybrodt Ж. Anomalous for infrared magnetoabsorption in n-CdS. Solid State Comm., 1971, v.9, IT 2, p.441 444.

483. Larsen D.M. Variational studies of bound states of the H~ ion in a magnetic field. Phys. Rev. B, 1979, v.20, p.5217 -5227.

484. Schiff L.I., Snyder H. Theory of the quadratic effect. Phys. Rev., 1939, v.55, IT 1, p.59 63.

485. Galindo A., Pascual P. Hydrogen atom in a magnetic field, Nuovo Cimento, 1976, V.34B, N 1, p.155 168.

486. Elliott R.T., Loudon R. Theory of the absorption edge in semiconductors in a high magnetic field. J. Phys. Chem. Sol, 1960, v.15, p.196 207.

487. Loudon R. One dimensional hydrogen atom. Amer. J. Phys., 1959, v.27, N 9, p.649 655.

488. Yafet Y., Keyes R.W., Adams Р.Ш. Hydrogen atom in a strong magnetic field. J. Phys, Chem. Sol., 1956, v. 1, p.137 142.

489. Hasegawa H., Howard R.E, Theory of impurity photoionization spectrum of semiconductors in magnetic fields. J. Phys. Chem Sol., 1961, v.21, IT 3, p.179 198.

490. Жилич А.Г., Монозон Б.С. Поведение водородоподобной системы в сильном магнитном поле. Вестник ЖУ, 1965, № 16, в.З, с. 26-35.

491. Жилич А.Г., Монозон Б.С. Квазиклассическое рассмотрение спектра водородоподобной системы в сильном магнитном поле. ФТТ, 1966, т.8, вып.12, с. 3559-3566.

492. Жилич А.Г., Монозон Б.С. Экоитонное поглощение в сильном магнитном поле. Физика и техн.подупроводн. 1967, т.1, вып.5, с.673-680.

493. Haines L.K. , Roberts D.H. One dimensional hydrogen atom. Amer. J. Phys., 1969, v.37, IT 11, p.1145 1154.

494. Cabib D., Fabri E., Piorio G. The ground state of the excitc in a. magnetic field. Solid state comm., 1971, v. 9, IT 17,p.1517 1520.

495. Cabib D., Pabri E., Piorio G. Ground and first excited states of exsiton in a magnetic field. ITuovo Cimento, 197*2, v.10B, IT 1, p. 185 199.

496. Grotch H., Hegstrom R.A. Hydrogen atoms in a magnetic field. Phys. Rev., 1971, v.4A, IT 1, p. 59 69.

497. Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е. К теории экситона Мотта в сильном магнитном поле. ЖЭТФ, 1967, т.53, в.2, с.717-722.

498. Pavlov-Verevkin V.B., Zhilinskii B.I. Heitral Hydrogen-like system in a magnetic field. Phys. Lett., 1979, V.78A, Ж 3, p. 244 245 w

499. Покатилов Е.П., Русанов M.M. Вариационный расчет энергетических уровней водородоподобной системы в магнитном поле. ФТТ, 1968, т. 10, №-10, с. 3II7-3II9.

500. Starace A.F., Webster G.L. Atomic hydrogen in a uniform magnetic field: low-lying energy levels for fields below 109G. Phys. Rev., 1979, v. 19, IT 4, p. 1629 1640.

501. Larsen D.M, Shallow donor levels of InSb in a magnetic field J. Phys. Chem. Solids, 1968, v. 29, IT 2, p.271 280.I305

502. Fetterman H.R., Larsen D.M., Stillman G.E., Tannewald P.E., Waldman J. Field-dependent central-cell corrections in GaAs by laser spectroscopy. Fhys. Rev. Lett., 1971, v.26, N 16, p.975 978.

503. Cohen R., Lodenqual J., Ruderman M. Atoms in superstrong magnetic fields. Phys. Rev. Lett., 1970, v. 27, H 7, p. 467-4.*

504. Surmelian G.L., 0'Connell R.F., Rajagopal A.K., Chanmugan G. Energy spectrum of the hydrogen atom in a strong magnetic field. Phys. Rev. D, 1972, v.6, p.3700 3701.

505. Rajagopal A.K., Chanmugan G., o'Connell R.F., Surmelian G.L. Ionization energies of hydrogen in magnetic white dwarfs. Astrophys. J., 1972, v.177, N 2, p.713 717.

506. Smith E.R., Henry R.J.W., Surmelian G.L., O'Connell R.F. Hydrogen atom in a strong magnetic field: bound-bound transition. Astrophys. J., 1973, v.179, part 1, p.659 663.

507. Praddaude H.C. Energy levels of hydrogen-like atoms in a magnetic field. Phys. Rev. A, 1972, v.6, IT 4, p. 1321 1324.

508. Brandi H.S. Hydrogen atoms in strong magnetic fields. Phys. Rev. A, 1975, v.11, N 6, p.1835 1839.

509. Don Santos R.R., Brandi H.S. Addendum to hydrogen atoms in strong magnetic fields. Phys. Rev. A, 1976, v. 13, IT 5,p.1970 1974.

510. Brandi H.S., Santos R.R., Miranda L.C.M. Hydrogen atoms in strong magnetic fields. Oscillator strenths. Lett. Nuovo Cim., 1976, v. 16, IT 6, p. 187 192.

511. Canuto V., Kelly D.C. Hydrogen atom in intense magnetic field. Astrophys. Space Sci. , 1972, v.17, N1, p. 277 291.

512. Boyle W.S., Howard R.E. Transition to the high field limit in the Zeeman spectra of germanium donors. J. Phys. Chem. Solids, 1961, v. 19, IT 3, p.181 188.

513. Rau A.R.P., Spruch L. Energy levels of hydrogen in magnetic fields of arbitrary strenght. Astrophys. J., 1976, v.20' TSt 2, p. 671 679.

514. Rau A.R.P., Mueller R.0., Spruch L. Simple model and wave function for atoms in intense magnetic fields. Phys. Rev. A, 1975, v.11, N 6, p.1865 1879.

515. Glasser M.L., Kaplan J.I. Hydrogenic atoms in superstrong magnetic fields. Phys. Lett. A, 1975, v.53, H 5, p.373 37'

516. Callaway J. Binding energy of a hydrogen atom in a magnetic field. Phys. Lett. A, 1972, v.40, IT 4, p.331 332.

517. Гадит Г.В., Лозовик Ю.Е. Водородоподобные ионы в сверхсильном магнитном поле. Оптика и спектроскопия, 1981, т.50, с. 992-994.

518. Gadijak G.V., Lozovik Yu.E., Mashchenko A.I., Obrecht M.S. Spectra of helium-like systems in a superstrong magnetic field. Phys. Lett. A, 1981, v.87, IT 1,2, p. 18 20.

519. Гадияк Г.В., Лозовик Ю.Е., Мащенко А.И., Обрехт М.С. Водо-родоподобные и гелиеподобные системы в сверхсильном магнитном поле. Оптика и спектроскопия. 1983, т.55, №

520. Gadijak G.V., Lozovik Yu.E,, Mashchenko A.I., Obrecht M.S. The spectrum and dipole and quadrupole moments of hydrogenlike and helium-like ions superstrong fields. J. Phys. B, 1982, v.15, П 16, p.2615 2626.

521. Barbieri R. Hydrogen atom in superstrong magnetic field. Nucl. Phys. A, 1971, v.161, 11, p.1 11.

522. Surmelian G.L., o'Connell R.F. Energy spectrum of He II,in a strong magnetic field and bound-bound transition probabilities. Astrophys. Space Sci., 1973, v.20, N 1, p.85 91.

523. Surmelian G.L., o'Connell R.P. Energy spectrum of hydrogenlike atoms in a strong magnetic fields. Astrophys. J., 1974) v.190, N 3, part 1, p.741 742.

524. Surmelian G.L., o'Connell R.F. Quadratic Zeeman effect in the hydrogen Balmer lines from magnetic white Dwarfs. Astrophys. J., 1974, v. 193, 17 3, part 1, p.705 710.

525. Garstang R.H., Kemic S.B. Hydrogen and helium spectra in large magnetic fields. Astrophys. Space Sci., 1974, v.31» U 1, p.103 115.

526. Surmelian G.L., Henry R.J.W., o'Connell R.F, Energy spectrum of He I and H~ in a strong magnetic field. Phys. Lett. A, 1974, v.49, H 6, p.431 432.

527. Mueller R.0., Rau A.R.P., Spruch L. Lowest energy levels of H~, He and Li+ in intens magnetic fields. Phys. Rev. A, 1975, v.11, N3, p.789 795.

528. Hatori A., Kamimura H. The electronic structure of a. D~ center in strong magnetic fields. J. Phys. Soc. Jap., 1978, v.44, H 4, p.1216 1221.

529. Taniguchi M., Narita S. D~ states in germanium. J. Phys. Soc. Jap., 1977, v.43, N 4, p.1262 1270.

530. Virtamo j. Hartree-Fock calculation of the ground state energies of two-electron atoms in a intense magnetic fields. J.Phys.B. Atom.Molec.Phys., 1976, v.9, N 5, p.751 760.

531. Henry R.J.W., o'Connell R.P., Smith E.R., Chanmugan G., Rajagopal A.K. Energy spectrum of H~" in a s.trong magnetic field. Phys. Rev. D, 1974, v.9, N 2, p.329 331.

532. Avron J.E., Herbst I.W., Simon B. Separation of center of mass in homogeneous magnetic fields. Annals Phys., 1978, v.114, N 2, p.431 451.

533. Avron J., Herbst I., Simon B. Formation of negative ions in magnetic fields. Phys. Rev. Lett., 1977, v.39, N 17, p.1068 -1070.

534. Lindgren K.A.U., Virtamo J.T. Relativistic hydrogen atom in a strong magnetic fields. J. Phys. B. Atom. Molec. Phys.,1979, v. 12, IT 21, p. 3465 3472.

535. Wunner G., Herold H. Decay of positronium in strong magnetic fields. Astrophys, Space Sci., 1979, v.63, p.503 509.

536. Virmamo J.T., Lindgren K.A.U. Relativistic corrections to the energy levels of hydrogen atoms in a strong magnetic fields. Phys. Lett. A, 1979, v.71, N 4, p.329 331.

537. Wunner G., Ruder H., Herold H. Comment on the effect of the proton mass on the spectrum of the hydrogen atom in a very strong magnetic fields. Phys. Lett. A, 1980, v.79, IT 2,3, p.159 161.

538. Wunner G., Ruder H. Electromagnetic transitions for the hydrogen atom in strong magnetic fields. Astrophys. J.,1980, v. 242, p.828 842.

539. Ruder H., Wunner G., Herold H., Trumper J. Iron Lines in superstrong magnetic fields. Phys. Rev. Lett., 1981, v.46, IT 26, p. 1700 1703.

540. Chen H.H., Ruderman M.A., Sutherland P. G. Structure of Solii iron in superstrong magnetic fields. Astrophys. J., 1974, v.191, p.473 477.

541. Larsen D.M. Binding of D~ ions in a magnetic fields. Phys. Rev. Lett., 1979, v.42, IT 11, p.742 745.

542. Hylton D.J., Rau A.R.P. Longitudinally excited states of hydrogen in intense magnetic fields. Phys. Rev. A, 1980, v. 22, IT 1, p. 321 323.

543. Ruder H., Wunner G., Herold H., Reinecke M. On the validity of perturbation calculations of energy levels and transitions by hydrogen atoms in strong magnetic fields. J. Phys. B,1981, v.14, N. 3, P.L45 L49.

544. Kara S.M., Dowell M.R.C. Energy levels and bound-bound transition of hydrogen atoms in strong magnetic fields. J. Phys, B, 1980, v.13, N 4, p.1337 1350.

545. Simola J., Virtano J. Energy levels of hydrogen atoms in a strong magnetic field. 'J. Phys. B, Atom. Mol. Phys., 1978, v.11, IT 19, p.3309 3322.

546. Рыбкин M.С. Нейтральная система двух заряженных взаимодействующих частиц в магнитном поле. ДАН, 1975, т.221, № I, с. 67-69.

547. Labzowsky L.N., Lozovik Yu.E. Spin rearrangement of atoms in a strong magnetic fields. Phys. Lett. A, 1973, v.40, p. 281 282.

548. Ключник А.В., Лозовик Ю.Е. Биэкситон в сильном магнитном поле. В кн.: Тезисы докладов IX совещания по теории полупроводников. Тбилиси, 1978, с. 216-217.

549. Warke C.S., Dutta A.K. Variational approach to the calculation of the structure and properties of H* ions in strong magnetic fields. Phys. Rev. A, 1977, v.16, IT 5, p.1747 175

550. De Melo L.C., Das Т.К., Ferreira R.C. The H^ molecule in strong magnetic fields, studied by the method linear combinations of orbitals. Phys. Rev. A, 1978, v.18, N 1, p.12-1

551. Zaucer M., Azman A. Molecules in strong magnetic fields. Phys. Rev. A, 1978, v. 18, IT 3, p. 1320 1321.

552. Ozaki J., Tomishima Y. Energy of the H^ ion in strong magnetic fields. Phys. Lett., 1981, V.82A, IT 9, p.449 452.

553. Peek J.M., Katriel J. Hydrogen molecular ion in a high magnetic field. Phys. Rev., 1980, V.21A, IT 2, p.413 417.

554. Bhaduri R.K., Nogami Y., Warke C.S. Hydrogen atom and hydrogen molecule ion in homogeneous magnetic fields of arbitrary strength. Astrophys. J., 1977, v.217, p.324 329.

555. Singh U.C., Kelkar V.K. "Molecular properties" in intense magnetic field. Z. ITaturfosch., 1979, v.34A, p. 782 784.

556. Lai C.S. On the ionization energies of the hydrogen molecule ion in intense magnetic fields. Can J. Phys., 1977, v.55, H 11, p.1013 1015.

557. Lai C.S., Suen B. Ionization energies of the hydrogen molecule, ion in strong magnetic fields. Can. J. Phys., 1977, v.55, p.609 614.

558. Г.В., Лозовик Ю.Е., Обрехт М.С. Биэкситон в сильноммагнитном поле. ФТТ, 1983, т.25, вып.4, с. 1063-1067.

559. Gadijak G.V., Lozovik Yu.E., Obrecht M.S. Diamagnetic biex-citon. Magnetic field induced dissociation and change of binding type. J, Phys. C, 1983, v. 16 p.

560. Трубицын В.П. Уравнение состояния твердого водорода. ФТТ, 1965, т.7, вып.II, с. 3363-3372.

561. Базь Л.И., Зельдович Я.Б., Переломов A.M. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике. М., Наука, 1971, -544с.

562. Aharonov Y., Bohm D. Significance og electromagnetic potentials in the quantum theory. Phys. Rev., 1959, v.115, N 3, p.485 491.

563. Ruderman M. Matter in superstrong magnetic fields: The surface of neutron star. Phys. Rev. Lett., 1971, v.27, N 19, p.1306 1308.

564. Constantinescu D.H. and Rehak P. Ground state of atoms and molecules in a superstrong magnetic field. Phys. Rev. D, 1973, v.8, N 6, p.1693 1706.

565. Constantinescu D.H., Rehak P. Condensed matter in a very strong magnetic field, at high. Pressure and zero temperature. Nuovo Cimento, 1976, V.32B, N 1, p.177 194.

566. Гинзбург В.Л. О физике и астрофизике М., Наука, 1980, -156с

567. Kittel С. Introduction to solid state physics. U.Y., John Wiley and Sons.1968, 302 p.

568. Messmer R.P., Watkins G.D. Calculations of defects in the diamond lattice. In: Defect in semiconductors.1972,p. 255-2

569. Larkins P.P., Stonehamn A.M. Lattice distortion near vacancies in diamond and silicon II. J. Phys. C, 1971, v.4,p.3065 3078.

570. Гадияк Г.В., Обрехт М.С., Яненко Н.Н. Сжатый атом в сверхсильном магнитном поле в модифицированной модели Томаса-Ферми. Тезисы докл. У1 Всесоюзной конференции по теории атомов и атомных спектров. Воронеж, 1980, с.12.

571. Гадияк Г.В., Обрехт М.С. Уравнение состояния коры пульсара в сверхсильном магнитном поле при конечной температуре. Тезисы докл. I Всесоюзного симпозиума по теории сверхплотных небесных тел. ЕГУ, Ереван, 1980, с.14-15.

572. Gadijak G.V., ITasyrov К.A. Influence of atomic structure shell effects upon the atom-atom section of inelastic scattering.

573. International conference on atomic physics. (Abstracts of contributed papers.) Riga, 1978, p.276.

574. Gadijak G.V., Lozovik Yu.E. A heavy atom in a strong magnetic field. 6 International conference on atomic physics. (Abstracts of contributed papers.) Riga, 1978, p.342.

575. Гадияк Г.В., Карпушин А.А., Репинский С.М. Квантово-химичес-кий расчет процессов адсорбции и характеристик поверхности германия, У1 Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Наукава думка, Киев, 1977, с. 68.

576. Гадияк Г.В., Лозовик Ю.Е. Силы осцилляторов водородоподобно-• го иона в сверхсильном магнитном поле. Тезисы доклада Всесоюзного совещания по теории электронных оболочек атомов и молекул, Вильнюс, 1979, с.23.

577. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н. Расчет взаимодействия кластеров германия с кислородным методом хл Тезисы докл. Всесоюзного совещания по теории электронных оболочек атомов и молекул, Вильнюс, .1979, с. 131.

578. Беданов В.М., Гадияк Г.В., Лозовик Ю.Е. Фазовый переход кристалл жидкость в двумерной системе классических электр! нов. Тезисы докл. Всесоюзной школы по физике, химии и механике поверхности, Черниголовка, 1981, с.26.

579. Карпушин A.A., Репинский С.М., Гадияк Г.В. Квантовая химия поверхности полупроводников. Тезисы докл. Всесоюзной школы по физике, химии и механике поверхности, Черниголовка, 1981, с. 51.

580. Гадияк Г.В., Карпушин A.A., Мороков Ю.Н., Рузанкин С.Ф. Хе-мосорбция возбужденного атома кислорода на поверхности германия. Тезисы докл. Всесоюзного совещания по квантовой химии. ИХКиГ СО АН СССР, Новосибирск, 1978, с. 65.