Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат технических наук Лычагин, Евгений Викторович

• Лычагин, Евгений Викторович
• кандидат технических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат технических наук Лычагин, Евгений Викторович

Условные обозначения Введение

Глава 1. Современные приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

1.1. Приборы и структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Негатроника.

1.2. Современные полупроводниковые приборы тиристорного типа.

1.3. Свойства симисторных структур.

1.4. Влияние температуры окружающей среды на свойства полупроводниковых приборов.

1.5. Постановка задачи.

Глава 2. Моделирование полупроводниковых симисторных структур.

2.1. Статическая выходная характеристика симисторной структуры.

2.2. Математическое моделирование динамических выходных параметров симисторной структуры.

2.3. Статическая входная характеристика симисторной структуры.

2.4. Зависимость коэффициентов передачи от тока.

2.5. Учет влияния температуры на параметры полупроводниковых приборов.

2.6. Схемотехническое моделирование статических характеристик симисторной структуры с гальваническим управлением.

2.7. Выводы.

Глава 3. Взаимосвязь и температурные свойства входных и выходных характеристик планарно-диффузионной структуры симистора.

3.1. Методика эксперимента и оценка погрешностей.

3.2. Исследование выходных статических характеристик. 8ь

3.3. Исследование динамических характеристик.

3.4. Исследование вводных статических характеристик.

3.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур»

Многослойные полупроводниковые структуры с тремя и более /?-л-переходами обладают рядом уникальных свойств, обусловленных возможностью возникновения в таких структурах положительной обратной связи. Это стимулирует поиск новых конструктивно-технологических и схемотехнических решений при разработке новых полупроводниковых приборов, функциональных микроэлектронных устройств на их основе. В настоящее время приборы функциональной микроэлектроники различного уровня мощности находят широкое применение в переключающих устройствах, средствах телекоммуникации и управления, устройствах отображения и преобразования информации, слаботочной и мощной автоматики из-за значительного упрощения многих схемных решений, снижения массогабаритных показателей, повышения качества и надежности.

Как следствие "встроенной" положительной обратной связи, на вольтамперных (статических и/или динамических) характеристиках многослойных полупроводниковых приборов появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС). Изучению проблем возникновения отрицательного дифференциального сопротивления, а также вопросам разработки, моделирования и исследования приборов с ОДС посвящено большое количество работ отечественных и зарубежных авторов, таких, как А.А.Лебедев, С.А.Гаряинов, В.И.Стафеев, Л.Н.Степанова, Н.А.Филинюк, В.П.Дьяконов, И.Д.Абезгауз, В.Е.Челноков, В.А.Кузьмин, Ю.А.Евсеев, А.Блихер, П.Тейлор, В.Герлах, и многих других. Эти работы послужили причиной возникновения нового направления в электронике — негатроники. В настоящее время основные вопросы теории известных приборов с ОДС, касающиеся их свойств, физических процессов, принципа действия, а также их применения в различных узлах электронной техники по большей чг'оти решены. Однако некоторые следствия положительной обратной связи в многослойных структурах, такие, как дуальность, наличие двух и более стабильных состояний на вольтампорпой характеристике (ВАХ) приборов вызывают огромный интерес у исследователей и по настоящее время остаются недостаточно изученными.

В зависимости от вида положительной обратной связи (по напряжению или току) полупроводниковые приборы с ОДС делятся на два класса. К первому относятся приборы с .S-образной ВАХ, однозначные по току. Ко второму классу относятся приборы с /V-образной ВАХ, однозначные по напряжению. Такие приборы принято считать дуальными. Дуальность S- и А^-приборов проявляется в подобии их ВАХ и эквивалентных схем замещения, в связи с чем они представляют собой целый класс приборов — негатронов, обладающих подобными свойствами и подчиняющихся одним и тем же принципам разработки, моделирования и исследования.

Наиболее распространенными двух- и трехэлектродными полупроводниковыми приборами с ОДС 5-типа являются динисторы, тиристоры и симисторы. Одним из механизмов формирования участка ОДС в них является лавинное умножение носителей заряда в результате ударной ионизации в сильном электрическом поле р-п-переходов. Такие приборы имеют многослойную структуру, содержащую три или четыре /?-гс-перехода, а также гальваническое, полевое или оптоэлектронное управление параметрами ВАХ. Развитие полупроводниковых приборов с ВАХ ^-типа идет преимущественно по пути улучшения значении отдельных параметров, в частности, увеличения рабочих токов, снижения остаточных напряжений в открытом состоянии, увеличения быстродействия. Также ведутся разработки приборов тиристорного типа с оптическим, электростатическим и магнитополевым управлением. При этом большое внимание уделяется созданию мощных управляемых тиристоров и симисторов для использования в цепях постоянного и переменного тока. Следует отметить, что значительно меньшее внимание уделяется задачам разработки, моделирования и исследования слаботочных приборов на основе полупроводниковых структур тиристоров и симисторов. В основном такие приборы обладают планарной структурой, и, как следствие, простотой управления параметрами ВАХ с помощью электрического и магнитного полей и светового воздействия, сравнительно зысоким быстродействием и возможностью обработки биполярных сигналов, что значительно расширяет их функциональные возможности и позволяет упростить многие схемотехнические решения.

Массогабаритные показатели и функциональные свойства планарных симисторов малой и средней мощности также во многом определяют широкие перспективы их применения в качестве различных полевых и оптоэлектронных датчиков переменного тока в цепях слаботочной автоматики и бытовой техники.

Тиристорные и симисторные структуры с гальваническим управлением традиционно относят к приборам с ^-образной вольтамперной характеристикой. В то же время эти приборы являются дуальными по отношению их выхода ко входу, так как, помимо выходной ВАХ 5-типа, обладают входной ВАХ /V-типа. При этом, если, например, для тиристора выходной цепью является цепь анод-катод, то входной цепью будет цепь катод-управляющий электрод. Тогда при появлении напряжения в выходной цепи на входной ВАХ возможно образование участка с ОДС, причем относительная простота в управлении параметрами этой входной характеристики N-типа позволяет использовать входную цепь прибора в качестве управляемого эквивалента туннельного диода. Возникновение входной ВАХ yV-тила и наличие участка с ОДС на выходной ВАХ оказываются взаимно связанными и взаимно обусловленными. Соответственно, /V-образность входной вольтамперной характеристики оказывается столь же неотъемлемым свойством тиристорных и симисторных структур с гальваническим управлением, как и .S-образность выходной ВАХ. Однако когда исследование и применение свойств выходной характеристики имеет весьма широкие области, входная характеристика, ее свойства и взаимосвязь с выходной характеристикой остаются практически не изученными.

При всестороннем исследовании свойств полупроводниковой структуры возникает вопрос об устойчивости и стабильности тех или иных ее характеристик. Свойства полупроводниковых приборов оказываются сильно зависимыми от температуры окружающей среды. Изменение температуры приводит к дрейфу параметров самого полупроводника и, как следствие, к изменению определяющих работу прибора величин, характеризующих р-я-переходы структуры. Особенно критичным изменение температуры является для ключевых приборов, в частности, симисторов. Существуют определенные методы стабилизации и компенсации нежелательных изменений параметров полупроводниковой структуры, однако, проводимые в этом направлении исследования ориентированы, в основном, на силовые приборы.

Таким образом, одной из актуальных на сегодняшний день задач функциональной полупроводниковой электроники является моделирование и исследование свойств входной и выходной вольтамперных характеристик интегральных симисторов малой и средней мощности, анализ взаимосвязи этих характеристик в широком интервале температур, а также вопросы температурной стабилизации характеристик.

Для достижения указанной цели:

В первой главе рассмотрено исследовательское направление — негатроника, — связывающее все приборы с ОДС; приводится анализ основных типов и свойств полупроводниковых приборов с ОДС S-типа различного уровня мощности. Рассмотрены основные направления в развитии приборов тиристорного типа.

Во второй главе приведены аналитические соотношения, определяющие основные статические и динамические параметры симисторов малой и средней мощности. Разработана и исследована математическая модель входных параметров и характеристик симисторных структур. Произведен учет механизмов, определяющих температурный дрейф параметров полупроводниковых приборов. Представлена схемотехническая модель симистора, позволяющая получить входные вольтамперные характеристики с помощью пакета PSpice.

В третьей главе приведены результаты исследования выходных статических и динамических, а также входных статических характеристик ПДС. Произведен анализ процессов, устанавливающих однозначную взаимосвязь входных и выходных характеристик.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. В результате анализа физических процессов в i-.имисторной структуре показано, что появление участка с ОДС на полярно-чувсгвительной входной N-образной ВАХ обусловлено ее взаимосвязью с 5-образной выходной ВАХ.

2. Математические модели, описывающие основные статические и динамические параметры ПДС, дополнены соотношениями, позволяющими производить расчет напряжения переключения, остаточного напряжения, времен включения и выключения в широком интервале температур, и согласуются с экспериментальными данными.

3. Получены соотношения, позволяющие описать процесс формирования входной статической N-образной ВАХ симистора и произвести расчеты основных параметров указанной характеристики (напряжения пика, тока пика), согласующиеся с экспериментальными данными.

4. С помощью схемотехнической модели ПДС на основе четырехтранзисторной схемы замещения получены входные статические УУ-образные вольт-амперные характеристики.

Практическая ценность работы:

1. Полученные соотношения для выходных статических и динамических характеристик ПДС позволяют проводить инженерный расчет напряжения переключения, остаточного j напряжения, времен включения и выключения многослойных полупроводниковых структур симисторного типа малой и средней мощности при проектировании и использовании в конкретных узлах электронной аппаратуры с учетом температуры окружающей среды.

2. Полученные аналитические выражения, определяющие параметры входной /V-образные ВАХ, позволяют оценить влияние напряжения на силовых электродах ПДС, и температуры на входную характеристику.

3. Результаты исследования температурных характеристик ПДС с шунтированием эмиттерных переходов позволяют существенно расширить интервал рабочих температур прибора и оптимизировать величину шунтирующего сопротивления.

4. Результаты исследования свойств полярно-чувствительной входной N-образнои ВАХ позволяют расширить функциональные возможности структуры ПДС.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Существует однозначная взаимосвязь входных и выходных статических ВАХ симисторноП структуры, при этом формирование /V-образной входной ВАХ обусловлено процессом включения-выключения симисторнок структуры.

2. Включение в математическую модель симисторной структуры зависимостей, определяющих электрофизические свойства полупроводника (подвижность, время жизни, скорость генерации-рекомбинации) с учетом изменения температуры, позволяет описать изменения электрических параметров симисторной структуры в широком диапазоне температур.

3. Соотношения, полученные на основе решения системы уравнений непрерывности для р-п-переходов симисторной структуры, позволяют оценивать параметры N-образной входной статической В АХ.

4. Схемотехническая модель симистора на основе четырехтранзисторной схемы замещения позволяет получить полярно-чувствительные входные статические вольт-амперные характеристики УУ-типа.

По результатам выполненных в диссертационной работе исследований опубликовано 9 печатных работ.

Диссертационная раббта изложена на 135 страницах машинописного текста и состоит из введения, трех глав, заключения и приложений, содержит 47 рисунков, 2 таблицы и список использованных литературных источников из 135 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Лычагин, Евгений Викторович

3.5. Выводы.

На основании результатов исследования ПДС можно сделать следующие выводы:

1. Ключевые параметры выходных характеристик типа (точки включения и выключения) зависят от температуры, причем зависимости напряжения переключения прямой и обратной ветвей практически идентичны. Характер зависимости Unep(T) имеет сложный вид: .слабо убывает от 230 В (-170°С) до 220 В (-90°С), затем возрастает до максимального значения 240 В при 7=80°С. Полное спрямление участка ОДС происходит при температуре выше 165°С.

2. Ключевые параметры ВАХ симистора можно менять с помощью управляющего тока, причем при высоких температурах для управления требуется меньшее значение тока, чем при низких. Ток спрямления при 7=-150°С составляет 0,17 мА, а при Г=120°С — 0,03 мА.

3. С помощью шунтирования можно увеличить диапазон рабочих температур ПДС до 150°С, повысить напряжение переключения, а также понизить чувствительность прибора к управляющему току. При использовании на исследуемом образце ПДС шунтирующего сопротивления Rm=\30 Ом напряжение переключения возросло от 30 до 250 В. Ток спрямления при этом увеличился от 0,04 мА до 2,6 мА.

4. Динамические характеристики ПДС (времена переходных процессов включения и выключения) так же, как и статические, зависят от температуры, шунтирующего сопротивления и рабочего напряжения прибора. При изменении температуры от 20 до 140°С время включения teK1 уменьшилось от 26 до 3 мкс, время выключения (вым увеличилось от 100 до 600 мкс (/?ш=680 Ом).

5. Шунтирование увеличивает время включения и уменьшает время выключения, причем влияние величины Яш на feKI увеличивается при низких температурах, а на teblK„ — при высоких. Таким образом, если предполагается использовать ПДС при высоких температурах (>100°С), шунтирующее сопротивление можно уменьшать, что будет способствовать устойчивой работе прибора и не отразится на его динамических свойствах.

6. Входные и выходные вольтамперные характеристики однозначно взаимосвязаны ме\<ду собой, причем возникновение входной характеристики jV-типа обусловлено повышенным уровнем переноса дырок из р-эмиттера в /7-базу. При этом полярность приложенного к силовым электродам напряжения способствует возникновению входной А-образной ВАХ только в одной из входных цепей симисторной структуры. Таким образом, входные ВАХ являются полярночувствительными.

7. Входные ВАХ обладают участком ОДП N-типа, если напряжение управления U превышает некоторую пороговую величину. При этом возникает отрицательный пик, который по мере увеличения U сдвигается из IV в III квадрант, увеличиваясь в целом. Ключевые параметры характеристик (точка отрицательного максимума (U'mCLX\ I'mCLт)) зависят от U: при изменении напряжения управления от 0,9 В до 3,5 В максимум пика переместился из точки (0,8 В; 0.05 мА) в точку (9 В; 19 мА) (0°С). Наблюдение пика возможно до тех пор, пока он не перекроется кривой лавинного пробоя.

8. Характер зависимости величин U'mnx и Гтах от температуры определяется напряжением управления U. Зависимость U',nax{T~) имеет линейный вид, пока V мало. По мере увеличения U зависимость приобретает перегибы, не теряя при этом тенденции роста с повышением температу ры.

9. Кривая Гтах(Т) имеет точку максимума в районе -80°С, если напряжение управления превышает 1,6 В. На большей части температурного диапазона наблюдается слабое возрастание или убывание величины /'„ах, однако при падении температуры от -120°С до -170°С начинается резкое убывание I'max до 0 мА, что означает уменьшение самого пика и постепенное его пропадание. Ниже -175°С получение пика на входной ВАХ ПДС крайне затруднительно. Это соответствует наблюдениям за выходной ВАХ: при этих же условиях характеристика перестает реагировать на сколь угодно большой уровень управляющего тока.

10. Анализ математического и схемотехнического моделирования показал, что описываемые в моделях процессы в целом соответствуют наблюдаемым явлениям и закономерностям. Это позволяет говорить о применимости моделей для расчета реальных структур и приборов. Следует отметить, однако, что математические модели находят согласие с экспериментом в большей степени, нежели схемотехнические (в случае входных характеристик). Это обусловлено спецификой самого схемотехнического моделирования, которое не имеет возможности для прямого учета генерационно-рекомбинационных процессов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным итогом диссертации является решение задачи исследования симисторной структуры в широком температурном диапазоне, а также установление взаимосвязи между входной и выходной статическими характеристиками, что имеет важное значение для физики и техники полупроводниковых приборов.

При проведении исследований и разработок по теме диссертации получены следующие основные теоретические и практические результаты:

1. В результате анализа процессов, приводящих к появлению участка с ОДС на входной ВАХ симисторной структуры, показано, что существует однозначная взаимосвязь входных и выходных статических ВАХ симисторной структуры, при этом формирование пика на //-образной входной ВАХ сопровождается и определяется процессом включения-выключения симисторной структуры; //-образная входная характеристика возникает на одной или дру гой паре входных электродов в зависимости от полярности приложенного к силовым электродам напряжения, что позволяет использовать симистор в качестве полярно-чувствительного прибора.

2. Включение в математическую модель симисторной структуры зависимостей, определяющих . электрофизические свойства полупроводника (подвижность, время жизни, скорость генерации-рекомбинации) с учетом изменения температуры, позволяет описать изменения электрических параметров симисторной структуры в широком диапазоне температур.

3. С помощью соотношений, полученных на основе решения системы уравнений непрерывности для p-t7-переходов симисторной структуры, произведены оценка параметров //-образной входной статической ВАХ. Результат указывает на качественное согласие расчетных данных с экспериментальными.

4. С помощью схемотехнической модели симистора на основе четырехтранзисторной схемы замещения получено семейство полярно-чувствительных входных статических вольт-амперных характеристик TV-типа.

5. В результате исследования температу рных характеристик ПДС показано, что работоспособность прибора сохраняется в интервале температур от -170°С до 150°С; шунтирование эмиттерных р-и-переходов симисторной структуры стабилизирует работу прибора при высоких температ) ;>ах.

6. Основные положения диссертационной работы были доложены на конференциях: III Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика — XXI век» (Зеленоград, 2000), IX Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика-2002» (Зеленоград, 2002), Всероссийской научно-технической конференции «Современные проблемы радиоэлектроники» (Красноярск, 2002), X Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика-2003» (Зеленоград, 2003), Всероссийской научно-технической конференции «Современные проблемы радиоэлектроники». Международной научно-технической конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2003) [129-135].

Дальнейшие шаги могут быть направлены на изучение динамических свойств входной цепи, а также на исследование входных характеристик других модификаций симисторов и тиристоров.

122

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Лычагин, Евгений Викторович, 2003 год

1. Блихер А. Физика тиристоров: Пер. г англ./Под ред. И.В.Грехова. — Л.: Энергоиздат, 1981. — 264 с.

2. Кузьмин В.А. Тиристоры малой и средней мощности. — М.: Сов. радио, 1971,— 184 с.

3. Замятин В.Я., Кондратьев Б.В. Тиристоры. — М.: Сов. радио, 1980. — 64с.

4. Дзюбин Н.Н. Симметричные тиристоры. — М.: Знание, 1970. — 47 с.

5. Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров: Пер. с англ. — М.: Энергоатомиздат, 1990. — 208 с.

6. Герлах В. Тиристоры: Пер. с нем. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 328 с.

7. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М.: Энергия, 1977. — 672 с.

8. Евсеев Ю.А., Крылов С.С. Симисторы и их применение в бытовой электроаппаратуре. — М.: Энергоатомиздат, 1990. — 120 с.

9. Шалимова К.В. Физика полупроводников. — М.: Энергия, 1976. —416 с.

10. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. — М: Наука, 1977, —672 с.

11. Shockley W., Sparks М., Teal G.K. Junction transistors // Phys. Rev. — 1951. — Vol. 83,№6.—P. 151-157.

12. Челноков B.E., Евсеев Ю.А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. — М.: Энергия, 1973. — 280 с.

13. Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. — М.: Энергия, 1970. — 320 с.

14. Колосов А.А., Горбунов Ю.И., Наумов Ю.Е. Полупроводниковые твёрдые схемы. — М.: Сов. радио, 1965. — 500 с.

15. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. / Под ред. В.А.Лабунцова.— М.: Энергоатомиздат, 1990.—576 с.

16. Гаряинов С.А., Гаряинов А.С., Плешко Б.К. Обобщенная модель р-п-р-п-структуры // Электрон, техн. Сер. Микроэлектроника, 1987. — Вып. 4 (124), — С. 5767.

17. Недолужко И.Г., Сергиенко Е.Ф. Однопереходные транзисторы. — М.: Энергия, 1974,— 104 с.

18. Евсеев Ю.А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств. — М.: Энергия, 1978.

19. Арефьев А.А., Серьезное А.Н., Степанова J1.H. Эквиваленты приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. — М.: Знание, 1987. — Сер.2. Радиоэлектроника и связь. — 62 с.

20. Кузьмин В.А., Сенаторов К.А. Четырехслойные полупроводниковые приборы. —М.: Энергия, 1967. — 184 с.

21. Полторапавлова Г.С., Удалов Н.Г. Фототиристоры. — М.: Энергия, 1971.104 с.

22. Турин Н.Т., Соломин Б.А. Перспективные средства отображения информации. — Изд-во Саратовского Университета, 1986. — 116 с.

23. Бруфман С.С., Трофимов Н.А. Тиристорные переключатели переменного тока. — М.: Энергия, 1969.

24. Джентри Ф., Гутцвиллер Ф., Холоньяк Н., Фон. Застров Э. Управляемые полупроводниковые вентили. — М.: Мир, 1967. — 455с.

25. Стафеев В.И., Комаровских К.Ф., Фурсин Г.И. Нейристорные и другие функциональные схемы с объемной связью. — М.: Радио и связь, 1981. — 111с.

26. Грехов И.В., Линийчук И.А. Тиристоры, выключаемые током управления.

27. J1.: Энергоиздат, 1982. — 95 с.

28. Носов Ю.Р., Петросянц К.О., Шилин В.А. Математические модели элементов интегральной электроники. — М.: Сов. радио, 1976. — 304с.

29. Петросянц К.О., Шилин В.А., Яншин А.А. Электрические модели элементов интегральных схем для автоматизированного проектирования. — М.: Машиностроение, 1979. — 92 с.

30. Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы. — М.: Радио и связь, 1983. — 104 с.

31. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Радио и Связь, 1990. — 332 с.

32. Кублановский Я.С. Тиристорные устройства. — М.: Энергия, 1978. —96 с.

33. Янчук Е.В. Туннельные диоды в приемно-усилительных устройствах. М.: Энергия, 1967. — 56 с.

34. Дерменжи П.Г., Кузьмин В.А., Крюкова Н.Н. Расчет силовых полупроводниковых приборов. / Под ред. В.А. Кузьмина. — М.: Энергия, 1980. — 184 с.

35. Зи С. Физика полупроводников: В 2-х книгах. Кн.1. Пер. с англ. — М.: Мир, 1984.—456 с.

36. Гаряинов С.А., Тиходеев Ю.С. Физические модели полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением. — М.: Радио и связь. 1997. — 276 с.

37. Негатроника. / Серьезное А.Н., Степанова J1.H., Гаряинов С.А. и др. — Новосибирск: Наука. Сибирская издательская фирма РАН, 1995. — 315 с.

38. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. — М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1995.:— 399 с.

39. Бабичев А.П., Бабушкина Н.А., Братковский A.M. и др. Физические величины: Справочник. / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.

40. Стафеев В.И., Викулин И.М. .S-диоды — полупроводниковые приборы и их применение. / Под ред. Я.А.Федотова. — М.: Сов. радио. 1974. — Вып. 28. — С. 28-56.

41. Кузьмин В.А. Вольтамперная характеристика полупроводниковых приборов со структурой р-п-р-п во включенном состоянии /У Радиотехника и электроника. — 1963. — Т.8, №1. — С. 171-177.

42. Кузьмин В.А., Бражников В.А. О динамических свойствах приборов типа р-п-р-п II Радиотехника и электроника. — 1963. — Т.8, №7. — С.1193-1198.

43. Смолянский Р.Е. К вопросу о температурных изменениях параметров приборов, обладающих структурой р-п-р-п-т\тъ II Радиотехника и электроника. — 1963, —Т.8, №9, —С. 1615-1625.

44. Кузьмин В.А., Першенков B.C. О переходном процессе включения управляемых диодов р-п-р-п И Радиотехника и электроника. — 1967. Т. 12, №1. — С. 70-75.

45. Лебедев А.А., Уваров А.И., Челноков В.Е. Установление стационарного состояния при включении р-л-о-л-структуры // Радиотехника и электроника. — 1967.1. Т. 12, №4. — С. 677-685.

46. Лебедев А.А., Уваров А.И. Постоянная времени рассасывания заряда в р-/7-р-л-структуре при выключении её под действием обратного анодного напряжения // Радиотехника и электроника. — 1967. — Т. 12, №4. — С. 686-692.

47. Кузьмин В.А., Бражников В.А. О самопроизвольном включении приборов p-n-p-rt II Радиотехника и электроника. — 1967. — Т. 12, №4. — С. 668-676.

48. Лебедев А.А., Уваров А.И. Включение симметричной р-п-р-п-структуры при учёте зависимости коэффициентов усиления от тока // Радиотехника и электроника, — 1967. — Т.12, №5. — С. 895-903.

49. Лебедев А.А., Уваров А.И., Челноков В.Е. Переходный процесс выключения /?-/7-р-л-структуры посредством тока управления базы // Радиотехника и электроника, — 1968. — Т.13, №1. — С. 115-123.

50. Кузьмин В.А., Парменов Ю.А. К теории включенного состояния р-п-р-п-структур // Радиотехника и электроника. — 1968. — Т.13, №8. — С. 1439-1442.

51. Губанов А.И., Гущина Н.А. Расчет р-п-р-п-структуры в стационарном режиме при небольших сопротивлениях растекания баз // Радиотехника и электроника. — 1967.— Т.12, №8.— С. 1454-1460.

52. Лебедев А.А., Уваров А.И., Челноков В.Е. Влияние электрического поля на переходные процессы в/?-я-/?-я-структурах // Радиотехника и электроника. — 1967.1. Т.12. №8. — С.1461-1468.

53. Лебедев А.А., Попова М.В., Уваров А.И., Челноков В.Е. Исследование процесса накопления заряда при включении тиристоров // Радиотехника и электроника. — 1967. — Т. 12, № 10. — С. 1803-1807.

54. Рабкин П.Б., Тогатов В.В. Квазилинейная квазиодномерная модель процесса включения /?-/7-/?-/7-структур на этапе установления стационарного состояния // Радиотехника и электроника. — 1981. —Т.26, №7. — С.1498-1509.

55. Стафеев В.И., Ван-Шоу-цзюе, Филина Л.В. Триоды с Аг-образной характеристикой // Радиотехника и электроника — 1962. — Т. 7, № 8. — С. 14041408.

56. Комаровских К.Ф. /7-/?-/-структура — новый 5-элемент на объемном эффекте для функциональных схем // Микроэлектроника. — 1973. — Т. 2, №4. — С. 290-296.

57. Brambilla A. Daliogo Е.А. A circuit-ievel simulation model ofp-n-p-n-dzv'\czs II IEEE Trans. Comput. And. Des. Integr. Circuit and Sist. — 1990. — v.9, 112. — P. 12541264.

58. Комаровских К.Ф., Осипов B.B. Основные параметры и свойства шунтированной /?-л-/?-л-структуры // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. — 1967. — №3. — С. 11-19.

59. Евсеев Ю.А., Тетерьвова Н.А. Переходный процесс включения р-п-р-п-структуры, управляемой светом // Электротехническая промышленность. Преобразовательная техника. — М.: Информэлектро, 1980.- №5.

60. Кузьмин В.А., Першенков B.C. О переходном процессе включения тиристора // Радиотехника и электроника — 1968. — №7. — С. 709-718.

61. Рыбак Р.И.,Тетерьвова Н.А. Белая С.Н., Насекан О.С. Новые типы силовых оптронных тиристоров // Электротехника. — 1988. — №5. — С.5-6.

62. Пурцхванидзе А.А., Стафеев В.И. Четырехслойные структуры управляемые светом // Радиотехника и электроника — 1967. — Т. 12, №1. — С. 165167.

63. Юшин A.M. Применение симметричного тиристора в радиоэлектронике // Электронная промышленность. — 1974. — №9. — С. 46-49.

64. Евсеев Ю. А., Челноков В.Е. Обращенный тиристор и симметричный тиристор с двухполярным управлением // Электричество. — 1967. — №4.

65. Думаневич А.Н., Евсеев Ю.А., Туркевич В.М., Челноков В.Е., Акивчик Н.И. Силовые кремниевые диффузионные симметричные вентили (тиристоры) типа ВКДУС // Электричество. — 1969. — №5.

66. Wu Jingtang, Не Jian-She, Ou Xi-Yu. A two-transistor negative-resistance device nithout feedback structure // Int. J. Circuit Theory and Appl. — 1990. — v. 18. №1. — P. 85-88.

67. Евсеев Ю.А., Тетерьвова H.A., Белая C.H. Оптронный симистор средней мощности // Электротехническая промышленность. Преобразовательная техника. — 1975,—№9 (127).— С. 8-10.

68. Комаровских К.Ф., Стафеев В.И. Отрицательное сопротивление в некоторых полупроводниковых структурах // Радиотехника и электроника. — 1966.1. Т. И, №9, —С. 1624-1633.

69. Галузо В.Е., Матсон Э.А., Мельничук В.В. Полупроводниковые биполярно-полевые структуры // Зарубежная электронная техника. — 1981. — № 10 (244). — 50 с.

70. Смолко Г.Г., Осипов В.В., Стафеев В.И., Гаряинов С.А., Попова М.В. N-триод — активный элемент электронных схем // Радиотехника и электроника. — 1965, —Т. 10, №8. — С.1480-1485.

71. Попова М.В., Смолко Г.Г., Гаряинов С.А., Стафеев В.И. Статические характеристики TV-триодов // Радиотехника и электроника — 1965. — Т. 10, №1. — С.147-156.

72. Porter J.A. JFET transistor fields device with negative resistance // IEEE Trans. Electron. Devices, 1976. — v.23. — P. 1098-1099.

73. Wacker A., Scholl E. Criteria for bistable electrical devices with S- on Z-shaped current voltage characteristic //J. Appl. Phys. — 1995. — 78, №12. — P.7352-7357.

74. Гаряинов С.А., Сафонов B.M. Полупроводниковая негатроника, состояние и перспективы развития // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. — 1987.1. Вып. 4 (124). —С.81-91.

75. Голованова О.В., Грехов И.В., Линийчук И.А., Шулекин А.Ф. О возможности управления с помощью базового тока структурами с объемной связью между активными р-гс-р-и-элементами // Микроэлектроника. — 1976. — Т. 5, №1. — С. 43-49.

76. Володин Е.Б., Золотарев В.И., Золотарев Ю.Г., Комаровских К.Ф., Кольцов А.И., Стафеев В.И. Функциональные логические модули на ^-элементах // Микроэлектроника. — 1974. — Т. 3, №2. — С. 123-132.

77. Грехов И.В., Лизин А.И. Функциональные устройства на основе тиристорно-полевых структур // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника — 1986. — Вып 4 (120). — С.22-26.

78. Вьюков Л.А., Крутиков В.Н., Скляров Н.Е. и др. Исследование некоторых динамических характеристик линий из связанных тиристоров // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, — 1972. — Вып. 5 (39). — С. 70-74.

79. Вьюков В.А., Крутиков В.Н. Исследование некоторых динамических характеристик линий из связанных тиристоров // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. — 1972. — Вып. 5. — С. 70-75.

80. Векшина Е.В., Скорик В.А., Фурсин Г.И. Статические характеристики приборов с плазменной связью // Микроэлектроника. — 1977. — Т.6, №6. — С. 542549.

81. Flores D., Jorda X., Vellvehi М., Rebollo J., Millan J. Cryogenic operation of emitter switched thyristor structures // Solid-State Electron. — 1999. — T.43, №3. — C.633-640.

82. Shekar M.S., Baliga B.J. Temperature dependence of the emitter switched thyristor characteristics // Solid-State Electron.— 1996. — T.39, №6. — C. 769-776.

83. Кузьмин В.А., Юрков C.H. О максимальном запираемом токе в структурах тиристоров, управляемых с помощью затворов на полевых транзисторах // Радиотехника и электроника. — 1999. — Т.44, №1. — С. 118-121.

84. Гаряинов А.С. Математическая модель отрицательного сопротивления и индуктивности в приборах со структурой р-п-р-п-тнпа. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. — Вып. 3 (119). — 1986. — С. 41-44.

85. Степанова J1.H., Баскаков Е.Н. Температурная стабилизация параметров ВАХ S-ти па в транзисторном эквиваленте /?-/7-р-/?-структуры // Радиотехника. — 1976. — Т. 31, №9. — С. 77-83.

86. Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Магниточувствительные транзисторы//ФТП.— 2001, —Т. 35, №1, — С. 3-10.

87. Бакланов С.Б., Турин Н.Т., Новиков С.Г., Кузнецов В.В. Трехтранзисторные схемы замещения в моделировании МДП-симисторов и симисторных оптопар // Изв. вузов. Электроника. — 1998. —№ 1. — С.71-78.

88. Новоселов А.Ю., Новиков С.Г., Бакланов С.Б., Турин Н.Т. Схемотехническое моделирование и исследование мощных N-транзисторов // Изв. вузов. Электроника. — 1999. — № 1-2. — С.86-90.

89. Бакланов С.Б., Турин Н.Т., Новиков С.Г. Исследование полупроводниковых самосканирующих устройств с шунтирующим методом управления // Изв. вузов. Электроника. — 1998. —JM°4. — С.31-36.

90. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Новиков С.Г. Моделирование и исследование плаиарно-диффузионных симисторов малой мощности и оптопар на их основе // Изв. вузов. Электроника, 1997. — №6. — С. 49-59.

91. Бакланов С.Б., Гайтан В.В., Гурин Н.Т., Никанова А.В. Симметричные оптопары // Электронная промышленность, 1992. — №1. — С. 51.

92. Воронцов С.И., Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Новиков С.Г. Экспериментальное исследование магниточувствительных свойств радиационно-модифицированных планарных симисторов // Микросистемная техника. — 2001. — №10, —С. 3-6.

93. Воронцов С.И., Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Новиков С.Г. Облучение рентгеновским излучением планарно-диффузионных симисторных структур как метод повышения магниточувствительности // Письма в ЖТФ. — 2002. — Т. 28, №19.1. С. 37-42.

94. Воронцов С.И., Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Новиков С.Г. Повышение магниточувствительности планарных симисторов путем радиационной модификации структуры // Письма в ЖТФ. — 2001. — Т. 27, №8. — С. 53-57.

95. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т., Лычагин Е.В., Новиков С.Г., Картавенко А.В., Костылов М.А. Формирование полярно-чувствительных входных вольтамперных характеристик симисторной структуры // ЖТФ. — 2003. — Т. 73, №9. — С. 141-142.

96. Бакланов С.Б., Гурин Н.Т. Лычагин Е.В., Новиков С.Г., Картавенко А.В., Костылов М.А. Полярно-чувствительные //-образные входные вольтамперные характеристики симисторной структуры // Изв. вузов. Электроника, 2003. — №6. — С. 17-21.

97. Филинюк Н. Негатроника. Исторический обзор // МОО "Наука и Техника".http://\vww. n-t.ru/tp/in/nt.htm).

98. Petrie A.F. A SPICE model for triacs // Philips Semiconductors Rev 1200, 1997, —№9, —P. 1-10.

99. Разевиг В.Д. Применение программ P-Cad и Pspice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Выпуск 3. — М.: Радио и связь, 1992. —112 с.

100. Евсеев Ю.А. Теория симистора // Прикладная физика. — 2001. — №4. —

101. Дерменжи П.Г. Стойкость к эффекту dU/dt силовых запираемых тиристоров // Прикладная физика. — 2001. —№4. — С. 101-107.

102. Пат. 347838 (СССР). Тиристор / В.С.Першенков, Б.В.Ткачев. — Опубл. в Б.И., 1972,— №24.

103. Пат. 5315134 (США).— Опубл. в 1994 г.

104. Пат. 5381025 (США). — Опубл. в 1995 г.

105. Пат. 5324966 (США). — Опубл. в 1994 г.

106. Пат. 5387805 (США). — Опубл. в 1995 г.

107. Пат. 63209169 (Япония). — Опубл. в 1988 г.

108. Пат. 63209174 (Япония). — Опубл. в 1988 г.

109. Пат. 2243021 (Великобритания). — Опубл. в 1991 г.

110. Пат. 2062532 (Россия). Планарный переключающий полупроводниковый прибор. / Выгловский В.М., Гаганов В.В. — Опубл. в Б.И., 1996 — №17

111. А.с. 349356 (СССР). Симметричный тиристор / А.Н. Думаневич, Ю.А. Евсеев. — Опубл. в Б.И., 1988. —№20.

112. А.с. 397121 (СССР). Симметричный тиристор / Ю.А. Евсеев, А.Н. Думаневич. — Опубл. в Б.И., 1985. — №5.

113. А.с. 397122 (СССР). Симметричный тиристор / Ю.А. Евсеев, А.Н. Думаневич. — Опубл. в Б.И., 1985. — №5.

114. А.с. 435745 (СССР). Фотосимистор / Ю.А. Евсеев, А.Н. Думаневич. — Опубл. вБ.И., 1985, — №5.

115. А.с. 466817 (СССР). Трехэлектродный полупроводниковый переключатель. / Ю.А. Евсеев, А.Н. Думаневич. — Опубл. в Б.И., 1988. — №20.

116. А.с. 526243 (СССР). Трехэлектродный полупроводниковый переключатель. / Н.А. Тетерьвова, Ю.А. Евсеев, А.Н. Думаневич. — Опубл. в Б.И., 1980, —№37.

117. Пат. 3437891 (США). Полупроводниковые приборы / Опубл. в ,Б.И.,1969.

118. Пат. 5281832 (США). Двунаправленный двухвыводной тиристор / Опубл. в 1994 г.

119. Пат. 61-213129 (Япония). — Опубл. в 1993 г.

120. Пат. 59-50601 (Япония). — Опубл. в 1993 г.

121. Пат. 5483087 (США). — Опубл. в 1993 г.

122. Пат. 6014545 (Япония). — Опубл. в 1994 г.

123. Пат. 57-421 (Япония). — Опубл. в 1992 г.

124. Пат. 2645513 (ФРГ). Двунаправленный фототиристор. / Опубл. в Б.И.,1979.

125. А.с. 435745 (СССР). Фотосимистор / Ю.А. Евсеев, А.Н. Думаневич, Н.А. Тетерьвова, С.Н. Белая. — Опубл. в Б.И., 1988. — №20.

126. Пат. 24939/82 (Япония). — Опубл. в 1982 г.

127. Пат. 2022412. (РФ). Фотосимистор на основе полупроводниковой структуры / С.Б. Бакланов, В.В. Гайтан, Н.Т. Турин. — Опубл. в Б. И., 1994. — № 20.

128. Пат. РФ № 1827050. Коммутирующее устройство / С.Б. Бакланов, В.В. Гайтан, Н.Т. Гурин. — Опубл. в Б.И., 1993. — № 25.

129. Картавенко А.В., Лычагин Е.В. Входная характеристика N-типа планарно-диффузионного симистора // Труды IX Всерос. науч.-техн. конф. «Электроника и информатика-2002» (Зеленоград, 2002). — М.: МИЭТ, 2002. —; С. 47.

130. Костылов М.А., Лычагин Е.В. Формирование полярно-чувствительной

131. TV-образной входной характеристики планарно-диффузионного симистора // Труды X Всерос. науч.-техн. конф. «Электроника и информатика-2003» (Зеленоград, 2003). — М.: МИЭТ, 2003, —С. 26.