Исследование адсорбции In, Al, Co, Cu и Au на реконструированных поверхностях Si(100) и Si(111) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Олянич, Дмитрий Александрович

• Олянич, Дмитрий Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Олянич, Дмитрий Александрович

Введение

1 Субмонослойные реконструкции и их применение для модификаций поверхностей полупроводников.

Введение.

1.1 Основные представления о поверхностных структурах.

1.2 Атомарно-чистые поверхности Si(100) и Si(lll).

1.2.1 Атомная структура поверхности Si(100)2x1.

1.2.2 Атомная структура поверхности Si(lll)7x7.

1.3 Поверхностные фазы Si(100)c(4xl2)-Al, Si(lll)a(>/3 х >/3)-Au и Si(lll)5,55x5,55-Cu.

1.3.1 Поверхностная фаза Si(100)c(4xl2)-Al.

1.3.2 Поверхностная фаза 81(111)о:(л/3 х ч/3)-Аи.

1.3.3 Поверхностная фаза Si(lll)5,55x5,55-Cu.

1.4 Использование поверхностных реконструкций для модификации режимов роста металлов.

1.5 Поверхностная диффузия.

1.6 Кинетическая теории зародышеобразования.

Выводы по главе.

2 Экспериментальная установка и методы исследования

Введение.

2.1 Экспериментальная установка.

2.2 Методы исследования.

2.2.1 Сканирующая туннельная микроскопия.

2.2.2 Дифракция медленных электронов.

2.2.3 Электронная Оже спектроскопия.

2.3 Экспериментальные методики.

2.3.1 Приготовление атомарно-чистой поверхности Si(100) и Si(lll)

2.3.2 Калибровка температуры образца.

2.3.3 Калибровка скорости напыления адсорбата.

2.3.4 Приготовление СТМ игл.

Выводы по главе.

3 Модифицирование режимов роста металлов на поверхности Si(100) формированием реконструкции с(4х12)—А

Введение.

3.1 Система In/Si(100)c(4xl2)-Al.

3.2 Система Cu/Si(100)c(4xl2)-Al.

3.3 Система Au/Si(100)c(4xl2)-Al.

3.4 Система Со/с(4х12)-А

Выводы по главе.

4 Модифицирование режимов роста металлов на поверхности Si(lll) формированием реконструкции Si(lll)—5,55x5,55-Cu

Введение.

4.1 Нанопроволоки меди на Si(lll)-5,55x5,55-Cu

4.2 Рост пленки золота на 5,55х5,55-Си.

4.3 Формирование ограненных островков силицида Со на поверхностной фазе 5,55х5,55-Си.

Выводы по главе.

5 Модифицирование доменной структуры поверхностной реконструкции

Si(lll)<n/3 х ^3-Au

Введение.

5.1 Система Ъ/ау/Ъ х а/3-Au.

5.2 Система А1/а\/3 х \/3-Аи.

Выводы по главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование адсорбции In, Al, Co, Cu и Au на реконструированных поверхностях Si(100) и Si(111)»

Актуальность работы. Усиливающаяся тенденция к миниатюризации полупроводниковых приборов, наблюдаемая в настоящее время в электронной промышленности, вызвала повышенный интерес к исследованиям поверхностей полупроводников и нано-размерным объектам, формирующихся на этих поверхностях. С уменьшением размеров элементов интегральных схем, процессы, происходящие на поверхности, начинают играть все большую роль.

На сегодняшний день известны различные методы получения паиообъектов на поверхностях (литографии, молекулярно-лучевая эпитаксия, химический синтез и т.д.) [1]. Одним из перспективных методов считается самосборка, в котором, путём создания определенных условий, система сама стремиться к формированию определенных наноструктур. В случае использования метода самосборки для создания наноструктур на поверхностях полупроводников, помимо традиционных макроскопических параметров (температура подложки, давление паров и другие «ростовые» параметры) необходимо учитывать и многие параметры подложки.

Физика поверхности полупроводников более чем за 30 лет своего существования накопила огромный багаж знаний о поверхностных реконструкциях [2]. Известно более 300 субмонослойных реконструкций на кремнии, полученных адсорбцией практически всех химических элементов Периодической системы [3]. Однако, эти знания носят преимущественно фундаментальный характер. С практической точки зрения, формирование на поверхности реконструкций кардинально меняет такие свойства поверхности, как периодичность, расположение адсорбционных позиций, морфологию и многие другие. Использование субмонослойных реконструкций, в качестве модификаторов поверхности, открывает новые возможности в исследовании процессов самосборки, ведущих к получению новых наноматериалов с уникальными физико-химическими свойствами.

В данной работе исследовались процессы формирования нанообъектов при адсорбции элементов In, А1, Си, Аи и Со на модифицированных поверхностях Si(lll) и Si(100). Нанообъекты, полученные из данных материалов в будущем могут быть использованы для создания новой элементной базы наноэлектроники. Так, нанопленки Аи и Си обладают высокой электрической проводимостью, что позволяет рассматривать их в качестве основы для создания токопроводящих элементов. Уменьшение характерных размеров таких структур без существенного ухудшения электро-физических характеристик является актуальной задачей. Кроме того, островки Аи уже в настоящее время применяют в качестве инициаторов роста полупроводниковых вискеров [4]. Уменьшение диаметра вискеров (создание нановискеров) невозможно без уменьшения размеров островков Аи. Металлические наноостровки так же могут проявлять каталитическую активность (окисление СО и др.) даже в тех случаях, когда объемный материал такой активностью не обладает. Кобальт выбран в качестве исследуемого материала из-за своих магнитных свойств. Выбор In и А1 обусловлен применением их в полупроводниковой промышленности в качестве легирующих примесей.

В данной работе модифицированными поверхностями выступали образцы Si(100) и Si(lll) с созданными на них реконструкциями Si(lll)5,55x5,55-Cu и Si(100)c(4xl2)-Al. Целью таких модификаций являлось изменение основных свойств поверхностей, приводящие к смене режима роста, предотвращающие перемешивание атомов адсорбата с атомами подложки, ориентирующее влияние и др. В отличие от толстых, зачастую многослойных, буферных слоев, выращиванием которых достигаются схожие цели в настоящее время, модификация поверхности субмонослойными реконструкциями призвана сохранить такие характеристики монокристаллической подложки, как низкая шероховатость, предсказуемые направления атомных ступеней и интервал между ними, высокое кристаллическое совершенство поверхности, низкая плотность дефектов и многое другое.

Наряду с формированием нанообъектов, возможность модификации атомной структуры самих поверхностных фаз также представляет значительный интерес. В данной работе это направление представлено исследованием влияния адсорбции атомов In и А1 на атомную структуру поверхностной фазы Si(lll)o;v/3x\/3-Au. Данная реконструкция обладает интересным свойством — высокой плотностью доменных стенок, которые при определенных условиях могут «растворятся» и конденсироваться в различные упорядоченные структуры. Это делает её уникальным объектом для исследований самосборки на атомном уровне.

Целью диссертационной работы: является исследование влияния субмопослой-ных поверхностных реконструкций на режимы роста металлов на поверхностях Si(100) и Si(lll), и исследование взаимодействия доменных стенок реконструкции Si(lll)o;v/3x ч/3-Au с атомами адсорбата.

Для достижения указанной цели предполагалось решить следующие задачи:

1. Исследовать формирование наноструктур при адсорбции металлов (In, Си, Аи и Со) на реконструированную поверхность Si(100)c(4xl2)-Al при различных температурах осаждения.

2. Исследовать рост нанообъектов при адсорбции Си, Аи и Со на поверхностную фазу Si(lll)5,55x5,55-Cu.

3. Изучить влияние атомов In и А1 на атомную и доменную структуры поверхностной фазы Si(lll)a\/3x\/3-Au.

Научная новизна работы. Работа содержит новые экспериментальные результаты, наиболее важные из которых следующие:

1. Установлено влияние поверхностной реконструкции Si(100)c(4xl2)-Al на формирования нанообъектов металлов (In, Си, Аи и Со).

2. Экспериментально определен верхний предел энергии активации диффузии для атомов In, Си и Аи по поверхности Si(100)c(4xl2)-Al.

3. Показана возможность создания наноструктур на основе Аи и Со модификацией поверхности Si(lll) реконструкцией Si(lll)5,55x5,55-Cu.

4. Установлено влияние адсорбции атомов In и А1 на доменную структуру поверхностной фазы Si(lll)-aV5 х л/3-Au.

Практическая значимость исследования. В ходе выполнения диссертационной работы было исследовано формирование металлических наноостровков In, Си, Аи и Со на реконструированной поверхности кремния Si(100)c(4xl2)-Al. Подобраны экспериментальные условия, при которых возможно контролируемое формирование массива наноостровков указанных металлов. Рассчитан верхний предел энергии активации диффузии осаждаемых атомов. Полученная информация найдет применение при создании каталитически активных поверхностей [5], при формировании нановискеров, необходимых для создания многоострийиых катодов, сверхострых зондов для зондовой микроскопии [4] и т.д. В результате исследования адсорбции Си и Аи на поверхность Si(lll)5,55x5,55-Cu определены оптимальные условия формирования нанопленок золота и упорядоченного массива панопроволок меди. Эти объекты могут быть использованы в будущем при разработке токопроводящих элементов интегральных схем.

В результате исследования адсорбции атомов In и А1 на поверхностную фазу Si(lll)a-\/3x\/3-Au была показана возможность модификации доменной структуры поверхности. Такие процессы представляют интерес в плане расширения возможностей синтеза низкоразмерных материалов на поверхности.

Основные защищаемые положения.

1. Смена режима роста с послойного на островковый и ориентирующее влияние на рост островков In, Си и Аи происходит при использовании в качестве зародыше-образующей поверхности Si(100)c(4xl2)-Al.

2. Энергия активации диффузии атомов Си на поверхности Si(100)-c(4xl2)-Al составляет 0,26±0,09эВ, энергия связи димера Си равна 1,4±0,4эВ. Для Си существует два режима зародышеобразования островков, критическая температура смены режимов роста составляет 245°С. Верхний предел энергии активации диффузии для атомов In и Аи составляет 0,64±0,08эВ и 0,34±0,06эВ соответственно.

3. Рост нанопроволок Си и нанопленок Аи происходит на поверхностной реконструкции Si(lll)5,55x5,55-Cu.

4. На плотность линейных дефектов поверхностной фазы Si(lll)a\/3x\/3-Au силь ное влияние оказывает адсорбция In и А1. В случае осаждения In происходит полное растворение доменных стенок, в случае осаждения А1 происходит упорядочение доменных стенок в периодическую структуру с образованием новых поверхностных реконструкций Зл/З 3\/3 И zxz.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы докладывались на международных, российских и региональных конференциях, в том числе:

Основные результаты работы докладывались на международных, российских и региональных конференциях, в том числе:

Международной школе-конференции молодых ученых «Физика и химия паномате-риалов» 2005, г.Томск;

International Symposium on Surface Science and Nanotechnology ISSS-4, 2005, Omiya Sonic City, Saitama, Japan;

VII международной очно-заочной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых исследователей 2005, г. Владивосток;

IX, X, XI и XII Региональных конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов, ИАПУ ДВО РАН, Владивосток, 2005-2009;

7-й региональная научная конференция ФФПИО-7, 2007, г.Владивосток; Седьмой и восьмой всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, СПбГПУ, Санкт-Петербург; The Russia - Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, 2006, 2008; Региональной конференции студентов, аспирантов и молодых учёных по физике, ДВГУ, 2006, г.Владивосток;

Двенадцатой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых учёных ВНКСФ-12, 2006, г.Новосибирск;

The Eighth Japan - Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, 2008, Sendai;

Публикации и личный вклад автора. По теме диссертационной работы опубликовано 8 статей, в том числе 4 статьи в журналах входящих в Перечень ВАК РФ.

1. Д.В. Грузнев, И.Н. Филиппов, Д.А. Олянич, Д.Н. Чубенко, А.А. Саранин, А.В. Зотов, В.Г. Лифшиц «Формирование поверхностной фазы Si(lll)\/3х \/3-(Au,In)», Вестник ДВО РАН, - 2005. - N.6, - С.61-69.

2. D.V. Gruznev, I.N. Filippov, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, I.A. Kuyanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin, V.G. Lifshits, « x л/3-Au phase modified by In adsorption: Stabilization of a homogeneous surface by stress relief», Phys. Rev. В - 2006. - V.73

- N.ll - P.115335.

3. D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, D.N. Chubenko, M.N. Bykova, I.N. Filippov, I.A. Kuyanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin, «Interaction of In and A1 with the domain walls of the Si(lll)-o;\/3 x \/3-Au surface», Proceedings of Seventh Russia -Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, - 2006 - P.176.

4. D.V. Gruznev, D.A. Olyanich, V.A. Avilov, A.A. Saranin, A.V. Zotov, «Growth of In nanocrystallite arrays on the Si(100)-c(4xl2)-Al surface», Surf. Sci. - 2006. - V.600.

- P.4986-4991.

5. Д.А. Олянич, Д.Н. Чубенко, Д.В. Грузнев, А.В. Зотов, А.А. Саранин, «Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии роста наноостровков Си на поверхности Si(100)-c(4xl2)-Al», Письма в ЖТФ, - 2007. - Т.ЗЗ. - N.21. -С.31-35.

6. D.A. Olyanich, D.V. Gruznev, D.N. Chubenko, A.V. Zotov, A A. Saranin, «Nanoobject growth on modified silicon surfaces.», Proceedings of Eighth Japan - Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, - 2008.

7. D.V. Gruznev, DA. Olyanich, D.N. Chubenko, I.A. Kuyanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin, «Controllable modification of surface reconstructions», Proceedings of 16th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», - 2008. - P.163.

8. D.A. Olyanich, D.V. Gruznev, D.N. Chubenko, A.V. Zotov, A.A. Saranin, «Growth of metal nanoislands on the Si(100)c(4xl2)-Al template reconstruction», Proceedings of 16th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», - 2008. -P.167.

Личный вклад автора заключается в активном участии в проведении экспериментов, обработке экспериментальных данных и интерпретации полученных результатов. Вошедшие в диссертацию результаты отражают итоги исследований, проведенных автором в ИАПУ ДВО РАН совместно с группой сотрудников. Часть СТМ изображений с атомарным разрешением получена лично автором.

Работа сотрудников заключалось в следующем: д.ф.-м.н. Чеботкевич JI.A. является научным руководителем диссертанта. Д.ф.-м.н., профессор Саранин А.А., д.ф.-м.н. Зотов А.В. и к.ф.-м.н. Грузнев Д.В. участвовали в обсуждении результатов. Теоретические расчеты для атомной структуры Si(lll)ct\/3 х \/3—(Au,In) были выполнены д.ф.-м.н. Куяновым И.А. В работе также участвовали Филиппов И.Н., Чубенко Д.Н., и Авилов В.А. Техническое обеспечение СВВ установки производилось к.ф.-м.н. Чурусовым Б.К. и гл. инж. констр. Каменевым А.Н.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, 5 глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 157 страниц, включая 87 рисунков и список литературы из 129 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Олянич, Дмитрий Александрович

Общие выводы

1. Внедрение поверхностной реконструкции Si(100)-c(4xl2)-Al в границу раздела MeTan/Si(100) изменяет режим роста металлов In, Си, Аи и Со с 2D на 3D по сравнению с адсорбцией на атомно-чистую поверхность кремния. Островки не образуют упорядоченных массивов, по ориентированны вдоль основных кристаллографических направлений ([Oil] и [011]) поверхности Si(100).

2. Верхний предел энергии активации диффузии атомов In, Си и Аи вдоль поверхности с(4х12)-А1 составляет 0,64±0,08эВ, 0,26±0,09эВ и 0,31±0,06 эВ, соответственно. Энергия связи димера Си равна 1,4±0,4эВ. Для атомов Си на поверхности с(4х12)-А1 существует 2 режима зародышеобразования островков. Критическая температура смены режимов роста составляет 245°С.

3. Поверхностная фаза Si(lll)-5,55x5,55-Cu в случаях адсорбции Си и Аи эффективно блокирует формирование объемных силицидов. В системе Cu/5,55х5,55-Си, медь не адсорбируется на террасах, а агломерируется вдоль ступеней формируя нанопроволоки шириной 20-80 нм и высотой 1-3 им. В системе Аи/5,55х5,55-Си, формируется пленка Аи, процессы роста которой соответствуют «электронному режиму роста». В системе Со/5,55x5,55-Си происходит разрушение исходной поверхности под островками и формирование ограненных эндотаксиальных островков силицида кобальта с латеральными размерами 8-15 нм и высотой от 0,5 до 1,75 нм в зависимости от температуры роста.

4. Адсорбция In на реконструированную поверхность Si(lll)o;\/3 х \/3-Аи при КТ приводит к образованию фазы \/3x\/3-(Au,In) ограниченной доменами исходной фазы ct\/3x\/3-Au. При температуре выше точки плавления доменных стенок (~600°С), структура \/3x\/3-(Au,In) распространяется на всю поверхность, вытесняя доменные стенки. Однородная поверхностная фаза у/3 х УЗ-(АиДп) состоит из 1 МС Au, 1 МС Si и порядка 0,15 МС In.

5. Стабилизация бездефектной поверхности \/ЗхУЗ-(АиДп) происходит благодаря уменьшению напряжения поверхности с 204мэВ/А2 до 39мэВ/А2. При КТ атомы In не занимают фиксированного положения, а переключаются между соседними положениями Т4 в ячейке \/3.

6. Адсорбция А1 на при КТ приводит к замещению атомов Аи атомами А1. Отжиг такой системы при температуре выше точки плавления доменных стенок («600°С) приводит не к формированию новых реконструкций, а к упорядочению доменных стенок структуры а\/3 х ^З-Аи в периодические структуры 3\/3 х 3\/3 и 2x2, в зависимости от покрытия А1. Определены покрытия А1, Аи и Si, входящие в состав реконструкции 3^3 х зУз. Предложена упрощенная модель этой поверхности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Олянич, Дмитрий Александрович, 2009 год

1. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике. Москва: Техносфера, 2005.448 с.

2. К. Оура, В. Г. Лифшиц. А.А. Саранин А.В. Зотов М. Катаяма. Введение в физику поверхности. Москва: Наука, 2005.- 499 с.

3. Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon. Chichester: Wiley, 1994.- 450 p.

4. B.T. Дубровский, Г.Э. Цырлин. B.M. Устинов. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения. // Физика и техника полупроводников. 2009. - V. 43, N. 12.

5. Rashkeev S.N., Lupini A.R., Overbury S.H., Pennycook S.J., Pantelides S.T. Role of the nanoscale in catalytic CO oxidation by supported Au and Pt nanostructures. 11 Phys. Rev. B. 2007. - V. 76. - P. 035438.

6. Schlier R.E., Farnsworth H.E. Structure and adsorption characteristics of clean surfaces of germanium and silicon. 11 J.Chem.Phys. 1959. -V. 30, N. 4. - P. 917-926.

7. Duke C.B. The amazing story of semiconductor surface structures. // Progr. Surf. Sci. 1995. - V. 50. - P. 31-43.

8. Jarek Dabrowski Hans-Joachim Mussig. Silicon surafces and formation of interfaces. Singapore: World Scientific Publishing Company.- 550 p.

9. В. Г. Лифшиц С.М. Репинский. Процессы на поверхности твердых тел. Владивосток: Дальнаука, 2003 - 723 р.

10. Kotlyar V. G., Zotov А. V., Saranin A. A., Kasyanova Т. V., Cherevik М. А., Pisarenko I. V., Lifshits V. G. Formation of the ordered array of A1 magic clusters on Si(lll)7 x 7. 11 Phys. Rev. B. 2002. - V. 66, N. 16. - P. 165401-4.

11. Oura K., Lifshits V. G., Saranin A. A., Zotov A. V., Katayama M. Surface Science. An Introduction. Berlin, Heidelberg:. // Springer-Verlag,. 2003. - P. 440.

12. Park R.L., Madden H.H. Annealing changes on the (100) surface of palladium and their effect on CO adsorption. // Surf. Sci. 1968. - V. 11, N. 2. - P. 188-202.

13. Wood E.A. Vocabulary of surface crystallography. //J. Appl. Phys. 1964. - V. 35, N. 4. - P.1306-1312.

14. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. Москва: Мир, 1989.- 564 с.

15. Abukawa Т., Wei С.М., Yoshimura К., Копо S. Direct method of surface structure determination by Patterson analysis of correlated thermal diffuse scattering for Si(001)2x 1. // Phys. Rev. B. 2000. - V. 62, N. 23. - P. 16069-16073.

16. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Москва: Наука, 1978.- 792 с.

17. Котляр В.Г. Формирование и атомное строение наноструктур на поверхностях Si(lll) и Si(100). ИАПУ ДВО РАН, 2005, 271.

18. Yokoyama Т., Takayanagi К. Anomalous flipping motions of buckled dimers on the Si(001) surface at 5 K. // Phys. Rev. B. 2000. - V. 61, N. 8. - P. R5078-R5081.

19. Meade R.D., Vanderbilt D. Adatoms on Si(lll) and Ge(lll) surfaces. // Phys. Rev. B. 1989. - V. 40, N. 6. - P. 3905-3913.

20. Qian G.-X., Chadi D.J. Si(lll)—7 x 7 surface: Energy-minimization calculation for the dimer-adatom-stacking-fault model. // Phys. Rev. B. 1987. - V. 35, N. 3. -P. 1288-1293.

21. Robinson I.K., Vlieg E. X-ray reflectivity study of the Si(lll)7 x 7 surface. // Surf. Sci. 1992. - V. 261. - P. 123-128.

22. Horio Y., Ichimiya A. KinematicalanalysisofRHEEDintensitiesfromtheSi(lll)7x7 structure. // Surf. Sci. 1989. - V. 219, N. 1/2. - P. 128-142.

23. Tong S.Y., Huang H., Wei C.M., Packard W.E., Men F.K., Glander G.S., Webb M.B. Low-energy ellectron diffraction analysis of the Si(lll)7 x 7 structure. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. - V. 6, N. 3. - P. 615-624.

24. Такауападг K., Tanishiro Y., Takahashi S., Takahashi M. Structure analysis of Si(lll)—7 x 7 reconstructed surface by transmission electron diffraction. // Surf. Sci. 1985. - V. 164. - P. 367-392.

25. Harrison W.A. Surface reconstruction on semiconductors. // Surf. Sci. 1976. - V. 55, N. 1. - P. 1-19.

26. Bennett P.A., Feldman L.C., Kuk Y., McRae E.G., Rowe J.E. Stacking-fault model for the Si(lll)—(7 x 7) surface. 11 Phys. Rev. B. 1983. - V. 28, N. 6. - P. 3656-3659.

27. Culbertson R.J., Feldman L.C., Silverman P.J. Atomic displacements in the Si(lll)—(7 x 7) surface. 11 Phys. Rev. Lett. 1980. - V. 45, N. 25. - P. 2043-2046.

28. Tromp R.M., Van Loenen E.J., Iwami M., Saris F. W. On the structure of the laser irradiated Si(lll)—(1 x 1) surface. // Sol. State Commun. 1982. - V. 44, N. 6. -P. 971-974.

29. Binning G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. (7 x 7) reconstruction on Si(lll) resolved in real space. // Phys. Rev. Lett. 1983. - V. 50, N. 2. - P. 120-123.

30. Himpsel F.J. Structural model for Si(lll)—(7 x 7). // Phys. Rev. B. 1983. - V. 27, N. 12. - P. 7782-7785.

31. McRae E.G. Surface stacking sequence and (7 x 7) reconstruction at Si(lll) surfaces. 11 Phys. Rev. B. 1983. - V. 28, N. 4. - P. 2305-2307.

32. Ide Т., Nishimori Т., Ichinokawa T. Surface structures of Si(100)-Al phases. // Surf. Sci. 1989. - V. 209, N. 3. - P. 335-344.

33. Shimizu N., Kitada H., Ueda O. Cluster-ordered array on the Si (100) surface formed by A1 deposition. 11 Phys. Rev. B. 1995. - V. 51, N. 8. - P. 5550-5553.

34. Shimizu N., Kitada H., Ueda О. A1 growth on Si(001) observed by scanning tunneling microscopy. // J. Cryst. Growth. 1995. - V. 150. - P. 1159-1163.

35. Oshima Y., Hirata Т., Yokoyama Т., Hirayama II., Takayanagi K. Atomic structure of cluster-ordered array on the Si(001) surface induced by aluminum. // Surf. Sci. -2000. V. 465, N. 1/2. - P. 81-89.

36. Nagao Т., Hasegawa S., Tsuchie K., Ino S., Voges C., Klos G., Pfniir H., Henzler M. Structural phase transitions of Si(lll)-(\/3 x ч/3)Я30°-Аи: Phase transitions in domain-wall configurations. // Phys. Rev. B. 1998. - V. 57, N. 16. - P. 10100-10109.

37. Hasegava S., Nagai Y., Oonishi Т., Ino S. Hysteresis in phase transitions at clean and Au-covered Si(lll) surfaces. // Phys. Rev. B. 1993. - V. 47, N. 15. - P. 9903-9906.

38. S. Hasegawa, Y. Nagai. T. Oonishi N. Kobayashi T. Miyake S. Murakami Y. Ishii D. Hanawa, Ino S. // Phase Transit. 1994. - V. 53, N. 87.

39. Ding Y.G., Chan С. Т., Но К.М. Theoretical investigation of the structure of the (УЗ x УЗ) fl30-Au/Si(lll) surface. 11 Surf. Sci. 1992. - V. 275, N. 3. - P. L691-L696.

40. Falta J., Hille A., Novikov D., Materlik G., Seehofer L., Falkenberg G., Johnson R.L. Domain wall structure of Si(lll)(>/5 x Уз)Я30°-Аи. 11 Surf. Sci. 1995. - V. 330, N. 2. - P. L673-L677.

41. Hong I.H., Liao D.K., Chou Y.C., Wei C.M., Tong S. Y. Direct observation of ordered trimers on Si(lll)\/3x \/3R30o-Au by scanned-energy glancing-angle Kikuchi electron wave-front reconstruction. 11 Phys. Rev. B. 1996. - V. 54, N. 7. - P. 4762-4765.

42. Oura K., Katayama M., Shoji F., Hanawa T. Real-space determination of atomic structure of the Si(lll)- УЗ x УЗЛЗО—Au surface by low-energy alkali-ion scattering. // Phys. Rev. Lett. 1985. - V. 55, N. 14. - P. 1486-1489.

43. Kadohira Т., Nakamura J., Watanabe S. First-principles study on the atomic and electronic structure of the Au/Si(lll)-a(\/3x y3)R30° surface. // e-J.Surf.Sci.Nanotech. 2004. - V. 2. - P. 146-150.

44. Daugy E., Mathiez P., Salvan F., Layet J.M. 7x7 Si(lll)-Cu interfaces: combined LEED, AES and ELS measurements. // Surf. Sci. 1985. - V. 154. - P. 267-283.

45. Calliari L., Marchetti F., Sancrotti M. Metastability of the Si(lll)Cu interface. A spatially resolved Auger line shape spectroscopy investigation. // Phys. Rev. B. -1986. V. 34, N. 2. - P. 521-526.

46. Dallaporta H., Cros A. Atomic bonding at the Si-Au and Si-Cu interfaces. // Surf. Sci. 1986. - V. 178, N. 1/3. - P. 64-69.

47. Ringeisen F., Derrien J., Daugy E., Layet J.M., Mathiez P., Salvan F. Formation and properties of the copper silicon (111) interface. //J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. - V. 1, N. 3. - P. 546-552.

48. Wilson R.J., Chiang S., Salvan F. Examination of the Cu/Si(lll)5 x 5 structure by scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. 1988. - V. 38, N. 17. - P. 1269612699.

49. Mortensen K. Frustration in the Si(lll) "Pseudo 5x5"Cu structure directly observed by scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 66, N. 4. -P. 461-464.

50. Chambers S.A., Anderson S.B., Weaver J.H. Atomic structure of the Cu-Si(lll) interface by high-energy core-level Auger electron diffraction. // Phys. Rev. B. 1985. - V. 32, N. 2. - P. 581-587.

51. Chambliss D.D., Rhodin T.N. Electronic and atomic structure of the Cu/Si(lll)quasi-5x5 overlayer. // Phys. Rev. B. 1990. - V. 42, N. 3. - P. 1674-1683.

52. Zhang Y.P., Yong K.S., Chan H.S.O., Xu G.Q., Chen S., Wang X.S., Wee A.T.S. Quantitative analysis of Si mass transport during formation of Cu/Si(lll)-(5x5) from scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. 2007. - V. 75, N. 7. - P. 073407-4.

53. Zegenhagen J., Fontes E., Grey F., Patel J.R. Microscopic structure, discommensurations, and tiling of Si(lll)/Cu-"5x5". // Phys. Rev. B. 1992. -V. 46, N. 3. - P. 1860-1863.

54. Koshikawa Т., Yasue Т., Tanaka H., Sumita I., Kido Y. Surface structure of Cu/Si(lll) at high temperature. 11 Surf. Sci. 1995. - V. 331/333, N. 1. - P. 506-510.

55. Kawasaki Т., An Т., Ito H., Ichinokawa T. Atomic structure and growth of the Cu/Si(lll)-"5x5" phase. // Surf. Sci. 2001. - V. 487, N. 1/3. - P. 39-48.

56. De Santis M., Muntwiler M., Osterwalder J., Rossi G., Sirotti F., Stuck A., Schlapbach L. Electronic and atomic structure of the Cu/Si(lll)'quasi-5x5' overlayer. // Surf. Sci. 2001. - V. 477, N. 2/3. - P. 179-190.

57. Neff H.-J., Matsuda I., Hengsberger M., Baumberger F., Greber Т., Osterwalder J. High-resolution photoemission study of the discommensurate (5.55x5.55) Cu/Si(lll) surface layer. // Phys. Rev. B. 2001. - V. 64, N. 23. - P. 235415-9.

58. Zotov A. V., Gruznev D.V., XJtas O.A., Kotlyar V.G., Saranin A.A. Multi-mode growth in Cu/Si(lll) system: Magic nanoclustering, layer-by-layer epitaxy and nanowire formation. // Surf. Sci. 2008. - V. 602, N. 1. - P. 391-398.

59. Kemmann H., Muller F., Neddermeyer H. AES, LEED and TDS studies of Cu on Si(lll)7 x 7 and Si(100)2 x 1. // Surf. Sci. 1987. - V. 192, N. 1. - P. 11-26.

60. Nakatani S., Kuwahara Y., Kuramochi H., Takahashi Т., Aono M. Study of thei(lll)"5x5"-Cu surface structure by x-ray diffraction and scanning tunneling microscopy. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. - V. 40, N. 7A. - P.L695-L697.

61. Takayanagi K., Tanishiro Y., Ishitsuka Т., Akiyama K. In-situ UHV electron microscope study of metal-silicon surfaces. // Appl. Surf. Sci. 1989. - V. 41/42.- P. 337-341.

62. Yasue Т., Koshikauia Т., Jalochowski M., Bauer E. Dynamic observations of the formation of thin Cu layers on clean and hydrogen-terminated Si(lll) surfaces. // Surf. Sci. 2001. - V. 480, N. 3. - P. 118-127.

63. Gruyters M. Growth and structure of Fe, Co and Ni films on hydrogen-terminated Si(lll) surfaces. // Surf. Sci. 2002. - V. 515. - P. 53-60.

64. Dulot F.} Hanf M.-C., Wetzel P. Nanostructures growth on the Co-Si(lll)(\/7\/7)R19.10 surface reconstruction. // Surf. Sci. 2008. - V. 602, N. 7.- P. 1447-1452.

65. Allongue P., Maroun F. // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. - V. 18. - P. S97.

66. Robinson J.Т., Ratto F., Moutanabbir O., Heun S., Locatelli A., Mentes T. Onur, Aballe L., Dubon O.D. // Nano Lett. 2007. - V. 7. - P. 2655.

67. A. Fleurencea, G. Agnusa. Т. Maroutiana В. Bartenliana P. Beauvillaina E. Moyenb, Hanbucken M. Elaboration of self-organized magnetic nanoparticles by selective cobalt silicidation. I j Appl. Surf. Sci. 2008. - V. 254. - P. 3147-3152.

68. Uchihashi Т., Nakayama Т., Aono M. Substrate dependent low-temperature growth of thin Ag films: Study on Si(lll)-In surfaces. // Jpn. J. Appl. Phys. 2007. - V. 46, N. 9A. - P. 5975-5980.

69. C. S. Jiang, Hongbin Yu. C-K. Shih Ph. Ebert. Effect of the Si substrate structure on the growth of two-dimensional thin Ag films. // Surf. Sci. 2002. - V. 518. - P. 63-71.

70. Paredis K., Smeets D., Vantomme A. Iron silicide nanostructure formation on Au induced superstructures on Si(lll). // Nanotechnology. 2009. - V. 20. - P. 75607.

71. Swartzentruber B.S. Direct Measurement of Surface Diffusion Using Atom-Tracking Scanning Tunneling Microscopy. // Phys. Rev. Lett. 1996. - V. 76, N. 3. - P. 459-462.

72. Amar J. G., Family F., Lam P. M. Dinamic Scaling of the Island -Size Distribution and Percolation in a Model of Submonolayer Molecular-Beam Epitaxy. // Phys. Rev. B. 1994. - V. 50, N. 12. - P. 8781-8797.

73. Venables J.A., Spiller G.D.T., Hanbucken M. Nucleation and growth of thin films. 11 Rep.Prog.Phys. 1984. - V. 47. - P. 399-459.

74. Miiller В., Nedelmann L., Fischer В., Brune H., Kern K. Initial Stages of Cu Epitaxy on Ni(100): Postnucleation and a Well-Defined Transition in Critical Island Size. // Phys. Rev. B. 1996. - V. 54, N. 24. - P. 17858-17865.

75. Зотов А.В. Саранин А.А. Введение в сканирующую туннельную микроскопию.-Учебное пособие. Владивосток: ИАПУ, 2002.- 62 р.

76. In Wiley John, Sons, editors, Practical surface analysischapter 4, . P. 85. 1990.

77. Marcus H.L. Auger electron spectroscopy. : Pergamon Press, 1993 666 p.

78. Seach M.P. Quantification in AES and XPS. , 1990.- 201 p.

79. Ho flung G.B. Spectroscopic techniques. : Marcel Dekker, 1998.

80. Ch. Bai. Scanning tunneling microscopy and its applications. : Shanghai, Springer, 2000.

81. A.J. Melmed. The art and science and other aspects of making sharp tips. //J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. - V. 9. - P. 601.

82. Eberhardt W. Clusters as new materials. // Surf. Sci. 2002. - V. 500. - P. 242-270.

83. Stangl J., Holy V., Bauer G. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures. // Rev. Mod. Phys. 2004. - V. 76. - P. 725-783.

84. Shchukin V.A., Bimberg D. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces. 11 Rev. Mod. Phys. 1999. - V. 71, N. 4. - P. 1125-1171.

85. Brune H., Giovannini M., Bromann K., Kern K. Self-organized growth of nanostructure arrays on strain-relief patterns. // Nature. 1998. - V. 394. - P. 451453.

86. Chado I., Padovani S., Scheurer F., Bucher J.P. Controlled nucleation of Co clusters on Au(lll): towards spin engineering. 11 Appl. Surf. Sci. 2000. - V. 164. - P. 42-47.

87. Vasco E. Metal-cluster nanoarrays on Si(111)7x7: Rate equations and kinetic Monte Carlo simulations. // Phys. Rev. B. 2004. - V. 69, N. 7. - P. 075412-5.

88. Vasco E. Mechanisms of preferential adsorption on the Si(lll)7x7 surface. // Surf. Sci. 2005. - V. 575, N. 3. - P. 247-259.

89. Vitali L., Ramsey M.G., Netzer F.P. Nanodot formation on the Si(lll)-(7x7) surface by adatom trapping. // Phys. Rev. Lett. 1999. - V. 83, N. 2. - P. 316-319.

90. Li J.-L., Jia J.-F., Liang X.-J., Liu X., Wang J.-Z., Xue Q.-K, Li Z.-Q., Tse J.S., Zhang Z., Zhang S.B. Spontaneous assembly of perfectly ordered identical-size nanocluster arrays. // Phys. Rev. Lett. 2002. - V. 88, N. 6. - P. 066101-4.

91. Lai M.Y., Wang Y.L. Self-organized two-dimensional lattice of magic clusters. 11 Phys. Rev. B. 2001. - V. 64, N. 24. - P. 241404-4.

92. Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Pisarenko I. V., Lifshits V. G. Formatoin of the ordered array of A1 magic clusters on Si(lll)7x7. 11 Phys. Rev. B. 2002. - V. 66, N. 16. - P. 165401-4.

93. Kubo O., Ryu J. Т., Tani H., Harada Т., Katayama M., Oura K. Direct observation of strained layer formation at the initial stage of In thin film growth on Si(100). // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. - V. 38, N. 6B. - P. 3849-3852.

94. Evans M.M.R., Glueckstein J.C., Nogami J. Indium on Si(001): Growth beyond the first atomic layer. // Surf. Sci. 1998. - V. 406, N. 1/3. - P. 246-253.

95. Saranin A.A,, Zotov A. V., Kotlyar V.G., Okado H., Katayama M., Oura K. Modified Si(100)4x3-In nanocluster arrays. 11 Surf. Sci. 2005. - V. 598, N. 1/3. - P. 136-143.

96. In Bonzel H. P., editor, Physics of Covered Solid Surfaces, volume 111/42 of Landolt-Bomstein (New Series). P. 455-530. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 2001.

97. Voigtlander B. Fundamental Processes in Si/Si and Ge/Si Epitaxy Studied by Scanning Tunneling Microscopy during growth. // Surf. Sci. Repts. 2001. - V. 43, N. 5-8. - P. 127-254.

98. Ryu J.-Т., Kui К., Noda К., Katayama M., Oura K. The effect of hydrogen termination on In growth on Si(100) surface. // Surf. Sci. 1998. - V. 401, N. 2. - P. L425-L431.

99. Ikeda Т., Kawashima Y., Roh H., Ichinokawa T. Surface structures and growth mode of the Cu/Si(100)2xl surface depending on heat treatment. // Surf. Sci. 1995. - V. 336, N. 1/2. - P. 76-84.

100. Ichinokawa Т., Inoue Т., Izumi H., Sakai Y. Epitaxial growth in Cu/Si(001)2 x 1 at high temperatures. // Surf. Sci. 1991. - V. 241, N. 3. - P. 416-424.

101. Gruznev D.V., Olyanich D.A., Avilov V.A., Saranin A.A., Zotov A.V. Growth of In nanoclystallite arrays on the Si(100)-c(4xl2)-Al surface. // Surf. Sci. 2006. - V. 600, N. 22. - P. 4986-4991.

102. Гиваргизов Е.И. Кристаллические вискеры и наноострия. // Природа. 2003, N. 11. - Р. 20.

103. Опта К., Hanawa Т. LEED-AES study of the Au-Si(lOO) system. // Surf. Sci. -1979. V. 82, N. 1. - P. 202-214.

104. Chen Y., Ohlberg D.A.A., Williams R.S. Nanowires of four epitaxial hexagonal silicides grown on Si(001). // J. Appl. Phys. 2002. - V. 91, N. 5. - P. 3213-3218.

105. Nogami J., Liu B.Z., Katkov M.V., Ohbuchi C., Birge N.O. Self-assembled rare-earth silicide nanowires on Si(001). // Phys. Rev. B. 2001. - V. 63, N. 23. - P. 233305-4.

106. Okino H., Matsuda I., Hobara R., Hosomura Y., Hasegawa S., Bennet P.A. In situ resistance measurements of epitaxial cobalt silicide nanowires on Si(110). // Appl. Phys. Lett. 2005. - V. 86, N. 23. - P. 233108-3.

107. Narusawa Т., Komiya S., Hiraki A. Diffuse interface in Si (substrate)-Au (evaporated film) system. // Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 22, N. 8. - P. 389-399.

108. Le Lay G., Faurie J.P. AES study of the very first stages of condensation of gold films on silicon (111) surfaces. // Surf. Sci. 1977. - V. 69, N. 1. - P. 295-300.

109. Chizhov I., Lee G., Willis R.F. Initial stages of Au adsorption on the Si(lll)-(7x7) surface studied by scanning tunneling microscopy, j j Phys. Rev. B. 1997. - V. 56, N. 19. - P. 12316-12320.

110. Yeh J.-J., Hwang J., Bertness K., Friedman D.J., Cao R., Lindau I. Growth of the room temperature Au/Si(lll)-(7 x 7) interface. // Phys. Rev. Lett. 1993. - V. 70, N. 24. - P. 3768-3771.

111. Okuno K., Ito Т., Iwami M., Hiraki A. Presence of critical Au-film thickness for room temperature interfacial reaction between Au(film) and Si(crystal substrate). // Sol. State Commun. 1980. - V. 34. - P. 493-497.

112. Iwami M., TeradaT., Tochihara H., Kubota M., Murata Y. Alloyed interface formation in the Au-Si(lll)2 x 1 system studied by photoemission spectroscopy. // Surf. Sci. -1988. V. 194, N. 1/2. - P. 115-126.

113. Su W.B., Chang S.H., Jian W.B., Chang C.S., Chen L.J., Tsong T.T. Correlation between quantized electronic states and oscillatory thickness relaxations of 2D Pb islands on Si(lll)-(7x7). // Phys. Rev. Lett. 2001. - V. 86, N. 22. - P. 5116-5119.

114. Chang S.H., Su W.B., Jian W.B., Chang C.S., Chen L.J., Tsong T.T. Electronic growth of Pb islands on Si(lll) at low temperature. // Phys. Rev. B. 2002. - V. 65, N. 24. - P. 245401-6.

115. Sasaki M., Yuhara J., Inoue M., Moriia K. Studies on 2D Au-Cu binary adsorbates on Si(lll) surfaces by means of combined LEED/AES/RBS techniques. // Surf. Sci. 1993. - V. 283, N. 1/3. - P. 327-332.

116. С. С. Косолобов А. В. Латышев. Влияние вакансии на распределение атомных ступеней на поверхности кремния (111). // Вестник НГУ. 2007. - V. 2, N. 2. -Р. 40-50.

117. Zhian He David J. Smith, Bennett. P. A. Endotaxial Silicide Nanowires. // Phys. Rev. Lett. 2004. - V. 93, N. 25. - P. 256102. Co.

118. Pirri C., Peruchetti J.C., Gewinner G., Bolmont D. Annealing studies of the Co/Si(lll) interface. // Sol. State Commun. 1986. - V. 57, N. 5. - P. 361-364.

119. A.V. Zotov, D.V. Gruznev. O.A. Utas-V.G. Kotlyar A.A. Saranin. Structural properties of Cu clusters on Si(lll):Cu2Si magic family. // Surf. Sci. 2008. - V. 602. - P. 391-398.

120. Khrarntsova E.A., Ichimiya A. Comparative study of room- and high-temperature Si(lll)-(\/3 x \/3)i?30o-Au structures using one-beam RHEED intensity rocking-curve analysis. // Phys. Rev. B. 1998. - V. 57, N. 16. - P. 10049-10053.

121. Marks L.D., Grozea D., Feidenhans'l R., Nielsen M., Johnson R.L. Au 6x6 on Si(lll): Evidence for a 2D pseudoglass. // Surf.Rev.Lett. 1998. - V. 5, N. 2. -P. 459-464.

122. Grozea D.; Bengu E., Marks L.D. Surface phase diagrams for the Ag-Ge(lll) and Au-Si(lll) systems. 11 Surf. Sci. 2000. - V. 461, N. 1/3. - P. 23-30.

123. Yamanaka Т., Ino S. Transition from overlayer growth to alloying growth of Ga on Si(lll)-a-(\/3x \/3)-Au. // Phys. Rev. Lett. 2002. - V. 89, N. 19. - P. 196101-4.

124. Nagao Т., Voges C., Pfnuer H., Henzler M., Ino S., Shimokoshi F., Hasegawa S. Diffraction from small antiphase domains: a-\/3 x л/З, Р~у/х\/3, 6x6 phases of Au adsorbed Si(lll). 11 Appl. Surf. Sci. 1998. - V. 130/132. - P. 47-53.

125. Sakai H., Khrarntsova E.A., Ichimiya A. Metastable ordering of domain walls into Si(lll)(2\/2l x 2%/2T)R(±10.9°)-Au structure studied by RHEED and STM. 11 Jpn. J. Appl. Phys. 1998. - V. 37, N. 6B. - P. L755-L757.

126. Seifert C., Hild R., Horn-von Hoegen M., Zhachuk R.A., Olshanetsky B.Z. Au induced reconstructions on Si(lll). // Surf. Sci. 2001. - V. 488, N. 1/2. - P. 233-238.