Формирование структур на реконструированной поверхности кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Грузнев, Димитрий Вячеславович

• Грузнев, Димитрий Вячеславович
• доктор физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Грузнев, Димитрий Вячеславович

Введение

1 Формирование наноструктур на поверхности кремния. Методические вопросы исследования

1.1 Самосборка наноструктур на поверхности твердых тел. Анализ проблемы

1.2 Представления о поверхности и поверхностных реконструкциях.

1.3 Современные методы исследования поверхности.

2 Твердотельные наноструктуры на модифицированной поверхности кремния

2.1 Линейные наноструктуры Си на реконструкции Si(111)"5x5"-Cu.

2.2 Рост пленки Аи на реконструкции Si(111)"5x5"-Cu.

2.3 Металлические островки на реконструкции Si(100)c(4x 12)-А1.

2.4 Реконструкция Si(l 11)\/Зх как сурфактант роста монокристаллов Sb 83 Выводы по главе.

3 Атомные и молекулярные структуры на модифицированной поверхности кремния

3.1 Атомные кластеры Ge на несоразмерной реконструкции

3.2 Массивы органических молекул на поверхностных реконструкциях . 111 Выводы по главе.

4 Модифицированные поверхностные реконструкции на кремнии

4.1 Удаление доменных границ с поверхности и его влияние на электрофизические свойства системы.

4.2 Организация доменных границ в периодические структуры

4.3 Изменение атомной структуры поверхности при модификации приповерхностной области подложки.

4.4 Изменение свойств поверхностной реконструкции при модификации приповерхностной области подложки.

Выводы по главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование структур на реконструированной поверхности кремния»

Актуальность работы В современной электронике существует отчетливая тенденция к миниатюризации элементов полупроводниковых интегральных схем. Она обусловлена потребностями к удешевлению производства, снижению энергопотребления устройств и т.п. С уменьшением размеров элементов все большую роль начинает играть структура поверхности подложки: увеличивается чувствительность процессов роста эпитак-сиальных слоев к структуре поверхности на атомном уровне, ее химическому составу и т.п. Кроме того, постепенный переход к наноэлектронике, использующей свойства квантово-размерных систем, диктует потребность в принципиально новых методах синтеза функциональных элементов. Среди различных методов формирования структур на поверхности твердого тела [1], метод самосборки (или самоорганизации) становится все более актуальным [2], так как самоорганизованный рост позволяет получать упорядоченные массивы идентичных нанообъектов на значительных площадях. При применении процессов самосборки для создания наноструктур на поверхностях полупроводников, роль атомной структуры поверхности становится критической.

Одним из свойств поверхности ковалентных кристаллов, таких как кремний, является их способность к реконструкции, при которой структура поверхности изменяется в широких пределах при осаждении субмонослойных покрытий адсорбата [3]. Таких структур - атомных реконструкций - на подложках кремния различных ориентаций обнаружено и исследовано уже более 300 [4]. Подобная модификация поверхности изменяет многие из ее свойств и может быть использована в качестве параметра для управления процессами самоорганизованного роста наноструктур. Следует отметить, что речь идет не о буферных слоях, которые фактически заменяют материал подложки и представляют самостоятельную сложную технологическую задачу, зачастую вынуждая выращивать многослойные буферные «сандвичи», градиентные слои и т.п. [5]. Модификация поверхности субмонослойными реконструкциями призвана обеспечить процесс самосборки, сохранив при этом такие характеристики монокристаллической подложки, как низкая шероховатость, предсказуемые направления атомных ступеней и интервал между ними, высокое кристаллическое совершенство поверхности, низкая плотность дефектов и др.

Одним из примеров самоорганизованного формирования совершенных массивов на-нокластеров с использованием поверхностной реконструкции в качестве шаблона является формирование «магических» кластеров на атомарно чистой поверхности 51(111) с реконструкцией 7x7 [6]. Замена структуры поверхности на реконструкцию типа «адсорбат/подложка» в некоторых случаях также приводит к формированию на ней массивов нанообъектов (кластеры [7], нанопроволоки [8], нанокольца [9] и др.). Ввиду важности материалов пониженной размерности как для фундаментальной физики, так и с технологической точки зрения, а также сложности их получения, такой подход представляется перспективным и актуальным. Тем не менее, систематических исследований'в данном направлении, позволивших бы разработать универсальный метод создания наноструктур с заданными характеристиками, недостаточно.

Особый интерес представляет возможность создания на поверхности кремния в условиях сверхвысокого вакуума молекулярных структур для интеграции хорошо развитых кремниевых технологий с бурно развивающейся в последние годы молекулярной электроникой. В основе молекулярной электроники лежит концепция использования отдельных молекул и молекулярных комплексов в качестве готовых логических и функциональных элементов [10]. Адсорбция большинства органических молекул на поверхность кремния, которая характеризуется большим количеством химически активных ненасыщенных связей, зачастую приводит к диссоциации молекул и образованию пло-хоупорядоченных слоев [11]. Так как модификация поверхности 51(111) реконструкциями, помимо прочего, приводит с снижению плотности оборванных связей, это можно использовать для формирования совершенных молекулярных слоев.

Наконец, поверхностные реконструкции как таковые представляют определенный самостоятельный интерес. Механизмы образования протяженных двумерных структур со сложной внутренней организацией до сих пор является предметом дискуссии. Одним из интересных объектов этого направления является реконструкция 51(111)-а-у/3 х\/3-Аи. Она обладает необычным свойством — высокой плотностью доменных границ (ДГ) которые, при определенных условиях, могут организовываться в различные упорядоченные (ДГ-кристалл) либо неупорядоченные (ДГ-стекло) структуры [12]. Это свойство делает ее уникальным объектом исследований явления самосборки на атомном уровне. В данной работе рассматриваются вопросы формирования «искусственных» поверхностных реконструкций, целенаправленного изменения структуры поверхности и, как следствие, ее свойств.

Все вышесказанное определило актуальность выбранного направления исследований — формирование и исследование наноструктур на реконструированной поверхности кремния.

Целью диссертационной работы ставится развитие методов контролируемого формирования нанообъектов на поверхности кремния, основным из которых является использование поверхностных реконструкций «адсорбат/подложка» для модификации свойств поверхности.

Для достижения цели работы ставятся следующие задачи:

1. Провести экспериментальные исследования формирования основных типов нанообъектов (пленки (2 0), проволоки (1 Б) и наноостровки (ОБ)) на поверхностях кремния со сформированными поверхностными реконструкциями. Качественно показать модифицирующее влияние атомных реконструкций на процессы роста наноструктур. Количественно оценить диффузионные параметры для ряда адсор-батов на реконструированных поверхностях 51(111).

2. Изучить структурные и электрические свойства полученных объектов в сравнение с соответствующими «чистыми», без внедренных поверхностных реконструкций, системами.

3. Выяснить характер миграции отдельных адсорбированных атомов и органических молекул по реконструкциям кремния с различными потенциальными рельефами поверхности. Показать формирование атомных кластеров и молекулярных комплексов в рельефе поверхностных реконструкций.

4. Выяснить механизм вытеснения антифазных доменных границ с поверхности Аи/51(111) двумерным адатомным газом 1п. Показать влияние доменной структуры на электронные и электрические свойства поверхности.

5. Исследовать модификацию структуры поверхности Аи/БЦШ) адсорбцией А1. Исследовать структурно-фазовые превращения в этой системе и процесс организации доменной структуры реконструкции 51(11 \)-а-л/Ъ х\/3-Аи в периодические решетки. Установить атомную структуру полученных модифицированных реконструкций.

6. Установить влияние периода решетки подложки на реконструкцию поверхности.

Научная новизна работы В работе получены новые экспериментальные результаты, основными из которых являются следующие:

1. Экспериментально показано изменение режимов роста ряда металлов (1п, Аи, Си) при создании в границе раздела металл/кремний поверхностной реконструкции 51(100)с(4х 12)-А1. Используя формализм кинетической теории зародышеобразо-вания оценены параметры диффузии атомов по этой поверхности.

2. Определены закономерности захвата нейтральных атомов йе потенциальным бассейном в элементарной ячейке квазипериодической реконструкции 51(111)"5х5"-Си. Определен диффузионный барьер для атомов йе, выявлено формирование ди-меров йе с периодами \/За, 2 а и у/7 а, а также атомных кластеров до пентамеров включительно.

3. Установлено, что адсорбция 1п на поверхностную реконструкцию 51(111)-а:-л/Зх\/3-Аи снижает напряжение поверхности, вследствие чего сильно уменьшается концентрация линейных дефектов поверхности (антифазных доменных границ), а размеры доменов структуры л/Зх-^/З увеличиваются с ~100А до типичных размеров террас подложки кремния (0,1-0,5 мкм). Предложена структурная модель поверхности 51(111)-к-л/3 х\/3-(Аи,1п), показано влияние доменных границ исходной реконструкции на свойства поверхности.

4. Выявлено существование новых поверхностных реконструкций

Зл/Зх и 2х2-(Аи,А1). Установлены закономерности их формирования и атомное устройство. Показано, что данные реконструкции можно рассматривать как антифазные доменные границы поверхности Аи/51(111), упорядоченные в периодические структуры.

5. Обнаружено, что незначительные изменения периода кристаллической решетки приповерхностной области 51(111) приводят к существенной перестройке атомной структуры реконструкции Э1(111)4х 1-1п с образованием новой металлической реконструкции 7хЗ-1п. Подобные же модификации в системе А1/51(111) не приводят к формированию новых структур, но изменяют относительные температурные стабильности существующих.

Практическая ценность работы состоит в том, что рассмотренные способы формирования наноструктур являются основой для разработки полномасштабных методов контролируемого создания функциональных материалов. В данной работе впервые получены структуры, свойства которых в значительной степени отличаются от свойств структур, сфабрикованных на немодифицированных поверхностях. Так, получены массивы нанопроволок Си на поверхности 51(111), терминированной двумерным силицидом Си25к При выборе соответствующей морфологии образца возможно формирование нанопроволок Си в виде петель, колец и т.п. Такая система обладает высокой анизотропией электропроводности и низким удельным сопротивлением. Пленки Аи, сформированные на поверхностной реконструкции 81(111)"5х5"-Си, демонстрируют лучшую морфологию поверхности за счет подавления формирования объемного силицида и, как следствие, лучшие электрофизические характеристики. Эти системы имеют практическую ценность и могут быть использованы в будущем при разработке токопроводящих элементов нанометрового масштаба.

Предложен способ увеличения температурной стабильности упорядоченных массивов атомных кластеров А1 на поверхности 51(111)7x7. Учитывая, что данная структура обладает ярко выраженной каталитической активностью, увеличение ее стабильности также может найти практическое применение.

Основные защищаемые положения

1. Квазипериодическая реконструкция 51(111)"5х5"-Си эффективно блокирует формирование силицида в системах Си/31(111) и Аи/51(111). Этот факт вместе с увеличением диффузионной длины атомов Си по поверхности приводит к формированию нанопроволок Си, декорирующих моноатомные ступени подложки. Массив таких проволок демонстрирует сильную анизотропию электропроводности. В системе Аи/ЭЦШ) формируется атомно-гладкая пленка Аи. Улучшение морфологии поверхности по сравнению с пленкой, сформированной на атомарно чистой поверхности 31(111), приводит к возрастанию поверхностной проводимости в три раза.

2. Реконструкция 51(111)"5х5"-Си содержит потенциальный бассейн в центре шестиугольной ячейки, который характеризуется высокими барьерами на границах ячейки и мелким рельефом дна. Минимумы рельефа приходятся на позиции 5;/ (атом Си, замещающий 51), диффузионный барьер между позициями составляет 0,29±0,03эВ. При комнатной температуре бассейны могут захватывать нейтральные атомы адсорбата (йе, Аи, 1п) и органические молекулы (С^На^СЬ), формируя атомные и молекулярные кластеры.

3. Внедрение подвижных атомов 1п в решетку поверхностной реконструкции 51(111)a:\/3-Au снижает напряжение поверхности с +204 мэВ/А2 до +39мэВ/А2, в результате чего происходит вытеснение линейных дефектов - антифазных доменных границ - с образованием гомогенной поверхности \/Зхл/3

4. Изменение периода кристаллической решетки подложки на 0,07% созданием в приповерхностной области Si(lll) слоя Ge^i^-^ вызывает фазовый переход 4xl-In —> 7хЗ-1п. Реконструкция 7хЗ-1л не формируется ни в одной из «чистых» систем (In/Si, In/Ge) и включает в себя 1 МС In и 0,65±0,04 МС атомов подложки.

5. Замена части атомов Si в приповерхностной области Si(lll) на атомы Ge изменяет наиболее предпочтительную позицию для адсорбированного атома А1 с адатомной на замещающую. Это приводит к изменению относительных температурных стабильностей реконструкций Si(l 11)\/3х\/3-А1 и массива магических кластеров А1, а также делает возможным обратный фазовый переход «\/3-А1 —> кластеры А1». (В исходной системе Al/Si(lll), без атомов Ge, переход «кластеры —\/3-А1» является необратимым.)

Научная обоснованность и достоверность представленных в диссертационной работе экспериментальных результатов определяется корректностью постановки решаемых задач и их физической обоснованностью, применением различных взаимодополняющих современных методов исследования поверхности, а также соответствием полученных результатов с известными экспериментальными и теоретическими данными.

Апробация результатов работы Основные результаты работы докладывались на международных, российских и региональных конференциях, в том числе:

I Азиатско-Тихоокеанской конференции по фундаментальным проблемам опто- и микроэлектроники (г. Владивосток, Россия, 11-15 сентября 2000 г.); X международной конференции по твердотельным тонким пленкам и поверхностям ICSFS-10 (г. Прин-стон, США, 9-13 июля 2000 г.); VIII международной конференции по тонким пленкам,

Публикации По теме диссертации опубликовано 26 статей в рецензируемых научных журналах, входящих в список ВАК, и один патент РФ.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 235 страниц, включая 115 рисунков и список литературы из 372 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Грузнев, Димитрий Вячеславович

Общие выводы

1. Установлено, что модификация подложки 51(111) с помощью реконструкции "5х5"-Си, вследствие блокирования роста объемного силицида и увеличения диффузионной длины атомов Си, приводит к их агломерации вдоль краев моноатомных ступеней и образованию протяженных нанопроволок Си.

2. Показано, что модификация 51(111) с помощью реконструкции "5х5"-Си приводит к заметному улучшению морфологии поверхности пленки Аи, что сказывается на электрофизических свойствах системы, в частности приводит к возрастанию поверхностной проводимости в три раза по сравнению с исходной системой Аи/БЦШ).

3. Показано, что формирование поверхностной реконструкции 51(100)с(4х 12)-А1 в границе раздела металл/кремний приводит к изменению режима роста металлов (1п, Аи, Си) и формированию массивов наноостровков. Используя формализм кинетической теории зародышеобразования из температурных зависимостей размеров островков оценены параметры диффузии атомов по этой поверхности.

4. Показано, что рост 5Ь на 51(111) существенно модифицируется внедрением реконструкции 11)\/3 х\/3-1п, которая выполняет роль сурфактанта, а также подготавливает объемоподобную структуру верхнего слоя 51(111), разрушая структуру 7x7 атомарно чистого кремния. В результате, вместо неупорядоченной пленки БЬ формируется массив наноразмерных монокристаллических островков БЬ с возможностью регулировки плотности.

5. Установлено, что реконструкция 31(111)"5х5"-Си содержит высокие потенциальные барьеры на границах ячеек и потенциальный бассейн в центре шестиугольной ячейки с мелким рельефом дна. Величина диффузионного барьера внутри ячейки составляет О,29±0,03эВ. Существование этого бассейна определяет диффузионные процессы адсорбированных атомов Се, а также их кластерообразова-ние. Атомные кластеры йе, формирующиеся в рельефе реконструкции "5х5"-Си, разделяются на три семейства, гексагональные \/Зх-\/3 и 2x2, и прямоугольное \/Зх2.

6. Показано, как влияет потенциальный рельеф поверхностных реконструкций на процессы самосборки молекулярных структур на основе органических молекул С15Н8Ы202. На чистой поверхности кремния молекулы хаотически адсорбируются на поверхности, насыщая оборванные связи реконструкции. В системе С^НзИгОг/Чх 1-1п, молекулы располагаются над 7г-связанными цепочками Э1 между рядами атомов металла и при охлаждении до ~200К упорядочиваются в волнистые цепочки. На поверхности "5х5"-Си молекулы уже при комнатной температуре формируют кольцеобразные молекулярные комплексы. На реконструкции у/Зх^/З-Ац молекулы образуют подвижный двумерный молекулярный газ, который при охлаждении конденсируется на моноатомных ступенях подложки. В большинстве случаев молекулы увлекаются электрическим полем микроскопа, что позволяет искусственно концентрировать молекулы в плотные массивы.

7. Показано, что при адсорбции 1п на реконструкцию 31(111)-а-л/3 х\/3-Аи происходит вытеснение доменных границ реконструкции, при этом 1п присутствует на поверхности в виде подвижного адатомного газа. Снижение плотности дефектов происходит вследствие того, что адатомы 1п компенсируют напряжение исходной поверхности, которое снижается с +204мэВ/А2 до +39мэВ/А2. Определена структура совместной реконструкции /г,-л/3-(Аи,1п), измерены электрические свойства.

8. Определена атомная структура реконструкций к\/ау/Ъ-ки, образованных адсорбцией AI на поверхностную реконструкцию Si(l 1 \)-а-у/3 хл/3-Au. Показано, что данные реконструкции представляют собой доменные границы исходной структуры а\/3-Аи, упорядоченные в в периодические структуры 3\/3х3\/3-(Аи,А1) и 2x2, в зависимости от покрытия AI. Предложенная структурная модель 3-\/3x3\/3-(Au,Al) включает в себя атомы AI в замещающих позициях Sy и три-меры Au с центрами в Т4 и Н3.

9. Экспериментально показано, что замена верхнего подповерхностного слоя Si(lll) на GexSi(1s) приводит к необратимому переходу реконструкции Si(l 11)4х 1-1п в новую реконструкцию с периодичностью 7x3. Покрытие Ge, необходимое для полного перехода составляет ~0,35МС, что соответствует изменению среднего периода кристаллической решетки на ~0,07%.

10. Показано, что адсорбция Sb на предварительно сформированную Si(100)4x3-In при Ts<280°C приводит к частичной декомпозиции исходной поверхности, при которой сохраняется структура верхнего (4х 1)-реконструированного слоя. Установлено, что изменения структуры верхнего слоя подложки приводят к формированию поверхности Sb/Si(100) с необычным для данной системы расположением димеров Sb2.

11. При замене верхнего подповерхностного слоя Si(lll) на слой GexSi(i2) переменного состава, все характерные поверхностные реконструкции системы Al/Si(lll) сохраняются, однако изменяются их относительные температурные стабильности. Установлены различия в предпочтительных конфигурациях атомов AI (адатомное и замещающее положения) на Si(lll) и Ge(lll). Обнаружен обратный фазовый переход «\/3-А1 —> кластеры AI». (В исходной системе Al/Si(lll) переход «кластеры —> -\/3-А1» является необратимым.)

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Грузнев, Димитрий Вячеславович, 2011 год

1. Herman М.А., Sitter Н. Molecular Beam Epitaxy: fundamentals and Current Status. Berlin: Springer-Verlag, 1996.- 453 c.

2. Stangl J., V.Holij, Bauer G. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures. 11 Review Of Modern Physics. 2004. - V. 76. - P. 726-783.

3. Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А., А.В.Зотов, Катаяма М. Введение в физику поверхности. Москва: Наука, 2005,- 499 с.

4. Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon. Chichester: Wiley, 1994,- 450 p.

5. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок. // Успехи физических наук. 2008. - V. 178, N. 5. - Р. 459-480.

6. Wang Y.L., Saranin A.A., Zotov А. V., Lai М. Y., Chang Н.Н. Random and ordered arrays of surface magic clusters. // Internation.Rev.Phys.Chem. 2008. - V. 27, N. 2. - P. 317-360.

7. Lai M. Y., Wang Y.L. Direct observation of two dimensional magic clusters. 11 Phys. Rev. Lett. 1998. - V. 81, N. 1. - P. 164-167.

8. Wang L.L., Ma X.C., Jiang P., Fu Y.S., Ji S.H., Jia J.F., Xue Q.K. Uniform Pb nanowires of magic thickness on Si(111) controlled by elastic interaction and quantum size effects. // Phys. Rev. B. 2006. - V. 74, N. 7. - P. 073404-4.

9. Tang L., Guan Z.-L., Hao D., Ma X.-C., Jia J.-F., Xue Q.-K. Ordered Au/Pb nanoring arrays on Pb-induced Si(lll)-lxl surface. 11 Appl. Phys. Lett. 2009. -V. 94, N. 6. - P. 063112-3.

10. Heath J. R. Molecular Electronics. // Annu. Rev. Mater. Res. 2009. - V. 39. -P. 1-23.

11. Guisinger N.P., Elder S.P., Yoder N.L., Hersam M.C. Ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy investigation of free radical adsorption to the Si(lll)-7x7 surface. 11 Nanotechnology. 2007. - V. 18, N. 4. - P. 044011-6.

12. Nagao Т., Hasegawa S., Tsuchie K., Ino S., Voges C., Klos G., Pftiiir H., Henzler M. Structural phase transitions of Si(l 11)-(\/3 x \/3)i?30o-Au: Phase transitions in domain-wall configurations. 11 Phys. Rev. B. 1998. - V. 57, N. 16. - P. 1010010109.

13. Tsao J.Y. Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy. San Diego, CA: Academic Press, Inc., 1993.- 301 c.

14. Liith H. Surfaces and Interfaces of Solid Materials. Berlin, Heidelberg, New York: Springer-Verlag, 1995,- 495 p.

15. Чаплыгин ЮЛ. Нанотехнологии в электронике. Москва: Техносфера, 2005.448 с.

16. Кошелев К.Н., Банин В.Е., Салащенко Н.Н. Работы по созданию источников коротковолнового излучения для нового поколения литографии. // Успехи физических наук. 2007. - V. 177, N. 7. - Р. 777.

17. Feynman R. P. There's Plenty of Room at the Bottom. // Engineering and Science (California Institute of Technology). 1960. - V. 23, N. 2. - P.22-29.

18. Eigler D.M., Schweizer E.K. Positioning single atoms with a scanning tunnelling microscope. // Nature. 1990. - V. 344. - P. 524-526.

19. Crommie M. F., Lutz С. P., Eigler D. M. Imaging Standing Waves in a Two-Dimensional Electron Gas. 11 Nature. 1993. - V. 363. - P. 524-527.

20. Saranin A.A., Numata Т., Kubo O., Tani H., Katayama M., Lifshits V.G., Oura K. STM tip-induced diffusion of In atoms on the Si(l 11 )л/3 x y/3-ln surface. 11 Phys. Rev. B. 1997. - V. 56, N. 12. - P. 7449-7454.

21. Li S.-C., Jia J.-F., Ma X., Xue Q.-K., Ha Y., Liu F. Fabricating artificial nanowells with tunable size and shape by using scanning tunneling microscopy. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V. 89, N. 12. - P. 123111-3.

22. Шкляев А.А., Ичикава M. Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа. // Успехи физических наук. 2006. - V. 176, N. 9. - Р. 913-930.

23. Brune Н., Giovantiini М., Вготапп К., Кет К. Self-organized growth of nanostructure arrays on strain-relief patterns. // Nature. 1998. - V. 394. -P. 451-453.

24. Shi J., Wang Zh., I. Li H. Selfassembly of gold nanoparticles onto the surface of multiwall carbon nanotubes functionalized with mercaptobenzene moieties. // Journal Of Nanoparticle Research. 2006. - V. 8, N. 5. - P. 743-747.

25. Mann S. Self-assembly and transformation of hybrid nano-objects and nanostructures under equilibrium and non-equilibrium conditions. // Nature Materials. 2009. - V. 8, N. 10. - P. 781-792.

26. Himpsel F.J., Kirakosian A., Craiti J.N., Lin J.-L., Petrovukh D.Y. Self-assembly of one-dimensional nanostructures at silicon surfaces. // Sol. State Commun. 2001.- V. 117. P. 149-157.

27. Woll A.R., Rugheimer P., Lagally M.G. Strain engineering, self-assembly, and nanoarchitectures in thin SiGe films on Si. 11 Mat.Sci.Eng.B. 2002. - V. 96. -P. 94-101.

28. Zhang Y.P., Yang L., Lai Y.H., Xu G.Q., Wang X.S. Self-assembly of one-dimensional molecular nanostructures on the Ge-covered Si(100) surface. 11 Appl. Phys. Lett. 2004. - V. 84, N. 3. - P. 401-403.

29. Patella F., Sgarlata A., Arciprete F., Nufris S., Szkutnik P.D., Placidi E., Fanfoni M., Motta N., Balzarotti A. Self-assembly of InAs and Si/Ge quantum dots on structured surfaces. // J.Phys.-.Cond.Matt. 2004. - V. 16. - P. S1503-S1534.

30. Ong W., Tok E.S., Johll H., Kang H.C. Self-assembly, dynamics, and structure of

31. Si magic clusters. // Phys. Rev. B. 2009. - V. 79, N. 23. - P. 235439-9.

32. Zhang C., Li M. A pathway for self-assembly of metallic nanostructures on quantum-modulated flat Pb(l 11)/Si(l 11) substrate. // Appl. Phys. Lett. 2010.- V. 96, N. 7. P. 073112-3.

33. Barke I., Rugheimer T.K., Zheng F., Himpsel F.J. Atomically precise self-assembly of one-dimensional structures on silicon. // Appl. Surf. Sci. 2007. - V. 254, N. 1.- P. 4-11.

34. Sekiguchi T., Yoshida S., Itoh KM. Self-assembly of parallel atomic wires and periodic clusters of silicon on a vicinal Si (111) surface. // Phys. Rev. Lett. 2005.- V. 95, N. 10. P. 106101-4.

35. Aurongzeb D., Patibandla S., Holtz M., Temkin H. Self-assembly of faceted Ni nanodots on Si(lll). // Appl. Phys. Lett. 2005. - V. 86, N. 10. - P. 103107-3.

36. Voigtlander B. Fundamental Processes in Si/Si and Ge/Si Epitaxy Studied by Scanning Tunneling Microscopy during growth. // Surf. Sci. Repts. 2001. - V. 43, N. 5-8. - P. 127-254.

37. Williams R.S., Medeiros-Ribeiro G., Kamins T.I., Ohlberg D.A.A. Chemical thermodynamics of the size and shape of strained Ge nanocrystals grown on Si(001). // Acc.Chem.Res. 1999. - V. 32, N. 5. - P. 425-433.

38. Vitali L., Ramsey M.G., Netzer F.P. Nanodot formation on the Si(l 1 l)-(7x7) surface by adatom trapping. // Phys. Rev. Lett. 1999. - V. 83, N. 2. - P. 316319.

39. Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi S., Takahashi M. Structure analysis of Si(lll)—7 x 7 reconstructed surface by transmission electron diffraction. // Surf. Sci. 1985. - V. 164. - P. 367-392.

40. Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Pisarenko I.V., Lifshits V.G. Formatoin of the ordered array of A1 magic clusters on Si(l 11)7x7. // Phys. Rev. B. 2002. - V. 66, N. 16. - P. 165401-4.

41. Chang H.H., Lai M.Y., Wei J.H., Wei CM., Wang Y.L. Structure determination of surface magic clusters. // Phys. Rev. Lett. 2004. - V. 92, N. 6. - P. 066103-4.

42. Li J.-L., Jia J.-F, Liang X.-J., Liu X., Wang J.-Z., Xue Q.-K., Li Z.-Q., Tse J.S., Zhang Z., Zhang S.B. Spontaneous assembly of perfectly ordered identical-size nanocluster arrays. // Phys. Rev. Lett. 2002. - V. 88, N. 6. - P. 066101-4.

43. Wu K., Fujikawa Y., Takamura Y., Sakurai T. Alkali metal adsorption on the Si(l 1 l)-(7x7) surface. // Chin.J.Phys. 2005. - V. 43, N. 1. - P. 197-211.

44. Zotov A. V., Gruznev D.V., Utas O.A., Kotlyar V.G., Saranin A.A. Multi-mode growth in Cu/Si(l 11) system: Magic nanoclustering, layer-by-layer epitaxy and nanowire formation. // Surf. Sci. 2008. - V. 602, N. 1. - P. 391-398.

45. Li S.-C., Jia J.-F., Dou R.-F., Xue Q.-K. Bordering magic clustering: The fabrication of tetravalent Pb cluster arrays on Si(l 1 l)-(7x7) surfaces. 11 Phys. Rev. Lett. -2004. V. 93, N. 11. - P. 116103-4.

46. Zotov A. V., Saranin A.A., Kotlyar V.G., Utas O.A., Wang Y.L. Diverse magic nanoclustering in submonolayer Tl/Si(l 11) system. // Surf. Sci. 2006. - V. 600, N. 9. - P. 1936-1941.

47. Chiu Y.-P., Huang L.-W., Wei C.-M., Chang C.-S., Tsong T.-T. Magic number of atoms in surface-supported planar clusters. 11 Phys. Rev. Lett. 2006. - V. 97, N. 16. - P. 165504-4.

48. Uchihashi T., Ohbuchi C., Tsukamoto S., Nakayama T. One-dimensional surface reconstruction as an atomic-scale template for the growth of periodically striped Ag films. // Phys. Rev. Lett. 2006. - V. 96, N. 13. - P. 136104-4.

49. Liu C., Uchihashi T., Nakayama T. Self-alignment of Co adatoms on In atomic wires by quasi-one-dimensional electron-gas-mediated interactions. // Phys. Rev. Lett. 2008. - V. 101, N. 14. - P. 146104-4.

50. Preinesberger C., Vandrd S., Kalka T., Dahne-Prietsch M. Formation of dysprosium silicide wires on Si(001). // J.Phys.D. 1998. - V. 31. - P. L43-L45.

51. Starowics P., Gallus O., Pillo Th., Baer Y. Size effects in photoemission of one-dimensional metals. // Phys. Rev. Lett. 2002. - V. 89, N. 25. - P. 256402-4.

52. Okino H., Hobara R., Matsuda I., Kanagawa T., Hasegawa S., Okabayashi J., Toyoda S., Oshima M., Ono K. Nonmetallic transport of a quasi-one-dimensional metallic Si(557)-Au surface. 11 Phys. Rev. B. 2004. - V. 70, N. 11. - P. 113404-4.

53. Crain J.N., McChesney J.L., Zheng F., Gallagher M.C., Snijders P.C., Bissen M., Gundelach C., Erwin S.C., Himpsel F.J. Chains of gold atoms with tailored electronic states. // Phys. Rev. B. 2004. - V. 69, N. 12. - P. 125401-10.

54. Okino H., Matsuda I., Yamazaki S., Hobara R., Hasegawa S. Transport in defective quasi-one-dimensional arrays of chains of gold atoms on a vicinal silicon surface. // Phys. Rev. B. 2007. - V. 76, N. 3. - P. 035424-5.

55. Schlickum U., Decker R., Klappenberger F., Zoppellaro G., Klyatskaya S., Auwarter W., Neppl S., Kern К., Brune H., Ruben M., Barth J. V. Chiral Kagome Lattice from Simple Ditopic Molecular Bricks. // J. Am. Chem. Soc. 2008. - V. 130. - P. 11778. ,

56. Schreiber F. Organic Molecular Beam Deposition: Growth Studies Beyond the First Monolayer. // Phys. Stat. Sol. (a). 2004. - V. 201. - P. 1037.

57. Yasui К., Kanemaru Т., Ogiwara Т., Nishiyama H., Inoue Y., Akahane Т., Takata M. Surface structure formed by the reaction of monomethylgermane on Si(001) surface. 11 Jpn. J. Appl. Phys. 2008. - V. 47, N. 3. - P. 1690-1693.

58. Ко J.-К., Cho J.-H. Dehydrogenation of 1,4-cyclohexadiene on Si(001): A first-principles study. // Phys. Rev. B. 2008. - V. 77, N. 11. - P. 115329-6.

59. Favero P.P., Ferraz A.C., Miotto R. Comparative study of the adsorption and dissociation of vinylacetic and acrylic acid on silicon (001). // Phys. Rev. B. -2008. V. 77, N. 8. - P. 085304-7.

60. Terada Y., Shigekawa H., Suwa Y., Heike S., Fujimori M., Hashizume T. Electrical structures of individual poly(3-hexylthiophene) nanowires on hydrogen-terminated Si(100) surfaces. // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. - V. 45, N. 3B. - P. 1956-1961.

61. Allen F.G., Eisinger J., Hagstrum H.D., Law J.T. Cleaning of Silicon Surfaces by Heating in High Vacuum. // Journal of Applied Physics. 1959. - V. 30. -P. 1563-1571.

62. Harrison W.A. Surface reconstruction on semiconductors. // Surf. Sci. 1976. -V. 55, N. 1. - P. 1-19.

63. Bennett P.A., Feldman L.C., Kuk Y., McRae E.G., Rome J.E. Stacking-fault model for the Si(lll)—(7 x 7) surface. // Phys. Rev. B. 1983. - V. 28, N. 6. - P. 36563659.

64. Culbertson R.J., Feldman L.C., Silverman P.J. Atomic displacements in the Si(l 11)—(7x 7) surface. // Phys. Rev. Lett. 1980. - V. 45, N. 25. - P. 2043-2046.

65. Binning G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. (7 x 7) reconstruction on Si(lll) resolved in real space. // Phys. Rev. Lett. 1983. - V. 50, N. 2. - P. 120-123.

66. Himpsel F.J. Structural model for Si(lll)-(7 x 7). // Phys. Rev. B. 1983. - V. 27, N. 12. - P. 7782-7785.

67. McRae E.G. Surface stacking sequence and (7 x 7) reconstruction at Si(lll) surfaces. // Phys. Rev. B. 1983. - V. 28, N. 4. - P. 2305-2307.

68. Takahashi K., Nara C., Yamagishi T., Onzawa T. Calculation of surface energy and simulation of reconstruction for Si(l 11)3x3, 5x5, and 9x9 DAS structure. // Appl. Surf. Sci. 1999. - V. 151. - P. 299-301.

69. Himpsel F.J., Eastman D.E. Photoemission studies of intrinsic surface states on Si(100). // J. Vac. Sci. Technol. 1979. - V. 16, N. 5. - P. 1297-1299.

70. Chadi D.J. Atomic and electronic structures of reconstructed Si(100) surfaces. // Phys. Rev. Lett. 1979. - V. 43, N. 1. - P. 43-47.

71. Yin M.T., Cohen M.L. Theoretical determination of surface atomic geometry: Si(001)—(2 x 1). // Phys. Rev. B. 1981. - V. 24, N. 4. - P. 2303-2306.

72. Wolkow R.A. Direct observation of an increase in buckled dimers on Si(001) at low temperature. 11 Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 68, N. 17. - P. 2636-2639.

73. Tochihara H., Amakusa Т., Iwatsuki M. Low-temperature scanning-tunneling-microscopy observations of the Si(OOl) surface with low surface-defect density. 11 Phys. Rev. B. 1994. - V. 50, N. 16. - P. 12262-12265.

74. Hata K., Kimura Т., Takeuchi O., Shigekawa H. Origin, cause, and electronic structure of the symmetric dimers of Si(100) at 80 К. 11 Jpn. J. Appl. Phys. -2000. V. 39, N. 6B. - P. 3811-3814.

75. Hamers R.J., Tromp R.M., Demuth J.E. Electronic and geometric structure of Si(l 11)—(7 x 7) and Si(001) surfaces. 11 Surf. Sei. 1987. - V. 181. - P. 346-355.

76. Hamers R.J., Demuth J.E. Electronic structure of localized Si dangling-bond deiects by tunneling spectroscopy. // Phys. Rev. Lett. 1988. - V. 60, N. 24. - P. 25272530.

77. Hamers R.J., Kohler U.K. Determination of the local electronic structure of atomic-sized defects on Si(001) by tunneling spectroscopy. 11 J. Vac. Sei. Technol. A. -1989. V. 7, N. 4. - P. 2854-2859.

78. Wang J., Arias T.A., Joannopoulos J.D. Dimer vacancies and dimer-vacansy complexes on the Si(100) surface. 11 Phys. Rev. B. 1993. - V. 47, N. 16. -P. 10497-10508.

79. Binnig G., Rohrer H. Scanning tunneling microscopy. 11 Helvetica Physica Acta. 1982. - V. 55. - P. 726-735.

80. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -Москва: Мир, 1989.- 564 с.

81. Зандерны А. Методы анализа поверхностей. Москва: Мир, 1979,- 582 с.

82. Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. Москва: Мир, 1966,- 239 с.

83. Зотов А.В. СаранинА.А. Введение в сканирующую туннельную микроскопию.-Учебное пособие. Владивосток: ИАПУ, 2002,- 62 р.

84. Руска Э. Развитие электронного микроскопа и электронной микроскопии. // Успехи физических наук. 1988. - V. 154, N. 2. - Р. 243-259.

85. Bai Ch. Scanning tunneling microscopy and its applications. Shanghai: Springer, 2000.- 370 p.

86. Guntherodt H.J., Wiesendanger R. Scanning tunneling microscopy. Verlag: Springer, 1992.

87. Binnig G., Rohrer H. Scanning tunneling microscopy—from birth to adolescence. // Rev. Mod. Phys. 1987. - V. 59, N. 3. - P. 615-625.

88. Трейси Д. КБаркстренд Д. М. Успехи в исследовании, поверхности методами дифракции медленных электронов и электронной оже-спектроскопии // Новое в исследовании поверхности твердого тела. Москва: Мир, 1977.- С. 83-103.

89. Наумовец А. Г. Дифракция медленных электронов // Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. Москва: Наука, 1985,- С. 162-221.

90. Праттон М. Введение в физику поверхности. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2000.- 256 с.

91. Williams D.B. Electron diffraction 11 Encyclopedia of Advanced Materials Science. New York: Pergamon, 1994 - P. 717-722.

92. Mahan J.E., Geib KM., Robinson G.Y., Long R.G. A review of the geometrical fundaments of reflection high-energy electron diffraction with application to silicon surfaces. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. - V. 8, N. 5. - P. 3692-3700.

93. Бриггс Д., Сих М. П. Количественная оже-электронная и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия // Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Москва: Мир, 1987.- С. 203-243.

94. Davis L. Е., MacDonaldN. С., Palmberg P. W., Piach G. Е., Weber R. Е. Handbook of Auger electron spectroscopy. Eden Prairie, Minnesota: Physical Electronic Industries Inc., 1976.- 252 p.

95. Иоши А., Дэвис П., Палмберг П. Электронная оже-спектроскопия // Методы анализа поверхностей. Москва: Мир, 1979.- С. 200-275.

96. Лифшиц В. Г. Электронная спектроскопия и процессы на поверхности кремния.- Москва: Наука, 1985,- 200 с.

97. In Wiley John, Sons, editors, Practical surface analysischapter 4, . P. 85. 1990.

98. Colli A., Fasoli A., Pisana S., Fu Y., Beecher P., Milne W.I., Ferrari A.C. Nanowire Lithography on Silicon. 11 Nano Letters. 2008. - V. 8, N. 5. -P. 1358-1362.

99. Tseng A.A., Notargiacomo A., Chen T.P. Nanofabrication by scanning probe microscope lithography: A review. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2005. - V. 23, N. 3.- P. 877-894.

100. TsengA.A.j Notargiacomo A. Nanoscale fabrication by nonconventional approaches. // Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2005. - V. 5, N. 5. - P. 683-702.

101. Xu L., Vemula S.C., Jain M., Nam S.K., Donnelly V.M., Economou D.J., Ruchhoeft P. Nanopantography: A New Method for Massively Parallel Nanopatterning over Large Areas. 11 Nano Letters. 2005. - V. 5, N. 12. - P. 2563-2568.

102. Nogami J., Liu B.Z., Katkov M.V., Ohbuchi C., Birge N.O. Self-assembled rare-earth silicide nanowires on Si(001). // Phys. Rev. B. 2001. - V. 63, N. 23. -P. 233305-4.

103. Chen Y., Ohlberg D.A.A., Williams R.S. Nanowires of four epitaxial hexagonal silicides grown on Si(001). // J. Appl. Phys. 2002. - V. 91, N. 5. - P. 3213-3218.

104. Liu B.Z., Nogami J. Growth of parallel rare-earth silicide nanowire arrays on vicinal Si(001). // Nanotechnology. 2003. - V. 14. - P. 873-877.

105. Zhou W., Zhu Y., Ji T., Hou X., Cai Q. Formation and evolution of erbium silicide nanowires on vicinal and flat Si(00l). // Nanotechnology. 2006. - V. 17. -P. 852-858.

106. Okino H., Matsuda I., Hobara R., Hosomura Y., Hasegawa S., Bennet P.A. In situ resistance measurements of epitaxial cobalt silicide nanowires on Si(110). // Appl. Phys. Lett. 2005. - V. 86, N. 23. - P. 233108-3.

107. Kim JAnderson W.A. Direct electrical measurement of the self-assembled nickel silicide nanowire. // Nano Lett. 2006. - V. 6, N. 7. - P. 1356-1359.

108. Hsu H.-C., Wu W.-W., Hsu H.-F., Chen L.-J. Growth of high-density titanium silicide nanowires in a single direction on a silicon surface. // Nano Lett. 2007. -V. 7, N. 4. - P. 885-889.

109. Lin J.-F., Bird J.P., He Z., Bennet P.A., Smith D.J. Signatures of quantum transport in self-assembled epitaxial nickel silicide nanowires. // Appl. Phys. Lett. 2004. -V. 85, N. 2. - P. 281-283.

110. Li Z., Long S., Wang C., Liu M., Wu W., Hao Y, Zhao X. Resistivity measurements of self-assembled epitaxially grown erbium silicide nanowires. // J.Phys.D:Appl.Phys. 2006. - V. 39, N. 13. - P. 2839-2842.

111. Kubo O., Shingaya Y., Nakaya M., Aono M., Nakayama T. Epitaxially grown WOx nanorod probes for sub-100 nm multiple-scanning-probe measurement. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V. 88, N. 25. - P. 254101-3.

112. Tosch St., Neddermeyer H. Nucleation of Cu on Si(l 11)7 x 7 and atomic structure of the Cu/Si(l 11) interface. // Surf. Sci. 1989. - V. 211/212. - P. 133-142.

113. Yasue T., Koshikawa T., Tanaka H., Sumita I. Initial stage of Cu growth on Si(lll)7 x 7 surface studied by scanning tunneling microscopy. 11 Surf. Sci. -1993. V. 287/288, N. 1/3. - P. 1025-1029.

114. Zhang Y.P., Yang L., Lai Y.H., Xu G.Q., Wang X.S. Formation of ordered two-dimensional nanostructures of Cu on the Si(l 1 l)-(7x7) surface. // Surf. Sci. -2003. V. 531, N. 3. - P. L378-L382.

115. Walker F.J., Specht E.D., McKee R.A. Film/substrate registry as measured by anomalous X-ray scattering at a reacted, epitaxial Cu/Si(l 11) interface. 11 Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 67, N. 20. - P. 2818-2821.

116. Bootsma T.I.M., Hibma T. The epitaxial growth of Cu on Si(l 11)7x7: a RHEED study. // Surf. Sci. 1995. - V. 331/333, N. 1. - P. 636-640.

117. Tomimatsu S., Hasegawa T., Kohno M., Hosoki S. Cu film growth on a Si(lll) surface studied by scanning tunneling microscopy. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. -V. 35, N. 6B. - P. 3730-3733.

118. Zhang Z.H., Hasegawa S., Ino S. Epitaxial growth of Cu onto Si(lll) surfaces at low temperature. // Surf. Sci. 1998. - V. 415, N. 3. - P. 363-375.

119. Zegenhagen J., Fontes E., Grey F., Patel J.R. Microscopic structure, discommensurations, and tiling of Si(l 1 l)/Cu-"5x5". 11 Phys. Rev. B. 1992. - V. 46, N. 3. - P. 1860-1863.

120. Ringeisen F., Derrien J., Daugy E., Layet J.M., Mathiez P., Salvan F. Formation and properties of the copper silicon (111) interface. // J. Vac. Sci. Technol. B. -1983. V. 1, N. 3. - P. 546-552.

121. Wilson R.J., Chiang S., Salvan F. Examination of the Cu/Si(l 11)5 x 5 structure by scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. 1988. - V. 38, N. 17. -P. 12696-12699.

122. Mortensen K. Frustration in the Si(lll) "Pseudo 5x5"Cu structure directly observed by scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 66, N. 4. - P. 461-464.

123. Chambers S.A., Anderson S.B., Weaver J.H. Atomic structure of the Cu-Si(lll) interface by high-energy core-level Auger electron diffraction. // Phys. Rev. B. -1985. V. 32, N. 2. - P. 581-587.

124. Demuth J.E., Koehler U.K., Hamers R.J., Kaplan P. Phase separation on an atomic scale: the formation of a novel quasiperiodic 2D structure. 11 Phys. Rev. Lett. -1989. V. 62, N. 6. - P. 641-644.

125. Kawasaki T., An T., Ito H., Ichinokawa T. Atomic structure and growth of the Cu/Si(l 1 l)-"5x5" phase. // Surf. Sci. 2001. - V. 487, N. 1/3. - P.39-48.

126. Chambliss D.D., Rhodin T.N. Electronic and atomic structure of the Cu/Si(l 1 l)quasi- 5x5 overlayer. // Phys. Rev. B. 1990. - V. 42, N. 3. -P. 1674-1683.

127. Zhang Y.P., Yong K.S., Chan H.S.O., Xu G.Q., Chen S., Wang X.S., Wee A.T.S. Quantitative analysis of Si mass transport during formation of Cu/Si(l 1 l)-(5x5) from scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. 2007. - V. 75, N. 7. -P. 073407-4.

128. Daugy E., Mathiez P., Salvan F., Layet J.M. 7x7 Si(l 11)-Cu interfaces: combined LEED, AES and ELS measurements. 11 Surf. Sci. 1985. - V. 154. - P. 267-283.

129. Kemmann H., Muller F., Neddermeyer H. AES, LEED and TDS studies of Cu on Si(111)7 x 7 and Si(100)2 x 1. // Surf. Sci. 1987. - V. 192, N. 1. - P. 11-26.

130. Nakatani S., Kuwahara Y., Kuramochi H., Takahashi T., Aono M. Study of thei(l 11)"5x5"-Cu surface structure by x-ray diffraction and scanning tunneling microscopy. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. - V. 40, N. 7A. - P. L695-L697.

131. De Santis M., Muntwiler M., Osterwalder J., Rossi G., Sirotti F., Stuck A., Schlapbach L. Electronic and atomic structure of the Cu/Si(l 1 l)'quasi-5x5' overlayer. // Surf. Sci. 2001. - V. 477, N. 2/3. - P. 179-190.

132. Neff H.-L, Matsuda I., Hengsberger M., Baumberger F., Greber T., Osterwalder J. High-resolution photoemission study of the discommensurate (5.55x5.55) Cu/Si(l 11) surface layer. 11 Phys. Rev. B. 2001. - V. 64, N. 23. - P.235415-9.

133. Schwoebel R. L. Step Motion on Crystal Surfaces. // J. Appl. Phys. 1966. - V. 37, N. 10. - P. 3682-3686.

134. Ehrlich G., Hudda F. G. Atomic View of Surface Self-Diffusion: Tungsten on Tungsten. // J. Chem. Phys. 1966. - V. 44, N. 3. - P. 1039-1049.

135. Calliari L., Marchetti F., Sancrotti M. Metastability of the Si(11 l)Cu interface. A spatially resolved Auger line shape spectroscopy investigation. // Phys. Rev. B. -1986. V. 34, N. 2. - P. 521-526.

136. Kanagawa T., Hobara R., Matsuda /., Tatiikawa T., Natori A., Hasegawa

137. Anisotropy in conductance of a quasi-one-dimensional metallic surface state measured by a square micro-four-point probe method. // Phys. Rev. Lett. 2003. - V. 91, N. 3. - P. 036805-4.

138. Morales M.E.T., Hohberger E.M., Schaeflein Ch., Blick R.H., Neumann R., Trautmann C. Electrical characterization of electrochemically grown single copper nanowires. // Appl. Phys. Lett. 2003. - V. 82, N. 13. - P. 2139.

139. Tsukanov D.A., Ryzhkova M.V., Gruznev D.V., Utas O.A., Kotlyar V.G., Zotov A.V.j Saranin A.A. Self-assembly of conductive Cu nanowires on Si(l 11)'5x5'-Cu surface. // Nanotechnology. 2008. - V. 19, N. 24. - P. 245608-5.

140. Narusawa T., Komiya S., HirakiA. Diffuse interface in Si(substrate)-Au(evaporated film) system. // Appl. Phys. Lett. 1973. - V. 22, N. 8. - P. 389-399.

141. Le Lay G., Faurie J.P. AES study of the very first stages of condensation of gold films on silicon (111) surfaces. // Surf. Sci. 1977. - V. 69, N. 1. - P.295-300.

142. Chizhov I., Lee G., Willis R.F. Initial stages of Au adsorption on the Si(l 1 l)-(7x7) surface studied by scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. 1997. - V. 56, N. 19. - P. 12316-12320.

143. Yeh J.-J., Hwang J., Bertness K., Friedman D.J., Cao R., Lindau I. Growth of the room temperature Au/Si(l 11)-(7 x 7) interface. // Phys. Rev. Lett. 1993. - V. 70, N. 24. - P. 3768-3771.

144. Okuno K., Ito T., Iwami M., Hiraki A. Presence of critical Au-film thickness for room temperature interfacial reaction between Au(film) and Si(crystal substrate). // Sol. State Commun. 1980. - V. 34. - P. 493-497.

145. Iwami M., Terada T., Tochihara H., Kubota M., Murata Y Alloyed interface formation in the Au-Si(l 11)2 x 1 system studied by photoemission spectroscopy. // Surf. Sci. 1988. - V. 194, N. 1/2. - P. 115-126.

146. Guo Y., Zhang Y.-F., Bao X.-Y., Han T.-Z., Tang Z., Zhang L.-X., Zhu W.-G., Wang E.G., Niu Q., Qiu Z.Q., Jia J.-F., Zhao Z.-X., Xue Q.-K. Superconductivity modulateded by quantum size effects. // Science. 2004. - V. 306. - P. 1915-1917.

147. Wang L.L., Ma X.C., Jiang P., Fu Y.S., Ji S.H., Jia J.F., Xue Q.K. Surface morphologies of Pb thin films on Si(lll). // J.Phys.-.Cond.Matt. 2007. - V. 19, N. 30. - P. 306002-9.

148. Su W.B., Chang S.H., Jian W.B., Chang C.S., Chen L.J., Tsong T.T. Correlation between quantized electronic states and oscillatory thickness relaxations of 2D Pb islands on Si(l 1 l)-(7x7). // Phys. Rev. Lett. 2001. - V. 86, N. 22. - P. 51165119.

149. Chang S.H., Su W.B., Jian W.B., Chang C.S., Chen L.J., Tsong T.T. Electronic growth of Pb islands on Si(lll) at low temperature. // Phys. Rev. B. 2002. - V. 65, N. 24. - P. 245401-6.

150. Korczak Z., Kwapiriski T. Electrical conductance at initial stage in epitaxial growth of Pb, Ag, Au and In on modified Si(lll) surface. // Surf. Sci. 2007. - V. 601, N. 16. - P. 3324-3334.

151. Korczak Z., Kwapiriski T. Electrical conductance at initial stage in epitaxial growth of Pb on modified Si(lll) surface. // Surf. Sci. 2006. - V. 600, N. 8. - P. 16501653.

152. Hasegawa S.t Ino S. Surface structures and conductance at initial stages in epitaxy of metals on a Si(lll) surface. // Surf. Sci. 1993. - V. 283, N. 1/3. - P. 438-446.

153. Hasegawa S., Ino S. Surface structures and conductance at epitaxial growth of Ag and Au on the Si(lll) surface. 11 Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 68, N. 8. -P. 1192-1195.

154. Luo E.Z., Heun S., Kennedy M., Wollschlager J., Henzler M. Surface roughness and conductivity of thin Ag films. // Phys. Rev. B. 1994. - V. 49, N. 7. -P. 4858-4865.

155. Schad R., Heun S., Heidenblut T., Henzler M. Metallic and nonmetallic conductivity of thin epitaxial siver films. // Phys. Rev. B. 1992. - V. 45, N. 19. - P. 11430-11432.

156. In King D. A., Woodruff D. P., editors, Growth, and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers, volume 8 of The Chemical Physics of Solid Surfaces. P. 66-101. Elsevier, Amsterdam, 1997.

157. Li A., Liu F., Petrovykh D.Y., Lin J.-L., Viernow J., Himpsel F.J., Lagally M.G. Creation of "Quantum Platelets" via Strain-Controlled Self-Organization at Steps. // prl. 2000. - V. 85, N. 25. - P. 5380-5383.

158. Sasaki M., Yuhara J., Inoue M., Morita K. Studies on 2D Au-Cu binary adsorbates on Si(lll) surfaces by means of combined LEED/AES/RBS techniques. // Surf. Sci. 1993. - V. 283, N. 1/3. - P. 327-332.

159. Gruznev D.V., Olyanich D.A., Chubenko D.N., Tsukanov D.A., Borisenko E.A., Bondarenko L. V., Ivanchenko M. V., Zotov A. V., Saranin A.A. Growth of Au thin film on Cu-modified Si(lll) surface. // Surf. Sci. 2009. - V. 603, N. 24. -P. 3400-3403.

160. Eberhardt W. Clusters as new materials. // Surf. Sci. 2002. - V. 500. -P. 242-270.

161. Stangl J., Holy V., Bauer G. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures. // Rev. Mod. Phys. 2004. - V. 76. - P. 725-783.

162. Shchukin V.A., Bimberg D. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces. 11 Rev. Mod. Phys. 1999. - V. 71, N. 4. - P. 1125-1171.

163. Chado 1., Padovani SScheurer F., Bucher J.P. Controlled nucleation of Co clusters on Au(lll): towards spin engineering. // Appl. Surf. Sci. 2000. - V. 164. - P. 42-47.

164. Palmino F., Ehret E., Mansour L., Duverger E., Labrune J.-C. Self-assembled lead atomic nanowires on pre-structured Sm/Si(lll) interfaces. // Surf. Sci. 2005. -V. 586, N. 1/3. - P. 56-64.

165. Hupalo M., Tringides M.C. Self-organization and geometry control of Pb islands grown on anizotropic substrates. // Phys. Rev. B. 2006. - V. 73, N. 4. -P. 041405-4.

166. Vasco E. Metal-cluster nanoarrays on Si(l 11)7x7: Rate equations and kinetic Monte Carlo simulations. // Phys. Rev. B. 2004. - V. 69, N. 7. - P. 075412-5.

167. Vasco E. Mechanisms of preferential adsorption on the Si ( 111)7x7 surface. //Surf. Sci. 2005. - V. 575, N. 3. - P. 247-259.

168. Lai M.Y., Wang Y.L. Self-organized two-dimensional lattice of magic clusters. 11 Phys. Rev. B. 2001. - V. 64, N. 24. - P. 241404-4.

169. Shimizu N., Kitada H., Veda O. Cluster-ordered array on the Si(100) surface formed by A1 deposition. // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51, N. 8. - P. 5550-5553.

170. Shimizu N., Kitada N., Veda O. AI growth on Si(001) observed by scanning tunneling microscopy. // J. Cryst. Growth. 1995. - V. 150. - P. 1159-1163.

171. Ide T., Nishimori T., Ichinokawa T. Surface structures of Si(100)-Al phases. // Surf. Sci. 1989. - V. 209, N. 3. - P. 335-344.

172. Kubo O., Ryu J. T., Tani H., Harada T., Katayama M., Oura K. Direct observation of strained layer formation at the initial stage of In thin film growth on Si(100). // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. - V. 38, N. 6B. - P. 3849-3852.

173. Evans M.M.R., Glueckstein J.С., Nogami J. Indium on Si(OOl): Growth beyond the first atomic layer. // Surf. Sci. 1998. - V. 406, N. 1/3. - P. 246-253.

174. Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Okado H., Katayama M., Oura K. Modified Si(100)4x3-In nanocluster arrays. // Surf. Sci. 2005. - V. 598, N. 1/3.- P. 136-143.

175. Oshima Y., Hirata Т., Yokoyama Т., Hirayama H., Takayanagi K. Atomic structure of cluster-ordered array on the Si(001) surface induced by aluminum. // Surf. Sci.- 2000. V. 465, N. 1/2. - P. 81-89.

176. Venables JA., Spiller G.D.T., Hanbttcken M. Nucleation and growth of thin films. // Rep.Prog.Phys. 1984. - V. 47. - P. 399-459.

177. In Bonzel H. P., editor, Physics of Covered Solid Surfaces, volume III/42 of Landolt-Bornstein (New Series). P. 455-530. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 2001.

178. Минералогическая база данных (сайт) : URL: http://www.webmineral.com/data/Indium.shtml.

179. Ryu J.-Т., Kui К., Noda К., Katayama M., Oura K. The effect of hydrogen termination on In growth on Si(100) surface. 11 Surf. Sci. 1998. - V. 401, N. 2.- P. L425-L431.

180. Gruznev D.V., Olyanich D.A., Avilov V.A., Saranin A.A., Zotov A.V. Growth of In nanoclystallite arrays on the Si(100)-c(4x 12)-A1 surface. 11 Surf. Sci. 2006. -V. 600, N. 22. - P. 4986-4991.

181. Rashkeev S.N., Lupini A.R., Overbury S.H., Pennycook S.J., Pantelides S.T. Role of the nanoscale in catalytic CO oxidation by supported Au and Pt nanostructures. // Phys. Rev. B. 2007. - V. 76. - P. 035438.

182. Гиваргизов Е.И. Кристаллические вискеры и наноострия. // Природа. 2003, N. 11. - Р. 20.

183. Ikeda Т., Kawashima Y., Itoh H., Ichinokawa T. Surface structures and growth mode of the Cu/Si(100)2x 1 surface depending on heat treatment. // Surf. Sci. -1995. V. 336, N. 1/2. - P. 76-84.

184. Ichinokawa Т., Inoue Т., Izumi H., Sakai Y. Epitaxial growth in Cu/Si(001)2 x 1 at high temperatures. 11 Surf. Sci. 1991. - V. 241, N. 3. - P. 416-424.

185. Oura K, Hanawa T. LEED-AES study of the Au-Si(lOO) system. // Surf. Sci. -1979. V. 82, N. 1. - P. 202-214.

186. Miiller В., Nedelmann L., Fischer В., Brune H., Kern K. Initial Stages of Cu Epitaxy on Ni(100): Postnucleation and a Well-Defined Transition in Critical Island Size. // Phys. Rev. B. 1996. - V. 54, N. 24. - P. 17858-17865.

187. Ermakov K.S., Ivanov Yu.P., Chebotkevich L.A. Influence of the surface morphology of single-crystal Si(lll) substrates on the magnetic properties of epitaxial cobalt films. // Physics of the solid state. 2010. - V. 52, N. 12. -P. 2555-2560.

188. Yakovlev N.L., Chen H., Zhang K. Two-Axis Magnetisation Analysis of Epitaxial Cobalt Films. 11 Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2011. - V. 11, N. 3. - P. 2575-2578.

189. Ohbuchi С., Nogami J. Homium growth on Si(001): Surface reconstruction and nanowire formation. // Phys. Rev. B. 2002. - V. 66, N. 16. - P. 165323-6.

190. Sumitomo К., Kobayashi Т., Shoji F., Oura К., Katayama I. Hydrogen-mediated epitaxy of Ag on Si(lll) as studied by low-energy ion scattering. // Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 66, N. 9. - P. 1193-1196.

191. Han J.-H., Hwang H.-N., Jee H.-G., Kim В., Chung S., Kim Y.D., Hwang C.-C. Interaction of Ag with the Si(lll)lxl-H surface. 11 Surf. Sci. 2010. - V. 604, N. 9/10. - P. 853-856.

192. Aoki Y., Shi L., Sugimoto THirayama H. H adsorption at Ag/Si interfaces in epitaxially grown Ag(lll) films on Si(l 11)7x7 substrates. // Surf. Sci. 2010. -V. 604, N. 3/4. - P. 420-423.

193. Jeong H., Jeong S. Segregation of H as a surfactant during the formation of an Ag cluster on H-terminated Si(lll): First-principles total-energy calculations. // Phys. Rev. B. 2006. - V. 73, N. 12. - P. 125343-5.

194. Zahl P., Kury P., von Hoegen M. Horn. Interplay of surface morphology, strain relief, and surface stress during surfactant mediated epitaxy of Ge on Si. // Appl.Phys.A. 1999. - V. 69, N. 5. - P. 481-488.

195. Schmidt Th., Kröger R., Falta J., Janzen A., Kammler M., Kury P., Zahl P., Horn-von Hoegen M. Surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si(111): Beyond the surface. // Appl. Phys. Lett. 2005. - V. 86, N. 11. - P. 111910-3.

196. Wietier T.F., Bugiel E., Hof mann K.R. Surfactant-mediated epitaxy of relaxed low-doped Ge films on Si(001) with low defect densities. // Appl. Phys. Lett. -2005. V. 87, N. 18. - P. 182102-3.

197. Portavoce A., Ronda A., Berbezier I. Sb-surfactant mediated growth of Ge nanostructures. // Mat.Sci.Eng.B. 2002. - V. 89. - P. 205-210.

198. Meyer G., Voigtlander B., Amer N.M. Scanning tunneling microscopy of surfactant-mediated epitaxy of Ge on Si(111): strain relief mechanisms and growth kinetics. // Surf. Sei. 1992. - V. 274, N. 2. - P.L541-L545.

199. Berbezier I., Ronda A., Portavoce A., Motta N. Ge dots self-assembling: Surfactant mediated growth of Ge on SiGe(118) stress-induced kinetic instabilities. // Appl. Phys. Lett. 2003. - V. 83, N. 23. - P. 4833-4835.

200. Eaglesham D.J., Unterwald F.C., Jacobson D.C. Growth morphology and the equilibrium shape: The role of "surfactants" in Ge/Si island formation. // Phys. Rev. Lett. 1993. - V. 70, N. 7. - P. 966-969.

201. Hirayama H., Baba S., Kinbara A. Electron energy loss measurements of In/Si( 111) superstructures: Correlation of the spectra with surface superstructures. // Appl. Surf. Sei. 1988. - V. 33/34. - P. 193-198.

202. Hirayama H., Baba S., Kinbara A. Electron energy loss spectra of In/Si( 111) superstructures. 11 Jpn. J. Appl. Phys. 1986. - V. 25, N. 6. - P.L452-L454.

203. Nicholls J.M., Martensson P., Hansson G.V., Northrup J.E. Surface states on Si(lll)\/3 x v/3-In: Experiment and theory. // Phys. Rev. B. 1985. - V. 32, N. 2. - P. 1333-1335.

204. Hansson G.V., Nicholls J.M., Martensson P., Uhrberg R.I.G. Electronic structure of Si(lll) surfaces with group III adatoms. 11 Surf. Sci. 1986. - V. 168, N. 1/3. - P. 105-113.

205. Nicholls J.M., Reihl B. Adatom electronic structure of the Si(lll)7 x 7 surface. // Phys. Rev. B. 1987. - V. 36, N. 15. - P. 8071-8074.

206. Kinoshita T., Ohta H., Enta Y., Yaegashi Y., Suzuki S., Kono S. Empty- and filled-electronic states of the Si(l 1 l)sqrt3 x \/3-Sn, y/3 x >/3-In and 2y/3 x 2y/3-Sn surfaces. // J.Phys.Soc.Jap. 1987. - V. 56, N. 11. - P. 4015-4021.

207. Izumi K., Takahashi T., Kikuta S. Structural investigation of Si(lll) \/3x \/3—In by low-energy ion-scattering spectroscopy. // Jpn. J. Appl. Phys. 1989. - V. 28, N. 10. - P. 1742-1745.

208. Cornelison DM., Chang C.S., Tsong I.S.T. Surface reconstructions induced by thin overlayers of indium on Si(lll). // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. - V. 8, N. 4. -P. 3443-3448.

209. Nogami J., Park S., Quale C.F. Indium-induced reconstructions of the Si(lll) surface studed by scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. 1987. - V. 36, N. 11. - P. 6221-6224.

210. Mizuno S., Mizuno Y.O., Tochihara H. Structural determination of indium-induced Si(lll) reconstructed surfaces by LEED analysis: (\/3x\/3)R30o and (4x1). // Phys. Rev. B. 2003. - V. 67, N. 19. - P. 195410-8.

211. Lifshits V. G., Saranin A. A., Zotov A. V. Surface Phases on Silicon. Chichester: Wiley, 1994.- 450 p.

212. Paliwal V.K., Vedeshwar A.G., Shivaprasad S.M. Residual thermal desorption study of the room-temperature-formed Sb/Si(l 11) interface. // Phys. Rev. B. -2002. V. 66, N. 24. - P. 245404-5.

213. Cuberes M.T., Ascolani H., Moreno M., Sacedon J.L. Morphology of thin Sb layers grown on Si(l 11)7x7 at room temperature. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. -V. 14, N. 3. - P. 1655-1659.

214. Hunger R., Blick N., Esser N., Arens M., Richter W., Wagner V., Geurts J. Growth of Sb on Si(lll) studied by Raman scattering. // Surf. Sci. 1994. - V. 307/309, N. 1. - P. 1061-1065.

215. Russow U., Frotscher U., Esser N. Resh U., Muller Th., Richter W., Woolf D.A., Williams R.H. Growth mode of ultrathin Sb layers on Si studied by spectroscopic ellipsometry and Raman scattering. 11 Appl. Surf. Sci. 1993. - V. 63, N. 1-4. -P. 35.

216. Winter M. WebElements. : URL: http://www.webelements.com.

217. Schiferl D. 50-kilobar gasketed diamond anvil cell for single-crystal x-ray diffractometer use with the crystal structure of Sb up to 26 kilobars as a test problem. // Rev. Sci. Instrum. 1977. - V. 48. - P. 24-30.

218. Шаскольская М.П. Кристаллография. Москва: Высшая школа, 1976,- 390 с.

219. Rao В. V., Gruznev D.V., Tanbo Т., Tatsuyama С. Structural transformations during Sb adsorption on Si(111)-In(4x 1) reconstruction. // Jpn. J. Appl. Phys. -2001. V. 40, N. 6B. - P. 4304-4308.

220. Gruznev D.V., Rao B.V., Tambo Т., Tatsuyama C. Surface structure evolution during Sb adsorption on Si(l 11)-In(4x 1) reconstruction. 11 Appl. Surf. Sci. 2002. - V. 190, N. 1/4. - P. 134-138.

221. Baba S., Zhou Jun Ming, Kinbara A. Superstructures and growth properties of indium deposits on silicon (111) surfaces with its influence on surface electrical conduction. // Jpn. J. Appl. Phys. 1980. - V. 19, N. 10. - P.L571-L573.

222. Bolmont D., Chen P., Sebenne C.A., Proix F. Room temperature adsorption and growth of Ga and In on cleaved Si(lll). // Surf. Sci. 1984. - V. 137, N. 1. -P. 280-292.

223. Lander J.J., Morrison J. Surface reactions of silicon with aluminium and with indium. // Surf. Sci. 1964. - V. 2. - P. 553-565.

224. Hasegawa S., Ino S. Correlation between atomic-scale structures and macroscopic electrical properties of metal-covered Si(lll) surfaces. // Int.Journal of Modern Physics. 1993. - V. B7, N. 22. - P. 3817-3876.

225. Saranin A.A., Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K. Si(l 11)2x2-In Si(l 1 l)\/3x\/3-In scanning tunneling microscope tip-induced structural transformation. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. - V. 36, N. 6B. - P. 3814-3817.

226. Gruznev D.V., Ohmura K., Saitoh M., Tsukabayashi S., Tambo T., Lifshits V.G., Tatsuyama C. Surfactant mediated growth of Sb clusters on Si(lll) surface. // J. Cryst. Growth. 2004. - V. 269, N. 2/4. - P. 235-241.

227. Jagannadham K., Howe J., Allard L.F. Laser physical vapor deposition of nanocrystalline dots using nanopore filters. // Appl. Phys. A. 2010. - V. 98.- P. 285.

228. Ying J.Y., Mehnert С.P., Wong M.S. Synthesis and Applications of Supramolecular-Templated Mesoporous Materials. // Angew. Chem. Int. Ed. 1999. - V. 38. -P. 56.

229. Zhu R., Zhang H., Chen Z., Kryukov S., DeLong L. Horizontally Aligned Single Array of Co Nanowires Fabricated in One-Dimensional Nanopore Array Template. // Electrochem. Solid-State Lett. 2008. - V. 11. - P. K57.

230. Rani V. Sudha, Caltun O. F., Yoon S. S., Rao B. Parvaiheeswara, Kima Cheolgi. Ultra high density nanopore arrays using self assembled diblock copolymer. 11 Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials. 2008. - V. 10. - P. 1877.

231. Зотов А.В., Саранин А.А. Магические кластеры и другие атомные конструкции. // Природа. 2006. - V. 4. - Р. 11.

232. Lo R.-L., Но M.-S., Hwang I.-S., Tsong Т.Т. Diffusion by bond hopping of hydrogen atoms on the Si(lll)-7x7 surface. 11 Phys. Rev. B. 1998. - V. 58, N. 15. -P. 9867-9875.

233. Sato Т., Kitamura S., Iwatsuki M. Surface diffusion of adsorbed Si atoms on the Si(l 11)7x7 surface studied by atom-tracking scanning tunneling microscopy. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2000. - V. 18, N. 3. - P. 960-964.

234. Jelinek P., Ondrejcek M., Slezdk J., Chdb V. Experimental and theoretical studies of single Pb atom dynamics in one Si(l 1 l)-(7x7) unit cell. // Surf. Sci. 2003. -V. 544. - P. 339-347.

235. Kuntová Z., Jelinek P., Chdb V., Chvoj Z. Single atom diffusion of Pb on a Si(l 1 l)-7x7 surface. // Surf. Sci. 2004. - V. 566/568. - P. 130-136.

236. Ho M.-S., Wang I.-W., Su C.-C. Dynamics of copper atoms on Si(lll)-7x7 surfaces. // Surf. Sci. 2007. - V. 601, N. 18. - P. 3974-3978.

237. Osiecki J., Kato H., Kasuya A., Suto S. Diffusion and clustering of Ag atoms on Si(l 11)7x7 surface. // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. - V. 45, N. 3B. - P. 2056-2058.

238. Osíddal I., Kocdn P., Sobotík P., Pudl J. Early stages of submonolayer growth of Ag on Si(l 11)7x7 observed by scanning tunneling microscopy in vivo. // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. - V. 45, N. 3B. - P. 2170-2174.

239. Ho M.-S., Su C.-C., Tsong T.-T. Dynamical study of single silver atoms on Si(l 11)-7x7 surfaces. // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. - V. 45, N. 3B. - P.2382-2385.

240. Wang K., Chen G., Zhang C., Loy M.M.T., Xiao X. Intermixing of intrabasin and interbasin diffusion of a single Ag atom on Si(11 l)-(7x7). // Phys. Rev. Lett. -2008. V. 101, N. 26. - P. 266107-4.

241. Cho K., Kaxiras E. Diffusion of adsórbate atoms on the reconstructed Si(111) surface. // Surf. Sci. 1998. - V. 396, N. 1/3. - P.L261-L266.

242. Chang C.M., Wei C.M. Diffusion of an adsorbed Si atom on the Si(l 1 l)-(7x7) surface. // Phys. Rev. B. 2003. - V. 67, N. 3. - P. 033309-4.

243. Агринская Н.В. Молекулярная электроника. СПб: Изд-во СПбГПУ, 2004.110 с.

244. Brufani M., Fedeli W., Mazza F., Gerhard A., Keller-Schierlein W. The structure of tryptanthrin. 11 Cellular and Molecular Life Sciences. 1971. - V. 27. - P. 1249.

245. Katayama M., Williams R.S., Kato M., Nomura E., Aono M. Structure analysis of the Si(lll)V3x л/ЗДЗО-Ag surface. 11 Phys. Rev. Lett. 1991. - V. 66, N. 21. - P. 2762-2765.

246. Gruznev D. V., Chubenko D.N., Zotov A. V., Saranin A.A. Effect of surface relief on forming molecular arrays: Tryptanthrin adsorbed on various Si(lll) reconstructions. // J.Phys.Chem.C. 2010. - V. 114, N. 34. - P. 14489-14495.

247. В.Г. Лифшиц C.M. Репинский. Процессы на поверхности твердых тел. Владивосток: Дальнаука, 2003,- 723 р.

248. Бехтерева О.В., Лифшиц В.Г., Чурусов Б.К. Поверхностные фазы в системе Si-Au-In. // Поверхность. 1990, № 10. - С. 32-35.

249. Kaburagi М., Tonegawa Т., ЕЫпа К. Phase diagram of coadsorbate systems on the square lattice net. 11 Surf. Sci. 1991. - V. 242. - P. 107-112.

250. Gavriljuk Y.L., Khramtsova E.A., Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Coadsorption and three-component surface phases formation on silicon surface. // Phys.Low-Dim.Struct. 1995. - V. 10/11. - P. 303-316.

251. Ichimiya A., Nomura H., Horio Y., Sato Т., Sueyoshi Т., Iwatsuki M. Formation of \/2T x v^l structure by cold deposition on Si(l 11)л/3 x y^-Ag surface and the wavering behavior. // Surf.Rev.Lett. 1994. - V. 1, N. 1. - P. 1-7.

252. Адамчук В.К. Особенности взаимодействия кремния с благородными металлами. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 12, № 17. - С. 1056-1060.

253. Craiti J.N., Altmann K.N., Bromberger С., Himpsel F.J. Fermi surfaces of surface states on Si(l 1 l)-Ag,Au. 11 Phys. Rev. B. 2002. - V. 66, N. 20. - P. 205302-8.

254. Liu C., Matsuda I., Hobara R., Hasegawa S. Interaction between adatom-induced localized states and quasi-two-dimensional electron gas. // Phys. Rev. Lett. 2006. - V. 96, N. 3. - P. 036803-4.

255. Morikawa H., Hwang C.C., Yeom H.W. Controlled electron doping into metallic atomic wires: Si(l 1 l)4x 1-In. //Phys. Rev. B. 2010. - V. 81, N. 7. - P. 075401-5.

256. Nogami J., Baski A.A., Quate C.F. y/3 x \/3 —> 6x6 phase transition on the Au/Si(l 11) surface. // Phys. Rev. Lett. 1990. - V. 65, N. 13. - P. 1611-1614.

257. Falta J., Hille A., Novikov D., Materlik G., Seehofer L., Falkenberg G., Johnson R.L. Domain wall structure of Si(l 11)(л/3 x V3)R30°-Au. 11 Surf. Sci. 1995. -V. 330, N. 2. - P. L673-L677.

258. Le Lay G. Physics and electronics of the noble-metal/elemental- semiconductor interface formation: a status report. 11 Surf. Sci. 1983. - V. 132, N. 1/3. -P. 169-204.

259. Ding Y.G., Chan C.T., Ho KM. Theoretical investigation of the structure of the (ч/Зх V3)/?30-Au/Si(l 11) surface. 11 Surf. Sci. 1992. - V. 275, N. 3. - P.L691-L696.

260. Oura K., Katayama M., Shoji F., Hanawa T. Real-space determination of atomic structure of the Si(lll)- \/3 x \/ЗДЗО—Au surface by low-energy alkaliion scattering. // Phys. Rev. Lett. 1985. - V. 55, N. 14. - P. 1486-1489.

261. Chester M., Gustafsson T. Geometric structure of the Si(l 11)-(\/3 x \/3)i?30-Au surface. // Surf. Sci. 1991. - V. 256, N. 1/2. - P. 135-146.

262. Quinn J., Jona F., Marcus P.M. Atomic structure of Si(lll)(\/3 x V3)i230-Au. // Phys. Rev. B. 1992. - V. 46, N. 11. - P. 7288-7291.

263. Saito A., Izumi K., Takahashi T., Kikuta S. Normal-incidence x-ray standing-wave analysis of Si(lll)\/3 x \/3-Au structure. // Phys. Rev. B. 1998. - V. 58, N. 7.- P. 3541-3544.

264. Hong I.H., Liao D.K., Chou Y.C., Wei C.M., Tong S.Y. Direct observation of ordered trimers on Si(lll)\/3x V^R30°-Au by scanned-energy glancing-angle Kikuchi electron wave-front reconstruction. // Phys. Rev. B. 1996. - V. 54, N. 7.- P. 4762-4765.

265. Murayama M., Nakayama T., Natori A. Au-Si bonding on Si(l 11) surfaces. // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. - V. 40, N. 12. - P. 6976-6979.

266. Huang J.H., Williams R.S. Surface-structure analysis of Au overlayers on Si by impact-collision ion-scattering spectroscopy: \/3x V3 and 6 x 6 Si(l 11)/Au. // Phys. Rev. B. 1988. - V. 38, N. 6. - P. 4022-4032.

267. Takami T., Fukushi D., Nakayama T., Uda M., Aono M. Structural correlation among different phases in the initial stage of epitaxial growth of Au on Si(lll). // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. - V. 33, N. 6B. - P. 3688-3695.

268. Kadohira T., Nakamura J., Watanabe S. First-principles study on the atomic and electronic structure of the Au/Si(l 1 l)-a(\/3x\/3)R30o surface. // e-J.Surf.Sci.Nanotech. 2004. - V. 2. - P. 146-150.

269. Khramtsova E.A., Ichimiya A. Comparative study of room- and high-temperature Si(l 11)-(\/3 x \/3)i?30o-Au structures using one-beam RHEED intensity rocking-curve analysis. // Phys. Rev. B. 1998. - V. 57, N. 16. - P. 10049-10053.

270. Marks L.D., Grozea D., Feidenhans'l R., Nielsen M., Johnson R.L. Au 6x6 on Si(lll): Evidence for a 2D pseudoglass. 11 Surf.Rev.Lett. 1998. - V. 5, N. 2. -P. 459-464.

271. Grozea D., Bengu E., Marks L.D. Surface phase diagrams for the Ag-Ge(lll) and Au-Si(lll) systems. 11 Surf. Sci. 2000. - V. 461, N. 1/3. - P. 23-30.

272. Baba S., Kawaji M., Kinbara A. Isothermal desorption of indium from \/зТ— In on silicon (111) surfaces. // Surf. Sci. 1979. - V. 85. - P.29-36.

273. Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov B.K., Gavriljuk Yu.L. The role of surface phases in processes on silicon surfaces. // Surf. Sci. 1989. - V. 222, N. 1. -P. 21-30.

274. Saranin A.A., Zotov A.V., Lifshits V.G., Ryu J.-Т., Kubo O., Tani H., Harada Т., Katayama M., Oura K. Ag-induced structural transformations on Si(lll): quantitative investigation of the Si mass transport. 11 Surf. Sci. 1999. - V. 429.- P. 127-132.

275. Shibata A., Kimura. Y., Takayanagi K. Si(l 11)\/3 x л/3—Au growing on a 7 x 7 surface. // Surf. Sci. 1992. - V. 273, N. 1/2. - P. L430-L434.

276. Moll N., Scheffler M., Pehlke E. Influence of surface stress on the equilibrium shape of strained quantum dots. 11 Phys. Rev. B. 1998. - V. 58, N. 8. - P. 45664571.

277. Kim J.K., Kim K.S., McChesney J.L., Rotenberg E., Hwang H.N., Hwang C.C., Yeom H.W. Two-dimensional electron gas formed on the indium-adsorbed Si(l 1 l)\/3x\/3-Au surface. 11 Phys. Rev. B. 2009. - V. 80, N. 7. - P. 075312-7.

278. JI.B. Бондаренко, Д.А. Цуканов, E.A. Борисенко, Д.В. Грузнев, А.В. Матецкий. Электрическая проводимость системы (Au,In)/Si(l 11). // Труды МФТИ. 2011.- V. 3, N. 2. Р. 3-9.

279. D.V. Gruznev, A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, E.A. Borisenko, D.A. Tsukanov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Structural transformations in (Au,In)/Si(l 11) system and their effect on surface conductivity. 11 Surface Science. 2011. - V. 605. -P. 1420-1425.

280. Hamers RJ. Effects of coverage on the geometry and electronic structure of A1 overlayers on Si(lll). // Phys. Rev. B. 1989. - V. 40, N. 3. - P. 1657-1671.

281. Yoshimura M., Takaoka K., Yao Т., Sueyoshi Т., Sato Т., Iwatsuki M. Scanning tunneling microscopy observation of Al-induced reconstructions of the Si(lll) surface: Growth dynamics. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1994. - V. 12, N. 4.- P. 2434-2436.

282. Saranin A.A., Kotlyar V.G., Zotov A.V., Kasyanova T.V., Cherevik M.A., Lifshits V.G. Structure of domain walls in Al/Si(l 11) 7-phase. 11 Surf. Sci. 2002. - V. 517, N. 1/3. - P. 151-156.

283. Seifert С., Hild R., Horn-von Hoegen M., Zhachuk R.A., Olshanetsky B.Z. Au induced reconstructions on Si(lll). // Surf. Sei. 2001. - V. 488, N. 1/2. -P. 233-238.

284. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов JI.В., Чикичев С.И. Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии — достижения и проблемы. // Физика и техника полупроводников. 2003. - V. 37. - Р. 513-538.

285. Schaffler F. High-mobility Si and Ge structures. // Semicond. Sei. Technol. -1997. V. 12. - P. 1515-1549.

286. Paul D.J. Silicon germanium heterostructures in electronics: the present and the future. // Thin Solid Films. 1998. - V. 321. - P. 172-180.

287. Fleischer K., Chandola S., Esser N., Richter W., McGilp J.F. Reflectance anisotropy spectroscopy of Si(l 1 l)-(4x 1)-In. // Phys.Status Solidi(a). 2001. - V. 188, N. 4.- P.1411-1416.

288. Ahn J.R., Byun J.H., Koh H., Rotenberg E., Kevan S.D., Yeom H.W. Mechanism of gap opening in a triple-band Peierls system: In atomic wires on Si. // Phys. Rev. Lett. 2004. - V. 93, N. 10. - P. 106401-4.

289. Cho J.-H., Lee J.-Y., Kleinman L. Electronic structure of one-dimensional indium chains on Si(lll). // Phys. Rev. B. 2005. - V. 71, N. 8. - P. 081310-4.

290. Park S.J., Yeom H.W., Ahti J.R., Lyo I.-W. Atomic-scale coexistence and fluctuation at the quasi-one-dimensional metal-insulator transition. // Phys. Rev. Lett. 2005. - V. 95, N. 12. - P. 126102-4.

291. Guo /., Lee G., Plummer E.W. Intertwinned electronic and structural phase transitions in the In/Si(l 11) interface. // Phys. Rev. Lett. 2005. - V. 95, N. 4. -P. 046102-4.

292. Lee G., Guo J., Plummer E.W. Real-space observation of nanoscale inhomogeneities and fluctuations in a phase transition of a surfacce quasi-one-dimensional system: In/Si(l 11). // Phys. Rev. Lett. 2005. - V. 95, N. 11. - P. 116103-4.

293. González C., Flores F., Ortega J. Soft phonon, dynamical fluctuations, and a reversible phase transition: Indium chains on silicon. // Phys. Rev. Lett. 2006. -V. 96, N. 13. - P. 136101-4.

294. Tromp R.M. Surface stress and interface formation. // Phys. Rev. B. 1993. - V. 47, N. 12. - P. 7125-7127.

295. Carlisle J.A., Miller T., Chiang T.-C. Ge chemisorption and alloying on the Si(l 11)-(7x7) surface. // Phys. Rev. B. 1994. - V. 49, N. 19. - P. 13600-13606.

296. Rosei F., Motta N., Sgarlata A., Capellini G., Boscherini F. Formation of the wetting layer in Ge/Si(l 11) studied by STM and XAFS. // Thin Solid Films." -2000. V. 369. - P. 29-32.

297. Kawamura M., Paul N., Cherepanou V., Voigtlander B. Nanowires and nanorings at the atomic level. ¡I Phys. Rev. Lett. 2003. - V. 91, N. 9. - P. 096102-4.

298. Voigtlander B., Kawamura M., Paul N., Cherepanov V. Fabrication of Si/Ge nanoring structures by MBE. // Thin Solid Films. 2004. - V. 464/465. - P. 185189.

299. Saranin A.A., Zotov A.V., Ignatovich K.V., Lifshits V.G., Numata T., Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K. New structural model for the Si(l 1 l)4x 1-In reconstruction. // Appl. Surf. Sci. 1998. - V. 130/132. - P. 96-100.

300. Erwin S.C. New structural model for the alkali-induced Si(lll)-(3 x 1) reconstruction from first principles. // Phys. Rev. Lett. 1995. - V. 75, N. 10. -P. 1973-1976.

301. Erwin S.C., Weitering H.H. Theory of the "Honeycomb Chain-Channel" reconstruction of Si(l 11)3x1. // Phys. Rev. Lett. 1998. - V. 81, N. 11. -P. 2296-2299.

302. Marser J.L., Chou M.Y.Jr. Energetics of the Si(lll) and Ge(lll) surfaces and the effect of strain. // Phys. Rev. B. 1993. - V. 48, N. 8. - P. 5374-5385.

303. Gruznev D.V., Olyanich D.A., Chubenko D.N., Zotov A.V., Saranin A.A. 4x1 to 7x3 transition in the In/Ge^S^-sU 11) system induced by varying the substrate lattice constant. // Phys. Rev. B. 2007. - V. 76, N. 7. - P. 073307-4.

304. Kraft J., Ramsey M.G., Netzer P.P. Surface reconstructions of In on Si(lll). // Phys. Rev. B. 1997. - V. 55, N. 8. - P. 5384-5393.

305. Ichikawa T. RHEED study of In-induced superstructures on Ge(lll) surfaces. // Surf. Sci. 1981. - V. 111. - P. 227-259.

306. Bohringer M., Zegenhagen J. Unidirectional and Isotropic Strain Relief in Striped and Hexagonal Phases of Ge(lll) In. // Surf. Sci. 1995. - V. 327, N. 3. -P. 248-260.

307. Gai Z., Zhao R.G., He Y., Ji H., Hu C., Yang W.S. Chemisorption of group-Ill metals on the (111) surface of group-IV semiconductors: In/Ge(lll). // Phys. Rev. B. 1996. - V. 53, N. 3. - P. 1539-1547.

308. Oura K., Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotou A.V., Katayama M. Hydrogen interaction with clean and modified silicon surfaces. // Surf.Sci.Repts. 1999. - V. 35, N. 1/2. - P. 1-69.

309. Knall J., Sundgren J.-E., Hansson G.V., Greene J.E. Indium overlayers on clean Si( 100)2 x 1: Surface structure, nucleation, and growth. // Surf. Sci. 1986. - V. 166. - P. 512-538.

310. Baski A.A., Nogami J., Quate C.F. Indium-induced reconstructions of the Si(100) surface. // Phys. Rev. B. 1991. - V. 43, N. 11. - P. 9316-9319.

311. Zotov A. V., Saranin A.A., Lifshits V.G., Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Katayama M., Oura K. Structural model for the Si(100)4x3-In surface phase. // Phys. Rev. B. 1998. - V. 57, N. 19. - P. 12492-12496.

312. Bunk O., Falkenberg G., Zeysing J.H., Johnson R.L., Nielsen M., Feidenhans'l R. Comment on 'Structural model for the Si(001)4x3-In surface phase. // Phys. Rev. B. 1999. - V. 60, N. 19. - P. 13905-13906.

313. Shimomura M., Nakamura T., Kim K.-S., Abukawa T., Tani J., Kono S. Structure of Si(001)-(4x3)-In surface studied by X-ray photoelectron diffraction. // Surf.Rev.Lett. 1999. - V. 6, N. 6. - P. 1097-1102.

314. Reese P.J.E., Miller T., Chiang T.-C. Photoelectron holography of the In-terminated Si(001)-(4x3) surface. // Phys. Rev. B. 2001. - V. 64, N. 23. - P.233307-4.

315. Schmidt T.M., Castineira J.L.P., Miwa R.H. Solving the structural model for the Si(001)-In(4x3) surface. // Appl. Phys. Lett. 2001. - V. 79, N. 2. - P.203-205.

316. Takeuchi N. First-principles calculations of the atomic structure of the In-induced Si(001)-(4x3) reconstruction. 11 Phys. Rev. B. 2001. - V. 63, N. 24. - P. 2453257.

317. Zotov A. V., Saranin A.A., Ignatouich K.V., Lifshits V.G., Katayama M., Oura K. Si(100)4x3-In surface phase: identification of silicon substrate atom reconstruction. // Surf. Sci. 1997. - V. 391, N. 1/3. - P. LI 188-L1194.

318. Ryu J.-T., Kubo O., Tani H., Katayama M., Saranin A.A., Zotov A.V., Oura K. Atomic hydrogen interaction with Si(100)4x3-In surface studied by scanning tunneling microscopy. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. - V. 37, N. 6B. - P. 37743777.

319. Kubo O., Kobayashi T., Yamaoka N., Saranin A.A., Zotov A.V., Ohnishi H., Katayama M., Oura K. Formation of Si(100)c(8x2) surface phase using H-induced self-organization and H extraction. // Phys. Rev. B. 2001. - V. 64, N. 15. -P. 153406-4.

320. Franklin G.E., Rich D.H., Hong H., Miller T., Chiang T.-C. Interface formation and growth of InSb on Si(100). 11 Phys. Rev. B. 1992. - V. 45, N. 7. - P. 3426-3434.

321. Ryzhkov S. V., Lifshits V.G., Azatyan S.G., Zotov A. V., Hayakawa Y., Kumagawa M. LEED-AES study of submonolayer InSb/Si(l 11) interface formation. // Phys.Low-Dim.Struct. 1996. - V. 1/2. - P. 99-106.

322. Nakagawa K., Yamaguchi S., Sugii N., Shiraki Y. Reverse temperature dependence of Sb sticking on Si(100) surface. 11 Mat.Sci.Eng.B. 2002. - V. 89. - P. 238-240.

323. Barnett S.A, Winters H.F., Greene J.E. The interaction of Sb4 molecular beams with Si(100) surfaces Modulated-beam mass spectrometry and thermally stimulated desorption studies. // Surf. Sci. 1986. - V. 165, N. 2/3. - P. 303-326.

324. Mo Y.W. Direct determination of the reaction path of Sb4 on Si(001) with scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. 1993. - V. 48, N. 23. - P. 17233-17238.

325. Elswijk H.B., van Loenen E.J. Chemisorption and kinetics of Sb on Si(001). 11 Ultramicroscopy. 1992. - V. 42. - P. 884.

326. Slijkerman W.F.J., Zagwijn P.M., Van der Veen J.F., Gravesteijn D.J., Van de Walle G.F.A. The interaction of Sb overlayers with Si(OOl). 11 Surf. Sci. 1992.- V. 262. P. 25-32.

327. Rich D.H., Miller T., Franklin G.E., Chiang T.-C. Sb-induced bulk band transitions in Si(lll) and Si(OOl) observed in synchrotron photoemission studies. // Phys. Rev.

328. B. 1989. - V. 39, N. 2. - P. 1438-1441.

329. Saranin A.A., Zotov A.V., Kotlyar V.G., Lifshits V.G., Kubo 0., Harada T., Kobayashi T., Yamaoka N., Katayama M., Oura K. Surface roughening at the one-monolayer Sb/Si(100) interface. // Phys. Rev. B. 2002. - V. 65, N. 3. -P. 033312-4.

330. Alerhand O.L., Wang J., Joannopoulos J.D., Kaxiras E., Becker R.S. Adsorption of As on stepped Si(100): Resolution of the sublattice-orientation dilemma. // Phys. Rev. B. 1991. - V. 44, N. 12. - P. 6534-6537.

331. Tromp R.M., van der Gon A.W. Denier, Reuter M.C. Surface stress as a driving force for interfacial mixing. // Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 68, N. 15. - P. 23132316.

332. Mo Y.W. Precursor states in the adsorption of Sb4 on Si(001). // Phys. Rev. Lett.- 1992. V. 69, N. 25. - P. 3643-3646.

333. Mo Y.W. Reversible rotation of antimony dimers on the silicon (001) surface with a scanning tunneling microscope. // Science. 1993. - V. 261. - P. 886-888.

334. Cho J.-H., Kang M.-H. Atomic structure of the Sb/Si(100)-(2x 1) surface. // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51, N. 8. - P. 5058-5060.

335. Rich D.H., Leibsle F.M., Samsavar A., Hirschorn E.S., Miller T., Chiang T.

336. C. Adsorption and interaction of Sb on Si(001) studied by scanning tunneling microscopy and core-level photoemission. // Phys. Rev. B. 1989. - V. 39, N. 17.- P. 12758-12763.

337. Dixon R.J., McConville C.F., Jenkins S.J., Srivastava G.P. Strusture and stability of the Si(001)c(4 x 4)-Sb surface. // Phys. Rev. B. 1998. - V. 57, N. 20. -P. R12701-R12704.

338. Jenkins S.J., Srivastava G.P., Dixon R.J., McConville C.F. Ab initio calculation of geometry and bonding for overlaid and inlaid models of Si(001)/Sb(0.25 ML)-c(4x4). // Surf. Sci. 1998. - V. 402/404. - P. 645-648.

339. Rogge S., Timmerman R.H., Scholte P.M.L.O., Geerligs L.J., Salemink H.W.M. Surface polymerization of epitaxial Sb wires on Si(001). // Phys. Rev. B. 2000. -V. 62, N. 23. - P. 15341-15344.

340. Kubo O., Ryu J.-T., Tani H., Harada 71, Kobayashi T., Katayama M., Oura K. STM study of structural changes on Si(100)2x 1-Sb surface induced by atomic hydrogen. // Appl. Surf. Sci. 2001. - V. 169/170. - P. 93-99.

341. Gruznev D.V., Ohmura K., Mori M., Tambo T., Lifshits V.G., Tatsuyama C. Modification of Sb/Si(001) interface by incorporation of In(4x3) surface reconstruction. // Appl. Surf. Sci. 2004. - V. 237, N. 1/4. - P. 99-104.

342. Zhang Z., Fu Q., Zhang H., Li Y., Yao Y., Tan D., Bao X. Enhanced methanol dissociation on nanostructured 2D A1 overlayers. // J.Phys.Chem. 2007. - V. Ill, N. 36. - P. 13524-13530.

343. Jia J., Wang J. -Z., Liu X., Xue Q.-K., Li Z.-Q., Kawazoe Y, Zhang S.B. Artificial nanocluster crystal: Lattice of identical A1 clusters. // Appl. Phys. Lett. 2002. -V. 80, N. 17. - P. 3186-3188.

344. Jia J.-F., Wang S.-Z., Liu X., Wang X.S., Xue Q.-K., Li Z.-Q., Zhang S.B. Spontaneous assembly of perfectly ordered identical-size nanocluster arrays. // Nanotechnology. 2002. - V. 13. - P. 736-740.

345. Jia J.-F, Liu X., Wang J.-Z., Li J.-L., Wang X.S., Xue Q.-K, Li Z.-Q., Zhang Z., Zhang S.B. Fabrication and structural analysis of Al, Ga, and In nanocluster crystals. // Phys. Rev. B. 2002. - V. 66, N. 16. - P. 165412-10.

346. Li R.-W., Kusano S., Owen J.H.G., Miki K. Thermal stability of Al nanocluster arrays on Si(lll)-7x7 surfaces. 11 Nanotechnology. 2006. - V. 17. - P. 20182022.

347. Li R.-W., Owen J.H.G., Kusano S., Miki K. Dynamic behavior and phase transition of magic Al clusters on Si(l 11)7x7 surfaces. 11 Appl. Phys. Lett. 2006. - V. 89, N. 7. - P. 073116-3.

348. Khramtsova E.A., Zotov A.V., Saranin A.A., Ryzhkov S.V., Chub А.В., Lifshits V.G. Growth of extra-thin ordered aluminum films on Si(lll) surface. // Appl. Surf. Sci. 1994. - V. 82/83, N. 1/4. - P. 576-582.

349. Zotov A. V., Khramtsova E.A., Ryzhkov S. V., Saranin A.A., Chub А.В., Lifshits V.G. LEED-AES reexamination of the Al/Si(l 11) "7-phase". 11 Surf. Sci. 1994.- V. 316, N. 1/2. P. L1034-L1038.

350. Nishikata K., Murakami K., Yoshimura M., Kawazu A. Structural studies of Al/Si(111) surfaces by LEED. // Surf. Sci. 1992. - V. 269/270. - P. 995-999.

351. Sugawara Y., Orisaka S., Morita S. Noncontact AFM imaging on Al-adsorbed Si(lll) surface with an empty orbital. 11 Appl. Surf. Sci. 2000. - V. 157, N. 4.- P. 239-243.

352. Yang W. S., Jona F. Atomic structure of Ge{lll} and reaction with Al. // Sol. State Commun. 1982. - V. 42, N. 1. - P. 49-53.

353. Lai M.Y., Wang Y.L. Gallium-induced nanostructures on Si(lll): From magic clusters to incommensurate structures. // Phys. Rev. B. 1999. - V. 60, N. 3. -P. 1764-1770.

354. Tsay S.-F., Tsai M.-H., Lai M.Y., Wang Y.L. Structural properties of Ga clusters on Si(lll). // Phys. Rev. B. 2000. - V. 61, N. 4. - P.2699-2702.

355. Bôhringer M., Molinds-Mata P., Artacho E., Zegenhagen J. Microscopic Structure of the Discommensurate Phases in Ge(lll)/Ga. 2. Domain Superstructure and Discommensurations. // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51, N. 15. - P. 9965-9972.

356. Gruznev D.V., Olyanich D.A., Chubenko D.N., Luniakov Yu.V., Kuyanov I.A., Zotov A. V., Saranin A.A. Relative stabilities of adsorbed versus substitutional Al atoms in submonolayer Al/SixGeix(l 11). 11 Phys. Rev. B. 2008. - V. 78, N. 16. - P. 165409-7.