Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Шагаров, Борис Анатольевич

• Шагаров, Борис Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Шагаров, Борис Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Литературный обзор. Процессы термообработки в производстве полупроводниковых материалов.

1.1. Высокоомный компенсированный кремний, легированный глубокими примесями.

1.2. Время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии и пути его повышения.

1.3. Методы гетгерирования примесей в кремнии.

1.4. Процессы термообработки в технологии соединений Аз Bs.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения»

Предложенный в СССР в 80-х годах новый тип антенного устройства, получивший название динамическая антенная решетка ( ДАР ), явился новым шагом в развитии современных радиолокационных систем. Конструкция ДАР в качестве активного элемента использует управляемую оптическим сканированием полупроводниковую панель, обеспечивающую СВЧ-топографию в поверхностных волнах, что позволяет осуществлять динамическое управление системой и перестройку частоты в широких пределах. Успешная работа антенного устройства возможна при изготовлении панели в виде полотна пластин кремния n-типа проводимости большого диаметра ( более 76мм ) с толстой ( 2мм) радиопрозрачной областью ( удельное электрическое сопротивление более 4

10 Ом.см ), характеризующейся высокими значениями времени релаксации при оптическом возбуждении материала ( более 100мкс).

Промышленное выращивание кремния с такими параметрами традиционным методом бестигельной зонной плавки ( БЗП ) представляет собой сложную и дорогостоящую задачу [1,2], поэтому был осуществлен поиск альтернативного способа, позволяющего значительно упростить и удешевить технологию. Способ предполагает использование компенсированного кремния, изготовление которого проводится по технологической схеме, отличной от традиционной.

Обычно компенсированный кремний получают методом высокотемпературной диффузии примеси, создающей глубокий уровень в запрещенной зоне кремния [3,4]. Процесс термической диффузии достаточно исследован и отработан, но, если достижение высоких значений удельного сопротивления ( до 10 Ом.см ) при использовании этого метода является разрешимой задачей, то получить приемлемые значения времени релаксации без применения специальных технологических приемов невозможно, вследствие рекомбинационной активности глубоких примесей. Обычный компенсированный (например, золотом) материал имеет время релаксации, не превышающее единиц микросекунд [4]. Поэтому, основной целью ставилась разработка технологических приемов повышения времени релаксации неравновесных носителей заряда в компенсированном кремнии. Для решения этой задачи в ходе выполнения работы был предложен и детально исследован метод гетгерирования примесей в кремнии силицидами тугоплавких металлов, определены и оптимизировании режимы последиффузионного низкотемпературного отжига, разработан режим охлаждения после термических обработок. Дополнительного повышения значений времени релаксации удалось добиться при замене традиционного золота, как легирующей примеси, на никель. Структурная чувствительность диффузии глубоких примесей и гетгерирования потребовала детального изучения процессов дефектообразования в кремнии различных марок при термических обработках. В результате были определены требования к исходному материалу и оптимальные технологические условия процессов гетгерирования и диффузионного легирования. На основе проведенных исследований была разработана трехстадийная технология, включающая операции гетгерирования, диффузионного легирования компенсирующей примесью и низкотемпературного отжига, позволившая 4 получать кремний с удельным сопротивлением более 10 Ом.см и временем релаксации не менее 100 мкс, что полностью удовлетворяет требованиям, предъявляемым к материалу панелей СВЧ-устройств.

Свойства современного арсенида галлия во многом определяются наличием дислокаций и остаточными термонапряжениями после выращивания. Поэтому отжиг f пластин, а не слитков, позволяет, кроме внутренних источников перераспределения дефектов, использовать также и внешние, а именно поверхность пластины. При этом эффективность поверхности можно значительно повысить предварительно нанесенным геггерирующим покрытием.

Для антимонида индия, используемого при создании эффективных фотоприемников в ИК-области спектра, тоже остро стоит проблема повышения времени жизни неравновесных носителей заряда, как основного параметра, определяющего фоточувствительность.

Поэтому, цель настоящей работы заключалась в разработке технологии термообработки полупроводниковых материалов с нанесенными покрытиями на поверхность пластин для придания им заданных свойств.

Научная новизна работы состоит в следующем.

1. Обоснована возможность геттерирования примесей в кремнии путем нанесения покрытий из силицидов тугоплавких металлов и на этой основе разработаны эффективные технологические режимы процесса геттерирования.

2. Установлено, что преципитация кислорода повышает эффективность процесса внешнего геттерирования примесей в кремнии. Обоснована роль внутриобьемных процессов генерации-рекомбинации межузельных атомов кремния как фактора геттерирования примесей.

3. Определены закономерности и проведен сравнительный анализ процессов геттерирования в кремнии, полученном различными методами и отличающемся значениями удельного сопротивления и концентрацией кислорода. Показано, что воспроизводимость процессов геттерирования достигается при использовании в качестве исходного материала кремния, полученном методом БЗП.

4. Установлено влияние низкотемпературной обработки пластин полупроводникового компенсированного кремния , позволяющей повысить удельное сопротивление и время релаксации неравновесных носителей заряда .Определены закономерности в поведении примесей золота и никеля при термообработках пластин кремния (А.С.№1589919,1990)

5. Показано, что нанесение покрытий из диоксида кремния или кремний-вольфрам на поверхность резанных пластин арсенида галлия с последующей термообработкой существенно снижает уровень ростовых термонапряжений в полупроводнике в результате возникновения маронапряжений в гетергструктуре противоположного знака (А.С. №1699177, А.С. №1701068)

6. Достигнут рост времени жизни носителей заряда за счет эффекта геттерирования примесей термоакцепторами и редкоземельными элементами, что легло в основу разработанного технологического процесса получения пластин антимонида индия с высокими значениями времени жизни неравновесных носителей заряда.

Практическая значимость и реализация результатов работы.

1.

2.

Внедрен в производство способ получения высокоомнош компенсированного кремния с высокими значениями времени релаксации. (А.С. №1589919) Реализован способ термообработки пластин арсенида галлия марки АГЧП с однослойным покрытием из диоксида кремния и двуслойным- кремний -вольфрам. (А.С. №1699177, А.С.№1701068)

Внедрен в производство процесс термообработки пластин антимонида индия для фотоприемных устройств с применением покрытий из редкоземельных элементов.

Апробация работы.

По результатам работы опубликовано 7 печатных работ, в том числе 3 изобретения.

На защиту выносятся следующие положения.

1. Силициды тугоплавких металлов обеспечивают эффективное гетгерирование примесей в кремнии.

2. Дефектообразование оказывает существенное влияние на процессы диффузии глубоких примесей и геттерирование примесей в кремнии, полученном различными методами. Показана взаимосвязь процессов диффузии глубоких примесей и преципитации кислорода в кремнии. Рекомбинации межузельных атомов кремния также влияет на процесс геттерирования примесей.

3. Низкотемпературный длительный отжиг компенсированного золотом или никелем кремния приводит к повышению значений удельного сопротивления и времени жизни.

4. Для получения высокоомного компенсированного кремния необходима реализация следующей последовательности операций: геттерирования, диффузионного легирования и низкотемпературного отжига.

5. Термообработка пластин арсенида галлия, покрытых диоксидом кремния или двуслойным покрытием кремний-вольфрам уменьшают послеростовые термонапряжения.

6. Термообработка пластин антимонида индия для фотоприемных устройств с при-to менением геттера повышает время жизни носителей заряда.

Структура и обьем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, библиографии, включающей 162 наименования, содержит 112 страниц, в том числе 12 таблиц, 25 рисунка, а также приложения.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Шагаров, Борис Анатольевич

4-57* выводы.

1. Разработаны и обоснованы технологические режимы метода геттерирования примесей в кремнии с использованием силицидов тугоплавких металлов. Определены основные условия реализации метода: восстановительная среда отжига, выбор в качестве геттера дисилицида вольфрама, проведение гетгерируюшей обработки при температуре не о о ниже 1050 С, применение малых скоростей охлаждения после отжига ( не более 2 С/мин ).

2. Выявлена роль межузельных атомов кремния, как инициаторов процесса геттерирования примесей Показано, что преобладающее значение могут иметь внутриобъёмные процессы генерации - рекомбинации межузельных атомов кремния, связанные с преципитацией кислорода в процессе термообработок. Установлено, что при невысокой интенсивности преципитации кислорода, генерация межузельных атомов кремния на растущих кислородных преципитатах приводит к росту эффективности ф геттерирования. 4

3. Разработан способ получения кремния с удельным сопротивлением более 10 Ом.см и временем релаксации неравновесных носителей заряда не менее 100 мкс, который предусматривает последовательное проведение операций: геттерирования силицидами тугоплавких металлов, диффузии глубокой примеси и последующей низкотемпературной обработки. Определены и оптимизированы температурно-временные режимы каждой операции, учитывающие параметры исходного материала.

4. Показана перспективность применения отжига пластин, а не слитков арсенида галлия, что позволяет, кроме внутренних источников перераспределения дефектов, использовать также и внешние, а именно,поверхность пластины. При этом эффективность поверхности можно значительно повысить нанесением на пластину диоксида кремния или двухслойного покрытия кремний-вольфрам.

5. Разработан способ термообработки пластин антимонида индия с образованием термоакцепторов в совокупности с геттерированиеы редкоземельными элементами.

- ЗО

4.3. Заключение

Таким образом, предложенный нами способ термообработки полупроводниковых пластин позволяет существенно повысить время релаксации неравновесных носителей заряда и уменьшить концентрацию фоновых примесей за счет улучшения стехиометрии в этих пластинах путем отжига под слоем анодного окисла.

Кроме того, термообработка пластин арсенида галлия под различными покрытиями позволяет снизить плотность дислокаций и повысить выход годного пластин за счет нанесения покрытия толщиной 200-3000 нм с коэффициентом термического расширения, отличающимся от КТР арсенида галлия не менее, чем в два раза, и отжига, в процессе которого на границе раздела пластина-покрытие образуются из-за разницы КТР значительные напряжения, инициирующие движение и аннигиляцию, а также за счет использования малых скоростей охлаждения, препятствующих образованию дислокаций в процессе охлаждения.

Во всех термообработанных структурах антимонида индия, полученных по разработанной технологии, наблюдалось повышение времени жизни, что свидетельствует об улучшении структурного совершенства и геттерирующем воздействии РЗЭ. После термообработки на пластинах изготавливались МОП структуры с собственным анодным окислом и исследовались электрофизические и оптические характеристики материала. Термообработанный материал имел концентрацию носителей заряда 5 10 см (исходная 10 см ), а время жизни при Т=77К достигало значений 10 е., что соответствовало необходимым для приборов параметрам.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Шагаров, Борис Анатольевич, 2000 год

1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. Физика и техника полупроводников, 1998, т.32, №1,с.З-78.

2. Kramer H.G. Float-zoning of semiconductor silicon. A perspective Solid State Technology,1983, Г1, p.129-135.

3. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Пер. с англ. М. Мир, 1977.-562с.,ил.

4. Компенсированный кремний.-Под ред. Болтакса Б.И.- Л.:Наука,1972.-124с.,ил.

5. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ.- М.: Мир,1984.-475с.,ил.

6. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках -М.: Физматиздат,1961.-147с.,ил. 7.0мельяновский Э.М., Фисгуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках,-М.: Металлургия,1983.-192с.,ил.

7. Акчурин Р.Х. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями М.: Металлургия, 1985.-173с., ил.

8. Бахадырханов М.К., Болтакс Б.И., Куликов Г.С. Диффузия, растворимость и электрические свойства кобальта в кремнии ФТТ, 1970, т. 12, f 1, с. 181-189.

9. Pandian V., Kumar V. Silver related deep levels in silicon Phys. Stat. SoHdi(a), 1980, v. 109, tl, p.273-278.

10. Baber N., Grimmeiss H., Weverman M. Characterization of silver-related deep levels in silicon J. Appl. Phys., 1987, v.62, Г7, p.2853-2*57.

11. Bagraev N.T. Electron localization on defects and optical nuclear polarization in disordered and semimagnetic semiconductors.- PbysicaB, 1983, v.l 16, Г2, p.236-243.

12. Melsi A., Courcelle Е., Zundel Т., SifFert P. Process-indused and gold acceptor defects in silicon.-Phys. Rev. В., 1987, v.36, Г15, p.8049-8062.

13. Ledebo L.-A., Wang Z.-G. Evidence that the gold donor and acceptor in silicon are two levels of the same defect.- Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, Г8, p.680-682.

14. Van Staa P., Kassing R. The gold donor and acceptor level in p-type silicon.-Solid State Commun., 1984, v.50, П2, p.1051-1055.

15. Utzig J., Schroter W. Donor and acceptor behavior of gold in silicon.- Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, Г7, p.761-763.

16. Morante J.P., Carceller J.E., Herms A. Dependence of the electron cross section for the acceptor gold level in silicon to donor ratio Appl. Phys. Lett., 1982, v.41, Г7, p.656-658.

17. Lu L.S., Nishida Т., Sah C.-T. Thermal emission and capture rates of holes at the gold donor level in silicon.- J. Appl. Phys., 1987, v.62, Г12, p.4773-4780.

18. Jang S.-L., Bosman G. Low field investigation of the gold donor level in silicon by noise and resistanse measurement J. Appl. Phys., 1989, v 65, Г1. p.201-204.

19. Nassiban A.G., Faraone L. Capture cross section of gold in silicon.- Appl. Phys. Lett., 1978, v.33,r5,p.451-452.

20. Richou F., Pelous G., Lecrosnier D. Thermal generation of carriers in gold doped silicon J. Appl. Phys., 1980, v.51, Г12, p.6252-6257.

21. Wu R.H., Peaker AR. Capture cross section of the gold donor and acceptor states in n-type Czochralski silicon.- Solid State Electron., 1982, v.25, Г7, p.643-649.

22. Brotherton S.D., Bichnell J. The electron capture cross section and energy level of the gold acceptor center in silicon.- J. Appl. Phys., 1978, v.49, Г2, p.667-671.

23. Brotherton S.D., Bradley P. Measurement of minority carrier capture cross section and application to gold and platinum in silicon.- J. Appl. Phys., 1982, v.53, ГЗ, p. 1543-1553

24. Lu L.S., Sah C.T. Electron recombination rates at the gold acceptor level in high resistivity silicon.- J. Appl. Phys., 1986, v.59, П, p.173-176.

25. Lang D. V., Grimmeis H.G., Meiger E., Jaros M. Complex nature of gold-related deep levels in silicoiL-Phys. Rev. В., 1980, v.22, Г8, p.3917-3934.-/if

26. Баграев H.T., Вихнин B.C. Корреляции в распределении донорных и акцепторных примесей в кремнии.-ЖЭТФ, 1984, т.86, П, с.200-211.

27. Баграев Н.Т., Власенко Л.С., Жданович Н С. Исследование примесных центров золота в кремнии.-Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Матер., 1979, т. 15, Г5, с.725-730.

28. Hohne М. Gold-related EPR centres of low symmetry in silicon. Phys. Stat. Solidi(b), 1983, v.l 19, Г2, p.kll7-kl21.

29. Brotherton S.D., Bradley P, Gill A., Weber E.R. Electrical observation of the Au-Fe complex in silicon.- J. Appl. Phys., 1984, v.55, Г4, p.952-956.

30. Brotherton S.D., Bradley P, Gill A. Annealing kinetics of the gold-iron complex in silicon J. Appl. Phys., 1986, v.57, Г6, p. 1783-1790.

31. Kleinhen2 R.L., Lee Y.H., Corbett J.W. EPR observation of an Au-Fe complex in silicon -Phys. Stat. Solidi(b), 1981, v.108, Г2, p.363-371.

32. Assali L.V.C., Leite J.R. Electronic structure of the Au-Mn pair in silicon.-Solid State Commun., 1986, v.58, Г9, p.577-580.

33. Rodewald D., Severitt S., Volmer H., Labusch R. EPR invesnigation of CrCu and CrAu pairs in silicon.-Solid State Commun., 1988, v.67, Г6, p.573-576.

34. Hohne M. Electron paramagnetic resonance of gold in silicon Phys. Stat. Solidi(b), 1982, v.l09, Г2, p.525-534.

35. Hohne M., Lebedev A. A. Changes in the EPR of gold in silicon induced by light.- Phys. Stat. Solidi(b), 1981, v. 104, Г1, p.k79.

36. Li H.F., Chen J.X., Yao Y.S., Bai G. Au acceptor levels in Si under pressure.- J.Appl. Phys., 1985, v.58, Г7, p.2599-2606.

37. Joshi M.L., Dash S. Distribution and precipitation of gold in phosphorus-diffused silicon.- J. Appl. Phys., 1966, v.37, Г6, p.2453-2457.

38. Meek R.L., Seidel Т.Е. Enhanced solubility and ion pairing of Cu and Au in heavily doped silicon at high temperature.-J. Phys. Chem. Solids, 1975, v.36, Г7/8, p.731-740.

39. Cagnina S.F. Enhanced gold solubility effect in heavily n-type silicon.-J.Electrochem. Soc., 1969, v.l 16, Г4, p.498-502.ф 43.Dorward R.C., Kirkaldy J.S.- Solubility of gold in p-type silicon.-J.Electrochem. Soc., 1969,v.116, Г9, p. 1284-1285.

40. Aristov V.V., Bondarenko I. E., Heydenreich J. Electrical properties and defect structure of plastically deformed silicon crystals doped with gold Phys. Stat. Solidi(a), 1987, v. 102, Г2, p.687-695.

41. Шуман В. Б. О диффузии золота в кремнии ФТП, 1967, т.1, Гб, с.947-948.

42. Coffa S., Calgano L., Campisano S.U., Called G. Diffusion of ion-implanted gold in p-type silicon J. Appl. Phys., 1989, v.64 ,Г 11, p.6291-6295.

43. Бадалов A.3., Шуман В Б. Диффузия Au в n-Si ФТП, 1969, т.З, Г9, с.1366-1369.

44. Huntly F. A., Willoughby A.F.W. The effect of dislocation density on the diffusion of gold in thin silicon.-J.Electrochem. Soc., 1973, v. 120, ГЗ, p.414-422.

45. Cosele U., Frank W., Seeger A Mechanism and kinetics of the diffusion of gold in silicon. -Appl. Phys. A., 1980, v. 23 ,Г4, p.361-368.ф 50.Seeger A. On the theory of the diffusion on gold into silicon.- Phys. Stat. Solidi(a), 1980,v.61, Г2, p.521-528.

46. Morehead F., Stolwijk N.A, Meijberg M., Cosele U. Self-interstitial and vacancy contributions to silicon self-diffusion determined from the diffusion of gold in silicon.-Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, Г8, p.690-692.

47. НШ M., Lietz M., Sittig R. Diffusion of gold in silicon-J.Electrochem. Soc., 1972, v. 129, Г7, p. 1579-1587.

48. Cosele U., Morehead F., Frank W., Seeger A Diffusion of gold in silicon: A new model-Appl. Phys. Lett., 1981, v.38, ГЗ, p. 157-159.

49. Stolwijk N. A., Schust«- В., Holze J. Diffusion of gold in silicon studied by means of neutroo-activation analysis and spreading-resistance measurements.-Appl. Phys. A, 1984, v.33 ,Г2, p. 133-140.

50. Mathiot D., Pfister J.C. Dopant diffusion in silicon: A consistent view involving nonequilibrium defects.- J. Appl. Phys., 1984, v.55 ,ГЮ, p.3518-3530.

51. Hu S.M. Interstitial and vacancy concentrations in the presence of interstitial injection J. Appl. Phys., 1985, v.57 ,Г4, p. 1069-1075.

52. Ahn S T., Grifin P.B., Shott JR. A study of silicon interstitial kinetics using silicon membranes: Applications to 2D dopant diffusion.- J. Appl. Phys., 1987, v.62 ,fl2, p.4745-4755.

53. It oh Y., Sugita Yo., Nazaki T Effect of carbon and oxygen precipitation on gold diffusion in silicon -Jap. J. Appl. Phys., 1989, v.28 ,fl0, p.1746-1749.

54. Антонова И.В., Васильев A.B., Панов В.И., Шаймеев С.С. Поведение примеси золота в кремнии при радиационно-термических воздействиях.- ФТП, 1989, т.23, Г2, с.253-256.

55. Антонова И.В., Шаймеев С.С. Влияние ионного облучения на диффузию золота в ф кремнии,- ФТП, 1995, т.29, Г1, с.3-7.

56. Могоока М., Tomokage Н, Yoshida М. Annealing of supersaturated low-temperature substitutional gold in silicon Jap. J. Appl. Phys., 1986, v.25 ,Г8, p. 1161-1164.

57. Morooka M., Kitagawa H., Tomokage H., Hirota S. Effect of annealing method upon annealing characteristics of supersaturated substitutional gold in silicon.- Jap. J. Appl. Phys., 1984, v.23 ,fl, p. 124-125.

58. Баграев H.T., Бочкарев Э.П., Власенко JI.C. Влияние распада твердого раствора золота29в кремнии на релаксацию ядер Si.- ФТТ, 1979, т.21, Г4, с. 1044-1048.

59. Баграев Н.Т., Власенко Л. С., Лебедев А А. Распад твердого раствора золота в кремнии.-ЖТФ, 1985, т. 5 5, Г11, с.2149-2169.

60. Бадалов A3., Шуман В.Б. Влияние комплексообразования на распад тв^эдого раствора Au-Si-ФТТ, 1970, т. 12, Г7, с.2116-2122.

61. J. Appl. Phys., 1989, v.28 ,ГЗ, p.305-310.

62. Kitagava H., Tanada S. Electrically active nickel in silicon studied by DLTS in several kinds of silicon diodes.- Phys. Stat. Solidi(a), 1990, v. 120, fl, p.k67.

63. Kitagawa H., Nakashima H. Nickel-related donor level in silicon.- Phys. Stat. Solidi(a), 1987, v.102, Г1, p.k23-k27.

64. Jaraiz M., Duenas S., Vicente J., Bailon L. Electron thermal emission rates of nickel centres in silicon.-Solid State Electron., 1986, v.29, Г9, p.883-884.

65. Czaputa R. Transition metal impurities in silicon: New defect reactions.- Appl. Phys.A., 1989, v.49 ,Г4, p.431-436.

66. Pearton S.J., Tavendale A.J. The electrical properties of deep copper- and nickel-related centres in silicon J. Appl. Phys., 1983, v.54 ,ГЗ, p. 1375-1379.

67. Куликов Г.С., Чичикалюк Ю.А, Юсупова Ш.А. Влияние марганца на диффузионное Ф распределение никеля в кремнии,- ФТП, 1995, т.29, ГЗ, с.469-473.

68. Pielita D.A., Masson D.B. Evaluation of gold by oxide precipitation in Czochralski silicon -J.Electrochem. Soc., 1988, v. 135, ГЗ, p.686-690.

69. Stacy W.T., Allison D.F., Wu T.C. Decorated defects in heat-treated silicon wafers.-J.Electrochem. Soc., 1982, у.129,Г5, p.1128-1133.

70. Ourmazd A., Schroter W. Phosphoros gettering and intrinsic gettering of nickel in silicon.-Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, 7, p.781-783.

71. Бахадырханов M.K., Зайнабидинов C.K., Тешабаев A.T., Хаджаева М.А. Влияние термообработки на взаимодействие атомов никеля с кислородом в кремнии ФТП. 1976, т.10,Г5, с. 1001-1004.

72. Kitagawa Н., Hashimoto К., Yosbida М. Diffusion mechanism of nickel and point defects in silicon.- Jap. J. Appl. Phys., 1982, v.21 ,Г2, p.276-280.

73. Г лазов B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников.-М: Металлургия -1967,- 321с., ил.

74. Трубицын Ю.В., Неймарк K.EL, Червоный К.Ф. Анализ и поведение металлическихф примесей в полупроводниковом кремнии Цветные металлы, 1990, П, с.87-88.

75. Лабунов В.А., Баранов И.Л., Бондаренко В.П., Дорофеев А.М. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники,- Зарубежн. электрон, техн., 1983, Г11,с.3-66.

76. Rohatgi A.,Rai-Choudhury P. Process-induced effects on carrier lifetime and defects in float-zone silicon.- J. Electrochem. Soc., 1980, v. 127, Г5, p. 1186-1190.

77. Hwang J.M., Schroter D.K. Recombination properties of oxygen precipitated silicon.- J. Appl. Phys., 1986, v.59 ,Г7, p.2476-2487.

78. Немцев Г.З., Пекарев А.И., Чистяков Ю.Д., Бурмистров АН. Гетгерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов,- Зарубежн. электрон, техн., 1981, Г11, с.3-63.

79. Monkowski J R. Gettering processes for defect control.- Solid State Technology, 1981, v.24, Г7, p.44-51.

80. Wong H., Cheung N.W., Chu P.K. Gettering of gold and copper with implanted carbon in silicon.- Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, Г11, p.889-891.

81. Frank W., Shroter W. Gold gettering in silicon by phosphorus diffusion and argon implantation: Mechanisms and limitations.- J.Appl. Phys.,1981, v.52 ,Г8, p.5090-5097.

82. Tseng W.F., Koji Т., Majer J.W., Seidel Т.Е. Simultaneous gettering of Au in silicon by phosphorus and dislocations.- Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, Г5, p.442-444.

83. Baldi L.,Cerofolini G. Influence of phosphorus indused point defects on gold gettering mechanism in silicon.- J.Appl. Phys., 1980, v.51, Г2, p.1036-1038.

84. Baidi L.,Cerofolini G.,Ferla G. Heavy metal gettering is silicon device processing.-J.Electrochem. Soc., 1980, v. 127, Г1, p.164-169.

85. Polignano M.L, Cerofolini G., Bender H., Clayes C. Gettering mechanisms is Mlicon.

86. J. Appl. Phys., 1988, v.64, Г2, p.869-876.

87. Shark A.G., Shroter W., Berholz W. Mechanism of phosphorus diffusion gettering of cobalt in silicon studied by Mossbauer spectroscopy J.Appl. Phys.,1985, v.58, Г7, p.2519-2523.

88. Бирковой Ю.А., Гришин A.B. Исследование возможности создания эффективных гетгерирующих слоев для снижения плотности дефектов кристаллической структуры.-Электрон. техн. Сер. Микроэлектроника, 1989, Г1, с. 163-164.

89. Baginski Т А., Monkowski J.R. Germanium back-side gettering of gold in silicon.-J.Electrochem. Soc., 1986, v. 133, Г1, p. 142-147.

90. Baginski T.A., Monkowski J.R. The role of chlorine in the gettering of metallic impurities from silicon.- J.Electrochem. Soc., 1985, v. 132, Г8, p.2031-2033.

91. Falster R.J., Modlin D.N., Tiller W.A., Gibbons J.F. Effective gettering of gold in silicon at 900°C by low-current corona discharge J. Appl. Phys., 1985, v.57, Г2, p.554-558.

92. Graven R.A., Korb H.W. Internal gettering in silicon Solid State Technology, 1981, v.24, Щ Г7, p.55-61.

93. Baginski T.A., Monkowski J.R. Correlation of precipitation defects and gold profiles in intrinsically gettered silicon -J.Electrochem. Soc., 1986, v. 133, Г4, p.762-769.

94. GoorskyM.S., Logowsky J.K., Gatos H.S. The constractive behavior of Fe and Cr (fairing the intrinsic gettering of silicon.- J. Appl. Phys.,1988, v.64, Г12, p.6716-6720.

95. Pietila D. A., Masson D.B. Evaluation of intrinsic gettering of gold by oxide precipitation in Czochralski silicon.- J.Electrochem. Soc., 1988, v. 135, ГЗ, p.686-690.

96. Cerofolini G.F., Polignano M.L. A comparison of gettering techniques for very scale intergration.- J. Appl. Phys., 1984, v. 5 5, ГЗ, p 686-690.

97. Юб.Вгоппег G.B., Plummer D.J. Gettering of gold in silicon: A tool for understanding the properties of silicon interstitials.- J. Appl. Phys.,1987, v.61, П2, p.5286-5298.

98. Kang J.S., Schroder P.K Gettering in silicon J. Appl. Phys.,1989, v.65, Г8, p.2974-2985.

99. Итальянцев А.Г., Краснобаев ЛЯ., Кузнецов А.Ю., Омельяновская С.Г. Эффекты в полупроводниках при введении неравновесных вакансий.- Электрон, техн. Сер. Материалы, 1989, Г4, с.43-48.

100. Ю9.Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Пер. с англ.- М.: Мир, 1986 176с., ил.

101. Maex K., Hove L. The effect of silicides on induction and removal of defects in silicon.-Mater. Sci. and Eng., 1989, v.4, tl-4, p.321-329.

102. Kamins T.I., Laderman S.S., Coulman D.J., Turner J.E. Interaction between CVD tungsten films and silicon during annealing J.Electrochem. Soc., 1986, v. 133, Г7, p. 1438-1442.

103. Wen D.S., Smith P L., Osburn C.M., Rozgonyi G.A. Defect annigilation in shallow p junctions using titanium silicide.- Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, Г15, p. 1182- .) 84

104. Peterson H., Grimeiss H.G., Tilly L. Electrical and optical properties of molybdenum and tungsten related defects in silicon.- Semicond. Sci. and Technol., 1991, v.6, Г4, p.237-242.

105. Wang C.A., Sah C.T. Complete electrical characterization of recombination properties of titanium in silicon J. Appl. Phys.,1984, v.56, Г4, p.1021-1031.

106. Rohatgi A., Hopkins R.H, Davis J.R, Campbell RB. The impact of molybdenum on silicon and silicon solar cell performance Solid State Electronics, 1980, v.23, Г11, p.1185-1190.

107. Brat Т., Osburn C.M., Fmstad Т., Liu J. Self-aligned Ti silicide formed by rapid thermal annealing J.Electrochem. Soc., 1986, v. 133, Г7, p. 1451-1458.

108. Мешалкин A.B., Крюков В Л., Парамонов В.В., Новикова О.В., Золочение кремния методом химического осаждения,- Электрон, техника, Сер. Материалы, 1990, Г2, с.32-36.

109. Ильин М.А., Коварский В.Л., Орлов А.Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии. Заводская лаборатория, 1984, т.50, Г1, с.24-32.

110. Kaiser W., Frisch H.L., Reiss Н. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon -Phys. Rev., 1958, v. 112, Г8, p. 1546-1554.

111. Schmalz K., Gaworzewski P. On the donor activity of oxygen in silicon at temperatures 500 to 800°C.- Phys. Stat. Solidi(a), 1981, v.64, Г1, p.151-158.

112. Крюков В.Л., Никольский А.Д., Фурманов Г.П., Чешуина С.Е. Способ обработки 9 кремниевых пластин -А с. Г1575587,1990г.

113. Геттерирование примесей в кремнии силицидами тугоплавких металлов/ Власов АА., Крюков В.Л., Фурманов Г.П., Чешуина С.Е., Шагаров Б.А.- Электрон, техн. Сер. Материалы, 1989, Г7, с. 10-13.

114. Ш.Гореленок AT., Крюков В.Л., Фурманов Г.П. Геттерирование примесей и дефектов в Si, GaAs, InSb.- Письма в ЖГФ, 1994, т.20, П 3, с.60-65.

115. Крюков В.Л., Соколов Е.Б., Фурманов Г.П., Чешуина С.Е. Влияние среды отжига на рекомбинационные параметры кремния.- Электрон, техн. Сер Материалы, 1990, Г9, с.60-62.

116. Влияние быстродиффундирующих примесей на генерацию термодоноров в кремнии / Бринкевич ДИ., Крюков В.Л., Петров В.В., Соколов Е.Б., Фурманов Г.П.- Письма в ЖГФ, 1991, т.17, Г1, с. 14-16.

117. Phys. Stat. Solidi(a), 1989, v.lll, Г2, p.kl49-kl54.

118. Влияние термообработки на электрофизические свойства кремния/ Крюков В.Л., Немерюк А.Г., Фурманов Г.П., Чешуина С.Е., Шагаров Б.А.- Электрон, техн. Сер. Материалы, 1990, Г1, с.49-52.

119. Связь рекомбинационных свойств кремния с преципитацией кислорода при термообработках./ Власов А.А., Крюков В.Л., Кунакина О.В., Сказочкин А.В., Фурманов Г.П., Чешуина С.Е.- Известия АН СССР. Сер. Неорган, матер., 1990, т.26, П2, с.2453-2456.

120. Вигдорович ВН.,Крюков В.Л.,Фурманов Г.П. Объемные процессы генерации и рекомбинации межузельных атомов кремния, как факторы геттерирования примесей.-Доклады РАН, 1992, т.325, Г6, с.1181-1185.

121. Вигдорович В.Н.,Крюков В.Л.,Фурманов Г.П. Взаимосвязь диффузии золота и щ преципитации кислорода в кремнии Доклады АН СССР, 1991, т. 317, Г2, с. 359-3 63.

122. Власов А.А., Крюков В.Л., Фурманов Г.П., Чешуина С.Е. Влиянние преципитации кислорода на диффузию золота в кремнии.- Известия АН СССР. Сер. Неорган, матер., 1990, т.26, fl2, с.2649-2650.

123. Рассеяние носителей заряда в кислородсодержащем кремнии, компенсированном золотом./ Крюков В.Л., Нам Г.Ю., Петлицкий В Н., Фурманов Г.П., Чешуина С.Е.-Электрон. техн. Сер. Материалы, 1989, Г2, с.60-63.

124. Шкловский Б.И., Эфрос А Л. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников,- ЖЭТФ, 1971, т.60, Г2, с.867-878.

125. Головкина Э.Д., Левченя Н.Н., Шик А.Я. Аномалия температурной зависимости холловской подвижности в компенсированном n-Ge ФТП, 1976, т. 10, Г2, с.383-386.

126. Влияние кислорода на поведение золота в кремнии/ Брянкевич ДИ, Крюков В.Л., Мерааи Ф., Петров В.В., Тужик Ю.Т., Фурманов ГЛ.- Известия АН СССР. Сер. Неоргаи матер., 1993, т.29, Г12, с. 1587-1589.

127. Кожитов Л.В., Крюков ВJL, Моргунов RB., Фурманов ГЛ Особенности поведения4 глубоких примесей в кремнии при термообработках.- Известия РАН. Сер. Неорган, матер.,1994, т.ЗО, 17, с.880-882.

128. Крюков В.Л., Стрельченко С.С., Фурманов Г.П. Высокоомный кремний для панелей СВЧ приемо-передающих систем Электронная промышленность, 1992, Г5, с.32-33.

129. Кеворков М.Н., Попков А Н., Успенский B.C. и др. Термоакцепторы в антимониде индия.-Неорганические материалы. Т. 16, №19,1980,с.2114-2118.

130. Ивлева B.C., Ольховикова Т.И., Селинина В.И., Фомин Ф.Г. Влияние некоторых дефектов роста на изменение типа проводимости InSb при термообработке-ЭТ. серия 6, Материалы, вып.1, 1972, с. 71-76.

131. Ф 150.Блаут-Блачев АН., Ивлева B.C., Пепик Н.Н. и др. Изменение свойств гь-InSb впроцессе термообработки.-Неорганические материалы, т. 12, №9,1976, с. 1663-1665.

132. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. Под. Ред. Стафеева В.И.-М., 1884 г. 216 с.

133. Мильвидский М.Г , Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников.М.; Металлургия. !984 г. 256 с.

134. Заитов Ф.А., Горшкова О .В ., Поляков А.Я., Попков АИ. Раасчет гомогенности в антимониде и арсениде индия.-Неорганические материалы., т. 17.№ 9,1981 г. с.778-782.

135. Абоева Т.В. Природа и поведение собственных точечных дефектов и примесей в антимониде индия. Автореферат кандидатской диссертации. 1985 г.

136. Лозовский В.Н., Попов В.П. Характеристики роста кристаллов.Г/Ц5,1983 г., т. 6, № 1,с. 1-23.

137. Стрельченко С.С., Лебедю В.В. Соединения АзВ5. М.: Металлургия,1984 г. 144 с.

138. Крапухин В.В., Соколов И. А, Кузнецов Г.Д. Технология материалов электроннойф техники.-М.»МИСИС». 1995, 495 с.

139. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ. Под. Ред. С.М. Горина.-М. Мир. 1984. 475 с.

140. Полуизолирующие соединения АзВ5. Под ред. Дж.Риса. Пер. с англ-М. Металлургия. 1984 г. 256 с.

141. Гореленок А.Т., Крюков В.Л., Фурманов Г.П. Геттерирование примесей и дефектов в Si, GaAs и InSb. Письма в ЖТФ, 1994., т. 20., вып. 13, с 60-65.

142. Бринкевич Д.И., Крюков В.Л., Петров В В., Фурманов Г.П., Шагаров Б.А. Поведение примесей кислорода и золота в кремнии. Калуга. Перспективные материалы оптоэлектроники. 1999 г.С. 100-108.

143. Гореленок А.Т., Крюков В.Л., Фурманов Г.П., Шагаров Б А. Новый метод улучшения параметров полупроводниковых материалов. Калуга. Перспективные материалы оптоэлектроники . с. 108-116.1. HI,, "УТВЕРЖДАЮ"

144. Зам. Руководителя AQOT «Аметист»f: ■ , (i. ЛЛ'т ( С st1. В.Н. Пахотов1. U . • (j ^ " ;"( 2000г.1. АКТ . внедрения в производство результатов диссертационной работы Шагарова Б.А.

145. Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения".

146. Результаты диссертации Шагарова B.JT. внедрены в производство. При этом выполнены следующие работы:

147. АООТ «Аметист» освоил в 1994г. производство кремния по разработанной технологии.

148. А. П. Коржавый ГШ- Кривовичев ВЛШурыпщ