Формирование серебряных центров на поверхности микрокристаллов AgBr(111) и AgBr(100) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат физико-математических наук Созинов, Сергей Анатольевич

• Созинов, Сергей Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Созинов, Сергей Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.".

1 .А11АЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР.

1.1. Свойства и модели поверхности микрокристаллов галогенидов серебра.

1.2. Исследование поверхности кристаллов галогенидов серебра методами декорирования.

1.3. Исследование распределения центров скрытого изображения.

1.4. Фотолиз и образование скрытого изображения.

1.5. Особенности образования серебряных центров на поверхности микрокристаллов галогенидов серебра в зависимости от огранки.

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЫ1АЯ ЧАСТЬ.

2.1. Характеристики образцов фотоэмульсий и подготовка образцов для электронно-микроскопического анализа.

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕ1IIЮСТЕЙ ФОРМИРОВА11ИЯ СЕРЕБРЯНЫХ ЦЕНТРОВ НА ПОВЕРХНОСТИ

МИКРОКРИСТАЛЛОВ А%Вг (100).

3.1. Влияние условий препарирования на состояние поверхности примитивных и сенсибилизированных микрокристаллов

А§Вг (100).

3.2. Исследование распределения центров чувствительности и вуали на поверхности микрокристаллов А£Вг(100).

3.3. Исследование поверхности микрокристаллов

§Вг (100) методом декорирования.

3.3. Фотолиз микрокристаллов

§Вг (100).

3.4. Структура поверхности микрокристаллов

§Вг кубического габитуса.

4. ИССЛЕД0ВА11ИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВА11ИЯ СЕРЕБРЯНЫХ ЦЕ1ITPOB I1А ПОВЕРХ1ЮСТИ

МИКРОКРИСТАЛЛОВ AgBr (111).

4.1. Влияние условий синтеза, химической сенсибилизации и препарирования на состояние поверхности микрокристаллов

AgBr (111).

4.2. Исследование распределения центров чувствительности и вуали на поверхности микрокристаллов AgBr (111).

4.3. Исследование поверхности микрокристаллов AgBr (111) методами декорирования.

4.4. Влияние условий созревания на состояние поверхности микрокристаллов AgBr (111) и особенности образования серебряных центров.

4.5. Влияние времени синтеза на структуру поверхности микрокристаллов AgBr (111).

5. МОДЕЛИ ОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТИЦ Agn НА ПОВЕРХНОСТИ МИКРОКРИСТАЛЛОВ AgBr.

5.1. Модели описания состояния поверхности.

5.2. Образование Agn частиц в процессе вакуумного напыления.

5.3. Образование частиц Agn при старении микрокристаллов AgBr.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование серебряных центров на поверхности микрокристаллов AgBr(111) и AgBr(100)»

Поверхность монокристаллических и аморфных твердых тел привлекает пристальное внимание при фундаментальных исследованиях практически важных процессов в материаловедении. Особый интерес представляет проблема активной поверхности, так как многие процессы, такие как рост кристаллов, адсорбция, образование новой фазы, катализ и др. протекают с участием поверхности и определяются степенью ее активности. Для ионных и ковалентных кристаллов, а также металлов, важнейшей проблемой является установление самой природы активных мест на поверхности, роли структурных дефектов различной природы, взаимодействия этих дефектов с объемом твердого тела, связь локальных свойств активных элементов поверхности с процессами в твердых телах при внешних возбуждениях различной природы.

В связи с расширением специализации конкретных областей науки состояние поверхности исследуется с самых различных позиций, что определяет обсуждение определенного круга поверхностных явлений. Как правило, это проводится в узких рамках соответствующей области науки. Однако многие поверхностные явления и процессы имеют общий характер. К ним относятся процессы, обусловленные реальной атомной структурой поверхности, и связь этой структуры с физико-химическими свойствами поверхности.

Применительно к фотографическому процессу изложенное позволяет отметить следующее. Несмотря на солидный возраст "фотографической науки", успехи в практическом плане достигались, в основном, эмпирическим путем - методом проб и ошибок. В основном это было связано с отсутствием знаний об общем и конкретном характере неоднородности свойств реальной поверхности, механизма образования области пространственного заряда, важнейших физико-химических характеристик микрокристаллов (МК) и их изменений на всех технологических стадиях получения и оптимизации фотоматериалов. Действительно, ни в одной из рассмотренной в литературе модели не учитывается, что центром чувствительности могут являться кластеры типа А§п; присутствие серы вовсе не обязательно при оптимизации МК AgBr кубического габитуса; в процессе созревания форма, огранка и физико-химические свойства МК изменяются.

Существующие на реальной поверхности кристаллов изломы ступеней и террасы являются активными местами с определенным зарядом, где могут протекать различные топохимические превращения. Поэтому для понимания механизмов образования центров чувствительности, вуали, скрытого изображения (СИ), кластеров серебра в микрокристаллах галогенидов серебра, важными являются знания о распределении центров концентрирования серебра на поверхности. Несмотря на большое количество теоретических работ по анализу природы мест локализации и механизмов образования СИ, экспериментальных данных по изучению распределения серебряных центров на поверхности МК AgBr и влиянию на это распределение всех стадий получения и оптимизации МК сравнительно мало. К изложенному следует добавить, что состояние поверхности исследуется многочисленными методами. Это позволяет получать расширенную информацию о взаимосвязи протекающих на ней процессов с физико-химическими свойствами материалов. Однако метод электронной микроскопии для сравнительного исследования структуры поверхности микрокристаллов А§Вг на всех стадиях синтеза и оптимизации фотоэмульсий ранее практически не применялся.

В связи с этим в работе была поставлена цель: методом электронной микроскопии провести систематические исследования состояния поверхности микрокристаллов галогенидов серебра, особенностей формирования серебряных центров на поверхности МК в зависимости от условий получения и оптимизации, до и после освещения и проявления.

Структура работы построена следующим образом. В первой главе проведен анализ имеющейся научно-технической литературы по теме исследования. Во второй главе описаны: методика подготовки образцов к электронно-микроскопическому исследованию, метод получения реплик, методы декорирования поверхности МК и характеристики исследовавшихся образцов.

В третьей и четвертой главе приведены результаты исследований состояния поверхности и особенностей формирования кластеров серебра на поверхности МК А§Вг (100) и А§Вг (111) соответственно. В начале каждой из глав изложены экспериментальные данные по исследованию состояния поверхности МК в зависимости от условий синтеза, химического созревания эмульсий и условий препарирования МК. Далее приводятся результаты исследований по изучению распределения центров концентрирования серебра, степени их активности при проявлении, а также результаты исследований влияния условий синтеза и химического созревания (ХС) на распределение и активность центров роста серебряной фазы.

В работе показано, что число способных к проявлению центров кристаллизации после ХС на поверхности МК (111) может достигать 2><1010 шт/см , и уменьшается при изменении огранки МК от октаэдрической до ку-бооктаэдрической и сферической. В последнем случае число Agn-частиц приближается к таковому для МК(ЮО) сопоставимых размеров и составляет ~10ш см"2.

В работе также проведены исследования поверхности МК с целью выявления предельного числа активных мест, способных к концентрированию металла. Для этого был использован метод декорирования поверхности МК AgBr (100) вакуумным осаждением Ag (Au), а также фотографический способ декорирования (фотолиз с последующим задержанным проявлением). Сравнительный анализ показывает, что, независимо от способа декорирования, на поверхности МК (111) и (100) может формироваться Ю10- 10 "см"2 частиц металла, которые отражают предельное число центров концентрирования. Статистический анализ распределения кластеров металла, формирующихся на поверхности граней (100) и (111) примитивных МК в процессе вакуумного осаждения, либо при проявлении засвеченных МК, показывает, что независимо от способа декорирования, наблюдается соответствие закону распределения Пуассона. Это доказывает стохастический характер распределения активных мест на поверхности граней (100) и (111).

Полученные результаты о закономерностях формирования Agn-центров на поверхности МК AgBr (100) и AgBr (111) в зависимости от условий синтеза и ХС показывают, что поверхность МК после синтеза уже содержит предельное число потенциальных центров концентрирования, которое достигает Ю10 - 10п см"2.

В работе показано, что увеличение скорости кристаллизации приводит к увеличению числа структурных дефектов в эмульсионных МК кубической огранки.

При исследовании состояния поверхности МК AgBr (111), в течение длительного времени хранившихся в эмульсионной среде с рВг=3, обнаружен эффект самодекорирования поверхности частицами серебра. Число обра

10 2 зующихся в процессе хранения Agn-частиц может достигать 10 см" и отражает предельное число наиболее активных центров на поверхности МК.

Результаты сравнительного анализа предельного числа центров концентрирования серебра, выявляемых на поверхности МК октаэдрической и кубической огранки, показывают, что это число больше для МК (111). Последнее свидетельствует о большей концентрации активных центров на гранях (111). Полученный вывод находится в хорошем согласии с имеющимися данными о величине поверхностного потенциала, согласно которым потенциал для МК AgBr (111) (0,25эВ) более высокий, чем для МК AgBr (100) (0,15 эВ). Это означает, что плотность поверхностных состояний, связанных с низкокоординированными Вг3"на поверхности, выше в МК AgBr (111). Поэтому рассмотренные в работе экспериментальные результаты о предельной концентрации могут быть объяснены, если отрицательно заряженные дефекты типа уступ ступеней будут выступать в качестве центров концентрирования. В процессе химического созревания часть этих центров, с образованием Agn или (Ag2S)n-neHTpoB, повышает свою активность к концентрированию серебра.

В последней главе рассмотрена одна из моделей образования поверхностного потенциала, а также процессы образования и роста серебряных центров при конденсации из пара и старении МК. В рамках рассмотренной модели обсуждаются полученные в работе экспериментальные данные.

В заключение формулируются выводы.

Автор глубоко признателен своему научному руководителю д.ф.-м.н. профессору JI.B. Колесникову за постоянное внимание к работе и консультативную помощь. Выражаю благодарность преподавателям и сотрудникам кафедры экспериментальной физики: доценту Звиденцовой Н.С., ассистенту Швайко И.Л., зав. лабораторией Морозовой Т.В. за совместную работу по исследованию свойств микрокристаллов галогенидов серебра; доцентам: Попову Ю.С., Павловой Т.Ю., Сергеевой И.А., Плотникову А.И. за обсуждение полученных результатов, а также профессору Рябых С.М. за консультативную помощь.

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Созинов, Сергей Анатольевич

6. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ Выводы работы

1. Показано, что предельная концентрация центров роста частиц серебра на поверхности МК AgBr (100) и AgBr (111) составляет 1010-1011 см"2 и сравнима с плотностью поверхностных состояний, связанных с ионами Brs" на уступах ступеней. Это позволяет утверждать, что после синтеза поверхность МК AgBr содержит предельное число потенциальных центров концентрирования, активация которых в процессе созревания приводит к формированию центров чувствительности и вуали.

2. Установлено, что распределение центров концентрирования по расстояниям на поверхности граней (111) и (100) подчиняется соотношению Пуассона, что свидетельствует о случайном характере распределения центров.

3. Обнаружен эффект самодекорирования поверхности при хранении МК

10 2

AgBr(lll), заключающийся в образовании на поверхности ~10 см" частиц серебра одинакового размера.

4. Анализ результатов работы и литературных данных позволяет заключить, что при используемых в работе условиях синтеза структура МК (100) с размерами d> 0,5 мкм представляет систему ядро-оболочка с более разупорядоченным ядром.

5. Установлено, что предельная концентрация центров роста частиц серебра при старении МК (111) и вакуумном декорировании МК (111) совпадает. Это означает, что рост серебряных частиц с участием нейтральных атомов при напылении и пары фотоэлектрон-ион серебра при освещении приводит к практически одинаковому предельному числу центров на поверхности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Созинов, Сергей Анатольевич, 2005 год

1. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей: -JL: Наука. -1975. -592С.

2. Kliver K.L. Space charge in ionic crystals. Silver halides containing divalent cations // J. Phys. Chem. Solids. Pergamnon Press. -1966. -V. 27, -P. 705717.

3. Poppel R.B., Blakely J.M. Origin of equilibrium space charge potentials in ionic crystals // Surf. Sci. -1969. -V. 15, -P. 507-523.

4. Lechovec K. Space charge layer and distribution of lattice defects the surface of ionic crystals // J. of Chem. Phys. -1953. -V. 12. № 7. -P. 1123-1127.

5. Ardashev I.V., Samoylovich D.M. Silver Halide crystals and conception of space charge // Phot. Sci. And Eng. -1973. -V. 17. № 3. -P. 348-350.

6. Saunders Tyler R.W., West W. Space-charge layer and surface sensitivity in AgBr single crystals. Photogr. Sci. and Eng. -1968. -V. 12. № 2. -P. 90-97.

7. Blakely J.M., Danylic S. Variation of surface potential with temperature and orientation for silver halide crystals. // Photogr. Sci. and Eng. -1974. -V. 18. №6. -P. 489-492.

8. Baetzold R.C., Tan Y.T., Tasker P.W. A computational approach to silver halide surfaces // Surf. Sci. -1988. -V. 195. -P.579-593.

9. Jacobs P.W.M. Calculation of defect energies in silver halides // J. of Imag. Sci. -1990, -V. 34. № 3. -P. 81-83.

10. Tan Y.T. Ionic defects in silver halides, surface and bulk // J. Soc. Photogr. Sci. Technol. Japan. -1991. -V. 54. № 4. -P. 457-463.

11. Callens F., Maenhout van der Vorst W. Theoretical Treatment of activation energy for ionic conductivity in AgX microcrystals // Phys. Stat. Sol. (a). -1977. -V. 40. -P. K57-K60.

12. Takada S. Ionic conduction and space charge layer in silver halide photographic emulsions grains. // Phot. Sci. and Eng. -1974.-V. 18. № 5.-P. 501-503.

13. Takada S. Ionic conduction of silver bromide emulsions grains by the measurements dielectric-loss // Jap. J. of Appl. Phys. -1973. -V. 12. № 2. — P.190-195.

14. Callens F., Maenhout van der Vorst W. Edge length dependence of the ionic conductivity and space charge characteristics of AgBr emulsions grains. // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. -V.59. -P.453-460.

15. Van Beizen J. Maxwell-Wagner effects in silver bromide emulsions // J. of Appl. Phys. 1970. -V. 41. -№ 5. -P. 1910-1914.

16. Brady L.E., Hamilton J.F. Influence of crystal face on surface-induced electrical properties of silver bromide photographic grains // J. of Appl. Phys. -1965. -V. 36. №4.-P. 1439-1441.

17. Колесников JI.B., Сергеева И.А. Диэлектрическая релаксация в микрокристаллах галогенидов серебра различного габитуса, состава и структуры. // В кн. Фундаментальные исследования новых материалов и процессов в веществе.-М.: Изд-во МГУ.-1994.-С. 181-189.

18. Власов В.П., Мейкляр П.Б. Влияние адсорбции желатины на знак фото-э.д.с. эмульсионных слоев. // ЖНиПФиК -1974. -Т. 19. -№ 3. -С. 224-225.

19. Смирнов Ю.П. Влияние желатины на топографию центров проявления и ионную проводимость эмульсионных микрокристаллов // ЖНиПФиК. — 1974. -Т. 19. -№ 3. -С. 218-219.

20. Fattuzzo Е. Сорро S. On the Mechanism of sulphur sensitization // J. of Pho-togr. Sci. -1972. -V. 20. -№ 2. -P.43-52.

21. Muller // Phys Stat. Sol. 1965. -V.12. 775. (В кн.: Мейкляр П.В. Физичесике процессы при образовании скрытого фотографического изображения. М.: Наука, 1972, -С.71.

22. Slifkin L., Fukikai A., Kim I. Electrically charged surfaces and photographic process. // Photogr. Sci. Eng. -1973. -V.l 1. -№ 12. -P.79-81.

23. Takada S. Ionic conduction of silver bromide emulsions grains by the measurements of dielectric loss // J. Appl. Phys. -1973. -V.12. -№ 2. -P. 190-195.

24. Mymaw C.T. Luminescence effects of iodide addition to silver bromide emulsions // Photogr. Sci. Eng. -1970. -V. 14. -№ 4. -P. 262-269.

25. Колесников JI.B. Свойства микрокристаллов галогенидов серебра и контактных систем на их основе: Диссер. доктор, ф.-м. наук. Кемерово, 1997.

26. Haefke Н., Krohn М., Panov A. The surface structure of vapor-deposited films of AgBr and AgCl. // J. Crystal Growth. -1980. -V. 49. -P. 7.

27. Haefke H., Panov A, H. Hofmeister, Krohn M. Silver halide single crystal films as a model system for latent image research. // Journal Photogr. Sci. — 1984. -V. 32.-P. 8-12.

28. Platikanova V., Starbova K. Model formation of latent image centers. // Photogr. Sci and Eng. -1978. -V. 22. -№ 1. -P. 6-10.

29. Starbova K., Platikanova V. Decoration of sensitivity specs. // Photogr. Sci and Eng, -1979. -V. 23. -№2. -P. 107-111.

30. Aznares J.A. Breakdown of sodium thiosulphate on evaporated Silver Bromide layers, studied by electron microscopy. // Photogr. Sci. and Eng. -1981. -V. 25.-P. 219.

31. Starbova К. Reduction sensitization as a promoter of latent image formation and as a halogen acceptor.// Photogr. Sci and Eng. -1984. -V. 28. -№6. -P. 245-251.

32. Platikanova V. Distribution of developed clusters on evaporated AgBr layers.// J. Imag. Sci. -V. 30. -№ 5. -P. 210-213.

33. Platikanova V. Model experiments on chemical sensitization. // J. inf. Rec. Mater. -1986. -V. 14. -№ 6. -P. 405-416.

34. Hamilton J.F.; Baetzold R. The paradox of Ag2 centers on AgBr: reduction sensitization vs. photolysis.//Photogr. Sci and Eng. -1981. -V. 25. -№ 5. -P. 189-197.

35. Panov A. // Commun. of the Dep. Of Chem. 1979. V.12 p.279. (в стсатье Platikanova V. Model experiments on chemical sensitization. // J. inf. Rec. Mater. 1986. -V. 14. -№6. -P. 405-416.

36. Starbova K., Platikanova V. Decoration of development centers on evaporated silver bromine layers.//J. Signal AM.-1975.-№ 2.-P. 147-153.

37. Panov A., llaefke H. Sensitivity centers and latent image centers in AgBr films created and visualized in vacuum. // The Journal Photogr. Sci. -1986. -V.34. -P. 9-12.

38. Spenser H.E., Brady L.E., Hamilton J.F. Distribution of Development centers in reduction-sensitized silver bromide grains.// J. Opt. Soc. America.-1967. -V. 57. —№ 8. -P. 1020-1024.

39. Пескова M.3., Мейкляр JI.B. Влияние электрического поля на фотографические свойства эмульсионных слоев. // ЖНиПФиК. -1967. -V. 12. -№ 5. -Р. 352-357.

40. Spenser Н.Е., et. al. Development centers and high intensity reciprocity failure.// J. Opt. Soc. America. -1966. -V. 56. -№ 8. -P. 1095.

41. R.K. Hailstone, N.B. Liebert, M.Levy. Development Center Distributions in a AgBr Model Emulsion. 2. Sulfur-Sensitized Versions // Journal of Imaging Science.-1989.-V. 33.-P. 165-172.

42. Hailstone R.K., Liebert N.B., Levy M. // Journal of Imaging Science. -1988. -V. 32.-P. 155.

43. Hailstone R.K. Electronic properties of chemically produced silver clusters: electron trapping or hole removing // The Imag. Sci. Journal. -2001. -V. 49. -P. 189-190.

44. Tani Т., Murofushi M. // Journal Imaging Sci. Technol. 1988, -V.38, -P.l.

45. Kuge K. et. al. Dispersion of latent image specks on reduction-sensitized emulsions. // The Imag. Sci. Journal. -2000. -V. 48. -P. 107-119.

46. Spencer H.E. // Photogr. Sci. Engng. -1967. -V. 11. -P. 352.

47. Tani T. Takada S. // Photogr. Sci. Engng. -1982. -V. 26. -P. 111.

48. Habu Т., Kuge K., Mii N., Arakawa M. Broadering effects of tetrazolium compounds on development center distributions in AgBr emulsions. // Journal Imag. Sci.

49. Tan J., Dai J., Difrancesco A.G., Hailstone R.K. Electronic properties of chemically produced silver clusters: grain morphology studies. // The Imag. Sci. J. -2001. -V.49. -P. 179-187.

50. Galashin A., Rumiantcev A., Zakhrov V. Nonselective reduction of AgBr emulsion. Correlation between concentration of silver on the surface and mi-crocrystals speed. // IS&T's 50th Annual Conference, -P. 52-55.

51. Konstantinov L., Malinowski J. Size and developability of Latent Image Specks. // The Jornal of Photographic Science. -1975. -V. 23. -P. 1-5.

52. Tani T. Analysis of Factors Influencing photographic Sensitivity. // Scientific publications of the Fuji Photo Film Co., Ltd. -№. 32. -P. 57-63.*

53. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. -М.: Наука. -1972.

54. Джеймс Т. Теория фотографического процесса, JI: Химия, 1980. -672с.

55. Чибисов К.В. Природа фотографической чувствительности. ~М. Наука -1980.-404 С.

56. Галашин Е.А., Фок М.В. О механизме образования фотографического изображения, Докл. АН СССР, 1971, т. 199. № 1, -с. 128-131.

57. Chibisov К.V., Fok M.V., Galashin E.A., Senchenkov E.P. The nature of photographic sensitivity and mechanism of the formation of latent image. // J. Phot. Sci. -1973. -V. 21. -№ 3. -P. 125-133.

58. Bayer B.E., Hamilton J.F. Computer investigation of a latent image model. // J. Opt. Soc. America. -1965. -V. 55. -№ 4. -P. 439-452.

59. Hamilton J.F. Latent image formation as probabilistic process. // Phot. Sci. Eng.-1968.-V. 12. №3.-P. 143-145.

60. Malinovski J. Latent image formation in silver halides. // Phot. Sci. Eng. -1970.-V. 14.-№ 2.-P. 112-121.

61. Mitchell J.W. //J. Phys. Chem. -1962. -V. 66. -P. 2359.

62. Hamilton J.F, Brady L.E. Electronic and Ionic mechanism of latent image centers forming. // J. Phys. Chem. -1962. -V. 66. -P. 2384-2390.

63. Hamilton J.F, Brady L.E. Emulsions grains mechanism of the ionic conductivity. Phot. Sci. Eng. -1964. -V. 8. -P. 189-194.

64. Malinovski N. Malinovski J. // J. Imag. Sci. -1985. -V. 29. -P. 105.

65. Колесников Л.В., Михайлова И.В., Звиденцова H.C., Сергеева И.А. Модификация поверхности микрокристаллов галогенидов серебра октаэдри-ческого габитуса в процессе созревания. //ЖНиПФиК. -1995. -Т. 40. -№4. -С. 1-8.

66. Сергеева И.А., Шапошникова Е.В., Бондаренко П.С., Колесников Л.В. Влияние условий синтеза на проводимость микрокристаллов галогенидов серебра. // ЖНиПФ. -2000. -Т. 45. -№ 3.

67. Sugimoto Т. Stable crystal habits of general tetradecahedral microcrystals and monodisperse AgBr particles // Sc. Publ. of Fuji photo film Co.-1982. -№ 30. -P. 28-30.

68. Колесников Л.В., Сергеева И.А. Изменение ионной проводимости при химической сенсибилизации микрокристаллов галогенидов серебра.// ЖНиПФиК. -1994. -Т. 39. -№ 1. 46-48.

69. Юдин A.JL, Колесников JI.B., Гузенко А.Ф. Исследование модификации поверхностного слоя в микрокристаллах галогенидов серебра при изменении ионного равновесия в растворе методом РФЭС // ЖНиПФ. -1999. -Т. 44. -№ 5. -С. 19-30.

70. Колесников Л.В., Федоров Г.М., Никонова Г.Н. Исследование энергетических характеристик эмульсионных микрокристаллов бромида серебра в процессе модификации их поверхности в растворах с различным pAg. // ЖниПФиК. -1990. -Т. 35. -№ 3. -С. 176.

71. Техника электронной микроскопии / Под ред. Д. Кэя.- М.:Гос. Изд-во технико-теоретической лит. -1965. 405 С.

72. Шиммель Г. Методика электронной микроскопии. -М.: Мир, 1972. -300с.

73. Mitchell J.W. The basic concepts of the photoaggregation theory. // IS & T's 48th Annual Conference Proceedings. -P. 136-150.

74. Shiozawa T. Kobayashi T. High resolution electron microscopic study of photolytic silver in silver bromide. // Phys. Stat. Sol. 1987. -V.104. P.47-57.

75. Granzer F. The physics of latent image formation in silver halides. // Proceed of Intern. Symp. Trieste. Italy. July 11-14. -1983. -P. 277.

76. Tani T. // Phot. Sci. and Eng. -1972. -V. 16. P. 35.

77. Jaeniche W. Electochemical properties of silver halides and their relation of photography // Croata chemica acta. -1972. -V. 44. -P. 157.

78. Mitchell G.W. The trapping of electons in crystals of silver halides // Phot. Sci. and Eng. 1983. -V. 27. -№ 3. -P. 96.

79. Латышев А.Н. Оптические и электронные свойства серебряных центров и их роль в начальной стадии фотохимического процесса в галогенидах серебра: Дис. доктор ф.-м. наук. Л.: ГОИ, -1984.

80. Новиков Г.Ф. Алфимов М.В. Влияние электрического поля на образование разделенных пар дефектов по Френкелю. // ЖниПФиК. —1984. —№ 6. -С. 223-225.

81. Heinzelmann Н., Meyer Е., Guntherodt H.-J. Local step structure of the AgBr (100) and (111) surface studied by atomic force microscopy. // Surface Science.-№ 221-1989.-P. 1-10.

82. Haugstad G., Gladfelter W.L., Weberg E.B., Keyes M.P. Atomic force microscopy of the AgBr (111) surface and adsorbed gelatin films. // IS&T's 46th Annual Conference -1993. -P. 256-257.

83. Meyer E., Gutherodt H.J., Haefke H., Gerth G., Krohn M. Atomic resolution on the AgBr (001) surface by atomic force microscopy // Europhys. Lett. -1991-V. 15.-№3.-P. 319-323.

84. J. S. Wey and R. W. Strong. Influence of the Gibbs-Thomson Effect on the Growth Behavior of AgBr Crystals. // Photogr. Sci. and Engineering. -1977. -V. 21. -№ 5. -P. 248-252.

85. Палатник Л.С, Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука. -1971. -480 С.

86. Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников. Под ред. А.В. Рысакова, "Наука" II., 1972.

87. Активная поверхность. Тематический сборник: под ред. Г.И. Дистлера, П.К. Кутегина. Москва. - 1976.

88. H. Haeflce, U.D. Schwarz, H.-J.Guntherodt, H.Frob, G.Gert, R.Steiger. Investigation of AgBr photographic systems with scanning force microscopy. // J. of Imag. Sci. and Tech. -1993. -V. 37. № 6. -P. 545-550.

89. Юдин A.JI., Колесникова И.Л., Гузенко А.Ф., Колесников Л.В. Исследование адсорбции серосодержащих веществ на поверхности микрокристаллов AgBr // ЖНиПФ. -2002. -Т. 47. -№ 4. -С. 3-10.

90. I. Н. Leubner. Formation of Silver Halide Crystals in Double-Jet Precipitation: AgCl // J. of Imag. Sci. -1985. -V. 29. -P. 219-225.

91. Ingo II. Leubner. Number and Size of AgBr Crystals as a Function of Addition Rate: A Theoretical and Experimental Review. // J. of Imag. Sci. -1993. -V.37.-P. 267-271.

92. Буймистров B.H., Фотоэлектрические процессы в кристаллах галогенидов серебра. // Физика твердого тела,1963,5,С.3264-3268.

93. Мейкляр П.В. К вопросу о потенциале ионизации электрона в галоге-нидах серебра. // ЖЭТФ. -1952. -Т. 23. -С. 217-220.

94. Звиденцова Н.С., Колесникова И.Л., Созинов С.А., Шапошникова Е.В., Колесников Л.В. Особенности созревания эмульсий с микрокристаллами AgBr октаэдрического габитуса. // ЖНиПФ. -2000. -Т. 45. -№3.

95. Колесникова И.Л., Юдин А.Л., Созинов С.А. Звиденцова Н.С., Сергеева И.А., Колесников Л.В. Влияние условий синтеза и созревания на свойства и фотографические характеристики микрокристаллов AgBr // ЖНиПФ. -2002. -Т. 47. -№ 4. -С. 11-17.

96. Созинов С.А., Колесникова И.Л., Колесников Л.В. Исследование образования частиц серебра на поверхности микрокристаллов AgBr методом электронной микроскопии // ЖНиПФ. -2002. -Т. 47. -№ 4. -С. 18-24.

97. Созинов С.А., Колесникова И.Л., Колесников Л.В. Особенности выделения серебра на поверхности микрокристаллов AgBr (111) при химическом созревании // Ж11иПФ. 2002. -Т. 47. -№ 4. -С. 25-30.

98. Бонч-Бруевич, Калашников. Физика полупроводников. М.: Наука. -1972.-672 С.

99. Трофимов В.И., Еиикеев Э.Х. О пространственном распределении центров и механизме конденсации золота на ионном кристалле. // ФТТ. -Т. 15-№2.-1973.-С. 355-359.

100. Колесникова ИЛ. Влияние условий синтеза на эффективность созревания октаэдрических микрокристаллов AgBr и систем на их основе: Дис-сер. кандидата хим. наук. Кемерово, 2004.

101. Милешин И.В., Колесников J1.B., Федоров Г.М. Энергетические характеристики гетероконтактов на основе галогенидов серебра. //ЖФХ. -1991. -Т.65. -№6. -С. 1498-1503.

102. Колесников JI.B., Куракин С.И., Федоров Г.М. Состояние поверхности и природа центров концентрирования в микрокристаллах азида серебра. -М. 1990, -16 С.-Деп. В ВИНИТИ АН СССР, -№ 2332-90.

103. Хирс Д. Паунд Г. Испарение и конденсация. Под. ред. Несмеянова. -М.: Металлургия -1966 г. 196 С.

104. Захаров Ю.А., Гасьмаев В.К., Колесников Л.В. О механизме процесса ядрообразования при термическом разложении азида серебра. // ЖФХ. -1976. -№ 7. -С. 1669-1674.

105. Gates A.D., Robins J.L. A universal model for nucleation of gold on NaCl. // Thin Solid Films.-1987.-V. 149. -№ l.-P. 113-128.

106. Колесников JI.B., Куракин С.И., Федоров Г.М. Состояние поверхности и природа центров концентрирования в микрокристаллах азида серебра. -М. 1990. Деп. В ВИ11ИТИ АН СССР. №2332 - С.90.

107. Колесников Л.В., Караченцев В.Г., Сергеева H.A., Свисту нова В.В., Федорова Н.М. Зависимость ионной проводимости ЭМК AgBr (100) от размеров и рВг. // Физика диэлектриков: тез. докл. VI Всесоюзн.конф. -Томск. 1988.-С. 33-34.

108. Колесников Л.В., Гузенко А.Ф., Звиденцова U.C., Дзюбенко Ф.А., Бре-слав Ю.А. Исследование поверхности эмульсионных кристаллов. // ЖниПФиК. 1991. - С. 360-365.

109. Рябых С.М., Картужанский А.Л., Плаченов Б.Т. К вопросу о механизме образования центров скрытого изображения в галогенидах и псевдогало-геннидах серебра. //ЖНиПФ. -Т. 38. -№1. -1993. -С. 8-19.

110. Картужанский А.Л., Рябых С.М. К вопросу об ориентации фото- и радиол итического серебра в галогенидах и азиде серебра. // ЖНиПФ. -№5. -Т. 38.-1993.-С. 14-20.