Влияние условий синтеза на эффективность созревания октаэдрических микрокристаллов AgBr и систем на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Колесникова, Ирина Львовна

• Колесникова, Ирина Львовна
• кандидат химических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат химических наук Колесникова, Ирина Львовна

Введение.

1. Литературный обзор.

1.1. Влияние условий синтеза на процесс роста микрокристаллов AgBr.

1.2. Способы повышения светочувствительности фотоэмульсий: химическая сенсибилизация, стабилизаторы.

1.2.1. В осстановительная сенсибилизация.

1.2.2. Сенсибилизация соединениями серы.

1.2.3. Сенсибилизация солями золота.

1.2.4. Влияние стабилизаторов на сенситометрические характеристики фотографических эмульсий.

1.3. Влияние примеси ионов Cd на светочувствительность МК AgHal.

1.4. Фотографические системы «ядро-оболочка» и «двойная структура».

1.4.1. Фотографические композиционные системы состава AgHal.

1.4.2. Микрокристаллы «ядро-оболочка» с несеребряным ядром.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние условий синтеза на эффективность созревания октаэдрических микрокристаллов AgBr и систем на их основе»

5.2. Смесевые системы «МК AgBr (111)/НК» с нерастворимыми соединениями. 89

5.3. Контактные системы «МК AgBr (111)/НК» с нерастворимыми соединениями. 90

5.4. Контактные системы типа «ядро-оболочка». 931

5.5. Заключение. 105|

Выводы работы. 107'

Список литературы. 108

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность проблемы. Галогенсеребряная фотография имеет долгую и плодотворную историю развития и является ярким примером использования достижения науки в технологии. Несмотря на достижения цифровых средств регистрации информации, системы регистрации на основе галогенидов серебра (AgHal) все еще доминируют в медицине, геодезии и космических наблюдениях, так как имеют большой ресурс по чувствительности и качеству изображения. Как правило, именно при использовании этих ресурсов, фотоматериалы на основе AgHal находили и закрепляли за собой все новые области применения. Иллюстрацией этому служат работы как по оптимизации процесса синтеза, так и оптимизации процесса созревания плоских микрокристаллов (Г-МК), систем типа ядро-оболочка, сложных эпитаксиальных структур. Однако и до настоящего времени остаются вопросы, связанные с влиянием условий синтеза МК на эффективность процесса созревания, а также с установлением взаимосвязи физико-химических свойств МК с фотографическими характеристиками регистрирующих систем. Особенно это относится к МК AgHal октаэдрического габитуса. Анализ литературы и патентов показывает, что, несмотря на огромный объем публикаций по исследованию процесса кристаллизации и оптимизации этого класса МК, они нашли относительно малое применение в промышленных регистрирующих системах. Основная причина сложившейся ситуации, по-видимому, связана с недостатком информации по свойствам МК AgBr (111) и их применению в зависимости от условий синтеза и созревания. В связи с этим необходимы работы, посвященные изучению влияния условий синтеза, размеров МК AgBr (111), их состава на особенности и эффективность оптимизации процесса записи информации.

В последнее время большое внимание исследователей уделяется вопросам, посвященным исследованию условий роста однородных МК кубического и октаэдрического габитусов. Основными параметрами, характеризующими зародышеобразование и рост микрокристаллов, являются пересыщение, критическое пересыщение, критический размер устойчивого зародыша и скорость роста. Предложен ряд методик определения этих параметров. В зависимости от условий синтеза рассматриваются основные механизмы роста микрокристаллов:

- диффузионный, при котором лимитирующей стадией роста является диффузия реагентов к поверхности растущего кристалла;

- поверхностный, при котором лимитирующей стадией роста является встрда-вание ионов в решетку растущего микрокристалла.

Из исследования числа и формы микрокристаллов в зависимости от скорости введения реагентов в раствор, температуры и величины пересыщения, анализируется совместное проявление этих механизмов в реальных условиях роста. Проведенное исследование позволило, в ряде случаев, выявить влияние эффекта Гиббса-Томсона на текущее пересыщение, определить критические размеры зародышей образующейся фазы AgBr и критическое пересыщение. Полученные результаты свидетельствуют о том, что большинство реально используемых методик кристаллизации не соответствует требованиям и условиям получения однородных микрокристаллов (например, ограничению по критической скорости роста МК), что объясняет необходимость использования при синтезе растворителей. Необходимо отметить, что все рассматриваемые исследования не сопровождались исследованиями физико-химических свойств полученных микрокристаллов и процессов их оптимизации. Особенно это относится к микрокристаллам октаэдрической огранки.

Стремление к оптимизации фотопроцессов в системах регистрации информации на основе МК галогенидов серебра привело к попыткам создания сложных систем на их основе. К последним относятся системы типа «ядро-оболочка», «двойная структура», структуры с латеральными оболочками на основе Т-кристаллов, микрокристаллы типа «ядро-оболочка» с несеребряным ядром. Повышение эффективности перечисленных систем связывается с применимостью модели гетероконтакта, а в случае с несеребряным ядром типа

CaWC>4, с прямой эмиссией электронов при поглощении квантов света ядром в галогенидную матрицу. Поскольку передача из несветочувствительного компонента в контактной системе возможна при воздействии электрического поля и при изменении температуры, представляет интерес исследование этого процесса в системе «AgBr - несветочувствительный компонент». Цель работы. Исследование влияния условий синтеза МК, размеров полученных МК, вводимой добавки Cd , а также условий созревания на свойства и формирование чувствительности в МК AgBr (111) и системах на их основе. Научная новизна.

1. Обнаружен эффект созревания МК AgBr (111), заключающийся в формировании высокого уровня чувствительности без введения серосодержащих добавок. Эффективность созревания МК AgBr (111) без добавления серосодержащих добавок зависит от скорости кристаллизации и размеров МК, вводимых иновалентных добавок.

2. Впервые в контактных системах на основе МК AgBr (111) — несветочувствительный компонент показана возможность передачи возбуждения от несветочувствительного компонента в галогенид серебра в электрических и температурных полях.

Защищаемые положения.

1. Установленная взаимосвязь между условиями кристаллизации и свойствами МК AgBr (111).

2. Формирование серебряных центров чувствительности происходит в процессе модификации поверхности вследствие разности химических потенциалов ионов на гранях исходных и конечных форм МК AgBr (111).

3. Введение добавок Cd снижает ионную проводимость и повышает эффективность созревания МК AgBr (111) без серосодержащих добавок.

4. Передача возбуждения с последующим образованием проявляемых центров в контактной системе «AgBr (111)/несветочувствительный компонент» происходит вследствие передачи возбуждений от пироэлектрика в галогенид при воздействии электрического поля и температуры.

Практическая значимость. Все исследования в работе проводились в реальных условиях получения фотоматериалов. Полученные конкретные значения величин пересыщения в используемых методиках синтеза и оптимизации МК AgBr (111) могут быть использованы для выбора условий получения других регистрирующих систем на основе галогенидов серебра.

Обнаруженный эффект созревания МК AgBr (111) без участия серосодержащих соединений имеет практическое и научное значение. Установлены возможности переноса возбуждений и записи информации в контактной системе «AgBr (111)/несветочувствительный компонент» в электрических полях и при изменении температуры.

Публикации. По теме диссертационной работы имеется 37 публикаций, из них 8 статей в реферируемых журналах, остальные публикации - тезисы докладов на конференциях и статьи в сборниках.

БЛАГОДАРНОСТЬ

Автор выражает благодарность преподавателям и сотрудникам кафедры экспериментальной физики Созинову С.А., Морозовой Т.В., Юдину A.JL, Сергеевой И.А., Бондаренко П.С., Плотникову А.И., Высоцкому В.В. за совместную работу, помощь в проведении экспериментов. Особая благодарность научному руководителю Звиденцовой Н.С.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Колесникова, Ирина Львовна

ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. Обнаружен эффект формирования чувствительности в микрокристаллах AgBr (111) без введения серосодержащих добавок (собственное созревание). Образование центров чувствительности Agp происходит в процессе модификации габитуса микрокристаллов при пересыщении в системе вследствие разности химических потенциалов - Цюо

2. Эффективность процесса собственного созревания AgBr (111) увеличивается с размерами МК и достигает максимума при d=0.9-1.2 мкм. Эта величина может быть сопоставлена с длиной диффузионного смещения фотоэлектрона в МК га-логенидов серебра и с оптимальной величиной ионной проводимости для образования центров скрытого изображения.

3. Определены значения пересыщения, критического пересыщения, скорости роста МК AgBr (111) и размер критического зародыша для используемых режимов синтеза. Показано, что в используемых условиях кристаллизации скорость роста G больше критической скорости роста G*, что вероятно приводит к формированию неоднородной структуры кристалла.

4. При малых концентрациях (до 0,1 моль. %), добавка C<f+ не препятствует процессу модификации поверхности и собственному созреванию микрокри

2+ сталлов. С изменением концентрации Cd до 1 моль. % увеличение скорости созревания и достижение максимальной чувствительности при [Cd2+]=0,5 моль.% можно связать с оптимальным значением ионной проводимости для формирования центров скрытого изображения.

5. Разработана методика синтеза кристаллов CaWQt разных размеров и способы наращивания оболочки AgBr. Получены лабораторные прописи получения систем AgBr (111 )/НК разного типа. Показано, что в ряде систем наблюдается изменение плотности почернения в электрических и температурных полях.

5.5. Заключение

Полученные данные свидетельствуют о возможности записи информации в композиционных системах без освещения, за счет пироэлектрической активности несветочувствительного компонента.

Предполагается использовать этот эффект в композиционных системах AgBr/HK, так как основным следствием воздействия на пироэлектрики тепла и электрического поля является их поляризация. Таким образам, изменение ионного равновесия в контактной области, вследствие поляризации пироэлострика и последующего эффекта спонтанной сенсибилизации, приведет, при определенных условиях, к формированию проявляемых центров даже в несенсибили-зированных МК.

Получены предварительные лабораторные прописи синтеза контактных систем на основе бромид серебра/пироэлектрик открытого и закрытого типа и методик сенситометрических испытаний. Получены лабораторные прописи синтезов контактных систем AgBr/HK и систем "ядро-оболочка" с несеребряным ядром.

На основе полученных данных можно сделать соответствующие выводы:

1. Разработана методика синтеза микрокристаллов вольфрамата кальция CaW04 разных размеров методом контролируемой двухструйной кристаллизации.

2. Изысканы способы наращивания эпитаксиальной галогенсеребряной оболочки на ядра вольфрамата кальция.

3. Показано, что наиболее эффективным способом создания микрогетерогенной системы ядро - оболочка являются: наращивание оболочки 1) методом контролируемой двухструйной кристаллизации в избытке серебра, 2) методом физического созревания мелкозернистой эмульсии в избытке бромид - ионов.

4. Проведены исследования композиционных систем ядро - оболочка при воздействии на них электрического поля и низких температур, показывающие возможность записи информации в таких системах.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Колесникова, Ирина Львовна, 2004 год

1. C.R. Вепу and D.C. Skillman. 1.I Photogr. Sci. Eng. 1962. -V.6. -P. 159.

2. R.W. Berriman. 11 J. Photogr. Sci. 1964. -V.12. -P. 121.

3. C.R. Beny. // Photogr. Sci. Eng. 1974. -V.18. -P. 4.

4. J. S. Wey and R. W. Strong.// Photogr. Sci. Eng. 1977. -V.21. -P. 14.

5. A. Hirata and S. Hohnishi. // Bull. Soc. Sci.Photogr. Japan. 1966. -VI6. -P.l.

6. Bennema P., Bogels G., Bollen D., Mussig Т., Meekes H. Crystal Surfaces and Crystal Growth Mechanisms: Application to Crystals Having the NaCl Structure and Especially Silver Halide Crystals // Imag. Sci. Journ. 2001. - Vol. 49, No.l. -P. 32.

7. Харитонова А.И. Теория двухструйной эмульсификации.// ЖНиПФиК. 1983. т.28. № 3. с.226-232.

8. Козлова О.Г. Рост и морфология кристаллов.М.: Изд-во моек, ун-та. 1980 г. 368 с.

9. Бреслав Ю.А., Укусова В.А. //ЖНиПФиК. 1974, т.19. № 4. с. 296.

10. C.R. Berry. //J. Photogr. Sci. Eng. 1976, V.20, #1, P.l

11. Leubner I.H. A Balanced Nucleation and Growth Model for Controlled Percipitations // IS&T/SPSTJ's Intern. Sump, on Silver Halide Imaging: "Silver Halide in a New Millenium", Sept. 11-14, 2000, Canada, P.49-53.

12. Jagannathan R. Growth-Rate Studies on Cubic and Octahedral AgBr Crystals. // J. of Imag. Sci. 1988.-V.32.-P.100-105.

13. Jagannathan R, Wey J.S. Diffusion-controlled Growth in a Crowded Environment. //J. of Crist. Growth. 1981.-V.71. -P.601-606.

14. Ingo H. Leubner. A New Crystal Nucleation Theory for Continuous Precipitation of Silver Halides. // J. of Imag. Sci. and Technology. 1998. -V.42. #4. -P.355-363.

15. R. W. Strong and J. S. Wey. // Photogr. Sci. and Engineering. 1979. #2. -V.23. -P.344-351.

16. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса. -JI: Химия. -1980. -с. 7279.

17. Ingo Н. Leubner. Crystal Formation (Nucleation) in the Presence of Ostwald Ripening Agents.// J. of Imag. Sci. 1987.-V.31. -P. 145-147.

18. Ingo H. Leubner. Formation of Silver Halide Crystals in Double-Jet Precipitation: AgCl/ // J. of Imag. Sci. 1985. -V.29. -P.219-225.

19. Ingo H. Leubner. Number of Size of AgBr Crystals as a Function of Addition Rate: A Theoretical and Experimental Review. // J. of Imag. Sci. 1993.- V.37. -P.267-271.

20. J. S. Wey and R. W. Strong. Influence of the Gibbs-Thomson Effect on the Growth Behavior of AgBr Crystals. // Photogr. Sci. and Engineering. 1977. #5. -V.21. -P.248-252.

21. Jagannathan R., Wey J.S. // J. of Crist. Growth. 1985. -V.73. -P.226-234.

22. T. Sugimoto. Stable Crystal Habits of General Tetradecahedral Microcrystals and Monodisperse AgBr Particles. I. Equilibriumm Forms and Steady Forms.//J. Colloid Interface Sci. 1983. V.91. #1. -P. 51-68.

23. Мейкляр П.В. О химической сенсибилизации. //ЖниПФ 1977 Т.22 N4 с.310.

24. Чибисов К.В. Общая фотография. //М.1984 с.88-106.

25. James Т.Н. Cemical Sensitization, Spektral Sensitiation, and Latent Image Formation in Silver Halide Photography. //Adv.Photochemistry 1986. V.13-P 2659.

26. Шапиро Б.И. Теоретические начала фотографического процесса. М.: Эдиториал УРСС, 2000. - 288 с.

27. П.М. Завлин, JI.JI. Кузнецов, Ю.В. Бейлин. Участие аминогрупп желатины в сенсибилизации галогенсеребряных эмульсий содержащимися соединениями.// ЖНиПФ, 1998, т.43, №1, с. 8-10.

28. Гороховский В.М., Воробьева Г.С Химический анализ фотографических материалов.// ЖНиПФ, 1997, т.42, №1, с. 72.

29. Денисюк И.Ю., Колесова Т.Б., Акимова И.Н. Влияние химических примесей на стабильность центров скрытого изображения в хлорсеребряных эмульсиях. ЖНиПФ., №6., 1995г.

30. Картужанский A.JL, Красный-Адмони JI.B. Химия и физика фотографических процессов. //Л. Химия 1986 с.8-61.

31. G. Di Francesco, С. Pryor, М. Tyne and R. Hailstone. Spectroscopic and

32. Sensitometric Analysis of High pH-Induced Reduction Sensitized Silver Bromideth

33. Emulsions. // IS&T'48 Annual Conference «Imaging on the Information Superhighway», Washington, D.C., 1995, -P.203-205.

34. Tani T. and Murofiishi M. Reduction Sensitization of Silver Chloride and Silver Bromide Emulsions.// J. of Imaging Science and Technology. 1994. -V.38. #1. — P.301-312.

35. Tani T. Silver Clusters of Photographic Interest IV: Reduction Sensitization of Silver Chloride and Silver Bromide Emulsions.// J. Of Imaging Science and Technology. 1998. -V.42. #5. -P.402-410.

36. Латышев A.H. и др. Химико-физическая модель сернисто-серебряных центров светочувствительности.// ЖниПФ 1995T.40-N6 с. 18-22.

37. С.А. Созинов, И.Л. Колесникова, Л.В.Колесников. Особенности выделения серебра на поверхности микрокристаллов AgBr (111) при химическом созревании// ЖНиПФ, 2002, т. 47, № 4, с. 25-30.

38. J.W.Mitchell. Chemical Sensitization and Latent Image Formation: A Historical Perspective. // J. of Imaging Science and Technology. 1989. -V.33. #4. -P.103-114.

39. J.W.Mitchell. The Basic Concepts of the Photoaggregation Theory// IS&T'48th Annual Conference «Imaging on the Information Superhighway», Washington, D.C., 1995, -P.136-150,

40. J.W. Mitchell On the role of sulfur molecules in photographic sensitivity. // J. Of Imaging Science and Technology. 1998. -V.42. #3. -P.215-221.

41. Moisar E. // J.Phot. Sci. 1966.-V.14. -P.181

42. Такада И., Иосида И Канзаки X. Исследование процесса агрегации центров сернистой сенсибилизации на кристаллах эмульсий AgBr. J. Of Society of Phot. Sci. & Technology of Japan. 1990. V.53. #4.-P.340-356.

43. В.И Олешко, Д.Ф. Дьячковский, M.B. Алфимов. Исследование продуктов сернистой сенсибилизации на поверхности таблитчатых ЭМК галогенидов серебра методами аналитической электронной микроскопии и анализа изображения// ЖНиПФ, 1992, т.37, №6, с. 453-460.

44. Hideki Takiguchi. Effect of Tetraazainden on Reaction and Aggregation Processes in Sulfur Sensitization with Thiosulfate.// J. of Imaging Science. 1988. -V.32. #1. -P.20-27.

45. Толстова Л.В., Шапиро Б.И. К вопросу о тестировании Ag2 S-центров. //ЖниПФ 1994 Т.39 N4-5 с. 18-26.

46. Михайленко И.И. и др. Исследование состояния серы на поверхности AgHal методами спинового зонда, рентгенофотоэлектронной спектроскопии и электрохимии. //ЖниПФ 1992 T.37-N2 с. 154-164.

47. Van Doorselaer М.К. Solid State Properties and Photographic Activiti of Crystalline Ag2S and (AgiAu)2S-Specks at the Surface of Silver Halide Crystalls. //J. Phot.Sci 1987 V.35-N2 P.42-52.

48. Van Doorselaer M.K. The mechanism of the Stabilizing Action of Triazaindolisine of Silver Halide Emulsion Layers.// journal of imaging science and technology. 1993 N5-V.37 c.524-531.

49. Baetzold R.C. Computational Study of Sulfur Sensitizing Centers on AgBr//Journ. Imag. Sci. and Technol. 2001. - Vol. 45, No. 3. - P. 247-253.

50. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании фотографического изображения. //М. Наука 1972 с.228.

51. Новиков И.А., Гафурова Н.С. // ЖНиПФиК. 1958. №3. с. 173.

52. Денисюк И.Ю., Колесова Т.Б., Акимова И.Н. Влияние химических примесей на стабильность центров скрытого изображения в хлорсеребряных эмульсиях. ЖНиПФ., №6., 1995г.

53. Колесников JI.B., Михайлова И.В., Звиденцова H.C., Сергева И.А. Модификация поверхности микрокристаллов галогенидов серебра октаэдрического габитуса в процессе созревания.//ЖНиПФиК.1995.-т.40.№4.-с.1-8.

54. Гузенко А.Ф. Исследования состояния поверхности эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. // Диссертация на соиск. учен, степени к.ф.-м.н. Кемерово, 1996.

55. Shi Y., Yang X., Xia P. Effects of some compounds with sulfur and nitrogen on imaging process of silver halide// Photogr. Sci. and Photochem. 2000. V.18, № 3. P. 214-222.

56. Li Y., Liu X., Huang D., Tian В., Zhou J., Ren S., Zhang D. Characteristics of Some Derivatives of Tetraazaindene // IS&T/SPSTJ's Intern. Sump, on Silver Halide Imaging: "Silver Halide in a New Millenium", Sept. 11-14, 2000, Canada, P.l 18-122.

57. Толстобров В.И., Нижнер Д.Г., Суворин B.B., Белоус В.М. Влияние поливалентных катионов на огранку и фотографические свойства эмульсионных микрокристаллов.// ЖНиПФ. 1980 №1. с. 338-343.

58. Zang X.-J., Yan T.-T., Yue J., Peng B.-X. Study of Ions (Cu2+)-dopping Effect on Cubic Silver Chloride Emulsion/// J. Inf. Rec. Mater. 1991. V.19. #3.-P.233-237.

59. Slagt M. and Iwasa Y. Effect of Iridium Doping in Cubic and Octahedral AgBr Grains on the Latent Image Formation Process// IS&T/SPSTJ's Intern. Sump, on Silver Halide Imaging: "Silver Halide in a New Millenium", Sept. 11-14, 2000, Canada, P.221-224.

60. Звиденцова H.C. Синтез и исследование фотографических систем типа «ядро оболочка»: Дис. . канд. хим. наук. - Кемерово, 1992

61. Бреслав Ю.А., Канторович В.Д., Звиденцова Н.С., Калентьев В.К., Майборода В.Д. Фотографические системы ядро-оболочка и двойная структура.М: НИИТЭХИМ. 1986. №2. 50 с.

62. Кагакин Е.И. Синтез и свойства фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами галогенидов серебра сложного состава и строения: Диссертация на соиск. учен. ст. д.х.н. Кемерово,2002.

63. Пат. ЕР 0121435// Miyamoto A. -1984.

64. Bando S., Shibahara Y., Ishimaru. S. Photographic Silver Halide Emulsion Containing Double Structure Grains.// J. Imag. Sci. 1985. V.29J 5. -P.193-195.

65. Пат. 4444877.//Koitabashi Т., Matzaka S. 1984.

66. Сечкарев Б.А., Сотникова JI.B. и др. Эффект десенсибилизации при создании гетероконтактных микрокристаллов с химически сенсибилизированными ядрами. // ЖНиПФ. 1999, т. 44, №6 - с.26-29.

67. Сечкарев Б.А., Сотникова Л.В., Рябова М.И., Игнатьева Т.А., Утехин А.Н. Влияние спектральной сенсибилизации на глубинную светочувствительность микрокристаллов AgHal гетероконтактного типа. // ЖНиПФ. 1999, т. 44, №4 - с.32-37.

68. Hou Z. at all. A study of the Preparation and Properties of Core-Shell Emulsion. // Journal of Imaging Science. 1990. V.34. # 5. -P. 155-159.

69. Hailstone R.K., Liebert N.B., Levi M., Hamilton J.F. A Study of Internal Latent Image in AgBr Core/Shell EmulsionV/Journal Photographic Science/ 1988. V.36. -P.2-9.

70. Терентьев В.Г., Сечкарёв Б.А. Фотографические характеристики слоев, содержащих микрокристаллы типа «двойная структура». // ЖНиПФ. №5 1995. с. 23

71. Терентьев Е.Г. Изыскание путей синтеза галогенсеребряных систем «ядро — оболочка» для обеспечения защиты фотографических материалов: Дис. . канд. хим. наук. Кемерово, 1991

72. Садыкова А.А., Степанов А.Л., Мейкляр П.В. Отклонения от закона взаимозаместимости при низких освещённостях на спектрально сенсибилизированных эмульсиях типа ядро оболочка. // ЖНиПФ. №5 1991. с. 378

73. Садыкова А.А., Иванов В.О. Сохраняемость фотографических слоёв на основе эмульсии ядро оболочка. // ЖНиПФ. №1 1990. с. 76

74. Чибисов К.В. Фундаментальные принципы фотографического процесса. // ЖНиПФ. №3 1988. с. 226

75. Нижнер Д.Г., Белоус В.М., Чибисов К.В. Особенности проявления эмульсионных микрокристаллов типа несеребряное ядросветочувствительная галогенсеребряная оболочка. // ЖНиПФ. №5 1987. с. 391

76. Нижнер Д.Г., Манченко Л.И., Белоус В.М. Механизм образования галогенсеребряных оболочек на поверхности несеребряных частиц. // ЖНиПФ. №4 1989. с. 312

77. Xinmin GUO and Sue WANG. Preparation and property of non-silver core and halide shell microcrystals // Inter.Cong. Imag.Sci. Belgium. 1998. p.295-297

78. Крылов A.B. Диссертация на соискание уч. степени канд. техн. наук Л.: ЛИКИ. 1982.

79. Жуков Ю.В., Колесников Л.В., Полыгалов Ю.И. Стабилизация поверхности микрокристаллов AgBr в электростатическом приближении // Ж. Физ. Хим-1990.-Т.64. №6.-С.1693-1995.

80. Такада С. Исследование ионной проводимости и слоя пространственного заряда в зернах фотографической эмульсии. Связь между светочувствительностью и физическими свойствами галогенидов серебра//Нихон Сясин Гаккайси 1981.-С.81-95.-перевод И-№23476.

81. Tan Y.T., Lam W., Reed К. Effect of adsorbed species on the surface potential of AgBr//J. Appl.Phys.l982.-V.6.-P.53-57.

82. Hoyen H.A., Tan Y. Subsurface space charge and sur-face charge in AgBr microspheres. //J.of Col.and Inbert Sci.l981.-V.79.-P.525-534.

83. Harry A., Hoyen Jr. Dielectric-loss measurements of interfacial polarization at silver halide insulator intersurfaces //BulgJ.Phys.1985.-V.12. №2.-P.177-189.

84. Takada S. Ionic conduction of silver bromide emulsion grains by the measurements dielectric-loss //Jap. J.of Appl.Phys. 1973.-V.12. №2.-P. 190-195.

85. Callens F., Maenhout van der Vorst W. Edge length dependence of the ionic conductivity and space charge characteristics of AgBr emulsion grains.//Phys. Stat. Sol.(a). 1980.-V.59.-P.453-460.

86. Harry A., Hoyen J. Phenomena at Silver Halide Interfaces Requiring Additional Fundamental Understanding // «The Physics of latent Image Formational in Silver Halides» Proc. Int.Symp. Triest, Italy, July 11-14, 1983.-P.151-165.

87. Danyluk S., Blakely J. Space charge regions at silver halide surface experimental results for undoped AgCl// Surf.Sci.l974.-V.41.-P.359-370.

88. Callens F., Maenhout-van der Vorst, Ketellapper L.W. The effects of the solution pAg and pH on the space charge characteristics of silver bromide emulsion grains //Phys.St.Sol.(a) 1982.-V.70. №1. -P. 189-195.

89. Callens F., Maenhout-van der Vorst W. The influence of triazaindolisini on the ionic conductivity of AgBr emulsions grains// Soc.of. Phot. Sci. and Eng. 1983.-V.27. №5. -P.202-204.

90. Hunter J., Hoyen H. Effects of divalent anionic impurities on space charge in AgBr microspheres // J. Appl. Phys. 1985. -V.57. №4. -P.l 130-1138

91. Kliver K.L. Space charge in ionic crystals. I. Silver halides containing divalent cations // J. Phys. Chem. Solids. Pergamnon Press. 1966-V.27.-P.705-717.

92. Kliewer K.L. Space charge in ionic crystals. II. The electron affinity and impurity accumulation // Phys. Rev. 1965. V.140.N4A. - P. 1241-1246.

93. Колесников JI.B., Сергеева И.А. Природа и разделение релаксационных максимумов в спектрах диэлектрических потерь монокристаллов галогенидов серебра.// ЖТФ. 1994. -Т.64.-В.4.-С.184-187.

94. Tan Y.T. Ionic defects in silver halides, surface and bulk //J.Soc.Photogr.Sci.Technol.Japan. 1991 -V.54.№4. -P.457-463.

95. Takada S. Ionic conduction and space charge layer in silver halide photographic emulsion grains//Phot. Sci. and Eng.l974.-V.18.№.5- P.501-503.

96. Сергеева И.А. Исследование ионной проводимости эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра методом диэлектрических потерь.// Автореферат дисс. на соискание ученой степени к.ф.-м.н., Кемерово. 1993.

97. Новиков Г.Ф., Алфимов М.В. Влияние электрического поля на образование разделенных пар дефектов по Френкелю //ЖНиПФиК. 1985. №3. -С.223-225.

98. Mitchell J.W. The Trapping of Electron in Crystals of Silver Halides // Phot.Sci.Eng.-1983.-V.27,№ 3 .-P.96-102.

99. Mitchell J.W. // Phot. Sci. Eng.-1981.-V.25, № 5.-P.170-182.

100. Hamilton J., Brady L.F. //Surf. Sci. 1956.-V.23.-P.389-402.

101. Derri R.J., Spoonhower J.P.// Photogr. Sci.and Eng. 1984. v.28#3. P.92.

102. Derri R.J., Spoonhower J.P.// J. Appl.Phys. 1985. v.57. #8. P.2806.

103. Грабчак С.Ю., Новиков Г.Ф. Быстрозатухающий фотоэлектрический эффект в бромиде серебра //ЖНиПФиК,1988. т.33.№5. с.371-373.

104. Новиков Г.Ф., Грабчак С.Ю., Алфимов М.В. Вклад свободного электрона в СВЧ-поглощение, индуцированное импульсом света в плавленом бромиде серебра. 300 К.//ЖНиПФ,1990. т.35.№1. с.18-26.

105. Грабчак С.Ю., Новиков Г.Ф., Моисеева Л.С., Любовский М.Р., Алфимов М.В. Фотодиэлектрический эффект и фотопроводимость в порошкообразном бромиде серебра. 300 К. //ЖНиПФиК,1990. т.35.№2. с.134-140.

106. Novikov G.F., Sikorenko N.P., Alfimov M.V.// J. Chem. Phys. 1991. v.8. #6. p. 1272.

107. Тараканов А.Ю., Новиков Г.Ф., Алфимов М.В. Об эффективности электронных стадий процесса последовательного концентрирования в механизмах Герни-Мотта и Митчелла.// ЖНиПФ. 1986. т.31. №3. с.219-221.

108. Новиков Г.Ф. Электрон-ионные процессы в микрополвдисперсионных галогенидах серебра. Противоречивость литературных данных.// ЖНиПФ. 1997, т.42, №6, с.3-13

109. C.R. Вепу. // Photogr. Sci. Eng. 1970. -V. 18. -P.* 169.

110. Hamilton J.F.// Photogr. Sci. Eng. 1983. v. 27. P. 225.

111. Hamilton J.F., Harbison J.M., Jeannaire D.L. // J. Imag. Sci. 1988. v. 32. P. 17.

112. Kaneda T.//J. Imag. Sci. 1989. v. 33. P. 115.

113. И.А. Сергеева, П.С. Бондаренко, И.Л. Колесникова, А.Л.Юдин, Л.В. Колесников. Влияние добавок двухвалентного катиона на проводимость микрокристаллов AgBr //Материаловедение, 2 (71),2003, с. 23-27.

114. Палатник Л.С, Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука. 1971. 480 с.

115. Sozinov S.A., Kolesnikova I.L. Influence of Crystalization Rate on structure of AgBr MC / Intern. Symp. IS&T/SPSTY^s AgX-2000, Canada, Quebec, 2000, p. 165-166.

116. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа.1975. с.

117. Юдин А.Л. Исследование модификации поверхности микрокристаллов галогенидов серебра при взаимодействии с фотографически активными добавками.//Диссертация на соиск. учен. ст. к.ф.-м.н. Кемерово,2004.

118. Колесников Л.В., Гузенко А.Ф., Юдин А.Л. Исследование модификации приповерхностного слоя в микрокристаллах галогенидов серебра при изменении ионного равновесия в растворе методом РФЭС.//ЖНиПФ. 1999. т.44. №5, с. 19-30.

119. Михайлова И.В., Звиденцова Н.С., Сергеева И.А., Колесников Л.В. Модификация поверхности микрокристаллов галогенидов серебра октаэдрического габитуса в процессе созревания ЖНиПФиК.1995.-т.40.№4.-с.1.

120. Титов Ф.В. Влияние ионов Cd (II) на кристаллизацию и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра гетероконтактного типа. Диссертация на соиск. учен, степени к.х.н. Кемерово, 1999.

121. Сергеева И.А., Шапошникова Е.В., Бондаренко П.С., Колесников J1.B. Влияние условий синтеза на проводимость микрокристаллов галогенидов серебра // ЖНиПФ. 2000. Т.45, №3. С.23-31.

122. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М. Мир. 1981. 736 с.

123. Смоленский Г.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука. 1971.