Кристаллизация и формирование светочувствительности микрокристаллов AgHal различной структуры в фотографическом процессе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор химических наук Сечкарев, Борис Алексеевич

• Сечкарев, Борис Алексеевич
• доктор химических наук
• 1999

Оглавление диссертации доктор химических наук Сечкарев, Борис Алексеевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1.ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МИКРОКРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА.

1.1. Природа фотографической чувствительности галогенидов серебра.

1.1.1. Кристаллическая структура галогенидов серебра.

1.1.2. Примесные дефекты.

1.1.3. Свойства границы раздела AgHal / раствора.

1.2. Химическая сенсибилизация.

1.2.1. Восстановительная сенсибилизация.

1.2.2. Сернистая сенсибилизация.

1.2.3. Органические химические сенсибилизаторы.

1.2.4. Сенсибилизация солями золота.

1.3. Спектральная сенсибилизация.

1.4. Скрытое изображение.

1.4.1. Теории образования скрытого изображения.

1.4.2. Минимальный размер центра скрытого изображения.

1.5.Химико-фотографическая обработка.

1.5.1 .Фотографическое проявление.

1.5.2.Механизмы фотографического проявления.

1.5.3. Поверхностное и глубинное проявление.

1.6. Гетероконтактные МК АдНа1 типа «ядро-оболочка».

1.6.1. Структура и способы получения МК «ядро-оболочка».

1.6.2.Галогенидный состав МК «ядро-оболочка».

1.6.3. Химическая сенсибилизация систем «ядро-оболочка».

1.6.4. Спектральная сенсибилизация систем «ядро-оболочка».

Резюме.

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ.

2.1. Синтез галогенсеребряной эмульсии.

2.1.1 .Метод управляемой двухструйной кристаллизации.

2.1.2. Метод рекристаллизации особомелкозернистой эмульсии.

2.2. Электронная микроскопия.

2.2.1 .Определение гранулометрических характеристик.

2.2.2.Кристаллографический анализ.

2.2.3.Подготовка образцов для электронно-микроскопических исследований.

2.3. Седиментационный анализ.

2.4.Методика исследования адсорбции.

2.4.1. Подготовка образцов для проведения адсорбции.

2.4.2. Определение коэффициентов экстинции исследуемых адсорбатов.

2.4.3. Проведение адсорбции.

2.5. Химическая сенсибилизация.

2.5.1. Химическая сенсибилизация фотографических эмульсий с МК AgCl.

2.6. Спектральная сенсибилизация.

2.7. Сенситометрия и денситометрия.

2.8. Резольвометрия.

2.9.Спектрофотометри я.

2.10. Химико-фотографическая обработка.

2.11. Исследования стабильности центров СИ.

2.11.1. Общая методика.

2.11.2. Измерение геёох-потенциалов.

2.12. Технические характеристики используемых реактивов.

ГЛАВА 3.КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ И СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ЭМУЛЬСИОННЫХ МИКРОКРИСТАЛЛОВ ХЛОРИДА СЕРЕБРА И ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

СИСТЕМ НА ИХ ОСНОВЕ.

3.1. Кристаллизация МК AgCl.

3.1.2. Влияние скорости подачи растворов реагентов.

3.1.3. Влияние pAg синтеза и присутствия растворителей.

3.1.4. Влияние температуры синтеза.

3.1.5. Влияние продолжительности физического созревания.

3.1.6. Влияние молярной концентрации растворов реагентов.

3.2. Сенсибилизация эмульсионных МК AgCl.

3.2.1. Исследование адсорбции эталонного красителя.

3.2.2. Исследование конвертации поверхности МК AgCl иодидом

3.2.3. Сернистая сенсибилизация.

3.2.4. Сернисто-золотая сенсибилизация.

3.2.5. Сенсибилизация солями золота.

3.2.6. Химико-фотографическая обработка.

3.2.7. Выводы по разделу 3.2.

3.3.Возможности практического применения эмульсионных МК AgCl.

3.3.1. Фототехнические пленки для полиграфии.

3.3.2. Перспективы использования монодисперсных МК AgCl для фототехничеких материалов.

3.4.Эпитаксиальные системы на основе AgCl.

3.4.1. Кристаллизация Т-кристаллов AgBr с эпитаксами AgCl.

3.4.2. Кристаллизация кубических {100} МК AgBr с эпитаксами AgCl.

3.4.3. Химическая сенсибилизация эпитаксиальных систем.

Резюме.

ГЛАВА 4.СЕНСИБИЛИЗАЦИЯ ЭМУЛЬСИОННЫХ МИКРОКРИСТАЛЛОВ

AgHal ОРГАНИЧЕСКИМИ СЕНСИБИЛИЗАТОРАМИ.

4.1 .Характеристики МК для исследования сенсибилизации.

4.2.Характеристики органических сенсибилизаторов.

4.3 .Результаты исследования.

Резюме.

ГЛАВА 5. МИКРОКРИСТАЛЛЫ AgHal ТИПА "ЯДРО-ОБОЛОЧКА" С

ГЛУБИННЫМИ ЦЕНТРАМИ СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ.

5.1 .Кристаллизация ядровых МК AgHal.

5.1.1. Галогенидный состав ядровых МК.

5.2.Создание примесных центров светочувствительности на поверхности

МК AgHal ядровой эмульсии.

5.2.1. Сернисто-золотая сенсибилизация.

5.2.2. Восстановительная сенсибилизация.

5.3. Стабилизация центров светочувствительности.

5.3.1. Исследование стабилизации ядровых МК.

5.3.2. Исследование влияния стабилизаторов на сенситометрические характеристики ядровой эмульсии.

5.4.Кристаллизация оболочек на ядровые МК.

5.4.1. Влияние кристаллизации оболочки на сенситометрические характеристики ядровой эмульсии.

5.4.2. Кристаллизация оболочек на стабилизированные ядровые МК.

5.4.3. Влияния стабилизаторов, адсорбированных на оболочке, на глубинные центры светочувствительности МК ядро-оболочка

5.5.Химико-фотографическая обработка эмульсионных МК ядро-оболочка с глубинными центрами светочувствительности.

5.5.1. Влияние стабилизаторов, введенных в проявляющий раствор, на эффективность глубинного проявления.

5.6. Спектральная сенсибилизация МК AgHal типа «ядро-оболочка»

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кристаллизация и формирование светочувствительности микрокристаллов AgHal различной структуры в фотографическом процессе»

Актуальность проблемы. Уникальная способность галогенидов серебра образовывать при фотолизе скрытое фотографическое изображение, которое

7 10 способно усиливаться в 10 - 10 раз действием специальных органических восстановителей, делает А§На1 незаменимыми для записи оптической информации. Несмотря на интенсивное развитие, особенно в последнее десятилетие, электронных средств записи оптической информации, галогенсереб-ряная фотография продолжает оставаться основным способом получения визуальных изображений в твердых копиях. Частотно-контрастные характеристики и соотношение чувствительность/разрешающая способность галоген-серебряных фотографических материалов значительно выше, чем у сопоставимых по себестоимости электронных аналогов [1]. За более чем полутора вековое существование традиционной фотографии предпринимались многочисленные попытки заменить галогениды серебра в фотографических материалах на соединения меди или другие химические соединения, включая органические [2,3]. Несеребреные способы регистрации оптического изображения или проигрывают в скорости обработки, или оказываются более дорогостоящими. Изобретение электронных (цифровых и аналоговых) способов регистрации изображения позволило превзойти галогенсеребряную фотографию по фотографическому отклику, частотно-контрастным характеристикам, сохраняемости и др. [4]. Однако электронные способы регистрации изображения, несмотря на многие преимущества по сравнению с классическим фотографическим процессом (простота архивирования и хранения, быстрота и удобство передачи изображения на расстоянии, возможность трансформации изображений в любом удобном для потребителя виде, гарантированное получение безошибочно качественных копий) являются все еще дорогостоящим, а получение изображения сравнимого по качеству с галогенсеребря-ным, требует специальной достаточно громоздкой аппаратуры. Учитывая, также, консервативность профессиональных потребителей, консервативность подготовки специалистов и всемирно налаженное сервисное обслуживание в традиционной фотографии, электронные способы записи информации не могут практически в ближайшее десятилетие вытеснить традиционные фотографические методы. Таким образом, А^а1- фотография остается наиболее распространенным высококачественным методом регистрации оптической информации в различных областях науки и техники, медицине, полиграфии, художественной и любительской фотографии.

Традиционные галогенсеребряные фотографические материалы постоянно совершенствуются и конкуренция с альтернативными способами записи информации стимулирует этот процесс. В настоящее время к физико-химическим свойствам микрокристаллов (МК) А§На1 для изготовления фотографических материалов предъявляют более высокие требования, которые не могут быть реализованы в рамках традиционных подходов. Оптимизировать фотографический процесс в AgHal- фотоматериалах возможно путем использования новых типов монодисперсных эмульсионных МК AgHal, позволяющих повысить эффективность фотопроцесса за счет более эффективного использования энергии света, уменьшения рассеяния в эмульсионном слое, локализации скрытого изображения (СИ) и повышения эффективности процессов химико-фотографической обработки материалов. Одним из способов оптимизации характеристик фотоматериалов является использование ге-тероконтактных МК. К последним относятся изометрические МК типа "ядро-оболочка" с ядрами и оболочками различного галогенидного состава (А§Вг(1)М£Вг, AgBr(I)/AgCl, AgBr(I)/AgBr(Cl) и т.д., а так же многооболо-чечные системы) [5], Т-кристаллы AgBr(I) с латеральными оболочками переменного галогенидного состава (Т-Ьп-кристаллы) [6,7], эпитаксиальные системы (изометрические и Т-кристаллы А§Вг(1), AgBr с эпитаксами AgCl и т.д.) [8,9]. Это позволяет в широких пределах изменять основные физико-химические параметры МК, от которых зависят эффективность образования и концентрирования СИ и спектральная чувствительность фотографической эмульсии. Свойства таких систем - МК AgHal гетероконтактного типа - имеют принципиальное отличие от свойств традиционных МК. В сравнении с последними, гетероконтактные МК обладают целым рядом дополнительных «степеней свободы», позволяющих расширить диапазон их физико-химических параметров: состав входящих в МК фаз, их объемное и геометрическое соотношение, структуры диффузионной зоны и поверхности, концентрация и вид дефектов и др. Использование фотографических эмульсий с МК AgHal гетероконтактного типа «ядро-оболочка» позволило создать пря-мопозитивные фотоматериалы, которые нашли широкое практическое применение [10]. Фотопроцесс в этих системах основан на разрушении фотодырками поверхностных центров вуали, а электроны захватываются на глубинных центрах светочувствительности и не участвуют в процессе получения изображения. Однако, по данным Берга [11], именно глубинные центры светочувствительности должны обладать повышенной устойчивостью к окислению фотодырками. Кроме того, такие центры должны быть более стабильны при хранении. Получение МК гетероконтактного типа «ядро-оболочка» с глубинными центрами светочувствительности представляет большой научный и практический интерес. Однако до сих пор не удавалось получить глубинное изображение, сравнимое по фотографическим характеристикам с поверхностным. Решение этой задачи позволило бы значительно расширить спектр использования AgHal-фoтoгpaфичecкиx материалов.

Таким образом фотографические гетероконтактные системы с МК различной структуры (эпитаксиальные, "ядро-оболочка"), различного галоге-нидного состава, в том числе на основе хлорида серебра, позволяют решать множество задач по оптимизации различных стадий фотографического процесса, усовершенствовать разнообразные свойства фотографических материалов и достигать новых эффектов используемых для создания новых материалов специального назначения (фототехнические, инфрахроматические, аэрофотографические и др.).

Настоящая диссертация посвящена изысканию путей создания гетеро-контактных систем, формированию светочувствительности и оптимизации различных стадий фотографического процесса в этих системах.

Следует отметить, что если кристаллизация и формирование СИ в МК AgBr, AgBr(I) давно и хорошо изучены, то кристаллизация и формирование светочувствительности в чистых (без примеси других галогенидов) МК AgCl, из-за ограниченности их применения, изучены недостаточно. В связи с этим, имеется необходимость провести систематические исследования в этой области.

Поскольку гетероконтактные системы позволяют реализовывать новые достижения в практической фотографии, то сведения о путях создания этих систем, методах оптимизации фотопроцесса в них ограничены, или отсутствуют в научно-технической и патентной литературе. Поэтому:

Цель работы:

1. Провести систематические исследования процессов массовой кристаллизации эмульсионных МК AgCl, эпитаксиальных систем на их основе и гетероконтактных МК AgHal типа "ядро-оболочка".

2. Исследовать процессы формирования поверхностных и глубинных центров светочувствительности, стабильность и проявление центров скрытого изображения в гетероконтактных микрокристаллах AgHal.

3. На основе результатов систематических исследований определить пути создания фотографических материалов специального назначения на основе микрокристаллов AgHal различных структур и составов.

Научная новизна

1. Проведены систематические исследования процесса массовой кристаллизации эмульсионных МК AgCl. Установлены закономерности влияния физико-химических параметров кристаллизационного процесса на гранулометрическую и кристаллографическую однородность и дисперсионные характеристики синтезируемых МК. Установлены условия получения монодисперсных микрокристаллов AgCl с заданными гранулометрическими характеристиками. Создана оригинальная методика сенситометрического контроля процесса химической сенсибилизации эмульсионных МК AgCl.

2. Изучены и оптимизированы процессы кристаллизации и сенсибилизации гетероконтактных Т-кристаллов AgBr с угловыми эпитаксами AgCl. Показано, что полученные гетероконтактные системы обладают двукратным преимуществом в светочувствительности, по сравнению с традиционными Т-кристаллами AgBr.

3. Экспериментально исследован процесс химической сенсибилизации микрокристаллов AgHal различного габитуса и галогенидного состава новыми органическими соединениями, содержащими лабильную серу и выявлены их преимущества при сенсибилизации микрокристаллов AgCl и Т- кристаллов AgBr.

4. Разработаны научные основы создания новых фотографических систем гетероконтактного типа ядро-оболочка с глубинными центрами светочувствительности.

5. Выполнен анализ влияния химического состава проявляющих растворов на фотографические характеристики проявленного изображения в микрокристаллах AgHal различного габитуса на основе сопоставления окислительно-восстановительных свойств центров скрытого изображения различной природы и redox потенциалов проявляющих растворов.

Защищаемые положения

1. Экспериментально установленные физико-химические параметры кристаллизации монодисперсных микрокристаллов AgCl заданного гранулометрического состава и гетероконтактных Т- кристаллов AgBr с угловыми эпитаксами AgCl.

2. Установленные с помощью оригинальной методики сенситометрического контроля, позволяющей регистрировать результат химической сенсибилизации микрокристаллов AgCl малого (d < 0,2 мкм) размера, закономерности химической сенсибилизации эмульсионных микрокристаллов AgCl.

3. Закономерности химической сенсибилизации гетероконтактных Т-кристаллов AgBr с угловыми эпитаксами AgCl, позволяющие достичь двукратного преимущества в светочувствительности эпитаксиальных систем, по сравнению с традиционными Т-кристаллами AgBr.

4. Закономерности химической сенсибилизации эмульсионных микрокристаллов AgBr, AgBr(I), AgCl кубической {100} огранки и Т - кристаллов AgBr новыми органическими соединениями, содержащими лабильную серу.

6. Условия формирования глубинных центров светочувствительности на эмульсионных микрокристаллах гетероконтактного типа "ядро-оболочка" AgBr(I)/AgBr, стабильных при наращивании оболочки.

7. Химический состав проявляющих растворов для эффективного глубинного фотографического проявления.

Практическая значимость

На основе результатов систематических исследований процессов кристаллизации и закономерностей формирования сенситометрических и контрастных характеристик фотографических эмульсий с МК различных структур, созданы образцы светочувствительных материалов специального назначения. Результаты работы внедрены при разработке новых перспективных фотографических материалов в организации в/ч 33825.

Разработан временный технологический регламент получения фототехнической пленки на основе микрокристаллов AgCl для полиграфии с характеристиками, не уступающими зарубежным аналогам. Создан и испытан лабораторный образец.

Полученные результаты работы защищены 4 авторскими свидетельствами СССР и 1 патентом Российской Федерации.

Апробация работы

Основные результаты и положения работы докладывались и обсуждались на 15-ом симпозиуме "Fotografía Akademica" (Pardubice, CSFR, 1989),

ICPS'90 Congrees, (Beijing, 1990), 1 Всес.симпозиум "Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра", (Черноголовка,!990), 5 всесоюзном совещании «Радиационные гетерогенные процессы» (Кемерово, 1990), 4th Europian East-West Conference,(St-Peterburg, 1993), IS&T 47th Annual Conference, ICPS'94 (New York, 1994), научной конференции 40 лет КемГУ, (Кемерово, 1994), 6 международной конференции «Радиационные и гетерогенные процессы» (Кемерово, 1995), IS&T's 48th Annual Conference (Washington 1995), 4 международной конференции "Прочность и пластичность материалов в условиях внешних энергетических воздействий" (Новокузнецк РФ, 1995), Illth International Symposium on the reactivity of Solids (Hamburg, BRD, 1996), 9 международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (Томск, 1996), IS&T's 49th Annual Conference, (Minneapolis, USA, 1996), IS&T's 50th Annual Conference (Cambridge, USA, 1997), 1997 International Symposium on Silver Halide Imaging: Recent Advances and Future Opportunities in Silver Halide Imaging (Vancouver, Canada, 1997), I Всероссийский симпозиум «Твердотельные детекторы ионизирующих излучений», (Екатеринбург, 1997), XVI Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, (С.Петербург, 1998), IS&T 51st Annual Conference, (Portland, USA, 1998), ICPS'98 (Antverp, Belgium, 1998), IS&T 52nd Annual Conference, (Savannah, USA, 1999), V Российско-китайском международном симпозиуме "Новые материалы и технологии" (Байкальск, 1999).

Публикации. По материалам диссертации опубликована 51 работа в центральной и зарубежной печати.

Личный вклад автора. В работу вошли результаты, полученные автором самостоятельно и совместно с аспирантами, соискателями и сотрудниками, которые под научным руководством автора выполняли диссертационные работы. Соавторов по публикациям, принимавших участие во всем цикле работ, нет.

Основания для выполнения работы Работа выполнялась в соответствии с Постановлением СМ СССР № 136-46 от 27.01.86, Решением ГКНТ № 320 от 16.07.86, Решением ГКНТ и ГК №450/379 от 15.10.86, Решением ВПК № 348 от 20.09.86, Решением ГК № 398 от 03.11.86, Решением ГК № 251 от 04.07.88, Решением ГК № 410 от 05.11.88, Решением ГВПК № 58 от 20.04.91, координационным планом АН СССР по проблеме "Фотографические процессы регистрации информации" по п.2.5.1.2. на 1986-1990 г.г., планами важнейших НИР Кемеровского государственного университета, в рамках х/д НИР "Бриз", "Юрга-РВО 1ДГ, "Мост", "Радость", "Одиссей", "Еролаш -РВО", "Фототех", "Ероол-РВО-К 1ДГ в период с 1986 по 1999 г.г.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Сечкарев, Борис Алексеевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Установлены общие закономерности влияния физико-химических параметров кристаллизационного процесса при двухструйной кристаллизации эмульсионных МК AgCl на гранулометрическую однородность и средний эквивалентный диаметр синтезируемых МК. Экспериментально доказано, что для получения монодисперсных МК AgCl (Су < 15%) со средним эквивалентным диаметром с! < 0,4 мкм процесс кристаллизации должен протекать в отсутствие растворителей AgHal и оптимальными являются следующие условия кристаллизации: температура Т= 45 -г 60 (°С); pAg = 5,0^-8,0; скорости подачи растворов реагентов ниже определенных в работе значений критических скоростей, зависящих от температуры; продолжительность физического созревания - не менее 90 мин.

2. Создана оригинальная методика исследования химической сенсибилизации эмульсионных микрокристаллов AgCl сенситометрическим методом, позволяющая регистрировать результат химической сенсибилизации эмульсионных микрокристаллов AgCl малого (с1 < 0,2 мкм) размера при адсорбции эталонного красителя 1 Д',3,3'-тетра-этил - 5,5'-бис(трифторметил сульфонил) имидокарбоцианиниодида в условиях насыщения адсорбции. Экспериментально показано, что на не сенсибилизированных микрокристаллах AgCl эталонный краситель адсорбируется преимущественно в мономолекулярном состоянии, а на химически сенсибилизируемых в ] - агрегированном состоянии не зависимо от способа проведения химической сенсибилизации.

3. Выявлены условия кристаллизации гетероконтактных Т-кристаллов А§Вг с угловыми эпитаксами А§С1 при помощи модификации поверхности Т-кристаллов AgBr иодидом. Изучен и оптимизирован процесс химической сенсибилизации синтезированных эпитаксиальных систем. Показано, что полученные гетероконтактные химически сенсибилизированные системы обладают двукратным преимуществом в светочувствительности (80:85 = 160 ед.ГОСТ) по сравнению с традиционными Т-кристаллами AgBr.

4. Впервые экспериментально исследован процесс химической сенсибилизации эмульсионных микрокристаллов различного габитуса и галогенид-ного состава новыми органическими соединениями содержащими лабильную серу. Показано, что их сенсибилизирующая активность связана в большей мере с тиольной формой исследованных веществ. Установлены преимущества исследованных веществ при химической сенсибилизации эмульсионных микрокристаллов AgCl и Т-кристаллов AgBr, по сравнению с тиосульфатом натрия.

5. Экспериментально установлено, что формирование глубинных центров светочувствительности, стабильных при наращивании оболочки в микрокристаллах AgHal гетероконтактного типа "ядро-оболочка" зависит от га-логенидного состава, типа химической сенсибилизации ядровых микрокристаллов, типа используемого стабилизатора, толщины и способа кристаллизации оболочки и условий химико-фотографической обработки гетероконтактных систем.

-2246. Показано, что в процессе химического проявления AgHal фотографических слоев с микрокристаллами типа «ядро-оболочка» с глубинными центрами светочувствительности необходимо не только использовать добавки к проявляющим растворам эффективно растворяющие AgHal, но и вводить в состав проявляющих растворов органические стабилизаторы для понижения уровня глубинной оптической плотности вуали.

7. При исследовании redox стабильности центров скрытого изображения различной природы в микрокристаллах AgBr различного габитуса получены значения их критических потенциалов. Сделан прогноз относительно эффективности фотографического проявления глубинных центров светочувствительности в гетероконтактных микрокристаллах AgHal.

8. Разработан временный технологический регламент, создан и испытан Л лабораторный образец с пониженным содержание серебра (4,8 г/м ) фототехнической пленки для полиграфии на основе эмульсионных микрокристаллов AgCl с характеристиками, не уступающими зарубежным аналогам.

Заключение

Для создания гетероконтактных МК AgHal типа ядро-оболочка с глубинными центрами светочувствительности необходимо учитывать следующие факторы:

• огранку, размер и галогенидный состав ядровых МК. Для предотвращения появления глубинной вуали необходимо использовать кубическую {100} огранку МК, содержание иодида в ядре пропорционально среднему эквивалентному диаметру МК;

• условия химической сенсибилизации ядра. Максимальный эффект дает сернисто-золотая сенсибилизация.

• условия стабилизации ядра. Наибольший эффект дает стабилизация фотографических свойств стабилизатором ФМТ.

• условия кристаллизации, галогенидный состав и толщину оболочки. Галогенидный состав определяется дальнейшим практическим использованием фотоматериала. Толщина оболочки не должна превышать 300 нм. Оболочки толщиной до 150 нм предпочтительно наращивать методом рекристаллизации ОМЗЭ, а более толстые оболочки - методом УДК;

• максимум поглощения и концентрацию спектрального сенсибилизатора. Кр должен подбираться с учетом галогенидного состава ядра и оболочки.

-202

Концентрации Кр при его адсорбции на оболочке для сенсибилизации глубинных центров светочувствительности в 1,5-2 раза выше, чем для сенсибилизации обычных изометрических МК. • условия химико-фотографической обработки. В глубинном проявителе необходимо использовать добавки эффективно растворяющие А§На1. Для предотвращения вуалирования глубинных центров светочувствительности и получения приемлемой максимальной оптической плотности проявленного изображения в состав проявляющего раствора необходимо вводить стабилизатор. Наилучший эффект дает использование БТА.

Используя эти рекомендации нам удалось получить лабораторный образец фотографической пленки с МК AgBro,96Io504 М^Вг (с1 = 0,38 мкм; Су = 12%) со следующими характеристиками:

Поверхностное проявление: 80,2 = 0; 80,85 = 0; = 0,02; Бтах= 0,02 Глубинное проявление: 80д = 17; 8о,85 = 50; = 0,10; Отах = 3,6; у = 2,5;

ГЛАВА 6. СТАБИЛЬНОСТЬ ЦЕНТРОВ СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В МИКРОКРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА

Процесс фотографического проявления можно рассматривать как электрохимический процесс, причем на ранних стадиях обратимый [206]. Он представляет собой каталитическую окислительно-восстановительную реакцию, происходящую по схеме:

Red + Ag+ Ag° + Ox (6.1), где Red и Ox - восстановленная и окисленная формы проявляющего вещества (ПВ). Катализатором в этой реакции служат центры СИ.

Скрытое изображение, возникающее в AgHal при экспонировании, можно представить как мелкий серебряный кластер, обладающий определенным электрохимическим потенциалом. Поскольку размеры кластера весьма малы, то его потенциал отличается от потенциала макросеребра и в рамках классической термодинамики определяется уравнением Гиббса-Томпсона [12]:

AE=^Vm, Fr где: а - свободная удельная поверхностная энергия, Vm - молярный объем серебра, г - радиус частицы,

AE=EAg+/Ag0 - EAg ,

EAg+/Ag° - равновесный электрохимический потенциал массивного серебряного электрода,

EAg - равновесный электрохимический потенциал электрода радиуса г.

Из общего термодинамического требования к протеканию процесса, направление реакции (6.1) определяется разностью потенциалов Acp=EAg -Епв. При условии Аф > 0 происходит восстановление ионов Ag+ , т.е идет процесс проявления; при условии Дф < 0 происходит окисление центров СИ.

-204В реальных условиях проявления осуществляется при Дф > 0. Но необходимо отметить, что с одной стороны, проявляющий раствор всегда содержит молекулы окисленной формы ПВ, а с другой - избыток ионов НаГ, возникающих в проявляющем растворе, как при глубинном, так и при поверхностном проявлении. Поэтому на начальной стадии проявления, когда центры СИ малы, возможно их разрушение при реакции с окисленной формой ПВ. Подобный процесс может вызывать снижение пороговой чувствительности фотографического материала или замедлить начало проявления. С другой стороны, при определенном соотношении электрохимических потенциалов сопряженных пар Ag°/Ag+ и Red/Ox, дер может оказаться равным нулю или даже меньше нуля, что приведет к окислению центров СИ.

Для эффективно протекающего процесса проявления необходимо увеличивать разность потенциалов д<р. Это возможно за счет увеличения электрохимического потенциала центра СИ и/или уменьшения электрохимического потенциала ПВ. Зависимость этих потенциалов (с учетом поправки Гиббса-Томпсона) от температуры и концентрации веществ, описывается уравнением Нернста :

0 дс F0 + 0 , RT n^AgHal 2(7 Л7 ,,

Ag/Ag - аь - ь Ag/Ag + ——т—- - — Vm, (6.2)

F [НаГ] Fr

F - F° + RT Pn 1QX1 Ox/Red ^Ox/Red + "Г--"! — Г^

F [Red]

Из анализа уравнения Нернста (6.2) можно заключить, что потенциал центров СИ будет тем больше, чем больше ПРАёна1 и чем меньше концентрация галогенид- ионов в растворе. Сравнивая ПР галогенидов серебра ( см. Табл.1.1) можно сделать вывод, что наиболее проявляемыми с термодинамической точки зрения, являются эмульсионные МК AgCl.

Анализ уравнения Нернста для ПВ в растворе (6.3) показывает, что при увеличении в растворе концентрации окисленной формы ПВ и уменьшении восстановленной, потенциал Е ox/Red будет увеличиваться. В реальных условиях проявления, когда концентрация галогенид ионов и окисленной формы

ПВ вблизи поверхности МК будут увеличиваться, дер в процессе будет уменьшаться. Не исключена возможность, когда дер будет равна нулю или отрицательна, т .е. возможен процесс отбеливания центров СИ.

Впервые это предположение для черно-белого проявления высказал Суга [206]. При цветном проявлении вероятность окисления ЦП тем более повышается, т.к. В0Ох/Кес1 для производных парафенилендиамина, используемых в качестве ПВ при цветном проявлении, больше Е0Ох/кес1 Для ПВ используемых в черно-белом проявлении (см. Табл. 6.1).

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Сечкарев, Борис Алексеевич, 1999 год

1. Tani T.Photographic Sensitivity//Oxford University Press, N.Y.,1995, 254 P.

2. Шварц K.K. /Фотостимулированные процессы в неорганических материалах и их применение для записи информации. // УНФ, 1980, Т. 20, С. 29-44.

3. Barachevsky V. / Holographic Recording Media: State-of-the-Art and Modern Trends. // IS&T's 50th Annual Conference 1997, Cambridge, USA, P. 626 631.

4. Spenser H.E., Atwell R.E., Levy M. / Sensitizer centres. Formation, properties, function and efficiency. // J. Photogr. Sci. 1983, V. 31, № 4, P. 158-169.

5. Бреслав Ю.А., Канторович В.Д., Звиденцова Н.С., Калентьев В.К., Майбо-рода В.Д. / Фотографические системы ядро-оболочка и двойная структура. Обз. инф. // М„ НИИТЭХИМ. 1986. 50 С.

6. Пат. США№ 4.433.048. 1984. -Solberg J.C., PigginR.H., Wilgus H.S.

7. Кагакин Е.И., Бреслав Ю.А., Ларичев Т.А. / Плоские кристаллы галогени-дов серебра с латеральными оболочками. Организация фотопроцесса в гете-роконтактных фотографических элементах. // ЖНиПФ 1992, Т. 37, №2, С. 124-128.

8. Maskasky J.E. / Epitacxsial selective site sensitization of tabular grain emul-sion.//J.Imag.Sci.,1988,V.32,№4,P.160-177.

9. Сечкарев Б.А./Кристаллизация и химическая сенсибилизация эпитаксиаль-ных Т-кристаллов AgBr/AgCl//Hffirira,1999,T.44,№3,C.30-34.

10. Пат. (США) № 4.431.730 1984. -Shigeharu U. et el.

11. Berg W.E., Frei E.A. The redox stability of the photographic grain - surface latent image.//Phot. Sci. a Eng. 1969. V. 13, P. 81.

12. James T.X. / The Theory of Photographic Process // USA, N. Y., 1977,-P.714.-22613. Gerhard. R., Achim W. / Anwendung moderner Untersuchungsmethoden in der Photographie. //Wiss.Z.Techn. Hochsch. leuna-Merseburg, 1984, 26, №4, 645-663.

13. Чибисов К.В. Природа фотографической чувствительности М.,Наука,1980

14. Флинт Е.Е./ Практическое руководство по геометрической кристаллографии. JM. ,ГКНТИ, 1956.

15. Maskasky J.E.//The Seven Different Kinds of Crystals of Photografic Silver Halides./J.Imag.Sci.,1986,V.30,№ 6, P.247-254.

16. Гороновский И.Т. и др. Краткий справочник по химии. / Киев: Наукова Думка, 1973.

17. Kawasaki I., Hado Н, Uchida Н. / Transfer of photoelectrons and photoholes through AgBr/AgCI interface, and relative locations of the energy bands. // J. Appl. Phys., 1986, V.60, P. 39 -393.

18. Mitchell. J.W. / On the Role of Dislocations in Silver Halide Photography. // IS&T's 49th Annual Conference. May 19-24, 1996, Minneapolis, USA, P. 44-46.

19. Чибисов К.В. / О функциях локальных нарушений эмульсионных микрокристаллов в трех основных стадиях фотографического процесса. // Успехи научной фотографии, 1966 T.XI, №5, С. 5-22.

20. Zieten W. Makroskopische Ausdehnung und Fehlordnung von Silberchlotid. -ZS.Phys., 1956, v.146, P.451.

21. Nicklow R.,Young R. Thermal expansion of AgCl.//Phys.Rev.Let.,1963, № 2, P.10

22. Gurney R.W. Mott N.F. / The theory of photolysis of silver bromide and the photographic latent image. // Proc. Roy. Soc. 1938. A. 164, P. 151.

23. Mitchell J.W. / The nature of photographic sensitivity. // J. Photogr. Sci. 1957. V. 5, P. 49.

24. Галашин Е.А., Федоров Ю.В., Чернов С.Ф./ Могут ли кластеры Ag+4 инициировать восстановление эмульсионных зерен?//ЖНиПФиК1988.Т.ЗЗ.С.216.

25. Жарков В Н. / Роль краевых дислокаций в фотографическом процессе. // ЖНиПФиК 1958, №3, С. 282.

26. Michell J. W. / A contribution to the theory of photographic sensitivity. // J. Phot. Sci, 1953, Y. 1,P. 110.

27. Белоус B.M. /Некоторые особенности люминесценции фотографических эмульсий //ЖНиПФиК, 1962, 7, С. 386.

28. Садыкова А.А., Мейкляр П.В. / Влияние режима химического созревания на фотолюминесценцию фотографических слоев. //ЖНиПФиК, 1969,14, С. 30.

29. Kanzaki Н. / Photoluminescece of silver halides // J. Soc. Phot. Sci. A Technol. Japan., 1986, V. 49, P. 427.

30. Van den Eeden M., Callens F., Cardon F., De Keyzer R., Vandenbroucke D. Transient microwave photoconductivity and computer simulation study of Rh and Ir doped AgCl microcrystals. IS&T's 47th Annu. Conf. 1994, v.l., P.67-70.

31. Пат. США№ 5240828. 1993. Janusonis G.A., Hilton F.R.

32. Пат. США№ 5278041. 1994. Tanaka S., Murakami S.

33. Пат. США № 5273872. 1993. Asami Masahiro

34. Mitchell J. W. / Elementary Processes in Latent Image Formation Involving Polyvalent Cations. // J. Imag. Sci., 1987. Y.31, № 6, P.239-243.

35. Sheppard S. E. Investigation on the theory of the photographic process. / Colloid. Symp. Monograhp. 1925. V.3,P.76.

36. Sheppard S.E., Trivelli A.P.H., Loveland R.P.//J.Franklin.Inst.l925.V.200,P.51.-22838. Jacques P. / Chimie des systemes photographiques de haute sensibilite. // Rev. Palais decouV. 1984,13, № 123, 19-34.

37. Berndt F., Gahler S., Roewer G. / Metallionen in photographischen Silberhalogenidsystemen. //J. Inf. Ree. Mater.1986. Jg. 16, №5. s. 387-394

38. Gahler S., Roewer G., Berndt F. / Metallionen in photographischen Silberhalogenidsystemen. // J. Inf. Ree. Mater.-1986-Bd. 14, №6.-s. 427-431

39. Härtung J., Berndt E., Beyer L./ Zur chemischen Sensibilisierung von phothgraphischen Silberhalogenidemulsionen mit Palladium (IQ-Koordinationsverbindungen. //J. Inf. Ree. Mater.-1986-Bd. 14, №6.-s. 417-426

40. Zuleta J.A. / The effect of S-donor ligands on the sensitization of silver bromide crystals with iridium (III). // J. Imag. Sei. 1987 V.31, № 6, P.250-254.

41. Zwicky H. / К вопросу о механизме увеличения чувствительности при введении иридия в галогенсеребряные эмульсии. // J. Photogr. Sei. 1985, V.33, №6, P.201-206.

42. Leubner J./ Добавки иридия и фотографический процесс в галогенидах серебра. Исследование спектральной сенсибилизации. // J. Photogr. Sei. 1983, V.31, №3, P.93-101

43. Гороховский B.M., Михайлов О.В.//Влияние ионов металлов и их комплексов на фотографические характеристики галогенсеребряных светочувствительных материалов. //ЖНиПФиК, 1989, Т.34, № 3, С.233-238.

44. Ляндо В.А., Хисматуллина Р. С. / О механизме сенсибилизирующего действия полиэтиленгликолей. 2. Хлорбромсеребряная эмульсия. // ЖНиПФиК, 1987, 32, №3, С.172-178.

45. Todorova М., Stankova A., Markov J. / Hypersensitization of silver chlorbromide photographic coatings with complexon III. // J. Inf. Ree. Mater., 1986, 14, №1, P.56-72.

46. Завлин П.М., Дьяконов А.Н., Кузнецов JI.JI., Ефремов Д.А., Белоус В.М. / Влияние тион-тиольной таутомерии на эффективность сернистой сенсибилизации галогенсеребряных эмульсий. // ЖНиПФиК, 1996, Т.40, № 2, С. 66-70.

47. Белоус В.М., Картужанский A.JL, Мартыш Г.Г., Шур Л.И. / Люминесценция и чувствительность фотографических эмульсий, сенсибилизированных аминами. //ЖНиПФиК, 1974, №2, С.114-116

48. Lowe W.G., Jones J.E., Roberts Н.Е. / Fundamental Mechanisms of Photographic Sensitivity. // Sympos. Bristol, 1950, P.112.

49. Wood H.W. Chemical sensitization of emulsions by digestion at low pAg. // J. Photogr. Sci. 1953. V. 1, P. 163.

50. Шпольский М.Р., Михайлов Д.К., Блехман Б.А./ Водородная сенсибилизация фотографических материалов. Актуал. вопр. физ. и химии фот. процессов. Междунар. симп., Тбилиси, // Тез. докл. 1984. С.129-131.

51. Moisar Е., Schmitt В., Granzer F. / Hydrogen sensitization of molten AgBr emulsion. // J. Imag. Sci. 1985 V.29, № 6, P.233-237

52. Tani T. / Silver Clusters as Latent Image Centers, Reduction Sensitization Centers, and Fog Centers // IS&T's 49th Annual Conference. May 19-24, 1996, Minneapolis, Minnesota, P. 204.

53. Spenser H.E. / Sensituzers specks: formation, function, and efficiency. // JOSA.1982. P.112.

54. Spenser H.E., Atwell R.E. Reduction-plus-sulfur sensetization and latent-image formation in a model AgBr dispersion. // JOSA. 1964.V.54,P.498.

55. Spenser H. E., / Charges and sizes of reduction-sensitization centers in silver halide emulsions. //J. Photogr. Sci. 1972. V. 20, P. 143.

56. Matsubara Т., Levy M. / Electron-Trapping and Hole-Trapping Properties of Latent-Subimage Centers and Reduction-Sensitization Centers. // J. Imag. Sci. 1988 V.32,№4, P.183-186.

57. Collier S. / The Production of Fog Centers after Reduction Sensitization by the Addition of Bromide or Thiocyanate. // J. Imag. Sci. 1987 V.31, № 3, P.135-137.

58. Чибисов K.B. Фундаментальные принципы фотографического процесса // ЖНиПФиК. 1988. Т. 336 С. 226

59. Meiklyar P.V. Some aspects of the formation of centers of latent image. // JCPS, 1978. P. 263.

60. Babcock T.A., Ferguson P.M., Lewis W.C., James Т.Н. / Chemical sensitization using hydrogen gas. // Photogr. Sci. a Eng. 1975, V. 19. P. 49, 211.

61. Tani Т., Takada S. / Electrochemical and photoelectric properties of silver specks formed during reduction sensitization on AgBr emulsion grains. // Photogr. Sci. a Eng. 1982. V. 26, P. 111.

62. Kuge K., Shimabukuro H., Tsutsumi Т., Hasegawa A. and Mii N. / Dispersion of Latent Image Specks at Reduction-Sensitized Emulsions. //International Symposium on Silver Halide Imaging, 1997, Vancouver, Canada, P. 171-174.

63. Tani T. / Photographic effects of electron and positive holes. Reduction sensitization in various silver bromide grains.//Photogr.Sci.Eng. 1972. V. 16, P. 35.

64. Peelaers W., Claes F.H. / Influence of interstitial silver ions on the silversulfide formation at the sulface of silver bromide microcrystals. // Photogr. Korr. 1967. V. 103, P. 101.

65. Farnell G.C., Flint R.B., Birch D.C. / Direct observation of silver sulphide on sensitized emulsion grains. // J. Photogr. Sci. 1977. V. 25, N5, P. 203.

66. Chibisov K.V., Fok M.V., Galashin E.H., Senchenkov E.P. // J.Photogr. Sci. 1978. V. 21, P. 125.

67. Чибисов K.B. / О природе центров светочувствительности фотографических эмульсий // Успехи химии. 1953. Т. 22, С. 1226.

68. Белоус В.М., Толстобров В.И., Чибисов К.В. Взаимодействие ионов золота с центрами вуали, созданными при сернистой сенсибилизации галогенидо-серебрянных эмульсий. // ДАН СССР. 1979. Т. 246, С. 632.

69. Moisar Е. / Formation, Nature, and Action of Sensitivity Centers and Latent Image Specks. Part 1: Chemical Sensitization. //Photog. Sci. and Eng. 1981. V.25. N 2. P.45-56.

70. James Т. H. / Chemical Sensitization, Spectral Sensitization, and Latent Image Formation In Silver Halide Photography.//Adv.Photochem. 1986. V.13, P.329-425.

71. Kanzaki H. / Spectroscopic ^identification of localized electrons and holes in silver halides. // J. Phot. Sci. 1984. V. 32, P. 117.

72. Sahyun M.R.V. / Influence of chemical sensitization on photographic response: a computer modeling study. // Photogr. Sci. Eng. 1983. V. 27, P. 171.

73. De Keyzer R. // Paper Summaries. IS&T 44th Annual Conference May 1217.1991. P. 74.

74. Shiozawa Т., Kobayashi T. / High resolution electron microscopy of the orien-tational growth of silver precypitate to the silver gold sulfide specks formed on silver bromid tabular grains. //Phys. Stutus. Solidi. 1989. 116A. P. 513.

75. Shiozawa Т., Kobayashi T. / High resolution electron microscopy study of silver sulfide microcrystals formed on silver bromide emulsion grains. // J. Soc. Photogr. Sci. Technol. Japan. 1990. V. 53. N2. P. 135.

76. Hofmeister H., Haefke H. Panov A. / The study of silver sulfide microcrystals on silver bromide coating. // Abstracts ISPS 150 Years Photography. Dresden. 1989. P. 65.

77. Van Doorselaer M.K. / Solid state properties and photographic activity of crystalline Ag2S- and (Ag, Au)2S-speks at the surface of silver halide crystals. // J.Photogr.Sci. 1987. V. 35. N2. P. 42-54.

78. Moisar E. / A Kinetic and Sensitometric Investigation of Sulphur Ripening. // J. of Phot. Sci. 1968. V.16. №3 P. 102-113.

79. Hailstoun R.K., Liebert N.V., Levy M. / On the mechanism of oversensitiza-tion. // J. Imag. Sci. 1990.V.34 N5, P. 169-176.

80. Kellog L.H. Measurements of photoelectron liftiemes in silver halide microcrystals using microwave techniques.//Photogr. Sci. Eng. 1974. V.18, P. 378.

81. Moisar E. / Particularities of latent image formation .// 38 Ann. Conf. SPSE, Atlantic City, May 12-16, 1985. P. 127-130.

82. Vlasov V.G., Meiklyar P.V. / Photolitical effect in photographic coatings. // Photogr. Sci. a Eng. 1973. V. 17, P. 343.

83. Wilhite D.L. / Pulsed luminescence experiments on silver halide microcrystals. //Photogr. Sci. Eng. 1978. V.22, P. 322.

84. Futtuzo E., Oggioni R. / Study by luminescence techniques of traps in silver halides. //Phot. Sci. a Eng. 1973. V. 17, P. 319.

85. Mitchell J.W. / The photographic sensitivity. // J. Photogr.Sci. 1958. V. 6, P. 57.

86. Matejec R. / Conductibilité electrique des défauts dans les monocristles d'halogenures d'argent.//Naturwiss. 1956. V. 43, P. 533.94 .Klein E., Matejec R. // Mitt. Forschungslab. Agfa Leverkusen-Munchen. 1961. V. 3,P. 1.

87. Weidong C., Bixian P./ Reaction of Silver Sulfide Cluster Anions with Bromine Atoms. //International Symposium on Silver Halide Imaging, 1997, Vancouver, Canada, P. 175-177.

88. Kaneda T. A / New Approach to Estimation of Deprh of Electron Traps in AgBr Emulsion Grains on the Basis of The Gurney-Mott Model. // J. Imag.Sci. 1989. V. 33, №4, P. 115-118.

89. Nakayma T. // IS&T'94 : The Physics and Chemistry of Imaging System IS&TI 47th Annual Conference. Y. I, P. 108.

90. Sonoike S. / Luminescence centers in S-doped silver bromide. // J. Imag. Sci. a Technol. 1992. V. 36. P. 282.

91. Van Zang, Hailstoun R.K. // J.Imag.Sci. and Techn. 1993. V. 37. N1, P. 61-72.

92. Kanzaki H. / Function of impurity clusters in chemical sensitization. // J. Soc. Phot. Sci a Technol. Japan, 1990 V. 53, P. 529.

93. Белоус B.M. Люминисценция галогенидов серебра и механизм образования скрытого изображения. Обзор. ЖНиПФиК, 1990, т.35, № 4, с.304-312.

94. J.Malinowski, Z.wiss.Phot., 1956, v.51, р.200.

95. Сечкарев Б.А., Рябова М.И., Сотникова Л.В. Особенности химической сенсибилизации AgCl. Научн. конф. 40 лет КемГУ, Кемерово, 1994, с.98.

96. Толстова Л.В. Формирование примесных центров при химической сенсибилизации фотографических эмульсий и процессы их стабилизации // Дисс. канд. хим. наук., Москва, 1995.

97. А.С. № 1616101 (СССР) Бензотриазолидофосфат в качестве модификатора роста бромистого серебра.// Завлин П.М., Бреслав Ю.А., Ефремов Д.А., Гуткаев А.В., Сечкарев Б.А., Спирина Ю.Р., Терентьев Е.Г.

98. Shinsaku F. / Sulfur-containing organic compounds for photography.// Sci. Pubis Fuji Photo Film Co., Ltd. 1984, № 29, P. 18-30.

99. Шапиро Б.И., Мкрытчан Л.Л., Москаленко З.И., Шумеляк Г.П. / Исследование процессов десенсибилизации и суперсенсибилизации. Изучениевлияния 1,3,3а,7-тетраазаиндена на спектральную сенсибилизацию AgBr -эмульсий.//ЖНиПФиК, 1987, Т.32, № 6, С.444-449.

100. Сидорова Т.В., Шпольский М.Р. / О действии некоторых производных сульфиновой и тиосульфиновой кислот при химической сенсибилизации мелкозернистой однородной эмульсии. //ЖНиПФиК, 1989,Т.34, № 1, С. 67-69.

101. Пат. США №4 810 626. 1989,- Burgmaier G.J., Herz А.Н.

102. Пат. США№4 914 016. 1990,- Konica Corporation.

103. Пат. США №5 246 827.1993,- Herz А.Н., Klaus R.L., Hamilton D.E.

104. Пат. ГДР №235 929.1986,- Schroter С., Dietzsch W., Hoyer E., Stemecke G.

105. Зимкин Е.А., Ключевич В.Ф., Мингазетдинова Н.Ф. / О влиянии желатины на сенсибилизацию фотографических эмульсий. // ЖНиПФиК, 1986, 31,№2, С. 129-130.

106. Faelens Р. Н. / Mechanism of the elimination of high intensity reciprocity-law failure by gold sensitization.// J. Phot. Sci. 1965. V. 13, P. 54.

107. Smura S., Nakayma T., Takada H., Tsuchiya H., Maeda H., Nomura M. // IS&T94: The Physics and Chemistry of Imaging System IS&T1 47th Annual Conference. V.I, P. 100.

108. Liu X., Fu Y./ Воздействие условий сернисто-золотой сенсибилизации на свойства фотоэмульсии. // Literatur-Übersicht, Fotografische Chemie, 1986, Jg. 65, Folge 2, S.65, // VEB Filmfabrik Wolfen; Ganguang Kexue Yu Kuang Huaxue, 1984, №1, S. 57-60.

109. Xianggum L., Yanxun F. / Einfluss der Schwefel-Gold-Sensibilisierung auf die Leistung fotografischer Emulsionen. // Ganguang Kexue Yu Kuang Huaxue, 1984, №1, S. 60-61.

110. Muller F.W. / 30 years of gold sensitization.//Phot.Sci.Eng,1966.V. 10, P. 338.

111. Hautot A., Saewenier U. // Sci. Ind. Photogr. 1957.Y.28, N1, P. 57.

112. Drowrat J., Honig R E. //Mem. Soc. Poy. Liege. 1957. V. 18, P. 356.

113. Ehrlich S. H. / Transient absorption spectra of sulphur and gold adsorbed to silver bromide microcrystals in gelatin: mechanisms of latent image formation and decay. //Photogr. Sci. Eng. 1979 .V. 23, P. 348.

114. Pitt D.A., Rachy M.L., Sahyun M.R.J. / Model for the chemical sensitization of silver halide photographic emulsion with sulfur and gold. // Photogr. Sci. Eng. 1981. V. 25, P. 57.

115. Tavernier B.U., Faelens P.A. Reaction between noble metal salts and precipitates of silver sulphide.//Photogr. Korr. 1965. V. 101, P. 117.

116. Peelaers W., Claes F. // Photogr. Korr. 1969. V. 105. P. 77.

117. Hirsch H. / Red-light sensitivity of sulphur-sensitized silver-bromide dispersions and the effect of aurous gold. // J. Photogr. Sci. 1972. V. 20, P. 187.

118. Spencer H.E. / Sulfur-plus-gold sensitization: latensification during exposure. // J. Imag. Sci., 1988, 32, №1, P. 28-34.

119. Кушнир M.A., Латышев A.H., Угай Я.А., Чопорова Н.Б. Вспышка люми-нисценции хлорсеребряной фотографической эмульсии, сенсибилизированной золотом. ЖНиПФиК, 1982, т.27, №5, с.379.

120. Латышев А.Н., Кушнир М.А., Бокарев В.В. Вспышка люминисценции центров скрытого изображения хлорсеребряной эмульсии. ЖНиПФиК, 1981, т.26, № 5 с.377.

121. Власов В. Г. // Автореф. дисс. канд. техн. наук. Казань, 1976

122. Collier S., Evans F. / Конкурентный захват электронов в эмульсиях типа «ядро-оболочка». // J. Imag.Sci. 1985. V. 29. N6, Р.229-232.

123. Sturmer D.M., Blackburn L.N. / Location of sulfide and photographic sensitivity sites in internally S+Au sensitized core / shell grains // Photogr. Sci. and Eng. 1975. V. 19. N6. P. 352-355.

124. Tani Т., Saito M. / Low temperature luminescence of silver bromide emulsions and the mechanisms of sulfur and gold sensitizations. // J. Chem. Soc. Jap. and Ind. Chem. 1974. V. 4, P. 795-797.

125. Marchetti A.P., Collier S.S., Crews N.P. / Surfase dependence of sulfur, gold, and sulfur-plus-gold chemical sensitizations. // Phot. Sci. and Eng. 1984, V.28, №4, P. 146-149.

126. James Т.Н., Valenson W., Quirk R.F. / Effect of temperature of exposure on photographic sensitivity and the rate of development. // Phot. Sci. a Eng. 1961. V.5, P. 128.

127. Farnell G.C., Solman L.R. / The role of gold in sulfur-plus-gold sensitization. // J. Photogr. Sci. 1976. V. 24, N5, P.203.

128. Harbison J. M., Hamilton J.F. / Function of gold in sulfur-plus-gold sensitization. // Photogr. Sci. Eng. 1975. V. 19, P.322.

129. Spencer H.E., Bunyaviroch A. / Gold Content of Sub-Image Centers in a AgBr Emulsion //SPSE's 41st Annual Conference (May 22-26, 1988, Arlington, Virginia) Advance Printing of Paper Summaries. P. 12-13.

130. Spencer H.E. / Sentitzer, Latent-image, and sub-image centers in a Sulfur-Plus-Gold-Sensitization AgBr emulsion. // J. Soc. Photogr. Sci. Technol. Japan. 1991. V. 54, №4 P. 474-476.

131. Tani T. / A study of properties of clusters of photographic Interest by means of redox buffer solution. // Photogr. Sci. and Eng. 1983. V. 27, №2, P. 75-80.

132. Hada H., Kavasaki M. / Critical sizes of development centers in chemically sensitizad emulsions.// J. Imag. Sci. 1985, V. 29, № 2, P. 51-60.

133. Веприк Я.М. Физическое проявление на золотых центрах. // ЖниПФиК. 1962. Т. 7. С. 384.

134. Hada Н., Kavasaki М. / On the minimum size of development center. // J. Soc. Phot. Sci. a Technol. Jap. 1981 V. 44 P.317.

135. Tani T. / Analysis of factors influencing photographic sensitivity. // Sci. Publ. Fuji Photo Film. Co, Ltd., 1987, № 32, P. 57-63.

136. Roberts H.E. / Review of factors relating to photographic sensitivity. // J. Imag. Sci., 1985, V. 29, № 5, P. 175-181.

137. Gilman P.B. Use of Spectral Sensitizing Dyes To Estimate Effective Energy Levels of Silver Halide Substrates. // Pfotogr. Sci Engn., 1974, V. 18. P. 475-485.

138. Шапиро Б.И. Спектральная сенсибилизация фотографических материалов. ЖНиПФиК, 1981, т.26, №6, с.463.

139. Шапиро Б.И. Процессы спектральной и химической сенсибилизации в их взаимовсязи. ЖНиПФиК, 1992, №2 с. 139.

140. Теренин А.Н. Фотоника молекул красителей. Л., Наука, 1967.

141. J.E.Maskasky The orientation of individual J-aggregates on cubic AgCl and AgBr emulsion grains. Phot Sci. 1988, T 32, p.239.

142. Ceulemans Т., Schoemaker D., Vandenbroucke D., R.De Keyzer Comparative Study of Hole Processes on Dye Molecules for Spectrally Sensitized AgBr and AgCl Microcrystals. IS&T's 49th Annual Conference, 1996, USA, Minnesota, p.74-76.

143. Tamura M., Hada H., Tanaka T. The Quantum Yeld of Silver Production in the Photolysis of Silver Chloride Emulsion. Bull.Soc.Sci.Photo.Japan, №13, 1963, P. 1-4.

144. Hamilton J.F. / Towards quantitaive latent image theory. // Photogr. Sci. Eng. 1982. V. 26, P. 263.'

145. Hamilton J.F. / The silver halide photographic process.// Adv. Phys. 1988. V. 37, N4, P. 359.

146. Mitchell J.V. / The Concentration Process in the Formation of Development Centres in Silver Halide Microcrystals.//J. Phot. Sci. 1983. V.37. No.4. P. 148-157.

147. Mitchell J.V. / Chemical sensitization and latent image formation a historical perspective. //J. Imag. Sci. V. 33. N4. 1989. P. 103-113.

148. Mitchell J.V. / Quantitative Aspects of the Concentration Theory of Latent Image Formation. // J. of Soc. of Phot. Sci. and Technol. of Japan. 1985. -V.48. -N 3.-P.191-204.

149. Mitchell J.V. / Elementary Processes in the Concentration Theory of Latent Image Formation. // J. Imag. Sci. 1987. N 1. P. 1-7.

150. Mitchell J.V. / The positively charged latent image acceptor and concentration center. //J. Imag. Sci. 1990. V.34. -N4. P. 113-117.

151. Mitchell J.W / Silver Molecules and Photographic Sensitivity. // IS&T's 50th Annual Conference May 18-23, 1997, Cambridge, Massachusetts, P. 1-5.

152. Matejec R. / Die Bildungskinetik der Silberphase beim photographischen Prozefs. // Phot. Korresp. 1966. V. 102, P. 138; 1971. V. 107, P. 115.

153. Moisar E. / Model calculations on Dispersity Effects of Sensitivity Centers. // J. Jnt. Rec. Mater. 1990. V.18. No. 5.P. 353-368.

154. Moisar E. / A Comparative Study of Latent Image Formation. // J. Phot. Sci. V. 13. 1965. P. 46-53.

155. Moisar E., Granser F., Dautrich D. and Palin E. / Formation and Properties of Sub-image and Latent Image Silver Specks. Part II. The Formation of Silver Specks A Nucleation and Phase Formation. // J. Phot. Sci.- V.28. -1980,- P.71-82.

156. Галашин E.A., Федоров Ю.В., Чернов С.Ф./ Могут ли кластеры Ag+4 инициировать восстановление эмульсионных зерен? // ЖНиПФиК 1988. Т. 33. С. 216.

157. Галашин Е.А. / Механизмы ХС, образования и проявления СИ. // Актуальные вопросы физики и химии фот. процессов., междун. симп., Тбилиси. 1984. С. 91-93.

158. Чибисов К. В. / Фундаментальные принципы фотографического процесса. //ЖНиПФиК 1988. Т.ЗЗ. С.226-238.

159. Hamilton J.F. / Simulated detective quantum efficiency of a model photographic emulsion. //Photogr. Sci. a Eng. 1972 V. 16 P. 126

160. Hada H., Kavasaki M., Fujimoto / Minimum size of developable latent image specks and energy levels of small silver specks in photographic emulsions. // Phot. Sci. a Eng. 1980 V. 24 P.232.

161. Hailstone R.K., Liebert N.B., Levi М., Hamilton J.F. / A study of internal latent image in AgBr core/shell emulsions //1. Photogr. Sci. 1988. V.36. P. 2-9.-242182. Renders W., Hamburger L. // Z. wiss. Phot. 1932. V.31.P.32

162. Hamilton J.F., Logel P.C. // Photogr. Sci. Eng. 1974 V. 18 P. 507.

163. Barton P.C., Berg V.P. // Phot. J.1946.86B. P.2.

164. Денисюк И.Ю., Колесова Т.Е., Акимов И.А., Исследование кинетики образования продуктов фотолиза в хлорсеребряных эмульсиях методом импульсной проводимости. // ЖНиПФиК, т.ЗЗ, №5, с.375-377.

165. Денисюк И.Ю., Акимов И.А., Усанов Ю.Е. Сравнительные исследования образования центров скрытого изображения в мелкозернистых эмульсиях путем измерения их импульсной электропроводности и характеристических кривых. //ЖНиПФиК, 1989, т.34, №4, с.309-310.

166. Денисюк И.Ю., Колесова Т.Б., Акимов И.А. Влияние химических примесей на стабильность центров скрытого изображения в хлорсеребряных эмульсиях.//ЖНиПФиК, 1989, т.34, №1, с.65-67.

167. Кушнер М.А., Латышев А.Н., Чибисов К.В., Ефимова М.А. Образование глубоких электронных ловушек при адсорбции серебра на поверхность хлорсеребряных кристаллов. //ДАН СССР, 1982, т.263, с.364.

168. Горбач С.С., Добржанский Г.Ф., Марковский В.Ю. Влияние примесей на механические и оптические свойства хлористого серебра. /ЮМП, 1969, №4, с.41.

169. Reinders W. / The reduction potential of developers and its significance for the development of the latent image. // J. Photogr. Sci. 1938 V.36 P. 797-706.

170. Hillson P.J. / The redox potential of the latent image. // J. Photogr. Sci. 1958 V.6 P. 97-106.

171. Konstantinov I., Panov A., Malinovski J./ Stability of small silver paticle in redox buffer. //J. of Photogr. Sci. 1973 V.21 P. 250-256.

172. Mateic R., Moisar E. / Redoxversuche an Keimen des latent Bildes. // Photogr. KorresP. 1964 № 3 P. 18-26.

173. Schmidt I. / Zeit wissen -ii das redox potential des latenten bildes. // Phot. Photophysik und Photochem. 1967 V. 60 P. 1-20.

174. Frei E.A. / Die Redox stabilitat des latenten bildes gegenüber beschwerten Losungen. // Photogr. Korres. 1969 № 2 P. 21-31. 160.

175. Чибисов К. В. Природа фотографической чувствительности М., Наука,1980, С. 208.

176. Moisar Е./Formation, Action, and Properties of clusters in the Photographic Process// Contribution of Clusters Physics to Materials Science and Technology. Dordrecht, 1986. P.311-341.

177. Миз К., Джеймс Т. X. Теория фотографического процесса,- Л.: ХИМИЯ, 1973.

178. Журба Ю.И. // Краткий справочник по фотографическим процессам и материалам, М. «Искусство», 1990.

179. Hillson P.J. / The induction period and the charge of the developer ion.// J. Phot. Sci., 1975,V.23, P.215-237.

180. Фаерман Г.П./ К истории электрохимической теории проявления // ЖНиПФиК, 1966.Т.11,С.145-156.

181. Фаерман Г.П./150 лет фотографического проявления.//ЖНиПФиК, 1990,Т.35,№4,С,314-319.

182. Арутюнян В.Г./Физические свойства границы полупроводник-электролит//УФН, 1986,Т.158, 132,- С.255-291.

183. Моррисон С./Химическая физика поверхности твердого тела. М. Мир,1970, С.488-244205. Беляков J1.В.,. Горячев Д.Н,. Сресели О.М./ Светочувствительные процессы на границе п/п-электролит // Материалы IX зимней школы по физике . Л., 1979. -С.5-52.

184. Suga Т. / The electrochemical interpretation of lith effect. // International Congress of Photogr. Sci. (С) M, 1970. P. 76-79.

185. Stevens G.W.W. // in: Fundamental Mechanisms of Photographic Sensitivity //Bristol Sympos.,1950,P.227.

186. Вейдман А. И., Заренков А. К. / Цветные негативные пленки нового поколения//ЖНиПФиК 1988. Т.ЗЗ. с. 389-398.

187. Sasai А. / Silver Halide in New Type Crystals Photographic Emulsions. // J. Photogr. Sci. Technol. JaP., 1984 , V.59, P. 255-262.

188. Канторович В.Д. Разработка основ синтеза и свойства микрокристаллов галогенидов серебра фотографических эмульсий типа «ядро-оболочка». Дисс. канд. хим. наук., Москва, 1988.

189. Прохоцкий Ю.М. / О физическом созревании в смеси AgCl AgBr -эмульсий. //ЖНиПФиК. 1962. Т. 7. С. 148.

190. Прохоцкий Ю.М. / Некоторые свойства галогенидосеребряных фотографических эмульсий с микрокристаллами слоистого строения // ЖниПФиК 1963. Т.8. №3. с. 203-204.

191. Moisar Е., Wagner S. / Untersuchungen uber die Topographie des latenten Innen-und Aubenbildes Ber. Bunsenges//Phys.Chem.,1963,V.67,N 4, P. 356-359.

192. Junkers G., Klein E, Moisar E. / Topography of Latent Image and Doping Centres in Silver Halide Microcrystals. // J. of Photogr. Sei., 1974, V.22, N2, P. 174-180.

193. Ларичев Т.А., Кагакин Е.И., Москинов В.А. Получение таблитчатых микрокристаллов из высокодисперсных суспензий галогенида серебра. // В межвуз. сб. науч. трудов «Физика и химия конденсированного состояния», Кемерово. 1993. С. 31-38.

194. Сечкарев Б.А., Сотникова Л.В., Ларичев Т.А., Рябова М.И. / Кристаллизация и химическая сенсибилизация фотографических эмульсий типа "ядро-оболочка" с глубинными центрами светочувствительности. // ЖПХ, 1998, № 7, С.1188-1193.

195. Пат. Великобритания №1441612. 1979,-Kodak. Ltd.

196. Пат. Великобритания №1557045. 1979,-Affs-Gevaert.

197. Пат. США №4210450. 1980,- Konishiroku Co. Ltd.

198. Пат. Великобритания №2055221. 1981- Forster R.V.R., Metzger R.M.

199. Сечкарев Б.А. Модификация форм роста микрокристаллов галогенидов серебра. Дисс. канд. хим. наук., Кемерово, 1991

200. Пат. Евр. №0121435. 1984,- Miyamoto A., Takigushi Н., Matsuzaka S., Rashimagi Н„ Nonaka Y.

201. Пат. Евр. №0103472. 1984,- Yagi Т., Lijima Т., Matsuzaka S., Yamaguchi H., Miura M.

202. Пат. Евр. №0064412. 1984,- Koitabashi Т., Matsuzaka S., Yamaguchi H., Miura M.

203. Пат. США №4710455. 1987,- Iguchi К., Ebato S.-246227. Пат. США №4444877. 1985,- Koitabashi Т., Hado Н., Matsuzako S.

204. Пат. США №4495277. 1978,- Becker М., Klotzer S., Moisar E.

205. Пат. Великобритания №1027146. 1976,- Moisar E., Becker M., Klotzer S.

206. Bando S., Shibahara Y., Ishimaru S. / Photographic silver halide emulsion containing double structure grains //1. Imag. Sci. 1985. V.29. N5. P. 193-195.

207. Васильев А.П., Гречко JI.В., Киняпин К.А., Бреслав Ю.А. / Прямые позитивные галогенсеребряные эмульсии//ЖниПФиК 1978.Т.23.N2. С. 121-124.

208. Пат. США №4643965.1987,- Kubota S., Yashida Т.

209. Пат. США №4564591. 1986,- Tanako S., OnoderaK.

210. Пат. США №4668614. 1987,- Takada S., Isibimaru S.

211. Пат. США №4704351. 1987,- Shuto S., Ukai Т.

212. Пат. США№4701405. 1987,- Takiguchi N., Yamada Y.

213. Пат. Япония №583534. 1983,- Hideki О., Dzyunjiti M.

214. Пат. США №4565778. 1986,- Miyamoto A., Matsuzaka S.

215. Пат. США №4665012. 1987,- Sugimoto Т., Yamada S.

216. Пат. США №4639416. 1987,- Tetsuo Y., Tadayoshi К.

217. Пат. США №4755449. 1988,- Inoue N., Sasaoka S.

218. Пат. США №4444877. 1984,- Koitabashi Т., Matsuzaka S.-247244. Пат. Великобритания №2222694. 1990,- Harvey К., Maternaghan Т., Turner

219. Пат. США №4713318.1987.- Sugimoto Т., Hayakawa Т.

220. Бреслав Ю.А., Уксусова В.А. / Однородные фотографические эмульсии. //ЖНиПФиК 1974. Т. 19. N4. с. 296-316.

221. Белоус В.М., Чурашов В.П., Суворин В. В., Толстобров В. И., Шелехов X. И. / Люминесцентные исследования процесса образования твердой фазы однородных галогенсеребряных эмульсий // ЖНиПФиК 1978. Т. 23. N3. С. 196-203.

222. Садыкова А. А., Логинова И.О., Мейкляр П.В. / Кинетика образования смешанной фазы AgBr(I) при раздельном введении галогенидов. // ЖНиПФиК 1978. Т. 23. N6. С. 417-423.

223. Galvin 1.Р. / Sensitometric effects of iodide addition to silver bromide emulsions // Photogr. Sci. Eng. 1970. V.14. N4. P. 258-261.

224. Niedzwiecki L.M., Tan Y.T. ISS depth profiling of iodide distribution in two emulsion sets //Photogr. Sci. 1987. V.35. P. 155-157.

225. Zhuang Si- Yong. / Study of the properties of photographic emulsions with varying iodide content //1. Imag. Sci. 1986. V.30. N1. P. 16-21.

226. Mitchell J.W. / Chemical sensitization and latent image formation : A historical perspective. //1. Imag. Sci. 1989. V.33. N4. P. 103-104.

227. Пат. США №4259438. 1981,-Adachi К., Hirano S.

228. Пат. Великобритания №2138962. 1986,- Yamada I., Indgima K.-248256. Пат. Евр. № 0107302 (А2). 1986,- Yasuo Т., Keiji 0.

229. Пат. США №3957518. 1976,- Yanasshe W., Pattyn Н., Renotte Y.

230. Пат. ФРГ №1461592. 1987,- Depoorter Н., Moelants P.

231. Латышев А.Н., Антанакова Л.Б., Кушнир М.А. Механизмы поверхностной чувствительности хлорсеребряной эмульсии. ЖНиПФиК, 1982, т.27, №4, с.274-277.

232. Collier S. / Electron trapping and recombination in core- shell emulsions at 77 К // Photogr. Soi. End.- 1976,- V.20.- P.43-47.

233. Roewer G., Linck H., Berndt E. / Oberflachen innerbild- untersuchungen an photographischen Silberhalogenidemulsionen //1. Inf. Rec. Mater. 1988. V.16. N1. P. 3-13.

234. Spencer H.E., Marchetti A.P. / Do internal image centers in AgBr emulsions trap holes or electrons ? //1. Imag. Sci. 1986. V.30. N3. P. 111-113.

235. Berry C.R. / Change of silver halide energy levels with temperature and halide composition. //Photogr. Sci. and Eng. 1975. V. 19. N2. P. 93-95.

236. Francesco A.G.D., Type M., Hailstone R. / The Behavior of Internal Reduction Sensitization Centers in Silver Bromide Core-Shell Emulsions. // IS&T's 49th Annual Conference. May 19-24, 1996, Minneapolis, Minnesota, P. 222-225.

237. Locker D.J. / Analysis of photolitic silver on and within cubic silver halide microcrystals: core-shell emulsion grains. //Photogr.Sci.Eng.l975.V.19.P.160-163.

238. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого изображения. М.: Наука, 1972. 399 С.

239. Хейнман А. С., Донатова В.П. / К механизму десенсибилизации эмульсионных кристаллов красителями //ЖНиПФиК 1970. Т. 15. С. 374-375.-249268. Пат. Великобритания №1347717. 1974,- Gilman, Evans, Oliever.

240. Пат. США №3979213. 1976,- Gilman, Evans, Oliever.

241. Заявка 61-77850 (Япония) / Otagava Т., Nagaoka 0,- опубл. 1986.

242. Звиденцова Н.С. Синтез и исследование фотографических систем типа "ядро-оболочка". Дисс. канд. хим. наук. Кемерово 1992.

243. Бреслав Ю.А., Пейсахов В.В., Каплун Л.Я. Синтез и свойства Т кристаллов. Обзор инф. ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТ М., НИИТЭХИМ. 1986.

244. Кагакин Е.И. Разработка основ синтеза и свойства Т-кристаллов фотографических эмульсийи с латеральными оболочками переменного состава. Дисс. канд. хим. наук, М. ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТ, 1990.

245. Прохоцкий Ю.М./Галогенсеребряные фотографические эмульсии с микрокристаллами слоистого строения. // Автореферат, дисс. канд. хим. наук, М.,Всесоюзный научно-исследовательский киноинститут, 1963.

246. Рабинович В.А.,Хавин В.Я. /Краткий химический справочник. М., Химия, 1991, С.432.

247. Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. Мир. 1966. С. 424.

248. Barta А.Р., Slifkin L.M. Impurity Ions and Vacancies in Silver Halide Crystals. Photogr.Sein., 1973, v.17, №1, p.64-68.

249. Пат. США № 5262290. 1993. N.Hiroshy, K.Takaaki.

250. Эткинс П./Физическая химия. М.,Мир,1980,Т.2,С.Ю1.

251. Sechkarev В.A., Breslav Y.A., Ryabova M.I. et el./Growth modifires and ad-sorbtion of dyes.// ICPS'90 Congress,Beijing,1990,P.352-356.

252. Shimada Т., Sciscida Т., Ohi R. //Nippon Scachin Gakkai Kaishi 1970, v.30,р.160.

253. Соловьев С.М., Смирнова В.Н. К вопросу о природе фотографического действия бензимидозолов. //Журн.прикл.химии, 1947, Т.ХХ, № 5, с. 439.

254. Исследовать способы синтеза фотографических эмульсий с Т-кристаллами и разработать на их основе фотоматериалы. М. ГОСНИИХИМ-ФОТОПРОЕКТ, научно-технический отчет, ч. 2. 1985.

255. Пат. США№ 5286617. 1994. O.Shigeaki, I.Shoji.

256. Пат. США № 4581327. 1986. Habu et al.

257. Пат. ФРГ № 4224026. 1994. B.Detlef.

258. Пат. США № 5124244. 1993. Tanaka S., Murakami S.

259. Devies C.W. and Jones A.L., Disc. Faraday Soc., 1949, №5, p. 103.

260. Strong R.W., Wey J.S. The Growth of AgCl Crystals in Gelatin Solution. Phot. Scin.& Eng. 1979, v.23, №6, p.311.

261. Харитонова А.И. "Теория двухструйной эмульсификации". Обзор. ЖНиПФиК, 1983, т.28, №3, с.226-239.

262. Klein F., Metz Н., Moisar Е./ Zwilling bildung bei AgBr und AgCl stallen in photographischen Emulsion.// Phot.Korr., v.95, p.99.

263. Leubner 1.Н./ Formation of Silver Halide Crystals in Double-Jet Precipitations: AgCl//. J.Img.Scin., 1985, v.29, p.219.

264. Berry C.R., Skillman D.C. /Nucleation in silver chloride precipitation.// J.Phys.Chem., 1964, v.68, p.1138.

265. Сечкарев Б.А., Рябова М.И., Шайхуллина C.A., Бреслав Ю.А. Синтез монодисперсных микрокристаллов AgCl. Всесоюзный симпозиум

266. Фотохими-ческие и фотофизические процессы в галогенидах серебра"., Черноголовка, 1991, с.97.

267. Пат.Евр. № 0145440. 1985. -Matsusaka S., Shimura S.

268. А.С. № 289690 (СССР) от 01.03.89 Бреслав Ю.А., Терентьев Е.Г., Сечка-рев Б.А., Авдюшкина М.Г., Ушанов Г.Г.

269. Шапиро Б.И., Сергеева Э.Н., Бутузова А.В. Исследование процессов десенсибилизации и суперсенсибилизации.//ЖНиПФ,1988,Т.ЗЗ, № 4,С. 256-264.

270. Faelens P. Critical observations concerning the mechanism of gold sensitization. Papers ICPS Rochester, 1978, p.127.

271. Moisar E.A. Stady of Sulphur Sesitization at Defenite Silver Bromide Crystal Fases.//J.Phot.Sci.-1966.-V.14.-P.181-184.

272. Пат. США№ 4414310. 1983,-Daubendiek R.L.

273. Пат. США№> 4433048. 1984. Solberg J.C., PigginR.H, Wilgus H.S.

274. Пат. США № 4434226. 1984. -Wilgis H.S.

275. Пат. Евр. № 0213963.1987. -Maskasky J.E.

276. Пат. Евр. № 0213964 1987. -Maskasky J.E

277. Eshelman L. Partial Grain Development of an Epitaxially Sensitized Tabular Gram Emulsion.// IS&T's PICS Conference, Oregon,USA,1998, P.314-316.

278. Колесников Jl.В. Свойства микрокристаллов галогенидов серебра и контактных систем на их основе./Дисс. доктор. физ.-мат.наук,1997, Кемерово.

279. Sechkarev В.А., Sotnikova L.V., Larichev Т.А., Ryabova M.I. An Effect De-sensitization by the Sell Precipitation on Chemically Sensitized AgHal Core Microcrystals.//Proceedings of SPIE. Optical Recording Mechanisms and Media, Moskau, 1997, P.361 -363.

280. Ляликов К.С. Теория фотографического процесса./М.,Наука,1960, 358 С.

281. Белоус В.М. Люминесцентные исследования процессов, происходящих при химической сенсибилизации галогенсеребряных фотографических эмульсий. // УНФД989, Т. XXV. С. 5-42.

282. Рябова М.И. Кристаллизация и химическая сенсибилизация хлорсереб-ряных фотографических эмульсий. //Дисс. канд. хим. наук., Кемерово, 1996.

283. Сечкарев Б.А., Рябова М.И., Сотникова Л.В., Терентьев Е.Г., Утехин А.Н. / Кристаллизация и химическая сенсибилизация фотографических эмульсий с микрокристаллами AgCl. // Журнал прикладной химии, 1995, т.1, с.74-79

284. Картужанский А.Л., Барин А.В., Иванов В.О. // Процессы старения и сохраняемость фотографических материалов, Изд. «Химия», Л., 1976.

285. Чибисов К.В. // Теория синтеза фотографических эмульсий. В кн.: Козлов П.В. Технология фотокинопленки, т.2. М., Л., «Искусство», 1937.

286. Хейнман А.С., Донатова В.П. / К механизму десенсибилизации эмульсионных кристаллов красителями. //ЖНиПФиК. 1970. Т. 15. С. 374-375.

287. Tani Т., Saito М. / Stadies of Mechanism of sensitization by Hydroxy-tetraazaindenes in Relation to their adsorption to AgBr grains. // Photogr. Sci. Eng. 1979. V. 23, №6, P. 323-331.

288. Wood H.W. / The heats of adsorption of stabilizers and the mechanism of stabilization. // J. Phot. Sci. 1966, V. 14, P. 72-78.

289. Faerman G.P. / Investigation on the effect of organic anti-foggants on the development process. // J. Phot. Sci. 1967, V. 15, № 1. P. 22-28.

290. Sugimoto T. Stable Crystal Habits of General Tetradecahedral Microcrystals and Monodisperse AgBr Particles.//J.Coll. Interface Sci.,1983,V.91,№l,P.51-68.

291. Терентьев Е.Г., Авдюшкина М.Г., Утехин A.H. Влияние состава и состояния поверхности микрокристаллов «ядро-оболочка» на функции и эффективность действия внутренних центров.// Информационный сборник, НИКФИ, М., 1990, С. 88.

292. Чибисов К.В. Фотографическое проявление. // М., Наука. 1989.208 С.

293. Kagakin E.I., Prosvirkina E.V., Larichev Т.A., Titov F.V. / Influence of Cd(II) Ions on Photoprocess Efficiency in Photoemulsion Heterocontact AgHal Crystals. // International Symposium on Silver Halide Imaging, 1997, Vancouver, Canada, P. 57.

294. Алфимов M.B., Шевалевский О.И., Кулешов И.В., Елисеев А.В. Структура и свойства многофазных фотографических микросистем.//ЖНиПФиК, 1990, Т.35, №3(ч.1) С.200 -206, №5(ч.2) С.321-324.

295. Кохно Г.В., Бреслав Ю.А., Кагакин Е.И., Мохов А.И., Сотникова JI.B. / Консекутивные процессы при окислении-восстановлении центров скрытого изображения. //ЖНиПФиК. Т. 34. 1990. С. 267-271.

296. Гранзер Ф. Физические свойства галогенидов серебра в фотографических светочувствительных материалах / ЖНИПФиК, 1986, т.31, №2, С.46-54.

297. Dahne S. Spectral sensitization and electronic structure of organic dyes. / Photogr. Sci. Eng. 1979. V.23. P.219.

298. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ РЕГЛАМЕНТ изготовление фототехнической пленки типа ФТ для полиграфии в лабораторных условиях

299. Общая характеристика производства.

300. Технологический процесс изготовления фототехнической пленки типа ФТ для полиграфии разработан применительно к условиям лабораторной установки кафедре неорганической химии КемГУ и состоит из следующих технологических потоков:

301. Подготовка химикатов и приготовление растворов;2. Изготовление эмульсии;

302. Нанесение на гибкую подложку эмульсионного слоя; Каждый технологический поток подразделяется на операции:

303. Подготовка химикатов и приготовление растворов:11. Подготовка химикатов,12. Приготовление растворов.2. Изготовление эмульсии:

304. Двухструйная эмульсификация;22. Физическое созревание;

305. Выделение твердой фазы осаждением;24. Промывка осадка;25. Диспергация осадка;26. Химическое созревание.27. Стабилизация эмульсии.

306. Нанесение на гибкую подложку эмульсионного слоя:

307. Подготовка эмульсии к поливу;32. Введение добавок полива;33. Полив;34. Сушка.

308. Характеристика изготовляемого продукта.

309. Фототехническая пленка типа ФТ для полиграфии изготавливается путем полива эмульсии на подслоированную бесцветную триацетатную основу. Толщина основы 130-140 мкм.а). Характеристика эмульсионного слоя.

310. Нормативные фотографические показатели фотоматериала типа ФТ-КР для полиграфии приведены в таблице 1: