Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Ляхович, Анатолий Николаевич

• Ляхович, Анатолий Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ляхович, Анатолий Николаевич

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ И СПЕКТРОСКОПИЯ ЭКСИТОНОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И ГЕРМАНИЯ.

1.1. Особенности строения кристаллической решетки слоистых полупроводников

1.1.1. Полупроводники А^71 ( , G-a.Se , 1пЗе ).

1.1*2. Полупроводники А13^71 ( ОеЗе , &еЗв2 , &ей2 ).

1.2. Энергетическая зонная структура слоистых кристаллов

1.2.1. Полупроводники АШВ71 ( Са£е , 9аЗ , 1п&е).

1.2.2. Полупроводники А1УВ71 (С-еве , аеЗв2 % Ое32 ).

1.3. Спектроскопия и магнитоспектроскопия в слоистых полупроводниках

1.3.1. Полупроводники А^71 ( СаЗ , ОаЗе , 1пЗв).

1.3.2. Полупроводники А17В71 ( ОеБе , 0е3е2 , &еВ2 ).

Глава П. ПОЛУЧЕНИЕ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ АшвУ1 и А1УВУ

2.1.1. Особенности выращивания монокристаллов &аЗ

Саве , 1пЗв методом Бриджмена.

2.1.2. Применение метода статической сублимации для выращивания монокристаллов СеЗе , &е$>е2 9 Ое$

2.1.3. Анализ структуры и совершенства полученных кристаллов

2.2.1. Определение основных оптических констант

2.2.2. Низкотемпературные измерения

2.2.3. Учет влияния поляризационных свойств спектральной аппаратуры на результаты измерений

2.2.4. Особенности изучения спектров поглощения и фотопроводимости дихроичных кристаллов

2.3.1. Описание установки для исследования спектров маг-нитопоглощения и эффекта Фарадея в стационарных магнитных полях до 3 Т

2.3.2. Методика исследования фарадеевского вращения и магнитопоглощения в сильных импульсных полях

Глава Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ КРИСТАЛЛОВ &а$> , &а$>е , 1п$е (влияние температуры и примесей )

3.1. Интерференционные эффекты в слоистых кристаллах.

3.2. Спектры поглощения в области прямых экситонных переходов на краю фундаментального поглощения.

3.3. Проявление политипизма в экситонном спектре поглощения кристаллов In.Se

3.4. Экситонные эффекты в глубине фундаментального поглощения кристаллов (?а$е , 1пйе.

3.5. Влияние примесей Ре и Мп на оптические спектры селенида индия

3.5.1. О кристаллохимическом соответствии примесных атомов

3.5.2. Структура поглощения кристаллов In.Se ; Ре, 1п$е--Мп

3.5.3. Спектры фотолюминесценции кристаллов 1п$е легированных Ре , Мп

Выводы к главе Ш

Глава 1У. ЭФФЕКТ ФАРАДЕЯ И МАГНИТОПОГЛОЩЕНИЕ В КРИСТАЛЛАХ GaS , Gaäe , InSe

4.1. Эффект Фарадея в области края поглощения кристаллов GaS , GaSe, InSe.

4.2. Дисперсия фарадеевского вращения в экситонной области кристаллов InSe ,и GaS

4.3. Фарадеевское вращение в глубине поглощения InSe

4.4. Эффект Фарадея в сильных импульсных магнитных полях

4.5. Магнитопоглощение в кристаллах InSe

Выводы к главе 1У

Глава У. ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ В СЛОИСТЫХ КРИСТАЛЛАХ' А1УВУ1"*

5.1. Спектры поглощения кристаллов GeSe в области непрямых переходов

5.2. Экситонная структура спектров поглощения GeSe , GeSes и ее поляризационные особенности

5.3. Особенности экситон-фононного взаимодействия в GeSe и GeSe

5.4. Фотопроводимость моноселенида германия

5.5. Край поглощения и дисперсия двулучепреломления кристаллов дисульфида германия

Выводы к главе У

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия»

В "Основных направлениях экономического и Социального развития СССР на 1981-1985 гг. и на период до 1990 года", утвержденных на ХХУ1 съезде КПСС, указывается на необходимость создания и усовершенствования технологии получения и комплексных исследований полупроводниковых материалов с заданными свойствами.

Используемые сейчас материалы не в состоянии удовлетворить все созраставдие потребности таких развивающихся областей, как оптоэлектроника, квантовая электроника, микроэлектроника.

Становится очевидным, что дальнейшие успехи этих областей науки и техники связаны с исследованиями новых классов материалов, коренным образом отличающихся по своим свойствам от уже полученных.

Актуальность темы. На современном этапе развития физики полупроводников отчетливо выделяется направление, связанное с исследованием кристаллов, особенностью которых является слоистое строение решетки. Взаимодействие между слоями в таких кристаллах (типа Ваи-дер-Ваальсова) существенно слабее по сравнению с внутри-слоевым, а это обусловливает сильную анизотропию их физических свойств. К классу слоистых полупроводников принадлежат некоторые соединения групп дихалькогениды переходных металлов, гаплоидные соединения и др.

Среди слоистых кристаллов наиболее изучен селенид галлия и именно для него имеющиеся к настоящему времени данные об электронных и колебательных спектрах позволяют в общих чертах разглядеть картину проявления в этих спектрах особенностей, обусловленных слоистым характером строения решетки. Информация же для других соединений менее полная, поэтому присущи ли эти особенности всему классу слоистых структур или только отдельным группам и объектам, остается еще выяснить.

Интерес к слоистым полупроводникам определяется также возможностью создания на их основе квантовых генераторов , переключающих устройств, эффективных фотопреобразователей и других приборов. Поэтому важным для решения прикладных задач представляется изучение изменений оптических свойств, возникающих при легировании различными примесями. Для слоистых кристаллов такие исследования актуальны еще и тем, что дают возможность выяснить механизм вхождения примесей (локализация атомов в межслоевом пространстве или в слое).

Большой информативностью при изучении полупроводников обладают такие магнитооптические методы, как эффект Фарадея и магнито-поглощение. Именно с помощью этих методов были получены важные сведения об экситонах и зонной структуре кристаллов Оа&е ,тогда как магнитооптические свойства других соединений к началу выполнения данной работы были мало изучены.

Делыо работы являлось проведение экспериментальных исследований оптических и магнитооптических свойств ряда слоистых кристаллов из групп А^71 ( СаЗ , СаВе , 1пВв ), А^В71 ( ), А^В^ ( )в Такое количество объектов исследования определено задачей поиска общих закономерностей проявления особенностей в оптических спектрах, присущих полупроводникам одного класса, но принадлежащих к различным группам.

При этом были поставлены следующие задачи: I. Исследование низкотемпературных спектров поглощения слоистых кристаллов халькогенидов галлия, индия и германия и выявление общих закономерностей в наблюдении экситонной структуры и в энергетическом спектре экситонов.

2. Изучение температурной зависимости основных характеристик эк-ситонной полосы поглощения в интервале 4,2 + 300 К и выявление особенностей экситон-фононного взаимодействия в слоистых кристаллах.

3. Исследование влияния примесей переходных элементов /чз и Мп на спектры поглощения и фотолюминесценции (на примере кристаллов In.Se),

4. Использование магнитооптических измерений эффекта Фарадея и магнитопоглощения для определения параметров экситонов и зон в кристаллах

Научная новизна» В работе проведены сравнительные экспериментальные исследования экситонной структуры в низкотемпературных спектрах поглощения кристаллов, характеризующихся сильно анизотропной слоистой решеткой. Установлено общее сходство энергетического спектра экситонов в кристаллах из различных групп и выявлены общие закономерности в температурной зависимости интегральных характеристик основной экситонной полосы, связанные с особенностями экситонного поглощения в слоистых полупроводниках.

Впервые обнаружена тонкая структура основного состояния эк-ситона в кристаллах In.Se , обусловловленная существованием в исследуемых образцах смеси £- и ^ -политипов.

На примере кристаллов 1п§е. , легированных Ре и Мп , показано, что введение примесей приводит к размытию экситонной структуры в спектре поглощения и к существенной перестройке спектра фотолюминесценции (тушению экситонной линии и "возгоранию" длинноволнового участка).

Для кристаллов проведены магнитооптические исследования и на их основе определены параметры экситонов и зон (в частности, впервые оценена величина параметра анизотропии селенида индия Д^хбх/М^ 1.75).

Практическая ценность.Учитывая высокую чувствительность экси-тонных спектров исследуемых в работе кристаллов к их структурному совершенству, политипному составу, наличию примесей, однородности, полученные результаты могут быть использованы для контроля и совершенствования технологии выращивания качественных монокристаллов слоистых полупроводников.

Представленные в работе данные о линейности эффекта Фарадея в широком диапазоне магнитных полей для полупроводников и оцененные значения коэффициента Верде на частотах излучения гелий-неонового лазера можно использовать при создании на основе данных материалов магнитооптических устройств (модуляторов, затворов и др.).

На защиту выносятся следующие положения:

1. Спектры краевого поглощения слоистых кристаллов халькоге-нидов галлия, индия и германия при низких температурах характеризуются экситонной структурой, которая удовлетворительно описывается в рамках переходов между изотропными электронными состояниями.

2. Температурная зависимость интегральных характеристик экситонной полосы поглощения в слоистых кристаллах обнаруживает отличительные особенности, связанные с проявлением механизмов рассеяния экситонов на изгибных волнах и низкоэнергетических фононах.

3. Тонкая структура основного состояния экситона в 1пВе объясняется влиянием политипизма на экситонные спектры слоистых полупроводников.

4. Межзонный эффект Фарадея в полупроводниках АШВУ1 определяется вкладами прямых и непрямых переходов, а фарадеевское вращение в экситонной области описывается в рамках изотропной двух-зонной модели.

5. Для кристаллов 1п ве в магнитном поле имеет место диамагнитный сдвиг экситонных линий и их спиновое расщепление.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на Республиканской конференции молодых ученых (Черновцы, 1978 г.), Всесоюзной конференции "Материалы для оптоэлектроники" (Ужгород, 1980 г.), ХУ Всесоюзном семинаре "Экситоны в кристаллах" (Черновцы, 1981 г.), Всесоюзном совещании по люминесценции, посвященном 90-летию со дня рождения академика С.И.Вавилова (Ленинград, 1981 г.О, УП Всесоюзном симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (Ленинград, 1982 г.), ежегодных научных конференциях и семинарах Черновицкого государственного университета в период 1977-1983 гг.

Публикации. По результатам исследований опубликовано 10 работ.

Объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов, приложения, примечания, списка литературы, содержит страниц машинописного текста, 60 рисунков, 8 таблиц, 179 наименований литературных источников.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ляхович, Анатолий Николаевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. На основании исследованной структуры края поглощения для всех изучаемых кристаллов (за исключением ) установлено существование экситонных серий, состоящих из трех линий для &С1$е ,

1п£е , из двух линий для и по одному пику для Ое$е , ОеВе2, Показано, что энергетический спектр в случае наличия нескольких членов серии удовлетворительно описывается моделью трехмерных эк-ситонов Ванье-Мотта.

2. Из исследования температурной зависимости интегральных характеристик основной экситонной полосы для всех кристаллов выявлены следущие особенности: а) в области температур Т< 50 К имеет место сдвиг экситонной полосы, не сопровождающийся увеличением ее полуширины; б) величины коэффициента ( ^Ета%1с1Т ) существенно отличаются для интервалов Т< 50 К и Т>50 К, а знак коэффициента во всем интервале остается отрицательным; в) Интегральная интенсивность экситонной полосы увеличивается до ТКр = 100 К и переходит к насыщению при Т > Ткр . Обсуждение полученных особенностей дано в рамках теории,учитывающей взаимодействие экситонов с изгибными волнами (изгибными колебаниями слоев).

3. Обнаружена разновидность формы основной экситонной полосы поглощения, которая обусловлена различным политипным составом кристаллов 1пЗе . Наблюдаемое расщепление основного состояния экситона (ДЕ =2,5 мэВ) объясняется существованием в реальных кристаллах гексагональной £ и ромбоэдрической у -модификациями.

4. Проведены исследования влияния примесей переходных элементов Ре и Мп на спектры поглощения и фотолюминесценции монокристаллов 1пЗе . Установлено, что увеличение концентрации примеси приводит к значительному уменьшению вклада экситонной люминесценции и одновременному "возгоранию" длинноволнового участка спектра. Обнаружено уширение экситонной структуры в спектре поглощения легированных кристаллов и отсутствие концентрационного сдвига максимума основной экситонной полосы.

5. Для кристаллов орторомбической структуры &е$е и &е$е2 установлены поляризационные особенности края поглощения. Экси» тонная структура для (?е$е проявляется в обеих поляризациях, а для -только в случае Еи& . Показана удовлетворительная корреляция между спектрами фотопроводимости и поглощения кристаллов моноселенида германия.

6. На основании исследования межзонного эффекта Фарадея в полупроводниках проведено разделение вклада в фарадеевское вращение прямых разрешенных и непрямых запрещенных переходов. Показано сохранение линейности угла вращения в области прозрачности кристаллов по магнитному полю вплоть до 20 Т.

7. Показано, что в экситонной области спектр фарадеевского вращения носит резонансный характер и характеризуется сильной температурной зависимостью, особенно ярко проявляющейся в изменении амплитуды пиков. Из сопоставления экспериментальных результатов с теорией определен ряд зонных и экситонных параметров для крис таллов А V*.

8. Обнаружены диамагнитный сдвиг и спиновое расщепление основного экситонного состояния в кристаллах In.Se при Т = 5 К и в магнитном поле с индукцией до 3 Т. Из магнитооптических измерений оценена величина параметра анизотропии для селенида ицция

А = 1,75 .

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ляхович, Анатолий Николаевич, 1984 год

1.1. Абрикосов H.X., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скудинова Е.В., Чижевская С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе.- М.: Мир, 1973.- 437 с.

2. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе А^В71. М.: Наука, 1975.- 195 с.

3. Борн М., Вольф Д. Основы оптики.- М.: Наука, 1973.- 712 с.

4. Е.Н.Ермаков, В.В.Ницович, Б.М.Ницович. Поглощение и рассеяние экситона в примесных кристаллах.- Киев, 1982, 20 с. (препринт ИФ АН УССР, 548-162.01).

5. Ландсберг Г.С. Оптика.- М.: Наука, 1976.- 928 с.

6. Мушинский В.П., Карман М.И. Оптические свойства халькоге-нидов галлия и индия.- Кишинев: Штиинца, 1973.- 114 с.

7. Э.М.Омельяновский, В.И.Фистуль. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М., "Металлургия", 1983, 192 с.

8. С.М.Рябченко, Ю.Г.Семенов. Проявление носитель-примесных обменных взаимодействий в магнитолегированных полупроводниках. В кн.: Спектроскопия кристаллов. Ленинград, "Наука", 1983, с.206-225.

9. Ф.Ф.Сизов, Ю.И.Уханов. Магнитооптические эффекты Фарадея и Фойгта в применении к полупроводникам. Киев, "Наукова думка", 1979.- 180 с.

10. В.В.Соболев. Собственные энергетические уровни соединенийту утгруппы А В . Кишинев: Штиинца, 1981, 284 с.

11. П.Соболев В.В. Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и галлия.- Кишинев: Штиинца, 1982.- 271 с.

12. Таблицы физических величин /Под редакцией И.К.Кикоина/.-М.: Атомиздат,1976, с.1008.

13. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников.- М.: Наука, 1977,- 306 с.

14. Бакуменко B.JI., Ковалюк З.Д., Курбатов JI.H., Чишко В.Ф. Оптические свойства монокристаллов в области края фундаментального поглощения. П.- ФТП, 1976, т.10, № 7, с.1246-1250.

15. Г.И.Беленький, В.Б.Стопачинский. Электронные и колебательные спектры слоистых полупроводников группы aV*. Успехи физ.наук, 140, Ш 2, с.233-270, 1983.

16. Г.И.Беленький, З.Ю.Салаев, Р.А.Сулейманов, Э.И.Мирзоев. Влияние одноосной деформации на экситонные спектры ФТТ, 1980, т.22, № 10, с.3153-3154.

17. Я.М.Билый, Я.О.Довгий. Спектр двумерного экситона в кристаллах Ь.-В кн.: Тезисы доклада республ.конф. по молекулярной спектроскопи. 4.1, Киев: Наукова думка, 1972, с.23-24.

18. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Сичка М.Ю. Три полиморфных формы кристаллов feSс.-Кристаллография, 1979, т.24, № I, с.83-89.

19. И.В.Блонский, И.М.Раренко, Т.Н.Сушкевич, В.В.Фризель. Экситонные спектры легированных монокристаллов Р^Z .ФТТ, 1981, 23, № 8, с.2419-2421.

20. И.В.Блонский, А.С.Крочун, А.В.Франив. Проявление фазовых структурных переходов в экситонных спектрах слоистого полупроводника . УФЕ, 26, № II, с. 1919-1922, 1981.

21. С.А.Бойко, Д.И.Блецкан, С.Ф.Терехова. Оптические постоянные диселениды германия в области края собственного поглощения. УФЖ, 1980, 25, В 10, с.1740-1742.

22. М.С.Бродин, И.В.Блонский, А.С.Крачук, Б.М.Ницович, А.В.Франив. Экситонное поглощение света в слоистых кристаллах. -ЖЭТФ, 83, №9, с. 1052-1057, 1982.

23. Бродин М.С., Гнатенко Ю.П. Исследование оптических свойств слоистого кристалла би^е .-УФЖ, 1966, т.П, № 7,с.759-765.

24. Ватаманюк П.П., Савчук А.И. Датчик опорного напряжения.-ПТЭ, 1982, 1& 5, с.207-208.

25. Ватаманюк П.П., Ляхович А.Н., Савчук А.И. Магнитооптическиео ссвойства полупроводников А В .- В кн.: Тез.докл. Всесоюз. конф. "Материалы для оптоэлектроники". Ужгород,1980,с.133.

26. Вихорев А.И. Влияние оптических приборов на поляризацию све-та.-Приборы и техника эксперимента,1979, № I, с.175-178.

27. Л.К.Водопьянов, Л.В.Голубев, Л.Ю.Кенчерпинский, Д.И.Блец-кан. Фазовый переход в монокристаллах & .- ФТТ, 1982, т.24, й 5, с.1562-1563.

28. Гавалешко Н.П., Курик М.В.,Делевский Г.Б., Ковалюк З.Д., Савчук А.И., Скицко И.Ф. Влияние одноосной деформации на экситонное поглощение в&$е и 1и .- УФЖ,1974, т. 19, № 10, с.1741-1743.

29. Гавалешко Н.П., Савчук А.И., Ватаманюк П.П., Ляхович А.Н. Влияние примеси Яе На оптические спектры монокристаллов 1ч£е .- УФ!, 1980, т.25, № II, с.1914-1915.

30. Гавалешко Н.П., Савчук А.И., Ватаманюк П.П.1,Ляхович А.Н. Получение и оптические свойства монокристаллов .-Изв.АН СССР, Неорган, мат., 1981, т.17, В 3, с.538-539.

31. Гавалешко Н.П., Савчук А.И., Ляхович А.Н., Ватаманюк П.П. Фотолюминесценция селенида индия, легированного железом.-В кн.: Тез. докл.Всесоюз.совещания по люминесценции. Л., 1981, с.79.

32. Гавалешко Н.П., Савчук А.И., Ватаманюк П.П., Ляхович А.Н. Эффект Фарадея в монокристаллах Iy.%t .- В кн.: Проблемы ядерной физики и космических лучей.Харьков,1982,$ 17,с.86-90.

33. Гавалешко Н.П., Ляхович А.Н., Ватаманюк П.П., Савчук А.И. Экситонные спектры кристаллов и .-Черновцы, Черновицкий госуниверситет,1981,- 9 е.- Рукопись деп. в ВИНИТИ 15.10.81, № 4800-81 Деп.

34. Гаджиев В.А.Соколов В.И., Субашиев К.К., Тагиев Б.К. Электропоглощение йЛе .- ФТТ,1970,т.12, J& 5, с.1350-1354.

35. Старухин А.И. Поляризационная люминесценция оптических кристаллов в магнитном поле.- ФТТ, 1980, т.22, J& 12, с.3620-3627.

36. Тамару Е.М., Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е., Разбирин Б.С., Стафе-ев В.И., Старухин А.И. Индуцируемый магнитным полем переход ориентация-выстраивание на связанных экситонах в кристаллейЛе ФТТ, 1982, т.24, № 8, с.2325-2334.

37. Гашимзаде Ф.М., Гусейнова Д.А., Кулибеков A.M. Оптические спектры и зонная структура селенида германия.- Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников, т.1, 1982, Баку, с.134.

38. Ю.П.Гнатенко, З.Д.Ковалюк, П.А.Скубенко. Краевая люминесценция кристаллов GVbe »легированных примесями группы железа.- УФЖ, 27, № 6, с.838-842, 1982.

39. И.С.Горбань, С.В.Ковтуненко, А.П.Маковецкая, А.В.Слободянюк, И.И.Тычина, В.А.Шевченко. Межзонный эффект Фарадея в тетрагональных кристаллах .- УФЖ, 1978,23, J£ 6, с.1029-1032.

40. Гросе Е.Ф. и др. Спектры поглощения кристаллов некоторых халькогенидов галлия.-Оптика и спектроскопия,1959,т.6,с.56.

41. Д.А.Гусейнов, А.М.Кулибеков, И.К.Нейманзаде. Экситонный край поглощения монокристаллов ikSe .-ФТП,1983,17,№ 4,с.738-740.

42. Давыдов И.В., Диев Н.П. 0 сублимации моносульфида германия.-ЖНХ, 1957, т.2, №9, с.2003-2006.

43. Дембовский С.А., Лойцнер Э.Н. Получение и исследование некоторых свойств монокристаллов дихалькогенидов германия.-Изв. АН СССР,Неорганические материалы,1967,т.3,№ II,с.2092-2094.

44. Л.А.Демчина, Д.В.Корбутяк, З.Д.Ковалюк, В.Г.Литовченко. Экситонные спектры интерколированного е .- ФТП, 16, № 9, с.1580-1583, 1982.

45. Джонсон 0. Германий и его соединения.- Успехи химии, 1956, т.25, № I, с.105-132.

46. В.Н.Ермаков, И.Н.Кроншевский, В.В.Ницович. Изучение спектров экситонного поглощения в примесных кристаллах. УФЖ, 1982 , 27, Jß 6, с.944-946.

47. Захарчухс А.П., Терехова С.Ф., Тодоров С.М., Цебуля Г.Г.Край поглощения монокристаллов GtSe. ФТП, 1976, т. 10, № 12;с.2367-2370.

48. Иванов-Эмин В.И. Селениды германия.- 10Х, 1940, т.10, А& 21, C.I8I3-I8I8.

49. С.С.Ищенко, С.М.Окулов, Г.Б.Абдуллаев, Г.Л.Беленький, В.Г. Грачев и др. ЭПР в монокристаллах ФТТ, 17. № 6, с.1794-1796, 1975.2;45. Караман М.И. и др. Излучение экситонов в ФТП,1972,т.6, 12, с.412.

50. Карабанов С.Г.,Зломанов В.П., Украинский Ю.М. О высокотемпературных модификациях моносульфида и моноселенида германия.-Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1970, т.6, № I, с.125-126.

51. Караханов М.И., Соколова Л.П., Новоселова A.B., Пашинкин A.C. Изучение системы (л-по разрезу ötSe^ .

52. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1976, т.12, № 8, с.1484-1485.248.1 З.Д.Ковалюк, А.И.Малик, А.И.Савчук. Дисперсия двойного лучепреломления в монокристаллах klz^ ФТП, 1975, 9, № 6, с.1216-1218.

53. Д.В.Корбутяк, Л.А.Демчина, В.Г.Литовченко, З.Д.Ковалюк. Фотолюминесцентные свойства моноселенида индия, интерколи-рованного кадмием.- ФТП,1983, 17, № 5, с.814-817.

54. Курик М.В., Савчук А.И., Раренко И.М. О природе тонкой структуры поглощения &Ле .- Оптика и спектроскопия, 1968, т.24, с.999-1002.

55. Ле Хань Бинь, Субашиев В.К. О зонах .- ФТТ,1971,т.13, с.2996.

56. Лидер К.Ф., Соловьев Л.Е. Оптические и фотоэлектрические свойства ÜS и .-ФТТ,1962,т.4,$ 6,с.1500-1502.

57. Лю-цюнь-Хуа, Пашинкин A.C., Новоселова A.B. О диселениде германия.-ЖНХ, 1962, т.7, №9, с.2159-2161.

58. Савчук А.И., Гавалешко Н.П., Делевский Г.Б., Ковалюк З.Д. Гиперболические экситоны в l^Se- .- УФЖ, 1972, т.17, В 9, с.1548-1549.

59. Савчук А.И., Ватаманюк П.П., Кица М.С., Ляхович А.Н., Слобо-дян В.З. Структура спектра поглощения монокристаллов fts«^ Изв. АН СССР,Неорган.мат., 1980, т.16, № 12,с.2258-2260.

60. Савчук А.И., Гавалешко Н.П., Ватаманюк П.П., Ляхович А.Н. Дисперсия фарадеевского вращения в экситонной области спектра моноселенида индия.-Оптика и спектроскопия, 1982,т.53, № 10, с.842-944.

61. Салаев Э.Ю. и др. Поглощение двумерных экситонов в &Se ФТП, 1971, т.1, im ,с.2325.260.' Салаев Э.Ю., Гашимзаде Ф.М., Халипов В.Х. Межзонный эффект Фарадея ФШ, 1972, т.6, №. 2, с.267-270.

62. Салаев Э.Ю., Халипов В.Х., Антонов В.Б., Найн Р.Х. Эффект Фарадея в области экситонного поглощения в &Se ФТП, 1982, т.6, й 2, с.267-270.

63. Сахновский М.Ю., Тимофеев В.Б., Якимова A.C. Спектры собственного поглощения и оптические переходы в монокристаллах .-ФТП, 1968, т.2, JS 2, с.199-205.

64. Сепаторова Н.Р. Влияние поляризационных свойств спектральной аппаратуры на результаты спектральных измерений.- ПТЭ, 1978, № 6, с.134-138.

65. В.В.Соболев, В.И.Донецких. Спектры отражения некоторых халькогенидов германия и олова.- Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1972, 8, № 4, с.688-692.

66. Соболев В.В. и др. Спектры отражения монохалькогенидов галлия.- В кн.: Тезисы доклада Всесоюзной конференции по хим. связи в полупроводниках. Минск, АН БССР, 1974, с.139.

67. Соломонов Ю.Ф., Субашиев В.К. Глубокие свободные и связанные экситоны и биэкситоны в и их коллективные взаимодействия.- Письма в ЖЭТФ,1980, т.31, № 5, с.278-282.

68. Субашиев В.К., Ле Хан Бинь. Прямое наблюдение гиперболических экситонов.- Письма в ЖЭТФ, 1970, т.12, № 3, с.139.

69. Субботин С.И., Панфилов В.В., Верещагин Л.Ф., Молчанова Р.Т. Ахундов Г.А. Смещение максимума экситонного поглощения и фазовый переход в селениде галлия под действием гидростатического давления.- ДАН СССР, 1972, т.202, IS 5, с.1039.

70. Харламов Б.М., Улицкий Н.И., Пындык A.M., Подобедов В.Б. Установка для низкотемпературных спектральных исследований в мильных импульсных полях.- ПТЭ, 1981, № I, с.204-207.

71. Abdulajeva S.G., Gadjiev V.A., Keriraova T.G., Salayev E.Y. Electroabsorption in laminated GaSe S1 semiconductors in1. X I ""Xfundamental absorption edge region.- Nuovo Gimento, 1977, v.38, N 2, pp.459-469.

72. Abdulayev G.B., Belenkii G.L., Salayev ii.Yu., Suleimanov R.A. Interlayer interaction and exciton spectrum of Gade at low temperatures.- Nuovo Gimento, 1977, V.38B, N 2, pp.469477.

73. Andriyashik M.V., Sakhnovskii M.Yu., Timofeev V.B., Yaki-mova a.£>. Optical transition in the spectra of the fundamental absorption and reflection of In3e single crystals.-Phys.3tat.Sol., 1968, v.28, N 1, pp.277-285.

74. Aoyagi K., Misu A., Kuwabara G., Hishina Y., Kurita ¿3., Fu-kuroi Т., Akimoto 0., Shinada M., £>ugano 3. Magneto-optical studies of exciton effects in layer-type semiconductors.2.76.2.77.2.78.2.79.2.80.281. 2.82.2.83.2.84.2.85.2.86.

75. Balzarotti A., Piacentini M. Excitonic effect at the direct absorption edges of GaSe.- Sol.¿täte Communs, 1972, v.10, W 5, pp.421-425.

76. Bassani P., Grenaway D.L., Fisher G. Proc.Int.Conf.Phys.Semi-cond., Paris, 1964, B-5, pp.51-56.

77. Besson J.M., Jain K.P., Kuhn A. Optical absorption edge in GaSe under hydrostatic pressure.- Phys.Rev.Letters, 1974, V.32, N 17, pp.932-936.

78. Bianchi D., Emiliani U. , Podini P. Tridimensional character of GaSe excitons in the Faraday effect.- Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.68, N 1, pp.435-441.

79. Boiko S.A., Bletskan D.I., Terekhova S.F. Exciton absorption of germanium diselenide.- Phys.Stat.Sol.(b), 1978, v.90,1. N 1, pp.K49-K52.

80. Boswarwa I.M., Howard R.E., Lidiard A.B. Faraday effect in semiconductors.- Proc.Roy.Soc., 1962, a269, pp.125-141.

81. Brebner J.L., Fisher G. Optical properties of the layer structures GaTe, GaSe and GaS.- Proc.Int.Conf.Phys.Semicond., Exeter, 1962, pp.760-765.

82. Brebner J.L., Mooser E. Excitons in GaSe polytypes.- Phys. Letters, 1967, v.24a, N 5, pp.274-275.

83. Brebner J.L., Mooser E. Electroabsorption in GaSe.- Helv. Phys.Acta, 1965, v. 36, pp.656-662.

84. Brebner J.L., Halpern J., Mooser E. Magneto-optical absorption in GaSe.- Helv.Phys.Acta, 1967, v.40, N 4, pp.385-390.

85. Burgeat Par.J., Roux G.Le., Brenac A. Sur une nouveile forme crystallin de GeSe£.- J.Appl.Cryst., 1975, v.3, N 2,pp.325-327.

86. Camassel J., Merle P., Mathieu H., Ghevy A. Excitonic absorption edge of indium selenide.- Phys.Rev., 1968, B.17, N 12, pp.4718-4725.

87. Depeursinge J. Electronic Band structure for the polytypes of GaSe.- Nuovo Gimento, 1977, v.B38, pp.153-157.297. ûittmar G., Schafer H. Die Krystallstruktur von Germaniumselenide.- Acta crystallogr., 1976, v.B32, pp.2726-2728.

88. Doni E., Girlanda R., Grasso V., Balzarotti A., Diacuitini M. Electronic properties of the III-VT layer compounds. I:

89. Band structure of GaS, GaSe and InSe.- Nuovo Gimento, 1979, v.B51, pp.154-163.

90. Личное участие диссертанта в работах, опубликованных в соавторстве, заключается в следующем:

91. Н.П.Гавалешко, А.И.Савчук, П.П.Ватаманюк, А.Н.Ляхович. Влияние примеси Ге на оптические спектры монокристаллов .и Ье.-УФЖ, 1980, т.25, Л II, с.1932.

92. В данной работе диссертантом получены монокристаллы селе-нида индия, легированного железом. Диссертант принял участие в обсуждении полученных экспериментальных результатов.

93. Н^П.Гавалешко, А.И.Савчук, П.П.Ватаманюк, А.Н.Ляхович. Получение и оптические свойства монокристаллов 6« .- Неорг. материалы, 1981, т.17, № 3.

94. А.И.Савчук, П.П.Ватаманюк, М.С.Кица, А.Н.Ляхович, В.З.Слободян. Структура спектра поглощения монокристаллов Неорг.мат.,1980, т.16, № 12.

95. В данных работах диссертантом получены монокристаллы ди-халькогенидов германия, а также принял участие в проведении эксперимента и в обсуждении.

96. П.П.Ватаманюк, А.Н.Ляхович, А.И.Савчук. Магнитооптические свойства полупроводников АШВ^.- Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Материалы для оптоэлектроники", Ужгород,1980, с.133.

97. Н.П.Гавалешко, А.Н.Ляхович, П.П.Ватаманюк , А.И.Савчук. Эффект Фарадея в слоистых соединениях А^В^1.- " . 1982, № Ю, К ИЗ, 447.

98. В данных работах диссертант принял участие в проведении эксперимента и обсуждении полученных результатов.

99. А.И.Савчук, Н.П.Гавалешко, П.П.Ватаманюк, А.Н.Ляхович. Фотолюминесценция селенида индия, легированного железом. Тез. Всесоюзного совещания по люминесценции.Ленинград,1981, с.95.

100. Н.П.Гавалешко, А.Н.Ляхович, А.И.Савчук, П.П.Ватаманюк, М.С.Кица. Оптические спектры монокристаллов 1ц¿е .легированных примесями Р«. , ^ , Тезисы Всесоюзного совещания по спектроскопии.

101. Диссертантом получены монокристаллы, проведен эксперимент, а также совместно с другими соавторами проведено обсуждение результатов.

102. Н.П.Гавалешко, А.И.Савчук, П.П.Ватаманюк, А.Н.Ляхович. Эффект Фарадея в монокристаллах ^Ье .- В сб.: Проблемы ядерной физики и космических лучей (Харьков), 1982, № 17, с.86-90.

103. А.И.Савчук, Н.П.Гавалешко, П.П.Ватаманюк, А.Н.Ляхович. Дисперсия фарадеевского вращения в экситонной области спектра моноселенида индия. "Оптика и спектроскопия",1982,т.53, 942.

104. В данных работах проведен эксперимент и принято участие в обсуждении результатов.

105. Н.П.Гавалешко, А.Н.Ляхович, П.П.Ватаманюк, А.И.Савчук. Экситонные спектры кристаллов Се5е и (теЬе^. Черновцы, 1981, Черновицкий госуниверситет, 9 е., с илл., библ.9 /Рукопись деп. в ВИНИТИ 15 октября 1981 г. № 4800 81 Деп/.

106. В данной работе диссертантом проведена экспериментальная часть и получены монокристаллы.