Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Федоров, Михаил Иванович

• Федоров, Михаил Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Федоров, Михаил Иванович

Введение

1 Материалы для термоэлектрических генераторов на основе моносилицидов переходных металлов группы железа.

1.1 Физико-химические свойства моносилицидов кобальта, железа и никеля и их твердых растворов.

1.2 Электрические свойства моносилицида кобальта и его твердых растворов с моносилицидами железа и никеля.

1.2.1 Структура энергетических зон моносилицида кобальта.

1.3 Исследования оптических свойств моносилицида кобальта.

1.3.1 Исследование отражения в области плазменного минимума.

1.3.2 Применение анализа Крамерса-Кронига к исследованию отражения сильно поглощающих материалов.

1.3.3 Определение параметров зонной структуры с помощью исследования оптических свойств.

1.3.4 Возможности повышения термоэлектрической эффективности моносилицида кобальта.

1.4 Влияние гидростатического сжатия на перекрытие энергетических зон в CoSi

2 Материалы на основе полупроводниковой фазы дисилицида железа

2.1 Свойства высших силицидов железа

2.1.1 Состав и получение высших силицидов железа.

2.1.2 Кристаллическая структура высших силицидов железа.

2.1.3 Термоэлектрические свойства /3-фазы дисилицида железа.

2.1.4 Оптические свойства объемных образцов/? —FeSi2.

2.2 Влияние различных факторов на разброс в термоэлектрических параметрах образцов /? — FeSi

2.3 Особенности механизма проводимости в /3 — FeSi

2.3.1 Особенности механизма проводимости в /3 — FeSi2 при низких температурах

2.3.2 Кинетические коэффициенты (3 — FeSi2 при средних температурах

2.3.3 Перспективность эффекта увлечения носителей тока оптическими фононами для повышения термоэлектрической эффективности.

3 Материалы на основе силицидов марганца

3.1 Материалы на основе высшего силицида марганца.

3.1.1 Технология приготовления ВСМ и твердых растворов на его основе.

3.1.2 Микроструктура высшего силицида марганца.

3.1.3 Термоэлектрическая эффективность ВСМ.

3.2 Материалы с порогом подвижности.

3.3 Соединение Mn4Al3Si5.

3.4 Особенности подбора материалов для термоэлементов.

4 Материалы на основе соединений Mg2X (X - Si, Ge, Sn, Pb)

4.1 Разработка высокоэффективных термоэлектриков n-типа на основе твердых растворов Mg2Si-Mg2Sn.

4.1.1 Кристаллическая структура, физико-химические свойства и технология получения соединений Mg2X.

4.1.2 Термоэлектрические свойства соединений Mg2X.

4.1.3 Выбор наиболее перспективных составов твердых растворов

4.1.4 Влияние особенностей зонной структуры на термоэлектрические свойства полупроводника.

4.1.5 Термоэлектрические свойства твердых растворов Mg2SiixSnx с х =

0.4 и 0.6 в диапазоне рабочих температур.

4.1.6 Механизм проводимости в твердых растворах Mg2SiixSnx п-типа.

4.1.7 Сопоставление термоэлектрических свойств твердых растворов Mg2Si0.6Sn0.4 и Mg2Si0.4Sn0.6.

4.1.8 Исследование возможностей дальнейшего улучшения термоэлектрических свойств твердых растворов Mg2Sio.6SnG.4 и Mg2Sio.4Sno.6 • • •

4.2 Твердые растворы Mg2SiixSnx и Mg2Ge!xSnx р-типа.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния»

В настоящее время термоэлектрические преобразователи энергии нашли широкое применение в различных областях человеческой деятельности. Они широко используются как для охлаждения, так и для получения электрической энергии. Термоэлектрические генераторы незаменимы для электропитания космических аппаратов, работающих в дальнем космосе[233]. Они нашли широкое применение для питания систем катодной защиты трубопроводов, радиорелейных линий связи и прочих удаленных объектов[271]. Миниатюрные термоэлектрические генераторы используются для питания наручных часов за счет тепла человеческого тела[237]. Препятствием к более широкому распространению термоэлектрических генераторов является их невысокий коэффициент полезного действия (кпд).

Кпд (т]) термоэлектрического генератора определяется формулой: Тн - Тс М- 1 V Th M + Tc/Th 1 ; здесь Г/j и Гс, соответственно температуры горячего и холодного спая, а М = \/ZT + 1 параметр, определяемый качеством используемых термоэлектрических материалов и конструкцией термоэлемента. Первый сомножитель - это кпд цикла Карно, а второй является понижающим коэффициентом, связанным с термодинамической необратимостью термоэлектрического преобразования энергии. Параметр Z называется термоэлектрической эффективностью термоэлемента, а параметр ZT - безразмерной термоэлектрической эффективностью. В реальном случае все свойства термоэлектрических материалов зависят от температуры, поэтому в формулу (1) входит усредненное значение ZT безразмерной термоэлектрической эффективности. При идеальной конструкции термоэлемента его термоэлектрическая эффективность выражается формулой:

Z = ~ Sn)2

АК+ \J кп/On)2 ' где индексы пир относятся к ветвям термоэлемента, соответственно, с п— и р—типами проводимости, а символы S, а и к - их дифференциальная термоэдс, электро- и теплопроводность, соответственно.

Можно ввести термоэлектрическую эффективность одного материала, как термоэлектрическую эффективность термоэлемента, материалы ветвей которого отличаются только знаком термоэдс:

Термоэлектрическая эффективность существующих материалов невысока (обычно ZT ~ 1). Это приводит к тому, что кпд большинства существующих термогенераторов не превышает 10%. Дополнительным сдерживающим фактором, препятствующим широкому распространению термогенераторов даже в таких задачах, как преобразование в электроэнергию бросового тепла (в этом случае величина кпд не является прямым определяющим фактором), является то обстоятельство, что большинство наиболее эффективных термоэлектрических материалов содержат дефицитные и токсичные компоненты.

Четвертым по распространенности на Земле элементом является кремний. Его соединения обладают весьма различными свойствами: от металлов до диэлектриков. Даже среди соединений кремния, представляющих интерес для термоэлектричества, кроме обычных полупроводников, существуют представители таких классов как полуметаллы, естественные сверхструктуры и материалы с малой подвижностью. В каждом из этих классов необходимо найти свой метод повышения термоэлектрической эффективности. Тем не менее, разнообразие свойств соединений кремния и доступность этих материалов позволяет надеяться на возможность создания весьма эффективных термоэлектриков на основе соединений кремния. Поэтому разработка эффективных термоэлектриков на основе соединений кремния является весьма актуальной.

Термоэлектриков среди соединений кремния пока найдено не так уж много. Это моносилицид кобальта, высшие силициды 3d- и 4с1-переходных металлов (CrSi2, MnSi^i.7, FeSi2, Ru2Si3), силицид магния. Некоторые свойства этих соединений приведены в таблице 0.1. Для реального использования этих материалов в термоэлектрических устройствах необходимо сколько возможно повысить их эффективность и решить ряд вопросов связанных с коммутацией этих материалов в пары.

Как правило, эти материалы имеют только один тип проводимости, и для создания термоэлементов из таких материалов необходимо подбирать пары из материалов с сильно различающимися физическими свойствами. Такие термоэлементы можно назвать неоптимальными термоэлементами. Некоторые вопросы использования таких термоэле

Таблица 0.1: Некоторые свойства силицидов, которые могут быть использованы в термоэлектрическом преобразовании энергии.

Материал Температура плавления, К Тип проводимости ZTiпах Eg, ЭВ

CoSi 1700 п 0.2 0.016

CrSi2 1763 р 0.25 0.7

MnSii.7 1430 р 0.7 0.66

FeSi2 1490 п 0.2 0.87

FeSi2 1490 р 0.2 0.87

Ru2Si3 1970 п 0.4 1.1

Ru2Si3 1970 р 0.27 1.1

Mg2Si 1375 п 0.3 0.77 ментов будут обсуждены в работе.

Материалы, содержащие соединения кремния, имеют разные механизмы проводимости и разные перспективы повышения термоэлектрической эффективности. Только поняв механизмы, определяющие термоэлектрические свойства, этих материалов можно оценить их перспективы в качестве термоэлектриков.

Целью настоящей работы является исследование возможностей повышения термоэлектрической эффективности различных термоэлектрических материалов на основе соединений кремния.

Научная новизна

Запишем формулу (3) в виде:

Z- — - S2° - S2eUU (4) к ~ Кь + LoT ~ kl + eLnuT ^ здесь kl - решеточная составляющая теплопроводности; L - число Лоренца; е - заряд электрона; п - концентрация носителей тока; и - их подвижность. k,l зависит только от особенностей фононного спектра и механизма рассеяния фононов. и зависит от особенностей энергетического спектра носителей тока и механизма их рассеяния, п также зависит от особенностей энергетического спектра носителей тока, выражаемых через эффективную массу плотности состояний (m<j), и, кроме того от уровня химического потенциала (ц). S и L зависят только от механизма рассеяния носителей тока и уровня химического потенциала. Предполагая, что носители тока рассеиваются только, например, на акустических фононах, можно определить уровень химического потенциала, при котором Z максимальна и определить ее величину. В простейшем случае Zmax определяется формулой:

Zmax ~ mj2—- (5)

KL

Или, выражая подвижность через время релаксации (г) и эффективную массу проводимости (т*), получим:

3/2

7 га<* Г ffi\

Лтах ~ -Г----1Ь) т* kl

Из формулы (6) видно, что максимальная термоэлектрическая эффективность определяется двумя сомножителями. Первый из них полностью определяется энергетическим спектром носителей тока, а второй механизмами рассеяния носителей тока и фононов, а также фононным спектром. На протяжении многих лет в теории термоэлектричества первому сомножителю не уделялось достаточно внимания и основные усилия были направлены на понижение теплопроводности кристаллической решетки, стараясь при этом не слишком увеличить рассеяние носителей тока. Как известно из теории теплопроводности твердых тел (см., например, [53]), основной вклад в перенос тепла дают акустические фононы, они же дают основной вклад в рассеяние носителей тока при повышенных температурах. Отсюда следует, что возможность повышения термоэлектрической эффективности за счет второго сомножителя весьма ограничена. Иногда, даже когда реальное повышение эффективности было получено за счет изменения энергетического спектра носителей тока, повышение Z приписывалось понижению теплопроводности решетки. В частности это произошло с заполненными скуттерудитами[257] (подробно этот вопрос рассмотрен в работе [259]).

Для того чтобы разработать термоэлектрический материал необходимо выполнить две группы условий — "термоэлектрические" и "технологические". Конечно, выполнение этих условий тесно взаимосвязано, но, тем менее, их можно разделить следующим образом:

Термоэлектрические":

1. Минимизировать решеточную теплопроводность.

2. Оптимизировать параметры зонного спектра.

Технологические":

1. Найти способ создания необходимой концентрации носителей заряда.

2. Обеспечить получение однородных образцов с воспроизводимыми свойствами.

Очередность "термоэлектрических" условий ранее рассматривалась именно в таком порядке, как указано выше. То есть, для создания термоэлектрика необходимо найти состав твердого раствора, обеспечивающего минимальную теплопроводность, а уж если удастся, то модифицировать состав так, чтобы он обеспечивал необходимую ширину запрещенной зоны.

Выполнение данной работы показало, что во многих случаях более важной является вторая задача, то есть, оптимизация энергетического спектра носителей тока.

В настоящей работе впервые проанализированы возможности повышения эффективности термоэлектриков на основе соединений кремния за счет оптимизации энергетического спектра носителей тока и обсуждены возможности практической реализации того или иного механизма изменения этого спектра.

Практическая ценность

Существенным недостатком ТЭГ, ограничивающим их широкое применение, является высокая стоимость вырабатываемой ими электроэнергии. Из чего складывается эта стоимость? Рассмотрим формулу (7):

Se~(Sf + Sg)/(Tw-Pg). (7)

Здесь Se - стоимость единицы электроэнергии, Sg - стоимость ТЭГ, Sf - стоимость топлива, израсходованного за время эксплуатации, Tw - время эксплуатации, Рд - мощность ТЭГ. Первый член в формуле (7) - Sf/(TW • Рд) пропорционален коэффициенту полезного действия ТЭГ, и, согласно теории термоэлектрического преобразования (см. например [11]), определяется используемыми материалами и рабочим интервалом температур. Второй член - Sg/(Tw-Pg) определяется стоимостью генератора (приведенной к единице мощности) и уменьшается при увеличении срока службы ТЭГ. Наиболее доступными путями повышения кпд являются использование более эффективных материалов, увеличение рабочего интервала температур и создание каскадных ТЭГ. Применение термоэлектриков на основе соединений кремния позволяет решить ряд задач во всех трех подходах.

В тоже время существует ряд задач получения электроэнергии, когда стоимость топлива является несущественной. Такими задачами являются, например, питание цепей управления различного рода отопителей, использование отходов тепла отходящих газов двигателей внутреннего сгорания и т.п. В этом случае определяющим является второй член формулы (7). При создании ТЭГ, направленных на решение подобных задач, основной проблемой становится не только повышение эффективности используемых материалов, но и снижение стоимости и материалоемкости ТЭГ.

Существенным вопросом также является экологическая безопасность применяемых материалов. В отличие от большинства применяемых в настоящее время термоэлектриков, материалы на основе соединений кремния не содержат токсичных компонентов и не представляют опасности для окружающей среды как при работе, так и при утилизации.

Решение вопросов, рассмотренных в диссертации, позволит открыть более широкие возможности для использования материалов на основе соединений кремния в реальных термоэлектрических устройствах. На основе исследований материалов улучшены их свойства, создан и испытан ряд прототипов термоэлектрических устройств.

Рассмотренные в диссертации вопросы представляют интерес не только для теории и практики термоэлектрического преобразования энергии, но также полезны для разработки оптоэлектронных приборов, внесен заметный вклад в некоторые вопросы физики полупроводников.

Основные положения, выносимые на защиту

На защиту выносятся следующие результаты:

1. Впервые проанализированы возможности повышения термоэлектрической эффективности термоэлектрических материалов на основе соединений кремния и показано, что возможно значительное повышение термоэлектрической эффективности за счет оптимизации энергетического спектра носителей тока в этих материалах.

2. Исследованы возможности изменения естественных сверхструктур в материалах на основе высшего силицида марганца и влияния параметров сверхструктур на термоэлектрические свойства материала. Показано, что оптимизация параметров сверхструктур может быть использована для повышения термоэлектрической эффективности.

3. Впервые проведены экспериментальные исследования эффекта увлечения носителей тока оптическими фононами и показано, что этот эффект может быть использован для существенного повышения термоэлектрической эффективности.

Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием хорошо апробированных экспериментальных методик, тщательным контролем качества образцов и комплексным характером исследований. При возможности сопоставления с литературными данными наблюдается хорошее согласие вновь полученных данных с литературными. Результаты, полученные различными методами, хорошо воспроизводятся, взаимно согласуются и укладываются в рамки единых теоретических представлений.

Краткое содержание работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Федоров, Михаил Иванович

Основные результаты работы состоят в следующем:

Показано, что в материалах на основе соединений кремния возможно значительное повышение термоэлектрической эффективности за счет оптимизации энергетического спектра носителей тока.

Проведены экспериментальные и теоретические исследования твердых растворов соединений Mg2X в широком диапазоне составов твердых растворов и концентраций носителей тока.

На основе предложенного подхода разработан термоэлектрический материал п-типа, который является лучшим в температурном диапазоне 580-830 К, и практически во всем температурном диапазоне он более чем в полтора раза лучше, чем аналогичный материал, известный до начала настоящей работы.

Показано, что существование порога подвижности в полупроводниках может приводить к существенному увеличению термоэлектрической эффективности.

Усовершенствована система легирования и разработан термоэлектрический материал р-типа на основе высшего силицида марганца, термоэлектрическая эффективность которого в интервале температур 600-850 К значительно превосходит ранее достигнутую в материалах на основе ВСМ.

Определены условия достижения максимальной термоэлектрической эффективности в полупроводниках с двумя зонами проводимости (валентными), разделенными небольшим энергетическим зазором.

Показано, что эффект увлечения носителей тока оптическими фононами может приводить к существенному увеличению термоэлектрической эффективности.

Показано, что наиболее вероятной причиной особенностей явлений переноса в /3—FeSi2 является эффект увлечения носителей тока оптическими фононами.

Исследовано влияние различных факторов на слоистую микроструктуру в ВСМ и показано, что она может быть целенаправленно изменена за счет соответствующего введения примесей. Изменение микроструктуры влияет не только на уровень термоэлектрических свойств, но и на их температурную зависимость.

Разработана методика анализа оптических свойств полуметаллов и сильно легированных полупроводников, не имеющих окна прозрачности в спектре поглощения. Предложен новый метод коррекции фазы при обработке спектров отражения по соотношениям Крамерса-Кронига, при использовании которого спектр поглощения определяется только на основе исследования отражения.

Проведено комплексное исследование термоэлектрических параметров и оптических свойств моносилицида кобальта и его твердых растворов NiSi и FeSi, которое позволило определить параметры электронного спектра носителей тока вблизи уровня Ферми и показало направление воздействия на материал для повышения его термоэлектрической эффективности.

На основании исследования влияния гидростатического сжатия на термоэдс и электропроводность моносилицида кобальта и его твердых растворов с моносилицидом железа при давлениях до 1.2 ГПа при комнатной температуре впервые установлено, что уменьшение постоянной решетки на 1% приводит к уменьшению энергии перекрытия на 0.013 эВ.

При рассмотрении возможности создания эффективного термоэлектрического материала n-типа на основе силицидов марганца исследованы эффекты переноса тепла и заряда соединения M^A^Sis. Показано, что в широком температурном диапазоне наблюдаются различные знаки термоэдс и коэффициента Холла. Проведенный анализ показал, что наиболее вероятной причиной этого эффекта является сильное межзонное рассеяние носителей тока.

Исследована возможность создания эффективного термоэлектрика р-типа на основе твердых растворов соединений Mg2X. Показано, что в этом случае вполне возможно создать термоэлектрики р-типа, которые могут эффективно использоваться в паре с наиболее эффективными термоэлектриками n-типа на основе твердых растворов соединений Mg2X.

В заключение выражаю глубокую благодарность сотрудникам лаборатории физики термоэлементов, которые оказывали всяческую поддержку автору и без помощи которых эта работа не могла состояться, и, особенно, с.н.с. В.К.Зайцеву, в тесном сотрудничестве с которым сделано большинство работ автора.

Также выражаю благодарность сотрудникам исследовательского центра Коматсу

Лтд. (Япония) И.Аояме и Л.Раушеру и сотрудникам Японского института передовой науки и техники (JAIST) М.Курису и Т.Тсуджи за помощь в проведении ряда экспериментов и расчетов.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Федоров, Михаил Иванович, 2007 год

1. Абельский Ш.Ш., Ирхин Ю.П. О причине разных знаков термоэдс и Холл-эффекта в благородных металлах. ФТТ, т.11, В.10, сс.2756-2758.

2. Абрикосов Н.Х. Исследование системы Fe-Si в области соединения FeSi2. Изв. сектора физ.-хим. анализа ИОНХ АН СССР, 1956, Т.27, сс. 157-163.

3. Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д. Исследование монокристаллов твердого раствора высшего силицида марганца с FeSi2. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1974, Т. 10, В.6, сс. 1016-1022.

4. Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д. Исследование легированных монокристаллов высшего силицида марганца. Легированные полупроводники, М., Наука, 1975, с.86-89.

5. Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д., Громова Л.В. Определение эффективных коэффициентов распределения Cr, Fe и Ge в высшем силициде марганца. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1973, Т.9, В.З, сс.489-491.

6. Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д., Муравьев В.Г. Получение и исследование монокристаллов твердых растворов высшего силицида марганца с Ge и CrSi2. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1972, Т.8, В.7, сс.1194-1200.

7. Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д., Петрова Л.И. Система MnSii.72-FeSi2. Изв. АН СССР; Неорг. материалы, 1974, Т.10, В.12, сс.2226-2227.

8. Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д., Роднянская Н.М. Получение и исследование соединений марганца с алюминием и кремнием. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1969. Т.5. В 4. сс.797-798.

9. Абрикосов Н.Х., Петрова Л.И. Получение кристаллов низкотемпературной модификации FeSi2. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1975, Т.11, В.2, сс.223-225.

10. Альперович Л.И. Метод дисперсионных соотношений. Душанбе, "Ирфон", 1973.

11. Анатычук Jl.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Киев, "Наукова думка", 1979, 768 с.

12. Андреева Л.П., Сидоренко Ф.А., Гельд П.В. Валентные состояния атомов в моносилицидах некоторых переходных металлов при пониженных температурах. ФММ, 1965, Т. 19, сс.784-786.

13. Андреева Л.П., Гельд П.В. Коэффициенты термического расширения и модули упругости силицидов железа. Изв.ВУЗов, Черная металлургия, 1965, №2, сс.111-117.

14. А.И.Ансельм. Введение в теорию полупроводников, М.-Л., ГИФМЛ, 1962, 420 с.

15. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л., Наука, 1970, 320 с.

16. Белоусов М.В. Восстановление инфракрасного спектра диэлектрической проницаемости из спектров комбинационного рассеяния. ФТТ, 1973, Т. 15, сс.1206-1212.

17. Белоусов М.В., Погарев Д.Е. Дисперсионный анализ сложных спектров отражения. Опт. и спектроск., 1975, Т.38, сс.1018-1020.

18. Бережной А.С. Кремний и его бинарные системы. Киев, 1958, с.199.

19. Воде Г. Теория цепей и проектирование усилителей с обратной связью. М. ГИИЛ, 1948.

20. Болотина Н.Б., Журова Е.А., Симонов В.И., Дюжева Т.Н., Бенделиани Н.А. Кристаллическая структура фазы высокого давления Mg2Sni.i. Кристаллография, 1996, Т.41, В.4, сс.651-658.

21. Бульонков Н.А., Большаков К.А., Федоров П.И., Цирлин М.С. Авт. свид. СССР, N 150495 от 1962.10.11, Бюлл. Изобр. Щ5.

22. Бурштейн А.И. Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств. 1962, Москва, ГИФМЛ, 136 с.

23. Бытенский Л.И., Гудкин Т.С., Иорданишвили Е.К., Казьмин С.А., Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. Влияние потенциальных барьеров на термоэлектрические свойства халькогенидов свинца. ФТЦ 1977, Т.11, В.8, сс.1522-1526.

24. Веттегрень В.И., Чмель А.Е. Расчет оптических постоянных слабых полос поглощения методом Крамерса-Кронига. Ж.прикл. спектроскопии, 1973, Т. 19, сс.943-945.

25. Вечер Р.А., Герасимов Я.Н., Гейдерих В.А. Активность железа в твердых растворах кремния в железе. ЖФХ, 1965, Т.39, сс. 1229-1232.

26. Власов А.В., Енгалычев А.Э., Зайцев В.К., Иванов В.Ю., Ктиторов С.А., Марчук Н.Д., Ордин С.В., Федоров М.И. Несоразмерность структуры и свойства высшего силицида марганца. Силициды Труды ИОФАН, Т.32. 1991, М., Наука, сс.89-109.

27. Воронов Б.К., Дудкин Л.Д., Трусова Н.Н. Анизотропия термоэлектрических свойств в монокристаллах дисилицида хрома и высшего силицида марганца. Кристаллография, 1967, Т.12, В. сс.519-521, 1137

28. Воронов Б.К., Дудкин Л.Д., Трусова Н.Н. К физико-химической природе моносилицидов с решеткой типа FeSi. Хим. связь в полупроводниках, Минск, Наука и Техника, 1969, сс.273-284

29. Воронов Б.К., Дудкин Л.Д., Трусова Н.Н. Исследование условии синтеза некоторых силицидов переходных металлов в твердой фазе. Порошковая Металлургия, 1974, В.12(144) , сс.13-17.

30. Гельд П.В. Термические и термоэлектрические свойства сплавов кремния с переходными металлами. ЖТФ, 1957, Т.27, В.1, сс.113-118.

31. Гельд П.В., Коршунов В.А., Петрушевский М.С. Некоторые особенности жидких сплавов кремния с железом, марганцем и хромом. Изв. АН СССР, Металлургия и топливо, 1960, №6, с.129

32. Гельд П.В., Коршунов В.А., Гертман Ю.М., Петрушевский М.С. О структуре расплавленных силицидов железа и марганца. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1962, Т.122, сс.40-48.

33. Гельд П.В., Кренцис Р.П. О некоторых теплофизических характеристиках силицидов железа. ФММ, 1963, Т.15, сс.63-71.

34. Гельд П.В., Летун С.М., Серебренников Н.Н. К термодинамике высшего силицида марганца. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1966, №12, сс.5-13.

35. Гельд П.В., Серебренников Н.Н., Коршунов В.А. О теплотах плавления силицидов. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1958, №7, сс.53-62.

36. Гельд П.В., Серебренников Н.Н., Сохарев П.М. Термическое расширение кремния и его сплавов с железом. ФММ, 1956, Т.2, В.2, сс.244-253.

37. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М.: "Металлургия", 1971. 584 с.

38. Гертман Ю.М., Гельд П.В. К термохимии силикомарганца. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1969, №9, сс. 15-27.

39. Гладышевский Е.И. Кристаллические структуры соединений и фазовые равновесия в тройных системах двух переходных металлов и кремния. Порошковая металлургия,, 1962, №4, сс.46-49.

40. Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. 1967, М., "Наука", 244 с.

41. Голутвин Ю.М., Козловская Т.М., Масленникова Э.Г. О теплотах образования и теплоемкостях в системе марганец-кремний. ЖФХ, 1963, Т.37, В.6, сс.1362-1368.

42. Гольдберг А.И., Липатова В.А., Гельд П.В. Влияние распада лебоита на электрические свойства сплавов железа с кремнием. ФММ, 1959, Т.7, N.2, сс.316-317.

43. Гольдберг А.И. Электропроводность и термоэлектродвижущая сила лебоита. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1959, Т.92, сс.59-65.

44. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. 1972, М., Наука, 320 с.

45. Горшков М.М. Эллипсометрия, М. Сов.Радио., 1974.

46. Грузинов Б.Ф., Константинов П.П. Автоматическое измерение эффекта Холла и электропроводности в сильно легированных полупроводниках. ПТЭ. № 5 (1972), сс. 225-227.

47. Давыдов К.Н., Гельд П.В., Серебренников Н.Н. Теплоемкость и термическое расширение сплавов кремния с железом, хромом и марганцем. Физико-химические основы производства сталей, Изд. АН СССР, 1957, сс.350-369.

48. Дворина JI.A., Попова О.И., Дереновская Н.А. Получение и некоторые химические свойства силицида магния. Порошковая металлургия, 1969, N5 (77), с.29-32.

49. Дмитриев Е.А., Сидоренко Ф. А., Бортник А.Н. Механизмы рассеяния в разбавленных твердых растворах CoixFexSi. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1970, Т.186, сс.158-160.

50. Дмитриев Е.А., Сидоренко Ф. А., Гельд П. В., Радовский И.З. Электрические и магнитные свойства моносилицида железа и твердых растворов FeixNixSi. Изв. АН СССР, неорг. материалы, 1969, Т.5, сс.305-311.

51. Дмитриев Е.А., Сидоренко Ф. А., Радовский И.З., Михельсон А.В. Электрические свойства и магнитная восприимчивость сплавов системы FeSi-CrSi. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1968, Т.167, сс.69-74.

52. Дмитриев Е.А. Твердые растворы FeSi и NiSi. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1968, Т.167, сс.127-128.

53. Драбл Дж., Голдсмид Г. Теплопроводность полупроводников. М. Иностранная Литература. 1963, 172 с.

54. Дудкин Л.Д., Кузнецова Е.С. Исследование системы Mn-Si в области богатой кремнием. ДАН СССР, 1961, т.141, В.1, сс.94-97

55. Дудкин Л.Д., Кузнецова Е.С. Исследование электрофизических свойств сплавов на основе полупроводниковых дисилицидов хрома и марганца. Порошковая металлургия, 1962, №6 (12), сс.20-31.

56. Евдокимов В.М., Кухарский А.А., Субашиев В.К. Эффективные массы и времена релаксации тяжелых и легких дырок в германии. ФТТ, 1971, Т.13, сс.2890-2895.

57. Енгалычев А.Э., Рахимов К.А. Электрические свойства и теплопроводность некоторых твердых растворов на основе ВСМ. VI Республиканская школа молодых физиков, 1981, Ташкент, ИЯФ АН УзССР, с. 120

58. Еременко В.Н., Лукашенко Г.М. Термодинамические свойства силицида магния. ЖНХ, 1964, Т.9, В.10, сс.2295-2296.

59. Еременко В.Н., Лукашенко Г.М. Термодинамические свойства германида магния. Изв.АН СССР, Неорг. материалы, 1965, T.l, В.8, сс.1296-1297.

60. Еременко В.Н., Лукашенко Г.М., Сидорко В.Р. Термодинамические свойства силицидов марганца Порошковая металлургия, 1964, №5, сс.49-51.

61. Еременко В.Н., Лукашенко Г.М., Сидорко В.Р. О термодинамических свойствах силицидов марганца (Сообщение 3) Порошковая металлургия, 1969, №2(74), сс.74-76.

62. Жданова В.В., Зайцев В.К., Енгалычев А.Э., Ктиторов С.А. Тепловое расширение в высшем силициде марганца. Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей. (Тезисы докладов Всес. семинара), Л., 1985, сс.80-81.

63. Журавлев Н.Н., Степанова А.А. Рентгенографическое определение коэффициентов термического расширения моносилицидов марганца и кобальта. Атомная энергия, 1962, Т.13, В.2, сс. 183-184.

64. Д.Займан. Принципы теории твердого тела. "Мир", М., 1966.

65. Зайцев В.К., Енгалычев А.Э. Особенности явлений переноса в материалах на основе высшего силицида марганца. Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей (Тезисы докладов Всес. семинара), 1985, Л., сс.78-79.

66. Зайцев В.К., Енгалычев А.Э., Ктиторов С.А., Петров Ю.В., Рахимов К.А. Несоизмеримые структуры и кинетические свойства высшего силицида марганца и некоторых материалов на его основе. Препринт ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР, №856, Л., 1983, 48 с.

67. Зайцев В.К., Енгалычев А.Э., Рахимов К.А. Теплопроводность высшего силицида марганца и некоторых твердых растворов на его основе. Республиканская школа молодых ученых, 1982, Фергана, сс.33-35.

68. Зайцев В.К., Ктиторов С.А., Калязин А.Е., Марчук Н.Д., Ордин С.В. Тепловое расширение в высшем силициде марганца. ФТТ, 1992, Т.34, В.8, сс.2589-2594.

69. Зайцев В.К., Ктиторов С.А., Петров Ю.В. Увлечение малых поляронов. Материалы для термоэлектрических преобразователей, 1987, Л., сс.36-36.

70. Зайцев В.К., Никитин Е.Н., Ткаленко Э.Н. Ширина запрещенной зоны в твердых растворах Mg2Si-Mg2Sn. ФТТ, Т.11, В.12 (1969), сс.3584-3587.

71. Зайцев В.К., Никитин Е.Н. Электрические свойства, теплопроводность и ширина запрещенной зоны Mg2Sn при высоких температурах. ФТТ, 1970, Т.12, В.2, сс.357-361.

72. Зайцев В.К., Ордин С.В., Енгалычев А.Э., Соболев М.М., Петрановский В.П. Температурная динамика концентрационных солитонов в высшем силициде марганца. Термоэлектрические источники тока, Тезисы докладов. Ашхабад, "Ылым", 1986, сс.16-17.

73. Зайцев В.К., Ордин С.В., Рахимов К.А., Енгалычев А.Э. Особенности кристаллической структуры и термоэдс высшего силицида марганца. ФТТ, 1981, Т.23, В.2, сс.621-623.

74. Зайцев В.К., Ордин С.В., Тарасов В.И., Федоров М.И. Плазменное отражение в CoSi в интервале температур 80 300 К. ФТТ, 1979, Том 21, В.5, ссс. 1541-1544.

75. Зайцев В.К., Ордин С.В., Тарасов В.И., Федоров М.И. Оптические свойства высшего силицида марганца. ФТТ, 1979, Т.21, В.8, сс.2517-2520.

76. Зайцев В.К., Петров Ю.В., Федоров М.И. Кинетические свойства и термоэлектрические параметры частично неупорядоченных систем с порогом подвижности. ФТП, 1979, Т.13, В.7, сс.1359-1363.

77. Зайцев В.К., Петров Ю.В., Федоров М.И. Электронная теплопроводность в системах с порогом подвижности. ФТП, 1979, Т.13, В.10, сс.2025-2026.

78. Зайцев В.К., Рахимов К.А., Енгалычев А.Э. Высший силицид марганца, как материал для термоэлектрических преобразователей. Гелиотехника, 1983, В.З, сс. 15-17.

79. Зайцев В.К., Тарасов В.И., Адилбеков А. Переход металл-неметалл в компенсированном высшем силициде марганца. ФТТ, 1975, Т. 17, В.2, сс.581-584.

80. Зайцев В.К., Ткаленко Э.Н., Никитин Е.Н. Решеточная теплопроводность твердых растворов Mg2Si-Mg2Sn, Mg2Ge-Mg2Sn и Mg2Si-Mg2Ge. ФТТ, 1969, Т.11, В.2, сс.274-279.

81. Зайцев В.К., Федоров М.И. О корректировке фазы в анализе Крамерса-Кронига, Оптика и спектроскопия, 1978, Т.44, В. б, сс.1186-1189.

82. Зайцев В.К., Федоров М.И., Ордин С.В., Тарасов В.И. Плазменное отражение CoSi в интервале температур 80 300 К. ФТТ, 1978, Т.20, В.5, сс.1541-1544.

83. Зайцев В.К., Федоров М.И. Особенности оптимизации параметров и энергетические возможности термоэлектрических материалов на основе соединений кремния. ФТП, Т.29, В.5 (1995) сс.946-960.

84. Зайцев В.К., Федоров М.И., Зюзин А.Ю. О термоэлектрической эффективности материалов на основе моносилицида кобальта. Гелиотехника, 1981, В.4, сс.18-21.

85. Зайцев В.К., Федоров М.И., Рахимов К.А., Енгалычев А.Э., Попов В.В. Решеточная теплопроводность и спектры отражения высшего силицида марганца и некоторых твердых растворов на его основе. ФТТ, 1984, Т.26, В. 3, сс.819-824.

86. Зайцев В.К., Федоров М.И., Тарасов В.И., Адилбеков А. Плазменное отражение в CoSi и твердых растворах Co^N^Si. ФТТ, 1977, Т.19, В.6, с. 1707-1710.

87. Зеленин Л.П., Сидоренко Ф.А., Гельд П.В. Структурные особенности е-фазы в системе Co-Si. Изв. ВУЗов, Цветная металлургия, 1964, №2, с.146-151.

88. Иванов Ю.В., Зайцев В.К., Федоров М.И. Вклад неравновесных оптических фононов в эффекты Пельтье и Зеебека в полярных полупроводниках. ФТТ, 1998, Т.40, В.7, сс.1209-1215.

89. Иванова Л.Д., Абрикосов Н.Х., Елагина Е.И., Хвостикова В.Д. Получение и исследование свойств монокристаллов высшего силицида марганца. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1969, Т.5, В.11, сс.1933-1937.

90. Игишев В.Н. Электрические свойства сплавов железа с кремнием при высоких температурах. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1959, Т.92, сс.42-51; Игишев В.Н. Электрические свойства железо-кремнистых сплавов при высоких температурах. там же, сс.52-58.

91. Игишев В.Н. Термоэлектродвижущая сила сплавов частной системы FeSi-Si. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1961, Т. 114, сс.67-74.

92. Игишев В.Н., Гельд П.В. Температурная зависимость электропроводности лебоита, ФММ, 1959, Т.7, В.З, с.463-465.

93. Игишев В.Н., Гельд П.В. Электропроводность твердых растворов кремния в железе при повышенных температурах. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1960, №2, сс.90-99.

94. Иорданишвили Е.К. Эффективность термоэлектрического материала, используемого в широком интервале температур. ЖТФ, 1967, Т.37, В.2, сс.384-386.

95. Кайданов В.И., Черник И. А., Ефимова Б. А. Исследование зонной структуры и механизма рассеяния носителей тока в теллуриде олова. ФТП, 1967, Т.1. В.6. сс.869-879.

96. Кайданов В.И., Целищев В.А., Иесалниек И.К., Дудкин Л.Д., Воронов Б.К., Тру-сова Н.Н. Исследование зонной структуры моносилицида железа. ФТП, 1968, Т.2, В.4, сс.463-471.

97. Кайданов В.И., Ляхина Л.С., Целищев В.А., Воронов Б.К., Трусова Н.Н., Дудкин Л.Д. О зонной структуре и механизме рассеяния в CoSi. ФТП, 1967, Т.1, сс.1106-1108.

98. Калишевич Г.И., Матвеев Г.А., Андреева Л.П., Родионов К.П., Гельд П.В. Расчет разности Ср — Cv для некоторых силицидов Зс1-переходных металлов. ЖФХ, 1969, Т.43, сс.2604-2607.

99. Калишевич Г.И., Гельд П.В., Кренцис Р.П. Теплоемкость, энтальпия и энтропия моносилицида кобальта. Теплофизика высоких температур, 1964, Т.2, сс.16-20.

100. Калишевич Г.И., Гельд П.В., Путинцев Ю.В. Теплоемкость, энтальпия и энтропия моносилицидов хрома и никеля. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1968, Т. 167, сс.152-154.

101. Калишевич Г.И., Гельд П.В., Кренцис Р.П. Электронные теплоемкости моносилицидов хрома, марганца и кобальта. Изв. ВУЗов, Физика, 1974, №11, с.155-157.

102. Карпинский О.Г., Евсеев В.А. Кристаллическая структура Mn4Siy. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1969, Т.5, сс.525-529.

103. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978, 792 с.

104. Клещинский Л.И., Попов Ю.В., Романенко В.П., Соболев В.В., Сидоров А.Ф. Получение и исследование некоторых свойств соединений систем Со Ge и Со - Si. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1970, Т.6, сс. 1228-1231.

105. Коломоец Н.В. Влияние межзонных переходов на термоэлектрические свойства вещества. ФТТ, 1966, Т.8, В.4, сс.997-1003.

106. Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Федоров М.И., Компаниец В.В. Особенности термоэлектрических свойств слабо легированных твердых растворов Bi2(TeSe)3. ФТП, 2004, Т.38, В.7, сс.811-815.

107. Константинов П.П., Прокофьева Л.В., Федоров М.И., Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И., Компаниец В.В., Чистяков В.А. Кинетические коэффициенты n-Bi2Te2.7Seo.3 в двузонной модели. ФТП, 2005, Т.39, В.9, сс.1059-1063.

108. Коршунов В.А., Гельд П.В. О решеточных и электронных теплоемкостях моносилицидов Cr, Mn, Fe, Со. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1970, Т.6, сс.1964-1968.

109. Коршунов В.А., Сидоренко Ф.А., Гельд П.В., Давыдов К.Н. О фазовых составляющих системы MnSi-Si. ФММ, 1961, Т.12, В.2, сс.277-284.

110. Коршунов В.А., Гельд П.В. Об электрических свойствах высшего силицида марганца ФММ, 1961, Т.11, В.6, сс.945-947.

111. Коршунов В.А., Гельд П.В. Термоэлектрические свойства высшего силицида марганца. Термоэлектрические свойства полупроводников, М.-Л., Изд-во АН СССР, 1963, сс.79-85.

112. Коршунов В.А., Гельд П.В. О характере дефектов в решетке высшего силицида марганца. ФММ, 1964, Т.17, N.2, сс.292-293.

113. Кренцис Р.П., Гельд П.В., Калишевич Г.И. К термохимии силицидов железа. Теплоемкость, энтальпия и энтропия FeSi и FesSis. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1963, №9, сс.161-168.

114. Кренцис Р.П., Гельд П.В., Калишевич Г.И., К термохимии силицидов железа. Теплоемкость, энтальпия и энтропия лебоита. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1963, №11, сс.146-152.

115. Кренцис Р.П., Калишевич Г.И., Гельд П.В., Андреева JI.П. Термическое расширение моносилицидов Mn, Fe, Со, Сг. Изв. ВУЗов, Физика, 1972, №1, сс.153-155.

116. Кроитору С.Г., Соболев В.В. Структура энергетических зон кристаллов Mg2Si, Mg2Sn и их некоторых твердых растворов. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1966, Т.2, В.1, сс.50-54.

117. Кроитору С.Г., Соболев В.В., Сырбу Н.Н., Шутов С.Д. Энергетическая структура зон кристаллов групп IV, III-V, II-VI и типа Mg2Si. Химическая связь в полупроводниках и термодинамика, Минск, "Наука и Техника", 1966, сс.240-250.

118. Кузьма Ю.Б. Твердые растворы на основе /?-Мп в тройных системах Mn-Co(Ni)-Si. ЖНХ, 1962, Т.7, В.6, сс.1343-1348.

119. Кузьма Ю.Б., Гладышевский Е.И. Система Mn-Co-Si. ЖНХ, 1964, Т.9, В.З, сс.674-680.

120. Купровский Б.Б„ Гельд П.В. Изотермы теплопроводности кремния и его сплавов с железом при высоких температурах. ФММ, 1956, Т.З, сс. 182-183.

121. Кухарский А.А. Влияние возбуждения на плазмон-фононные спектры твердых тел., ФТТ, 1972, Т. 14, сс. 1744-1751.

122. Кухарский А.А., Субашиев В.К. К вопросу об определении эффективной массы и времени релаксации в полупроводниках по инфракрасному спектру отражения света. ФТП, 1970, Т.4, 287-293.

123. Кухарский А.А., Субашиев В.К. Определение некоторых параметров сильно легированных полупроводников из спектрального хода коэффициента отражения. ФТТ, 1966, Т.6, сс.753-757.

124. Кухарский А.А. Плазменные возбуждения в полупроводниках. ФТП, 1975, Т.9, 1777-1980; ФТП, 1976, Т.10, В.З, с.414.

125. Лебедева В.В. Техника оптической спектроскопии. М., Изд. МГУ, 1977, с.37.

126. Летун С.М., Гельд П.В., Серебренников Н.Н. Термодинамические характеристики силицидов марганца. ЖНХ, 1965, Т.10, В.5, сс.1263-1264.

127. Ритчи И., Майер С. Использование высокотемпературных термоэлектрических материалов (силицидов), для генераторов энергии в космосе. Преобразование тепла и химической энергии в электроэнергию в ракетных системах, М., ИЛ, 1963, сс.41-47.

128. Макаров Е.С., Мунтяну LLL, Соколов Е.Б., Слесарева Г.А. Изучение системы Mg2Pb-Mg2Ge. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1966, Т.2, В.З, сс.485-488.

129. Макаров Е.С., Смирнов А.Ф., Соколов Е.Б. Система Mg2Si-Mg2Pb. ЖНХ, 1965, Т.10, В. 10, сс.2300-2303.

130. Макаров Е.С., Мунтяну Ш., Соколов Е.Б., Слесарева Г.А. Изучение системы Mg2Sn-Mg2Ge. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1966, Т.2, В.12, сс.2116-2119.

131. Милославский В.К. К вопросу о применении соотношений Крамерса-Кронига для определения оптических констант металлов в ограниченной области спектра. Оптика и спектроскопия, 1966, Т.21, сс.343-346.

132. Мороховец М.А., Елагина Е.И., Абрикосов Н.Х. Диаграмма состояний системы Мп-Si в области высшего силицида марганца. Изв.АН СССР, Неорг. материалы, 1966, т.2, В.4, сс.650-656.

133. Мосс Т., Баррел Т., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М. "Мир", 1976, 431 с.

134. Н.Мотт, Э.Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. "Мир", М., 1974.

135. Мунтяну Ш., Соколов Е.Б., Макаров Е.С. Изучение системы Mg2Sn-Mg2Si. Изв. АН СССР. Неорг. материалы, 1966, Т.2, В.5, сс.870-875.

136. Нешпор B.C., Самсонов Г.В. Исследование электропроводности силицидов переходных металлов. ФТТ, 1960, Т.2, сс.2202-2209.

137. Нешпор B.C., Юпко В.Л. Исследование температурной зависимости электрических и термоэлектрических свойств некоторых силицидов переходных металлов. Порошковая металлургия, 1963, №.2, сс.55-59.

138. Нешпор B.C., Резниченко М.И. Исследование коэффициентов расширения некоторых силицидов. Огнеупоры, 1963, №3, сс.134-137.

139. Нешпор B.C., Самсонов Г.В. Исследование эффекта Холла в силицидах переходных металлов. ДАН СССР, 1960, Т.134, сс.1337-1338.

140. Нешпор B.C., Самсонов Г.В. Теплопроводность силицидов переходных металлов. Инж. физ. журнал, 1968, Т. 15, сс.321-324.

141. Нешпор B.C., Самсонов Г.В. Электрические, термоэлектрические и гальваномагнитные свойства силицидов переходных металлов. ДАН СССР, 1960, Т.133, сс.817-820.

142. Никитин Е.Н. Исследование полупроводниковых свойств в системе кобальт кремний. ФТТ, 1960, Т.2, В.4, сс.633-636.

143. Никитин Е.Н. Исследование температурной зависимости электропроводности и термоэдс силицидов. ЖТФ, 1958, Т.28, сс.23-25.

144. Никитин Е.Н., Базанов В.Г., Тарасов В.И. Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg2Si-Mg2Sn. ФТТ, 1961, Т.З, В.12, сс.3645-3649.

145. Никитин Е.Н., Зайцев В.К. Получение высшего силицида марганца газотранспортной реакцией. Изв. АН СССР. Неорг.материалы, 1965, Т.1, В.9, сс.1526-1529.

146. Никитин Е.Н., Сидоров А.Ф., Тарасов В.И., Заславский А.И. Легирование высшего силицида марганца по результатам микрозондового анализа. Изв. АН СССР. Неорг.материалы, 1970, Т.6, В.З, сс.604-605.

147. Никитин Е.Н., Тарасов В.И., Андреев А.А., Шумилова Л.Н. Электрические свойства монокристаллического высшего силицида марганца. ФТТ, 1969, Т.11, сс.3389-3392.

148. Никитин Е.Н., Тарасов В.И., Тамарин П.В. Тепловые и электрические свойства высшего силицида марганца от 4,2 до 1300 К и его структура. ФТТ, 1969, Т.11, В.1, сс. 234-236.

149. Никитин Е.Н., Тамарин П.В., Тарасов В.И. Тепловые и электрические свойства моносилицида кобальта в интервале температур 4.2 1600 К. ФТТ, 1969, Т.11, сс.2481-2484.

150. Никитин Е.Н., Тарасов В.И. Термоэлемент на основе силицидов переходных металлов. Гелиотехника, 1970, В.1 , сс.28-31.

151. Никитин Е.Н., Тарасов В.И. Электрические свойства твердых растворов на основе высшего силицида марганца. ФТТ, 1971, Т.13, сс.3473-3475.

152. Никитин Е.Н., Тарасов В.И., Зайцев В.К. Электрические свойства некоторых твердых растворов силицидов З-d переходных металлов. ФТТ, 1973, Т.15, В.4, сс.1254-1256.

153. Никитин Е.Н., Ткаленко Э.Н., Зайцев В.К., Заславский А.И., Кузнецов А.К. Исследование диаграммы состояний и некоторых свойств твердых растворов в системе Mg2Si-Mg2Sn. Изв. АН СССР, Неорг. материалы, 1968, Т.4, В.11, сс.1902-1906.

154. Островский Ф.И., Кренцис Р.П., Гельд П.В. Теплопроводность моносилицидов Fe и Со в интервале температур 60 360 К. Изв. ВУЗов, Физика, 1969, №9, сс.112-118.

155. Островский Ф.И., Кренцис Р.П., Гельд П.В. Теплопроводность высших силицидов некоторых 3d-nepexoflHbix металлов. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1970, Т.186, сс.22-27.

156. Охотин А.С., Ефремов А.А., Охотин B.C., Пушкарский А.С. Термоэлектрические генераторы. 1976, М., Атомиздат. , 320 с.

157. Ощерин Б.Н. Новая формула для расчета характеристической температуры по температуре плавления. Порошковая металлургия, 1962, №1, сс. 11-16.

158. Петров А. В. Методики измерения теплопроводности при высоких температурах. Термоэлектрические свойства полупроводников, М.; «71.: Изд-во АН СССР, 1963, сс.27-35.

159. Петрушевский М.С., Гельд П.В. Учет ближнего порядка при расчете термодинамических характеристик жидких сплавов. ЖФХ, 1968, Т.42, сс.741-744.

160. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М. "Наука", 1968, 384 с.

161. Радовский И.З., Сидоренко Ф.А., Гельд П.В. Магнитная восприимчивость и валентные состояния атомов марганца в его высшем силициде. ФММ, 1965, Т. 19, В.4, сс.514-520.162. .Самсонов Г.В. Тугоплавкие соединения, М., Металлургиздат, 1963.

162. Самсонов Г.В. Силициды и их использование в технике, 1959, Киев, Изд-во АН УССР, 204 с.

163. Самсонов Г.В., Дворина JI.A., Рудь Б.М. Силициды. М., "Металлургия", 1979, 272 с.

164. Самсонов Г.В., Уманский Я.С. Твердые соединения тугоплавких металлов. М., 1957.

165. Сергушин Н.П., Шабанова И.Н., Колобова К.М., Трапезников В.А., Нефедов В.И. Исследование электронной структуры моносилицидов железа, кобальта и никеля методами рентгеноэлектронной и рентгеновской спектроскопии. ФММ, 1973, Т.35, сс. 947-952.

166. Серебренников Н.Н., Гельд П.В. Теплоемкость £-фазы системы железо-кремний. ДАН СССР, 1954, Т.97, В.1, сс.695-698.

167. Сидоренко Ф.А., Гельд П.В., Шумилов М.А. Исследование превращений а-лебоита. ФММ, 1960, Т.9, В.6, сс.861-867.

168. Сидоренко Ф.А., Рабинович B.C. Концентрационная область устойчивости моносилицида железа. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1965, Т.144, сс.71-73.

169. Сидоренко Ф.А., Бортник А.Н., Шубина Т.С., Скрипова Е.А., Зеленин Л.П. Магнитная восприимчивость твердых растворов моносилицидов FeSi-CoSi и FeSi-NiSi. ФММ, 1969, Т.28, сс. 275-280.

170. Сидоренко Ф.А., Гельд П.В. О природе е-фазы системы Fe-Si. Изв. ВУЗов, Черная металлургия, 1963, №7, с.140-148.

171. Сидоренко Ф.А., Дмитриев Е.А., Гельд П.В., Радовский И.З. Электрические и магнитные свойства твердых растворов моносилицидов железа и марганца. Изв. ВУЗов, Физика, 1969, №9, сс.74-79.

172. Сидоренко Ф.А., Зеленин Л.П., Краснопевцева Е.Н., Котов А.П. Уточнение структурных параметров моносилицида кобальта. Труды Уральского Политехи, ин-та, 1968, Т. 167, сс.56-58.

173. Соловьева Г.С., Либов B.C. О методике применения соотношения Крамерса-Кронига для расчета оптических постоянных конденсированных сред из спектра отражения. Оптика и спектроскопия, 1972, Т.32, сс.513-519.

174. Соминский М.С. Солнечная электроэнергия. М.-Л., "Наука", 1965, сс.149-166.

175. Стильбанс Л.С. О выборе соотношения сечений ветвей полупроводниковых термоэлементов. ЖТФ, 1958, Т.28, В.2, сс.262-263.

176. Стребков Д.С., Заддэ В.В., Сурьянинова Т.Н., Кудешова Л.П., Солнечные элементы наземного применения. Гелиотехника, 1979, №6, с.29-32.

177. Таблицы физических величин: Справочник. Под ред. Кикоина И. К. М.: Атомиз-дат, 1976.

178. Тарасов В.И. Термоэлектрические свойства некоторых силицидов переходных металлов. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Л., 1971.

179. Тульвинский В.В., Терентьев Н.И. Относительно экстраполяции спектра отражения в анализе Крамерса-Кронига. Оптика и спектроскопия, 1970, Т.28, сс.894-896.

180. Угай Я.А., Анохин В.З., Авербах Е.М., Иванова Т.В. Электрофизические свойства соединения Mn4Si7 Электронная техника, сер.Ц, Материалы, 1970, В.1, сс.77-82.

181. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. "Наука", М., 1977.

182. Федоров М.И. Вычисление интегралов Ферми Fj(n*) с индексами j = — 1/2,1/2,1,3/2,2. Алгоритмы и математическое обеспечение для физических задач, Л., 1980, сс.47-54.

183. Федоров М.И., Аширов А.С. Автоматизированная установка для измерения температурных зависимостей термоэдс и электропроводности при высоких температурах. Изв. АН ТССР, сер. ФТХ и ГН, N3, 1988, сс.41-46

184. Федоров М.И., Калязин А.Е., Зайцев В.К., Енгалычев А.Э. Явления переноса в соединении MnAlo.75Si1.25- ФТТ, 1989, Т.31, В.6, сс.3071-3077.

185. Федоров М.И., Самунин А.Ю., Аояма И., Еремин И.С., Зайцев В.К., Соломкин Ф.Ю., Щеглов М.П. Влияние германия на кинетические свойства высшего силицида марганца. Термоэлектрики и их применение, Санкт-Петербург, 2002, сс.60-65.

186. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М. "Наука", 1967, 416 с.

187. Фэн X. Фотон-электронное взаимодействие в кристаллах, М., "Мир", 1969.

188. Хансен М., Андерко К., Эллиот Р. Структуры двойных сплавов. 1970, М., "Металлургия", 472 с.

189. Шабанова И.Н., Трапезников В.А. Исследование электронной структуры соединений переходных Зс1-металлов с углеродом, алюминием и кремнием методом электронной спектроскопии. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, Киев, 1977, с.45-51.

190. Шубина Т.С., Сидоренко Ф.А., Зеленин Л.П., Гельд П.В. О валентном состоянии атомов кобальта в его моносилициде. Изв. ВУЗов, Цветная металлургия, 1965, №6, с.41-46

191. Шубина Т.С., Сидоренко Ф.А., Гельд П.В. О магнитной восприимчивости и валентном состоянии атомов в моносилициде железа. ФММ, 1965, Т.19, с.544-549

192. Эллиот Р.П. Диаграммы состояний двойных систем. М., "Металлургия", 1970.

193. Abeles В. Lattice thermal conductivity of disordered semiconductor alloys at high temperature. Phys. Rev., 1963, V.131, N5, pp.1906-1911.

194. Amamou A., Bach P., Gautier F., Robert C., Castaing Л. Mesures de chaleur cpecifique de susceptibilite et de R.M.H. sur CoSi auter de la stoechiometrie. J. Phys. Chem. Sol., 1972, V.33, pp.1697-1712.

195. Andersen S.J. Quantification of the Mg2Si /?' and /3' phases in AlMgSi alloys by transmission electron microscopy. Metallurgical and Materials Transactions A, 1995, V.26A, N8 , pp.1931-1937.

196. Aronsson В., Lundstrom Т., Rundqvist S. Borides, Silicides and Phosphides. London, Methuen & Co Ltd., 1965. 120 p.

197. Arushanov E., Bucher E., Kloc C., Kulikova O., Kulyuk L., Siminel A. Photoconductivity in n-type (3 FeSi2 single crystals. Phys. Rev. B, 1995, Y.52, N.l , pp.20-23.

198. Arushanov E.K., Carles R., Kloc Ch., Bucher E., Leotin J., Smirnov D.V. Optical studies of monocrystalline (3 FeSi2. Inst.Phys.Conf.Ser., 1997, V.155, pp.1013-1016.

199. Arushanov E., Kloc Ch., Bucher E. Electronic properties of (3 — FeSi2 single crystals. 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, ed. by Lockwood D.J. 1995, V.l, pp.129-132.

200. Arushanov E., Kloc C., Bucher E. Impurity band in p-type (3 — FeSi2. Phys. Rev. B, 1994, V.50, N.4, pp.2653-2656.

201. Arushanov E., Kloc C., Hohl H., Bucher E. The Hall effect in (3 FeSi2 single crystals. J. Appl. Phys., 1994, V.75, N.10, pt.l , pp.5106-5109.

202. Arushanov E., Respaud M., Broto J.M., Kloc Ch., Leotin J., Bucher E. Magnetic properties of (3-FeSi2 single crystals. Phys. Rev. B, 1996, V.53, N.9 , pp.5108-5111.

203. Asanabe S. Conduction phenomena in monosilicides of iron group transition elements. J. Phys. Soc. Japan, 1965, V.20, N.6, pp.933-936.

204. Asanabe S., Shinoda D., Sasaki Y. Semimetallic properties of CoixFexSi solid solution. Phys. Rev., 1964, V.134, N.3A, pp.774-779.

205. Au-Yang M.Y., Cohen M.L. Electronic structure and optical properties of Mg2Si, Mg2Ge and Mg2Sn. Phys. Rev., 1969, V.178, N.3, pp.1358-1364.

206. Baranek P., Schamps J., Noiret I. Ab initio studies of electronic structure, phonon modes, and elastic properties of Mg2Si. J. Phys. Chem. B, 1997, V.101, N.45, pp.9147-9152.

207. Behr G., Werner J., Weise G., Heinrich A., Burkov A., Gladun C. Preparation and properties of high-purity /3 FeSi2 single crystals. Phys. Stat. Sol. A, 1997, V.160, N.2, pp.549-556.

208. Berreman D.W., Unterwald F.G. Adjusting poles and zeroes of dielectric dispersion to fit reststrahlen of PrCl3 and LaCl3. Phys. Rev. 1968, V.174, N.3, pp.791-799.

209. Bhatt A.R., Kim K.W., Stroscio M.A. Theoretical calculation of longtitudinal optical phonon lifetime in GaAs. J. Appl. Phys., 1994, V.76, N.6, pp.3905-3907.

210. Biltz W., Holverscheidt W. Z. anorg. allg. Chem., 1924, V.140, p.261.

211. Binary Alloys Phase Diagrams, Handbook on CD, 2 edition, ASM International.

212. Birkholz U., Finkenrath H., Naegele J., Uhle N. Infrared reflectivity of semiconducting FeSi2. Phys. Stat. Sol, 1968, V.30, N.l, pp.K81-K84.

213. Birkholz U., Gross E., Stoehrer U. Polycrystalline Iron Disilicide as a Thermoelectric Generator Material. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M., 1995, N.Y., CRC press, pp.287-298.

214. Birkholz U., Naegele J. Optical Investigations of the Small Polaron in /3 — FeSi2- Phys. Stat. Sol., 1970, V.39, N1, pp.197-205.

215. Birkholz U., Schelm J. Mechanism of Electrical Conduction in /? — FeSi2. Phys. Stat. Sol., 1968, V.27, N.l, pp.413-425.

216. Birkholz U., Schelm J. Electrical investigation of the semiconductor to metal transition in FeSi2. Phys. Stat. Sol, 1969, V.34, N.2, pp.kl77-kl80.

217. Blunt R.F., Frederikse H.P.R., Hosier W.R. Electrical and optical properties of intermetallic compounds. IV.Magnesium stannide. Phys. Rev., 1955, V.100, N.2, pp.663666.

218. Bolotina N.B., Zhurova E.A., Simonov V.I., Dyuzheva T.I., Bendeliani N.A. Crystal structure of the high-pressure Mg2Sn1.i phase. Crystallography Reports, 1996, V.41, N.4 , pp.614-621.223 224225226227228 229230231232

219. Boren B. Arkiv for Kemi, Mineralogi och Geologi. 1933, V.11A, p.2

220. Borrego J.M. Carrier concentration optimization in semiconductor thermoelements. IEEE transactions on Electron Devices, 1963, V.10, p.364-370.

221. Bost M.C., Mahan J.E. Optical properties of semiconducting iron disilicide thin films. J. Appl. Phys., 1985, V.58, N.7, pp.2696-2703.

222. Bost M.C., Mahan J.E. A clarification of the index of refraction of beta-iron disilicide. J. Appl Phys., 1988, V.64, N.4, pp.2034-2037.

223. Brauer G., Tiesler J. Uber Dichte und Gitterbau der Verbindungen Mg2Pb, Mg2Sn und Mg2Ge Z. anorg. Chem., 1950, V.262, N.6, pp.319-327.

224. Bridgman P.W., Proc. of the Amer. Acad, of Arts and Sciences 1929, V.64, N.2.

225. Bucksch R. Strukturdaten der /5-Phase von FeSi2. Z. Naturforsch., 1967, V.22a, pp.21242124.von Busch G., Moldovanova M. Halbleitende Eigenschaften des Mg2Pb. Helv. Phys. Acta, 1962, V.35, N.7, pp.500-503.

226. Busch G., Winkler U. Electrische Leitfahigkeit von Mischkristallen intermetallisher Verbindungen. Helv. Phys. Acta, 1953, V.26, N.5, pp.578-583.

227. Busch G., Winkler U. Elektrische Eigenschaften der intermetallischen Verbindungen Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn und Mg2Pb. Physica, 1954, V.20, N.ll, pp.1067-1072.

228. Callaway J., Baeyer H.C. Effect of Point Imperfections on Lattice Thermal Conductivity. Phys. Rev. 1960, V.120, N.4, p.1149-54

229. Christensen N.E. Electronic structure of (5 FeSi2. Phys. Rev. B, 1990, Y.42, N.ll, pp.7148-7153.

230. Chung P.L., Whitten W.B., Danielson G.C. Lattice dynamics of Mg2Ge. J. Phys. Chem. Sol., 1965, V.26, N.12, pp.1753-1760.237. "Eco-Drive Thermo."Citizen press release., Basel, March 2001, Corporate Communications Division Citizen Watch Company

231. Clark C.R., Wright C., Suryanarayana C., Baburaj E.G., Froes F.H. Synthesis of Mg2X (X=Si, Ge, or Sn) intermetallics by mechanical alloying. Materials Letters, 1997, V.33, N.l-2, pp.71-75.

232. Corkill J.L., Cohen M.L. Structural, bonding, and electronic properties of IIA-IV antifluorite compounds. Phys. Rev. В, 1993, V.48, N.23, pp.17138-17144.

233. Cutler M., Mott N.F. Observation of Anderson lokalization in an electron gas. Phys. Rev., 1969, V.181, N.3, pp.1336-1340.

234. Davis L.C., Whitten W.B., Danielson G.C. Elastic constants and calculated Lattice vibration frequencies of Mg2Sn. J. Phys. Chem. Sol., 1967, V.28, N.3, pp.439-447.

235. De Ridder R., van Tedeloo G., Amelinckx S. Incommensurate superstructures in MnSia-*. Phys.Stat.Sol. (a), 1975, V.30, N.2, pp.k99-kl01

236. De Ridder R., van Tedeloo G., Amelinckx S. Electron Microscopic Study of the Chimney Ladder Structures MnSi^ and MoGe^. Phys.Stat.Sol. (a), 1976, V.33, N.l, pp.383393.

237. Dimitriadis C.A., Werner J.H., Logothetidis S., Stutzmann M., Weber J., Nesper R. Electronic properties of semiconducting FeSi2 films. J. Appl. Phys., 1990, Y.68, N.4, pp.1726-1734.

238. Doerinkel F. Z.anorgan. und algem. Chem. 1906, P.117.

239. Dusausoy Par Y., Protas J., Wandji R., Roques B. Structure Cristalline du Disiliciure de Fer, FeSi2/?. Acta Cryst., 1971, V.B27, pp.1209-1218.

240. Eldridge J.M., Miller E., Komarek K.L. Magnesium-lead phase diagram and the activity of magnesium of liquid magnesium-lead alloy. Trans. Met. Soc. AIME, 1965, V.233, N.7, pp.1303-1308.

241. Ellis H.W., Stevenson J.R. Sum-rule constraints in reflectance extrapolation for Kramers-Kronig analysis. J.Appl. Phys., 1975, V.46, pp.3066-3069.

242. Ewald P.P., Hermann C. Strukturbericht 1913-28. Leipzig, Akad. Verlagsges. m.b.H., 1931, 818 p.

243. Fedorov M.I., Zaitsev V.K. Semimetals as Materials for Thermoelectric Generators. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M., N.Y., CRC press, 1995, pp.321-328.

244. Fedorov M.I., Zaitsev V.K., Optimization of Thermoelectric Parameters in Some Silicide Based Materials, Proc. of XIX Int. Conf. on thermoelectrics, Babrow press, Cardiff, 2000, pp. 17-27.

245. Fedorov, M.I., Pshenay-Severin, D.A., Zaitsev, V.K., Sano, S., Vedernikov, M.V. Features of conduction mechanism in n-type Mg2Siia;Sna; solid solutions, Proc. XXII International Conference on Thermoelectrics (ICT 2003), 2003, IEEE, pp.142-145.

246. Fedorov M.I., Zaitsev V.K. Thermoelectrics of Transition Metal Silicides. Thermoelectrics Handbook. Macro to Nano, ed. by Rowe D.M. 2005, CRC. Taylor & Francis, Boca Raton London New York, pp.31-1 31-19.

247. Fedorov M.I., Zaitsev V.K., Vedernikov M.V., Some peculiarities of development of efficient thermoelectrics based on silicon compounds", XXV International Conference on Thermoelectrics, Proceedings ICT'06, IEEE, 2006, в печати.

248. Filonov A.B., Migas D.B., Shaposhnikov V.L., Dorozhkin N.N., Petrov G.V., Borisenko V.E., Henrion W., Lange H. Electronic and related properties of crystalline semiconducting iron disilicide. J. Appl. Phys., 1996, V.79, N.10, pp.7708-7712.

249. Fleurial, J.-P., Borshchevsky, A., Caillat, Т., Morelli, D.T., Meisner, G.P. High figure of merit in Ce-filled skutterudites. Proc. of XV Int. Conf. on Thermoelectrics, 1996, IEEE, pp.91-95.

250. Flicher G.H., Vollenkle H., Nowotny H. Die Kristallstructur von Mni5Si26. Monatsh. Chem., 1967, V.98, N.6., pp.2173-2179.

251. Flicher G.H., Vollenkle H., Nowotny H. Neue Abkommlinge der TiSi2-Struktur. Monatsh. Chem., 1968, V.99, N.6, pp.2408-2415

252. Friauf J. J. Amer. Chem. Soc., 1926, V.48, p.1906

253. Fujino Y., Shinoda D., Asanabe S. Phase diagram of the partial system of MnSi-Si. Jap. J. Appl. Phys., 1964, V.3, N.8, pp.431-435.

254. Giannini C., Lagomarsino S., Scarinci F., Castrucci P. Nature of the band gap of polycrystalline (3 — FeSi2 films. Phys. Rev. B, 1992, V.45, N.15, pp.8822-8824.

255. Gottfried C., Schossberger F. Strukturbericht 1937, Leipzig, Akad. Verlagsges. m.b.H. 1937, 901 p.

256. Grosch G.H., Range K.J. Studies on AB2-type intermetallic compounds. I. Mg2Ge and Mg2Sn: single-crystal structure refinement and ab inito calculations. J. of Alloys and Compounds, 1996, V.235, N.2 , pp.250-255.

257. Grube G. Z. anorg. Chem., 1905, V.44, p.128268. van Gurp G.J. Cobalt silicide layers on Si. II Schottky barrier height and contact resistivity. J. Appl. Phys., 1975, V.46, p.4308-4311.

258. Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry. Compounds of manganese with silicon (8-th edition). 1982, Berlin, N.Y., Springer-Verlag. 371 p.

259. Gopinathan K.K., Goldsmid H.J., Matthews D.N. and Taylor K.N.R. Passive Thermoelement. Proc. of the Seventh Int. Conf. on Thermoelectric Energy Conversion, 1988, pp.58-61.

260. Hall W.C. Terrestrial applications of Thermoelectric Generators. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M. 1995, N.Y., CRC press, pp.503-514.

261. Heinrich A., Behr G., Griessmann H. Thermoelectric properties of /3 — FeSi2 single crystals prepared with 5N source material. XVI ICT '97. Proceedings ICT'97. 16th International Conference on Thermoelectrics, 1997, IEEE, pp.287-290.

262. Heller M.W., Danielson G.C. Seebeck effect in Mg2Si single crystals. J. Phys. Chem. Sol., 1962, V.23, N.6, pp.601-610.

263. Hesse J. Leistungsthermoelemente aus Eisen- und Chromdisilicid. Wissenschaftliche Berichte AEG-TELEFUNKEN, 1969, V.42, N.3/4, pp.171-177.

264. Hesse J. Leistungsthermoelemente aus Eisendisilicid fur die Stromerzeugung. Z. angew. Phys., 1969, V.28, N.3, pp.133-137.

265. Holdhus H., The transformation of the C-phase in iron-silicon alloys. J. Iron Steel Inst., 1967, V.200, N.12, p.1024-32

266. Hoshikawa K., Nakanishi H., Kohda H., Sasaura M. Liquid encapsulated, vertical bridgman growth of large diameter, low dislocation density, semi-insulating GaAs. J. Cryst. Growth, 1989, V.94, N.3, pp.643-650.

267. Imai Y., Mukaida M., Kobayashi K., Tsunoda T. Calculation of the density of states of transition metal monosilicides by a first principle pseudopotential method using plane wave basis. Intermetallics, 2001, V.9, pp.261-268.

268. Jaccarino V., Wertheim G.R., Wernick J.H., Walker L.R. Paramagnetic exited state of FeSi. Phys. Rev., 1967, V.160, N.3, pp.476-482.

269. Jahoda F. Fundamental absorption of barium oxide from its reflectivity spectrum. Phys.Rev., 1957, V.107, N.5, pp.1261-1265.

270. Kaliazin A.E., Kuznetsov V.L., Rowe D.M. Thermoelectric properties of Mg2Sni:cPba; alloys. Proceedings of XIX International Conference on Thermoelectrics (ICT 2000), ed. by Rowe D.M., 2000, Babrow Press, Wales, UK, pp.155-159.

271. Kawasumi I., Sakata M., Nishida I., Masumoto K. Crystal growth and characterisation of MnSLj.73 J. Cryst. Growth, 1980, V.49, N.4, p.651-658.

272. Kawasumi I., Sakata M., Nishida I., Masumoto K. Crystal growth of manganese silicide, MnSu,i.73 and semiconducting properties of Mn15Si26. J.Mater.Sci., 1981, V.16, N.2, pp.355-366.

273. Klemens P.G. Thermal resistance due to point defects at high temperature. Phys. Rev., 1960, V.119, N.2, pp.507-509.

274. Klemens P.G. Anharmonic decay of optical phonons. Phys. Rev., 1966, V.148, pp.845848.

275. Klemm W., Westlinning H. Untersuchungen tiber die Verbindungen des Magnesiums mit den Elementen der IYb-Gruppe. Z. anorg. allg. Chem., 1941, V.245, N4, pp.365-380.

276. Kloc C., Arushanov E., Wendl M., Hohl H., Malang U., Bucher E. Preparation and properties of FeSi, a — FeSi2 and (3 — FeSi2 single crystals. J. Alloys and Compounds, 1995, V.219, pp.93-96.

277. Knott H.W., Mueller M.H., Heaton L. The crystal structure of Mni5Si26- Acta Cryst., 1967, V.23, p.549.

278. Koenig P., Lynch D.W., Danielson G.C. Infrared absorption in magnesium silicide and magnesium germanide. J. Phys. Chem. Sol, 1961, V.20, N.l/2, pp.122-126.

279. Kojima Т. Semiconducting and thermoelectrical properties of sintered iron disilicide. Phys. stat. sol. (a), 1989, V.lll, N.l, pp.233-242.

280. Koj ima Т., Nishida I. Crystal growth of MnSii.73 by chemical transport method. Jap. J. Appl. Phys., 1975, V.14, N.l, pp. 141-142.

281. Kojima Т., Nishida I., Sakata T. Crystal Growth of Mn15Si26. J. of Cryst. Growth, 1979, V.47, pp.589-592.

282. Korber F., Oelsen W., Mitt. Kaiser Wilhelm Eisenforsch, 1936, Bd.18, S.109.

283. Kubaschewsky O., Evans E.L., Alcock C.B. Metallurgical thermochemistry. Pergamon Press, 1967, 495 p.

284. Kusma J.В., Nowotny H. Untersuhungen im Dreistoff: Mn-Al-Si. Monatsh. Chem,., 1964. V.95. N.4-5 pp.1266-1271.

285. Labotz R.J., Mason D.R. The Thermal Conductivities of Mg2Si and Mg2Ge. J. Electrochem. Soc., 1963, V.110, N.2, pp.120-126.

286. Labotz R.J., Mason D.R., O'Kane D.F. The thermoelectric properties of mixed crystals Mg2GeISiia;. J. Electrochem. Soc., 1963, V.110, N.2, pp.127-134.

287. Lee P.M. Electronic structure of magnesium silicide and magnesium germanide. Phys. Rev., 1964, Y.135, N.4A, pp.A1110-A1114.

288. Lefki K., Muret P., Cherif N., Cinti R.C. Optical and electrical characterization of /3-iron disilicide epitaxial thin films on silicon substrates. J. Appl Phys., 1991, Y.69, N.l, pp.352-357.

289. Levinson L.M. Investigation of the defect manganese silicide MnaSi2n-m- J■ Sol. St. Chem. 1973, V.6, pp.126-135.

290. Levison L.M., GE Technical Report, 1972, No.72CRDlll.

291. Lipson H.G., Kahan A. Infrared absorption of magnesium stannide. Phys. Rev., 1964, V.133A, pp.800-810.

292. Lott L.A., Lynch D.W. Infrared absorption in Mg2Ge. Phys. Rev., 1966, V.141, N.2, pp.681-686.

293. Lisunov K.G., Arushanov E.K., Kloc C., Malang U., Bucher E. Hopping conductivity in p-type P- FeSi2- Phys. Stat. Sol. B, 1996, V.195, N.l , pp.227-236.

294. Lyden H.G. Temperature dependence of the effective mass in PbTe. Phys. Rev., 1964, V.135A, pp.514-521.

295. Mager Т., Wachtel E. Zum Aufbau des Teilsystems MnSi-Si. Z.Metalkunde., 1970, V.61, N.ll, pp.853-856.

296. Marklund K., Larsson M., Bystrom S., Lindqvist T. The specific heat of the binary compounds FeSi, CoSi, FeGe and CoGe. Physica Scripta, 1974, Y.9, pp.47-50.

297. Marshall R.C. Growth and characterization of a transition metal silicide. J. Cryst. Growth 1968, V.3/4, pp.295-299.

298. Mayer S.E., Mlavsky A.L. Thermal and electrical properties of some silicides. Properties of elemental and compound semiconductors, N.-Y., L., 1960, V.5, p.261-274.

299. McNeil D.J., Ware R.M. Thermoelectric power and resistivity of some transition metal monosilicides. Brit. J. Appl. Phys., 1964, Y.15, pp.1517-1520.

300. Morris R.G., Redin R.D., Danielson G.C. Semiconducting properties of Mg2Si single crystals. Phys. Rev., 1958, V.109, pp.1909-1915.

301. Nowotny H., Tomiska J., Erdelyi L., Neckel A. Die Bildungswarmen von MnSii.73, MnSi, Mn5Si3 und Mn3Si (Dampfdruckmessungen) Monatsh. Chem., 1977, V.108, N.3, p.7-19

302. O'Donnell K.R, Chen X. Temperature dependence of semiconductor band gaps. Appl. Phys. Lett., 1991, V.52, N.25, pp.2924-2926.

303. Ordin S.V. Thermoelectric waves in anisotropic crystals of higher manganese silicide (HMS). Proceedings of the XIV International Conference on Thermoelectrics, ed. by

304. Vedernikov M.V., Fedorov M.I., Kaliazin A.E. 1995, St.Petersburg, A.F.Ioffe Physical-Technical Institute, pp.212-214.

305. Owen E.A., Preston G.D. Proc. Phys. Soc. London], 1924, V.36, p.341

306. Parrot J.E. The high temperature thermal conductivity of semiconductor alloy. Proc. Phys. Soc. (London), 1963, V.81, pp.726-735.

307. Pauling L. J. Amer. Chem. Soc., 1923, V.45, p.2777.

308. Philipp H., Ehrenreich H. Optical properties of Semiconductors. Phys. Rev., 1963, V.129, p.1550-1560.

309. Radermacher K., Carius R., Mantl S. Optical and electrical properties of buried semiconducting /З-FeSL. Nucl. Instrum. and Methods B, 1994, V.84, N.2, pp.163-167.

310. Raman A., Schubert K. Uber den Aufbau einiger zu TiAl3 vermandter Legierungsreihen. II Untersuchungen in einigen Ti-Al-Si- und T4-6-In Systemen. Z. Metalkunde, 1965, V.56, N.l, p.44-52

311. Range K.J., Grosch G.H., Andratschke M. Studies on AB2-type intermetallic compounds. Pt. V. The crystal structure of Mg9Sn5, a supposed high-pressure modification of Mg2Sn. J. Alloys and Compounds, 1996, V.244, N.l-2 , pp.170-174.

312. Redin R.D., Morris R.G., Danielson G.C. Semiconducting properties of Mg2Ge single crystals. Phys. Rev., 1958, V.109, pp.1916-1920.

313. Riffel M., Schilz J. Mechanically alloyed Mg2SiixSna; solid solutions as thermoelectric materials. Proc. XV Int. Conf. on Thermoelectrics, ed. by Caillat Т., Borshchevsky A., Fleurial J.-P. 1996, IEEE, pp.133-136.

314. Riffel M., Schilz J. Influence of production parameters on the thermoelectric properties of Mg2Si. XVI ICT '91. Proceedings ICT'97. 16th International Conference on Thermoelectrics, IEEE, 1997, pp.283-286.

315. Sacklowski A. Ann. Physik, 1925, V.77, p.241.

316. Sauerwald F.Z. Metallforschung, 1947, V.2, p.188.

317. Schubert K., Meissner H.G., Raman A., Rossteutscher W. Einige Strukturdaten metallischer Phasen (9). Naturwissenschaften, 1964, V.51, N.12, p.287.

318. Schwomma O., Nowotny H., Wittman A. Die Kristallarten RuSii.5, RuGe^ und MnSi 1-7 (Vorlaufige Mitteilung). Monatsh. Chem., 1963, V.94, N.4, pp.681-685

319. Schwomma O., Presinger A., Nowotny H., Wittman A. Die Kristallstructur yon MnnSi19 und deren Zusammenhang mit Disilicid Typen. Monatsh. Chem., 1964, V.95, N.6, p.1527-1537.

320. Setz S., Nowotny H., Benesovsky F. Untersuchungen in den Systemen: Mangan-Vanadin, Rhenium, Eisen]-Silicium. Monatsh. Chem. 1968, V.99, N.5, p.2004-2415.

321. Shinoda D. Magnetic properties of CoixFexSi, CoixMnxSi and Fe!xMnxSi solid solution. Phys. Stat. Sol. (a), 1972, V.ll, pp.129-136.

322. Shinoda D., Asanabe S. Magnetic properties of silicides of iron group transition elements. J. Phys. Soc. Japan, 1966, V.21, pp.555-556.

323. Simon R. Thermoelectric figure of merit of two-band semiconductors. J. Appl. Phys., 1961, V.33, N.5, pp. 1830-1841.

324. Siviour N.G., Ng K. Mg-Pb phase diagram and phase transformations in the intermetallic compounds Mg2Pb and Metallurgical and Materials Transactions В, 1994, V.25B, N.2, pp.265-275.

325. Siviour N.G., Ng K. Crystallization studies of the (Mg2Pb) phase and its phase boundaries in the Pb-Mg-Bi system. Metallurgical and Materials Transactions B, 1994, V.25, N.2, pp.255-263.

326. Stohrer U., Taibok U., Gross E., Birkholz U. Figure of merit of cold and hot pressed iron disilicide measured with Kolrausch method. Proc. IX Int Conf on Thermoelectrics, 1990, pp.242-248.

327. Stringer G.A., Higgins R.J. Crystal growth and galvanomagnetic properties of Mg2Pb. J. Appl. Phys., 1970, v.41, N2, pp.489-497.

328. Stringer G.A., Higgins R.J. Fermi surface of Mg2Pb. Phys. Rev. B, 1971, V.3, N.2, pp.506-515.

329. Toman K. The structure of NiSi. Acta Crystallography, 1951, V.4, pp.462-464.344. van Dyke J.P., Herrmann F. Relativistic energy band structure of Mg2Pb. Phys. Rev. B, 1970, V.2, N.6, pp. 1644-1646.

330. Vining C.B. The thermoelectric limit ZT~1: Fact or artifact. Proc. XI Int. Conf. on thermoelectrics, Arlington, 1992, p.223-231.

331. Wachtel E. Mager T. Zum Aufbau des Teilsystems FeSi-Si. Z.Metalkunde., 1970, V.61, N.10., pp.762-766.

332. Wald F., Michalik S.J. The ternary system cobalt germanium - silicon. J. Less-Common metals, 1971, V.24, pp.277-289.

333. Waldecker G., Meinhold N., Birkholz U. Thermal Conductivity of Semiconducting and Metallic FeSi2. Phys. stat. sol. (a), 1973, V.15, pp.143-149.

334. Wandji R., Dusausoy Y., Protas J., Roques B. Preparation et etude du siliciure FeSi2f3 a l'etat monocristallin. C.r. Acad. sci. C., 1968, V.267, N.23, pp.1587-1590.

335. Wang L., Qin L., Zheng Y., Shen W., Chen X., Lin X., Chenglu Lin C., Zou S. Optical transition properties of /3 FeSi2 film. Appl.Phys.Lett., 1994, V.65, N.24, pp.3105-3107.

336. Wappling R., Hagstrom L., Rundquist R. The space group symmetry of j3 — FeSi2 as determined by Mossbauer spectroscopy, Chem. Phys.Lett., 1968, V.2, N.3 p.160-162.

337. Ware R.M., McNeil D.J. Iron disilicide as a thermoelectric generator material. Proc. IEE, 1964, V.lll, N.l, pp.178-182.

338. Watanabe H., Ido M., Nakajima H. Electrical field gradient in CoixMxSi (M = Fe, Ni). J. Phys. Soc. Japan, 1979, V.47, pp. 1816-1820.

339. Watanabe H., Yamamoto H., Ito K. Neutron diffraction study of the intermetallic compound FeSi. J.Phys.Soc. Japan, 1963, V.18, pp.995-999.

340. Welker H. Ergeb. exact. Naturw., 1956, V.29, p.275.

341. Wernick J.H., Wertheim G.K., Sherwood R.C. Magnetic behavior of the monosilicides of the 3-d transitional elements. Material Research Bulletin, 1972, V.7, pp. 1431-1442.

342. Whitten W.B., Chung P.L., Danielson G.C. Elastic constants and Lattice vibration frequencies of Mg2Si. J. Phys. Chem. Sol., 1965, V.26, N.l, pp.49-56.

343. Williams H.J., Wernick J.H., Sherwood R.C., Wertheim G.K. Magnetic Properties of the Monosilicides of some 3d-Transition Elements. J. Appl. Phys., 1966, V.37, N.3, p.1256.

344. Winkler U. Die Electrischen Eigenschaften der intermetallisher Verbindungen Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn und Mg2Pb Helv. Phys. Acta, 1955, V.28, N.7, pp.633-666.

345. Wittmann A., Burger K.O., Nowotny H. Mono- und Disilicid system der Eisengruppe. Monatsh. Chem., 1961, V.92, N.5, pp.961-966.

346. Wittmann A., Burger K.O., Nowotny H. Untersuchungen im Dreistoff: Ni-Al-Si sowie von Mono- und Disilicidsystemen einiger Ubergangsmetalle. Monatsh. Chem., 1962, V.93, N.3, P.674-680.

347. Wohler L., Schliephake O. Die Silicide des Calciums und Magnesiums Z. anorg. ally. Chem., 1926, V.151, N.l/2, pp.1-20.

348. Wolfe R., Wernick J.H., Hassko S.B. Thermoelectric properties of FeSi. Phys. Letters, 1965, V.19, pp.449-450.

349. Xiaoping Niu, Li Lu. Formation of magnesium silicide by mechanical alloying. Advanced Performance Materials, 1997, V.4, N3, pp.275-283.

350. Zaitsev V.K. Thermoelectric properties of anisotropic MnSii.75. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M. 1995, N.Y., CRC press, pp.299-309.

351. Zaitsev V.K., Ktitorov S.A., Fedorov M.I. Low Carrier Mobility Materials for Thermoelectric Application. CRC Handbook of Thermoelectrics, ed. by Rowe D.M. 1995, N.Y., CRC press, pp.311-319.

352. V.K.Zaitsev, M.I.Fedorov, E.A.Gurieva, I.S.Eremin, P.P.Konstantinov, A.Yu.Samunin, M.V.Vedernikov. Thermoelectrics of n-type With ZT > 1 Based on Mg2Si-Mg2Sn Solid Solutions, Proc. of XXIV Int. Conf. on thermoelectrics, IEEE, 2005, p.189-195.

353. Zaitsev, V. K., Fedorov, M. I., Gurieva, E. A., Eremin, I. S., Konstantinov, P. P., Samunin, A. Yu., Vedernikov M. V. Highly effective Mg2SiixSnx thermoelectrics, Phys. Rev. B, 2006, V.74, N.4, 045207.

354. Zinovieva G.P., Andreeva L.P., Geld P.V. Elastic Constants and Dynamics of Crystal Lattice in Monosilicide with B20 structure. Phys. Stat. Sol. (a), 1974, V.23, pp.711-718.

355. Zintl E., Kaiser H. Uber die Fahigkeit der Elemente zur Bildung negativer Ionen. Z. anorg. allg. Chem., 1933, V.211, N.l/2, pp.113-131.

356. Zwilling G., Nowotny H. Die Kristallstruktur der Mangansilicide im Bereich von MnSi^ 1-7. Monatsh. Chem., 1971, V.102, N.3, pp.672-677