Фазовые переходы в кристаллах гафната свинца и гафната-титаната свинца тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Балюнис, Любовь Евгеньевна

• Балюнис, Любовь Евгеньевна
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Балюнис, Любовь Евгеньевна

ВВЕДЕНИЕ.

1. СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ГАФНАТА СВИНЦА И ЦИРКОНАТА СВИНЦА

1.1. Структура

1.2. Влияние внешних воздействий

1.3. Твердые растворы на основе PbHfO^ и PbZr

1.4. Диэлектрические исследования.

1.5. Возможные типы двойникования в Рb Hf О3.

1.6. Выводы.

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.'.

2.1. Выращивание кристаллов.

2.2. Подготовка образцов к измерениям.

2.3. Методы оптических исследований.

2.4. Оптическая камера для температурных исследований.

2.5. Методы электрических исследований

2.6. Выводы.

3. КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ФАЗЫ (АСЭ I) ГАФНАТА СВИНЦА

3.1. Определение ориентации оптической индикатрисы

3.2. Сопоставление результатов кристаллооптических и рентгеноструктурных исследований.

3.3. 90°-ное двойникование

3.4. 60°-ное двойникование

3.5. Клиновидные границы

3.6. Сравнение оптических свойств и двойникования PbHfOj и PbZrOjnpn комнатной тешературе.

3.7. Выводы.

4. КРИСТАЛЛООПТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ФАЗЫ (АСЭ П) И ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ГАФНАТЕ СВИНЦА

4.1. Идентификация фазы АСЭ П.

4.2. Ориентация оптической индикатрисы

4.3. Двойникование

4.4. Фазовые переходы.

4.5. Выводы.

5. ГАФНАТ СВИНЦА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ.

5.1. Фазовые переходы АСЭ I ,СЭ П.

5.2. Фазовые переходы АСЭ I =£АСЭ П ^=СЭ П.

5.3. Сравнение фазовых Т,Е-диаграмм PbHf и Рb ZГ

5.4. Выводы.

6. ОПТИЧЕСКИЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГАФНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА

6.1. Фазовая Т,х-диаграмма кристаллов PbHf|«xTix О3.

6.2. Оптические свойства и идентификация фаз.

6.3. Двойникование

6.4. Фазовые переходы.

6.5. Диэлектрические исследования.

6.6. Сравнение свойств кристаллов гафната-титаната свинца и цирконата-титаната.свинца при х<0,1.

6.7. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовые переходы в кристаллах гафната свинца и гафната-титаната свинца»

Актуальность, Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики образуют обширный класс кристаллов, исследования которых занимают видное место в физике твердого тела. На первом этапе становления науки о сегнетоэлектричестве развивались преимущественно исследования сегнетоэлектриков. Это было вызвано рядом причин: большим количеством сегнетоэлектриков (обнаруженных в настоящее время сегнетоэлектриков приблизительно в десять раз больше, чем антисегнетоэлектриков), экспериментальная техника соответствовала более простой по сравнению с антисегнетоэлектриками природе сегнетоэлектричества, очевидными возможностями практического применения сегнетоэлектри-ческих материалов. С конца 60-х - начала 70-х годов наметилась тенденция более активного изучения несобственных сегнетоэлектриков и антисегнетоэлектриков. В частности, в этот период стали широко распространенными методы расшифровки сложных малых атомных смещений, возникающих при фазовых переходах в таких классических антисегнетоэлектриках, как Р b ZГ 0 3 * PbHf03 и NciNb03.

Успехи, достигнутые в Ростовском госуниверситете в выращивании кристаллов семейства перовскита и развитии новейшей методики исследования кристаллов в сверхсильных электрических полях, позволили получить уникальные экспериментальные данные о полиморфизме и свойствах классического антисегнетоэлектрика цирконата свинца (ЦС) Рb Z Г 0 3 , важнейшими из которых является обнаружение новых индуцированных фаз.

Исследования антисегнетоэлектриков интенсивно продолжаются, однако число антисегнетоэлектриков по последним подсчетам не превышает двух десятков^ и большинство из них исследовано поверхностно /1-11/. Последнее особенно увеличивает значимость и актуальность каждого нового результата об антисег-нетоэлектриках.

Объектом исследований в настоящей работе выбраны кристаллы гафната свинца (ГС) РbHfО3 и твердых растворов гафната-титаната свинца (ГТС) PbHf|.xTi/0^ . Экспериментальные данные о них минимальны, и большая часть получена на поликристаллических образцах. ГС привлек наше внимание в связи с результатами исследований ЦС в сверхсильных электрических полях /12/ и тем фактом, что низкотемпературные фазы ГС и ЦС изоструктурны, а высокотемпературные - различны. Последнее склоняет к предположению о том, что физические свойства ГС не менее интересны и разнообразны, но в то же время существенно отличны от свойств ЦС, несмотря на сходство химических свойств 1? и Hf и близость их ионных радиусов. Наличие двух соседствующих антисегнетоэлектрических фаз со сложной структурой (сверхструктурная ячейка одной из них насчитывает 8, а другой - 16 формульных единиц) предопределяет особое место ГС не только в семействе перовскита, но и среди всех известных сегнето- и антисегнетоэлектрических кристаллов. Изучение фазовых переходов в ГС в сверхсильных электрических полях и при изоморфном замещении ионов Hf ионами Ti создает основу для дальнейшего исследования ГС и его твердых растворов более сложными современными методами, позволяет глубже понять индивидуальные особенности ГС и природу антисегнетоэлектрических состояний. Полученные результаты представляют научный интерес и в перспективе могут быть использованы для научнообоснованного поиска и прогнозирования свойств новых высокоэффективных материалов.

Цель диссертации состоит в исследовании фазовых переходов в кристаллах ГС и твердых растворов PbHfi-xTix 03 при О^х^ 0,036 при изменении температуры и действии сверхсильного электрического поля, а также в изучении двойникования возникающих фаз и закономерностей перестройки двойниковой структуры при фазовых переходах; в дальнейшем развитии оптических и диэлектрических методов исследования кристаллофизических свойств.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. В кристаллах ГС и твердых растворах PbHf|»xTix03 при 0^x^:0,036 перед параэлектрической фазой (ПЭ) последовательно стабилизируются две новые, неизвестные ранее несегнетоэлек-трические фазы (о(,р) с симметрией не выше ромбической.

2. Фазовая диаграмма температура-электрическое поле (Т,Е) ГС в интервале температур 290*450 К при напряженности электп рического поля до З'Ю В/м содержит тройную точку нового типа, в которой сосуществуют две антисегнетоэлектрические ромбические фазы (АСЭ I и АСЗ П) и сегнетоэлектрическая ромбоэдрическая фаза (СЭ П), и три линии фазовых переходов АСЭ СЭ П, АСЭ I ^гг АСЭ П и АСЭ П^=СЭ П.

3. Экспериментальные результаты по исследованию двойникования четырех фаз кристаллов ГС и ГТС, которые заключаются в следующем: а) в фазе АСЭ I существует три типа плоских 90°-ных двойниковых границ по плоскостям (100), (НО) и (101) псевдокубической ячейки, два типа плоских 60°-ных двойниковых границ по плоскостям (НО) и (Ш) псевдокубической ячейки, два типа 90°-ных и два типа 60°-ных клиновидных двойниковых границ; б) в фазе АСЭ П реализуются четыре типа двойниковых границ по плоскостям {ЮО} и {iio} псевдокубической ячейки и один тип клиновидной двойниковой границы; в) в фазах о( и р реализуются плоские двойниковые границы по плоскостям {юо} псевдокубической ячейки.

Научная новизна. Впервые проведены систематические исследования оптическими и диэлектрическими методами (одновременно) кристаллов ГС и ГТС и фазовых переходов в них, в том числе в ГС - в сверхсильных электрических полях.

Теоретическая значимость и практическая ценность результатов диссертации. Полученные в работе результаты по исследованию оптических и диэлектрических свойств фаз и фазовых переходов в ГС и ГТС дополняют известные экспериментальные данные. Они необходимы для развития теории фазовых переходов в антисегнетоэлектриках и для понимания общих закономерностей формирования реальной доменной структуры. На их основе возможны направленный поиск и разработка новых сегнето-, пьезоэлектрических и других родственных им материалов для различных практических применений. Усовершенствованная методика оптических и диэлектрических исследований в сильных электрических полях будет полезна в дальнейших исследованиях сегнето- и антисегне-тоэлектриков.

Апробация результатов. Основные результаты работы докладывались на IX Всесоюзном совещании по сегнетоэлектричеству (г. Ростов-на-Дону, 1979 г.), IУ Европейском совещании по сегнетоэлектричеству (г. Порторож, Югославия, 1979 г.), I Всесоюзном семинаре "Визуализация доменной структуры сегнетоэлек-триков и родственных материалов" (г. Волгоград, 1980 г.), УП

Всесоюзной конференции "Состояние и перспективы развития методов получения ферритовых, сегнето-, пьезоэлектрических, конденсаторных и резистивных материалов и сырья для них" (г. Донецк, 1983 г.)» П Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (г. Звенигород, 1983 г.) и на научных сессиях РГУ (1980 и 1981 гг.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано семь печатных работ и тезисы четырех докладов /13-23/.

Все основные результаты диссертации получены лично автором. Соавторами работ /13-23/ являются О.Е. Фесенко и В.Г. Смотраков. Смотраковым В.Г. были выращены кристаллы ГС и, совместно с автором, кристаллы ГТС, кроме того, он принимал участие в обсуждении экспериментальных результатов. О.Е. Фе-сенко выполнил экспериментальную работу по построению части фазовой Т,Е-диаграммы ГС при Т<320 К.

Тема диссертационной работы предложена О.Е. Фесенко. Он же осуществлял научное руководство и принимал участие в обсуждении экспериментальных результатов.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения, содержит 176 страниц машинописного текста, 66 рисунков, 4 таблицы, библиографию, насчитывающую I4X наименование.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Балюнис, Любовь Евгеньевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. В кристаллах PbHf03 и РЬ Hf,-xTix03 при 0^x^0,036 в узком интервале температур существуют две новые, не известные ранее фазы, обладающие, наиболее вероятно, несегнетоэлектричес-кой природой и симметрией не выше ромбической. В фазах реализуются двойники с замкнутыми и плоскими границами по плоскостям {юо} псевдокубической ячейки. Уточненная фазовая Т,х-диаграм-ма кристаллов ГТС качественно отличается от известных фазовых Т,х-диаграмм ГТС и ЦГС с малой концентрацией Ti .

2. Сильное электрическое поле в интервале температур 293* *450 К индуцирует в ГС сегнетоэлектрическую ромбоэдрическую фазу, а в интервале температур 383*431 К - антисегнетоэлектричес-кую ромбическую фазу. При температуре 383 К обнаружена тройная точка нового типа, в которой сосуществуют две антисегнетоэлект-рические и сегнетоэлектрическая фазы. Фазовые переходы АСЗ I X АСЭ П, АСЗ I. X СЭ П и АСЗ П X СЭ П, индуцированные сильным электрическим полем, происходят с образованием и перемещением по кристаллу плоских межфазных границ, близких по своей ориентации к плоскостям {iooj псевдокубической ячейки. Из сравнения фазовых Т,Е-диаграмм ГС и ЦС следует, что качественные отличия между этими соединениями в сильном электрическом поле наблюдаются и при более низких температурах, чем в отсутствие внешних воздействий.

3. При комнатной температуре ГС является ромбическим, оптически отрицательным, и ориентация оптической индикатрисы относительно огранки кристаллов совпадает с ориентацией в фазе АСЗ I ЦС. В фазе АСЗ I ГС реализуются три типа плоских 90°-ных - 161 " двойниковых границ по плоскостям (100), (НО) и (101)псевдокубической ячейки, два типа плоских 60°-ных двойниковых границ по плоскостям (НО) и (П£) псевдокубической ячейки, два типа 90°-ных и два типа 60°-ных клиновидных двойниковых границ.

4. Высокотемпературная антисегнетоэлектрическая фаза ГС является ромбической, оптически отрицательной с ориентацией оптической индикатрисы, совпадающей (относительно огранки кристаллов) с ориентацией в фазах АСЭ I ГС и ЦС. В фазе АСЭ П ГС наблюдается четыре типа плоских двойниковых границ по плоскостям {юо} и {но} псевдо кубической ячейки и один тип клиновидной двойниковой границы.

5. Фазовые переходы АСЭ I ^ АСЭ П и АСЭ П =ГПЭ происходят с образованием и перемещением по кристаллу плоских межфазных границ по плоскостям {юо} и {2Ю} псевдокубической ячейки при фазовых переходах АСЭ I АСЭ П и по плоскостям {юо} и {520} псевдокубической ячейки при фазовых переходах АСЭ П^£"ПЭ. Геометрия двойниковых границ изменяется при фазовых переходах и зависит от предыстории образца.

6. Сконструирован и изготовлен нагревательный столик к микроскопу для проведения одновременных оптических и диэлектрических исследований, получения и микрофотографирования высококачественного изображения коноскопических фигур в интервале температур от комнатной до 520 К.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Балюнис, Любовь Евгеньевна, 1984 год

1. Кенциг В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики.-М.: Иностранная литература, 1.60, -234 с.

2. Иона Ф., Ширане Дк. Сегнетоэлектрические кристаллы. -М.: Мир, 1965, -555 с.

3. Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлект-рики.- М.: Мир, 1975, -398 с.

4. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. -М.: Мир, 1974, -288 с.

5. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики.- Л.: Наука, 1974, -476 с.

6. Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричес-тво.- М.: Атомиздат, 1972, -248 с.

7. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества.- М.: Атомиздат, 1973, -272 с.

8. Сонин А.С., Струков В.А. Введение в сегнетоэлектри-чество.- М.: Высшая школа, 1971, -272 с.

9. Барфут Дж., Тейлор Д. Полярные диэлектрики и их при ме-нение. М.: Мир, 1981, -526 с.

10. Смоленский Г.А., Крайник Н.Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. -М.: Наука, 1968, -184 с.

11. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы.- М.: Мир, 1981, -736 с.

12. Фесенко О.Е., Колесова Р.В., Синдеев Ю.Г. Структурные фазовые переходы в цирконате свинца в сверхсильном электрическом поле.- Физика твердого тела, 1979, т.21, № 4, с.1152-1159.- 163

13. Фесенко О.Е., Смотраков В.Г., Балюнис JI.E. Фазовый переход в кристаллах PbHfO^ в сильном электрическом поле. -Физика твердого тела, 1979, т. 21, № 4, с.1241-1243.

14. Фесенко О.Е., Балюнис JI.E. Фазовая диаграмма электрическое поле температура гафната свинца.- В кн.: Тез. докл. IX Всесоюзн. совещ. по сегнетоэлектричеству. Ростов н/Д, 1979, ч.1, с. 132.

15. Фесенко O.E., Балюнис JI.E. Фазовая диаграмма температура электрическое поле гафната свинца. - Физика твердого тела, 1981, т.23, № 6, с.1837-1839.

16. Балюнис JI.E., Фесенко О.Е. Исследование двойников в антисегнетоэлектрике PbHfO^ при помощи микроконоскопов.- Ростовский госуниверситет. Ростов н/Д, 1980, 18 с. (Рукопись деп. в ВИНИТИ 15 декабря 1980 г., № 5293-80 ДЕЛ).

17. Балюнис JI.E., Фесенко О.Е. Восемь фаз гафната свинца. Ростовский госуниверситет. Ростов н/Д, 1981, 15 е., (Рукопись деп. в ВИНИТИ 20 августа 1981 г., И0- 4182-81 ДЕП) .

18. Балюнис JI.E., Фесенко О.Е., Смотраков В.Г. Фазовая Т,х-диаграмма кристаллов PbHf^xTixO^ . Ростовский госуниверситет. Ростов н/Д, 1982, 10 с. (Рукопись деп. в ВИНИТИ6 сентября 1982 г., № 4745-82 ДЕПJ .- 164

19. Балюнис JI.E., Фесенко О.Е. Антисегнетоэлектрические двойники в кристаллах PbHfOj . Кристаллография, 1983, т.28, № 3, с.599-600.

20. Балюнис Л.Е., Фесенко О.Е. Получение и свойства кристаллов PbHf^xTixO^ . В кн.: Тез. докл. П Всесоюзн. конф.по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов. Звенигород, 1983, с.221.

21. Shirane G., Pepinsky R. Phase transition in antifer-roelectric PbHfO^.- Phys. Rev., 1955, v.91, N A,p.812-815.

22. Sawaguchi E., Maniva H., Hoshino S. Antiferroelectric structure of lead zirconate.- Phys. Rev., 19515 v. 81, N 5>p. 1078.

23. Roberts S. Piezoelectric effect in lead zirconate.

24. Phys. Rev., 1951, v.83, N 5, p. 1078.

25. Шаталова Г.Е., Филипьев B.C., Кацнельсон JI.M., Фесенко Е.Г. Спонтанная деформация цирконата свинца.- Кристаллография, 1974, т. 19, Р 2, с.412-413.

26. Fujishita Н., Shiozaki Y., Sawaguchi Е. Lattice distortion of PbZrO^J. Phys. Soc. Japan, 1979, v.46, N 4,p. 1391-1392.

27. Dernier P.D., Remeika J.P. Sinthesis and simmetry transformation in the perovskite compounds PbHfO^ and CdHfO^.- Mat. Res. Bull., 1975, v.10, N 1,p.187-192.

28. Зайцев C.M., Жаворонко Г.П., Татаренко А.А., Куприянов М.Ф. и др. Уточнение структуры PbHfO^ . Кристаллография, 1979, т.24, № 4, с.826-828.

29. Леонтьев Н.Г., Еремкин В.В., Колесова Р.В. и др. Пространственная группа высокотемпературной ромбической фазы гаф-ната свинца.- Кристаллография, 1984, т.29, № 2, с.395-397.

30. Cochran W., zia A. Structure and dinamics of perov-skite-type crystals.-Phys.Stat.sol.,1968,v.25,N 1,p.273-283.

31. Kuprianov M.F., Zaitsev S.M., Gagarina E.S. et. al. Structural study of PbTiO^, PbZrO^ and PbHfO^.- Phase Transitions, 1983, v. 4, N 1, p. 55-64.

32. Tennery V.J. High-temperature phase transition in

33. PbZrO^.- J. Amer.Ceram.Soc., 1966, v.49, N 9, p.483-486.

34. Shirane G., Hoshino S. X-ray study of phase transition in PbZrO^ containning Ba or Sr.- Acta Crystalogr., 195^,v.7, N 2, p. 203-210.

35. Shirane G., Hoshino S. Crystal structure of the ferroelectric phase in PbZrO^ containning Ba or Ti.- Phys- Rev., v.86, N 2, p.248-249.

36. Michal C., Horeau J.-M., Achenbach G.D. et al. Atomic structure of two rhombohedral ferroelectric phases in the Pb(Zr,Ti)0^ solid solution series.- Sol. state Com., 1969, v. 7, N 12, p. 865-868.

37. Barnett H.M. Evidance for a new phase boundary in theferroelectric lead zirconate-lead titanate system.- J. Appl.

38. Phys., 1962, v.33, N 4-, p. 1606.

39. Samara G.A. Pressure and temperature dependence ofthe dielectric properties and phase transitions of the anti-ferroelectric perovskite: PbZrO^ and PbHfO^.- Phys. Rev., 1970, v. B.1, N 9, p. 3777-3786.

40. Sawaguchi E., Kittaka T. Antiferroelectricity and fe-rroelectricity in lead zirconate.- J. Phys. Soc. Japan, 1952, v.7, N 3, P. 336-337.

41. Huibregtse E.J., Young D.R. Triple histeresis loops and the free-energy function in the vicinity of the 5transition in BaTiO^.- Phys. Rev., 1956, v.103,N 6,p. 1705-1711.

42. Cross L.E., Nicholson B.J. The optical and electrical properties of single crystals of sodium niobate.- Philos. Mag. 1955, v.4-6, N 376, p.4-53-4-66.

43. Шувалов JI.А., Широков A.M., Иванов H.P., Баранов А.И. Влияние электрического поля на фазовые переходы в кристаллах Na(DxH1x)5(Se05)2 . Кристаллография, 1973, т.18, с.133-137.

44. Takeuchi Y., Tatsuzaki J. The tetracritical point of TGSe-DT DTGSe system.- J. Phys. Soc. Jap., v.51,1982,p.54-6.

45. Фесенко О.Е. Диаграмма состояний цирконата свинца.-Изв. СКНЦ ВШ, естеств. науки, 1978, Р I, с.42.

46. Фесенко О.Е. Фазовые переходы в цирконате свинца, индуцированные сильным электрическим полем.- Доклады АН СССР,1976, т.229, W 5, C.II09-III2.

47. Фесенко О.Е., Гавриляченко В.Г., Смотраков В.Г. Индуцированные фазовые переходы в кристаллах цирконата свинца.-Изв. АН СССР, Сер. физич., 1975, т.39, № 5, с.959-960.

48. Fesenko О.Е., Smotrakov V.G. Optic and dielectric study of lead zirconate crystals.-Ferroelectrics,1976,v.12,N 1,211.

49. Фесенко О.Е. Структурные фазовые переходы в циркона-те свинца в сверхсильных электрических полях.: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук,- Ростов н/Д, 1975, -II с.

50. Фесенко О.Е., Гавриляченко В.Г. Исследование кристаллов цирконата свинца.- В кн.: Проблемы исследования свойств сегнетоэлектриков. Тез. докл. УШ Всесоюзн. конф. Ужгород,1974, ч.I, с.144-145.

51. Fesenko О.Е., Gavriljatchenko V.G., Smotrakov V.G. Optic and dielectric study of lead zirconate crystals.- In: Abstr. of the 3th European meeting on ferroelectricity, Zurich,1975, p.96.

52. Фесенко O.E., Дудкевич В.П. Аномальное индуцированное двупреломление в кристаллах цирконата свинца.- В кн.: Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков. Тез. П Респ. коллоквиума Сухуми, 1975, с.202.

53. Фесенко О.Е. Исследование тонких пластинчатых кристаллов цирконата свинца.- В кн.: prace Fizyczne, Katowice, 1980, т.8, с.13-48.

54. Леонтьев Н.Г., Колесова Р.В., Фесенко О.Е., Смотра-ков В.Г. Пространственная группа индуцированной электрическим полем ромбической фазы цирконата свинца.- В кн.: Тез. докл.

55. ХШ Всесоюзн. совещ. по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов. Черноголовка, 1982, с.136.

56. Benguigui L. Changement de phases ferroelectrique-an-tiferroelectrique par 1.'action d'un champ electrique. Applica;-tion aux solutions solides a base de PbZrO^.- Canad. J. Phys.,1968, v.46, N 14, p. 1627-1636.

57. Benguigui L. Influence des impuretes sur les phases du zirconate de plomp.-C.r.Acad.sci.,1968,v.B§67,N18,p.B928.-B930.

58. Benguigui L. Ferroelectricity and antiferroelectri-city in pure and Irt^Og-doped lead zirconate.- J. Sol. State Chem., 1971, v.3, N 3, p.381-386.

59. Benguigui L. Etude experimental des transitions anti-ferroelectriques sous 1'influence d'un champ electrique.- Rev. gen.electr., 1968, v.77, N 10, p. 938-942.

60. Крайник H.H. Антисегнетоэлектричество в соединениях со структурой типа перовскита.- Изв. АН СССР, Сер. физич., 1964, т.28, № 4, с.643-648.

61. Roberts S. Dielectric properties of lead zirconate and barium -lead zirconate.- J. Amer. Ceram. Soc., 1950, v. 33, N 2, p. 63-66.

62. Wilcox D.L., Cook R.L. Dielectric behavior in the system PbHfO^-BaHfand PbHf0^-SrHfJ. Amer. Ceram. Soc., 1963, v. 46, N 7, p.343-348.66. рауПе W.H., Tennery V.J. Dielectric and structural investigation of the system BaTiO^-BaHf0^.- J. Amer. Ceram.

63. Soc., 1965, v.48, N 8, p. 413-417.

64. Sawaguchi E. Ferroelectricity versus antiferroelectricity in solid solutions of PbZrO^ and PbTiO^.- J. Phys. Soc. Japan, 1953, v.8, N 5, p.615-629.

65. Shirane G., Takeda A. Phase transitions in solid solutions of PbZrOj and PbTiO^ (1). Small concentrations of PbTiOjJ.Phys.Soc.Japan, 1952, v.7, N 1, p.5-11.

66. Dungan R.H., Barnett H.M., Stark A.H. Phase relations and electrical parameters in the ferroelectric-antiferro-electric region of the sistem PbZr0^-PbTi0^-PbNb20g.- J.Amer. Ceram. Soc., 1962, v.45, N 8, p. 382-388.

67. Jaffe В., Roth R.S., Marzullo S. Properties of piezoelectric ceramics in the solid-solutions series lead titanatelead hafnate.- J.Res.Nat.Bur.Stand.,1955,v.55,N 5, p.239-254.

68. Леонтьев Н.Г., Смотраков В.Г. Фазовая диаграммакристаллов PbZr/.xa?ixo^ при хс0,1.- В кн.: Тез. докл. IX Всесоюзн. совещ. по сегнетоэлектричеству. Ростов н/Д, 1979, ч.2, с.13.

69. Леонтьев Н.Г., Смотраков В.Г., Фесенко Е.Г. Фазовая диаграмма PbZr^^Ti^.0^ при х 0,1.- Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1982, т.18, №3, с.449-453.

70. Крайник Н.Н. Исследование антисегнетоэлектрических свойств некоторых растворов, содержащих цирконат свинца.- Изв,- 170

71. АН СССР, Сер. физич., 1957, т.21, № 3, с.411-422.

72. Леонтьев Н.Г. Структурные фазовые переходы в кристаллах твердых растворов цирконата и гафната свинца.: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук,- Ростов н/Д, 1975, -21 с.

73. Tsuzuki К., Sakata К., V/ada М. Growing and some properties of Pb(Zr-Ti)Oj single crystals.- Jap.J.Appl.Phys., 1969, v.8, N 6, p.816-817.

74. Clarke R., Whatmore R.H., Glaser A.M. Growth and characterization of PbZrxTi^xOj sjng.e crystals.- Ferroelectrics, 1976, v. 13, N 1-4, p.497-503.

75. Whatmore R.W., Clarke R., Glaser A.M. Tricritical behaviour in PbZr^^Ti^Oj solid solutions.- J.Phys.C: Solid

76. State Phys., 197S, v.11,N 7, p.3089-3102.

77. Спинко P.И., Кацнельсон Л.М., Данцигер А.Я. и др. Выращивание кристаллов FbTi Zr^ 0, .- В кн.: Тез. УП Научн. конф. по сегнетоэлектричеству. Воронеж, изд. Воронежского унта, 1970, с.41.

78. Troccaz М., Perrigot J., Gonnard P. et al. Methodede mesure des variations de polarisation d'une ceramique' fer-roelectrique prepolarisee.- C.r.Acad.sci.,B, 1973, V.S75, N275,p. 259.

79. Фесенко O.E., Леонтьев Н.Г., Смотраков В.Г. Восемь фаз твердых растворов PbZr^Ti^ .- В кн.: Тез. докл. X- 171

80. Всесоюзн. совещ. по сегнетоэлектричеству. Минск, 1982, ч.2, с.88.

81. Фесенко О.Е., Леонтьев Н.Г., Смотраков В.Г. Уточненная фазовая Т,х-диаграмма кристаллов PbZr. Ti о, Ростовский госуниверситет. Ростов н/Д, 1982, 15 с. (Рукопись деп. в ВИНИТИ б сентября 1982 г., Р 4744-81 ДЕП) .

82. Фесенко О.Е., Смотраков В.Г., Леонтьев Н.Г. Фазовая

83. Т,х,Е-диаграмма кристаллов PbZr Ti о .- Изв. АН СССР, Сер.1.х эфизич., 1983, т.47, Р 4, с.643-647.

84. Hall С.A., Dungan R.H., Stark А.Н. Solid solutions in antiferroelectric region of the system PbHfO^-PbTiO^-PbSnO^-Pbm^Og.- J.Amer., Ceram. Soc., 1964-, v.4-7, N 6, p.259-264-.

85. Cutchen J.Т., Haertling G.H., Material and electroop-tic properties of the (Fb,La)(Hf, Ti)0^ system.- J.Amer.Ceram. Soc., 1979, v.56, N 4-,p.225-226.

86. Grande G., Troccaz M. Diagrammes de phase des solutions solides FbHfy, Ti 0-, et influence du traitment de polarii —x x эzation.-C.r.Acad.sci., 1977, v.284-, N 15, p. B279-B282.88.

87. Ainger F.W., Appleby D., Kirkby C.J. Transparent Pb/|xLax(Hf/)yTiy)Oj electrooptic ceramic.- J.Mater.Sci. ,1973, v.8, N 12,p.1825-1827.

88. Shirane G. Ferroelectricity and antiferroelectricity in ceramic PbZrO^ containning Ba or Sr.- Phys. Rev., 1952, v.86, N 2, p.215-227.

89. Крайник H.H. Фазовые переходы в твердых растворах гафната кальция в гафнате свинца.- ЖТФ, 1958, т.23, № 3, с. 536-538.

90. Goulpeau L., Le Montagner S., Limou P. Etude dielec-trique du diagramme (PbZrO^-PbHf0^).- C.r.Acad.sci., 1964,v.

91. Леонтьев Н.Г., Смотраков В.Г., Фесенко Е.Г. Выращивание кристаллов PbZr. Ti^ О и исследование их полиморфизма.1. X ^

92. Кристаллография, 1982, т.27, № б, с.1191-1193.

93. Gouipeau L. Etude de la constante dielectrique com-plexe de PbHfO^ entre 320 К et 520 K.-J.Phys.(Ancien "J.Phys."et radiume), 1963, v.24, N 6, p.406-407.

94. Боков А.А., Горина И.В., Малицкая М.А. и др. Исследование полупроводниковых свойств монокристаллов гафната свинца.-В кн.: Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск, изд-во Новочеркасск, политехи, ин-та, 1981, с.71-75.

95. Prokopalo O.I.,Raevskii I.P., Malitskaya М.А. Peculia electric and photoelectric behavior of lead-containning perov-skite-type oxides.- Ferroelectrics, 1983, v.29, N 1-4, p.235.

96. Sawaguchi E., Shirane G., Takagi J. Phase transition in lead zirconate.- J.Phys.Soc.Japan, 1951, v.6, N5,p.333-339.

97. Porker M., Hammesfahr A., Lorenz-Garsia A. et.al. Study of the electrical quadrupole interaction in antiferro-electric PbHfO^ by perturbedfangular correlations and M6-ssbauer spectroscopy.- Phys.Rev. ,1973,v.137,N 3,p. 1039-104-7.

98. Einsiedel H.v., Rosemblum S.S., Electric quadrupole interaction in the phase transitions region of antiferroelect-ric PbHfO^.- J.Phys.C.: Solid State Phys., 1973, v.'6, N 14,p. L292-L294-.

99. Einsiedel H.v., Rosenblum S.S. Behaviour of electric field gradient in PbZrO^ and PbHfO^ near the Curie point.-Mat. of conf. Uppsala, 1974-, p.232-233.

100. Ключарев В.А., Божко В.П., Гайдамака А.П. Закуркин- 173

101. В.В. Температурная зависимость градиента электрического поля в антисегнетоэлектрике PbHf О^ Физика твердого тела, 1973, т.15, № 2, с.587-589.

102. Jeshurun J., Schlesinger Y., Havlin S. Temperaturedependence of the electric quadrupole interaction in PbHfO-,.0

103. J.Phys.Chem.Sol., 1979, v.40, N 3, p.231-237.

104. Ключарев В.А., Божко В.П., Гайдамака А.П., Закуркин

105. В.В. Квадрупольное взаимодействие в pbHfO^ во внешнем электрическом поле.- Физика твердого тела, 1973, т.15, № б, с.1623-1625.

106. Iona P., Shirane G., Pepinsky R. Optical study of

107. PbZrO^ and NaNbO^ single crystals.- Phys.Rev., 1955, v.97,1. N 6, p.1584-1590.

108. Желудев И.О., Любимов B.H. Особенности структурныхизменений при фазовых переходах в антисегнетоэлектриках.-Кристаллография, 1963, т.8, № 3, с.328-332.

109. Fushimi S., Ikeda T. Phase equilibriume in the system Pb0-Ti02-Zr02.- J.Amer.Ceram.Soc.,1967,v.50,N3,p.129-132.

110. Scott B.A., Burns G. Crystal growth and observation of the ferroelectric phase of PbZrO^.- J.Amer.Ceram.Soc.,1972,v. 55, N 7, p. 331-333.

111. Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г., Спинко Р.И. и др. Выращивание кристаллов титаната свинца и исследование их доменного строения.- Кристаллография, 1972, т.17, Г™ I, с.1531.7.

112. Tsuzuki К., Sakata К., Ohara R. et al. The growth of ferroelectrics Pb(ZrxTi^x)0^ single srystals.- Jap. J.

113. Appl. Phys., 1973, v. 12, N 10, p.1500-1503.

114. Смотраков В.Г., Фесенко О.Е. Выращивание и исследование монокристаллов PbZrO^ .- В кн.: Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск, изд-во Новочеркасск, политехи, ин-та, 1975, в.2, с.51-55.

115. Белов Н.В. Кристаллохимия минерализаторов.- Доклады АН СССР, 1950, т.71, № I, с.61-68.

116. ИЗ. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов.- М.: Мир, 1974, -540 с.

117. Тимофеева В.А. Рост монокристаллов из раствор-расплавов.- М.: Наука, 1978, -170 с.

118. Леонтьев Н.Г., Смотраков В.Г., Фесенко Е.Г. Неоднородность кристаллов твердых растворов свинецсодержащих окислов со структурой типа перовскита.- В кн.: Тез. докл. Ш Всесоюзн. совещ. по химии твердого тела. Свердловск, 1981, с.26.

119. Леонтьев Н.Г., Смотраков В.Г., Шишова С.Е. и др. Неоднородность монокристаллов pbZr. Ti 0, » выращенных из рас1 —х х 3твора в расплаве.- Кристаллография, 1981, т.26, Р 6, с.1337-1338.

120. Воробьев Г.А., Мухачев В.А. Пробой тонких диэлектрических пленок.- М.: Советское радио, 1977, -103 с.

121. Воробьев А.А., Воробьев Г.А. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектриков. М., 1966.

122. Самсонов С.С., Толстых Б.Л., Рембеза С.И. и др. Электрическая прочность термической двуокиси кремния.- В кн.: Твердотельная радиоэлектроника. Воронеж, 1973, с.72-76.- 175

123. Шубников А.В. Основы оптической кристаллографии.-М.: изд-во АН СССР, 1958, -208 с.

124. Меланхолии Н.М., Грум-Гржимайло С.В. Методы исследования оптических свойств кристаллов.- М.: изд-во АН СССР, 1954, -189 с.

125. Стойбер Р., Морзе С. Определение кристаллов под микроскопом.- М.: Мир, 1974, -189.

126. Лодочников В.Н. Основы микроскопических методов исследования кристаллического вещества.- Л.: Гостехиздат, 1932, -194 с.

127. Грум-Гржимайло С.В. Приборы и методы для оптического исследования кристаллов. М., 1972,-220 с.

128. Татарский В.Б. Кристаллооптика и иммерсионный метод определения вещества. Л., 1949.

129. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М., 1970, -719.

130. Shirane G., Sawaguchi Е., Takeda A. On the phase transition in lead zirconate.- Phys.Rev., 1950,v.80,N3, p.945«

131. Little E.A.,-- Behaviour of domain walls in barium tita-nate.- Phys.Rev., 1955? v.98, N4, p.978-984.

132. Fousek J., Brezina B. The motion of 90° wedge domains in BaTiO^ in altarnating electric field.-Czechosl.J. of

133. Phys.,1961, v.B11, n 5, P. 344-559.

134. Хуберт А. Теория доменных стенок в упорядоченныхсредах.- М.: Мир, 1977, -306.с.

135. Bates L.F. The domain structure of ferromagnetic metals.- J.Inst.met., 1954, v.82, N 9, p.417-425.

136. Williams H., Sherwood R. Magnetic domain partense on thin films.-J.Appl.Phys., 1957,v.28,N5,p.548-555.

137. Магнитная структура ферромагнетиков./Под ред. Вон-совского С.В.- М.: Иностранная литература, 1959, -204 с.

138. Flippen R.B., Haas С.V/. Nonplanar domain walls in ferroelastic Gd^(MoO^)^ and Pb^(PO^)2 .- Solid State Comm., 1973, v.13, N 8, p.1207-1209.

139. Дудник Е.Ф., Синяков E.B., Гене В.В. и др. Доменная структура ферроэластика ортофосфата свинца,- Физика твердого тела, 1975, т.17, № 6, с.1846-1848.

140. Дудник Е.Ф., Непочатенко В.А. Фазовые границы в фер-роэластике ортофосфате свинца.- Кристаллография, 1980, т.25,5, с.984-988.

141. Дудник Е.Ф., Синяков Е.В. Сегнетоэластики и их физические свойства.- Изв. АН СССР, Сер. физич., 1977, т.41, № 4, с.663-671.

142. Непочатенко В.А. Формирование доменной структуры сегнетоэластика ортофосфата свинца. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук, -Днепропетровск, 1983, -21 с.

143. Желнова О.А., Фесенко О.Е., Смотраков В.Г. и др. Дипольный мотив, оптическая индикатриса и двойникование в ан-тисегнетоэлектрической фазе кристаллов NaNbO, Кристаллограф фия, 1983, т.28, № 5, с.932-936.