Фазовые переходы и образование неоднородных состояний в сегнетоэлектрических и магнитных полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Мамин, Ринат Файзрахманович

• Мамин, Ринат Файзрахманович
• доктор физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Мамин, Ринат Файзрахманович

Оглавление

Введение

1 Неоднородные состояния вблизи фотостимулированных фазовых переходов

1.1 Введение

1.2 Модель и метод построения решения

1.3 Бегущие и статические автосолитоны

1.4 Периодическая гетерофазная структура

1.5 Область существования и обсуждение

2 Термозаполнение ловушек и эффекты запаздывания

2.1 Термолокализации носителней заряда и характерные температуры

2.2 Фазовые переходы в полупроводниках при быстром изменении температуры

2.3 Влияние термозаполнения ловушек на устойчивость фаз

3 Особенности поведения несоразмерной фазы в полупроводниках

3.1 Термодинамическое описание несоразмерной фазы в полупроводниках

3.2 Эффекты памяти в несоразмерной фазе в полупроводниках

3.3 Глобальный динамический гистерезис в несоразмерной фазе

в полупроводниках

4 Влияние локализации носителей заряда на дефектах на размытие фазовых переходов

4.1 Дефекты со свойствами, изменяющимися с температурой

4.2 Трансформация диэлектрических свойств в кристаллах Pb6(Gei-xSix)30u

4.3 Особенности диэлектрических свойств в сильно дефектной системе

5 Электронные свойства и особенности размытого фазового

перехода в Pb(Mg1/3Nb2/3)03

5.1 Свойства электронной системы Pb(Mgi/3Nb2/3)03

5.2 Фотостимулированное изменение диэлектрических свойств в Pb(Mg1/3Nb2/3)03

5.3 Время задержки фазового перехода в низкотемпературной фазе Pb(Mg1/3Nb2/3)03

6 Особенности возникновения фазового расслоения с зарядовыми неоднородностями

6.1 Локализованные зарядовые неоднородности и фазовое расслоение вблизи фазового перехода второго рода

6.2 Гигантская диэлектрическая восприимчивость и магнитоём-костной эффект в манганитах

Заключение

Список авторской литературы

Список цитированной литературы

ь.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовые переходы и образование неоднородных состояний в сегнетоэлектрических и магнитных полупроводниках»

Введение

Работа посвящена исследованию особенностей фазовых переходов и процессов образования пространственно неоднородных состояний в сегнетоэлек-триках и магнетиках с полупроводниковыми свойствами. Изучены явления, которые возникают в результате взаимовлияния подсистемы, в которой происходит фазовый переход, и электронной подсистемы. Сложность этих систем связана со следующими обстоятельствами: наличие нелинейно-стей вблизи фазовых переходов; наличие двух сильно взаимодествующих подсистем - электронной системы полупроводника и подсистемы, в которой происходит фазовый переход. При фазовом переходе в такой системе могут образовываться неоднородные состояния, которые обусловлены не свойствами отдельной подсистемы, а являются результатом взаимодествия подсистем. Актуальность этой темы связана с неослабевающим интересом к изучению фазовых переходов в таких сложных системах и с возрастающей практической значимостью исследования пространственно неоднородных состояний.

Пространственно неоднородные среды являются актуальным объектом исследований в связи с тем, что их изучение позволяет найти материалы с новыми полезными свойствами. Часто такие среды получают путем конструирования объектов со сложной внутренней геометрией во время роста образцов либо при последующем локальном внешнем воздействии. В процессе роста удается получить образцы, в которых в матрице одного соединения находятся мелкие вкрапления другого, либо образцы представляют собой слоистые структуры с чередованием слоев соединений со всевозмож-

ными свойствами. Несомненный прогресс достигнут в этом направлении в последние годы. Такие объекты представляют собой перспективную элементную базу для разработки приемников и преобразователей для новейших систем детекторов и преобразователей излучения. Например, периодические структуры в диэлектриках широко используются для изменения длины волны лазерного излучения. Для этих целей часто применяют периодическую доменную структуру, создаваемую локальным приложением электрического поля. Неоднородные состояния в магнитных средах приводят к неординарным магнитоэлектрическим явлениям, таким как магнито-сопротивление и магнитоёмкостной эффект. Магнитоэлектрические свойства часто получают за счет магнитострикционного эффекта путем искусственного создания периодической структуры с чередованием магнитной и немагнитной фаз. Всё это примеры искусственного создания неоднородных состояний.

Но существует и другой путь создания "полезных" неоднородных состояний, когда они возникают скоррелированным образом за счет внутренних взаимодействий, существующих в системе. Этот путь заманчив тем, что хорошо выверенная периодичность в системе достигается за счет внутреннего самосогласования. Было замечено, что такие скоррелированные состояния возникают в сложных системах в условиях сильного взаимодействия различных подсистем. Подобная ситуация появляется вблизи фазового перехода, когда подсистема, испытывающая фазовый переход, становится мягкой, и малые, внешние по отношению к этой подсистеме, воздействия могут сильно изменить состояние этой подсистемы. В этих условиях перераспределение зарядов в электронной подсистеме может сильно влиять на поведение параметра порядка. Образование неоднородных состояний вблизи фазовых переходов за счет взаимодействия параметра порядка с носителями заряда электронной подсистемы является одной из тем, исследованных в настоящей диссертации.

К исследованию сложных систем, состоящих из нескольких подсистем, проявляется неизменный интерес в различных областях науки. С одной стороны, это связано с пониманием того, что системы, состоящие из двух и более подсистем, могут проявлять качественно новые свойства, несвойственные ни одной из подсистем. С другой стороны, сложные системы проявляют качественно сходные мотивы поведения во всем разнообразии возникающих новых качеств. Примером сложной системы являются сегнетоэлектрики-полупроводники [1,2], в которых проявляются новые свойства, связанные с взаимодействием электронной и решеточной подсистем. Похожее скорре-лированное поведение также наблюдается в магнетиках с полупроводниковыми свойствами [3,4].

В сегнетоэлектриках-полупроводниках уже наблюдались примеры скор-релированного поведения в виде динамических режимов - это колебания границы раздела между фазами в иодате сурьмы (БЬЗГ) [5], автоколебания параметра порядка в прустите (AgзAsSз) [б]. Модель, описывающая динамику сегнетоэлектриков-полупроводников, была развита в предыдущих работах [7, А1], и на ее основе исследовано возникновение ряда динамических режимов в однородном случае. Но по-прежнему актуальной оставалась проблема возникновения стационарных и динамических пространственно неоднородных состояний вблизи различных структурных фазовых переходов.

Пространственно неоднородные гетерофазные состояния со строгой периодичностью могут быть основой для создания доменной структуры с тем же периодом при охлаждении системы в низкотемпературную фазу. Кроме того, возникновение пространственно неоднородных локализованных образований и их динамика при локальном освещении могут быть использованы при самофокусировке света и при создании саморегулирующихся пульсирующих источников света. При создании пространственно неоднородных и динамических состояний возникают проблемы получения метастабильных состоянияй, которые имеют свои особенности в системе с полупроводни-

ковыми свойствами. Особенно это становится важно в той области температур, где свойства полупроводниковой системы существенно меняются. Нахождение таких областей и исследование влияния изменения характеристик полупроводниковой системы на свойства фазового перехода являются важными аспектами современных исследований.

Особый интерес на протяжении долгого времени проявляется к исследованию кристаллов, в которых возникают несоразмерные фазы. Несоразмерная фаза представляет собой переодическую структуру, период которой не кратен периоду основной структуры. Она возникает в некоторой температурной окрестности фазового перехода в соразмерную фазу. Так как несоразмерная фаза - существенно неоднородная система, в ней наблюдаютя различные нелинейные эффекты. Были получены данные о несоразмерной фазе в полупроводниках, таких как Зг^Рг^-яЗе^б и AgзAsSз, с шириной запрещенной зоны Ед ~ 1.8 — 2.4 эВ [8-10]. В области существования несоразмерной фазы проявляется зависимость состояния системы от режима изменения температуры [11]. В работе [8] было экспериментально исследовано влияние освещения на несоразмерную фазу. Поэтому было важно рассмотреть влияние динамики электронной подсистемы на поведение параметров динамических свойств несоразмерной фазы, таких как эффекты памяти и глобальный динамический гистерезис.

Также существует неизменный интерес к работам по исследованию релаксационных характеристик размытых фазовых переходов. Они нашли широкое применение в современных сонарах, и это стало новым толчком для их углубленного исследования. Многочисленные экспериментальные данные показывают, что свойства низкотемпературной фазы зависят от предыстории образцов, таким образом, в низкотемпературной фазе проявляется неэргодическое поведение. Природа низкотемпературной фазы остается недостаточно ясной до сих пор. Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что низкотемпературная фаза представляет собой со-

вокупность нескоррелированных между собой областей сегнетоэлектриче-ской фазы. При приложении электрического поля в низкотемпературной фазе наблюдается переход в состояние с однородной поляризацией. Исследование возникновения неоднородных состояний в системах с размытым фазовым переходом является одной из актуальнейших задач современной физики твердого тела.

Отметим, что фотостимулированные явления наблюдаются вблизи различных фазовых переходов в полупроводниках, в том числе в магнитных полупроводниках [3,4]. В этих веществах наблюдается изменение ширины запрещенной зоны при появлении в системе магнитного порядка, а также сдвиг температуры фазового перехода за счет возникновения неравновесной заселенности ловушек при внешнем освещении. В магнитных полупроводниках параметры этих изменений аналогичны тому, что мы наблюдаем в сегнетоэлектриках-полупроводниках, только они соответствуют противоположному знаку коэффициента взаимодействия параметра порядка с электронной подсистемой. В целях выявления наиболее общих особенностей поведения различных систем, рассмотрение всех вопросов в диссертации проведено на основе достаточно общих предположений, и поэтому результаты работы применимы для различных фазовых переходов в полупроводниках.

Однако помимо этого в магнитных полупроводниках может возникать принципиально иная ситуация, когда уровень легирования, изменяющий концентрацию носителей заряда, достаточно велик. В этом случае возможно возникновение неоднородного состояния за счет зарядовых неоднород-ностей и фазового расслоения. Идея о фазовом расслоении была впервые предложена Э.Л. Нагаевым в работе [12]. В дальнейшем она была развита применительно к манганитам [13-15]. При этом основное внимание уделялось описанию колоссального магнитосопротивления в сильно легированных проводящих образцах, которое объяснялось влиянием магнитного поля на зарядово-неоднородное состояние, находящееся в условиях перколяции

заряженных областей. Однако осталась неисследованной возможность новых неординарных магнитоэлектрических явлений в случае более слабого легирования, когда перколяции между зарядовыми неоднородностями не возникает. Теоретическое и экспериментальное исследование возможности магнитоэлектрических эффектов в относительно слабо легированных ман-ганитах является одной из целей данной работы.

Все вышеизложенное указывает на актуальность темы диссертации, которая посвящена исследованию процессов возникновения пространственно неоднородных состояний вблизи фазовых переходов в различных системах с полупроводниковыми свойствами.

В настоящей диссертации теоретически исследованы процессы возникновения неоднородных состояний и динамических явлений вблизи фото-стимулированных фазовых переходов для случая распределенных систем и фазовых переходов, протекающих в неравновесных условиях. Результаты экспериментальных исследований, инициированных автором диссертации, оказались в согласии с положениями и выводами теории. При анализе неоднородных состояний и динамических режимов применялся феноменологический подход, основанный на теории, предложенной для сегнетолектриков В.Л.Гинзбургом [16], и использовались методы теории нелинейных колебаний, применение которых к физическим объектам было начато с работ Л.М.Мандельштама [17].

Исследования проведены для двух принципиальных случаев:

1) рассмотрены явления в системах с относительно малым числом примесей, когда перераспределение зарядов на собственных дефектах приводит к самоорганизации в пространстве с характерными размерами микронного и субмикронного диапазона;

2) изучено возникновение скоррелированных состояний в системе с высоким уровнем легирования в которых характерный размер возникающих структур имеет порядок нескольких нанометров.

Настоящая работа является частью комплексных исследований, проводимых в КФТИ КазНЦ РАН по теме "Исследование сверхпроводимости, магнетизма и фазовых переходов в материалах с сильными электронными корреляциями" (per. номер 01.2.007.07599) и исследований, выполненых в рамках проектов РФФИ.

Целью данной работы явилось раскрытие физической природы и установление закономерностей процессов возникновения пространственно неоднородных состояний и динамических режимов, связанных с перестройкой электронной системы вблизи фазовых переходов.

В соответствии с целью сформулированы следующие задачи:

1. Изучить закономерности возникновения неоднородных гетерофазных структур при фазовом переходе в системах с полупроводниковыми свойствами в условиях интенсивного освещения и влияние света на параметры размытого фазового перехода.

2. Исследовать взаимосвязь эффектов памяти и глобального гистерезиса в температурной области существования несоразмерной фазы с перестройкой электронной подсистемы и сопоставить аномалии физических величин и временные характеристики памяти с параметрами полупроводниковой подсистемы.

3. Выяснить взаимосвязь феноменологической модели фазовых переходов в полупроводниках с теорией фазовых переходов в системах с дефектами и исследовать процессы, приводящие к появлению размытых фазовых переходов и к задержке либо опережению фазового перехода во времени.

4. Исследовать возникновение локализованных зарядовых неоднородно-стей и фазового расслоения в сильно легированных системах, установить возможности появления новых физических свойств при переходе в такое неоднородное состояние.

В качестве объектов исследования для проведения оценок и сравнения с экспериментальными данными, а также для проверки результатов

теории на экперименте, были рассмотрены системы сегнетоэлектриков-полупроводников: AgзAsSз, З^Рг^-яБе^в; системы с размытыми фазовыми переходами: кристаллы магнониобата свинца РЬЗУ^/зТЧЬг/зОз (РМ>Т) и кристаллы германата-силиката свинца РЬо^е^З^зОп; сильно легированные магнитные полупроводники: кристаллы лантан-стронциевых ман-ганитов: Ьа^АМпОз (х = 0.1, 0.11, 0.125).

Основной причиной, обусловившей такой выбор, явилось то, что все эти соединения хорошо изучены и являются модельными объектами для исследований фазовых переходов, характерных для каждой из этих систем.

Научная новизна. В работе впервые:

- получено описание бегущих и стационарных автосолитонных состояний и периодической гетерофазной структуры вблизи фазовых переходов первого рода в условиях интенсивного освещения;

- показано возникновение размытого фазового перехода и дисперсии восприимчивости на низких частотах за счет влияния переполяризующихся дефектов с изменяющимися свойствами на свойства фазовых переходов;

- установлено, что возникновение новых взаимосвязанных состояний при увеличении уровня легирования может привести к изменению наблюдаемой энергии активации и к высокой прыжковой проводимости;

- установлены закономерности влияния изменения концентрации носителей заряда на уровнях прилипания при изменении температуры на динамику и последовательность фазовых переходов;

- определена взаимосвязь эффектов памяти или глобального гистерезиса в области несоразмерной фазы с образованием структуры неоднородной концентрации электронов на уровнях прилипания и с изменением этой структуры при изменении температуры;

- предложен подход к описанию поведения сильно размытых фазовых переходов в рамках феноменологической теории фазовых переходов в системе с дефектами;

- установлено, что основные причины размытия фазовых переходов в твердых растворах германата-силиката свинца РЬб^ех-^аОзОц, связаны с тем, что температура фазового перехода оказывается в температурной области термолокализации зарядов;

- обнаружено изменение значения диэлектрической проницаемости под воздействием интенсивного освещения в монокристаллах магнониобата свинца РЫУ^1/3№)2/зОз (РМЫ);

- предложена модель для описания времени задержки фазового перехода в однородное поляризованное состояние в низкотемпературной фазе релаксоров, которая связывает этот просесс с процессами делокализации носителей заряда в сильном электрическом поле;

- показано, что локализованные зарядовые неоднородности и фазовое расслоение могут быть описаны в рамках феноменологической теории фазовых переходов, и при их возникновении повышение энергии за счет куло-новского взаимодействия оказывается относительно небольшим вследствие сильного экранирования и малой плотности дополнительного заряда в области неоднородностей;

- обнаружено и исследовано появление чрезвычайно высоких значений диэлектрической проницаемости до 107 и коэффициента магнитоёмкост-ного эффекта до 105 % в монокристаллах лантан-стронциевых манганитов Ьа1_ж8гжМп03 (;х = 0.1, 0.11, 0.125).

Положения, выносимые на защиту.

1. Теория возникновения бегущих и стационарных автосолитонных состояний и периодической гетерофазной структуры вблизи фазовых переходов первого рода в условиях интенсивного освещения, возникающих в результате скоррелированной пространственной самоорганизации параметра порядка и концентрации электронов в ловушках.

2. Результаты теоретического анализа динамики фазового перехода при изменении концентрации носителей заряда на ловушках с изменением тем-

пературы, из которых следует возникновение нетривиальных последовательностей фазовых переходов, либо возникновение особенностей в поведении обобщенной восприимчивости в области термолокализации электронов на ловушках, а также возникновение опережающего фазового перехода по температуре при быстром изменении температуры.

3. Механизм эффектов памяти и глобального гистерезиса в области несоразмерной фазы в системе с локализованными зарядами, обусловленный образованием пространственно-неоднородной концентрации электронов на ловушках и динамики этой пространственной структуры при изменении температуры.

4. Феноменологическая теория возникновения размытого фазового перехода в системе с дефектами, свойства которых изменяются с температурой, согласно которой возникновение низкочастотной дисперсии диэлектрических свойств объясняется связью релаксации параметра порядка с процессами термоактивации с уровней прилипания, имеющих широкое распределение по энергиям.

5. Объяснение появления размытого фазового перехода в системе твердых растворов германата-силиката свинца, РЬб^ех-хБ^зОц, основанное на перекрывании области температуры фазового перехода с температурной областью термолокализации зарядов.

6. Обнаружение изменения диэлектрической проницаемости под воздействием света в монокристаллах магнониобата свинца, PbMgl/зNb2/зOз, указывающее на связь этого явления с процессами заполнения электронами уровней прилипания.

7. Модель, описывающая задержку фазового перехода в однородное поляризованное состояние в зависимости от температуры и величины внешнего электрического поля в низкотемпературной фазе релаксоров, которая связывает это явление с медленными процессами делокализации носителей заряда во внешнем электрическом поле.

8. Феноменологическая теория возникновения зарядовых неоднородно-стей и фазового расслоения с последовательным учетом дальнодействую-щего кулоновского взаимодействия, указывающая на то, что кулоновское взаимодействие играет доминирующую роль в определении структуры и размеров возникающих неоднородностей, но при этом повышение энергии за счет кулоновского взаимодействия оказывается относительно небольшим вследствие сильного экранирования и малой плотности дополнительного заряда в области неоднородностей.

9. Прогнозирование больших значений эффективной диэлектрической проницаемости и коэффициента магнитоёмкостного эффекта при возникновении зарядовых неоднородностей и фазового расслоения в режиме, когда перколяции между заряженными областями не происходит, и обнаружение высоких значений диэлектрической проницаемости до 107 и коэффициента магнитоёмкостного эффекта до 105 % в полупроводниковых монокристаллах лантан-стронциевых манганитов Ьа^Бг^МпОз при х = 0.1, 0.11, 0.125.

Научная и практическая значимость.

Полученные в работе результаты расширяют имеющиеся представления о механизмах возникновения неоднородных состояний вблизи фазовых переходов в системах с полупроводниковыми свойствами.

Установленные в работе общие соотношения, связывающие характеристики неоднородных состояний с параметрами взаимодействия системы, в которой происходит фазовый переход, и электронной системы полупроводника, позволяют вести направленный поиск описанных явлений в широком круге систем с различными фазовыми переходами.

Раскрыт механизм возникновения эффектов памяти и глобального гистерезиса в несоразмерной фазе в системе с полупроводниковыми свойствами.

Установленные в работе физические закономерности дают возможность

предсказать размытие сегнетоэлектрического перехода, что позволяет осуществлять целенаправленный поиск диэлектрических материалов, обладающих высокой диэлектрической проницаемостью, пригодных для использования в диэлектрических усилителях, сонарах и других устройствах электронной техники.

Предсказание магнитоэлектрических свойств, возникающих вследствие появления зарядовых неоднородностей при фазовом расслоении, и обнаружение новых необычных свойств в манганитах может стать основой для поиска новых материалов с магнитоэлектрическими свойствами.

Найденные в работе физические механизмы и закономерности будут полезны для лабораторий и научных центров, занимающихся исследованием возникновения неоднородных состояний в конденсированных средах.

Достоверность результатов подтверждается: непротиворечивостью и достаточностью исходных положений; использованием проверенных методов анализа и методов получения решений нелинейных уравнений; результатами проведенных оценок; экспериментальной проверкой ряда положений и выводов теории путем проведения экспериментов на модельных объектах; повторяемостью экспериментальных результатов.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены и обсуждены на конференциях и семинарах различного уровня: XII Всесоюзная и XIII, XIV, XVI, XVII, XVIII и XIX Всероссийские конференции по физике сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону 1989 г., Тверь, 1992 г., Иваново 1995 г., Тверь, 2002 г., Пенза, 2005 г., Санкт-Петербург, 2008 г., Москва, 2011 г.), V Всесоюзная школа-семинар по физике се-гнетоэластиков (Ужгород, 1991 г.), Международный семинар по физике сегнетоэлектриков-полупроводников (Ростов-на-Дону, 1993 г.), 8th, 11th, 12th European Meeting on Ferroelectricity, (Nijmegen, Netherlands, 1995; Bled, Slovenia, 2007; Bordeaux, France, 2011) 9th, 10th International Meeting on Ferroelectricity (Seoul, Korea, 1997; Madrid, Spain, 2001), 3rd, 6th European

Conference on Applications of Polar Dielectrics, (Bled, Slovenia, 1996; Aveiro Portugal, 2002), 7th International conference on electric ceramics and their applications (Portoroz, Slovenia, 2000), I и III Международные семинары по физике релаксорных сегнетоэлектриков (Дубна, 1996, 2000 гг.), 5th Russian-Japanese symposium on ferroelectricity (Moskow, Russia, 1994), 7th, 8th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (St Petersburg, Russia, 2002, Tsuruba, Japan, 2004). Workshop on Fundamental Physics of Ferroelectrics 2004, 2005 (Williamsburg, USA, 2004, 2005). I, IV и V Международные семинары по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 1994, 2003 и 2006 гг.) 3rd international symposium on domain structure of ferroelastics and related materials (Zakopane, Poland, 1994), Ukrainian-Polish and East-evropean workshop on ferroelectricity and phase transitions (Uzgorod-V.Remety, Ukraine, 1994), Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures (Vienna, Austria, 1996), The International Conference on Theoretical Physics (Paris, France, 2002), 20th, 21st, 22st Seminar of the Middle European Cooperation in Statistical Physics (Wels, Austria, 1995; Bled, Slovenia, 1996; Szklarska Poreba, Poland, 1997), Aperiodic 2000 Conference (Nijmegen, Netherlands, 2000), International conference on science and technology of synthetic metals (Gastein, Austria, 2000), Nanores-2004 (Kazan, Russia, 2004), Международная научно-практическая конференция "Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения" (Москва, 2003).

Публикации. Основные материалы диссертации опубликованы в 38 статьях в центральной российской и международной печати, а также в ма-териаллах и тезисах вышеперечисленных конференций.

Личный вклад автора. Все основные теоретические результаты, представленные в диссертации, получены лично автором. В теоретической работе по исследованию зарядовых неоднородностей и фазового расслоения Т.С.Шапошниковой принадлежит участие в проведении компьютерного моделирования, В.В. Кабанов написал программу для компьютерно-

го моделирования и провел фурье анализ для свободной энергии, а автор настоящей диссертации провел анализ свободной энергии для описания поведения системы и получения фазовой диаграммы и сделал оценки для отдельных вкладов в полную энергию неоднородного состояния, а также участвовал в проведении компьютерного моделирования. Постановка этой задачи, анализ и интерпретация результатов была проведена совместно автором диссертации и В.В. Кабановым в рамках совместного проекта российско-словенского сотрудничества.

Экспериментальные результаты, связанные с системами твердых растворов на основе германата-силиката свинца, Pb5(Gei_xSia;)30ii были получены в группе A.A. Буша, и автор диссертации участвовал только в анализе полученных зависимостей диэлектрических свойств и проводимости от уровня концентрации кремния, выработке соответсвующих выводов и последующем написании статьи по этой теме. Все остальные экспериментальные результаты, вошедшие в диссертацию, которые были выполнены в кооперации с экспериментальными группами A.A. Бухараева, С.И. Никитина, Т. Игами, С.А. Мигачева, получены при непосредственном участии автора диссертации в качестве руководителя, формирующего идею и план экспериментальных исследований при выполнении сооветствующего гранта РФФИ, и в качестве исследователя, который анализировал и обобщал полученные результаты и формулировал окончательные выводы. Следует отметить, что руководителем проведения экспериментов по исследованию оптических свойств в магнониобате свинца PbMg!/3Nb2/303 в Казанском (Приволжском) федеральном университете был С.И. Никитин.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. В конце глав даны краткие выводы по материалам данной главы.

Работа изложена на 250 страницах текста, включая 54 рисунка и библиографию из 211 наименований.

В первой главе рассмотрено возникновение всевозможных неоднородных гетерофазных структур при фазовом переходе в системах с полупроводниковыми свойствами в условиях интенсивного освещения. В начале главы представлена основная модель, описывающая поведение параметра порядка фазового перехода и параметров полупроводниковой системы, и изложены методы построения решения для описания неоднородных состояний в рамках этой модели. Далее показано, что возможно возникновение локализованных неоднородных состояний - автосолитонов [18], а также неоднородных состояний во всем объеме с периодическим чередованием фаз. Автосолитоны могут возникнуть тогда, когда единственное стационарное состояние системы становится метастабильным в условиях освещения. Описаны различные бегущие и стационарные автосолитонные состояния, а также периодическая гетерофазная структура с чередованием параэлектрической и сегнетоэлектрической фаз, образующихся за счет перераспределения электронов на уровнях прилипания. Задача решена для одномерного случая. Возникновение такого поведения связано с динамикой сегнетоэлетрика-полупроводника как целого и является примером синерге-тического поведения.

Во второй главе вначале рассматривается процесс постепенного заполнения примесных уровней при понижении температуры. На примере алмаза, легированного бором, показано, что при увеличении уровня легирования возникают новые связанные состояния примесных атомов. При низких температурах механизмы проводимости связаны с процессами термоактивации дырок с мелких уровней и с прыжковым механизмом проводимости. Показано, что прыжковая проводимость осуществляется по уровням связанных состояний бора, число которых возрастает нелинейным образом при повышении уровня легирования. В данном случае для нас было важно проиллюстрировать, что процессы термолокализации заряда на примесных уровнях происходят при температурах Тмного меньших характерной тем-

пературы Та = 11л/кв {Ть ~ 0-05 -г- 0.1Т^). Показано, что в области этой температуры начинается резкое увеличение концентрации электронов на уровнях прилипания.

Далее нами исследовано влияние температурного изменения заселенности уровней прилипания на фазовые переходы. При быстром изменении температуры, когда область изменения температур захватывает интервал температур, в котором происходит термоактивационное заполнение (опустошение) ловушек, возникают метастабильные состояния электронной подсистемы с большими временами релаксации. Если в области изменения температуры есть фотоактивный фазовый переход, то происходит сдвиг температуры фазового перехода, который определяется неравновесными электронами (либо их отсутствием) на уровнях прилипания.

Также показано, что процессы заполнения ловушек могут существенным образом изменить последовательность фазовых переходов в системе. В результате термозаполнения ловушек может возникнуть сложная последовательность фазовых переходов, а также, в некоторой области температур, метастабильное, пограничное между фазами, состояние. Такое поведение наиболее вероятно при фазовых переходах первого рода.

В третьей главе исследована взаимосвязь эффектов памяти с перестройкой электронной подсистемы, и развита теория, позволяющая определять аномалии физических величин и временные характеристики памяти из параметров электронной системы полупроводника. Показано, что освещение влияет на характеристики несоразмерной фазы путем изменения неравновесной концентрации электронов на уровнях прилипания. Это позволяет, при интенсивном освещении, наблюдать сильное изменение температурной области существования несоразмерной фазы и генерацию несоразмерной фазы в системах, в которых она не наблюдается без освещения. Рассмотрена экспериментальная ситуация в Б^Рг^х-яЗе^в, особенностью которой является близость к трикритической точке и к точке Лифшица. Предложен

подход к описанию эффектов памяти и гистерезисных явлений в несоразмерной фазе, основанный на возникновении неоднородной концентрации электронов на уровнях прилипания. Установлена взаимосвязь наблюдаемых аномалий физических свойств кристаллов с характеристиками электронной системы полупроводника.

Показано, что концентрацию электронов на уровнях прилипания можно изменять не только световым воздействием. В некоторых случаях при быстром охлаждении полупроводников возникают метастабильные состояния с эффективно опустошенными ловушками. То есть можно говорить, что неравновесная концентрация электронов на уровнях прилипания будет отрицательной. Поэтому вполне реальна такая ситуация, когда возможно появление точки Лифшица в Б^Рг^х-яБе^е при х > 0.3 за счет опустошения ловушек.

В четвертой главе рассмотрена взаимосвязь развитой модели с теорией фазовых переходов в системе с дефектами и исследованы процессы, приводящие к появлению размытых фазовых переходов.

Вначале исследовано, как появляется размытие фазового перехода за счет локализации носителей заряда на дефектах. Теоретически исследовано влияние дефектов с изменяющимися свойствами на свойства структурных фазовых переходов. Изучено влияние переполяризующихся дефектов на диэлектрическую восприимчивость, динамику параметра порядка, и получены температурные зависимости соответствующих величин.

Далее обсуждается проявление всех этих процессов на примере трансформаций диэлектрических свойств в кристаллах РЬб^ех-хЭ^зОц. Показано, что наблюдаемое возникновение релаксорного поведения при х > 0.35 и критическое поведение концентрационных зависимостей диэлектрических свойств при Х\ = 0.35 и хч = 0.60 связаны с динамикой локализации зарядов на дефектах с энергией активации иа\ = 0.6 эВ и 11а2 = 0.23 эВ. Релак-сорное поведение возникает тогда, когда точка Кюри оказывается в темпе-

ратурной области термолокализации зарядов. Особенности концентрационных зависимостей при х = Хг и х = Х2 объясняются тем, что эффективная точка Кюри попадает в центры температурных областей локализации зарядов на дефектных уровнях IIа\ и IIа2, соответственно.

И, наконец, в последнем разделе этой главы мы обсуждаем возникновение сильной частотной зависимости диэлектрических свойств на низких частотах при термолокализации носителей заряда на примесных уровнях в сильно дефектной системе.

В пятой главе рассмотрены особенности процессов локализации носителей заряда на примесных центрах. Представлены результаты экспериментальных исследований оптических и фотопроводящих свойств монокристаллов магно-ниобата свинца РЬМ^/зМЬг/зОз (РМ1Ч), а также исследований влияния освещения на диэлектрические свойства этих соединений. Эти вопросы рассмотрены в начале этой главы.

На основе исследования спектральной зависимости фотопроводимости, фотостимулированных токов, возникающих в отсутствии внешнего напряжения, и фотостимулированного изменения диэлектрических свойств на монокристаллах магно-ниобата свинца, выявлена структура плотности состояний дефектных уровней и обсуждена возможность участия этих состояний в формировании размытого фазового перехода. Показано, что путем светового воздействия на электронные свойства дефектной подсистемы можно изменять диэлектрические свойства релаксоров.

В последнем разделе главы рассмотрены процессы, приводящие к задержке фазового перехода в состояние с однородной поляризацией при приложении электрического поля в низкотемпературной фазе релаксоров. Показано, что в сильных электрических полях локализованные заряды активируются с локальных уровней либо путем ударной ионизации, либо путем туннелирования через потенциальный барьер. В результате, в достаточно сильных полях, в момент делокализации заряда с дефекта исчезает пиннинг

н

направления вектора поляризации на этом дефекте. В результате постепенного осуществления такого процесса на основной массе дефектов, спонтанная поляризация через определенное время ориентируется вдоль внешнего поля по всему образцу. Это представляет собой своеобразный структурный фазовый переход во времени и проявляется в скачке диэлектрической проницаемости. Зависимость времени задержки фазового перехода от температуры и величины внешнего поля в достаточно сильных полях связана с процессами делокализации носителей заряда и имеет характерный вид (¿о(Я, Т) ~ ехр(Е0/Е) ехр(Т0/Т)).

В шестой главе исследовано возникновение локализованных зарядовых неоднородностей и фазового расслоения в сильно легированной системе. Удалось показать, что зарядовое и фазовое разделение является достаточно общим явлением при фазовых переходах в легированных системах. Рассмотрен случай магнитного фазового перехода в слабо легированной системе, когда перколяция заряженных областей не имеет места.

Показано, что кулоновское взаимодействие определяет распределение заряда и размер возникающих неоднородностей. Фазовое расслоение, связанное с образованием зарядовых неоднородностей, становится возможным из-за больших значений диэлектрической проницаемости и малой плотности дополнительного заряда в области локализации. Построена фазовая диаграмма системы, и сделаны оценки выигрыша в энергии такого состояния. Показана роль кулоновского взаимодействия, и приведены соответствующие оценки.

В монокристаллах Ьа1_а;8гхМпОз (х = 0.1, 0.11, 0.125) обнаружены чрезвычайно высокие значения диэлектрической проницаемости до 107 и магнитоёмкостного эффекта до 105 %. Эти явления наблюдаются уже при комнатной температуре. Наблюдаемое поведение может быть следствием сильного взаимодействия между зарядовыми, спиновыми и решеточными степенями свободы, приводящего к зарядовому и фазовому расслоению в

режиме до порога перколяции.

Ранее было показано, что фазово-расслоенное состояние в манганитах может быть модифицировано оптическими методами. Так, в образцах состава Рго.7Сао.зМпОз фотовозбуждение, как в пике резонансного оптического поглощения, так и на частотах характерных фононных мод, инициирует переход диэлектрик-металл с возможностью стабилизации металлического состояния пропусканием электрического тока с силой тока выше определенной величины. Нами показано, что в соединении Ьао.8758го.125МпОз интенсивное возбуждение светом с энергией фотона 1.55 эВ приводит к образованию неравновесной ферромагнитно-упорядоченной фазы, которой не существует в основном состоянии [А37]. Кроме того, нами были проведены исследования по инициированию локальных состояний в соединении Ьао.вэЗго.цМпОз при приложении внешнего электрического поля локально с помощью методов атомной силовой микроскопии [А35,А38].

В заключении сформулированы основные результаты и выводы диссертационной работы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Мамин, Ринат Файзрахманович

Результаты исследования спектров и температурного певедения фотолюминесценции РЬ(1^!/з]МЬ2/з)Оз представлены на рис. 5.5а и 5.56. На рис. 5.5а максимум спектра люминесценции находится в области Л = 510 нм. Как видно из рис. 5.5а и 5.56, интенсивность фотолюминесценции сильно падает с повышением температуры. Отсюда мы делаем вывод, что с области температур 100-300 К дефектные состояния, которые участвуют в процессе люминесциеции, сильно опустошаются за счет термоактивации, и поэтому люминесценция с этих уровней становится не эффективной. При анализе этих результатов надо принимать во внимание, что, для высвечивания фотонов при люминесцинции, носитель заряда должен определенное время просуществовать на соответсвующем ловушечном уровне. Поэтому эти результаты, в совокупности с температурной зависимостью фототока,

6000

ПС Ф

X Iо

4000

2000

400 500 600 700

X, пт

100

150 200

Т, К

Рис. 5.5. Спектр фотолюминесценции РЦГ^х/зМЬг^Оз при различных температурах (а) и температурная зависимость интенсивности (в максимуме) фотолюминесценции РЬ(Мё1/3ЫЬ2/3)03 (б).

Е, еУ

Рис. 5.6. Схема плотности состояний дефектных уровней. свидетельствуют о том, что характерная области температур, в которой происходят процессы эффективной термоактивации заряда с дефектных состояний в РЬ(1^!/з№)2/з)Оз, находится в интервале 100-450 К.

Проанализировав совокупность спектроскопических данных и данных по фотопроводимости, мы предлагаем следующую картину плотности состояний дефектных уровней, которая проиллюстрирована на рисунке 5.6. Дефектные уровни расположены ниже зоны проводимости с энергетическим зазором порядка Щ = 0.23 эВ. Имеется достаточно широкий дефектный спектр с полушириной порядка 0.32 эВ. Это позволяет сделать вывод, что широкий спектр дефектных состояний может обеспечить искомое распределение времен релаксации и его температурную зависимость (см. раздел 4.3 и рис. 4.5), часто обсуждаемую при описании релаксорного поведения [121, А24]. Это указывает на возможность участия именно этих дефектных состояний в формировании размытого фазового перехода в релаксорах, типа РМ1Ч, и указывает на возможные пути светового воздействия на ре-лаксоры. Из работ [113,128] видно, что температурная область локализации носителей находится вблизи температуры фазового перехода. Энергия активации иа = 0.65 эВ определяет энергетический интервал от дна зоны проводимости до уровня химического потенциала в нашем образце. Таким образом, дефектные уровни заполнены менее чем наполовину (см. рис. 5.6), и поэтому, воздействуя светом, можно изменить их заселённость и опосредованно влиять на диэлектрические свойства РМИ.

5.2 Фотостимулированное изменение диэлектрических СВОЙСТВ В РЬ(М£!/з]>1Ъ2/з)С)з

В данном разделе представлены результата влияния света на диэлектрические свойства РЬ(^^1/з1ЧЬ2/з)Оз. Были проведены исследования диэлектрических свойств при различных температурах и частотах до и после воздействия освещения. Во всех случаях измерения проводились при выключенном освещении, чтобы исключить воздействие светового нагрева образца. После отжига образца в течение одного часа при высокой температуре (Т ~ 600 К) образец охлаждался до температуры измерений. Диэлектрическая проницаемость проявляет характерное релаксорное поведение (смотрите вставку на рисунке 5.7а), и это аналогично данным, полученным другими авторами [112,128] - размытый температурный максимум и сильная частотная зависимость на низких частотах. Воздействие освещения существенно изменяет значения диэлектрических постоянных. На рисунке 5.7 приведена частотная зависимость реальной е' и мнимой е" частей диэлектрической проницаемости для монокристаллов магно-ниобата свинца, измеренных при температуре Т = 270 К. Данные измерений диэлектрической проницаемости для различных частот, полученные после отжига образца и охлаждения до температуры 270 К, показаны на рисунке линиями с кружками. После этого образец подвергался воздействию света широкой полосы длин волн в области возбуждения фототока при воздействии на уровни дефетов (А ~ 350 — 450 нм). После снятия освещения и стабилизации температуры при 270 К снова измерялась диэлектрическая проницаемость при различных частотах - на рис. 5.7 эти результаты представлены в виде линии с квадратиками. После этого проводилось повторное освещение образца широким световым спектром в инфракрасной области вблизи длины волны 1 микрон. Результаты представлены на рис. 5.7 линией с треугольниками. Из полученных результатов видно, что ультрафиолетовый свет приводит к существенному понижению как реальной, так и мнимой частей диэлектрической проницаемости, а инфракрасный свет оказывает частичное восстанавливающее воздействие. Существенным является тот факт, что воздействие освещения приводит не к увеличению, а к уменьшению мнимой части диэлектрической проницаемости. Это означает, что наблюдаемые эффекты нельзя отнести к возрастанию проводимости образцов. Аналогичные результаты были получены и для других температур, при этом процедура о

10 100 1000 10000 '(Гц)

1000

ТТЛ 10000

Рис. 5.7. Частотная зависимость реальной, е'(/)> (а) и мнимой, е"(/), (б) частей диэлектрической проницаемости для монокристаллов магно-ниобата свинца при температуре Т = 270 К: линия с открытыми кружками - до освещения; линия с квадратиками -после освещения ультрафиолетовым светом; линия с треугольниками - после повторного восстанавливающего освещения инфракрасным светом. На вставке на рисунке (а) приведена температурная зависимость реальной части диэлектрической проницаемости е'(Т) для различных частот. измерений всегда повторялась, начиная с отжига при высокой температуре. Наибольший эффект достигается в области максимума реальной части диэлектрической проницаемости. Эффект сохраняется достаточно долго (как минимум в течение дня), а также проявляется при более низких температурах по сравнению с температурой освещения. На рис. 5.8 приведено температурное поведение реальной части диэлектрической проницаемости для различных частот после освещения ультрафиолетовым светом при температуре 263.5 К и последующего охлаждения. Для сравнения точечными линиями на рисунке приведены значения диэлектрической проницаемости для этих же частот в неосвещённом образце. При последующем нагреве образца до температуры освещения мы получили те же значения диэлектрических постоянных, которые были получены непосредственно после освещения. При нагреве образца значительно выше комнатной температуры (Т ~ 400 К) эффект достаточно быстро исчезает.

Обсудим электронные свойства дефектной подсистемы РМ1М, которые могут проявиться в релаксорном поведении. Значение энергии активации и энергетический интервал между областью локализации носителей заряда на дефектах и зоной проводимости хорошо согласуются между собой. Эти же значения дают хороший результат при получении температурной зависимости функции распределения времен релаксации [А24], которая часто обсуждается при интерпретации экспериментов в релаксорах. Из спектров фотопроводимости следует, что мы имеем систему дефектных уровней с достаточно широким распределением по энергиям. Это также коррелирует с представлениями о связи широкого распределения времен релаксации с широким распределением плотности дефектных состояний по энергиям [А24]. Из данных по люминесценции в магно-ниобате свинца [А28] можно сделать вывод, что температурная область локализации носителей находится вблизи температуры фазового перехода. Еще одним косвенным фактом в пользу связи дефектной подсистемы с релаксорным поведением является

20 m

СО

10

200 220 240 260 280 300

Т (К)

Рис. 5.8. Температурная зависимость реальной части, е'(/), диэлектрической проницаемости для различных частот до освещения (пунктирная линия) и после освещения (сплошная линия) ультрафиолетовым светом при температуре 263.5 К (1 - частота / = 1Гц, 2 - частота / = 100 Гц, 3 - частота / = 10000 Гц), для сравнения пунктирными линиями приведены значения диэлектрической проницаемости для этих же частот измеренных до воздействия освещения. концентрация дефектов в образцах. Из наших данных по релаксации фо-тоэлектретных состояний в РММ [А25] концентрация дефектов имеет значение порядка 1018 — 1019см~3, что является характерным значением для концентрации собсвенных дефектов. Это соответствует расстоянию между дефектами 3 — 10 нм, что хорошо совпадает с характерными размерами нанообластей неоднородности поляризации, наблюдаемых в экспериментах [148]. Поэтому можно предположить, что неоднородности поляризации возникают за счет закрепления направления вектора поляризации на дефектах. На основе всей совокупности спектроскопических данных и данных по фотопроводимости можно сделать вывод, что в РМК имеется достаточно широкое распределение плотности состояний дефектных уровней по энергиям вблизи дна зоны проводимости. Локализация заряда на этих уровнях происходит в шировом температурном интервале 100-450 К, включающую в себя область размытого фазового перехлхода. Это означает возможность участия этих состояний в формировании размытого фазового перехода и дисперсии на низких частотах в релаксорах типа РМЫ.

Несомненно, результаты по фотостимулированному изменению диэлектрических свойств выявляют взаимосвязь поведения релаксоров с поведением дефектной подсистемой. Обнаружение значительного фотостимули-рованного изменения диэлектрической проницаемости свидетельствует в пользу важности учета динамики перезарядки дефектов при обсуждении природы релаксоров. Влияние освещения на фазовые переходы в сегнето-электриках наблюдалось и ранее [1]. Однако это проявлялось в виде сдвига температуры фазового перехода и наблюдалось в условиях освещения образца. В нашем случае отличительной чертой является то, что мы наблюдаем эффект влияния освещения после выключения освещения, и он проявляется в существенном изменении значения диэлектрических параметров.

Настоящие исследования не претендуют на окончательное решение вопроса о природе релаксорного поведения, тем не менее, дают конкретные ориентиры для дальнейших исследований с целью определения физических основ релаксороного поведения, а также обнаружения новых свойств этих материалов. Одно из таких свойств, фотостимулированное изменение диэлектрической проницаемости, обнаружено нами и представлено в данном разделе.

Таким образом, проведены исследования спектральной зависимости фотопроводимости, фотостимулированных токов, возникающих в отсутствии внешнего напряжения, и фотостимулированного изменения диэлектрических свойств на монокристаллах магно-ниобата свинца PbMgi/3Nb2/303. На основе полученных данных выявлена структура плотности состояний дефектных уровней и обсуждена возможность участия этих состояний в формировании размытого фазового перехода в релаксорах. Показано, что путем светового воздействия на электронные свойства дефектной подсистемы можно изменять диэлектрические свойства релаксоров. В следующем разделе мы рассмотрим возникновение фазового перехода в однородное полярное состояние после приложения внешнего электрического поля в низкотемпературной фазе релаксоров и возникающие при этом зависимости времени задержки фазового перехода от температуры и величины внешнего поля, наблюдавшиеся в эксперименте [115,150].

5.3 Время задержки фазового перехода в низкотемпературной фазе Pb(Mg1/3Nb2/3)C>3

Для проверки работоспособность развиваемой теории было решено найти эксперимент, который не был объяснен ранее, и объяснить его в рамках предлагаемого подхода. Выбор пал на нетривиальные результаты получнн-ные в работах [115,150], в которых изучалась кинетики фазовых переходов в низкотемпературной фазе релаксоров после приложения внешнего электрического поля. Оставаясь в рамках основного постулата, что локальное направление спонтанной поляризации в наномасштабных областях в релак-сорах закреплено локализованными носителями заряда, была предложена идея, что в сильных электрических полях происходят процессы постепенной активации локализованных зарядов и последующего поворота локальной поляризации вдоль поля. Это позволяет объяснить фазовый переход в состояние с однородной спонтанной поляризацией, который происходит с задержкой по времени. Основываясь в рамках этих представлений мы получаем зависимость времени задержки такого фазового перехода ¿о от температуры и величины внешнего электрического поля.

Напомним, что в недавних исследованиях [115,150] была обнаружена задержка по времени возникновения однородно поляризованной фазы при приложения сильного электрического поля после охлаждения без поля в низкотемпературной фазе Pb(Mgi/3Nb2/3)03. Приложение к релаксорам постоянного электрического поля приводит к резкому усложнению картины наблюдаемых явлений. При охлаждении в полях выше некоторого порогового значения Ethr ~ 1.5 kB/см вид температурной зависимости диэлектрической проницаемости резко меняется. В работах [111,116] было показано, что при охлаждении без поля релаксоры переходят в состояние с локальной спонтанной поляризацией в микрообластях с характерными размерами AI ~ 3 — 10 нм при определенной температуре Ту, которая расположена ниже температуры Тт максимума диэлектрической проницаемости. Однородная спонтанная поляризация возникает только при приложении постоянного поля Е > Ethr• При приложении электрического поля в низкотемпературной фазе после охлаждения без поля наблюдается фазовый переход в однородную сегнетоэлектрическую фазу. В вышеупомянутых исследованиях [115,150] было обнаружено, что фазовый переход в сегнетоэлектрическую фазу происходит спустя некоторое время to после начала приложения поля. Были получены зависимости времени задержки ¿о от температуры Т и величины внешнего электрического поля Е, которые хорошо описываются соотношениями вида: ¿0{Е) = ТЕехр(Ео/Е) и ¿о(Т) = Гуехр(То/Т). При этом постоянные То и тт, которые получались при такой аппроксимации, показались авторам статьи [150] настолько необычными, что позволило им написать, что "численные значения тт и То (тт = 8.3- Ю-16 сек, То ~ 7000 К) не имеют физического смысла". Несомненно, выяснение физического смысла наблюдаемых закономерностей важно для прояснения всей совокупности явлений в релаксорах.

Отправной точкой нашего рассмотрения будет положение, что низкотемпературная фаза представляет собой состояние, в котором все пространство образца разбито на микрообласти с различным направлением спонтанной поляризации. Для объяснения особенностей задержанного по времяни фазового перехода мы исходим из того, что направление поляризации в этих микрообластях закреплено локализованными зарядами, которые как раз и определяют разбиение объёма образца на микрообласти. В низкотемпературной фазе практически все заряды локализованы. Процессы термоактивации при данных температурах мало эффективны, поэтому заряженные центры могут быть ионизованы только в результате приложения достаточно сильного внешнего электрического поля.

Заключение

В диссертации исследованы процессы возникновения пространственно неоднородных состояний и динамических режимов, связанных с перестройкой электронной системы вблизи фазовых переходов, установлены закономерности пространственного распределения характеристик системы в неоднородных состояниях и раскрыта физическая природа ряда явлений при быстром изменении температуры, при возникновении несоразмерной фазы, в области размытых фазовых переходов, а также при фазовом расслоении с зарядовыми неоднородностями. Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Исследовано возникновение бегущих и стационарных автосолитонных состояний, а также периодической гетерофазной структуры вблизи фазовых переходов первого рода в условиях интенсивного освещения, возникающих в результате скоррелированной пространственной самоорганизации параметра порядка и концентрации электронов в ловушках.

2. Показано, что при увеличении уровня легирования возникают связанные состояния примесных атомов, которые существенным образом изменяют динамику локализации заряда на примесных уровнях. Это приводит к изменению наблюдаемой энергии активации и к высокой прыжковой проводимости.

3. Исследована динамика фазового перехода при изменении концентрации носителей заряда на ловушках с изменением температуры. Показано возникновение нетривиальных последовательностей фазовых переходов, либо возникновение особенностей в поведении обобщенной восприимчивости в области термолокализации электронов на ловушках.

4. Показано, что при быстром изменении температуры возникают ме-тастабильные состояния электронной подсистемы. В результате, при быстром охлаждении фазовый переход происходит при более высокой температуре.

5. Показано, что в области несоразмерной фазы возникает пространственно-неоднородная структура концентрации электронов на ловушках, которая обусловливает проявление эффектов памяти или глобального гистерезиса.

6. Описано возникновения размытого фазового перехода в системе с дефектами, свойства которых изменяются с температурой. Низкочастотная дисперсия диэлектрических свойств объясняется связью релаксации параметра порядка с процессами термоактивации с уровней прилипания, имеющих широкое распределение по энергиям.

7. Определены основные причины появления размытого фазового перехода в системе твердых растворов германата-силиката свинца РЬб^ех-яЗг^зОи. Показано, что релаксороподобное поведение возникает тогда, когда температура фазового перехода оказывается в температурной области термолокализации зарядов.

8. Впервые обнаружено изменение диэлектрической проницаемости под воздействием интенсивного освещения в монокристаллах РЬМё1/зМЬ2/303 (РМ1Я).

9. Показано, что зависимость времени задержки фазового перехода в однородное поляризованное состояние от температуры и величины внешнего электрического поля в низкотемпературной фазе релаксоров может быть описана в рамках модели, которая связывает эту задержку с медленными процессами делокализации носителей заряда во внешнем электрическом поле.

10. Фазовое расслоение с зарядовыми неоднородностями описаны в рамках феноменологической теории фазовых переходов с последовательным учетом дальнодействующего кулоновского взаимодействия. Построена фазовая диаграмма системы, и сделаны оценки выигрыша в энергии такого состояния. Впервые показано, что повышение энергии за счет кулоновского взаимодействия оказывается относительно небольшим, вследствие сильного экранирования и малой плотности дополнительного заряда в области неоднородностей.

11. Впервые предсказаны и обнаружены чрезвычайно высокие значения диэлектрической проницаемости до 107 и коэффициента магнитоём-костного эффекта до 105% в полупроводниковых монокристаллах Ьах-хБгяМпОз в ограниченной области температур, которая совпадает с областью фазового расслоения.

На основе полученных результатов сформулированы следующем выводы:

1. При фазовых переходах в системах с полупроводниковыми свойствами возникают неоднородные состояния, параметрами которых можно управлять при помощи освещения, что позволяет использовать такие системы в различных технических приложениях. Возникновение неоднородных гетерофазных состояний с заданной периодичностью позволяет создавать периодические доменные структуры, которые являются перспективными объектами для элементной базы, используемой в устройствах по преобразованию оптического излучения.

2. Свойства размытых фазовых переходов связаны с динамикой перезарядки состояний, образованных дефектами. Поэтому полезные свойства материалов с размытыми фазовыми переходами можно изменять, модифицируя определенные свойства дефектов или воздействуя на них светом.

3. Фазовое расслоение с зарядовыми неоднородностями приводит к появлению необычных диэлектрических и магнитоёмкосных свойств, что позмоляет вести направленный поиск материалов с новыми магнитоэлектрическими свойствами. Кроме того, сильное изменение диэлектрических характеристик вещества при переходе в состояние фазового расслоения с зарядовыми неоднородностями может стать основой нового метода определения и исследования таких состояний.

Развитые в диссертации модели, базирующиеся на феноменологической теории фазовых переходов Гинзбурга-Ландау, позволили, в рамках единого подхода, исследовать процессы возникновения различных пространственно неоднородных состояний и динамических режимов в сегнетоэлектриче-ских и магнитных полупроводниках. Совакупность представленных в диссертации результатов можно рассматривать как развитие нового научного направления связанного с исследованием динамических режимов фазовых переходов и неоднородных состояний в полупроводниках.

В заключение автор искренне благодарен коллективу лаборатории физики перспективных материалов. Особую благодарность автор выражает заведующему лабораторией Григорию Бенционовичу Тейтельбайму за его поддержку и постоянный интерес к работе, а также И.А. Гарифуллину, H.H. Гарифьянову, Ю.И. Таланову, Т.О. Шапошниковой за неоценимую помощь и поддержку при выполнении диссертационной работы, A.A. Ва-лидову за помощь в оформлении диссертации. Автор глубоко благодарен Р. Блинцу, A.A. Бушу, Ю.С. Грезневу, Т. Игами, Т. Инушиме, В.В. Кабанову, С.А. Мигачеву, С.И. Никитину за плодотворное сотрудничество.

Список авторской литературы

А1] Мамин Р.Ф. Трансформация сегнетоэлектрических фазовых переходов под действием освещения / Р.Ф. Мамин, Г.Б. Тейтельбаум // Письма в ЖЭТФ. -1986.- Т.44, вып.7.- С.326-329.

А2] Мамин Р.Ф. Фазовые переходы в полупроводниках при быстром изменении температуры / Р.Ф. Мамин Г.Б. Тейтельбаум // ФТТ. - 1990. - Т.32, вып.9. - С.2627-2633.

АЗ] Мамин Р.Ф. Эффекты памяти в несоразмерной фазе в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // Письма ЖЭТФ. - 1990. - Т.52, вып.6. - С.952-954.

А4] Мамин Р.Ф. Глобальный динамический гистерезис в несоразмерной фазе в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // Письма ЖЭТФ. - 1991. -Т.53, вып.10. - С.499-503.

А5] Мамин Р.Ф. Несоразмерная фаза в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // ФТТ. - 1991. - Т.ЗЗ, вып.9. - С.2609-2615.

А6] Мамин Р.Ф. Сдвиг температуры фазового перехода в 8п2Р28ев при быстром изменении температуры. / Ю.С. Грезнев, Р.Ф. Мамин, С.Ф. Мотря // ФТТ. -1993. - Т.35, вып.1. - С.96-99.

А7] Мамин Р.Ф. Эффекты памяти в несоразмерной фазе в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // Кристаллография. - 1993. - Т.38, вып.1. - С.140-143.

А8] Мамин Р.Ф. Влияние термозаполнения ловушек на устойчивость структурных фаз в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // Письма в ЖЭТФ. - 1993. - Т.58, вып.7. - С.534-537.

А9] Mamin R.F. Memory effect in incommensurate phase and kinetic of electronic subsystem / R.F. Mamin // Ferroelectrics. - 1993. - V.143, n.l. - P.191-194.

A10] Мамин Р.Ф. Новый вид доменной структуры вблизи фотостимулиро-ванного фазового перехода автосолитоны / Р.Ф. Мамин // Письма в ЖЭТФ. - 1994. - Т.60, вып.1. - С.51-55.

All] Mamin R.F. Autosolitons in photoferroelectrics / R.F. Mamin // Ferroelectrics Letters.- 1995. - V.18. - P.33-38.

A12] Mamin R.F. Kinetics of structural phase transition in semiconductor caused by redistribution of electrons on trapping levels / R.F. Mamin // Ferroelectrics.- 1995. - V.174. - P.23-30.

A13] Mamin R.F. Periodical stractures and dynamic phenomena in ferroelectric-semiconductors / R.F. Mamin // Ferroelectrics.- 1996. -V.185, n.l. - P.87-90.

A14] Мамин Р.Ф. Периодическая доменная структура с чередованием фаз вблизи фазового перехода в фотосегнетоэлектриках /Р.Ф. Мамин // Известия РАН, сер. физ.- 1996. - Т.60, вып.Ю. - С.130-133.

А15] Грезнев Ю.С. Исследование динамики фазового перехода несоразмерная соразмерная фаза в сегнетоэлектриках-полупроводниках Sn2P2(SeixSx)6 методом ЭПР / Ю.С. Грезнев, Р.Ф. Мамин, С.Ф. Мот-ря // Известия РАН, сер. физ.- 1996. - Т.60, вып.9. - С.190-192.

А16] Мамин Р.Ф. Возникновение гетерофазных структур вблизи фазовых переходов в фотосегнетоэлектриках / Р.Ф. Мамин // ЖЭТФ - 1997. -Т.111, вып.4. - С.1465-1476.

А17] Мамин Р.Ф. К теории фазовых переходов в релаксорах / Р.Ф. Мамин // ФТТ.- 2001. - Т.43, вып.7. - С.1262-1267.

А18] Mamin R.F. Conductivity in boron-doped diamond / R.F. Mamin, T. Inushima // Phys.Rev.B.- 2001. - V.63, n.3. - P.3201-3204.

A19] Mamin R.F. Peculiarity of incommensurate phase connected with electronic system dynamics / R.F. Mamin // Ferroelectrics. - 2001. -V.250. - P.127-130.

A20] Mamin R.F. Delay time of phase transition in low-temperature phase of relaxors / R.F. Mamin, R. Blinc // Ferroelectrics Letters.- 2002. - V.29, n.l. - P.15-20.

A21] Mamin R.F. Localized charges and model of relaxor ferroelectrics / R.F. Mamin, S.A. Migachev, M.F. Sadykov, D.G. Zverev // Ferroelectrics. - 2003. - V.283, n.l. - P.97-107.

A22] Мамин Р.Ф. Фотостимулированные явления в релаксорах / Р.Ф. Мамин, С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков и др. // Письма в ЖЭТФ.- 2003. -Т.78, вып. 11. - С.1232-1236.

А23] Мамин Р.Ф. Время задержки в низкотемпературной фазе релаксоров / Р.Ф. Мамин, Р. Блинц // ФТТ.- 2003. - Т.45, вып.5. - С.897-900.

А24] Мамин Р.Ф. Феноменологическая модель релаксоров / Р.Ф. Мамин // Известия РАН, сер.физ.- 2003. - Т.67, вып.8. - С.1157-1160.

А25] Мамин Р.Ф. Фотостимулированные явления в PbMgi/3Nb2/303 / Р.Ф. Мамин, С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков и др. // Известия РАН, сер. физ.- 2004. - Т.68, вып.7. - С.959-962.

А26] Мамин Р.Ф. Фотостимулированная проводимость в релаксорах / С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков, Р.Ф. Мамин // ФТТ.- 2004. - Т.46, вып.Ю. -С.1845-1848.

А27] Mamin R.F. Some questions of relaxor theory / Mamin R.F. // Ferroelectrics.- 2004. - V.299, n.l. - P.89-93.

A28] Zverev D.G. Optical properties of relaxor ferroelectrics / D.G. Zverev, S.A. Migachev, R.F. Mamin et. al. // Ferroelectrics.- 2003. - V.307. -P.137-141.

A29] Буш A.A. Трансформация диэлектрических свойств и возникновение релаксорного поведения в кристаллах Pb5(GeixSix)30n / A.A. Буш, К.Е. Каменцев, Р.Ф. Мамин // ЖЭТФ. - 2005. - Т.127, вып.1. - С.156-170.

АЗО] Мамин Р.Ф. Гигантская диэлектрическая восприимчивость и маг-нитоёмкостной эффект в манганитах при комнатной температуре / Р.Ф.Мамин, Т.Игами, Ж.Мартон и др. // Письма в ЖЭТФ. - 2007. - Т.86, вып. 10. - С.731-735.

А31] Mamin R.F. Giant dielectric permittivity and colossal magnetocapacitance in Lao.875Sro.i25Mn03 single crystals / R.F. Mamin, T. Egami, T. Marton, S.A. Migachev // Phys. Rev. B. - 2007. - V.75, n.ll. - P.115129(l-4).

A32] Mamin R.F. Giant dielectric permittivity and colossal magnetocapacitance effect in complex manganites with high conductivity / R.F. Mamin, T. Egami, T. Marton, S.A. Migachev //Ferroelectrics. -2007. - V.348, n.l. - P.7-12.

АЗЗ] Мамин Р.Ф. Дефекты со свойствами изменяющимися с температурой и особенности фазовых переходов / Р.Ф. Мамин // Известия РАН, сер. физ,- 2007. - Т.71, вып.Ю. - С.1398-1400.

А34] Inushima Т. Impurity band structure of boron-doped homoepitaxial diamond / T. Inushima, R. F. Mamin, H. Shiomi // Phys.Rev.B.- 2009. -V.79, n.3. - P.045210(l-6).

А35] Mamin R.F. Locally inducedcharged states in Lao.sgSro.nMnOa single crystals / R.F. Mamin, I.K. Bdikin, A.L. Kholkin // Appl. Phys. Lett. -2009. - V.94, n.22. - P.222901(l-3).

A36] Кабанов B.B. Локализованные зарядовые неоднородности и фазовое расслоение вблизи фазового перехода второго рода / В.В. Кабанов, Р.Ф. Мамин, Т.С. Шапошникова // ЖЭТФ.- 2009. - Т.135, вып.2. -С.322-329.

А37] Ultrafast phase separation dynamics in Lao.875Sro.i25Mn03 single crystals / T. Mertelj, R. Mamin, R. Yusupov, D. Mihailovic // Phys.Rev.B.- 2011.-V. 83, n.ll - P. 113103(1-4).

A38] Мамин Р.Ф. Локально-индуцированные заряженные поляризационные состояния в манганитах / Р.Ф. Мамин, Д.А. Бизяев, A.A. Буха-раев // Известия РАН, сер. физ.- 2011. - Т.75, вып.1. - С.10-13.

А39] Мамин Р.Ф. О возможности возникновения мультифункционального поведения вследствие зарядового и фазового расслоения / Р.Ф. Мамин // Тезисы докладов. XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. - 2011. - 0-04. - С. 17.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Мамин, Ринат Файзрахманович, 2012 год

Список авторской литературы

[А1] Мамин Р.Ф. Трансформация сегнетоэлектрических фазовых переходов под действием освещения / Р.Ф. Мамин, Г.Б. Тейтельбаум // Письма в ЖЭТФ. -1986.- Т.44, вып.7.- С.326-329.

[А2] Мамин Р.Ф. Фазовые переходы в полупроводниках при быстром изменении температуры / Р.Ф. Мамин Г.Б. Тейтельбаум // ФТТ. - 1990. - Т.32, вып.9. - С.2627-2633.

[АЗ] Мамин Р.Ф. Эффекты памяти в несоразмерной фазе в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // Письма ЖЭТФ. - 1990. - Т.52, вып.6. - С.952-954.

[А4] Мамин Р.Ф. Глобальный динамический гистерезис в несоразмерной фазе в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // Письма ЖЭТФ. - 1991. -Т.53, вып.10. - С.499-503.

[А5] Мамин Р.Ф. Несоразмерная фаза в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // ФТТ. - 1991. - Т.ЗЗ, вып.9. - С.2609-2615.

[А6] Мамин Р.Ф. Сдвиг температуры фазового перехода в 8п2Р28ев при быстром изменении температуры. / Ю.С. Грезнев, Р.Ф. Мамин, С.Ф. Мотря // ФТТ. -1993. - Т.35, вып.1. - С.96-99.

[А7] Мамин Р.Ф. Эффекты памяти в несоразмерной фазе в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // Кристаллография. - 1993. - Т.38, вып.1. - С.140-143.

[А8] Мамин Р.Ф. Влияние термозаполнения ловушек на устойчивость структурных фаз в полупроводниках / Р.Ф. Мамин // Письма в ЖЭТФ. - 1993. - Т.58, вып.7. - С.534-537.

[А9] Mamin R.F. Memory effect in incommensurate phase and kinetic of electronic subsystem / R.F. Mamin // Ferroelectrics. - 1993. - V.143, n.l. - P.191-194.

[A10] Мамин Р.Ф. Новый вид доменной структуры вблизи фотостимулиро-ванного фазового перехода автосолитоны / Р.Ф. Мамин // Письма в ЖЭТФ. - 1994. - Т.60, вып.1. - С.51-55.

[All] Mamin R.F. Autosolitons in photoferroelectrics / R.F. Mamin // Ferroelectrics Letters.- 1995. - V.18. - P.33-38.

[A12] Mamin R.F. Kinetics of structural phase transition in semiconductor caused by redistribution of electrons on trapping levels / R.F. Mamin // Ferroelectrics.- 1995. - V.174. - P.23-30.

[A13] Mamin R.F. Periodical stractures and dynamic phenomena in ferroelectric-semiconductors / R.F. Mamin // Ferroelectrics.- 1996. -V.185, n.l. - P.87-90.

[A14] Мамин Р.Ф. Периодическая доменная структура с чередованием фаз вблизи фазового перехода в фотосегнетоэлектриках /Р.Ф. Мамин // Известия РАН, сер. физ.- 1996. - Т.60, вып.Ю. - С.130-133.

[А15] Грезнев Ю.С. Исследование динамики фазового перехода несоразмерная соразмерная фаза в сегнетоэлектриках-полупроводниках Sn2P2(Sei_xSx)6 методом ЭПР / Ю.С. Грезнев, Р.Ф. Мамин, С.Ф. Мот-ря // Известия РАН, сер. физ.- 1996. - Т.60, вып.9. - С.190-192.

[А16] Мамин Р.Ф. Возникновение гетерофазных структур вблизи фазовых переходов в фотосегнетоэлектриках / Р.Ф. Мамин // ЖЭТФ - 1997. -Т.111, вып.4. - С.1465-1476.

[А17] Мамин Р.Ф. К теории фазовых переходов в релаксорах / Р.Ф. Мамин // ФТТ.- 2001. - Т.43, вып.7. - С.1262-1267.

[А18] Mamin R.F. Conductivity in boron-doped diamond / R.F. Mamin, T. Inushima // Phys.Rev.B.- 2001. - V.63, n.3. - P.3201-3204.

[A19] Mamin R.F. Peculiarity of incommensurate phase connected with electronic system dynamics / R.F. Mamin // Ferroelectrics. - 2001. -V.250. - P.127-130.

[A20] Mamin R.F. Delay time of phase transition in low-temperature phase of relaxors / R.F. Mamin, R. Blinc // Ferroelectrics Letters.- 2002. - V.29, n.l. - P.15-20.

[A21] Mamin R.F. Localized charges and model of relaxor ferroelectrics / R.F. Mamin, S.A. Migachev, M.F. Sadykov, D.G. Zverev // Ferroelectrics. - 2003. - V.283, n.l. - P.97-107.

[A22] Мамин Р.Ф. Фотостимулированные явления в релаксорах / Р.Ф. Мамин, С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков и др. // Письма в ЖЭТФ.- 2003. -Т.78, вып. 11. - С.1232-1236.

[А23] Мамин Р.Ф. Время задержки в низкотемпературной фазе релаксоров / Р.Ф. Мамин, Р. Блинц // ФТТ.- 2003. - Т.45, вып.5. - С.897-900.

[А24] Мамин Р.Ф. Феноменологическая модель релаксоров / Р.Ф. Мамин // Известия РАН, сер.физ.- 2003. - Т.67, вып.8. - С.1157-1160.

[А25] Мамин Р.Ф. Фотостимулированные явления в PbMgi/3Nb2/303 / Р.Ф. Мамин, С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков и др. // Известия РАН, сер. физ.- 2004. - Т.68, вып.7. - С.959-962.

[А26] Мамин Р.Ф. Фотостимулированная проводимость в релаксорах / С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков, Р.Ф. Мамин // ФТТ.- 2004. - Т.46, вып.Ю. -С.1845-1848.

[А27] Mamin R.F. Some questions of relaxor theory / Mamin R.F. // Ferroelectrics.- 2004. - V.299, n.l. - P.89-93.

[A28] Zverev D.G. Optical properties of relaxor ferroelectrics / D.G. Zverev, S.A. Migachev, R.F. Mamin et. al. // Ferroelectrics.- 2003. - V.307. -P.137-141.

[A29] Буш A.A. Трансформация диэлектрических свойств и возникновение релаксорного поведения в кристаллах Pb5(Gei_xSix)30n / A.A. Буш, К.Е. Каменцев, Р.Ф. Мамин // ЖЭТФ. - 2005. - Т.127, вып.1. - С.156-170.

[АЗО] Мамин Р.Ф. Гигантская диэлектрическая восприимчивость и маг-нитоёмкостной эффект в манганитах при комнатной температуре / Р.Ф.Мамин, Т.Игами, Ж.Мартон и др. // Письма в ЖЭТФ. - 2007. - Т.86, вып. 10. - С.731-735.

[А31] Mamin R.F. Giant dielectric permittivity and colossal magnetocapacitance in Lao.875Sro.i25Mn03 single crystals / R.F. Mamin, T. Egami, T. Marton, S.A. Migachev // Phys. Rev. B. - 2007. - V.75, n.ll. - P.115129(l-4).

[A32] Mamin R.F. Giant dielectric permittivity and colossal magnetocapacitance effect in complex manganites with high conductivity / R.F. Mamin, T. Egami, T. Marton, S.A. Migachev //Ferroelectrics. -2007. - V.348, n.l. - P.7-12.

[АЗЗ] Мамин Р.Ф. Дефекты со свойствами изменяющимися с температурой и особенности фазовых переходов / Р.Ф. Мамин // Известия РАН, сер. физ,- 2007. - Т.71, вып.Ю. - С.1398-1400.

[А34] Inushima Т. Impurity band structure of boron-doped homoepitaxial diamond / T. Inushima, R. F. Mamin, H. Shiomi // Phys.Rev.B.- 2009. -V.79, n.3. - P.045210(l-6).

[А35] Mamin R.F. Locally inducedcharged states in Lao.sgSro.nMnOa single crystals / R.F. Mamin, I.K. Bdikin, A.L. Kholkin // Appl. Phys. Lett. -2009. - V.94, n.22. - P.222901(l-3).

[A36] Кабанов B.B. Локализованные зарядовые неоднородности и фазовое расслоение вблизи фазового перехода второго рода / В.В. Кабанов, Р.Ф. Мамин, Т.С. Шапошникова // ЖЭТФ.- 2009. - Т.135, вып.2. -С.322-329.

[А37] Ultrafast phase separation dynamics in Lao.875Sro.i25Mn03 single crystals / T. Mertelj, R. Mamin, R. Yusupov, D. Mihailovic // Phys.Rev.B.- 2011.-V. 83, n.ll - P. 113103(1-4).

[A38] Мамин Р.Ф. Локально-индуцированные заряженные поляризационные состояния в манганитах / Р.Ф. Мамин, Д.А. Бизяев, A.A. Буха-раев // Известия РАН, сер. физ.- 2011. - Т.75, вып.1. - С.10-13.

[А39] Мамин Р.Ф. О возможности возникновения мультифункционального поведения вследствие зарядового и фазового расслоения / Р.Ф. Мамин // Тезисы докладов. XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. - 2011. - 0-04. - С. 17.

Список цитированной литературы

[1] Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники / В.М. Фридкин. -М: Наука, 1976. - 408 с.

[2] Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики / В.М. Фридкин. - М: Наука, 1979.- 264с.

[3] Коваленко В.Ф. Фотоиндуцированный магнетизм / В.Ф. Коваленко, Э.Л. Нагаев // УФН. - 1986.- Т. 148, вып.4. - С.561-602.

[4] Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников / Э.Л. Нагаев.- М: Наука, 1979.- 431 с.

[5] Граница фаз в сегнетоэлектрике SbSI как аналог электрического домена в полупроводнике / В.М. Фридкин, М.И. Горелов, A.A. Греков и др. // Письма в ЖЭТФ. - 1966. - Т. 4, вып.11. - С.461-464

[6] Автоколебательный режим сегнетоэлектрического фазового перехода в прустите при непрерывном освещении / И.М. Шмытько, В.Ш. Шех-тман, В.И. Иванов, С.С. Хасанов // Письма в ЖЭТФ. - 1979.- Т.29, вып.7. - С.425-428.

[7] Мамин Р.Ф. Термодинамическая теория фаз с несоразмерной структурой в полупроводнике / Р.Ф. Мамин, Г.Б. Тейтельбаум // ФТТ. -1988. - Т.ЗО, вып.12. - С.3536-3540.

[8] Расщепление сегнетоэлектрического фазового перехода в поле лазерного излучения и его самофокусировка / Ю.М. Высочанский, В.Г.

Фурцев, М.М.Хома и др. // ЖЭТФ. - 1985. - Т.89, вып.З. - С.939-945.

[9] Высочанский Ю.М. Точка Лифшица и диаграмма состояний сегне-тоэлектриков / Ю.М. Высочанский, В.Ю. Сливка // УФН. - 1992. -Т.162, вып.2. - С.139-160.

[10] Хасанов С.С. Образование модулированной структуры в прустите / С.С. Хасанов, В.Ш. Шехтман, И.М. Шмытько // ФТТ. - 1984.- Т.26, вып.З. - С.935-938.

[11] Жигадло Н.Д. Индуцирование несоизмеримого состояния воздействием периодически изменяющегося температурного поля / Н.Д. Жигадло, В.В. Зарецкий // Письма в ЖЭТФ. -1989. - Т.49, вып.9.- С.498-500.

[12] Нагаев Э.Л. Основное состояние и аномальный магнитный момент электронов проводимости в антиферромагнитном полупроводнике / Э.Л. Нагаев // Письма в ЖЭТФ.- 1967.- Т.6, вып.1.- С.484-486.

[13] Нагаев Э.Л. Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением / Э.Л. Нагаев // УФН. - 1996. -Т. 166, вып.8. - С.833-858.

[14] Kugel K.I. Phase separetion in Janh-Teller systems with localazed and itinerant electrons / K.I. Kugel, A.L. Rakhmanov, A.O. Sboychakov // Phys. Rev. Lett.- 2005.- V. 95, n.26. - P.267210(4).

[15] Каган М.Ю. Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах / М.Ю. Каган, К.И. Кугель // УФН. - 2001.- Т.171, вып.6. - С.577-596.

[16] Гинзбург В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений / В.Л. Гинзбург // УФН. - 1949. - Т.38, вып.4. - С.490-525.

[17] Мандельштам Л.И. Лекции по теории колебаний / Л.И. Мандельштам. - М.: Наука, 1972.- 470 с.

[18] Кернер B.C. Самоорганизация в активных распределенных средах / B.C. Кернер, В.В. Осипов // УФН. - 1990. - Т.160, вып.9. - С.2-73.

[19] Хакен Г. Синергетика / Г. Хакен. - М.: Мир, 1980.- 404 с.

[20] Эбелинг В. Образование структур при необратимых процессах /

B. Эбелинг. - М: Мир, 1979.- 279 е..

[21] Бурсиан Э.В. Неустойчивые модулированные структуры вблизи се-гнетоэлектрического фазового перехода / Э.В. Бурсиан, А.Б. Валл, Н.Н. Трунов // ФТТ. - 1977 - Т.19, вып.6. - С.1890-1892.

[22] Переход сегнетоэлектрика в состояние с периодической структурой в интенсивном электромагнитном поле / С.В. Барышников, Э.В. Бурсиан, Я.Г. Гиршберг, В.А. Ляховицкая // ФТТ. - 1984. - Т.26, вып.6. -

C. 1872-1874.

[23] Burscian E.V. Nonequilibrium modulated structures in ferroelectrics in a strong external field / E.V. Burscian, Ya.G. Girshberg, N.N. Trunov // Ferroelectrics. - 1981. - V.36, n.l. - P.305.

[24] Корженевский А.Л. Возникновение гетерофазных макромасштабных сеток вблизи фазовых переходов / А.Л.Корженевский // Известия АН СССР, Сер. физ. - 1984. - Т. 48, вып.6. - С. 1069-1072.

[25] Gordon A. Nonlinear phenomena in kinetics of phase transitions / A.Gordon // Physics Letters. - 1983. - V.99A, n.6-7. - P.329-330.

[26] Gordon A. Interface motion in ferroelectrics / A.Gordon // Physica B.-1986.- V.138, n.3. - P.239-243.

[27] Вул Б.М. Диэлектрическая проницаемость рутиловых составов / Б.М. Вул // ДАН СССР. - 1944.- Т.43, вып.7. - С.308-310.

[28] Вул Б.М. Диэлектрическая проницаемость титаната бария при низких температурах / Б.М. Вул // ЖЭТФ. - 1945. - Т. 15, вып.12. - С.735-738.

[29] Вул Б.М. Диэлектрическая проницаемость титанатов металлов второй группы / Б.М. Вул , И.М. Гольдман // Докл. АН СССР. - 1945. - Т.46, вып.4. - С.154-157.

[30] Бурсиан Э. В. Нелинейный кристалл. Титанат бария / Э.В. Бурсиан

- М., 1974.- 296 с.

[31] Ferroelectricity in SbSI / Е. Fatuzzo, G. Harbeke, W.J. Merz et. al. // Phys. Rev. -1962. - V.127, n.6.- P. 2036-2037.

[32] Оптические исследования влияния электрического поля на фазовый переход в монокристаллах SbSI / А.А. Греков, Б.А. Ляховицкая, А.И. Родин, В.М. Фридкин // ФТТ.- 1966.- Т.8, вып.Ю. - С.3092-3094.

[33] Исследование низкотемпературных структурных превращений в кристаллах прустита / Б.А. Абдикамалов, В.И. Иванов, В.Ш. Шехтман, И.М. Шмытько // ФТТ.- 1978.- Т.20, вып.Ю.- С.2963-2968.

[34] Берсукер И.Б. Межзонное взаимодействие и спонтанная поляризация кристаллических решеток / И.Б. Берсукер, Б.Г. Вехтер // ФТТ. -1967.

- Т.9, вып.9. - С.2652-2660.

[35] Kristoffel N. Displacive vibronik phase transitions in narrov-gap semiconductors / N. Kristoffel, P. Konsin // Phys. St. Sol. - 1968. - V.28, n.2.- P.731-739.

[36] Кристофель H.H. О влиянии примесей на точку Кюри широкощель-ного сегнетоэлектрика / Н.Н. Кристофель, П.И. Консин // ФТТ. -1971. - Т.13, вып.12. - С.3513-3516.

[37] Кристофель H.H. Теория вибронных фазовых переходов широкощель-ных сегнетоэлектриков /H.H. Кристофель, П.И. Консин // ФТТ. -1971. - Т.13, вып.12. - С.2513-2520.

[38] Фридкии В.М. Некоторые эффекты, обусловленные электрон- фотонным взаимодействием при фазовом переходе в сегнетоэлектрике-полупроводнике / В.М. Фридкин // Письма в ЖЭТФ. - 1966.- Т.З, вып.6. - С.252-255.

[39] Шур М.С. Возможность неустойчивости в сегнетоэлектрических кристаллах с полупроводниковыми свойствами / М.С. Шур // ФТТ.-1968. - Т.10, вып.9. - С.2652-2658.

[40] Шур М.С. К теории волн электрической индукции в сегнетоэлектрических кристаллах с полупроводниковыми свойствами / М.С. Шур // ФТТ.- 1968.- Т.10, вып. 12. - С. 3560-3566.

[41] Шур М.С. Типы волн электрической индукции в сегнетоэлектриках-полупроводниках с фазовым переходом первого рода при температурах выше температуры перехода / М.С. Шур // ФТТ.- 1968.- Т.10, вып. 12. - С.3684-3687.

[42] Ченский Е.В. Явления неустойчивости в сегнетоэлектрических полупроводниках / Е.В. Ченский // ФТТ.- 1969.- Т.11, вып.З. - С.666-673.

[43] Ларкин А.И. О слоистой структуре в сегнетоэлектриках-фотопроводниках / А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий // ЖЭТФ.-1968.- Т.55, вып.6.- С.2345-2354.

[44] Гинзбург В.Л. Рассеяние света вблизи точек фазовых переходов в твердом теле / В.Л. Гинзбург // УФН. - 1962. - Т.77, вып.4. - С.621-638.

[45] Ландау Л.Д. Статистическая физика / Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц.-М: Наука, 1976.- 584 с.

[46] Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С.М. Рыбкин.- М: Физматгиз, 1963.- 496 с.

[47] Пасынков P.E. О термодинамической теории сегнетоэлектриков- полупроводников / P.E. Пасынков // Изв. АН СССР. Сер. физ. - 1970. -Т.34, вып. 12. - С.2466-2479.

[48] Об аномалии оптических свойств сегнетоэлектрика SbSI в области фазового перехода / В.М. Фридкин, К. Гулямов, В.А. Ляховицкая и др. // ФТТ. - 1966. - Т.8, вып.6. - С.1907-1909.

[49] Край поглощения в сегнетоэлектриках-полупроводниках SbSBr, BiSBr, SbSI / В.М. Фридкин, Е.И. Герзанич, И.И. Грошик, В.А. Ляховицкая // Письма в ЖЭТФ. - 1966. - Т.4, вып.6. - С.201-205.

[50] Волк Т. Р. О существовании критической точки у сегнетоэлектрика SbSI / Т.Р. Волк, В.М. Фридкин, Е.И. Герзанич // Изв. АН СССР. Сер. физ. - 1969. - Т.ЗЗ, вып.2. - С.346-351.

[51] Аномально большое влияние давления на оптические и сегнето- электрические свойства монокристаллов SbSI / К. Гулямов, В.А. Ляховицкая, H.A. Тихомирова, В.М. Фридкин //Докл. АН СССР.- 1965. -Т. 161, вып.5. - С.1050-1062.

[52] Ландау Л.Д. Об аномальном поглощении звука вблизи точек фазового перехода / Л.Д. Ландау, М.Л. Халатников // Докл. АН СССР. - 1954.

- Т. 96, вып.З. - С.469-472.

[53] Термодинамическое описание фазового перехода в кристаллах прустита / Т.В. Попова, Н.Д. Гаврилова, В.К. Новик, В.А. Копцик // ФТТ.

- 1978.- Т.20, вып.8. - С.2505-2507.

[54] Байса Д.Ф. Особенности зонной структуры монокристаллов прустита при фазовых переходах / Д.Ф. Байса, Д.Д. Колендрицкий, С.В. Мальцев // ФТТ.- 1986.- Т.28, вып.2. - С.358-362.

[55] Киреев П.С. Физика полупроводников / П.С. Киреев - М.: Высшая школа. 1969.- 592 с.

[56] Fritzsehe Н. Electrical properties of germanium semicondactors at low temperature / H. Fritzsehe // Phys. Rev.- 1955.- V.99, n.2. - P. 406-419.

[57] Mott N.F. The theory of inpurirty conduction / N.F. Mott, W.D. Twose // Adv. Phys. - 1961.- V.10. - P.107-163.

[58] Mott H. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э.Дэвис. - М:Мир, 1974. - 472 с.

[59] Shklovskii B.I. Electronic properties of doped semiconductors / B.I. Shklovskii, A.L. Efros. - Berlin: Springer Verlag, 1984. - 388 p.

[60] Miller A. Impurity conduction at low consentration / A. Miller, E. Abrahams // Phys. Rev. - I960.- V.120, n.3. - P.745-755.

[61] Mott N.F. Metal-insulator transition / N.F. Mott // Rev. Mod. Phys. -1968.- V.40, n.4. - P.677-683.

[62] Nishimura H. Impurity conduction in the intermediate consentration region / H. Nishimura // Phys. Rev. - 1965.- V.138, n.3A. - P. A815-A821.

[63] Nishimatsu T. Theoretical stadies of the hydrogen-related complexes in diamond for low-resistive n-type diamond semiconductor / T. Nishimatsu, H. Katayama-Yoshida, N.Orita // Physica B. - 2001.- V.302. - P.149-154.

[64] Williams A.W.S. Impurity conduction of synthetic semiconducting diamond / A.W.S.Williams, E.C.Lightowlers, A.T.Collins // J. Phys. C: Solid State. -1970.- V. 3, n.8. - P.1727-1735.

[65] Collins A.T. The nature of the acceptor centre in semiconducting diamond / A.T. Collins, A.W.S. Williams // J. Phys. C: Solid State. - 1971. - V.4, n.8. - P. 1789-1800.

[66] Massarani В. Hopping conduction in semiconducting diamond /

B. Massarani, J.C. Bourgoin, R.M. Chrenko // Phys. Rev. B. - 1978. -V.17, n.4. - P. 1758-1769.

[67] Optical and electrical investigation of boron-doped hopoepitaxial diamond / A. Ogasawara, T. Inushima, T. Shiraishi et al. // Diamond Relat. Mater. - 1997. - V.6, n.5-7. - P.835-838.

[68] Glesener J.W. Photoinduced current transient spectroscopy of boron doped diamond / J.W. Glesener // Appl. Phys. Lett. - 1993.- V.63, n.6. -P.763-769.

[69] The relationship between resistivity and boron doping consentration of single and polycrystalline diamond / M. Werner, R. Job, A. Zaitsev et al. // Phys. Stat. Sol. (a). - 1996. - V.154, n.3. - P.385-393.

[70] Electrical measurements ofp+—p~—p+ homoepitaxial diamond capacitors / T. Inushima, T. Matsushita, R.F. Mamin et al. // Appl. Phys. Lett. -2000.- V.77, n.8. - P.1173-1175.

[71] Афоникова H.C. Индуцирующее действие охлаждения на структурные перестройки в кристаллах прустита / Н.С. Афоникова,

C.С. Хасанов, И.М.Шмытько // Письма в ЖЭТФ. - 1985. - Т.41, вып.6. - С.256-258.

[72] Большакова Н.Н. Влияние скорости изменения температуры на процессы перестройки доменной структуры и точку фазового перехода кристаллов молибдата гадолиния / Н.Н. Большакова, И.И. Сорокина, В.М. Рудяк // ФТТ. - 1983. - Т.25, вып.1.- С.296-298.

[73] Бредихин В.И. Неравновесные носители в прустите / В.И. Бредихин, В.Н. Генкин, А.В. Соутов // ФТТ. - 1976. - Т. 18, вып.5.- С. 1436-1438.

[74] Некоторые физические свойства монокристаллов прустита и пирарги-рита / М.И. Гурзан, М.И. Головей, Г.Д. Пуга и др. // УФЖ. - 1973. -Т. 18, вып.2. - С.274-276.

[75] Температурная зависимость диэлектрической проницаемости кристаллов прустита и пираргирита / А.Д. Беляев, Д.Ф. Байса, A.B. Бондарь и др. // УФЖ. - 1975. - Т.20, вып.Ю. - С.1744-1746.

[76] Попик Ю.В. Электронное состояние поверхности и фотоэлектрические свойства прустита / Ю.В. Попик, И.Д. Сейковский // УФЖ. -1989. - Т.34, вып.Ю. - С.1559-1564.

[77] Леванюк А.П. Теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках с образованием сверхструктуры не кратной исходному периоду / А.П. Леванюк, Д.Г. Санников // ФТТ. -1976. -Т. 18, вып.2. - С.423-428.

[78] Асланян Т.А. Критические точки Лифшица / Т.А. Асланян, А.П. Леванюк // ФТТ.- 1978. - Т. 20, вып.З. - С.804-808.

[79] Головко В.А. Случай точного решения уравнений феноменологической теории несоразмерной фазы / В.А. Головко // ЖЭТФ.- 1984.-Т.87, вып.З. - С.1092-1101.

[80] Александров К.С. О генерации второй оптической гармоники в несоразмерных фазах кристаллов / К.С. Александров, А.Н. Втюрин, В.Ф. Шабанов // Письма в ЖЭТФ.- 1978.- Т.28, вып.З. - С.153-156.

[81] Самофокусировка и дифракция излучения в несоразмерной фазе Sn2P2(SexSi_x)6 и ее фотоиндуцированное уширение / В.Г. Фурцев, Л.А. Сало, Ю.М. Высочанский, В.Ю. Сливка // ФТТ. - 1984. - Т.26, вып.7. - С.1946-1948.

[82] Aleksandrova I.P. Radiospectroscopical study of incommensurate phases in ferroelectrics / I.P. Aleksandrova // Ferroelectrics - 1980.- V.24, n.l. -P.135-141.

[83] Критическая точка Лифшица на фазовой диаграмме сегнетоэлектри-ков Sn2P2(SexSi_x)6 / Ю.М. Высочанский, М.М. Майор, В.М. Ризак и др. // ЖЭТФ. - 1989. - Т.95, вып.4. - С.1355-1365.

[84] Термодинамическое описание сегнетоэлектриков Sn2P2(SexSi_x)6 с точкой Лифшица и "виртуальной" трикритической точкой на концентрационной фазовой диаграмме / Ю.М. Высочанский, М.М. Майор, В.М. Ризак и др. // Изв.АН СССР, сер.физ.- 1990.- Т.54, вып.4. -С.677-681.

[85] Несоразмерная фаза сегнетоэлектриков системы ЗпгРгЭб — Sn2P2Se6 в модели жестких ионов / В.М. Ризак, Ю.М. Высочанский, A.A. Грабар, В.Ю. Сливка // ФТТ. - 1989. - Т.31, вып.7. - С.154-159.

[86] Зарецкий В.В. К вопросу о несоизмеримых структурах в ВТСП кристаллах / В.В. Зарецкий, В.А. Зарецкая-Элиашберг // Письма в ЖЭТФ. - 1989. - Т.50, вып. 10. - С.428-430.

[87] The incommensurate stracture of high-Tc superconductors in the Bi-Sr-Ca-Cu-0 system / D.Y. Yang, J.Q. Li, F.H. Li et al. // Supercond. Sein. Tehnol. - 1988. - V.l, n.2. - P.100-101.

[88] X-ray diffraction study of high-Tc Bi-Sr-Ca-Cu-0 superconductor having incommensurate structure / K. Kawaguchi, S. Sasaki, H. Mukaida, M. Nakao // Japanes Journal of Applied Physics. - 1988. - V.27, n.6. - P.L1015-L1017.

[89] Unruh H.-G. Pinning effect in incommensurately modulated structures / H.-G. Unruh // J.Phys. C: Sol. Stat. Phys. - 1983.- V.16, n.10. - P.3245-3255.

[90] Unruh H.-G. Thermal hysteresis and pinning in moduleted ferroelectrics / H.-G. Unruh // Ferroelectrics. - 1984. - V.53, n.1-4. - P.319-322.

[91] Folcia C.L. Termal hysteresis and memory effect in ferroelectric incommensurate tetramethilammonium tetrachlorocobalt / C.L. Folcia, M.J. Tello, J.M. Perer-Moto // Solid State Commun. - 1986. - V.60, n.7.

- P.581-585.

[92] Эффект термооптической памяти и кинетические явления в несоразмерной фазе кристаллов группы А2ВХ4 / О.Г. Влох, Б.В. Каминский, A.B. Китык и др. // ФТТ. - 1987. - Т.29, вып.7. - С.2215-2217.

[93] Эффект термической памяти в кристаллах группы А2ВХ4 / О.Г. Влох, Б.В. Каминский, A.B. Китык и др. //ФТТ. - 1985. - Т.27, вып.11. -С.3436-3439.

[94] Jamet J.P. Observation of new memory effect in a modulated structure / J.P. Jamet, P. Lederer // J.Physique lett. - 1983. - V.44. - P.L257-L264.

[95] Вихнин B.C. Индуцированное дефектами сегнетоэластическое и се-гнетоэлектрическое поведение реальных кристаллов в несоразмерных фазах / B.C. Вихнин // Изв. АН СССР, сер.физ. - 1986. - Т.50, вып.2.

- С.340-344.

[96] Струков Б.А. Аномальный температурный и диэлектрический гистерезис при фазовом переходе несоразмерная-соразмерная полярная фаза в кристаллах (NH4)2BeF4 (ФЕА) / Б.А. Струков, И. Уесу, В.М. Арутюнова // Письма в ЖЭТФ. - 1982. - Т.35, вып.Ю. - С.424-427.

[97] Диэлектрические свойства кристаллов NaN02 в окрестности фазовых переходов в несоразмерную фазу / Б.А. Струков, В.М. Арутюнова, И. Уесу, В.М. Арутюнова // ФТТ. - 1982. - Т.24, вып.Ю. - С.3061-3068.

[98] Струков Б.А. Влияние электрического поля на фазовый переход несоразмерная-соразмерная фаза в кристаллах (NH4)2BeF4 / Б.А. Струков, В.М. Арутюнова, Е.П. Куруленко // Кристаллография.

- 1985. - Т.ЗО, вып.4.- С.726-728.

[99] Кинетические явления в несоразмерной фазе K2Z11CI4 / О.Г. Влох, Б.В. Каминский, И.И. Половинко, С.А. Свелеба // ФТТ. - 1986. - Т.28, вып.7. - С.2193-2195.

[100] Динамические гистерезисные явления в области существования мо-дулрованных структур в прустите / И.М. Шмытько, В.Ш. Шехтман, Б.Ш. Багаутдинов, Н.С. Афоникова // ФТТ. - 1990 - Т.32, вып.8. -С.2441-2449.

[101] Structure and dielectric and optical properties of (Mn, Fe, Co, Eu)-doped PLZT ceramics / V.l. Dimza A.A. Strogis, A.E. Kapenieks et. al. // Ferroelectrics - 1989. - V.90, n.l. - P.45-55.

[102] Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов / А.П. Леванюк, В.В. Осипов, A.C. Сигов, A.A. Собянин // ЖЭТФ. -1979. - Т.76, вып.1.

- С.345-368.

[103] Леванюк А.П. Взаимодействие мягкой моды с акустической фононной ветвью в кристаллах с дефектами / А.П. Леванюк, A.C. Сигов // ФТТ.

- 1980. - Т.22, вып.6. - С. 1744-1747.

[104] Лебедев Н.И. Поляризованные дефекты и аномалии свойств кристаллов при фазовых переходах / Н.И. Лебедев, А.П. Леванюк, A.C. Сигов //ЖЭТФ. - 1983. - Т.85, вып. 10.- С.1423-1436.

[105] Леванюк А.П. Аномалии термодинамических величин вблизи точки фазового перехода в системе с дефектами типа случайная температура / А.П. Леванюк, Б.В. Мощинский, A.C. Сигов // ФТТ. - 1981. -Т.23, вып.7. - С.2037-2041.

[106] Морозов А.И. Точечный дефект вблизи точки структурного перехода / А.И. Морозов, A.C. Сигов // ФТТ. -1983. - Т.25. вып.5. - С.1352-1356.

[107] Дефекты вблизи точек фазовых переходов: приближение квазиизолированных дефектов / Н.И. Лебедев, А.П. Леванюк, А.И. Морозов, А.С. Сигов // ФТТ. - 1983. - Т.25, вып. 10.- С.2975-2978.

[108] Леванюк А.П. Структурные фазовые переходы с дефектами / А.П. Леванюк, А.С. Сигов // Изв. АН СССР, сер. физ. - 1985. - Т.49, вып.2. - С.219-226.

[109] Лебедев Н.И. Особенности низкочастотной дисперсии диэлектрической проницаемости однооосного сегнетоэлектрика с заряженными дефектами / Н.И. Лебедев, А.П. Леванюк, А.С. Сигов // ФТТ. - 1987. -Т.29, вып.9.- С.2666-2670.

[110] Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом. / Г.А. Смоленский, В.А. Исупов , А.И. Аграновская, С.Н. Попов // ФТТ. - 1960. -Т. 2, вып.11. - С.2906-2918.

[111] Cross L.E. Relaxor ferroelectrics / L.E. Cross // Ferroelectrics. - 1987. -V.76, n.1-2. - P.241-267.

[112] Glazunov A.E. Phenomenological model of dynamic nonlinear response of relaxor ferroelectrics / A.E. Glazunov, A.K. Tagantsev // Phys. Rev. Lett. - 2000. - V.85, n.10 - P.2192-2195.

[113] Трепаков B.A. Фотопроводимость и фотоэлектретное состояние моно-кристалического магнониобата свинца / В.А. Трепаков, Н.Н. Край-ник, А.В. Олифир //ФТТ.- 1976.- Т.18, вып.6.- С.1751-1753.

[114] Glassy freezing in relaxor ferroelectric lead magnesium niobate / A. Levstik, Z. Kutnjak, C. Filipic, R. Pirc // Phis. Rev. B. - 1998. - V.57, n.18. - P.11204-11211.

[115] Long-time relaxation of the dielectric response in lead magnoniobate / Colla E.V., Koroleva E.Yu., Okuneva N.M., Vakhrushev S.B. // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V.74, n.9. - P.1681-1684.

[116] Setter N. The role of B-site cation disorder In diffuse phase transition behavior of perovskite ferroelectrics / N.Setter, L.E. Cross //J. Appl. Phys. - 1980. - V.51. - P.4356-4360.

[117] Local polarization distribution and Ed wards-Anderson order parameter of relaxor ferroelectrics / R. Blinc, J. Dolinsek, A. Gregorovic et al. // Phys. Rev. Lett. - 1999 - V.83, n.2. - P.424-427.

[118] Freezing of the polarization fluctuations in lead magnesium niobate relaxors / D. Viehland, S.J. Jang, L.E. Cross, M. Wuttig //J. Appl. Phys. 1990 - V.68, n.6 - P.2916-2921.

[119] Burns G. Glassy polarization behavior in ferroelectric compounds Pb(Mg!/3Nb2/з)O3 and Pb(Zn1/3Nb2/3)03 / G. Burns, F.H. Dacol // Solid State Communications. - 1983. - V.48, n.10. - P.853-856.

[120] Исупов В. А. К вопросу о причинах размытия фазового перехода и релаксационного характера диэлектрической поляризации внекоторых сегнетоэлектриках / В.А. Исупов // ФТТ. -1963. - Т.5, вып.1. - С.187-193.

[121] Tagantsev А.К. Vogel-Fulcher relationship for the dielectric permittivity of relaxor ferroelectrics. / A.K. Tagantsev // Phys. Rev. Lett. - 1994. -V.72, n.7. - P.1100-1103.

[122] Setter N. The contribution of the structural disorder to the diffuse phase transitions in ferroelectrics / N. Setter, L. Cross //J. Materi. Sci. - 1980

- V.15, n.12. - P.2478-2482.

[123] Chu F. The spontaneous relaxor-ferroelectric transition of PbSci/2Tai/203 / F. Chu, N. Setter, A.K. Tagantsev //J. Appl. Phys. - 1993. - V.74, n.8.

- P.5129-5134.

[124] Slow dynamics and ergodicity breaking in a lanthanum-modified lead zirconate titanate relaxor system / Z. Kutnjak, C. Filipic, R. Pirc, A. Levstik // Phys.Rev. B. - 1999. - V.59, n.l. - P.294-301.

[125] Максименко Ю.Л. Фотоиндуцированные центры в оптически прозрачной PLZT(8/65/35)-KepaMHKe / Ю.Л. Максименко, М.Д. Глинчук, И.П. Быков // ФТТ. - 1997.- Т.39, вып. 10. - С. 1833-1837.

[126] Krumins А.Е. Thermal and spectral studies of photorefraction and photoconductivity in transparent ferroelectric PLZT ceramics / A.E. Krumins, U.I. Ilyin, V.I. Dimza // Ferroelectrics. - 1978. - V.22, n.l. - P.695-697.

[127] Colla E.V. Barkhausen noise in a relaxor ferroelectric / E.V. Colla, L.K. Chao, M.B. Weissman, // Phys. Rev. Lett. - 2002. - V.88, n.l -P.017601(4).

[128] Аномалии поляризации сегнетоэлектрического релаксора / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, и др. // Письма в ЖЭТФ. - 2000.-Т.71, вып.1. - С.38-41.

[129] Origin of polar nanorigions in relaxor ferroelectrics: Nonlinearity, discrete breather formation, and charge transfer / J. Macutkevic, J. Banys, A. Bussmann-Holder, A.R. Bishop // Phys. Rev. B. - 2011. - V. 83, n.18.

- P.184301(6).

[130] Westphal V. Diffuse phase transitions and random-field-induced domain states of the "relaxor" ferroelectric PbMg1/3Nb2/303 / V. Westphal, W. Kleemann, M.D. Glinchuk, // Phys. Rev. Lett. - 1992. - V.68, n.6. - P.847-850.

[131] Kleemann W. Random-field induced antiferromagnetic, ferroelectric and structural domain states / W. Kleemann // Int. J. Mod. Phys. В - 1993.

- V.7. - P.2469-2507.

[132] 5Pb0-3Ge02 crystal; new ferroelectric / H. Iwasaki, K. Sugii, T. Yamada, N. Niizeki // Appl. Phys. Lett. - 1971. - V.18, n.10. - P.444-445.

[133] Ferroelectricity in Pb5Ge30n / S. Nanamatsu, H. Sugiyama, K. Doi, Y. Kondo // J. Phys. Soc. Japan. - 1971. - V.31, n.2. - P.616-617.

[134] Ferroelectric and optical properties of PbsGeaOn and its isomorphous compound PbsGe2SiOn / H. Iwasaki, S. Miyazawa, H. Kiyomada, et.al. // J. Appl. Phys. - 1972. - V.43, n.12. - P.4907-4915.

[135] Буш A.A. Монокристаллы с сегнетоэлектрическими и родственными свойствами в системе Pb0-Ge02 и возможные области их применения / A.A. Буш, Ю.Н. Веневцев. - Москва: НИИТЭХИМ, - 1981. - 70 с.

[136] Reyher H.J. Photoactive Pb3+ host lattice ions in photorefractive РЬбСезОц investigated by magnetic resonance techniques / H.J. Reyher, M. Pape, N. Hausfeld // J. Phys.: Condens. Matter. - 2001. - V.13, n.16.

- P.3767-3778.

[137] Mansingh A. Effect of surface capacitance on the dielectric behavior of ferroelectric lead germanate / A. Mansingh, K.N. Srivastava, B. Singh // J. Appl. Phys. - 1979. - V.50, n.6. - P.4319-4323.

[138] Cross L.E. Contributions to the dielectric response from charged domain walls in ferroelectric РЬ5СезОц / L.E. Cross, T.W. Cline // Ferroelectrics. - 1976 - V.ll, n.l. - P.333-336.

[139] Sommer R. Polar metastability and an electric-field-indused phase transition in disodered perovskite Pb(Mgi/3Nb2/3)03 / R. Sommer, N.K. Yushin, J.J. van der Klink // Phys. Rev.В. - 1993. - V.48, n.18.

- P.13230-13237.

[140] Samara G.A. The relaxational properties of compositionally disordered АВОз perovskites / G.A. Samara //J. Phys.: Condens. Matter. - 2003. -V.15, n.9. - P.R367-R411.

[141] Белоус А.Г. Диэлектрические спектры кристаллов твердых растворов германата-силиката свинца / А.Г. Белоус, В.В. Демьянов, Ю.Н. Ве-невцев // ФТТ. - 1977. - Т.19, вып.9. - С.1694-1698.

[142] Буш А.А. Новые данные по исследованию сегнетоэлектрических кристаллов твеордых расстворов Pb5(Gei_xSix)30n / А.А. Буш, Ю.Н. Ве-невцев, // Кристаллография,- 1981.- Т.26, вып.2.- С.349-355.

[143] Pyroelectrisity of preferably oriented Pb5Ge3_xSixOn think films prepared by the prinring technique / K. Takagashi, S. Shirasaki, K. Takamatsu et. al. // Jap. J. Appl. Phys. - 1983. - V.22, supl.22-2. - P.73-76.

[144] Буш А.А. Теплоемкость сегнетоэлектрических кристаллов системы Pb5(Gei_xSix)30ii / А.А. Буш, Е.А. Попова // ФТТ. - 2004. - Т.46, вып.5. - С.875-880.

[145] Михневич В.В. Оптические свойства кристаллов германата свинца вблизи края фундаментального поглощения / В.В. Михневич, А.В. Микуленок, А.В. Мясоедов //ФТТ. - 1985. - Т.27, вып.З. - С.932-933.

[146] Фрелих Г. Физика диэлектриков / Г. Фрелих. - Москва: ИЛ, 1960. -251 с.

[147] Daniel V.V. Dielectric Relaxation / V.V. Daniel - Academic Press, London and New York, 1967. - 269 c.

[148] Structure of nanodomains in relaxors / S.B. Vakhrushev, A.A. Naberezhnov, B. Dkhil, et.al. // AIP Conf. Proc. - 2003. -V.677. - P.74-83.

[149] Dimza V. Investigation of dark conductivity and optical absorption in reduced PLZT / A. Sprogis, V. Dimza // Physica status solidi (a). - 1982. - V.72, n.l. - P.K57-K59.

[150] Field induced kinetic ferroelectric phase transition in lead magnoniobate / E. V. Colla, E.Yu. Koroleva, N. M. Okuneva and S.B. Vakhrushev // Ferroelectrics.- 1996.- V.184, n.l.- P.209-215.

[151] Сканави Г.И. Физика диэлектриков / Г.И. Сканави. - Москва: ГИТТЛ, 1949 - 500 с.

[152] Франц В. Пробой диэлектриков / В. Франц. - Москва: Изд. иностраной литературы, 1961 - 207 с.

[153] Приседский В.В. Точечные дефекты и свойства титаната бария. / В.В. Приседский, Ю.Д. Третьяков // Изв.АН СССР. Неорган, материалы. - 1985. - Т.21, вып.8. - С.1389-1398.

[154] Dagotto Е. Colossal magnetoresistant materials: the key role of phase separetion / E. Dagotto, T. Hotta, A. Moreo // Physics Report. - 2001. -V.344. - P.l-153.

[155] Горьков Л.П. Фазовое расслоение электронной жидкости в сверхпроводниках / Л.П. Горьков, А.В. Сокол // Письма в ЖЭТФ.- 1987. -Т.46, вып.8 - С.333-336.

[156] Observation of coupled magnetic and ferroelectric domains / M. Fiebig, Th. Lottermother, D. Frohlich et al. // Nature. - 2002. - V.419. - P.818-820.

[157] Magnetic control of ferroelectric polarization / T. Kimura, T. Goto, H. Shintani et al. // Nature. - 2003. - V.426. - P.55-58.

[158] Ferroelectricity and giant magnetocapacitance in perovskite rare-earth manganites / T. Goto, T. Kimura, G. Lawes et al. // Phys. Rev. Lett. -2004. - V.92, n.25. - P.257201(4).

[159] The origin of ferroelectricity in magnetoelectric YMnC>3 / B.B. Van Aken, T.T.M. Palstra, A. Filippetti, N.A. Spaldin // Nature Materials. - 2004. - V.3, n.3. - P.164-170.

[160] Ederer C. Magnetoelectrics: A new route to magnetic ferroelectrics / C. Ederer, N.A. Spaldin // Nature Materials. - 2004. - V.3, n.12. - P.849-851.

[161] Determination of the magnetic symmetry of hexagonal manganites by second harmonic generation / M. Fiebig, D. Frohlich, K. Kohn et al. // Phys. Rev. Lett. - 2000. - V.84, n.24. - P.5620-5623.

[162] Time-resolved nonlinear optical spectroscopy of Mn3+ ions in rare-earth hexagonal manganites RMnC>3 (R=Sc, Y, Er) / A.V. Kimel, R.V. Pisarev, F. Bentivegna, Th. Rasing // Phys. Rev. B. - 2001 - V.64, n.20. -P.201103(R) (4).

[163] Crystal structure and magnetic properties of hexagonal RMnQ3 (R=Y, Lu, and Sc) and the effect of doping / T. Katsufuji, M. Masaki, A. Machida et al. // Phys. Rev. B. - 2002. - V. 66, n. 13. - P. 134434(8).

[164] Magnetocapacitance effect in multiferroic BiMnC>3 / T. Kimura, S. Kawamoto, I. Yamada et al. // Phys. Rev. B. - 2003. - V.67, n.18. -P.180401(R)(4).

[165] Epitaxial BiFeC>3 multiferroic thin film heterostructures / J. Wang, J.B. Neaton, H. Zheng et al. // Science. - 2003. - V. 299, n.5613. - P. 1719-1722.

[166] Colossal magnetocapacitance and colossal magnetoresistance in HgCr2S4 / S. Weber, P. Lunkenheimer, R. Fichtl et al. // Phys. Rev. Lett. - 2006. - V.96, n.15. - P.157202(4).

[167] Cheong S.-W. Multiferroics: a magnetic twist for ferroelectricity / S.W. Cheong, M. Mostovoy // Nature Materials. - 2007.- V.6, n.l.- P.13-20.

[168] Van den Brink J. Multiferroicity due to charge ordering / J. Van den Brink and D.I. Khomskii, // J. Phys.: Condens. Matter. - 2008. - V.20. - P. 1-12

[169] Rini M. Transient electron structure of the photoinduced state of Pbo.7Sr0.3Mn03 probed with soft x-ray pulses / M. Rini, Y. Zu, S. Wall et al. // Phys. Rev. B. - 2009. - V. 80, n.15. - P. 155113(5).

[170] Thousandfold change in resistivity in magnetoresistive La-Ca-Mn-0 films ^ / S. Jin, T.H. Tiefel, M. McCormack et al. // Science. - 1994. - V.264,

n.5157. - P.413-415.

[171] Tokura Y. Orbital physics in transition-metal oxides / Y. Tokura, N. Nagaosa // Science. - 2000. - V. 288, n. 5465. - P. 462-468.

[172] Millis A.J. Double exchange alone does not explain the resistivity of Lai_xSrxMn03 / A.J. Millis, P.B. Littlewood, B.I. Shraiman // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V.54, n.25. - P.5144-5147.

[173] Nagaev E.L. High-temperature ferrons in magnetic semiconductors and colossal magnetoresistance materials / E.L. Nagaev // Phys. Rev. B. -1999. - V.60, n.10. - P.R6984-R6986.

[174] Emery V.J. Spin-gap proximity effect mechanism of high-temperature superconductivity / V.J. Emery, S.A. Kivelson, O. Zachar // Phys. Rev. B. - 1997. - V.56, n.10. - P.6120-6147.

[175] Egami T. Lattic effect in high-Tc superconductors / T. Egami and S.J.L. Bellinge // in Physical properties of high-temperature superconductors V, ed. D.M. Ginsberg Word Scientific, Singapur. - 1996. - P.265-373.

[176] Gorkov L.P. Interplay of externally doped and thermally activated holes in La2-xSrxCu04 and their impact on the pseudogap crossover / L.P. Gorkov, G.B. Teitel'baum // Phys. Rev. Lett. - 2006. - V.97, n.24. - P.247003(4).

[177] Local Jahn-Teller distortion in Lai_xSrxMn03 observed by pulsed neutron diffraction / D. Louca, T. Egami, E.L. Brosha et.al. // Phys. Rev. B. -1997. - V.56, n.14. - P.R8475-R8478.

[178] Phase separation in cuprate superconductors / edited by E. Sigmund and K.A. Muller. - Springer-Verlag, Berlin - 1993.

[179] Emery V.J. Frustrated electronic phase-separetion and high-temperature superconductors / V.J. Emery, S.A. Kivelson // Physica C. - 1993 - V.209. - P.597-621.

[180] Zachar 0. Landau theory of stripe phases in cuprates and nickelates / O. Zachar, V.J. Emery and S.A. Kivelson // Phys. Rev. B. - 1998. - V.57, n.3. - P.1422-1426.

[181] Spivak B. Phases intermediate between a two-dimensional electron liquid and Wigner crystal / B. Spivak, S.A. Kivelson // Phys. Rev. B. - 2004. -V.70, n.15. - P.155114(8).

[182] Jamei R. Universal aspects of Coulomb-frustrated phase separetion / R. Jamei, S.A. Kivelson, B. Spivak // Phys. Rev. Lett. - 2005. - V.94, n.5. - P.056805(4).

[183] Ortix C. Frustrated phase separetion in two-dimansional charged system / C. Ortix, J. Lorenzana, C. Di Castro // Phys. Rev. B. - 2006. - V.73, n.24. - P.245117(15).

[184] Screening effects in Coulomb-frustrated phase separetion / C. Ortix, J. Lorenzana, M. Beccaria, C. Di Castro // Phys. Rev. B. - 2007. - V.75, n.19. - P.195107(7).

[185] Self organisations of charged particals in two-dimansional lattice subject to anisotropic Jahn-Teller-type interaction and three-dimentional Coulomb repulsion / T. Mertlj, V.V. Kabanov, J. Miranda, D. Mihailovic // Phys. Rev. B. - 2007. - V.76, n.5. - P.054523(9).

[186] Mertlj Т. Charged particals on a two-dimansional lattice subject to anisotropic Jahn-Teller interaction / T. Mertlj, V.V. Kabanov, D. Mihailovic // Phys. Rev. Lett. - 2005. - V.94, n.14. - P.147003(4).

[187] Fine B. Phase separetion in the vicinity of quantum critical doping concentration: implications for high temperature supercondactions /

B. Fine, T. Egami // Phys. Rev. B. - 2008. - V.77, n.l. - P.014519(13).

[188] de Gennes P.-G. Effects of double exchange in magnetic crystals / P.-G. de Gennes // Phys. Rev. - 1960. - V.118, n.l. - P.141-154.

[189] Kugel K.I. Phase separation in Jahn-Teller systems with localized and itinerant electrons / K.I. Kugel, A.L. Rakhmanov, A.O. Sboychakov // Phys.Rev. Lett. - 2005. - V.95, n.26. - P.267210(4).

[190] Глазман Л.И. Магнитная структура слаболегированных купратов / Л.И. Глазман, А.С. Иоселевич // Письма в ЖЭТФ. - 1989. - Т.49, вып.9. - С.503-506.

[191] Горьков Л.П. Движение вихрей и электросопротивление сверхпроводников второго рода в магнитном поле / Л.П. Горьков, Н.Б. Копнин // УФН. - 1975. - Т.116, вып.6. - С. 413-448.

[192] Miranda J. Coulumb frustrated first order phase transition and stripes / J. Miranda, V.V. Kabanov // Physica C. - 2008. - V.468. - P.358-361.

[193] Mertelj T. Vortex-antivortex configurations and its stability in a misoscopic superconducting square / T. Mertelj, V.V. Kabanov //Phys. Rev. B. - 2003. - V.67, n.13. - P.134527(4).

[194] Ortix C. Coulumb-frustrated phase separetion phase diagram in systems with short-range negative conpressibility / C. Ortix, J. Lorenzana,

C. Di Castro // Phys. Rev. Lett. - 2008. - V.100, n.24. - P.246402(4).

[195] Kabanov V.V. Magnetoelectric behavior due to phase separation and charge localized states / V.V. Kabanov, R.F. Mamin / / ArXiv:1209.2819vl [cond.mat.str-el.]

[196] Insulator-metal transition and giant magnetoresistance in Lai_xSrxMn03 / A. Urushibura, Y. Moritomo, T. Arima, et.al. // Phys. Rev. B. - 1995. - V.51, n.20. - P.14103-14109.

[197] Moritomo Y. Ebhanced electron-lattice coupling in Lai_xSrxMn03 near the metal-insulator phase boundary / Y. Moritomo, A. Asamitsu, Y. Tokura // Phys. Rev. B. - 1997. - V.56, n.19. - P.12190-12195.

[198] Magnetic, dielectric and transport properties of Lai_xSrxMn03 in submillimetr wavwlengths / V.Yu. Ivanov, V.D. Travkin, A.A. Mukhin et al. // JAP. - 1998. - V.83, n.ll. - P.7180-7182.

[199] Transition between two ferromagnetic states driven by orbital ordering in La0.88Sr0.i2MnO3 / Y. Endoh, K. Hirota, S. Ishihara et al. // Phys. Rev. Lett. - 1999. - V.82, n.21. - P.4328-4331.

[200] Local Jahn-Teller distortion in Lai_xSrxMn03 observed by pulsed neutron diffraction /D. Louca, T. Egami, E. L. Brosha et al. // Phys. Rev. B. -1997. - V.56, n.14. - P.R8475-R8478.

[201] Odservation of a Griffiths phase in parramagnetic Lai_xSrxMn03 / J. Deisenhofer, D. Braak, H.-A. Krug von Nidda et al. // Phys. Rev. Lett. - 2005. - V.95, n.25. - P.257202(4).

[202] Гигантские красный сдвиг края поглощения в Lao.gSro.iMnOs /Р.В.Демин, Л.И. Королева, A.M. Балбашов // Письма в ЖЭТФ.-1991.- Т.70, вып.4.- С.303-306.

[203] Origin of the colossal dielectric response of Рго.бСао^МпОз / N. Biskup, A. de Andres, J.L. Martinez, C. Perca // Phys. Rev. B. - 2005. - V.72, n.2. - P.024115(7).

[204] Magnetic-field-dependent dielectric constant in La2/3Ca1/3Mn03 / J. Rivas, J. Mira, B. Rivas-Murias et.al. // Appl. Phys. Lett. - 2006. -V.88, n.24. - P.242906(3).

[205] Cohn J.L. Giant dielectric permittivity of electron-doped manganite thin films, Cai-xLaxMnOs (0 < x < 0.03) / J.L. Cohn, M. Peterca, J.J. Neumeier // JAP. - 2005. - V. 97, n. 3. - P. 034102(4)

[206] Nonintrinsic origin of the colossal dielectric constans in CaC\i3Ti40i2 / P. Lunkenheimer, R. Fichtl, S.G. Ebbinghaus, A. Loidl // Phys. Rev. B. - 2004. - V.70, n.17. - P. 172102(4).

[207] Nogues J. Paramagnetic behavior and correlation between high- and low-temperature structural and magnetic transitions in Lai_xSrxMn03 (x ~ 1/8) singal cristal perovskites / J. Nogues, V. Skumkyev, J.S. Munoz et al. // Phys. Rev. B. - 2001. - V.64, n.2. - P.024434.

[208] Yunoki S. Phase separetion indused by orbital degrees of freedom in models for manganites with Jahn-Teller polarons / S. Yunoki, A. Moreo, E. Dagotto // Phys. Rev. Lett. - 1998.- V.81, n.25.- P.5612-5616.

[209] Egami T. Local atomic structure of GMR manganites and related oxides / T. Egami // Structure and Bonding, ed. J. B. Goodenough. SpringerVerlag, Berlin. - 2001. - V.98. - - P. 115.

[210] Zener C. Interaction between ¿—shells in the transition metals. II. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite stracture / C. Zener // Phys. Rev. - 1951.- V.82, n.5 - C.403-405.

[211] Alexandrov A.S. Phase coexistance and resistivity near the ferromagnetic phase trensition in manganites / A.S. Alexandrov, A.M. Bratkovsky, V.V. Kabanov // Phys. Rev. Lett. - 2006.- V.96, n.ll.- P.117003(4).