Термодинамические и кинетические свойства неоднородных сегнетоэлектриков тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Иванова, Елена Сергеевна

• Иванова, Елена Сергеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Иванова, Елена Сергеевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Обзор литературы.

1.1. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках.

1.2. Сегнетоэлектрики с несоразмерными фазами.

1.3.Диэлектрические свойства сегнетоэлектриков с несоразмерными фазами.

1.4. Влияние внешних воздействий на диэлектрические свойства и последовательность фазовых переходов в кристаллах с несоразмерными фазами.

1.5. Сегнетоэлектрики - релаксоры.

1.6. Объекты исследования.

ГЛАВА 2. Методика эксперимента и измерительная аппаратура.

2.1. Схема измерения малых электрических сигналов.

2.2. Измерения диэлектрической проницаемости.

2.3. Стабилизация температуры кристаллов и ее измерение.

2.4. Создание одноосных механических напряжений.

2.5. Источники освещения.

ГЛАВА 3. Подавление сегнетоэлектричества малыми одноосными механическими напряжениями в кристаллах со множеством структурных фазовых переходов.

3.1. Подавление сегнетоэлектричества малыми одноосными механическими напряжениями в кристаллах TMA-ZnCl4 и ТМА-СоС14.

3.2. Фазовые диаграммы ст~—Ти сг^-Гдля кристаллов TMA-ZnCl4 и ТМА-C0CI4.

3.3. Влияние одноосных механических напряжений на диэлектрические свойства и сегнетоэлектрические фазовые переходы кристаллов тиомочевины.

3.4. Выводы главы 3.

ГЛАВА 4. Эволюция неравновесных состояний в полидоменных сегнетоэлектриках.

4.1. Медленная релаксация полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях - феноменологическое описание.

4.2. Релаксация поляризации в сегнетоэлектрическом кристалле с различными состояниями доменной структуры и поверхности.

4.3. Особенности кинетики поляризации различных полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле.

4.4. Выводы главы 4.

ГЛАВА 5. Особенности сегнетоэлектрических свойств релаксорных сегнетоэлектриков.

5.1. Релаксация поляризации сегнетоэлектриков - релаксоров в постоянных электрических полях.

5.2. Квазистатические петли диэлектрического гистерезиса.

5.3. Распределение коэрцитивного поля в релаксоре.

5.4. Влияние фотоактивного света на кинетику поляризации.

SBN-0.61 (La+Ce).

5.5. Фотостимулированные явления в релаксорных сегнетоэлектриках.

5.5.1. Диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика SBN-0.61 (La+Ce).

5.5.2. Реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика.

5.5.3. Квазистатические петли диэлектрического гистерезиса

SBN-0.61 (La+Ce).

5.5.4. Процессы деполяризации в фоточувствительном релаксорном сегнетоэлектрике.

5.6. Выводы главы 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термодинамические и кинетические свойства неоднородных сегнетоэлектриков»

Неоднородные системы с множеством метастабильных состояний и чрезвычайно медленной релаксацией являются объектами пристального изучения уже многие годы. К неоднородным системам можно отнести сегнетоэлектрики с несоразмерными фазами, полидоменные сегнетоэлектрики, сегнетоэлектрики-релаксоры, исследованные в данной работе. Для сегнетоэлектриков с несоразмерными фазами характерна пространственная неоднородность поляризации с периодом, существенно превышающим межатомные расстояния, для полидоменных сегнетоэлектриках - макроскопическая неоднородность поляризации. Для сегнетоэлектриков-релаксоров характерными являются неоднородности в распределении поляризации с различными масштабами.

Актуальность исследования неоднородных систем обусловлена прежде всего их свойствами для практического применения. Кроме того, сегнетоэлектрики являются уникальными объектами для фундаментальных исследований фазовых переходов высокочувствительными электрическими методами ввиду больших величин изменения поляризации при внешних воздействиях.

Так сегнетоэлектрики-релаксоры благодаря своим уникальным свойствам (высокая диэлектрическая проницаемость, большие пьезо-, пиро-, электро- и нелинейно-оптические коэффициенты, малые температурные коэффициенты изменения этих параметров) находят широкое применение в пьезотехнике, нелинейной оптике и голографии. Однако, общим недостатком всех сегнетоэлектриков-релаксоров и, в частности, ниобата бария-стронция (SBN), является невоспроизводимость свойств и деградация параметров в результате приложения внешних воздействий, в частности, электрического поля. В связи с этим важное значение приобретает детальное исследование процессов поляризации и переполяризации. В настоящей работе исследования проведены в постоянных и медленно изменяющихся (квазистатических) полях, что позволяет учесть вклад долгоживущих метастабильных состояний, присущих неоднородным системам. Данная методика была разработана и впервые использована для исследования процессов медленной поляризации в полидоменных сегнетоэлектриках.

В литературе имеется большое число экспериментальных и теоретических работ по проблеме переключения поляризации в сегнетоэлекриках, которое широко используется в различных приложениях' (элементы памяти, конденсаторы). Однако о процессах деполяризации и медленной поляризации в слабых электрических полях много меньше коэрцитивного данные практически отсутствуют даже для такого хорошо изученного сегнетоэлектрика, как триглицинсульфат.

Для обработки экспериментальных результатов, описания процессов эволюции в неоднородных системах различные авторы использовали различные зависимости. Наиболее часто использовались экспоненциальная или логарифмическая зависимость, представляющие различные аппроксимации, полученные в теоретических работах. Можно сказать, что систематическое экспериментальное исследование кинетических свойств различных неоднородных систем отсутствовало.

Очевидно, что возможно более точное определение равновесных значений поляризации Р для неоднородных сегнетоэлектриков является одним из важных моментов любых исследований подобных систем, как с точки зрения количественного описания эволюции системы, так и с точки зрения сопоставления с результатами теории. Трудности вычисления равновесных значений поляризации связаны с тем, что неоднородные системы обладают, как правило, широким спектром времен релаксации т. Долгоживущие метастабильные состояния разделены гигантскими энергетическими барьерами. Большие времена релаксации т требуют проведения длительных экспериментов (часы, десятки часов), при которых равновесные Р могут и не достигаться. Для проведения длительных экспериментов в лаборатории электрических свойств кристаллов была разработана и изготовлена установка, в которой регистрация данных измерения поляризации осуществлялась автоматически с большой точностью.

Сегнетоэлектрики с несоразмерными фазами обладают целым рядом особенностей, по сравнению с обычными сегнетоэлектриками. Несоразмерная фаза (НФ), как правило, предшествует по температуре соразмерной полярной фазе и имеет сверхструктуру, период которой несоизмерим с периодом соразмерной фазы. Наличие НФ приводит к появлению ряда особенностей на температурных зависимостях спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости. Исследование сегнетоэлектриков с НФ интенсивно развивается теоретическими и экспериментальными методами. Для интерпретации экспериментальных данных в работе применяется феноменологическая теория, основой которой является теория фазовых переходов Ландау. Подробная теория последовательности фазовых переходов с образованием сверхструктуры развивалась на основе работ Дзялошинского, Инденбома, Леванюка и Санникова. Все исследования, главным образом, направлены на выяснение особенностей структуры и свойств НФ, и их эволюцию с температурой и в результате внешних воздействий. В кристаллах с множеством структурных фазовых переходов, включающих в себя переходы в несоразмерные фазы, приложение внешнего воздействия, например, электрического поля или гидростатического давления, может приводить к радикальному изменению диэлектрических свойств, последовательности фаз, количества фазовых переходов. По имеющимся теоретическим данным одноосные механические напряжения также могут приводить к радикальному изменению диэлектрические свойств сегнетоэлектриков с несоразмерными фазами, однако, экспериментальных данных о влиянии одноосных механических напряжений на последовательность фаз и диэлектрические свойства в сегнетоэлектриках с множеством фазовых переходов практически не было.

Цели работы

1. Исследование влияния одноосных механических напряжений на последовательность фаз и диэлектрические свойства в сегнетоэлектриках с множеством фазовых переходов через несоразмерные фазы.

2. Исследование кинетических свойств неоднородных систем, которое позволит получить представление о законе эволюции в неоднородных системах, а также даст информацию о равновесных параметрах систем и распределении энергетических барьеров, характеризующие взаимодействие внутри системы.

Объекты исследования

Влияние одноосных механических напряжений на диэлектрические свойства и последовательность фазовых переходов исследовалось в кристаллах {N(CH3)4}2ZnCl4, {N(CH3)4}2CoC14 (TMA-ZnCl4, ТМА-СоС14) и SC(NH2)2 (тиомочевина).

Для исследования кинетических свойств неоднородных систем были выбраны кристаллы: сегнетоэлектрика TGS с различным содержанием дефектов, различным состоянием доменной структуры и поверхности; сегнетоэлектрика Rb2ZnCl4 с несоразмерной фазой; сегнетоэлектрика-релаксора SBN двух составов (SBN-0.75, SBN-0.61(La+Ce)).

Научная новизна работы

1. Впервые детально исследован эффект полного подавления сегнетоэлектричества малыми одноосными механическими напряжениями в полярной фазе кристаллов {N(CH3)4}2ZnCl4 и {Ы(СН3)4}2СоС14. Обнаружена значительная анизотропия эффекта.

2. Обнаружено, что в полидоменном сегнетоэлектрике TGS, в полях меньше коэрцитивного, процесс медленной термоактивационной релаксации поляризации зависит от состояния доменной структуры, содержания дефектов и состояния поверхности. Показано, что экспериментальные данные с удовлетворительной точностью описываются с помощью степенной временной функции.

3. Установлены особенности процессов поляризации кристаллов SBN-0.75 и SBN-0.61 (La+Ce), связанные с их релаксорными свойствами: квазистатические петли диэлектрического гистерезиса имеют аномальный вид — это незамкнутые невоспроизводимые кривые, выходящие на насыщение только после нескольких циклов переполяризации; процессы медленной термоактивационной релаксации поляризации и деполяризации описываются с помощью степенной временной функции, которой соответствует функция распределения времен релаксации, включающая аномально большие времена (десятки часов).

4. Обнаружена сильная зависимость процессов переполяризации в квазистатических полях, медленной термоактивационной релаксации поляризации и деполяризации от облучения светом, соответствующим полосе примесного поглощения, в сегнетоэлектрике-релаксоре SBN-0.61 (La+Ce), связанная с процессами экранирования.

Практическая значимость работы

Экспериментальные результаты послужат для дальнейшего развития представлений о влиянии неоднородностей на структурные фазовые переходы и свойства сегнетоэлектриков, для поиска новых перспективных материалов с заданными свойствами.

Построенные фазовые диаграммы одноосное напряжение-температура для кристаллов {N(CH3)4}2ZnCl4 и {Ы(СНз)4}2СоС14 могут использоваться в качестве справочного материала.

Обнаруженные особенности поляризации и деполяризации фоточувствительного релаксора SBN-0.61:(La+Ce) позволяют ответить на ряд вопросов, связанных с проблемами использования этого материала для фиксации голограмм.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Экспериментальные результаты исследования эффекта полного подавления сегнетоэлектричества малыми одноосными механическими напряжениями в полярной фазе кристаллов с несоразмерными фазами {N(CH3)4}2ZnCl4 и {N(CH3)4}2CoCl4.

2. Методика анализа экспериментальных данных для эволюции диэлектрических характеристик всех исследованных неоднородных систем при их медленной термоактивационной релаксации к равновесию с помощью степенной временной функции, позволившая построить для всех случаев непрерывные функции распределения энергетических барьеров.

3. Экспериментально установлено, что в полидоменном сегнетоэлектрике TGS в полях меньше коэрцитивного наблюдается медленная термоактивационная релаксация поляризации, определяемая состоянием доменной структуры, содержанием дефектов и состоянием поверхности.

4. Экспериментальное исследование процессов поляризации кристаллов SBN-0.75 и фоточувствительного SBN-0.61(La+Ce), которое свидетельствует о существовании локальных внутренних смещающих полей, случайно распределенных в объеме сегнетоэлектрика-релаксора.

Личный вклад автора и публикации

Выбор направления исследования, обсуждение результатов и формулировка задач проводилась совместно с научным руководителем д.ф.-м.н В.В. Гладким. Диссертантом лично, а также при участии соавторов получены экспериментальные данные, проведена обработка результатов, выполнены расчеты физических параметров. Интерпретация и обсуждение полученных результатов осуществлялись совместно с соавторами.

По материалам диссертации опубликовано 20 статей в рецензируемых отечественных и зарубежных журналах, 3 тезиса докладов.

Апробация работы

Материалы диссертации неоднократно докладывались на Конкурсе научных работ ИК РАН, а также на всероссийских и международных конференциях:

• Европейское совещание по сегнетоэлектричеству (EMF-9-Прага, Чехия, 1999).

• Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (XIV-Иваново, 1995; XVII-Пенза, 2005).

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка цитируемой литературы. Диссертация изложена 138 страницах, содержит 35 иллюстрацию, 7 таблиц и список цитируемой литературы из 137 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Иванова, Елена Сергеевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Впервые детально исследован эффект подавления спонтанной поляризации малыми одноосными механическими напряжениями в полярной фазе кристаллов TMA-ZnCl4 и TMA-C0CI4. Обнаружена значительная анизотропия эффекта - аномально большие изменения поляризации (и диэлектрической проницаемости) наблюдаются при сжатии кристаллов только вдоль кристаллографических осей, перпендикулярных оси спонтанной поляризации. По результатам измерений построены фазовые диаграммы одноосное напряжение -температура.

2. Показано, что в полидоменных сегнетоэлектриках и сегнетоэлектриках-релаксорах установление поляризации является медленным релаксационным процессом термоактивационной природы (характерные времена релаксации - часы), который описывается универсальной для всех исследованных систем степенной зависимостью с тремя параметрами.

3. По временной зависимости релаксирующей поляризации восстановлены функции распределения энергетических барьеров, что позволило провести качественную интерпретацию и выявить особенности процессов медленной релаксации в полидоменных кристаллах ТГС и Rb2ZnCl4. Показано, что характер функций распределения однозначно связан с дефектным состоянием кристаллов.

4. Исследовано влияние облучения светом, соответствующим полосе примесного поглощения, на диэлектрические свойства сегнетоэлектрика-релаксора SBN-0.61:(La+Ce). Впервые обнаружены

• существенный рост диэлектрической проницаемости, пропорциональный мощности светового потока и напряженности смещающего электрического поля;

• увеличение амплитуды петель гистерезиса при освещении по мере удаления от точки температурного максимума диэлектрической проницаемости в сторону более низких температур;

• изменение распределения времен релаксации, связанное с экранированием электрических полей фотоиндуцированными носителями.

5. Показано, что процесс медленной деполяризации в освещенном фоточувствительном релаксорном сегнетоэлектрике более точно описывается двумя функциями времени, т.е. может быть представлен как совокупность двух процессов (с соответствующими наборами времен релаксации): полидоменизация образца в деполяризующем поле и экранирование этого поля фотоиндуцированными носителями заряда.

Результаты диссертации опубликованы в работах [93-98, 102-104, 108-109, 117, 120, 125-126,128-135].

В заключении выражаю благодарность моему научному руководителю В.В. Гладкому за научное руководство и оказанную всестороннюю поддержку; С.А. Минюкову, за интерес к работе, полезные обсуждения и ценные советы; С.В.Нехлюдову за разработку и создание экспериментальной установки; Н.В. Белугиной за помощь при подготовке кристаллов TGS и определение их доменной структуры; Т.Р. Волк, за интерес к работе, полезные обсуждения, а также всем сотрудникам лаборатории электрических свойств кристаллов и ИК РАН за оказанные помощь и содействие.

Кроме того, не могу не вспомнить В.А.Кирикова, его помощь при проведении измерений и ценные советы, без которых данная работа была бы затруднительна.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Иванова, Елена Сергеевна, 2008 год

1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. - М.: Наука, 1964, 567 с.

2. Гинсбург В.Л. О диэлектрических свойствах сегнетоэлектриков и титаната бария// ЖЭТФ, 1945, т. 15, №12, С.739-749.

3. Гинсбург В.Л. О поляризации и пьезоэффекте титаната бария вблизи точки сегнетоэлектрического перехода// ЖЭТФ, 1949, т. 19, №1, С.36-41.

4. Гинсбург В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений// УФН, 1949, т.38, №4, С.490-525.

5. В.Г. Вакс. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков// Москва, «Наука». 1973

6. Струков Б. А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука. 1983, 239 с.

7. Gonsalo J.A. Critical Behavior of Ferroelectric Triglycine Sulfate// Phys. Rev., 1966, v. 144, p.662.

8. Инденбом В.Л. К термодинамической теории сегнетоэлектричества.// Из. АН СССР, сер. физ., 1960, т.24, №10, С.1180-1183.

9. Леванюк А.П., Санников Д.Г. Аномалии диэлектрических свойств при фазовых переходах.// ЖЭТФ, 1968, т.55, С.256-265.

10. Леванюк А.П., Санников Д.Г. Феноменологическая теория сегнетоэлектрического фазового перехода в молибдате гадолиния.// ФТТ, 1970, т. 12, №10, С.2997-3000.

11. Dvorgak V. Impropper ferroelectrics.// Ferroelectrics, 1974, v.7, p.1 -9.

12. M. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственые им материалы. -М.: Мир. 1981,736 с.

13. Bratkovsky A.M., Levanyuk А.Р. Formation and rapid evolution of domain structure at the phase transitions in slightly inhomogeneous ferroelectrics and ferroelastics.// Phys. Rev. B, 2002, 66, 184109.

14. Bratkovsky A.M., Levanyuk A.P. Easy Collective Polarization Switching in Ferroelectrics.// Phys. Rev. Lett., 2000, 85, N.21, P.4614-4617.

15. Cummins H.Z. Experimental studies of structurally incommensurate crystal phases.// Physical Reports, 1990, v.185, (5, 6), p.211-411.

16. Levanyuk A.P. General ideas about incommensurate phases. Incommensurate phases in dielectrics. 1. Fundamentals. Ed. by Blinc R., Levanyuk A.P. Amsterdam: North Holland, 1986, P.23.

17. Леванюк А.П., Санников Д.Г. Теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках с образованием сверхструктуры не кратной исходному периоду.// ФТТ, 1976, т. 18, №2, С.423-428.

18. Леванюк А.П., Санников Д.Г. О термодинамической теории фазовых переходов в сегнетоэлектриках тригидроселените рубидия RbH3(Se03)2 и татрате-натрия-аммония NaNHAH^O^HsO.// ФТТ, 1977, т. 19, № 1, С.118-120.

19. Леванюк А.П., Санников Д.Г. Феноменологическая теория фазовых переходов неполярная-несоразмерная-полярная фаза в селенате калия K2Se04.// ФТТ, 1978, т.20, №4, С. 1005-1012.

20. Леванюк А.П., Санников Д.Г. Термодинамическая теория фазовых переходов с образованием несоразмерной сверхструктуры в сегнетоэлектриках NaN02 и SC(NH2)2.// ФТТ, 1976, №7, С. 1927-1932.

21. Санников Д.Г. О фазовом переходе между несоразмерной и соразмерными фазами.// ФТТ, 1981, т.23, №4, С.953-958.

22. Санников Д.Г. О фазовом переходе между несоразмерной и соразмерными фазами в приближении слабой анизотропии.// Кристаллография, 1982, т.27, №1, С.5-10.

23. Levanyuk А.Р., Sannikov D.G. Phase transitions into inhomogeneouse states.//Ferroelectrics, 1976, v. 14, №. 1-2, p.643-645.

24. Bak P., Bruinsma R. One-Dimensional Ising Model and the Complete Devil's Staircase.// Phys. Rev. Lett., 1982, 49, P.249-251.

25. Санников Д.Г. Феноменологическое описание дьявольской лестницы.//ЖЭТФ, 1989, 96, в.6, С.2198-2208.

26. Blinc R., Prelovsek P., Rutar V., Seliger J., Zumer S. Experimental observations of incommensurate phases. Incommensurate phases in dielectrics. 1. Fundamentals. Ed. by Blinc R., Levanyuk A.P. Amsterdam: North Holland, 1986, P.232.

27. Головко B.A., Санников Д.Г. Влияние внешнего воздействия определенной симметрии на несоразмерную фазу и последовательность переходов исходная-несоразмерная-полярная фаза.// ФТТ, 1983, т.25, в.11, С.3419-3424.

28. Ishibashi Y. Phenomenology of incommensurate phases in the A2BX4 family. Incommensurate phases in dielectrics. 2. Materials. Ed. by Blinc R., Levanyuk A.P. Amsterdam: North Holland, 1986, P.49.

29. Струков Б.А., Уесу И., Арутюнова В.М. Аномальный температурный и диэлектрический гистерезис при фазовом переходе несоразмерная-соразмерная полярная фаза в кристаллах (NH4)2BeF4 (ФБА).// Письма в ЖЭТФ, 1982, 35, в. 10, С.424-427.

30. Mashiyama Н., Unruh H.G. Dielectric susceptibility and the thermal hysteresis in K2Se04 and Rb2ZnCl4.// J.Phys.C., 1983, vol.16, n.25, P.5009-5017.

31. Леманов B.B., Бржезина Б., Есаян С.Х., Караев А. Диэлектрическая проницаемость K2Se04 при переходе из несоразмерной в полярную фазу.// ФТТ, 1984, т.26, в.5, С.1331-1333.

32. Bak P., Emery V.J. Theory of the Structural Phase Transformations in Tetrathiafulvalene-Tetracyanoquinodimethane (TTF-TCNQ).// Phys. Rev. Lett., 1976, 36, P.978-982.

33. Levstik A., Prelovsek P., Filipic C., Zeks B. Dielectric constant in the incommensurate phase of Rb2ZnCl4.// Phys. Rev. B, 1982, 25, P.3416-3419.

34. Blinc R., Prelovsek P., Levstik A., Filipic C. Metastable chaotic state and the soliton density in incommensurate Rb2ZnCl4.// Phys. Rev. B, 1984, 29, n.3, P.1508-1510.

35. Hamano K., Ikeda Y., Fuiyamoto Т., Ema K., Hirotsu S. Critical phenomena and anomalous thermal Hysteresis accompanying the normal-incommensurate-commensurate phase transitions in Rb2ZnCl4.// J.Phys. Soc Japan, 1980, 49, n.6, P.2278-2286.

36. Unry H. G. Pinning effects in incommensurate modulated structures.// J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1983,16, n.17, P.3245-3255.

37. Zang G., Qiu S.L., Dutta M., Cummins H.Z. Time Dependence of the Soliton Density in K2ZnCl4: Dielectric Evidence for Pair Annihilation in the intrinsic chaotic state.// Sol. St. Comm. 1985, 55, №4, P.275-277.

38. Mashiyama H., Kasatani H. Time Evolution of the Incommensurate Phase in K2ZnCl4 Observed by Dielectric Measurements and X-Ray Scatterings.// J.Phys.Soc. Jap. 1987, 56, P.3347-3353.

39. Гриднев С.А., Горбатенко В.В., Прасолов Б.Н. Релаксация долгоживущих метастабильных состояний в сегнетоэлектрике Rb2ZnCl4 с несоразмерной фазой.// Кристаллография 1994, 39, №1, С.106-113.

40. Ema К., Hamano К., Mashiyama Н. Dielectric Study of Relaxation Process in the Incommensurate Phase of Sodium Nitrite.// J. Phys. Soc. Jap.-1988, 57, P.2174-2181.

41. Sakata H., Hamano K., Ema K. Kinetic Process of the Incommensurate-to-Commensurate Phase Transition in Rb2ZnCl4.// J. Phys. Soc. Jap. 1988, 57, P.4242.

42. Hamano K., Sakata H., Ema K. Kinetic process of formation of discommensuration lattice in the first-order commensurate-incommensurate transition.// Ferroelectrics 1992,137, P.235-250.

43. Kawasaki K. Free-energy barriers in incommensurate modulated phases// J.Phys.C 1983,16, №36, P.6911-20.

44. Кололомейский Е.Б. Нелинейный рост доменов «закаленных» несоизмеримых и родственных систем// ЖЭТФ 1991, 99, вып.2, С.562-567.

45. Kolomeisky Е.В. Relaxation times in incommensurate phases with defects// Ferroelectrics 1990,105, P. 131-134.

46. Сеидов М.Ю., Сулейманов P.A., Бабаев C.C., Мамедов Т.Г., Шарифов ' Г.М. Влияние внешних воздействий на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TIGaSe2// ФТТ-2008, 50, №1, С. 1

47. Holakovsky J., Dvorak V. Theory of dielectric susceptibility in an applied electric field near the incommensurate-to-commensurate phase transition in K2Se04-type crystals.// J.Phys.C: Solid State Phys, 1988, 21, P.5449-5454.

48. Durand D., Denoyer F., Currat R., Lambert M. Incommensurate phase in NaN02. Incommensurate phases in dielectrics. 2. Materials. Ed. by Blinc R., Levanyuk A.P. Amsterdam: North Holland, 1986, P.101.

49. Denoyer F., Currat R. Modulated Phases in Thiorea. Incommensurate phases in dielectrics. 2. Materials. Ed. by Blinc R., Levanyuk A.P. Amsterdam: North Holland, 1986, P. 129.

50. Prelovsek P. Finite electric field effect on the Incommensurate-commensurate transition in Rb2ZnCl4.// J.Phys. C, 1983,16, P.3257-3260.

51. Гладкий В.В., Кириков В.А., Смутный Ф. Аномальное влияние электрического поля на диэлектрическую проницаемость Rb2ZnCl4 в области несоразмерной фазы.// ФТТ, 1987, т.29, в.8, С. 2534-2536.

52. Axe J.D., Iizumi М., Shirane G. Phase transformations in K2Se04 and Structurally related insulators. Incommensurate phases in dielectrics. 2. Materials. Ed. by Blinc R., Levanyuk A.P. Amsterdam: North Holland, 1986, P.l.

53. Джабраилов A.M., Кириков B.A., Гладкий B.B., Бржезина Б. Влияние одноосных механических напряжений на диэлектрическую проницаемость K2Se04.// Из. АН СССР сер. Физ. 1985, 49, №2, С.263-267.

54. Гладкий В.В., Кириков В.А. Аномальный температурный гистерезис диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика с несоразмерной фазой при одноосной деформации.// ФТТ 1986, 28, в. 10, С.3149-3151.

55. Гладкий В.В., Кириков В.А., Желудев И.С., Гаврилова И.В. Влияние механических напряжений на диэлектрическую проницаемость Rb2ZnCl4 сегнетоэлектрика с несоразмерной фазой.// ФТТ - 1987, 29, в.6, С. 1690-1697.

56. Каллаев С.Н., Гладкий В.В., Кириков В.А., Шувалов JI.A. Подавление сегнетоэлектричества в кристаллах TMA-ZnCl4 малыми механическими напряжениями.// Письма в ЖЭТФ 1989, 50, в.2 С.98-101.

57. Смоленский Г.А., Исупов В.А., Аграновская А.И., Попов С.Н. Сегнетоэлектрики с размытым переходом.// ФТТ — 1960, 2, вып.11, С.2906-2918.

58. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики.- Л.: Наука, 1971,355 с.

59. Bhalla A.S., Guo R., Cross L.E., Burns G., Dacol F.H., Neurgaonkar R.R. Measurements of strain and the optical indices in the ferroelectric Bao.4Sro.6Nb206: Polarization effects// Phys Rev.B -1987, 36, 4, P.2030.

60. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics.// Ferroelectrics 1987, 76, P.241 -267.

61. Viehland D., Xu Z., Huang W.-H. Structure-property relationships in strontium barium niobate. I. Needle-like nanopolar domains and the metastable locked incommensurate structure.// Phil. Mag. A 1995, 71(2), P.205-217.

62. Dorogovtsev S.N., Yushin N.R. Acoustical properties of disordered ferroelectrics.// Ferroelectrics 1990,112, P.27.

63. Westphal V., Kleeman W., Glinchuk M.D. Diffuse phase transitions and random-field-induced state of the "relaxor" ferroelectric PbMgi\3Nb2\303.// Phys.Rev.Lett. 1993, 68, P.847.

64. Tagantsev A.K., Glazounov A.E. Mechanism of polarization response and dielectric non-linearity of PbMgivjNb^Cb relaxor ferroelectric.// Phase transitions 1998, 65, P. 117-139.

65. Chamberlin R.V. Experiments and Theory of the nonexponential relaxation in liquids, glasses, polymers and crystals.// Phase transitions 1998, 65, P.l 69-209.

66. Kleeman W. Correlated domain dynamics in relaxor ferroelectrics and random-field systems.// Phase transitions 1998, 65, P. 141-167.

67. Granzow Т., Dorfler U., Woike Th., Wohlecke M., Pankrath R., Imlau M., Kleemann W. Influence of pinning effects on the ferroelectric hysteresis in cerium-doped Sr0.6iBa0.39Nb2O6.// Phys. Rev. В 2001, 63, 174101.

68. Granzow Т., Dorfler U., Woike Th., Wohlecke M., Pankrath R., Imlau M., Kleemann W. Evidence of random electric fields in the relaxor-ferroelectric Sr0.6iBa0.39Nb2O6.// Europhysics Letters 2002, 57(4), P.597-603.

69. Granzow Т., Woike Th., Wohlecke M., Imlau M., Kleemann W.Polarization-Based Adjustable Memory Behavior in Relaxor Ferroelectrics.// Phys.Rev.Lett. 2002, 89, 127601.

70. T. Granzow, Th. Woike, M. Wohlecke, M. Imlau, W. Kleemann. Change from 3D-Ising to Random Field Ising-Model Criticality in a Uniaxial Relaxor Ferroelectric.// Phys.Rev.Lett. - 2004, 92, 065701.

71. Якушкин Е.Д. Теплоемкость сегнетоэлектрика-релаксора SBN.// ФТТ 2004, 46, в.2, С. 325-328.

72. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Волк Т.Р., Ивлева Л.И. Поляризация и деполяризация релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария стронция.// ФТТ - 2000, 42, 7, С.296-1302.

73. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Волк Т.Р., Ивлева ЛИ. Аномалии поляризации сегнетоэлектрического релаксора.// Письма в ЖЭТФ-2000, 71, 1, С.38-41.

74. Гладкий В.В., Кириков В.А., Пронина Е.В., Волк Т.Р., Панкрат Р., Вёлеке М. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода.// ФТТ 2001, 43, 11, С.2052-2058.

75. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р. Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках.// ФТТ 2002, 44, 2, С.351.

76. Bestgen Н. Direct observation of discommensurations in the incommensurate superlattice of ferroelectric Rb2ZnCl4 by transmission electron microscopy// Solid State Commun. 1986, 58, P.197-201.

77. Hamano K. Thermal Hysteresis Phenomena in incommensurate Systems. 1. Fundamentals. Ed. by Blinc R., Levanyuk A.P. Amsterdam: North Holland, 1986, P.365.

78. Gesi. K. Effect of Hydrostatic pressure on the lock-in transitions in teramethylammonium tetrahaogenometallic compounds, {N(CH3)4}2XY4.// Ferroelectrics 1986, 66, P.269-286.

79. Solomon L. Thiourea, a New Ferroelectric.// Phys. Rev. 1956, 104, P. 1191.

80. MacKenzie D.R., Dry den J.S. Dielectric properties and ferroelectric transitions of thiourea//J.Phys. С 1973, 6, P.767-773.

81. Mattias B.T., Miller C.E., Remeika J.P. Ferroelictricity of Glicine Sulfate.// Physical Review 1956,104, 849-850.

82. Fletcher S.R., Keve E.T., Skapski A.S. Structure studies of triglycine sulphate.//Ferroelectrics 1976, V.14, N3/4, P.775-787, 1976.

83. Iton K., Mitsui T. Studies of the crystal structure triglycine sulphate in connection with its ferroelectric phase transition. Ferroelectrics 1973, 5, N3/4, P.235-251.

84. Юрин В.А., Сильвестрова И.М., Желудев И.С. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата, облученных у-квантами.// Кристаллография 1962, т.7, вып. 3, с.394-402.

85. Bhalla A.S., Fang C.S., Xi Y., Cross L.E. Piroelectric properties of the alanine and arcenic triglycine sulphate single crystals.// Appl. Phys. Letters 1983, 43(10), P.932.

86. Jamieson P.B., Abrahams S.C., Bernstein J.L. Ferroelectric Tungsten Bronze-Type Crystal Structures. Barium Strontium Niobate Bao.25Sro.75Nb2O5.7s.// J.Chem.Phys.- 1968, 48, P.5048.

87. Черная T.C., Максимов Б.А., Берин И.В., Ивлева Л.И., Симонов В.И. Уточненная кристаллическая структура монокристаллов Ba0.25Sr0.75Nb2O6:Ce.//Кристаллография 1997, 42, №3, С.421-426.

88. Ivleva L.I., Bogodaev N.V., Polozko N.M., Osiko V.V. Growth of SBN single crystals by Stepanov technique for photorefractive applications// Optical Materials 1995, 4, 168-173.

89. Volk T.R., Woike Th., Dorfler U., Pankrath R., Ivleva L.I., Wohlecke M. Ferroelectric phenomena in holographic properties of strontium-barium niobate crystals doped with rare-earth elements.// Ferroelectrics 1997, 203, P.457-470.

90. Мамин Р.Ф., Мигачев С. А., Садыков М.Ф., Лунев И.В. Фотостимулированные явления в релаксорах.// Письма в ЖЭТФ -2003, 78, вып. 11, С.1232-1236.

91. Джабраилов A.M. Электромеханические свойства несоразмерной фазы сегнетоэлектриков. Кандидатская диссертация, М., 1986.

92. В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Е.С. Иванова, Релаксация поляризации в сегнетоэлектрическом кристалле с различным состоянием доменной структуры и поверхности. ФТТ, 39, 11,2046-2052,(1997).

93. Каллаев С.Н., Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Шувалов Л.А. Подавление сегнетоэлектричества малыми одноосными механическими напряжениями в кристаллах со множеством структурных фазовых переходов.// ЖЭТФ 1990, 98, вып.5(11), С.1804-1813.

94. Каллаев С.Н., Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Шувалов Л.А. Подавление сегнетоэлектричества в кристаллах TMA-C0CI4 одноосными механическими напряжениями.// ФТТ 1990, 32, вып.9, С. 2832-2834.

95. Гладкий В.В., Каллаев С.Н., Кириков В.А., Иванова Е.С., Липиньски И.Э., Шувалов Л.А. Подавление сегнетоэлектричества малыми механическими напряжениями в кристаллах TMA-ZnCl4 и ТМА-C0CI4// Кристаллография 1991, 36, вып.2, С. 458-462.

96. Гладкий В.В., Каллаев С.Н., Кириков В.А., Иванова Е.С., Шувалов Л.А. Подавление сегнетоэлектричества малыми механическиминапряжениями в кристаллах ТМА-СоСЦ.// ФТТ 1991, 33, вып.7, С. 2103-2108.

97. Gladkii V.V., Kallaev S.N., Kirikov V.A., Ivanova E.S., Shuvalov L.A. Suppression of Ferroelectricity by Low Uniaxial Stresses in some Crystals with Successive Phase Transitions.// Ferroelectrics 1992, Vol. 125, P.171-176.

98. Shimizu H., Kokubo N., Yasuda N., Fujimoto S. Pressure-Temperature Phase Diagramms of Ferroelectric {N(CH3)4}2CoCl4 and {N(CH3)4}2ZnCl4. J. Phis. Soc. Jap. 1980, 49 (1), P.223-229.

99. Гладкий B.B., Каллаев C.H. Анизотропия эффекта подавления сегнетоэлектричества одноосным напряжением в кристаллах со множеством фазовых переходов.// ФТТ 1991, 33, №8, С.2489-2491.

100. Багаутдинов Б.Ш., Гладкий В.В., Каллаев С.Н., Кириков В.А., Шмытько И.М. Многоволновые модулированные состояния в кристаллах TMA-ZnCl4.// Письма в ЖЭТФ 1994, 59, вып.2, С.113-117.

101. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Каллаев С.Н. Подавление сегнетоэлектричества одноосным механическим напряжением в промежуточной по температуре полярной фазе тиомочевины.// ФТТ -1990, 32, вып.7, С. 2167-2169.

102. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Каллаев С.Н. Влияние одноосных давлений на диэлектрическую проницаемость кристалла тиомочевины в промежуточной по температуре полярной фазе.// Кристаллография 1992, 37, вып.З, С. 827-829.

103. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Каллаев С.Н. Влияние одноосных механических напряжений на диэлектрические свойства и сегнетоэлектрические фазовые переходы кристаллов тиомочевины.// ФТТ 1992, 34, вып. 10, С. 3170-3178.

104. Natterman Т., Villan J. Random-field Ising Systems: A Survey of Current Theoretical Views// Phase Transitions 1988,11, №1-4, P.5-51.

105. Kolomeisky E.B., Levanyuk A.P., Sigov A.S. Influence of lattice defects on structural phase transitions: some new results// Ferroelectrics — 1990, 104, P. 195-204.

106. Гладкий B.B., Кириков В.А., Иванова E.C. Эволюция несоразмерной сверхструктуры кристалла со временем вблизи структурного перехода в однородную фазу.// Письма в ЖЭТФ 1993, 58, С.625-629.

107. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Об эволюции неравновесной несоразмерной структуры в кристаллах.// Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, Иваново 1995, С.92.

108. Gladkii V.V., Kirikov V.A., Nekhlyudov S.V., Ivanova E.S. Evolution of nonequilibrium states of nonuniform modulated structures in ferroelectrics.// Abstracts of the 9-th European Meeting on Ferroelectricity, Praha, Czech Republic 1999, P 160.

109. Гладкий B.B., Кириков B.A., Иванова Е.С. Релаксация неравновесной солитонной структуры в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика.// ЖЭТФ 1996,110, вып. 1(7), С. 298-310.

110. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Медленная релаксация полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях// ФТТ 1997, 39, № 2, С.353-357.

111. Palmer R.G., Stein D.L., Abrahams Е., Anderson P.W. Models of Hierarchically Constrained Dynamics for Glassy Relaxation// Phys.Rev. Letters 1984, 53, №10, P.958-961.

112. Крупичка С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. т.2. -М.: Мир, 1976.

113. Диткин В.А., Прудников А.П. Справочник по операционному исчислению. М.: Изд. "Высшая школа", 1965, 467с.

114. Белугина Н.В., Толстихина A.JI. Исследование микрорельефа поверхности кристаллов сегнетоэлектриков ТГС и Rb2ZnCl4 методом атомно-силовой микроскопии.// Кристаллография 1996, 41, №6, С. 1072-1076.

115. Гуревич В.М. Электропроводность сегнетоэлектриков. М.: Издание комитета стандартов, мер и измерительных приборов, 1969, 384 с.

116. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Влияние ионизирующего облучения на распределение энергетических барьеров для доменных стенок в сегнетоэлектрике.// Кристаллография 2000, 45, №3, С.528-533.

117. Пешков Е.В. Действие радиации на сегнетоэлектрики. Ташкент: Фан, 1972, 136с.

118. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. О релаксации диэлектрической проницаемости кристалла Rb2ZnCl4 в области структурного перехода из несоразмерной в соразмерную полярную фазу// Кристаллография 1998, 43, №4, С.710-716.

119. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Нехлюдов С.В. О двух видах релаксации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле// ФТТ 1999, 41, № 3, С.499-504.

120. Osak W., Tkacz-Smiech К. Isotermal depolarization currents in triglycine sulphate.// Appl. Phys. A 1997, 65, P.439-444.

121. Alberici F., Doussineau P., Levelut A. Non Ergodic Aging in Lithium-Potassium Tantalate Crystals// J. Phys. I France 1997, 7, 2, P.329.

122. Черная T.C., Максимов Б.А., Волк T.P., Ивлева Л.И., Симонов В.И. Атомное строение монокристалла Sr0)75Ba0,25Nb2O3 и связь состав -структура свойства в твердых растворах (Sr,Ba)Nb203// ФТТ - 2000, 42, в.9, С.1668-1672.

123. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Ивлева Л.И. Особенности кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика.// ЖЭТФ -2001,120,3(9), С.678.

124. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Исаков Д.В., Иванова Е.С. Особенности сегнетоэлектрических свойств кристаллов Sro,75Bao,25Nb206.// ФТТ 2003, 45, 11, С.2067-2073.

125. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Иванова Е.С., Ивлева Л.И. Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика.// ФТТ 2005, 47, вып.2, С.286-292.

126. Фридкин В.Н. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979, 264 с.

127. Gladkii V.V., Kirikov V.A., Volk T.R., Ivanova E.S. Dielectric Hysteresis Loops of Photosensitive Relaxor Ferroelectrics// Ferroelectrics 2005, 314, P.115-121.

128. Гладкий B.B., Кириков B.A., Иванова E.C., Волк Т.Р. О диэлектрической проницаемости фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция// ФТТ 2006, 48, вып. 10, С. 1817.

129. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Волк Т.Р. Реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика// ФТТ 2006, 48, вып. 11, С. 2026-2029.

130. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Волк Т.Р. Аномалии процессов поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках// ФТТ -2006, 48, вып. 6, С. 1042-1046.

131. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Волк Т.Р. Квазистатические петли диэлектрического гистерезисафоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика в области размытого фазового перехода// ФТТ 2007, 49, вып. 5, С.881-885.

132. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Волк Т.Р. Процессы деполяризации в фоточувствительном релаксорном сегнетоэлектрике// ФТТ 2007, 49, вып. 11, С. 2049-2054.

133. Volk T.R., Isakov D.V., Gladkii V.V., Ivanova E.S., Woehlecke M. Peculiarities of the Ferroelectric Switching in Strontium-Barium Relaxor Ferroelectrics// Ferroelectrics 2007, 354, P.246-258.

134. Гладкий B.B., Кириков B.A., Иванова E.C., Волк Т.Р. Особенности поляризации релаксорных сегнетоэлектриков.// Тезисы докладов XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, Пенза -2005, С.149.

135. В.А.Стефанович, М.Д. Глинчук, Б.Хилчер, Е.В. Кириченко. Физические механизмы, приводящие к распеределению времен релаксации в разупорядоченных диэлектриках. ФТТ, 2002, 44, вып.5, с.906-911.

136. Исаков Д.В. Переключение кристаллов ниобата бария-стронция, чистых и легированных, в импульсных полях. Кандидатская диссертация. Москва, ИК РАН, 2003.