Фазовые диаграммы, трикритические точки и оптические свойства сегнетоэлектриков группы А V В VI С VII тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Герзанич, Емельян Иванович

• Герзанич, Емельян Иванович
• доктор физико-математических наук
• 1983

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Герзанич, Емельян Иванович

ВВЕДЕНИЕ. б

ГЛАВА I МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ СЕГНЕТО-ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВОЙСТВ КРИС -ТАЛ ЛОВ В УСЛОВИЯХ ГИДРОСТАТИЧЕСКИХ ДАВЛЕНИЙ.

1.1 Установка высокого давления для оптических и электрофизических исследований

1.2 Камеры высокого давления с фиксируемым зажимом и внешней поддержкой. Малогабаритный- и гидропресс усилием 200 х 400 Т.

1.3 Методика исследований оптических и электрофизических свойств кристаллов

1.3.1 Измерение оптических свойств и электропроводности,

1.3.2 Измерение спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости

1.4 Подбор и приготовление образцов для исследований . 57 СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ I.

ГЛАВА 2 ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И р-Т-эс ДИАГРАММЫ.

2.1 Некоторые свойства сегнетоэлектрика-полупроводника при фазовых переходах.

2.1.1 Фазовые переходы второго рода

2.1.2 Фазовые переходы первого рода.

2.1.3 Поведение ширины запрещенной зоны при фазовых пере« ходах первого и второго рода.

2Л.4 Влияние гидростатического давления на фазовые переходы .72.

2.2 Сегнетоэлектрический фазовый переход и мягкая мода.

2.3 Тип и характер фазовых переходов в сегнетоэлектриках группы АУВУ1СУП.

2.4 Изменение симметрии и природа низкотемпературного фазового перехода в SbSl

У VT УП

2.5 Фазовые диаграммы сегнетоэлектриков группы А BJiC u 112 СВОДКА. РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ 2.

ГЛАВА 3 ВЛИЯНИЕ ГВДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И СЕГНЕТОЭ ЛЕКТРИЧ ЕСККЕ СВОЙСТВА.

3.1 Диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери и коэрцитивное поле монокристаллов 6Ь<5»1.

3.2 Диэлектрические свойства примесных кристаллов и твердых растворов В^^Ц.^! . Особая точка

3.3 Сегнетоэлектрические свойства кристаллов 5Ъ51 и твердых растворов В^ЗЬ^-х^Х.

3.4 Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства твердых растворов Аэ^ь^ос^!.

3.5 Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства твердых растворов ЗЬБВгХ^,^ и <эЬ9еэс8лэс1.

3.6 Влияние гидростатического давления на мягкую моду в сегнетоэлектриках группы АУВУ*СУП. Параметр Грю~ найзена

СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ

ГЛАВА 4 ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

4.1 Край поглощения и оптические переходы в сегнето « электриках группы АУВУ*СУ^

4.1.1 Непрямые оптические переходы в ЪЬЗХ , ЪЬБВг и В\вВг.

4.1.2 Правило Урбаха и прямые оптические переходы в БЬБГ

4.2 Спектры отражения и зонная структура сегнетоэлектриков группы АУВУ1СУП

4.3 Влияние всестороннего сжатия на край поглощения, спектры отражения и зонную структуру сегнетоэлектриков группы АУВУ1СУП.

4.4 Оптическая анизотропия и показатели преломленияSbSl

4.5 Поляризация света в области фазового перехода. sbsl и структура сосуществующих фаз.

СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ

ГЛАВА 5 ТРИКРИТИЧЕСКИЕ ТОЧКИ.

5.1 Диэлектрические свойства и трикритическая точка в

SbSl.

5.2 Оптические свойства вблизи трикритической точки

SbSl.

5.3 Структура сосуществующих фаз вблизи трикритической точки SbST.

5.4 Влияние гидростатического давления на эффект Керна-Харбеке в SbST.

5.5 Трикритические точки в сегнетоэлектрических твердых растворах группы АУВУ1СУП.

СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ

ГЛАВА 6 СЕГНЕТОПОЛУПРОВОДНИКОВНЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ ГРУППЫ

ЛУВУ1СУП и ж ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ

5.1 Влияния изоморфного замещения на температуру Кюри, диэлектрическую проницаемость, спонтанную поляризацию и ширину запрещенной зоны

6.2 Влияние концентрации примеси и гидростатического давления на фазовые переходы в сегнетоэлектриках группы

У УТ УП

6.3 А В" АС ( термодинамическое описание).

6.3 Влияние изоморфного замещения и гидростатического давления на свободную энергию твердых растворов группы АУВУ1СУП.

6.4 Влияние одноосной механической деформации на электропроводность и диэлектрическую проницаемость SbSl и ЫъЪЫъЫ.

6.5 Влияние изоморфного замещения и гидростатического давления на электро- и фотопроводимость ЭЬ51 и вЬсс-БЬ^в!

6.6 Полупроводниковый материал на основе твердых растворов

Bji.acSbi-3c.Sl для фотоприемников и резисторов, параметры которых не зависят от гидростатического давления.

6.7 Сегнетоэлектрический материал на основе твердого раствора Ь1о,оаЭЬо^Гдля емкостных датчиков гидростатического давления.

СВОДКА РЕЗУЛЬТАТОВ ПО ГЛАВЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовые диаграммы, трикритические точки и оптические свойства сегнетоэлектриков группы А V В VI С VII»

Актуальность темы. Открытие Б.М.Вулом оегнетоэлектрических свойств у титаната бария положило начало интенсивным исследованиям электронных процессов в сегнетоэлектриках. Сегнетоэлектрические крис« таллы и их применение приобрели в последние годы особый интерес благодаря развитию таких технических важных направлений, как оптоэлектроника, нелинейная оптика и лазерная физика. Важным со« бытием в этом направлении явилось открытие В.Мерцем и Р.Нитше с

У УТ УП сотрудниками сегнетоэлектриков-полупроводников группы АБС. Эти кристаллы представляют собой один из наиболее интересных как в фундаментальном, так и прикладном отношении классов сегнето« электрических кристаллов. Комбинация оегнетоэлектрических и полу« проводниковых ( в частности, фотоэлектрических) свойств, наличие экстремально высоких пьезо~ и пирокоэффициентов, возможность ши« роко варьировать физические свойства этих кристаллов при изоморфном замещении ионов делает этот класс сегнетоэлектриков в извести ном смысле уникальным.

Наибольший интерес из этого класса соединений представляли кристаллы сульфоиодида сурьмы СэЪЭ!), В этих кристаллах температура сегнетоэлектричэского фазового перехода находится вблизи 295 К, край поглощения « в видимой области спектра (Х=630 нм), что является удобным для экспериментальных исследований. По мно« г им параметрам ЗЬ21 превосходит известные сегнетоэлектрики. В частности, он обладает наибольшим среди сегнетоэлектриков объемным пьезомодулем, температура Кюри на порядок чувствительнее к гидростатическому давлению, чем в Совокупность таких свойств позволила предположить, что кристаллы £>Ь£>1 могут быть использованы для решения ряда прикладных задач. В частности, для создания пьезоэлементов, оптических модуляторов света, датчиков давления, фотоприемников и ряда других устройств.

Кроме практического использования сульфоиодид сурьмы пред« ставлял интерес, и с точки зрения фундаментальных исследований. Например, в 1935 году Л.Д.Ландау было предсказано существование три« критической точки на фазовой диаграмме твердого тела. Однако воп* рос об экспэриментальном доказательстве существования ее оставался открытым. Для решения этой задачи сегнетоэлектрики-полупроводники У УТ УП типа А В С явились вполне подходящими обьектами, что обусловлено совокупностью их уникальных свойств. Успешное решение этой за« дачи во многом зависило от экспериментальной методики, которая позволяла бы исследовать различные свойства кристаллов в широком диапазоне температур и гидростатических давлений.

Исследование физических свойств кристаллов при высоких дав« лениях важны еще и потому, что при этом можно получить ряд равно« весных состояний с измененными параметрами решетки. Это- дает воз*» можность установить некоторые общие закономерности в поведении различных свойств кристаллов при высоких давлениях и глубже по« нять их природу при атмосферном давлении, В этом смысле было ак« туальным исследовать фазовые диаграммы сегнетоэлектриков группы У У1 УП

ABC в координатах : температураздавление«состав.

Интерес к исследованиям сегнетополупроводниковых твердых растворов обусловлен несколькими причинами. Первая из них состоит в том, что путем изоморфного замещения ионов можно плавно изменять параметры решетки, и, соответственно. - различные физические свойства, что значительно расширяет диапазон практического использования этих кристаллов. Вторая обусловлена тем, что, изменяя состав, можно судить об особенностях микроскопического механизма атомных взаимодействий в кристалле и, таким образом, глубже понять природу сегнетоэлектрических явлений. И, наконец, ряд явле« ний в твердых телах, наблюдаемых при высоких давлениях, можно ин~ дуцировать путем изоморфного замещения ионов при атмосферном дав^ лении. В связи с этим они становятся легкодоступными для экспери« ментальных исследований. Это открывает также большие возможности при изучении влияния замещения ионов и гидростатического дав« ления на различные физические свойства твердых тел.

К началу выполнения диссертационной работы были известны

У УТ УГТ только некоторые свойства сегнетоэлектриков группы А В С при атмосферном давлении» Первые работы по комплексному исследованию сегнетополупроводниковых свойств при высоких давлениях и критик ческих явлений в этих кристаллах были начаты в СССР, в частности, в ИК АН СССР соискателем данной работы под руководством доктора физ.-мат.наук, профессора В.М.Фридкина и доктора физ.-мат.наук С.М,Стишова. Стимулирующим фактором развития этих исследований явилось создание аппаратуры высокого давления, в разработку которой соискатель внес определенный вклад.

Цель работы: I. Исследовать фазовые диаграммы сегнетоэлектриков группы А^В^У^ в координатах: температура«давление-состав. Для этого « изучить влияние гидростатического давления и изоморфного ♦ замещения ионов на сегнетоэлектрические и полупроводниковые, в том числе оптические свойства этих кристаллов при структурных фазовых переходах.

2. Установить общие закономерности в поведении различных

У УТ УП физических свойств сегнетоэлектриков группы АБС при фазовых переходах- и сделать вывод об изменении характера этих переходов под действием гидростатического давления и при изоморфном замещении ионов.

3. Накопить экспериментальные данные и установить особенности энергетической структуры сегнетоэлектриков-«полупроводников

У УТ УП типа А В ^ .С этой целью исследовать спектры поглощения и отражения света, электро- и фотопроводимость кристаллов в широком диапазоне температур и гидростатических давлений,

4. Исследовать явление поляризации света в области фазового перехода SbSI . Определить оптические постоянные SbSl , Изучить влияние гидростатического давления на эффект Керна-Харбеке в SbST.

5. Разработать рекомендации для практического использования у ут уп сегнетоэлектриков группы А В С в качестве фотоприемников и ре« з исторов с параметрами, стабильными к действию давления, а также е мкостных датчиков гидростатического давления.

Научная новизна. I. В разделе, относящемся к фазовым переходам, впервые исследованы и описаны особенности фазовых диаграмм сегне«

У УТ УП тоэлектриков группы А ВС в координатах: температура«давление« состав. Показано, что сегнетоэлектрические фазовые переходы в этих кристаллах при атмосферном давлении являются переходами первого рода типа смещения.

Обнаружены и исследованы низкотемпературные фазовые перехо« ды второго рода в Sb^I , «эЬ^&ч, , Ьс^вч, и твердых растворах на основе SbSI « Показано, что пространственная симметрия кристалла Sb£>Г при низкотемпературном фазовом переходе изменяо9 Г2» ется с сна или .

2. В разделе, относящемся к оптическим свойствам, впервые

У УТ УП установлено, что край поглощения кристаллов группы ABC фор-* мируется непрямыми и прямыми оптическими переходами. Исследовано влияние температуры и гидростатического давления на показатели преломления, спектры поглощения и отражения, а также энергетичес« кую структуру этих кристаллов.

Обнаружено и впервые исследовано явление поляризации света в области фазового перехода • Измерены оптические постоян« н ые ^Ъ^Т . Исследовано влияние гидростатического давления на эффект Керна-Харбеке в QbSI ,

3. В разделе, относящемся к исследованию трикритических точек, впервые на примере сегнетоэлектрика SbS>I экспериментально установлено существование трикритической точки на фазовой диаграмме твердого тела. Показано, что трикритические точки также наблюдаются в сегнетоэлектрических твердых растворах группы У УТ УП

АБС. Установлено, что трикритические точки можно индуциро« вать при атмосферном давлении путем изоморфного замещения ионов. у ут уп

Для сегнетоэлектриков типа А Б С найдена связь между произ~ водными температуры Кюри по концентрации (с!Лс/с1схО и давлению Сс^сМр) с критическими давлением^ и концентрацией , Определена область существования трикритических точек на ^-т-сс. диаграммах.

4. В разделе, относящемся к сегнетополупроводниковым твердым растворам на основе , исследовано влияние гидростати** ческого давления и изоморфного замещения ионов на температуру Кюри Тс , спонтанную поляризацию Р , диэлектрическую проницае« мость £ , диэлектрические потери-Цс?, коэрцитивное полете и потенциальный рельеф. Установлено, что изоморфное замещение ионов и всестороннее сжатие приводят к аналогичному поведению тс ,

Р $ £ »"Ц-о * и потенциального рельефа.

Исследовано влияние одноосных механических деформаций, все« стороннего сжатия и изоморфного замещения ионов на электро- и фотопроводимость кристаллов и Ьь^Ь^-о^оТ . Установлено, что величины темнового и фототока в твердых растворахй^^-вез! при определенных значениях X не зависят от гидростатического давления,,

5. В разделе, относящемся к практическому использованию

У УТ УП сегнетоэлектриков группы А В С , показано, что твердые растзо~ Ры ЬСо^ЪЪокгр»! можно использовать в качестве фотоприемников, чувствительных к красной области спектра, и резнет«^ ров, параметры которых стабильны к действию гидростатического давления.

У УТ УП

Показано, что на основе сэгнетоэлектриков группы А В АС

МОЮ ШМ'бвйН еМкостнйе датчики гидростатического давления.

В оовместно выполненных и опубликованых с другими авторами работах, автору диссертационной работы принадлежат постановка цели, обработка научных результатов, обобщение и формулировка выводов. Эксперименты выполнены лично автором, либо под его руководством.

Основные положения работы, выдвигаемые на защиту:

1. Экспериментальное подтверждение существования трикрити« ческих точек в твердых телах на примере сегнетоэлектриков группы АУВУ1СУП.

2. Результаты исследований фазовых диаграмм сегнетоэлектри** ков группы AyByV^ в координатах: температура«давление**состав и установление их особенностей и общих закономерностей.

3. Обнаружение и экспериментальные исследования низкотемпературных фазовых переходов второго рода в сегнетоэлектриках группы АУВУ1СУП,

4. Результаты исследований сегнетоэлектрических, электрофи^ зических и оптических свойств в этих кристаллах при изоморфном замещении ионов и всестороннем сжатии, а также установление основных особенностей их энергетической структуры.

5. Разработка рекомендаций для практического использования

У УТ УП сегнетоэлектриков-полупроводников группы А ВС в качестве фотоприемников и резисторов, параметры которых стабильны к действию всестороннего сжатия, и емкостных датчиков гидростатического дав« ления.

Налчное и практическое значение результатов работы.

Диссертация обобщает итоги научной работы автора, начатой в Институте кристаллографии им.А.В.Шубникова АН СССР и продолженной в Ужгородском госуниверситете,за период с 1965 года по настоя« ще.е время. Научная и практическая значимость результатов работы сводится к следующим положениям:

1. Результаты экспериментальных исследований оптических и электрофизических свойств сегнетоэлектриков-полупроводников труп» у ут уп пы А В С позволили установить ряд новых фундаментальных особен« ностей сегнетоэлектрических и полупроводниковых явлений и глубже понять их природу.Выяснение природы этих явлений является одной из главных задач физики твердого тела.

Экспериментальные результаты, полученные в диссертационной работе, привели к установлению некоторых общих закономерностей в поведении различных физических свойств сегнетоэлектриков группы у ут УП

АБС при изоморфном замещении ионов и всестороннем сжатии. В частности, показано, что ряд эффектов, наблюдаемых при высоких давлениях в этих кристаллах, например, трикритические и особые точ« ки, можно индуцировать при атмосферном давлении путем изоморфного замещения ионов. Последнее обстоятельство является весьма важным, т.к, оно указывает на возможность исследовать критические явления при атмосферном давлении, не прибегая к сложной методике высоких давлений.

2. Прямым экспериментальным доказательством существования трикритических точек в сегнетоэлектриках группы аОТ^ положено начало новому направлению в исследовании фазовых переходов и кри«* тических явлений при структурных фазовых переходах в твердых телах« Исследования трикритических точек представляют не только самостоятельный интерес. Они открывают новые возможности при изучении поликритических явлений, а также влияние различных факторов (электрическое поле, давление, изоморфное замещении ионов и т.д.) на физические свойства кристаллов и взаимосвязи между сопутствую« щими эффектами.

3. Комплексные исследования физических свойств сегнетоэлек-У УТ YÍ1 триков группы А ВС в условиях высокого давления позволили сделать вывод о практическом использовании этих кристаллов. В ре** зультате были созданы лабораторные образцы фото приемников и ре« зисторов, параметры которых стабильны к действию гидростатического давления, и емкостные датчики гидростатического давления. О бьем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, приложений и списка цитируемой литератур ры, В приложения вынесены таблицы идентификации оптических пере<*

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Герзанич, Емельян Иванович

Основные результаты, представленные в диссертационной работе, получены впервые.

В заключение сформулируем основные выводы по диссертации в целом. К их числу отнесем следующее:

1. Впервые на примере сегнетоэлектрика 5Ь51 показано, что на фазовой диаграмме твердого тела имеет место трикритическая точка, существование которой предсказано Л.Д.Ландау. Ее параметры являются следующими: -р =0,14 ГПа, Т = 233 К. Этот вывод подтверждается комплексными исследованиями сегнетоэлектрических и полупроводниковых свойств кристаллов БЬБ! .

2. Экспериментально установлено, что трикритические точки имеют место на р-Т-х диаграммах сегнетоэлектрических твердых

У УТ УП п растворов группы А В ХС . Параметры трикритических точек твердых растворов БЬ$ех5лх1, , /^БЬ,,.^! и в Т-х плоскости равны: ос^ = 0,21; 0,57; 0,11; 0,07 и тЪс =240; 230; 235; 230 К соответственно. Этот вывод подтверждается исследованиями диэлектрических, сегнетоэлектрических и оптических СВОЙСТВ тверш растворов вблизи трикритических точек. Аля сегнетоэлектриков типа смещения установлена связь между производными температуры Кюри по давлению dTc/GLf3 и концентрации примеси fe /cL«xí с критическими давлением и концентрацией .

3.Показано, что изоморфное замещение ионов в твердых раство-У УТ УП pax группы АБС и гидростатическое давление приводят к аналогичным эффектам в поведении температуры Кюри, спонтанной поляри-з ации, диэлектрической проницаемости и других физических характеристик вблизи температуры Кюри. Установлено, что при изоморфном замещении ионов трикритическая, особая и тройная точки на фазовых диаграммах этих кристаллов смещаются к атмосферному давлению. Таким образом, определена область существования трикритических, особых и тройных точек в {э-т-ъ пространстве сегнетоэлектриков группы АУВУ1СУП.

4. Впервые исследованы и описаны особенности фазовых диаграмм сегнетоэлектриков группы в координатах: температура - давление - концентрация примеси. Установлены общие закономерности в поведении различных физических свойств кристаллов этой группы в широком диапазоне температур, гидростатических давлений и концентраций примеси.

5. Установлено существование низкотемпературных фазовых переходов в сегнетоэлектриках группы А^В^^С^ и однозначно показано, что они являются переходами второго рода. Механизм этих переходов обусловлен взаимодействием фононной и дефектной подсистем. Получены экспериментальные данные, свидетельствующие об изменении симмет

Q 4 О рии Sb^I ПРИ фазовом переходе второго рода с сгч/ на или съ,

6. Показано, что сегнетоэлектрические фазовые переходы в

У УТ УП кристаллах группы А В ХС являются переходами первого рода типа с мещения.

У УТ УП

7. Впервые установлено, что сегнетоэлектрики группы А В г ' являются полупроводниками с непрямыми оптическими переходами. Результаты экспериментальных исследований оптических свойств крису ут уп таллов группы ABC, выполненных в работах автора, использованы в ряде теоретических работ по определению энергетической структуры этих соединений.

8. Измерены спектры поглощения, отражения и оптические посто

У УТ УП янные сегнетоэлектрических кристаллов группы ABC при различных температурах и величинах гидростатического давления. Изучено влияние гидростатического давления на энергетическую структуру SbSl

•

9. Обнаружено и впервые исследовано явление поляризации света в области сегнетоэлектрического фазового перехода SbSl . Показано, что эффект обусловлен условиями отражения и преломления света на границах сосуществующих пара- и сегнетоэлектрической фаз.

10. Исследовано влияние гидростатического давления на темно-вую и фотопроводимость SbSI и твердых растворов Ел^Ц^ SI Установлено, что при определенных значениях х величины темпового- и фототока не зависят от внешнего давления. В связи с этим показано, что твердые растворы Ь'\Ооо><Зь0ад^1 и могут быть использованы в качестве высокочувствительных фотоприемников и резисторов, параметры которых стабильны к действию всестороннего сжатия.

11. Путем исследования диэлектрических свойств твердых расту ут уп воров группы А В V установлено, что в параэлектрической фазе электроемкость кристаллов очень чувствительна к изменению давления. 3 связи с этим показано, что кристаллы этой группы можно использовать в качестве высокочувствительных емкостных датчиков гидростатического давления.

12. Для осуществления комплексных исследований критических явлений, оптических и электрофизических свойств кристаллов в широком диапазоне температур и гидростатических давлений, создана аппаратура высокого давления с оптическими двух- и трехоконными камерами.

П P И 1 О, Ж Е H И Е

А. ВЫВОД ФОРМУЛЫ ДЛЯ ОПТИЧЕСКОГО ПРОПУСКАНИЯ СВЕТА КРИСТАЛЛОМ ЗА КРАЕМ ПОГЛОЩЕНИЯ

С учетом отражения интенсивность' света, пропущенного кристаллом, определяется формулой [169] т т (1-*)*

1" 1о "del na. - «id ' (I)

Q -R е где R ~ коэффициент отражения, - коэффициент поглощения, d. - толщина кристалла, 1о - интенсивность падающего света. За краем поглощения, когда выражение (I) перепишется так:

Ь^' 00

В случае нормального падения света, подставляя вместо R его з начение R= <fri~, где 'П- - показатель преломления, имеем:

4 1) м, А ш)

П.2- + 1

1спользуя известное выражение Е^-тг^А3^^^ ^170"], устанавливающее связь между шириной запрещенной зоны Е^ и показателем преломления иь и не учитывая анизотропию энергетической структуры исследуемых кристаллов, которая может привести к более сложной зависимости между Е<^ и оа. , из формулы (Ш) получим:

JJL т г т U-B— . (1У)

Известно, что при фазоьых переходах второго рода между шириной запрещенной зоны и спонтанной поляризацией Р имеет место соотношение +-& Ра [ЮЗ], где о. - константа электрон^ фоионного взаимодействия, Е^о - ширина запрещенной зоны в парафазе. Учитывая это, выражение (1У) для оптического пропускания кристалла за краем поглощения, запишется следующим образом:

Полученное выражение (У) использовалось нами в главе 2 при обсуждении вопроса об изменении симметрии при низкотемпературном фазовом переходе б с,^!

Б. АНАЛИЗ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ В КРИСТАЛЛАХ ГРУППЫ АУВУ1СУП

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Герзанич, Емельян Иванович, 1983 год

1. Вул Б.М. Диэлектрическая проницаемость рутиловых составов.- Докл. АН СССР, 1944, т.43, №7, с. 308-310.

2. Вул Б.М., Гольдман И.М. Диэлектрическая проницаемость титана-тов металлов второй группы. Докл. АН СССР, 1945, т.46, №4, с. 154-157.3. фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979. - 264с.

3. Fattuzzo Е., Harbeke G., Merz W.I., Nitsche R., Roetschi H., Rappel W. Ferroelectricity in SbSl Phys.Rev., 1962, v.127, N6, p. 2036-2037.

4. Nitsche R., Roetschi H., Wild P. New ferroelectric V-VI-VII compounds of the SbSl type.- Appl.Phys.Lett., 1964, v.4, N12, p. 210-211.

5. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики типа A^W^.- М.: Наука, 1982. 229 с.

6. Греков А.А., Данилов С.П., Закс Л.Л., Кулиева В.В», Рубанов Л.А., Сыркин Л.Н., Чехунова Н.П., Эльгард A.M. Пьезоэлементы из кристаллов сульфоиодида сурьмы. Акустический журнал, 1973, т.19, №4, с.622-623.

7. Ishikawa К., Tomoda W,, Kurita К., Toyoda К. Electric field effect on absorption edge in SbSl and its application to light modulation.- In: Proc. of I— Intern.Meet, on Ferroelectric Mat. and their Applications, Jap., 1977, p. 161-164.

8. A.C. 534662 (СССР). Способ измерения давления газов (Беца В. В., Попик Ю.В.) Опубл. в Б.И., 1976, №41.

9. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Зависимость диэлектрических свойств SbSl от температуры и гидростатического давления.- Кристаллография, 1969, т.14, №2, с.298-302.

10. Герзанич Е.И., Бутурлакин А.П., Чепур Д.В., Юркевич В.Э.,

11. Ролов Б.Н. Влияние концентрации примеси и гидростатическогодавления на фазовые переходи б о g г не то по лу пр обо дн ико юх твердых растворах . В кн.: Размытые фазовые переходы. Ученые записки Латв. гос. ун-та им. П.Стучки, 1975, т. 233, №7, с. В2~167.

12. Bridgman P.W. The physics of high pressure.- L.: Bell.,1958. .- 300 p.

13. Poulter C. A glass window mounting for withstanding pressures of 30.000 atmospheres.- Phys.Rev., 1930, v.35, N3, p. 297.

14. Fischman E., Drickamer II.G. Effect of pressure on the frequency of the 0-И band in Butanol solutions.- J.Chem.Phys., 1.956, v. 24, N3, p. 548-553.

15. Parson R.W., Drickamer H.G. Sodium Chloride and Calcium Fto-ride windows for high- pressure infrared spectroscopy.

16. J. Opt., Soc.Am., 1956, v.46,H6, p. 464.

17. Пол В., Варшауэр Д. Роль давления при исследовании полупроводников. В кн.: Твердые тела под высоким давлением. Перев. с англ. (Под ред. А.П.Виноградова). - М.: Мир, 1966, с. 205283.

18. Homer W., Schamp J., Maisch W.G. Microcell for infrared studies on fure liquids at high pressures.- Rev.Sci.Instr.,1961, v.32, Mf p. 414-415.

19. Семенов Я.А., Шалейка А.Ю. Влияние гидростатического давления на показатель преломления эпитаксиальных слоев PbS . -Физ. твердого тела, 1967, т.9, №6, с. I8I0-I8I2.

20. Comings Е.V/. High pressure technology.- U.-Y. , Toronto, L. : 1956. -320 p.

21. Свенсон К. Физика высоких давлений. Перевод с анг. (Под. ред. Л.Ф.Верещагина). « М.: ИЛ, 1963. 367 с.

22. Jacobs J.S. Effect of pressure on F -center absorbtion inalkali halides.- Phys.Rev., 1954, v.93, N5, p. 993-1004.

23. Hughes D.S., Robertson V/.W, Apparatus for obtaining opticalabsorption spectra at pressures to 6000 bars.- J.Opt.Soc.Am., 1956, v.46, N7, p.557-558.

24. Daniels W.B., Skoultchi A.J. Optical observations of the f.c. c. s.c. transformation on single crystals of Rbl at high pressures.- J.Phys.Chem.Sol., 1956, v.27, N8, p. 1247- 1250.

25. Vedam K., Schmidt E.D.D. Effect of hydrostatic pressure on the refractive index of Lii* .- Solid State Communs, 1965,v.3, N11, p. 373-375.

26. Циклис Д.С. Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях. М.: Химия, 1976. - 431 с.

27. Венторф P.Г. Современная техника высоких давлений. Переводс англ. (Под ред. Е.Г.Понятовского). М.: Мир, 1964. - 366с.

28. Клюев Ю.А. Оптическое исследование фазовых переходов под давлением. -Докл. АН СССР,.1962, т.144, №3, с.538-540.

29. Клюев Ю.А., Борщаговская Л.С. Кювета для спектральных исследований в инфракрасной области под давлением до 50 кбар.- Приборы и техн. экспер., 1969, №2, с. 190-192.

30. Щанов М.Ф., Субботин С.И. Камера для оптических исследований при давлениях до 50 кбар и температурах 80 * 300 К.- Приборы и техн. экспер., 1974, №2, с.226-228.

31. Whatley L.S., Lippincouht E.R. , Van Valkenburg A., Wei:n1. W . J-J i

32. Optical studies at high pressures. A miniature diamond cell facilitates high pressure optical studies.- Sci., 1964, v.144, N3621, p. 968-976.

33. Van Valkenburg A. High pressure microscopy of the silver and cuprous halides.- J.Res.Nat.Bur.Stand., 1964, V.A68, N1,p. 97-103.

34. Клюев Ю.А. Алмазная камера высокого давления в спектральных исследованиях. В кн.: Физические исследования при высоких давлениях, ч.1. (Под ред. А.И.Лайсаара). - Таллин, Изд. АН ЭССР, 1977, с. 58-64.

35. Кире Я., Лайсаар А.И. Установка высокого гидростатического давления для оптических исследований. Тарту, 1972. - 19 с. (Препринт/ин-т физ. и астр. АН ЭССР: FAI - 12).

36. Буйновски В., Поровски С., Лайсаар А.И.Установка для опти -ческих исследований под высоким давлением при азотных температурах. Приборы и техн. экспер., 1973, И, с. 224-228.

37. Anzin V. В., Eremets M. I., Kosichkin Yu.V., Itfadezhdinskij A. i. . Shirokov A.M. Measurement of the energy gap in Tellurium under pressure.- Phys.Stat.Sol. a, 1977, v.42, N1, p. 385 --390.

38. Анзин В.Б., Еремец M.И., Косычкин Ю.В., Надеждинский А.И., Широков A.M. Определение ширины запрещенной зоны в теллуре под давлением. Оптические методы, Москва, 1978, - 26 с. (Препринт/ Физ. ин-т им. П.Н.Лебедева АН СССР: №107). .

39. Засавицкий И.И. Аппаратура для оптических измерений в условиях гидростатического давления до 2 кбар при температурах ¿25 К. Приборы и техн. экспер., 1978, №5, с. 191-194.

40. Борзунов В.А., Семин В.П. Общая аппаратура, применяемая в экспериментах с высокими давлениями. В кн.: Труды ВНИИФТРИ, I960, вып.46, (№106), с. I07-II6.

41. Большаков П.Е. Смотровые окна для исследований при высоких давлениях. В кн.: Труды ГИАП, 1953, №1, с. 266-268.

42. Стишов С.М., Зильберштейн В.А. Уплотнение поршня мультипликатора до 30 кат с резиновым кольцом. Приборы и техн. экспер., 1966, №6, с. 209-210.

43. Стишов С.М. Простой способ изолирования и уплотнения электровводов в камеру высокого давления. Приборы и техн. экспер., 1966, №4, с. 219.

44. Банди Ф. Влияние давления на электродвижущую силу термопар. В кн.: Свенсона К. Физика высоких давлений. Перев. с англ. (Под ред. Л.Ф.Верещагина), - ИЛ. - М.: 1963, с. 298-312.

45. Ицкевич Е.С. Бомба высокого давления для работы при низких температурах. Приборы и техн. экспер., 1963, №4, с. 148151.

46. Ицкевич Е.С., Вороновский А.Н., Гаврилов А.Ф., Сухопаров В.А. Камера высокого давления до 18 кбар для работы при гелиевых температурах. Приборы и техн. экспер., 1966, №6, с. 161164.

47. Нефедова В.В., Минин А.П. Камера высокого давления для оптических исследований при низких температурах. Приборы и техн. экспер., 1973, №2, с.198-199.

48. Даунов М.И., Магомедов А.Б. Влияние гидростатического давления на коэффициент Холла и электропроводность CcL9n,Asa, Физ. и техн. полупроводников, 1976, т. 10, М, с. 641-645.

49. Широков A.M., Косичкин Ю.В., Анзин В.Б., Ицкевич Е.С., Сухопаров В.А. Оптическая низкотемпературная камера с фиксированным гидростатическим давлением. Приборы и техн. экспер., 1973, №3, с. 208-209.

50. Брандт Н.Б., Ицкевич Е.С., Минина Н.Я. Влияние давления на поверхности Ферми металлов. Успехи физ. наук, 1971, т.104,3, о. 459-488.

51. Попова С.В., Бенделиани Н.А. Высокие давления. М.: Наука, 1974. - 165 с.

52. Gugan D. Simple high pressure closures and electrodes.- J.Sci.Instr., 1956, v. 33» M, P. 160.

53. Simon J. Electrical lead for high pressure apparatus.- Rev. Sci. Instr., 1 ЭЫ, v. 28, 1T10, p. 963-964.

54. Cornish R.,Ruoff A. Electrical leads for pressure vessels to 30 kilobars.- Rev.Sci.Instr., 1961, v.32,N6, p. 639-641.

55. Scott G., Babbs 3. Multiple lead high pressure plug.- Rev. Sci.Instr., 1961, v.32, 1П0, p. 868-870.

56. Davis L., Gordon R., Tien J., Valisnys J. Simple technique for introducing electrical leads into a high pre ssure vessel.- Rev. Sci.Instr., 1964,v.35, Ю, p. 368-370.

57. Mesnard G., Souquet E., Noel G. Technique de mesuredes faibles conductivities electroques sous haute pression. Rev. de Phys.Appl., 1971, v.6,N9, p. 363-365.

58. Аверкин А.А., Богомолов B.H. Устройство для исследований гальвономагнитных эффектов при всестороннем сжатии. Физ. твердого тела, 196I, т.З, с. 627-629.

59. Ицкевич Е.С., Крайденов В.Ф., Миронова З.А., Славянинова Е. JI., Сухопаров В.А. Электровводы в камеру высокого давления.- Приборы и техн. экспер., 1968, №1, с. 187-188.

60. Bowman Н., Gross J., Johnson D., Hill J., Wes J.S. Impregnated teflon as packing material at 150,000 pouds per squaroinch.- iiev,Sei, Inctr. , 1556, v. 27, L:7, p. 550.

61. Засавицкий И.И. Излучение полупроводниковых лазеров в сильных магнитных полях при высоких гидростатических давлениях.- В кн.: Оптические свойства полупроводников: Труды ФИАН СССР им. Лебедева. М.: 1974, т.75, с. 3-73.

62. Ицкевич Е.С. Исследование и развитие низкотемпературных камер с фиксированным гидростатическим давлением. В кн.: Физические исследования при высоких давлениях. (Под ред. А.И. Лайсаара). - Таллин: Изд. АН ЭССР, 1977, с.1, с. 146-152.

63. Караднеев К.Б. Специальные методы электрических измерений.- М, Л.: Госэнеproиздат, 1969. - 344 с.

64. Иванова Е.М., Атанов Ю.А. Манганиновые манометры точные приборы для измерения высокого давления. - В кн.: Физические исследования при высоких давлениях. ( Под ред. А.И. Лайсаара).- Таллин: Изд. АН ЭССР, 1977, ч.1, с. 93-96.

65. Howe V/.H. Present status of high pressure measurement and control.- J.Instr.Soc.Am., 1955, v.2, N1, p. 77-109.

66. Жоховский M.K., Бахвалова B.B. Дифференциальный манометр сопротивления высокого давления. Измерительная техника, I960, №3, с. 12-15.

67. Розенсон Э.З., Теняков Е.И. Измерительные уравновешенные мосты постоянного тока. Л.: Энергия, 1978. - 112 с.

68. Стишов С.М. Малогабаритный гидравлический пресс. Приборы и техн. экспер., 1966, №2, с. 222-223.

69. Бокша С.С., Шаховский Г.П. Аппаратура сверхвысокого давления1. DD Uс одновременным получением высоких температур. Приборы и техн. экспер., 1958, Ю, с.86-90.

70. Шипило В.Б., Шипило Ф.А. Аппарат высокого давления с гидростатической средой, передающей давление. Приборы и техн. экспер., 1975, №3, с. 216-218.73. -Pan H.Y. ' Inf г are dab'"sorption in semiconductors.- Repr.Progr.

71. Phys., 1956, v.19, p. 107-155.

72. Герзанич Е.И., Брызгалов Й.А., Ракчеев А.Д., Ляховицкая В.А. Оптические постоянные монокристаллов SbSl . Кристаллография, 1968, т.13, №5, с. 898-900.

73. Konig V/. Handbuch der Physik, 1928, v.20, p. 194.

74. Поль P.B. Оптика и атомная физика. Перев. с англ. (Под ред. Н.А.Толстого). М.: Наука, 1966. - 552 с.

75. Sawyer G., Tower С. Rochelle salt as dielectric.- Phys.Rev., 1930, v. 35, ÏÏ1, p. 269-271.

76. Фрицберг В.Я. О методике исследования поляризации сегнето-электриков в переменных электрических полях. В кн.: Методика исследования поликристаллических сегнетоэлектриков. -Рига, Изд. Латв. гос. у-та, 1970, с. 20-21.

77. Бурсиан Э.В. К методике оценки параметров сегнетоэлектриков по петлям гистерезиса. В кн.: Учен. зап. ЛГПИ им. А.Герцена. -Л.: 1962, т.265, с.282-290.

78. Петров B.M. Диэлектрические измерения сегнетоэлектриков.~М.: Наука, 1972. 237 с.

79. Брандт A.A. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах, М.: Энергия, 1963, - 342 с.

80. Наконечный Ю.С., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Метод измерения ■зависимости диэлектрической проницаемости от температуры в непрерывном режиме. В кн.: Ф1зична електрон1ка. - Львов: Изд. Льв. ун-та, 1970, №3, с.100-102.

81. Бонч-Бруевич A.A. Электроника в технике физического эксперимента. М.: Энергия, 1966. - 587 с.

82. Карпихин В.В. Техника измерения электрических параметров конденсаторов, М.-Л,: Энергия, 1955, - 98 с.

83. Gcrzanich E.I. , Popovkin В.А. , Liakhovitsajа V.A. , Fridkin V.Li.

84. SbSl and other ferroelectric V-VI-V1I materials.- Current' Topics in Materials Sciense ( Ed. by E.Kaldis ), Horth-Hol-land Publishing Comp. Amsterdam.IT.-Y.,Oxford,'! 982,v. 10,p. 55-1 90

85. Савченко Н.Д., Герзанич Е.И., Довгошей Н.И., Добрянский С.А., Бутурлакин А.П. Исследование фазового перехода первого родав сегне то полупроводниковых твердых растворах AsxSb4xSl •- Изе. АН СССР. Сер. Неорган, матер,, 1977, т.13, Ю, с. 444448.

86. Шванцебах Т.,Флашка Г. Комплексометрическое титрование.- М.: Химия, 1970. 456 с.

87. Колнгоф И.М., Белгер Р., Степгер В.А. Обьемный анализ. М.: Госхимиздат, 1961. - 375 с.

88. Бусева А.И. Колориметрические (фотометрические) методы определения, неметаллов. М.:, ИЛ, 1963. - 250 с.

89. Dönges Е. Uber Thiohalogenide des dreivrertigen Antimons und Wismuts.- Z.Anorg.Allgem.Chem.,1950, Bd.263, s. 112-132.

90. Dönges E, Uber Chalcogenohalogenide des dreiwertigen Antimons und Y/israuts. II über Selenochalogenide des dreiwertigen Antimons und Wismuts und über Antimon (III)- Selenid.- Z.Anor^.

91. Allsem.Chcra., 1 Э!;0 b, Ed. 263, H. 5-6, s. 280-2S1.

92. Kikuchi A., Oka J., Sawaguchi E., Crystal structure determination of SbSl .- J. Phys.Soc.Jap., 1967, v. 23, N2, p. 337 --354.

93. Nakamura E., Mitsui T., Furuichi J. A note on the classification of ferroelectrics.- J.Phys.Soc,Jap., 1963, v.18, N10,p. 1477-1481.

94. Iwata J., Koyano N., Shibuya J. Crystal structure change in ferroelectric SbSl J.Phys.Soc.Jap., 1965, v.20, N5, P. 875.

95. Hamano K. , Nakamura Т., Ishibaslii Y. , Ooyane T. Piezoelectric, property of SbSl single crystal.- J.Phys.Soc.Jap., 1965,v.20, N10, p. 1836-1887.

96. Гулямов К., Ляховицкая В.А., Тихомирова Н.А., фридкин В.М. Аномально большое влияние давления на оптические и сегнето-электрические свойства монокристаллов SbSl . Докл. АН GGGP, 1965, т.161, №5, с. 1050-1062.

97. Фридкин В.М., Гулямов К., Ляховицкая В.А., Носов В.Н., Тихомирова Н.А. Об аномалии оптических свойств сегнетоэлектрика SbSl в области фазового перехода. Физ. твердого тела, 1966, т.8, №6, с. 1907-1909.

98. ЮО. Moreno М., Granicher Н. Druckabhangigkeit der Dielektrisitatc-konstanten paraelektrischer Stoffe.- Helv.Phys.Acta, 1964,v.37, N7-8, p. 625.

99. Kern R. An electrooptical and electromechanical effect in'. SbSl .- J.Phys.Chem. Sol. , 1 962,v.23, N3, p. 24 9-253.

100. Harbeke G. Absorption edge in ferroelectric SbSl under elnc:-tric fields.- J.Phys.Chem.Sol., 1963, v.24, N7, p. 957-963.

101. Фридкин В.М. Некоторые эффекты, обусловленные электрон-фоионным взаимодействием при фазовом переходе в сегнетоэлектрикеполупроводнике. Письма в ЖЭТФ, 1966, т.З, №6, с. 252-255.

102. Пасынков Р.Е. О термодинамической теории сегнетоэлектриков-полупроводников. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1970, т.34, №12, с. 2466-2479.

103. Pasynkov R.E. On some problems of the phenomenological theory of ferroelectric-semiconductors.- Ferroelectrics, 1973, v.6, FI-2, p. 18-27.

104. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. Перев.с англ. ( Под ред. Г.А.Смоленского). М.:Мир, 1965. -555с.

105. Гинзбург В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений. Успехи физ. наук, 1949, т.38, №4, с.490-525.

106. Гинзбург В.Л. Рассеяние света вблизи точек фазовых переходов в твердом теле. Успехи физ. наук, 1962, т.77, №4, с. 621-638.

107. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Влияние гидростатического давления на эффект Керна-Харбеке в сегнетоэлектрике SbSl • -Ж. эксперимент и теор. физ., 1969, т.56, №3, с. 780-783.

108. Samara G.A. The effect of hydrostatic pressure on ferroelectric properties.- Advances in high pressure research ( Ed. by R.Bredley ), N.Y.-L., 1969, v.3, p. 155-235.

109. Cochran V/. Crystal stability and the theory of ferroelectricity.- Adv.Phys., 1960, v.9, N36, p. 387-423.

110. Андерсон П. Качественные соображения относительно статистики фазового перехода в сегнетоэлектриках типа ВаТ\Оъ .- В кн.: Физика диэлектриков. М.: Изд. АН СССР, I960, с. 290-296.

111. Samara G.A. Effects of pressure on the dielectric properties and vanishing of the ferroelectricity in SbSl .- Ferroelec-trics, 1975, v. 9, Ю-4, p. 209-219.

112. Смоленский Г.Л., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.А., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлект-рики. JI.: Наука, 1971. - 476 с.

113. Ц8. Samara G.A., Morosin Б. Anharmonic effect in

114. КТаСЦ, : Ferroelectric mode, thermal expansion and compressibility.- Phys. Rev.B, 1973, v.8, N3, p. 1256-1264.

115. Samara G.A. The Griineisen parameter of the soft ferroelectric mode in the cubic Perovskites.- Ferroelectrics, 197'l, v.2, N4, p. 177-182.

116. Samara G.A. The effects of hydrostatic pressure on ferroelectric properties.- J.Phys.Soc.Jap., 1970, v.28, suppl., p. 339-403.

117. Герзанич Е.И., Бутурлакин А.П., Чепур Д.В. Фазовые диаграммы некоторых сегнетополупроводниковых твердых растворов на основе SbSl . В кн.: У Международная конференция по физике и технике высоких давлений: Тез, докл. М.: Наука, 1975, с. 157-158.

118. Agrawal D., Perry С. Long wavelength optical phonons and phase transitions in SbSl .- Phys.Rev.B, 1971, v.4,N6, p. 1893-1902.

119. Perry C., Agraval D. Raman spectrum of ferroelectric SbSl .- Solid State Gommuns, 1970,v.8, N4, p. 225-230.

120. Bartzokas A., Siapkas D. Optical phonons and phase transitions of SbSBr SbSl mixed crystals.- Ferroelectrics, 1976, v.12, N1-4, p. 127-129.

121. Siapkas D. Par infrared reflectivity spectra of BiSl.- Perroelectries, 1974, v.7, N1-4, p. 295-296.

122. Заката Т., Mitsui Т. Typo of the ferroelectric phase transJ -tion in Sbsl .- J.Phys.Soc.Jap., 1967, v.23, И2, p. 331-334.

123. Фридкин B.M., Герзанич Е.И., Грошик Й.Й., Ляховицкая В.А. Край поглощения в сегнетоэлектриках-полупроводниках SbSBr , BiSBr , SbSl . Письма в ЖЭТФ, 1966, т.4, №6, с. 201-205.

124. Травина T.G., Голик Л.Л., Герзанич Е.И., Грошик Й.Й., Елин-сон М.И., Ионов П.В., Ляховицкая В.А., Фридкин В.М. Поляризация света сегнетоэлектриком SbSl в области фазового перехода. Физ. твердого тела, 1967, т.9, И2, с. 3664-3665.

125. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Зависимость диэлектрических свойств SbSl от температуры и гидростатического давления.- Физ. твердого тела, 1968,т. 10, №10, с. 3III-3II3.

126. Герзанич Е.И.Зависимость диэлектрических и оптических свойств сегнетоэлектрика-полупроводника SbSl от температуры и гидростатического давления: Автореферат. Дис. . канд.• физ. мат. наук. - М., 1968. - 14 с.

127. Pierrefeu A., Steigmeier E.F., Dorner В. Inelastic neutron scattering in SbSl near the ferroelectric phase transition.- Phys.Stat. Sol.b, 1977, v.80, N1, p. 167-17.1.

128. Kav/ada S. Double hysteresis loop and spontaneous polarisation on ferroelectric SbSl .- J.Phys.Soc.Jap., 1968, v. Ю, p. 919-920.

129. Греков А.А., Ляховицкая M.A., Фридкин В.М. Об электронноммеханизме влияния излучения на процесс пере поляризации сег-нетоэлектриков. Кристаллография, 1973, т.18, с. 788 - 795.

130. Волнянский М.Д., Кудзин А.Ю.,. Сухинский А.Н. Влияние освещения, на индуцированный фазовый переход в кристаллах SbSI .- Физ. твердого тела, 1973, т.15, №9, с. 2810-2820.

131. Tatsuzaki I., Itoh К., Ueda S., Shindo J. Strain along ç axis of SbSI caused by illumination in de electricfield.- Phys.ilev.Lett. , v. 17,N4, p. 198-200.

132. Греков A.A., Рогач Е.Д. Дилатометрическое исследование монокристаллов SbSI . Изв. вузов. Физика, 1968, т.II, №9, с. 138.

133. Пикка Т.А., Фридкин В.М. Фазовые переходы в сегнетоэлектри1. V YT УПках-полупроводниках типа А В С . Физ. твердого тела, 1968, т.10, Ш, с. 3378-33 84.

134. Крайник Н.Н., Попов G.H., Мыльникова И.Е. Наблюдение сигналов ЯКР в сегнетоэлектрике SbSI . ~ Физ. твердого тела, 1966, т.8, №12, с. 3664-3665.

135. Попов G.H., Крайник Н.Н., Мыльникова И.Е. Исследование ядерного квадрупольного резонанса в кристаллах сульфоиодида исульфобромида сурьмы. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1969, т.33,' №2, с. 271-273.

136. Самулионис В.И., Кунигелис В.Ф. Аномальное поглощение и дисперсия скорости ультразвуковых волн в кристаллах SbSI .- Физ. твердого тела, 1969, т.II, №3, с. 844-845.

137. Запорожец О.И., Ляховицкая В.А. Аномалии скорости ультра -звука в SbSI . Докл. АН УССР. Сер. физ.-мат. и техн.наук, 1975, №4, с. 822-825.

138. Hamano К. , Shinmi T. Electrostriction, piezolectricity andelastisity in ferroelectric SbSl J.Phys.Soc.Jap., 1972,v. 33, , P. 113-1 24.

139. Беляев Л.М., Ляховицкая В.А., Сильвестрова И.М. Упругие и пьезоэлектрические свойства кристаллов сульфоиодида сурьмы с примесями. Изв. АН СССР. Сер. физ., №2, с. 331-337.

140. Тараскин С.А., Ляховицкая В.А., Иванов-Шиц А.К. Теплоемкость поликристаллического SbSl . Кристаллография, 1972, т.17, №3, с. 671-683.

141. Mori Т., Tamura Н., Sawaguchi Е. Specific heat measurement of ferroelectric SbSl J.Phys.Soc.Jap., 1965, v.20, If2, p. 281.

142. Brühl H.G. , Neumann H. , Schmidt V/. Determination of the temperature dependence of lattice constants in ferroelectric

143. SbSl Kristall und Technik, 1970, 115, p. K15-K17.

144. Inushima Т., üchinokura К., Matsuura Е. Birefringence and phase transition in SbSl J.Phys.Soc.Jap., 1973, v.44,1. N5, p. 1656-1663.

145. Chaves R. , Amaral H., Ziolkiewicz S. Critical behaviour ofdark current and spontaneous polarization in ferroelectric SbSl J.Phys., 1980, v.41, N3, p.259-264.

146. Steigmeier E.F., Harbeke G., Wehner R.K. Soft-mode coupling and critical Rayleigh scattering in ferroelectric SbSl- In: Light Scatt. in Sol. ( Ed. by M.Balkanski ), Plammari-on Sei., Paris, 1971, p. 396-400.

147. J58. Janovec V. Ferroelectric transitions with a genuine dielectric instability treated as critical points in crystals,- J.Phys.Soc.Jap,, suppl., 1970, v.28, Proc.Sec.Intern. Meet, on Ferroelectricity, Kyoto, Sept.,4-9,1969,p.178-180.

148. Howard D.G., Dunlap B.D., Dash J.G. Internal. field" of impurities in Hi in the region of the Curie point.- Phys. Rev.Lett., 1965, v.15,N15, p. 628-632.

149. Kadanoff L.P. , Götze W, Hamblen D. , Hecht R. , Lev/is E.A.S.

150. Pole i ::.u s с с. s V.7. ,Rayi .I. , Swift J., Aspnes D. , Kane J. Static Phemonomena near critical points: Theory and. experiment.- Rev.Mod.Phys. , 1967, v. 39, IT2, p. 395-431 .

151. Ковач Д.Ш., Борец A.H., Туряница И.Д. Интерференционные исследования фазовых переходов в SbSl . Укр. физ. ж., 1974, т.19, №12, с. 2058-2060.

152. Герзанич Е.И., Борец А.Н., Ковач Д.Ш. Непрямые переходы и поглощение в средней ИК области спектра в кристаллах sbsl „- Опт. и спектр., 1972, т.32, №6, с. 1141-1147.

153. Egert G. , Jahn l.R., Renz D. Birefringence and order parameter of Ammonium Bromide.- Solid State Communs, 1 971, v.9, N11, p. 775-778.

154. InusHimaT. , Uchinokura K., Matsuura E. Phase transition in SbSI .- Solid State Communs, 1978, v.26, Fl , p. 29-33.

155. Носов B.H. 0 новом фазовом переходе в сегнетоэлектрике SbSI.- Кристаллография, 168, т.13, №2, с. 338.

156. Закс П.Л., Пасынков Р.Е., Сыркин Л.Н., Эльгард A.M. Диэлектрическая нелинейность и особенности доменной структуры кристаллов SbSI . Изв. АН СССР. Сер. физ., 1969, т.33, №2,с. 338-340.

157. Берча Д.М., Берча И.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Изменение симметрии кристаллов типа SbSI при фазовом переходе второго рода. Физ. твердого тела, 1969, т.II, №6, с. 1677-1680.

158. Герзанич Е.И.,Изменение симметрии и характер низкотемпературного фазового перехода в SbSI . В кн.: Сложные полупроводники (получение, свойства, применение). - Ужгород: Изд. Ужгородского ун-та, 1981, с. 3-7.

159. Филлипс Дж. Экситоны. В кн.: Оптические свойства полупро1. Ш ТУводников (полупроводниковые соединения типа А В ). М.:1. Мир, 1970, с. 278-312.

160. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. Пер. с англ. С Под ред. В.С.Вавилова), М.: И.Л., 1961, - 304 с.

161. Соболев В.В., Турышев М.В., Ляховицкая В.А. Аномальная температурная зависимость оптических переходов в области фазовых переходов SbSl . Физ, твердого тела, 1981, т.23, №8, о. 2463-2465.

162. Бутурлакин А.П., Герзанич Е.И., Чепур Д.В., Туряница И.Д. Влияние температуры и гидростатического давления на фазовые переходы в твердых растворах Bi^Sb^.^Sl . Укр. физ. ж., 1975, т.20, №11, с. 1863-1867.

163. Бутурлакин А.П., Герзанич Е.И., Чепур Д.В., Грошик Й.Й. Фа-.зовая-р-Т диаграмма твердых растворов SbSBr-cIA;x. . Изв.вузов. Физика, 1976, т.19, № 10, с. I08-II3.

164. Герзанич Е.И., Бутурлакин А.П., Чепур Д.В. Исследование, фазовых переходов в твердых растворах bi^sb^-xSl . Изв.

165. АН СССР. Сер. физ., 1975, т.39, М, с. 774-777.

166. Бал ецкий Д.10., Берча Д.М., Коперлес Б.М., Туряница И.Д.

167. Влияние примесей на температуру Кюри цепочечных кристаллов. Физ. твердого тела, 1974, т.16, №1, с. 278-281.

168. Берча Д.М., Маслюк В,Т., Заячковский М.П. Энергетический спектр и электрические свойства сильноанизотропных кристаллов с ковалентными мостиками. Укр. физ. ж., 1975, т.20, №9, с. I4I7-I42I.

169. Bercha D.M,, Kikineshi A.A., Semak D.G., Chepur D.V. Domain structure and local states in antimony sulphoiodide type semiconductor ferroelectrics.- Sov.Phys.Sol.State, 1972,v.14, N5, P. 1359-1360.

170. Tovstyuk K.D., Baran S.R., Rakin G.V. The equilibrium states of the impurities in the dynamic lattice.- Phys.Stat.Sol. Ъ, 1972, v. 51, И1 , P. 197-204.

171. Берча Д.M., Балецкий Д.Ю., Небола И.И. О природе низкотемпературного фазового перехода в сегнетоэлектрике-полупроводнике ЪЪЪ1 . Физ. твердого тела, 1976, т.18, №11, с.3494-3497.

172. Бутурлакин А.П.,-~Герзанич Е.И., Чепур Д.В. Термодинамический потенциал и особая точка в сегнетополупроводниковых твердых растворах Bi^Sb^-^si # Изв. вузов, физика, 1980, т.23, №11, с. 29-33.

173. Наконечный Ю.С., Горват A.A., Ляховицкая В.А., Задорожная Л. А., Чепур Д.В. Исследование низкотемпературных диэлектрических аномалий и доменной структуры кристаллов SbSl . Кристаллография, 1979, т.24, №4, с. 793-797.

174. Наконечный Ю.С., Горват A.A., Ляховицкая В.А. Релаксационные диэлектрические потери в SbSl . Физ. твердого тела, 1978, т.20, №5, с. 1553-1556.

175. Гриднев С.А. Релаксационные явления в сегнетоэлектрических кристаллах на низких частотах. В кн.: Вопросы физ. твердого тела. - Воронеж, изд. ВПИ., 1975, №4, с. 128-166.

176. Arndt A., Airr;li A. RoiitgeriAriütallographi sehe Untersuchungen an Antiman-Sulfoiodid.- Naturwissenschaften, 1964, Bd 51, s. 158.

177. Волк Т.Р., Герзанич Е.И., Фридкин В.М. О существовании критической точки у сегнетоэлектрика SbSI . Изв. АН СССР. Сер. физ., 1969, т.33, №2, с. 346-351.

178. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Влияние гидростатического давления на диэлектрические свойства SbSI . В кн.: У1 Всесоюзная конфер. по сегнетоэлектричеству. Тез. докл. - Рига, 1968, с. 45-46.

179. Samara G.A. Pressure dependence of the diel'ectric propertien of SbSI .- Phys.Lett., 1968, V.27Ä, N4, p. 232-233.

180. Сыркин Л.Н., Поландов И.H., Качалов Н.П., Гамынин Е.В. О критической точке у сегнетоэлектрика SbSI . Физ. твердого тела, 1972, т.14, №2, с. 610-612.

181. Зисман А.Н., Качинский В.Н., Ляховицкая В.А., Стишов С.М. ■ Дилатометрическое исследование критических явлений при сег-нетоэле&трическом фазовом переходе в сульфоиодиде сурьмы

182. SbSI . Ж. Эксперим. и теор. физ., 1979, т.77, №2(8), с. 640-651.

183. Morl Т., Tamura Н. Preparation of ferroelectric SbSl Single crystals.- J.Phys.Soc.Jap., 1964, v.19, И7, p. 1247.

184. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Оптическое наблюдение фазового перехода в SbSI вблизи критической точки. Письма в ЖЭТФ.1968, т.8,№10, с, 553-556.

185. Samara G.A. Comment on the tricritical point in SbSI .-Phys.Rev.B, 1978, v.17, 117, p. 3020-3021.

186. Samara G.A., Peercy P.S. Pressure and temperature dependence of the static dielectric constants and Raman spectra of ^lOg^ . (Rutile).- Phys.Rev., 1973,. v.B7, p. 1131-1148.

187. Barrett J.H. Dielectric constant in perovskite type crystal;.- Phys.Rev., 1952, v.86, N1,p. 118-120.

188. React.lnstit., Kyoto University, 1976, v.9, p.9-18.

189. Онопко В.В., Герзанич Е.И., Данилов В.В., Котиш С.В. Влияниеодноосной деформации на электропроводность и диэлектрическую проницаемость кристаллов Bi-pSb^-x^- • Изв. АН СССР, Сер. неорган, матер., 1981, т.17, №10, с. 1785-1788.

190. Наконечный Ю.С., Туряница И.Д. Диэлектрические свойства

191. SbSI при воздействии одноосных механических напряжений. Физ. твердого тела, 1974, т.16, №8, с. 2365-2368.

192. Волнянский М.Д., Кудзин А.Ю., Сухинский А.Н. Влияние одномерного механического напряжения на фазовый переход монокристаллов SbSI . Кристаллография, 1972, т.17, №2, с. 421-423.212.

193. Abrahams S.C., ICurts S.K. , Jamienson P.B. Atomic displacement relationship to Curie temperature and spontaneous polarization in displacive ferroelectrics.- Phys.Rev., 1968, v.172, 112, p. 551-553.

194. Киттель Ч.»Введение в физику твердого тела.: Пер. с англ, (Под ред. А.А.Гусева), 2-е изд. перераб. - М.: Физматгиз, 1963. - 696 с.

195. Веневцев Ю.Н., Жданов Г.С., Соловьев С.П. Влияние различных факторов на температуру Кюри сегнетоэлектриков со структурой перовскита. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1958, т.22, №12, с. 1476-1482.

196. Беляев А.Д., Миселюк Е.Г., Сливка В.Ю., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Об определении параметров решетки и точек Кюри твердых растворов соединений типа Укр. физ. ж., 1970, т.15т.15, Ю, с. 497-500.

197. Pandey R.K. Temperature dependence of the spontaneous polarization of policrystalline SbSI J.Phys.Soc.Jap., 1969, v,27, Ю, P. 633-636.

198. Inushiraa Т., Uchinokura K., Matsuura E., Okamoto A. A low temperature phase transition in SbSBr .- J.Phys. Soc.Jap., 1980, v.49, suppl.,A, p. 753-756.

199. Туряница И.Д., Коперлес Б.М., Семак Д.Г., Михалько И.П., Ки-кинеши А.А. Исследование поляризационных свойств легированного сульфоиодида сурьмы. Укр. физ. ж., 1973, т. 18, Ml,с. I9I2-I9I4.

200. Леонидова Г.Г., Нетесова Н.П., Волк Т.Р. Исследование оегне-тоэлектрического фазового перехода в триглицинсульфате при давлениях до 10 кбар. Физ. твердого тела, 1967, т.9,№2,с. 593-595.

201. Бацанов С.С,, Звягина Р.А. Интегралы перекрывания и проблемы эффективных зарядов, т.I. Новосибирск, Наука, 1966. - 386с.

202. Никифоров И.Я., Хасабов А.Г. Расчет зонной структуры полуу ут уппроводников типа А В ХС .В кн.: Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах. Минск: Наука и техника, 1972, с. 101—109.

203. Бацанов С.С. Электроотрицательность элементов и химическая связь. Новосибирск: Изд. СОАН СССР, 1962. - 196 с.

204. Герзанич Е.И. Зависимость диэлектрических свойств твердых растворов SbSbr^I^.^ от температуры и гидростатического давления. Изв. АН СССР. Сер. неорган, матер., 1970, т.6, №9, с. 1589-1592.

205. Balkanski ), Paris, 1976, p. 806-011.

206. Sugav/ara P. , Nakamura T. Par IR reflectivity spectra of SbSl J.Phys.Chem.Sol., 1972, v. 33, Ш, p. 1665-1668.

207. Григас И.П., Карпус А.С. Исследование аномальной дисперсии диэлектрической проницаемости кристаллов и SbSl на СВЧ. Физ. твердого тела, 1967, т.9, №10, с. 2887-2892.

208. Grigas I.P., Beliackas R.P. Investigations of the central mode in SbSl at microwave frequencies.- Perroelectrics, 1978, v. 19, N3-4, P. 113-118.

209. Афанасьева Н.И., Бурлаков B.M., Виноградов E.A., Гончаров А.,Ф., Жижин Г.Н. Фононный спектр кристалла SbSl в окрестности сегнетоэлектрического фазового перехода. Параметр порядка. Физ. твердого тела, 1982, т.24, вып. I, с. 211^216.

210. Mori Т. , Tamura Н. , Sav/aguchi Е. Observation of the first order phase change of SbSl J.Phys.Soc.Jap., 1965, v,20, N7, p. 1294.

211. Kawada S., Ida M. Observation of phase boundaries in ferroelectric SbSl J.Phys.Soc.Jap., 1965, v.20, 117, p. 12871288.

212. Герзанич Е.И. 0 форме края собственного поглощения в сегне-тоэлектрике-полупроводнике SbSl . Физ. твердого тела, 1967, т.9, НО, с. 2995-2996.

213. Герзанич Е.И., Борец А.H., Ковач Д.Ш. Непрямые переходы и поглощение в средней ИК области спектра в кристаллах SbS&f- Изв. вузов. Физика, 1972, т.15,' №7, с. 85-89.

214. Герзанич Е.И. Влияние всестороннего сжатия на край поглощения, спектры отражения и зонную структуру SbSI . ~ Укр. физ. ж., 1980, т.25, №10, с. 1593-1596.

215. Борець О.М. 0птичн1 властивостт HaniBnpoBiflHHKiB. ч.П.- Ужгород: Изд. Ужгородского ун-та, 1973, 112 с,

216. Oswald F. Zur Mesgenauigkeit bei der Bestimmung der Absorptionskonstanten von Halbleitern im Infraroten Spektralbereich- Optik, 1959, Bd.16, H.9, s. 527-537.

217. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел: Перев. с англ. (Под ред. Т.М.Лифшица). М.: ИЛ, 1962, - 558 с.

218. Борец А.Н., Ковач Д.Ш., Сливка В.Ю., Сало Л.А. Модуляционные спектры кристаллов SbSI и SbSel , в кн.: Проблемы исследования свойств сегнетоэлектриков. ч.П: Тез. докл. УШ Всесоюзной конфер. по сегнетоэлектричеству. Ужгород, 1974, с. 69-71.

219. Riede V. Reflexionuntersuchungen an SbSI im Infraroten Spektralbereich.- Phys.Lett., 1969, Bd. 29A, FM, s. 715716.

220. Числер Э.В., Саватинова И.Т., Фридкин B.M. Исследование фазового перехода в сегнетоэлектрическом кристалле SbSI по спектрам комбинационного рассеяния. Физ. твердого тела, 1970, т.12, №10, с. 2882-2887.

221. Balkanski M., Teng M.K., Shapiro S.M., Ziolkiewicz H.K. Lattice modes and phase transition in SbSI .- Phys.Stat. Sol., '1971, v.44, N1, p. 355-367.

222. Ковач Д.Ш. Двухфононные процессы и фазовые переходы в кристаллах SbSI . в кн.: Сложные полупроводники ( получение,свойства, применение). Ужгород: Изд. Ужгородского ун-та, 1981, с. 20-25.

223. Kamimura Н., Shapiro S,M., Balkan ski Л. Notes on absorption band edge of SbSl .- Phys.Lett., 1970, v.33A, U5, p. 277278.

224. Зейналлы A.X., Агасиев A.A., Эфендиев Ш.М. Прямые "разрешенные" переходы в SbSl . Физ. твердого тела, 1974, т.8, №1,с. 197-200.

225. Jrbach P. The long-wavelength edge of photographic sensitivity and of the electronic absorption of solids.- Phys.Rev.,1953, v.92, N5, p. 1324.

226. Mahr II. ultraviolet absorption KI diluted in KC6 crystals.- Phys.Rev., 1962, v.¡25, N5, p. 1510-1516.

227. Sketrup T. Urbachs rule derived from thermal fluctuations in the band-gap energy.- Phys.Rev., 197«, V.B1B, N6, p.2622-2631.

228. Борец A.H., Ковач Д.Ш. Особенности экситон-фоноиного взаимодействия и поляризационные явления на крае поглощения цепо1. У УТ УПчечных полупроводников типа А' В" С'. Фхзична електрон1ка, 1981, №3, с. 28-34.

229. Фирцак Ю.Ю., Добрянский G.A., Довгошей Н.И., Чепур Д.В., Гер-занич Е.И. Влияние высоких гидростатических давлений на электрические и оптические свойства пленок SbS-xSe,,.^! .

230. В кн.: I Всесоюзное совещание по физике и технике высоких давлений: Тез. докл. Отв. за вып. А.И.Лайсаар. Донецк, 1973, с. 197-198.

231. Sawaguchi Е., Mori Т. Stripe patern and negative resistence in SbSl .- J.Phys.Soc.Jap., 1966, v.21, N10, p. 2077.

232. Берча Д.М., Сливка В.Ю., Сырбу H.H., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Анизотропия спектров отражения SbSl . Физ. твердоготела. 1971, т.13, И, с. 276-278.

233. Grandolfo М.,Mariutti G., Zeinally A.Kh., Kogan L.S., Marae-dov A.M., Efendiev Sh.M. The study of energy-band structure of antimony sulphoiodide by modulation spectroscopy.- Perro-electrics, 1978, v.18, N1-3, p. 75-79.

234. Nakao 11. , Balkanski M. Electronic band structure of SbSl in the para- and ferroelectric phases.- Phys.Rev. B, 1973, v. 8, N12, p. 5759-5780.

235. Берча Д.М., Сливка В.Ю., Сырбу Н.Н., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Анизотропия спектров отражения и зонная структура SbSI- Изв. вузов. Физика, 1971, т.В, №8, с. 13-19.

236. Pong C.Y. , Petroff Y. , Kohn S., Shen Y.R. Wavelength, modulations spectra of SbSI and its electronic band structure,-Solid State Communs, 1974, v.14, N8, p. 681-685.

237. Efendiev S.M., Zeinally A.Kh., Grandolfo M., Mariutti G. Thermoreflectance spectra of the ferroelectric phase of semiconducting SbSI .- Solid State Communs, 1976, v.18, Ii2, p. 167-169,

238. Zametin V.I., Rabkin Z.M. Electroreflectance in SbSI .- Ferroelectrics, 1978, v.18, N10,. p. 175-184.

239. Берча Д.М., Герзанич Е.И., Небола И.И. Зонная структура SbSI . Ужгород, 1981. - 25 с. - Рукопись представлена Ужгородским ун-том. Деп. в ВИНИТИ 16 марта 1981, № II8I-8I.

240. Oka J. , Kikuchi A., Mori Т., Sav/aguchi Е. Atomic parameters in ferroelectric SbSI .- J.Phys.Soc.Jap., 1966, v.21, N2, p. 405-406.

241. Jamada jtj Chihara H. On the band structure of SbSI

242. J.Phys.Soc.Jap., 1966, v.21, N10, p.2085.

243. Эльдиб A.M., Саченко В.П., Кривицкий В.В., Меррик Б.Р.

244. Электронная структура в сегнетоэлектрических кристаллах

245. SbSl . Изв. АН СССР. Сер. физ., 1975, т.39, №5, с.896-900.

246. Хасабов А.Г., Никифоров И.Я. Зонная структура сегнетоэлектри-ка-полупроводника Sbsi . Изв. АН СССР. Сер. физ., 1970, т.34, №12, с. 2480-2484.1 1е

247. Товстюк К.Д., Берча Д.М. Симметрия зон в кристаллах »-D* » cl° . - Физ. твердого тела, 1964, т.6, № 3, с. 652-679.

248. Alward J.F., Fong C.Y., El-,Batanouny M., V/o о ten F. Electronic and optical properties of SbSBr, SbSJ and SbSeJ.-Solid State Commune, 1978, v.25, N5, p. 307 310.

249. Берча Д.М., Небола И.И., Берча И.В. Межцепочечные корреляции и энергетический спектр в цепочечных кристаллах. Физ. твердого тела, 1978, т.20, №5, с. 1320-1325.

250. Берча Д.М., Небола И.И., Сливка В.Ю., Туряница И.Д., Чепур Д.В. Зонная структура и химическая связь сегнетоэлектриков-полупро-водников типа SbSl . В кн.: Химическая связь з полупровод -никах и полуметаллах. - Минск: Наука и техника, 1972, с.115-118

251. Дыхне A.M., Кривоглаз М.А. Флуктуоны вблизи критических точек фазового перехода второго рода. Физ. твердого тела, 1970, т. 12, № 6, с. I705-1712.

252. Кривоглаз М.А. Флуктуационные состояния электрона. Успехи физ. наук, 1973, т.Ш, №4, с. 617-654.

253. Ohi К., Arizumi 0. Refractive indices of SbSJ.- J.Phys. Soc.Jap., 1967, v.22, N5, p. 1307.

254. Johannes R., Haas V7. Temperature dependence of refractive index n in SbSJ through the ferroelectric-paraelectric1. С , ^transition.- Appl.Dpt., 1967, v.6, N6, p. 1059- 1061.

255. Голик JI.JI., Грошик Й.Й., Елинсон М.И., Ионов П.В., Ляховиц -кая В.А., Травина Т.С., Фридкин В.М. О "плеохроизме" моно -кристаллов Sbsi в области сегнетоэлектрического фазового перехода,- Кристаллография, 1958, т.13, №6, с.1014-1019.

256. Ларкин А.И., Хмельницкий Д.Е. О слоистой структуре в сегнето-электриках-полупроводниках. Ж.эксперим. и теор. физ., 1968, т.55, №5, с. 2345-2354.

257. Landau L.D. Zur Theorie der Anomalien der Spezifischen Warme, Phys.Z.Sov., 1935, Bd.8, H.2, s. 113-118.

258. Griffiths R.B. Thermodynamics near the two-fluid critical mixing point in He^- He^".- Phys.Rev.Lett., 1970, v. 24, N13, p.715 717.

259. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. М.: Наука, 1954, - 567 с.

260. Леванюк А.П., Собянин А.А. О фазовых переходах второго рода без расходимостей во вторых производных термодинамического потенциала. Письма в ЖЗТФ, 1970, т.II, №11, с.540-543.

261. Aharony A. Multicritical points in structural phase transitions.- Perroelectrics, 1980, v.24, N1-4, p.313 318.

262. Bruce A.D. Structural phase transitions and the renormalisation group.- Perroelectrics, 1976, v.12, N1-4, p. 21- 29.

263. Garland C.W., Baloga J.D. Heat capacity of UH^Cl and BE^Cl single crystals at high pressure.- Phys.Rev. B, 1977, v.16, N1, p. 331-339.

264. Shuvalov L.A. , Baranov A.I. , Shirolcov A.M. ,Konstantinova V.P. Effect of hydrostatic pressure and deuteration on the order of phase transition in triglicine selenate.- Perroelectrics, 1976, v.14, N5-6, p. 699-703.

265. Teng M.K., Massot M., Chaves M.K., Amaral IvI.H., Ziolkiewicz S. Yang V/. Tricritical point induced by atomic substitution in

266. BlxsVxSl.- Phys.Stat.Sol. a, 1981, v.63, N2, p. 605-615.

267. Сливка В.Ю., Высочанский Ю.М., Сало JI.А., Гурзан М.И., Че-пур Д.В. Трикритический фазовый переход в S^aPa-tSe^S^-^)^- Физ. твердого тела, 1979, т.21, №10, с. 3195-3196,

268. Griffiths R.B. Proposal for notation at tricritical points.- Phys.Rev. B, 1973, v.7, N1, p. 545-551.

269. Зисман A.H., Качинский B.H., Стишов C.M. Критические явления в дигидрофосфате калия КДР. Письма в 1ЭТФ, 1980, т.31, №3, с. 172-173.

270. Yamashita Н., Takeuchi Yo., Tatsuzaki I. Pressure-induced tricritical nature in Triglicine Selenate.- J.Phys.Soc.Jap.,1980, v.49, N5, p.1874-1«80.

271. Герзанич Е.И. Трикритические точки в сегнетоэлектрическиху ут уптвердых растворах группы АВАС. Физ. твердого тела,1981, т.23, №11, с. 3262-3266.

272. Герзанич Е.И., Котиш С.В. Фазовые переходы в сегнетоэлектри-ческих твердых растворах группы А^ТО^ вблизи трикритичес-ких точек. Укр. физ. ж., 1982, т.27, №4, с. 631-633.

273. Струков Б.А., Поландов И.Н., Черненко В.А., Новик В.К. Исследование трикритической точки в кристалле триглицинселена-та динамическим тепловым методом при высоких давлениях. -Вест. Моск. ун-та. Сер. Физика и Астрономия, 1981, т.22, №3, с. 65-71.

274. Гинзбург B.J1. О диэлектрических свойствах сегнетоэлектриков и титаната бария. Ж. эксперим. и теор. физ., 1945, т.15, №12, с. 739-749.

275. Гинзбург В.Л., Леванюк А.П., Собянин А.А. Рассеяние света вблизи точек фазовых переходов в твердом теле. Успехи физ. наук, 1980, т.130, №4, с. 615-673.

276. Clarke R. , Benguigui L. The tricritical point in BaT'iO-j . -J.Phys.C: Sol.State Phys., 1977, v.10, N11, p. 1963.

277. Александрова И.П., Москалев А.К. Исследование трикритической точки в SbSI методом ядерного квадрупольного резонанса. Ж. эксперим. и теор. физ. 1980, т.79, №4, с. I42I-I429.

278. Peercy P.S. Raman scattering near the tricritical point in

279. SbSI Phys.Rev.Lett., 1975, v. 35, N23, p. '1581-1584.

280. Moskalev A.K., Aleksandrova I.Jf. , Lyakhovitskaya V.A. Investigation of the tricritical point in SbSI by NQR under pressure.- Ferroelectrics, 1977, v.20, N3-4, p.221-222.

281. Benguigui L., Beaucamps Y. Tricriticality in Co-doped BaTiOj. Phys.Rev.B, 1981, v.23, N11, p.5866-5870.

282. Clarke R. X- ray study of the structural phase transition in SnxG»eAxTe.- Phys.Rev. B, 1978, v.18, N9, p. 4920 -4926.

283. Cerowski Z.,Kidawa A. Otrzymywanie jodosiarczku Antymonu SbSJ yeho v/lasnosci fizyczne i mozliwosc zastosov/ania w akustyce.- Z. naukowe politechniki slaskiej, 1979, z.622, s.63- 73.

284. Itoh K., Ogusu K., Shiozaki J., Toyoda K. Refinement of crystal structure of SbSJ.-Ferroelectrics,1974, v.7,N1-2,p.79-80.

285. Itoh K., Matsunaga H., Nakamura E. Refinement of crystal structure of SbSJ in the ferroelectric phase.- J.Phys.

286. Soc.Jap., 1976, v. 41, H5 , p. 1679-1680.

287. Туряница И.Д., ШтилихаМ.В., Сливка В.Ю. , Чепур Д.В. Неко1. У УТ УРторые особенности выращивания монокристаллов группы А В' С В кн.¡Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород, УжГУ, 1970, с.45-51.

288. Левангак А.П., Минюков С.А. Влияние дефектов на свойства веществ в области фазовых переходов, близких к трикритичес-кой точке. Физ. твердого тела, 1980, т.22, №3, с.870-872.

289. Грановский В.Г. К термодинамике твердых растворов,обладающих сегнетоэлектрическими свойствами. Изв. АН СССР. Сер. физ., I960, т.24, №10, с.1184-1186.

290. Janovec V. Thermodynamic theory of solid solutions of iso-morphous ferroelectrics.- Proc.Intern.Mett. on Ferroelectri-city,Prague, 1966,v.1, p.172-175.

291. Ролов Б.Н., Юркевич В.Э. Термодинамика фазовых переходов в сегнетоактивных твердых растворах. Рига, Зинатне, 1978.- 216 с.

292. Yurkevich V.E., Rolov B.N. Thermodynamics of ferroelectric solid solutions ( I ).- Phys.Stat.Sol. b, 1972, v.52, N1, P. 335-343.

293. Yurkevich V.E., Rolov B.N. Thermodynamics of ferroelectric solid solutions ( II ).- Phys.Stat.Sol. b, 1972, v.52, N2, p. 683-691.

294. Yurkevich V.L., Rolov B.N. Thermodynamic correlation in crystalline ferroelectric semiconductor solid solutions involving consideration of pressure.- Phys.Stat.Sol. B, 1973,v.56, N2, p. 435-442.

295. Герзанич Е.И., Тягур Ю.И., Бутурлакин А.П.,Котиш С.В. Влияние всестороннего сжатия на темновую и фотопроводимость кристаллов bi-abSti-oeS! . В кн. : Физика и техника высоких давлений, 1982, т.З, №9, с.85-88.

296. Здебский О.П., 1ванець В.О., Миселюк О.Г., ПекарСЛ., Чор-на Н.С, Кероване електроакустичне перетворення б текстур1 SbSI . — ,Укр. $Ï3. ж., 1975, т.20, №, с.1568-1569.

297. Греков А.А., Корчагина Н.А., Рогач Е.Д. Времязадающее устройство на сегнетоэлектрическом элементе. Приборы и техн. экспер., 1979, №4, с.262-263.

298. Федак В.В., Семак Д.Г., Чепур Д.В., Кикинеши А.А. Индикатор ИК излучения на основе полупроводника-сегнетоэлектрика SbSI Изв. вузов. Физика, 1975, т. 18, М, с. I09-II0.

299. Герзанич Е.И., Бутурлакин А.П., Тягур Ю.И., КотишС.В., Чепур Д.В. Фазовые диаграммы и практическое использование сегнетоэлектрических твердых растворов на основе Sn2ï£s6 и

300. SbSI . В кн.: X Всесоюзная конференция по сегнетоэлектри-честву и применению сегнетоэлзктриков в народном хозяйстве: Тез. докл. ч. I. - Минск, 1982, с. 91.

301. Тиходеев П.М. Световые измерения в светотехнике. М. - Л., Госэнергоиздат, 1962. - 464 с.

302. Andeen С., Fontanella С., Schule D. A capacitive gauge for the accurate measurement of high pressure.- Rev.Sci.Instr., 1971, v.42, N4, p. 495-496.

303. Colwell J. A solid-dielectric capacitive pressure transducer.- In: High Pressure Science and Technology ( Ed. by

304. K.Timmerhaus & M.Barber ). 1I.Y.-L., 1 979,v.1, p.798-804.

305. Link J., v/intersgill M. , Fontanella J. Pressure variation the low-frequency dielectric constants of some anisotropic crystals.- J.Appl.Phys. ,1 981 , v.52, N2, p.936-939.

306. Uchino K.,Nomura Sh., Cross L., Jang S., Newnham R. Pressure gauge using relator ferroelectrics.- Jap.J.Appl.Phys., 1981, v.20, 115, p.L367-L370.

307. Худсон Д. Статистика для физиков. М.: Мир, 1967. - 149 с.