Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниках: карбиде кремния и нитриде галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Ильин, Иван Владимирович

• Ильин, Иван Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ильин, Иван Владимирович

Введение.

I. Радиоспектрскопические исследования примесей в широкозонных полупроводниках (обзор литературы).

1.1. Акцепторы элементов III группы в SiC.

1.1.1. Мелкие акцепторы бора.

1.1.2. Мелкие акцепторы алюминия.

1.1.3. Мелкие акцепторы галлия.

1.1.4. Глубокие акцепторы III группы.

1.1.5. Акцепторы бериллия.

1.1.6. Акцепторы скандия.

1.2. Переходные элементы в SiC.

1.3. Редкоземельные примеси в SiC.

1.4. Радиоспектроскопические исследования GaN.

1.5. Цели работы.

II. Приготовление образцов и методика эксперимента.

III. ЭПР акцепторов III группы с глубокими уровнями в карбиде кремния.

3.1. Глубокие акцепторы бора.

3.3.1. Гексагональный кристалл 6H~SiC.

3.3.2. Гексагональный кристалл 4H-SiC.

3.3.3. Кубический кристалл 3C-SiC.

3.2. Глубокие акцепторы галлия в 6H-SiC.

3.3. Глубокие акцепторы алюминия в 6H-SiC.

3.4. Модели глубоких акцепторов в SiC.

IV. ЭПР эрбия в карбиде кремния.

4.1. Низкосимметричные центры Е?+.

4.2. Аксиальные центры в 6H-SiC:Er.

4.3 Обсуждение результатов и выводы.

4.3.1. Величины ^-факторов.

4.3.2. СТ структура спектров.

4.3.3. Модели центров Ег в бН-БЮ.

V. ЭПР переходных элементов Мп и № в <7аЖ.

5.1. Мп2+ в ваК.

5.2. Шг+ в ваК.

5.3. Обсуждение результатов и выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниках: карбиде кремния и нитриде галлия»

Настоящая работа посвящена изучению электронного парамагнитного резонанса примесей в широкозонных полупроводниках -карбиде кремния (Я1С) и нитриде галлия (СаЛО

Широкозонные полупроводники с большой энергией химической связи являются одними из самых перспективных материалов опто- и микроэлектроники, а также электроники высоких частот и мощностей.

Карбид кремния - экологически чистый материал с огромными потенциальными возможностями для создания микроэлектронных приборов, работающих в экстремальных условиях (радиация, высокие температуры, агрессивные среды). В последние годы достигнут впечатляющий прогресс в изготовлении пластин <57С диаметром до 75 мм.

Нитрид галлия, являясь прямозонным полупроводником, находит все большее применение при изготовлении коротковолновых светодиодов и лазеров. Технология выращивания нитрида галлия и изготовления приборов на его основе быстро прогрессирует вот уже несколько лет. Примером может служить изготовление фирмой "№сЫа" голубого лазера, имеющего ресурс работы в постоянном режиме более тысячи часов. Появление промышленных оптоэлектронных приборов, работающих в голубой области спектра, уже привело к созданию белых светодиодов. Такие светодиоды находят широкое применение для изготовления источников света, от которых требуется повышенная надежность и срок службы. В ближайшем будущем на основе этого материала ожидаются революционные изменения в технике записи информации. Кроме того, эти материалы перспективны для создания УФ фотоприемников, целой гаммы высокотемпературных (более 600°С) и СВЧ-приборов.

Несмотря на впечатляющий прогресс в технологии широкозонных полупроводников, существует много нерешенных проблем. В случае СатУ до сих пор отсутствовали подложки, пригодные для эпитаксиального роста. Несоответствие решеток подложки и пленки способствовало введению напряжений и дефектов, что препятствовало росту эпитаксиальных слоев. Проблема состоит в получении толстых слоев

ОаИ, то есть объемных монокристаллов, которые можно использовать как подложки.

Для широкозонных полупроводников важной является проблема направленного легирования кристаллов примесями для создания полуизолирующих слоев этих материалов.

Для целенаправленного изменения свойств широкозонных полупроводников и создания приборов на их основе необходимо надежное установление природы собственных и примесных дефектов и их комплексов, а также понимание процессов их создания и разрушения.

Электронный парамагнитный резонанс является мощным методом для исследований микроструктуры собственных и примесных дефектов в полупроводниках. Использование этого метода позволяет обнаружить парамагнитный дефект в полупроводнике, однозначно установить состав дефекта, его симметрию и окружение. ЭПР дает широкую информацию об электронной структуре дефекта.

Важная проблема, которой посвящена первая часть настоящей работы, состоит в исследовании глубоких акцепторных примесей в трех основных политипах Л'С. Бор, алюминий и галлий являются основными акцепторными примесями в карбиде кремния. Эти элементы часто служат неконтролируемыми примесями и изменяют электронные свойства этого материала. Легирование <57С бором, алюминием и галлием позволяет получить материал р-типа. Поэтому важной задачей является установление микроскопической и электронной структуры этих примесей в карбиде кремния. Наличие уровней глубокого бора было общепризнано и наша задача состояла в анализе спектров ЭПР таких центров. В случае с алюминием и галлием существовало мнение, что эти примеси образуют только мелкие акцепторные уровни. Перед нами стояла задача обнаружить методом ЭПР глубокие акцепторные центры А1 и Сав бН-БЮ и установить их структуру.

Следующей важной проблемой является получение кристаллов $¿0, активированных редкоземельными (РЗ) элементами, в частности эрбием, для создания оптических систем, работающих в полосе прозрачности волоконной оптики на длине волны 1.5 мкм. Огромное количество работ, посвященных решению данной проблемы на основе системы Si:Er, показали, что данная система, по-видимому, не эффективна из-за узости запрещенной зоны кремния. Однако, поскольку существует технология роста SiC на кремнии, представляется весьма перспективным направлением создать подобные оптоэлектронные приборы на основе SiC:Er, сопряженного с Si. В связи с этим важное значение приобретает исследование способов легирования карбида кремния РЗ примесями, и исследование их микроструктуры. Наша задача состояла в исследовании спектров ЭПР 6H-SiC, легированного эрбием. Необходимо было обнаружить и изучить сигналы ЭПР эрбия и попытаться установить структуру эрбиевых центров.

Особое значение для широкозонных полупроводников (в частности, GaN) имеют дефекты, связанные с примесями переходных элементов, которые могут иметь различные зарядовые состояния, создавать глубокие уровни в запрещенной зоне и, следовательно, существенно влиять на электрические свойства материала. Более того, подобные дефекты могут привести к созданию полуизолирующих полупроводниковых широкозонных материалов, в которых уровни дефектов расположены в середине запрещенной зоны. Исследования неконтролируемых примесей переходных элементов тем более важно, что имеет прямую связь с технологией нитрида галлия. Наша задача состояла в изучении ЭПР номинально чистых кристаллов GaN, выращенных сублимационным сэндвич-методом, на предмет наличия в них примесей переходных элементов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Акцепторы III группы с глубокими уровнями в гексагональных (6Н и 4Н) политипах карбида кремния представляют собой примесь В, AI или Ga в узле кремния и вакансию углерода в узле, соседнем с примесью вдоль с-оси в трех неэквивалентных положениях в решетке.

2. Неспаренный электрон, ответственный за парамагнитный резонанс глубокого акцептора, локализован в области вакансии углерода.

На примесном атоме локализована только малая часть (1-4%) плотности неспаренного электрона.

3. В кристаллах 6Н-81С:Ег существует два типа примесных центров эрбия, имеющих аксиальную и орторомбическую симметрии.

4. Аксиальные центры представляют собой ион Ег3+, замещающий кремний в регулярной решетке. Орторомбические центры включают, наряду с Е?* в узле кремния, другой дефект (вакансию углерода или атом кислорода) в соседнем узле углерода. Ось центра не совпадает с с-осью кристалла для всех трех неэквивалентных положений эрбия в решетке.

5. В изученных номинально чистых кристаллах ОаЫ, выращенных сублимационным сэндвич-методом, присутствуют примеси марганца, Мп2+ (3сР), и никеля, Ш3+ (ЗсР), замещающие галлий. Установлены параметры спинового гамильтониана для этих центров.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. В первой главе дан обзор литературы по радиоспектроскопическим исследованиям примесей в широкозонных полупроводниках и сформулированы цели диссертационной работы. Вторая глава содержит данные о кристаллической структуре карбида кремния и нитрида галлия, о росте и способах легирования исследованных образцов и краткое описание экспериментальной установки. В третьей главе изложены результаты исследований ЭПР глубоких акцепторов третьей группы (В, А1, Оа) в $1С. Четвертая глава посвящена радиоспектроскопическим исследованиям примеси эрбия в <5#-&'С. В пятой главе приведены результаты исследований ЭПР неконтролируемых примесей элементов переходных групп (марганца и никеля) в нитриде галлия. В заключении сформулированы основные результаты работы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ильин, Иван Владимирович

Наши выводы о свойствах и структуре глубокого акцептора бора в бН-БЮ были недавно подтверждены независимыми исследованиями с использованием методик ЭПР и ДЭЯР на частоте 95 ГГц [96]. Такая высокая частота позволяет разделять сигналы с близкими ¿--факторами и находить с очень высокой точностью параметры спинового гамильтониана. Результаты работы [96] полностью подтвердили наши предположения о микроскопической структуре глубокого бора в бН-БгС и о его электронной структуре. Недавние независимые исследования ЭПР и ДЭЯР (на частоте 9.4 ГГц) в образцах 6Н-8Ю:А1 [97] подтвердили наши данные о глубоких акцепторах алюминия.

Суммируем основные результаты.

1. Идентифицированы и исследованы глубокие акцепторные примеси бора в 6Н-, 4Н- и ЗС-ЯгС. В 6Н-БЮ обнаружены и исследованы глубокие акцепторные примеси алюминия и галлия.

2. Найдены параметры спинового гамильтониана этих центров.

3. Установлено, что в гексагональных политипах карбида кремния глубокие акцепторы III группы (В, А1, (7д) представляют собой примесь, замещающую кремний и вакансию углерода, занимающую соседний с примесью узел по направлению с-оси.

4. Установлено, что в кубическом политипе карбида кремния глубокий акцептор бора представляет собой бор, замещающий кремний и соседнюю углеродную вакансию по одному из направлений <111>.

5. Неспаренный электрон, ответственный за парамагнитный резонанс глубоких акцепторов III группы в <5/С, локализован в области вакансии углерода. Только малая часть плотности неспаренного электрона (1-4%) локализована на примесном атоме.

IV. ЭПР эрбия в карбиде кремния

Спектры ЭПР, наблюдаемые в кристаллах 6H-SiC:Er, состоят из многих линий, положения которых меняются в магнитных полях от 50 до 800 мТл при изменении ориентации кристалла. Зарегистрированы сигналы двух типов центров с качественно разными угловыми зависимостями - низкосимметричными (орторомбическими) и аксиальными. В первом параграфе будут изложены результаты исследования низкосимметричных центров. Во втором параграфе дан анализ центров с аксиальной симметрией. В конце главы мы обсудим величины g-факторов и параметров СТ структуры центров эрбия и предложим модели аксиальных и низкосимметричных центров эрбия в 6H-SiC.

4.1. Низкосимметричные центры Ег3+ [79-83]

На рис. 13 представлены спектры ЭПР в области низких магнитных полей для образца 6H-SiC:Er (Т=12К) при различных углах 0 между магнитным полем и гексагональной осью кристалла. В ориентации В || с видны три линии, обозначенные LSU LS2 и LS3. При вращении кристалла каждая линия LS распадается на шесть. В общем случае мы имеем три группы по шесть линий в каждой. Ширины линий составляют около 0.1мТл. Сигналы LSb LS2 и LS3 принадлежат разным центрам, так как отношение их интенсивностей зависит от температуры. Все три сигнала имеют низкую (LS - low symmetry), типичную орторомбическую симметрию. Сходство ориентационных зависимостей сигналов типа LS говорит об одинаковой симметрии центров, ответственных за эти сигналы. Наблюдаются только количественные различия в параметрах спин-гамильтониана и температурных зависимостях сигналов LSU LS2 и LSV Естественно будет предположить, что эти сигналы могут быть приписаны ионам в трех различных позициях в решетке карбида кремния.

В решетке 6H-SiC есть всего шесть магнитно-неэквивалентных направлений Si- С. Однако, для некоторых ориентаций кристалла

V V2 /

6Н-8Ю:Ег 7= 12 К V = 9.25 вНг

5°

20

Ах а

II т

30°

I—40° г** 50° 60°

Ах,

50

100 150

Мадпейс Т\е\6 (тТ)

Рис. 13. Спектры ЭПР в кристалле 6Н-Б1С:Ег при различных ориентациях образца относительно магнитного поля. В ориентациях В || с и 90° отмечены положения линий низкосимметриченых (ЬЯ) и трех аксиальных (Ах) центров. относительно магнитного поля, отдельные направления могут дать одинаковые проекции на ось магнитного поля, то есть стать эквивалентными. Эти особые ориентации такие: a. в плоскости типа {1120} - четыре неэквивалентных направления, b. при В || с все направления эквивалентны, c. при В ± с в плоскости {1120} - три неэквивалентных направления, й. при В ± с не в плоскости {1120} - шесть неэквивалентных направлений

То есть при В || с должна наблюдаться одна линия в спектре, при вращении в плоскости {1120} она должна расщепиться на четыре линии и при В ± с должно остаться три линии в спектре. Если же вращение производится не в плоскости типа {1120}, то эта линия расщепится на шесть линий, и в ориентации кристалла В ± с их также останется шесть. Действительно, как видно на рис. 13, при изменении ориентации образца каждая из линий Ь8Ъ Ь82 и расщепляется на шесть, каждая из которых представляет центр, ориентированный по одному из магнитно-неэквивалентных направлений в решетке.

Чтобы утверждать, что наблюдаемые линии принадлежат примеси эрбия, необходимо найти СТ структуру этих сигналов. Эрбий имеет только один стабильный нечетный изотоп 161 Ег (естественная распространенность 22.8%) с ядерным спином / = 7/2, и спектр должен состоять из одной интенсивной центральной линии (возникающей от четного изотопа с / = 0) и восьми слабых сателлитных линий одинаковой интенсивности. Их интенсивность должна составлять примерно (22.8/8)/100 « 3% от интенсивности центральной линии. Такая прямая идентификация ионов эрбия была нами проведена.

На рис. 14 представлены спектры ЭПР, записанные при 12К для двух углов 0 между внешним магнитным полем и с-осью кристалла: В || с (0 = 0) и 0 = 3°. В ориентации В || с наборами вертикальных меток указаны положения компонент СТ структуры для центров Ь8и Ь82 и Ь8У Наблюдение СТ структуры спектров затрудняется тем, что расстояния между центральными линиями в ориентации В || с оказались порядка СТ расщеплений. Чтобы доказать, что наблюдаемые на рис. 14 линии малой

LS,

LS1 LS3

В\\с I II I I I I I I I I I I I I

6=3°

I I I I iH I [Г I

6H-SiC:Er

Т= 12К i i i 1 I I

25 50 75 100

Magnetic field (mT)

Рис. 14. Спектры ЭПР в кристалле 6H-SiC для двух ориентации образца. Компоненты СТ структур для центров и LS3 отмечены наборами вертикальных линий. Рисунок показывает одновременное расщепление центральных линий и компонент СТ структуры при вращении образца в магнитном поле. интенсивности действительно принадлежат компонентам СТ структуры линий типа LS, на рис. 14 приведен спектр, записанный при угле между осью с и магнитным полем 0 = 3°. Здесь отчетливо видно, что при отклонении от параллельной ориентации, одновременно с расщеплением центральных линий ¿¿'-центров происходит такое же расщепление и их компонент СТ структуры. Таким образом, рис. 14 показывает, что СТ структура сигналов LS действительно состоит из восьми линий малой интенсивности и сигналы LS принадлежат эрбию. Линии типа LS имеют разные интенсивности в разных ориентациях, и их интенсивность максимальна при В || с, поэтому СТ структура уверенно наблюдалась только в ориентациях, близких к В || с.

Три сигнала LSX, LS2 и LSZ могут быть описаны спиновым гамильтонианом

Н = \iB(BxgxSx + BygySy+ BzgzSz)+ SAI, (4.1) где S = 1/2, 1= 7/2 (спин ядра 167Er), \iB - магнетон Бора, g¡ - компоненты g-тензора вдоль главных осей. Первый член представляет зеемановское взаимодействие электронного спина с внешним магнитным полем, второй член дает СТ взаимодействие электронного спина с ядерным спином 167Ег, и А - соответствующий тензор (этот член равен нулю для четных изотопов). Локальная ось z совпадает с одним из шести направлений Si- С, и не совпадает с с-осью. Оси хну лежат в плоскости, перпендикулярной оси z, и ось х лежит в одной из плоскостей {1120}.

Заключение

Суммируем основные результаты:

1. Идентифицированы и исследованы глубокие акцепторные примеси бора в 6Н-, 4Н- и ЗС-БЮ, обнаружены и изучены глубокие акцепторные примеси алюминия и галлия бН-БЮ.

2. Установлено, что глубокие акцепторы в гексагональных политипах карбида кремния представляют собой примесь В, А1 и ва в узле кремния и вакансию углерода, занимающую соседний с примесью узел по направлению с-оси в трех неэквивалентных положениях в решетке.

3. Неспаренный электрон, ответственный за парамагнитный резонанс, локализован в области вакансии углерода. Только малая часть плотности неспаренного электрона (1-4%) локализована на примесном атоме.

4. В кристаллах 6Н-81С:Ег обнаружены два типа примесных центров Ег*+, имеющих орторомбическую и аксиальную симметрии. Однозначное определение примеси эрбия проведено благодаря наблюдению СТ структуры спектров ЭПР.

5. Предложены модели центров эрбия, описывающие экспериментальные зависимости спектров ЭПР. Аксиальные центры представляют собой ион Ег3+, замещающий кремний в регулярной решетке бН-БЮ.

6. Орторомбические центры включают, помимо Ег3+ в узле кремния, другой дефект (вакансию углерода или атом кислорода) в соседнем узле углерода. Ось центра не совпадает с с-осью кристалла для всех трех неэквивалентных положений эрбия в решетке.

7. В номинально чистых кристаллах ОаМ, выращенных сублимационным сэндвич-методом, обнаружены и идентифицированы примеси ионов М3+ (3сГ) и Мп2+ (3с15), замещающие галлий. Однозначное определение примеси марганца сделано благодаря наблюдению СТ структуры спектров. Найдены параметры спинового гамильтониана этих примесей.

В заключение я хотел бы выразить благодарность моему научному руководителю, П.Г.Баранову за внимание, которое он уделял этой работе. Я хотел бы поблагодарить Е.Н.Мохова за предоставленные образцы, на которых были сделаны все эксперименты. Приношу искреннюю благодарность сотрудникам нашей лаборатории Г.Р.Асатряну,

A.Г.Бадаляну, Н.Г.Романову и В.А.Храмцову за неоценимую помощь в проведении экспериментов, их обсуждении и за поддержку, которую я постоянно ощущал. Отдельная благодарность - сотрудникам лаборатории

B.А.Ветрову и Р.А.Бабунцу за ценные советы и помощь в борьбе с компьютерами и программным обеспечением.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ильин, Иван Владимирович, 1998 год

1. G.Pensl, R.Helbig. Festkoeperprobleme: Advances in Solid State Physics, 30. Ed. By Roessler (Viewig, Braunschweig) 133-156 (1990) and ref. therein.

2. Г.А.Ломакина. ФТТ, 7, 475 (1965)

3. М.М.Аникин, А.А.Лебедев, А.Л.Сыркин, А.В.Суворов. ФТП, 19, 69 (1985)

4. H.Kuwabara, S.Yamada. Phys. Stat. Sol. (a) 30, 739 (1975)

5. M.Ikeda, H.Matsunami, T.Tanaka. Phys.Rev.B 22, 2842 (1980)

6. W.Suttrop, G.Pensl, P.Lanig. Appl. Phys. A 51, 231 (1990)

7. V.S.Ballandovich, E.N.Mokhov. Semiconductors 29, 187 (1995)

8. M.Ikeda, H.Matsunami, T.Tanaka. J. Lum. 20, 111 (1979)

9. G.C.Rybicki. J. Appl. Phys. 78, 2996 (1995) and ref. therein.

10. H.H.Woodbury, G.W.Ludwig; Phys.Rev. 124, 4, 1083-1089 (1961)

11. G.E.G.Hardeman, G.B.Gerritsen; Physics Letters 20, 6, 623-624 (1966)

12. А.И.Веингер, Ю.А.Водаков, Ю.А.Козлов, Г.А.Ломакина, Е.Н.Мохов, В.Г.Одинг, В.И.Соколов. Письма ЖТФ, 6, 1319-1323 (1980)

13. А.Г.Зубатов, В.Г.Степанов, Ю.А.Водаков, Е.Н.Мохов. ФТТ, 24, 890-892 (1982)

14. А.Г.Зубатов, В.Г.Степанов, Ю.А.Водаков, Е.Н.Мохов. Письма ЖТФ, 8, 274-279 (1982)

15. А.Г.Зубатов, И.М.Зарицкий, С.Н.Лукин, Е.Н.Мохов, В.Г.Степанов. ФТТ, 27, 2, 322 (1985)

16. Le Si Dang, K.M.Lee, G.D.Watkins, W.J.Choyke. Phys.Rev.Lett. 45, 390 (1980)

17. П.Г.Баранов, В.А.Ветров, Н.Г.Романов, В.И.Соколов. ФТТ, 27, 3459 (1985)

18. P.G.Baranov, N.G.Romanov. Appl. Magn. Res. 2, 361 (1991); P.G.Baranov, N.G.Romanov. Mat. Sci. Forum. 83-87, 1207 (1992)

19. Т.Л.Петренко, В.В.Тесленко, Е.Н.Мохов. ФТП, 26, 1556 (1992)

20. N.P.Baran, V.A.Bratus, , A.A.Bugai, V.S.Vikhnin, A.A.Klimov, V.M.Maksimenko, T.L.Petrenko, V.V.Romanenko. Phys. Solid. State 35, 1544 (1993)

21. T.L.Petrenko, A.A.Bugai, V.G.Baryakhtar, V.V.Teslenko, V.D.Khavryutcheriko. Semicond. Sei. Technol. 9, 1849, (1994)

22. R.Muller, M.Feege, S.Greulich-Weber, J.-M.Spaeth. Semicond.Sci.Technol. 8, 1377-1384 (1993)

23. J.Reinke, R.Muller, M.Feege, S.Greulich-Weber, J.-M.Spaeth. Mater. Sei. Forum, 143-147, 63 (1994)

24. J.Reinke, S.Greulich-Weber, J.-M.Spaeth, E.N.Kalabukhova, S.N.Lukin, E.N.Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. (UK) 137, 211, (1994)

25. F.J.Adrian, S.Greulich-Weber, J.-M.Spaeth. Sol. St. Comm. 94, 41, (1995)

26. T.Matsumoto, J.G.Poluektov, J.Schmidt, E.N.Mokhov, P.G.Baranov. Phys.Rev. B, 55, 4, (1997-11)

27. V.A.Bratus, N.P.Baran, A.A.Bugai, A.A.KJimov, V.M.Maksimenko, T.L.Petrenko, V.V.Romanenko. Def. Diff. Forum, 103-105 (1993)

28. K.Maier, J.Schneider, W.Wilkening, S.Leibenzeder, R.Stein. Materials Science and Engineering, Bll, 27-30 (1992)

29. P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov. Sol. St. Comm. 100, 6, 371-376 (1996)

30. Н.Г.Романов, В.А.Ветров, П.Г.Баранов, Е.Н.Мохов, В.Г.Одинг. Письма ЖТФ, 11, 1168-1172 (1985)

31. P.G.Baranov, N.G.Romanov, V.A.Vetrov, V.G.Oding. Proc. 20th Int. Conf. on Phys. of Semicond. v3, ed. E.M.Anastassakis, J.D.Joannopulos (Singapore, World Scientific) p. 1855 (1990)

32. P.G.Baranov, E.N.Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, ch.2, IOP Publishing ltd, (1996)

33. P.G.Baranov, E.N.Mokhov. Semicond. Sei. Technol. 11, 489 (1996)

34. П.Г.Баранов, Е.Н.Мохов. ФТТ, 38, 5, 147-165 (1996)

35. П.Г.Баранов, Е.Н.Мохов, А.Хофштеттер, А.Шарманн. Письма ЖЭТФ, 63, 10, 803-808 (1996)

36. Ю.П.Маслаковец, Е.Н.Мохов, Ю.А.Водаков, Г.А.Ломакина. ФТТ, 10, 3, 809 (1968); Ю.А.Водаков, Г.АЛомакина, Е.Н.Мохов, В.Г.Одинг, Е.И.Радованова. ФТТ, 20, 2, 448, (1978)

37. Г.А.Ломакина, В.И.Соколов, Ю.А.Водаков. ФТП, 16, 1244 (1982)

38. В.С.Балландович. ФТП, 25, 287 (1991)

39. P.G.Baranov, E.N.Mokhov. Proc. 23d Int. Conf. on Phys. of Semicond., Berlin, 1996; P.G.Baranov, E.N.Mokhov. Proc. 7th Int. Conf. on Shallow-Level centers in Semiconductors., Amsterdam, 1996.

40. П.Г.Баранов, И.В.Ильин, Е.Н.Мохов, А.Д.Роенков, В.А.Храмцов. ФТТ, 39, 1, 52-57 (1997)

41. M.Marz, J.Reinke, S.Greulich-Weber, J.-M.Spaeth, H.Overhof, E.N.Mokhov, A.D.Roenkov, E.N.Kalabukhova. Sol. St. Comm., 98, 5, 439443 (1996)

42. V.S.Vainer, V.A.Il'in, V.A.Karachinov, Yu.M.Tairov. Sov.Phys.Sol.State, 28, 201 (1986)

43. K.Maier, H.D.Mueller, J.Schneider. Mat.Sei.Forum. 83-87, 1183 (1992)

44. P.G.Baranov, V.A.Khramtsov, E.N.Mokhov. Semicond. Sei. Technol., 9, 1340-1345 (1994)

45. J.A.Freitas Jr., S.G.Bishop, J.A.Edmond, J.Ryu, R.F.Davis., J.Appl.Phys., 61, 2011 (1987)

46. P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov. X Feofilov Symposium on spectroscopy of crystals, activated by rare-earth and transitional ions. St.Petersburg, 1995. Abstracts, p. 62.

47. K.F.Dombrovski, M.Kunzer, U.Kaufmann, J.Schneider, P.G.Baranov, E.N.Mokhov. Phys.Rev.В, 54, 7323 (1996)

48. J.Baur, M.Kunzer, K.F.Dombrovski, U.Kaufmann, J.Schneider, P.G.Baranov, E.N.Mokhov. Mater. Sei. Eng. В (1997)

49. J.Baur, M.Kunzer, K.F.Dombrovski, U.Kaufmann, J.Schneider, P.G.Baranov, E.N.Mokhov. Proc. 23d Int. Conf. on Compound Semicond. St.Petersburg, Russia Septemder, 1996 Inst. Phys. Conf. Ser. No. 155, Ch.12, p.933 (1997) .

50. J.Schneider, H.D.Mueller, K.Maier, W.Wilkening, F.Fuchs, A.Doernen, S.Leibenzeder, R.Stein. Appl.Phys.Lett., 56, 1184 (1990)

51. K.Maier, J.Schneider, W.Wilkening, S.Leibenzeder, R.Stein. Mat.Sei.Eng., Bll, 27 (1992)

52. J.Reinke, S.Greulich-Weber, J.-M.Spaeth. Sol.St.Comm. 85, 1017 (1993)

53. M.Kunzer, H.D.Mueller, U.Kaufmann. Phys.Rev.B., 48, 10846 (1993);

54. В.Ф.Мастеров. ФТП, 27, 1435, (1993) и ссылки в ней.

55. J.Michel et.al. J.Appl.Phys., 70, 2672 (1991) и ссылки в ней; A.Polman. J.Appl.Phys., 82,1,1 (1997)

56. J.D.Carey, J.F.Donegan, R.C.Barklie, F.Priolo, G.Franzo, S.Coffa. Appl.Phys.Lett., 69, 25, (1996)

57. W.J.Choyke, R.P.Devarty, L.L.Clemen, M.Yoganathan, G.Pensl, Ch.Haessler. Appl.Phys.Lett., 65, 13, (1994)

58. H.P.Maruska, J.J.Tietjen. Appl.Phys.Lett., 15, 327 (1969)

59. W.Seifert, R.Franzheld, E.Butter, H.Sobbota, V.Riede. Cryst.Res.Technol., 18, 383 (1983)

60. J.N.Kuznia, M.Asif Khan, D.T.Olson, R.Kaplan, J.Freitas Jr. Appl.Phys.,73, 4700 (1993)

61. M.Asif Khan, D.T.Olson, J.N.Kuznia, W.E.Carlos, J.Freitas Jr. Appl.Phys.,74, 9, 5901 (1993)

62. W.E.Carlos, J.Freitas Jr., M.Asif Khan, D.T.Olson, J.N.Kuznia. Phys.Rev.B. 48, 24, (1993-II)

63. G.Denninger, R.Beerhalter, D.Reiser, K.Maier, J.Schneider, T.Detchprohm, K.Hiramatsu. Sol.St.Comm., 99, 5, 347.(1996)

64. K.Maier, M.Kunzer, U.Kaufmann, J.Schneider, B.Monemar, I.Akasaki, H.Amano. Mat.Sei.Forum, 143-147, 93 (1994)

65. W.M.Walsch Jr., L.W.Rupp Jr. Phys.Rev., 126, 952 (1962); J.Schneider, Z.Naturforsch. 17a, 189 (1962)

66. Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, AD.Roenkov. Krist. und.Techn. 14, 729-741 (1979)

67. Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov, M.G.Ramm, A.D.Roenkov. Springer Proceed, in Phys. 56, 329-334 (1992)

68. Yu.A.Vodakov, E.N.Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser. No.155, Ch.12, p.933 (1997).

69. Yu.AVodakov, E.N.Mokhov, A.D.Roenkov, M.E.Boiko, P.G.Baranov. J. Cryst. Growth. 175 (1997)

70. C.Wetzel, D.Volm, B.K.Meyer, K.Pressel, S.Nilsson, E.N.Mokhov, P.G.Baranov. Mat.Res.Soc.Symp.Proc., 339, 455 (1994)

71. П.Г.Баранов, И.В.Ильин, Е.Н.Мохов. ФТТ, 40, 1 (1998)

72. П.Г.Баранов, И.В.Ильин, Е.Н.Мохов. Тезисы III Всероссийской конференции по физике полупроводников, Москва, 1997, с. 143

73. J.R.Morton, K.F.Preston. J.Magn.Res., 30, 577 (1978)

74. G.D.Watkins, J.W.Corbett, Phys.Rev. 134, A1359 (1964)

75. F.Luti in Physics of Color Centers, ed. W.B.Fowler, Academic Press, N.Y., London, pp. 181-242 (1968)

76. N.I.Mel'nikov, P.G.Baranov, R.A.Zhitnikov. Phys.Stat.Solidi В 46, K73 (1971)

77. P.G.Baranov, Yu.P.Veschunov, R.A.Zhitnikov, N.G.Romanov. Opt.Spectrosc. (USSR) 50, 259 (1981); П.Г.Баранов. ФТТ 25, 307 (1983)

78. J.Schneider, W.C.Holton, T.L.Estle, A.Rauber. Phys.Lett. 5, 312 (1963)

79. P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov. Sol.St.Comm., 103, 5, 291 (1997)

80. П.Г.Баранов, И.В.Ильин, Е.Н.Мохов. Тезисы III Всероссийской конференции по физике полупроводников, Москва 1997, с. 94.

81. P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov. Paper, presented at 19th Int.Conf. on Defects in Semicond. (ICDS-19), Aveiro, Portugal, 1997

82. P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov, Mat.Sci.Forum, Vols.264-268, pp.607-610, 1998

83. П.Г.Баранов, И.В.Ильин, Е.Н.Мохов, А.Б.Певцов, В.А.Храмцов. ФТТ, 41, 1, (1999)

84. А.Абрагам, Б.Блини. ЭПР переходных ионов, М.Мир, 1973 т.1, с. 333.

85. K.R. Lea, M.J.M. Leask, W.P. Wolf, J. Phys. Chem. Solids 23, 1381 (1962)

86. R.K. Watts, W.C. Holton, Phys. Rev. 173, 417 (1968)

87. P.G. Baranov, V.I. Zhekov, T.M. Murina, A.M. Prokhorov, V.A. Khramtsov, Sov. Phys. Solid State 29, 723 (1987) Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 29, 1261 (1987).

88. P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov, AD.Roenkov. Semicond.Sci.Technol. v.ll, pp. 1843-1846 (1997)

89. P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov. Sol.St.Comm. 101, 8, 611-615 (1997); P.G.Baranov, I.V.Ilyin, E.N.Mokhov Inst. Phys. Conf. Ser. No. 155, Ch.12, p.933 (1997)

90. A. Abragam, B. Bleaney, Electron Paramagnetic Resonance of transition ions, v. 1, ch.7, Clarendon Press, Oxford (1970).

91. G.W. Ludwig, H.H. Woodbury, Solid State Physics vol. 13 ed F. Seitz, D. Turnbull (New York: Academic Press Inc.) p. 223 (1962)

92. W.C. Holton, J. Schneider, T.L. Estle, Phys. Rev. 133, A1638 (1964)

93. A. Hausmann, Sol. St. Comm. 6, 457 (1968).

94. K.Pressel, S.Nilsson, R.Heitz, A.Hoffmann, B.K.Meyer, J. Appl Phys. 79, 3214 (1996)

95. J. Baur, M. Kunzer, K. Maier, U. Kaufmann, J. Schneider, Mat.Sei. and Engineering B 29, 61 (1995).

96. A.v.Duijin-Arnold, T.Ikoma, O.G.Poluektov, P.G.Baranov, E.N.Mokhov, J.Schmidt. Phys.Rev.B, 57, 3, 1607 (1998-11)

97. B.K.Meyer, A.Hofstaetter, P.G.Baranov. Mat.Sci.Forum, 264-268, 591 (1998)